KR20200101981A - Vaporizer, substrate processing device, and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Vaporizer, substrate processing device, and manufacturing method of semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR20200101981A
KR20200101981A KR1020207022183A KR20207022183A KR20200101981A KR 20200101981 A KR20200101981 A KR 20200101981A KR 1020207022183 A KR1020207022183 A KR 1020207022183A KR 20207022183 A KR20207022183 A KR 20207022183A KR 20200101981 A KR20200101981 A KR 20200101981A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
raw material
liquid raw
heater
supply unit
vaporization
Prior art date
Application number
KR1020207022183A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
히데히로 야나이
테츠아키 이나다
히데토 타테노
Original Assignee
가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 filed Critical 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
Priority to KR1020237033574A priority Critical patent/KR20230142659A/en
Publication of KR20200101981A publication Critical patent/KR20200101981A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Abstract

액체 원료를 공급하는 액체 원료 공급부; 상기 액체 원료 공급부에 의해 공급된 액체 원료가 내부에서 기화되는 기화실을 구성하는 기화 용기; 상기 기화 용기를 가열하는 제1 히터; 및 상기 제1 히터로부터 방출되는 열을 상기 액체 원료 공급부에 대하여 차단하도록 설치된 단열 부재를 구비하는 기화기.A liquid raw material supply unit for supplying a liquid raw material; A vaporization container constituting a vaporization chamber in which the liquid raw material supplied by the liquid raw material supply unit is vaporized therein; A first heater for heating the vaporization container; And a heat insulating member installed to block heat emitted from the first heater with respect to the liquid raw material supply unit.

Description

기화기, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법Vaporizer, substrate processing device, and manufacturing method of semiconductor device

본 발명은 기화기, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a vaporizer, a substrate processing device, and a method of manufacturing a semiconductor device.

절연물 도포법이나 화학 기상(氣相) 성장법 등에 의해 형성된 막으로부터 더 치밀한 막을 얻는 방법으로서 개질 가스를 막에 공급하는 것에 의해 막을 개질하는 것이 수행된다. 예컨대 특허문헌 1에 개시된 기술과 같이 절연 재료의 막으로부터 더 치밀한 SiO막 등의 산화막을 얻는 방법으로서 과산화수소(H2O2)를 포함하는 가스를 절연 재료의 막에 공급하여 그 막을 개질하는 것이 알려져 있다.As a method of obtaining a denser film from a film formed by an insulator coating method, a chemical vapor growth method, or the like, reforming the film by supplying a modifying gas to the film is performed. As a method of obtaining an oxide film such as a denser SiO film from a film of an insulating material, for example, as in the technique disclosed in Patent Document 1, it is known to supply a gas containing hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) to the film of an insulating material to modify the film have.

1. 국제공개 제2013/077321호1. International Publication No. 2013/077321

H2O2를 포함하는 가스와 같은 원하는 처리 가스를 생성하는 기법 중 하나로서 액체 원료를 기화기에 의해 기화시켜서 원하는 가스를 얻는 것을 생각해볼 수 있다. 하지만 종래의 기화기에서는 기화기 내에 도입된 액체 원료의 온도를 정밀하게 관리하거나 제어하는 것이 곤란하였다.As one of the techniques for generating a desired processing gas, such as a gas containing H 2 O 2 , it is conceivable to obtain a desired gas by vaporizing a liquid raw material by a vaporizer. However, in the conventional vaporizer, it is difficult to precisely manage or control the temperature of the liquid raw material introduced into the vaporizer.

본 발명의 일 형태에 따르면, 액체 원료를 공급하는 액체 원료 공급부; 상기 액체 원료 공급부에 의해 공급된 액체 원료가 내부에서 기화되는 기화실을 구성하는 기화 용기; 상기 기화 용기를 가열하는 제1 히터; 및 상기 제1 히터로부터 방출되는 열을 상기 액체 원료 공급부에 대하여 차단하도록 설치된 단열 부재를 구비하는 기화기가 제공된다.According to an aspect of the present invention, a liquid raw material supply unit for supplying a liquid raw material; A vaporization container constituting a vaporization chamber in which the liquid raw material supplied by the liquid raw material supply unit is vaporized therein; A first heater for heating the vaporization container; And a heat insulating member installed to block heat emitted from the first heater with respect to the liquid raw material supply unit.

본 발명에 따르면, 액체 원료를 기화시키는 기화기에서 기화기 내에 도입된 액체 원료의 온도를 정밀하게 관리하거나 제어할 수 있다.According to the present invention, in a vaporizer for vaporizing a liquid raw material, the temperature of a liquid raw material introduced into the vaporizer can be precisely managed or controlled.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 개략 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 구비하는 처리로의 구성을 도시하는 종단면(縱斷面) 개략도.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 구비하는 기화기의 개략을 도시하는 종단면 구조도.
도 4의 (A)는 본 실시 형태에서의 기화기의 개략을 도시하는 종단면 구성도, 도 4의 (B)는 도 4의 (A)에 도시되는 기화기 간극(間隙)의 모식도.
도 5의 (A)는 1.0mm의 평행 평판 간을 흐르는 가스의 온도의 계산 결과를 도시하는 도면, 도 5의 (B)는 0.8mm의 평행 평판 간을 흐르는 가스의 온도의 계산 결과를 도시하는 도면.
도 6은 수증기를 25slm으로 간극에 흘렸을 경우의 압력 상승량의 계산 결과를 도시하는 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 구비하는 컨트롤러의 개략 구성도.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 공정에 대한 사전 처리 공정을 도시하는 흐름도.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 공정을 도시하는 흐름도.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 기화기의 개략을 도시하는 종단면 구조도.
도 11의 (A)는 본 실시예에 따른 기화기의 개략을 도시하는 종단면 구조도, 도11의 (B)는 비교예에 따른 기화기의 개략을 도시하는 종단면 구조도.1 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a schematic longitudinal cross-sectional view showing the configuration of a processing furnace included in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
3 is a longitudinal sectional structural diagram schematically showing a vaporizer provided in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4A is a longitudinal sectional configuration diagram schematically showing a carburetor in this embodiment, and Fig. 4B is a schematic view of a carburetor gap shown in Fig. 4A.
FIG. 5A is a diagram showing the calculation result of the temperature of the gas flowing between the parallel plates of 1.0 mm, and FIG. 5B is a diagram showing the calculation result of the temperature of the gas flowing between the parallel plates of 0.8 mm. drawing.
Fig. 6 is a diagram showing a calculation result of a pressure increase amount when water vapor flows through a gap at 25 slm.
7 is a schematic configuration diagram of a controller included in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
8 is a flowchart showing a pretreatment process for a substrate treatment process according to an embodiment of the present invention.
9 is a flowchart showing a substrate processing process according to an embodiment of the present invention.
Fig. 10 is a vertical sectional structural diagram schematically showing a vaporizer according to a second embodiment of the present invention.
Fig. 11A is a longitudinal sectional structure diagram schematically showing a carburetor according to the present embodiment, and Fig. 11B is a longitudinal sectional structure diagram schematically showing a carburetor according to a comparative example.

<본 발명의 일 실시 형태><An embodiment of the present invention>

이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

(1) 기판 처리 장치의 구성(1) Configuration of substrate processing apparatus

우선 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 실시하는 기판 처리 장치(10)의 구성예에 대해서 도 1 및 도 2를 이용하여 설명한다. 본 기판 처리 장치(10)는 과산화수소(H2O2)를 함유하는 액체 원료, 즉 과산화수소수를 기화시켜서 생성되는 처리 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치다. 예컨대 실리콘 등으로 이루어지는 기판으로서의 웨이퍼(200)를 처리하는 장치다. 본 기판 처리 장치(10)는 미세 구조인 요철(凹凸) 구조[공극(空隙)]를 가지는 웨이퍼(200)에 대한 처리에 이용하는 경우에 바람직하다. 본 실시 형태에서는 미세 구조의 홈[溝]에 실리콘 함유막인 폴리실라잔(SiH2NH)의 막이 충전되고, 상기 폴리실라잔막을 처리 가스에 의해 처리하는 것에 의해 SiO막을 형성한다.First, a configuration example of a substrate processing apparatus 10 that implements a method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. The substrate processing apparatus 10 is an apparatus that processes a substrate using a liquid raw material containing hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), that is, a processing gas generated by vaporizing hydrogen peroxide water. It is an apparatus for processing the wafer 200 as a substrate made of, for example, silicon. This substrate processing apparatus 10 is preferably used for processing a wafer 200 having an uneven structure (a void) which is a fine structure. In the present embodiment, a film of polysilazane (SiH 2 NH), which is a silicon-containing film, is filled in the microstructured grooves, and the polysilazane film is treated with a processing gas to form a SiO film.

또한 본 실시 형태에서는 H2O2를 기화 또는 미스트화한 것(즉 기체 상태의 H2O2)을 H2O2가스라고 부르고, 적어도 H2O2가스를 포함하는 가스를 처리 가스라고 부르고, H2O2를 포함하는 액체 상태의 수용액을 과산화수소수 또는 액체 원료라고 부른다.In addition, in the present embodiment, the vaporized or misted H 2 O 2 (that is, gaseous H 2 O 2 ) is referred to as H 2 O 2 gas, and the gas containing at least H 2 O 2 gas is referred to as a processing gas. , H 2 O 2 A liquid aqueous solution containing hydrogen peroxide or a liquid raw material is called.

(처리 용기)(Processing container)

도 1에 도시하는 바와 같이 기판 처리 장치(10)를 구성하는 처리로(202)는 처리 용기(반응관)(203)를 구비한다. 처리 용기(203)는 하단이 개구(開口)된 원통 형상으로 형성된다. 처리 용기(203)의 통중공부(筒中空部)에는 처리실(201)이 형성되고, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 후술하는 보트(217)에 의해 수평 자세로 수직 방향에 다단으로 정렬한 상태에서 수용 가능하도록 구성된다.As shown in FIG. 1, the processing furnace 202 constituting the substrate processing apparatus 10 includes a processing vessel (reaction tube) 203. The processing container 203 is formed in a cylindrical shape with an open lower end. A processing chamber 201 is formed in the hollow portion of the processing vessel 203, and the wafer 200 as a substrate is accommodated in a state in which the wafers 200 as a substrate are arranged in multiple stages in a vertical direction in a horizontal position by a boat 217 to be described later. It is configured to be possible.

처리 용기(203)의 하부에는 처리 용기(203)의 하단 개구[노구(爐口)]를 기밀하게 봉지[폐색(閉塞)] 가능한 노구 개체(蓋體)로서의 씰 캡(219)이 설치된다. 씰 캡(219)은 처리 용기(203)의 하단에 수직 방향 하측으로부터 당접(當接)되도록 구성된다. 기판의 처리 공간이 되는 처리실(201)은 처리 용기(203)와 씰 캡(219)으로 구성된다.In the lower part of the processing container 203, a seal cap 219 is provided as an individual furnace hole capable of sealing (closing) the lower end opening of the processing container 203 in an airtight manner. The seal cap 219 is configured to abut the lower end of the processing container 203 from the lower side in the vertical direction. The processing chamber 201 serving as the processing space of the substrate is composed of a processing container 203 and a seal cap 219.

(기판 보지부)(Board holding part)

기판 보지부(保持部)로서의 보트(217)는 복수 매의 웨이퍼(200)를 다단으로 보지할 수 있도록 구성된다. 보트(217)는 저판(底板)(217b)과 천판(天板)(217c) 사이에 가설(架設)된 복수 개의 지주(217a)를 구비한다. 복수 매의 웨이퍼(200)는 지주(217a)에 수평 자세로 정렬되어 관축(管軸) 방향에 다단으로 보지된다.The boat 217 as a substrate holding portion is configured to hold a plurality of wafers 200 in multiple stages. The boat 217 includes a plurality of posts 217a interposed between a bottom plate 217b and a top plate 217c. The plurality of wafers 200 are aligned in a horizontal posture on the post 217a and held in multiple stages in the direction of the tube axis.

보트(217)의 하부에는 단열체(218)가 설치되고, 제1 가열부(207)로부터의 열이 씰 캡(219) 측에 전해지기 어렵도록 구성된다.In the lower part of the boat 217, a heat insulator 218 is provided, and the heat from the first heating unit 207 is configured so that it is difficult to transmit heat to the seal cap 219 side.

(승강부)(Elevating part)

처리 용기(203)의 하방(下方)에는 보트(217)를 승강시키는 승강부로서의 보트 엘리베이터가 설치된다. 보트 엘리베이터에는 보트 엘리베이터에 의해 보트(217)가 상승되었을 때 노구를 봉지하는 씰 캡(219)이 설치된다. 씰 캡(219)의 처리실(201)과 반대측에는 보트(217)를 회전시키는 보트 회전 기구(267)가 설치된다.Below the processing container 203, a boat elevator serving as an elevating part for lifting the boat 217 is provided. The boat elevator is provided with a seal cap 219 that seals the furnace opening when the boat 217 is raised by the boat elevator. A boat rotation mechanism 267 for rotating the boat 217 is installed on the side opposite to the processing chamber 201 of the seal cap 219.

(제1 가열부)(1st heating part)

처리 용기(203)의 외측에는 처리 용기(203)의 측벽면을 둘러싸는 동심원 형상으로 처리 용기(203) 내의 웨이퍼(200)를 가열하는 제1 가열부(207)가 설치된다. 제1 가열부(207)는 히터 베이스(206)에 의해 지지되어 설치된다. 도 2에 도시하는 바와 같이 제1 가열부(207)는 제1 내지 제4 히터 유닛(207a 내지 207d)을 구비한다. 처리 용기(203) 내에는 가열부로서의 제1 내지 제4 히터 유닛(207a 내지 207d)마다 웨이퍼(200) 또는 주변 온도를 검출하는 온도 검출기로서 예컨대 열전대 등의 제1 내지 제4 온도 센서(263a 내지 263d)가 처리 용기(203)와 보트(217) 사이에 각각 설치된다.A first heating unit 207 for heating the wafers 200 in the processing container 203 in a concentric circle shape surrounding the side wall surface of the processing container 203 is installed outside the processing container 203. The first heating unit 207 is supported and installed by the heater base 206. As shown in Fig. 2, the first heating unit 207 includes first to fourth heater units 207a to 207d. In the processing container 203, the first to fourth temperature sensors 263a to 263a to 4th temperature sensors such as a thermocouple, for example as a temperature detector that detects the wafer 200 or the ambient temperature for each of the first to fourth heater units 207a to 207d as heating units. 263d) are installed between the processing container 203 and the boat 217, respectively.

제1 가열부(207), 제1 내지 제4 온도 센서(263a 내지 263d)에는 각각 후술하는 컨트롤러(121)가 전기적으로 접속된다. 또한 제1 내지 제4 히터 유닛(207a 내지 207d)의 각각의 온도를 검출하는 온도 검출기로서 열전대로 구성되는 제1 외부 온도 센서(264a), 제2 외부 온도 센서(264b), 제3 외부 온도 센서(264c), 제4 외부 온도 센서(264d)가 각각 설치되어도 좋다. 제1 내지 제4 외부 온도 센서(264a 내지 264d)는 각각 컨트롤러(121)에 접속된다.Controllers 121 to be described later are electrically connected to the first heating unit 207 and the first to fourth temperature sensors 263a to 263d, respectively. In addition, as a temperature detector for detecting the respective temperatures of the first to fourth heater units 207a to 207d, a first external temperature sensor 264a, a second external temperature sensor 264b, and a third external temperature sensor composed of a thermocouple (264c) and the fourth external temperature sensor 264d may be provided, respectively. The first to fourth external temperature sensors 264a to 264d are respectively connected to the controller 121.

[가스 공급부(가스 공급계)][Gas supply unit (gas supply system)]

도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이 처리 용기(203)와 제1 가열부(207) 사이에는 처리 용기(203)의 외벽의 측부를 따라 처리 가스 공급 노즐(501a)과 산소 함유 가스 공급 노즐(502a)이 설치된다. 처리 가스 공급 노즐(501a)과 산소 함유 가스 공급 노즐(502a)의 선단(先端)(하류단)은 각각 처리 용기(203)의 정부(頂部)로부터 처리 용기(203)의 내부에 기밀하게 삽입된다. 처리 용기(203)의 내부에 위치하는 처리 가스 공급 노즐(501a)과 산소 함유 가스 공급 노즐(502a)의 선단에는 각각 공급공(501b)과 공급공(502b)이 설치된다.1 and 2, between the processing container 203 and the first heating unit 207, along the side of the outer wall of the processing container 203, a processing gas supply nozzle 501a and an oxygen-containing gas supply nozzle ( 502a) is installed. The front end (downstream end) of the processing gas supply nozzle 501a and the oxygen-containing gas supply nozzle 502a is airtightly inserted into the interior of the processing container 203 from the top and bottom of the processing container 203, respectively. . A supply hole 501b and a supply hole 502b are provided at the tip ends of the processing gas supply nozzle 501a and the oxygen-containing gas supply nozzle 502a located inside the processing container 203, respectively.

산소 함유 가스 공급 노즐(502a)의 상류단에는 가스 공급관(602c)이 접속된다. 또한 가스 공급관(602c)에는 상류측부터 순서대로 밸브(602a), 가스 유량 제어부를 구성하는 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(602b), 밸브(602d), 산소 함유 가스 가열부(602e)가 설치된다. 산소 함유 가스는 예컨대 산소(O2) 가스, 오존(O3) 가스, 아산화질소(N2O) 가스 중 적어도 1개 이상을 포함하는 가스가 이용된다. 본 실시 형태에서는 산소 함유 가스로서 O2가스를 이용한다. 산소 함유 가스 가열부(602e)는 산소 함유 가스를 가열하도록 설치된다.A gas supply pipe 602c is connected to the upstream end of the oxygen-containing gas supply nozzle 502a. In addition, a valve 602a, a mass flow controller (MFC) 602b constituting a gas flow control unit, a valve 602d, and an oxygen-containing gas heating unit 602e are provided in the gas supply pipe 602c in order from the upstream side. As the oxygen-containing gas, for example, a gas containing at least one or more of oxygen (O 2 ) gas, ozone (O 3 ) gas, and nitrous oxide (N 2 O) gas is used. In this embodiment, O 2 gas is used as the oxygen-containing gas. The oxygen-containing gas heating unit 602e is provided to heat the oxygen-containing gas.

처리 가스 공급 노즐(501a)의 상류단에는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급관(289a)의 하류단이 접속된다. 또한 처리 가스 공급관(289a)에는 상류측부터 액체 원료를 기화시켜서 처리 가스를 생성하는 처리 가스 생성부로서의 기화기(100), 밸브(289b)가 설치된다. 본 실시 형태에서는 처리 가스로서 H2O2를 적어도 포함하는 가스를 이용한다. 또한 처리 가스 공급관(289a)의 주위에는 자켓 히터 등에 의해 구성되는 배관 히터(289c)가 설치된다. 처리 가스 공급관(289a)과 처리 가스 공급 노즐(501a)은 기화기(100)에서 생성된 기화 가스를 처리실(201) 내에 공급하는 기화 가스 배관을 구성한다.The downstream end of the processing gas supply pipe 289a for supplying the processing gas is connected to the upstream end of the processing gas supply nozzle 501a. In addition, the process gas supply pipe 289a is provided with a vaporizer 100 and a valve 289b as a process gas generation unit that vaporizes a liquid raw material from the upstream side to generate a process gas. In this embodiment, a gas containing at least H 2 O 2 is used as the processing gas. Further, around the processing gas supply pipe 289a, a pipe heater 289c constituted by a jacket heater or the like is provided. The process gas supply pipe 289a and the process gas supply nozzle 501a constitute a vaporized gas pipe for supplying the vaporized gas generated by the vaporizer 100 into the processing chamber 201.

기화기(100)에는 기화기(100)에 대하여 처리 가스의 액체 원료를 공급하는 액체 원료 공급계(300)와, 기화기(100)에 대하여 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급부(캐리어 가스 공급계)가 접속된다. 기화기(100)에서 생성된 액체 원료의 기화 가스는 캐리어 가스와 함께 처리 가스로서 처리 가스 공급관(289a)을 향하여 송출(送出)(배출)된다.The vaporizer 100 is connected to a liquid raw material supply system 300 for supplying a liquid raw material for processing gas to the vaporizer 100 and a carrier gas supply unit (carrier gas supply system) for supplying a carrier gas to the vaporizer 100 do. The vaporized gas of the liquid raw material generated in the vaporizer 100 is sent out (discharged) toward the processing gas supply pipe 289a as a processing gas together with a carrier gas.

액체 원료 공급계(300)는 상류측부터 액체 원료 공급원(301)과, 밸브(302)와, 기화기(100)에 공급되는 액체 원료의 유량을 제어하는 액체 유량 컨트롤러(LMFC)(303)를 구비한다. 캐리어 가스 공급부는 캐리어 가스 공급관(601c), 캐리어 가스 밸브(601a), 캐리어 가스 유량 제어부로서의 MFC(601b), 캐리어 가스 밸브(601d) 등에 의해 구성된다. 본 실시 형태에서는 캐리어 가스로서 산소 함유 가스인 O2 가스가 이용된다. 단, 캐리어 가스로서는 산소 함유 가스(O2 가스 외에 예컨대 O3 가스, NO 가스 등)를 적어도 1개 이상을 포함하는 가스를 이용할 수 있다. 또한 캐리어 가스로서 웨이퍼(200)나 웨이퍼(200)에 형성된 막에 대하여 반응성이 낮은 가스를 이용할 수도 있다. 예컨대 N2가스 또는 희가스를 이용할 수 있다.The liquid raw material supply system 300 includes a liquid raw material supply source 301, a valve 302, and a liquid flow controller (LMFC) 303 that controls the flow rate of the liquid raw material supplied to the vaporizer 100 from the upstream side. do. The carrier gas supply unit is constituted by a carrier gas supply pipe 601c, a carrier gas valve 601a, an MFC 601b serving as a carrier gas flow rate control unit, a carrier gas valve 601d, and the like. In this embodiment, O 2 gas which is an oxygen-containing gas is used as the carrier gas. However, as the carrier gas, a gas containing at least one or more oxygen-containing gases (eg, O 3 gas, NO gas, etc. in addition to O 2 gas) can be used. Further, as a carrier gas, a gas having low reactivity with respect to the wafer 200 or the film formed on the wafer 200 may be used. For example, N 2 gas or rare gas may be used.

여기서 적어도 처리 가스 공급 노즐(501a)과 공급공(501b)에 의해 처리 가스 공급부가 구성된다. 처리 가스 공급부에는 처리 가스 공급관(289a), 밸브(289b), 기화기(100) 등을 더 포함시켜도 좋다. 또한 적어도 산소 함유 가스 공급 노즐(502a)과 공급공(502b)에 의해 산소 함유 가스 공급부가 구성된다. 산소 함유 가스 공급부에는 가스 공급관(602c), 산소 함유 가스 가열부(602e), 밸브(602d), MFC(602b), 밸브(602a) 등을 더 포함시켜도 좋다. 또한 처리 가스 공급부와 산소 함유 가스 공급부에 의해 가스 공급부(가스 공급계)가 구성된다.Here, at least the processing gas supply nozzle 501a and the supply hole 501b constitute a processing gas supply unit. The process gas supply part may further include a process gas supply pipe 289a, a valve 289b, a vaporizer 100, and the like. Further, at least the oxygen-containing gas supply nozzle 502a and the supply hole 502b constitute an oxygen-containing gas supply unit. The oxygen-containing gas supply unit may further include a gas supply pipe 602c, an oxygen-containing gas heating unit 602e, a valve 602d, an MFC 602b, a valve 602a, and the like. Further, a gas supply unit (gas supply system) is constituted by a processing gas supply unit and an oxygen-containing gas supply unit.

(기화기)(carburetor)

계속해서 도 3을 이용하여 기화기(100)의 구조의 개략을 설명한다. 기화기(100)는 기화 용기(111) 내에 액체 원료를 공급하는 액체 원료 공급부(150)[무화부(霧化部), 애터마이저부]와, 기화 용기(111) 내에 공급된 액체 원료를 기화기 히터(113)로 가열하여 기화하는 기화부(108)로 구성된다. 기화기(100)는 기화기 히터(113)로 가열된 기화 용기(111) 내에 액체 원료 공급부(150)에 의해 무화된 미세한 액체 원료의 액적을 공급하는 것에 의해 액체 원료를 기화한다. 또한 기화부(108)를 구성하는 기화 용기(111)와 액체 원료 공급부(150)는 일체적으로 형성된다. 또한 기화 용기(111)와 액체 원료 공급부(150)는 함께 석영 부재(석영 유리)로 구성된다.Subsequently, the outline of the structure of the vaporizer 100 will be described with reference to FIG. 3. The vaporizer 100 includes a liquid raw material supply unit 150 (an atomizing unit, an atomizer unit) for supplying a liquid raw material into the vaporization container 111, and a liquid raw material supplied into the vaporization container 111 as a vaporizer heater. It is composed of a vaporization unit 108 that vaporizes by heating with (113). The vaporizer 100 vaporizes the liquid raw material by supplying droplets of fine liquid raw material atomized by the liquid raw material supply unit 150 into the vaporization container 111 heated by the vaporizer heater 113. In addition, the vaporization container 111 constituting the vaporization unit 108 and the liquid raw material supply unit 150 are integrally formed. In addition, the vaporization container 111 and the liquid raw material supply unit 150 are formed of a quartz member (quartz glass) together.

(기화부)(Gasification part)

기화부(108)의 상세한 구조를 설명한다. 기화부(108)는 주로 기화 용기(111)와, 기화 용기(111)의 내부에 형성되는 기화실(112)과, 기화 용기(111)를 가열하는 제1 히터로서의 기화기 히터(113)와, 기화기 히터(113)로부터 방출되는 열을 기화 용기(111)에 전하는 금속 블록(116)과, 배기구(114)와, 기화 용기(111)의 온도를 측정하는 열전대로 구성된 온도 센서(115)를 구비한다.The detailed structure of the vaporization unit 108 will be described. The vaporization unit 108 mainly includes a vaporization container 111, a vaporization chamber 112 formed in the vaporization container 111, a vaporizer heater 113 as a first heater for heating the vaporization container 111, A temperature sensor 115 consisting of a metal block 116 that transmits heat emitted from the vaporizer heater 113 to the vaporization container 111, an exhaust port 114, and a thermocouple that measures the temperature of the vaporization container 111 is provided. do.

또한 기화부(108)는 아우터 블록(110a)과 이너 블록(110b)의 2개의 블록으로 구분할 수 있다. 아우터 블록(110a)은 원통 형상이며, 원주 형상인 이너 블록(110b)이 그 원통 형상의 내측에 삽입되도록 구성된다. 이너 블록(110b)은 그 상부(선단부)가 돔 형상[구면 형상(球面狀)]으로 형성된다. 또한 아우터 블록(110a)의 원통 형상의 내주의 벽면과 아우터 블록(110a)의 외주의 벽면 사이에는 간극(112b)이 설치된다. 아우터 블록(110a)은 후술하는 아우터 히터(113a), 금속 블록(116)의 일부, 기화 용기(111)의 일부[후술하는 석영 부재(111a)], 단열 부재(160)의 일부를 포함한다. 이너 블록(110b)은 후술하는 이너 히터(113b), 금속 블록(116)의 일부, 기화 용기(111)의 일부[후술하는 석영 부재(111b)], 단열 부재(160)의 일부, 온도 센서(115)를 포함한다.In addition, the vaporization unit 108 may be divided into two blocks, an outer block 110a and an inner block 110b. The outer block 110a has a cylindrical shape and is configured such that an inner block 110b having a cylindrical shape is inserted into the cylindrical shape. The inner block 110b has an upper portion (tip portion) formed in a dome shape (spherical shape). In addition, a gap 112b is provided between the cylindrical inner wall of the outer block 110a and the outer wall of the outer block 110a. The outer block 110a includes an outer heater 113a to be described later, a part of the metal block 116, a part of the vaporization container 111 (a quartz member 111a to be described later), and a part of the heat insulating member 160. The inner block 110b includes an inner heater 113b to be described later, a part of the metal block 116, a part of the vaporization container 111 (a quartz member 111b to be described later), a part of the heat insulating member 160, and a temperature sensor ( 115).

기화기 히터(113)는 아우터 블록(110a)에 내장된 아우터 히터(113a)와, 이너 블록(110b)에 내장된 이너 히터(113b)에 의해 구성된다. 온도 센서(115)에 의해 측정된 온도 데이터에 기초하여 아우터 히터(113a)와 이너 히터(113b)는 각각 제어된다.The carburetor heater 113 is constituted by an outer heater 113a built in the outer block 110a and an inner heater 113b built in the inner block 110b. The outer heater 113a and the inner heater 113b are respectively controlled based on the temperature data measured by the temperature sensor 115.

액체 원료 공급부(150)가 접속되는 기화 용기(111)의 천장벽(161)의 하면과 이너 블록(110b)의 상부 사이에 형성되는 상부 공간(112a)과 간극(112b)은 기화실(112)을 구성한다. 또한 아우터 블록(110a)의 기화실(112)에 노출되는 면에 형성된 외측 용기부로서의 석영 부재(111a)와, 이너 블록(110b)의 기화실(112)에 노출되는 면에 형성된 내측 용기부로서의 석영 부재(111b)와, 천장벽(161)에 의해 기화 용기(111)가 구성된다. 즉 기화 용기(111)는 석영 부재(111a)와 석영 부재(111b)에 의한 이중관 구조로 이루어진다.The upper space 112a and the gap 112b formed between the lower surface of the ceiling wall 161 of the vaporization container 111 to which the liquid raw material supply unit 150 is connected and the upper portion of the inner block 110b are formed in the vaporization chamber 112 Configure. In addition, the quartz member 111a as an outer container part formed on the surface exposed to the vaporization chamber 112 of the outer block 110a and the inner container part formed on the surface exposed to the vaporization chamber 112 of the inner block 110b. The vaporization container 111 is constituted by the quartz member 111b and the ceiling wall 161. That is, the vaporization container 111 has a double tube structure by a quartz member 111a and a quartz member 111b.

즉 기화 용기(111)는 액체 원료 공급부(150)에 의해 공급된 액체 원료를 기화하기 위한 기화실(112)을 구성하고, 기화실(112) 내에서 발생한 기화 가스는 캐리어 가스와 함께 처리 가스로서 배기구(114)로부터 처리 가스 공급관(289a)에 배기(송출)된다.That is, the vaporization container 111 constitutes a vaporization chamber 112 for vaporizing the liquid raw material supplied by the liquid raw material supply unit 150, and the vaporization gas generated in the vaporization chamber 112 is used as a processing gas together with a carrier gas. It is exhausted (sent) from the exhaust port 114 to the processing gas supply pipe 289a.

기화 용기(111)는 기화실(112)에 노출되는 면, 즉 액체 원료 또는 기화 가스에 접촉하는 면이 모두 메탈 프리 재료인 석영으로 구성된다. 따라서, 기화 용기의 재료가 금속과의 반응성이 높은 H2O2와 반응하는 것에 의해 발생하는 금속 오염을 방지할 수 있다.The vaporization container 111 is made of quartz, which is a metal-free material, in which the surface exposed to the vaporization chamber 112, that is, a surface in contact with the liquid raw material or the vaporization gas, is all formed. Therefore, metal contamination caused by reaction of the material of the vaporization container with H 2 O 2 having high reactivity with metal can be prevented.

[액체 원료 공급부(무화부, 애터마이저부)][Liquid raw material supply unit (atomizing unit, atomizer unit)]

액체 원료 공급부(150)는 기화 용기(111)의 상부에 설치된다. 또한 액체 원료 공급부(150)는 금속 블록(116)의 상단보다 상방이며, 기화실(112)의 상방에 설치된다. 또한 본 실시 형태에서는 기화 용기(111)와 액체 원료 공급부(150)가 일체적으로 형성되고, 양자는 천장벽(161)에 의해 구획되지만, 양자는 각각 분리 가능한 유닛으로서 구성할 수도 있다.The liquid raw material supply unit 150 is installed on the vaporization container 111. Further, the liquid raw material supply unit 150 is above the upper end of the metal block 116 and is installed above the vaporization chamber 112. Further, in the present embodiment, the vaporization container 111 and the liquid raw material supply unit 150 are integrally formed, and both are partitioned by the ceiling wall 161, but both may be configured as separate units.

액체 원료 공급부(150)는 LMFC(303)로부터 공급되는 액체 원료가 도입되는 액체 원료 도입구(151)와, 액체 원료 도입구(151)로부터 도입된 액체 원료를 기화 용기(111) 내에 토출(吐出)하는 토출구(152)와, 액체 원료 도입구(151)로부터 토출구(152)까지 액체 원료를 도입하는 액체 원료 도입관(158)과, 캐리어 가스 공급관(601c)으로부터 공급되는 캐리어 가스가 도입되는 캐리어 가스 도입구(153)와, 캐리어 가스 도입구(153)로부터 도입된 캐리어 가스를 기화 용기(111) 내에 분출시키는 캐리어 가스 분출구(155)로부터 구성된다.The liquid raw material supply unit 150 discharges the liquid raw material inlet 151 into which the liquid raw material supplied from the LMFC 303 is introduced, and the liquid raw material introduced from the liquid raw material inlet 151 into the vaporization container 111. ) A discharge port 152, a liquid raw material introduction pipe 158 for introducing a liquid raw material from the liquid raw material introduction port 151 to the discharge port 152, and a carrier gas supplied from the carrier gas supply pipe 601c It is constituted by a gas inlet 153 and a carrier gas outlet 155 for ejecting the carrier gas introduced from the carrier gas inlet 153 into the vaporization container 111.

또한 캐리어 가스 도입구(153)와 캐리어 가스 분출구(155) 사이에는 버퍼 공간(154)이 형성된다. 캐리어 가스 분출구(155)는 천장벽(161)에 형성된 개구의 가장자리와, 이 개구에 삽입된 액체 원료 도입관(158) 사이에 형성되는 협소한 극간에 의해 구성된다. 캐리어 가스 분출구(155)는 액체 원료 도입관(158)의 선단의 토출구(152)의 근방에 형성된다.In addition, a buffer space 154 is formed between the carrier gas inlet 153 and the carrier gas outlet 155. The carrier gas ejection port 155 is constituted by a narrow gap formed between the edge of the opening formed in the ceiling wall 161 and the liquid raw material introduction pipe 158 inserted in the opening. The carrier gas jet port 155 is formed in the vicinity of the discharge port 152 at the tip end of the liquid raw material introduction pipe 158.

즉 캐리어 가스 도입구(153)에 도입된 캐리어 가스는 버퍼 공간(154)을 경유하여 액체 원료 도입관(158)의 토출구(152)의 주위에 형성된 캐리어 가스 분출구(155)로부터 상부 공간(112a) 내에 분사된다. 유로가 좁게 제한된 구조로 이루어져 있는 캐리어 가스 분출구(155)를 통과하는 캐리어 가스의 흐름은 상당히 고속이기 때문에, 분출할 때 토출구(152)의 선단으로부터 토출되는 액체 원료의 액적을 무화 (애터마이징)한다. 이와 같이 토출구(152)로부터 토출되는 액체 원료는 캐리어 가스와 함께 미세한 액적 상태에서 기화 용기(111) 내의 상부 공간(112a)에 분사된다.That is, the carrier gas introduced into the carrier gas inlet 153 passes through the buffer space 154 to the upper space 112a from the carrier gas outlet 155 formed around the outlet 152 of the liquid raw material inlet pipe 158 Is sprayed inside. Since the flow of the carrier gas passing through the carrier gas ejection port 155 having a narrowly confined flow path is quite high, droplets of the liquid raw material discharged from the tip of the ejection port 152 are atomized (atomized) when ejected. . In this way, the liquid raw material discharged from the discharge port 152 is injected into the upper space 112a in the vaporization container 111 in the state of fine droplets together with the carrier gas.

(히터와 그 주변부의 구성)(Composition of the heater and its periphery)

기화 용기(111)를 구성하는 석영 부재는 열전도성이 낮기 때문에 금속제의 기화 용기에 비해 히터로부터의 열을 균일하게 액체 원료에 전해서 기화시키는 것이 어렵다. 따라서 본 실시 형태에서는 아우터 히터(113a)와 기화 용기(111) 사이에는 아우터 히터(113a)에 의해 가열되고 기화 용기(111)의 석영 부재에 간접적으로 열을 전하도록 구성된 제1 금속 블록으로서의 금속 블록(116)이 삽입된다. 금속 블록(116)은 석영 부재(111a)의 외측면을 피복하도록 하방으로부터 천장벽(161)과 같은 높이 위치까지 혹은 하방으로부터 천장벽(161)보다 낮은 높이 위치까지 설치된다. 석영 부재(111a)를 균일하게 가열한다는 관점에서는 석영 부재(111a)의 전면을 피복하도록[즉 천장벽(161)과 같은 높이까지 금속 블록(116)이 연장하도록] 설치되는 것이 바람직하다. 단, 본 실시 형태에서는 금속 블록(116)과 액체 원료 공급부(150) 사이에 후술하는 단열 부재(160)를 설치하기 때문에, 충분한 단열 작용을 얻기 위해 필요한 단열 부재(160)의 두께 분량만큼 금속 블록(116)의 상단부의 높이는 천장벽(161)보다 낮은 위치에 설정된다.Since the quartz member constituting the vaporization container 111 has low thermal conductivity, it is difficult to uniformly transfer heat from the heater to the liquid raw material to evaporate it compared to a metal vaporization container. Therefore, in this embodiment, the metal block as a first metal block is heated by the outer heater 113a between the outer heater 113a and the vaporization container 111 and indirectly transfers heat to the quartz member of the vaporization container 111. 116 is inserted. The metal block 116 is installed from below to the same height as the ceiling wall 161 or from below to a height lower than the ceiling wall 161 so as to cover the outer surface of the quartz member 111a. From the viewpoint of uniformly heating the quartz member 111a, it is preferable that it is provided so as to cover the entire surface of the quartz member 111a (that is, the metal block 116 extends to the same height as the ceiling wall 161). However, in this embodiment, since the heat insulating member 160 to be described later is provided between the metal block 116 and the liquid raw material supply unit 150, the metal block is as much as the thickness of the heat insulating member 160 required to obtain a sufficient heat insulating action. The height of the upper end of 116 is set at a position lower than that of the ceiling wall 161.

본 실시 형태에서는 금속 블록(116)은 알루미늄에 의해 구성된다. 석영 부재는 금속에 비해 열전도성이 낮지만, 열전도성이 높은 금속의 블록을 삽입하는 것에 의해 아우터 히터(113a)로부터의 열을 기화 용기(111)에 균등하게 전할 수 있다.In this embodiment, the metal block 116 is made of aluminum. Although the quartz member has lower thermal conductivity than metal, heat from the outer heater 113a can be uniformly transmitted to the vaporization container 111 by inserting a block of metal having high thermal conductivity.

또한 기화기 히터(113)와 금속 블록(116) 사이 및 금속 블록(116)과 기화 용기(111) 사이에는 전열(傳熱) 페이스트(117)가 충전된다. 이들 사이에 발생하는 간극에 전열 페이스트(117)가 충전되는 것에 의해 간극을 없애고 보다 균일하게 열을 전할 수 있다. 특히 금속 블록(116)과 기화 용기(111)의 사이에 간극이 있으면, 기화 용기(111)에서의 온도 편차가 발생하기 쉽기 때문에 상기 간극에 전열 페이스트(117)를 충전하는 것은 유효하다.In addition, a heat transfer paste 117 is filled between the vaporizer heater 113 and the metal block 116 and between the metal block 116 and the vaporization container 111. When the heat transfer paste 117 is filled in the gap generated between them, the gap can be eliminated and heat can be transmitted more uniformly. In particular, if there is a gap between the metal block 116 and the vaporization container 111, since temperature variation in the vaporization container 111 is liable to occur, it is effective to fill the gap with the heat transfer paste 117.

(단열 구조)(Insulation structure)

기화부(108)의 주위는 단열 크로스로 구성되는 단열 부재(160)로 피복된다. 구체적으로는 단열 부재(160)는 금속 블록(116)의 표면의 적어도 일부, 구체적으로는 상면, 하면 및 외주면을 피복하도록 설치된다. 특히 금속 블록(116)의 상면을 피복하도록 설치된 단열 부재(160)의 부분은 아우터 히터(113a)와 액체 원료 공급부(150) 사이[보다 구체적으로는 아우터 블록(110a) 내의 금속 블록(116)과 액체 원료 공급부(150) 사이]에 설치되고, 아우터 히터(113a)로부터 방출되는 열을 액체 원료 공급부(150)에 대하여 차단(차폐)하도록 구성된다. 즉 기화기 히터(113)[특히 액체 원료 공급부(150)에 근접하는 아우터 히터(113a)]에 대하여 액체 원료 공급부(150)가 열적으로 충분히 격리되도록 단열 부재(160)는 설치된다.The periphery of the vaporization part 108 is covered with a heat insulating member 160 composed of a heat insulating cross. Specifically, the heat insulating member 160 is provided so as to cover at least a part of the surface of the metal block 116, specifically the upper surface, the lower surface, and the outer peripheral surface. Particularly, the portion of the heat insulating member 160 installed to cover the upper surface of the metal block 116 is between the outer heater 113a and the liquid raw material supply unit 150 (more specifically, the metal block 116 in the outer block 110a) It is installed between the liquid raw material supply unit 150], and is configured to block (shield) heat emitted from the outer heater 113a with respect to the liquid raw material supply unit 150. That is, the heat insulating member 160 is provided so that the liquid raw material supply unit 150 is sufficiently thermally isolated from the vaporizer heater 113 (especially the outer heater 113a close to the liquid raw material supply unit 150).

또한 본 명세서에서의 「열의 방출」이란, 열의 방사 또는 전도 중 적어도 어느 하나를 포함하는 의미다. 보다 구체적으로는 단열 부재(160)에 의해 차단되는 아우터 히터(113a)로부터 방출되는 열이란, a) 아우터 히터(113a)에 의해 가열된 금속 블록(116)으로부터 간접적으로 방사되는 열 외에, b) 금속 블록(116)을 개재하여 간접적으로 전도하는 열이나, c) 아우터 히터(113a)로부터 직접 방사되는 열[아우터 히터(113a)가 금속 블록(116)으로부터 노출된 경우) 등을 생각해 볼 수 있다. 본 실시 형태에서는 단열 부재(160)를 설치하는 것에 의해 적어도 a)와 b)의 열이 액체 원료 공급부(150)에 대하여 차단된다.In addition, "the release of heat" in this specification means including at least either radiation or conduction of heat. More specifically, the heat emitted from the outer heater 113a blocked by the heat insulating member 160 means a) in addition to the heat indirectly radiated from the metal block 116 heated by the outer heater 113a, b) Heat that is indirectly conducted through the metal block 116 or c) heat radiated directly from the outer heater 113a (when the outer heater 113a is exposed from the metal block 116), etc. can be considered. . In this embodiment, by providing the heat insulating member 160, at least the heat of a) and b) is blocked from the liquid raw material supply unit 150.

여기서 단열 부재(160)가 설치되지 않은 기화기에서는 기화 용기(111)[기화실(112)]의 온도가 원하는 온도가 되도록 제어되는 한편, 액체 원료 공급부(150)에서의 액체 원료의 온도가 기화실(112)을 가열하는 기화기 히터(113)로부터의 열 간섭을 받는다. 그렇기 때문에 액체 원료 공급부(150)에서의 액체 원료의 온도를 기화 용기(111)의 온도로부터 독립한 원하는 온도가 되도록 관리나 제어하는 것은 곤란하였다. 특히 H2O2와 같이 온도 상승과 함께 급속히 분해가 진행되는 성질을 가지는 화합물을 포함하는 액체 원료를 이용하는 경우, 액체 원료의 온도가 관리나 제어가 되지 않으면 기화실(112) 내에서 기화되기 전의 액체 원료 중의 화합물의 농도가 관리나 제어가 되지 않은 채 변동하고, 결과적으로 기화실(112) 내에서 생성된 기화 가스 중의 화합물의 농도에 의도하지 않은 편차가 발생해버린다.Here, in the vaporizer in which the heat insulating member 160 is not installed, the temperature of the vaporization container 111 (vaporization chamber 112) is controlled to a desired temperature, while the temperature of the liquid raw material in the liquid raw material supply unit 150 is It receives thermal interference from the vaporizer heater 113 that heats 112. Therefore, it has been difficult to manage and control the temperature of the liquid raw material in the liquid raw material supply unit 150 to a desired temperature independent from the temperature of the vaporization container 111. In particular, in the case of using a liquid raw material containing a compound having a property that rapidly decomposes with an increase in temperature, such as H 2 O 2 , if the temperature of the liquid raw material is not managed or controlled, it is not possible to vaporize in the vaporization chamber 112. The concentration of the compound in the liquid raw material fluctuates without being managed or controlled, and as a result, an unintended variation occurs in the concentration of the compound in the vaporized gas generated in the vaporization chamber 112.

따라서 본 실시 형태에서는 단열 부재(160)를 설치하는 것에 의해 액체 원료 공급부(150)에 대한 기화기 히터(113)로부터의 열 간섭을 억제하고, 액체 원료 공급부(150)에서의 액체 원료 온도의 관리나 제어를 용이하게 한다. 본 실시 형태에서는 기화 용기(111)가 180℃ 내지 210℃로 가열되도록 기화기 히터(113)가 제어된다. 한편 단열 부재(160)가 설치되는 것에 의해 기화기 히터(113)로부터의 열 간섭은 억제되고, 액체 원료 공급부(150)에서의 액체 원료의 온도가 100℃이하가 되도록 관리된다. 또한 본 실시 형태에 따르면, 냉각 수단을 설치하지 않고 액체 원료 공급부(150)에서의 액체 원료의 온도를 소정의 온도(예컨대 100℃) 이하로 억제할 수 있다. 발명자에 의한 검증에 따르면, H2O2를 포함하는 액체 원료의 온도가 100℃이하라면, 액중의 H2O2의 농도는 안정되고, 얻을 수 있는 기화 가스의 농도도 안정되는 것을 알 수 있다. 또한 본 명세서에서의 「180℃ 내지 210℃」와 같은 수치 범위의 표기는 하한값 및 상한값이 그 범위에 포함되는 것을 의미한다. 따라서 예컨대 「180℃ 내지 210℃」란 「180℃ 이상 210℃ 이하」를 의미한다. 다른 수치 범위에 대해서도 마찬가지이다.Therefore, in this embodiment, by providing the heat insulating member 160, thermal interference from the vaporizer heater 113 with respect to the liquid raw material supply unit 150 is suppressed, and the liquid raw material temperature is controlled in the liquid raw material supply unit 150 Facilitates control. In this embodiment, the vaporizer heater 113 is controlled so that the vaporization container 111 is heated to 180°C to 210°C. On the other hand, since the heat insulating member 160 is provided, thermal interference from the vaporizer heater 113 is suppressed, and the temperature of the liquid raw material in the liquid raw material supply unit 150 is controlled to be 100°C or less. Further, according to the present embodiment, the temperature of the liquid raw material in the liquid raw material supply unit 150 can be suppressed to a predetermined temperature (for example, 100° C.) or less without providing a cooling means. According to the verification by the inventor, it can be seen that if the temperature of the liquid raw material containing H 2 O 2 is less than 100°C, the concentration of H 2 O 2 in the liquid is stable and the concentration of the vaporized gas that can be obtained is also stable. . In addition, the notation of a numerical range such as "180°C to 210°C" in the present specification means that the lower limit value and the upper limit value are included in the range. Therefore, for example, “180°C to 210°C” means “180°C or higher and 210°C or lower”. The same is true for other numerical ranges.

기화기 히터(113)에 의한 가열에 대하여, 액체 원료 공급부(150)에서의 액체 원료의 온도가 100℃이하가 되도록 단열 부재(160)의 재질이나 두께, 구조 등은 선택된다. 본 실시 형태에서는 열전도율이 0.1 내지 0.3W/mk인 단열 크로스를 단열 부재(160)로서 이용한다. 또한 보다 구체적인 실시 형태로서는, 액체 원료 공급부(150)에서의 액체 원료의 온도가 100℃이하가 되도록 하기 위해 후술하는 온도 센서(119)로 측정되는 액체 원료 공급부(150)의 온도가 100℃이하가 되도록 단열 부재(160)를 구성하는 것이 바람직하다.With respect to heating by the vaporizer heater 113, the material, thickness, structure, etc. of the heat insulating member 160 are selected so that the temperature of the liquid raw material in the liquid raw material supply unit 150 is 100°C or less. In the present embodiment, a heat insulating cloth having a thermal conductivity of 0.1 to 0.3 W/mk is used as the heat insulating member 160. Further, as a more specific embodiment, the temperature of the liquid raw material supply unit 150 measured by the temperature sensor 119 described later in order to ensure that the temperature of the liquid raw material in the liquid raw material supply unit 150 is 100° C. or less is 100° C. or less. It is preferable to configure the heat insulating member 160 as possible.

본 실시 형태에서 금속 블록(116)의 상면에 설치된 단열 부재(160)의 부분을 다른 단열재로 치환할 수도 있다. 예컨대 단열 크로스와 동등한 열전도율을 가지는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 퍼플루오로알콕시알칸(PFA), 폴리벤조이미다졸(PBI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등의 수지의 판재와 단열 부재(160)의 일부를 치환해도 좋다. 또한 금속 블록(116)의 일부를 다공 구조로 하여 단열 기능을 주는 것에 의해 단열 부재(160)로 바꿀 수도 있다.In this embodiment, a portion of the heat insulating member 160 provided on the upper surface of the metal block 116 may be replaced with another heat insulating material. For example, a sheet of resin such as polytetrafluoroethylene (PTFE), perfluoroalkoxyalkane (PFA), polybenzoimidazole (PBI), and polyetheretherketone (PEEK) having a thermal conductivity equivalent to that of an insulating cross and a heat insulating member ( 160) may be substituted. In addition, a part of the metal block 116 may have a porous structure and may be replaced with a heat insulating member 160 by providing a heat insulating function.

버퍼 공간(154) 내의 액체 원료 도입관(158)의 외면에는 열전대로 구성된 온도 센서(119)가 장착된다. 온도 센서(119)는 액체 원료 공급부(150)의 온도, 보다 구체적으로는 액체 원료 도입관(158)의 온도를 측정한다. 액체 원료 도입관(158)의 외면의 온도를 측정하도록 온도 센서(119)를 설치하는 것에 의해, 액체 원료 도입관(158)을 통과하는 액체 원료의 온도를 간접적으로 측정할 수 있다. 본 실시 형태에서는 온도 센서(119)는 컨트롤러(121)에 접속되고, 컨트롤러(121)에 의해 액체 원료의 온도가 모니터 된다.A temperature sensor 119 composed of a thermocouple is mounted on the outer surface of the liquid raw material introduction pipe 158 in the buffer space 154. The temperature sensor 119 measures the temperature of the liquid raw material supply unit 150, more specifically, the temperature of the liquid raw material introduction pipe 158. By providing the temperature sensor 119 to measure the temperature of the outer surface of the liquid raw material introduction pipe 158, the temperature of the liquid raw material passing through the liquid raw material introduction pipe 158 can be measured indirectly. In this embodiment, the temperature sensor 119 is connected to the controller 121 and the temperature of the liquid raw material is monitored by the controller 121.

본 실시 형태에서의 기화기(100)는 온도 센서(119)를 액체 원료 도입관(158)의 외면에 1개 구비하지만, 다른 개소(箇所)에 구비해도 좋으며 복수 구비해도 좋다. 예컨대 액체 원료 도입관(158)의 내면이나 버퍼 공간(154)의 측면 등에 설치해도 좋다. 온도 센서(119)를 액체 원료 도입관(158)의 외면에 설치하는 경우, 본 실시 형태와 같이 버퍼 공간(154)의 내측에 설치해도 좋고, 또한 버퍼 공간(154)의 내측에 설치하는 것이 곤란하다면 그 외측[특히 액체 원료 도입관(158)의 상류측]에 설치해도 좋다.The vaporizer 100 in this embodiment is provided with one temperature sensor 119 on the outer surface of the liquid raw material introduction pipe 158, but may be provided at different locations or may be provided in plural. For example, it may be installed on the inner surface of the liquid raw material introduction pipe 158 or on the side of the buffer space 154. When the temperature sensor 119 is installed on the outer surface of the liquid raw material introduction pipe 158, it may be installed inside the buffer space 154 as in this embodiment, and it is difficult to install it inside the buffer space 154 If so, you may install it outside (especially the upstream side of the liquid raw material introduction pipe 158).

또한 기화기 히터(113)로부터 방출되는 열의 간섭에 의해, 온도 센서(119)에 의해 측정된 온도가 원하는 온도를 초과하는 경우에는, 온도 센서(115, 119)에 의해 측정된 온도 데이터에 기초하여 기화기 히터(113)의 온도를 제어해도 좋다. 이 경우 온도 센서(115, 119)에 의해 측정된 온도 데이터는 각각 온도 제어 컨트롤러(106)에 출력되고, 온도 제어 컨트롤러(106)는 상기 온도 데이터에 기초하여 기화기 히터(113)의 온도를 제어한다. 단, 단열 부재(160)에 의해 액체 원료 공급부(150)에 대한 기화기 히터(113)로부터 공급되는 열의 간섭이 충분히 억제된 경우[즉 기화기 히터(113)에 대하여 액체 원료 공급부(150)가 열적으로 실질적으로 격리된 경우], 온도 센서(119)에 의해 측정된 온도 데이터에 기초한 기화기 히터(113)의 제어는 수행하지 않는다.In addition, when the temperature measured by the temperature sensor 119 exceeds the desired temperature due to interference of heat emitted from the vaporizer heater 113, the vaporizer is based on the temperature data measured by the temperature sensors 115 and 119. The temperature of the heater 113 may be controlled. In this case, temperature data measured by the temperature sensors 115 and 119 are output to the temperature control controller 106, respectively, and the temperature control controller 106 controls the temperature of the carburetor heater 113 based on the temperature data. . However, if the interference of heat supplied from the vaporizer heater 113 to the liquid raw material supply unit 150 by the heat insulating member 160 is sufficiently suppressed (that is, the liquid raw material supply unit 150 is thermally applied to the vaporizer heater 113). When substantially isolated], the control of the vaporizer heater 113 based on the temperature data measured by the temperature sensor 119 is not performed.

또한 후술하는 본 발명의 제2 실시 형태와 같이 액체 원료 공급부(150)를 가열하는 히터를 기화기 히터(113)와는 별도로 설치하는 것에 의해, 100℃이하의 원하는 온도로 유지되도록 액체 원료의 온도를 제어할 수도 있다.In addition, as in the second embodiment of the present invention described later, by installing a heater for heating the liquid raw material supply unit 150 separately from the vaporizer heater 113, the temperature of the liquid raw material is controlled to be maintained at a desired temperature of 100°C or less. You may.

(기화 용기의 이중관 구조)(Double pipe structure of vaporization container)

또한 본 실시 형태에서는 히터로부터의 열을 보다 효율적으로 액체 원료에 전하기 위해서 기화 용기(111)를 이중관 구조로 한다. 액체 원료 공급부(150)로부터 공급되는 액체 원료의 액적은 상부 공간(112a)과 통 형상의 기체 유로를 구성하는 원통 형상의 간극(112b)을 통하는 것에 의해 가열되고 기화된다.Further, in this embodiment, the vaporization container 111 has a double tube structure in order to more efficiently transfer heat from the heater to the liquid raw material. The droplets of the liquid raw material supplied from the liquid raw material supply unit 150 are heated and vaporized by passing through the upper space 112a and the cylindrical gap 112b constituting the cylindrical gas flow path.

아우터 블록(110a)의 금속 블록(116)과 기화 용기(111)의 사이에는 금속 블록(116)과 기화 용기(111)가 직접 접촉하는 것에 의해 기화 용기(111)가 파손되는 것을 방지하기 위해서 내열성을 가지는 O-링(118)이 설치된다.In order to prevent the vaporization container 111 from being damaged by direct contact between the metal block 116 of the outer block 110a and the vaporization container 111, the metal block 116 and the vaporization container 111 are heat-resistant. An O-ring 118 having a is installed.

배기구(114)는 기화 용기(111)와 같이 석영 부재에 의해 구성된다. 배기구(114)는 처리 가스 공급관(289a)과의 접속 인터페이스부를 플랜지 구조로 하고, O-링을 개재하여 처리 가스 공급관(289a)과의 접속부를 밀봉한다.The exhaust port 114 is formed of a quartz member, like the vaporization container 111. The exhaust port 114 has a flange structure of the connection interface portion with the processing gas supply pipe 289a, and seals the connection portion with the processing gas supply pipe 289a through an O-ring.

여기서 간극(112b)의 폭(통 형상의 기체 유로의 폭)은 0.6mm이상 0.8mm이하로 한다. 이하, 그 근거에 대해서 도 4 내지 도 6에 기초하여 설명한다.Here, the width of the gap 112b (the width of the cylindrical gas flow path) is set to be 0.6 mm or more and 0.8 mm or less. Hereinafter, the basis will be described based on FIGS. 4 to 6.

도 4의 (A)에 도시하는 간극(112b)을 흐르는 가스 온도의 해석을, 도 4의 (B)에 도시되는 바와 같은 가열된 평행 평판 간을 흐르는 가스의 대류의 열 전달 문제라고 가정하고, 가열한 평행 평판 간을 흐르는 가스 온도를 다음의 차분식으로 계산했다.Assuming that the analysis of the gas temperature flowing through the gap 112b shown in FIG. 4A is a heat transfer problem of convection of gas flowing between heated parallel plates as shown in FIG. 4B, The gas temperature flowing between the heated parallel plates was calculated by the following differential equation.

[수1][Number 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

여기서 x는 유로의 길이 방향의 좌표를 도시하고, y는 유로의 폭 방향의 좌표를 도시한다. 또한 T는 가스 온도, u는 속도 성분, α은 온도 전도율을 각각 도시한다.Here, x represents the coordinates in the longitudinal direction of the flow path, and y represents the coordinates in the width direction of the flow path. In addition, T represents the gas temperature, u represents the velocity component, and α represents the temperature conductivity.

도 5의 (A)는 평행 평판 간의 거리가 1.0mm인 경우의 계산 결과를 도시하는 도면이며, 도 5의 (B)는 평행 평판 간의 거리가 0.8mm인 경우의 계산 결과를 도시하는 도면이다. 양자에서 유로의 길이(L)를 0.15m로 하고, 평행 평판을 각각 200℃로 가열하는 것으로서 계산했다. 또한 평행 평판 간의 거리 이외의 다른 처리 조건은 동일한 것으로 했다. 도 5의 종축은 가스 온도를, 횡축은 유로의 폭 방향의 좌표(y)를 각각 도시한다.Fig. 5A is a diagram showing a calculation result when the distance between parallel plates is 1.0 mm, and Fig. 5B is a diagram showing a calculation result when the distance between parallel plates is 0.8 mm. In both, the length L of the flow path was set to 0.15 m, and the parallel plates were each heated to 200°C. In addition, other processing conditions other than the distance between parallel plates were assumed to be the same. The vertical axis of FIG. 5 shows the gas temperature, and the horizontal axis shows the coordinate (y) in the width direction of the flow path.

도 5의 (A) 및 도 5의 (B)에 도시되는 바와 같이 유로의 입구 부근(x=0.05m)에서 평행 평판 간의 거리가 1.0mm인 경우와 비교하여, 평행 평판 간의 거리가 0.8mm인 경우 쪽이 유로의 중심(y=0.4mm)에서의 가스 온도를 높게 할 수 있는 것이 확인되었다. 또한 유로의 출구 부근(x=0.10m)에서도 평행 평판 간의 거리가 1.0mm인 경우와 비교하여, 평행 평판 간의 거리가 0.8mm인 경우 쪽이 유로의 중심(y=0.4mm)에서의 가스 온도를 높게 할 수 있는 것이 확인되었다. 즉 평행 평판 간의 거리가 좁은 만큼 열 전달 효율이 높아지고 기화 효율이 향상된다고 생각된다. 특히 평행 평판 간의 거리를 0.8mm이하로 하는 것에 의해 유로의 중심에서도 가스 온도를 충분히 높게 하는 것이 가능하다는 것을 알 수 있다.5(A) and 5(B), compared with the case where the distance between parallel plates is 1.0 mm near the entrance of the flow path (x=0.05 m), the distance between parallel plates is 0.8 mm. It was confirmed that the case could increase the gas temperature at the center of the flow path (y = 0.4 mm). In addition, even in the vicinity of the outlet of the flow path (x=0.10m), the gas temperature at the center of the flow path (y=0.4mm) is reduced when the distance between parallel plates is 0.8mm compared to the case where the distance between parallel plates is 1.0mm. It was confirmed that it can be made high. That is, as the distance between parallel plates is narrow, it is thought that heat transfer efficiency increases and vaporization efficiency improves. In particular, it can be seen that it is possible to sufficiently increase the gas temperature even at the center of the flow path by making the distance between the parallel plates 0.8 mm or less.

도 6은 수증기를 25slm으로 간극(112b)에 흘렸을 경우에서의 기화실(112)의 압력 상승량의 계산 결과를 도시하는 도면이다. 도 6의 종축은 압력 상승량을, 횡축은 유로의 폭을 각각 도시한다.6 is a diagram showing a calculation result of the amount of pressure increase in the vaporization chamber 112 when water vapor is passed through the gap 112b at 25 slm. The vertical axis of Fig. 6 shows the pressure increase amount, and the horizontal axis shows the width of the flow path.

도 5에 도시되는 바와 같이 기화실(112)의 유로의 폭[간극(112b)의 폭]을 좁게 하면 열 전달 효율이 양호해지고, 도입되는 액적(미스트)의 기화가 안정화되는 경향이 있다. 한편 도 6에 도시되는 바와 같이 유로의 폭을 지나치게 좁게 하면, 기화실(112)의 압력이 급격하게 상승하고 액적이 기화되기 어려운 상태가 되기 때문에 기화 불량이 일어난다. 구체적으로는 유로의 폭이 0.5mm이하가 되면 급격하게 압력이 상승하여 기화 불량이 되는 것을 예상할 수 있다. 이는 H2O2 함유 가스에 대해서도 같은 경향이라 생각된다. 이 결과로부터 기화 불량을 방지하기 위해서는 유로의 폭을 0.6mm이상으로 할 필요가 있는 것을 알 수 있다.As shown in Fig. 5, when the width of the flow path of the vaporization chamber 112 (the width of the gap 112b) is narrowed, the heat transfer efficiency is improved, and the vaporization of the introduced droplet (mist) tends to be stabilized. On the other hand, as shown in FIG. 6, if the width of the flow path is made too narrow, the pressure in the vaporization chamber 112 rises rapidly and the liquid droplets become difficult to vaporize, resulting in poor vaporization. Specifically, when the width of the flow path is 0.5 mm or less, it can be expected that the pressure rises rapidly, resulting in poor vaporization. This is considered to be the same trend for the H 2 O 2 containing gas. From this result, it can be seen that in order to prevent vaporization failure, the width of the flow path needs to be 0.6 mm or more.

즉 도 5 및 도 6에 도시되는 계산 결과를 고려하면, 유로의 폭인 간극(112b)의 폭이 유로의 중심에서의 가스 온도를 충분히 높게 할 수 있는 0.8mm이하이며, 또한 압력 상승에 의한 기화 불량을 방지할 수 있는 0.6mm이상인 경우에 열 전달 효율을 높여 기화 효율을 향상시키면서 압력 상승량을 작게 하여 기화 불량을 억제할 수 있다고 생각된다.That is, taking into account the calculation results shown in FIGS. 5 and 6, the width of the gap 112b, which is the width of the flow path, is 0.8 mm or less to sufficiently increase the gas temperature at the center of the flow path, and vaporization defect due to pressure increase In the case of 0.6 mm or more, which can prevent evaporation, it is considered that the vaporization defect can be suppressed by reducing the pressure increase amount while improving the vaporization efficiency by increasing the heat transfer efficiency.

(배기부)(Exhaust part)

처리 용기(203)의 하방에는 처리실(201) 내의 가스를 배기하는 가스 배기관(231)의 일단(一端)이 접속된다. 가스 배기관(231)의 타단(他端)은 압력 조정기로서의 APC(Auto Pressure Controller)밸브(255)를 개재하여 진공 펌프(246)에 접속된다. 또한 압력 검출기로서의 압력 센서(223)가 APC 밸브(255)의 상류측에 설치된다. 압력 센서(223) 및 APC 밸브(255)에는 압력 제어 컨트롤러(224)가 전기적으로 접속된다. 압력 제어 컨트롤러(224)는 압력 센서(223)에 의해 검출된 압력에 기초하여 처리실(201) 내의 압력이 원하는 압력이 되도록 APC 밸브(255)를 원하는 타이밍에 제어하도록 구성된다.Below the processing container 203, one end of a gas exhaust pipe 231 that exhausts the gas in the processing chamber 201 is connected. The other end of the gas exhaust pipe 231 is connected to the vacuum pump 246 via an APC (Auto Pressure Controller) valve 255 as a pressure regulator. Further, a pressure sensor 223 as a pressure detector is provided on the upstream side of the APC valve 255. A pressure control controller 224 is electrically connected to the pressure sensor 223 and the APC valve 255. The pressure control controller 224 is configured to control the APC valve 255 at a desired timing so that the pressure in the processing chamber 201 becomes a desired pressure based on the pressure detected by the pressure sensor 223.

(제어부)(Control part)

도 7에 도시하는 바와 같이 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(121)는 CPU(121a), RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는 내부 버스(121e)를 개재하여 CPU(121a)와 데이터 교환 가능하도록 구성된다. 컨트롤러(121)에는 예컨대 터치패널이나 디스플레이 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속된다.As shown in Fig. 7, the controller 121, which is a control unit (control means), is configured as a computer having a CPU 121a, a RAM 121b, a storage device 121c, and an I/O port 121d. The RAM 121b, the memory device 121c, and the I/O port 121d are configured to be capable of exchanging data with the CPU 121a via the internal bus 121e. The controller 121 is connected to an input/output device 122 configured as, for example, a touch panel or a display.

기억 장치(121c)는 예컨대 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성된다. 기억 장치(121c) 내에는 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 순서나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이 판독 가능하도록 격납된다. 프로세스 레시피는 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 순서를 컨트롤러(121)에 실행시켜 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여 단순히 프로그램이라고도 부른다. 또한 프로세스 레시피를 단순히 레시피라고도 부른다. 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 사용한 경우는 레시피 단체(單體)만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다. 또한 RAM(121b)은 CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보지되는 메모리 영역(work area)으로서 구성된다.The storage device 121c is composed of, for example, a flash memory, a hard disk drive (HDD), or the like. In the memory device 121c, a control program for controlling the operation of the substrate processing device, a process recipe in which the order and conditions of substrate processing described later are described, and the like are stored so as to be readable. The process recipe is combined so as to obtain a predetermined result by executing each procedure in the substrate processing step described later on the controller 121, and functions as a program. Hereinafter, this process recipe, control program, etc. are collectively referred to as simply a program. Also, the process recipe is also called simply a recipe. In the present specification, when the word program is used, only a recipe unit is included, only a control program unit is included, or both are included. Further, the RAM 121b is configured as a work area in which programs and data read by the CPU 121a are temporarily held.

I/O 포트(121d)는 전술한 LMFC(303), MFC(601b, 602b), 밸브(601a, 601d, 602a, 602d, 302, 289b), APC 밸브(255), 제1 가열부(207), 제1 내지 제4 온도 센서(263a 내지 263d), 보트 회전 기구(267), 압력 센서(223), 압력 제어 컨트롤러(224), 온도 제어 컨트롤러(106), 기화기 히터(113), 온도 센서(115, 119), 배관 히터(289c) 등에 접속된다.The I/O port 121d is the aforementioned LMFC 303, MFC 601b, 602b, valves 601a, 601d, 602a, 602d, 302, 289b, APC valve 255, first heating part 207 , First to fourth temperature sensors 263a to 263d, boat rotation mechanism 267, pressure sensor 223, pressure control controller 224, temperature control controller 106, carburetor heater 113, temperature sensor ( 115, 119, pipe heater 289c, and the like are connected.

CPU(121a)는 기억 장치(121c)로부터의 제어 프로그램을 판독하여 실행하는 것과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(121c)로부터 레시피를 판독하도록 구성된다. CPU(121a)는 판독된 레시피의 내용을 따르도록 LMFC(303)에 의한 액체 원료의 유량 조정 동작, MFC(601b, 602b)에 의한 가스의 유량 조정 동작, 밸브(601a, 601d, 602a, 602d, 302, 289b)의 개폐 동작, APC 밸브(255)의 개폐 조정 동작 및 제1 내지 제4 온도 센서(263a 내지 263d)에 기초하는 제1 가열부(207)의 온도 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 보트 회전 기구(267)의 회전 속도 조절 동작, 온도 제어 컨트롤러(106)를 개재한 기화기 히터(113), 배관 히터(289c)의 온도 조정 동작 등을 제어하도록 구성된다.The CPU 121a is configured to read and execute a control program from the storage device 121c, and to read a recipe from the storage device 121c in response to input of an operation command from the input/output device 122 or the like. The CPU 121a operates to adjust the flow rate of the liquid raw material by the LMFC 303 so as to follow the contents of the read recipe, the flow rate adjustment operation of the gas by the MFCs 601b and 602b, and the valves 601a, 601d, 602a, 602d, 302, 289b) opening/closing operation, opening/closing adjustment operation of the APC valve 255 and temperature adjustment operation of the first heating unit 207 based on the first to fourth temperature sensors 263a to 263d, vacuum pump 246 It is configured to control the start and stop of the motor, the rotation speed adjustment operation of the boat rotation mechanism 267, the carburetor heater 113 via the temperature control controller 106, the temperature adjustment operation of the pipe heater 289c, and the like.

컨트롤러(121)는 외부 기억 장치(123)[예컨대 자기(磁氣) 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD 등의 광(光) 디스크, MO 등의 광자기 디스크, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리]에 격납된 전술한 프로그램을 컴퓨터에 인스톨하는 것에 의해 구성할 수 있다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 본 명세서에서 기록 매체라는 단어를 사용한 경우는 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다. 또한 컴퓨터로의 프로그램의 제공은 외부 기억 장치(123)를 이용하지 않고, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용하여 수행해도 좋다.The controller 121 is an external storage device 123 (for example, a magnetic tape, a magnetic disk such as a flexible disk or a hard disk, an optical disk such as a CD, a magneto-optical disk such as MO, a flash memory, etc.). Semiconductor memory] can be configured by installing the above-described program in a computer. The storage device 121c or the external storage device 123 is configured as a computer-readable recording medium. Hereinafter, these are collectively referred to simply as a recording medium. In the present specification, when the word “recording medium” is used, only the storage device 121c alone is included, the external storage device 123 alone is included, or both are included. Further, the provision of the program to the computer may be performed using a communication means such as the Internet or a dedicated line without using the external storage device 123.

(2) 사전 처리 공정(2) pre-treatment process

여기서 기판으로서의 웨이퍼(200)에 후술하는 개질 처리가 수행되기 전에 수행되는 사전 처리 공정에 대해서 도 8을 이용하여 설명한다. 도 8에 도시하는 바와 같이 사전 처리 공정에서는 도포 장치(미도시)에 웨이퍼(200)를 반입하고[기판 반입 공정(T10)], 도포 장치 내에서 웨이퍼(200)에 대하여 폴리실라잔 도포 공정(T20)과 프리베이크 공정(T30)이 수행된다. 폴리실라잔 도포 공정(T20)에서는 도포 장치에 의해 웨이퍼(200)에 폴리실라잔이 도포된다. 프리베이크 공정(T30)에서는 웨이퍼(200)를 가열하는 것에 의해 도포된 폴리실라잔으로부터 용제가 제거되고 실리콘 함유막인 폴리실라잔 도포막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(200)가 도포 장치로부터 반출된다[기판 반출 공정(T40)].Here, a pretreatment process performed before the modification treatment described later is performed on the wafer 200 as a substrate will be described with reference to FIG. 8. As shown in Fig. 8, in the pretreatment process, the wafer 200 is carried in to a coating device (not shown) (substrate loading process (T10)), and a polysilazane coating process is applied to the wafer 200 in the coating device ( T20) and a prebaking process (T30) are performed. In the polysilazane coating process T20, polysilazane is applied to the wafer 200 by a coating device. In the prebaking process T30, the solvent is removed from the applied polysilazane by heating the wafer 200, and a polysilazane coating film, which is a silicon-containing film, is formed. After that, the wafer 200 is unloaded from the coating apparatus (substrate unloading step T40).

(3) 기판 처리 공정(3) Substrate treatment process

계속해서 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서 실시되는 기판 처리 공정에 대해서 도 9를 이용하여 설명한다. 이러한 공정은 전술한 기판 처리 장치(10)에 의해 실시된다. 본 실시 형태에서는 이러한 기판 처리 공정의 일례로서, 처리 가스로서 H2O2를 포함하는 가스를 이용하여 기판으로서의 웨이퍼(200) 상에 형성된 실리콘 함유막을 SiO막으로 개질(산화)하는 공정(개질 공정)을 수행하는 경우에 대해서 설명한다. 또한 이하의 설명에서 기판 처리 장치를 구성하는 각(各) 부(部)의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.Subsequently, a substrate processing step performed as a step in the manufacturing step of the semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 9. This process is carried out by the substrate processing apparatus 10 described above. In this embodiment, as an example of such a substrate processing process, a process of reforming (oxidation) a silicon-containing film formed on the wafer 200 as a substrate into a SiO film using a gas containing H 2 O 2 as a processing gas (reforming process) ) Will be described. In addition, in the following description, the operation of each unit constituting the substrate processing apparatus is controlled by the controller 121.

[기판 반입 공정(S10)][Substrate carrying process (S10)]

우선 웨이퍼(200)를 보트(217)에 장전(裝塡)하고, 보트(217)를 보트 엘리베이터에 의해 들어 올려서 처리 용기(203) 내에 반입한다. 이 상태에서 처리로(202)의 개구부인 노구는 씰 캡(219)에 의해 밀봉된다.First, the wafer 200 is loaded into the boat 217, the boat 217 is lifted by a boat elevator, and carried into the processing container 203. In this state, the furnace opening of the processing furnace 202 is sealed by the seal cap 219.

[압력·온도 조정 공정(S20)][Pressure and temperature adjustment process (S20)]

처리 용기(203) 내가 원하는 압력이 되도록 진공 펌프(246)를 제어하여 처리 용기(203) 내의 분위기를 진공 배기한다. 또한 공급공(502b)으로부터 산소 함유 가스를 처리 용기(203)에 공급한다. 이 때 처리 용기(203) 내의 압력은 압력 센서(223)로 측정하고, 이 측정한 압력에 기초하여 APC 밸브(255)의 개도(開度)를 제어한다. 처리 용기(203) 내의 압력은 예컨대 미(微)감압 상태(약 700hPa 내지 1,000hPa)로 조정된다. 또한 처리 용기(203) 내에 수용된 웨이퍼(200)가 원하는 제1 온도, 예컨대 40℃로부터 100℃가 되도록 제1 가열부(207)에 의해 가열한다.The atmosphere in the processing container 203 is evacuated by controlling the vacuum pump 246 so that the pressure inside the processing container 203 becomes a desired pressure. Further, an oxygen-containing gas is supplied to the processing container 203 from the supply hole 502b. At this time, the pressure in the processing container 203 is measured by the pressure sensor 223, and the opening degree of the APC valve 255 is controlled based on the measured pressure. The pressure in the processing container 203 is adjusted to, for example, a non-reduced state (about 700 hPa to 1,000 hPa). Further, the wafer 200 accommodated in the processing container 203 is heated by the first heating unit 207 so that the desired first temperature, for example, from 40°C to 100°C.

또한 웨이퍼(200)를 가열하면서 보트 회전 기구(267)를 작동시키고 보트(217)의 회전을 시작한다. 또한 보트(217)는 적어도 후술하는 개질 공정(S30)이 종료될 때까지 사이는 상시 회전시킨 상태로 한다.In addition, while heating the wafer 200, the boat rotation mechanism 267 is operated and the boat 217 starts to rotate. In addition, the boat 217 is kept in a state of being rotated at all times until at least a reforming process (S30) described later is completed.

[개질 공정(S30)][Reforming process (S30)]

웨이퍼(200)가 소정의 제1 온도에 도달하고, 보트(217)가 원하는 회전 속도에 도달하면, 액체 원료 공급계(300)로부터 액체 원료를 기화기(100)에 공급한다. 즉 밸브(302)를 열고 LMFC(303)에 의해 유량 제어된 액체 원료를 액체 원료 도입구(151)를 개재하여 액체 원료 공급부(150)에 도입한다. 액체 원료 공급부(150)에 공급된 액체 원료는 온도 센서(119)에 의해 100℃이하 (예컨대 80℃ 내지 100℃)가 되어 있는지 여부가 감시된다. 액체 원료는 토출구(152)로부터 토출될 때 캐리어 가스에 의해 무화되고, 미세한 액적 상태(예컨대 미스트 상태)가 되어 기화 용기(111) 내의 상부 공간(112a)에 분무된다. 기화 용기(111)는 기화기 히터(113)에 의해 금속 블록(116)을 개재하여 원하는 온도(예컨대 180℃ 내지 210℃)로 가열되고, 분무된 액체 원료의 액적은 기화 용기(111)의 표면이나 기화실(112) 중에서 가열되고 증발하여 기체가 된다. 기화된 액체 원료는 캐리어 가스와 함께 처리 가스(기화 가스)로서 배기구(114)로부터 처리 가스 공급관(289a)에 송출된다.When the wafer 200 reaches a predetermined first temperature and the boat 217 reaches a desired rotational speed, a liquid raw material is supplied from the liquid raw material supply system 300 to the vaporizer 100. That is, the valve 302 is opened, and the liquid raw material controlled by the LMFC 303 is introduced into the liquid raw material supply unit 150 via the liquid raw material introduction port 151. The liquid raw material supplied to the liquid raw material supply unit 150 is monitored by the temperature sensor 119 to see whether or not it is 100°C or less (for example, 80°C to 100°C). When the liquid raw material is discharged from the discharge port 152, it is atomized by the carrier gas, becomes a fine droplet state (for example, a mist state) and is sprayed into the upper space 112a in the vaporization container 111. The vaporization container 111 is heated to a desired temperature (for example, 180°C to 210°C) through the metal block 116 by the vaporizer heater 113, and droplets of the sprayed liquid raw material are formed on the surface of the vaporization container 111 or It is heated in the vaporization chamber 112 and evaporates to become a gas. The vaporized liquid raw material is sent out as a processing gas (gasification gas) together with a carrier gas from the exhaust port 114 to the processing gas supply pipe 289a.

기화기 히터(113)의 온도는 온도 센서(115)에 의해 측정된 온도 데이터에 기초하여 기화 불량이 일어나지 않도록 제어한다. 기화 불량에 의해 처리실(201) 내에 공급되는 처리 가스 중에 액적 상태의 액체 원료가 포함되면, 개질 처리 중에 파티클이 발생하는 등 하여 SiO막의 품질 저하로 이어지기 때문이다. 구체적으로는 기화 용기(111)의 일부 또는 전부의 온도 저하에 의해 액적이 완전히 기화되지 않도록, 또는 재액화되지 않도록 기화실(112)의 온도를 소정의 온도 이상으로 유지하도록 기화기 히터(113)를 제어한다.The temperature of the vaporizer heater 113 is controlled so that a vaporization failure does not occur based on temperature data measured by the temperature sensor 115. This is because if a liquid raw material in a droplet state is contained in the processing gas supplied into the processing chamber 201 due to poor vaporization, particles are generated during the reforming process, leading to a deterioration in the quality of the SiO film. Specifically, the vaporizer heater 113 is configured to maintain the temperature of the vaporization chamber 112 above a predetermined temperature so that the droplets are not completely vaporized or reliquefied due to a decrease in the temperature of a part or all of the vaporization container 111. Control.

또한 밸브(289b)를 열고 기화기(100)로부터 송출된 처리 가스를 처리 가스 공급관(289a), 밸브(289b), 처리 가스 공급 노즐(501a), 공급공(501b)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급한다. 공급공(501b)으로부터 처리실(201) 내에 도입된 처리 가스는 웨이퍼(200)에 공급된다. 처리 가스에 포함되는 H2O2가스는 반응 가스로서 웨이퍼(200) 표면의 실리콘 함유막과 산화 반응하는 것에 의해 상기 실리콘 함유막을 SiO막으로 개질한다.In addition, the valve 289b is opened and the processed gas delivered from the vaporizer 100 is transferred into the processing chamber 201 through the processing gas supply pipe 289a, the valve 289b, the processing gas supply nozzle 501a, and the supply hole 501b. Supply. The processing gas introduced into the processing chamber 201 from the supply hole 501b is supplied to the wafer 200. The H 2 O 2 gas contained in the processing gas is a reactive gas and is subjected to oxidation reaction with the silicon-containing film on the surface of the wafer 200 to modify the silicon-containing film into a SiO film.

또한 처리 용기(203) 내에 처리 가스를 공급하면서 처리 용기(203) 내를 진공 펌프(246)에 의해 배기한다. 즉 APC 밸브(255)를 열고 가스 배기관(231)을 개재하여 처리 용기(203) 내로부터 배기된 배기 가스를 진공 펌프(246)에 의해 배기한다. 그리고 소정 시간 경과 후, 밸브(289b)를 닫고 처리 용기(203) 내로의 처리 가스의 공급을 정지한다. 또한 소정 시간이 더 경과한 후, APC 밸브(255)를 닫고 처리 용기(203) 내의 배기를 정지한다.Further, the inside of the processing container 203 is exhausted by the vacuum pump 246 while supplying the processing gas into the processing container 203. That is, the APC valve 255 is opened, and the exhaust gas exhausted from the processing container 203 through the gas exhaust pipe 231 is exhausted by the vacuum pump 246. Then, after the lapse of a predetermined time, the valve 289b is closed and the supply of the processing gas into the processing container 203 is stopped. Further, after a predetermined period of time has elapsed, the APC valve 255 is closed and the exhaust in the processing container 203 is stopped.

본 실시 형태에서는 액체 원료로서 과산화수소수를 이용하지만 이에 한정되지 않고, 액체 원료로서 예컨대 오존(O3)을 포함하는 액체나 물 등을 이용할 수도 있다. 단, 본 실시 형태에서 이용하는 H2O2와 같은 온도 상승에 의해 급속히 분해가 진행되는 특성을 가지는 화합물을 포함하는 액체 원료를 기화시키는 경우에서, 본 실시 형태에서의 기화기(100)의 사용은 특히 바람직하다.In this embodiment, hydrogen peroxide solution is used as the liquid raw material, but the present invention is not limited thereto, and a liquid or water containing ozone (O 3 ), for example, may be used as the liquid raw material. However, in the case of vaporizing a liquid raw material containing a compound having a property that rapidly decomposes due to an increase in temperature such as H 2 O 2 used in this embodiment, the use of the vaporizer 100 in this embodiment is particularly desirable.

[건조 공정(S40)][Drying process (S40)]

개질 공정(S30)이 종료된 후, 웨이퍼(200)를 프리베이크 공정(T30)에서 처리된 온도 이하의 소정의 제2 온도로 승온시킨다. 제2 온도는 전술한 제1 온도보다 높은 온도이며, 전술한 프리베이크 공정(T30)의 온도 이하의 온도로 설정된다. 승온 후, 온도를 보지하고 웨이퍼(200)와 처리 용기(203) 내를 건조시킨다.After the reforming process S30 is finished, the wafer 200 is heated to a second predetermined temperature equal to or lower than the temperature processed in the prebaking process T30. The second temperature is higher than the above-described first temperature, and is set to a temperature equal to or lower than the temperature of the above-described prebaking process T30. After raising the temperature, the temperature is maintained and the wafer 200 and the inside of the processing container 203 are dried.

[강온·대기압 복귀 공정(S50)][Lower temperature/atmospheric pressure return process (S50)]

건조 공정(S40)이 종료된 후, APC 밸브(255)를 열고 처리 용기(203) 내를 진공 배기하는 것에 의해 처리 용기(203) 내에 잔존하는 파티클이나 불순물을 제거한다. 진공 배기 후, APC 밸브(255)를 닫고 처리 용기(203) 내의 압력을 대기압으로 복귀시킨다. 처리 용기(203) 내의 압력이 대기압이 되고, 소정 시간 경과한 후 예컨대 웨이퍼(200)의 삽입 온도 정도로 강온시킨다.After the drying step S40 is completed, the APC valve 255 is opened and the inside of the processing container 203 is evacuated to remove particles or impurities remaining in the processing container 203. After evacuation, the APC valve 255 is closed and the pressure in the processing vessel 203 is returned to atmospheric pressure. The pressure in the processing container 203 becomes atmospheric pressure, and after a predetermined period of time has elapsed, the temperature is lowered to, for example, about the insertion temperature of the wafer 200.

[기판 반출 공정(S60)][Substrate take-out process (S60)]

그 후, 보트 엘리베이터에 의해 처리 완료된 웨이퍼(200)를 보트(217)에 보지한 상태에서 처리 용기(203)의 하단으로부터 처리 용기(203)의 외부로 반출한다. 그 후, 처리 완료된 웨이퍼(200)는 보트(217)로부터 취출(取出)되고, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 공정을 종료한다.Thereafter, the processed wafer 200 is carried out from the lower end of the processing container 203 to the outside of the processing container 203 in a state held by the boat 217 by the boat elevator. After that, the processed wafer 200 is taken out from the boat 217, and the substrate processing step according to the present embodiment is terminated.

<본 발명의 제2 실시 형태><Second embodiment of the present invention>

계속해서 본 발명의 제2 실시 형태에 대해서 도 10에 기초하여 설명한다. 이하에서 전술한 실시 형태와 마찬가지의 구성 및 공정에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10. Hereinafter, detailed descriptions of the same configurations and processes as those in the above-described embodiment will be omitted.

본 실시 형태의 기판 처리 장치에서는 기화기(100) 대신 기화기(400)를 이용한다. 본 실시 형태에 따른 기화기(400)는 액체 원료 공급부(150)의 주위에 액체 원료 공급부(150)를 가열하는 제2 히터로서의 애터마이즈 히터(162)가 설치된다.In the substrate processing apparatus of this embodiment, the vaporizer 400 is used instead of the vaporizer 100. In the vaporizer 400 according to the present embodiment, an atomizing heater 162 as a second heater for heating the liquid raw material supply unit 150 is installed around the liquid raw material supply unit 150.

기화기(400)는 애터마이즈 히터(162)와 액체 원료 공급부(150) 사이에 애터마이즈 히터(162)로부터 방출되는 열을 액체 원료 공급부(150)의 석영 부재에 전도시키도록 설치된 금속 블록(163)(제2 금속 블록)이 삽입된다. 즉 금속 블록(163)은 액체 공급부(150)의 측면에 따라 액체 원료 공급부(150)의 주위를 피복하도록 설치된다. 금속 블록(163)은 애터마이즈 히터(162)에 의해 가열되고 버퍼실(154)에 열을 전도하도록 구성된다.The vaporizer 400 is a metal block 163 installed between the atomization heater 162 and the liquid raw material supply unit 150 to conduct heat emitted from the atomize heater 162 to the quartz member of the liquid raw material supply unit 150 The (second metal block) is inserted. That is, the metal block 163 is installed to cover the circumference of the liquid raw material supply unit 150 along the side surface of the liquid supply unit 150. The metal block 163 is heated by the atomizing heater 162 and is configured to conduct heat to the buffer chamber 154.

또한 버퍼 공간(154) 내의 액체 원료 도입관(158)의 외면에는 열전대로 구성된 온도 센서(119)가 장착되고, 온도 센서(119)에 의해 측정된 온도 데이터에 기초하여 금속 블록(163)은 애터마이즈 히터(162)에 의해 가열된다.In addition, a temperature sensor 119 composed of a thermocouple is mounted on the outer surface of the liquid raw material introduction pipe 158 in the buffer space 154, and the metal block 163 is formed on the basis of the temperature data measured by the temperature sensor 119. It is heated by the Mize heater 162.

온도 제어 컨트롤러(106)는 제1 히터인 기화기 히터(113)와 제2 히터인 애터마이즈 히터(162)를 각각 개별로 제어한다. 구체적으로는 온도 제어 컨트롤러(106)는 온도 센서(119)에 의해 측정된 온도 데이터에 기초하여 액체 원료 공급부(150)의 온도가 80℃이상 100℃이하의 소정의 온도(예컨대 90℃)로 보지되도록 애터마이즈 히터(162)의 온도를 제어한다. 또한 온도 제어 컨트롤러(106)는 온도 센서(115)에 의해 측정된 온도 데이터에 기초하여 기화 용기(111)의 온도가 180℃이상 210℃이하가 되도록 기화기 히터(113)의 온도를 제어한다.The temperature control controller 106 individually controls the carburetor heater 113 that is the first heater and the atomization heater 162 that is the second heater. Specifically, the temperature control controller 106 maintains the temperature of the liquid raw material supply unit 150 at a predetermined temperature (eg, 90°C) of 80°C or more and 100°C or less, based on the temperature data measured by the temperature sensor 119. The temperature of the atomized heater 162 is controlled so as to be possible. In addition, the temperature control controller 106 controls the temperature of the vaporizer heater 113 so that the temperature of the vaporization container 111 is 180°C or more and 210°C or less based on the temperature data measured by the temperature sensor 115.

본 실시 형태에서는 후술하는 단열 부재(165)가 설치되는 것에 의해 액체 원료 공급부(150), 금속 블록(163) 및 애터마이즈 히터(162)가 아우터 히터(113a)로부터 방출되는 열의 간섭을 받는 것을 방지한다. 따라서 기화기 히터(113)와 애터마이즈 히터(162)는 서로 열 간섭을 하지 않고, 액체 원료 공급부(150)의 온도와 기화 용기(111)의 온도를 각각 간이하게 제어할 수 있다. 즉 기화기 히터(113)는 온도 센서(115)로 측정된 온도 데이터에 기초하여 제어하고, 애터마이즈 히터(162)는 온도 센서(119)로 측정된 온도 데이터에 기초하여 제어할 수 있다.In this embodiment, the heat insulating member 165 described later is provided to prevent the liquid raw material supply unit 150, the metal block 163, and the atomized heater 162 from being interfered with by heat emitted from the outer heater 113a. do. Accordingly, the vaporizer heater 113 and the atomization heater 162 do not interfere with each other, and the temperature of the liquid raw material supply unit 150 and the temperature of the vaporization container 111 can be controlled simply. That is, the vaporizer heater 113 may be controlled based on the temperature data measured by the temperature sensor 115, and the atomized heater 162 may be controlled based on the temperature data measured by the temperature sensor 119.

또한 본 실시 형태에서는 애터마이즈 히터(162)를 제어하여 액체 원료 공급부(150)의 온도를 소정의 온도로 유지하므로, 액체 원료 공급부(150)에서의 액체 원료 중의 H2O2의 분해 속도가 일정해지도록 관리할 수 있다. 즉 기화실(112)에 공급되는 액체 원료 중의 H2O2의 농도를 일정하게 관리할 수 있으므로, 기화기(400)에서 생성되는 가스 중의 H2O2의 농도를 이론값에 기초하여 관리하는 것이 보다 용이해진다.In addition, in this embodiment, since the temperature of the liquid raw material supply unit 150 is maintained at a predetermined temperature by controlling the atomizing heater 162, the decomposition rate of H 2 O 2 in the liquid raw material in the liquid raw material supply unit 150 is constant. It can be managed to terminate. That is, since the concentration of H 2 O 2 in the liquid raw material supplied to the vaporization chamber 112 can be constantly managed, it is necessary to manage the concentration of H 2 O 2 in the gas generated in the vaporizer 400 based on the theoretical value. It becomes easier.

또한 기화실(112)에 공급되는 액체 원료의 온도가 너무 낮으면 기화될 때까지의 시간이 길어져 기화 불량이 발생할 가능성이 있다. 본 실시 형태에서는 액체 원료 공급부(150)를 80℃이상 100℃이하로 예비 가열하는 것에 의해, 액체 원료 공급부(150)에서의 H2O2의 분해가 급속히 진행되지 않도록 억제하면서 기화실(112) 내에서의 기화를 촉진시킬 수 있다.In addition, if the temperature of the liquid raw material supplied to the vaporization chamber 112 is too low, the time until vaporization is lengthened and there is a possibility that vaporization failure may occur. In this embodiment, by preheating the liquid raw material supply unit 150 to 80°C or more and 100°C or less, the vaporization chamber 112 is suppressed so that the decomposition of H 2 O 2 in the liquid raw material supply unit 150 does not proceed rapidly. It can promote vaporization within.

또한 기화기(400)는 일체가 된 단열 부재(160)로 피복되고, 금속 블록 (116)과 금속 블록(163) 사이에는 단열 부재(160)와는 별도로 단열 부재(165)가 설치된다. 즉 단열 부재(165)는 제1 히터를 구성하는 아우터 히터(113a)와 제2 히터를 구성하는 애터마이즈 히터(162) 사이에 설치된다. 또한 단열 부재(165)는 액체 원료 공급부(150)와 접속되는 기화 용기(111)의 천장벽(161)과 금속 블록(116)의 상면 사이에 설치된다.In addition, the vaporizer 400 is covered with an integral heat insulating member 160, and a heat insulating member 165 is installed between the metal block 116 and the metal block 163, apart from the heat insulating member 160. That is, the heat insulating member 165 is installed between the outer heater 113a constituting the first heater and the atomized heater 162 constituting the second heater. In addition, the heat insulating member 165 is installed between the ceiling wall 161 of the vaporization container 111 connected to the liquid raw material supply unit 150 and the upper surface of the metal block 116.

이와 같이 단열 부재(165)는 액체 원료 공급부(150)의 하방에 설치되고, 기화기 히터(113)로부터 금속 블록(116)을 개재하여 방출되는 열이 금속 블록(163)이나 액체 원료 공급부(150)에 대하여 차단되도록 구성된다. 바꿔 말하면 액체 원료 공급부(150)와 기화실(112)을 분리 독립 구조로 하여 액체 원료 공급부(150)와 기화실(112) 내의 온도 간섭이 저감된다.In this way, the heat insulating member 165 is installed below the liquid raw material supply unit 150, and heat emitted from the vaporizer heater 113 through the metal block 116 is transferred to the metal block 163 or the liquid raw material supply unit 150 Is configured to be blocked against. In other words, since the liquid raw material supply unit 150 and the vaporization chamber 112 are separated and independent, temperature interference in the liquid raw material supply unit 150 and the vaporization chamber 112 is reduced.

<본 발명의 다른 실시 형태><Another embodiment of the present invention>

이상, 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.As mentioned above, although the embodiment of this invention was demonstrated concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and various changes are possible within the range not deviating from the summary.

전술한 실시 형태에서는 폴리실라잔막이 형성된 웨이퍼(200)를 처리하는 예를 제시했지만 이에 한정되지 않는다. 예컨대 실리콘 원소와 질소 원소와 수소 원소를 포함하는 막, 특히 실라잔 결합(-Si-N-)을 포함하는 막이 형성된 웨이퍼(200)를 처리하는 경우에도 마찬가지로 본 발명을 적용할 수 있다. 예컨대 헥사메틸디실라잔(HMDS), 헥사메틸시클로트리실라잔(HMCTS), 폴리카르보실라잔, 폴리오르가노실라잔을 이용한 도포막에 대한 처리에도 전술한 기화기를 이용할 수 있다.In the above-described embodiment, an example of processing the wafer 200 on which the polysilazane film is formed has been presented, but is not limited thereto. For example, the present invention can also be applied to the case of processing the wafer 200 on which a film containing a silicon element, a nitrogen element, and a hydrogen element, in particular, a film containing a silazane bond (-Si-N-) is formed. For example, the above-described vaporizer can also be used for treatment of a coating film using hexamethyldisilazane (HMDS), hexamethylcyclotrisilazane (HMCTS), polycarbosilazane, and polyorganosilazane.

또한 테트라실릴아민과 암모니아의 플라즈마 중합막 등에 대한 처리에도 전술한 기화기를 이용할 수 있다. 또한 CVD법으로 형성된 실리콘 함유막, 예컨대 모노실란 가스 또는 트리실릴아민(TSA) 가스 등의 실리콘 원료를 이용한 CVD법에 의해 형성된 실리콘 함유막에 대한 처리에도 전술한 기화기를 이용할 수 있다. CVD법에 의한 실리콘 함유막의 형성 방법으로서는 특히 유동성 CVD법을 이용할 수 있다.Further, the above-described vaporizer can be used for treatment of a plasma polymerization film of tetrasilylamine and ammonia. Further, the above-described vaporizer can also be used for the treatment of the silicon-containing film formed by the CVD method, for example, the silicon-containing film formed by the CVD method using a silicon raw material such as monosilane gas or trisilylamine (TSA) gas. As a method of forming a silicon-containing film by the CVD method, a fluid CVD method can be particularly used.

또한 전술한 실시 형태에서는 종형 처리로를 구비하는 기판 처리 장치에 대해서 설명했지만 이에 한정되지 않고, 예컨대 매엽식(枚葉式), Hot Wall형, Cold Wall형의 처리로를 포함하는 기판 처리 장치나, 처리 가스를 여기(勵起)시켜서 웨이퍼(200)를 처리하는 기판 처리 장치에 전술한 기화기를 적용해도 좋다.In addition, in the above-described embodiment, a substrate processing apparatus having a vertical processing furnace has been described, but the present invention is not limited thereto. For example, a substrate processing apparatus including a single wafer type, hot wall type, and cold wall type processing furnace or , The above-described vaporizer may be applied to a substrate processing apparatus that processes the wafer 200 by exciting the processing gas.

<실시예><Example>

이하, 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

본 실시예로서 도 10 및 도 11의 (A)에 도시하는 전술한 기화기(400)를 이용하고, 비교예로서 도 11의 (B)에 도시하는 기화기(500)를 이용하고, 각각 액체 원료로서의 물(H2O)을 액체 원료 공급부(150)에 공급하여 기화하는 실험을 수행하였다. 기화기(500)에는 기화기(400)에서의 단열 부재(165)가 없고, 액체 원료 공급부(150)와 기화 용기(111)가 열적으로 분리 독립된 구조가 아니다. 또한 처리 조건은 동일한 것으로 하였다.The above-described vaporizer 400 shown in Figs. 10 and 11A is used as this embodiment, and the vaporizer 500 shown in Fig. 11B is used as a comparative example, respectively, as liquid raw materials. An experiment was performed in which water (H 2 O) was supplied to the liquid raw material supply unit 150 to evaporate. The vaporizer 500 does not have a heat insulating member 165 in the vaporizer 400, and the liquid raw material supply unit 150 and the vaporization container 111 are not thermally separated and independent. In addition, the treatment conditions were the same.

도 11의 (B)에 도시하는 기화기(500)에서는 액부 온도[액체 원료 공급부(150)에서의 온도]가 143℃인 경우, 최대 20g/만큼의 액체 원료를 기화하는 능력이 있는 것이 확인되었다. 한편 도 11의 (A)에 도시하는 기화기(400)에서는 액부 온도가 89℃인 경우, 마찬가지로 최대 20g/만큼의 액체 원료를 기화하는 능력이 있는 것이 확인되었다.In the vaporizer 500 shown in FIG. 11B, when the liquid part temperature (the temperature in the liquid raw material supply unit 150) is 143° C., it was confirmed that it has the ability to vaporize the liquid raw material as much as 20 g/at most. On the other hand, it was confirmed that in the vaporizer 400 shown in Fig. 11A, when the liquid part temperature is 89°C, similarly, it has the ability to vaporize a liquid raw material of a maximum of 20 g/d.

즉 본 실시예에서는 액체 원료 공급부(150)를 가열하는 애터마이즈 히터와 기화실(112)을 가열하는 기화기 히터(113) 사이에 단열 부재(165)를 설치하는 것에 의해 액부 온도를 100℃이하로 보지할 수 있고, 액부 온도가 100℃이하이더라도 100℃ 초과일 때와 동등량의 액체 원료를 기화할 수 있는 것이 확인되었다.That is, in this embodiment, the liquid part temperature is reduced to 100° C. or less by installing an insulating member 165 between the atomizing heater heating the liquid raw material supply unit 150 and the vaporizer heater 113 heating the vaporization chamber 112. It was confirmed that it was possible to hold and vaporize a liquid raw material equivalent to that when the liquid part temperature was 100°C or lower even when the temperature was 100°C or lower.

10: 기판 처리 장치
100, 400: 기화기
150: 액체 원료 가스 공급부
108: 기화부
111: 기화 용기
112: 기화실
160, 165: 단열 부재
200: 웨이퍼(기판)10: substrate processing apparatus
100, 400: carburetor
150: liquid raw material gas supply unit
108: vaporizer
111: vaporization vessel
112: vaporization chamber
160, 165: insulation member
200: wafer (substrate)

Claims (15)

액체 원료를 공급하는 액체 원료 공급부;
상기 액체 원료 공급부에 의해 공급된 액체 원료가 내부에서 기화되는 기화실을 구성하는 기화 용기;
상기 기화 용기를 가열하는 제1 히터; 및
상기 제1 히터로부터 방출되는 열을 상기 액체 원료 공급부에 대하여 차단하도록 설치된 단열 부재
를 구비하는 기화기.A liquid raw material supply unit for supplying a liquid raw material;
A vaporization container constituting a vaporization chamber in which the liquid raw material supplied by the liquid raw material supply unit is vaporized therein;
A first heater for heating the vaporization container; And
A heat insulating member installed to block heat emitted from the first heater with respect to the liquid raw material supply unit
Carburetor having a. 제1항에 있어서,
상기 액체 원료 공급부를 가열하는 제2 히터; 및
상기 제1 히터와 상기 제2 히터의 온도를 각각 개별로 제어하는 제어부
를 구비하는 기화기.The method of claim 1,
A second heater heating the liquid raw material supply unit; And
A control unit that individually controls the temperatures of the first heater and the second heater
Carburetor having a. 제2항에 있어서, 상기 단열 부재는 상기 제1 히터와 상기 제2 히터 사이에 설치되는 기화기.The vaporizer of claim 2, wherein the heat insulating member is installed between the first heater and the second heater. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기화 용기는,
통 형상의 외측 용기부; 및
상기 외측 용기부의 내측에 설치되는 기둥 형상의 내측 용기부
를 포함하고,
상기 내측 용기부의 외측벽은 상기 외측 용기부의 내측벽 사이에 소정의 간극을 두어서 설치되는 것에 의해 상기 간극에 상기 액체 원료가 기화되는 통 형상의 기체유로를 형성하도록 구성되고,
상기 통 형상의 기체 유로의 폭은 0.6mm이상 0.8mm이하인 기화기.The method according to any one of claims 1 to 3,
The vaporization container,
A cylindrical outer container portion; And
Column-shaped inner container part installed inside the outer container part
Including,
The outer wall of the inner container part is configured to form a cylindrical gas flow path through which the liquid raw material is vaporized by being installed with a predetermined gap between the inner wall of the outer container part,
The width of the tubular gas flow path is 0.6 mm or more and 0.8 mm or less. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 단열 부재는 상기 액체 원료 공급부의 온도가 100℃이하가 되도록 구성되는 기화기.The method according to any one of claims 1 to 4,
The heat insulating member is a vaporizer configured such that the temperature of the liquid raw material supply unit is 100°C or less. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제어부는 상기 액체 원료 공급부의 온도가 80℃이상 100℃이하가 되도록 상기 제2 히터의 온도를 제어하는 기화기.The method according to claim 2 or 3,
The control unit is a vaporizer that controls the temperature of the second heater so that the temperature of the liquid raw material supply unit is 80°C or more and 100°C or less. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액체 원료 공급부는, 상기 액체 원료를 상기 기화실 내에 토출(吐出)하는 토출구와, 상기 토출구까지 상기 액체 원료를 도입하는 액체 원료 공급관을 구비하는 기화기.The method according to any one of claims 1 to 6,
The liquid raw material supply unit includes a discharge port for discharging the liquid material into the vaporization chamber, and a liquid material supply pipe for introducing the liquid material to the discharge port. 제7항에 있어서,
상기 액체 원료 공급부는, 상기 토출구의 근방에 설치되고 캐리어 가스를 상기 기화실 내에 분출시키도록 구성된 캐리어 가스 분출구와, 상기 캐리어 가스 분출구까지 캐리어 가스를 도입하는 캐리어 가스 공급관을 구비하는 기화기.The method of claim 7,
The liquid raw material supply unit is provided in the vicinity of the discharge port and includes a carrier gas jet port configured to jet a carrier gas into the vaporization chamber, and a carrier gas supply pipe for introducing a carrier gas to the carrier gas jet port. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기화 용기 및 상기 액체 원료 공급부는 석영으로 구성되고, 양자는 일체로서 형성되는 기화기.The method according to any one of claims 1 to 8,
The vaporization container and the liquid raw material supply unit are formed of quartz, and both are formed integrally. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 히터와 상기 기화 용기 사이에는 상기 제1 히터에 의해 가열되고 상기 기화 용기에 열을 전도시키도록 설치된 제1 금속 블록이 설치되고,
상기 단열 부재는 상기 제1 금속 블록으로부터 방출되는 열을 상기 액체 원료 공급부에 대하여 차단하도록 상기 제1 금속 블록의 표면의 적어도 일부를 피복하는 기화기.The method according to any one of claims 1 to 9,
A first metal block heated by the first heater and installed between the first heater and the vaporization container to conduct heat to the vaporization container is installed,
The heat insulating member covers at least a portion of the surface of the first metal block to block heat emitted from the first metal block with respect to the liquid raw material supply unit. 제10항에 있어서,
상기 기화 용기는 통 형상의 외측 용기부를 포함하고, 상기 제1 금속 블록은 상기 외측 용기부의 외측면을 피복하도록 하방으로부터 상기 액체 원료 공급부가 접속되는 상기 기화 용기의 천장벽과 같은 높이 위치까지, 또는 하방으로부터 상기 천장벽보다 낮은 위치까지 설치되는 기화기.The method of claim 10,
The vaporization container includes a cylindrical outer container part, and the first metal block covers the outer surface of the outer container part from below to a position at the same height as the ceiling wall of the vaporization container to which the liquid raw material supply part is connected, or A vaporizer installed from below to a position lower than the ceiling wall. 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 제2 히터와 상기 액체 원료 공급부 사이에는 상기 제2 히터에 의해 가열되고 상기 액체 원료 공급부에 열을 전도시키도록 설치된 제2 금속 블록이 설치되고,
상기 단열 부재는 상기 제1 금속 블록과 상기 제2 금속 블록 사이에 설치되는 기화기.The method of claim 10 or 11,
A second metal block is installed between the second heater and the liquid raw material supply unit and heated by the second heater and installed to conduct heat to the liquid raw material supply unit,
The heat insulating member is a vaporizer installed between the first metal block and the second metal block. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액체 원료는 과산화수소를 포함하는 기화기.The method according to any one of claims 1 to 12,
The liquid raw material is a vaporizer containing hydrogen peroxide. 기판을 수용하는 처리실;
액체 원료를 공급하는 액체 원료 공급부와, 상기 액체 원료 공급부에 의해 공급된 액체 원료가 내부에서 기화되는 기화실을 구성하는 기화 용기와, 상기 기화 용기를 가열하는 제1 히터와, 상기 제1 히터로부터 방출되는 열을 상기 액체 원료 공급부에 대하여 차단하도록 설치된 단열 부재를 구비하는 기화기; 및
상기 기화기에서 생성된 기화 가스를 상기 처리실 내에 공급하는 기화 가스 배관
을 구비하는 기판 처리 장치.A processing chamber accommodating a substrate;
From a liquid raw material supply unit for supplying a liquid raw material, a vaporization container constituting a vaporization chamber in which the liquid raw material supplied by the liquid raw material supply unit is vaporized inside, a first heater for heating the vaporization container, and the first heater A vaporizer having a heat insulating member installed to block the heat emitted from the liquid raw material supply unit; And
A vaporized gas pipe supplying the vaporized gas generated by the vaporizer into the processing chamber
A substrate processing apparatus comprising a. 기판을 처리실 내에 반입하는 공정;
액체 원료를 공급하는 액체 원료 공급부에 의해 공급된 액체 원료가 내부에서 기화되는 기화실을 구성하는 기화 용기 내에 액체 원료를 공급하는 공정;
상기 기화 용기를 가열하는 제1 히터로부터 방출되는 열을 상기 액체 원료 공급부에 대하여 단열 부재로 차단하면서 상기 제1 히터에 의해 상기 기화 용기를 가열하는 공정; 및
가열된 기화 용기 내에 공급된 액체 원료를 기화하여 기화 가스를 생성하고 기화 가스를 처리실 내에 공급하는 공정
을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.Carrying the substrate into the processing chamber;
A step of supplying a liquid raw material into a vaporization container constituting a vaporization chamber in which the liquid raw material supplied by the liquid raw material supply unit that supplies the liquid raw material is vaporized therein;
Heating the vaporization container by the first heater while blocking heat emitted from the first heater heating the vaporization container with a heat insulating member to the liquid raw material supply unit; And
Process of vaporizing the liquid raw material supplied in the heated vaporization vessel to generate vaporized gas and supplying vaporized gas into the processing chamber
A method for manufacturing a semiconductor device comprising a.
KR1020207022183A 2018-03-23 2018-03-23 Vaporizer, substrate processing device, and manufacturing method of semiconductor device KR20200101981A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020237033574A KR20230142659A (en) 2018-03-23 2018-03-23 Vaporizer, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/011626 WO2019180906A1 (en) 2018-03-23 2018-03-23 Vaporizer, substrate treatment device, and method for manufacturing semiconductor device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237033574A Division KR20230142659A (en) 2018-03-23 2018-03-23 Vaporizer, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200101981A true KR20200101981A (en) 2020-08-28

Family

ID=67987022

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237033574A KR20230142659A (en) 2018-03-23 2018-03-23 Vaporizer, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
KR1020207022183A KR20200101981A (en) 2018-03-23 2018-03-23 Vaporizer, substrate processing device, and manufacturing method of semiconductor device

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237033574A KR20230142659A (en) 2018-03-23 2018-03-23 Vaporizer, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6907406B2 (en)
KR (2) KR20230142659A (en)
CN (1) CN111742394A (en)
SG (1) SG11202007413VA (en)
WO (1) WO2019180906A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7033622B2 (en) 2020-03-19 2022-03-10 株式会社Kokusai Electric Vaporizer, substrate processing equipment, cleaning method and manufacturing method of semiconductor equipment

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013077321A1 (en) 2011-11-21 2013-05-30 株式会社日立国際電気 Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and recoding medium

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3823591B2 (en) * 1999-03-25 2006-09-20 三菱電機株式会社 Vaporizing apparatus for CVD raw material and CVD apparatus using the same
JP4439030B2 (en) * 1999-04-01 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 Vaporizer, processing apparatus, processing method, and semiconductor chip manufacturing method
JP2005051006A (en) * 2003-07-28 2005-02-24 Shimadzu Corp Vaporizer
JP2009188266A (en) * 2008-02-07 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd Liquid raw material vaporizer and film-forming device using it
JP2010087169A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd Carburetor and film-forming system using the same
JP5852774B2 (en) * 2010-07-14 2016-02-03 株式会社堀場エステック Liquid sample heating vaporizer
JP2013089911A (en) * 2011-10-21 2013-05-13 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
WO2013094680A1 (en) * 2011-12-20 2013-06-27 株式会社日立国際電気 Substrate processing device, method for manufacturing semiconductor device, and vaporizer
KR101678100B1 (en) * 2015-02-12 2016-11-22 (주)티티에스 Source supply device and substrate processing apparatus
SG11201807933QA (en) * 2016-03-24 2018-10-30 Kokusai Electric Corp Vaporizer, substrate treatment apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013077321A1 (en) 2011-11-21 2013-05-30 株式会社日立国際電気 Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and recoding medium

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230142659A (en) 2023-10-11
JP6907406B2 (en) 2021-07-21
JPWO2019180906A1 (en) 2020-12-17
SG11202007413VA (en) 2020-09-29
CN111742394A (en) 2020-10-02
WO2019180906A1 (en) 2019-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9816182B2 (en) Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP6417052B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program
JP6199744B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and vaporizing apparatus
JP6038043B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program
KR101160724B1 (en) Vaporizer and semiconductor processing system
US11293096B2 (en) Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device and vaporizer
US20160013053A1 (en) Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Apparatus and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium
US20190003047A1 (en) Vaporizer and Substrate Processing Apparatus
JPH1128349A (en) Method and apparatus for vapor generation
JP6907406B2 (en) Manufacturing method of vaporizer, substrate processing equipment and semiconductor equipment
JP6151943B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
WO2016199193A1 (en) Gasification device, substrate processing device and semiconductor device production method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X601 Decision of rejection after re-examination