KR20200073727A - Method of manufacturing conductivity material beads and apparatus of manufacturing thereof - Google Patents

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KR20200073727A
KR20200073727A KR1020180162233A KR20180162233A KR20200073727A KR 20200073727 A KR20200073727 A KR 20200073727A KR 1020180162233 A KR1020180162233 A KR 1020180162233A KR 20180162233 A KR20180162233 A KR 20180162233A KR 20200073727 A KR20200073727 A KR 20200073727A
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박병현
강병창
김가복
전승안
정창원
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오씨아이 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0016—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables for heat treatment

Abstract

The present invention relates to a method of manufacturing a conductive material bead and an apparatus for manufacturing the same. According to the present invention, by arranging an uneven roller or uneven plate with a plurality of tooth form units processed in a conductive material bead generation area and adjusting/changing the rotation speed of the uneven roller or uneven plate, the height or inclination or the like of the tooth form units, the yield of the conductive material bead may be stable or the yield may be easily adjusted or increased.

Description

전도성 물질 비드 제조방법 및 그 제조장치{METHOD OF MANUFACTURING CONDUCTIVITY MATERIAL BEADS AND APPARATUS OF MANUFACTURING THEREOF}METHOD OF MANUFACTURING CONDUCTIVITY MATERIAL BEADS AND APPARATUS OF MANUFACTURING THEREOF

본 발명은 전도성 물질 비드 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전도성 물질 비드 생성영역에 복수의 치형부가 가공된 요철롤러 또는 요철판을 배치하고, 요철롤러 또는 요철판의 회전속도, 치형부의 높이 또는 경사도, 등을 조절/변경함으로써, 전도성 물질 비드 생성수율을 안정적으로 확보, 또는 수율을 용이하게 조절하거나 높일 수 있는 전도성 물질 비드 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing a conductive material bead and an apparatus for manufacturing the same, and more specifically, to arrange a concave-convex roller or a concave-convex plate in which a plurality of teeth are processed in a conductive material bead generating region, and the rotational speed of the concave-convex roller or concave-convex plate, The present invention relates to a method for manufacturing a conductive material bead and a device for manufacturing the conductive material bead by stably securing a yield of generating a conductive material bead, or by easily adjusting or increasing the yield, by adjusting/changing the height or inclination, etc. of the teeth.

금속 등으로 되어 있는 전도성 물질을 비드(BEAD)로 만들어 여러 분야에 사용되고 있는 실정이다. 특히 3D 프린터의 재료 물질이 되거나 잉곳 제조를 위한 퍼니스 내 비드를 채워넣는 기술이 연구되고 있는 실정이다.It is a situation in which conductive materials made of metal, etc. are made of beads and used in various fields. In particular, the technology of filling a bead in a furnace for manufacturing an ingot or material material of a 3D printer is being studied.

특히 비드를 제조하기 위한 방법은 용융된 재료를 일정높이에서 자유낙하시켜 다양한 크기의 입자를 생성하는데 예를 들어, 미국등록특허 제7323047호(이하 '특허문헌 1'이라 지칭)에서 일정 크기의 비드를 제조할 수 있는 비드 제조장치를 제시하고 있다. 하지만, 특허문헌 1에 개시되어 있는 제조장치를 이용하여 비드를 제조하는 경우 용융된 재료가 토출된 후 자유낙하 하면서 냉각되기 위해서 필요한 길이가 약 4~50m가 되어야 하므로, 제조장치가 대형화되어야 하는 문제점이 있다. In particular, a method for manufacturing beads is to free-fall the molten material at a certain height to produce particles of various sizes, for example, beads of a certain size in US Patent No. 7323047 (hereinafter referred to as'patent document 1') It has been proposed a bead manufacturing apparatus capable of manufacturing a. However, when the beads are manufactured using the manufacturing apparatus disclosed in Patent Document 1, the length required for cooling while free-falling after the molten material is discharged must be about 4-50 m, so the manufacturing apparatus needs to be enlarged. There is this.

미국등록특허 제7323047호U.S. Patent No. 7323047

본 발명은 상기와 같이 관련 기술분야의 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 전도성 물질 비드 생성영역에 복수의 치형부가 가공된 요철롤러 또는 요철판을 배치하고, 요철롤러 또는 요철판의 회전속도, 치형부의 높이 또는 경사도, 등을 조절/변경함으로써, 전도성 물질 비드 생성수율을 안정적으로 확보, 또는 수율을 용이하게 조절하거나 높일 수 있는 전도성 물질 비드 제조방법 및 그 제조장치를 제공하는 데에 있다.The present invention has been devised to solve the problems in the related technical field as described above, and an object of the present invention is to arrange a concave-convex roller or a concave-convex plate in which a plurality of teeth are processed in a conductive material bead generating region, and the concave-convex roller or concave-convex plate To provide a conductive material bead manufacturing method and an apparatus for manufacturing the conductive material bead by stably securing the yield of conductive material beads, or easily adjusting or increasing the yield, by adjusting/changing the rotational speed, height or inclination of the teeth, etc. Is in

상기와 같은 목적들을 달성하기 위한 본 발명은 전도성 물질 비드 제조방법에 관한 것으로, 전도성 물질 원료를 주입하는 원료주입단계; 전도성 물질 원료를 가열하여 녹이는 가열단계; 전도성 물질 원료를 비산시켜 비드 형태로 성형하는 비산성형단계; 전도성 물질 비드를 냉각시키는 냉각단계; 및 전도성 물질 비드를 포집하는 포집단계;를 포함할 수 있다. The present invention for achieving the above object relates to a method for manufacturing a conductive material bead, a raw material injection step of injecting a raw material of a conductive material; A heating step of heating and melting the conductive material raw material; Scattering step of forming a bead form by scattering the conductive material raw material; A cooling step of cooling the conductive material beads; And a collecting step of collecting the conductive material beads.

본 발명은 전도성 물질 비드 제조장치에 관한 것으로, 내부공간이 형성되고, 하부에는 배출구가 배치된 하우징; 상기 하우징의 상단에 배치되는 챔버; 상기 챔버의 내부에 배치되는 퍼니스; 상기 챔버의 내부에서 상기 퍼니스의 주변부에 배치되는 가열수단; 상기 챔버의 상부에 배치되고, 상기 퍼니스로 전도성 물질 원료를 주입하는 주입기; 상기 하우징의 내부에서 상기 퍼니스의 하부에 배치되고, 상기 퍼니스에서 배출되는 전도성 물질 원료를 비산시켜 비드 형태로 성형하는 비산수단; 및 상기 하우징의 하부에 배치되고, 전도성 물질 비드를 포집하는 저장조;를 포함할 수 있다. The present invention relates to an apparatus for manufacturing a conductive material bead, an inner space is formed, and a housing in which an outlet is disposed; A chamber disposed on the top of the housing; A furnace disposed inside the chamber; Heating means disposed in the periphery of the furnace inside the chamber; An injector disposed above the chamber and injecting a raw material for a conductive material into the furnace; A scattering means disposed inside the housing and disposed under the furnace, to form a bead by scattering the conductive material raw material discharged from the furnace; And it is disposed on the lower portion of the housing, the storage tank for collecting the conductive material beads; may include.

본 발명에 따르면, 복수의 치형부가 형성된 요철롤러 또는 요철판을 회전시켜, 요철롤러 또는 요철판에 낙하되는 전도성 물질을 원심력에 의해 비산시키게 된다. 이때 사용자는 요철롤러 또는 요철판의 회전속도를 조절하는 간단한 조작을 통해 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역 및 생성수율을 용이하게 조절할 수 있다. According to the present invention, the uneven roller or the uneven plate formed with a plurality of teeth is rotated, and the conductive material falling on the uneven roller or the uneven plate is scattered by centrifugal force. At this time, the user can easily control the size, scattering area, and yield of the conductive material beads through a simple operation to adjust the rotational speed of the uneven roller or the uneven plate.

여기서 요철롤러 또는 요철판은 각각 치형부의 높이 또는 경사도가 다르게 가공된 복수개로 구비될 수 있으며, 사용자는 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역 및 목표수율값에 따라 각 공정별로 복수의 요철롤러 또는 요철판 중 특정 하나를 선택하고 교체 장착하는 간단한 동작을 통해 용이하게 목적을 달성할 수 있다. Here, the uneven roller or the uneven plate may be provided with a plurality of processed teeth having different heights or inclinations, respectively, and the user may use a plurality of uneven rollers or uneven plates for each process according to the size, scattering area, and target yield value of the conductive material beads. A simple operation of selecting and replacing a particular one of them can easily achieve the purpose.

이러한 본 발명의 제조방법 및 제조장치는 궁극적으로 전도성 물질 비드 생성수율을 안정적으로 확보, 그리고 용이하게 수율을 조절할 수 있게 해주어, 제품생산성 향상에 기여하는 효과가 있다. The manufacturing method and manufacturing apparatus of the present invention ultimately provide a stably secured yield of conductive material beads, and can easily control the yield, thereby contributing to the improvement of product productivity.

도 1은 본 발명인 반도체 물질 비드 제조장치의 제1 실시예를 나타낸 도면.
도 2는 도 1에 게시된 요철롤러의 작동상태를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명인 반도체 물질 비드 제조장치의 제2 실시예를 나타낸 도면.
도 4는 도 3에 게시된 요철판의 작동상태를 나타낸 도면.
도 5는 반도체 물질 비드 제조공정 순서를 도시한 도면.1 is a view showing a first embodiment of a semiconductor material bead manufacturing apparatus of the present invention.
Figure 2 is a view showing the operating state of the uneven roller posted in Figure 1;
3 is a view showing a second embodiment of the semiconductor material bead manufacturing apparatus of the present invention.
4 is a view showing the operating state of the uneven plate posted in FIG.
5 is a view showing a semiconductor material bead manufacturing process sequence.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 전도성 물질 비드 제조방법 및 그 제조장치의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, preferred embodiments of a method for manufacturing a conductive material bead according to the present invention and an apparatus for manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1는 본 발명인 전도성 물질 비드 제조장치(100)의 제1 실시예를 나타낸 도면이고, 도 2은 도 1에 게시된 요철롤러(910)의 작동상태를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a first embodiment of the conductive material bead manufacturing apparatus 100 of the present invention, Figure 2 is a view showing the operating state of the uneven roller 910 posted in FIG.

그리고 도 3은 본 발명인 전도성 물질 비드 제조장치(100)의 제2 실시예를 나타낸 도면이고, 도 4은 도 3에 게시된 요철판(930)의 작동상태를 나타낸 도면이다. And Figure 3 is a view showing a second embodiment of the conductive material bead manufacturing apparatus 100 of the present invention, Figure 4 is a view showing the operation of the uneven plate 930 posted in FIG.

이하 본 발명에서 사용되는 용어인 전도성 물질은 1)녹는점 1000~1900℃ 사이의 물질, 2)주기율표 4족 물질 등이 포함될 수 있다. 구체적으로는 전도성 물질은 비드로 제조되어 관련 산업계에서 사용될 수 있으면 어느 물질이나 상관없으나 그 자체가 부도체에 해당하는 물질은 제외하며 일부 조건(온도 등)에 따라 전도성을 발생시킬 수 있는 물질은 이를 포함한다. The conductive material, which is a term used in the present invention, may include 1) a material having a melting point of 1000 to 1900°C, 2) a group 4 material on the periodic table, and the like. Specifically, the conductive material is made of beads, and any material can be used as long as it can be used in related industries, but it does not include any material that is itself a non-conductor, and includes materials that can generate conductivity depending on some conditions (temperature, etc.) do.

본 발명인 전도성 물질 비드 제조장치(100)의 제1 실시예에서는 하우징(200), 챔버(240), 퍼니스(250), 가열수단(300), 주입기(260), 비산수단(900) 및 저장조(270)를 포함하여 구성될 수 있다. In the first embodiment of the present invention conductive material bead manufacturing apparatus 100, the housing 200, the chamber 240, the furnace 250, the heating means 300, the injector 260, the scattering means 900 and the storage tank ( 270).

우선 상기 하우징(200)은 일정한 크기의 내부공간(200a)이 형성되어 있으며, 내부공간(200a)은 전도성 물질 비드를 생성하기에 충분한 크기로 이뤄질 수 있다. First, the housing 200 has an internal space 200a of a certain size, and the internal space 200a may be formed to a size sufficient to generate a conductive material bead.

상기 하우징(200)의 둘레에는 복수의 관찰창(217)이 배치될 수 있으며, 작업자는 관찰창(217)을 통해 내부공간(200a)에서 이뤄지는 전도성 물질 비드 생성 상태를 육안으로 확인할 수 있다. A plurality of observation windows 217 may be disposed around the housing 200, and an operator may visually confirm a state of generating a conductive material bead in the interior space 200a through the observation windows 217.

그리고 상기 하우징(200)의 하단에는 생성된 전도성 물질 비드가 배출되는 배출구(230)가 배치될 수 있다. 상기 배출구(230)는 상기 하우징(200)의 하방향으로 돌출된 호퍼 형상일 수 있다. In addition, an outlet 230 through which the generated conductive material beads are discharged may be disposed at the bottom of the housing 200. The outlet 230 may be a hopper shape protruding downward of the housing 200.

상기 저장조(270)는 상기 배출구(230)의 하부에 배치되고, 상기 배출구(230)에서 배출되는 전도성 물질 비드를 포집하도록 제공될 수 있다. The storage tank 270 is disposed under the outlet 230 and may be provided to collect beads of conductive material discharged from the outlet 230.

또한 상기 하우징(200)의 상단 일측은 상기 챔버(240)가 배치될 수 있도록 비교적 평탄한 판 형태로 이뤄질 수 있다. In addition, one side of the upper end of the housing 200 may be formed in a relatively flat plate shape so that the chamber 240 can be disposed.

다음 상기 챔버(240)는 상기 하우징(200)의 상단 일측에 배치될 수 있다. 상기 챔버(240)의 내부는 복수의 구획으로 이뤄질 수 있으며, 본 발명에서는 상기 챔버(240)는 제1,2 구획(241,243)으로 이뤄질 수 있다.Next, the chamber 240 may be disposed on one side of the upper end of the housing 200. The interior of the chamber 240 may be formed of a plurality of compartments, and in the present invention, the chamber 240 may be formed of first and second compartments 241 and 243.

상기 챔버(240)의 내부 중 상기 제1 구획(241)에는 상기 가열수단(300)이 상기 제2 구획(243)의 주변부를 감싸듯이 배치될 수 있다. In the first compartment 241 of the interior of the chamber 240, the heating means 300 may be arranged to surround the periphery of the second compartment 243.

여기서 상기 가열수단(300)은 열원부(320) 및 가열코일(310)을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 가열코일(310)은 상기 제1 구획(241)의 내부 둘레를 따라 배치될 수 있으며, 상기 열원부(320)는 상기 가열코일(310)에 전기 또는 열을 전달한다. 상기 가열코일(310)이 가열되면, 상기 가열코일(310)이 감싸고 있는 상기 제2 구획(243)의 내부가 가열된다. Here, the heating means 300 may include a heat source part 320 and a heating coil 310. The heating coil 310 may be disposed along the inner circumference of the first compartment 241, and the heat source unit 320 transfers electricity or heat to the heating coil 310. When the heating coil 310 is heated, the interior of the second compartment 243 surrounding the heating coil 310 is heated.

그리고 상기 챔버(240)의 내부 중 상기 제2 구획(243)에는 상기 퍼니스(250)가 배치될 수 있다. 상기 가열코일(310)에 의해 상기 제2 구획(243)이 가열되면, 상기 제2 구획(243)에 배치된 상기 퍼니스(250)가 가열되게 된다. In addition, the furnace 250 may be disposed in the second compartment 243 of the interior of the chamber 240. When the second compartment 243 is heated by the heating coil 310, the furnace 250 disposed in the second compartment 243 is heated.

본 발명에서는 다른 가열방식으로는 전술된 퍼니스(250)를 직접 가열하는 방식과는 달리, 전도성 물질 원료 자체를 유도가열하는 방식이 적용될 수 있다. 이때에는 적용되는 전도성 물질마다의 개별 용융조건(온도 등)에 맞춰 유도가열의 온도 등이 설정될 수 있다. In the present invention, unlike the method of directly heating the furnace 250 described above as another heating method, a method of induction heating the conductive material raw material itself may be applied. At this time, the temperature of induction heating may be set according to individual melting conditions (temperature, etc.) for each conductive material to be applied.

다음 상기 주입기(260)는 상기 챔버(240)의 상부에 배치되고, 상기 퍼니스(250)로 전도성 물질 원료를 주입하도록 제공될 수 있다. 상기 주입기(260)에서 중력에 의해 낙하되는 전도성 물질 원료는 상기 퍼니스(250)의 내부에서 상기 가열코일(310)에 의해 가열되어 용융 상태로 된다. 한편, 상기 주입기(260)에 의하지 않고 상기 퍼니스(250)에 임의로 담겨진 담긴 전도성 물질 원료를 가열하여 용융 상태로 유지할 수도 있다. Next, the injector 260 is disposed on the upper portion of the chamber 240, and may be provided to inject a conductive material raw material into the furnace 250. The raw material of the conductive material that is dropped by gravity in the injector 260 is heated by the heating coil 310 inside the furnace 250 to be melted. Meanwhile, the contained conductive material raw material optionally contained in the furnace 250 may be heated to be maintained in a molten state, regardless of the injector 260.

이때 상기 퍼니스(250)의 상부는 전도성 물질 원료가 용융 상태로 저장될 수 있도록 용기 형상으로 이뤄지며, 상기 퍼니스(250)의 하부는 상기 하우징(200)의 내부로 전도성 물질 원료를 낙하시킬 수 있도록 노즐 형상으로 이뤄질 수 있다. At this time, the upper part of the furnace 250 is formed in a container shape so that the conductive material raw material can be stored in a molten state, and the lower part of the furnace 250 is a nozzle to drop the conductive material raw material into the interior of the housing 200 It can be made into a shape.

한편, 상기 하우징(200)의 내부에서 상기 비산수단(900)이 배치되는 부위의 하단 내벽에는 내화벽돌(220)이 배치될 수 있다. 상기 퍼니스(250)에서 상기 비산수단(900)으로 낙하되는 전도성 물질 원료는 용융상태의 고온이므로, 상기 하우징의 내벽 보호를 위해 내화벽돌(220)이 배치될 수 있다. Meanwhile, a refractory brick 220 may be disposed on a lower inner wall of a portion where the scattering means 900 is disposed inside the housing 200. Since the conductive material raw material falling from the furnace 250 to the scattering means 900 is high in a molten state, a refractory brick 220 may be disposed to protect the inner wall of the housing.

이때 내화벽돌(220)은 상기 배출구(230) 방향으로 경사지게 배치될 수 있다. 이는 상기 비산수단(900)에서 비산되는 전도성 물질 비드가 내화벽돌(220) 방향으로 낙하되더라도, 다시 상기 배출구(230) 방향으로 이동할 수 있도록 하기 위함이다. At this time, the refractory brick 220 may be arranged to be inclined toward the outlet 230. This is to allow the conductive material beads scattered by the scattering means 900 to move in the direction of the outlet 230 again, even if they fall in the direction of the refractory brick 220.

다음 가스순환부(700)는 상기 하우징(200)의 내부 또는 상기 챔버(240)의 내부에 불활성가스를 주입하도록 배치될 수 있다. 본 발명에서는 불활성가스는 아르곤(Ar), 질소(N2)일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. Next, the gas circulation unit 700 may be arranged to inject an inert gas into the housing 200 or into the chamber 240. In the present invention, the inert gas may be argon (Ar), nitrogen (N 2 ), but is not limited thereto.

도 1를 참고하면, 상기 하우징(200)의 상부에 제1 유입밸브(711) 및 제1 유출밸브(721)가 배치되어 있고, 상기 챔버(240)의 상부에는 제2 유입밸브(712) 및 제2 유출밸브(722)가 배치되어 있다. Referring to FIG. 1, a first inlet valve 711 and a first outlet valve 721 are disposed on an upper portion of the housing 200, and a second inlet valve 712 and an upper portion of the chamber 240 are disposed. The second outlet valve 722 is disposed.

상기 가스순환부(700)에서 공급되는 불활성가스는 상기 제1 유입밸브(711)를 통해 상기 하우징(200)의 내부로 유입되고, 상기 제1 유출밸브(721)를 통해 외부로 유출 순환된다. 또한 상기 제2 유입밸브(712)를 통해 상기 챔버(240)의 제2 구획(243) 내부로 유입되고, 상기 제2 유출밸브(722)를 통해 외부로 유출 순환되게 된다. The inert gas supplied from the gas circulation unit 700 flows into the interior of the housing 200 through the first inlet valve 711 and flows out through the first outlet valve 721 to the outside. In addition, it is introduced into the second compartment 243 of the chamber 240 through the second inlet valve 712, and is circulated outward through the second outlet valve 722.

이때 상기 하우징(200)의 내부와 상기 챔버(240)의 제2 구획(243) 내부는 불활성 가스로 채워져 전도성 물질 비드 생성 공정 중에 불순물 유입을 원천적으로 차단한다. At this time, the inside of the housing 200 and the inside of the second compartment 243 of the chamber 240 are filled with an inert gas to fundamentally block the inflow of impurities during the process of generating a conductive material bead.

다음 상기 비산수단(900)은, 상기 하우징(200)의 내부에서 상기 퍼니스(250)의 하부에 배치되고, 상기 퍼니스(250)에서 낙하 배출되는 전도성 물질 원료를 비산시켜 비드 형태로 성형되도록 제공될 수 있다. Next, the scattering means 900 is disposed under the furnace 250 inside the housing 200, and is provided to be formed into a bead shape by scattering the conductive material raw material that is discharged from the furnace 250. Can.

기본적으로 상기 비산수단(900)에는 상기 퍼니스(250)로부터 고온의 용융상태의 전도성 물질 원료가 낙하되므로, 열손상을 방지하기 위해 칠러(500)와 연결되어 공정간에 지속적으로 냉각될 수 있다. Basically, since the conductive material raw material in a high-temperature molten state is dropped from the furnace 250 in the scattering means 900, it is connected to the chiller 500 to prevent thermal damage and thus can be continuously cooled between processes.

도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 비산수단(900)의 제1 실시예가 게시되어 있다. 본 발명의 제1 실시예에서는 상기 비산수단(900)은 요철롤러(910) 및 회전제어부(913)를 포함하여 구성될 수 있다. 1 and 2, a first embodiment of the scattering means 900 is posted. In the first embodiment of the present invention, the scattering means 900 may be configured to include an uneven roller 910 and a rotation control unit 913.

상기 요철롤러(910)는 상기 하우징(200)의 내부에서 상기 퍼니스(250)의 하부에 배치되고, 원주방향을 따라 복수의 치형부(911)가 형성된 원통 형상으로 구성될 수 있다.The concave-convex roller 910 may be disposed in a lower portion of the furnace 250 inside the housing 200, and may be formed in a cylindrical shape in which a plurality of teeth 911 are formed along a circumferential direction.

본 발명에서 상기 치형부(911)는 삼각 단면 형상으로 구성될 수 있으나, 전도성 물질 비드를 비산시키는 기능을 할 수 있으면 형태적 제한은 없다.In the present invention, the teeth 911 may be configured in a triangular cross-sectional shape, but there is no morphological limitation as long as it can function to scatter the conductive material beads.

상기 회전제어부(913)는 상기 요철롤러(910)의 회전축과 연결되어 상기 요철롤러(910)의 회전을 제어할 수 있다. 상기 회전제어부(913)는 상기 요철롤러(910)의 회전축에 연동되는 모터(미도시)를 제어할 수 있다. The rotation control unit 913 may be connected to a rotation axis of the uneven roller 910 to control rotation of the uneven roller 910. The rotation control unit 913 may control a motor (not shown) interlocked with the rotation axis of the uneven roller 910.

여기서 작업자는 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역, 생성수율 등을 조절하기 위해 상기 요철롤러(910)의 회전속도를 조절할 수 있다. Here, the operator can adjust the rotational speed of the uneven roller 910 to control the size, scattering area, and yield of the conductive material beads.

일 예로 작업자가 상기 요철롤러(910)의 회전속도를 증가시키면, 상기 퍼니스(250)에서 낙하된 전도성 물질은 보다 강한 원심력을 받아 상기 하우징(200)의 내부공간(200a)으로 비산되는데, 이때 낙하 충격과 원심력으로 비산되는 전도성 물질 비드의 크기는 더 작아지게 된다. 또한 강한 원심력을 받으므로 비산영역은 증가하게 된다. For example, when an operator increases the rotational speed of the uneven roller 910, the conductive material dropped from the furnace 250 receives stronger centrifugal force and scatters into the inner space 200a of the housing 200. The size of the conductive material beads scattered by impact and centrifugal force becomes smaller. In addition, the scattering area increases because it receives a strong centrifugal force.

그리고 회전속도가 증가하면 상기 요철롤러(910)의 단위시간당 회전수가 증가하게 되므로, 단위시간당 낙하 충격과 원심력에 의해 비산되는 전도성 물질 비드의 생성량도 증가하게 된다. 즉 단위시간당 생성량이 증가하여 생성수율은 좋아지게 되고, 전반적인 제품 생산성은 향상된다.In addition, when the rotational speed increases, the number of revolutions per unit time of the uneven roller 910 increases, so that the amount of generated conductive material beads scattered by the drop impact and centrifugal force per unit time increases. That is, the production amount per unit time increases, and the yield is improved, and the overall product productivity is improved.

반대로 작업자가 상기 요철롤러(910)의 회전속도를 감소시키면, 원심력은 상대적으로 약화되어 전도성 물질 비드의 비산영역은 감소하고, 크기는 커지게 된다. 또한 상기 요철롤러(910)의 단위시간당 회전수가 감소하므로 단위시간당 생성량도 감소하여 생성수율은 낮아지게 될 것이다. Conversely, when the operator decreases the rotational speed of the uneven roller 910, the centrifugal force is relatively weakened, so that the scattering area of the conductive material beads decreases and the size increases. In addition, since the number of revolutions per unit time of the uneven roller 910 decreases, the production amount per unit time also decreases, so that the production yield will be lowered.

이러한 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역, 생성수율 등의 조절을 본 발명에서는 작업자가 상기 요철롤러(910)의 회전속도 조절을 통해 간단하고 용이하게 수행할 수 있는 특징이 있다.In the present invention, the adjustment of the size of the conductive material beads, the scattering area, and the yield of production can be easily and easily performed by the operator by adjusting the rotational speed of the uneven roller 910.

또한 작업자는 상기 요철롤러(910)의 치형부(911)의 높이(H1) 또는 경사도(D1)를 조절하여 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역, 생성수율 등을 조절할 수 있다. In addition, the operator may adjust the height (H1) or inclination (D1) of the teeth 911 of the uneven roller 910 to adjust the size of the conductive material beads, scattering area, production yield, and the like.

이를 위해서 상기 요철롤러(910)는 복수개로 구비될 수 있다. 즉 복수개의 요철롤러(910)들은 서로 다른 높이(H1)와 경사도(D1)로 형성된 치형부(911)가 가공되어 있으며, 작업자는 전도성 물질 비드의 목표 크기 또는 목표 수율에 맞추어 복수개의 요철롤러(910)들 중 특정 요철롤러(910)를 선택하여 장착하여 운용할 수 있다. To this end, the uneven roller 910 may be provided in plural. That is, the plurality of uneven rollers 910 are formed with teeth 911 formed of different heights (H1) and inclinations (D1), and the operator can adjust the plurality of uneven rollers according to the target size or target yield of the conductive material beads ( Among the 910), a specific uneven roller 910 may be selected to be installed and operated.

일 예로 치형부(911)의 높이(H1) 및 경사도(D1)가 상대적으로 크게 가공된 요철롤러(910)를 선택 장착하여 운용하는 경우, 낙하되는 전도성 물질은 보다 강하게 밀리는 힘을 받게 되므로, 전도성 물질 비드의 비산영역이 증가하며, 비산되는 과정에서 발생되는 전도성 물질 비드의 크기는 더 작아지게 된다. 이때 회전속도 증가와 연계되면 생성수율도 함께 증가하게 된다. For example, when the height (H1) and the inclination (D1) of the teeth 911 are selectively mounted and operated with a relatively large uneven roller 910, the falling conductive material is subjected to a stronger pushing force, so that the conductivity The scattering area of the material beads increases, and the size of the conductive material beads generated in the process of scattering becomes smaller. At this time, if it is linked with the increase in rotation speed, the production yield also increases.

반대로 치형부(911)의 높이(H1) 및 경사도(D1)가 상대적으로 작게 가공된 요철롤러(910)를 선택 장착하여 운용하는 경우, 상대적으로 약한 밀리는 힘을 받으므로, 전도성 물질 비드의 비산영역은 감소하고, 크기는 상대적으로 커지게 된다. Conversely, when the height (H1) and the inclination (D1) of the teeth 911 are selectively mounted and operated with a relatively small uneven roller 910, a relatively weak pushing force is applied, so the scattering area of the conductive material beads Decreases, and the size becomes relatively large.

이러한 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역, 생성수율 등의 조절을, 본 발명에서는 작업자가 서로 다른 치형부(911)를 가지는 요철롤러(910)의 교체 운용을 통해 용이하게 달성하는 특징이 있다. In the present invention, the control of the size of the conductive material beads, the scattering area, and the yield of production is easily achieved by the operator through the replacement operation of the uneven roller 910 having different teeth 911.

한편, 상기 요철롤러(910)는 전도성 물질 원료가 눌러붙지 않도록, 전도성 물질 또는 전도성 물질이 함유된 물질로 코팅(P)될 수 있다. Meanwhile, the uneven roller 910 may be coated (P) with a conductive material or a material containing a conductive material so that the conductive material raw material does not stick.

한편, 도 3 및 도 4에는 상기 비산수단(900)의 제2 실시예가 게시되어 있다. Meanwhile, a second embodiment of the scattering means 900 is posted in FIGS. 3 and 4.

본 발명의 제2 실시예에서 상기 비산수단(900)은 요철판(930) 및 회전제어부(933)를 포함하여 구성될 수 있다. In the second embodiment of the present invention, the scattering means 900 may include an uneven plate 930 and a rotation control unit 933.

상기 요철판(930)은 상기 하우징(200)의 내부에서 상기 퍼니스(250)의 하부에 배치되고, 원주방향을 따라 복수의 치형부(931)가 형성된 원판 형상으로 구성될 수 있다.The concave-convex plate 930 may be disposed in a lower portion of the furnace 250 inside the housing 200, and may be formed in a disc shape in which a plurality of teeth 931 are formed along a circumferential direction.

상기 요철판(930)은 기본적으로 상기 하우징(200)의 내부공간(200a), 즉 전도성 물질 비드 생성영역으로 기울어진 상태로 배치될 수 있다. The uneven plate 930 may be basically disposed in an inclined state into the inner space 200a of the housing 200, that is, a conductive material bead generating region.

본 발명에서 상기 치형부(931)는 삼각 단면 형상으로 구성될 수 있으나, 전도성 물질 비드를 비산시키는 기능을 할 수 있으면 형태적 제한은 없다.In the present invention, the teeth 931 may be configured in a triangular cross-sectional shape, but there is no morphological limitation as long as it can function to scatter the conductive material beads.

상기 회전제어부(933)는 상기 요철판(930)의 회전축과 연결되어 상기 요철판(930)의 회전을 제어할 수 있다. 상기 회전제어부(933)는 상기 요철판(930)의 회전축에 연동되는 모터(미도시)를 제어할 수 있다. The rotation control unit 933 may be connected to a rotation axis of the uneven plate 930 to control rotation of the uneven plate 930. The rotation control unit 933 may control a motor (not shown) interlocked with the rotation axis of the uneven plate 930.

여기서 작업자는 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역, 생성수율 등을 조절하기 위해 상기 요철판(930)의 회전속도를 조절할 수 있다. Here, the operator can adjust the rotation speed of the uneven plate 930 to control the size, scattering area, and yield of the conductive material beads.

일 예로 작업자가 상기 요철판(930)의 회전속도를 증가시키면, 상기 퍼니스(250)에서 낙하된 전도성 물질은 보다 강한 원심력을 받아 상기 하우징(200)의 내부공간(200a)으로 비산되는데, 이때 낙하 충격과 원심력으로 비산되는 전도성 물질 비드의 크기는 더 작아지게 된다. 또한 강한 원심력을 받으므로 비산영역은 증가하게 된다. For example, when the worker increases the rotational speed of the uneven plate 930, the conductive material dropped from the furnace 250 receives a stronger centrifugal force and scatters into the inner space 200a of the housing 200. The size of the conductive material beads scattered by impact and centrifugal force becomes smaller. In addition, the scattering area increases because it receives a strong centrifugal force.

그리고 회전속도가 증가하면 상기 요철판(930)의 단위시간당 회전수가 증가하게 되므로, 단위시간당 낙하 충격과 원심력에 의해 비산되는 전도성 물질 비드의 생성량도 증가하게 된다. 즉 단위시간당 생성량이 증가하여 생성수율은 좋아지게 되고, 전반적인 제품 생산성은 향상된다.In addition, when the rotational speed increases, the number of revolutions per unit time of the uneven plate 930 increases, so that the amount of generated conductive material beads scattered by the drop impact and centrifugal force per unit time increases. That is, the production amount per unit time increases, and the yield is improved, and the overall product productivity is improved.

반대로 작업자가 상기 요철판(930)의 회전속도를 감소시키면, 원심력은 상대적으로 약화되어 전도성 물질 비드의 비산영역은 감소하고, 크기는 커지게 된다. 또한 상기 요철판(930)의 단위시간당 회전수가 감소하므로 단위시간당 생성량도 감소하여 생성수율은 낮아지게 될 것이다. Conversely, when the operator decreases the rotational speed of the uneven plate 930, the centrifugal force is relatively weakened, so that the scattering area of the conductive material beads decreases and the size increases. In addition, since the number of revolutions per unit time of the uneven plate 930 decreases, the amount of production per unit time decreases, so that the production yield will be lowered.

이러한 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역, 생성수율 등의 조절을 본 발명에서는 작업자가 상기 요철롤러(910)의 회전속도 조절을 통해 간단하고 용이하게 수행할 수 있는 특징이 있다.In the present invention, the adjustment of the size of the conductive material beads, the scattering area, and the yield of production can be easily and easily performed by the operator by adjusting the rotational speed of the uneven roller 910.

한편, 상기 요철판(930)은 전도성 물질 원료가 눌러붙지 않도록, 전도성 물질 또는 전도성 물질이 함유된 물질로 코팅(P)될 수 있다. Meanwhile, the uneven plate 930 may be coated (P) with a conductive material or a material containing a conductive material so that the conductive material raw material does not stick.

이상 본 발명인 전도성 물질 비드 제조장치(100)의 기본 구조에 대해 살펴보았으며, 이하에서는 상기된 비드 제조장치(100)를 사용한 전도성 물질 비드 제조방법을 살펴보도록 한다. The basic structure of the conductive material bead manufacturing apparatus 100 according to the present invention has been described above. Hereinafter, a method of manufacturing a conductive material bead using the above-described bead manufacturing apparatus 100 will be described.

도 5는 전도성 물질 비드 제조공정 순서를 도시한 도면이다. 이하에서 기술된 전도성 물질 비드의 생성영역은 상기 하우징(200)의 내부공간(200a)을 의미할 수 있다. 5 is a view showing a conductive material bead manufacturing process sequence. The generation region of the conductive material beads described below may refer to the inner space 200a of the housing 200.

도 5를 참고하면, 본 발명인 전도성 물질 비드 제조방법은 원료주입단계(S1), 가열단계(S2), 비산성형단계(S3), 냉각단계(S4) 및 포집단계(S5)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 5, the method for manufacturing a conductive material bead according to the present invention includes a raw material injection step (S1), a heating step (S2), a scattering molding step (S3), a cooling step (S4), and a collecting step (S5). You can.

우선 원료주입단계(S1)에서는, 작업자는 상기 주입기(260)를 가동하여 상기 퍼니스(250)의 내부로 전도성 물질 원료를 낙하시켜 주입하게 된다. First, in the raw material injection step (S1), the operator operates the injector 260 to drop and inject the conductive material raw material into the furnace 250.

다음 가열단계(S2)에서는, 작업자는 상기 열원부(320)를 가동하여 상기 가열코일(310)이 작동시키고, 상기 가열코일(310)이 상기 퍼니스(250)를 가열하여 전도성 물질 원료가 용융상태로 되도록 한다. In the next heating step (S2), the operator operates the heat source part 320 to operate the heating coil 310, and the heating coil 310 heats the furnace 250 to melt the conductive material raw material. As possible.

그리고 작업자는 상기 개폐밸브(280)를 개방하여 상기 퍼니스(250)로부터 상기 요철롤러(910) 또는 상기 요철판(930)으로 용융상태의 전도성 물질 원료가 낙하되도록 한다.And the operator opens the on-off valve 280 to allow the conductive material raw material in a molten state to fall from the furnace 250 to the uneven roller 910 or the uneven plate 930.

다음 비산성형단계(S3)에서는, 작업자는 상기 퍼니스(250)에서 낙하되는 용융상태의 전도성 물질 원료가 원심력에 의해 상기 하우징(200)의 내부공간(200a)으로 비산되며 비드 형태로 성형되도록, 상기 회전제어부(913,933)를 작동시킨다. In the next scattering molding step (S3), the operator so that the raw material of the conductive material in the molten state falling from the furnace 250 is scattered into the inner space 200a of the housing 200 by centrifugal force and is formed into a bead shape. The rotation control units 913 and 933 are operated.

상기 비산수단(900)의 제1 실시예에서는 요철롤러(910)가 배치되므로, 작업자가 상기 회전제어부(913)를 작동시키면 상기 요철롤러(910)가 상하방향으로 회전하며 용융상태의 전도성 물질 원료를 상기 하우징(200)의 내부공간(200a)으로 비산시키게 된다. In the first embodiment of the scattering means 900, since the uneven roller 910 is disposed, when the operator operates the rotation control unit 913, the uneven roller 910 rotates in the vertical direction, and the conductive material raw material in the molten state Is scattered into the inner space 200a of the housing 200.

이때 작업자는 상기 검토한 바과 같이, 상기 회전제어부(913)를 통해 상기 요철롤러(910)의 회전속도를 조절하여 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역, 생성수율 등을 조절한다.At this time, as described above, the operator adjusts the rotation speed of the uneven roller 910 through the rotation control unit 913 to adjust the size, scattering area, and yield of the conductive material beads.

또는 상기한 바와 같이, 작업자는 상기 요철롤러(910)의 치형부(911)의 높이(H1) 또는 경사도(D1)를 조절, 자세하게는 교체, 변경하여 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역, 생성수율 등을 조절할 수 있다. Or, as described above, the operator adjusts the height (H1) or inclination (D1) of the teeth 911 of the uneven roller 910, in detail, replaces, changes the size of the conductive material beads, scattering area, production yield You can adjust your back.

상기 비산수단(900)의 제2 실시예에서는 요철판(930)이 배치되므로, 작업자가 상기 회전제어부(933)를 작동시키면 상기 요철판(930)이 상하방향으로 회전하며 용융상태의 전도성 물질 원료를 상기 하우징(200)의 내부공간(200a)으로 비산시키게 된다. In the second embodiment of the scattering means 900, since the uneven plate 930 is disposed, when the operator operates the rotation control unit 933, the uneven plate 930 rotates in the vertical direction, and the conductive material raw material in a molten state Is scattered into the inner space 200a of the housing 200.

이때 작업자는 상기 검토한 바과 같이, 상기 회전제어부(933)를 통해 상기 요철판(930)의 회전속도를 조절하여 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역, 생성수율 등을 조절한다. At this time, as described above, the operator adjusts the rotation speed of the uneven plate 930 through the rotation control unit 933 to adjust the size of the conductive material beads, the scattering area, and the production yield.

또는 상기한 바와 같이, 작업자는 상기 요철판(930)의 치형부(931)의 높이(H2) 또는 경사도(D2)를 조절, 자세하게는 교체, 변경하여 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역, 생성수율 등을 조절할 수 있다. Or, as described above, the operator adjusts the height (H2) or inclination (D2) of the teeth 931 of the uneven plate 930, in detail, replaces, changes the size of the conductive material beads, scattering area, and production yield. You can adjust your back.

다음 냉각단계(S4)에서는, 비산되어 성형 생성된 전도성 물질 비드를 냉각시키는 단계로서, 이제 생성, 냉각된 전도성 물질 비드를 상기 배출구(230)를 통해 상기 하우징(200)의 외부로 배출하기 위해, 상기 하우징(200)의 내부에서 잔류 불활성가스를 제거해야 한다.In the next cooling step (S4), the step of cooling the scattered and formed conductive material beads, to discharge the generated and cooled conductive material beads to the outside of the housing 200 through the outlet 230, Residual inert gas must be removed from the inside of the housing 200.

이후 포집단계(S5)에서는, 작업자는 상기 배출구(230)를 통해 생성된 전도성 물질 비드를 수확하는 단계이다.Subsequently, in the collecting step (S5 ), the worker is a step of harvesting the conductive material beads generated through the outlet 230.

이상의 사항은 전도성 물질 비드 제조방법 및 그 제조장치의 특정한 실시예를 나타낸 것에 불과하다.The above is only a specific example of a method for manufacturing a conductive material bead and its manufacturing apparatus.

따라서 이하의 청구범위에 기재된 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양한 형태로 치환, 변형될 수 있음을 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 파악할 수 있다는 점을 밝혀 두고자 한다.Accordingly, it is intended to reveal that those skilled in the art can easily grasp that the present invention can be substituted and modified in various forms without departing from the spirit of the present invention as set forth in the claims below. do.

100:비드 제조장치
200:하우징 217:관찰창
220:내화벽돌 230:배출구
240:챔버 241:제1 구획
243:제2 구획 250:퍼니스
260:주입기 270:저장조
300:가열수단 310:가열코일
320:열원부
500:칠러

700:가스순환부 711:제1 유입밸브
712:제2 유입밸브 721:제1 유출밸브
722:제2 유출밸브
900:비산수단 910:요철롤러
911:치형부 913:회전제어부
930:요철판 931:치형부
933:회전제어부 100: bead manufacturing apparatus
200: housing 217: observation window
220: fire brick 230: outlet
240: chamber 241: first compartment
243: second compartment 250: furnace
260: injector 270: storage tank
300: heating means 310: heating coil
320: heat source
500: Chiller

700: gas circulation unit 711: first inlet valve
712: second inlet valve 721: first outlet valve
722: second outlet valve
900: scattering means 910: irregular roller
911: tooth section 913: rotation control section
930: uneven plate 931: teeth
933: rotation control unit

Claims (11)

전도성 물질 원료를 주입하는 원료주입단계;
전도성 물질 원료를 가열하여 녹이는 가열단계;
전도성 물질 원료를 비산시켜 비드 형태로 성형하는 비산성형단계;
전도성 물질 비드를 냉각시키는 냉각단계; 및
전도성 물질 비드를 포집하는 포집단계;
를 포함하는 전도성 물질 비드 제조방법.
A raw material injection step of injecting a conductive material raw material;
A heating step of heating and melting the conductive material raw material;
Scattering step of forming a bead form by scattering the conductive material raw material;
A cooling step of cooling the conductive material beads; And
A collecting step of collecting the conductive material beads;
Method for manufacturing a conductive material bead comprising a.
제1항에 있어서,
상기 비산성형단계는, 원심력을 이용하여 전도성 물질을 비산시키는 것을 특징으로 하는 전도성 물질 비드 제조방법.
According to claim 1,
The scattering step is a method of manufacturing a conductive material bead, characterized in that using a centrifugal force to scatter the conductive material.
제2항에 있어서,
상기 비산성형단계에서는 전도성 물질을 비산시키기 위해, 원주방향을 따라 복수의 치형부가 형성된 원통형 요철롤러 또는 원주방향을 따라 복수의 치형부가 형성된 원판형 요철판이 사용되되,
상기 비산성형단계는, 상기 요철롤러 또는 상기 요철판의 회전속도를 조절하여 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역 또는 생성수율을 조절하는 것을 특징으로 하는 전도성 물질 비드 제조방법.
According to claim 2,
In the scattering forming step, in order to scatter the conductive material, a cylindrical uneven roller having a plurality of teeth formed in a circumferential direction or a disk-shaped uneven plate having a plurality of teeth formed in a circumferential direction is used,
The scattering molding step, the method of manufacturing a conductive material bead, characterized in that to adjust the rotational speed of the uneven roller or the uneven plate to adjust the size, scattering area or production yield of the conductive material bead.
제3항에 있어서,
상기 비산성형단계는,
상기 요철롤러의 치형부 또는 상기 요철판의 치형부의 경사도를 조절하여 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역 또는 생성수율을 조절하는 것을 특징으로 하는 전도성 물질 비드 제조방법.
According to claim 3,
The scattering molding step,
A method of manufacturing a conductive material bead, characterized in that the size of the conductive material beads, the scattering area, or the production yield are adjusted by adjusting the inclination of the tooth of the uneven roller or the teeth of the uneven plate.
내부공간이 형성되고, 하부에는 배출구가 배치된 하우징;
상기 하우징의 상단에 배치되는 챔버;
상기 챔버의 내부에 배치되는 퍼니스;
상기 챔버의 내부에서 상기 퍼니스의 주변부에 배치되는 가열수단;
상기 챔버의 상부에 배치되고, 상기 퍼니스로 전도성 물질 원료를 주입하는 주입기;
상기 하우징의 내부에서 상기 퍼니스의 하부에 배치되고, 상기 퍼니스에서 배출되는 전도성 물질 원료를 비산시켜 비드 형태로 성형하는 비산수단; 및
상기 하우징의 하부에 배치되고, 전도성 물질 비드를 포집하는 저장조;
를 포함하는 전도성 물질 비드 제조장치.
An inner space is formed, and a housing in which an outlet is disposed at the lower portion;
A chamber disposed on the top of the housing;
A furnace disposed inside the chamber;
Heating means disposed in the periphery of the furnace inside the chamber;
An injector disposed above the chamber and injecting a raw material for a conductive material into the furnace;
A scattering means disposed inside the housing and disposed under the furnace, to form a bead by scattering the conductive material raw material discharged from the furnace; And
A storage tank disposed on the lower portion of the housing to collect conductive material beads;
Conductive material bead manufacturing apparatus comprising a.
제5항에 있어서,
상기 비산수단은,
상기 하우징의 내부에서 상기 퍼니스의 하부에 배치되고, 원주방향을 따라 복수의 치형부가 형성된 원통형 요철롤러; 및
상기 요철롤러의 회전을 제어하는 회전제어부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 물질 비드 제조장치.
The method of claim 5,
The scattering means,
A cylindrical concave-convex roller disposed in the lower part of the furnace inside the housing and having a plurality of teeth formed in a circumferential direction; And
A rotation control unit controlling rotation of the uneven roller;
Conductive material bead manufacturing apparatus comprising a.
제6항에 있어서,
상기 치형부의 높이 또는 경사도를 조절하여 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역 또는 생성수율을 조절하는 것을 특징으로 하는 전도성 물질 비드 제조장치.
The method of claim 6,
Conductive material bead manufacturing apparatus, characterized in that to adjust the height or inclination of the tooth portion to adjust the size, scattering area or production yield of the conductive material beads.
제5항에 있어서,
상기 비산수단은,
상기 하우징의 내부에서 상기 퍼니스의 하부에 배치되고, 원주방향을 따라 복수의 치형부가 형성된 원판형 요철판; 및
상기 요철판의 회전을 제어하는 회전제어부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 물질 비드 제조장치.
The method of claim 5,
The scattering means,
A disc-shaped concave-convex plate disposed in the lower portion of the furnace inside the housing and having a plurality of teeth formed in a circumferential direction; And
A rotation control unit controlling rotation of the uneven plate;
Conductive material bead manufacturing apparatus comprising a.
제8항에 있어서,
상기 요철판의 회전속도를 조절하여 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역 또는 생성수율을 조절하는 것을 특징으로 하는 전도성 물질 비드 제조장치.
The method of claim 8,
Conductive material bead manufacturing apparatus, characterized in that by adjusting the rotational speed of the uneven plate to adjust the size, scattering area or production yield of the conductive material beads.
제9항에 있어서,
상기 치형부의 높이 또는 경사도를 조절하여 전도성 물질 비드의 크기, 비산영역 또는 생성수율을 조절하는 것을 특징으로 하는 전도성 물질 비드 제조장치.
The method of claim 9,
Conductive material bead manufacturing apparatus, characterized in that to adjust the height or inclination of the tooth portion to adjust the size, scattering area or production yield of the conductive material beads.
제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 요철롤러 또는 상기 요철판과 연동되고, 냉각유체를 공급하여 상기 요철롤러 또는 상기 요철판을 냉각시키는 칠러;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 물질 비드 제조장치.

The method according to any one of claims 6 to 10,
Conductive material bead manufacturing apparatus further comprises; interlocking with the uneven roller or the uneven plate, and supplying a cooling fluid to cool the uneven roller or the uneven plate.

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