KR20200085980A - 마스크 조립체 - Google Patents

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Abstract

마스크 조립체는 마스크 프레임, 마스크, 및 지지스틱을 포함한다. 지지스틱은 제1 방향으로 연장된 단변, 및 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 장변을 포함하고, 지지스틱 전체 중량에 있어서 34wt% 이상 36wt% 이하의 비율의 니켈, 12wt% 이상 15wt% 이하의 비율의 크롬, 및 철을 포함한다.

Description

마스크 조립체{MASK ASSEMBLY}
본 발명은 낮은 열 팽창 계수를 갖고, 마스크보다 작은 상대 투자율을 갖는 지지스틱을 포함하는 마스크 조립체에 관한 것이다.
표시 장치는 복수 개의 화소로 이루어져 있으며, 복수 개의 화소들은 증착 물질의 증착 과정을 통해 표시 영역을 형성 할 수 있다. 일 예시로, 파인 메탈 마스크(FMM)로 유기물을 기판 상에 증착하여 원하는 패턴의 박막을 형성하게 된다.
마스크를 지지하고, 증착 물질이 투과되지 않는 비증착 영역을 형성하기 위해 마스크 조립체 및 마스크 사이에 지지스틱이 배치된다. 증착 과정에서 마스크가 들뜨거나 변형되는 문제를 방지하기 위한 연구들이 활발하게 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 증착 물질을 정밀하게 증착할 수 있는 마스크 조립체를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
일 실시예에 따른 마스크 조립체는 마스크 프레임, 마스크, 지지스틱을 포함할 수 있다. 상기 마스크 프레임에는 개구부가 정의될 수 있다. 마스크는 상기 마스크 프레임 상에 배치될 수 있다. 지지스틱은 상기 마스크 프레임 및 상기 마스크 사이에 배치되고, 제1 방향으로 연장된 단변, 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 장변을 포함할 수 있다.
상기 마스크는 상기 지지스틱과 평면상에서 중첩하는 비활성 영역 및 상기 비활성 영역 이외의 부분인 활성 영역을 포함할 수 있다. 상기 지지스틱은 상기 지지스틱 전체 중량을 기준으로, 34wt% 이상 36wt% 이하의 니켈, 12wt% 이상 15wt% 이하의 크롬, 및 철을 포함할 수 있다.
상기 지지스틱은 상기 지지스틱 전체 중량을 기준으로, 망간, 코발트, 몰리브덴, 텅스텐, 및 실리콘 중 적어도 하나를 10 wt% 이하로 더 포함할 수 있다. 상기 지지스틱의 열팽창 계수는 10 ppm/℃10-6 이하일 수 있다. 상기 지지스틱의 상대 투자율은 2000이상 10000이하일 수 있다. 상기 지지스틱의 두께는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 의해 정의되는 면에 직교하는 제3 방향을 기준으로 50um 이상 150um 이하일 수 있다. 상기 마스크는 인바(Invar)를 포함할 수 있다. 상기 지지스틱의 상대 투자율은 상기 마스크의 상대 투자율의 0.5배 이하일 수 있다.
상기 마스크의 상기 활성 영역에는 소정의 간격을 두고 일정하게 배열되는 복수 개의 패턴홀들이 정의될 수 있다. 상기 패턴홀들의 개수는 상기 마스크 1 제곱 인치 면적당 640000개 이상일 수 있다.
상기 지지스틱은, 상기 장변 및 상기 단변에 의해 정의되는 상면, 상기 상면과 대향하는 하면, 상기 상면과 상기 하면 사이에 배치되며 상기 상면 및 상기 하면을 연결하는 제1 측면, 및 상기 제1 측면과 대향하는 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면 중 적어도 하나는 상기 마스크의 상기 비활성 영역과 평면상에서 중첩하며 상기 제1 측면 또는 상기 제2 측면으로부터 돌출된 복수 개의 돌출 패턴들이 정의될 수 있다.
상기 돌출 패턴들은 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면으로부터 연장되어 형성될 수 있다. 상기 돌출 패턴들은 상기 제1 측면으로부터 돌출된 제1 돌출 패턴들 및 상기 제2 측면으로부터 돌출된 제2 돌출 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 제1 돌출 패턴들과 상기 제2 돌출 패턴들은 서로 일대일 대응될 수 있다.
마스크 조립체는 상기 마스크 상에 배치되고 자력을 생성하는 자성 플레이트를 더 포함할 수 있다
다른 실시예에서, 마스크 조립체는 마스크 프레임, 복수 개의 지지스틱들, 및 복수 개의 마스크들을 포함할 수 있다. 마스크 프레임에는 개구부가 정의될 수 있다. 복수 개의 지지스틱들은 상기 마스크 프레임 상에 배치되고, 제1 방향으로 이격되며, 장변 및 단변을 포함할 수 있다. 상기 마스크들은 상기 지지스틱들 상에 배치될 수 있다. 상기 마스크들은 상기 지지스틱들과 중첩하는 비활성 영역 및 상기 비활성 영역 이외의 부분인 활성 영역을 포함할 수 있다.
상기 지지스틱들은 상면, 하면, 제1 측면, 및 제2 측면을 포함할 수 있다. 상기 상면은 상기 장변 및 상기 단변에 의해 정의될 수 있다. 상기 하면은 상기 상면과 대향하는 면일 수 있다. 상기 제1 측면은 상기 상면과 상기 하면 사이에 배치되며, 상기 상면 및 상기 하면을 연결할 수 있다. 상게 제2 측면은 상기 제1 측면과 대향하는 면일 수 있다.
상기 제1 측면 및 상기 제2 측면 중 적어도 하나는 상기 마스크의 상기 비활성 영역과 평면상에서 중첩하며, 상기 제1 측면 또는 상기 제2 측면으로부터 돌출된 복수 개의 돌출 패턴들이 정의될 수 있다.
상기 지지스틱들의 열팽창 계수는 10 ppm/℃10-6 이하일 수 있다. 상기 지지스틱들의 상대 투자율은 상기 마스크들의 상대 투자율의 0.5배일 수 있다. 상기 지지스틱들의 상대 투자율은 2000 이상 10000 이하일 수 있다.
상기 지지스틱들 각각은 상기 지지스틱의 전체 중량을 기준으로 34wt% 이상 36wt% 이하의 니켈, 12wt% 이상 15wt% 이하의 크롬, 및 철을 포함할 수 있다. 상기 지지스틱들 각각은 상기 지지스틱의 전체 중량을 기준으로, 망간, 코발트, 몰리브덴, 텅스텐, 및 실리콘 중 적어도 하나를 10wt% 이하로 더 포함할 수 있다.
상기 마스크 프레임은 제1 내측들 및 제2 내측들을 포함할 수 있다. 상기 제1 내측들은 제1 방향을 따라 정의될 수 있다. 상기 제2 내측들은 제2 방향을 따라 정의될 수 있다. 상기 지지스틱들은 상기 제2 내측들과 접촉하는 제1 지지스틱들 및 상기 제1 지지스틱들과 이격된 제2 지지스틱들을 포함할 수 있다.
상기 제1 지지스틱들의 상기 제1 측면 또는 상기 제2 측면에 상기 돌출 패턴들이 정의될 수 있다. 상기 제2 지지스틱들의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면에 상기 돌출 패턴들이 정의될 수 있다. 상기 제1 측면에 정의된 돌출 패턴들과 상기 제2 측면에 정의된 돌출 패턴들 각각은 서로 대칭되는 형상을 가질 수 있다.
상기 마스크의 상기 활성 영역에는 소정의 간격을 두고 일정하게 배열되는 복수 개의 패턴홀들이 정의된 패턴부가 배치될 수 있다. 상기 패턴홀들의 개수는 상기 마스크 1 제곱 인치 면적당 640000개 이상일 수 있다.
일 실시예에 따른 마스크 조립체는 증착 물질을 정밀하게 증착할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 조립체 및 기판의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 AA 영역을 도시한 확대도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역의 일부를 도시한 등가 회로도이다.
도 4a 및 도 4b들은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역의 일부들을 각각 도시한 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 마스크 프레임 및 지지스틱들의 분해 사시도이다.
도 6은 도 5에 도시된 지지스틱의 확대 사시도이다.
도 7a 및 도 7b는 일 실시예에 따른 마스크 조립체 및 자성 플레이트에 대한 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 마스크 조립체 및 기판의 분해 사시도이다.
도 9a는 도 8에 도시된 제1 지지스틱의 확대 사시도이다.
도 9b는 도 8에 도시된 제2 지지스틱의 확대 사시도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수 개의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어(기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 조립체(MA) 및 기판(SUB)의 분해 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 조립체(MA)는 마스크(MS), 지지스틱(ST), 및 마스크 프레임(FR)을 포함할 수 있다. 마스크 조립체(MA) 상에는 기판(SUB)이 배치될 수 있다.
각 구성요소의 상면은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행하다. 도 1을 참조하면, 각 구성요소의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 각 구성요소의 상측(또는 상부)과 하측(또는 하부)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향(DR1, DR2, DR3)들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.
본 명세서에서, "평면상에서"는 표시 장치(DD)를 제3 방향(DR3, 두께 방향)으로 바라보았을 때를 의미할 수 있다.
마스크 조립체(MA)는 표시 장치에 포함된 다수의 박막 패턴들을 기판(SUB) 상에 형성 시키기 위해 사용 될 수 있다. 예를 들어, 유기 전계 발광 표시 장치의 발광층을 기판(SUB) 상에 형성시키기 위해 사용될 수 있다. 마스크 조립체(MA)는 다수의 박막 패턴들을 기판(SUB)에 형성 시키기 위한 마스크(MS) 및 마스크(MS)를 지지시켜 마스크(MS)의 처짐을 방지하기 위한 지지스틱(ST) 및 지지스틱(ST)과 마스크(MS)를 고정시키는 마스크 프레임(FR)이 구비될 수 있다.
마스크 프레임(FR)에는 개구부(FOP)가 정의될 수 있다. 마스크 프레임(FR)은 지지스틱(ST) 하측에 배치되어 마스크(MS) 및 지지스틱(ST)을 지지할 수 있다. 마스크 프레임(FR)상에는 지지스틱(ST), 및 마스크(MS)가 순차적으로 배치될 수 있다.
마스크 프레임(FR)은 금속으로 이루어질 수 있다. 일 예시로, 마스크 프레임(FR)은 마스크(MS)와의 용이한 결합을 위해 용접 시 변형이 작은 소재, 예를 들어, 강성이 큰 금속으로 구성될 수 있다. 도시 된 바는 없으나, 마스크 프레임(FR)에는 마스크 프레임(FR)과 마스크(MS)가 용접으로 결합되는 용접부(미도시)가 형성될 수 있으며, 이러한 용접부 주변에는 높은 열이 발생할 수 있으므로 마스크 프레임(FR)은 열변형이 작은 물질로 구성될 수 있다.
개구부(FOP)는 증착이 될 대상인 기판(SUB)을 노출시킬 수 있다. 개구부(FOP)는 기판(SUB)상의 복수 개의 증착 영역들(VA)과 대응하는 면적을 가지도록 형성될 수 있으므로 증착 공정 시 증착 물질이 통과될 수 있다.
지지스틱(ST)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 단변 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장된 장변을 포함할 수 있다. 지지스틱(ST)은 마스크(MS)와 마스크 프레임(FR)사이에 배치 될 수 있다. 지지스틱(ST)은 마스크(MS)와 교차하도록 배치될 수 있다. 또한, 지지스틱(ST)이 복수 개로 배치되는 경우, 복수 개의 지지스틱들(ST)은 복수 개의 마스크들(MS)에 각각 교차되도록 배치되고, 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배열될 수 있다. 인접한 지지스틱들(ST)의 이격 거리는 동일할 수 있다.
지지스틱(ST)의 단변을 포함하는 양 끝단은 제2 방향(D2)으로 연장되어 마스크 프레임(FR)의 외곽으로 돌출될 수 있다. 돌출된 양 끝단들은 외부에서 제공되는 클램프(미 도시) 등에 의해 고정될 수 있다. 지지스틱들(ST)에 대한 보다 상세한 설명은 후술한다.
마스크(MS)는 제1 방향(DR1)으로 연장된 장변 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 연장된 단변을 가질 수 있다. 마스크(MS)는 복수로 제공되어 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격되어 배열되는 스틱형 마스크일 수 있다. 인접한 마스크들(MS)의 이격 거리는 동일할 수 있다.
마스크(MS)에는 각각이 마스크(MS)의 제3 방향(DR3)(두께 방향)으로 마스크(MS)를 관통하는 복수 개의 패턴홀들(PH)이 정의될 수 있다. 패턴홀들(PH)은 서로 소정의 간격을 두고 일정하게 배열될 수 있다. 패턴홀들(PH)은 마스크(MS)의 활성 영역(AS, 도 2)에 정의될 수 있다. 마스크(MS)는 복수 개의 패턴홀들(PH)을 통해 증착될 영역을 증착 물질(미도시)에 노출시킬 수 있다. 제공되는 증착 물질은 마스크(MS) 상측에 배치되는 기판(SUB)에 증착될 수 있다.
상기 마스크(MS)에는 1 제곱 인치(inch2) 면적당 640000(가로 방향 X 세로 방향 = 800 X 800)개 이상의 패턴홀(PH)들이 정의될 수 있다. 즉, 상기 마스크(MS) 1 인치당 가로방향 및 세로방향 각각으로 800개 이상의 패턴홀(PH)이 정의될 수 있다. 상기 마스크(MS)를 이용하여 증착 물질을 증착하는 경우 800ppi(pixel per inch) 이상의 화소 밀도를 갖는 고해상도 표시 장치를 제조할 수 있다.
복수 개의 패턴홀들(PH)은 에칭법에 의하여 제조될 수 있다. 포토레지스트(photoresist)를 이용하여 복수 개의 패턴홀들(PH)과 동일한 패턴을 갖는 포토레지스트층을 박판에 형성하거나, 복수 개의 패턴홀들(PH)과 대응되는 형상을 갖는 필름을 박판에 부착한 이후에 박판을 에칭함으로써 제조할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되지 않으며, 마스크(MS)는 전기 주조법(eletro-forming) 또는 무전해 도금법(Electroless plating)으로 제조될 수도 있다.
마스크(MS)는 자성을 갖는 금속을 포함할 수 있다. 구체적으로, 마스크는 철을 63wt% 내지 65wt% 포함하고, 니켈을 35wt% 내지 37wt% 만큼 포함할 수 있다. 마스크(MS)는 인바(Invar)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 인바는 인바36(Invar36, 니켈 36wt% 및 철 64wt%)을 의미한다.
이하, 기판(SUB)은 마스크 조립체(MA)의 상측에 배치되는 것을 기준으로 설명되나, 실시예가 이에 한정되지 않으며 기판(SUB)은 마스크 조립체(MA)의 하측에 배치될 수도 있다.
기판(SUB)은 복수 개의 증착 영역들(VA)을 포함할 수 있다. 증착 영역들(VA)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 매트릭스 형상으로 배열될 수 있다. 증착 영역들(VA)은 증착 물질이 제공될 때 마스크(MS)에 의해 증착 물질에 노출되는 영역일 수 있다. 증착 영역들(VA)은 직사각형 형상으로 도시되었으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 증착 영역들(VA)의 형상은 특별히 제한되지 아니한다. 예를 들어 증착 영역들(VA)은 정사각형, 다각형, 무정형, 구형, 반구형, 타원형 또는 반타원형일 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조 하면, 마스크(MS)는 지지스틱(ST)과 평면상에서 중첩하는 비활성 영역(NAS) 및 상기 비활성 영역(NAS) 이외의 부분인 활성 영역(AS)을 포함할 수 있다. 활성 영역(AS)은 패턴홀들(PH)을 통해 증착 물질이 투과되는 영역일 수 있고, 비활성 영역(NAS)은 지지스틱(ST)에 의해 커버되므로 증착 물질이 차단 되는 영역일 수 있다.
기판(SUB)에 증착 물질이 증착될 때, 복수 개의 증착 영역들(VA)은 다른 구성 요소들이 이미 배치된 상태일 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 증착 영역들(VA)은 트랜지스터, 커패시터 등의 박막이 배치된 상태일 수 있다.
기판(SUB) 상에 정의된 복수 개의 증착 영역들(VA)에 증착 물질이 증착 되어 이미지를 표시하는 표시 장치가 제조된다. 표시 장치는 이미지들 표시하는 표시 영역(DA)을 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 표시 영역(DA)은 마스크(MS)의 활성 영역(AS)과 대응되는 영역일 수 있다. 표시 영역(DA)은 증착 영역(VA)과 평면상에서 중첩하는 영역일 수 있다.
이하, 도 3, 도 4a 및 도 4b를 참조하여 표시 영역(DA)에 대해 자세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역(DA)의 일부를 도시한 등가 회로도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역(DA)의 일부들을 각각 도시한 단면도이다.
표시 영역(DA)은 증착 영역들(VA)에 각각에 대응되는 영역이다. 기판(SUB)에 증착 물질이 증착 되어 표시 장치가 제조되고, 제조된 표시 장치는 이미지를 표시하는 표시 영역(DA)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역(DA)은 복수 개의 화소들을 포함할 수 있다. 활성 영역(AS)에 정의된 패턴홀(PH)은 표시 영역(DA)의 일 화소와 대응될 수 있다. 도 3에는 복수 개의 화소들 중 일 화소(PX(i,j))의 신호도를 예시적으로 도시하였고, 도 4a 및 도 4b에는 일 화소(PX(i,j))가 배치된 표시 영역(DA)의 단면도들을 도시하였다.
화소(PX(i,j))는 i 번째 게이트 라인(GLi)으로부터 게이트 신호를 수신하고, j 번째 데이터 라인(DLj)으로부터 데이터 신호를 수신한다. 또한, 화소(PX(i,j))는 전원 라인(KL)으로부터 제1 전원전압(ELVDD)을 수신한다. 화소(PX(i,j))는 제1 박막 소자(TFT1), 제2 박막 소자(TFT2), 커패시터(Cap), 및 유기발광소자(OLED)를 포함한다.
제1 박막 소자(TFT1)는 i 번째 게이트 라인(GLi)에 인가된 게이트 신호에 응답하여 j 번째 데이터 라인(DLj)에 인가된 데이터 신호를 출력한다. 커패시터(Cap)는 상기 제1 박막 소자(TFT1)로부터 수신한 상기 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다.
제2 박막 소자(TFT2)는 유기발광소자(OLED)에 연결된다. 제2 박막 소자(TFT2)는 커패시터(Cap)에 저장된 전하량에 대응하여 유기발광소자(OLED)에 흐르는 구동전류를 제어한다.
유기발광소자(OLED)는 제2 박막 소자(TFT2)에 연결된 제1 전극(미 도시) 및 제2 전원전압(ELVSS)을 수신하는 제2 전극(미 도시)을 포함한다. 제2 전원전압(ELVSS)은 제1 전원전압(ELVDD)보다 낮은 레벨을 갖는다.
또한, 유기발광소자(OLED)는 적어도 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 유기발광층을 포함한다. 상기 유기발광소자(OLED)는 상기 제2 박막 소자(TFT2)의 턴-온 구간 동안 발광한다.
화소(PX(i,j))의 구성은 다양한 실시예를 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.
도 4a 내지 4b를 참조하면, 표시층(DPL)은 베이스층(BS), 제1 박막 소자(TFT1), 제2 박막 소자(TFT2), 커패시터(Cap), 및 유기발광소자(OLED)를 포함한다. 베이스층(BS)의 재료는 특별히 제한되지 않으며 유리 기판, 금속 기판, 및 플렉서블한 플라스틱 기판 등을 포함할 수 있다.
베이스층(BS) 상에 제1 박막 소자(TFT1)의 반도체 패턴(AL1, 이하 제1 반도체 패턴), 제2 박막 소자(TFT2)의 반도체 패턴(AL2, 이하 제2 반도체 패턴), 및 제1 절연층(IL1)이 배치된다. 제1 절연층(IL1)은 제1 반도체 패턴(AL1)과 제2 반도체 패턴(AL2)을 커버한다. 한편, 제1 절연층(IL1) 상에는 커패시터(Cap)의 제1 전극(CE1)이 배치될 수 있다.
제1 절연층(IL1) 상에 제1 박막 소자(TFT1)의 제어 전극(GE1, 이하, 제1 제어 전극), 제2 박막 소자(TFT2)의 제어 전극(GE2, 이하, 제2 제어 전극), 및 제2 절연층(IL2)이 배치된다. 제2 절연층(IL2)은 제1 제어 전극(GE1)과 제2 제어 전극(GE2)을 커버한다.
제1 절연층(IL1) 및 제2 절연층(IL2) 각각은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 제1 절연층(IL1) 및 제2 절연층(IL2) 각각은 복수 개의 박막들을 포함할 수 있다.
제2 절연층(IL2) 상에 제1 박막 소자(TFT1)의 입력 전극(SE1, 이하, 제1 입력 전극)과 출력 전극(DE1, 이하, 제1 출력 전극), 제2 박막 소자(TFT2)의 입력 전극(SE2, 이하, 제2 입력 전극)과 출력 전극(DE2, 이하, 제2 출력 전극), 및 제3 절연층(IL3)이 배치된다.
한편, 제2 절연층(IL2) 상에는 커패시터(Cap)의 제2 전극(CE2)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(IL3)은 제1 입력 전극(SE1), 제1 출력 전극(DE1), 제2 입력 전극(SE2), 제2 출력 전극(DE2), 및 제2 전극(CE2)을 커버한다.
제1 입력 전극(SE1) 및 제1 출력 전극(DE1)은 제2 절연층(IL2) 및 제3 절연층(IL3)을 관통하는 제1 관통홀(CH1) 및 제2 관통홀(CH2)을 통해 제1 반도체 패턴(AL1)에 각각 연결된다. 동일한 방식으로, 제2 입력 전극(SE2) 및 제2 출력 전극(DE2)은 제2 절연층(IL2) 및 제3 절연층(IL3)을 관통하는 제3 관통홀(CH3) 및 제4 관통홀(CH4)을 통해 제2 반도체 패턴(AL2)에 각각 연결된다.
제3 절연층(IL3) 상에는 유기발광소자(OLED) 및 화소 정의막(PDL)이 배치된다. 화소 정의막(PDL)은 제3 절연층(IL3) 중 유기발광소자(OLED)와 중첩하는 영역을 노출시킨다. 화소 정의막(PDL)은 실질적으로 발광 영역을 정의한다.
유기발광소자(OLED)는 애노드(AE), 발광층(EML), 캐소드(CE), 캐소드(CE)과 발광층(EML) 사이에 정의된 정공 수송 영역(CL1, 또는 제1 공통층), 및 발광층(EML)과 애노드(AE)은 제3 절연층(IL3) 상에 배치된다. 애노드(AE)은 복수로 구비되어 각각 복수 개의 발광 영역들에 중첩하도록 배치된다. 화소 정의막(PDL)은 애노드(AE) 상에 배치되고, 애노드(AE)의 적어도 일부를 노출시킨다. 한편, 애노드(AE)은 제3 절연층(IL3)에 정의된 제5 관통홀(CH5)을 통해 제2 출력 전극(DE2)에 연결된다.
도 4a 및 도 4b에서는 애노드(AE) 상에 캐소드(CE)가 배치되는 것으로 도시 되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하고, 애노드(AE) 및 캐소드(CE)의 위치는 표시층(DPL)의 구성에 따라 변경될 수 있다.
정공 수송 영역(CL1)은 애노드(AE) 상에 배치되어 애노드(AE) 및 화소 정의막(PDL)을 커버한다. 정공 수송 영역(CL1)은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 단일층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(CL1) 상에 배치된다. 발광층(EML)은 복수로 구비되어 발광영역들 각각에 중첩한다. 발광층(EML)은 형광 물질 또는 인광 물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 하나의 컬러를 가진 광을 생성하거나, 적어도 둘 이상의 컬러가 혼합된 광을 생성할 수 있다.
전자 수송 영역(CL2)은 발광층(EML) 상에 배치되어 발광층(EML) 및 정공 수송 영역(CL1)을 커버한다. 전자 수송 영역(CL2)은 전자 수송 물질 및 전자 주입 물질 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 전자 수송 영역(CL2)은 전자 수송 물질을 포함하는 전자 수송층이거나, 전자 수송 물질 및 전자 주입 물질을 포함하는 전자 주입/수송 단일층일 수 있다.
캐소드(CE)은 전자 수송 영역(CL2) 상에 배치되어 애노드(AE)과 대향한다. 캐소드(CE)은 전자 주입이 용이하도록 낮은 일함수를 가진 물질로 구성될 수 있다.
캐소드(CE) 및 애노드(AE)은 발광 방식에 따라 다른 재질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 따른 표시 영역(DA)이 전면 발광형인 경우 캐소드(CE)은 투과형 전극이고, 애노드(AE)은 반사형 전극일 수 있다.
또는, 예를 들어, 본 발명에 따른 표시 영역(DA)이 배면 발광형인 경우 캐소드(CE)은 반사형 전극이고, 애노드(AE)은 투과형 전극일 수 있다. 본 발명에 따른 표시 영역(DA)은 다양한 구조의 유기발광소자를 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.
캐소드(CE) 상에 박막 봉지층(TFE)이 배치될 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 캐소드(CE) 전면을 커버하여 유기발광소자(OLED)를 밀봉할 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 1㎛ 내지 10㎛의 두께를 가질 수 있다. 표시 영역(DA)은 박막 봉지층(TFE)을 포함함으로써, 박형의 표시 영역(DA)을 실현할 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 복수 개의 무기막들을 포함할 수 있다. 무기막들 각각은 실리콘 나이트라이드 및 실리콘 옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 박막 봉지층(TFE)은 무기막들 사이에 배치된 또 다른 기능층을 더 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 마스크 조립체(MA)는 표시 영역(DA)을 구성하는 다양한 구성들의 제조 공정에 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 기판(SUB)은 복수 개의 증착 영역들(VA) 각각에 정공 수송 영역(CL1) 층이 형성된 상태로 제공될 수 있다. 이후, 마스크(MS)를 통해 발광층(EML)이 형성될 수 있다. 즉, 마스크(MS)는 발광층(EML) 형성 단계에 적용될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(MS)는 다양한 공정에 적용될 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 마스크 프레임(FR) 및 지지스틱들(ST)의 분해 사시도이다. 도 6은 도 5에 도시된 지지스틱(ST)의 확대 사시도이다.
도 5를 참조하면, 마스크 프레임(FR)은 제1 방향(DR1)을 따라 정의된 제1 내측들(IS1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)을 따라 정의된 제2 내측들(IS2)을 포함할 수 있다. 개구부(FOP)는 제1 내측들(IS1) 및 제2 내측들(IS2)에 의해 정의될 수 있다.
제1 내측들(IS1)에는 결합홈들(GR)이 정의될 수 있다. 결합홈들(GR)들은 제2 방향(DR2)에서 서로 마주보도록 쌍을 이룰 수 있다. 복수 개의 쌍의 결합홈들(GR)은 제1 방향(DR1)으로 배열될 수 있다. 복수 개의 쌍의 결합홈들(GR) 각각에는 지지스틱들(ST)이 결합될 수 있다. 그러나 지지스틱들(ST)의 결합 방법은 특별히 한정되는 것이 아니며, 용접 등 다양한 방법에 의해 결합될 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 지지스틱들(ST) 각각은 장변 및 단변에 의해 정의되는 상면(US), 상면(US)과 대향하는 하면(DS), 상면(US) 및 하면(DS)에 배치되고 상면 및 하면을 연결하는 제1 측면(SS1), 및 제1 측면(SS1)과 대향하는 제2 측면(SS2)를 포함할 수 있다.
지지스틱(ST)은 지지스틱(ST) 전체 중량을 기준으로, 34wt% 이상 36wt% 이하의 니켈, 12wt% 이상 15wt% 이하의 크롬, 및 철을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 wt%는 중량 퍼센트(중량 비)를 의미한다. 지지스틱(ST)은 니켈, 크롬, 및 철 만으로 구성될 수 있다. 이 때, 철의 비율은 지지스틱(ST) 전체 중량에 있어서 니켈의 중량비 및 크롬의 중량비를 제외한 나머지 중량 비를 차지할 수 있다.
예를 들어, 지지스틱(ST)은 니켈 36wt%, 크롬 12wt%, 및 철 52wt%를 포함하는 엘인바(Elinvar)를 포함할 수 있다. 그러나 이는 예시적인 기재이며, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
지지스틱(ST)은 니켈, 크롬, 및 철 외에 망간, 코발트, 텅스텐, 및 실리콘 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 지지스틱(ST)은 지지스틱(ST) 전체 중량에 있어서 망간, 코발트, 텅스텐, 및 실리콘 중 적어도 하나를 10 wt% 이하로 더 포함할 수 있다. 즉, 지지스틱(ST)이 망간, 코발트, 텅스텐, 및 실리콘 중 둘 이상을 포함하는 경우에도 둘 이상의 원자들의 중량은 10wt% 이하일 수 있다.
지지스틱(ST)의 열팽창 계수는 10 ppm/℃10-6 이하일 수 있다. 지지스틱(ST)의 상대 투자율(relative permeability)은 2000 이상 10000 이하일 수 있다. 본 명세서에서, 상대 투자율은 매질의 투자율과 진공의 투자율의 비율을 의미한다.
지지스틱(ST)을 구성하는 재료 중, 니켈은 지지스틱(ST)의 열팽창 계수의 증감에 큰 영향을 미칠 수 있다. 지지스틱(ST) 전체 중량에 있어서 니켈이 34wt% 이상 36wt% 이하로 포함되는 경우 지지스틱(ST)의 열팽창 계수는 10 ppm/℃10-6 이하의 범위를 유지하기 쉽다.
지지스틱(ST)을 구성하는 재료 중, 크롬은 지지스틱(ST)의 상대 투자율 증감에 큰 영향을 미칠 수 있다. 지지스틱(ST) 전체 중량에 있어서 크롬이 12wt% 이상 15wt% 이하로 포함되는 경우 지지스틱(ST)의 상대 투자율이 2000 이상 10000 이하의 범위를 유지하기 쉽다.
지지스틱(ST)은 열팽창 계수 및 상대 투자율을 조절하고, 지지스틱(ST)의 강도 등의 특성을 조절하기 위해 망간, 코발트, 텅스텐, 및 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 망간, 코발트, 텅스텐, 및 실리콘 중 적어도 하나가 10wt% 이상 포함되는 경우 열팽창 계수 또는 투자율이 상술한 범위를 벗어날 수 있다.
일 실시예의 지지스틱(ST)의 열팽창 계수는 일반적으로 1.2 ppm/℃10-6 이상의 값을 갖는다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 지지스틱(ST)의 열팽창 계수의 하한은 특별하게 한정되지 않는다.
증착 과정에서 지지스틱(ST)은 고온의 열에 노출되기 때문에, 지지스틱(ST)의 열팽창 계수가 10 ppm/℃10-6을 초과하는 경우 지지스틱(ST)이 증착 과정에서 크게 팽창되거나 변형될 수 있다. 지지스틱(ST)이 팽창 또는 변형되는 경우 지지스틱(ST) 상에 배치된 마스크들(MS)의 배열이 틀어질 수 있다. 마스크들(MS)의 배열이 조금만 틀어지더라도 섀도우 효과(Shadow Effect)가 발생 할 수 있으므로, 증착이 정밀하게 일어나지 않을 수 있다.
특히 800ppi 이상의 화소 밀도를 갖는 고해상도 표시 장치를 제조하는 경우, 마스크(MS) 1 제곱 인치당 640000개 이상의 화소를 촘촘하게 형성해야 하므로 섀도우 효과를 방지하기 위해 마스크(MS)를 기존보다 2/3 이하로 더 얇게 만들어야 한다. 따라서, 지지스틱(ST)의 변형에 의해 마스크들(MS)이 받는 영향이 더 커진다. 또한 고해상도의 경우 마스크들(MS)의 경우 화소들이 촘촘하게 형성되므로 배열이 조금만 틀어지더라도 섀도우 효과가 크게 나타난다.
일 실시예에 따른 지지스틱(ST)은 열팽창 계수가 10 ppm/℃10-6 미만이므로, 증착 과정에서 고온에 노출되더라도 지지스틱(ST)의 팽창 또는 변형 현상이 감소된다. 따라서, 상술한 문제 없이 증착 물질을 기판(SUB) 상에 정밀하게 증착할 수 있다.
일 실시예의 열팽창 계수는 하기와 같은 방법으로 측정된 것일 수 있다. 본 명세서에서 um은 마이크로 미터(micro meter)를 의미한다.
TA instrument사의 TMA(Q400)를 이용하여 열팽창계수(CTE)를 측정한다. 제조한 지지스틱(ST)을 100um×100um 또는 50um×50um의 크기로 샘플링하여 질소 환경 하에서 0.05N의 하중으로 고정시켜 안정화 시킨 다음 샘플링된 지지스틱(ST)의 필름의 길이 변화를 측정한다. 열팽창계수는 길이 방향, 즉 평면상에서의 샘플링된 지지스틱(ST)의 필름의 팽창 정도를 측정하여 평가한다. 샘플링된 지지스틱(ST)을 0℃로 냉각 한 후, 습기나 먼지와 같은 요인들의 영향을 최소화하기 위하여 120 ℃까지 5 ℃/min의 속도로 샘플링된 지지스틱(ST)을 가열한다. 상기 측정 과정을 세 번 반복하며, 열팽창 계수는 0℃에서 120℃ 사이의 온도 범위에서 측정한다.
지지스틱(ST)의 두께(t1)는 50um 이상 150um 이하일 수 있다. 자세한 내용은 후술한다.
도 7a 및 도 7b는 일 실시예에 따른 마스크 조립체(MA) 및 자성 플레이트(MP)에 대한 단면도이다. 도 7a 및 도 7b를 참조할 때, 일 실시예의 마스크 조립체(MA) 상에는 자성 플레이트(MP)가 더 배치될 수 있다.
자성 플레이트(MP)는 자력을 생성한다. 자성 플레이트(MP)는 자성 부재(MG) 및 바디부(BD)를 포함할 수 있다. 바디부(BD)는 자성 부재(MG)를 수납하고, 플레이트의 형상을 가질 수 있다. 일 실시예에서 자성 부재(MG)가 플레이트 형상으로 제공되는 경우 바디부(BD)는 생략될 수 있다.
일 실시예에서 자성 부재(MG)는 서로 이격 되어 복수 개로 제공되는 것으로 도시되었으나, 일 실시예의 자성 부재(MG)의 배열 및 개수는 특별히 제한되지 않는다. 도 7a 및 도 7b에 도시된 자성 플레이트(MP)의 구성은, 예시적인 구성에 불과하며 자력을 생성하는 것이라면 특별히 한정되지 않는다.
도 7a를 참조하면 자성 플레이트(MP)에서 자력이 발생하지 않을 때 지지스틱들(ST) 및 마스크(MS)들이 아래로 처질 수 있다. 도 7b를 참조하면, 자성 플레이트(MP)에서 자력이 생성되는 경우 자성 플레이트(MP)와 마스크 조립체(MA) 사이에 인력이 발생한다. 따라서, 지지스틱들(ST) 및 마스크들(MS)이 중력에 의해 아래로 처지는 현상이 방지될 수 있다. 도 7a 및 도 7b에서 자성 부재(MG)가 전자석인 것으로 설명되었으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 자성 부재(MG)는 영구 자석일 수 있다.
한편, 지지스틱(ST)의 상대 투자율이 2000 미만인 경우, 지지스틱(ST)이 자력에 의한 영향을 적게 받으므로 자성 플레이트(MP)에서 자력이 발생하더라도 아래로 처질 수 있다. 따라서, 마스크들(MS)의 배열이 틀어질 수 있다.
지지스틱(ST)의 상대 투자율이 10000을 초과하는 경우, 지지스틱(ST)이 자력에 의한 영향을 크게 받으므로 자성 플레이트(MP)에서 발생하는 자력에 의해 지지스틱(ST)이 자성 플레이트(MP) 방향으로 휠 수 있다. 따라서, 마스크들(MS)의 배열이 틀어질 수 있다. 상술한 바와 같이 마스크들(MS)이 800 ppi 이상의 화소 밀도를 갖는 고해상도 표시 장치를 제조하기 위한 마스크인 경우, 지지스틱(ST)의 휨 또는 처짐에 의해 크게 영향을 받을 수 있다.
일 실시예의 지지스틱(ST)은 2000 이상 10000 이하의 상대 투자율을 가지므로 자성 플레이트(MP)에서 형성되는 자력에 의해 지지스틱(ST)이 자성 플레이트(MP) 방향으로 휘거나 아래로 처지지 않는다. 따라서, 증착 물질을 기판(SUB) 상에 정밀하게 증착할 수 있다.
지지스틱(ST)의 상대 투자율은 마스크(MS)의 상대 투자율의 0.5배일 수 있다. 지지스틱(ST)의 상대 투자율이 마스크(MS)의 상대 투자율의 0.5배 이하인 경우 자성 플레이트에서 자력이 발생하여도 마스크(MS)가 지지스틱(ST)에 의해 영향을 받지 않을 수 있다.
제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의되는 면에 직교하는 제3 방향(DR3)을 기준으로 한 지지스틱(ST)의 두께(t1, 도 6)는 50um 이상 150um 이하 또는 50um 이상 100um 이하일 수 있다. 지지스틱(ST)의 두께(t1)가 50um 이하인 경우 마스크(MS)를 지지하지 못하고 아래로 처질 수 있다. 또한, 자성 플레이트(MP)에서 발생하는 자력에 의해 지지스틱(ST)이 자성 플레이트(MP) 방향으로 휠 수 있다.
지지스틱(ST)의 두께(t1)가 150um 이상인 경우, 지지스틱(ST)이 중력에 의해 아래로 처질 수 있다. 이에 따라 지지스틱(ST)이 변형될 수 있다.
일 실시예의 지지스틱(ST)은 50um 이상 150um 이하의 두께(t1)를 가지므로 마스크들(MS)을 충분히 지지하면서도 지지스틱(ST)에 변형이 발생하지 않을 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따른 마스크 조립체(MA) 및 기판(SUB)의 분해 사시도이다. 도 9a는 도 8에 도시된 제1 지지스틱(ST1)의 확대 사시도이다. 도 9b는 도 8에 도시된 제2 지지스틱(ST2)의 확대 사시도이다.
별도의 설명이 없는 경우, 제1 지지스틱(ST1)들 및 제2 지지스틱들(ST2)에 대해서는 전술한 지지스틱들(ST)에 대한 내용과 실질적으로 동일한 설명이 적용될 수 있다. 따라서, 이하부터 중복되는 설명은 생략하거나 간략하게 설명한다.
지지스틱들은(ST)의 제1 측면(SS1) 및 제2 측면(SS2) 중 적어도 하나에는 비활성 영역(NAS)과 평면상에서 중첩하며 제1 측면(SS1) 또는 제2 측면(SS2)으로부터 돌출된 복수 개의 돌출 패턴들(PT)이 정의될 수 있다. 돌출 패턴들(ST)은 제1 측면(SS1) 및 제2 측면(SS2)으로부터 연장되어 형성될 수 있다. 돌출 패턴들(ST)은 지지스틱들(ST)과 일체의 형상을 가질 수 있다. 돌출 패턴(ST)은 지지스틱들(ST)과 동일한 재료를 포함할 수 있다.
돌출 패턴들(PT)은 제1 측면(SS1)으로부터 돌출된 제1 돌출 패턴들(PT1) 및 상기 제2 측면(SS2)으로부터 돌출된 제2 돌출 패턴들(PT2)을 포함할 수 있다.
제1 측면(SS1) 및 제2 측면(SS2) 중 어느 하나에 돌출 패턴(PT)이 정의된 지지스틱(ST)은 제1 지지스틱(ST1)으로 지칭될 수 있다. 제1 측면(SS1) 및 제2 측면(SS2) 모두에 돌출 패턴(PT)이 정의된 지지스틱(ST)은 제2 지지스틱(ST2)으로 정의될 수 있다. 즉, 제1 돌출 패턴(PT1) 및 제2 돌출 패턴(PT2)중 어느 하나만 포함하는 지지스틱(ST)은 제1 지지스틱(ST1)으로 정의 되고, 제1 돌출 패턴(PT1) 및 제2 돌출 패턴(PT2)을 모두 포함하는 지지스틱(ST)은 제2 지지스틱(ST2)으로 정의 될 수 있다.
제1 지지스틱들(ST1)은 마스크 프레임의 제2 내측(IS2)들과 접촉할 수 있다. 제2 지지스틱들(ST2)은 제1 지지스틱들(ST1)과 이격될 수 있다. 제1 지지스틱(ST1) 및 제2 지지스틱(ST2) 사이, 및 제2 지지스틱(ST2) 및 제2 지지스틱(ST2) 사이에 개구가 정의될 수 있다.
제2 지지스틱(ST2)에서 제1 측면(SS1)에 정의된 돌출 패턴(PT)과 제2 측면(SS2)에 정의된 돌출 패턴(PT)은 서로 일대일로 대응될 수 있다. 제1 측면(SS1)에 정의된 돌출 패턴(PT)과 제2 측면(SS2)에 정의된 돌출 패턴(PT)은 대칭될 수 있다. 돌출 패턴(PT)은 마스크(MS)의 비활성 영역(NAS, 도 2)과 평면상에서 중첩하며, 마스크(MS)의 활성 영역(SA, 도 2)을 정의할 수 있다.
직사각형 또는 정사각형의 표시 영역(DA, 도 2)을 형성하기 위한 경우 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 돌출 패턴(PT)이 생략될 수 있다.
기판(SUB, 도 1)의 증착 영역(VA)은 지지스틱(ST)과 중첩하지 않는 영역으로 정의될 수 있으므로, 지지스틱(ST)에 패턴을 형성함으로써 기판(SUB)의 증착 영역(VA)의 형상을 조절할 수 있다. 제1 및 제2 지지스틱들(ST1, ST2)이 돌출 패턴(PT)을 포함하는 경우 돌출 패턴(ST)의 형상에 의해 정의된 개구의 모양을 갖는 표시 영역(DA, 도 2)이 형성될 수 있다.
예를 들어, 돌출 패턴(PT)은 도 8, 도 9a, 및 도 9b에 도시된 바와 같이 곡선을 포함하고 서로 이격된 형상일 수 있다. 이 경우, 돌출 패턴(PT)은 웨어러블 안경(wearable glasses)용 표시 장치를 만들기 위한 것일 수 있다.
도 8, 도 9a, 및 도 9b에서 서로 인접한 돌출 패턴(PT)들은 서로 이격된 것으로 도시되었으나 실시예가 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 돌출 패턴(PT) 중 제1 측면(SS1) 또는 제2 측면(SS2)과 가장 멀리 떨어진 부분은 인접한 다른 제1 또는 제2 지지스틱들(ST1, ST2)의 돌출 패턴 중 제1 측면(SS1) 또는 제2 측면(SS2)과 가장 멀리 떨어진 부분과 닿을 수 있다. 또한 돌출 패턴(PT)은 복수 개의 반 타원형 곡선 및 반 타원형 곡선을 연결하는 직선을 포함하는 것으로 도시되었으나, 돌출 패턴(PT)은 반 타원형 곡선 만을 포함할 수 있다.
나아가, 돌출 패턴(PT)은 기판(SUB)에 형성하고자 하는 표시 영역(DA, 도 2)의 형상에 따라 더 다양하게 변형될 수 있음은 물론이다. 예를 들어 무정형, 다각형, 구형, 반구형, 타원형 또는 반타원형 등 표시 영역(DA, 도 2)이 가질 수 있는 다양한 형상에 따라 돌출 패턴(PT)의 형상도 대응하여 변형될 수 있다.
돌출 패턴(PT)이 표시 영역(DA, 도 2)의 형상에 대응하여 정의됨에 따라 제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)의 면적은 돌출 패턴들이 정의 되지 않은 지지스틱(ST, 도 5)의 면적보다 넓어질 수 있다. 따라서 제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)들은 마스크들(MS, 도 1)을 더 잘 지지할 수 있다.
제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)은 지지스틱(ST, 도 5)보다 면적이 커지므로 중력에 의해 더 쉽게 아래로 처질 수 있다. 이러한 문제를 방지하고자 제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)은 지지스틱(ST, 도 5)보다 제3 방향(DR3)으로 더 얇은 두께(t2)로 형성될 수 있다. 예를 들어 제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)은 50um 이상 100um 이하일 수 있다. 제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)의 두께(t2)가 100um 이상인 경우, 제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)이 중력에 의해 아래로 처질 수 있으며, 이에 따라 지지스틱(ST)이 변형될 수 있다.
제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)의 두께(t2)가 50um 이하인 경우 마스크(MS)를 충분히 지지하지 못하고 아래로 처질 수 있다. 또한, 자성 플레이트(MP)에서(t 발생하는 자력에 의해 제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)이 자성 플레이트(MP) 방향으로 휠 수 있다.
제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)이 자성 플레이트(PT) 방향으로 휘는 경우 제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)의 넓은 면적에 의해 마스크(MS, 도 1)는 더 큰 영향을 받게 된다. 따라서, 지지스틱(ST)을 기준으로 설명한 것보다도 마스크(MS)의 배열이 더 크게 틀어질 수 있다.
일 실시예의 제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)은 상술한 두께 범위 및 2000 이상 10000 이하의 상대 투자율을 가짐으로써 상술한 문제가 발생하지 않는다.
제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)은 지지스틱(ST, 도 5)보다 면적이 커지므로 증착 과정에서 인가되는 고온의 열에 의해 발생하는 팽창 또는 변형이 더 클 수 있다. 따라서 상대적으로 면적이 좁은 지지스틱(ST)들에 의한 열팽창에 의해 마스크들(MS, 도 1)이 틀어지는 것보다도 더 크게 틀어질 수 있다.
그러나 일 실시예의 제1 및 제2 지지스틱(ST1, ST2)은 열 팽창 계수가 10 ppm/℃10-6 이하의 범위를 만족하므로 상술한 문제가 발생하지 않는다.
일 실시예의 지지스틱(ST)은 34wt% 이상 36wt% 이하의 비율의 니켈, 12wt% 이상 15wt% 이하의 비율의 크롬 및 철을 포함할 수 있다.
일 실시예의 지지스틱(ST)은 1.2 ppm/℃10-6 이상 10 ppm/℃10-6 이하의 열팽창 계수를 가지고, 2000 이상 10000 이하의 상대 투자율을 가질 수 있다.
일 실시예의 지지스틱(ST)의 제1 측면 및 상기 제2 측면 중 적어도 하나는 패턴이 정의될 수 있다.
일 실시예의 지지스틱(ST)을 포함하는 마스크 조립체(MA)를 이용하여 증착 물질을 증착하는 경우, 정밀한 증착이 가능하다.
실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
MA: 마스크 조립체 FR: 마스크 프레임
ST: 지지스틱 T1: 제1 지지스틱
ST2: 제2 지지스틱 MS: 마스크
PT: 돌출 패턴

Claims (20)

  1. 개구부가 정의된 마스크 프레임;
    상기 마스크 프레임 상에 배치된 마스크; 및
    상기 마스크 프레임 및 상기 마스크 사이에 배치되고, 제1 방향으로 연장된 단변, 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 장변을 포함하는 지지스틱을 포함하고,
    상기 마스크는 상기 지지스틱과 평면상에서 중첩하는 비활성 영역 및 상기 비활성 영역 이외의 부분인 활성 영역을 포함하고,
    상기 지지스틱은 상기 지지스틱 전체 중량을 기준으로,
    34wt% 이상 36wt% 이하의 니켈;
    12wt% 이상 15wt% 이하의 크롬; 및
    철을 포함하는 마스크 조립체.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 지지스틱은 상기 지지스틱 전체 중량을 기준으로,
    망간, 코발트, 몰리브덴, 텅스텐, 및 실리콘 중 적어도 하나를 10 wt% 이하로 더 포함하는 마스크 조립체.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 지지스틱의 열팽창 계수는 10 ppm/℃10-6 이하인 마스크 조립체.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 지지스틱의 상대 투자율은 2000이상 10000이하인 마스크 조립체.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 의해 정의되는 면에 직교하는 제3 방향을 기준으로 한 상기 지지스틱의 두께는 50um 이상 150um 이하인 마스크 조립체.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 마스크는 인바(Invar)를 포함하는 마스크 조립체.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 지지스틱의 상대 투자율은 상기 마스크의 상대 투자율의 0.5배 이하인 마스크 조립체.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 마스크의 상기 활성 영역에는 소정의 간격을 두고 일정하게 배열되는 복수 개의 패턴홀들이 정의된 마스크 조립체.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 패턴홀들의 개수는 상기 마스크 1 제곱 인치 면적당 640000개 이상인 마스크 조립체.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 지지스틱은,
    상기 장변 및 상기 단변에 의해 정의되는 상면;
    상기 상면과 대향하는 하면;
    상기 상면과 상기 하면 사이에 배치되며, 상기 상면 및 상기 하면을 연결하는 제1 측면; 및
    상기 제1 측면과 대향하는 제2 측면을 포함하고,
    상기 제1 측면 및 상기 제2 측면 중 적어도 하나는 상기 비활성 영역과 평면상에서 중첩하며 상기 제1 측면 또는 상기 제2 측면으로부터 돌출된 복수 개의 돌출 패턴들이 정의된 마스크 조립체.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 돌출 패턴들은 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면으로부터 연장되어 형성되는 마스크 조립체.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 돌출 패턴들은 상기 제1 측면으로부터 돌출된 제1 돌출 패턴들 및 상기 제2 측면으로부터 돌출된 제2 돌출 패턴들을 포함하고,
    상기 제1 돌출 패턴들과 상기 제2 돌출 패턴들은 서로 일대일 대응되는 마스크 조립체.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 마스크 상에 배치되고 자력을 생성하는 자성 플레이트를 더 포함하는 마스크 조립체.
  14. 개구부가 정의된 마스크 프레임;
    상기 마스크 프레임 상에 배치되고, 제1 방향으로 이격되며, 장변 및 단변을 포함하는 복수 개의 지지스틱들; 및
    상기 지지스틱들 상에 배치된 복수 개의 마스크들을 포함하고,
    상기 마스크들은 상기 지지스틱들과 중첩하는 비활성 영역 및 상기 비활성 영역 이외의 부분인 활성 영역을 포함하고,
    상기 지지스틱들은,
    상기 장변 및 상기 단변에 의해 정의되는 상면;
    상기 상면과 대향하는 하면;
    상기 상면과 상기 하면 사이에 배치되며, 상기 상면 및 상기 하면을 연결하는 제1 측면; 및
    상기 제1 측면과 대향하는 제2 측면을 포함하고,
    상기 제1 측면 및 상기 제2 측면 중 적어도 하나는 상기 비활성 영역과 평면상에서 중첩하며 상기 제1 측면 또는 상기 제2 측면으로부터 돌출된 복수 개의 돌출 패턴들이 정의되며,
    상기 지지스틱들의 열팽창 계수는 10 ppm/℃10-6 이하이고,
    상기 지지스틱들의 상대 투자율은 상기 마스크들의 상대 투자율의 0.5배인 마스크 조립체.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 지지스틱들의 상대 투자율은 2000 이상 10000 이하인 마스크 조립체.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 지지스틱들 각각은 상기 지지스틱의 전체 중량을 기준으로 34wt% 이상 36wt% 이하의 니켈, 12wt% 이상 15wt% 이하의 크롬, 및 철을 포함하는 마스크 조립체.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 지지스틱들 각각은 상기 지지스틱의 전체 중량을 기준으로,
    망간, 코발트, 몰리브덴, 텅스텐, 및 실리콘 중 적어도 하나를 10wt% 이하로 더 포함하는 마스크 조립체.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 마스크 프레임은 제1 방향을 따라 정의된 제1 내측들 및 제2 방향을 따라 정의된 제2 내측들을 포함하고,
    상기 지지스틱들은 상기 제2 내측들과 접촉하는 제1 지지스틱들 및 상기 제1 지지스틱들과 이격된 제2 지지스틱들을 포함하고,
    상기 제1 지지스틱들의 상기 제1 측면 또는 상기 제2 측면에 상기 돌출 패턴들이 정의되고,
    상기 제2 지지스틱들의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면에 상기 돌출 패턴들이 정의된 마스크 조립체.
  19. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 측면에 정의된 돌출 패턴들과 상기 제2 측면에 정의된 돌출 패턴들 각각은 서로 대칭되는 형상을 갖는 마스크 조립체.
  20. 제14 항에 있어서,
    상기 마스크의 상기 활성 영역에는 소정의 간격을 두고 일정하게 배열되는 복수 개의 패턴홀들이 정의된 패턴부가 배치되고,
    상기 패턴홀들의 개수는 상기 마스크 1 제곱 인치 면적당 640000개 이상인 마스크 조립체.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105839052A (zh) * 2016-06-17 2016-08-10 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板以及掩膜板的组装方法
US11613802B2 (en) * 2020-04-17 2023-03-28 Rockwell Collins, Inc. Additively manufactured shadow masks for material deposition control
KR20220056914A (ko) * 2020-10-28 2022-05-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 및 이를 포함하는 증착 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7985304B2 (en) * 2007-04-19 2011-07-26 Ati Properties, Inc. Nickel-base alloys and articles made therefrom
KR102130546B1 (ko) * 2013-10-11 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치
KR102424976B1 (ko) * 2015-11-12 2022-07-26 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102586049B1 (ko) * 2015-11-13 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6341434B2 (ja) * 2016-03-29 2018-06-13 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法

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