KR20200086471A - 배터리팩의 온도 추정 장치 및 방법, 그리고 배터리팩의 이상여부 진단 방법 및 장치 - Google Patents

배터리팩의 온도 추정 장치 및 방법, 그리고 배터리팩의 이상여부 진단 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 배터리팩의 온도 추정 장치 및 방법, 그리고 이를 이용한 배터리팩의 이상여부 진단 방법 및 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 온도 추정 방법은, 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정하는 단계; 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 측정된 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값을 추정하는 단계; 및 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정하는 단계를 포함한다.

Description

배터리팩의 온도 추정 장치 및 방법, 그리고 배터리팩의 이상여부 진단 방법 및 장치{Method and apparatus for estimating temperature of battery pack, and method and apparatus for diagnosing abnormality of battery pack}
본 발명은 배터리팩의 온도 추정 장치 및 방법, 그리고 이를 이용한 배터리팩의 이상여부 진단 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로 자동차 등에 적용될 수 있는 저전압 배터리팩 등의 배터리팩은 내부에 온도 센서가 마련되어 배터리팩의 온도를 측정하였다. 이와 같은 배터리팩은, 전자파 적합성(EMC: Electro Magnetic Compatibility) 시험 과정을 거친다.
그런데, 저전압 배터리팩과 같은 배터리팩은 케이스가 메탈 재질이 아니기 때문에, 예를 들면, EMC 시험 중 전자파 내성(RI: Radiated Immunity) 시험에서 온도 센서 등에 노이즈가 유입되는 현상이 발생하였다.
종래에는 노이즈가 유입되지 않게 하드웨어를 최적화시키거나, 필터를 마련하여 온도 센서에 유입되는 노이즈를 필터링하도록 하였으나, 보다 신뢰성 있게 배터리팩의 내부 온도를 측정하고, 온도 센서의 이상 여부를 진단할 수 있는 방법이 요구되었다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 배터리팩 내부에 마련된 반도체 스위칭 소자의 On 저항 특성을 이용하여 배터리팩의 온도를 추정하고, 이를 이용하여 EMC 시험 등 배터리팩 내부의 온도 센서의 이상을 진단할 수 있는, 배터리팩의 온도 추정 장치 및 방법, 그리고 배터리팩의 이상여부 진단 방법 및 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 온도 추정 방법은, 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정하는 단계; 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 측정된 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값을 추정하는 단계; 및 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정하는 단계를 포함한다.
여기서, 반도체 스위칭 소자는 배터리팩에 마련된 다수의 배터리셀의 충방전 전류 흐름을 제어하기 위한 스위칭 소자이다. 일례로, 반도체 스위칭 소자는, MOSFET이다.
또한, 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터는, 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압별로 드레인 전류와 On 저항값의 관계가 미리 정의된 특성 데이터이며, 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터는, 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압별로 온도와 On 저항값의 관계가 미리 정의된 특성 데이터이다.
반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정하는 단계는, 드레인 전류로서 배터리팩의 전류를 측정할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 온도 추정 장치는, 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압을 측정하는 전압 측정부; 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정하는 전류 측정부; 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터 및 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터가 저장된 메모리; 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 측정된 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값을 추정하는 On 저항값 추정부; 및 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정하는 온도값 추정부를 포함한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법은, 배터리팩 내부에 마련된 온도 센서의 측정온도를 모니터링하는 단계; 측정온도의 변화폭이 미리 설정된 변화 조건을 만족하지 않는 경우, 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 On 저항특성을 이용하여 배터리팩의 온도를 추정하는 단계; 및 온도 센서의 측정온도와 추정된 온도의 온도차에 기초하여 온도 센서의 이상여부를 진단하는 단계를 포함한다. 여기서, 미리 설정된 변화 조건은, 배터리팩의 전자파 내성 시험시 노이즈 유입에 의해 측정되는 변화폭에 기초하여 설정될 수 있다.
또한, 배터리팩의 온도를 추정하는 단계는, 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정하는 단계; 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 측정된 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값을 추정하는 단계; 및 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정하는 단계를 포함한다. 여기서, 반도체 스위칭 소자는, 배터리팩에 마련된 다수의 배터리셀의 충방전 전류 흐름을 제어하기 위한 스위칭 소자이다. 일례로, 반도체 스위칭 소자는 MOSFET이다.
일례로, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법은, 온도차가 소정범위를 만족하지 않는 횟수가 미리 설정된 기준 횟수를 연속 초과하는 경우, 경고 신호를 발생시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 장치는, 배터리팩 내부에 마련된 온도 센서의 측정온도를 모니터링하는 모니터링부; 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 On 저항특성을 이용하여 배터리팩의 온도를 추정하는 온도 추정부; 및 측정온도의 변화폭이 미리 설정된 변화 조건을 만족하지 않는 경우, 온도 센서의 측정온도와 추정된 온도의 온도차에 기초하여, 온도 센서의 이상여부를 진단하는 제어부를 포함한다.
일례로, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 장치는, 외부와 통신가능한 통신부를 더 구비하며, 이때, 제어부는, 온도차가 소정범위를 만족하지 않는 횟수가 미리 설정된 기준 횟수를 연속 초과하는 경우, 통신부를 통해 외부로 경고 신호를 송신할 수 있다.
일례로, 본 발명은 배터리팩 진단 시스템으로 구현될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩 진단 시스템은, 전자파 내성 시험을 위해, 전자파노이즈를 발생시켜 배터리팩에 방사하는 전자파 내성 시험 장치; 및 전자파노이즈가 방사되는 배터리팩에 연결되어, 전자파노이즈가 방사될 때, 배터리팩 내부의 온도 센서로부터 측정되는 온도와, 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자에 대하여 측정된 전압, 전류 및 On 저항특성에 기초하여 추정되는 온도와, 전자파노이즈가 방사되는 타이밍에 기초하여 배터리팩의 전자파 내성을 진단하는 진단 컴퓨터를 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 배터리팩 내부에 마련된 반도체 스위칭 소자의 On 저항 특성을 이용하여 배터리팩의 온도를 추정할 수 있다. 뿐만 아니라, 이를 이용하여 EMC 시험 등에 있어서 배터리팩 내부의 온도 센서의 이상을 진단할 수 있다.
본 발명에 의한 다른 효과는, 이후 실시예에 따라 추가적으로 설명하기로 한다.
도 1은 배터리팩의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 3은 도 2의 온도 추정부의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법을 나타내는 순서도이다.
도 7은 도 6의 배터리팩의 온도 추정 방법을 나타내는 순서도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법을 나타내는 순서도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 배터리 관리 시스템의 하드웨어 구성을 나타내는 블록도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩 진단 시스템을 나타내는 개략 구성도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.
먼저, 도 1을 이용하여, 배터리팩의 구성을 간단히 설명하기로 한다. 도 1은 배터리팩의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 배터리팩(B)은 하나의 이상의 배터리셀로 이루어지고, 충방전 가능한 배터리셀 모듈(1)과, 배터리셀 모듈(1)의 +단자 측 또는 -단자 측에 직렬로 연결되어 배터리셀 모듈(1)의 충방전 전류 흐름을 제어하기 위한 스위칭부(2)와, 배터리팩(B)의 전압, 전류, 온도 등을 모니터링하여, 과충전 및 과방전 등을 방지하도록 제어 관리하는 배터리 관리 시스템(3)(이하, BMS(Battery Management System)라고도 한다)을 포함한다.
여기서, 스위칭부(2)는 배터리셀 모듈(1)의 충전 또는 방전에 대한 전류 흐름을 제어하기 위한 반도체 스위칭 소자로서, 예를 들면, 적어도 하나의 MOSFET이 이용될 수 있다. 구체적으로는, 스위칭부(2)에는 충전시 On으로 제어되는 충전용 스위칭 소자(2-1)와 방전시 On으로 제어되는 방전용 스위칭 소자(2-2)가 포함될 수 있다. 이러한 스위칭부(2)에 포함되는 반도체 스위칭 소자는 배터리팩(B)의 동작을 위하여 필수적으로 구비되는 구성일 수 있다. 이하에서는, 반도체 스위칭 소자로서 MOSFET이 적용된 경우를 예로 들어 설명하기로 한다.
또한, BMS(3)는, 배터리팩(B)의 전압, 전류, 온도 등을 모니터링하기 위해서, 반도체 스위칭 소자의 게이트, 소스 및 드레인 등의 전압 및 전류를 측정하거나 계산할 수 있고, 또한, 반도체 스위칭 소자에 인접해서 마련된 온도 센서(4)를 이용하여 배터리팩의 온도를 측정할 수 있다. BMS(3)는 상술한 각종 파라미터를 측정한 값을 입력받는 인터페이스로서, 복수의 단자와, 이들 단자와 연결되어 입력받은 값들의 처리를 수행하는 회로 등을 포함할 수 있다.
일례로, BMS(3)는, 반도체 스위칭 소자가 충전 전류 흐름을 제어하기 위한 MOSFET(2-1)의 소스 단자와 방전 전류 흐름을 제어하기 위한 MOSFET(2-2)의 소스 단자가 직렬 연결된 구조로 이루어진 경우에, 단자 T1을 반도체 스위칭 소자의 일측 단자, 즉, 배터리셀 모듈(1)의 일단에 연결된 단자에 연결하고, 단자 T2를 2개의 MOSFET 사이의 단자, 즉, 소스 단자에 연결하며, 단자 T3를 반도체 스위칭 소자의 타측 단자, 즉, 배터리팩(B)의 단자 측에 연결된 단자에 연결하여, 반도체 스위칭 소자의 양단 전압 및 중간 전압을 측정할 수 있다. 이러한 방식으로 용도에 따라 반도체 스위칭 소자의 필요한 단자 혹은 위치에 연결하여 전압 및 전류 등을 측정하거나 계산할 수 있다. 또한, BMS(3)는, 단자 T4 및 T5를 각 온도 센서(4)에 연결하여 온도를 측정할 수 있다. 한편, BMS(3)는, 단자 T6 및 T7을 각 MOSFET의 게이트 단자에 연결하여 MOSFET의 ON/OFF를 제어할 수도 있으며, 배터리셀 모듈(1)에 연결되어 배터리셀 모듈(1)의 상태를 감시할 수 있다.
이와 같은 배터리팩(B)의 구성 및 BMS(3)의 구성은 공지된 구성이므로, 보다 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
이어서, 도 2 및 도 3을 이용하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 장치를 설명하기로 한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 장치의 구성을 나타내는 블록도이고, 도 3은 도 2의 온도 추정부의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 장치(100)는, 모니터링부(10), 온도 추정부(20) 및 제어부(30)를 포함한다.
모니터링부(10)는 배터리팩 내부에 마련된 온도 센서의 측정온도를 모니터링하는 구성이다. 온도 센서는 예를 들면, 도 1에서와 같이, 배터리팩 내부에 마련된 스위칭부(2) 즉 반도체 스위칭 소자에 인접하게 마련된다.
온도 추정부(20)는 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 On 저항특성을 이용하여 배터리팩의 온도를 추정하는 구성이다.
일례로, 도 3에 도시된 바와 같이, 배터리팩의 온도 추정부(20)는, 전압 측정부(21), 전류 측정부(22), 메모리(23), On 저항값 추정부(24) 및 온도값 추정부(25)를 포함할 수 있다.
전압 측정부(21)는 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압을 측정하는 구성이다. 여기서, 반도체 스위칭 소자는 배터리팩에 마련된 다수의 배터리셀의 충방전 전류 흐름을 제어하기 위한 스위칭 소자로서, 예를 들면, MOSFET일 수 있다. 즉, 전압 측정부(21)는 배터리팩(B) 내에 별도로 마련된 소자가 아니라, 배터리팩(B)의 동작을 위해 구비되어 있는 반도체 스위칭 소자의 전압을 측정한다.
전류 측정부(22)는 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정하는 구성이다. 일례로, 전류 측정부(22)는, 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류로서, 배터리팩의 전류를 측정할 수도 있다.
메모리(23)에는 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터 및 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터가 저장된다.
일례로, 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터는, 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압별로 드레인 전류와 On 저항값의 관계가 미리 정의된 특성 데이터이다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 스위칭 소자(예로써, MOSFET)의 게이트-소스간 전압(5V, 5.5V, 6V, 6.5V, 등)별로 드레인 전류(ID[A])와 On 저항값(RDS(ON)[mΩ])의 관계가 미리 정의된 특성 데이터일 수 있다. 비록 이와 같은 특성 데이터는 도 4에서는 그래프 형태로 나타내었으나, 표 등의 다양한 형식으로 메모리(23)에 저장될 수 있으며, 또는 관계식 등으로 정의되어 저장될 수도 있다.
또한, 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터는, 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압별로 온도와 On 저항값의 관계가 미리 정의된 특성 데이터이다. 예를 들면, 도 5에 도시된 바와 같이, 반도체 스위칭 소자(예로써, MOSFET)의 게이트-소스간 전압별로 온도(Tj[℃])와 On 저항값(RDS(ON)[mΩ])의 관계가 미리 정의된 특성 데이터일 수 있다. 비록, 도 5에서는 게이트-소스간 전압으로서 5V인 경우를 예로 들어 나타내었으나, 다른 게이트-소스간 전압별로도 각각 나타낼 수 있다. 비록 이와 같은 특성 데이터는 도 5에서는 그래프 형태로 나타내었으나, 표 등의 다양한 형식으로 메모리(23)에 저장될 수 있으며, 또는 관계식 등으로 정의되어 저장될 수도 있다.
On 저항값 추정부(24)는, 전압 측정부(21)에서 측정한 전압값, 전류 측정부(22)에서 측정한 전류값 및 메모리(23)에 저장된 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 반도체 스위칭 소자의 측정된 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값을 추정한다.
온도값 추정부(25)는 On 저항값 추정부(24)에 의하여 추정된 On 저항값과 메모리(23)에 저장된 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 반도체 스위칭 소자의 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정한다.
이와 같이 하여, 온도 추정부(20)는 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 On 저항특성을 이용하여 배터리팩의 온도를 추정할 수 있다.
다시 도 2로 돌아가서, 제어부(30)는 측정온도의 변화폭이 미리 설정된 변화 조건을 만족하지 않는 경우, 온도 센서의 측정온도와 추정된 온도의 온도차에 기초하여, 온도 센서의 이상여부를 진단하는 구성이다. 여기서, 측정온도의 변화폭에 대한 미리 설정된 변화 조건은, 배터리팩의 전자파 내성(RI; Radiated Immunity) 시험시 노이즈 유입에 의해 측정되는 변화폭에 기초하여 미리 설정될 수 있다. 예를 들어, 전자파 내성 시험에 의해 배터리팩(B)에 전자파가 방사될 때, 방사된 전자파에 의해 발생한 노이즈의 크기가 미리 설정된 변화 조건보다 크면 온도 센서의 이상 여부를 진단하도록 상기 변화 조건을 설정할 수 있다. 그리고, 제어부(30)는 온도 센서의 측정온도와 추정된 온도의 온도차가 소정 범위를 만족하는지 판단하여, 해당 온도차가 소정 범위를 만족하지 않으면 온도 센서가 이상이라고 진단할 수 있다.
추가로, 도 2에서와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 장치(100)는, 예를 들면, 외부와 유선 또는 무선으로 통신가능한 통신부(40)를 더 구비할 수 있다.
일례로, 제어부(30)는, 온도차가 소정범위를 만족하지 않는 횟수가 미리 설정된 기준 횟수를 연속 초과하는 경우, 통신부(40)를 통해 외부로 경고 신호를 송신할 수 있다.
일례로, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 장치(100)는, 배터리팩 내부의 배터리 관리 시스템(BMS)의 일부 구성으로서 구현될 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 배터리팩의 EMC 시험 등에 있어서 자체적으로 배터리팩 내부에 마련된 온도 센서의 노이즈 유입에 의한 이상을 진단하고 외부로 경고 신호를 송신할 수 있다.
이어서, 도 6 및 도 7을 이용하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법을 설명하기로 한다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법을 나타내는 순서도이고, 도 7는 도 6의 배터리팩의 온도 추정 방법을 나타내는 순서도이다.
먼저, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법은, 배터리팩 내부에 마련된 온도 센서의 측정온도를 실시간으로 모니터링한다(S10). 여기서, 배터리팩(B)의 모니터링은 배터리팩(B) 출하전의 각종 EMC 시험 중에 수행되는 것일 수 있다. 예를 들어, EMC 시험은 전자파 내성 시험일 수 있다. 그러나, 이는 예시일 뿐, 이에 한정되지 않으며 배터리팩(B) 출하 후에 본 방법이 실시될 수도 있을 것이다.
모니터링시, 측정온도의 변화폭이 미리 설정된 변화 조건을 만족하지 않는 경우, 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 On 저항특성을 이용하여 배터리팩의 온도를 추정한다(S20). 여기서, 측정온도의 변화폭에 대한 미리 설정된 변화 조건은, 예를 들면, 배터리팩의 전자파 내성 시험시 노이즈 유입에 의해 측정되는 변화폭에 기초하여 설정될 수 있다.
일례로, 배터리팩의 온도를 추정하는 단계(S20)는, 도 7에 도시된 바와 같은 과정을 거쳐서 온도를 추정할 수 있다. 예를 들면, 먼저, 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정한다(S21). 이어서, 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 측정된 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값을 추정하고(S22), 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정한다(S23).
다시 도 6으로 돌아가서, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법은, 온도 센서의 측정온도와 추정된 온도의 온도차에 기초하여 온도 센서의 이상여부를 진단한다(S30). 예로써, 온도 센서의 측정온도와 추정된 온도의 온도차가 소정 범위를 만족하는지 판단하여, 해당 온도차가 소정 범위를 만족하지 않으면 온도 센서가 이상이라고 진단할 수 있다. 이에 따라, 기존에 측정하던 값들을 이용하여 온도 센서의 이상 현상을 진단할 수 있다.
이어서, 도 8을 이용하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법을 설명하기로 한다. 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법을 나타내는 순서도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법은, 먼저, 배터리팩 내부에 마련된 온도 센서에 의해 측정되는 온도를 모니터링하여, 온도 센서의 측정 온도에서 흔들림이 발생하는 것을 감지하면(S110), 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류로서 배터리팩의 전류를 측정한다(S120).
이어서, 예를 들면, 도 4와 같은 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 측정된 배터리팩의 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값(RDS(ON))을 추정한다(S130). 예를 들면, 측정된 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대응하는 On 저항값을 추정값으로 이용할 수 있다.
이어서, 예를 들면, 도 5와 같은 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정한다(S140). 예를 들면, 추정된 On 저항값에 대응하는 온도값을 추정값으로 이용할 수 있다.
이어서, 온도 센서에 의해 측정된 온도와 추정된 온도의 온도차가 소정범위를 만족하는지 판단한다(S150). 만일, 온도차가 소정범위를 만족하지 않는 것으로 판단하면(NO)), 온도차가 소정범위를 만족하지 않는 횟수가 미리 설정된 기준 횟수(예로써, 5회)를 연속 초과하는지 판단한다(S155). 기준 횟수를 연속 초과하지 않은 경우에는 배터리팩의 전류를 측정하는 단계(S120)로 이동하고, 기준 횟수를 연속 초과한 경우에는, 온도 센서에 이상이 있다고 진단하여, 소정의 경고 신호를 발생시킨다(S160). 한편, 온도차가 소정범위를 만족하는 것으로 판단하면(YES), 온도 센서에 이상이 없는 것으로 진단하고(S170), 모니터링을 계속한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 배터리팩의 EMC 시험 등에 있어서 배터리팩 내부에 마련된 온도 센서의 노이즈 유입에 의한 이상을 진단할 수 있다.
한편, 상술한 설명에서는 배터리팩의 이상여부 진단 장치 및 방법을 설명하였으나, 본 발명은 배터리팩의 온도 추정 장치 및 방법으로서 구현될 수도 있다.
예를 들면, 본 발명의 일실시예에 따른 배터리팩의 온도 추정 장치는, 도 3의 온도 추정부(20)와 같이, 전압 측정부(21)는 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압을 측정하는 전압 측정부(21)와, 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정하는 전류 측정부(22)와, 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터 및 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터가 저장된 메모리(23)와, 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 측정된 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값을 추정하는 On 저항값 추정부(24)와, 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정하는 온도값 추정부(25)를 포함하여 구성될 수 있다. 일례로, 전류 측정부(22)는, 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류로서, 배터리팩의 전류를 측정할 수 있다.
여기서, 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터는, 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압별로 드레인 전류와 On 저항값의 관계가 미리 정의된 특성 데이터이며, 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터는, 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압별로 온도와 On 저항값의 관계가 미리 정의된 특성 데이터이다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 온도 추정 방법은, 도 7에 도시된 바와 같이, 예를 들면, 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정한다(S21). 이어서, 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 측정된 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값을 추정한다(S22). 이어서, 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정한다(S23).
이에 따라, 배터리팩 내부에 온도 센서를 마련하지 않아도, 배터리팩 내부에 마련된 반도체 스위칭 소자의 On 저항 특성을 이용하여 배터리팩의 온도를 측정할 수 있다.
일 실시예로서, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩의 이상여부 진단 방법 혹은 배터리팩의 온도 추정 방법은, 각 단계를 수행하는 기록 매체에 저장된 프로그램으로 구현될 수 있으며, 해당 프로그램은 배터리팩의 BMS의 메모리에 저장되고 MCU에 의해 실행될 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 방법은 컴퓨터 프로그램으로 작성이 가능하다. 그리고 상기 프로그램을 구성하는 코드 및 코드 세그먼트는 당해 분야의 컴퓨터 프로그래머에 의하여 용이하게 추론될 수 있다. 또한, 상기 작성된 프로그램은 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체(정보 저장 매체)에 저장되고, 컴퓨터에 의하여 판독되고 실행됨으로써 본 발명의 방법을 실현할 수 있다. 그리고 상기 기록 매체는 컴퓨터가 판독할 수 있는 모든 형태의 기록매체를 포함한다. 상기 기록 매체는 MCU와 별도로 마련될 수도 있으나, MCU와 일체로 형성된 구성일 수도 있을 것이다.
예를 들면, 본 발명의 배터리팩의 BMS는 도 9와 같이 구현될 수 있다. 도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 배터리 관리 시스템(BMS)의 하드웨어 구성을 나타내는 블록도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 배터리 관리 시스템(300)은, 각종 처리 및 각 구성을 제어하는 마이크로컨트롤러(MCU; 310)와, 운영체제 프로그램 및 각종 프로그램(예로서, 배터리팩의 이상여부 진단 프로그램 혹은 배터리팩의 온도 추정 프로그램) 등이 기록되는 메모리(320)와, 배터리셀 모듈 및/또는 반도체 스위칭 소자와의 사이에서 입력 인터페이스 및 출력 인터페이스를 제공하는 입출력 인터페이스(330)와, 유무선 통신망을 통해 외부와 통신 가능한 통신 인터페이스(340)를 구비할 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따른 컴퓨터 프로그램은 메모리(320)에 기록되고, 마이크로 컨트롤러(310)에 의해 처리됨으로써 예를 들면 도 2 및 도 3에서 도시한 각 기능 블록들을 수행하는 모듈로서 구현될 수 있다.
또 다른 실시예로서, 도 10을 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩 진단 시스템을 설명하기로 한다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩 진단 시스템을 나타내는 개략 구성도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 배터리팩 진단 시스템은, 전자파 내성 시험 장치(210) 및 진단 컴퓨터(220)를 포함하여 구성될 수 있다.
전자파 내성 시험 장치(210)는, 전자파 내성 시험을 위해, 전자파노이즈를 발생시켜 배터리팩(B)에 방사하는 장치이다. 일례로, 전자파 내성 시험 장치(210)는, 도시하지는 않았으나, 전자파노이즈를 발생시키는 신호발생장치와, 발생된 전자파노이즈를 방사하는 안테나와, 시험공간인 챔버를 포함하여 구성될 수 있다. 이와 같은 전자파 내성 시험 장치(210)는 공지된 구성이므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.
진단 컴퓨터(220)는, 전자파노이즈가 방사되는 배터리팩(B), 예를 들면, 배터리팩(B)의 BMS에 연결되어, 전자파노이즈가 방사될 때, 배터리팩 내부의 온도 센서로부터 측정되는 온도와, 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자에 대하여 측정된 전압, 전류 및 On 저항특성에 기초하여 추정되는 온도와, 전자파노이즈가 방사되는 타이밍에 기초하여 배터리팩의 전자파 내성을 진단할 수 있으며, 전자파노이즈가 방사되는 타이밍에서의 배터리팩(B)의 온도 센서의 이상여부를 진단할 수 있다
이에 따라, 배터리팩의 내부의 BMS에서 자체적으로 배터리팩의 이상여부를 진단하는 것만이 아니라, 배터리팩의 외부에서 전자파 내성 시험시 배터리팩 내부에 마련된 온도센서의 이상 여부를 진단할 수 있고, 나아가서, 전자파 내성 시험시 수집된 데이터를 다양한 분석 및 평가에 활용할 수도 있다.
다른 예로서, 배터리팩(B)의 BMS(3)가 온도 추정 및 이상 여부의 진단을 모두 또는 일부 수행하고, 진단 컴퓨터(22)는 배터리팩(B)의 BMS(3)로부터 이상 여부 및 이상 발생시 경고 신호 등을 수신하거나 일부 진단 동작을 수행하는 것으로 구성할 수도 있을 것이다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 실시가 가능함은 물론이다.
B: 배터리팩 1: 배터리셀 모듈
2: 스위칭부 3: 배터리 관리 시스템(BMS)
10: 모니터링부 20: 온도 추정부
21: 전압 측정부 22: 전류 측정부
23: 메모리 24: On 저항값 추정부
25: 온도값 추정부 30: 제어부
40: 통신부 210: 전자파 내성 시험 장치
220: 진단 컴퓨터 300: 배터리 관리 시스템(BMS)
310: 마이크로 컨트롤러(MCU) 320: 메모리
330: 입출력 인터페이스 340: 통신 인터페이스

Claims (16)

  1. 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정하는 단계;
    상기 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 상기 측정된 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값을 추정하는 단계; 및
    상기 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 상기 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정하는 단계를 포함하는 배터리팩의 온도 추정 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는, 상기 배터리팩에 마련된 다수의 배터리셀의 충방전 전류 흐름을 제어하기 위한 스위칭 소자인 배터리팩의 온도 추정 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는, MOSFET인 배터리팩의 온도 추정 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터는, 상기 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압별로 상기 드레인 전류와 On 저항값의 관계가 미리 정의된 특성 데이터인 배터리팩의 온도 추정 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터는, 상기 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압별로 상기 온도와 On 저항값의 관계가 미리 정의된 특성 데이터인 배터리팩의 온도 추정 방법.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정하는 단계는, 드레인 전류로서 배터리팩의 전류를 측정하는 배터리팩의 온도 추정 방법.
  7. 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 게이트-소스간 전압을 측정하는 전압 측정부;
    상기 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정하는 전류 측정부;
    상기 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터 및 상기 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터가 저장된 메모리;
    상기 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 상기 측정된 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값을 추정하는 On 저항값 추정부; 및
    상기 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 상기 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정하는 온도값 추정부를 포함하는 배터리팩의 온도 추정 장치.
  8. 배터리팩 내부에 마련된 온도 센서의 측정온도를 모니터링하는 단계;
    상기 측정온도의 변화폭이 미리 설정된 변화 조건을 만족하지 않는 경우, 상기 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 On 저항특성을 이용하여 배터리팩의 온도를 추정하는 단계; 및
    상기 온도 센서의 측정온도와 상기 추정된 온도의 온도차에 기초하여 상기 온도 센서의 이상여부를 진단하는 단계를 포함하는 배터리팩의 이상여부 진단 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 배터리팩의 온도를 추정하는 단계는,
    상기 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류를 측정하는 단계;
    상기 반도체 스위칭 소자의 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 상기 측정된 드레인 전류에 대한 드레인-소스간 On 저항값을 추정하는 단계; 및
    상기 반도체 스위칭 소자의 온도에 대한 드레인-소스간 On 저항 특성 데이터를 이용하여, 상기 추정된 On 저항값에 대한 온도를 추정하는 단계를 포함하는 배터리팩의 이상여부 진단 방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는, 상기 배터리팩에 마련된 다수의 배터리셀의 충방전 전류 흐름을 제어하기 위한 스위칭 소자인 배터리팩의 이상여부 진단 방법.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 반도체 스위칭 소자는, MOSFET인 배터리팩의 이상여부 진단 방법.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 온도차가 소정범위를 만족하지 않는 횟수가 미리 설정된 기준 횟수를 연속 초과하는 경우, 경고 신호를 발생시키는 단계를 더 포함하는 배터리팩의 이상여부 진단 방법.
  13. 청구항 8에 있어서,
    상기 미리 설정된 변화 조건은, 상기 배터리팩의 전자파 내성 시험시 노이즈 유입에 의해 측정되는 변화폭에 기초하여 설정되는 배터리팩의 이상여부 진단 방법.
  14. 배터리팩 내부에 마련된 온도 센서의 측정온도를 모니터링하는 모니터링부;
    상기 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자의 On 저항특성을 이용하여 배터리팩의 온도를 추정하는 온도 추정부; 및
    상기 측정온도의 변화폭이 미리 설정된 변화 조건을 만족하지 않는 경우, 상기 온도 센서의 측정온도와 상기 추정된 온도의 온도차에 기초하여, 상기 온도 센서의 이상여부를 진단하는 제어부를 포함하는 배터리팩의 이상여부 진단 장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    외부와 통신가능한 통신부를 더 구비하며,
    상기 제어부는, 상기 온도차가 소정범위를 만족하지 않는 횟수가 미리 설정된 기준 횟수를 연속 초과하는 경우, 통신부를 통해 외부로 경고 신호를 송신하는 배터리팩의 이상여부 진단 장치.
  16. 전자파 내성 시험을 위해, 전자파노이즈를 발생시켜 배터리팩에 방사하는 전자파 내성 시험 장치; 및
    상기 전자파노이즈가 방사되는 배터리팩에 연결되어, 상기 전자파노이즈가 방사될 때, 상기 배터리팩 내부의 온도 센서로부터 측정되는 온도와, 상기 배터리팩 내부의 반도체 스위칭 소자에 대하여 측정된 전압, 전류 및 On 저항특성에 기초하여 추정되는 온도와, 상기 전자파노이즈가 방사되는 타이밍에 기초하여 상기 배터리팩의 전자파 내성을 진단하는 진단 컴퓨터를 포함하는 배터리팩 진단 시스템.
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