KR20200096149A - Substrate processing apparatus, control method of substrate processing apparatus and recording medium - Google Patents

Substrate processing apparatus, control method of substrate processing apparatus and recording medium Download PDF

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사토시 심무라
코지 타카야나기
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

An objective is to perform excellent coating processing in which a fluctuation in film thicknesses of substrates is small. A substrate processing apparatus for processing a substrate by using a processing liquid includes: a holding/rotation unit for holding and rotating the substrate; a processing liquid supply mechanism at least including a processing liquid container for accommodating the processing liquid and a liquid supply path for supplying the processing liquid of the processing liquid container to the substrate; a discharge unit for discharging the processing liquid supplied from the liquid supply path to the substrate rotated by the holding/rotation unit; a pressure information acquisition unit for acquiring pressure information in the processing liquid supply mechanism; and a control unit for controlling a number of rotations of the holding/rotation unit based on the pressure information acquired by the pressure information acquisition unit.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법 및 기억 매체 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, CONTROL METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM}Substrate processing apparatus, control method of substrate processing apparatus, and storage medium {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, CONTROL METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM}

본 개시는 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a control method of a substrate processing apparatus, and a storage medium.

레지스트액 등의 처리액을 이용하여 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치가 알려져 있다. 이러한 종류의 기판 처리 장치는, 기판을 유지하여 회전시키는 유지 회전부와, 유지 회전부에 의해 회전하고 있는 기판에 대하여 처리액을 토출하는 토출부를 구비하고 있다(특허 문헌 1).A substrate processing apparatus is known that processes a substrate such as a semiconductor wafer using a processing solution such as a resist solution. A substrate processing apparatus of this kind includes a holding and rotating unit that holds and rotates a substrate, and a discharge unit that discharges a processing liquid to a substrate rotated by the holding and rotating unit (Patent Document 1).

일본특허공개공보 2011-023669호Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-023669

복수의 기판에 대하여 레지스트액의 도포 처리를 연속하여 행할 경우, 처리 후의 레지스트의 막 두께가 기판마다 변동하는 경우가 있다. 본 개시는, 기판마다의 막 두께의 변동이 적은 양호한 도포 처리를 행할 수 있는 기술을 제공한다. When a resist liquid is applied continuously to a plurality of substrates, the film thickness of the resist after the treatment may fluctuate for each substrate. The present disclosure provides a technique capable of performing a good coating treatment with little fluctuation in film thickness for each substrate.

본 개시의 일태양에 따른 기판 처리 장치는, 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 기판을 유지하여 회전시키는 유지 회전부와, 처리액을 수용하는 처리액 용기와 상기 처리액 용기의 처리액을 기판에 대하여 공급하기 위한 액 공급로를 적어도 포함하는 처리액 공급 기구와, 상기 유지 회전부에 의해 회전하고 있는 기판에 대하여 상기 액 공급로로부터 공급되는 처리액을 토출하는 토출부와, 상기 처리액 공급 기구에 있어서의 압력 정보를 취득하는 압력 정보 취득부와, 상기 압력 정보 취득부에 의해 취득된 압력 정보에 기초하여, 상기 유지 회전부의 회전수를 제어하는 제어부를 구비하다. A substrate processing apparatus according to an aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus that processes a substrate using a processing liquid, comprising: a holding rotation unit that holds and rotates a substrate, a processing liquid container containing a processing liquid, and the processing liquid container. A processing liquid supplying mechanism including at least a liquid supply path for supplying the processing liquid to the substrate, a discharge part for discharging the processing liquid supplied from the liquid supply path to the substrate rotated by the holding and rotating part; A pressure information acquisition unit for acquiring pressure information in the processing liquid supply mechanism, and a control unit for controlling the rotation speed of the holding and rotating unit based on the pressure information acquired by the pressure information acquisition unit.

본 개시에 따르면, 기판마다의 막 두께의 변동이 적은 양호한 도포 처리를 행할 수 있다. According to the present disclosure, it is possible to perform satisfactory coating treatment with little fluctuations in film thickness for each substrate.

도 1은 본 개시에 따른 기판 처리 장치를 적용한 도포 처리 장치의 전체의 개략 구성을 나타내는 구성도이다.
도 2는 레시피 정보와 처리액 공급 기구의 압력 정보를 관련시킨 테이블이다.
도 3은 본 실시 형태에 있어서의 도포 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다. 1 is a configuration diagram showing an overall schematic configuration of a coating processing apparatus to which a substrate processing apparatus according to the present disclosure is applied.
2 is a table in which recipe information and pressure information of a processing liquid supply mechanism are related.
3 is a flowchart for explaining the operation of the coating processing device in the present embodiment.

본 개시에 따른 기판 처리 장치를, 레지스트액의 도포 처리를 행하는 도포 처리 장치에 적용한 실시의 형태에 대하여 설명한다. 또한, 본 명세서에서 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다. An embodiment in which the substrate processing apparatus according to the present disclosure is applied to a coating apparatus for applying a resist liquid is described. In addition, in the present specification, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, so that redundant descriptions are omitted.

<제 1 실시 형태><First embodiment>

도 1은 본 개시의 실시 형태에 있어서의 도포 처리 장치의 전체의 개략 구성을 나타내는 구성도이다. 도포 처리 장치는, 처리액 공급 기구(1)와 도포 처리 모듈(2)을 포함하고 있다. 도포 처리 모듈(2)에 있어서, 컵체(21) 내에 저장된 스핀 척(22)과 구동 기구(23)는, 기판을 유지하여 회전시키는 유지 회전부를 구성한다. 1 is a configuration diagram showing an overall schematic configuration of a coating apparatus according to an embodiment of the present disclosure. The coating processing apparatus includes a processing liquid supply mechanism 1 and a coating processing module 2. In the coating module 2, the spin chuck 22 and the drive mechanism 23 stored in the cup body 21 constitute a holding and rotating portion that holds and rotates the substrate.

즉, 스핀 척(22)은, 기판인 반도체 웨이퍼(이하 '웨이퍼'라고 함)(W)를 수평으로 유지하고, 구동 기구(23)는 웨이퍼를 유지한 스핀 척(22)을 회전 및 승강한다. 또한, 컵체(21)의 저부에는, 웨이퍼(W)에 도포되지 않은 여분의 레지스트액을 드레인 또는 미스트의 상태로 배출하는 배출구(24)가 마련되어 있다. 상기 컵체(21)의 상방에는, 토출부로서의 공급 노즐(25)이 마련되어 있다. 공급 노즐(25)은, 암(25a)에 지지된 상태에서, 스핀 척(22)에 유지된 웨이퍼(W)의 중앙에 레지스트액을 토출할 수 있도록 구성되어 있다. In other words, the spin chuck 22 holds the semiconductor wafer (hereinafter referred to as'wafer') W as a substrate horizontally, and the driving mechanism 23 rotates and lifts the spin chuck 22 holding the wafer. . Further, at the bottom of the cup body 21, a discharge port 24 for discharging excess resist liquid not applied to the wafer W in a drain or mist state is provided. Above the cup body 21, a supply nozzle 25 serving as a discharge portion is provided. The supply nozzle 25 is configured to discharge a resist liquid to the center of the wafer W held by the spin chuck 22 while being supported by the arm 25a.

처리액 공급 기구(1)는, 공급 노즐(25)로 처리액인 레지스트액을 공급한다. 도 1에 있어서, 상류측으로부터, 처리액 용기로서의 보틀(11), 버퍼 탱크(12), 압송부로서의 펌프(13), 유량 계측부(14), 공급 밸브(15)가 배치되어 있다. 여기서, 보틀(11)은 레지스트액을 수용하는 처리액 용기이며, 그 상면에는 가압 가스원(16)이 접속되어 있다. 가압 가스원(16)으로부터 공급되는 가압 가스는, 예를 들면 질소 가스 등의 불활성 가스이다. The processing liquid supply mechanism 1 supplies a resist liquid, which is a processing liquid, to the supply nozzle 25. In Fig. 1, from the upstream side, a bottle 11 as a processing liquid container, a buffer tank 12, a pump 13 as a pressure feeding unit, a flow rate measurement unit 14, and a supply valve 15 are arranged. Here, the bottle 11 is a processing liquid container containing a resist liquid, and a pressurized gas source 16 is connected to the upper surface thereof. The pressurized gas supplied from the pressurized gas source 16 is, for example, an inert gas such as nitrogen gas.

배관(31)은 보틀(11)과 버퍼 탱크(12) 사이를 접속한다. 배관(32)은 버퍼 탱크(12)와 펌프(13) 사이를 접속한다. 배관(33)은 펌프(13)와 유량 계측부(14) 사이를 접속한다. 배관(34)은 유량 계측부(14)와 공급 밸브(15) 사이를 접속한다. 배관(35)은 공급 밸브(15)와 공급 노즐(25) 사이를 접속한다. 본 실시 형태에 있어서, 배관(31 ~ 35)이, 보틀(11)에 수용된 레지스트액을 웨이퍼(W)에 대하여 공급하기 위한 액 공급로에 상당한다. 배관(36)은, 가압 가스원(16)과 보틀(11) 사이를 접속한다. 밸브(V1)는 배관(36)에 마련된 가스 공급용의 밸브이다. The pipe 31 connects the bottle 11 and the buffer tank 12. The pipe 32 connects the buffer tank 12 and the pump 13. The pipe 33 connects the pump 13 and the flow rate measurement unit 14. The pipe 34 connects the flow rate measurement unit 14 and the supply valve 15. The pipe 35 connects the supply valve 15 and the supply nozzle 25. In the present embodiment, the pipes 31 to 35 correspond to a liquid supply path for supplying the resist liquid accommodated in the bottle 11 to the wafer W. The pipe 36 connects the pressurized gas source 16 and the bottle 11. The valve V1 is a valve for gas supply provided in the pipe 36.

공급 밸브(15)는, 석백(suck-back) 밸브 및 에어 오퍼레이트 밸브의 기능을 가지고 있다. 공급 밸브(15)는, 레지스트액을 토출하고 있지 않을 때에는 진공압 등에 의해 흡인실에 부압을 발생시켜, 레지스트액의 선단면을 공급 노즐(25)의 선단으로부터 인입하는 역할을 가진다. The supply valve 15 has a function of a suck-back valve and an air operated valve. When the resist liquid is not being discharged, the supply valve 15 generates negative pressure in the suction chamber by vacuum pressure or the like, and has a role of drawing in the tip of the resist liquid from the tip of the supply nozzle 25.

압력 센서(41)는, 보틀(11)의 용기 내부의 압력을 계측한다. 압력 센서(42)는, 펌프(13)가 레지스트액을 압송할 때의 압력을 계측한다. 압력 센서(43)는, 유량 계측부(14)로 유입할 때의 레지스트액의 압력을 계측하고, 압력 센서(44)는, 유량 계측부(14)로부터 유출할 때의 레지스트액의 압력을 계측한다. The pressure sensor 41 measures the pressure inside the container of the bottle 11. The pressure sensor 42 measures the pressure when the pump 13 pressurizes the resist liquid. The pressure sensor 43 measures the pressure of the resist liquid when it flows into the flow rate measurement unit 14, and the pressure sensor 44 measures the pressure of the resist liquid when it flows out from the flow rate measurement unit 14.

제어부(100)는, 처리액 공급 기구(1) 및 도포 처리 모듈(2)을 포함하는 도포 처리 장치의 전체를 제어한다. 제어부(100)는, CPU(101)와 기억부(102)를 가지고 있고, 기억부(102)에 기억된 각종 프로그램을 읽어내 실행함으로써, 장치 전체를 제어한다. 또한 제어부(100)는, 압력 센서(41 ~ 44)로부터의 압력값을 압력 정보로서 취득하는 압력 정보 취득부로서도 기능하고, 취득한 압력 정보를 후술하는 장치 제어를 위하여 이용한다. 기억부(102)는, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(예를 들면 DRAM)이다. 또한 기억부(102)는, 불휘발형의 기억 매체(예를 들면 플래시 메모리)여도 된다. 또한 본 실시 형태의 제어 프로그램은, 제어부(100)로부터 착탈 가능한 불휘발형의 기억 매체 및 네트워크 등으로부터 기억부(102)에 인스톨되는 것이어도 된다. The control unit 100 controls the entire coating processing apparatus including the processing liquid supply mechanism 1 and the coating processing module 2. The control unit 100 has a CPU 101 and a storage unit 102, and controls the entire apparatus by reading and executing various programs stored in the storage unit 102. Further, the control unit 100 also functions as a pressure information acquisition unit that acquires pressure values from the pressure sensors 41 to 44 as pressure information, and uses the acquired pressure information for device control described later. The storage unit 102 is a storage medium (for example, DRAM) readable by a computer. Further, the storage unit 102 may be a non-volatile storage medium (for example, a flash memory). In addition, the control program according to the present embodiment may be installed in the storage unit 102 from a nonvolatile storage medium, a network, or the like that is detachable from the control unit 100.

이어서, 본 실시 형태의 도포 처리 장치의 동작에 대하여 설명한다. 먼저, 가압 가스원(16)으로부터 가압 가스가 배관(36)을 거쳐 보틀(11) 내로 보내지면, 보틀(11) 내의 레지스트액이 배관(31)으로 밀려나온다. 밀려나온 레지스트액은, 배관(31)을 거쳐 버퍼 탱크(12)로 공급되고 일시적으로 저류된다. 이 버퍼 탱크(12)의 저면에는 배관(32)의 일단측이 접속되어 있고 펌프(13)의 흡인 동작에 의해 버퍼 탱크(12) 내의 레지스트액이 펌프(13)로 흡인된다. Next, the operation of the coating apparatus according to the present embodiment will be described. First, when pressurized gas is sent from the pressurized gas source 16 into the bottle 11 via the pipe 36, the resist liquid in the bottle 11 is pushed out to the pipe 31. The resist liquid pushed out is supplied to the buffer tank 12 via a pipe 31 and temporarily stored. One end of the pipe 32 is connected to the bottom of the buffer tank 12, and the resist liquid in the buffer tank 12 is sucked by the pump 13 by the suction operation of the pump 13.

이상의 동작을 행한 후 또는 동작을 행하는 것과 병행하여, 웨이퍼(W)가 도시하지 않은 반송 암에 의해 도 1에 나타내는 스핀 척(22) 상에 배치된다. 이 후, 스핀 척(22)을 회전시켜, 공급 노즐(25)을 웨이퍼(W)의 중심부의 상방에 위치시킨다. 이 상태에서, 공급 밸브(15)의 흡인 상태를 개방하고 또한 개방 상태로 하여, 펌프(13)의 토출 동작을 행한다. After performing the above operation or in parallel with performing the operation, the wafer W is disposed on the spin chuck 22 shown in Fig. 1 by a transfer arm (not shown). After that, the spin chuck 22 is rotated to position the supply nozzle 25 above the central portion of the wafer W. In this state, the suction state of the supply valve 15 is opened and further opened, and the pump 13 is discharged.

이에 의해, 배관(33 ~ 35) 내의 레지스트액이 공급 노즐(25)측으로 이동하고, 그 일부가 공급 노즐(25)을 거쳐 웨이퍼(W)의 중심부에 토출된다. 이 레지스트액은 웨이퍼(W)의 주연으로 원심력으로 확산되어, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액의 액막이 형성된다. 액막 형성과 함께 또는 그 후에 레지스트액에 포함되는 용매가 휘발됨으로써, 정해진 막 두께를 가지는 고체 형상의 레지스트막이 형성된다. As a result, the resist liquid in the pipes 33 to 35 moves toward the supply nozzle 25, and a part of the resist liquid is discharged to the central portion of the wafer W through the supply nozzle 25. The resist liquid diffuses by centrifugal force around the periphery of the wafer W, and a film of the resist liquid is formed on the surface of the wafer W. The solvent contained in the resist liquid is volatilized together with or after the formation of the liquid film, thereby forming a solid resist film having a predetermined film thickness.

이 후, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 도시하지 않은 반송 암에 의해 도포 처리 모듈(2)로부터 반출되어, 정해진 대기 시간이 경과한 후, 이어서 반입되는 웨이퍼(W)에 대하여, 상기와 동일한 처리를 행한다. 이상의 처리를 미리 결정된 매수 분만큼 반복한다. Thereafter, the wafer W on which the resist film has been formed is carried out from the coating module 2 by a transfer arm (not shown), and after a predetermined waiting time has elapsed, the wafer W to be carried in subsequently is subjected to the same processing as described above. Do. The above processing is repeated for a predetermined number of sheets.

각 웨이퍼(W)에 대한 처리의 사이의 대기 시간에 있어서 레지스트액은 사용하지 않고, 보틀(11)에 대하여 가압 가스를 공급할 필요는 없으므로, 밸브(V1)를 열어 보틀(11)을 대기 개방할 수도 있다. 그러나, 보틀(11) 내의 압력은 저하되므로, 밸브(V1)를 개방하기 전과 비교하여 레지스트액의 용매의 휘발이 진행되어, 많은 휘발된 용매가 용기 밖으로 방출되어 버린다. 특히, 사용하는 레지스트액이 고점도의 액체로서, 버퍼 탱크(12)로의 압송 시에 비교적 장시간을 필요로 하는 경우, 이 경향이 나오기 쉽다. 용매의 휘발은 레지스트액의 고점도화를 일으키고, 특히 보틀(11) 내의 액의 표면 부근에서 이 현상이 현저해진다. 통상의 도포 처리의 운용에서는, 정해진 매수의 웨이퍼(W)를 연속하여 처리하기 위하여, 공통의 하나의 레시피가 이용된다. 그러나, 상기와 같이, 도포 처리를 행할 때마다 보틀(11) 내의 레지스트액이 고점도의 방향으로 변화되어 가면, 하나의 공통의 레시피로는, 웨이퍼(W) 간에서 막 두께의 변동이 생겨 버려, 원하는 처리 결과가 얻어지지 않는 경우가 있다. In the waiting time between processing for each wafer (W), since no resist liquid is used and there is no need to supply pressurized gas to the bottle (11), the valve (V1) is opened to open the bottle (11) to the atmosphere. May be. However, since the pressure in the bottle 11 decreases, the solvent of the resist liquid proceeds compared to before opening the valve V1, and a large amount of the volatilized solvent is discharged out of the container. In particular, when the resist liquid to be used is a liquid having a high viscosity and a relatively long time is required at the time of pressure feeding to the buffer tank 12, this tendency is likely to emerge. Volatilization of the solvent causes the resist liquid to become highly viscous, and this phenomenon becomes remarkable, particularly near the surface of the liquid in the bottle 11. In the operation of a normal coating process, in order to continuously process a predetermined number of wafers W, one common recipe is used. However, as described above, if the resist liquid in the bottle 11 changes in the direction of high viscosity every time the coating treatment is performed, with one common recipe, the film thickness fluctuates between the wafers W. There are cases where the desired treatment result cannot be obtained.

본 실시 형태에서는, 가압 가스에 의한 보틀(11)의 압송을 행한 후에 있어서도, 밸브(V1)를 닫은 상태를 유지하고, 보틀(11)을 가압 상태로 유지하도록 한다. 이에 의해, 보틀(11) 내의 레지스트액의 용매의 휘발이 억제되어, 레지스트액의 고점도화를 방지할 수 있다. In the present embodiment, even after pressure-feeding the bottle 11 with the pressurized gas, the valve V1 is kept in a closed state, and the bottle 11 is kept in a pressurized state. Thereby, volatilization of the solvent of the resist liquid in the bottle 11 is suppressed, and the increase in viscosity of the resist liquid can be prevented.

여기서, 보틀(11)의 내압은, 예를 들면 가압 후에 밸브(V1)를 닫는 속도에 의존하고 있고, 경우에 따라서는, 수십 kPa의 차가 발생한다. 발명자들은, 밸브(V1)를 폐쇄 상태로 유지하고 있을 때의 보틀(11)의 내압과 도포 처리 후의 웨이퍼(W)의 레지스트막의 막 두께와의 관계에 착목하여, 그 관계를 조사했다. 그 결과, 공통의 하나의 레시피를 실행한 경우에 있어서, 보틀(11)의 내압이 낮아질수록, 레지스트막의 막 두께가 두꺼워지는 것을 발견했다. 이는, 내압이 낮아질수록 보틀(11) 내에서의 레지스트액의 용매의 휘발이 진행되어, 레지스트액의 점도가 커지기 때문이라고 추정된다. Here, the internal pressure of the bottle 11 depends, for example, on the speed at which the valve V1 is closed after pressurization, and in some cases, a difference of several tens of kPa occurs. The inventors focused on the relationship between the internal pressure of the bottle 11 when the valve V1 is held in a closed state and the film thickness of the resist film of the wafer W after the coating treatment, and investigated the relationship. As a result, in the case of executing a common recipe, it was found that the lower the internal pressure of the bottle 11, the thicker the film thickness of the resist film. This is presumed to be because, as the internal pressure decreases, the solvent of the resist liquid proceeds to volatilize in the bottle 11, and the viscosity of the resist liquid increases.

그리고, 이 추정 결과에 기초하면, 미리 폐쇄 상태일 때의 보틀(11)의 내압을 알 수 있으면, 원하는 레지스트막의 막 두께가 얻어지도록, 도포 처리 모듈(2)에 있어서의 도포 처리의 레시피를 보정하는 피드 포워드 제어를 행할 수 있다고 할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 이 레시피 보정의 피드 포워드 제어를 실시하는 것으로, 이하, 그 상세에 대하여 설명한다. And, based on this estimation result, if the internal pressure of the bottle 11 in the closed state can be known in advance, the recipe for the coating process in the coating module 2 is corrected so that the desired film thickness of the resist film is obtained. It can be said that the feed forward control can be performed. In the present embodiment, the feed forward control of this recipe correction is performed, and details thereof will be described below.

본 실시 형태의 처리액 공급 기구(1)에서는, 1 매의 웨이퍼(W)에 공급되는 레지스트액의 총 액량에 대하여, 유닛 및 공급로가 수용하고 있는 레지스트액의 총 액량이 상대적으로 많아지도록 설계되어 있다. 따라서, 보틀(11)로부터 송출되는 처리액은, 복수 회의 도포 처리가 실행되고 처음으로 공급 노즐(25)로부터 공급된다. In the processing liquid supply mechanism 1 of the present embodiment, the total amount of the resist liquid contained in the unit and the supply path is designed to be relatively large with respect to the total amount of the resist liquid supplied to one wafer W. Has been. Accordingly, the treatment liquid delivered from the bottle 11 is supplied from the supply nozzle 25 after a plurality of application processes are performed.

구체적으로, 1 회째(1 매째)의 도포 처리의 종료 후, 보틀(11)로부터 송액된 정해진 양의 레지스트액은, 배관(31)을 통과하여 버퍼 탱크(12)까지 이동한다. 2 회째(2매째)의 도포 처리의 종료 후, 버퍼 탱크(12)로 이동한 상기 정해진 양의 레지스트액은, 배관(32)을 통과하고 펌프(13)로부터 송출되어 배관(33)까지 달한다. 3 회째(3 매째)의 도포 처리의 종료 후, 배관(33)에 달하고 있던 상기 정해진 양의 레지스트액은, 유량 계측부(14)를 통과하여 배관(34)까지 달한다. 그리고, 4 회째(4 매째)의 도포 처리에 의해, 배관(34)에 달하고 있던 상기 정해진 양의 레지스트액은 공급 노즐(25)로부터 모두 토출된다. 따라서, 1 회째(1 매째)의 도포 처리를 행하기 전에 보틀(11)의 내압을 계측한 경우, 그 계측 결과에 기초하는 피드 포워드 제어는, 4 회째(4 매째)의 도포 처리에 반영시킨다. Specifically, after completion of the first (first sheet) coating process, a predetermined amount of the resist liquid fed from the bottle 11 passes through the pipe 31 and moves to the buffer tank 12. After completion of the second (second) coating process, the predetermined amount of the resist liquid transferred to the buffer tank 12 passes through the pipe 32, is delivered from the pump 13, and reaches the pipe 33. After completion of the third (third) coating process, the predetermined amount of the resist liquid reaching the pipe 33 passes through the flow rate measurement unit 14 and reaches the pipe 34. Then, by the fourth (fourth) application process, all the resist liquid of the predetermined amount reaching the pipe 34 is discharged from the supply nozzle 25. Therefore, when the internal pressure of the bottle 11 is measured before performing the first (first) coating process, the feed forward control based on the measurement result is reflected in the fourth (4th) coating process.

본 실시 형태의 도포 처리는, 미리 사용자에 의해 정해진 표준 레시피를 이용하여 실행된다. 표준 레시피는, 예를 들면 공급 노즐 위치 : Center, 회전수 : 1000 회전, 공급 유량 : 1.0 mml로 설정되어 있다. 본 실시 형태에서는, 도 2와 같이, 피드 포워드 제어를 위하여, 레시피 정보와 처리액 공급 기구(1)의 압력 정보를 관련시킨 테이블을 기억부(102)에 가진다. 도 2에서는, “No.3”의 행에, 표준 레시피의 파라미터와 기준이 되는 처리액 공급 기구(1)의 압력 정보가 나타나 있다. 본 실시 형태의 압력 정보는, 실제의 계측값이 아닌 정규화한 압력값을 나타내고 있다. The coating process of this embodiment is executed using a standard recipe previously determined by the user. The standard recipe is set to, for example, supply nozzle position: Center, rotational speed: 1000 rotations, and supply flow rate: 1.0 mml. In the present embodiment, as shown in FIG. 2, for feed forward control, a table relating recipe information and pressure information of the processing liquid supply mechanism 1 is provided in the storage unit 102. In Fig. 2, in the row of "No. 3", parameters of a standard recipe and pressure information of the processing liquid supply mechanism 1 serving as a reference are shown. The pressure information according to the present embodiment indicates a normalized pressure value, not an actual measured value.

예를 들면, 보틀(11)의 이상적인 내압이 50 kPa인 경우, 실제의 계측값으로 나타내면 각각, “No.1”은 51.5 kPa 이상, “No.2”는 50.5 kPa 이상 ~ 51.5 kPa 미만이라고 하는 범위가 된다. 또한, “No.3”은 49.5 kPa 이상 ~ 50.5 kPa 미만이라고 하는 범위가 된다. 또한, “No.4”는 47.5 kPa 이상 ~ 49.5 kPa 미만, “No.5”는 47.5 kPa 미만이라고 하는 범위가 된다. 펌프(13)의 내압값, 유량 계측부(14)의 압력 차분값에 대해서도, 마찬가지로 이상적인 수치를 정한 다음 범위를 설정할 수 있다. For example, when the ideal internal pressure of the bottle 11 is 50 kPa, it is said that "No. 1" is 51.5 kPa or more, and "No. 2" is 50.5 kPa or more to less than 51.5 kPa, respectively, when expressed as actual measured values. Becomes a range. In addition, "No. 3" is in the range of 49.5 kPa or more to less than 50.5 kPa. In addition, “No.4” is in the range of 47.5 kPa or more to less than 49.5 kPa, and “No. 5” is less than 47.5 kPa. Also for the internal pressure value of the pump 13 and the pressure difference value of the flow rate measurement unit 14, an ideal value can be similarly determined and then a range can be set.

이하, 압력 정보로서 보틀(11)의 내압값을 예로, 설정값의 결정 방법에 대하여 설명한다. “No.3”를 기준으로 하고, 보틀(11)의 내압이 높은 경우(“No.1”, “No.2”)는, 회전수를 작게 하는 설정으로 변경한다. 내압이 높다고 하는 것은, 용제의 휘발이 진행되어 있지 않고 기준값보다 저점도의 레지스트액이 수용되어 있다고 추정된다. 따라서, 회전에 의한 원심력이 작용하기 쉬우므로, 원하는 막 두께보다 막이 작아지지 않도록, 회전수를 낮게 설정하고 있다. Hereinafter, a method of determining the set value will be described using the internal pressure value of the bottle 11 as an example of the pressure information. If "No.3" is used as a standard, and the internal pressure of the bottle 11 is high ("No.1", "No.2"), change the setting to a smaller number of rotations. When the internal pressure is high, it is estimated that the volatilization of the solvent does not proceed and a resist liquid having a viscosity lower than the reference value is contained. Therefore, since the centrifugal force due to rotation is liable to act, the rotation speed is set to be low so that the film is not smaller than the desired film thickness.

보틀(11)의 내압이 낮은 경우(“No.4”, “No.5”)는, 회전수를 크게 하는 설정으로 변경한다. 내압이 낮다고 하는 것은, 용제의 휘발이 진행되어 있고 기준값보다 고점도의 레지스트액이 수용되어 있다고 추정된다. 따라서, 회전에 의한 원심력이 작용하기 어려우므로, 원하는 막 두께보다 막이 커지지 않도록, 회전수를 높게 설정하고 있다. When the internal pressure of the bottle 11 is low (“No.4”, “No.5”), change the setting to increase the number of rotations. When the internal pressure is low, it is estimated that the volatilization of the solvent has progressed and that a resist liquid having a viscosity higher than the reference value is contained. Therefore, since the centrifugal force due to rotation is difficult to act, the rotational speed is set high so that the film does not become larger than the desired film thickness.

보틀(11)의 내압 등의 압력 정보와 회전수와의 관계는, 레시피에 기초하는 장치 전체에서의 도포 처리의 평가 실험을 행하여, 실제로 각 압력값과 막 두께를 계측하면서 결정하면 된다. 또한, 각 유닛에 있어서의 압력 정보와 처리액의 점도의 관계식, 도포 처리 모듈(2)에 있어서의 처리액의 점도와 막 두께의 관계식 및 막 두께와 회전수의 관계식을 실험에 의해 각각 개별로 구하고 나서, 이들의 조합에 의해 도 2의 테이블의 값을 계산에 의해 정하도록 해도 된다. The relationship between the pressure information such as the internal pressure of the bottle 11 and the rotational speed may be determined while actually measuring each pressure value and film thickness by performing an evaluation experiment of the coating process in the entire apparatus based on the recipe. In addition, the relational expression between the pressure information in each unit and the viscosity of the processing liquid, the relational expression between the viscosity and the film thickness of the processing liquid in the coating module 2, and the relational expression between the film thickness and the number of rotations were individually tested. After obtaining, the value of the table in Fig. 2 may be determined by calculation by a combination of these.

이어서, 도 3의 순서도를 이용하여, 본 실시 형태에 있어서의 동작을 설명한다. 본 순서도의 각 단계는, 제어부(100)가 가지는 기억부(102)에 기억되는 제어 프로그램을 CPU(101)가 실행함으로써 달성된다. 도 3의 순서도는, 도포 처리 모듈(2)에 대하여 N 번째로 반입된 웨이퍼(W)에 대하여 도포 처리를 행하는 것으로 한다. Next, the operation in this embodiment will be described using the flow chart in FIG. 3. Each step of this flowchart is achieved by the CPU 101 executing a control program stored in the storage unit 102 of the control unit 100. In the flowchart of FIG. 3, it is assumed that a coating process is performed on the wafer W carried in the Nth time to the coating module 2.

먼저, 처리액 공급 기구(1)에 있어서의 압력 정보를 취득한다(S101). 구체적으로, 제어부(100)가 압력 센서(41)에 의해 계측된 보틀(11)의 내압값을 취득한다. 이 때, 밸브(V1)는 닫혀 있고 보틀(11) 내는 이미 가압 상태에 있다. First, pressure information in the processing liquid supply mechanism 1 is acquired (S101). Specifically, the control unit 100 acquires the internal pressure value of the bottle 11 measured by the pressure sensor 41. At this time, the valve V1 is closed and the inside of the bottle 11 is already in a pressurized state.

이어서, 제어부(100)는, 취득한 보틀(11)의 내압값과 도 2에 나타낸 테이블의 내압값을 비교하여, 레시피의 회전수를 결정한다(S102). 전술한 바와 같이, 보틀 내의 처리액은 A 번 후(상기의 예에서는 3 개 후)의 웨이퍼의 처리에 이용되는 처리액이므로, N+A 번째의 웨이퍼(W)의 제어값으로서 기억부(102)에 기억한다. Next, the control unit 100 compares the obtained internal pressure value of the bottle 11 and the internal pressure value of the table shown in Fig. 2 to determine the number of revolutions of the recipe (S102). As described above, since the processing liquid in the bottle is a processing liquid used for processing wafers after number A (after 3 in the above example), the storage unit 102 is used as a control value of the N+A-th wafer W. ) To remember.

이어서, 제어부(100)는, 구동 기구(23)로 제어 신호를 보내 스핀 척(22)을 회전시킨다(S103). 여기서의 회전수는 기억부(102)에 기억된 N 번째의 설정값이다. 즉, A 번 전(상기의 예에서는 3 개 전)에 도 3의 순서도를 실행했을 때에 얻어진 설정값이다. Subsequently, the control unit 100 sends a control signal to the drive mechanism 23 to rotate the spin chuck 22 (S103). The rotation speed here is the N-th set value stored in the storage unit 102. That is, it is the set value obtained when the flowchart of FIG. 3 was executed before A time (three in the above example).

이어서, 레지스트액을 웨이퍼(W)에 대하여 토출한다(S104). 여기서, 토출되는 레지스트액은 단계(S103)에서 설정한 회전수에 대응하고 있다. Then, the resist liquid is discharged to the wafer W (S104). Here, the resist liquid to be discharged corresponds to the rotation speed set in step S103.

도포 처리가 종료되면, 제어부(100)는, 가압 가스원(16) 및 밸브(V1)를 제어하여 보틀(11)을 가압한다(S105). 전술한 바와 같이 밸브를 닫는 타이밍이 늦어질수록, 보틀(11)의 압력은 저하되고 휘발이 촉진되어 버리므로, 도포 처리가 종료되기 전에 가압을 개시하도록 제어해도 된다. When the coating process is finished, the control unit 100 pressurizes the bottle 11 by controlling the pressurized gas source 16 and the valve V1 (S105). As described above, as the timing of closing the valve is delayed, the pressure of the bottle 11 decreases and volatilization is promoted. Therefore, you may control to start pressurization before the coating process is finished.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 처리액 공급 기구(1)에 있어서의 압력 정보로서, 보틀(11)의 내압값을 취득하고, 취득된 내압값에 기초하여 유지 회전부에 있어서의 스핀 척(22)의 회전수를 제어하도록 했다. 이에 의해, 보틀(11)의 내압값으로부터 처리액의 점도를 추정하여 그 점도에 최적인 회전수에 조정할 수 있으므로, 웨이퍼마다의 막 두께의 변동이 적은 양호한 도포 처리를 행할 수 있다. As described above, in the present embodiment, as the pressure information in the processing liquid supply mechanism 1, the internal pressure value of the bottle 11 is acquired, and based on the acquired internal pressure value, the spin chuck ( 22) to control the number of rotations. Thereby, since the viscosity of the processing liquid can be estimated from the internal pressure value of the bottle 11 and adjusted to the optimum rotational speed for the viscosity, it is possible to perform satisfactory coating treatment with little fluctuation in the film thickness for each wafer.

<제 2 실시 형태><2nd embodiment>

본 실시 형태에서는, 처리액 공급 기구(1)의 압력 정보로서, 펌프(13)의 내압값을 이용하는 경우에 대하여 설명한다. In this embodiment, a case where the internal pressure value of the pump 13 is used as pressure information of the processing liquid supply mechanism 1 will be described.

도 2에 있어서, “No.3”을 기준으로 하여, 펌프(13)의 내압이 낮은 경우(“No.1”, “No.2”)는, 회전수를 작게 하는 설정으로 변경한다. 내압이 낮다고 하는 것은 펌프(13)에서의 압송의 압력이 상대적으로 작아도 된다는 것으로, 보틀(11)에 있어서 용제의 휘발이 진행되어 있지 않고 기준값보다 저점도의 레지스트액이 수용되어 있다고 추정되기 때문이다. In Fig. 2, when the internal pressure of the pump 13 is low (“No. 1”, “No. 2”) based on “No. 3”, the setting is changed to decrease the number of rotations. The reason that the internal pressure is low means that the pressure of the pump 13 may be relatively small, because it is estimated that the solvent is not volatilized in the bottle 11 and a resist liquid having a viscosity lower than the reference value is contained. .

펌프(13)의 내압이 높은 경우(“No.4”, “No.5”)는, 회전수를 크게 하는 설정으로 변경한다. 내압이 높다고 하는 것은 펌프(13)에서의 압송의 압력이 상대적으로 클 필요가 있으며, 보틀(11)에 있어서 용제의 휘발이 진행되어 있고 기준값보다 고점도의 레지스트액이 수용되어 있다고 추정되기 때문이다. When the internal pressure of the pump 13 is high (“No.4”, “No.5”), change the setting to increase the number of revolutions. The reason why the internal pressure is high is that the pressure of the pump 13 needs to be relatively large, and it is estimated that the volatilization of the solvent proceeds in the bottle 11 and a resist liquid having a viscosity higher than the reference value is contained.

이어서, 도 3의 순서도를 이용하여, 본 실시 형태에 있어서의 동작을 설명한다.Next, the operation in this embodiment will be described using the flow chart in FIG. 3.

먼저, 처리액 공급 기구(1)에 있어서의 압력 정보를 취득한다(S101). 구체적으로, 제어부(100)가 압력 센서(42)에 의해 계측된 펌프(13)의 내압값을 취득한다. 이 때, 펌프(13)는 송출 동작을 행하고 있고 펌프(13) 내는 이미 가압 상태에 있다. First, pressure information in the processing liquid supply mechanism 1 is acquired (S101). Specifically, the control unit 100 acquires the internal pressure value of the pump 13 measured by the pressure sensor 42. At this time, the pump 13 is performing the delivery operation, and the inside of the pump 13 is already in a pressurized state.

이어서, 제어부(100)는 취득한 펌프(13)의 내압값과 도 2에 나타낸 테이블의 내압값을 비교하여, 레시피의 회전수를 결정한다(S102). 전술한 바와 같이, 펌프(13) 내의 처리액은 A 번 후(상기의 예에서는 2 개 후)의 웨이퍼의 처리에 이용되는 처리액이므로, N+A 번째의 웨이퍼(W)의 제어값으로서 기억부(102)에 기억한다. Next, the control unit 100 compares the obtained internal pressure value of the pump 13 with the internal pressure value of the table shown in Fig. 2 to determine the number of revolutions of the recipe (S102). As described above, since the processing liquid in the pump 13 is a processing liquid used for processing the wafer after number A (after 2 in the above example), it is stored as the control value of the N+A-th wafer W. It is memorized in part 102.

이어서, 제어부(100)는 구동 기구(23)로 제어 신호를 보내 스핀 척(22)을 회전시킨다(S103). 여기서의 회전수는 기억부(102)에 기억된 N 번째의 설정값이다. 즉, A 번 전(상기의 예에서는 2 개 전)에 도 3의 순서도를 실행했을 때에 얻어진 설정값이다. Subsequently, the control unit 100 transmits a control signal to the drive mechanism 23 to rotate the spin chuck 22 (S103). The rotation speed here is the N-th set value stored in the storage unit 102. That is, it is the setting value obtained when the flowchart of FIG. 3 was executed before A time (in the above example, two before).

이어서, 레지스트액을 웨이퍼(W)에 대하여 토출한다(S104). 여기서, 토출되는 레지스트액은 단계(S103)에서 설정한 회전수에 대응하고 있다.Then, the resist liquid is discharged to the wafer W (S104). Here, the resist liquid to be discharged corresponds to the rotation speed set in step S103.

도포 처리가 종료되면, 제어부(100)는 가압 가스원(16) 및 밸브(V1)를 제어하여 보틀(11)을 가압한다(S105). When the coating process is finished, the control unit 100 pressurizes the bottle 11 by controlling the pressurized gas source 16 and the valve V1 (S105).

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 처리액 공급 기구(1)에 있어서의 압력 정보로서 펌프(13)의 내압값을 취득하고, 취득된 내압값에 기초하여 유지 회전부에 있어서의 스핀 척(22)의 회전수를 제어하도록 했다. 이에 의해, 펌프(13)의 내압값으로부터 처리액의 점도를 추정하여 그 점도에 최적인 회전수로 조정할 수 있으므로, 웨이퍼마다의 막 두께의 변동이 적은 양호한 도포 처리를 행할 수 있다. As described above, in the present embodiment, the internal pressure value of the pump 13 is obtained as pressure information in the processing liquid supply mechanism 1, and the spin chuck 22 in the holding rotating part is based on the obtained internal pressure value. ) To control the number of rotations. Thereby, since the viscosity of the processing liquid can be estimated from the internal pressure value of the pump 13 and adjusted to the optimum rotation speed for the viscosity, it is possible to perform satisfactory coating treatment with little fluctuation in the film thickness for each wafer.

<제 3 실시 형태><Third embodiment>

본 실시 형태에서는, 처리액 공급 기구(1)의 압력 정보로서, 유량 계측부(14)의 전후, 즉 유량 계측부(14)의 상류측과 하류측의 압력값의 차분값을 이용하는 경우에 대하여 설명한다. In the present embodiment, as pressure information of the processing liquid supply mechanism 1, a case where the difference value between the pressure values of the pressure values before and after the flow rate measurement unit 14, that is, the upstream side and the downstream side of the flow rate measurement unit 14 will be described. .

여기서의 차분값이란, 압력 센서(43)에 의해 계측된 유량 계측부(14)로 유입할 때의 레지스트액의 압력값으로부터, 압력 센서(44)에 의해 계측된 유량 계측부(14)로부터 유출할 때의 레지스트액의 압력값을 감산한 값이다. The difference value here is from the pressure value of the resist liquid when flowing into the flow rate measurement unit 14 measured by the pressure sensor 43, and when it flows out from the flow rate measurement unit 14 measured by the pressure sensor 44. It is a value obtained by subtracting the pressure value of the resist solution of.

유량 계측부(14)를, 길이가 L, 반경이 R인 미세관이라 하고, 계측된 처리액의 유량이 V일 때 압력의 차분값이 D라고 하면, 포아즈이유(Poiseuille)의 법칙으로부터, 처리액의 점성율(N)은, N = πR4D / 8VL로 나타낼 수 있다. 여기서, 처리액의 유량이 일정하다고 하는 전제인 경우, 차분값(D)의 대소에만 따라 처리액의 점도가 변화하게 된다. 도포 처리를 행할 때마다 상기의 점성율까지 구해, 점성율로부터 파라미터를 도출하는 것도 가능하다. 단, 본 실시 형태에서는, 제 1 및 제 2 실시 형태와 마찬가지로, 도 2의 테이블을 이용하여, 압력 정보로부터 파라미터를 결정하는 방법에 대하여 설명한다. If the flow measurement unit 14 is called a microtube with a length L and a radius R, and the differential value of the pressure is D when the measured flow rate of the processing liquid is V, it is processed from Poiseuille's law. The viscosity (N) of the liquid can be expressed as N = πR4D / 8VL. Here, in the case of the premise that the flow rate of the treatment liquid is constant, the viscosity of the treatment liquid changes depending only on the magnitude of the difference value D. Whenever coating treatment is performed, it is also possible to determine up to the above viscosity and to derive parameters from the viscosity. However, in this embodiment, similarly to the first and second embodiments, a method of determining a parameter from pressure information using the table in Fig. 2 will be described.

도 2에 있어서, “No.3”을 기준으로 하여, 유량 계측부(14)의 전후의 압력값의 차분값(이후, 차분값)이 작은 경우(“No.1”, “No.2”)는, 회전수를 작게 하는 설정으로 변경한다. 내압이 작다고 하는 것은 점성율(N)이 상대적으로 작다고 하는 것으로, 보틀(11)에 있어서 용제의 휘발이 진행되어 있지 않고 기준값보다 저점도의 레지스트액이 수용되어 있다고 추정되기 때문이다. In Fig. 2, when the difference value (hereinafter, the difference value) between the pressure values before and after the flow rate measurement unit 14 is small based on “No. 3” (“No. 1”, “No. 2”) Is changed to a setting that reduces the number of rotations. The reason that the internal pressure is small is that the viscosity N is relatively small, and it is estimated that the solvent is not volatilized in the bottle 11 and that a resist liquid having a viscosity lower than the reference value is contained.

차분값이 큰 경우(“No.4”, “No.5”)는, 회전수를 크게 하는 설정으로 변경한다. 차분값이 크다고 하는 것은 점성율(N)이 상대적으로 크다고 하는 것으로, 보틀(11)에 있어서 용제의 휘발이 진행되어 있고 기준값보다 고점도의 레지스트액이 수용되어 있다고 추정되기 때문이다. If the difference value is large (“No.4”, “No.5”), change the setting to increase the number of rotations. The reason why the difference value is large is that the viscosity (N) is relatively large, and it is estimated that the volatilization of the solvent has progressed in the bottle 11 and that a resist liquid having a viscosity higher than the reference value is contained.

이어서, 도 3의 순서도를 이용하여, 본 실시 형태에 있어서의 동작을 설명한다. 먼저, 처리액 공급 기구(1)에 있어서의 압력 정보를 취득한다(S101). 구체적으로, 제어부(100)가 압력 센서(43 및 44)에 의해 계측된 압력값에 기초하여 차분값을 취득한다. 이 때, 유량 계측부(14)는 유량의 계측 동작을 행하고 있다. Next, the operation in this embodiment will be described using the flow chart in FIG. 3. First, pressure information in the processing liquid supply mechanism 1 is acquired (S101). Specifically, the control unit 100 acquires a difference value based on the pressure values measured by the pressure sensors 43 and 44. At this time, the flow rate measurement unit 14 performs a flow rate measurement operation.

이어서, 제어부(100)는 취득한 차분값과 도 2에 나타낸 테이블의 차분값을 비교하여, 레시피의 회전수를 결정한다(S102). 전술한 바와 같이, 유량 계측부(14)를 통과하는 처리액은 A 번 후(상기의 예에서는 1 개 후)의 웨이퍼의 처리에 이용되는 처리액이므로, N+A 번째의 웨이퍼(W)의 제어값으로서 기억부(102)에 기억한다. Subsequently, the control unit 100 compares the obtained difference value with the difference value in the table shown in Fig. 2 to determine the number of revolutions of the recipe (S102). As described above, since the processing liquid passing through the flow rate measurement unit 14 is a processing liquid used for processing the wafer after number A (after one in the above example), control of the N+A-th wafer (W) It is stored in the storage unit 102 as a value.

이어서, 제어부(100)는 구동 기구(23)로 제어 신호를 보내 스핀 척(22)을 회전시킨다(S103). 여기서의 회전수는 기억부(102)에 기억된 N 번째의 설정값이다. 즉, A 번 전(상기의 예에서는 1 개 전)에 도 3의 순서도를 실행했을 때에 얻어진 설정값이다. Subsequently, the control unit 100 transmits a control signal to the drive mechanism 23 to rotate the spin chuck 22 (S103). The rotation speed here is the N-th set value stored in the storage unit 102. That is, it is the set value obtained when the flowchart of FIG. 3 was executed before A time (one before in the above example).

이어서, 레지스트액을 웨이퍼(W)에 대하여 토출한다(S104). 여기서, 토출되는 레지스트액은 단계(S103)에서 설정한 회전수에 대응하고 있다. 도포 처리가 종료되면, 제어부(100)는 가압 가스원(16) 및 밸브(V1)를 제어하여 보틀(11)을 가압한다(S105). Then, the resist liquid is discharged to the wafer W (S104). Here, the resist liquid to be discharged corresponds to the rotation speed set in step S103. When the coating process is finished, the control unit 100 pressurizes the bottle 11 by controlling the pressurized gas source 16 and the valve V1 (S105).

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 처리액 공급 기구(1)에 있어서의 압력 정보로서, 유량 계측부(14)의 전후의 압력값의 차분값을 취득하고, 취득된 차분값에 기초하여 유지 회전부에 있어서의 스핀 척(22)의 회전수를 제어하도록 했다. 이에 의해, 펌프(13)의 차분값으로부터 처리액의 점도를 추정하여 그 점도에 최적인 회전수로 조정할 수 있으므로, 웨이퍼마다의 막 두께의 변동이 적은 양호한 도포 처리를 행할 수 있다. As described above, in the present embodiment, as pressure information in the processing liquid supply mechanism 1, the difference value between the pressure values before and after the flow rate measurement unit 14 is acquired, and the holding rotation unit is based on the obtained difference value. The number of rotations of the spin chuck 22 in is controlled. Thereby, since the viscosity of the processing liquid can be estimated from the difference value of the pump 13 and adjusted to the optimum rotational speed for the viscosity, it is possible to perform satisfactory coating treatment with little fluctuation in the film thickness for each wafer.

<다른 실시 형태><Other embodiment>

이상, 제 1 ~ 제 3 실시 형태에 대하여, 각각 개별로 처리 동작을 설명했지만, 제어부(100)가, 압력 센서(41 ~ 44)로부터 취득한 복수의 압력 정보의 조합으로부터, 스핀 척(22)의 회전수를 제어하도록 해도 된다. 예를 들면, 3 개 전의 도포 처리 때의 보틀(11)의 내압값, 2 개 전의 도포 처리 때의 펌프(13)의 내압값, 1 개 전의 도포 처리 때의 유량 계측부(14)의 전후의 압력값의 차분값은 동일한 처리액에 관한 점도를 추정하기 위한 압력 정보이기 때문이다. As described above, for the first to third embodiments, the processing operation has been described individually, but the control unit 100 is the spin chuck 22 from a combination of a plurality of pressure information acquired from the pressure sensors 41 to 44. You may control the rotation speed. For example, the internal pressure value of the bottle 11 at the time of application treatment before three, the internal pressure value of the pump 13 at the time of application treatment before two, the pressure before and after the flow rate measurement unit 14 at the time of application treatment before one This is because the difference in values is pressure information for estimating the viscosity for the same treatment liquid.

여기서, 도 2의 테이블을 참조한 경우, 동일한 처리액이라면, 이론적으로는 3 개의 값에는 모두 동일한 행(예를 들면 No.2)의 회전수가 대응할 것이다. 단, 각 센서의 측정 정밀도가 동일 레벨이 아닌 경우 또는 서로의 도포 처리의 간격이 길어 처리액이 변질될 수 있는 경우 등은, 서로 상이한 값이 얻어질 가능성도 있다. 서로 상이한 값이었을 경우(예를 들면, 보틀(11)의 내압값이 No.1, 펌프(13)의 내압값이 No.2, 유량 계측부(14)의 차분값이 No.3)인 경우, 정해진 룰을 정해 두고 최종적인 회전수의 값을 정해도 된다. 예를 들면, 회전수를 3 개의 대응하는 회전수의 평균값(950 rpm)으로 정하는 방식, 또는 3 개에서 가장 조정량이 커지는 회전수(900 rpm)로 정하는 방식 등이 있다. Here, in the case of referring to the table of Fig. 2, if the processing liquid is the same, theoretically, all three values will correspond to the number of rotations of the same row (for example, No. 2). However, when the measurement accuracy of each sensor is not at the same level, or when the interval between coating treatments with each other is long and the processing liquid may be deteriorated, there is a possibility that different values may be obtained. When the values are different from each other (for example, the internal pressure value of the bottle 11 is No. 1, the internal pressure value of the pump 13 is No. 2, and the differential value of the flow rate measurement unit 14 is No. 3), It is also possible to set a set rule and set the final rotation speed value. For example, there is a method of determining the number of revolutions as the average value (950 rpm) of three corresponding revolutions, or a method of determining the number of revolutions (900 rpm) in which the adjustment amount is the largest from the three.

또한 도 2의 테이블에서는, 이론적으로 3 개의 값이 발생하는 테이블이었지만, 물론, 예를 들면 보틀(11)의 내압값과 펌프(13)의 내압값을 조합한 경우와 같이, 이론적으로 2 개의 값이 발생하는 케이스라도, 상기한 바와 같은 회전수의 평균값 또는 가장 조정량이 커지는 회전수 등을 채용하도록 해도 된다. In addition, in the table of Fig. 2, although it was a table in which three values were theoretically generated, of course, two values theoretically, such as when the inner pressure value of the bottle 11 and the inner pressure value of the pump 13 were combined Even in a case in which this occurs, the average value of the rotation speed as described above or the rotation speed at which the adjustment amount is the largest may be adopted.

또한, 처리액 공급 기구(1)의 구조에 따라서는, 각 유닛 및 공급로가 수용하고 있는 레지스트액이 몇 회 앞의 도포 처리에서 이용될지의 명확한 분리가 어려운 경우도 있을 수 있다. 그 경우에는, 동일한 유닛에 관한 복수의 압력 정보의 평균값 등을 이용하여 점도의 추정 및 회전수의 조정을 행해도 된다. 예를 들면, 보틀(11)에 관해서는 현재의 도포 처리의 내압값과 1 개 전의 도포 처리의 내압값과의 평균값으로부터 구한 회전수를 A 번 후(상기의 예에서는 3 개 후)의 도포 처리에 이용할 수가 있다. Further, depending on the structure of the processing liquid supply mechanism 1, it may be difficult to clearly separate how many times the resist liquid contained in each unit and the supply path will be used in the previous coating treatment. In that case, the viscosity may be estimated and the rotational speed may be adjusted using an average value of a plurality of pressure information related to the same unit. For example, for the bottle 11, the number of revolutions obtained from the average value of the internal pressure value of the current application treatment and the internal pressure value of the previous application treatment was A times (after 3 in the above example) application treatment. Can be used for

지금까지 설명한 실시 형태는, 레지스트액의 도포 처리를 행하는 도포 처리 장치를 예로 설명해 왔지만, 본 개시는 이에 한정되지 않고, 정해진 막 두께의 막 형성 처리를 행하는 기판 처리 장치이면, 다른 종류의 장치에도 마찬가지로 적용 가능한 것이다.The embodiment described so far has been described as an example of a coating processing apparatus that performs a coating treatment of a resist liquid, but the present disclosure is not limited to this, and as long as it is a substrate processing apparatus that performs a film formation treatment of a predetermined film thickness, the same applies to other types of devices. It is applicable.

Claims (11)

처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
기판을 유지하여 회전시키는 유지 회전부와,
처리액을 수용하는 처리액 용기와 상기 처리액 용기의 처리액을 기판에 대하여 공급하기 위한 액 공급로를 적어도 포함하는 처리액 공급 기구와,
상기 유지 회전부에 의해 회전하고 있는 기판에 대하여 상기 액 공급로로부터 공급되는 처리액을 토출하는 토출부와,
상기 처리액 공급 기구에 있어서의 압력 정보를 취득하는 압력 정보 취득부와,
상기 압력 정보 취득부에 의해 취득된 압력 정보에 기초하여, 상기 유지 회전부의 회전수를 제어하는 제어부
를 구비하는 기판 처리 장치. A substrate processing apparatus for processing a substrate using a processing liquid,
A holding rotation unit that maintains and rotates the substrate,
A processing liquid supplying mechanism including at least a processing liquid container for accommodating the processing liquid and a liquid supply path for supplying the processing liquid of the processing liquid container to the substrate,
A discharge part for discharging the processing liquid supplied from the liquid supply path to the substrate rotated by the holding and rotating part;
A pressure information acquisition unit that acquires pressure information in the processing liquid supply mechanism;
A control unit that controls the number of rotations of the holding and rotating unit based on the pressure information acquired by the pressure information acquisition unit
A substrate processing apparatus comprising a. 제 1 항에 있어서,
상기 압력 정보 취득부는 상기 처리액 용기의 내압값을 취득하고,
상기 제어부는, 상기 취득된 내압값에 기초하여, 상기 유지 회전부의 회전수를 제어하는, 기판 처리 장치. The method of claim 1,
The pressure information acquisition unit acquires an internal pressure value of the processing liquid container,
The control unit controls the number of rotations of the holding and rotating unit based on the obtained internal pressure value. 제 1 항에 있어서,
상기 처리액 공급 기구는 상기 액 공급로를 흐르는 처리액을 압송하는 압송부를 더 가지고,
상기 압력 정보 취득부는 상기 압송부의 내압값을 취득하고,
상기 제어부는, 상기 취득된 내압값에 기초하여, 상기 유지 회전부의 회전수를 제어하는, 기판 처리 장치. The method of claim 1,
The processing liquid supply mechanism further has a pressure-feeding part for pressure-feeding the processing liquid flowing through the liquid supply path,
The pressure information acquisition unit acquires an internal pressure value of the pressure transmission unit,
The control unit controls the number of rotations of the holding and rotating unit based on the obtained internal pressure value. 제 1 항에 있어서,
상기 처리액 공급 기구는 상기 액 공급로를 흐르는 처리액의 유량을 계측하는 유량 계측부를 더 가지고,
상기 압력 정보 취득부는 상기 유량 계측부의 전후의 압력값의 차분 정보를 취득하고,
상기 제어부는, 상기 취득한 압력값의 차분 정보에 기초하여, 상기 유지 회전부의 회전수를 제어하는, 기판 처리 장치. The method of claim 1,
The processing liquid supply mechanism further has a flow rate measuring unit for measuring a flow rate of the processing liquid flowing through the liquid supply path,
The pressure information acquisition unit acquires difference information between the pressure values before and after the flow rate measurement unit,
The control unit controls the rotation speed of the holding and rotating unit based on the obtained difference information of the pressure value. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 압력 정보와 처리액의 점도, 처리액의 점도와 막 두께, 및 막 두께와 기판 유지 회전부의 회전수의 관계로부터 구해진 테이블에 기초하여, 상기 기판 유지 회전부의 회전수를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 4,
The control unit controls the number of rotations of the substrate holding and rotating unit based on a table obtained from the relationship between the pressure information and the viscosity of the processing liquid, the viscosity and the film thickness of the processing liquid, and the film thickness and the rotation speed of the substrate holding rotating unit. A substrate processing apparatus comprising: 기판을 유지하여 회전시키는 유지 회전부와, 처리액을 수용하는 처리액 용기와 상기 처리액 용기의 처리액을 기판에 대하여 공급하기 위한 액 공급로를 적어도 포함하는 처리액 공급 기구와, 상기 유지 회전부에 의해 회전하고 있는 기판에 대하여 상기 액 공급로로부터 공급되는 처리액을 토출하는 토출부를 구비하고, 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 제어 방법으로서,
상기 처리액 공급 기구에 있어서의 압력 정보를 취득하는 압력 정보 취득 단계와,
상기 압력 정보 취득 단계에 있어서 취득된 압력 정보에 기초하여, 상기 유지 회전부의 회전수를 제어하는 제어 단계
를 구비하는 기판 처리 장치의 제어 방법. A processing liquid supply mechanism including at least a holding rotating unit for holding and rotating the substrate, a processing liquid container for accommodating the processing liquid, and a liquid supply path for supplying the processing liquid of the processing liquid container to the substrate, and the holding rotating part A control method of a substrate processing apparatus comprising a discharge unit for discharging a processing liquid supplied from the liquid supply path with respect to the rotating substrate, and processing a substrate using the processing liquid,
A pressure information acquisition step of acquiring pressure information in the processing liquid supply mechanism;
A control step of controlling the number of rotations of the holding and rotating unit based on the pressure information acquired in the pressure information acquisition step
A method for controlling a substrate processing apparatus comprising a. 제 6 항에 있어서,
상기 압력 정보 취득 단계는 상기 처리액 용기의 내압값을 취득하고,
상기 제어 단계는, 상기 취득된 내압값에 기초하여, 상기 유지 회전부의 회전수를 제어하는, 기판 처리 장치의 제어 방법. The method of claim 6,
The pressure information acquisition step acquires an internal pressure value of the processing liquid container,
The control method of the substrate processing apparatus, wherein the control step controls the number of rotations of the holding and rotating unit based on the obtained internal pressure value. 제 6 항에 있어서,
상기 처리액 공급 기구는 상기 액 공급로를 흐르는 처리액을 압송하는 압송부를 더 가지고,
상기 압력 정보 취득 단계는 상기 압송부의 내압값을 취득하고,
상기 제어 단계는, 상기 취득된 내압값에 기초하여, 상기 유지 회전부의 회전수를 제어하는, 기판 처리 장치의 제어 방법. The method of claim 6,
The processing liquid supply mechanism further has a pressure-feeding part for pressure-feeding the processing liquid flowing through the liquid supply path,
The pressure information acquisition step acquires an internal pressure value of the pressure transmission unit,
The control method of the substrate processing apparatus, wherein the control step controls the number of rotations of the holding and rotating unit based on the obtained internal pressure value. 제 6 항에 있어서,
상기 처리액 공급 기구는, 상기 액 공급로를 흐르는 처리액의 유량을 계측하는 유량 계측부를 더 가지고,
상기 압력 정보 취득 단계는, 상기 유량 계측부의 전후의 압력값의 차분 정보를 취득하고,
상기 제어 단계는, 상기 취득한 압력값의 차분 정보에 기초하여, 상기 유지 회전부의 회전수를 제어하는, 기판 처리 장치의 제어 방법. The method of claim 6,
The processing liquid supply mechanism further has a flow rate measurement unit for measuring a flow rate of the processing liquid flowing through the liquid supply path,
In the pressure information acquisition step, the difference information between the pressure values before and after the flow rate measurement unit is acquired,
The control method of the substrate processing apparatus, wherein the controlling step controls the number of rotations of the holding and rotating unit based on difference information of the acquired pressure value. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 단계는, 압력 정보와 처리액의 점도, 처리액의 점도와 막 두께, 및 막 두께와 기판 유지 회전부의 회전수의 관계로부터 구해진 테이블에 기초하여, 상기 기판 유지 회전부의 회전수를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 제어 방법.The method according to any one of claims 6 to 9,
The controlling step includes controlling the number of rotations of the substrate holding and rotating unit based on a table obtained from the relationship between pressure information and the viscosity of the processing liquid, the viscosity and the film thickness of the processing liquid, and the thickness of the substrate holding and rotating unit. A method for controlling a substrate processing apparatus, characterized in that. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치의 제어 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체. A computer-readable storage medium storing a program for causing the apparatus to execute the control method of the substrate processing apparatus according to any one of claims 6 to 9.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220029398A (en) 2020-08-31 2022-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Transportation apparatus and transportation method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011023669A (en) 2009-07-17 2011-02-03 Tokyo Electron Ltd Process liquid supplying device and process liquid supplying method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0474419U (en) * 1990-11-13 1992-06-30
JPH1034056A (en) * 1996-07-23 1998-02-10 Kyushu Plant Kk Controller for feeding coating material and method therefor
JP3259048B2 (en) * 1997-05-27 2002-02-18 株式会社ヒラノテクシード Roll coater control device and control method
JP4023957B2 (en) * 1999-08-11 2007-12-19 株式会社ソニー・ディスクアンドデジタルソリューションズ Optical disc manufacturing apparatus and optical disc manufacturing method
JP2012061677A (en) * 2010-09-15 2012-03-29 Fujifilm Corp Mixing apparatus, production method for casting dope and solution film-forming method
KR101569603B1 (en) * 2011-04-06 2015-11-16 미쯔비시 쥬우꼬오 쇼구힌호오소오기까이 가부시키가이샤 Rotary-type filling machine and method for calculating filling quantity for rotary-type filling machine
JP2015115486A (en) 2013-12-12 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 Liquid supply device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011023669A (en) 2009-07-17 2011-02-03 Tokyo Electron Ltd Process liquid supplying device and process liquid supplying method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220029398A (en) 2020-08-31 2022-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Transportation apparatus and transportation method

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