KR20200087902A - 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법 - Google Patents

균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 적층구조를 갖는 탄소물질을 준비하는 단계; 상기 탄소물질의 탄소 일부를 보론으로 치환하기 위한 보론 화합물을 준비하는 단계; 상기 탄소물질과 보론 화합물을 선택된 비율로 혼합한 후 1차 열처리 하여 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체를 제조하는 단계; 및 상기 탄소화합물 복합체를 2차 열처리 하여 치환된 보론을 이탈시켜 균일한 나노 사이즈의 기공을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법{Method for producing graphene having uniform nano-sized pores}
본 발명은 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 적층구조를 갖는 그래핀(graphene)과 같은 탄소물질 내에 치환 형태로 보론(boron) 원자를 도핑한 후, 고온 열처리를 통해 보론 원자를 선택적으로 제거함으로써 원자 크기의 점결함(point defect)으로부터 나노 크기의 균일한 기공을 선택적으로 형성할 수 있어 그래핀의 물성을 제어할 수 있는 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법에 관한 것이다.
대표적인 2차원 나노 물질인 그래핀은 구리의 100배 이상의 우수한 전기전도도를 가지며, 구리 또는 알루미늄의 10배 이상의 우수한 열전도도 및 우수한 기계적 물성 그리고 높은 비표면적으로 보이고 있어 디바이스 및 에너지 저장 장치의 전극용 재료로서 전세계적으로 활발하게 연구되고 있다.
한편, 그래핀 면내에 나노 크기의 기공은 DNA를 시퀀싱(sequencing) 하기 위한 저렴한 도구로서 사용가능성을 보이고 있다.
최근에는 나노 기공이 도입된 그래핀은 담수화 멤브레인 필터로서 높은 가능성을 보여 주고 있으며 특히, 나노 기공의 그래핀은 일반적인 담수화 기술인 역삼투압보다 2-3배 빠른 속도로 해수의 염을 여과시킬 수 있는 능력을 지니고 있다.
그러나 그래핀 면내 기공 도입 기술로서는 전자 빔, 공기 산화, 플라즈마 처리, 화학적 활성화 등이 사용 되었으나 기체/액체와 고체와의 불균일 반응에 기인한 점결함 생성 한계, 기공 크기의 조절 및 기공의 면내 분포도 조절 등의 원론적인 문제점을 안고 있다.
본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위해 창안된 것으로, 치환 형태로 도핑된 보론 원자를 선택적으로 제거함으로써, 다양한 크기의 기공 및 균일한 기공 분포를 갖는 그래핀의 제조방법 제공을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 현재까지 사용되어 왔던 기공 도입 기술에서는 달성하지 못했던 점결함(point defect) 즉, 원자 크기의 결함을 지닌 그래핀의 제조방법 제공을 다른 목적으로 한다.
아울러, 본 발명은 기공 크기 및 분포에 따른 그래핀의 물성을 제어할 수 있는 그래핀의 제조방법 제공을 또 다른 목적으로 한다.
한편, 본 발명의 목적은 위에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래 기재된 내용으로부터 아래의 당 업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시 예들에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법은 상술한 목적들을 달성하기 위하여, 적층구조를 갖는 탄소물질을 준비하는 단계, 상기 탄소물질의 탄소 일부를 보론으로 치환하기 위한 보론 화합물을 준비하는 단계, 상기 탄소물질과 보론 화합물을 선택된 비율로 혼합한 후 1차 열처리 하여 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체를 제조하는 단계 및 상기 탄소화합물 복합체를 2차 열처리 하여 치환된 보론을 이탈시켜 균일한 나노 사이즈의 기공을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 기공의 크기 및 분포는 상기 보론 화합물에 포함된 보론원자의 함량 및 상기 2차 열처리의 온도에 따른 치환된 보론의 이탈정도에 따라 제어되며, 상기 기공의 크기 및 분포에 따라 상기 그래핀의 물성이 제어될 수 있다.
바람직하게는 상기 탄소물질은 흑연, 그래핀옥사이드, 나노플레이트리트 및 그래핀으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
바람직하게는 상기 보론 화합물은 산화붕소, 탄화붕소 및 붕산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
바람직하게는 상기 1차 열처리는 흑연화로를 이용하여 2,000~3,000℃에서 수행될 수 있으며, 상기 2차 열처리는 비활성 분위기의 흑연화로를 이용하여 1,600~3,000℃에서 30~120분 동안 수행될 수 있다.
바람직하게는 상기 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체를 제조하는 단계 이후, 미반응된 보론 화합물을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 미반응된 보론 화합물을 제거하는 단계는 상기 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체를 소정 온도의 물로 필터링 하여 미반응된 보론 화합물을 제거할 수 있다.
본 발명은 다음과 같은 우수한 효과가 있다.
먼저, 치환 형태로 도핑된 보론 원자를 선택적으로 제거함으로써, 다양한 크기의 기공 및 균일한 기공 분포를 갖는 그래핀을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은 현재까지 사용되어 왔던 기공 도입 기술에서는 달성하지 못했던 점결함(point defect) 즉, 원자 크기의 결함을 지닌 그래핀을 제조할 수 있다.
아울러, 본 발명은 기공 크기 및 분포에 따른 그래핀의 물성을 제어할 수 있는 우수한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법의 전체 공정을 도시한 도이며, 도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법에 대한 대략적인 모식도이다.
도 3은 탄소물질, 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체 및 이를 고온 열처리하여 보론 원자를 이탈시킨 시료의 라만스펙트럼을 나타낸 도다.
도 4는 기계적인 박리법을 이용해 SiO2 기판 위에 전사된 그래핀의 현미경 사진(a)과 라만분광스펙트럼(b)을 나타낸 도다.
도 5는 도 4 시료의 주사전자현미경 사진(a) 및 원자현미경 사진(b)을 나타낸 도다.
도 6은 고해상도의 투과전자현미경 사진을 나타낸 도다.
도 7은 탄소물질 그래핀과 1800℃에서 보론 이탈시킨 나노 기공 그래핀에 대한 전자선에 의한 나노 기공 변화를 투과전자현미경으로 시간에 따라 관찰한 사진을 나타낸 도다.
발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있는데 이 경우에는 단순한 용어의 명칭이 아닌 발명의 상세한 설명 부분에 기재되거나 사용된 의미를 고려하여 그 의미가 파악되어야 할 것이다.
이하, 첨부한 도면에 도시된 바람직한 실시예들을 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다.
그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
이와 관련하여 먼저, 도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법의 전체 공정을 도시한 도, 도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법에 대한 대략적인 모식도, 도 3은 탄소물질, 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체 및 이를 고온 열처리하여 보론 원자를 이탈시킨 시료의 라만스펙트럼을 나타낸 도, 도 4는 기계적인 박리법을 이용해 SiO2 기판 위에 전사된 그래핀의 현미경 사진(a)과 라만분광스펙트럼(b)을 나타낸 도, 도 5는 도 4 시료의 주사전자현미경 사진(a) 및 원자현미경 사진(b)을 나타낸 도, 도 6은 고해상도의 투과전자현미경 사진을 나타낸 도이며, 도 7은 탄소물질 그래핀과 1800℃에서 보론 이탈시킨 나노 기공 그래핀에 대한 전자선에 의한 나노 기공 변화를 투과전자현미경으로 시간에 따라 관찰한 사진을 나타낸 도다.
상기 도 1 내지 7을 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법은 적층구조를 갖는 탄소물질을 준비하는 단계(S100)를 포함한다.
이때, 상기 탄소물질은 후술할 탄소화합물 복합체를 제조하기 위한 출발물질로, 적층 구조를 갖는 모든 탄소구조물을 이용할 수 있으나, 본 발명의 실시 예들에 있어서는 흑연(graphite), 그래핀옥사이드(graphene oxide), 나노프레이트리트 (nanoplatelet) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 이용하며 바람직하게는 상기 그래핀을 이용한다.
한편, 본 발명의 일실시 예에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법은 상기 탄소물질의 탄소 일부를 보론(boron)으로 치환하기 위한 보론 화합물을 준비하는 단계(S200)를 포함한다.
이때, 상기 보론 화합물은 상기 탄소를 보론으로 치환하기 위한 도펀트(dopant)로 이용되며 보론 원자를 포함하는 다양한 화합물을 이용할 수 있으나, 본 발명의 일실시 예에 있어서 상기 보론 화합물은 산화붕소(B2O3), 탄화붕소(B4C), 붕산(B3BO4)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있으며, 바람직하게는 산화붕소(B2O3)를 이용한다.
한편, 본 발명의 일실시 예에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법은 상기 탄소물질과 보론 화합물을 선택된 비율로 혼합한 후 1차 열처리 하여 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체를 제조하는 단계(S300)를 포함한다.
보다 상세하게 본 발명의 일실시 예에 따른 탄소화합물 복합체를 제조하는 단계(S300)는 탄소물질로 그래핀을 이용하고 보론 화합물로 산화붕소를 이용하며, 상기 그래핀 100㎎에 5중량%의 산화붕소를 첨가하여 혼합한 다음, 흑연화로를 이용하여 2,000~3,000℃에서 고온 열처리하여 제조한다.
이때, 상기 그래핀과 산화붕소의 혼합비율은 반드시 이에 한정되는 것은 아니라 할 것이며, 형성하고자 하는 기공의 크기 및 분포에 따라 다양한 비율로 혼합될 수 있음은 물론이다.
한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법은 상술한 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체를 제조하는 단계(S300) 이후, 미반응된 보론 화합물을 제거하는 단계(S310)를 더 포함할 수 있다.
이때, 미반응된 보론 화합물을 제거하는 단계(S310)는 다양한 방법 및 조건 하에서 수행될 수 있으나, 본 발명의 다른 실시 예에 있어서는 상기 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체를 소정 온도의 물로 필터링 하여 미반응된 보론 화합물을 제거한다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법은 상술한 탄소화합물 복합체를 제조하는 단계(S300)와 미반응된 보론 화합물을 제거하는 단계(S310)를 수회, 바람직하게는 3회 반복 수행하여 고농도의 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체를 제조한다.
아울러, 본 발명의 일실시 예에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법은 상기 탄소화합물 복합체를 2차 열처리 하여 치환된 보론을 이탈시켜 균일한 나노 사이즈의 기공을 형성하는 단계(S400)를 포함한다.
이때, 본 발명이 일실시 예에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법은 상기 2차 열처리 조건으로 비활성 분위기의 흑연화로를 이용하여 1,600~3,000℃에서 30~120분 동안 수행된다.
한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 상기 탄소화합물 복합체를 2차 열처리 하여 치환된 보론을 이탈시켜 균일한 나노 사이즈의 기공을 형성하는 단계(S400)는 아르곤 분위기의 흑연화로를 이용하여 1,600~2,800℃에서 열처리함으로써 치환된 보론을 이탈시켜 균일한 나노 사이즈의 기공을 형성한다.
한편, 본 발명의 실시 예들에 따른 기공의 크기 및 분포는 상기 보론 화합물에 포함된 보론원자의 함량 및 상기 2차 열처리의 온도에 따른 치환된 보론의 이탈정도에 따라 제어되며, 상기 기공의 크기 및 분포에 따라 상기 그래핀의 물성이 제어된다.
이하에서는 본 발명의 실시 예들에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀 제조방법의 효과에 대해 상세히 설명한다.
먼저, 탄소물질, 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체 및 이를 고온 열처리하여 보론 원자를 이탈시킨 시료의 라만스펙트럼을 나타낸 도 3을 참조하면, 보론 도핑에 의한 D 밴드 증가는 보론이 치환 형태로 탄소 격자 내에 존재함을 시사하며, 열처리 온도에 따라 D 밴드의 감소는 보론 원자의 이탈을 시사해 주고 있고 특히, 2,000℃ 이상에서 거의 완벽하게 보론 원자가 제거 되었음을 의미한다.
한편, 하기 표 1은 탄소물질인 그래핀, 치환 형태로 도입된 보론 도핑 그래핀의 엑스선 광전자 분광법을 이용한 원소분석 결과를 나타내고 있다.
Figure pat00001
이때, 라만 스펙트럼에서 예상했던 바와 같이 붕소 원자의 함량은 0.289at%에서 1,800℃에서 열처리 시 0.0421at%까지 줄어들며 2,000℃에서는 완전하게 이탈되었고 치환된 보론 원소의 함량도 비슷한 경향성을 보인다.
한편, 기계적인 박리법을 이용해 SiO2 기판 위에 전사된 그래핀의 현미경 사진(a)과 라만분광스펙트럼(b)을 나타낸 도 4를 참조하면, 강한 D와 D'로부터 보론 이탈에 의한 결함이 그래핀 면내에 도입되었음을 알 수 있다.
한편, 도 4 시료의 주사전자현미경 사진(a) 및 원자현미경 사진(b)을 나타낸 도 5 및 고해상도의 투과전자현미경 사진을 나타낸 도 6을 참조하면, 사용된 주사전자현미경 및 원자 현미경 레벨의 분해능에서는 나노 구조의 결함 존재를 확인하지 못했으나, 도 6에서는 나노 크기의 기공이 존재함을 확인하였다.
한편, 투과전자현미경 관찰 중에 강력한 전자빔에 의해 시료의 변형이 보고 된 바 있다.
따라서 투과전자현미경 관찰 영향을 확인하기 위해 탄소물질 그래핀과 1,800℃에서 보론 이탈을 시도한 그래핀에 대해 배율 100만배, 조사전류밀도 40 pA/cm2, 시간은 0, 90, 190 그리고 300초의 측정 조건으로 측정하여 도 7에서 보여주고 있다.
탄소물질인 그래핀은 전자빔에 의해 약간의 변화가 확인된 것에 비하여 1,800℃에서 제조된 보론 이탈에 의한 그래핀의 경우, 관찰 전범위에서 커다란 변화와 함께 나노 기공이 확인되었으며 이는 전자빔에 의해 파괴의 발생 핵으로 작용하는 결함이 골고루 공간적으로 분포되어 있음을 보여 주고 있다.
결과적으로 본 발명의 실시 예들에 따른 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법은 상술한 기술적 구성들을 통해 먼저, 치환 형태로 도핑된 보론 원자를 선택적으로 제거함으로써, 다양한 크기의 기공 및 균일한 기공 분포를 갖는 그래핀을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은 현재까지 사용되어 왔던 기공 도입 기술에서는 달성하지 못했던 점결함(point defect) 즉, 원자 크기의 결함을 지닌 그래핀을 제조할 수 있다.
아울러, 본 발명은 기공 크기 및 분포에 따른 그래핀의 물성을 제어할 수 있는 우수한 효과가 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.

Claims (8)

  1. 적층구조를 갖는 탄소물질을 준비하는 단계;
    상기 탄소물질의 탄소 일부를 보론으로 치환하기 위한 보론 화합물을 준비하는 단계;
    상기 탄소물질과 보론 화합물을 선택된 비율로 혼합한 후 1차 열처리 하여 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체를 제조하는 단계; 및
    상기 탄소화합물 복합체를 2차 열처리 하여 치환된 보론을 이탈시켜 균일한 나노 사이즈의 기공을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기공의 크기 및 분포는 상기 보론 화합물에 포함된 보론원자의 함량 및 상기 2차 열처리의 온도에 따른 치환된 보론의 이탈정도에 따라 제어되며, 상기 기공의 크기 및 분포에 따라 상기 그래핀의 물성이 제어되는 것을 특징으로 하는 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 탄소물질은 흑연, 그래핀옥사이드, 나노플레이트리트 및 그래핀으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보론 화합물은 산화붕소, 탄화붕소 및 붕산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 1차 열처리는 흑연화로를 이용하여 2,000~3,000℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 2차 열처리는 비활성 분위기의 흑연화로를 이용하여 1,600~3,000℃에서 30~120분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체를 제조하는 단계 이후, 미반응된 보론 화합물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 미반응된 보론 화합물을 제거하는 단계는 상기 보론이 치환 도핑된 탄소화합물 복합체를 소정 온도의 물로 필터링 하여 미반응된 보론 화합물을 제거하는 것을 특징으로 하는 균일한 나노 사이즈의 기공을 갖는 그래핀의 제조방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100345297B1 (ko) * 1998-12-12 2002-09-18 재단법인 포항산업과학연구원 입자상 탄소체의 제조방법
KR20130076243A (ko) * 2011-12-28 2013-07-08 재단법인 포항산업과학연구원 치환 보론 그래핀 제조방법
KR20130134123A (ko) * 2012-05-30 2013-12-10 한국과학기술연구원 반도체 물성과 전기전도도가 조절 가능한 보론이 도핑된 환원그래핀, 및 이의 생산 방법
KR101835792B1 (ko) * 2016-03-16 2018-03-07 글로벌엠제이엠 주식회사 불순물이 최소화된 탄소-실리카 복합체 제조방법 및 이의 제조장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100345297B1 (ko) * 1998-12-12 2002-09-18 재단법인 포항산업과학연구원 입자상 탄소체의 제조방법
KR20130076243A (ko) * 2011-12-28 2013-07-08 재단법인 포항산업과학연구원 치환 보론 그래핀 제조방법
KR20130134123A (ko) * 2012-05-30 2013-12-10 한국과학기술연구원 반도체 물성과 전기전도도가 조절 가능한 보론이 도핑된 환원그래핀, 및 이의 생산 방법
KR101835792B1 (ko) * 2016-03-16 2018-03-07 글로벌엠제이엠 주식회사 불순물이 최소화된 탄소-실리카 복합체 제조방법 및 이의 제조장치

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Scientific Reports. 2015, Vol. 5, Article No. 09817 (2015.05.05.)* *

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