KR20200079486A - 냉각 시스템을 구비한 레이저 에너지 어플리케이터 디바이스, 장치 및 상기 디바이스를 사용하는 방법 - Google Patents

냉각 시스템을 구비한 레이저 에너지 어플리케이터 디바이스, 장치 및 상기 디바이스를 사용하는 방법 Download PDF

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Abstract

어플리케이터 디바이스(15)는 - 레이저 이미터(49)용의 장착 인터페이스(47)를 포함하는 하우징(31); - 하우징(31)과 연관되고 하우징에 견고하게 접속되는, 상피 접촉면(33.1)을 가진 냉각판(33); - 냉각판(33)으로부터 열을 제거하기 위한 열 제거 시스템(35)을 포함한다.

Description

냉각 시스템을 구비한 레이저 에너지 어플리케이터 디바이스, 장치 및 상기 디바이스를 사용하는 방법
레이저 빔의 형태로 전자기 에너지의 적용을 위한, 특히 의료 용도를 위한 장치, 디바이스 및 방법이 기술된다.
의료 분야에서의 레이저 방사선의 사용은 각종 응용에 대해 공지되어 있다. 특히, 최근 고강도 방출을 사용하는 레이저 치료(고강도 레이저 요법(High-Intensity Laser Therapy) - HILT®)가 개발되었으며, 이는 10,000 W/㎠ 초과의 피크 파워 강도로 펄스식 Nd:YAG 레이저를 사용하게 한다. 레이저 방출 특성은, 조직 내로의 빔의 침투 깊이로 인해, 각종 장애에서 특히 유효한 치료를 얻는 것을 가능하게 한다. 사실상, 많은 외상, 과부하 또는 퇴행성 장애는 심부 근육, 힘줄 및 관절 구조와 연루된다. HILT®에 의하면, 조직을 침투하는 광 방사선이 조직에 의한 확산 및 흡수 둘 다의 결과로서 점차로 강도가 감소한다고 해도, 심지어 상당한 깊이에 위치된 조직 구조라도 도달하는 것이 가능하다.
HILT®에 기초한 새로운 수법은 과도한 고선량의 에너지를 방출할 필요 없이 상당한 깊이에 도달되게 할 수 있는데, 이는 더욱 표면적인 조직을 손상시킬 수도 있었다. 레이저 치료에 사용된 펄스식 레이저는 조직에 대한 하기의 각종 효과를 보인다:
- 심부 구조의 광 자극으로 이루어지고 세포 대사를 활성화시켜 기본적인 화학 반응의 활성화를 초래하는 광화학적 효과. 통증 충동의 전달이 느려지고, 빠른 진통 효과가 얻어진다. 세포 수준에서, 생체 자극 광화학적 효과는 일부 효소의 활성화, 특정 물질(핵산 및 단백질)의 생산 증가 및 대사 교환의 증가(즉, 모두 세포 생활에 대한 기본적인 활동)로 바뀐다;
- 펄스식 레이저의 높은 피크 파워에 의해 초래된 광기계적 효과. 이 광기계적 효과는 조직에서 탄성 압력파의 생성으로 인한 것이며, 생성된 펄스의 방향으로 전파된다. 조직 내부로 전파되는 이러한 파는 자극 효과로 작용한다. 조직의 산소화 자극, 염증성 분자의 배출, 유체 수집의 제거 효과가 얻어져, 신속하고 강력한 항염증 및 부종 개선 효과 및 세포 골격의 자극을 달성한다;
- 조직의 온도의 제어된 증가를 일으키고 순환 및 충혈의 자극을 유도하여, 이환된 구조에 대한 산소 공급의 증가를 유발하는 광열적 효과.
특히 고강도에서의 레이저의 유익한 효과는, 급성 및 아-급성 근육 병변, 구축(contracture), 관절염 및 퇴행성 과정, 요통, 요통 및 좌골 신경통, 전자 골부착부병증(trochanteric enthesopathy), 골부착부염증(enthesitis), 건병증, 건염, 상과염, 점액낭염(borsitis), 활액막염(synovitis), 건초염, 피막염, 어깨충돌 증후군, 외상후 또는 과부하 장애, 고관절내전 증후군, 염좌, 슬개골 연골병증 등과 같은 복수의 장애의 치료에서 이 기구의 확산을 초래하였다.
특히 고강도 레이저 디바이스에 의해 나타난 효능에도 불구하고, 레이저 에너지의 적용을 이용하는 의학적 치료로 얻을 수 있는 결과의 개선에 대한 여지가 있다.
일 양상에 따르면, 레이저 이미터(laser emitter)용의 장착 인터페이스를 구비한 하우징, 및 하우징과 연관되고 하우징에 연결된, 상피 접촉면(epidermal contact surface)을 가진 냉각판을 포함하는 어플리케이터 디바이스가 제공된다. 또한, 상기 디바이스에는 냉각판으로부터 열을 제거하기 위한 열 제거 시스템이 제공된다.
특히 유리한 실시형태에 있어서, 열 제거 시스템은 15℃ 이상, 바람직하게는 18℃ 이상 28℃ 이하의 상피의 온도에 도달하도록 구성된다.
사용하기에 용이하고 실용적인 제한된 크기의 어플리케이터 디바이스에서 효과적인 열 제거를 얻기 위하여, 몇몇 실시형태에 있어서, 열 제거 시스템은 냉각판과 열 교환 관계로 적어도 하나의 열전소자, 특히 펠티에 셀(Peltier cell)을 포함한다.
작은 크기의 디바이스로 충분한 냉각을 얻기 위하여, 예를 들어, 냉각판과 열 교환 관계로, 서로 직렬로 그리고/또는 병렬로 배열될 수 있는 복수의 열전소자, 특히 펠티에 셀을 사용하는 것이 유리하다.
예를 들어, 제1 열전소자는 냉각판의 배면과 열 접촉하는 냉각면 또는 표면, 및 히트 싱크로서 작용하는 블록과 열 접촉, 결과적으로 하나 이상의 열전소자의 냉각 표면과 열 접촉하는, 바람직하게는 서로 병렬의 고온면 또는 표면을 가질 수 있다.
몇몇 실시형태에 있어서, 열 제거 시스템은 냉각판과 열 교환 관계로 냉각 유체, 예를 들어, 물의 순환을 위한 회로를 포함한다. 냉각 유체의 회로와 냉각판 간의 열 교환 관계는 직접적 열 교환 관계일 수 있고, 즉, 여기서 열은 냉각판 및 냉각 유체의 회로, 또는 이의 부분을 형성하는 충분한 열 전도도를 가진 재료를 통한 전도에 의해 냉각판으로부터 회로로 수동적으로 흐른다. 시스템의 열 관성을 증가시키는 전도성 재료의 대부분이 두 구성요소 사이에 삽입될 수 있다.
그러나, 바람직하게는, 냉각 유체가 순환하는 회로는 냉각판과 간접적인 열 교환 관계이고, 하나 이상의 열전소자는 냉각판과 냉각 유체의 회로 사이에 배열된다. 이와 같이 해서, 열은 열전 효과에 의해 냉각판으로부터 추출되고, 열은 냉각 유체 회로에 의해서 열전소자의 고온 표면으로부터 제거된다.
실질적인 실시형태에 있어서, 열 제거 시스템은 냉각판과 접촉하는 냉각 표면 및 히트 싱크와 접촉하는 고온 표면을 가진 적어도 제1 열전소자; 히트 싱크와 접촉하는 냉각 표면 및 냉각 유체가 순환하는 적도 하나의 열교환소자와 열 교환 관계에 있는 고온 표면을 가진 적어도 제2 열전소자를 포함한다.
냉각판 및 레이저 이미터는 서로 나란히 배열될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 냉각판은 창(window) 또는 오목부(indentation)를 구비하고, 레이저 이미터의 장착 인터페이스는 이미터에 의해 방출된 레이저 빔이 창 또는 오목부에서 냉각판을 통과하도록 구성되고 배열된다. 이와 같이 해서, 냉각된 영역과 레이저 빔이 조사된 영역 사이에 적어도 부분적인 중첩이 얻어질 수 있다.
유리하게는, 특히 효과적인 냉각을 얻기 위하여, 창 또는 오목부에는 레이저 방사선에 투과성이고 높은 열 전도도를 가진 재료로 폐쇄 소자가 제공될 수 있다.
몇몇 실시형태에 있어서, 레이저 이미터의 장착 인터페이스는 보유 시트(retention seat)를 형성하고, 여기서 레이저 이미터는 착탈 가능하게 장착될 수 있으므로, 복수의 레이저 이미터의 하나 또는 또 다른 하나가 어플리케이터 디바이스에 선택적으로 결합될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 인터페이스는 안정적인 장착 시트(stable mounting seat)로서 구성될 수 있고, 여기서 레이저 이미터는, 예를 들어, 제조 동안 상기 장착 시트에 장착되고, 필요한 경우, 예를 들어, 결함으로 인해 또는 유지를 위하여 교체되거나 보수되어야 할 특정 환경에서만 상기 장착 시트부터 제거된다.
다른 양상에 따르면, 위에서 기재된 바와 같은 어플리케이터 디바이스; 레이저 공급원; 어플리케이터 디바이스의 냉각판으로부터 열을 제거하기 위한 시스템용의 전원; 도광체(light guide)에 의해 레이저 공급원에 연결 가능하고 어플리케이터 디바이스에 적용 가능한 레이저 이미터를 포함하는 레이저 요법 디바이스가 제공된다.
또 다른 양상에 따르면, 바람직하게는 레이저 방사선의 방출과 조합하여, 접촉에 의한 냉각에 의해서, 예를 들어, 냉각판에 의해서 열을 제거하는 단계를 포함하는, 펄스식 레이저 방사선을 전달하는 방법이 기술된다.
특히, 본 개시내용의 주제는, 바람직하게는 펄스식 레이저 방사선을 소정 시간 간격 동안 방출하는 단계; 냉각 단계를 레이저 방사선 방출 단계와 조합하는 단계; 특히 복수의 레이저 방사선 방출 단계를 복수의 냉각 단계와 조합하는 단계를 포함하는 방법이다. 특정 실시형태에 있어서, 상기 방법은 레이저 방사 없는 냉각 단계와 교번하여 레이저 방출 단계를 실행하는 것을 포함할 수 있다.
추가의 특징 및 실시예가 이하에 제시된 가능한 실시형태의 상세한 설명에 그리고 본 발명의 설명의 일체적인 부분을 형성하는 첨부한 청구범위에 기재되어 있다.
본 발명은 이하의 설명 및 본 발명의 실시형태의 비제한적인 예를 도시하는 첨부 도면에 의해 더 잘 이해될 것이다. 특히 도면에서:
도 1A 및 도 1B는 두 실시형태에서 본 발명의 설명에 따른 디바이스의 개략도;
도 2는 어플리케이터 디바이스의 측면도;
도 3은 도 2의 III-III에 따른 뷰를 도시한 도면;
도 4는 도 3의 IV-IV에 따른 부분 단면을 도시한 도면;
도 5는 각각의 열 제거 시스템의 구성요소와 냉각판의 부등각 투영도;
도 5A 및 도 5B는 각각 도 5B의 VA-VA 및 도 5A의 VB-VB에 따른 단면을 도시한 도면;
도 6은 디바이스의 작동 모드를 예시한 다이어그램;
도 7 및 도 8은 다른 실시형태에 있어서 레이저 이미터와 조합된 냉각판의 두 정면도.
예로써 부여된 실시형태의 이하의 상세한 설명은 첨부 도면을 참조한다. 상이한 도면에서 동일한 참조 번호는 동일 또는 유사한 요소를 식별한다. 게다가, 도면은 반드시 일정 축척으로 되어 있는 것은 아니다. 이하의 상세한 설명은 본 발명을 제한하지 않는다. 오히려, 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위에 의해 규정된다.
설명에서 "실시형태" 또는 "상기 실시형태" 또는 "몇몇 실시형태"에 대한 언급은 실시예에 관하여 설명된 특정 특징부, 구조 또는 요소가 기재된 목적의 적어도 일 실시형태에 포함되는 것을 의미한다. 따라서, 설명에서 사용된 어구 "일 실시형태에 있어서" 또는 "상기 실시형태에 있어서" 또는 "몇몇 실시형태에 있어서"는 반드시 동일한 실시형태 또는 실시형태들을 지칭하는 것은 아니다. 또한, 특정 특징부, 구조 또는 요소는 하나 이상의 실시형태에서 임의의 적절한 방법으로 조합될 수 있다.
도 1A는 본 개시내용에 따른 디바이스(1)의 개략도를 도시한다. 디바이스(1)는, 필요한 경우, 휠(3)에 의해서 이동 가능한 하우징(2)을 포함하며, 해당 하우징 내에 디바이스(1)의 주된 구성요소들이 수용된다. 하우징(2)에는, 중앙 제어 유닛(5), 레이저 공급원(7), DC 전기 에너지 공급원(9), 냉각 회로(11)가 배열되어 있다. 중앙 제어 유닛(5)은 디바이스(1)의 각종 구성요소, 이들 중 특히 레이저 공급원(7), DC 전기 에너지 공급원(9), 냉각 회로(11)의 구성요소와 접속된다.
참조 부호(13)은 모니터 또는 터치 스크린을 나타내고, 참조 부호(14)는 키보드, 터치 패드, 마우스 또는 디바이스와 접속하는 다른 요소를 포함할 수 있는 하나 이상의 사용자-인터페이스를 나타낸다.
어플리케이터 디바이스(15)는 디바이스(1)와 연관되고, 이하에 더욱 상세히 설명될 것이다. 어플리케이터 디바이스(15)는 전체로서 (17)로 나타낸 파이프 및/또는 케이블의 조립체 또는 묶음에 의해서 디바이스(1)의 구성요소들에 접속될 수 있다. 예를 들어, 어플리케이터 디바이스(15), 또는 더욱 정확하게는 이와 연관되고 이하에 더욱 상세히 기재된 레이저 이미터는, 광섬유 도광체에 의해 레이저 공급원(7)에 연결될 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, 레이저 방사선은, 조인트에 거울이 설치되어 내부 중공 관절식 암으로 안내될 수 있으며, 상기 거울은 상기 암의 원위 단부로 레이저 빔을 전환시킨다.
게다가, 데이터 케이블 및/또는 전력 케이블은, 이하에 더 잘 설명되는 바와 같이, 어플리케이터 디바이스(15)의 각종 구성요소 및 기능을 위해 제공될 수 있다. 또한 케이블과 도광체는 냉각 유체의 전달 파이프 및 귀환 파이프와 조합될 수 있는데, 이들은 냉각 회로(11)의 일부이거나, 또는 냉각 회로와 유체 연통된다.
냉각 회로(11)는 일반적으로 열 교환기(19)에 의해서 도 1A에 개략적으로 도시된 히트 싱크 수단을 포함한다. 열 교환기는 액체/공기 교환기, 예를 들어, 라디에이터(radiator)일 수 있다. 냉각 유체는 물, 예를 들어, 증류수일 수 있다. 열 교환기(19)는 모터(24)에 의해 작동된 팬(22)과 연관되어, 냉각 회로(11)에서 순환하는 냉각 유체의 강제 대류 냉각을 얻을 수 있다.
냉각 유체는, 예를 들어, 펌프(21)를 포함하는 적합한 펌핑 시스템에 의해서 냉각 회로에서 순환된다.
몇몇 경우에, 예를 들어, 주위 온도보다 낮은 냉각 유체의 온도가 요구될 경우, 두 경우에 어플리케이터 디바이스(15)를 향하여 그리고 이로부터 순환하는 냉각 액체의 흐름을 냉각시키도록 구성된 전기 모터, 또는 흡수 냉각 시스템에 의해 조작된 냉각 회로를 구비한 냉각 시스템이 제공될 수 있다.
도 1B에 개략적으로 도시된 실시형태에 있어서, 냉각 유체는 어플리케이터 디바이스(15)에 연결된 파이프에서 펌프(21)에 의해서 순환되고, 냉각 유체가 냉각 회로(20)에서 순환되는 동안 열 교환기(19)에서 열을 교환한다. 다른 실시형태에 있어서, 냉각 회로(20)의 냉각 유체는 어플리케이터 디바이스(15)에 직접 공급될 수 있다.
어플리케이터 디바이스(15)의 예시적인 실시형태가 이제 도 2 내지 도 5를 참조하여 더욱 상세히 설명된다.
어플리케이터 디바이스(15)는 핸들을 형성할 수 있고 그리고 어플리케이터 디바이스(15)의 각종 구성요소를 장착 및/또는 수용하기 위하여 역할할 수 있는 하우징(31)을 포함할 수 있다. 하우징(31)은, 냉각판(33)이 배열되는 시트(seat)(32)를 포함할 수 있다.
냉각판(33)은 시트(32)의 외측 표면(33.1)과 시트(32)의 내측 표면(33.2)을 포함할 수 있다. 외측 표면(33.1)은 상피 접촉면이다. 이 용어는 환자의 상피와 접촉하게 되도록 구성된 표면을 의미하며, 상기 상피에의 레이저 처리는 어플리케이터 디바이스(15)에 의해서 적용된다.
예시된 실시형태에 있어서, 냉각판(33)은 매우 두꺼운데, 즉, 표면(33.1 및 33.2)은 서로 실질적인 거리에 있어, 냉각판(33)에 충분한 열적 관성을 부여한다. 예를 들어, 냉각판(33)의 두께는 두 표면(33.1 및 33.2)의 치수와 같은 정도의 크기이다.
전체로서 (35)로 표시된 열 제거 시스템은, 냉각판(33)과 연관되어 있다. 몇몇 실시형태에 있어서, 열 제거 시스템(35)은 하나 이상의 펠티에 셀, 또는 냉각을 위하여 열전 효과를 이용하는 또 다른 요소를 포함한다. 예시된 실시형태에 있어서, 열 제거 시스템(35)은 냉각판(33)의 표면(33.2)과 열 접촉하도록 적용된 제1 펠티에 셀(36)을 포함한다. 펠티에 셀(36)은 냉각 표면(36F) 및 대향하는 고온 표면(36C)을 갖는다.
펠티에 셀의 "냉각 표면"은, 본 명세서에서, 열전 효과를 통해서, 펠티에 셀이 통전될 경우 냉각되는 표면을 의미한다. 역으로, 펠티에 셀의 "고온 표면"은, 본 명세서에서, 펠티에 셀이 통전될 경우 열전 효과를 통해서 가열되는 표면을 의미한다.
펠티에 셀(36)의 냉각 표면(36F)은 냉각판(33)의 표면(33.2)과 열 접촉하고, 따라서 냉각판(33)과 열 교환 관계에 있다. 펠티에 셀이 통전되는 경우, 냉각판으로부터 열을 제거한다.
펠티에 셀(36)의 고온 표면(36C)은 히트 싱크와, 즉, 펠티에 셀(36)로부터 열을 흡수하도록 구성된 구성요소와 열교환 관계에 있을 수 있다. 히트 싱크는, 펠티에 셀(36)의 고온 표면(36C)과 기계적 접촉하고 자연 또는 강제 대류를 통해 공기 중에서 열을 방열시키도록 구성된 공기 히트 싱크, 예컨대, 핀 부착(finned) 히트 싱크일 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 히트 싱크는 냉각 회로, 예컨대, 냉각 회로(11)와 열 교환 관계에 있는 히트 싱크일 수 있다.
예시된 실시형태에 있어서, 펠티에 셀(36)의 고온 표면(36C)은 높은 열 교환 계수를 갖는 물질, 예컨대, 금속, 특히 구리로 이루어진 블록(37)과 접촉한다. 블록(37)은 히트 싱크로서 작용하고 펠티에 셀(36)의 고온 표면(36C)에 의해 방출된 열을 흡수한다.
몇몇 실시형태에 있어서, 제2 펠티에 셀 또는 조합하여 복수의 제2 펠티에 셀이 제1 펠티에 셀(36)과 연관될 수 있다. 예를 들어, 펠티에 셀의 배열은 제1 펠티에 셀(36)과 직렬로 연관될 수 있다. 펠티에 셀의 배열은 서로 병렬로 하나 이상의 펠티에 셀을 포함할 수 있다.
예시된 예시적인 실시형태(특히 도 5 참조)에 있어서, 각각의 냉각 표면에 의해서 블록(37)과 접촉하는 2개의 추가의 펠티에 셀(39, 41)이 제공된다. 펠티에 셀(39, 41)의 고온 표면은 블록(37)으로부터 제거된 열을 방열하도록 히트 싱크와 열 교환 관계에 있을 수 있다. 따라서, 펠티에 셀(39, 41)은 서로 병렬로 배열될 수 있다. 고온 표면으로부터 열을 방열시키기 위하여, 병렬의 2개의 펠티에 셀(39, 41)에는, 강제 또는 자연 대류를 통해서 공기 중에 열을 방열시키는 각각의 핀 부착 히트 싱크가 제공될 수 있다.
예시된 실시형태에 있어서, 펠티에 셀(39, 41)의 고온 표면은, 냉각 유체, 예를 들어, 물의 전달 덕트(11A)와 귀환 덕트(11B)와 서로 각각 연결된 2개의 열교환소자(43, 45)와 접촉된다. 어플리케이터 디바이스(15)가 디바이스(1)에 연결되는 경우, 열 교환기(43, 45)는 2개의 파이프(11A, 11B)로서 냉각 회로(11)의 일부를 형성한다. 도 5A 및 도 5B는 열 교환기(43, 45)의 구조를 더욱 상세히 도시한다. 각각은 냉각 유체용의 경로를 갖는다. 2개의 경로는 각각 (43A), (45A)로 표시되고, 유체 연결부(46)에 의해 서로 연결된다. 따라서, 냉각 유체는 열 교환 요소(43) 내로 전달 파이프(11A)에 의해서 공급되어, 그 안에서 순환되고, 열 교환기 소자(45) 내로 통과하고, 이로부터 귀환 파이프(11B)를 통해 추출된다.
도 5, 도 5A, 도 5B의 배열에 의하면, 냉각판(33)은 펠티에 셀(39 및 41)과 직렬로 펠티에 셀(36)에 의해 열전 효과를 통해서 냉각되고; 이들 후자에 의해 생성된 열은 파이프(11A, 11B)에서 순환하는 냉각 유체에 의해서 제거된다. 펠티에 셀과 열교환소자의 조합된 배열은 높은 열 효율이 얻어질 수 있게 하여, 각 펠티에 셀의 두 대향 표면(고온 및 냉각) 간의 제한된 온도차를 유지하게 한다. 이 조건은 펠티에 셀의 효율적인 동작을 가능하게 한다. 게다가, 이 구성은 특히 컴팩트하고, 어플리케이터 디바이스(15)에 수용될 제한된 크기로 제조될 수 있게 하고, 이는 조작자에 의해 용이하게 취급 가능하게 되어야 한다.
몇몇 실시형태에 있어서, 어플리케이터 디바이스(15)는 레이저 이미터용의 장착 인터페이스를 규정한다. 예시된 예시적인 실시형태에 있어서, 인터페이스는 시트(47)를 포함하고, 이 시트에는 전체로서 (49)로 표시된 레이저 이미터가 수용된다. 시트(47)는 그의 광축(A-A)이 상피 접촉면(33.1)의 이상적인 연장부를 형성하는 평탄한 기하 표면(S)에 입사되도록 하는 위치에서 레이저 이미터(49)를 수용하는 길이방향 연장부를 가질 수 있다.
달리 말하면, 바람직하게는 평탄한 상피 접촉면(33.1)이 기하 표면(S) 상에 놓인다. 몇몇 실시형태에 있어서, 레이저 이미터의 광축(A-A)은, 레이저 이미터(49)가 어플리케이터 디바이스(15) 상의 장착 인터페이스에 정확하게 적용된 경우, 즉, 시트(47)에 정확하게 삽입된 경우, 기하 표면(S)과 직교한다.
시트(47)는 유리하게는 하나 이상의 상이한 호환 가능한 레이저 이미터(49)를 용이하게 삽입 및 제거 가능하도록 설계된다. 몇몇 실시형태에 있어서, 시트(47)는, 필요한 경우, 시트(47)의 벽의 탄성 변형의 도움으로, 마찰에 의해 레이저 이미터(49)를 유지하도록 구성될 수 있다.
몇몇 실시형태에 있어서, 어플리케이터 디바이스(15)는 핸들을 형성하는 본체(50)를 구비하고, 그 내부에서 열 제거 시스템(35)용의 시트(32)가 배열되고, 그 정면 상에 냉각판(33)이 지지된다. 시트(47)는 본체(50)의 길이방향 연장부를 따라 연장된다. 핸들의 뒷부분에서, 그 뒷부분의 반대쪽에 냉각판(33)이 위치되고, 이하에 더욱 상세히 기재되는 조립체 또는 묶음(17)을 형성하는 케이블 및 파이프가 연결된다. 어플리케이터 디바이스(15)의 본 실시형태는 특히 인체공학적이고 용이하게 취급될 수 있다.
유리한 실시형태에 있어서, 어플리케이터 디바이스(15)는 냉각판(33)의 에지와 레이저 이미터(49)의 광축(A-A) 간의 거리가 작게, 예를 들어, 레이저 이미터(49)의 직경 이하가 되도록 구성된다. 이와 같이 해서, 사용 시, 광축(A-A) 방향으로 레이저 이미터(49)에 의해 방출된 레이저 빔은 냉각판(33)의 냉각 작용에 의해 연루된 영역에 엄격하게 인접한 위치에서 처리를 받게 되는 대상체의 상피 상에 충돌할 것이다.
유리한 실시형태에 있어서, 레이저 이미터(49)는 사용자가 복수의 상이한 레이저 이미터 중 하나 또는 다른 하나를 선택할 수 있도록 호환 가능할 수 있다. 예를 들어, 레이저 이미터(49)는 방출된 레이저 빔의 단면 크기 또는 형상에 있어서 또는 레이저 빔의 광학 특징에 있어서 상이할 수 있다. 레이저 이미터(49)는, 예를 들어, 시준된 빔을 방출하도록 구성될 수 있고, 또 다른 레이저 이미터(49)는 발산 또는 탈집속 빔을 방출하거나, 또는 집속 빔 또는 수렴 빔을 방출하도록 구성될 수 있다.
레이저 이미터는, 그 자체로 공지된 방식으로, 사용자에 의해 조절될 수 있는 광학 집속 및/또는 탈집속 또는 시준 시스템을 포함할 수 있다.
유리한 실시형태에 있어서, 레이저 이미터(49)는 제어 디바이스(51), 예를 들어, 제어 버튼(51)을 가질 수 있다. 이 제어 디바이스는 어플리케이터 디바이스(15)를 유지하는 조작자에 의해 용이하게 조작되도록 적소에 배치될 수 있다. 제어 디바이스(51)는 데이터 케이블(53)에 의해서 중앙 제어 유닛(5)에 연결될 수 있고 레이저 공급원(7)에 의해 펄스식 레이저 빔의 방출을 제어하는데 사용될 수 있다. 조합하여 또는 대안적으로, 제어 디바이스는 어플리케이터 디바이스(15)와는 별개의 페달 요소일 수 있다.
레이저 이미터(49)는 광섬유 케이블(55)에 의해서 레이저 공급원(7)에 연결된다. 광섬유 케이블(55)과 데이터 케이블(53) 둘 다는 케이블 및 파이프의 조립체 또는 묶음(17)의 일부일 수 있다(도 1). 케이블 및 파이프의 이 조립체 또는 묶음(17)은 또한 열 제거 시스템(35)의 열 교환기 소자(43, 45)를 순환하는 냉각 유체의 전달 및 귀환 파이프(11A, 11B)를 포함한다. 케이블 및 파이프의 조립체(17)는, 펠티에 셀을 DC 전기 에너지 공급원(9)(도 1)에 연결하는, 개략적으로 (40)으로 나타낸(도 2), 펠티에 셀(36, 39, 41)용의 하나 이상의 전력 케이블을 더 포함할 수 있다.
기재된 디바이스(1) 및 어플리케이터 디바이스(15)에 의해, 처리된 구조의 온도 제어에 의해 열처리 및 특히 레이저 처리와 조합하여 레이저 처리를 수행하는 것이 가능하다. 이 목적을 위하여, 디바이스(1)가 온 상태로 전환되고, 냉각판(33)으로부터 열을 제거하기 위한 열 제거 시스템(35)이 활성화될 수 있다. 예를 들어, 열 제거 시스템(35)의 펠티에 셀 중 하나, 몇몇 또는 바람직하게는 모두에 대한 전원, 회로(11) 내 냉각 유체의 순환 및 냉각 회로(20)가 활성화될 수 있다. 레이저 공급원(7)이 또한 활성화된다. 사용자 인터페이스(13, 14)에 의해서, 각종 작동 파라미터를 설정하는 것이 가능하다. 예를 들어, 중앙 제어 유닛(5)은 신체의 각종 영역에 대해서 2개 이상의 처리 프로토콜 간을 선택할 기회를 조작자에게 제공하도록 프로그래밍될 수 있다. 몇몇 실시형태에 있어서, 중앙 제어 유닛(5)은 또한 조작자가 미리 설정된 작동 파라미터를 조절하고 상이한 추가의 처리 프로토콜을 위하여 새로운 파라미터를 규정하고 이어서 후속의 사용을 위해서 저장될 수 있게 하는 것을 가능하게 한다.
처리를 수행하기 전에, 조작자는, 이용 가능한 경우, 각종 레이저 이미터(49) 중 하나를 선택하고, 이것을 광섬유 케이블(55)에 의해서 레이저 공급원(7)에 연결하여 어플리케이터 디바이스(15) 상에 장착할 수 있다.
디바이스가 셋업되고 활성화된 경우, 조작자는, 레이저 방사선이 적용되는 구조에 대응하는 어플리케이터 디바이스(15)를, 치료될 대상체의 상피와 접촉하여 배치할 수 있다. 이 디바이스에 의해 효과적으로 치료될 수 있는 장애의 비제한적인 예의 일람은 본 발명의 설명의 도입 부분에 표시되어 있다.
열 제거 시스템이 활성화된 경우, 치료될 대상체의 상피와 접촉하여 어플리케이터 디바이스(15)의 상피 접촉면(33.1)을 배치함으로써, 상피와 그 밑의 조직이 냉각된다. 전형적으로, 상피 접촉면(33.1)의 온도는 조직의 온도의 5℃ 이상, 바람직하게는 15℃ 이상, 더욱더 바람직하게는 18℃ 이상, 전형적으로 18℃ 내지 28℃의 저감을 초래하도록 제어된다. 이 목적을 위하여, 냉각판(33)의 온도를 검출하도록 구성된 온도 센서(30)가 제공될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 냉각판(33), 따라서 이와 접촉한 상피의 온도는, 교정 동안 수집되고 펠티에 셀에 공급된 전류값 및 냉각 유체의 온도와 유량을 제어함으로써 수행된 실험 데이터에 의해서 추정될 수 있다. 냉각은 레이저 빔으로 그 영역을 조사하기 전에 예비 단계로서 수행될 수 있다. 몇몇 경우에, 냉각 및 조사 처리가 동시에 수행될 수 있다.
실시형태의 몇몇 변형예에서, 동시 처리를 용이하게 하기 위하여, 냉각판(33)은 냉각판(33)과 직접 접촉하는 영역에 의해 둘러싸인 상피의 일부분을 가로막도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 냉각판(33)은 레이저 빔의 통로와 실질적으로 동축일 수 있고, 이 목적을 위하여 창 또는 중앙 개구부를 가질 수 있다. 이런 유형의 가능한 구성은 창(34)을 구비한 냉각판(33)의 정면도를 개략적으로 도시한 도 7에 나타내며, 이 창 뒤에 레이저 이미터(49)가 설치된다. 창(34)은 냉각판(33) 내 간단한 구멍일 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 창(34)은 레이저 방사선에 투과성이고 열전도성인 물질, 예컨대, 사파이어로 판으로 폐쇄될 수 있다.
레이저 빔의 통로용의 창 또는 구멍(34)은 중앙에 있을 수 있고, 따라서 도 7에 도시된 바와 같이 냉각판(33)에 대해서 대략 동축일 수 있다. 그러나, 이것은 중요하지 않다. 다른 실시형태에 있어서, 레이저 이미터(49)는, 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 이의 에지 부근에 위치될 때까지, 냉각판(33)에 관하여 오프셋되어 위치될 수 있다. 여기서 냉각판(33)은 횡방향 오목부(38)를 갖고, 그 뒤에 레이저 이미터(49)가 배열된다.
몇몇 처리 모드에서, 어플리케이터 디바이스는 상피와 접촉하여 배치될 수 있고 환자의 상피와 접촉하여 상피 접촉면(33.1)을 유지하는 상피를 따라서 짧은 거리에 대해서 이동될 수 있다. 이 이동은 화살표(F)에 따라서 수행될 수 있고(도 2), 따라서 상피의 각 부분이 먼저 상피 접촉면(33.1)과 접촉하게 되고, 냉각되며, 후속하여 레이저 이미터(49)에 의해 방출된 레이저 빔으로 조사된다.
상피 및 그 밑의 조직의 국소화된 냉각은 이중의 유리한 효과를 갖는다. 한편, 레이저 조사의 결과로서 조직에 의해 도달된 온도는 저감되고, 따라서 보다 큰 선량의 레이저 에너지가 조직의 열적 손상의 위험 없이 공급될 수 있다. 그러나, 이러한 이점 이외에, 기저 온도(36℃)보다 약간 낮은 온도로 가열하는 것은, 혈액 및 림프 모세관의 수준에서 미세 순환의 재활성화, 경련 및 근막 통증을 완화시킬 수 있는 즉각적인 근육 완화를 포함하는, 후속의 레이저 적용에 의한 효과의 최대 상승작용을 얻도록 조직 상에 최적의 온도 구배를 일으키는 것을 발견하였다. 전형적으로, 레이저 공급원(7)은 1064㎚의 파장을 가진 펄스식 Nd:YAG 레이저이다.
몇몇 실시형태에 따르면, 하나의 방출 간격과 또 다른 방출 간격 사이에 조직의 냉각 단계를 수행하도록 서로 시간적으로 이격된 방출 간격에 따라서 레이저 방사선을, 바람직하게는 펄스식으로 적용하는 것이 특히 유리할 수 있다. 이 목적을 위하여, 중앙 제어 유닛(5)은, 예를 들어, 푸시 버튼(51)에 의해서 레이저 이미터를 활성화시킴으로써, 냉각판(33)이 조직으로부터 열을 제거하는 동안에, 레이저 공급원(7)이 방출 없이 시간 간격에 의해서 서로 이격되어 미리 결정된 지속시간의 간격에 따라서 펄스식의 레이저 방사선을 도광체에 의해서 전달하도록 프로그래밍될 수 있다. 방출 없는 이들 간격은 조직의 냉각 간격을 나타낸다.
도 6은 처리 시간이 가로축에 표시되고 상피의 온도가 세로축에 표시된 다이어그램을 도시한다. 곡선 C는 처리 동안 온도의 경향을 도시한다. 도 6에서 예로써 제공된 다이어그램에서, 처리는, 레이저 처리 시간 간격(TL)과 번갈아, 냉각판(33)에 의해서 상피의 냉각 시간 간격(TF)으로 수행된다. 냉각판(33)의 적용 동안, 상피의 온도가 예를 들어 20℃ 내지 18℃로 감소된다. 냉각에 후속하는 각 간격(TL)에서, 레이저 펄스(I)는, 최대 40℃ 부근의 값으로 곡선(C)에 따라서 상피의 온도의 점차적인 증가를 초래한다. 이들은 여전히 소위 열 손상 역치(45℃ 부근) 미만이고, 따라서 레이저 방사선은 조직을 손상시키지 않는다. 레이저 처리 간격(TL)이 종료된 후에, 처리된 영역의 온도는 새로운 일련의 레이저 펄스를 적용하기 전에 18 내지 20℃ 부근으로 재차 내려갈 수 있다.
조작자는 제어 버튼(51)에 의해서, 또는 페달 제어부(도시 생략)에 의해서 레이저 방출의 활성화 및 비활성화를 제어할 수 있고, 레이저 빔의 활성화 및 비활성화에 의해 어플리케이터 디바이스의 이동을 조절할 수 있다. 이 제어는, 푸시 버튼(51) 상의 압력이 조작자에 의해 설정된 파라미터에 따라서 중앙 제어 유닛(5)에 의해 제어된 지속시간의 레이저 처리 간격(TL)의 시작을 유발하도록 할 수 있다. 후속의 처리 간격(TL)은 제어 버튼(51)의 후속의 동작에 의해서만 활성화될 것이다. 이와 같이 해서 처리 시간(TL)은 조작자에 의해서가 아니라 중앙 제어 유닛(5)에 의해서 정확하게 제어된다.
제어 버튼(51)에 관하여 추가 페달 제어가 추가의 안전 소자로서 사용될 수 있다. 예를 들어, 제어 버튼(51)은 페달 제어가 눌린 경우에만 가능하게 될 수 있다.
냉각 효과는 냉각판(33)을 상피로부터 멀리 이동시킴으로써 간단히 중단될 수 있다.
몇몇 실시형태에 있어서, 간격(TL) 및 (TF)의 지속시간은, 고정될 수 있거나, 또는 처리의 개시 시에 조작자에 의해 설정가능하고 필요한 경우 처리 동안 조절 가능할 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 온도 제어 시스템은 간격(TF) 및 (TL)의 지속시간을 조절 또는 조정하기 위하여 제공될 수 있다. 예를 들어, 냉각판(33)과 연관된 온도 센서가 제공될 수 있다.
기간(TF)의 지속시간은　최소 요구 온도, 예를 들어, 18℃가 피부에 도달하는 속도에 기초하여 연장되거나 또는 저감될 수 있다.
시간 또는 간격(TL) 및 (TF)은　제어 시스템에 의해 설정될 수 있거나 또는 조작자에 의해 설정될 수 있다. 몇몇 경우에, 중앙 제어 유닛(5)은 조작자가 일부 처리 및/또는 환자 데이터를 설정할 것을 필요로 할 수 있고, 이에 기초하여 (TL) 및 (TF)가 자동적으로 계산된다. 다른 경우에, 조작자는 (TL) 및 (TF)값을 마음대로 설정할 수 있다. 또한, (TL) 및 (TF)값이, 예를 들어, 작동 파라미터의 일부 또는 전부의 함수로서, 중앙 제어 유닛(5)에 의해 계산될 수 있게 하고, 조작자가 이를 마음대로 그리고/또는 중앙 제어 유닛에 의해 결정된 소정의 한계 내에 조절할 기회를 부여하는 것을 가능하게 한다.
주기(TL)의 지속시간은, 예를 들어,　피부 상에 검출된 온도에 기초하여 저감 또는 연장될 수 있다. 몇몇 실시형태에 있어서, 온도가 검출될 수 있고, 레이저 방사선의 방출은 최대 설정 온도값에 도달할 때 중단될 수 있다. 바람직하게는, 방출 중지의 이러한 제어는 자동식이다. 이것은 치료가 특히 효율적이고 안전할 뿐만 아니라 수행하기 용이하게 만든다. 그러나, 모니터, 디스플레이 또는 또 다른 사용자 인터페이스 상에서 온도를 보고, 이와 같이 해서 사용자가 방출 시작 및 중지 시간을 수동으로 제어하는 것을 가능하게 할 것이다.
몇몇 실시형태에 있어서, 예를 들어, 냉각판의 온도를 검출하고 이에 따라서 열 제거 시스템을 조절하는 하나 이상의 온도 센서가 제공될 수 있다. 몇몇 실시형태에 있어서, 측정된 온도에 기초하여, 중앙 제어 유닛(5), 또는 디바이스(1)에 설치된 기타 지능장치는, 냉각 회로(11) 내 냉각 유체의 유량 및/또는 냉각 유체의 온도를 조절할 수 있다. 몇몇 실시형태에 있어서, 중앙 제어 유닛(5), 또는 디바이스(1)에 설치된 기타 지능장치는, 필요 시, 냉각 유체의 유량 및/또는 냉각 회로(11) 내 냉각 유체의 온도의 조절과 조합하여, 펠티에 셀(36, 39, 41) 중 하나에, 또 하나에 또는 모두에 공급된 전류를 조절할 수 있다.
유리한 사용 모드에서, 냉각 사이클과 가열 사이클은, 필요한 경우, 조직의 인접한 영역에서 차례차례로 반복되어, 교번하는 충혈 현상과 혈류의 냉각을 일으키는데, 이는 냉각 효과와 레이저 조사 간의 상승작용을 위해 특히 유익할 수 있다.
비-제한적인 예로서, 위에서 기재된 디바이스(1)와 어플리케이터 디바이스(15)에 의해서 수행된 처리에서 사용될 수 있는 파라미터에 대해서 이하의 범위가 나타낸다:
- 레이저 공급원 피크 파워: 500W 내지 10000W
- 평균 강도: 1 내지 50 W/㎠
- 펄스 에너지: 100 내지 1500 mJ
- 평균 파워: 200mW 내지 100W
- 플루언스(fluence): 100 내지 10000 mJ/㎠;
- 펄스 지속시간: 5㎱ 내지 150㎲
- 펄스 반복 주파수: 1 내지 50 Hz
특히, 어플리케이터 디바이스 및 기재된 디바이스에 의하면, 이하의 장애 중 하나 이상을 앓고 있는 환자의 치료 방법이 수행될 수 있다: 관절, 힘줄, 인대, 근육의 통증성 장애, 급성 및 아-급성 근육 병변, 구축, 관절염 및 퇴행성 과정, 요통, 요통 및 좌골 신경통, 전자 골부착부병증, 골부착부염증, 건병증, 건염, 상과염, 점액낭염, 활액막염, 상과염, 건초염, 피막염, 어깨충돌 증후군, 외상후 또는 과부하 장애, 고관절내전 증후군, 염좌, 슬개골 연골병증. 방법은 이하의 단계를 포함할 수 있다:
환자의 상피의 일부에 냉각판을 적용하고 상기 냉각판에 의해서 상피로부터 열을 제거하여, 상피 및 그 아래의 조직의 온도를 저감시키는 단계;
상피의 냉각된 부분 상에 레이저 방사선을, 바람직하게는 펄스식으로 적용하는 단계. 레이저 방사선은 바람직하게는 냉각 시에 조정되는 방식으로 적용된다.
본 명세서에서 기재된 실시형태에 있어서, 방법은 상피의 온도를 점차로 증가시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법은 적용 간격 후, 예를 들어, 상부 온도 역치에 도달한 후 레이저 방사선의 적용을 중단시키는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 온도 역치는 열 손상 역치, 즉, 그 이상에서 도달된 온도가 조직 손상을 일으키는 역치보다 낮을 수 있다. 상부 역치에 도달한 후에, 레이저 방사선을 일시적으로 중단시키는 단계, 냉각 단계, 및 레이저 방사선에 의한 후속의 새로운 조사 단계가 일어날 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 적어도 몇몇 간격에서, 조직은 레이저 방사선을 통해서 동시에 조사되고 요법 디바이스의 판에 의한 열 제거를 통해 냉각될 수 있다.
방법은 레이저 방사선의 규칙적 및/또는 조절 가능한 그리고 가변적인 간격으로 반복을 포함하여, 하나의 레이저 방사선 적용과 그 다음 적용 사이에 상피의 냉각을 초래할 수 있다.
레이저 조사 단계 동안, 예를 들어, 냉각판을 제거하는 단계로 냉각이 중단될 수 있다. 다른 실시형태에 있어서, 냉각은, 연속적일 수 있고, 예를 들어, 상피와 연속적으로 접촉하여 냉각판을 유지하는 동안 레이저 조사는 간헐적일 수 있는데, 조사 단계는 조사 없이 간격으로 교번된다.
방법은 접촉 영역을 조절하는 상피를 따라서 냉각판을 이동시키는 단계를 포함할 수 있으므로, 상피의 주어진 부분 상에, 냉각판과의 접촉 단계, 및 상피의 부분이 냉각판과 접촉되지 않는 단계가 있다. 레이저 빔은 냉각판과 일시적으로 열 접촉하는 동일한 영역에 적용될 수 있거나, 또는 냉각판과 열접촉하는 영역에 인접한 영역에 적용될 수 있다. 몇몇 실시형태에 있어서, 레이저 빔은, 예를 들어, 냉각판과 접촉하는 영역으로 둘러싸인 상피의 영역에 충돌할 수 있다. 게다가, 냉각판은, 냉각판의 작용과 레이저 빔의 작용을 동시에 갖도록 레이저 방사선을 투과하는 창을 가질 수 있다.
방법은 레이저 빔의 적용 영역에서 상피를 5℃ 이상, 바람직하게는 10℃ 이상, 바람직하게는 15℃ 이상, 예를 들어 18℃ 이상의 온도로 냉각시키는 단계를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상피가 냉각되는 온도는 30℃ 이하, 더 바람직하게는 28℃ 이하, 더욱더 바람직하게는 26℃ 이하이다.
냉각이 연속적이 아니라 간격으로 수행되지 않는다면, 본 명세서에 기재된 방법의 실시형태에서, 레이저 처리는, 냉각 단계를 재활성화시키기 전에, 처리된 조직의 온도가 열 손상 역치 미만, 전형적으로 40℃ 이하의 값으로 증가될 때까지 수행될 수 있다.

Claims (19)

  1. 어플리케이터 디바이스(applicator device)(15)로서,
    - 레이저 이미터(laser emitter)(49)용의 장착 인터페이스(47)를 포함하는 하우징(31);
    - 상기 하우징(31)과 연관되고 상기 하우징에 견고하게 접속되는, 상피 접촉면(epidermal contact surface)(33.1)을 가진 냉각판(33);
    - 상기 냉각판(33)으로부터 열을 제거하기 위한 열 제거 시스템(35)
    을 포함하는, 어플리케이터 디바이스(15).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열 제거 시스템(35)은 상기 냉각판(33)과 열 교환 관계로 적어도 하나의 열전소자(36), 특히 펠티에 셀(Peltier cell)을 포함하는, 어플리케이터 디바이스(15).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 열 제거 시스템(35)은 상기 냉각판(33)과 직접적 또는 간접적 열 교환 관계로 복수의 열전소자(36, 39, 41), 특히 펠티에 셀을 포함하는, 어플리케이터 디바이스(15).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 제거 시스템(35)은 상기 냉각판(33)과 열 교환 관계로 냉각 유체의 순환을 위한 회로(43, 45)를 포함하는, 어플리케이터 디바이스(15).
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 제거 시스템은, 상기 냉각판(33)과 접촉하는 냉각 표면(36F) 및 히트 싱크(37)와 접촉하는 고온 표면(36C)을 갖는 적어도 제1 열전 소자(36); 상기 히트 싱크(37)와 접촉하는 냉각 표면 및 냉각 유체가 순환하는 적어도 하나의 열교환소자(43, 45)와 열 교환 관계에 있는 고온 표면을 갖는 적어도 제2 열전소자(39, 41)를 포함하는, 어플리케이터 디바이스(15).
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 이미터(49)용의 상기 장착 인터페이스(47) 및 상기 냉각판(33)은 상기 인터페이스(47) 상에 장착된 레이저 이미터 (49)에 의해 방출된 레이저 빔의 축(A-A)이 상기 냉각판(33)의 상기 상피 접촉면(33.1)의 확장부를 구성하는 기하 표면에 입사하도록 배열되고 구성되는, 어플리케이터 디바이스(15).
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장착 인터페이스와 결합된 레이저 이미터(49)를 포함하는, 어플리케이터 디바이스(15).
  8. 제7항에 있어서,
    상기 레이저 이미터(49)는, 레이저 빔의 방출을 활성화 또는 비활성화시키기 위하여, 레이저 공급원(7)과 접속될 수 있는 적어도 제어 디바이스(51)를 포함하는, 어플리케이터 디바이스.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 제거 시스템(35)은 5℃ 이상, 바람직하게는 15℃ 이상, 더욱더 바람직하게는 18℃ 이상의 상피에 대한 최소 온도에 도달하도록 구성되고; 바람직하게는 열 제거 시스템(35)은 30℃ 이하, 바람직하게는 28℃ 이하, 더욱더 바람직하게는 26℃ 이하의 상피에 대한 최대 온도에 도달하도록 구성되는, 어플리케이터 디바이스(15).
  10. 제9항에 있어서,
    상기 냉각판의 온도를 검출하도록 구성된 온도 센서(30)를 포함하는, 어플리케이터 디바이스.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각판(33)은 창(window) 또는 오목부(indentation)(34, 38)를 구비하고, 상기 레이저 이미터(49)용의 상기 장착 인터페이스(47)는 상기 인터페이스 상에 장착된 상기 레이저 이미터에 의해 방출된 레이저 빔이 상기 창 또는 오목부(34, 38)에서 상기 냉각판(33)을 통과하도록 구성되고 배열되는, 어플리케이터 디바이스(15).
  12. 제11항에 있어서,
    상기 창(34) 또는 공동부(cavity)(38)에는 상기 레이저 방사선에 투과성이고 높은 열 전도도를 갖는 재료로 폐쇄 요소가 제공되는, 어플리케이터 디바이스(15).
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 이미터(49)용의 상기 장착 인터페이스(47)는 상기 레이저 이미터의 안정적인 또는 제거 가능한 보유를 위한 시트(seat)를 형성하는, 어플리케이터 디바이스(15).
  14. 레이저 요법 디바이스(1)로서,
    제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 어플리케이터 디바이스(15); 레이저 공급원(7); 상기 어플리케이터 디바이스(15)의 냉각판(33)으로부터 열을 제거하기 위한 열 제거 시스템(35)용의 전원; 레이저 이미터(49)를 상기 레이저 공급원(7)에 연결하기 위한 도광체(light guide)를 포함하는, 레이저 요법 디바이스(1).
  15. 제14항에 있어서,
    상기 냉각판(33)으로부터 열을 제거하기 위한 상기 열 제거 시스템(35)용의 상기 전원은 전기 에너지의 공급원, 특히 DC 공급원(9)을 포함하는, 레이저 요법 디바이스.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 냉각판(33)으로부터 열을 제거하기 위한 상기 열 제거 시스템(35)용의 상기 전원은 냉각 유체를 순환시키도록 구성된 냉각 회로(11) 및 냉각 유체용의 냉각 소자(19; 22; 20)를 포함하는, 레이저 요법 디바이스.
  17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 공급원(7)은 특히 200 마이크로초 이하, 바람직하게는 150 마이크로초 이하, 그리고 바람직하게는 5 나노초 초과의 펄스 지속시간을 갖는 펄스식 레이저 공급원인, 레이저 요법 디바이스.
  18. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    특히 비-방출 간격(TF)에 의해 시간적으로 이격된 반복된 방출 간격(TL)으로 바람직하게는 펄스식 레이저 방사선을 방출하도록 구성된 제어 유닛(5)을 포함하는, 레이저 요법 디바이스.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제어 유닛(5)은 온도 신호에 기초하여 그리고/또는 레이저 방사선 방출용의 하나 이상의 파라미터에 기초하여 제어된 지속시간에 방출 간격으로 레이저 방사선을 방출하도록 구성되고, 상기 레이저 방사선용의 상기 방출 파라미터는 레이저 공급원 피크 파워; 최대 강도; 펄스 에너지; 평균 파워; 플루언시(fluency); 펄스 지속시간; 펄스 반복 주파수를 포함할 수 있는, 레이저 요법 디바이스.
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