KR20200083481A - A semiconductor chip on which a first protective film is formed, a method for manufacturing a semiconductor chip on which a first protective film is formed, and an evaluation method for a semiconductor chip first protective film laminate - Google Patents

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Abstract

본 실시형태의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 범프를 갖는 면에 형성된 제1 보호막을 구비하고 있으며, 상기 범프의 꼭대기부에 대해 X선 광전자 분광법에 의해 분석을 행했을 때, 탄소, 산소, 규소 및 주석의 합계 농도에 대한 주석의 농도 비율이 5％ 이상이 된다.The semiconductor chip on which the first protective film of the present embodiment is formed is provided with a semiconductor chip and a first protective film formed on a surface having bumps of the semiconductor chip, and analysis is performed by X-ray photoelectron spectroscopy on the top of the bump. When done, the ratio of the concentration of tin to the total concentration of carbon, oxygen, silicon, and tin becomes 5% or more.

Description

제1 보호막이 형성된 반도체 칩, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법, 및 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 평가 방법A semiconductor chip on which a first protective film is formed, a method for manufacturing a semiconductor chip on which a first protective film is formed, and an evaluation method for a semiconductor chip first protective film laminate

본 발명은 제1 보호막이 형성된 반도체 칩, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법, 및 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 평가 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor chip on which a first protective film is formed, a method for manufacturing a semiconductor chip on which a first protective film is formed, and a method for evaluating a semiconductor chip first protective film laminate.

본원은 2017년 11월 17일에 일본에 출원된 특허출원 2017-221987호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-221987 for which it applied to Japan on November 17, 2017, and uses the content here.

종래, MPU나 게이트 어레이 등에 사용하는 다핀의 LSI 패키지를 프린트 배선 기판에 실장하는 경우에는, 반도체 칩으로서 그 접속 패드부에 공정 땜납, 고온 땜납, 금 등으로 이루어지는 볼록 형상 전극(이하, 본 명세서에 있어서는 「범프」라고 칭한다)이 형성된 것을 사용하고, 이른바 페이스 다운 방식에 의해, 이들 범프를 칩 탑재용 기판 상의 상대응하는 단자부에 대면, 접촉시켜, 용융/확산 접합하는 플립 칩 실장 방법이 채용되어 왔다.Conventionally, when a multi-pin LSI package used for an MPU, a gate array, or the like is mounted on a printed wiring board, a convex electrode made of eutectic solder, high-temperature solder, gold, or the like as a semiconductor chip (hereinafter referred to as the present specification) In this case, a flip chip mounting method is adopted in which a "bump" is formed), and by using a so-called face down method, these bumps are brought into contact with each other on the corresponding terminal portion on a chip mounting substrate, and are melted/diffused. come.

이 실장 방법에서 사용하는 반도체 칩은 예를 들면, 회로면에 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 회로면(다시 말하면, 범프 형성면)과는 반대측 면을 연삭하거나, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개편화함으로써 얻어진다. 이러한 반도체 칩을 얻는 과정에 있어서는, 통상, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면 및 범프를 보호할 목적으로 경화성 수지 필름을 범프 형성면에 첩부하고, 이 필름을 경화시켜, 범프 형성면에 보호막을 형성한다.The semiconductor chip used in this mounting method is obtained, for example, by grinding a surface opposite to the circuit surface (that is, the bump formation surface) of a semiconductor wafer with bumps formed on the circuit surface, or by dicing the semiconductor wafer into individual pieces Lose. In the process of obtaining such a semiconductor chip, a curable resin film is usually affixed to the bump formation surface for the purpose of protecting the bump formation surface and bumps of the semiconductor wafer, and the film is cured to form a protective film on the bump formation surface.

경화성 수지 필름은 통상, 가열에 의해 연화된 상태에서 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 첩부된다. 이와 같이 함으로써, 범프의 꼭대기부를 포함하는 상부는 경화성 수지 필름을 관통하여 경화성 수지 필름으로부터 돌출한다. 한편, 경화성 수지 필름은 반도체 웨이퍼의 범프를 덮도록 하여 범프 사이에 퍼져, 범프 형성면에 밀착함과 함께, 범프의 표면, 특히 범프 형성면의 근방 부위의 표면을 덮어, 범프를 매립한다. 이 후, 경화성 수지 필름은 추가로 경화에 의해, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면과 범프의 범프 형성면의 근방 부위의 표면을 피복하여, 이들의 영역을 보호하는 보호막이 된다. 또한, 반도체 웨이퍼는 반도체 칩에 개편화되고, 최종적으로, 범프 형성면에 보호막을 구비한 반도체 칩(본 명세서에 있어서는, 「보호막이 형성된 반도체 칩」이라고 칭하는 경우가 있다)이 된다.The curable resin film is usually adhered to the bump forming surface of the semiconductor wafer in a softened state by heating. By doing in this way, the upper part including the top part of the bump penetrates the curable resin film and protrudes from the curable resin film. On the other hand, the curable resin film covers the bumps of the semiconductor wafer, spreads between the bumps, adheres to the bump forming surface, covers the surface of the bump, particularly the surface near the bump forming surface, and fills the bump. Thereafter, the curable resin film is further cured to form a protective film that covers the surfaces of the bump-forming surfaces of the semiconductor wafer and the areas near the bump-forming surfaces of the bumps and protects these areas. In addition, the semiconductor wafer is reorganized into a semiconductor chip, and finally, it becomes a semiconductor chip having a protective film on a bump formation surface (in this specification, it may be referred to as a "semiconductor chip on which a protective film is formed").

이러한 보호막이 형성된 반도체 칩은 기판 상에 탑재되어 반도체 패키지가 되고, 또한 이 반도체 패키지를 사용하여, 목적으로 하는 반도체 장치가 구성된다. 반도체 패키지 및 반도체 장치가 정상적으로 기능하기 위해서는, 보호막이 형성된 반도체 칩의 범프와 기판 상의 회로의 전기적 접속이 저해되지 않는 것이 필요하다. 그런데, 경화성 수지 필름이 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 대해 적절히 첩부되지 않으면, 범프의 경화성 수지 필름으로부터의 돌출이 불충분해지거나, 범프의 꼭대기부에 경화성 수지 필름의 일부가 잔존한다. 이와 같이 범프의 꼭대기부에 잔존한 경화성 수지 필름은 다른 영역의 경화성 수지 필름의 경우와 동일하게 경화하여, 보호막과 동일한 조성을 갖는 경화물(본 명세서에 있어서는, 「보호막 잔류물」이라고 칭하는 경우가 있다)이 된다. 그러면, 범프의 꼭대기부는 범프와 기판 상의 회로의 전기적 접속 영역이기 때문에, 보호막 잔류물의 양이 많은 경우에는, 보호막이 형성된 반도체 칩의 범프와 기판 상의 회로의 전기적 접속이 저해된다. 그 결과, 반도체 패키지의 신뢰성이 저하되어, 반도체 장치가 정상적으로 기능하지 않게 된다.The semiconductor chip on which such a protective film is formed is mounted on a substrate to form a semiconductor package, and further, a target semiconductor device is constructed using the semiconductor package. In order for the semiconductor package and the semiconductor device to function normally, it is necessary that the electrical connection between the bump of the semiconductor chip on which the protective film is formed and the circuit on the substrate is not inhibited. However, if the curable resin film is not properly affixed to the bump forming surface of the semiconductor wafer, protrusion of the bump from the curable resin film becomes insufficient, or a portion of the curable resin film remains at the top of the bump. In this way, the curable resin film remaining on the top of the bump is cured in the same way as in the case of the curable resin film in other areas, and a cured product having the same composition as the protective film (in this specification, it may be referred to as a "protective film residue"). ). Then, since the top portion of the bump is an electrical connection region between the bump and the circuit on the substrate, when the amount of the protective film residue is large, the electrical connection between the bump of the semiconductor chip on which the protective film is formed and the circuit on the substrate is inhibited. As a result, the reliability of the semiconductor package is lowered, and the semiconductor device does not function normally.

즉, 보호막이 형성된 반도체 칩의 기판 상으로의 탑재 전의 단계에서 보호막이 형성된 반도체 칩의 범프의 꼭대기부에 있어서는, 보호막 잔류물이 존재하지 않거나, 또는 보호막 잔류물의 양이 적은 것이 요구된다.That is, in the step before the semiconductor chip on which the protective film is formed is mounted on the substrate, at the top of the bump of the semiconductor chip on which the protective film is formed, a protective film residue is not present or a small amount of the protective film residue is required.

이와 같이, 범프의 꼭대기부에 있어서, 보호막 잔류물의 잔존을 억제할 수 있다고 여겨지는 방법으로는 중량 평균 분자량이 2만∼100만인 고분자량 성분과, 열경화성 수지와, 경화 촉진제와, 광반응성 모노머와, 광개시제를 함유하는 경화성 수지 필름(점접착제층)을 사용하는 방법이 개시되어 있다(특허문헌 1 참조).As described above, at the top portion of the bump, a method believed to be able to suppress the residual of the protective film residue is a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 20,000 to 1 million, a thermosetting resin, a curing accelerator, and a photoreactive monomer. , A method of using a curable resin film (adhesive layer) containing a photoinitiator has been disclosed (see Patent Document 1).

일본 특허 제5515811호 공보Japanese Patent No. 5515811

통상, 범프의 표면에는 미소한 요철이 다수 존재하고, 범프의 꼭대기부에 보호막 잔류물이 존재하는 경우에는, 범프 표면의 오목부 내에 보호막 잔류물이 침입하고 있을 가능성이 있다. 따라서, 범프의 꼭대기부에 있어서의 보호막 잔류물의 양의 평가는 용이하지 않다.Usually, when a large number of minute irregularities exist on the surface of the bump, and a protective film residue is present at the top of the bump, there is a possibility that the protective film residue enters into the concave portion of the bump surface. Therefore, evaluation of the amount of the protective film residue at the top of the bump is not easy.

이에 대해, 특허문헌 1에 기재된 방법에서는, 경화성 수지 필름(점접착제층)에서 유래하는 범프의 꼭대기부에 있어서의 잔류물의 유무를, 육안 또는 현미경을 이용한 관찰에 의해 평가하고 있다. 이와 같이, 이 방법에서는 범프의 꼭대기부에 있어서의 보호막 잔류물의 양을 정량하는 등, 보다 고정밀한 평가는 행하고 있지 않고, 범프의 꼭대기부에 있어서의 잔류물의 잔존을 실제로 억제하고 있는지 확실하지 않다는 문제점이 있었다. 또한, 이 방법에서 얻어진 보호막이 형성된 반도체 칩을 사용하여, 반도체 패키지의 신뢰성이 평가되어 있지 않고, 반도체 패키지가 충분한 신뢰성을 갖고 있는지 확실하지 않다는 문제점이 있었다.In contrast, in the method described in Patent Document 1, the presence or absence of a residue at the top of the bump derived from the curable resin film (adhesive layer) is evaluated by visual observation or observation using a microscope. As described above, in this method, a more precise evaluation, such as quantifying the amount of the protective film residue at the top of the bump, is not performed, and it is not certain whether the residual of the residue at the top of the bump is actually suppressed. There was. In addition, there is a problem that the reliability of the semiconductor package is not evaluated using the semiconductor chip on which the protective film obtained in this method is formed, and it is unclear whether the semiconductor package has sufficient reliability.

본 발명은 범프의 꼭대기부에 있어서 보호막 잔류물의 잔존이 억제되어 있으며, 충분한 신뢰성을 갖는 반도체 패키지를 구성 가능한 보호막이 형성된 반도체 칩과, 상기 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법과, 상기 보호막이 형성된 반도체 칩인지의 여부를 고정밀하게 평가할 수 있는 평가 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In the present invention, the remainder of the protective film residue is suppressed at the top of the bump, a semiconductor chip with a protective film capable of constructing a semiconductor package having sufficient reliability, a method for manufacturing the semiconductor chip with the protective film, and a semiconductor with the protective film An object of the present invention is to provide an evaluation method capable of accurately evaluating whether or not a chip is used.

본 발명은 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 범프를 갖는 면에 형성된 제1 보호막을 구비하고, 상기 범프의 꼭대기부에 대해 X선 광전자 분광법에 의해 분석을 행했을 때, 탄소, 산소, 규소 및 주석의 합계 농도에 대한 주석의 농도 비율이 5％ 이상이 되는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩을 제공한다.The present invention includes a semiconductor chip and a first protective film formed on a surface having bumps of the semiconductor chip, and when the top portion of the bump is analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy, carbon, oxygen, silicon, and tin There is provided a semiconductor chip on which a first protective film is formed in which a ratio of tin concentration to total concentration of 5% or more.

또한, 본 발명은 상기 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서, 반도체 웨이퍼의 범프를 갖는 면에 경화성 수지 필름을 첩부하는 공정과, 첩부 후의 상기 경화성 수지 필름을 경화시킴으로써, 제1 보호막을 형성하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼를 분할함으로써, 반도체 칩을 얻는 공정을 갖고, 상기 경화성 수지 필름을 첩부하는 공정에 있어서, 상기 주석의 농도 비율이 5％ 이상이 되도록 상기 범프의 꼭대기부를 상기 경화성 수지 필름으로부터 돌출시키거나, 또는 상기 경화성 수지 필름을 첩부하는 공정 후, 추가로 상기 주석의 농도 비율이 5％ 이상이 되도록 상기 범프 상의 잔류물의 양을 저감하는 공정을 갖는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법을 제공한다.In addition, the present invention is a method for manufacturing a semiconductor chip on which the first protective film is formed. A first protective film is formed by curing a curable resin film on a surface having bumps on a semiconductor wafer and curing the curable resin film after sticking. In the step of dividing the semiconductor wafer and a step of obtaining a semiconductor chip, and in the step of attaching the curable resin film, the top portion of the bump is the curable resin film so that the concentration ratio of tin is 5% or more. Preparation of a semiconductor chip with a first protective film having a process of reducing the amount of residue on the bump such that the concentration ratio of the tin is 5% or more after the step of protruding from or attaching the curable resin film Provides a method.

또한, 본 발명은 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 범프를 갖는 면에 형성된 제1 보호막을 구비한 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 평가 방법으로서, 상기 반도체 칩 제1 보호막 적층체 중의 상기 범프의 꼭대기부에 대해 X선 광전자 분광법에 의해 분석을 행하여, 탄소, 산소, 규소 및 주석의 합계 농도에 대한 주석의 농도 비율을 구하고, 상기 주석의 농도 비율이 5％ 이상인 경우에는, 상기 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 목적으로 하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩인 것으로 판정하고, 상기 주석의 농도 비율이 5％ 미만인 경우에는, 상기 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 목적으로 하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩이 아닌 것으로 판정하는 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 평가 방법을 제공한다.In addition, the present invention is a method for evaluating a semiconductor chip first protective film laminate comprising a semiconductor chip and a first protective film formed on a surface having bumps of the semiconductor chip, the top of the bump in the semiconductor chip first protective film laminate The portion is analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy to obtain a concentration ratio of tin to the total concentration of carbon, oxygen, silicon, and tin, and when the concentration ratio of tin is 5% or more, the semiconductor chip first protective film If it is determined that the first protective film aimed at the laminate is a semiconductor chip and the concentration ratio of tin is less than 5%, the semiconductor chip is not a semiconductor chip on which the first protective film aimed at the laminate is intended. A method for evaluating a semiconductor chip first protective film laminate that is judged to be provided.

본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩을 사용함으로써, 충분한 신뢰성을 갖는 반도체 패키지를 구성할 수 있다.By using the semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed, a semiconductor package having sufficient reliability can be constructed.

본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법을 적용함으로써, 상술한 제1 보호막이 형성된 반도체 칩을 제조할 수 있다.By applying the method for manufacturing a semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed, the semiconductor chip on which the first protective film is formed can be manufactured.

본 발명의 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 평가 방법을 적용함으로써, 반도체 칩 제1 보호막 적층체가 상술한 제1 보호막이 형성된 반도체 칩인지의 여부를 고정밀하게 평가할 수 있다.By applying the evaluation method of the semiconductor chip first protective film laminate of the present invention, it is possible to accurately evaluate whether the semiconductor chip first protective film laminate is the semiconductor chip on which the first protective film is formed.

도 1은 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법에서 사용하는 제1 보호막 형성용 시트의 일례를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법에 있어서의 범프 상의 잔류물의 양을 저감하는 공정의 일례를 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법에 있어서의 범프 상의 잔류물의 양을 저감하는 공정의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법에 있어서의 범프 상의 잔류물의 양을 저감하는 공정의 또 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법에 있어서의 범프 상의 잔류물의 양을 저감하는 공정의 또 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 11은 실시예에 있어서, 범프의 꼭대기부에 대해 XPS 분석을 행하는 대상인 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 다이싱 테이프 상에서의 배치 위치를 설명하기 위한 평면도이다.1 is an enlarged cross-sectional view schematically showing an embodiment of a semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed.
2 is an enlarged cross-sectional view schematically showing another embodiment of the semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed.
3 is an enlarged cross-sectional view schematically showing still another embodiment of the semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed.
4 is an enlarged cross-sectional view schematically showing still another embodiment of the semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed.
5 is an enlarged cross-sectional view for schematically explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed.
6 is an enlarged cross-sectional view schematically showing an example of a sheet for forming a first protective film used in a method for manufacturing a semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed.
7 is an enlarged cross-sectional view schematically illustrating an example of a process for reducing the amount of residue on a bump in a method for manufacturing a semiconductor chip with a first protective film of the present invention.
8 is an enlarged cross-sectional view for schematically illustrating another example of a process for reducing the amount of residue on a bump in a method for manufacturing a semiconductor chip with a first protective film of the present invention.
9 is an enlarged cross-sectional view for schematically explaining another example of a process for reducing the amount of residue on a bump in a method for manufacturing a semiconductor chip with a first protective film of the present invention.
10 is an enlarged cross-sectional view for schematically explaining another example of a process for reducing the amount of residue on a bump in a method for manufacturing a semiconductor chip with a first protective film of the present invention.
11 is a plan view for explaining an arrangement position on a dicing tape of a semiconductor chip first protective film laminate as an object to be subjected to XPS analysis on a top portion of a bump in an example.

◇제1 보호막이 형성된 반도체 칩◇Semiconductor chip with first protective film

본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 범프를 갖는 면(본 명세서에 있어서는, 「범프 형성면」이라고 칭하는 경우가 있다)에 형성된 제1 보호막을 구비하고 있으며, 상기 범프의 꼭대기부에 대해 X선 광전자 분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy, 본 명세서에 있어서는 「XPS」라고 칭하는 경우가 있다)에 의해 분석을 행했을 때, 탄소, 산소, 규소 및 주석의 합계 농도에 대한 주석의 농도 비율(본 명세서에 있어서는, 단순히 「주석의 농도 비율」이라고 칭하는 경우가 있다)이 5％ 이상이 된다.The semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed includes a semiconductor chip and a first protective film formed on a surface having bumps of the semiconductor chip (in this specification, sometimes referred to as a "bump forming surface"), When analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (sometimes referred to as "XPS" in this specification) for the top portion of the bump, the total concentration of carbon, oxygen, silicon, and tin was determined. The concentration ratio of tin to Korea (in this specification, it may be referred to simply as "the concentration ratio of tin") is 5% or more.

범프의 꼭대기부를 XPS에 의해 분석했을 때에는, 통상, 주석(Sn)의 시그널이 검출된다. 이는 범프가 그 구성 재료로서 주석을 함유하기 때문이다.When the top portion of the bump is analyzed by XPS, a signal of tin (Sn) is usually detected. This is because the bump contains tin as its constituent material.

한편, 범프는 그 구성 재료로서 유기 화합물을 함유하지 않는다. 따라서, 범프의 꼭대기부를 XPS에 의해 분석했을 때, 탄소(C)의 시그널이 검출되는 것은 분석 영역(즉, 범프의 꼭대기부)에 본래는 존재하지 않아야 할 유기 화합물이 존재하기 때문이다. 이 유기 화합물은 제1 보호막의 형성시에 사용한 경화성 수지 필름에서 유래한다. 경화성 수지 필름을 범프 형성면에 첩부할 때, 범프의 꼭대기부에 본래는 불필요한 경화성 수지 필름이 잔류하면, 이 잔류물(본 명세서에 있어서는, 「경화성 수지 필름 잔류물」이라고 칭하는 경우가 있다)이 경화에 의해 제1 보호막과 동일한 조성을 갖는 경화물(본 명세서에 있어서는, 「제1 보호막 잔류물」이라고 칭하는 경우가 있다)이 된다. 이 제1 보호막 잔류물에 상술한 유기 화합물이 포함된다. 이러한 제1 보호막 잔류물이 존재하면, 범프의 꼭대기부를 XPS에 의해 분석했을 때, 탄소(C)의 시그널이 검출된다. 또한, 범프의 꼭대기부를 XPS에 의해 분석했을 때에는, 탄소(C) 이외에 산소(O) 및 규소(Si)의 시그널도 검출될 가능성이 있다. 이는 제1 보호막으로서 실리카 등의 비수지 성분을 함유하는 것이 범용되기 때문이다. 한편, 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법에 대해서는, 뒤에서 자세히 설명한다.On the other hand, the bump does not contain an organic compound as its constituent material. Therefore, when the top portion of the bump is analyzed by XPS, the signal of carbon (C) is detected because there are organic compounds that should not be present in the analysis region (ie, the top portion of the bump). This organic compound is derived from the curable resin film used in forming the first protective film. When attaching the curable resin film to the bump forming surface, if an inherently unnecessary curable resin film remains at the top of the bump, this residue (sometimes referred to as "curable resin film residue" in this specification) It becomes a hardened|cured material (it may be called "the 1st protective film residue" in this specification) which has the same composition as a 1st protective film by hardening. The organic compound mentioned above is contained in this 1st protective film residue. When such a first protective film residue is present, a signal of carbon (C) is detected when the top portion of the bump is analyzed by XPS. In addition, when the top portion of the bump is analyzed by XPS, there is a possibility that signals of oxygen (O) and silicon (Si) other than carbon (C) are also detected. This is because it is common to contain a non-resin component such as silica as the first protective film. Meanwhile, a method of manufacturing a semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed will be described in detail later.

제1 보호막이 형성된 반도체 칩에 있어서, 범프의 꼭대기부에 있어서의 상기 주석의 농도 비율은 5％ 이상이다. 이는 범프의 꼭대기부에 있어서, 주석의 양에 대해 탄소, 산소 및 규소의 합계량이 일정 수준 이하인 것을 의미하고 있다. 즉, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물이 존재하지 않거나, 또는 제1 보호막 잔류물의 양이 적고, 제1 보호막 잔류물의 잔존이 억제되어 있다. 이와 같이, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존이 억제되어 있음으로써, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩을 사용한 경우에는, 그 범프와 기판 사이의 접합 강도가 높아진다. 또한, 그 반도체 칩과 기판의 접합체에 있어서의 전기적 접속도가 높아지고, 도전성이 우수하다. 그리고, 이러한 제1 보호막이 형성된 반도체 칩을 사용함으로써, 충분한 신뢰성을 갖는 반도체 패키지를 구성할 수 있고, 양호한 특성을 갖는 반도체 장치를 구성할 수 있다.In the semiconductor chip on which the first protective film is formed, the concentration ratio of the tin at the top of the bump is 5% or more. This means that at the top of the bump, the total amount of carbon, oxygen and silicon relative to the amount of tin is below a certain level. That is, the semiconductor chip on which the first protective film is formed is at the top of the bump, where the first protective film residue is not present, or the amount of the first protective film residue is small, and the residual of the first protective film residue is suppressed. As described above, since the residual of the first protective film residue is suppressed at the top of the bump, when a semiconductor chip on which the first protective film is formed is used, the bonding strength between the bump and the substrate is increased. Moreover, the electrical connection degree in the bonding body of the said semiconductor chip and a board|substrate becomes high, and it is excellent in electrical conductivity. Then, by using the semiconductor chip on which the first protective film is formed, a semiconductor package having sufficient reliability can be formed, and a semiconductor device having good characteristics can be formed.

한편, 본 명세서에 있어서, 「범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 양이 적다」란, 특별히 언급하지 않는 한, 범프의 꼭대기부에 제1 보호막 잔류물이 약간 잔존하고 있으나, 그 잔존량이 이 범프를 구비한 반도체 칩을 배선 기판에 플립 칩 실장했을 때, 반도체 칩과 배선 기판의 전기적 접속을 방해하지 않는 정도인 것을 의미한다.On the other hand, in this specification, "the amount of the first protective film residue in the top portion of the bump is small", unless otherwise specified, the first protective film residue is slightly left at the top portion of the bump, but remains. When the amount of the semiconductor chip provided with this bump is flip-chip mounted on the wiring board, it means that the electrical connection between the semiconductor chip and the wiring board is not disturbed.

또한, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면과는 반대측 면을 「이면」이라고 칭하는 경우가 있다.In addition, the surface opposite to the bump formation surface of the semiconductor wafer may be referred to as a "back surface".

제1 보호막이 형성된 반도체 칩 중의 범프의 표면에는 미소한 요철이 다수 존재하고, 범프의 꼭대기부에 제1 보호막 잔류물이 존재하는 경우에는, 범프 표면의 오목부 내에 제1 보호막 잔류물이 침입하고 있을 가능성이 있다. 이러한 오목부 내의 제1 보호막 잔류물은 시각적인 방법으로는 확인과 정량이 어렵고, 제1 보호막 잔류물의 양이 적은 경우에는, 특히 그 경향이 강하다. 이에 대해, 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩에 있어서는, 범프의 꼭대기부에 있어서의 제1 보호막 잔류물의 잔존의 정도가 XPS에서의 분석 결과에 기초하여 정밀하게 특정되어 있다. 따라서, 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 제1 보호막 잔류물의 양의 점에 있어서 매우 신뢰성이 높다.In the semiconductor chip on which the first protective film is formed, a large number of minute irregularities exist on the surface of the bump, and when the first protective film residue is present on the top of the bump, the first protective film residue enters into the concave portion of the bump surface. It is possible. The first protective film residue in the concave portion is difficult to identify and quantify by visual methods, and the tendency is particularly strong when the amount of the first protective film residue is small. In contrast, in the semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed, the degree of residual of the first protective film residue at the top of the bump is precisely specified based on the analysis result in XPS. Therefore, the semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed is highly reliable in terms of the amount of the first protective film residue.

제1 보호막이 형성된 반도체 칩에 있어서, 범프의 꼭대기부에 있어서의 상기 주석의 농도 비율([주석의 농도(atomic％)]／[탄소, 산소, 규소 및 주석의 합계 농도(atomic％)]×100)은 5％ 이상이며, 5.4％ 이상인 것이 바람직하고, 5.8％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 6.2％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 예를 들면, 7.5％ 이상, 9％ 이상, 10.5％ 이상 및 12％ 이상 등 중 어느 하나여도 된다. 상기 주석의 농도 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존이 보다 억제되어 있기 때문에 제1 보호막이 형성된 반도체 칩이 나타내는 본 발명의 효과가 보다 현저해지고, 예를 들면, 반도체 패키지의 신뢰성이 보다 높아진다.In the semiconductor chip on which the first protective film is formed, the concentration ratio of the tin at the top of the bump ([concentration of tin (atomic%)]/[total concentration of carbon, oxygen, silicon, and tin (atomic%)] × 100) is 5% or more, preferably 5.4% or more, more preferably 5.8% or more, still more preferably 6.2% or more, for example, 7.5% or more, 9% or more, 10.5% or more, and 12% or more Either of them may be used. When the concentration ratio of the tin is equal to or greater than the lower limit, the effect of the present invention exhibited by the semiconductor chip on which the first protective film is formed becomes more remarkable because the residual of the first protective film residue is more suppressed at the top of the bump, for example. For example, the reliability of the semiconductor package becomes higher.

제1 보호막이 형성된 반도체 칩에 있어서, 범프의 꼭대기부에 있어서의 상기 주석의 농도 비율의 상한값은 100％ 이하이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 주석의 농도 비율은 25％ 이하 및 20％ 이하 중 어느 하나여도 되며, 이러한 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 보다 용이하게 제조할 수 있다.In the semiconductor chip on which the first protective film is formed, the upper limit of the concentration ratio of the tin at the top of the bump is not particularly limited as long as it is 100% or less. For example, the concentration ratio of the tin may be any one of 25% or less and 20% or less, and the semiconductor chip on which the first protective film is formed can be more easily manufactured.

제1 보호막이 형성된 반도체 칩에 있어서, 범프의 꼭대기부에 있어서의 상기 주석의 농도 비율은 상술한 어느 하나의 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내가 되도록 적절히 조절할 수 있다.In the semiconductor chip on which the first protective film is formed, the concentration ratio of the tin at the top of the bump can be appropriately adjusted to be within a range set by arbitrarily combining any of the above-mentioned lower and upper limits.

예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 상기 주석의 농도 비율은 바람직하게는 5∼25％, 보다 바람직하게는 5.4∼25％, 더욱 바람직하게는 5.8∼25％, 특히 바람직하게는 6.2∼25％이며, 예를 들면, 7.5∼25％, 9∼25％, 10.5∼25％, 및 12∼25％ 등 중 어느 하나여도 된다. 또한, 일 실시형태에 있어서, 상기 주석의 농도 비율은 바람직하게는 5∼20％, 보다 바람직하게는 5.4∼20％, 더욱 바람직하게는 5.8∼20％, 특히 바람직하게는 6.2∼20％이며, 예를 들면, 7.5∼20％, 9∼20％, 10.5∼20％, 및 12∼20％ 등 중 어느 하나여도 된다. 단, 이들은 상기 주석의 농도 비율의 일례이다.For example, in one embodiment, the concentration ratio of the tin is preferably 5 to 25%, more preferably 5.4 to 25%, still more preferably 5.8 to 25%, particularly preferably 6.2 to 25% And, for example, any one of 7.5 to 25%, 9 to 25%, 10.5 to 25%, and 12 to 25%. Further, in one embodiment, the concentration ratio of tin is preferably 5 to 20%, more preferably 5.4 to 20%, still more preferably 5.8 to 20%, particularly preferably 6.2 to 20%, For example, any one of 7.5 to 20%, 9 to 20%, 10.5 to 20%, and 12 to 20% may be used. However, these are examples of the concentration ratio of the said tin.

XPS 분석을 행하는 범프의 꼭대기부란, 범프의 정상을 포함하는 상부 영역을 의미한다. 상기 꼭대기부로는, 예를 들면, 범프를 그 상방으로부터 내려다 보아 평면으로 보았을 때, 범프의 정상을 포함하고, 또한, 직경이 바람직하게는 10∼30㎛, 보다 바람직하게는 15∼25㎛이며, 예를 들면 20㎛ 등인 원형 영역으로서 인식되는 영역을 들 수 있다. 상기 직경이 상기 하한값 이상임으로써, XPS 분석을 보다 고정밀하게 행할 수 있다. 상기 직경이 상기 상한값 이하임으로써, XPS 분석을 보다 고효율로 행할 수 있다.The top portion of the bump for XPS analysis means an upper region including the top of the bump. The top portion includes, for example, the top of the bump when viewed from the top and viewed in plan, and the diameter is preferably 10 to 30 µm, more preferably 15 to 25 µm, For example, an area recognized as a circular area of 20 µm or the like can be given. When the diameter is equal to or greater than the lower limit, XPS analysis can be more accurately performed. When the diameter is equal to or less than the upper limit, XPS analysis can be performed with higher efficiency.

범프의 상기 상부 영역의 면이 곡면인 경우에는, 범프의 정상으로서 반도체 칩의 범프 형성면으로부터의 높이가 가장 높은 위치를 선택할 수 있다. 한편, 범프의 상기 상부 영역의 면이 평면인 경우에는, 범프의 정상으로서 예를 들면, 그 평면의 중심(무게 중심)을 선택할 수 있다.When the surface of the upper region of the bump is a curved surface, a position having the highest height from the bump forming surface of the semiconductor chip can be selected as the top of the bump. On the other hand, when the surface of the upper region of the bump is flat, for example, the center of the plane (center of weight) can be selected as the top of the bump.

범프의 형상에 대해서는 뒤에서 자세히 설명한다.The shape of the bump will be described in detail later.

XPS에서의 분석 조건은 특별히 한정되지 않는다. 단, 통상은, X선의 조사 각도는 15∼90°인 것이 바람직하고, X선의 빔 직경은 9∼100㎛인 것이 바람직하고, X선 조사시의 출력은 1∼100W인 것이 바람직하다. 이러한 조건으로 함으로써, 보다 고정밀하게 분석할 수 있다.The analysis conditions in XPS are not particularly limited. However, normally, the irradiation angle of the X-ray is preferably 15 to 90°, the beam diameter of the X-ray is preferably 9 to 100 μm, and the output at the time of X-ray irradiation is preferably 1 to 100 W. By setting it as such conditions, it can analyze more accurately.

X선의 빔 직경은 XPS 분석을 행하는 범프의 꼭대기부와 동일한 사이즈로 할 수 있다.The beam diameter of the X-ray can be the same size as the top of the bump for XPS analysis.

도 1은, 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다. 한편, 이하의 설명에서 사용하는 도면은, 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있으며, 각 구성 요소의 치수 비율 등이 실제와 동일한 것으로는 한정되지 않는다.1 is an enlarged cross-sectional view schematically showing an embodiment of a semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed. On the other hand, the drawings used in the following description, in order to make the features of the present invention easier to understand, may be enlarged and displayed as a main part for convenience, and the dimensional ratio of each component is not limited to the same as the actual Does not.

여기에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(1)은 반도체 칩(9)과 반도체 칩(9)의 범프를 갖는 면(범프 형성면)(9a)에 형성된 제1 보호막(13)을 구비하고 있다.The semiconductor chip 1 on which the first protective film shown here is formed has a semiconductor chip 9 and a first protective film 13 formed on a surface (bumping surface) 9a having bumps of the semiconductor chip 9. .

제1 보호막이 형성된 반도체 칩(1)에 있어서, 제1 보호막(13)은 범프 형성면(9a)에 밀착함과 함께, 범프(91)의 표면(91a), 특히 범프 형성면(9a)의 근방 부위의 표면(91a)을 덮고, 범프(91)를 매립하여 이들의 영역을 보호하고 있다.In the semiconductor chip 1 on which the first protective film is formed, the first protective film 13 is in close contact with the bump forming surface 9a, and the surface 91a of the bump 91, particularly of the bump forming surface 9a The surface 91a of the vicinity is covered, and the bumps 91 are buried to protect these areas.

도 1 중, 부호 9b는, 반도체 칩(9)의 범프 형성면(9a)과는 반대측 면(이면)을 나타낸다.In Fig. 1, reference numeral 9b denotes a surface (rear surface) opposite to the bump forming surface 9a of the semiconductor chip 9.

범프(91)의 꼭대기부(910)는 제1 보호막(13)을 관통하여 돌출되어 있다. 또한, 범프(91)의 꼭대기부(910)에는, 제1 보호막 잔류물이 존재하지 않는다. 따라서, 범프(91)의 꼭대기부(910)에 대해 XPS 분석을 행했을 때, 상기 주석의 농도 비율은 5％ 이상으로 고수준이 된다.The top portion 910 of the bump 91 protrudes through the first protective film 13. In addition, the first protective film residue is not present in the top portion 910 of the bump 91. Therefore, when XPS analysis is performed on the top portion 910 of the bump 91, the concentration ratio of the tin is 5% or more, which is a high level.

범프(91)는 구의 일부가 평면으로 잘린 형상을 갖고 있으며, 그 잘려 노출된 부위에 상당하는 평면이 반도체 칩(9)의 범프 형성면(회로면)(9a)에 접촉한 상태로 되어 있다.The bump 91 has a shape in which a part of the sphere is cut in a plane, and a plane corresponding to the cut and exposed portion is in a state in contact with the bump formation surface (circuit surface) 9a of the semiconductor chip 9.

범프(91)의 형상은 대략 구상이라고 할 수 있다.The shape of the bump 91 can be said to be substantially spherical.

범프(91)의 꼭대기부(910)는 구면의 일부라고는 하지만 곡면으로 되어 있다.The top portion 910 of the bump 91 is said to be part of a spherical surface, but has a curved surface.

범프(91)의 높이는 특별히 한정되지 않으나, 60∼450㎛인 것이 바람직하고, 120∼300㎛인 것이 보다 바람직하며, 180∼240㎛인 것이 특히 바람직하다. 범프(91)의 높이가 상기 하한값 이상임으로써, 범프(91)의 기능을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 범프(91)의 높이가 상기 상한값 이하임으로써, 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서의 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The height of the bump 91 is not particularly limited, but is preferably 60 to 450 μm, more preferably 120 to 300 μm, and particularly preferably 180 to 240 μm. When the height of the bump 91 is equal to or greater than the above lower limit, the function of the bump 91 can be further improved. In addition, when the height of the bump 91 is equal to or less than the above upper limit, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top portion 910 of the bump 91 becomes higher.

한편, 본 명세서에 있어서, 「범프의 높이」란, 범프 중, 범프 형성면으로부터 가장 높은 위치에 존재하는 부위(정상)에서의 높이를 의미한다.In addition, in this specification, "the height of a bump" means the height in the part (normal) which exists in the highest position from the bump formation surface among the bumps.

범프(91)의 폭은 특별히 한정되지 않으나, 170∼350㎛인 것이 바람직하고, 200∼320㎛인 것이 보다 바람직하며, 230∼290㎛인 것이 특히 바람직하다. 범프(91)의 폭이 상기 하한값 이상임으로써, 범프(91)의 기능을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 범프(91)의 폭이 상기 상한값 이하임으로써, 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서의 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The width of the bump 91 is not particularly limited, but is preferably 170 to 350 μm, more preferably 200 to 320 μm, and particularly preferably 230 to 290 μm. When the width of the bump 91 is greater than or equal to the above lower limit, the function of the bump 91 can be further improved. In addition, when the width of the bump 91 is equal to or less than the above upper limit, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top 910 of the bump 91 is further enhanced.

한편, 본 명세서에 있어서, 「범프의 폭」이란, 범프 형성면에 대해 수직인 방향으로부터 범프를 내려다 보아 평면으로 볼 때, 범프 표면 상의 상이한 2점 사이를 직선으로 연결하여 얻어지는 선분의 최대값을 의미한다.On the other hand, in this specification, "the width of the bump" refers to the maximum value of a line segment obtained by connecting two different points on the bump surface in a straight line when looking down and looking at the bump from a direction perpendicular to the bump forming surface. it means.

인접하는 범프(91) 사이의 거리는 특별히 한정되지 않으나, 80∼1000㎛인 것이 바람직하고, 100∼800㎛인 것이 보다 바람직하며, 120∼550㎛인 것이 특히 바람직하다. 상기 거리가 상기 하한값 이상임으로써, 범프(91)의 기능을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 거리가 상기 상한값 이하임으로써, 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서의 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The distance between adjacent bumps 91 is not particularly limited, but is preferably 80 to 1000 μm, more preferably 100 to 800 μm, and particularly preferably 120 to 550 μm. When the distance is equal to or greater than the lower limit, the function of the bump 91 can be further improved. In addition, when the distance is equal to or less than the upper limit, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top portion 910 of the bump 91 becomes higher.

한편, 본 명세서에 있어서, 「인접하는 범프 사이의 거리」란, 인접하는 범프끼리의 중심부 사이의 거리를 의미하고, 「범프 피치」라고 불리기도 한다.In addition, in this specification, "distance between adjacent bumps" means the distance between the centers of adjacent bumps, and is also called "bump pitch".

여기에서는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 범프의 꼭대기부에 제1 보호막 잔류물이 존재하지 않는 것에 대해 나타내고 있으나, 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 범프의 꼭대기부에 제1 보호막 잔류물이 소량 존재한 것이어도 된다. 이 때의 제1 보호막 잔류물의 양은 상술한 바와 같이 적으면 된다.Here, although the first protective film residue is formed on the top of the bump as a semiconductor chip on which the first protective film is formed, the semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed has a first protective film residue on the top of the bump. This small amount may be present. The amount of the first protective film residue at this time may be small as described above.

도 2는, 이러한 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다. 한편, 도 2 이후의 도면에 있어서, 이미 설명한 도면에 나타내는 것과 동일한 구성 요소에는, 그 설명한 도면의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.2 is an enlarged cross-sectional view schematically showing an embodiment of a semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed. On the other hand, in the drawings after Fig. 2, the same components as those shown in the drawings already described are given the same reference numerals as in the case of the described drawings, and detailed description thereof is omitted.

여기에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(2)은 범프(91)의 꼭대기부(910)에 제1 보호막 잔류물(131)이 소량 존재하고 있는 점 이외에는, 도 1에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(1)과 동일하다.In the semiconductor chip 2 on which the first protective film shown here is formed, the first protective film shown in FIG. 1 is formed except that a small amount of the first protective film residue 131 is present at the top portion 910 of the bump 91 It is the same as the semiconductor chip 1.

제1 보호막이 형성된 반도체 칩(2)은 제1 보호막 잔류물(131)이 잔존하고 있으나, 범프(91)의 꼭대기부(910)는 제1 보호막(13)을 관통하여 돌출되어 있다.In the semiconductor chip 2 on which the first passivation layer is formed, the first passivation layer residue 131 remains, but the top portion 910 of the bump 91 protrudes through the first passivation layer 13.

제1 보호막이 형성된 반도체 칩(2)은 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서, 제1 보호막 잔류물(131)의 양이 적고, 제1 보호막 잔류물(131)의 잔존이 억제되어 있다. 따라서, 범프(91)의 꼭대기부(910)에 대해, XPS 분석을 행했을 때, 상기 주석의 농도 비율은 5％ 이상으로 고수준이 된다.The semiconductor chip 2 on which the first passivation layer is formed has a small amount of the first passivation layer residue 131 at the top 910 of the bump 91, and the residual of the first passivation layer residue 131 is suppressed. have. Therefore, when XPS analysis is performed on the top portion 910 of the bump 91, the concentration ratio of the tin is 5% or more, which is a high level.

제1 보호막이 형성된 반도체 칩(2)에 있어서는, 제1 보호막 잔류물(131)이 범프(91)의 꼭대기부(910) 중, 정상을 대략 중심으로 하여 범프(91)의 표면(91a)의 좁은 영역에 퍼져 존재하고 있는 경우를 나타내고 있다. 단, 제1 보호막 잔류물(131)이 존재하는 경우의 그 존재 영역은 이에 한정되지 않고, 예를 들면, 범프(91)의 정상 또는 그 근방을 중심으로 하고 있지 않아도 된다. 한편, 본 명세서에 있어서, 「범프의 정상(범프의 꼭대기부 중의 정상)」이란, 범프의 표면 중, 반도체 칩의 범프 형성면으로부터의 높이가 가장 높은 개소를 의미한다.In the semiconductor chip 2 on which the first passivation film is formed, the first passivation film residue 131 of the top 91 of the bump 91 is formed on the surface 91a of the bump 91 with the center of the top being approximately centered. It shows the case that is spread over a small area. However, the region where the first passivation film residue 131 is present is not limited to this, and for example, it is not necessary to focus on the top or the vicinity of the bump 91. In addition, in this specification, "the top of a bump (the top of the top part of a bump)" means the point where the height from the bump formation surface of a semiconductor chip is the highest among the surfaces of a bump.

여기까지는, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 범프가 대략 구상인 것에 대해 설명했으나, 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩에 있어서, 범프의 형상은 이에 한정되지 않는다.Up to this point, although the bumps are substantially spherical as the semiconductor chip on which the first protective film is formed, in the semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed, the shape of the bump is not limited to this.

도 3은, 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩 중, 범프의 형상이 대략 구상이 아닌 경우의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view schematically showing an embodiment in the case where the shape of the bump is not substantially spherical among the semiconductor chips on which the first protective film of the present invention is formed.

여기에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(3)은, 범프(91) 대신에 범프(92)를 구비하는(즉, 범프의 형상이 상이한) 점 이외에는, 도 1에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(1)과 동일하다.The semiconductor chip 3 on which the first protective film shown here is formed is a semiconductor on which the first protective film shown in FIG. 1 is formed except that the bump 92 is provided instead of the bump 91 (that is, the shape of the bump is different). It is the same as the chip 1.

보다 구체적으로는 범프(92)는 도 1에 나타내는 범프(91)에 있어서, 꼭대기부(910)가 곡면이 아닌 평면이 된 것이다. 즉, 범프(92)의 꼭대기부(920)는 평면이다.More specifically, the bump 92 is the bump 91 shown in FIG. 1, and the top 910 is a flat surface rather than a curved surface. That is, the top portion 920 of the bump 92 is flat.

한편, 도 3 중, 부호 92a는, 범프(92) 중, 꼭대기부(920) 이외의 영역의 표면을 나타낸다.On the other hand, in Fig. 3, reference numeral 92a denotes the surface of a region other than the top portion 920 of the bump 92.

범프(92)의 꼭대기부(920)의 면은, 예를 들면, 반도체 칩(9)의 범프 형성면(9a)에 대해, 평행이어도 되며, 평행이 아니어도 된다. 그리고, 평행이 아닌 경우, 꼭대기부(920)의 면 방향은 특별히 한정되지 않는다.The surface of the top portion 920 of the bump 92 may or may not be parallel to, for example, the bump forming surface 9a of the semiconductor chip 9. In addition, when it is not parallel, the surface direction of the top portion 920 is not particularly limited.

범프(92)의 꼭대기부(920)는, 제1 보호막(13)을 관통하여 돌출되어 있다. 또한, 범프(92)의 꼭대기부(920)에는, 제1 보호막 잔류물이 존재하지 않는다. 따라서, 범프(92)의 꼭대기부(920)에 대해, XPS 분석을 행했을 때, 상기 주석의 농도 비율은 5％ 이상으로 고수준이 된다.The top portion 920 of the bump 92 protrudes through the first protective film 13. In addition, the first protective film residue is not present in the top portion 920 of the bump 92. Therefore, when XPS analysis is performed on the top portion 920 of the bump 92, the concentration ratio of the tin is 5% or more, which is a high level.

범프(92)의 폭과 인접하는 범프(92) 사이의 거리는 도 1에 나타내는 범프(91)의 경우와 동일하다.The distance between the width of the bump 92 and the adjacent bump 92 is the same as that of the bump 91 shown in FIG. 1.

범프(92)의 높이는 특별히 한정되지 않으나, 40∼390㎛인 것이 바람직하고, 70∼250㎛인 것이 보다 바람직하며, 130∼190㎛인 것이 특히 바람직하다. 범프(92)의 높이가 상기 하한값 이상임으로써, 범프(92)의 기능을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 범프(92)의 높이가 상기 상한값 이하임으로써, 범프(92)의 꼭대기부(920)에 있어서의 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The height of the bump 92 is not particularly limited, but is preferably 40 to 390 µm, more preferably 70 to 250 µm, and particularly preferably 130 to 190 µm. When the height of the bump 92 is equal to or higher than the lower limit, the function of the bump 92 can be further improved. In addition, when the height of the bump 92 is equal to or less than the above upper limit, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top portion 920 of the bump 92 becomes higher.

여기에서는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 범프의 꼭대기부에 제1 보호막 잔류물이 존재하지 않는 것에 대해 나타내고 있으나, 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 범프의 꼭대기부에 제1 보호막 잔류물이 소량 존재한 것이어도 된다. 이 때의 제1 보호막 잔류물의 양은 상술한 바와 같이 적으면 된다.Here, although the first protective film residue is formed on the top of the bump as a semiconductor chip on which the first protective film is formed, the semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed has a first protective film residue on the top of the bump. This small amount may be present. The amount of the first protective film residue at this time may be small as described above.

도 4는, 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩 중, 범프의 꼭대기부에 제1 보호막 잔류물이 소량 존재하고 있는 경우의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.4 is an enlarged cross-sectional view schematically showing an embodiment in the case where a small amount of the first protective film residue is present at the top of the bump among the semiconductor chips on which the first protective film of the present invention is formed.

여기에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(4)은 범프(92)의 꼭대기부(920)에 제1 보호막 잔류물(131)이 소량 존재하고 있는 점 이외에는, 도 3에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(3)과 동일하다.In the semiconductor chip 4 on which the first protective film shown here is formed, the first protective film shown in FIG. 3 is formed except that a small amount of the first protective film residue 131 is present on the top portion 920 of the bump 92 It is the same as the semiconductor chip 3.

제1 보호막이 형성된 반도체 칩(4)은 제1 보호막 잔류물(131)이 잔존하고 있으나, 범프(92)의 꼭대기부(920)는 제1 보호막(13)을 관통하여 돌출되어 있다.In the semiconductor chip 4 on which the first passivation layer is formed, the first passivation layer residue 131 remains, but the top portion 920 of the bump 92 protrudes through the first passivation layer 13.

제1 보호막이 형성된 반도체 칩(4)은 범프(92)의 꼭대기부(920)에 있어서, 제1 보호막 잔류물(131)의 양이 적고, 제1 보호막 잔류물(131)의 잔존이 억제되어 있다. 따라서, 범프(92)의 꼭대기부(920)에 대해, XPS 분석을 행했을 때, 상기 주석의 농도 비율은 5％ 이상으로 고수준이 된다.The semiconductor chip 4 on which the first passivation film is formed has a small amount of the first passivation film residue 131 at the top 920 of the bump 92, and the residual of the first passivation film residue 131 is suppressed. have. Therefore, when XPS analysis is performed on the top portion 920 of the bump 92, the concentration ratio of the tin is 5% or more, which is a high level.

제1 보호막이 형성된 반도체 칩(4)에 있어서는, 제1 보호막 잔류물(131)이 범프(92)의 꼭대기부(920) 중, 그 대략 중앙으로부터 주위의 좁은 영역에 퍼져 존재하고 있는 경우를 나타내고 있다. 단, 제1 보호막 잔류물(131)이 존재하는 경우의 그 존재 영역은 이에 한정되지 않고, 예를 들면, 범프(92)의 대략 중앙으로부터 주위의 영역에 퍼져 존재하고 있지 않아도 된다.In the semiconductor chip 4 on which the first passivation film is formed, the first passivation film residue 131 is spread among the top portions 920 of the bumps 92 from the center to the surrounding small area. have. However, the existence region in the case where the first protective film residue 131 is present is not limited to this, and for example, it is not necessary that the region exists from the center of the bump 92 to the surrounding region.

본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 도 1∼도 4에 나타내는 것에 한정되지 않고, 예를 들면, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1∼도 4에 나타내는 것에 있어서, 일부의 구성이 변경, 삭제 또는 추가된 것이어도 된다.The semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed is not limited to those shown in Figs. 1 to 4, and, for example, within a range that does not impair the effects of the present invention, some of those shown in Figs. The configuration of may be changed, deleted or added.

예를 들면, 도 1∼도 4에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 반도체 칩(9)의 이면(9b)에 아무것도 구비되어 있지 않고, 상기 이면(9b)은 노출면으로 되어 있지만, 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 반도체 웨이퍼의 이면에 보호막(본 명세서에 있어서는, 「제2 보호막」이라고 칭하는 경우가 있다) 등의 어느 층(막)을 구비하고 있어도 된다.For example, the semiconductor chip on which the first protective film shown in FIGS. 1 to 4 is formed has nothing provided on the back surface 9b of the semiconductor chip 9, and the back surface 9b is an exposed surface. The semiconductor chip on which the first protective film is formed may have any layer (film) such as a protective film (which may be referred to as a "second protective film" in this specification) on the back surface of the semiconductor wafer.

제2 보호막은 상술한 반도체 칩을 제작하기 위해, 반도체 웨이퍼를 다이싱했을 때나, 다이싱에 의해 얻어진 반도체 칩을 패키징하여 반도체 장치를 제조할 때까지의 사이에 반도체 칩에 있어서 크랙이 발생하는 것을 방지한다.In order to manufacture the semiconductor chip described above, the second passivation layer prevents cracking in the semiconductor chip until the semiconductor wafer is diced or until the semiconductor chip obtained by dicing is packaged to produce a semiconductor device. prevent.

제2 보호막은 통상, 수지막이다.The second protective film is usually a resin film.

이어서, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩을 구성하는 반도체 칩 및 제1 보호막에 대해 설명한다.Next, the semiconductor chip and the first protective film constituting the semiconductor chip on which the first protective film is formed will be described.

＜＜반도체 칩＞＞<<semiconductor chip>>

상기 반도체 칩은 범프 형성면(회로를 구비하는 면, 또는 회로면이라고도 칭한다)에 범프를 갖고, 플립 칩 실장에 사용할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.The semiconductor chip is not particularly limited as long as it has bumps on the bump formation surface (also referred to as a circuit surface or a circuit surface) and can be used for flip chip mounting.

반도체 칩 중, 범프가 그 구성 재료로서 함유하는 금속으로는 주석(Sn)을 들 수 있고 또한, 그 이외의 금속으로는 예를 들면, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 등을 들 수 있다.Among the semiconductor chips, tin (Sn) is mentioned as a metal that the bump contains as its constituent material, and other metals include, for example, gold (Au), silver (Ag), and copper (Cu). Can be heard.

범프의 구성 재료는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The bumps may be composed of only one type, two or more types, or two or more types, the combinations and ratios of these can be arbitrarily selected.

범프의 형상, 크기, 배치 상태는 앞서 설명한 바와 같다.The shape, size and arrangement of the bumps are as described above.

반도체 칩 중, 범프를 제외한 부위의 구성 재료 및 크기는 공지의 것과 동일해도 된다.Among the semiconductor chips, the constituent materials and sizes of the portions excluding the bumps may be the same as those known in the art.

예를 들면, 반도체 칩의 범프를 제외한 부위의 두께는 50∼780㎛인 것이 바람직하고, 150∼400㎛인 것이 보다 바람직하다.For example, the thickness of the portion excluding the bumps of the semiconductor chip is preferably 50 to 780 µm, more preferably 150 to 400 µm.

＜＜제1 보호막＞＞<<first protective film>>

제1 보호막이 형성된 반도체 칩에 있어서, 제1 보호막은 반도체 칩의 범프 형성면에 밀착함과 함께, 범프의 표면, 특히 반도체 칩의 범프 형성면의 근방 부위의 표면을 덮어, 범프를 매립하고 있다. 제1 보호막은 이와 같이, 반도체 칩 중, 범프 형성면과 범프의 범프 형성면의 근방 부위의 표면을 피복하여, 이들의 영역을 보호하고 있다. 한편, 범프의 범프 형성면의 근방 부위의 표면과 제1 보호막 사이에는, 일부 공극부가 존재하는 경우도 있다.In the semiconductor chip on which the first protective film is formed, the first protective film is in close contact with the bump forming surface of the semiconductor chip, and covers the surface of the bump, particularly the surface near the bump forming surface of the semiconductor chip, to fill the bump. . As described above, the first protective film covers the surfaces of the bump-forming surfaces and the portions in the vicinity of the bump-forming surfaces of the bumps in the semiconductor chip, thereby protecting these regions. On the other hand, some voids may exist between the surface of the bump near the bump forming surface and the first protective film.

제1 보호막은 통상, 수지 성분을 함유하는 수지막이며, 경화에 의해 제1 보호막을 형성하기 위한 경화성 수지 필름을 사용하여 형성할 수 있다. 그리고, 경화성 수지 필름은 그 구성 재료를 함유하는 경화성 수지 필름 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 경화성 수지 필름의 형성 대상면에 대해, 경화성 수지 필름 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 개소에 경화성 수지 필름을 형성할 수 있다. 경화성 수지 필름 형성용 조성물 중의 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 경화성 수지 필름의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다. 한편, 본 명세서에 있어서, 「상온」이란, 특별히 차게 하거나 가열하거나 하지 않는 온도, 즉 평상시 온도를 의미하고, 예를 들면, 15∼25℃의 온도 등을 들 수 있다.The first protective film is usually a resin film containing a resin component, and can be formed by using a curable resin film for forming the first protective film by curing. Then, the curable resin film can be formed using a composition for forming a curable resin film containing the constituent material. For example, a curable resin film can be formed at a target location by applying a composition for forming a curable resin film to a surface to be formed of the curable resin film and drying it as necessary. In the composition for forming a curable resin film, the ratio of the content of components not vaporized at room temperature is usually the same as the ratio of the content of the components of the curable resin film. In addition, in this specification, "normal temperature" means the temperature which does not cool or heat especially, ie, normal temperature, for example, the temperature of 15-25 degreeC, etc. are mentioned.

후술하는 열경화성 수지 필름 형성용 조성물 및 에너지선 경화성 수지 필름 형성용 조성물 중의 수지에 상당하는 성분은 모두 상기 수지 성분에 포함된다.All the components corresponding to the resin in the composition for forming a thermosetting resin film to be described later and the composition for forming an energy ray-curable resin film are included in the resin component.

이와 같이, 제1 보호막은 경화성 수지 필름 형성용 조성물을 사용하여 경화성 수지 필름을 형성한 후, 경화성 수지 필름을 경화시킴에 의해 형성할 수 있다.As described above, the first protective film can be formed by forming a curable resin film using a composition for forming a curable resin film and then curing the curable resin film.

경화성 수지 필름 형성용 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 된다. 상기 도공 방법으로는 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커튼 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.Coating of the composition for forming a curable resin film may be performed by a known method. Examples of the coating method include various types of air knife coater, blade coater, bar coater, gravure coater, roll coater, roll knife coater, curtain coater, die coater, knife coater, screen coater, Meyer bar coater, kiss coater, etc. And a method using a coater.

경화성 수지 필름 형성용 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않고, 상기 조성물 중의 경화성 성분이 목적 외의 경화를 일으키지 않도록 적절히 조절하는 것이 바람직하다.The drying conditions of the composition for forming a curable resin film are not particularly limited, and it is preferable to appropriately control the curable component in the composition so as not to cause undesired curing.

예를 들면, 경화성 수지 필름 형성용 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우에는, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 경화성 수지 필름 형성용 조성물은 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건에서 건조시키는 것이 바람직하다.For example, when the composition for forming a curable resin film contains a solvent described later, it is preferable to dry it by heating. It is preferable that the composition for forming a curable resin film containing a solvent is dried at 70 to 130° C. for 10 seconds to 5 minutes, for example.

제1 보호막은 1층(단층)만이어도 되며, 2층 이상의 복수층이어도 되고, 복수층인 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.The first protective film may be a single layer (single layer), a plurality of layers of two or more layers, or a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other, and the combination of these multiple layers is not particularly limited.

한편, 본 명세서에 있어서는, 제1 보호막의 경우에 한정되지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하고, 또한 「복수층이 서로 상이하다」란, 「각 층의 구성 재료 및 두께의 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다.On the other hand, in this specification, it is not limited to the case of the first protective film, and "the multiple layers may be the same or different from each other" means "all layers may be the same, all layers may be different, and only some layers are the same". It may mean", and "a plurality of layers are different from each other" means "at least one of the constituent materials and the thickness of each layer is different from each other".

제1 보호막의 두께는 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 5∼75㎛인 것이 보다 바람직하며, 5∼50㎛인 것이 특히 바람직하다. 제1 보호막의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 제1 보호막의 보호능이 보다 높아진다. 제1 보호막의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The thickness of the first protective film is preferably 1 to 100 μm, more preferably 5 to 75 μm, and particularly preferably 5 to 50 μm. When the thickness of the first protective film is greater than or equal to the above lower limit, the protective ability of the first protective film is further enhanced. When the thickness of the first protective film is equal to or less than the upper limit, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top portion of the bump becomes higher.

여기서, 「제1 보호막의 두께」란, 제1 보호막 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 제1 보호막의 두께란, 제1 보호막을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.Here, the "thickness of the first protective film" means the thickness of the entire first protective film, for example, the thickness of the first protective film composed of a plurality of layers means the total thickness of all layers constituting the first protective film. do.

제1 보호막은 열경화성 수지 필름의 경화물 및 에너지선 경화성 수지 필름의 경화물 중 어느 것이어도 된다. 즉, 제1 보호막은 열경화성 수지 필름 형성용 조성물 및 에너지선 경화성 수지 필름 형성용 조성물 중 어느 것을 사용하여 형성된 것이어도 된다.The first protective film may be either a cured product of a thermosetting resin film or a cured product of an energy ray-curable resin film. That is, the 1st protective film may be formed using any of the composition for forming a thermosetting resin film and the composition for forming an energy ray-curable resin film.

한편, 본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미하고, 그 예로서 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다.On the other hand, in this specification, "energy beam" means having both energy in an electromagnetic wave or charged particle beam, and examples thereof include ultraviolet rays, radiation, and electron beams.

자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 크세논 램프, 블랙 라이트 또는 LED 램프 등을 이용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.Ultraviolet rays can be irradiated, for example, by using a high pressure mercury lamp, a fusion lamp, a xenon lamp, a black light or an LED lamp as an ultraviolet source. The electron beam generated by an electron beam accelerator or the like can be irradiated.

본 발명에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다.In the present invention, "energy ray curability" means a property that is cured by irradiating energy rays, and "non-energy ray curability" means a property that does not cure even when irradiated with energy rays.

◎열경화성 수지 필름 형성용 조성물◎The composition for forming a thermosetting resin film

○수지층 형성용 조성물(III)○ Composition (III) for resin layer formation

열경화성 수지 필름 형성용 조성물로는, 예를 들면, 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유하는 열경화성 수지 필름 형성용 조성물(III)(본 명세서에 있어서는, 단순히 「수지층 형성용 조성물(III)」이라고 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다.As a composition for forming a thermosetting resin film, for example, a composition (III) for forming a thermosetting resin film containing a polymer component (A) and a thermosetting component (B) (in this specification, simply, ``the composition for forming a resin layer ( III)” may be abbreviated).

[중합체 성분(A)][Polymer component (A)]

중합체 성분(A)은 열경화성 수지 필름에 조막성이나 가요성 등을 부여하기 위한 중합체 화합물이며, 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 간주할 수 있는 성분이다. 한편, 본 명세서에 있어서 중합 반응에는 중축합 반응도 포함된다.The polymer component (A) is a polymer compound for imparting film-forming properties, flexibility, or the like to a thermosetting resin film, and is a component that can be regarded as being formed by polymerization reaction of a polymerizable compound. Meanwhile, in the present specification, the polymerization reaction also includes a polycondensation reaction.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 중합체 성분(A)은 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition (III) for forming a resin layer and the polymer component (A) contained in the thermosetting resin film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

중합체 성분(A)으로는 예를 들면, 폴리비닐아세탈, 아크릴계 수지((메타)아크릴로일기를 갖는 수지) 등을 들 수 있다.As a polymer component (A), polyvinyl acetal, an acrylic resin (resin which has a (meth)acryloyl group) etc. are mentioned, for example.

한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴로일기」란, 「아크릴로일기」 및 「메타크릴로일기」의 양쪽을 포함하는 개념이다. (메타)아크릴로일기와 유사한 용어에 대해서도 동일하며, 예를 들면, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」 및 「메타크릴산」의 양쪽을 포함하는 개념이고, 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 포함하는 개념이다.In addition, in this specification, "(meth)acryloyl group" is a concept including both "acryloyl group" and "methacryloyl group". The same applies to terms similar to the (meth)acryloyl group. For example, "(meth)acrylic acid" is a concept including both "acrylic acid" and "methacrylic acid," and "(meth)acrylate". It is a concept including both "acrylate" and "methacrylate".

중합체 성분(A)에 있어서의 상기 폴리비닐아세탈로는 공지의 것을 들 수 있다.As said polyvinyl acetal in a polymer component (A), a well-known thing is mentioned.

그 중에서도 바람직한 폴리비닐아세탈로는 예를 들면, 폴리비닐포르말, 폴리비닐부티랄 등을 들 수 있고, 폴리비닐부티랄이 보다 바람직하다.Among them, preferred polyvinyl acetals include, for example, polyvinyl formal, polyvinyl butyral, and more preferably polyvinyl butyral.

폴리비닐부티랄로는, 하기 식 (i)-1, (i)-2 및 (i)-3에서 나타내는 구성 단위를 갖는 것을 들 수 있다.As polyvinyl butyral, what has a structural unit represented by following formula (i)-1, (i)-2, and (i)-3 is mentioned.

Figure pct00001
Figure pct00001

(식 중, l, m 및 n은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이다)(Wherein, l, m and n are each independently an integer of 1 or more)

폴리비닐아세탈의 중량 평균 분자량(Mw)은 100000 이하인 것이 바람직하고, 70000 이하인 것이 보다 바람직하며, 40000 이하인 것이 특히 바람직하다. 폴리비닐아세탈의 중량 평균 분자량이 이러한 범위임으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The weight average molecular weight (Mw) of polyvinyl acetal is preferably 100000 or less, more preferably 70000 or less, and particularly preferably 40000 or less. When the weight average molecular weight of the polyvinyl acetal is in this range, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top of the bump becomes higher.

폴리비닐아세탈의 중량 평균 분자량의 하한값은 특별히 한정되지 않는다. 단, 제1 보호막의 강도 및 내열성이 보다 향상하는 점에서는, 폴리비닐아세탈의 중량 평균 분자량은 5000 이상인 것이 바람직하고, 8000 이상인 것이 보다 바람직하다.The lower limit of the weight average molecular weight of polyvinyl acetal is not particularly limited. However, from the viewpoint of further improving the strength and heat resistance of the first protective film, the weight average molecular weight of polyvinyl acetal is preferably 5000 or more, and more preferably 8000 or more.

폴리비닐아세탈의 중량 평균 분자량은, 상술한 어느 하나의 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내가 되도록 적절히 조절할 수 있다.The weight average molecular weight of the polyvinyl acetal can be appropriately adjusted to be within a range set by arbitrarily combining any of the above-mentioned lower and upper limits.

예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 폴리비닐아세탈의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 5000∼100000, 보다 바람직하게는 5000∼70000, 특히 바람직하게는 5000∼40000이다. 또한, 일 실시형태에 있어서, 폴리비닐아세탈의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 8000∼100000, 보다 바람직하게는 8000∼70000, 특히 바람직하게는 8000∼40000이다. 단, 이들은 폴리비닐아세탈의 바람직한 중량 평균 분자량의 일례이다.For example, in one embodiment, the weight average molecular weight of the polyvinyl acetal is preferably 5000 to 100,000, more preferably 5000 to 70000, particularly preferably 5000 to 40000. In addition, in one embodiment, the weight average molecular weight of polyvinyl acetal is preferably 8000 to 100,000, more preferably 8000 to 70000, particularly preferably 8000 to 40000. However, these are examples of the preferable weight average molecular weight of polyvinyl acetal.

폴리비닐아세탈의 유리 전이 온도(Tg)는 40∼80℃인 것이 바람직하고, 50∼70℃인 것이 보다 바람직하다. 폴리비닐아세탈의 Tg가 이러한 범위임으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The glass transition temperature (Tg) of the polyvinyl acetal is preferably 40 to 80°C, more preferably 50 to 70°C. When the Tg of the polyvinyl acetal is in this range, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top of the bump becomes higher.

폴리비닐아세탈을 구성하는 3종 이상의 모노머의 비율은 임의로 선택할 수 있다.The proportion of three or more types of monomers constituting the polyvinyl acetal can be arbitrarily selected.

중합체 성분(A)에 있어서의 상기 아크릴계 수지로는 공지의 아크릴 중합체를 들 수 있다.As said acrylic resin in a polymer component (A), a well-known acrylic polymer is mentioned.

아크릴계 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 300000 이하인 것이 바람직하고, 150000 이하인 것이 보다 바람직하며, 100000 이하인 것이 특히 바람직하다. 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 이러한 범위임으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 300000 or less, more preferably 150000 or less, and particularly preferably 100000 or less. When the weight average molecular weight of the acrylic resin is in this range, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top portion of the bump becomes higher.

아크릴계 수지의 중량 평균 분자량의 하한값은 특별히 한정되지 않는다. 단, 제1 보호막의 강도 및 내열성이 보다 향상하는 점에서는, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량은 10000 이상인 것이 바람직하고, 30000 이상인 것이 보다 바람직하다.The lower limit of the weight average molecular weight of the acrylic resin is not particularly limited. However, from the viewpoint of further improving the strength and heat resistance of the first protective film, the weight average molecular weight of the acrylic resin is preferably 10000 or more, and more preferably 30000 or more.

아크릴계 수지의 중량 평균 분자량은, 상술한 어느 하나의 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내가 되도록 적절히 조절할 수 있다.The weight average molecular weight of the acrylic resin can be appropriately adjusted to be within a range set by arbitrarily combining any of the above-mentioned lower and upper limits.

예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 10000∼300000, 보다 바람직하게는 10000∼150000, 특히 바람직하게는 10000∼100000이다. 또한, 일 실시형태에 있어서, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 30000∼300000, 보다 바람직하게는 30000∼150000, 특히 바람직하게는 30000∼100000이다. 단, 이들은 아크릴계 수지의 바람직한 중량 평균 분자량의 일례이다.For example, in one embodiment, the weight average molecular weight of the acrylic resin is preferably 10000 to 300000, more preferably 10000 to 150,000, particularly preferably 10000 to 100000. In addition, in one embodiment, the weight average molecular weight of the acrylic resin is preferably 30000 to 30000, more preferably 30000 to 150,000, particularly preferably 30000 to 100,000. However, these are examples of preferable weight average molecular weight of acrylic resin.

아크릴계 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -50∼70℃인 것이 바람직하고, -30∼60℃인 것이 보다 바람직하다. 아크릴계 수지의 Tg가 이러한 범위임으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably -50 to 70°C, more preferably -30 to 60°C. When the Tg of the acrylic resin is in this range, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top of the bump becomes higher.

아크릴계 수지를 구성하는 모노머는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.As for the monomer which comprises an acrylic resin, only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.

아크릴계 수지로는 예를 들면, 1종 또는 2종 이상의 (메타)아크릴산에스테르의 중합체;Examples of the acrylic resin include polymers of one or two or more (meth)acrylic acid esters;

(메타)아크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 및 N-메틸올아크릴아미드 등으로부터 선택되는 2종 이상의 모노머의 공중합체;Copolymers of two or more monomers selected from (meth)acrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene and N-methylolacrylamide;

1종 또는 2종 이상의 (메타)아크릴산에스테르와, (메타)아크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 및 N-메틸올아크릴아미드 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다.Copolymer of one or more monomers selected from one or two or more (meth)acrylic acid esters, and (meth)acrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, and N-methylolacrylamide. And the like.

아크릴계 수지를 구성하는 상기 (메타)아크릴산에스테르로는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴) 등의 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가 탄소수 1∼18의 사슬형 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르;Examples of the (meth)acrylic acid ester constituting the acrylic resin include (meth)methyl acrylate, (meth)ethyl acrylate, (meth)acrylic acid n-propyl, (meth)acrylic acid isopropyl, and (meth)acrylic acid n. -Butyl, (meth)isobutyl acrylate, sec-butyl (meth)acrylate, tert-butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate2- Ethyl hexyl, (meth)acrylic acid isooctyl, (meth)acrylic acid n-octyl, (meth)acrylic acid n-nonyl, (meth)acrylic acid isononyl, (meth)acrylic acid decyl, (meth)acrylic acid undecyl, (meth) Dodecyl acrylate ((meth)acrylic lauryl), (meth)acrylic acid tridecyl, (meth)acrylic acid tetradecyl ((meth)acrylic acid myristyl), (meth)acrylic acid pentadecyl, (meth)acrylic acid hexadecyl ((meth) Alkyl groups constituting alkyl esters such as palmityl acrylate), (meth)acrylic acid heptadecyl, (meth)acrylic acid octadecyl ((meth)acrylic acid stearyl), and alkyl (meth)acrylate having a chain structure of 1 to 18 carbon atoms. ester;

(메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산디시클로펜타닐 등의 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르;(Meth)acrylic acid cycloalkyl esters such as (meth)acrylic acid isobornyl and (meth)acrylic acid dicyclopentanyl;

(메타)아크릴산벤질 등의 (메타)아크릴산아랄킬에스테르;(Meth)acrylic acid aralkyl esters such as benzyl (meth)acrylate;

(메타)아크릴산디시클로펜테닐에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐에스테르;(Meth)acrylic acid cycloalkenyl esters such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyl ester;

(메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐옥시알킬에스테르;(Meth)acrylic acid cycloalkenyloxyalkyl esters such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyloxyethyl ester;

(메타)아크릴산이미드;(Meth)acrylic acid imide;

(메타)아크릴산글리시딜 등의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르;(Meth)acrylic acid esters containing glycidyl groups such as (meth)acrylic acid glycidyl;

(메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르;(Meth)acrylic acid hydroxymethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxybutyl, (meth) ) Hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid esters such as 3-hydroxybutyl acrylate and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate;

(메타)아크릴산N-메틸아미노에틸 등의 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 여기서, 「치환 아미노기」란, 아미노기의 1개 또는 2개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환되어 이루어지는 기를 의미한다.And (meth)acrylic acid esters containing substituted amino groups such as (meth)acrylic acid N-methylaminoethyl. Here, "substituted amino group" means a group in which one or two hydrogen atoms of the amino group are substituted with groups other than hydrogen atoms.

아크릴계 수지는 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 다른 화합물과 결합 가능한 관능기를 갖고 있어도 된다. 아크릴계 수지의 상기 관능기는, 후술하는 가교제(F)를 개재하여 다른 화합물과 결합해도 되고, 가교제(F)를 개재하지 않고 다른 화합물과 직접 결합하고 있어도 된다. 아크릴계 수지가 상기 관능기에 의해 다른 화합물과 결합함으로써, 제1 보호막을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상하는 경향이 있다.The acrylic resin may have a functional group capable of bonding with other compounds such as a vinyl group, (meth)acryloyl group, amino group, hydroxyl group, carboxyl group, and isocyanate group. The functional group of the acrylic resin may be bonded to another compound via a crosslinking agent (F), which will be described later, or may be directly bonded to another compound without interposing a crosslinking agent (F). When the acrylic resin is combined with other compounds by the above functional group, the reliability of the package obtained using the first protective film tends to improve.

수지층 형성용 조성물(III)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 중합체 성분(A)의 함유량의 비율(즉, 열경화성 수지 필름의 중합체 성분(A)의 함유량)은 중합체 성분(A)의 종류에 상관없이 5∼25질량％인 것이 바람직하고, 5∼15질량％인 것이 보다 바람직하다.In the composition (III) for forming a resin layer, the ratio of the content of the polymer component (A) to the total content of all components other than the solvent (that is, the content of the polymer component (A) of the thermosetting resin film) is the polymer component (A Regardless of the type of ), it is preferably 5 to 25% by mass, more preferably 5 to 15% by mass.

[열경화성 성분(B)][Thermosetting component (B)]

열경화성 성분(B)은 열을 반응의 트리거로 하여 열경화성 수지 필름을 경화시키고, 경질의 제1 보호막을 형성하기 위한 성분이다.The thermosetting component (B) is a component for curing the thermosetting resin film by using heat as a trigger for the reaction and forming a hard first protective film.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 열경화성 성분(B)은 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition (III) for forming a resin layer and the thermosetting component (B) contained in the thermosetting resin film may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios of these can be arbitrarily selected.

열경화성 성분(B)은 에폭시계 열경화성 수지인 것이 바람직하다.It is preferable that the thermosetting component (B) is an epoxy-based thermosetting resin.

(에폭시계 열경화성 수지)(Epoxy watch thermosetting resin)

에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)로 이루어진다.The epoxy-based thermosetting resin is composed of an epoxy resin (B1) and a thermosetting agent (B2).

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 에폭시계 열경화성 수지는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition (III) for forming a resin layer and the epoxy-based thermosetting resin contained in the thermosetting resin film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

·에폭시 수지(B1)・Epoxy resin (B1)

에폭시 수지(B1)로는 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르 및 그 수첨물, 오쏘크레졸노볼락에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 2관능 이상의 에폭시 화합물을 들 수 있다.As an epoxy resin (B1), well-known thing is mentioned, For example, polyfunctional epoxy resin, biphenyl compound, bisphenol A diglycidyl ether and its additive, orthocresol novolac epoxy resin, dicyclopentadiene And bifunctional or higher epoxy compounds such as a type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, and a phenylene skeleton type epoxy resin.

에폭시 수지(B1)는 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지여도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지는 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 에폭시 수지보다 아크릴계 수지와의 상용성이 높다. 이 때문에 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지와 아크릴계 수지를 함유하는 제1 보호막을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상된다.The epoxy resin (B1) may be an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group. The epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group has higher compatibility with an acrylic resin than an epoxy resin having no unsaturated hydrocarbon group. For this reason, the reliability of the package obtained using the first protective film containing an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group and an acrylic resin is improved.

불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지의 에폭시기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 변환되어 이루어지는 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은 예를 들면, 에폭시기에 (메타)아크릴산 또는 그 유도체를 부가 반응시킴으로써 얻어진다.As an epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group, the compound formed by converting a part of the epoxy group of a polyfunctional epoxy resin into a group which has an unsaturated hydrocarbon group is mentioned, for example. Such a compound is obtained by, for example, addition reaction of (meth)acrylic acid or a derivative thereof with an epoxy group.

또한, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는 예를 들면, 에폭시 수지를 구성하는 방향환 등에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합한 화합물 등을 들 수 있다.Moreover, as an epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group, the compound etc. which the group which has an unsaturated hydrocarbon group directly couple|bonded with the aromatic ring which comprises an epoxy resin etc. are mentioned, for example.

불포화 탄화수소기는 중합성을 갖는 불포화기이며, 그 구체적인 예로는, 에테닐기(비닐기), 2-프로페닐기(알릴기), (메타)아크릴로일기, (메타)아크릴아미드기 등을 들 수 있고, 아크릴로일기가 바람직하다.The unsaturated hydrocarbon group is a polymerizable unsaturated group, and specific examples thereof include an ethenyl group (vinyl group), a 2-propenyl group (allyl group), a (meth)acryloyl group, and a (meth)acrylamide group. , Acryloyl group is preferred.

에폭시 수지(B1)의 중량 평균 분자량은, 30000 이하인 것이 바람직하고, 20000 이하인 것이 보다 바람직하며, 10000 이하인 것이 특히 바람직하다. 에폭시 수지(B1)의 중량 평균 분자량이 상기 상한값 이하임으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The weight average molecular weight of the epoxy resin (B1) is preferably 30000 or less, more preferably 20000 or less, and particularly preferably 10000 or less. When the weight average molecular weight of the epoxy resin (B1) is less than or equal to the above upper limit, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top of the bump becomes higher.

에폭시 수지(B1)의 중량 평균 분자량의 하한값은 특별히 한정되지 않는다. 단, 열경화성 수지 필름의 경화성, 그리고 제1 보호막의 강도 및 내열성이 보다 향상하는 점에서는 에폭시 수지(B1)의 중량 평균 분자량은 300 이상인 것이 바람직하고, 500 이상인 것이 보다 바람직하다.The lower limit of the weight average molecular weight of the epoxy resin (B1) is not particularly limited. However, from the viewpoint of further improving the curability of the thermosetting resin film and the strength and heat resistance of the first protective film, the weight average molecular weight of the epoxy resin (B1) is preferably 300 or more, more preferably 500 or more.

에폭시 수지(B1)의 중량 평균 분자량은, 상술한 어느 하나의 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내가 되도록 적절히 조절할 수 있다.The weight average molecular weight of the epoxy resin (B1) can be appropriately adjusted to be within a range set by arbitrarily combining any of the above-mentioned lower and upper limits.

예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 에폭시 수지(B1)의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 300∼30000, 보다 바람직하게는 300∼20000, 특히 바람직하게는 300∼10000이다. 또한, 일 실시형태에 있어서, 에폭시 수지(B1)의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 500∼30000, 보다 바람직하게는 500∼20000, 특히 바람직하게는 500∼10000이다. 단, 이들은 에폭시 수지(B1)의 바람직한 중량 평균 분자량의 일례이다.For example, in one embodiment, the weight average molecular weight of the epoxy resin (B1) is preferably 300 to 30000, more preferably 300 to 20000, particularly preferably 300 to 10000. In addition, in one embodiment, the weight average molecular weight of the epoxy resin (B1) is preferably 500 to 30000, more preferably 500 to 20000, particularly preferably 500 to 10000. However, these are examples of the preferable weight average molecular weight of the epoxy resin (B1).

에폭시 수지(B1)의 에폭시 당량은 100∼1000g/eq인 것이 바람직하고, 300∼800g/eq인 것이 보다 바람직하다.The epoxy equivalent of the epoxy resin (B1) is preferably 100 to 1000 g/eq, and more preferably 300 to 800 g/eq.

에폭시 수지(B1)는 상온에서 액상인 것(본 명세서에 있어서는, 단순히 「액상인 에폭시 수지(B1)」라고 칭하는 경우가 있다)이 바람직하다. 이러한 에폭시 수지(B1)를 사용함으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.It is preferable that the epoxy resin (B1) is liquid at normal temperature (in this specification, it may be referred to simply as "the liquid epoxy resin (B1)"). By using such an epoxy resin (B1), the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top of the bump becomes higher.

에폭시 수지(B1)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.Epoxy resin (B1) may be used alone or in combination of two or more, and when two or more are used in combination, the combination and proportion thereof may be arbitrarily selected.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 에폭시 수지(B1) 중, 액상인 에폭시 수지(B1)의 비율은 40질량％ 이상인 것이 바람직하고, 50질량％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 55질량％ 이상인 것이 특히 바람직하고, 예를 들면, 60질량％ 이상, 70질량％ 이상, 80질량％ 이상 및 90질량％ 이상 중 어느 하나여도 된다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.Among the epoxy resin (B1) contained in the resin layer forming composition (III) and the thermosetting resin film, the proportion of the liquid epoxy resin (B1) is preferably 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, 55 It is especially preferable that it is mass% or more, for example, any one of 60 mass% or more, 70 mass% or more, 80 mass% or more, and 90 mass% or more may be used. When the said ratio is more than the said lower limit, the effect which suppresses the residual of a 1st protective film residue in the top part of a bump becomes higher.

상기 비율의 상한값은 특별히 한정되지 않고, 상기 비율은 100질량％ 이하이면 된다.The upper limit of the ratio is not particularly limited, and the ratio may be 100% by mass or less.

·열경화제(B2)·Heat curing agent (B2)

열경화제(B2)는 에폭시 수지(B1)에 대한 경화제로서 기능한다.The thermosetting agent (B2) functions as a curing agent for the epoxy resin (B1).

열경화제(B2)로는, 예를 들면, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기로는, 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하며, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다.As a thermosetting agent (B2), the compound which has 2 or more functional groups which can react with an epoxy group in 1 molecule is mentioned, for example. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxy group, a group in which an acid group is anhydride, and the like, and a phenolic hydroxyl group, an amino group, or an acid group in anhydride is preferred, and is a phenol. It is more preferable that it is an acidic hydroxyl group or an amino group.

열경화제(B2) 중, 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제로는, 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 아랄킬페놀 수지 등을 들 수 있다.Among the thermosetting agents (B2), examples of the phenolic curing agent having a phenolic hydroxyl group include polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolac-type phenolic resins, dicyclopentadiene-based phenolic resins, and aralkylphenolic resins. Can be lifted.

열경화제(B2) 중, 아미노기를 갖는 아민계 경화제로는, 예를 들면, 디시안디아미드(이하, 「DICY」라고 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다.Among the thermosetting agents (B2), examples of the amine-based curing agent having an amino group include dicyandiamide (hereinafter sometimes abbreviated as "DICY").

열경화제(B2)는 불포화 탄화수소기를 갖는 것이어도 된다.The thermosetting agent (B2) may have an unsaturated hydrocarbon group.

불포화 탄화수소기를 갖는 열경화제(B2)로는, 예를 들면, 페놀 수지의 수산기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 치환되어 이루어지는 화합물, 페놀 수지의 방향환에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합하여 이루어지는 화합물 등을 들 수 있다.As the thermosetting agent (B2) having an unsaturated hydrocarbon group, for example, a compound formed by partially replacing a hydroxyl group of a phenol resin with a group having an unsaturated hydrocarbon group, a compound formed by directly bonding a group having an unsaturated hydrocarbon group to the aromatic ring of the phenol resin, etc. Can be lifted.

열경화제(B2)에 있어서의 상기 불포화 탄화수소기는, 상술한 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지에 있어서의 불포화 탄화수소기와 동일한 것이다.The unsaturated hydrocarbon group in the thermosetting agent (B2) is the same as the unsaturated hydrocarbon group in the epoxy resin having the aforementioned unsaturated hydrocarbon group.

열경화제(B2) 중, 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 아랄킬페놀 수지 등의 수지 성분의 수평균 분자량은 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하며, 500∼5000인 것이 특히 바람직하다.In the thermosetting agent (B2), for example, the number average molecular weight of resin components such as polyfunctional phenol resin, novolak type phenol resin, dicyclopentadiene phenol resin, and aralkylphenol resin is preferably 300 to 30000 , It is more preferably 400 to 10000, and particularly preferably 500 to 5000.

열경화제(B2) 중, 예를 들면, 비페놀, 디시안디아미드 등의 비수지 성분의 분자량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 60∼500인 것이 바람직하다.Among the thermosetting agents (B2), for example, the molecular weight of non-resin components such as biphenol and dicyandiamide is not particularly limited, but is preferably 60 to 500, for example.

열경화제(B2)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.As the thermosetting agent (B2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination, and when two or more types are used in combination, the combination and proportion thereof may be arbitrarily selected.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 열경화제(B2)의 함유량은, 에폭시 수지(B1)의 함유량 100질량부에 대해 0.1∼500질량부인 것이 바람직하고, 1∼200질량부인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 1∼150질량부, 1∼100질량부, 1∼75질량부, 1∼50질량부, 및 1∼30질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화제(B2)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 열경화성 수지 필름의 경화가 보다 진행하기 쉬워진다. 또한, 열경화제(B2)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 열경화성 수지 필름의 흡습률이 저감되고, 제1 보호막을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.In the composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film, the content of the thermosetting agent (B2) is preferably 0.1 to 500 parts by mass, and 1 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the epoxy resin (B1). It is more preferable, and for example, any one of 1 to 150 parts by mass, 1 to 100 parts by mass, 1 to 75 parts by mass, 1 to 50 parts by mass, and 1 to 30 parts by mass may be used. When the said content of the thermosetting agent (B2) is more than the said lower limit, hardening of a thermosetting resin film will advance more easily. Moreover, when the said content of the thermosetting agent (B2) is below the said upper limit, the moisture absorption rate of a thermosetting resin film is reduced, and the reliability of the package obtained using a 1st protective film is improved more.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 열경화성 성분(B)의 함유량(예를 들면, 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)의 총 함유량)은 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해 600∼1000질량부인 것이 바람직하다. 열경화성 성분(B)의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아지고, 또한 경질인 제1 보호막을 형성할 수 있다.In the composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film, the content of the thermosetting component (B) (for example, the total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2)) is the content of the polymer component (A) It is preferable that it is 600-1000 mass parts with respect to 100 mass parts. When the content of the thermosetting component (B) is in this range, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top of the bump is higher, and a hard first protective film can be formed.

또한, 이러한 효과가 보다 현저히 얻어지는 점에서 열경화성 성분(B)의 함유량은, 중합체 성분(A)의 종류에 따라 적절히 조절하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to adjust the content of the thermosetting component (B) appropriately according to the type of the polymer component (A), because such an effect is more remarkably obtained.

예를 들면, 중합체 성분(A)이 상기 폴리비닐아세탈인 경우, 수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 열경화성 성분(B)의 함유량은, 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해 600∼1000질량부인 것이 바람직하고, 650∼1000질량부인 것이 보다 바람직하며, 650∼950질량부인 것이 특히 바람직하다.For example, when the polymer component (A) is the polyvinyl acetal, in the composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film, the content of the thermosetting component (B) is 100 mass of the content of the polymer component (A). It is preferable that it is 600-1000 mass parts with respect to a part, It is more preferable that it is 650-1000 mass parts, It is especially preferable that it is 650-950 mass parts.

예를 들면, 중합체 성분(A)이 상기 아크릴계 수지인 경우, 수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 열경화성 성분(B)의 함유량은, 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해 700∼1000질량부인 것이 바람직하고, 750∼1000질량부인 것이 보다 바람직하며, 750∼900질량부인 것이 특히 바람직하다.For example, when the polymer component (A) is the acrylic resin, in the composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film, the content of the thermosetting component (B) is 100 parts by mass of the content of the polymer component (A). It is preferably 700 to 1000 parts by mass, more preferably 750 to 1000 parts by mass, and particularly preferably 750 to 900 parts by mass.

[경화 촉진제(C)][Curing Agent (C)]

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름은 경화 촉진제(C)를 함유하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제(C)는 수지층 형성용 조성물(III)의 경화 속도를 조정하기 위한 성분이다.It is preferable that the composition (III) for resin layer formation and a thermosetting resin film contain a hardening accelerator (C). The curing accelerator (C) is a component for adjusting the curing rate of the composition (III) for forming a resin layer.

바람직한 경화 촉진제(C)로는, 예를 들면, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 제3급 아민; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류(1개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸); 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류(1개 이상의 수소 원자가 유기기로 치환된 포스핀); 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다.Preferred curing accelerators (C) include, for example, tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris(dimethylaminomethyl)phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5 -Imidazoles such as hydroxymethylimidazole (imidazole in which one or more hydrogen atoms are replaced with groups other than hydrogen atoms); Organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, and triphenylphosphine (phosphine in which one or more hydrogen atoms are substituted with organic groups); And tetraphenyl boron salts such as tetraphenyl phosphonium tetraphenyl borate and triphenylphosphine tetraphenyl borate.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 경화 촉진제(C)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition (III) for forming a resin layer and the curing accelerator (C) contained in the thermosetting resin film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

경화 촉진제(C)를 사용하는 경우, 수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 경화 촉진제(C)의 함유량은, 열경화성 성분(B)의 함유량 100질량부에 대해 0.01∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼5질량부인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제(C)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 경화 촉진제(C)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 경화 촉진제(C)의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 예를 들면, 고극성 경화 촉진제(C)가 고온·고습도 조건하에서 열경화성 수지 필름 중에 있어서 피착체와의 접착 계면측으로 이동하여 편석되는 것을 억제하는 효과가 높아지고, 제1 보호막을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.When the curing accelerator (C) is used, in the composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film, the content of the curing accelerator (C) is 0.01 to 10 mass per 100 parts by mass of the content of the thermosetting component (B) It is preferable to deny it, and it is more preferable that it is 0.1-5 mass parts. When the said content of hardening accelerator (C) is more than the said lower limit, the effect by using hardening accelerator (C) is obtained more remarkably. In addition, when the content of the curing accelerator (C) is equal to or less than the above upper limit, for example, the high-polarity curing accelerator (C) moves to the adhesion interface side with the adherend and segregates in the thermosetting resin film under high temperature and high humidity conditions. The suppressing effect is increased, and the reliability of the package obtained using the first protective film is further improved.

[충전재(D)][Filling material (D)]

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름은 충전재(D)를 함유하는 것이 바람직하다. 충전재(D)를 함유하는 제1 보호막은 열팽창 계수의 조정이 용이해진다. 예를 들면, 제1 보호막의 열팽창 계수를 반도체 칩에 대해 최적화함으로써, 제1 보호막을 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 충전재(D)를 함유하는 제1 보호막은 흡습률을 저감하거나 방열성을 향상시킬 수도 있다.It is preferable that the composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film contain a filler (D). The first protective film containing the filler (D) can easily adjust the thermal expansion coefficient. For example, by optimizing the coefficient of thermal expansion of the first protective film for the semiconductor chip, the reliability of the package obtained using the first protective film is further improved. In addition, the first protective film containing the filler (D) may reduce the moisture absorption rate or improve heat dissipation.

충전재(D)는 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 것이어도 되나, 무기 충전재인 것이 바람직하다.The filler (D) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler.

바람직한 무기 충전재로는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄 화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈; 이들 무기 충전재의 표면 개질품; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 들 수 있다.Preferred inorganic fillers include, for example, powders such as silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengala, silicon carbide, and boron nitride; Beads in which these inorganic fillers are spheroidized; Surface modified products of these inorganic fillers; Single crystal fibers of these inorganic fillers; And glass fibers.

이들 중에서도 무기 충전재는 실리카 또는 알루미나인 것이 바람직하다.Among these, it is preferable that the inorganic filler is silica or alumina.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 충전재(D)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition (III) for forming a resin layer and the filler (D) contained in the thermosetting resin film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

충전재(D)의 평균 입자 직경은 6㎛ 이하인 것이 바람직하고, 예를 들면, 4㎛ 이하, 2㎛ 이하, 및 0.5㎛ 이하 중 어느 하나여도 된다. 충전재(D)의 평균 입자 직경이 상기 상한값 이하임으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The average particle diameter of the filler (D) is preferably 6 µm or less, for example, any of 4 µm or less, 2 µm or less, and 0.5 µm or less. When the average particle diameter of the filler (D) is equal to or less than the above upper limit, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top of the bump becomes higher.

한편, 본 명세서에 있어서 「평균 입자 직경」이란, 특별히 언급하지 않는 한, 레이저 회절 산란법에 의해 구해진 입도 분포 곡선에 있어서의 적산값 50％에서의 입자 직경(D50)의 값을 의미한다.On the other hand, it indicates the value of the "average particle diameter" means a particle diameter (D 50) of from 50% integrated value of the particle size distribution curve obtained by a laser diffraction scattering method, unless otherwise specified in this specification.

충전재(D)의 평균 입자 직경의 하한값은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 충전재(D)의 평균 입자 직경은 충전재(D)의 입수가 보다 용이한 점에서는 0.01㎛ 이상인 것이 바람직하다.The lower limit of the average particle diameter of the filler (D) is not particularly limited. For example, it is preferable that the average particle diameter of the filler (D) is 0.01 µm or more from the viewpoint of easier availability of the filler (D).

충전재(D)의 평균 입자 직경은 상술한 하한값과 어느 하나의 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내가 되도록 적절히 조절할 수 있다.The average particle diameter of the filler (D) can be appropriately adjusted to be within a range set by arbitrarily combining the above-mentioned lower limit value and any one upper limit value.

예를 들면, 충전재(D)의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.01∼6㎛이며, 예를 들면, 0.01∼4㎛, 0.01∼2㎛, 및 0.01∼0.5㎛ 중 어느 하나여도 된다. 단, 이는 충전재(D)의 바람직한 평균 입자 직경의 일례이다.For example, the average particle diameter of the filler (D) is preferably 0.01 to 6 µm, for example, any of 0.01 to 4 µm, 0.01 to 2 µm, and 0.01 to 0.5 µm. However, this is an example of the preferable average particle diameter of the filler (D).

한편, 충전재(D)를 사용하는 경우, 수지층 형성용 조성물(III)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 충전재(D)의 함유량의 비율(즉, 열경화성 수지 필름에 있어서의 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 충전재(D)의 함유량의 비율)은 3∼30질량％인 것이 보다 바람직하며, 4∼20질량％인 것이 더욱 바람직하고, 5∼15질량％인 것이 특히 바람직하다. 충전재(D)의 함유량이 이러한 범위임으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아짐과 함께, 상기 열팽창 계수의 조정이 보다 용이해진다.On the other hand, when the filler (D) is used, in the composition (III) for forming a resin layer, the ratio of the content of the filler (D) to the total content of all components other than the solvent (that is, thermosetting in the thermosetting resin film) The ratio of the content of the filler (D) to the total mass of the resin film is more preferably 3 to 30% by mass, more preferably 4 to 20% by mass, and particularly preferably 5 to 15% by mass. When the content of the filler (D) is in this range, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top of the bump becomes higher, and adjustment of the thermal expansion coefficient becomes easier.

[커플링제(E)][Coupling agent (E)]

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름은 커플링제(E)를 함유하고 있어도 된다. 커플링제(E)로서 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는 것을 사용함으로써, 열경화성 수지 필름의 피착체에 대한 접착성 및 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 커플링제(E)를 함유하는 제1 보호막은 내열성을 저해하지 않고 내수성이 향상된다.The composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film may contain a coupling agent (E). By using a coupling agent (E) having a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound, adhesion and adhesion to the adherend of the thermosetting resin film can be improved. Moreover, the 1st protective film containing a coupling agent (E) improves water resistance without inhibiting heat resistance.

커플링제(E)는 중합체 성분(A), 열경화성 성분(B) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다.The coupling agent (E) is preferably a compound having a functional group capable of reacting with a functional group possessed by a polymer component (A), a thermosetting component (B), etc., and more preferably a silane coupling agent.

바람직한 상기 실란 커플링제로는, 예를 들면, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 3-글리시딜옥시메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필메틸디에톡시실란, 3-(페닐아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아닐리노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다.Preferred silane coupling agents include, for example, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3- Glycidyloxymethyldiethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethylamino)propyltrimethoxysilane, 3-(2-aminoethylamino)propylmethyldiethoxysilane, 3-(phenylamino)propyltrimethoxysilane, 3-anilinopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis(3-triethoxysilylpropyl)tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyl And triethoxysilane, vinyl trimethoxysilane, vinyl triacetoxysilane, and imidazole silane.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 커플링제(E)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition (III) for forming a resin layer and the coupling agent (E) contained in the thermosetting resin film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

커플링제(E)를 사용하는 경우, 수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 커플링제(E)의 함유량은 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)의 총 함유량 100질량부에 대해 0.03∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(E)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(D)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 열경화성 수지 필름의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(E)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 커플링제(E)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다.When the coupling agent (E) is used, in the composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film, the content of the coupling agent (E) is 100 parts by mass of the total content of the polymer component (A) and the thermosetting component (B) It is preferably 0.03 to 20 parts by mass, more preferably 0.05 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 5 parts by mass. When the content of the coupling agent (E) is equal to or greater than the above lower limit, the effect of using the coupling agent (E), such as improving the dispersibility of the filler (D) with respect to the resin or improving the adhesion of the thermosetting resin film to the adherend, etc. Is obtained more remarkably. Moreover, generation|occurrence|production of an outgas is suppressed more because the said content of the coupling agent (E) is below the said upper limit.

[가교제(F)][Crosslinking system (F)]

중합체 성분(A)으로서 다른 화합물과 결합 가능한 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 관능기를 갖는 것을 사용하는 경우, 수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름은 가교제(F)를 함유하고 있어도 된다. 가교제(F)는 중합체 성분(A) 중의 상기 관능기를 다른 화합물과 결합시켜 가교하기 위한 성분이며, 이와 같이 가교함으로써, 열경화성 수지 필름의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다.When using a polymer component (A) having a functional group such as a vinyl group, (meth)acryloyl group, amino group, hydroxyl group, carboxyl group or isocyanate group, which can be combined with other compounds, the composition (III) for forming a resin layer and a thermosetting resin The film may contain a crosslinking agent (F). The crosslinking agent (F) is a component for crosslinking by bonding the functional group in the polymer component (A) to other compounds, and by crosslinking in this way, the initial adhesion and cohesion of the thermosetting resin film can be adjusted.

가교제(F)로는, 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제), 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent (F) include organic polyvalent isocyanate compounds, organic polyvalent imine compounds, metal chelating crosslinking agents (crosslinking agents having a metal chelate structure), aziridine crosslinking agents (crosslinking agents having an aziridinyl group), and the like.

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들면, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물 및 지환족 다가 이소시아네이트 화합물(이하, 이들 화합물을 포괄하여 「방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등」이라고 약기하는 경우가 있다); 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등의 3량체, 이소시아누레이트체 및 어덕트체; 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머 등을 들 수 있다. 상기 「어덕트체」는, 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물 또는 지환족 다가 이소시아네이트 화합물과, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판 또는 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물의 반응물을 의미한다. 상기 어덕트체의 예로는, 후술하는 바와 같은 트리메틸올프로판의 자일릴렌디이소시아네이트 부가물 등을 들 수 있다. 또한, 「말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머」란, 앞서 설명한 바와 같다.As said organic polyvalent isocyanate compound, For example, aromatic polyvalent isocyanate compound, aliphatic polyvalent isocyanate compound, and alicyclic polyvalent isocyanate compound (Hereinafter, these compounds may be abbreviated as "aromatic polyvalent isocyanate compound, etc."); Trimers, isocyanurates, and adducts such as the aromatic polyvalent isocyanate compounds; And a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the aromatic polyvalent isocyanate compound with a polyol compound. The "adduct" is the aromatic polyvalent isocyanate compound, aliphatic polyvalent isocyanate compound or alicyclic polyvalent isocyanate compound, and low molecular weight active hydrogen-containing compounds such as ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane or castor oil. Means reactants. Examples of the adducts include xylylenediisocyanate adducts of trimethylolpropane as described later. In addition, the "terminal isocyanate urethane prepolymer" is as previously described.

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로서 보다 구체적으로는 예를 들면, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트; 2,6-톨릴렌디이소시아네이트; 1,3-자일릴렌디이소시아네이트; 1,4-자일렌디이소시아네이트; 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트; 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트; 이소포론디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트; 트리메틸올프로판 등의 폴리올의 전부 또는 일부의 수산기에 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 및 자일릴렌디이소시아네이트 중 어느 1종 또는 2종 이상이 부가한 화합물; 리신디이소시아네이트 등을 들 수 있다.More specifically, as the organic polyvalent isocyanate compound, for example, 2,4-tolylene diisocyanate; 2,6-tolylene diisocyanate; 1,3-xylylenediisocyanate; 1,4-xylenediisocyanate; Diphenylmethane-4,4'-diisocyanate; Diphenylmethane-2,4'-diisocyanate; 3-methyldiphenylmethane diisocyanate; Hexamethylene diisocyanate; Isophorone diisocyanate; Dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate; Dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate; Compounds in which any one or two or more of tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and xylylene diisocyanate are added to hydroxyl groups of all or part of a polyol such as trimethylolpropane; And lysine diisocyanate.

상기 유기 다가 이민 화합물로는, 예를 들면, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.Examples of the organic polyimine compound include N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxyamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinyl propionate. , Tetramethylolmethane-tri-β-aziridinylpropionate, N,N'-toluene-2,4-bis(1-aziridinecarboxamide)triethylenemelamine, and the like.

가교제(F)로서 유기 다가 이소시아네이트 화합물을 사용하는 경우, 중합체 성분(A)으로는, 수산기 함유 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 가교제(F)가 이소시아네이트기를 갖고, 중합체 성분(A)이 수산기를 갖는 경우, 가교제(F)와 중합체 성분(A)의 반응에 의해 열경화성 수지 필름에 가교 구조를 간편하게 도입할 수 있다.When using an organic polyvalent isocyanate compound as a crosslinking agent (F), it is preferable to use a hydroxyl group-containing polymer as the polymer component (A). When the crosslinking agent (F) has an isocyanate group and the polymer component (A) has a hydroxyl group, the crosslinking structure can be easily introduced into the thermosetting resin film by reaction of the crosslinking agent (F) and the polymer component (A).

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 가교제(F)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.As for the composition (III) for resin layer formation and the crosslinking agent (F) contained in the thermosetting resin film, only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these may be arbitrarily selected.

가교제(F)를 사용하는 경우, 수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 가교제(F)의 함유량은, 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.5∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 가교제(F)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 가교제(F)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 가교제(F)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 가교제(F)의 과잉 사용이 억제된다.When a crosslinking agent (F) is used, in the composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film, the content of the crosslinking agent (F) is 0.01 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the content of the polymer component (A). It is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 5 parts by mass. When the said content of crosslinking agent (F) is more than the said lower limit, the effect by using crosslinking agent (F) is obtained more remarkably. Moreover, when the said content of crosslinking agent (F) is below the said upper limit, excessive use of crosslinking agent (F) is suppressed.

[에너지선 경화성 수지(G)][Energy ray curable resin (G)]

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하고 있어도 된다. 열경화성 수지 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하고 있음으로써, 에너지선의 조사에 의해 특성을 변화시킬 수 있다.The composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film may contain the energy ray curable resin (G). Since the thermosetting resin film contains the energy ray-curable resin (G), properties can be changed by irradiation with energy rays.

에너지선 경화성 수지(G)는 에너지선 경화성 화합물을 중합(경화)하여 얻어진 것이다.The energy ray-curable resin (G) is obtained by polymerizing (curing) an energy ray-curable compound.

상기 에너지선 경화성 화합물로는, 예를 들면, 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 화합물이 바람직하다.Examples of the energy ray-curable compound include a compound having at least one polymerizable double bond in a molecule, and an acrylate-based compound having a (meth)acryloyl group is preferable.

상기 아크릴레이트계 화합물로는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트 등의 사슬형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트; 올리고에스테르(메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머; 에폭시 변성 (메타)아크릴레이트; 상기 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트 이외의 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다.Examples of the acrylate-based compound include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethanetetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, and pentaerythritol tetra(meth) Acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritolhexa(meth)acrylate, 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanedioldi( Chain-type aliphatic skeleton-containing (meth)acrylates such as meth)acrylate; Cyclic aliphatic skeleton-containing (meth)acrylates such as dicyclopentanyl di(meth)acrylate; Polyalkylene glycol (meth)acrylates such as polyethylene glycol di(meth)acrylate; Oligoester (meth)acrylate; Urethane (meth)acrylate oligomers; Epoxy modified (meth)acrylate; Polyether (meth)acrylates other than the polyalkylene glycol (meth)acrylate; And itaconic acid oligomers.

상기 에너지선 경화성 화합물의 중량 평균 분자량은, 100∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하다.The weight average molecular weight of the energy ray-curable compound is preferably 100 to 30000, and more preferably 300 to 10000.

중합에 사용하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.As for the said energy ray-curable compound used for superposition|polymerization, only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 에너지선 경화성 수지(G)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition (III) for forming a resin layer and the energy ray-curable resin (G) contained in the thermosetting resin film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

에너지선 경화성 수지(G)를 사용하는 경우, 수지층 형성용 조성물(III)에 있어서, 수지층 형성용 조성물(III)의 총 질량에 대한 에너지선 경화성 수지(G)의 함유량의 비율은 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 5∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량％인 것이 특히 바람직하다.When the energy ray-curable resin (G) is used, in the composition (III) for forming a resin layer, the ratio of the content of the energy ray-curable resin (G) to the total mass of the composition (III) for forming a resin layer is 1 to It is preferably 95 mass%, more preferably 5 to 90 mass%, and particularly preferably 10 to 85 mass%.

[광중합 개시제(H)][Photopolymerization initiator (H)]

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하는 경우, 에너지선 경화성 수지(G)의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제(H)를 함유하고 있어도 된다.The composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film contain a photopolymerization initiator (H) in order to efficiently carry out the polymerization reaction of the energy ray curable resin (G) when it contains the energy ray curable resin (G) You may have.

수지층 형성용 조성물(III)에 있어서의 광중합 개시제(H)로는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드 등의 설파이드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 2-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.As the photopolymerization initiator (H) in the composition (III) for forming a resin layer, for example, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid , Benzoin compounds such as methyl benzoin benzoate and benzoin dimethyl ketal; Acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; Acylphosphine oxide compounds such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; Sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide; Α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenylketone; Azo compounds such as azobisisobutyronitrile; Titanocene compounds such as titanocene; Thioxanthone compounds such as thioxanthone and 2,4-diethyl thioxanthone; Peroxide compounds; Diketone compounds such as diacetyl; benzyl; Dibenzyl; Benzophenone; 1,2-diphenylmethane; 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone; 2-chloroanthraquinone, etc. are mentioned.

또한, 광중합 개시제(H)로는, 예를 들면, 1-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 아민 등의 광증감제 등을 사용할 수도 있다.Moreover, as a photoinitiator (H), For example, quinone compounds, such as 1-chloro anthraquinone; It is also possible to use photosensitizers such as amines.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 광중합 개시제(H)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition (III) for forming a resin layer and the photopolymerization initiator (H) contained in the thermosetting resin film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

광중합 개시제(H)를 사용하는 경우, 수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름에 있어서, 광중합 개시제(H)의 함유량은, 에너지선 경화성 수지(G)의 함유량 100질량부에 대해 0.1∼20질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 2∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.When a photopolymerization initiator (H) is used, in the composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film, the content of the photopolymerization initiator (H) is 0.1 to 100 parts by mass with respect to the content of the energy ray-curable resin (G). It is preferably 20 parts by mass, more preferably 1-10 parts by mass, and particularly preferably 2-5 parts by mass.

[착색제(I)][Colorant (I)]

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름은 착색제(I)를 함유하고 있어도 된다. 착색제(I)는 예를 들면, 열경화성 수지 필름 및 제1 보호막에 적절한 광선 투과율을 부여하기 위한 성분이다.The composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film may contain a colorant (I). The colorant (I) is, for example, a component for imparting a suitable light transmittance to the thermosetting resin film and the first protective film.

착색제(I)는 공지의 것이면 되며, 예를 들면, 염료 및 안료 중 어느 것이어도 된다.The colorant (I) may be any known one, and for example, any of dyes and pigments may be used.

예를 들면, 염료는, 산성 염료, 반응 염료, 직접 염료, 분산 염료 및 양이온 염료 등 중 어느 것이어도 된다.For example, the dye may be any of an acidic dye, a reactive dye, a direct dye, a disperse dye, and a cationic dye.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 착색제(I)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition (III) for forming a resin layer and the colorant (I) contained in the thermosetting resin film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

착색제(I)를 사용하는 경우, 수지층 형성용 조성물(III)의 착색제(I)의 함유량은, 열경화성 수지 필름의 가시광선 투과율 및 적외선 투과율이 목적의 값이 되도록 적절히 조절하면 되며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 착색제(I)의 함유량은, 착색제(I)의 종류나, 2종 이상의 착색제(I)를 병용하는 경우에는, 이들 착색제(I)의 조합 등에 따라 적절히 조절하면 된다.When the coloring agent (I) is used, the content of the coloring agent (I) of the composition (III) for forming a resin layer may be appropriately adjusted so that the visible light transmittance and infrared transmittance of the thermosetting resin film are the desired values, and is not particularly limited. Does not. For example, the content of the colorant (I) may be appropriately adjusted depending on the type of the colorant (I) or a combination of two or more colorants (I) or the like.

착색제(I)를 사용하는 경우, 통상은, 수지층 형성용 조성물(III)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 착색제(I)의 함유량의 비율(즉, 열경화성 수지 필름에 있어서의 열경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 착색제(I)의 함유량의 비율)은 0.01∼10질량％인 것이 바람직하다.When the coloring agent (I) is used, in the composition (III) for forming a resin layer, usually, the ratio of the content of the coloring agent (I) to the total content of all components other than the solvent (that is, in the thermosetting resin film) It is preferable that the ratio of the content of the coloring agent (I) to the total mass of the thermosetting resin film is 0.01 to 10% by mass.

[범용 첨가제(J)][Universal additive (J)]

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 범용 첨가제(J)를 함유하고 있어도 된다.The composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film may contain a general-purpose additive (J) within a range that does not impair the effects of the present invention.

범용 첨가제(J)는 공지의 것이면 되며, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는, 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 게터링제 등을 들 수 있다.The general-purpose additive (J) may be any known one, and may be arbitrarily selected according to the purpose, and is not particularly limited, and preferred examples thereof include plasticizers, antistatic agents, antioxidants, gettering agents, and the like.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름이 함유하는 범용 첨가제(J)는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition (III) for forming a resin layer and the general-purpose additive (J) contained in the thermosetting resin film may be one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름의 범용 첨가제(J)의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다.The content of the composition (III) for forming a resin layer and the general-purpose additive (J) of the thermosetting resin film is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose.

[용매][menstruum]

수지층 형성용 조성물(III)은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 수지층 형성용 조성물(III)은 취급성이 양호해진다.It is preferable that the composition (III) for resin layer formation further contains a solvent. The composition (III) for forming a resin layer containing a solvent has good handleability.

상기 용매는 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.The solvent is not particularly limited, and preferred examples include hydrocarbons such as toluene and xylene; Alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol), and 1-butanol; Esters such as ethyl acetate; Ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; Ethers such as tetrahydrofuran; And amides (compounds having amide bonds) such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone.

수지층 형성용 조성물(III)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.As for the solvent contained in the composition (III) for resin layer formation, only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these may be arbitrarily selected.

수지층 형성용 조성물(III)이 함유하는 용매는, 수지층 형성용 조성물(III) 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다.The solvent contained in the composition for forming a resin layer (III) is preferably methyl ethyl ketone or the like because the components contained in the composition for forming a resin layer (III) can be more uniformly mixed.

수지층 형성용 조성물(III)의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.The content of the solvent of the composition (III) for forming a resin layer is not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the type of components other than the solvent, for example.

수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름은 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유하고, 중합체 성분(A)으로서 폴리비닐아세탈을 함유하며, 또한 에폭시 수지(B1)로서 상온에서 액상인 것을 함유하는 것이 바람직하고, 이들 성분 이외에, 추가로 경화 촉진제(C) 및 충전재(D)를 함유하는 것이 보다 바람직하다. 그리고, 이 경우의 충전재(D)는 상술한 평균 입자 직경을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 수지층 형성용 조성물(III) 및 열경화성 수지 필름을 사용함으로써, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The composition (III) for resin layer formation and the thermosetting resin film contain the polymer component (A) and the thermosetting component (B), and contain the polyvinyl acetal as the polymer component (A), and also the epoxy resin (B1) at room temperature. It is preferable to contain a liquid, and it is more preferable to contain a curing accelerator (C) and a filler (D) in addition to these components. In addition, it is preferable that the filler (D) in this case has the above-mentioned average particle diameter. By using such a composition (III) for forming a resin layer and a thermosetting resin film, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue at the top portion of the bump becomes higher.

수지층 형성용 조성물(III)로 바람직한 일 실시형태로는, 예를 들면, 폴리비닐아세탈인 중합체 성분(A)과, 상온에서 액상인 에폭시 수지(B1)와, 열경화제(B2)와, 경화 촉진제(C)와, 충전재(D)를 함유하고, 수지층 형성용 조성물(III)에 있어서, 상기 에폭시 수지(B1)와 열경화제(B2)의 총 함유량이 상기 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해 600∼1000질량부이며, 또한, 경화 촉진제(C)의 함유량이 상기 에폭시 수지(B1)와 열경화제(B2)의 총 함유량 100질량부에 대해 0.1∼5질량부이며, 수지층 형성용 조성물(III)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 충전재(D)의 함유량의 비율이 3∼30질량％이며, 충전재(D)의 평균 입자 직경이 6㎛ 이하인 것을 들 수 있다.As a preferable embodiment as the composition (III) for forming a resin layer, for example, a polyvinyl acetal polymer component (A), a liquid epoxy resin (B1) at room temperature, a thermosetting agent (B2), and curing The total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2) in the composition (III) for forming a resin layer containing the accelerator (C) and the filler (D) is 100 in the content of the polymer component (A). It is 600-1000 mass parts with respect to mass parts, and content of hardening accelerator (C) is 0.1-5 mass parts with respect to 100 mass parts of total content of the said epoxy resin (B1) and a thermosetting agent (B2), and a resin layer In the composition (III) for forming, the ratio of the content of the filler (D) to the total content of all components other than the solvent is 3 to 30% by mass, and the average particle diameter of the filler (D) is 6 µm or less. have.

수지층 형성용 조성물(III)로 보다 바람직한 일 실시형태로는, 예를 들면, 폴리비닐아세탈인 중합체 성분(A)과, 상온에서 액상인 에폭시 수지(B1)와, 열경화제(B2)와, 경화 촉진제(C)와, 충전재(D)를 함유하고, 상기 폴리비닐아세탈의 중량 평균 분자량이 40000 이하이며, 상기 에폭시 수지(B1)의 중량 평균 분자량이 10000 이하이며, 수지층 형성용 조성물(III)에 있어서, 상기 에폭시 수지(B1)와 열경화제(B2)의 총 함유량이 상기 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해 600∼1000질량부이며, 또한, 경화 촉진제(C)의 함유량이 상기 에폭시 수지(B1)와 열경화제(B2)의 총 함유량 100질량부에 대해 0.1∼5질량부이며, 수지층 형성용 조성물(III)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 충전재(D)의 함유량의 비율이 5∼15질량％이며, 충전재(D)의 평균 입자 직경이 2㎛ 이하인 것을 들 수 있다.As a more preferable embodiment as the composition (III) for forming a resin layer, for example, a polyvinyl acetal polymer component (A), a liquid epoxy resin (B1) at room temperature, a thermosetting agent (B2), A curing accelerator (C) and a filler (D), the weight average molecular weight of the polyvinyl acetal is 40000 or less, the weight average molecular weight of the epoxy resin (B1) is 10000 or less, and the composition for forming a resin layer (III ), the total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2) is 600 to 1000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the polymer component (A), and the content of the curing accelerator (C) is The total content of the epoxy resin (B1) and the heat curing agent (B2) is 0.1 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass, and in the composition (III) for forming a resin layer, the filler for the total content of all components other than the solvent ( The ratio of content of D) is 5-15 mass %, and the average particle diameter of filler (D) is 2 micrometers or less.

◎열경화성 수지 필름 형성용 조성물의 제조 방법◎Production method of composition for forming thermosetting resin film

수지층 형성용 조성물(III) 등의 열경화성 수지 필름 형성용 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.The composition for forming a thermosetting resin film, such as the composition for forming a resin layer (III), is obtained by blending each component for constituting it.

각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.The order of addition when mixing each component is not particularly limited, and two or more components may be added simultaneously.

용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외의 어느 하나의 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되며, 용매 이외의 어느 하나의 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다.In the case of using a solvent, the solvent may be mixed with any other blending component other than the solvent to dilute the blending component in advance, and the solvent may be used without diluting any blending component other than the solvent in advance. You may use it by mixing with these compounding components.

배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.The method of mixing each component at the time of compounding is not particularly limited, and a method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade or the like; A method of mixing using a mixer; You may select suitably from well-known methods, such as the method of adding and mixing ultrasonic waves.

각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도 그리고 시간은, 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되나, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.The temperature and time at the time of addition and mixing of each component are not particularly limited as long as each compounding component does not deteriorate, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30°C.

◎에너지선 경화성 수지 필름 형성용 조성물◎Energy ray curable resin film forming composition

○수지층 형성용 조성물(IV)○ Composition (IV) for resin layer formation

에너지선 경화성 수지 필름 형성용 조성물로는, 예를 들면, 에너지선 경화성 성분(a)을 함유하는 에너지선 경화성 수지 필름 형성용 조성물(IV)(본 명세서에 있어서는, 단순히 「수지층 형성용 조성물(IV)」이라고 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다.As the composition for forming an energy ray-curable resin film, for example, the composition (IV) for forming an energy ray-curable resin film containing the energy ray-curable component (a) (in this specification, simply, "the composition for forming a resin layer ( IV)” may be abbreviated).

[에너지선 경화성 성분(a)][Energy ray curable component (a)]

에너지선 경화성 성분(a)는 에너지선의 조사에 의해 경화하는 성분이며, 에너지선 경화성 수지 필름에 조막성이나 가요성 등을 부여하기 위한 성분이기도 하다.The energy ray-curable component (a) is a component that is cured by irradiation with energy rays, and is also a component for imparting film formability, flexibility, and the like to the energy ray-curable resin film.

에너지선 경화성 성분(a)으로는, 예를 들면, 에너지선 경화성기를 갖는 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1), 및 에너지선 경화성기를 갖는 분자량이 100∼80000인 화합물(a2)을 들 수 있다. 상기 중합체(a1)는 그 적어도 일부가 가교제에 의해 가교된 것이어도 되며, 가교되어 있지 않은 것이어도 된다.Examples of the energy ray-curable component (a) include a polymer (a1) having a weight average molecular weight of 80000 to 2000000 having an energy ray-curable group, and a compound (a2) having a molecular weight of 100 to 80000 having an energy ray-curable group. Can. The polymer (a1) may be at least partially crosslinked by a crosslinking agent, or may not be crosslinked.

에너지선 경화성기를 갖는 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1)로는, 예를 들면, 다른 화합물이 갖는 기와 반응 가능한 관능기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)와, 상기 관능기와 반응하는 기, 및 에너지선 경화성 이중 결합 등의 에너지선 경화성기를 갖는 에너지선 경화성 화합물(a12)이 중합하여 이루어지는 아크릴계 수지(a1-1)를 들 수 있다.As the polymer (a1) having a weight average molecular weight of 80000 to 2000000 having an energy ray-curable group, for example, an acrylic polymer (a11) having a functional group capable of reacting with a group of another compound, a group reacting with the functional group, and an energy ray And an acrylic resin (a1-1) formed by polymerization of an energy ray-curable compound (a12) having an energy ray-curable group such as a curable double bond.

다른 화합물이 갖는 기와 반응 가능한 상기 관능기로는, 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기(아미노기의 1개 또는 2개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환되어 이루어지는 기), 에폭시기 등을 들 수 있다. 단, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등의 회로의 부식을 방지한다는 점에서는 상기 관능기는 카르복시기 이외의 기인 것이 바람직하다.Examples of the functional groups capable of reacting with groups of other compounds include hydroxyl groups, carboxyl groups, amino groups, and substituted amino groups (groups in which one or two hydrogen atoms of an amino group are substituted with groups other than hydrogen atoms), epoxy groups, and the like. have. However, from the viewpoint of preventing corrosion of a circuit such as a semiconductor wafer or a semiconductor chip, the functional group is preferably a group other than a carboxy group.

이들 중에서도 상기 관능기는 수산기인 것이 바람직하다.Among these, it is preferable that the said functional group is a hydroxyl group.

상기 관능기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)로는, 예를 들면, 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머와, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머가 공중합하여 이루어지는 것을 들 수 있고, 이들 모노머 이외에, 추가로 아크릴계 모노머 이외의 모노머(비아크릴계 모노머)가 공중합한 것이어도 된다.Examples of the acrylic polymer (a11) having the functional group include those obtained by copolymerizing an acrylic monomer having the functional group with an acrylic monomer having no functional group, and in addition to these monomers, monomers other than the acrylic monomers (Non-acrylic monomer) may be copolymerized.

또한, 상기 아크릴계 중합체(a11)는 랜덤 공중합체여도 되며, 블록 공중합체여도 된다.Further, the acrylic polymer (a11) may be a random copolymer or a block copolymer.

상기 아크릴계 중합체(a11)에 있어서, 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머, 및 비아크릴계 모노머는 모두 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.In the said acrylic polymer (a11), the acrylic monomer which has the said functional group, the acrylic monomer which does not have the said functional group, and a non-acrylic monomer may be used individually by 1 type, may use 2 or more types together, and 2 or more types When using together, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.

상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 상기 아크릴계 중합체(a11)가 갖는 관능기와 반응 가능한 기로서 이소시아네이트기, 에폭시기 및 카르복시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 갖는 것이 바람직하고, 상기 기로서 이소시아네이트기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 예를 들면, 상기 기로서 이소시아네이트기를 갖는 경우, 이 이소시아네이트기가 상기 관능기로서 수산기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)의 이 수산기와 용이하게 반응한다.The energy ray-curable compound (a12) is a group capable of reacting with a functional group of the acrylic polymer (a11), and preferably has one or two or more selected from the group consisting of isocyanate groups, epoxy groups and carboxy groups, and as the groups It is more preferable to have an isocyanate group. The energy ray-curable compound (a12), for example, when having an isocyanate group as the group, easily reacts with this hydroxyl group of the acrylic polymer (a11) having the hydroxyl group as the functional group.

에너지선 경화성기를 갖는 분자량이 100∼80000인 화합물(a2) 중의 상기 에너지선 경화성기로는, 에너지선 경화성 이중 결합을 포함하는 기를 들 수 있고, 바람직한 것으로는 (메타)아크릴로일기, 비닐기 등을 들 수 있다.Examples of the energy ray-curable group in the compound (a2) having a molecular weight of 100 to 80000 having an energy ray-curable group include groups containing an energy ray-curable double bond, and preferred examples include (meth)acryloyl groups, vinyl groups, and the like. Can be lifted.

[에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)][Polymer (b) having no energy ray-curable groups]

수지층 형성용 조성물(IV) 및 에너지선 경화성 수지 필름은 상기 에너지선 경화성 성분(a)으로서 상기 화합물(a2)을 함유하는 경우, 추가로 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)도 함유하는 것이 바람직하다.When the composition (IV) for forming a resin layer and the energy ray-curable resin film contain the compound (a2) as the energy ray-curable component (a), it is also necessary to further contain a polymer (b) having no energy ray-curable group. desirable.

상기 중합체(b)는 그 적어도 일부가 가교제에 의해 가교된 것이어도 되며, 가교되어 있지 않은 것이어도 된다.The polymer (b) may be at least partially crosslinked by a crosslinking agent, or may not be crosslinked.

에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는, 예를 들면, 아크릴계 중합체, 페녹시 수지, 우레탄 수지, 폴리에스테르, 고무계 수지, 아크릴우레탄 수지 등을 들 수 있다.Examples of the polymer (b) having no energy ray-curable group include acrylic polymers, phenoxy resins, urethane resins, polyesters, rubber resins, and acrylic urethane resins.

이들 중에서도 상기 중합체(b)는 아크릴계 중합체(본 명세서에 있어서는, 「아크릴계 중합체(b-1)」라고 칭하는 경우가 있다)인 것이 바람직하다.Among these, it is preferable that the said polymer (b) is an acrylic polymer (in this specification, it may be called "acrylic polymer (b-1)").

수지층 형성용 조성물(IV)로는, 상기 중합체(a1) 및 상기 화합물(a2) 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 함유하는 것을 들 수 있다. 그리고, 수지층 형성용 조성물(IV)은 상기 화합물(a2)을 함유하는 경우, 추가로 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)도 함유하는 것이 바람직하고, 이 경우, 추가로 상기 중합체(a1)를 함유하는 것도 바람직하다. 또한, 수지층 형성용 조성물(IV)은 상기 화합물(a2)을 함유하지 않고, 상기 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함께 함유하고 있어도 된다.As a composition (IV) for resin layer formation, what contains one or both of the said polymer (a1) and the said compound (a2) is mentioned. In addition, when the composition (IV) for forming a resin layer contains the compound (a2), it is preferable to further contain a polymer (b) having no energy ray-curable groups, and in this case, the polymer (a1) further It is also preferable to contain. In addition, the composition (IV) for forming a resin layer may not contain the compound (a2), but may also contain the polymer (a1) and a polymer (b) that does not have an energy ray-curable group.

수지층 형성용 조성물(IV)에 있어서, 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)는, 각각 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.In the composition (IV) for forming a resin layer, the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group may be used alone or in combination of two or more. When using 2 or more types together, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.

수지층 형성용 조성물(IV)이 상기 중합체(a1), 상기 화합물(a2) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함유하는 경우, 수지층 형성용 조성물(IV)에 있어서, 상기 화합물(a2)의 함유량은 상기 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 총 함유량 100질량부에 대해 10∼400질량부인 것이 바람직하다.When the composition (IV) for forming a resin layer contains the polymer (a1), the compound (a2), and a polymer (b) having no energy ray-curable group, in the composition (IV) for forming a resin layer, the compound ( It is preferable that content of a2) is 10-400 mass parts with respect to 100 mass parts of total content of the said polymer (a1) and the polymer (b) which does not have an energy ray curable group.

수지층 형성용 조성물(IV)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량의 비율(즉, 에너지선 경화성 수지 필름에 있어서의 에너지선 경화성 수지 필름의 총 질량에 대한 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량의 비율)은 5∼90질량％인 것이 바람직하다.In the composition (IV) for forming a resin layer, the ratio of the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group to the total content of components other than the solvent (that is, energy ray curability) The ratio of the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group to the total mass of the energy ray-curable resin film in the resin film is preferably 5 to 90% by mass. .

수지층 형성용 조성물(IV)은 상기 에너지선 경화성 성분 이외에, 목적에 따라 열경화성 성분, 광중합 개시제, 충전재, 커플링제, 가교제, 착색제, 범용 첨가제 및 용매로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 함유하고 있어도 된다. 예를 들면, 상기 에너지선 경화성 성분 및 열경화성 성분을 함유하는 수지층 형성용 조성물(IV)을 사용함으로써 형성되는 에너지선 경화성 수지 필름은 가열에 의해 피착체에 대한 접착력이 향상되고, 이 에너지선 경화성 수지 필름으로부터 형성된 제1 보호막의 강도도 향상된다.The composition (IV) for forming a resin layer is one or two or more selected from the group consisting of a thermosetting component, a photopolymerization initiator, a filler, a coupling agent, a crosslinking agent, a colorant, a general purpose additive, and a solvent, depending on the purpose, in addition to the energy ray curable component It may contain. For example, the energy ray-curable resin film formed by using the composition (IV) for forming a resin layer containing the energy ray-curable component and the thermosetting component has improved adhesion to an adherend by heating, and this energy ray-curable The strength of the first protective film formed from the resin film is also improved.

수지층 형성용 조성물(IV)에 있어서의 상기 열경화성 성분, 광중합 개시제, 충전재, 커플링제, 가교제, 착색제, 범용 첨가제 및 용매로는, 각각 수지층 형성용 조성물(III)에 있어서의 열경화성 성분(B), 광중합 개시제(H), 충전재(D), 커플링제(E), 가교제(F), 착색제(I), 범용 첨가제(J) 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다.The thermosetting component, photopolymerization initiator, filler, coupling agent, crosslinking agent, colorant, general purpose additive and solvent in the composition (IV) for forming a resin layer, respectively, are thermosetting components (B) in the composition (III) for forming a resin layer. ), photopolymerization initiators (H), fillers (D), coupling agents (E), crosslinking agents (F), colorants (I), general-purpose additives (J), and the same solvents.

수지층 형성용 조성물(IV)에 있어서, 상기 열경화성 성분, 광중합 개시제, 충전재, 커플링제, 가교제, 착색제, 범용 첨가제 및 용매는, 각각 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.In the composition (IV) for forming a resin layer, the thermosetting component, photopolymerization initiator, filler, coupling agent, crosslinking agent, colorant, general-purpose additive, and solvent may be used alone or in combination of two or more. , When two or more kinds are used in combination, the combination and ratio of these can be arbitrarily selected.

수지층 형성용 조성물(IV)에 있어서의 상기 열경화성 성분, 광중합 개시제, 충전재, 커플링제, 가교제, 착색제, 범용 첨가제 및 용매의 함유량은 목적에 따라 적절히 조절하면 되며, 특별히 한정되지 않는다.The content of the thermosetting component, photopolymerization initiator, filler, coupling agent, crosslinking agent, colorant, general purpose additive, and solvent in the resin layer forming composition (IV) may be appropriately adjusted according to the purpose, and is not particularly limited.

◎에너지선 경화성 수지 필름 형성용 조성물의 제조 방법◎Production method of composition for forming energy ray curable resin film

수지층 형성용 조성물(IV) 등의 에너지선 경화성 수지 필름 형성용 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.The composition for forming an energy ray-curable resin film, such as the composition for forming a resin layer (IV), is obtained by blending each component for constituting it.

각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되어 있지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.The order of addition when mixing each component is not particularly limited, and two or more components may be added simultaneously.

용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외의 어느 하나의 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되며, 용매 이외의 어느 하나의 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다.In the case of using a solvent, the solvent may be mixed with any other blending component other than the solvent to dilute the blending component in advance, and the solvent may be used without diluting any blending component other than the solvent in advance. You may use it by mixing with these compounding components.

배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.The method of mixing each component at the time of compounding is not particularly limited, and a method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade or the like; A method of mixing using a mixer; You may select suitably from well-known methods, such as the method of adding and mixing ultrasonic waves.

각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도 그리고 시간은, 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되나, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.The temperature and time at the time of addition and mixing of each component are not particularly limited as long as each compounding component does not deteriorate, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30°C.

◇제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법◇ Manufacturing method of semiconductor chip with first protective film

본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법은, 상술한 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서, 반도체 웨이퍼의 범프를 갖는 면에 경화성 수지 필름을 첩부하는 공정(본 명세서에 있어서는, 「첩부 공정」이라고 약기하는 경우가 있다)과, 첩부 후의 상기 경화성 수지 필름을 경화시킴으로써, 제1 보호막을 형성하는 공정(본 명세서에 있어서는, 「제1 보호막 형성 공정」이라고 약기하는 경우가 있다)과, 상기 반도체 웨이퍼를 분할함으로써, 반도체 칩을 얻는 공정(본 명세서에 있어서는, 「분할 공정」이라고 약기하는 경우가 있다)을 갖고, 상기 경화성 수지 필름을 첩부하는 공정에 있어서, 상기 주석의 농도 비율이 5％ 이상이 되도록 상기 범프의 꼭대기부를 상기 경화성 수지 필름으로부터 돌출시키거나, 또는 상기 경화성 수지 필름을 첩부하는 공정 후, 추가로 상기 주석의 농도 비율이 5％ 이상이 되도록 상기 범프 상의 잔류물의 양을 저감하는 공정(본 명세서에 있어서는, 「잔류물 저감 공정」이라고 약기하는 경우가 있다)을 갖는다.The manufacturing method of the semiconductor chip with a 1st protective film of this invention is the manufacturing method of the semiconductor chip with a 1st protective film mentioned above, The process of attaching a curable resin film to the surface which has the bump of a semiconductor wafer (in this specification, The step of forming a first protective film by curing the curable resin film after sticking may be abbreviated as "the step of attaching". In addition, in the step of attaching the curable resin film, having a step of obtaining a semiconductor chip by dividing the semiconductor wafer (in this specification, sometimes referred to as a "splitting step"), the concentration ratio of the tin After the step of protruding the top portion of the bump from the curable resin film so that it is 5% or more, or attaching the curable resin film, the amount of residue on the bump is further such that the concentration ratio of the tin is 5% or more. It has a process of reducing (in this specification, it may be abbreviated as a "residue reduction process").

이하, 도면을 참조하면서 상기 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to the drawings.

우선, 도 1에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 5는, 본 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.First, the manufacturing method of the semiconductor chip in which the 1st protective film shown in FIG. 1 was formed is demonstrated. 5 is an enlarged cross-sectional view for schematically explaining the present embodiment.

＜첩부 공정＞<attachment process>

상기 제조 방법에 있어서는, 우선, 상기 첩부 공정을 행하여, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')의 범프 형성면(9a)에 경화성 수지 필름(13')을 첩부한다. 본 공정을 행함으로써 경화성 수지 필름(13')이 다수개 존재하는 범프(91) 사이에 퍼지고, 범프 형성면(9a)에 밀착함과 함께, 범프(91)의 표면(91a), 특히 범프 형성면(9a)의 근방 부위의 표면(91a)을 덮고, 범프(91)를 매립하여 이들의 영역을 피복하고 있는 상태로 할 수 있다.In the above manufacturing method, first, the attaching step is performed, and as shown in Fig. 5(a), the curable resin film 13' is attached to the bump forming surface 9a of the semiconductor wafer 9'. By performing this process, the curable resin film 13' spreads between the bumps 91 in which a large number is present, adheres to the bump forming surface 9a, and forms the surface 91a of the bump 91, particularly bumps. The surface 91a of the area near the surface 9a is covered, and the bumps 91 are buried to cover these regions.

본 공정에 있어서는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)의 꼭대기부(910)는 경화성 수지 필름(13')을 관통하여 경화성 수지 필름(13')으로부터 돌출한다.In this step, for example, the top portion 910 of the bump 91 of the semiconductor wafer 9'penetrates through the curable resin film 13' and protrudes from the curable resin film 13'.

첩부 공정에 있어서는, 예를 들면, 경화성 수지 필름(13')을 단독으로 사용해도 되나, 여기에 나타내는 바와 같이, 제1 지지 시트(10)와 제1 지지 시트(10) 상에 형성된 경화성 수지 필름(13')을 구비하여 구성된 제1 보호막 형성용 시트(191)를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 제1 보호막 형성용 시트(191)를 사용함으로써, 경화성 수지 필름(13')과 범프 형성면(9a) 사이 및 경화성 수지 필름(13')과 범프(91)의 표면(91a) 사이 중 어느 것에 있어서도, 공극부의 발생을 보다 억제할 수 있다. 또한 최종적으로, 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.In the pasting step, for example, the curable resin film 13' may be used alone, but as shown herein, the curable resin film formed on the first support sheet 10 and the first support sheet 10 is formed. It is preferable to use a sheet 191 for forming a first protective film provided with (13'). By using the sheet 191 for forming the first protective film, any of the curable resin film 13' and the bump forming surface 9a and the curable resin film 13' and the surface 91a of the bump 91 are used. Also in this, the generation of voids can be further suppressed. In addition, finally, in the top portion 910 of the bump 91, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue becomes higher.

첩부 공정에 있어서, 여기에 나타내는 바와 같은 제1 보호막 형성용 시트를 사용하는 경우에는, 제1 보호막 형성용 시트 중의 경화성 수지 필름을 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 첩부함으로써, 제1 보호막 형성용 시트 자체를 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 첩부하면 된다.In the pasting step, when the sheet for forming a first protective film as shown herein is used, the sheet for forming the first protective film itself is adhered by attaching the curable resin film in the sheet for forming the first protective film to the bump forming surface of the semiconductor wafer May be attached to the bump formation surface of the semiconductor wafer.

한편, 본 명세서에 있어서는, 여기에 나타내는 바와 같은 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막 형성용 시트가 첩부되어 구성된 것을 「적층 구조체(1)」라고 칭하는 경우가 있다. 도 5에 있어서는, 적층 구조체(1)(101)로서 반도체 웨이퍼(9')의 범프 형성면(9a)에 제1 보호막 형성용 시트(191)가 첩부되어 구성된 것을 나타내고 있다.On the other hand, in the present specification, the first protective film forming sheet is attached to the bump forming surface of the semiconductor wafer as shown herein, and may be referred to as a "laminated structure 1". 5, it shows that the sheet 191 for forming a 1st protective film is attached to the bump formation surface 9a of the semiconductor wafer 9'as the laminated structure 1 and 101. As shown in FIG.

제1 보호막 형성용 시트(191)에 있어서, 제1 지지 시트(10)는 제1 기재(11)와 제1 기재(11) 상에 형성된 완충층(12)을 구비하여 구성되어 있다. 즉, 제1 보호막 형성용 시트(191)는 제1 기재(11), 완충층(12) 및 경화성 수지 필름(13')이 이 순서로 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.In the sheet 191 for forming a first protective film, the first support sheet 10 is configured to include a first substrate 11 and a buffer layer 12 formed on the first substrate 11. That is, the 1st protective film forming sheet 191 is comprised by the 1st base material 11, the buffer layer 12, and the curable resin film 13' laminated|stacked in these thickness directions in this order.

도 6은 제1 보호막 형성용 시트(191)를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.6 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a sheet 191 for forming a first protective film.

제1 지지 시트(10)로는 공지의 것을 사용할 수 있다.As the 1st support sheet 10, a well-known thing can be used.

제1 기재(11)는 시트상 또는 필름상이며, 그 구성 재료로는 예를 들면, 각종 수지를 들 수 있다.The 1st base material 11 is a sheet form or a film form, For example, various resin is mentioned as a structural material.

상기 수지로는 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 등의 폴리에틸렌; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 노르보르넨 수지 등의 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀; 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체(모노머로서 에틸렌을 사용하여 얻어진 공중합체); 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 염화비닐계 수지(모노머로서 염화비닐을 사용하여 얻어진 수지); 폴리스티렌; 폴리시클로올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복시레이트, 모든 구성 단위가 방향족 고리형 기를 갖는 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르; 2종 이상의 상기 폴리에스테르의 공중합체; 폴리(메타)아크릴산에스테르; 폴리우레탄; 폴리우레탄아크릴레이트; 폴리이미드; 폴리아미드; 폴리카보네이트; 불소 수지; 폴리아세탈; 변성 폴리페닐렌옥시드; 폴리페닐렌설파이드; 폴리술폰; 폴리에테르케톤 등을 들 수 있다.Examples of the resin include polyethylene such as low density polyethylene (LDPE), straight chain low density polyethylene (LLDPE), and high density polyethylene (HDPE); Polyolefins other than polyethylene, such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, and norbornene resins; Ethylene-based copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer, and ethylene-norbornene copolymer (copolymer obtained by using ethylene as a monomer) ; Vinyl chloride resins such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymers (resin obtained using vinyl chloride as a monomer); polystyrene; Polycycloolefin; Polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, and wholly aromatic polyesters in which all structural units have aromatic cyclic groups; Copolymers of two or more of the above polyesters; Poly(meth)acrylic acid esters; Polyurethane; Polyurethane acrylate; Polyimide; Polyamide; Polycarbonate; Fluorine resin; Polyacetal; Modified polyphenylene oxide; Polyphenylene sulfide; Polysulfone; And polyether ketones.

또한, 상기 수지로는 예를 들면, 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 혼합물 등의 폴리머 알로이도 들 수 있다. 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 폴리머 알로이는 폴리에스테르 이외의 수지의 양이 비교적 소량인 것이 바람직하다.Moreover, polymer alloys, such as a mixture of the said polyester and other resins, are also mentioned as said resin. It is preferable that the polymer alloy of the above-mentioned polyester and other resins has a relatively small amount of resin other than polyester.

또한, 상기 수지로는 예를 들면, 지금까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상이 가교한 가교 수지; 지금까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상을 사용한 아이오노머 등의 변성 수지도 들 수 있다.Moreover, as said resin, For example, the 1 or 2 or more types of crosslinked resin bridge|crosslinked of the resin illustrated so far; And modified resins such as ionomers using one or two or more of the resins exemplified so far.

제1 기재(11)를 구성하는 수지는 1종만이어도 되며, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.As for the resin constituting the first base material 11, only 1 type may be sufficient, 2 or more types may be sufficient, and when it is 2 or more types, the combination and ratio of these may be arbitrarily selected.

제1 기재(11)는 1층(단층)만이어도 되며, 2층 이상의 복수층이어도 되고, 복수층인 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.The first substrate 11 may be composed of only one layer (single layer), or may be a plurality of layers of two or more layers, and in the case of a plurality of layers, these multiple layers may be the same or different from each other, and the combination of these multiple layers is not particularly limited. .

제1 기재(11)의 두께는 25∼150㎛인 것이 바람직하다.The thickness of the first substrate 11 is preferably 25 to 150 μm.

여기서, 「제1 기재(11)의 두께」란, 제1 기재(11) 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 제1 기재(11)의 두께란, 제1 기재(11)를 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.Here, the "thickness of the 1st base material 11" means the thickness of the whole 1st base material 11, for example, the thickness of the 1st base material 11 which consists of multiple layers is 1st base material 11 ) Means the thickness of the sum of all the layers constituting.

완충층(12)은 완충층(12)과 이에 인접하는 층에 가해지는 힘에 대해, 완충 작용을 갖는다. 여기에서는 「완충층과 인접하는 층」으로서, 경화성 수지 필름(13')을 나타내고 있다.The buffer layer 12 has a buffering action against the force applied to the buffer layer 12 and a layer adjacent thereto. Here, curable resin film 13' is shown as "a layer adjacent to a buffer layer."

완충층(12)은 시트상 또는 필름상이며, 에너지선 경화성인 것이 바람직하다. 에너지선 경화성인 완충층(12)은 에너지선 경화시킴으로써, 후술하는 경화성 수지 필름(13')으로부터의 박리가 보다 용이해진다.The buffer layer 12 is in the form of a sheet or a film, and is preferably energy ray curable. When the energy ray curable buffer layer 12 is energy ray cured, peeling from the curable resin film 13' described later becomes easier.

완충층(12)의 구성 재료로는, 예를 들면, 각종 점착성 수지를 들 수 있다. 완충층(12)이 에너지선 경화성인 경우에는, 그 구성 재료로는 에너지선 경화에 필요한 각종 성분도 들 수 있다.As a structural material of the buffer layer 12, various adhesive resins are mentioned, for example. In the case where the buffer layer 12 is energy ray-curable, various components necessary for energy ray curing are also included as its constituent material.

완충층(12)은 1층(단층)만이어도 되며, 2층 이상의 복수층이어도 되고, 복수층인 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.The buffer layer 12 may be a single layer (single layer), a plurality of layers of two or more layers, and in the case of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other, and the combination of these multiple layers is not particularly limited.

완충층(12)의 두께는 60∼675㎛인 것이 바람직하다.The thickness of the buffer layer 12 is preferably 60 to 675 µm.

여기서, 「완충층(12)의 두께」란, 완충층(12) 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 완충층(12)의 두께란, 완충층(12)을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.Here, the "thickness of the buffer layer 12" means the entire thickness of the buffer layer 12, and, for example, the thickness of the buffer layer 12 composed of a plurality of layers is the sum of all the layers constituting the buffer layer 12. Means the thickness of

첩부 공정에 있어서는, 열경화성 수지 필름(13') 중, 반도체 웨이퍼(9')에 대향하고 있는 측의 노출면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(13'a)을 반도체 웨이퍼(9')의 범프 형성면(9a)에 압착시킴으로써, 열경화성 수지 필름(13')을 상기 범프 형성면(9a)에 첩부할 수 있다.In the pasting step, among the thermosetting resin film 13', an exposed surface on the side facing the semiconductor wafer 9'(sometimes referred to as "first surface" in this specification) (13'a) By thermocompression bonding to the bump forming surface 9a of the semiconductor wafer 9', the thermosetting resin film 13' can be attached to the bump forming surface 9a.

첩부 공정에 있어서는, 경화성 수지 필름(13')을 가열하면서 범프 형성면(9a)에 첩부하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 경화성 수지 필름(13')과 범프 형성면(9a) 사이 및 경화성 수지 필름(13')과 범프(91)의 표면(91a) 사이 중 어느 것에 있어서도, 공극부의 발생을 보다 억제할 수 있다. 또한 최종적으로, 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.In the sticking step, it is preferable to stick to the bump forming surface 9a while heating the curable resin film 13'. By doing in this way, in any of the curable resin film 13' and the bump formation surface 9a and between the curable resin film 13' and the surface 91a of the bump 91, the generation of voids can be further suppressed. Can. In addition, finally, at the top portion of the bump, the effect of suppressing the residual of the first protective film residue becomes higher.

이 때의 경화성 수지 필름(13')의 가열 온도는 과도한 고온이 아니면 되며, 예를 들면, 60∼100℃인 것이 바람직하다. 여기서, 「과도한 고온」이란, 예를 들면, 경화성 수지 필름(13')이 열경화성인 경우에는, 경화성 수지 필름(13')의 열경화가 진행하는 등, 경화성 수지 필름(13')에 목적 외의 작용이 발현하는 온도를 의미한다.The heating temperature of the curable resin film 13' at this time should not be an excessively high temperature, and it is preferable that it is 60-100 degreeC, for example. Here, "excessive high temperature" means that, for example, when the curable resin film 13' is thermosetting, heat curing of the curable resin film 13' progresses, and so on, other than the purpose of the curable resin film 13'. It means the temperature at which the action is expressed.

첩부 공정에 있어서, 경화성 수지 필름(13')을 범프 형성면(9a)에 첩부할 때, 경화성 수지 필름(13')에 가해지는 압력(본 명세서에 있어서는, 「첩부 압력」이라고 칭하는 경우가 있다)은 0.3∼1MPa인 것이 바람직하다.In the pasting step, when the curable resin film 13' is attached to the bump forming surface 9a, the pressure applied to the curable resin film 13' (in this specification, may be referred to as "sticking pressure"). ) Is preferably 0.3 to 1 MPa.

첩부 공정에 의해 적층 구조체(1)(101)를 형성한 후, 이 적층 구조체(1)(101)를 그대로 다음 공정에서 사용해도 되나, 필요에 따라 반도체 웨이퍼(9')의 범프 형성면(9a)과는 반대측 면(이면)(9b)을 연삭함으로써, 반도체 웨이퍼(9')의 두께를 조절해도 된다.After the stacked structures 1 and 101 are formed by the attaching process, the stacked structures 1 and 101 may be used as they are in the next step, but if necessary, bump formation surfaces 9a of the semiconductor wafer 9' ), the thickness of the semiconductor wafer 9'may be adjusted by grinding the surface (back side) 9b on the opposite side.

반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b)의 연삭은 그라인더를 이용하는 방법 등의 공지의 방법으로 행할 수 있다.Grinding of the back surface 9b of the semiconductor wafer 9'can be performed by a known method such as a method using a grinder.

반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b)을 연삭하지 않는 경우에는, 반도체 웨이퍼(9')의 범프를 제외한 부위의 두께는 앞서 설명한 반도체 칩의 범프를 제외한 부위의 두께와 동일한 것이 바람직하다.When the back surface 9b of the semiconductor wafer 9'is not ground, the thickness of the portion excluding the bumps of the semiconductor wafer 9'is preferably the same as the thickness of the portion excluding the bumps of the semiconductor chip described above.

반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b)을 연삭하는 경우에는, 연삭 전에 있어서의 반도체 웨이퍼(9')의 범프를 제외한 부위의 두께는 400∼1200㎛인 것이 바람직하고, 650∼780㎛인 것이 보다 바람직하다.When grinding the back surface 9b of the semiconductor wafer 9', the thickness of the portion excluding the bumps of the semiconductor wafer 9'before grinding is preferably 400 to 1200 mu m, and 650 to 780 mu m. It is more preferable.

첩부 공정에 의해 적층 구조체(1)(101)를 형성한 후, 적층 구조체(1)(101) 중의 열경화성 수지 필름(13')으로부터 제1 지지 시트(10)를 박리시킨다. 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b)을 연삭했을 경우에는, 이 연삭 후에 제1 지지 시트(10)를 박리시키는 것이 바람직하다.After the laminated structures 1 and 101 are formed by the attaching process, the first support sheet 10 is peeled from the thermosetting resin film 13' in the laminated structures 1 and 101. When grinding the back surface 9b of the semiconductor wafer 9', it is preferable to peel the first support sheet 10 after this grinding.

이러한 공정을 행함으로써, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')의 범프 형성면(9a)에 열경화성 수지 필름(13')을 구비하여 구성된 적층 구조체(2)(즉, 경화성 수지 필름이 형성된 반도체 웨이퍼)(102)가 얻어진다.By performing such a process, as shown in Fig. 5(b), the laminated structure 2 (that is, curable) provided with a thermosetting resin film 13' on the bump forming surface 9a of the semiconductor wafer 9' A semiconductor wafer) 102 on which a resin film is formed is obtained.

적층 구조체(2)(102)에 있어서는, 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)의 꼭대기부(910)는 경화성 수지 필름(13')을 관통하여 돌출되어 있다.In the laminated structure (2) 102, the top portion 910 of the bump 91 of the semiconductor wafer 9'protrudes through the curable resin film 13'.

완충층(12)이 에너지선 경화성인 경우에는, 에너지선의 조사에 의해 완충층(12)을 경화시켜, 완충층(12)의 점착성을 저하시킨 후, 열경화성 수지 필름(13')으로부터 제1 지지 시트(10)를 박리시키는 것이 바람직하다.When the buffer layer 12 is energy ray-curable, the buffer layer 12 is cured by irradiation with energy rays, and after the adhesiveness of the buffer layer 12 is lowered, the first support sheet 10 is obtained from the thermosetting resin film 13'. ).

＜제1 보호막 형성 공정＞<First protective film forming process>

상기 제조 방법에 있어서는, 상기 첩부 공정 후에 상기 제1 보호막 형성 공정을 행하고, 도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 첩부 후의 경화성 수지 필름(13')을 경화시킴으로써 제1 보호막(13)을 형성한다.In the above manufacturing method, the first protective film forming step is performed after the pasting step, and as shown in Fig. 5(c), the first protective film 13 is formed by curing the curable resin film 13' after pasting. .

적층 구조체(1)(101)를 형성했을 경우에는, 제1 보호막 형성 공정은 상술한 제1 지지 시트(10)의 박리 후에 행할 수 있다.When the laminated structures 1 and 101 are formed, the first protective film forming step can be performed after the first support sheet 10 is peeled off.

또한, 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b)을 연삭했을 경우에는, 제1 보호막 형성 공정은 상기 이면(9b)의 연삭 후에 행할 수 있다.Moreover, when grinding the back surface 9b of the semiconductor wafer 9', the 1st protective film formation process can be performed after grinding the said back surface 9b.

본 공정을 행함으로써 반도체 웨이퍼(9')의 범프 형성면(9a)에 제1 보호막(13)을 구비하여 구성된 적층 구조체(3)(즉, 제1 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼)(103)가 얻어진다.By performing this step, a laminated structure 3 (i.e., a semiconductor wafer on which the first protective film is formed) 103 comprising the first protective film 13 on the bump forming surface 9a of the semiconductor wafer 9'is obtained. Lose.

경화성 수지 필름(13')의 경화 조건은 제1 보호막이 충분히 그 기능을 발휘할 수 있는 정도의 경화도가 되는 한 특별히 한정되지 않고, 열경화성 수지 필름의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.Curing conditions of the curable resin film 13' are not particularly limited as long as the first protective film has a degree of curing sufficient to exert its function, and may be appropriately selected depending on the type of the thermosetting resin film.

경화성 수지 필름(13')이 열경화성인 경우에는, 경화성 수지 필름(13')의 열경화시에 있어서, 가열 온도는 100∼180℃인 것이 바람직하고, 가열 시간은 0.5∼5시간인 것이 바람직하다. 경화성 수지 필름(13')의 열경화시에 있어서는, 경화성 수지 필름(13')을 가압해도 되며, 그 경우의 가압 압력은 0.3∼1MPa인 것이 바람직하다.When the curable resin film 13' is thermosetting, when heat-curing the curable resin film 13', the heating temperature is preferably 100 to 180°C, and the heating time is preferably 0.5 to 5 hours. . When heat-curing the curable resin film 13', you may pressurize the curable resin film 13', and the pressure in this case is preferably 0.3 to 1 MPa.

경화성 수지 필름(13')이 에너지선 경화성인 경우에는, 경화성 수지 필름(13')의 에너지선 경화시에 있어서, 에너지선의 조도는 180∼280mW/㎠인 것이 바람직하고, 에너지선의 광량은 450∼1500mJ/㎠인 것이 바람직하다.When the curable resin film 13' is energy ray-curable, in curing the energy ray of the curable resin film 13', the illuminance of the energy ray is preferably 180 to 280 mW/cm2, and the amount of light of the energy ray is 450 to It is preferably 1500 mJ/cm 2.

도 5(b)에 나타내는 적층 구조체(2)(경화성 수지 필름이 형성된 반도체 웨이퍼)(102)에 있어서, 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)의 꼭대기부(910)에 경화성 수지 필름(13')에서 유래하는 잔류물(경화성 수지 필름 잔류물)이 잔존하고 있지 않으면, 제1 보호막 형성 공정 후에 상기 꼭대기부(910)에 제1 보호막 잔류물도 존재하지 않는다. 또한, 상기 꼭대기부(910)에서의 경화성 수지 필름(13')에서 유래하는 잔류물(경화성 수지 필름 잔류물)의 양이 적으면, 제1 보호막 형성 공정 후에 상기 꼭대기부(910)에서의 제1 보호막 잔류물의 양도 적어진다.In the laminated structure 2 (semiconductor wafer on which a curable resin film is formed) 102 shown in Fig. 5(b), the curable resin film 13 is placed on the top portion 910 of the bump 91 of the semiconductor wafer 9'. If the residue (curable resin film residue) derived from') does not remain, the first protective film residue does not exist in the top portion 910 after the first protective film forming process. In addition, if the amount of the residue (curable resin film residue) originating from the curable resin film 13' in the top portion 910 is small, after the first protective film forming process, the agent in the top portion 910 is removed. 1 The amount of the protective film residue is also reduced.

＜분할 공정＞<Division process>

상기 제조 방법에 있어서는, 상기 제1 보호막 형성 공정 후에 상기 분할 공정을 행하고, 도 5(d)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')를 분할함으로써 반도체 칩(9)을 얻는다.In the above manufacturing method, after the first protective film forming step, the dividing step is performed, and as shown in Fig. 5(d), the semiconductor wafer 9'is divided to obtain a semiconductor chip 9.

본 공정에 의해 목적물인 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(1)이 얻어진다.By this step, a semiconductor chip 1 on which a first protective film as a target is formed is obtained.

반도체 웨이퍼(9')의 분할은 공지의 방법으로 행할 수 있다.The semiconductor wafer 9'can be divided by a known method.

예를 들면, 다이싱 블레이드를 이용하여 다이싱함으로써, 반도체 웨이퍼(9')를 분할하는 경우에는, 적층 구조체(3)(제1 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼)(103) 중의 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b)에 다이싱 시트(또는 다이싱 테이프)를 첩부하고, 이후, 공지의 방법으로 다이싱할 수 있다.For example, when dividing a semiconductor wafer 9'by dicing using a dicing blade, the semiconductor wafer 9'in the laminated structure 3 (semiconductor wafer on which the first protective film is formed) 103 A dicing sheet (or dicing tape) is affixed to the back surface 9b of the surface, and can then be diced by a known method.

한편, 본 명세서에 있어서는, 이와 같이, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막을 구비하고, 반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱 시트를 구비하여 구성된 것을 「적층 구조체(5)」라고 칭하는 경우가 있다. 또한, 이 적층 구조체(5) 중의 반도체 웨이퍼를 제1 보호막과 함께 개편화하여 반도체 칩을 형성한 것을 「적층 구조체(6)」라고 칭하는 경우가 있다.On the other hand, in this specification, the first protective film is provided on the bump forming surface of the semiconductor wafer as described above, and the dicing sheet is provided on the back surface of the semiconductor wafer. In addition, the semiconductor wafer in the stacked structure 5 is divided into a first protective film and a semiconductor chip is sometimes referred to as a "stacked structure 6".

다이싱 시트로서 그 첩부 대상물(예를 들면, 반도체 칩)에 접촉하는 층이 에너지선 경화성인 것을 사용한 경우에는, 다이싱 후, 에너지선의 조사에 의해 이 층을 경화시켜 점착성을 저하시킴으로써, 그 첩부 대상물로부터 다이싱 시트를 보다 용이하게 제거할 수 있다.When a layer in contact with the affixed object (e.g., a semiconductor chip) is used as the dicing sheet is energy ray curable, after dicing, the layer is cured by irradiation with energy rays to lower the tackiness, thereby reducing the adhesiveness. The dicing sheet can be more easily removed from the object.

반도체 웨이퍼(9')를 다이싱하는 경우에는, 상술한 다이싱 시트 대신에 제2 보호막 형성용 시트를 사용해도 된다.When dicing the semiconductor wafer 9', a sheet for forming a second protective film may be used instead of the dicing sheet described above.

제2 보호막 형성용 시트는, 반도체 칩의 이면에 상술한 제2 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름이 다이싱 시트 상에 형성된 구성을 갖는다. 제2 보호막 형성용 시트를 사용한 경우에는, 다이싱 후에 다이싱 시트가 제거되어, 최종적으로는 상기 이면에 제2 보호막이 첩부된 상태의 반도체 칩이 얻어진다. 즉, 앞서 설명한 반도체 칩의 이면에 제2 보호막을 구비한 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 이러한 제조 방법에 의해 얻어진다.The sheet for forming a second protective film has a configuration in which a film for forming a protective film for forming the above-described second protective film on the back surface of a semiconductor chip is formed on a dicing sheet. When the sheet for forming the second protective film is used, the dicing sheet is removed after dicing, and finally, a semiconductor chip in a state in which a second protective film is affixed to the back surface is obtained. That is, the semiconductor chip in which the first protective film having the second protective film is formed on the back surface of the semiconductor chip described above is obtained by such a manufacturing method.

상기 제조 방법에 있어서는, 제1 보호막 형성 공정 직후의 단계에서 상술한 바와 같이, 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존이 억제되어 있다. 따라서, 목적물인 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(1)의 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존이 억제된다.In the above manufacturing method, as described above in the step immediately after the first protective film forming step, the remaining portion of the first protective film residue is suppressed at the top portion 910 of the bump 91. Therefore, in the top portion 910 of the bump 91 of the semiconductor chip 1 on which the first protective film as a target is formed, the residual of the first protective film residue is suppressed.

이와 같이, 제1 보호막 형성 공정 직후의 단계에서 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서, 제1 보호막 잔류물의 잔존이 억제되기 위해서는, 앞서 설명한 바와 같이, 적층 구조체(2)(경화성 수지 필름이 형성된 반도체 웨이퍼)(102)의 단계에서 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서, 경화성 수지 필름(13')에서 유래하는 잔류물(경화성 수지 필름 잔류물)의 잔존이 억제되어 있는 것이 필요하다. 이를 위해서는 예를 들면, 경화성 수지 필름(13')으로서 그 잔류물이 범프(91)의 꼭대기부(910)에 잔존하기 어려운 것을 사용하면 된다. 그리고, 상기 첩부 공정에 있어서, 상기 주석의 농도 비율이 5％ 이상이 되도록 범프(91)의 꼭대기부(910)를 경화성 수지 필름(13')으로부터 돌출시키면 된다.As described above, in order to suppress the residual of the first protective film residue in the top portion 910 of the bump 91 in the step immediately after the first protective film forming process, as described above, the laminated structure 2 (curable resin film) The residue (derived from the curable resin film 13') at the top portion 910 of the bump 91 of the semiconductor wafer 9'in the step of the formed semiconductor wafer) 102 (curable resin film residue) It is necessary that the residual of is suppressed. For this purpose, for example, a curable resin film 13' may be used as it is difficult for the residue to remain on the top portion 910 of the bump 91. Then, in the pasting step, the top portion 910 of the bump 91 may be protruded from the curable resin film 13' so that the tin concentration ratio is 5% or more.

이러한 본 발명의 효과를 현저히 얻기 쉬운 경화성 수지 필름(13')으로는, 앞서 설명한 것을 들 수 있다.As the curable resin film 13', which is easy to obtain the effect of the present invention remarkably, the above-mentioned may be mentioned.

즉, 열경화성 수지 필름의 경우이면, 수지층 형성용 조성물(III)로서 중합체 성분(A), 에폭시 수지(B1) 등의 수지 성분의 중량 평균 분자량이 작은 범위인 것, 충전재(D)의 평균 입자 직경이 작은 범위인 것, 충전재(D)의 함유량이 적은 범위인 것 등을 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지(B1)로는 상온에서 액상인 것을 사용하는 것이 바람직하다.That is, in the case of a thermosetting resin film, as the composition (III) for forming a resin layer, a weight average molecular weight of a resin component such as a polymer component (A) or an epoxy resin (B1) is in a small range, and average particles of a filler (D) It is preferable to use those having a small diameter, those having a small content of the filler (D), or the like. As the epoxy resin (B1), it is preferable to use a liquid at room temperature.

한편, 적층 구조체(2)(경화성 수지 필름이 형성된 반도체 웨이퍼)(102)의 단계에서 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서, 경화성 수지 필름(13')에서 유래하는 잔류물(경화성 수지 필름 잔류물)의 잔존이 억제되어 있지 않은 경우에는, 최종적으로, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 범프의 꼭대기부에 있어서, 제1 보호막 잔류물이 잔존하지 않거나, 또는 그 양이 적어지는 공정을 별도 행하는 것이 필요하다. 이러한 공정이 상기 잔류물 저감 공정이다.On the other hand, in the step 910 of the bump 91 of the semiconductor wafer 9'in the step of the laminated structure 2 (the semiconductor wafer on which the curable resin film is formed) 102, in the curable resin film 13' When the residual of the resulting residue (curable resin film residue) is not suppressed, finally, the first protective film residue does not remain at the top of the bump of the semiconductor chip on which the first protective film is formed, or It is necessary to separately perform a process in which the amount is reduced. This process is the residue reduction process.

＜잔류물 저감 공정＞<Residue Reduction Process>

즉, 상기 잔류물 저감 공정은 상기 첩부 공정 후에 상기 주석의 농도 비율이 5％ 이상이 되도록, 범프(91) 상의 잔류물의 양을 저감하는 공정이다. 보다 구체적으로는, 잔류물 저감 공정은 상기 첩부 공정 후, 목적으로 하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩을 얻을 때까지의 어느 하나의 단계에서 행한다. 그리고, 잔류물 저감 공정에 있어서는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼(9') 혹은 반도체 칩(9)의 범프(91)의 꼭대기부(910)에 잔존하고 있는 경화성 수지 필름 잔류물 또는 제1 보호막 잔류물 등의 잔류물의 양을 저감한다. 여기서, 「잔류물의 양을 저감한다」란, 잔류물이 존재하지 않거나, 또는 잔류물이 존재해도, 그 영향이 확인되지 않는 정도로 잔류물의 양이 적은 상태로 하는 것을 의미한다.That is, the residue reduction step is a step of reducing the amount of residue on the bump 91 so that the concentration ratio of the tin becomes 5% or more after the pasting step. More specifically, the residue reduction step is carried out in any one step after the attaching step, until a semiconductor chip on which the target first protective film is formed is obtained. In the residue reduction step, for example, the curable resin film residue or the first protective film residue remaining on the top portion 910 of the bump 91 of the semiconductor wafer 9 ′ or the semiconductor chip 9 is retained. Reduce the amount of residue, such as water. Here, "reducing the amount of residue" means that the amount of the residue is small to such an extent that the influence is not confirmed even if the residue is not present or the residue is present.

상기 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 상기 제1 보호막 형성 공정 후에 잔류물 저감 공정을 행하여, 범프(91) 상의 제1 보호막 잔류물의 양을 저감한다.In one embodiment of the manufacturing method, a residue reduction step is performed after the first protective film forming step to reduce the amount of the first protective film residue on the bump 91.

도 7은, 본 실시형태에 있어서의 잔류물 저감 공정의 일례를 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.7 is an enlarged cross-sectional view for schematically explaining an example of a residue reduction process in the present embodiment.

본 실시형태에 있어서는, 제1 보호막 형성 공정 종료 후에 앞서 설명한 적층 구조체(3)(제1 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼)(103) 중의 범프(91)의 꼭대기부(910)에 제1 보호막 잔류물(131)이 잔존하고 있는 경우가 있다. 도 7(a)는 이러한 적층 구조체(3)를 나타내고 있으며, 이 적층 구조체(3)(103)는 도 5 중의 적층 구조체(3)(103)와 제1 보호막 잔류물(131)의 잔존량이 많은 점에서 상이하다.In the present embodiment, after the first protective film forming process is finished, the first protective film residue (at the top portion 910 of the bump 91 in the laminated structure 3 (semiconductor wafer on which the first protective film is formed) 103 described above ( 131) may remain. Fig. 7(a) shows such a stacked structure 3, and the stacked structures 3 and 103 have a large residual amount of the stacked structures 3 and 103 in Fig. 5 and the first protective film residue 131. Differ in terms.

본 실시형태의 잔류물 저감 공정에서는 적층 구조체(3)(103) 중의 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)의 상부에 대해 플라즈마를 조사함으로써, 범프(91)의 상부의 제1 보호막 잔류물(131)의 양을 저감한다. 이에 의해 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 도 5(c)에서 나타낸 것과 동일하게, 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서, 제1 보호막 잔류물(131)의 잔존이 억제되어 있는 적층 구조체가 얻어진다. 본 명세서에 있어서는, 이와 같이 적층 구조체(3)에 대해 잔류물 저감 공정을 행하여 얻어진 것을 적층 구조체(4)라고 칭하는 경우가 있다. 도 7에 있어서는, 부호 104를 부여하고, 적층 구조체(4)를 나타내고 있다.In the residue reduction process of the present embodiment, the first protective film residue on the upper portion of the bump 91 is irradiated by irradiating plasma to the upper portion of the bump 91 of the semiconductor wafer 9'in the laminated structure 3 and 103. The amount of (131) is reduced. As a result, as shown in Fig. 7(b), the remainder of the first protective film residue 131 is suppressed at the top portion 910 of the bump 91, as shown in Fig. 5(c). A laminated structure is obtained. In this specification, the thing obtained by performing the residue reduction process with respect to the laminated structure 3 in this way may be referred to as the laminated structure 4. In Fig. 7, reference numeral 104 is given to indicate the laminated structure 4.

잔류물 저감 공정에서의 플라즈마의 조사 조건은 제1 보호막 잔류물(131)의 양을 충분히 저감할 수 있는 한, 특별히 한정되지 않는다.The plasma irradiation conditions in the residue reduction step are not particularly limited as long as the amount of the first protective film residue 131 can be sufficiently reduced.

예를 들면, 테트라플루오로메탄(CF4) 가스, 산소 가스 등의 반응성 가스의 존재하, 가스의 압력을 80∼120Pa로 하고, 가하는 전력을 200∼300W로 하여 플라즈마를 0.5∼5분 조사하면 된다. 단, 이 조건은 플라즈마의 조사 조건의 일례이다.For example, in the presence of a reactive gas such as tetrafluoromethane (CF 4 ) gas or oxygen gas, the pressure of the gas is set to 80 to 120 Pa, and the applied power is set to 200 to 300 W to irradiate the plasma for 0.5 to 5 minutes. do. However, this condition is an example of plasma irradiation conditions.

잔류물 저감 공정에서의 플라즈마의 조사 범위는, 제1 보호막 잔류물(131)의 양을 충분히 저감할 수 있는 한, 특별히 한정되지 않고, 적어도 범프(91)의 상부가 포함되어 있으면 된다. 그리고, 잔류물 저감 공정에 있어서는, 예를 들면, 제1 보호막(13)을 구비한 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)를 갖는 측의 전체 면에 플라즈마를 조사해도 된다.The plasma irradiation range in the residue reduction step is not particularly limited as long as the amount of the first protective film residue 131 can be sufficiently reduced, and at least the upper portion of the bump 91 may be included. Further, in the residue reduction step, for example, plasma may be irradiated to the entire surface of the semiconductor wafer 9 ′ having the first protective film 13 on the side having the bump 91.

여기에서는 제1 보호막 형성 공정 후, 또한 분할 공정 전에 잔류물 저감 공정을 행하는 경우에 대해 설명했으나, 본 실시형태에서의 잔류물 저감 공정은 분할 공정 후에 행해도 된다. 이 경우의 플라즈마의 조사 대상물은 반도체 웨이퍼(9')가 아닌 반도체 칩(9)이 된다(다시 말하면, 적층 구조체(3)(103)가 아닌 제1 보호막 잔류물(131)이 잔존하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(1)이 된다). 이 점 이외에는 상술한 경우와 동일한 방법으로 잔류물 저감 공정을 행할 수 있다.Here, the case where the residue reduction step is performed after the first protective film forming step and before the division step has been described, but the residue reduction step in the present embodiment may be performed after the division step. In this case, the object to be irradiated with plasma becomes the semiconductor chip 9 rather than the semiconductor wafer 9 ′ (in other words, the first portion where the first protective film residue 131 other than the stacked structures 3 and 103 remains). A semiconductor chip 1 with a protective film formed thereon). Other than this point, a residue reduction process can be performed in the same manner as in the case described above.

또한, 여기에서는 플라즈마의 조사에 의해 제1 보호막 잔류물(131)의 양을 저감하는 경우에 대해 설명했으나, 제1 보호막 잔류물(131)의 양을 저감하는 방법으로는, 이 이외에 예를 들면, 제1 보호막 잔류물(131)에 미립자를 충돌시키는 방법을 들 수 있다.In addition, although the case where the amount of the first protective film residue 131 is reduced by plasma irradiation is described here, as a method of reducing the amount of the first protective film residue 131, for example, other than this , And a method in which the fine particles collide with the first protective film residue 131.

이 경우, 상기 미립자는 적어도 범프(91)의 상부에 대해 충돌시키면 되며, 미립자를 충돌시키는 범위는, 상술한 플라즈마의 조사 범위와 동일하게 할 수 있다.In this case, the fine particles may collide with at least the upper portion of the bump 91, and the range in which the fine particles collide may be the same as the above-described plasma irradiation range.

상기 미립자는 제1 보호막 잔류물(131)의 양을 저감 가능하면, 특별히 한정되지 않고, 그 구체예로는, 규사, 알루미나, 유리 등의 무기 재료로 이루어지는 연마재; 드라이 아이스 미립자 등을 들 수 있다.The fine particles are not particularly limited as long as the amount of the first protective film residue 131 can be reduced, and specific examples thereof include abrasives made of inorganic materials such as silica sand, alumina, and glass; And dry ice microparticles.

이들 중에서도 기화에 의해 제1 보호막이 형성된 반도체 칩에서의 상기 미립자의 잔존을 현저히 용이하게 억제할 수 있는 점에서는 상기 미립자는 드라이 아이스 미립자인 것이 바람직하다.Among these, it is preferable that the fine particles are dry ice fine particles from the viewpoint of remarkably easily suppressing the residual of the fine particles in the semiconductor chip on which the first protective film is formed by vaporization.

상기 제조 방법의 다른 실시형태에 있어서는, 상기 첩부 공정 후에 잔류물 저감 공정을 행하여, 범프(91) 상의 경화성 수지 필름 잔류물의 양을 저감한다.In another embodiment of the manufacturing method, a residue reduction step is performed after the affixing step to reduce the amount of the curable resin film residue on the bump 91.

도 8은, 본 실시형태에 있어서의 잔류물 저감 공정의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.8 is an enlarged cross-sectional view for schematically explaining another example of the residue reduction process in the present embodiment.

본 실시형태에 있어서는, 첩부 공정 종료 후에 앞서 설명한 적층 구조체(2)(경화성 수지 필름이 형성된 반도체 웨이퍼)(102) 중의 범프(91)의 꼭대기부(910)에 경화성 수지 필름 잔류물(131')이 잔존하고 있는 경우가 있다. 도 8(a)는 이러한 적층 구조체(2)를 나타내고 있으며, 이 적층 구조체(2)(102)는 도 5 중의 적층 구조체(2)(102)와 경화성 수지 필름 잔류물(131')의 잔존량이 많은 점에서 상이하다.In the present embodiment, the curable resin film residue 131' is formed on the top 910 of the bump 91 in the laminated structure 2 (semiconductor wafer on which the curable resin film is formed) 102 described above after the affixing process is completed. This may remain. Fig. 8(a) shows such a laminated structure 2, and the laminated structure 2 and 102 are the remaining amounts of the laminated structure 2 and 102 in Fig. 5 and the curable resin film residue 131'. It differs in many ways.

본 실시형태의 잔류물 저감 공정에서는 적층 구조체(2)(102) 중의 반도체 웨이퍼(9')의 적어도 범프(91)의 상부에 대해 플라즈마를 조사함으로써, 범프(91)의 상부의 경화성 수지 필름 잔류물(131')의 양을 저감한다. 이에 의해 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 도 5(b)에서 나타낸 것과 동일하게, 범프(91)의 꼭대기부(910)에 있어서, 경화성 수지 필름 잔류물(131')의 잔존이 억제되어 있는 적층 구조체가 얻어진다. 본 명세서에 있어서는, 이와 같이 적층 구조체(2)에 대해 잔류물 저감 공정을 행하여 얻어진 것을 적층 구조체(10)라고 칭하는 경우가 있다. 도 8에 있어서는, 부호 110을 부여하고, 적층 구조체(10)를 나타내고 있다.In the residue reduction process of the present embodiment, the curable resin film remaining on the upper portion of the bump 91 is irradiated by irradiating plasma on at least the upper portion of the bump 91 of the semiconductor wafer 9'in the laminated structure 2 and 102. The amount of water 131' is reduced. As a result, as shown in Fig. 8(b), the remainder of the curable resin film residue 131' is suppressed at the top portion 910 of the bump 91, as shown in Fig. 5(b). The laminated structure is obtained. In this specification, the thing obtained by performing the residue reduction process with respect to the laminated structure 2 in this way may be called the laminated structure 10 in some cases. In Fig. 8, reference numeral 110 is given to indicate the laminated structure 10.

본 실시형태에 있어서의 플라즈마의 조사 조건은 조사 대상물이 상이한 점 이외에는 앞서 설명한 조사 조건과 동일하게 할 수 있다.The irradiation conditions of the plasma in the present embodiment can be the same as the above-described irradiation conditions, except that the object to be irradiated is different.

또한, 본 실시형태에 있어서도, 앞서 설명한 경우와 동일하게 플라즈마의 조사 대신에 경화성 수지 필름 잔류물(131')에 미립자를 충돌시키는 방법을 채용함으로써 경화성 수지 필름 잔류물(131')의 양을 저감할 수 있다. 본 실시형태에 있어서도, 앞서 설명한 경우와 동일한 방법으로 미립자를 충돌시킬 수 있다.In addition, also in this embodiment, the amount of the curable resin film residue 131' is reduced by employing a method of colliding fine particles with the curable resin film residue 131' instead of irradiating plasma as in the case described above. can do. Also in this embodiment, fine particles can be collided in the same manner as in the case described above.

여기까지는, 잔류물 저감 공정에 있어서, 범프(91) 상의 잔류물의 양만을 저감하는 방법을 채용한 것에 대해 설명했으나, 잔류물 저감 공정에 있어서는, 범프(91) 상의 잔류물을 그 범프(91)의 부착 부위와 함께 제거하는 방법을 채용해도 된다.Up to this point, the method of reducing only the amount of the residue on the bump 91 in the residue reduction process has been described, but in the residue reduction process, the residue on the bump 91 is the bump 91. A method of removing together with the attachment portion of may be employed.

즉, 상기 제조 방법의 또 다른 실시형태에 있어서는, 상기 제1 보호막 형성 공정 후에 잔류물 저감 공정을 행함으로써 범프(91) 상의 제1 보호막 잔류물을 그 범프(91)의 부착 부위와 함께 제거한다.That is, in another embodiment of the manufacturing method, the first protective film residue on the bump 91 is removed together with the attachment portion of the bump 91 by performing a residue reduction process after the first protective film forming step. .

도 9는, 본 실시형태에 있어서의 잔류물 저감 공정의 또 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.9 is an enlarged cross-sectional view for schematically explaining another example of the residue reduction process in the present embodiment.

앞서 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 제1 보호막 형성 공정 종료 후에 앞서 설명한 적층 구조체(3)(제1 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼)(103) 중의 범프(91)의 꼭대기부(910)에 제1 보호막 잔류물(131)이 잔존하고 있는 경우가 있다. 도 9(a)는 이러한 적층 구조체(3)를 나타내고 있으며, 이 적층 구조체(3)(103)는 도 5 중의 적층 구조체(3)(103)와 제1 보호막 잔류물(131)의 잔존량이 많은 점에서 상이하다.As described above, in the present embodiment, after the first protective film forming process is finished, the top portion 910 of the bump 91 in the laminated structure 3 (semiconductor wafer on which the first protective film is formed) 103 described above is removed. 1 The protective film residue 131 may remain. Fig. 9(a) shows such a stacked structure 3, and the stacked structures 3 and 103 have a large residual amount of the stacked structures 3 and 103 in Fig. 5 and the first protective film residue 131. Differ in terms.

본 실시형태의 잔류물 저감 공정에서는 적층 구조체(3)(103) 중의 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)의 상부 중, 제1 보호막 잔류물(131)이 잔존하고 있는 부위를 이 제1 보호막 잔류물(131)째 제거한다. 보다 구체적으로는 적층 구조체(3)(103)에 있어서, 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)를 그 정점으로부터 특정 거리만큼 아래의 부위에 있어서 절단하고, 절단편을 제거함으로써, 범프(91)의 제1 보호막 잔류물(131)이 잔존하고 있는 상부를 이 제1 보호막 잔류물(131)째 제거한다. 이에 의해 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 범프의 형상이 변화한 적층 구조체(11)(111)가 얻어진다. 그리고, 적층 구조체(3)(103) 대신에 이 적층 구조체(11)(111)를 사용함으로써, 최종적으로는 도 3에서 나타낸 것과 동일한 제1 보호막이 형성된 반도체 칩, 즉, 범프(92)의 꼭대기부(920)에 있어서, 제1 보호막 잔류물(131)의 잔존이 억제되어 있는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(3)이 얻어진다.In the residue reduction process of the present embodiment, the first portion of the first protective film residue 131 remaining in the upper portion of the bump 91 of the semiconductor wafer 9'in the laminated structure 3 and 103 is the first. The protective film residue 131 is removed. More specifically, in the stacked structures 3 and 103, the bump 91 of the semiconductor wafer 9'is cut at a specific distance from the apex by a specific distance, and the cut piece is removed to remove the bump 91. ), the upper portion where the first protective film residue 131 remains is removed from the first protective film residue 131. As a result, as shown in Fig. 9(b), the laminated structures 11 and 111 having the bump shape changed are obtained. Then, by using the stacked structures 11 and 111 instead of the stacked structures 3 and 103, finally, the semiconductor chip having the same first protective film as shown in Fig. 3 is formed, that is, the top of the bump 92. In the part 920, a semiconductor chip 3 having a first protective film on which the remaining of the first protective film residue 131 is suppressed is obtained.

상술한 바와 같이, 범프(91)의 특정 부위를 절단하는 방법으로는 다이싱 블레이드를 이용하여 범프(91)를 절단하는 방법을 들 수 있다.As described above, a method of cutting a specific portion of the bump 91 includes a method of cutting the bump 91 using a dicing blade.

이 경우, 적층 구조체(3)(103) 중의 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b)에 다이싱 시트를 첩부한 후, 범프(91)의 특정 부위를 절단하는 것이 바람직하다. 이 경우의 다이싱 시트로는, 통상의 다이싱 시트를 사용할 수 있다.In this case, after attaching the dicing sheet to the back surface 9b of the semiconductor wafer 9'in the laminated structures 3 and 103, it is preferable to cut a specific portion of the bump 91. As the dicing sheet in this case, a normal dicing sheet can be used.

다이싱 블레이드를 이용한 범프(91)의 특정 부위의 절단은, 절단 개소가 상이한 점 이외에는 통상의 반도체 웨이퍼의 다이싱의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.Cutting of the specific portion of the bump 91 using the dicing blade can be performed in the same manner as in the case of dicing of a normal semiconductor wafer, except that the cutting points are different.

예를 들면, 블레이드의 회전수는 20000∼45000rpm인 것이 바람직하고, 블레이드의 전송 속도(이동 속도)는 10∼100㎜/s인 것이 바람직하다.For example, the rotation speed of the blade is preferably 20000 to 45000 rpm, and the transmission speed (moving speed) of the blade is preferably 10 to 100 mm/s.

한편, 본 명세서에 있어서는, 이와 같이 범프(91)의 특정 부위를 절단하기 전의 적층 구조체(3) 중에 있어서, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막을 구비하고, 반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱 테이프를 구비하여 구성된 것을 「적층 구조체(7)」라고 칭하는 경우가 있다.On the other hand, in this specification, in the laminated structure 3 before cutting a specific part of the bump 91 in this way, a first protective film is provided on the bump forming surface of the semiconductor wafer, and a dicing tape is provided on the back surface of the semiconductor wafer. It may be referred to as a "laminated structure 7" that is configured with.

잔류물 저감 공정에서의 범프(91)의 절단 부위는, 제1 보호막 잔류물(131)의 양을 충분히 저감할 수 있는 한, 특별히 한정되지 않는다.The cut portion of the bump 91 in the residue reduction step is not particularly limited as long as the amount of the first protective film residue 131 can be sufficiently reduced.

예를 들면, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 대해 평행한 방향에 있어서, 높이가 H인 범프를 절단하는 경우에는, 범프의 정점으로부터 바람직하게는 0.15H∼0.4H 중 어느 하나의 거리만큼 아래의 부위, 보다 바람직하게는 0.18H∼0.35H 중 어느 하나의 거리만큼 아래의 부위, 더욱 바람직하게는 0.21H∼0.3H 중 어느 하나의 거리만큼 아래의 부위가 범프의 절단 부위이다.For example, in a direction parallel to the bump formation surface of a semiconductor wafer, when cutting a bump having a height of H, the portion below the peak of the bump is preferably 0.15H to 0.4H. , More preferably, the portion below the distance of any one of 0.18H to 0.35H, and more preferably the portion below the distance of any one of 0.21H to 0.3H is the cutting site of the bump.

예를 들면, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 대해 평행이 아닌 방향에 있어서, 높이가 H인 범프를 절단하는 경우에는, 상술한 수치 범위에서 특정되는 부위가 절단 부위에 포함되도록 하는 것이 바람직하다.For example, in the case of cutting a bump having a height of H in a direction not parallel to the bump forming surface of the semiconductor wafer, it is preferable that the portion specified in the numerical range described above is included in the cut portion.

본 실시형태에 있어서는, 적층 구조체(3)(103) 대신에 이 적층 구조체(7)를 사용하고, 이하, 동일한 공정을 행함으로써 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(3)이 얻어진다.In the present embodiment, the stacked structure 7 is used instead of the stacked structures 3 and 103, and the semiconductor chip 3 on which the first protective film is formed is obtained by performing the same process hereinafter.

본 실시형태에 있어서는, 적층 구조체(7)에 있어서, 상기와 같이 범프의 특정 부위가 절단된 것을 「적층 구조체(8)」라고 칭하고, 또한, 이 적층 구조체(8) 중의 반도체 웨이퍼가 제1 보호막과 함께 개편화되어 반도체 칩이 된 것을 「적층 구조체(9)」라고 칭하는 경우가 있다.In the present embodiment, in the layered structure 7, the specific portion of the bump is cut as described above, referred to as the "layered structure 8", and the semiconductor wafer in the layered structure 8 is the first protective film. It is sometimes referred to as "stacked structure 9" that has been reorganized together to form a semiconductor chip.

한편, 본 실시형태에 있어서는, 범프(91)의 상부를 제1 보호막 잔류물(131)째 제거하지만, 목적으로 하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩을 얻을 때까지의 어느 하나의 단계에 있어서의 조건에 따라서는, 소량의 제1 보호막 잔류물(131)이 범프(92)의 꼭대기부(920)에 잔존하는 경우가 있다. 이러한 상태의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩이 도 4에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(4)이다.On the other hand, in the present embodiment, the upper portion of the bump 91 is removed from the first protective film residue 131, but the conditions in any one step until a semiconductor chip on which the target first protective film is formed are obtained. In some cases, a small amount of the first protective film residue 131 may remain in the top portion 920 of the bump 92. The semiconductor chip on which the first protective film in this state is formed is the semiconductor chip 4 on which the first protective film shown in FIG. 4 is formed.

여기에서는 제1 보호막 형성 공정 후, 또한 분할 공정 전에 잔류물 저감 공정을 행하는 경우에 대해 설명했으나, 본 실시형태에서의 잔류물 저감 공정은 앞서 설명한 바와 같이, 분할 공정 후에 행해도 된다. 이 경우의 절단 대상물은 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)가 아닌 반도체 칩(9)의 범프(91)가 된다(다시 말하면, 적층 구조체(3)가 아닌 제1 보호막 잔류물(131)이 잔존하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(1)이 된다). 이 점 이외에는 상술한 경우와 동일한 방법으로 잔류물 저감 공정을 행할 수 있다.Here, the case where the residue reduction step is performed after the first protective film forming step and before the division step has been described, but the residue reduction step in this embodiment may be performed after the division step, as described above. In this case, the object to be cut becomes the bump 91 of the semiconductor chip 9, not the bump 91 of the semiconductor wafer 9'(in other words, the first protective film residue 131, not the layered structure 3) This becomes the semiconductor chip 1 on which the remaining first protective film is formed). Other than this point, a residue reduction process can be performed in the same manner as in the case described above.

단, 범프(91)의 특정 부위의 절단이 보다 용이한 점에서는 본 실시형태에서의 잔류물 저감 공정은 제1 보호막 형성 공정 후, 또한 분할 공정 전에 행하는 것이 바람직하다.However, it is preferable to perform the residue reduction process in this embodiment after the 1st protective film formation process and before the division|segmentation process from the point which the cutting of the specific part of the bump 91 is easier.

상기 제조 방법의 또 다른 실시형태에 있어서는, 상기 첩부 공정 후에 잔류물 저감 공정을 행하여, 범프(91) 상의 경화성 수지 필름 잔류물을 그 범프(91)의 부착 부위와 함께 제거한다.In another embodiment of the production method, a residue reduction step is performed after the attaching step, and the curable resin film residue on the bump 91 is removed together with the attachment portion of the bump 91.

도 10은, 본 실시형태에 있어서의 잔류물 저감 공정의 또 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 확대 단면도이다.10 is an enlarged cross-sectional view for schematically explaining another example of the residue reduction process in the present embodiment.

앞서 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 첩부 공정 종료 후에 앞서 설명한 적층 구조체(2)(경화성 수지 필름이 형성된 반도체 웨이퍼)(102) 중의 범프(91)의 꼭대기부(910)에 경화성 수지 필름 잔류물(131')이 잔존하고 있는 경우가 있다. 도 10(a)는 이러한 적층 구조체(2)를 나타내고 있으며, 이 적층 구조체(2)(102)는 도 5 중의 적층 구조체(2)(102)와 경화성 수지 필름 잔류물(131')의 잔존량이 많은 점에서 상이하다.As described above, in the present embodiment, the curable resin film remains in the top portion 910 of the bump 91 in the laminated structure 2 (semiconductor wafer on which the curable resin film is formed) 102 described above after completion of the sticking process. Water 131' may remain. Fig. 10(a) shows such a laminated structure 2, and the laminated structure 2 and 102 are the remaining amounts of the laminated structure 2 and 102 in Fig. 5 and the curable resin film residue 131'. It differs in many ways.

본 실시형태의 잔류물 저감 공정에서는 적층 구조체(2)(102) 중의 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)의 상부 중, 경화성 수지 필름 잔류물(131')이 잔존하고 있는 부위를 이 경화성 수지 필름 잔류물(131')째 제거한다. 보다 구체적으로는 적층 구조체(2)(102)에 있어서, 반도체 웨이퍼(9')의 범프(91)를 그 정점으로부터 특정 거리만큼 아래의 부위에 있어서 절단하고, 절단편을 제거함으로써, 범프(91)의 경화성 수지 필름 잔류물(131')이 잔존하고 있는 상부를 이 경화성 수지 필름 잔류물(131')째 제거한다. 이에 의해 도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 범프의 형상이 변화한 적층 구조체(12)(112)가 얻어진다. 그리고, 적층 구조체(3)(103) 대신에 이 적층 구조체(12)(112)를 사용함으로써, 최종적으로는 도 3에서 나타낸 것과 동일한 제1 보호막이 형성된 반도체 칩, 즉, 범프(92)의 꼭대기부(920)에 있어서, 제1 보호막 잔류물(131)의 잔존이 억제되어 있는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(3)이 얻어진다.In the residue reduction process of the present embodiment, the curable resin film residue 131' remains in the upper portion of the bump 91 of the semiconductor wafer 9'in the laminated structure 2, 102. The resin film residue 131' is removed. More specifically, in the laminated structure (2) 102, the bump 91 of the semiconductor wafer 9'is cut by a specific distance from the apex at a portion below, and the cut piece is removed to remove the bump 91. ), the upper portion where the curable resin film residue 131' remains is removed from the curable resin film residue 131'. As a result, as shown in Fig. 10(b), the laminated structures 12 and 112 in which the shape of the bump is changed are obtained. Then, by using the stacked structures 12 and 112 instead of the stacked structures 3 and 103, finally, a semiconductor chip having the same first protective film as shown in Fig. 3 is formed, that is, the top of the bump 92. In the part 920, a semiconductor chip 3 having a first protective film on which the remaining of the first protective film residue 131 is suppressed is obtained.

본 실시형태에 있어서의 범프(91)의 절단 조건은 절단 대상물이 상이한 점 이외에는 앞서 설명한 절단 조건과 동일하게 할 수 있다.The cutting conditions of the bump 91 in the present embodiment can be the same as the cutting conditions described above except that the objects to be cut are different.

이상과 같이, 여기까지는, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같은 범프의 꼭대기부가 곡면인 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법과, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같은 범프의 꼭대기부가 평면인 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법에 대해 설명했다.As described above, heretofore, a method for manufacturing a semiconductor chip having a first protective film having a curved top portion as shown in FIGS. 1 and 2 and a top portion of the bump as shown in FIGS. 3 and 4 are planar. 1 A method of manufacturing a semiconductor chip with a protective film has been described.

이들 중, 범프의 꼭대기부가 평면인 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법은, 상술한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 범프의 일부를, 이에 부착하고 있는 잔류물과 함께 제거하는 공정(잔류물 저감 공정)을 갖는다. 즉, 이러한 잔류물 저감 공정을 갖지 않는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법은, 범프의 일부와 제1 보호막의 형성에 사용한 재료의 일부를 낭비하는 것이 없다는 점에서, 잔류물 저감 공정을 갖는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법보다 유리하다.Among these, a method of manufacturing a semiconductor chip on which a first protective film having a flat top portion of a bump is formed, as described above, is a process of removing a portion of a bump of a semiconductor wafer or a semiconductor chip together with a residue attached thereto (residue) Water reduction process). That is, the method for manufacturing a semiconductor chip with a first protective film having no such residue reducing process has a residue reducing process in that it does not waste a part of the bump and a part of the material used to form the first protective film. It is more advantageous than the method of manufacturing a semiconductor chip on which the first protective film is formed.

단, 잔류물 저감 공정을 갖는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법은, 범프의 제거량을, 목적을 달성하기 위한 필요 최저한의 양으로 할 수 있고, 과잉량이 되는 것을 억제할 수 있다는 이점을 갖는다.However, the method of manufacturing a semiconductor chip on which the first protective film having a residue reduction step is formed has the advantage that the amount of bump removal can be set to the minimum required amount to achieve the objective, and it can be suppressed from becoming an excessive amount.

또한, 잔류물 저감 공정을 갖지 않는 제조 방법에서 얻어진 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 범프의 높이를 높게 하기 용이하다는 점에서, 잔류물 저감 공정을 갖는 제조 방법에서 얻어진 제1 보호막이 형성된 반도체 칩보다 유리하다.In addition, the semiconductor chip on which the first protective film obtained in the manufacturing method without the residue reduction process is formed is easier to increase the height of the bump, than the semiconductor chip on which the first protective film obtained in the manufacturing method with the residue reduction process is formed. It is advantageous.

또한, 제조시에 잔류물 저감 공정을 행할 필요가 있는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩에 있어서는, 범프 중, 반도체 칩의 범프 형성면의 근방 부위의 면과 제1 보호막 사이에 미세한 공극부가 생기기 쉬운 경향이 있다. 이는 상기 첩부 공정에 있어서, 범프의 꼭대기부에 경화성 수지 필름 잔류물이 잔존하기 쉬운 경우에는, 범프의 상기 범프 형성면의 근방 부위의 면과 경화성 수지 필름 사이에 미세한 공극부가 생기기 쉬운 경향이 있기 때문이다. 이에 대해, 잔류물 저감 공정을 갖지 않는 제조 방법에서 얻어진 제1 보호막이 형성된 반도체 칩은 상기 공극부가 생기기 어렵고, 제1 보호막에 의한 보호 효과가 보다 높다는 점에서 유리하다.In addition, in a semiconductor chip on which a first protective film is required to perform a residue reduction process at the time of manufacture, a tendency that fine voids are likely to occur between the first protective film and the surface of the bump near the bump forming surface of the semiconductor chip There is this. This is because, in the pasting step, when the curable resin film residue easily remains at the top of the bump, fine voids tend to easily occur between the surface of the bump and the surface near the bump forming surface and the curable resin film. to be. On the other hand, a semiconductor chip on which a first protective film is obtained in a manufacturing method without a residue reduction process is advantageous in that the void portion is unlikely to occur and the protective effect by the first protective film is higher.

여기까지는, 주로 도 1∼도 4에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법에 대해 설명했으나, 다른 제1 보호막이 형성된 반도체 칩도 그 구조에 기초하여 필요한 다른 공정을 상술한 제조 방법에 있어서, 적절히, 적합한 타이밍에 별도로 갖는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.Up to this point, a method of manufacturing a semiconductor chip with a first protective film shown in FIGS. 1 to 4 has been mainly described, but other processes required based on the structure of a semiconductor chip with another first protective film are also described in the above-described manufacturing method. It can be manufactured by a manufacturing method which has, separately, and at a suitable timing.

◇반도체 칩 제1 보호막 적층체의 평가 방법◇Evaluation method of semiconductor chip first protective film laminate

본 발명의 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 평가 방법은, 반도체 칩과 상기 반도체 칩의 범프를 갖는 면(범프 형성면)에 형성된 제1 보호막을 구비한, 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 평가 방법으로서, 상기 반도체 칩 제1 보호막 적층체 중의 상기 범프의 꼭대기부에 대해 X선 광전자 분광법(XPS)에 의해 분석을 행하여, 탄소, 산소, 규소 및 주석의 합계 농도에 대한 주석의 농도 비율을 구하고, 상기 주석의 농도 비율이 5％ 이상인 경우에는, 상기 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 목적으로 하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩인 것으로 판정하고, 상기 주석의 농도 비율이 5％ 미만인 경우에는, 상기 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 목적으로 하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩이 아닌 것으로 판정한다.The evaluation method of the semiconductor chip first protective film laminate of the present invention is a method for evaluating a semiconductor chip first protective film laminate comprising a semiconductor chip and a first protective film formed on a surface (bump forming surface) having bumps of the semiconductor chip. As an analysis, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analyzes the top portion of the bump in the first protective film laminate of the semiconductor chip to obtain a concentration ratio of tin to the total concentration of carbon, oxygen, silicon, and tin, When the tin concentration ratio is 5% or more, it is determined that the semiconductor chip is the semiconductor chip on which the first protective film targeted for the first protective film laminate is formed. When the tin concentration ratio is less than 5%, the semiconductor chip It is determined that the first protective film is not a semiconductor chip on which the first protective film is intended.

즉, 상기 반도체 칩 제1 보호막 적층체는, 상기 주석의 농도 비율이 특정되어 있지 않은 점 이외에는 상술한 제1 보호막이 형성된 반도체 칩과 동일하고, 상기 주석의 농도 비율의 특정 결과에 의해 제1 보호막이 형성된 반도체 칩이 될 수도 있고, 그 이외가 될 수도 있다.That is, the semiconductor chip first protective film stacked body is the same as the semiconductor chip on which the first protective film is formed, except that the tin concentration ratio is not specified, and the first protective film is determined by the specific result of the tin concentration ratio. This may be a formed semiconductor chip, or may be other than that.

본 발명의 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 평가 방법에 의하면, 평가 대상인 반도체 칩 제1 보호막 적층체가 상술한 본 발명의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩인지의 여부를 판정할 수 있다. 그리고, 이 반도체 칩 제1 보호막 적층체가 그 범프와 기판 사이의 접합 강도를 높게 할 수 있는지의 여부, 또한, 그 반도체 칩과 기판의 접합체에 있어서의 전기적 접속도(도전성)를 높게 할 수 있는지의 여부에 대해 판정할 수 있다. 그리고, 이 반도체 칩 제1 보호막 적층체가 최종적으로, 신뢰성이 높은 반도체 패키지를 구성 가능한지의 여부에 대해 판정할 수 있다.According to the evaluation method of the semiconductor chip first protective film laminate of the present invention, it can be determined whether or not the semiconductor chip first protective film laminate to be evaluated is the semiconductor chip on which the first protective film of the present invention is formed. And whether or not this semiconductor chip first protective film laminate can increase the bonding strength between the bump and the substrate, and whether the electrical connection (conductivity) in the bonding body between the semiconductor chip and the substrate can be increased. It can be judged whether or not. Then, it is possible to determine whether or not this semiconductor chip first protective film laminate can finally constitute a highly reliable semiconductor package.

상기 평가 방법에 있어서, 반도체 칩 제1 보호막 적층체 중의 범프의 꼭대기부에 대한 XPS 분석은, 앞서 설명한 제1 보호막이 형성된 반도체 칩 중의 범프의 꼭대기부에 대한 XPS 분석의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.In the above evaluation method, XPS analysis of the top portion of the bump in the semiconductor chip first protective film laminate can be performed in the same manner as in the case of XPS analysis of the top portion of the bump in the semiconductor chip on which the first protective film is formed. have.

제1 보호막이 형성된 반도체 칩이라고 판정되는 정도로 상기 주석의 농도 비율이 큰 판정 전의 반도체 칩 제1 보호막 적층체는, 예를 들면, 도 1∼도 4에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩과 동일한 구성을 갖는다.The semiconductor chip first protective film stacked body before the determination in which the tin concentration ratio is large to the extent that it is determined that the first protective film is formed is the same as the semiconductor chip on which the first protective films shown in FIGS. 1 to 4 are formed. Have

한편, 제1 보호막이 형성된 반도체 칩이라고 판정되지 않는 정도로 상기 주석의 농도 비율이 작은 판정 전의 반도체 칩 제1 보호막 적층체는, 예를 들면, 도 2 또는 도 4에 나타내는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩에 있어서, 범프 상부의 제1 보호막 잔류물의 양이 더욱 증대한 것과 동일한 구성을 갖는다.On the other hand, the semiconductor chip before the determination in which the tin concentration ratio is small to the extent that it is not determined that it is a semiconductor chip on which the first protective film is formed is the semiconductor chip on which the first protective film shown in FIG. 2 or 4 is formed, for example. In, it has the same structure as the amount of the first protective film residue on the upper portion of the bump further increased.

실시예Example

이하, 구체적 실시예에 의해 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예로 한정되는 것은 전혀 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by specific examples. However, the present invention is not limited to the examples shown below.

열경화성 수지 필름 형성용 조성물의 제조에 사용한 성분을 이하에 나타낸다.The components used for the production of the composition for forming a thermosetting resin film are shown below.

·중합체 성분(A)・Polymer component (A)

중합체 성분(A)-1：하기 식 (i)-1, (i)-2 및 (i)-3에서 나타내는 구성 단위를 갖는 폴리비닐부티랄(세키스이 화학 공업사 제조 「에스렉 BL-10」, 중량 평균 분자량 25000, 유리 전이 온도 59℃)Polymer component (A)-1: Polyvinyl butyral having structural units represented by the following formulas (i)-1, (i)-2, and (i)-3 ("Esrek BL-10" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) , Weight average molecular weight 25000, glass transition temperature 59℃)

Figure pct00002
Figure pct00002

(식 중, l1은 약 28이며, m1은 1∼3이며, n1은 68∼74의 정수이다)(Wherein, l 1 is about 28, m 1 is 1 to 3, n 1 is an integer from 68 to 74)

·에폭시 수지(B1)・Epoxy resin (B1)

에폭시 수지(B1)-1：액상 비스페놀A형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EPICLON EXA-4810-1000」, 중량 평균 분자량 4300, 에폭시 당량 408g/eq)Epoxy resin (B1)-1: Liquid bisphenol A type epoxy resin ("EPICLON EXA-4810-1000" manufactured by DIC, weight average molecular weight 4300, epoxy equivalent 408 g/eq)

에폭시 수지(B1)-2：디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「EPICLON HP-7200」, 분자량 550, 에폭시 당량 254∼264g/eq)Epoxy resin (B1)-2: dicyclopentadiene type epoxy resin ("EPICLON HP-7200" manufactured by DIC, molecular weight 550, epoxy equivalent 254-264 g/eq)

·열경화제(B2)·Heat curing agent (B2)

열경화제(B2)-1：노볼락형 페놀 수지(쇼와 전공사 제조 「쇼우놀(등록상표) BRG-556」)Thermosetting agent (B2)-1: Novolac type phenol resin (Showa Electric Corporation's "Shonol (registered trademark) BRG-556")

·경화 촉진제(C)Curing accelerator (C)

경화 촉진제(C)-1：2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 화성 공업사 제조 「큐아졸 2PHZ」)Curing accelerator (C)-1: 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole ("Cyazole 2PHZ" manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.)

·충전재(D)· Filler (D)

충전재(D)-1：에폭시기로 수식된 구상 실리카(아드마텍스사 제조 「아드마나노 YA050C-MKK」, 평균 입자 직경 0.05㎛)Filler (D)-1: Spherical silica modified with an epoxy group ("Admanano YA050C-MKK" manufactured by Admatex, average particle diameter 0.05 µm)

[실시예 1] [Example 1]

＜＜제1 보호막 형성용 시트의 제조＞＞<<Production of sheet for forming first protective film>>

＜열경화성 수지 필름 형성용 조성물의 제조＞<Production of a composition for forming a thermosetting resin film>

중합체 성분((A)-1)(9.9질량부), 에폭시 수지((B1)-1)(37.8질량부), 에폭시 수지((B1)-2)(25.0질량부), 열경화제((B2)-1)(18.1질량부), 경화 촉진제((C)-1)(0.2질량부) 및 충전재((D)-1)(9.0질량부)를 메틸에틸케톤에 용해 또는 분산시키고 23℃에서 교반함으로써, 열경화성 수지 필름 형성용 조성물로서 고형분 농도가 55질량％인 수지층 형성용 조성물(III)을 얻었다. 한편, 여기에 나타내는 각 성분의 배합량은 모두 고형분량이다.Polymer component ((A)-1) (9.9 parts by mass), epoxy resin ((B1)-1) (37.8 parts by mass), epoxy resin ((B1)-2) (25.0 parts by mass), thermosetting agent ((B2 )-1) (18.1 parts by mass), curing accelerator ((C)-1) (0.2 parts by mass) and filler ((D)-1) (9.0 parts by mass) were dissolved or dispersed in methyl ethyl ketone and at 23°C. By stirring, a composition (III) for forming a resin layer having a solid content concentration of 55 mass% as a composition for forming a thermosetting resin film was obtained. On the other hand, the compounding quantity of each component shown here is all solid content.

＜제1 보호막 형성용 시트의 제조＞<Production of sheet for forming first protective film>

폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)을 사용하여 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 열경화성 수지 필름 형성용 조성물을 도공하고, 120℃에서 2분 가열 건조시킴으로써, 두께 30㎛의 열경화성 수지 필름을 형성했다.Using the release film ("SP-PET381031" manufactured by Lintec Co., Ltd., thickness 38 µm) on which one side of the polyethylene terephthalate film was peeled off by silicon treatment, a composition for forming the thermosetting resin film obtained above was formed on the peeling treatment surface. After coating and heating at 120°C for 2 minutes, a thermosetting resin film having a thickness of 30 µm was formed.

이어서, 제1 지지 시트로서 첩부 테이프(린텍사 제조 「E-8510HR」)를 사용하여 이 첩부 테이프의 첩부 대상층에 상술한 박리 필름 상의 열경화성 수지 필름을 첩합함으로써, 제1 지지 시트, 열경화성 수지 필름 및 박리 필름이 이 순서로 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 도 6에 나타내는 구조를 갖는 제1 보호막 형성용 시트를 얻었다.Subsequently, the first supporting sheet, the thermosetting resin film, and the first supporting sheet by attaching the thermosetting resin film on the release film described above to the bonding target layer of the adhesive tape using a sticking tape ("E-8510HR" manufactured by Lintec) as a first support sheet. A sheet for forming a first protective film having a structure shown in FIG. 6 was obtained in which a release film was laminated in these thickness directions in this order.

＜＜반도체 칩 제1 보호막 적층체(제1 보호막이 형성된 반도체 칩)의 제조＞＞<<Production of semiconductor chip first protective film laminate (semiconductor chip on which first protective film is formed)>

상기에서 얻어진 제1 보호막 형성용 시트에 있어서, 박리 필름을 제거하여, 이에 의해 노출된 열경화성 수지 필름의 표면(노출면)을 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 압착시킴으로써, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막 형성용 시트를 첩부했다. 이 때, 제1 보호막 형성용 시트의 첩부는 첩부 장치(롤러식 라미네이터, 린텍사 제조 「RAD-3510 F/12」)를 이용하여, 테이블 온도 90℃, 첩부 속도 2㎜/sec, 첩부 압력 0.5MPa의 조건에서 열경화성 수지 필름을 가열하면서 행했다. 반도체 웨이퍼로는 범프의 형상이 도 1에 나타내는 바와 같이 대략 구상이고, 범프의 높이가 210㎛이며, 범프의 폭이 250㎛이고, 인접하는 범프 사이의 거리가 400㎛이며, 범프를 제외한 부위의 두께가 780㎛인 것을 사용했다.In the sheet for forming a first protective film obtained above, the release film is removed, and the surface (exposure surface) of the thermosetting resin film exposed thereby is pressed against the bump formation surface of the semiconductor wafer, so that it is formed on the bump formation surface of the semiconductor wafer. 1 A sheet for forming a protective film was affixed. At this time, the abutment of the sheet for forming the first protective film was a table temperature of 90°C, a lamination speed of 2 mm/sec, and a lamination pressure of 0.5 using a laminating device (roller type laminator, manufactured by Lintec, "RAD-3510 F/12"). It performed while heating a thermosetting resin film on condition of MPa. As the semiconductor wafer, the shape of the bump is approximately spherical as shown in Fig. 1, the height of the bump is 210 µm, the width of the bump is 250 µm, the distance between adjacent bumps is 400 µm, and the area of the region excluding the bump is A thickness of 780 µm was used.

이상에 의해, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막 형성용 시트가 첩부되어 구성된 적층 구조체(1)를 얻었다.By the above, the laminated structure 1 by which the sheet for 1st protective film formation was stuck on the bump formation surface of a semiconductor wafer was obtained.

이어서, 그라인더(디스코사 제조 「DGP8760」)를 이용하여, 얻어진 적층 구조체(1)에 있어서의 반도체 웨이퍼의 범프 형성면과는 반대측 면(이면)을 연삭했다. 이 때, 반도체 웨이퍼의 범프를 제외한 부위의 두께가 280㎛가 될 때까지 상기 이면을 연삭했다.Subsequently, using a grinder ("DGP8760" manufactured by Disco Corporation), the surface (rear surface) opposite to the bump formation surface of the semiconductor wafer in the obtained laminated structure 1 was ground. At this time, the back surface was ground until the thickness of the portion excluding the bumps of the semiconductor wafer became 280 µm.

이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「RAD-2000 m/12」)를 이용하여, 조도 230mW/㎠, 광량 570mJ/㎠의 조건에서 이면을 연삭 후의 적층 구조체(1) 중의 제1 보호막 형성용 시트에 자외선을 조사했다. 이에 의해 제1 보호막 형성용 시트 중의 제1 지지 시트 중, 열경화성 수지 필름에 접촉하고 있는 층을 자외선 경화시켰다.Subsequently, a sheet for forming a first protective film in the laminated structure 1 after grinding the back surface under conditions of an illuminance of 230 mW/cm 2 and an amount of light of 570 mJ/cm 2 using an ultraviolet irradiation device ("RAD-2000 m/12" manufactured by Lintec). Irradiated with ultraviolet light. Thereby, among the 1st support sheets in the sheet for forming a 1st protective film, the layer contacting the thermosetting resin film was ultraviolet cured.

이어서, 첩부 장치(린텍사 제조 「RAD-2700 F/12」)를 이용하여, 제1 지지 시트(첩부 시트)를 적층 구조체(1) 중의 열경화성 수지 필름으로부터 박리시켰다.Subsequently, the 1st support sheet (attachment sheet) was peeled from the thermosetting resin film in the laminated structure 1 using the pasting apparatus ("RAD-2700 F/12" by Lintec).

이상에 의해, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 열경화성 수지 필름을 구비하여 구성된 적층 구조체(2)(경화성 수지 필름이 형성된 반도체 웨이퍼)를 얻었다.By the above, a laminated structure 2 (a semiconductor wafer on which a curable resin film was formed) comprising a thermosetting resin film on the bump forming surface of the semiconductor wafer was obtained.

이어서, 열경화 장치(린텍사 제조 「RAD-9100 m/12」)를 이용하여, 가열 온도 130℃, 가열시 압력 0.5MPa, 가열 시간 2시간의 조건에서, 상기에서 얻어진 적층 구조체(2) 중의 열경화성 수지 필름을 열경화시켜, 제1 보호막을 형성했다.Subsequently, in the laminated structure 2 obtained above, under the conditions of a heating temperature of 130°C, a pressure of 0.5 MPa during heating, and a heating time of 2 hours, using a heat curing device ("RAD-9100 m/12" manufactured by Lintec). The thermosetting resin film was heat-cured to form a first protective film.

이상에 의해, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막을 구비하여 구성된 적층 구조체(3)(제1 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼)를 얻었다.By the above, a laminated structure 3 (a semiconductor wafer on which a first protective film was formed) constituted by providing a first protective film on a bump formation surface of a semiconductor wafer was obtained.

이어서, 플라즈마 조사기(samco사 제조 「RIE-10NRT」)를 이용하여, 상기에서 얻어진 적층 구조체(3) 중의 반도체 웨이퍼의 범프 상부에 대해 플라즈마를 조사하여, 범프 상부의 제1 보호막 잔류물의 양을 저감하는 조작을 행했다. 이 때, 테트라플루오로메탄(CF4) 가스의 유량을 40sccm, 산소 가스의 유량을 80sccm, 출력을 250W, 가스 도입 후 압력을 100Pa로 하여 플라즈마를 5분 조사했다. 또한, 이 때, 플라즈마는 제1 보호막을 구비한 반도체 웨이퍼의 범프를 갖는 측의 전체 면에 조사하도록 했다.Subsequently, a plasma irradiator ("RIE-10NRT" manufactured by samco) is used to irradiate plasma to the upper portion of the semiconductor wafer in the stacked structure 3, thereby reducing the amount of the first protective film residue on the upper portion of the bump. Operation was performed. At this time, plasma was irradiated for 5 minutes with a flow rate of tetrafluoromethane (CF 4 ) gas of 40 sccm, an oxygen gas flow rate of 80 sccm, an output of 250 W, and a pressure of 100 Pa after introducing the gas. In addition, at this time, the plasma was irradiated to the entire surface of the side having the bumps of the semiconductor wafer with the first protective film.

이상에 의해, 적층 구조체(4)를 얻었다.The laminated structure 4 was obtained by the above.

이어서, 얻어진 적층 구조체(4) 중의 반도체 웨이퍼의 상기 이면(연삭면)에 다이싱 테이프(린텍사 제조 「Adwill D-675」)를 첩부함으로써, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막을 구비하고, 상기 이면에 다이싱 테이프를 구비하여 구성된 적층 구조체(5)를 얻었다.Next, by attaching a dicing tape ("Adwill D-675" manufactured by Lintec Corporation) to the back surface (grinding surface) of the semiconductor wafer in the obtained laminated structure 4, a first protective film is provided on the bump formation surface of the semiconductor wafer. , A laminated structure 5 comprising a dicing tape on the back surface was obtained.

이어서, 다이싱 장치(디스코사 제조 「DFD6361」) 및 다이싱 블레이드(디스코사 제조 「NBC-ZH2050-27HECC」)를 이용하여, 적층 구조체(5) 중의 반도체 웨이퍼를 제1 보호막과 함께 개편화하고(즉, 적층 구조체(4)를 개편화하고), 크기가 6㎜×6㎜인 반도체 칩을 형성하여 적층 구조체(6)를 얻었다.Subsequently, the semiconductor wafer in the laminated structure 5 was reorganized together with the first protective film using a dicing apparatus ("DFD6361" manufactured by Disco Corporation) and a dicing blade ("NBC-ZH2050-27HECC" manufactured by Disco Corporation). (In other words, the laminated structure 4 was reorganized), and a semiconductor chip having a size of 6 mm×6 mm was formed to obtain a laminated structure 6.

이어서, 자외선 조사 장치(린텍사 제조 「RAD-2000 m/12」)를 이용하여, 조도 230mW/㎠, 광량 120mJ/㎠의 조건에서 상기에서 얻어진 적층 구조체(6) 중의 다이싱 테이프에 자외선을 조사했다. 이에 의해 다이싱 테이프 중, 반도체 칩에 접촉하고 있는 층을 자외선 경화시켰다.Subsequently, the dicing tape in the laminated structure 6 obtained above was irradiated with ultraviolet light under conditions of an illuminance of 230 mW/cm 2 and an amount of light of 120 mJ/cm 2 using an ultraviolet irradiation device ("RAD-2000 m/12" manufactured by Lintec). did. As a result, the layer in contact with the semiconductor chip in the dicing tape was cured with ultraviolet rays.

이어서, 반도체 칩의 범프 형성면에 제1 보호막을 구비하여 구성되어 있는 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 자외선 조사 후의 다이싱 테이프로부터 분리하여 픽업했다.Subsequently, the semiconductor chip first protective film laminate composed of the first protective film on the bump forming surface of the semiconductor chip was separated from the dicing tape after ultraviolet irradiation and picked up.

＜＜범프의 평가＞＞<<evaluation of bump>>

＜범프의 꼭대기부에 있어서의 주석의 농도 비율＞<Concentration ratio of tin at the top of the bump>

상술한 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 제조 과정에 있어서, 적층 구조체(6) 중의 다이싱 테이프에 대한 자외선 조사와, 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 픽업 사이의 타이밍에서 반도체 칩 제1 보호막 적층체 중의 범프의 꼭대기부에 대해 XPS에 의해 분석을 행하여, 탄소, 산소, 규소 및 주석의 합계 농도에 대한 주석의 농도 비율을 구했다. 분석 대상인 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 다이싱 테이프 상에서의 배치 위치를 설명하기 위한 평면도를 도 11에 나타낸다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(8) 상에는 144개의 반도체 칩 제1 보호막 적층체(1')가 배치되어 있다. 이들 중, 부호 1'-1∼1'-6을 부여한 6개의 반도체 칩 제1 보호막 적층체(1')에 대해 XPS 분석을 행했다. XPS 분석은 범프의 정상을 포함하는 상부 영역을 대상으로 하여 행했다. 상기 상부 영역은 범프를 그 상방으로부터 내려다 보아 평면으로 보았을 때, 범프의 정상을 포함하고, 또한, 직경이 20㎛인 원형 영역으로서 인식되는 영역으로 했다. 그리고, 구해진 상기 주석의 농도 비율의 평균값을 본 실시예에서의 상기 주석의 농도 비율로서 채용했다.In the manufacturing process of the above-mentioned semiconductor chip first protective film laminate, the semiconductor chip first protective film laminate at a timing between ultraviolet irradiation of the dicing tape in the laminated structure 6 and pickup of the semiconductor chip first protective film laminate The top portion of the bump was analyzed by XPS to find the ratio of the concentration of tin to the total concentration of carbon, oxygen, silicon and tin. Fig. 11 is a plan view for explaining the arrangement position of the semiconductor chip first protective film laminate to be analyzed on the dicing tape. As shown in Fig. 11, on the dicing tape 8, 144 semiconductor chip first protective film stacks 1'are arranged. Among them, XPS analysis was performed on six semiconductor chip first protective film laminates 1'to which reference numerals 1'-1 to 1'-6 were assigned. XPS analysis was performed on the upper region including the top of the bump. The upper region is an area recognized as a circular region having a diameter of 20 µm and including the top of the bump when the bump is viewed from above and viewed in plan. Then, the average value of the concentration ratio of tin obtained was employed as the concentration ratio of tin in this example.

XPS 분석은 X선 광전자 분광 분석 장치(울박사 제조 「Quantra SXM」)를 이용하여, 조사 각도 45°, X선 빔 직경 20㎛φ, 출력 4.5W의 조건에서 행했다. 결과를 표 1 중의 「Sn 농도의 비율(％)」의 란에 나타낸다.XPS analysis was performed under the conditions of an irradiation angle of 45°, an X-ray beam diameter of 20 µm, and an output of 4.5 W using an X-ray photoelectron spectroscopy apparatus ("Quantra SXM" manufactured by Wool Dr.). The results are shown in the column of "Proportion of Sn Concentration (%)" in Table 1.

＜구리판과 반도체 칩의 접합체에 있어서의 전단 파괴 형태＞<Shear fracture mode in the bonding body of a copper plate and a semiconductor chip>

상기에서 얻어진 픽업 후의 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 플럭스가 도포된 구리판(두께 300㎛)의 표면에 재치하고, 260℃에서 2분 가열함으로써, 이 구리판에 접합했다. 이 때, 반도체 칩 제1 보호막 적층체 중의 범프가 구리판의 표면에 접촉하도록 했다. 그리고, 구리판을 세정하여 플럭스를 제거했다.The obtained semiconductor chip first protective film laminate after pick-up was placed on the surface of a copper plate (300 µm thick) coated with flux, and was bonded to this copper plate by heating at 260° C. for 2 minutes. At this time, bumps in the semiconductor chip first protective film laminate were made to contact the surface of the copper plate. Then, the copper plate was washed to remove the flux.

이어서, 전단력 측정 장치(nordson Dage사 제조 「Dage-SERIES4000XY」)를 이용하여, 접합된 반도체 칩 제1 보호막 적층체에 구리판의 표면(반도체 칩 제1 보호막 적층체가 접합되어 있는 면)에 대해 병행한 방향에 전단력을 가하여 접합 상태를 파괴했다. 그리고, 그 파괴 부위를 관찰하여, 파괴가 「범프 및 구리판 사이의 계면에 있어서의 계면 파괴(이하, 단순히 「계면 파괴」라고 약기한다)」와, 「범프의 파괴(이하, 「응집 파괴」라고 약기한다)」 중 어느 것인지를 판정했다. 결과를 표 1 중의 「전단 파괴 형태」의 란에 나타낸다.Subsequently, using a shear force measuring device ("Dage-SERIES4000XY" manufactured by nordson Dage Co., Ltd.), the surface of the copper plate (the surface where the semiconductor chip first protective film laminate is bonded) was parallel to the semiconductor chip first protective film laminate. Shear force was applied to the direction to break the bonding state. Then, by observing the fracture site, the fractures are referred to as "interface fracture at the interface between the bump and the copper plate (hereinafter abbreviated simply as "interface fracture")" and "break of the bump (hereafter, "aggregation fracture"). Abbreviation)”. The results are shown in the column of "shear fracture mode" in Table 1.

＜기판과 반도체 칩의 접합체에 있어서의 전기적 접속도＞<Electrical connection diagram in the bonded body of the substrate and semiconductor chip>

상기에서 얻어진 픽업 후의 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 플럭스가 도포된 기판(KIT WLP(s) 300P/400P, 두께 1000㎛)의 표면에 재치하고, 350℃에서 2분 가열함으로써 이 기판에 접합했다. 이 때, 반도체 칩 제1 보호막 적층체 중의 범프가 상기 기판의 표면에 접촉하도록 했다. 그리고, 기판을 세정하여 플럭스를 제거했다.The semiconductor chip first protective film laminate after pick-up obtained above was placed on the surface of a substrate (KIT WLP(s) 300P/400P, 1000 µm thick) coated with flux, and was bonded to this substrate by heating at 350°C for 2 minutes. . At this time, bumps in the semiconductor chip first protective film stack were made to contact the surface of the substrate. Then, the substrate was washed to remove the flux.

이어서, 테스터(HIOKI 제조 「3422 HiCARDTESTER」)를 이용하여 반도체 칩과 기판 사이의 저항값을 측정했다. 그리고, 저항값이 2.7∼3.0Ω인 경우에는, 전기적 접속도를 A(양호)로 판정하고, 저항값이 2.7∼3.0Ω의 범위로부터 벗어난 경우에는, 전기적 접속도를 B(불량)로 판정했다. 결과를 표 1 중의 「전기적 접속도」의 란에 나타낸다.Subsequently, a resistance value between the semiconductor chip and the substrate was measured using a tester ("3422 HiCARDTESTER" manufactured by HIOKI). When the resistance value was 2.7 to 3.0 Ω, the electrical connection degree was determined as A (good), and when the resistance value was outside the range of 2.7 to 3.0 Ω, the electrical connection degree was determined as B (bad). . The results are shown in the column of "Electrical Connection Diagram" in Table 1.

＜기판과 반도체 칩의 접합체의 TCT 신뢰성＞<TCT reliability of the bonded body of the substrate and semiconductor chip>

상기에서 얻어진 픽업 후의 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 플럭스가 도포된 기판(KIT WLP(s) 300P/400P, 두께(1000)㎛)의 표면에 재치하고, 260℃에서 2분 가열함으로써 이 기판에 접합했다. 이 때, 반도체 칩 제1 보호막 적층체 중의 범프가 상기 기판의 표면에 접촉하도록 했다. 그리고, 기판을 세정하여 플럭스를 제거했다.The semiconductor chip first protective film laminate after pick-up obtained above was placed on the surface of the substrate (KIT WLP(s) 300P/400P, thickness (1000) µm) coated with flux, and heated to 260° C. for 2 minutes. Spliced. At this time, bumps in the semiconductor chip first protective film stack were made to contact the surface of the substrate. Then, the substrate was washed to remove the flux.

이어서, 얻어진 접합체를 TCT 시험기(ESPEC사 제조 「TSE-11A」)의 내부에 격납하고, -40℃를 5분 유지한 후, 125℃까지 승온하고, 125℃인 채 5분 유지한 후, -40℃까지 냉각하는 온도 사이클의 조건하에 이 격납 후의 접합체를 두었다. 그리고, 이 온도 사이클을 100회 반복할 때마다(100사이클마다), 상기 접합체를 TCT 시험기로부터 꺼내어, 상술한 「기판과 반도체 칩의 접합체에 있어서의 전기적 접속도」의 평가의 경우와 동일한 방법으로, 이 꺼낸 상기 접합체에 있어서의 전기적 접속도를 평가했다. 그리고, 그 평가 결과로부터 와이블 분포를 작성하여 고장율이 63.2％가 될 때의 사이클 수가 1360 이상인 경우의 TCT 신뢰성을 A(양호)로 판정하고, 1360 미만인 경우의 TCT 신뢰성을 B(불량)로 판정했다. 이 1360이라는 사이클 수는, 후술하는 참고예 1에서의 상기 사이클 수이며, 본 평가는 참고예 1을 기준으로 하여 행하고 있다. 한편, 여기서의 「고장」은, 범프와 기판의 접합 구조의 파괴에 기인한다. 결과를 표 1 중의 「TCT 신뢰성」의 란에 나타낸다.Subsequently, the obtained conjugate was stored inside a TCT tester ("TSE-11A" manufactured by ESPEC), -40 DEG C was maintained for 5 minutes, the temperature was raised to 125 DEG C, and maintained at 125 DEG C for 5 minutes,- The bonded product after this storage was placed under the conditions of a temperature cycle cooling to 40°C. Then, each time this temperature cycle is repeated 100 times (every 100 cycles), the above-mentioned bonded body is taken out from the TCT tester, and in the same manner as in the case of the evaluation of the "electrical connection in the bonded body of the substrate and semiconductor chip" described above. , The electrical connection degree in the said joined body was evaluated. Then, a Weibull distribution was created from the evaluation results, and the TCT reliability when the number of cycles when the failure rate was 63.2% was 1360 or more was judged as A (good), and the TCT reliability when it was less than 1360 was judged as B (bad). did. The number of cycles 1360 is the number of cycles in Reference Example 1, which will be described later, and this evaluation is performed based on Reference Example 1. On the other hand, the "fault" here is due to the breakage of the bonding structure between the bump and the substrate. The results are shown in the column of "TCT reliability" in Table 1.

＜＜제1 보호막 형성용 시트의 제조, 반도체 칩 제1 보호막 적층체(제1 보호막이 형성된 반도체 칩)의 제조, 범프의 평가＞＞<<Production of sheet for forming first protective film, production of semiconductor chip first protective film laminate (semiconductor chip with first protective film), evaluation of bump>

[실시예 2][Example 2]

실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 제1 보호막 형성용 시트를 제조했다.A sheet for forming a first protective film was produced in the same manner as in Example 1.

그리고, 적층 구조체(3) 중의 반도체 웨이퍼의 범프 상부에 대해 플라즈마를 조사하는 시간을 5분 대신에 3분으로 한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 반도체 칩 제1 보호막 적층체(제1 보호막이 형성된 반도체 칩)를 제조하여 범프를 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.In addition, the semiconductor chip first protective film laminate was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the time for irradiating plasma to the upper portion of the bump of the semiconductor wafer in the stacked structure 3 was 3 minutes instead of 5 minutes. 1 A semiconductor chip with a protective film) was produced to evaluate the bump. Table 1 shows the results.

[실시예 3][Example 3]

실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 제1 보호막 형성용 시트를 제조했다.A sheet for forming a first protective film was produced in the same manner as in Example 1.

그리고, 적층 구조체(3) 중의 반도체 웨이퍼의 범프 상부에 대해 플라즈마를 조사하는 시간을 5분 대신에 1분으로 한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 반도체 칩 제1 보호막 적층체(제1 보호막이 형성된 반도체 칩)를 제조하여 범프를 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Then, in the same manner as in Example 1, except that the time for irradiating plasma to the upper portion of the bump of the semiconductor wafer in the stacked structure 3 was set to 1 minute instead of 5 minutes, the semiconductor chip first protective film laminate (product 1 A semiconductor chip with a protective film) was produced to evaluate the bump. Table 1 shows the results.

[실시예 4][Example 4]

＜＜제1 보호막 형성용 시트의 제조＞＞<<Production of sheet for forming first protective film>>

실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 제1 보호막 형성용 시트를 제조했다.A sheet for forming a first protective film was produced in the same manner as in Example 1.

＜＜반도체 칩 제1 보호막 적층체(제1 보호막이 형성된 반도체 칩)의 제조＞＞<<Production of semiconductor chip first protective film laminate (semiconductor chip on which first protective film is formed)>

실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 적층 구조체(3)(제1 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼)를 제조했다.A laminated structure 3 (a semiconductor wafer on which a first protective film was formed) was manufactured in the same manner as in Example 1.

이어서, 얻어진 적층 구조체(3) 중의 반도체 웨이퍼의 상기 이면(연삭면)에 다이싱 테이프(린텍사 제조 「Adwill D-675」)를 첩부함으로써, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 제1 보호막을 구비하고, 상기 이면에 다이싱 테이프를 구비하여 구성된 적층 구조체(7)를 얻었다.Next, by attaching a dicing tape ("Adwill D-675" manufactured by Lintec Corporation) to the back surface (grinding surface) of the semiconductor wafer in the obtained laminated structure 3, a first protective film is provided on the bump forming surface of the semiconductor wafer. , A laminate structure 7 comprising a dicing tape on the back surface was obtained.

이어서, 다이싱 장치(디스코사 제조 「DFD6361」) 및 다이싱 블레이드(디스코사 제조 「NBC-ZH2050-SE 27HEEF」)를 이용하여, 블레이드 회전수 30000rpm, 블레이드 전송 속도 50㎜/s의 조건에서 범프를 그 정점으로부터 50㎛만큼 아래의 부위에 있어서, 범프 형성면에 대해 평행한 방향에 있어서 절단하여 절단편을 제거했다. 이와 같이, 범프 상부의 제1 보호막 잔류물의 양을 저감하는 조작을 행함으로써, 범프를 높이가 160㎛이며, 또한, 꼭대기부가 평면상인 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 것으로 했다. 다시 말하면, 본 실시예에서는 범프의 형상을 도 3에 나타내는 것으로 했다. 얻어진 적층 구조체(8)는 또한, 다이싱 장치의 세정 유닛을 사용하여 세정했다.Subsequently, using a dicing apparatus ("DFD6361" manufactured by Disco Co., Ltd.) and a dicing blade ("NBC-ZH2050-SE 27HEEF" manufactured by Disco Co., Ltd.), bumps were performed at a blade rotation speed of 30000 rpm and blade transmission speed of 50 mm/s. Was cut in a direction parallel to the bump forming surface at a portion 50 µm below the apex to remove the cut pieces. In this way, by performing an operation to reduce the amount of the first protective film residue on the upper portion of the bump, the bump was set to have the same height as that of Example 1 except that the height was 160 µm and the top portion was flat. In other words, in this embodiment, the shape of the bump is shown in FIG. 3. The obtained laminated structure 8 was also cleaned using the cleaning unit of the dicing apparatus.

이어서, 상술한 적층 구조체(5) 대신에 상기에서 얻어진 적층 구조체(8)를 사용하여 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 적층 구조체(8) 중의 반도체 웨이퍼를 제1 보호막과 함께 개편화하고, 크기가 6㎜×6㎜인 반도체 칩을 형성함으로써 적층 구조체(9)를 얻었다.Subsequently, instead of the above-described stacked structure 5, the stacked structure 8 obtained above was used to separate the semiconductor wafer in the stacked structure 8 together with the first protective film in the same manner as in the case of Example 1, and size. A stacked structure 9 was obtained by forming a semiconductor chip having a thickness of 6 mm×6 mm.

이어서, 상술한 적층 구조체(6) 대신에 상기에서 얻어진 적층 구조체(9)를 사용하여 적층 구조체(9) 중의 다이싱 테이프에 자외선을 조사했다. 이에 의해 다이싱 테이프 중, 반도체 칩에 접촉하고 있는 층을 자외선 경화시켰다.Subsequently, the dicing tape in the laminated structure 9 was irradiated with ultraviolet rays using the laminated structure 9 obtained above instead of the laminated structure 6 described above. As a result, the layer in contact with the semiconductor chip in the dicing tape was cured with ultraviolet rays.

이어서, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 반도체 칩의 범프 형성면에 제1 보호막을 구비하여 구성되어 있는 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 자외선 조사 후의 다이싱 테이프로부터 분리하여 픽업했다.Subsequently, in the same manner as in Example 1, the semiconductor chip first protective film laminate composed of the first protective film on the bump forming surface of the semiconductor chip was separated from the dicing tape after ultraviolet irradiation and picked up.

＜＜범프의 평가＞＞<<evaluation of bump>>

상기에서 얻어진 반도체 칩 제1 보호막 적층체에 대해, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 범프를 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The bumps were evaluated in the same manner as in Example 1 for the semiconductor chip first protective film laminate obtained above. Table 1 shows the results.

＜＜반도체 칩의 제조, 범프의 평가＞＞<<Manufacturing of semiconductor chips and evaluation of bumps>>

[참고예 1][Reference Example 1]

＜＜반도체 칩의 제조＞＞<<Preparation of semiconductor chips>>

상술한 박리 필름을 제거한 제1 보호막 형성용 시트 대신에 첩부 테이프(린텍사 제조 「E-8510HR」)를 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 상기 첩부 테이프가 첩부되어 구성된 적층 구조체(1R)를 얻었다.The adhesive tape was formed on the bump formation surface of the semiconductor wafer in the same manner as in Example 1, except that the adhesive tape ("E-8510HR" manufactured by Lintec) was used instead of the sheet for forming the first protective film from which the release film was removed. Was laminated to obtain a laminated structure (1R).

이어서, 상술한 적층 구조체(1) 대신에 상기에서 얻어진 적층 구조체(1R)를 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 적층 구조체(1R)에 있어서의 반도체 웨이퍼에 대해, 그 범프를 제외한 부위의 두께가 280㎛가 될 때까지 이면을 연삭했다.Subsequently, for the semiconductor wafer in the stacked structure 1R in the same manner as in Example 1, except that the stacked structure 1R obtained above was used instead of the stacked structure 1 described above, except for the bumps. The back side was ground until the thickness of the site became 280 µm.

이어서, 반도체 웨이퍼의 상기 이면(연삭면)에 다이싱 테이프(린텍사 제조 「Adwill D-675」)를 첩부하여 적층 구조체(2R)를 얻었다.Subsequently, a dicing tape ("Adwill D-675" manufactured by Lintec Co., Ltd.) was attached to the back surface (grinding surface) of the semiconductor wafer to obtain a laminated structure (2R).

이어서, 상술한 이면을 연삭 후의 적층 구조체(1) 대신에 상기에서 얻어진 적층 구조체(2R)를 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 첩부 테이프에 자외선을 조사했다. 이에 의해 첩부 테이프 중, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 접촉하고 있는 층을 자외선 경화시켰다.Subsequently, the adhesive tape was irradiated with ultraviolet rays in the same manner as in Example 1, except that the above-described laminated structure 2R obtained above was used instead of the laminated structure 1 after grinding. As a result, the layer in contact with the bump forming surface of the semiconductor wafer was cured by ultraviolet light in the adhesive tape.

이어서, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 첩부 시트를 반도체 웨이퍼로부터 박리시켰다.Next, the paste sheet was peeled from the semiconductor wafer in the same manner as in Example 1.

이상에 의해, 반도체 웨이퍼의 범프 형성면은 노출되어 있고, 반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱 테이프를 구비하여 구성된 적층 구조체(3R)(즉, 다이싱 테이프가 형성된 반도체 웨이퍼)를 얻었다.By the above, the bump formation surface of the semiconductor wafer was exposed, and the laminated structure 3R (namely, the semiconductor wafer on which the dicing tape was formed) comprised by providing the dicing tape on the back surface of the semiconductor wafer was obtained.

이어서, 상술한 적층 구조체(5) 대신에 상기에서 얻어진 적층 구조체(3R)를 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 적층 구조체(3R) 중의 반도체 웨이퍼를 개편화하고, 크기가 6㎜×6㎜인 반도체 칩을 형성함으로써 적층 구조체(4R)를 얻었다.Subsequently, the semiconductor wafer in the stacked structure 3R was individualized in the same manner as in Example 1 except that the stacked structure 3R obtained above was used instead of the stacked structure 5 described above, and the size was 6 mm. A stacked structure (4R) was obtained by forming a semiconductor chip of 6 mm.

이어서, 상술한 적층 구조체(6) 대신에 상기에서 얻어진 적층 구조체(4R)를 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 적층 구조체(4R) 중의 다이싱 테이프에 자외선을 조사했다. 이에 의해 다이싱 테이프 중, 반도체 칩에 접촉하고 있는 층을 자외선 경화시켰다.Subsequently, ultraviolet rays were irradiated to the dicing tape in the laminated structure 4R in the same manner as in Example 1, except that the laminated structure 4R obtained above was used instead of the laminated structure 6 described above. As a result, the layer in contact with the semiconductor chip in the dicing tape was cured with ultraviolet rays.

이어서, 반도체 칩을 자외선 조사 후 다이싱 테이프로부터 분리하여 픽업했다.Subsequently, the semiconductor chip was picked up after being irradiated with ultraviolet rays and separated from the dicing tape.

＜＜범프의 평가＞＞<<evaluation of bump>>

상기에서 얻어진 반도체 칩에 대해, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 범프를 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.About the semiconductor chip obtained above, bumps were evaluated in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.

＜＜제1 보호막 형성용 시트의 제조, 반도체 칩 제1 보호막 적층체(제1 보호막이 형성된 반도체 칩)의 제조, 범프의 평가＞＞<<Production of sheet for forming first protective film, production of semiconductor chip first protective film laminate (semiconductor chip with first protective film), evaluation of bump>

[비교예 1][Comparative Example 1]

실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 제1 보호막 형성용 시트를 제조했다.A sheet for forming a first protective film was produced in the same manner as in Example 1.

그리고, 적층 구조체(3) 중의 반도체 웨이퍼의 범프 상부에 대해 플라즈마를 조사하지 않은 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 제조하여 범프를 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Then, a semiconductor chip first protective film laminate was manufactured in the same manner as in Example 1, except that plasma was not irradiated to the upper portion of the bump of the semiconductor wafer in the laminated structure 3 to evaluate the bump. Table 1 shows the results.

[비교예 2][Comparative Example 2]

실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 제1 보호막 형성용 시트를 제조했다.A sheet for forming a first protective film was produced in the same manner as in Example 1.

그리고, 적층 구조체(3) 중의 반도체 웨이퍼의 범프 상부에 대해 플라즈마를 조사하는 시간을 5분 대신에 0.1분으로 한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 제조하여 범프를 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Then, a semiconductor chip first protective film laminate was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the time for irradiating plasma to the upper portion of the bump of the semiconductor wafer in the stacked structure 3 was set to 0.1 minutes instead of 5 minutes. The bump was evaluated. Table 1 shows the results.

Figure pct00003
Figure pct00003

상기 결과로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1∼4의 반도체 칩 제1 보호막 적층체에 있어서는, 상기 주석의 농도 비율이 6.5％ 이상(6.5∼13.3％)으로 되어 있고, 범프의 꼭대기부에 있어서 제1 보호막 잔류물의 양이 적었다. 이는 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 제조시에 실시예 1∼3에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 범프 상부에 플라즈마를 5∼1분 조사함으로써, 상기 잔류물 저감 공정을 행하고, 실시예 4에 있어서는, 범프의 상부를 제거함으로써, 상기 잔류물 저감 공정을 행했기 때문이다.As is apparent from the above results, in the first protective film laminates of the semiconductor chips of Examples 1 to 4, the concentration ratio of the tin was 6.5% or more (6.5 to 13.3%), and the first portion was at the top of the bump. The amount of the protective film residue was small. This is in the case of manufacturing the semiconductor chip first protective film laminate, in Examples 1 to 3, the above-described residue reduction step is performed by irradiating plasma onto the bumps of the semiconductor wafer for 5 to 1 minute, and in Example 4, bumps are applied. It is because the said residue reduction process was performed by removing the upper part of.

이들 실시예에서는 이러한 결과를 반영하여, 구리판과 범프 사이의 접합 강도가 높고, 구리판과 반도체 칩의 접합체에 있어서의 전단 파괴는 응집 파괴(범프의 파괴)였다. 또한, 기판과 반도체 칩의 접합체에 있어서의 전기적 접속도도 높았다. 그리고, 기판과 반도체 칩의 접합체의 TCT 신뢰성도 높았다.In these examples, reflecting these results, the bonding strength between the copper plate and the bump was high, and the shear failure in the bonded body of the copper plate and the semiconductor chip was cohesive failure (break of the bump). In addition, the electrical connection between the substrate and the semiconductor chip was also high. Also, the TCT reliability of the bonded body of the substrate and the semiconductor chip was high.

이상의 결과로부터, 실시예 1∼4에서 제조된 반도체 칩 제1 보호막 적층체는, 목적으로 하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩인 것으로 판정할 수 있었다.From the above results, it was determined that the semiconductor chip first protective film laminates produced in Examples 1 to 4 were semiconductor chips on which the target first protective film was formed.

실시예 1∼4의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩(반도체 칩 제1 보호막 적층체)은 범프의 꼭대기부에 있어서의 제1 보호막 잔류물의 잔존이 억제됨으로써, 신뢰성이 높은 반도체 패키지를 구성 가능한 것을 확인할 수 있었다.It is confirmed that the semiconductor chip on which the first protective films of Examples 1 to 4 are formed (semiconductor chip first protective film laminate) is restrained from remaining the first protective film residue at the top portion of the bump, thereby making it possible to construct a highly reliable semiconductor package. Could.

참고예 1의 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩에 있어서는, 제1 보호막을 형성하지 않고, 상기 주석의 농도 비율이 낮아지는 요인이 없어, 실제로 상기 주석의 농도 비율은 고수준이었다.In the semiconductor wafer and semiconductor chip of Reference Example 1, the first protective film was not formed, and there was no factor that the concentration ratio of the tin was lowered. In fact, the concentration ratio of the tin was high.

실시예 1∼4, 특히 실시예 1, 2 및 4에 있어서의 상술한 평가 결과는, 참고예 1에 있어서의 평가 결과와 동등 정도의 수준이며, 실시예 1∼4에서는 범프의 꼭대기부에 있어서의 제1 보호막 잔류물의 양의 저감 효과가 높다고 판단할 수 있었다.The above-mentioned evaluation results in Examples 1 to 4, particularly in Examples 1, 2 and 4, are at the same level as the evaluation results in Reference Example 1, and in Examples 1 to 4, at the top of the bump. It was judged that the effect of reducing the amount of the first protective film residue of was high.

이에 대해, 비교예 1의 반도체 칩 제1 보호막 적층체에 있어서는, 상기 잔류물 저감 공정을 행하고 있지 않음으로써, 실시예 1∼4의 경우와 비교하여 상기 주석의 농도 비율이 현저히 낮아, 실질적으로 주석을 검출할 수 없었다.On the other hand, in the semiconductor chip first protective film laminate of Comparative Example 1, the residue reduction step is not performed, so that the concentration ratio of the tin is significantly lower than in the case of Examples 1 to 4, and substantially tin. Could not be detected.

본 비교예에서는 이러한 결과를 반영하여, 구리판과 범프 사이의 접합 강도가 낮고, 구리판과 반도체 칩의 접합체에 있어서의 전단 파괴는 계면 파괴(범프 및 구리판 사이에서의 계면 파괴)였다. 또한, 기판과 반도체 칩의 접합체에 있어서의 전기적 접속도도 낮았다. 그리고, 기판과 반도체 칩의 접합체의 TCT 신뢰성의 평가시에는 온도 사이클을 1사이클 종료하기 전의 단계에서 범프와 기판의 접합 구조가 파괴되었다.In this comparative example, reflecting these results, the bonding strength between the copper plate and the bump was low, and the shear failure in the bonded body of the copper plate and the semiconductor chip was interfacial fracture (interface fracture between the bump and the copper plate). In addition, the electrical connection between the substrate and the semiconductor chip was also low. In addition, when evaluating the TCT reliability of the bonded body of the substrate and the semiconductor chip, the bonding structure between the bump and the substrate was destroyed in the step before the temperature cycle was completed one cycle.

비교예 2의 반도체 칩 제1 보호막 적층체에 있어서는, 상기 주석의 농도 비율이 3.4％로 되어 있고, 범프의 꼭대기부에 있어서 제1 보호막 잔류물의 양이 많았다. 이는 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 제조시에 있어서, 반도체 웨이퍼의 범프 상부에 대한 플라즈마의 조사 시간이 짧아, 범프 상부의 제1 보호막 잔류물의 양의 저감이 불충분했었기 때문이다.In the semiconductor chip first protective film laminate of Comparative Example 2, the tin concentration ratio was 3.4%, and the amount of the first protective film residue was large at the top of the bump. This is because, in the production of the semiconductor chip first protective film laminate, the irradiation time of the plasma on the upper portion of the semiconductor wafer was short, and the reduction of the amount of the first protective film residue on the upper portion of the bump was insufficient.

본 비교예에서는 이러한 결과를 반영하여, 구리판과 범프 사이의 접합 강도는 높았으나, 기판과 반도체 칩의 접합체에 있어서의 전기적 접속도가 낮았다. 그리고, 기판과 반도체 칩의 접합체의 TCT 신뢰성도 낮았다.In this comparative example, reflecting these results, the bonding strength between the copper plate and the bump was high, but the electrical connection between the substrate and the semiconductor chip was low. Further, the TCT reliability of the bonded body of the substrate and the semiconductor chip was also low.

이상의 결과로부터, 비교예 1∼2에서 제조된 반도체 칩 제1 보호막 적층체는, 목적으로 하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩이 아닌 것으로 판정할 수 있었다.From the above results, it was determined that the semiconductor chip first protective film laminates produced in Comparative Examples 1 to 2 were not semiconductor chips on which the target first protective film was formed.

비교예 1∼2의 반도체 칩 제1 보호막 적층체는, 범프의 꼭대기부에 있어서의 제1 보호막 잔류물의 잔존이 억제되지 않음으로써, 신뢰성이 높은 반도체 패키지를 구성할 수 없는 것을 확인할 수 있었다.It was confirmed that the semiconductor chip first protective film stacked body of Comparative Examples 1 to 2 could not constitute a highly reliable semiconductor package because the residual of the first protective film residue at the top of the bump was not suppressed.

본 발명은 플립 칩 실장시에 사용되는 접속 패드부에 범프를 갖는 반도체 칩 등의 제조에 이용 가능하다.The present invention can be used for manufacturing a semiconductor chip or the like having a bump in a connection pad portion used for flip chip mounting.

1, 2, 3, 4…제1 보호막이 형성된 반도체 칩(반도체 칩 제1 보호막 적층체), 1'…반도체 칩 제1 보호막 적층체, 9…반도체 칩, 9'…반도체 웨이퍼, 9a…반도체 칩(반도체 웨이퍼)의 범프 형성면, 91, 92…반도체 칩(반도체 웨이퍼)의 범프, 91a, 92a…범프의 표면, 910, 920…범프의 꼭대기부, 13…제1 보호막, 131…제1 보호막 잔류물, 13'…경화성 수지 필름, 131'…경화성 수지 필름 잔류물1, 2, 3, 4… A semiconductor chip on which a first protective film is formed (semiconductor chip first protective film laminate), 1'... Semiconductor chip first protective film laminate, 9... Semiconductor chip, 9'… Semiconductor wafer, 9a... Bump formation surface of a semiconductor chip (semiconductor wafer), 91, 92... Bumps of semiconductor chips (semiconductor wafers), 91a, 92a... The surface of the bump, 910, 920... The top of the bump, 13... First protective film, 131. First protective film residue, 13'… Curable resin film, 131'… Curable resin film residue

Claims (3)

반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 범프를 갖는 면에 형성된 제1 보호막을 구비하고,
상기 범프의 꼭대기부에 대해 X선 광전자 분광법에 의해 분석을 행했을 때, 탄소, 산소, 규소 및 주석의 합계 농도에 대한 주석의 농도 비율이 5％ 이상이 되는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩.A semiconductor chip and a first protective film formed on a surface having bumps of the semiconductor chip are provided.
A semiconductor chip with a first protective film having a tin concentration ratio of 5% or more with respect to the total concentration of carbon, oxygen, silicon, and tin when analyzing the top portion of the bump by X-ray photoelectron spectroscopy. 제 1 항의 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서,
반도체 웨이퍼의 범프를 갖는 면에 경화성 수지 필름을 첩부하는 공정과,
첩부 후의 상기 경화성 수지 필름을 경화시킴으로써, 제1 보호막을 형성하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼를 분할함으로써, 반도체 칩을 얻는 공정을 갖고,
상기 경화성 수지 필름을 첩부하는 공정에 있어서, 상기 주석의 농도 비율이 5％ 이상이 되도록 상기 범프의 꼭대기부를 상기 경화성 수지 필름으로부터 돌출시키거나, 또는
상기 경화성 수지 필름을 첩부하는 공정 후, 추가로 상기 주석의 농도 비율이 5％ 이상이 되도록 상기 범프 상의 잔류물의 양을 저감하는 공정을 갖는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor chip on which the first protective film of claim 1 is formed,
A step of attaching a curable resin film to a surface having bumps of a semiconductor wafer,
A step of forming a first protective film by curing the curable resin film after sticking,
The step of obtaining a semiconductor chip by dividing the semiconductor wafer,
In the step of attaching the curable resin film, the top portion of the bump is protruded from the curable resin film so that the tin concentration ratio is 5% or more, or
After the step of attaching the curable resin film, a method of manufacturing a semiconductor chip with a first protective film having a step of reducing the amount of residues on the bumps so that the concentration ratio of the tin is 5% or more. 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 범프를 갖는 면에 형성된 제1 보호막을 구비한 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 평가 방법으로서,
상기 반도체 칩 제1 보호막 적층체 중의 상기 범프의 꼭대기부에 대해 X선 광전자 분광법에 의해 분석을 행하여, 탄소, 산소, 규소 및 주석의 합계 농도에 대한 주석의 농도 비율을 구하고, 상기 주석의 농도 비율이 5％ 이상인 경우에는, 상기 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 목적으로 하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩인 것으로 판정하고, 상기 주석의 농도 비율이 5％ 미만인 경우에는, 상기 반도체 칩 제1 보호막 적층체를 목적으로 하는 제1 보호막이 형성된 반도체 칩이 아닌 것으로 판정하는 반도체 칩 제1 보호막 적층체의 평가 방법.A method for evaluating a semiconductor chip first protective film laminate comprising a semiconductor chip and a first protective film formed on a surface having bumps of the semiconductor chip,
The top portion of the bump in the first protective film laminate of the semiconductor chip is analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy to obtain a concentration ratio of tin to the total concentration of carbon, oxygen, silicon, and tin, and the concentration ratio of tin. When it is 5% or more, it is determined that the semiconductor chip is a semiconductor chip on which the first protective film targeted for the semiconductor chip first protective film laminate is formed. When the concentration ratio of tin is less than 5%, the semiconductor chip first protective film laminate A method for evaluating a semiconductor chip first protective film laminate that is determined to be not a semiconductor chip on which the first protective film is intended.
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