KR20200071367A - Organic light emitting diode display device - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an OLED display device capable of controlling internal light transmittance of each subpixel differently from light efficiency of each subpixel while reducing external light reflectance. The OLED display device, according to an embodiment, comprises: a panel including a plurality of subpixels emitting different colors of internal light; and a patterned transmittance control film which is arranged on the light exit surface of the panel, has a function of preventing reflection on external light, and controls the transmittance of the internal light of each subpixel, in which the internal light transmittance for a subpixel having low light efficiency, among the plurality of subpixels, is set higher than the internal light transmittance for a subpixel having high light efficiency.

Description

유기 발광 다이오드 디스플레이 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}Organic light emitting diode display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}

본 발명은 외부광 반사율을 저감하면서도 각 서브픽셀의 발광 효율과 다르게 각 서브픽셀의 내부광 투과율을 제어할 수 있는 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display device capable of controlling the internal light transmittance of each subpixel differently from the light emission efficiency of each subpixel while reducing the external light reflectance.

영상을 표시하는 디스플레이 장치로는 액정을 이용한 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED) 소자를 이용한 OLED 디스플레이 장치가 주로 활용되고 있다.As a display device for displaying an image, a liquid crystal display (LCD) using liquid crystal and an OLED display device using an organic light emitting diode (OLED) device are mainly used.

이들 중 OLED 디스플레이 장치는 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층이 발광하는 자발광 소자를 이용하므로 휘도 및 콘트라스트비가 높고 구동 전압이 낮으며 초박막화가 가능할 뿐만 아니라 자유로운 형상으로 구현이 가능한 장점이 있다.Of these, the OLED display device uses a self-luminous element that emits an organic light-emitting layer between the anode and the cathode, and thus has a high luminance and contrast ratio, a low driving voltage, is capable of ultra-thinning, and can be implemented in a free form.

OLED 디스플레이 장치는 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀의 3색 조합 또는 백색 서브픽셀을 추가한 4색 조합으로 풀 컬러(full color) 영상을 표시할 수 있다. 적색, 녹색, 청색 서브픽셀은 백색광을 방출하는 발광 소자와 해당 색의 컬러 필터를 이용할 수 있다.The OLED display device can display a full color image in a three-color combination of a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, or a four-color combination of white sub-pixels. For the red, green, and blue subpixels, a light emitting device that emits white light and a color filter of a corresponding color may be used.

그런데, 컬러 필터는 해당 색을 제외한 나머지 색의 빛을 흡수 또는 차단하므로 광 효율 및 휘도가 낮은 문제점이 있고, 예를 들면 청색 및 적색 컬러 필터의 광 효율이 녹색 컬러 필터의 광 효율보다 더욱 낮은 문제점이 있다.However, the color filter absorbs or blocks light of the remaining colors except for the corresponding color, and thus has a problem of low light efficiency and luminance, for example, the light efficiency of the blue and red color filters is lower than that of the green color filter. There is this.

OLED 디스플레이 장치는 외부광 반사를 저감하기 위하여 패널의 표시면에 위치하는 편광판을 주로 이용한다. 컬러 필터도 파장 선택 특성이 있어 외부광 반사율을 저감하기는 하지만 그 저감 효과가 낮기 때문에 외부광 저반사 기능을 갖는 편광판을 더 이용하고 있다.The OLED display device mainly uses a polarizing plate located on the display surface of the panel to reduce reflection of external light. The color filter also has a wavelength selection characteristic to reduce the reflectance of external light, but since the reduction effect is low, a polarizing plate having a low reflection function of external light is further used.

그러나, 편광판은 외부광 저반사 기능과 함께 OLED 패널에서 발생된 내부광의 투과율도 전체적으로 동일하게 저감시키기 때문에 OLED 패널의 광 효율 및 휘도가 전체적으로 저하되는 문제점이 있다.However, the polarizing plate has a problem in that the light efficiency and luminance of the OLED panel are deteriorated as a whole because the external light has a low reflection function and the transmittance of internal light generated in the OLED panel is also reduced.

본 발명은 외부광 반사율을 저감하면서도 각 서브픽셀의 광 효율과 다르게 각 서브픽셀의 내부광 투과율을 제어할 수 있는 OLED 디스플레이 장치를 제공한다.The present invention provides an OLED display device capable of controlling the internal light transmittance of each subpixel differently from the light efficiency of each subpixel while reducing the external light reflectance.

일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 장치서로 다른 색의 내부광을 방출하는 복수의 서브픽셀을 포함하는 패널과, 패널의 광출사면에 배치되어 외부광에 대한 반사 방지 기능을 갖으며, 각 서브픽셀의 내부광에 대한 투과율을 서브픽셀별로 제어하되, 상기 복수의 서브픽셀 중 광 효율이 낮은 서브픽셀에 대한 내부광 투과율이, 광 효율이 높은 서브픽셀에 대한 내부광 투과율보다 높게 설정된 패턴드 투과율 제어 필름을 포함한다.In an OLED display device according to an embodiment, a panel including a plurality of subpixels emitting different colors of internal light, and disposed on a light emission surface of the panel, has an anti-reflection function against external light. The patterned transmittance control film for controlling the transmittance of the internal light for each subpixel, wherein the internal light transmittance for the subpixel having low light efficiency among the plurality of subpixels is set higher than the internal light transmittance for the subpixel having high light efficiency It includes.

적색, 백색, 청색, 녹색 서브픽셀 각각은 백색광을 발생하는 발광 소자를 포함하고, 적색, 청색, 녹색 서브픽셀 각각은 발광 소자와 광출사면 사이의 광 경로에 배치된 컬러 필터를 포함한다.Each of the red, white, blue, and green subpixels includes a light emitting element that generates white light, and each of the red, blue, and green subpixels includes a color filter disposed in the light path between the light emitting element and the light exit surface.

일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름의 각 서브픽셀에 대한 내부광 투과율은 백색광 및 녹색광의 투과율 보다, 적색광 및 청색광의 투과율이 높게 설정될 수 있다.The internal light transmittance for each subpixel of the patterned transmittance control film according to an embodiment may be set to have higher transmittances of red light and blue light than that of white light and green light.

일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름의 각 서브픽셀에 대한 내부광 투과율은 백색광, 녹색광, 적색광, 청색광의 순서로 높아지도록 설정될 수 있다.The internal light transmittance for each subpixel of the patterned transmittance control film according to an embodiment may be set to increase in the order of white light, green light, red light, and blue light.

일 실시예에 따른 패널은 적색 서브픽셀의 제1 발광 영역, 백색 서브픽셀의 제2 발광 영역, 청색 서브픽셀의 제3 발광 영역, 녹색 서브픽셀의 제4 발광 영역, 및 제1 내지 제4 발광 영역들 사이와 그 제1 내지 제4 발광 영역들을 둘러싸는 비발광 영역을 포함한다.The panel according to an embodiment may include a first emission area of a red subpixel, a second emission area of a white subpixel, a third emission area of a blue subpixel, a fourth emission area of a green subpixel, and first to fourth emission areas. And a non-emission region surrounding the regions and surrounding the first to fourth emission regions.

일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름은 제1, 제2, 제3, 제4 발광 영역과 각각 오버랩하는 제1, 제2, 제3, 제4 투과 영역, 및 비발광 영역과 오버랩하며 외부광을 흡수하는 비투과 영역을 포함한다. 제1 및 제3 투과 영역의 투과율은 제2 및 제4 투과 영역의 투과율 보다 높게 설정되거나, 제1 내지 제4 투과 영역의 투과율은 제3, 제1, 제4, 제2 투과 영역의 순서로 낮게 설정될 수 있다. 비투과 영역은 블랙 매트릭스 물질을 포함할 수 있다.The patterned transmittance control film according to an embodiment overlaps the first, second, third, and fourth transmissive regions, and the non-emissive regions, respectively, which overlap the first, second, third, and fourth emission regions, and is external. It includes a non-transmissive region that absorbs light. The transmittance of the first and third transmission regions is set higher than that of the second and fourth transmission regions, or the transmittance of the first to fourth transmission regions is in the order of the third, first, fourth, and second transmission regions. Can be set low. The non-transmissive region can include a black matrix material.

일 실시예에 따른 패널은 복수의 서브픽셀을 포함하는 픽셀 어레이가 위치하는 제1 기판, 픽셀 어레이를 밀봉하는 봉지층, 및 봉지층을 사이에 두고 픽셀 어레이가 형성된 제1 기판과 합착된 제2 기판을 포함한다. 각 서브픽셀은 발광 소자와 그 발광 소자를 구동하는 픽셀 구동 회로를 포함한다. 컬러 필터는 발광 소자와 제1 및 제2 기판 중 어느 하나의 사이에 위치하여 발광 소자의 발광 영역과 오버랩한다. 패턴드 투과율 제어 필름은 제1 및 제2 기판 중 광출사면에 부착된다.A panel according to an embodiment includes a first substrate on which a pixel array including a plurality of subpixels is located, a sealing layer sealing the pixel array, and a second bonded to the first substrate on which the pixel array is formed with the sealing layer interposed therebetween. It includes a substrate. Each sub-pixel includes a light emitting element and a pixel driving circuit for driving the light emitting element. The color filter is positioned between any one of the light emitting element and the first and second substrates to overlap the light emitting region of the light emitting element. The patterned transmittance control film is attached to the light exit surfaces of the first and second substrates.

일 실시예에 따른 발광 소자는 하부 발광 구조를 갖고, 컬러 필터는 발광 소자와 제1 기판 사이에 위치하며, 패턴드 투과율 제어 필름은 제1 기판의 광출사면에 부착된다.The light emitting device according to an embodiment has a lower light emitting structure, a color filter is positioned between the light emitting device and the first substrate, and the patterned transmittance control film is attached to the light exit surface of the first substrate.

일 실시예에 따른 발광 소자는 상부 발광 구조를 갖고, 컬러 필터는 발광 소자와 제2 기판 사이에 위치하며, 패턴드 투과율 제어 필름은 제2 기판의 광출사면에 부착된다.The light emitting device according to an embodiment has an upper light emitting structure, a color filter is positioned between the light emitting device and the second substrate, and the patterned transmittance control film is attached to the light exit surface of the second substrate.

일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름의 제1 내지 제4 투과 영역 각각은 레이저 조사에 따라 투과율이 가변될 수 있다.Each of the first to fourth transmission regions of the patterned transmittance control film according to an embodiment may have a variable transmittance according to laser irradiation.

본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 장치는 각 서브픽셀의 컬러별로 투과율을 다르게 만든 패턴드 투과율 제어 필름을 이용함으로써 외부광 반사율을 저감하여 밝은 환경에서 선명한 영상을 제공할 수 있음과 아울러, 각 서브픽셀의 광 효율과 반대로 각 서브픽셀의 내부광 투과율을 제어함으로써 전체적으로 내부광 투과율을 동일하게 저감시키는 편광판과 대비하여 컬러 선택적으로 내부광 투과율을 높일 수 있고 휘도를 향상시킬 수 있다.The OLED display device according to an embodiment of the present invention can provide a clear image in a bright environment by reducing external light reflectivity by using a patterned transmittance control film having a different transmittance for each subpixel color. Contrary to the light efficiency of the sub-pixels, by controlling the internal light transmittance of each sub-pixel, the color can selectively increase the internal light transmittance and improve the brightness compared to a polarizing plate that reduces the internal light transmittance equally.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 발광형 OLED 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 발광형 OLED 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 발광형 OLED 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 발광형 OLED 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법 중 패턴드 투과율 제어 필름의 제조 방법을 단계적으로 나타낸 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름과 비교예에 따른 컬러 필터가 적용된 각 서브픽셀의 휘도비를 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름과 비교예에 따른 전체 투과율 제어 필름의 광 효율을 비교하여 나타낸 그래프이다.1 is a view schematically showing a lower emission type OLED display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a view schematically showing an upper emission type OLED display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a lower emission type OLED display device according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing an upper emission type OLED display device according to an embodiment of the present invention.
5 to 7 are cross-sectional views showing a method of manufacturing a patterned transmittance control film according to an embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a patterned transmittance control film in a method of manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
9 is a view showing a patterned transmittance control film according to an embodiment of the present invention.
10 is a graph showing a comparison of the luminance ratio of each subpixel to which the color filter according to the comparative example and the patterned transmittance control film according to an embodiment of the present invention are applied.
11 is a graph showing a comparison of light efficiency of a patterned transmittance control film according to an embodiment of the present invention and a total transmittance control film according to a comparative example.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 발광형 OLED 디스플레이 장치의 단면 및 평면 구성을 개략적으로 나타낸 도면들이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 발광형 OLED 디스플레이 장치의 단면 및 평면 구성을 개략적으로 나타낸 도면들이다.1 is a view schematically showing a cross-section and a planar configuration of a lower emission type OLED display device according to an embodiment of the present invention. 2 is a view schematically showing a cross-sectional and planar configuration of an upper emission type OLED display device according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2에서 (a)는 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 장치의 단면 구조를 개략적으로 나타낸 것이고, (b)는 일 실시예에 따른 패턴드(Patterned) 투과율 제어 필름(600)의 평면 구조를, (c)는 일 실시예에 따른 패널(500, 500A)의 평면 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.1 and 2 (a) schematically shows a cross-sectional structure of an OLED display device according to an embodiment, and (b) is a planar structure of a patterned transmittance control film 600 according to an embodiment And, (c) schematically shows the planar structure of the panels 500 and 500A according to an embodiment.

도 1에 도시된 하부 발광형 OLED 디스플레이 장치는 하부 발광(Bottom Emission) 구조의 픽셀 어레이(200)를 포함하는 패널(500)과, 패널(500)의 광출사면에 배치된 패턴드(Patterned) 투과율 제어 필름(600)을 포함한다.The lower emission type OLED display device illustrated in FIG. 1 includes a panel 500 including a pixel array 200 having a bottom emission structure and a patterned pattern disposed on a light emission surface of the panel 500 It includes a transmittance control film 600.

패널(500)은 대향하는 제1 기판(100) 및 제2 기판(400)과, 제1 기판(100) 및 제2 기판(400) 사이에 위치하는 픽셀 어레이(200)를 포함한다. 픽셀 어레이(200)가 형성된 제1 기판(100)과, 제2 기판(400) 사이에는 픽셀 어레이(200)를 밀봉하는 봉지층(Encapsulation layer)(300) 등이 위치한다. 픽셀 어레이(200)가 형성된 제1 기판(100)과 제2 기판(210)은 봉지층(300)에 포함된 접착층 및/또는 픽셀 어레이(200) 및 봉지층(300)을 둘러싸는 실런트에 의해 합착될 수 있다. 봉지층(300)은 충진재를 더 포함할 수 있다. 픽셀 어레이(200)는 적색광을 방출하는 적색(이하 R) 서브픽셀, 백색광을 방출하는 백색(이하 W) 서브픽셀, 청색광을 방출하는 청색(이하 B) 서브픽셀, 녹색광을 방출하는 녹색(이하 G) 서브픽셀을 포함한다. 봉지층(300)은 유기 발광층이 포함된 R, W, B, G 서브픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이(200)을 밀봉하여 외부로부터의 수분 또는 산소 침투를 방지할 수 있다. R, W, B, G 서브픽셀은 하부 발광 구조를 갖는다. 제1 기판(100)은 투명 기판을 이용하고, 제2 기판(200)은 금속 기판이나 불투명 기판을 이용할 수 있다. 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 광출사면인 제2 기판(100)의 외측면에 부착된다.The panel 500 includes an opposing first substrate 100 and a second substrate 400 and a pixel array 200 positioned between the first substrate 100 and the second substrate 400. Between the first substrate 100 on which the pixel array 200 is formed and the second substrate 400, an encapsulation layer 300 that seals the pixel array 200 is positioned. The first substrate 100 and the second substrate 210 on which the pixel array 200 is formed are formed by an adhesive layer included in the encapsulation layer 300 and/or a sealant surrounding the pixel array 200 and the encapsulation layer 300. Can be cemented. The encapsulation layer 300 may further include a filling material. The pixel array 200 includes red (hereinafter R) subpixels emitting red light, white (hereinafter W) subpixels emitting white light, blue (hereinafter B) subpixels emitting blue light, and green (hereinafter G) emitting green light. ) Subpixels. The encapsulation layer 300 seals the pixel array 200 including R, W, B, and G subpixels including the organic light emitting layer to prevent moisture or oxygen from penetrating from the outside. The R, W, B, and G subpixels have a lower emission structure. The first substrate 100 may use a transparent substrate, and the second substrate 200 may use a metal substrate or an opaque substrate. The patterned transmittance control film 600 is attached to the outer surface of the second substrate 100 that is the light exit surface.

도 1과 대비하여, 도 2에 도시된 상부 발광형 OLED 디스플레이 장치에서 패널(500A)은 상부 발광(Top Emission) 구조의 픽셀 어레이(200A)를 포함하고, 픽셀 어레이(200A)는 상부 발광 구조의 R, W, B, G 서브픽셀들을 포함한다. 상부 발광형 패널(500A)은 제1 기판(100A)으로 불투명 기판을 이용하고, 제2 기판(400A)으로 투명 기판을 이용한다. 제2 기판(400A)은 배리어(Barrier) 절연막을 포함할 수 있다. 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 패널(500A)의 광출사면인 제2 기판(400A)의 외측면에 부착된다.In contrast to FIG. 1, in the upper emission type OLED display device illustrated in FIG. 2, the panel 500A includes a pixel array 200A having a top emission structure, and the pixel array 200A has a top emission structure It includes R, W, B, and G subpixels. The upper light emitting panel 500A uses an opaque substrate as the first substrate 100A and a transparent substrate as the second substrate 400A. The second substrate 400A may include a barrier insulating film. The patterned transmittance control film 600 is attached to the outer surface of the second substrate 400A, which is the light exit surface of the panel 500A.

도 1 및 도 2를 참조하면, 패널(500, 500A)은 R, W, B, G 서브픽셀에서 해당색의 빛을 각각 방출하는 제1 내지 제4 발광 영역(REA, WEA, BEA, GEA)과, 제1 내지 제4 발광 영역들(REA, WEA, BEA, GEA) 사이 및 그 발광 영역들(REA, WEA, BEA, GEA)을 둘러싸는 주변부에 위치하는 비발광 영역(NA)을 포함한다.1 and 2, the panels 500 and 500A include first to fourth light emitting regions REA, WEA, BEA, and GEA that emit light of corresponding colors in R, W, B, and G subpixels, respectively. And a non-emission region NA located between the first to fourth emission regions REA, WEA, BEA, and GEA and surrounding the emission regions REA, WEA, BEA, and GEA. .

R, W, B, G 서브픽셀의 제1 내지 제4 발광 영역(REA, WEA, BEA, GEA) 각각은 백색광을 방출하는 발광 소자 및 해당색의 컬러 필터를 포함하거나, 해당색의 빛을 방출하는 발광 소자를 포함할 수 있다. R, B, G 서브픽셀의 제1, 제3, 제4 발광 영역(REA, BEA, GEA)이 컬러 필터를 포함하는 경우, 컬러 필터는 발광 소자의 광 출사 방향에 위치하고 발광 소자의 발광 영역(REA, BEA, GEA)과 오버랩한다. 비발광 영역(NA)은 R, W, B, G 서브픽셀 각각의 발광 소자를 구동하는 신호 배선들이 위치하고, 각 서브픽셀의 발광 소자를 독립적으로 구동하는 픽셀 구동 회로가 더 위치할 수 있다. 발광 소자가 상부 발광형인 경우 픽셀 구동 회로는 발광 영역들(REA, WEA, BEA, GEA)과 일부 오버랩하여 위치할 수 있다. R, W, B, G 서브픽셀의 제1 내지 제4 발광 영역(REA, WEA, BEA, GEA)은 개구 영역으로 표현될 수 있고, 비발광 영역(NA)은 비개구 영역으로 표현될 수 있다.Each of the first to fourth emission regions REA, WEA, BEA, and GEA of the R, W, B, and G subpixels includes a light emitting element that emits white light and a color filter of the corresponding color, or emits light of the corresponding color. It may include a light emitting device. When the first, third, and fourth emission regions REA, BEA, and GEA of the R, B, and G subpixels include color filters, the color filters are located in the light emission direction of the light emitting elements and the light emitting regions of the light emitting elements ( REA, BEA, GEA). In the non-emission area NA, signal wirings for driving the light emitting elements of the R, W, B, and G subpixels are located, and a pixel driving circuit for independently driving the light emitting elements of each subpixel may be further located. When the light emitting device is of the upper emission type, the pixel driving circuit may be partially overlapped with the emission regions REA, WEA, BEA, and GEA. The first to fourth emission regions REA, WEA, BEA, and GEA of the R, W, B, and G subpixels may be expressed as an opening region, and the non-emission region NA may be expressed as a non-opening region. .

도 1 및 도 2를 참조하면, 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 패널(500, 500A)의 광출사면에 배치되고 외부광을 흡수하여 외부광에 대한 반사 방지 기능을 갖는다. 특히, 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 R, W, B, G 서브픽셀 각각의 내부광에 대한 투과율을 서브픽셀별로 제어할 수 있고, 광 효율이 상대적으로 낮은 서브픽셀(B, G)에 대한 내부광 투과율을, 광 효율이 상대적으로 높은 서브픽셀(W, G)에 대한 내부광 투과율보다 높게 제어할 수 있다.1 and 2, the patterned transmittance control film 600 is disposed on the light exit surfaces of the panels 500 and 500A and absorbs external light, thereby preventing reflection of external light. In particular, the patterned transmittance control film 600 can control the transmittance of each of the R, W, B, and G subpixels for each subpixel, and to the subpixels B and G having relatively low light efficiency. The internal light transmittance for can be controlled higher than the internal light transmittance for the subpixels W and G having relatively high light efficiency.

패턴드 투과율 제어 필름(600)은 패널(500, 500A)의 제1 내지 제4 발광 영역(REA, WEA, BEA, GEA)과 각각 오버랩하는 제1 내지 제4 투과 영역(600R, 600W, 600B, 600G)과, 패널(500, 500A)의 비발광 영역(NA)과 오버랩하는 비투과 영역(610)을 포함한다. 비투과 영역(610)은 외부광 및 내부광을 흡수하는 블랙 영역 또는 블랙 매트릭스 영역으로 표현될 수 있다.The patterned transmittance control film 600 includes first to fourth transmissive regions 600R, 600W, and 600B overlapping the first to fourth luminescent regions REA, WEA, BEA, and GEA of the panels 500 and 500A, respectively. 600G), and non-transmissive regions 610 that overlap the non-luminous regions NA of the panels 500 and 500A. The non-transmissive region 610 may be represented as a black region or black matrix region that absorbs external light and internal light.

R, W, B, G 서브픽셀의 발광 효율은 백색광, 녹색광 대비 적색광, 청색광이 낮은 것으로 알려져 있고, 상세하게는 백색광>녹색광>적색광>청색광 순서로 낮은 것으로 알려져 있다. 각 서브픽셀의 발광 효율을 고려하여, 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 제1 내지 제4 투과 영역(600R, 600W, 600B, 600G) 각각의 투과율을 각 서브픽셀의 발광 효율과 상반되게 제어할 수 있다.The luminous efficiency of the R, W, B, and G subpixels is known to be low in red light and blue light in comparison to white light and green light, and in detail, it is known to be low in the order of white light>green light>red light>blue light. In consideration of the light emission efficiency of each subpixel, the patterned transmittance control film 600 controls the transmittance of each of the first to fourth transmission areas 600R, 600W, 600B, and 600G to be opposite to the light emission efficiency of each subpixel. Can be.

일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 W 서브픽셀의 제2 발광 영역(WEA)과 오버랩하는 제2 투과 영역(600W)의 투과율, G 서브픽셀의 제4 발광 영역(GEA)과 오버랩하는 제4 투과 영역(600G)의 투과율을 상대적으로 낮게 제어할 수 있다. 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 R 서브픽셀의 제1 발광 영역(REA)과 오버랩하는 제1 투과 영역(600R)의 투과율, B 서브픽셀의 제3 발광 영역(BEA)과 오버랩하는 제3 투과 영역(600B)의 투과율을 상대적으로 높게 제어할 수 있다. 예를 들면, 제2 투과 영역(600W) 및 제4 투과 영역(600G)의 투과율은 50%로 설정하고, 제1 투과 영역(600R) 및 제3 투과 영역(600B)의 투과율은 100%로 설정할 수 있으나, 이것으로 한정되지 않는다.The patterned transmittance control film 600 according to an embodiment may include a transmittance of the second transmittance region 600W overlapping the second emission region WEA of the W subpixel, and a fourth emission region GEA of the G subpixel. The transmittance of the overlapping fourth transmission region 600G can be controlled relatively low. The patterned transmittance control film 600 transmits the transmittance of the first transmittance region 600R overlapping the first emission region REA of the R subpixel, and the third transmittance overlaps the third emission region BEA of the B subpixel. The transmittance of the region 600B can be controlled relatively high. For example, the transmittance of the second transmission region 600W and the fourth transmission region 600G is set to 50%, and the transmittance of the first transmission region 600R and the third transmission region 600B is set to 100%. It may, but is not limited to this.

다른 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 R, W, B, G 서브픽셀의 발광 효율의 크기 관계와 반대로, 제3 투과 영역(600B)의 투과율>제1 투과 영역(600R)의 투과율>제4 투과 영역(600G)의 투과율>제2 투과 영역(600W)의 투과율의 순서로 투과율이 낮아지도록 제어할 수 있다.Patterned transmittance control film 600 according to another embodiment of the R, W, B, G sub-pixel, as opposed to the size relationship of the luminous efficiency, the transmittance of the third transmission region (600B)> of the first transmission region (600R) In order of transmittance>transmittance of the fourth transmissive region 600G>transmittance of the second transmissive region 600W, the transmittance can be controlled to be lowered.

이에 따라, 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 비투과 영역(610)에서 외부광을 흡수함으로써 외부광 반사를 방지할 수 있다. 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 투과율이 상대적으로 낮은 제2 및 제4 투과 영역(600W, 600G)을 통해 W 및 G 서브픽셀의 발광 영역(WEA, GEA)에서의 외부광 반사율 및 내부광 투과율을 종래의 편광판 등의 광학 필름과 유사한 수준으로 저감함으로써, G 서브픽셀 및 컬러 필터가 없는 W 서브픽셀에서의 외부광 반사로 인한 눈부심 현상을 방지할 수 있다. 또한, 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 투과율이 상대적으로 높은 제1 및 제3 투과 영역(600R, 600B)을 통해 R 및 B 서브픽셀의 발광 영역(REA, BEA)에서의 외부광 반사율 및 내부광 투과율 저하를 저감함으로써 종래의 편광판 등의 광학 필름 대비 R 및 B 서브픽셀의 내부광 투과율 및 휘도를 향상시킬 수 있다.Accordingly, the patterned transmittance control film 600 may prevent external light reflection by absorbing external light in the non-transmissive region 610. The patterned transmittance control film 600 has external light reflectance and internal light transmittance in the light emitting areas WEA and GEA of the W and G subpixels through the second and fourth transmittance areas 600W and 600G having relatively low transmittance. It is possible to prevent glare caused by reflection of external light in the G sub-pixel and the W sub-pixel without a color filter by reducing to a level similar to that of a conventional optical film such as a polarizing plate. In addition, the patterned transmittance control film 600 has external light reflectance and internal light in the light emitting regions REA and BEA of the R and B subpixels through the first and third transmittance regions 600R and 600B having relatively high transmittance. By reducing the decrease in light transmittance, it is possible to improve the internal light transmittance and luminance of the R and B subpixels compared to conventional optical films such as polarizers.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 발광형 OLED 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이고, 도 1과 대비하여 하부 발광 구조의 픽셀 어레이(200)의 구성을 보다 구체적으로 나타낸 것이다.3 is a cross-sectional view showing a lower emission type OLED display device according to an embodiment of the present invention, and more specifically shows the configuration of a pixel array 200 having a lower emission structure in comparison with FIG. 1.

도 3을 참조하면, 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 하부 발광 구조를 갖는 패널(500)의 발광면, 즉 제1 기판(100)의 외측면에 부착된다. 제1 내지 제4 발광 영역들(REA, WEA, BEA, GEA) 사이 및 그 발광 영역들(REA, WEA, BEA, GEA)의 주변부에 위치하는 비발광 영역(NA)과 오버랩하는 비투과 영역(610)은 외부광을 흡수하는 블랙 매트릭스 물질을 포함하여 외부광 반사를 방지할 수 있다.Referring to FIG. 3, the patterned transmittance control film 600 is attached to the light emitting surface of the panel 500 having a lower light emitting structure, that is, the outer surface of the first substrate 100. The non-transmissive region 610 overlaps with the non-emission region NA located between the first to fourth emission regions REA, WEA, BEA, and GEA and around the emission regions REA, WEA, BEA, and GEA. ) Includes a black matrix material that absorbs external light to prevent external light reflection.

패턴드 투과율 제어 필름(600)에서 R, W, B, G 서브픽셀의 제1 내지 제4 발광 영역(REA, WEA, BEA, GEA)과 각각 오버랩하는 제1 내지 제4 투과 영역(600R, 600W, 600B, 600G) 각각은, 수평 방향으로 인접한 다른 컬러의 서브픽셀과 오버랩하는 다른 투과 영역과 서로 다른 투과율을 갖도록 설정될 수 있다. 도 3에서는 R, W, B, G 서브픽셀만 도시되어 있으나, 픽셀 어레이(200)는 R, W, B, G 서브픽셀들이 반복 배치된 매트릭스 형태를 갖는다.In the patterned transmittance control film 600, the first to fourth transmission regions 600R, 600W overlapping with the first to fourth emission regions REA, WEA, BEA, and GEA of R, W, B, and G subpixels, respectively. , 600B, 600G) may be set to have different transmittances from different transmission regions overlapping subpixels of different colors adjacent in the horizontal direction. Although only R, W, B, and G subpixels are illustrated in FIG. 3, the pixel array 200 has a matrix form in which R, W, B, and G subpixels are repeatedly arranged.

R 서브픽셀의 제1 발광 영역(REA)과 오버랩하는 제1 투과 영역(600R)의 투과율(적색광의 투과율)은, 수평 방향으로 각각 인접한 G 및 W 서브픽셀의 제4 및 제2 발광 영역(GEA, WEA)과 각각 오버랩하는 제4 및 제2 투과 영역(600G, 600W)의 투과율(백색광의 투과율, 녹색광의 투과율) 보다 높게 설정될 수 있다. W 서브픽셀의 제2 발광 영역(WEA)과 오버랩하는 제2 투과 영역(600W)의 투과율(백색광의 투과율)은, 수평 방향으로 각각 인접한 R 및 B 서브픽셀의 제1 및 제3 발광 영역(REA, BEA)과 각각 오버랩하는 제1 및 제3 투과 영역(600R, 600B)의 투과율(적색광의 투과율, 청색광의 투과율) 보다 높게 설정될 수 있다. B 서브픽셀의 제3 발광 영역(BEA)과 오버랩하는 제3 투과 영역(600B)의 투과율(청색광의 투과율)은, 수평 방향으로 각각 인접한 W 및 G 서브픽셀의 제2 및 제4 발광 영역(WEA, GEA)과 각각 오버랩하는 제2 및 제4 투과 영역(600W, 600G)의 투과율(백색광의 투과율, 녹색광의 투과율) 보다 높게 설정될 수 있다. G 서브픽셀의 제4 발광 영역(GEA)과 오버랩하는 제4 투과 영역(600G)의 투과율(녹색광의 투과율)은, 수평 방향으로 각각 인접한 B 및 R 서브픽셀의 제3 및 제1 발광 영역(BEA, REA)과 각각 오버랩하는 제3 및 제1 투과 영역(600B, 600R)의 투과율(청색광의 투과율, 적색광의 투과율) 보다 높게 설정될 수 있다.The transmittance (transmittance of red light) of the first transmission region 600R overlapping the first emission region REA of the R subpixel is the fourth and second emission regions GEA of the adjacent G and W subpixels in the horizontal direction, respectively. , WEA), and the transmittance (transmittance of white light and transmittance of green light) of the fourth and second transmission regions 600G and 600W overlapping, respectively. The transmittance (transmittance of white light) of the second transmission region 600W overlapping the second emission region WEA of the W subpixel is the first and third emission regions REA of the adjacent R and B subpixels in the horizontal direction, respectively. , BEA) may be set higher than the transmittance (transmittance of red light and transmittance of blue light) of the first and third transmission regions 600R and 600B overlapping, respectively. The transmittance (transmittance of blue light) of the third transmission region 600B overlapping the third emission region BEA of the B subpixel is the second and fourth emission regions WEA of the W and G subpixels adjacent in the horizontal direction, respectively. , GEA) may be set higher than the transmittance (transmittance of white light and transmittance of green light) of the second and fourth transmission regions 600W and 600G overlapping, respectively. The transmittance (transmittance of green light) of the fourth transmission region 600G overlapping the fourth emission region GEA of the G subpixel is the third and first emission regions BEA of the adjacent B and R subpixels in the horizontal direction, respectively. , REA) and the transmittance (transmittance of blue light and transmittance of red light) of the third and first transmission regions 600B and 600R overlapping, respectively.

하부 발광형 패널(500)에서 제1 기판(100)과 제2 기판(400) 사이에 위치하는 픽셀 어레이(200)는 박막 트랜지스터(이하 TFT)(120), 컬러 필터(210R, 210B, 210G), 발광 소자(160) 등을 포함한다. TFT(120)를 포함하는 픽셀 구동 회로와, 그 픽셀 구동 회로와 접속된 신호 배선들은 비발광 영역(NA)에 위치한다. TFT(120)와 접속된 발광 소자(160)는 각 서브픽셀의 발광 영역(REA, WEA, BEA, GEA)에 위치한다. 컬러 필터(210R, 210B, 210G)는 각각 R, B, G 서브픽셀의 발광 영역(REA, BEA, GEA) 각각에서 발광 소자(160)와 제1 기판(100) 사이에 위치한다. 각 서브픽셀의 픽셀 구동 회로는 발광 소자(160)를 구동하는 구동 TFT(120)와, 복수의 스위칭 TFT와 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다.The pixel array 200 positioned between the first substrate 100 and the second substrate 400 in the lower emission panel 500 includes a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) 120 and color filters 210R, 210B, and 210G. , A light emitting element 160 and the like. The pixel driving circuit including the TFT 120 and the signal wirings connected to the pixel driving circuit are located in the non-emission area NA. The light emitting elements 160 connected to the TFT 120 are positioned in the light emitting regions REA, WEA, BEA, and GEA of each subpixel. The color filters 210R, 210B, and 210G are positioned between the light emitting device 160 and the first substrate 100 in each of the light emitting regions REA, BEA, and GEA of the R, B, and G subpixels, respectively. The pixel driving circuit of each sub-pixel may include a driving TFT 120 driving the light emitting element 160, a plurality of switching TFTs, and a storage capacitor.

투명 지지 기판인 제1 기판(100)과 픽셀 어레이(200) 사이에는 제1 보호막(110)이 위치할 수 있다. 제1 기판(100)은 유리 또는 플렉서블 플라스틱 필름과 같은 투명 절연 재질을 포함할 수 있다. 제1 보호막(110)은 제1 기판(100)으로부터 TFT(120)의 반도체 패턴(20)으로 수소가 유입되는 것을 차단하는 산화물계 절연 물질의 버퍼층을 포함할 수 있다. 제1 보호막(110)은 수분이나 산소가 유입되는 것을 차단하기 위한 배리어층을 더 포함할 수 있다. 배리어층은 복수의 절연층 적층 구조일 수 있고, 예를 들면 복수의 무기 절연층 사이에 유기 절연층이 삽입된 구조일 수 있다.A first passivation layer 110 may be positioned between the first substrate 100, which is a transparent support substrate, and the pixel array 200. The first substrate 100 may include a transparent insulating material such as glass or flexible plastic film. The first passivation layer 110 may include a buffer layer of an oxide-based insulating material that blocks hydrogen from entering the semiconductor pattern 20 of the TFT 120 from the first substrate 100. The first passivation layer 110 may further include a barrier layer for blocking moisture or oxygen from entering. The barrier layer may be a stacked structure of a plurality of insulating layers, for example, a structure in which an organic insulating layer is interposed between a plurality of inorganic insulating layers.

제1 보호막(110) 상에 위치하는 TFT(120)는 반도체 패턴(20), 게이트 절연막(22), 게이트 전극(24), 층간 절연막(26), 소스 전극(28) 및 드레인 전극(30)을 포함한다. 이하에서 일 실시예에 따른 TFT(120)는 게이트 전극(24)이 게이트 절연막(22)을 사이에 두고 반도체 패턴(20) 상에 위치하는 상부 게이트(Top Gate) 구조를 예를 들어 설명하나 이것으로 한정되지 않으며, 게이트 전극이 게이트 절연막을 사이에 두고 반도체 패턴 아래에 위치하는 하부 게이트(Bottom Gate) 구조가 적용될 수 있다.The TFT 120 positioned on the first passivation layer 110 includes a semiconductor pattern 20, a gate insulating layer 22, a gate electrode 24, an interlayer insulating layer 26, a source electrode 28 and a drain electrode 30. It includes. Hereinafter, the TFT 120 according to an exemplary embodiment will be described with an example of a top gate structure in which the gate electrode 24 is positioned on the semiconductor pattern 20 with the gate insulating film 22 interposed therebetween. It is not limited to, and a bottom gate structure in which the gate electrode is positioned under the semiconductor pattern with the gate insulating film therebetween may be applied.

제1 보호막(110) 상의 반도체 패턴(20)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 In, Ga, Zn, Al, Sn, Zr, Hf, Cd, Ni, Cu 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들면, 반도체 패턴(20)은 IGZO를 포함할 수 있다. 반도체 패턴(20) 상에 게이트 절연막(22)을 사이에 두고 게이트 전극(24)이 위치한다. 게이트 전극(24)은 게이트 절연막(22)을 사이에 두고 반도체 패턴(20)의 채널 영역과 오버랩한다. 게이트 전극(24)의 측면과 게이트 절연막(22)은 수직 정렬될 수 있다. 층간 절연막(30)은 반도체 패턴(20), 게이트 절연막(22) 및 게이트 전극(24)을 덮는 구조로 형성되고, 반도체 패턴(20)의 소스 영역 및 드레인 영역을 각각 노출하는 복수의 컨택홀을 포함한다. 층간 절연막(30) 상의 소스 전극(26) 및 드레인 전극(28)은 층간 절연막(30)의 해당 컨택홀을 통해 반도체 패턴(20)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 접속된다. TFT(120)를 덮는 제2 보호막(130)이 층간 절연막(30) 상에 위치할 수 있다.The semiconductor pattern 20 on the first passivation layer 110 is amorphous silicon, polycrystalline silicon, or an oxide semiconductor including at least one metal of In, Ga, Zn, Al, Sn, Zr, Hf, Cd, Ni, Cu It can contain. For example, the semiconductor pattern 20 may include IGZO. The gate electrode 24 is positioned on the semiconductor pattern 20 with the gate insulating layer 22 therebetween. The gate electrode 24 overlaps the channel region of the semiconductor pattern 20 with the gate insulating film 22 therebetween. The side surface of the gate electrode 24 and the gate insulating layer 22 may be vertically aligned. The interlayer insulating film 30 is formed in a structure that covers the semiconductor pattern 20, the gate insulating film 22, and the gate electrode 24, and includes a plurality of contact holes respectively exposing the source region and the drain region of the semiconductor pattern 20. Includes. The source electrode 26 and the drain electrode 28 on the interlayer insulating film 30 are respectively connected to the source region and the drain region of the semiconductor pattern 20 through corresponding contact holes of the interlayer insulating film 30. A second passivation layer 130 covering the TFT 120 may be positioned on the interlayer insulating layer 30.

게이트 전극(24), 소스 전극(26) 및 드레인 전극(28)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W) 중 어느 하나의 금속 물질 또는 적어도 2개의 합금을 포함하는 단일층 구조 또는 복수층 구조로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(22), 층간 절연막(30), 제2 보호막(130) 각각은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물의 절연 물질을 포함할 수 있고 단일층 또는 복수층 구조일 수 있다.The gate electrode 24, the source electrode 26, and the drain electrode 28 are any one of aluminum (Al), chromium (Cr), copper (Cu), titanium (Ti), molybdenum (Mo), and tungsten (W). It may be formed of a single-layer structure or a multi-layer structure comprising a metal material or at least two alloys. Each of the gate insulating film 22, the interlayer insulating film 30, and the second protective film 130 may include an insulating material of silicon oxide or silicon nitride, and may have a single layer or multiple layer structure.

제2 보호막(130) 상에는 TFT(120)를 포함하는 픽셀 회로의 단차를 제거하고 평탄면을 제공하는 오버코트층(140)과, R, B, G 서브픽셀의 발광 영역(REA, BEA, GEA)과 각각 오버랩하는 R, G, B 컬러 필터(210R, 210B, 210G)가 위치한다. 오버코트층(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. W 서브픽셀의 제2 보호막(130) 상에는 컬러 필터가 위치하지 않고 오버코트층(140)만 위치한다. 오버코트층(140) 및 컬러 필터(210R, 210B, 210G)는 동일 높이의 상부면을 갖거나, 오버코트층(140)이 컬러 필터(210R, 210B, 210G)를 덮는 구조로 위치할 수 있다.On the second passivation layer 130, the overcoat layer 140 that removes the step difference of the pixel circuit including the TFT 120 and provides a flat surface, and the emission regions REA, BEA, and GEA of the R, B, and G subpixels And overlapping R, G, and B color filters 210R, 210B, and 210G, respectively. The overcoat layer 140 may include an organic insulating material. A color filter is not positioned on the second passivation layer 130 of the W subpixel, but only the overcoat layer 140 is positioned. The overcoat layer 140 and the color filters 210R, 210B, and 210G may have upper surfaces having the same height, or the overcoat layer 140 may be positioned to cover the color filters 210R, 210B, and 210G.

오버코트층(140) 및 컬러 필터(210R, 210B, 210G) 상에는 각 서브픽셀마다 독립적으로 위치하는 발광 소자(160)의 제1 전극(162)이 형성된다. 제1 전극(162)은 오버코트층(140) 및 제2 보호막(130)을 관통하는 컨택홀을 경유하여 구동 TFT(120)의 소스 전극(26)과 접속된 애노드 전극이고 투명 전극일 수 있다. 제1 전극(162)은 투명 도전 물질, 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함할 수 있다.On the overcoat layer 140 and the color filters 210R, 210B, and 210G, a first electrode 162 of the light emitting element 160 that is independently positioned for each subpixel is formed. The first electrode 162 is an anode electrode connected to the source electrode 26 of the driving TFT 120 through a contact hole passing through the overcoat layer 140 and the second passivation layer 130 and may be a transparent electrode. The first electrode 162 may include a transparent conductive material, for example, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).

제1 전극(162)이 형성된 오버코트층(140) 상에는 비발광 영역(NA)과 오버랩하여 각 서브픽셀의 발광 영역(REA, WEA, BEA, GEA)을 각각 정의하는 뱅크 절연막(150)이 위치할 수 있다. 뱅크 절연막(150)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 뱅크 절연막(150)은 차광 물질을 더 포함하여 인접한 발광 소자(160)의 빛샘을 방지할 수 있다. 예를 들면, 차광 물질은 컬러 안료, 블랙 수지, 카본 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.On the overcoat layer 140 on which the first electrode 162 is formed, the bank insulating layer 150 that overlaps the non-emission region NA and defines the emission regions REA, WEA, BEA, and GEA of each subpixel, respectively, is to be located. Can be. The bank insulating layer 150 may include an organic insulating material. The bank insulating layer 150 may further include a light blocking material to prevent light leakage from adjacent light emitting devices 160. For example, the light blocking material may include at least one of color pigment, black resin, and carbon.

뱅크 절연막(150) 및 제1 전극(162) 상에 발광 스택(164)과 제2 전극(166)이 적층된다. R, W, B, G 서브픽셀의 발광 스택(164)은 뱅크 절연막(150)의 상부면을 경유하여 서로 연결되어 형성되거나, 각 서브픽셀의 발광 스택(164)이 독립적으로 형성될 수 있다. R, W, B, G 서브픽셀의 제2 전극(166)은 뱅크 절연막(150) 상에서 서로 연결되어 형성될 수 있다. The light emitting stack 164 and the second electrode 166 are stacked on the bank insulating layer 150 and the first electrode 162. The light emitting stacks 164 of the R, W, B, and G subpixels may be formed to be connected to each other via the upper surface of the bank insulating layer 150, or the light emitting stacks 164 of each subpixel may be independently formed. The second electrodes 166 of the R, W, B, and G subpixels may be formed by being connected to each other on the bank insulating layer 150.

발광 스택(164)은 유기 발광 물질을 포함하는 발광 물질층(Emitting Material Layer; EML)을 포함하고, 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL), 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 발광 스택(164)은 청색광을 생성하는 제1 발광 스택과 황록색광 및 적색광을 생성하는 제2 발광 스택이 전하 생성층을 사이에 두고 적층된 2 스택 구조를 포함하여 백색광을 방출할 수 있다.The light emitting stack 164 includes a light emitting material layer (EML) including an organic light emitting material, and a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), and an electron transport layer ( Electron Transport Layer (ETL) and an electron injection layer (Electron Injection Layer; EIL) may further include at least one. The light emitting stack 164 may emit white light including a two stack structure in which a first light emitting stack generating blue light and a second light emitting stack generating yellow green light and red light are stacked with a charge generating layer interposed therebetween.

제2 전극(166)은 캐소드 전극으로 반사 전극일 수 있다. 제2 전극(166)은 반사율이 높은 금속 물질, 예를 들면 Al, Ag, Mo, W, Cr, Ti 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 포함하는 단일층 또는 복수층 구조를 포함할 수 있다. 반사 전극인 제2 전극(166)이 발광 소자(160)에서 상부 방향으로 발생된 광을 반사시켜 하부 방향으로 진행시킨다.The second electrode 166 is a cathode electrode and may be a reflective electrode. The second electrode 166 may include a single-layer or multi-layer structure including a metal material having high reflectance, for example, any one of Al, Ag, Mo, W, Cr, and Ti, or alloys thereof. The second electrode 166, which is a reflective electrode, reflects the light generated in the upper direction from the light emitting device 160 to advance in the lower direction.

이에 따라, 발광 소자(160)에서 발생된 광은 하부 방향으로 진행하여 제1 전극(162), 컬러 필터(210R, 210B, 210G), 제1 기판(100) 및 패턴드 투과율 제어 필름(600)을 통해 외부로 방출된다.Accordingly, the light generated from the light emitting device 160 moves downward and the first electrode 162, the color filters 210R, 210B, 210G, the first substrate 100, and the patterned transmittance control film 600 Is discharged through the outside.

R, W, B, G 서브픽셀의 발광 소자(160)는 모두 백색광을 방출하고 R, B, G 서브픽셀 각각은 발광 영역(REA, BEA, GEA)과 오버랩하는 해당색의 컬러 필터(210R, 210B, 210G)를 통해 적색광, 청색광, 녹색광을 각각 방출할 수 있고, W 서브픽셀은 컬러필터 없이 백색광을 방출할 수 있다. 이와 달리, R, W, B, G 서브픽셀 각각의 발광 소자(160)는 해당색의 빛을 방출하는 발광 스택을 독립적으로 포함할 수 있고, 컬러 필터(210R, 210B, 210G)를 통해 해당색의 색순도를 향상시킬 수 있다.The light emitting elements 160 of the R, W, B, and G subpixels emit white light, and each of the R, B, and G subpixels has a corresponding color filter 210R, which overlaps the light emitting areas REA, BEA, and GEA. 210B, 210G) may emit red light, blue light, and green light, respectively, and the W sub-pixel may emit white light without a color filter. Alternatively, each of the R, W, B, and G subpixels 160 may independently include a light emitting stack that emits light of a corresponding color, and the corresponding color through color filters 210R, 210B, and 210G. The color purity of can be improved.

발광 소자(160) 상에는 제3 보호막(160)이 발광 소자(160)를 덮는 구조로 위치하여 발광 소자(160)를 보호할 수 있다. 제3 보호막(160)은 수분 및 산소 침투를 방지할 수 있다. 제3 보호막(160)은 복수의 무기 절연층 사이에 유기 절연층이 위치하는 복수 절연층의 적층 구조일 수 있다. 제3 보호막(160) 상에는 봉지층(300)이 위치할 수 있고, 봉지층(300) 상에 제2 기판(400)이 위치할 수 있다. 제2 기판(400)은 Al, Fe, Ni 등과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다. 제2 기판(400)은 접착 물질을 포함하는 봉지층(300) 및/또는 픽셀 어레이(200) 및 봉지층(300)을 둘러싸는 실런트(도시하지 않음)에 의해, 픽셀 어레이(200)가 형성된 제1 기판(100)과 전면 합착될 수 있다. 봉지층(300)은 복수층 구조로 형성될 수 있다. 봉지층(300)은 제3 보호막(160)과 함께 발광 소자(160)를 밀봉함으로써 외부로부터의 수분, 산소가 발광 소자(160)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(300)은 충진재를 더 포함할 수 있고, 충진재는 게터(getter)를 더 포함할 수 있다.The third passivation layer 160 may be positioned on the light emitting device 160 to cover the light emitting device 160 to protect the light emitting device 160. The third passivation layer 160 may prevent moisture and oxygen penetration. The third passivation layer 160 may be a stacked structure of a plurality of insulating layers in which an organic insulating layer is positioned between the plurality of inorganic insulating layers. The encapsulation layer 300 may be positioned on the third passivation layer 160, and the second substrate 400 may be positioned on the encapsulation layer 300. The second substrate 400 may include metal materials such as Al, Fe, and Ni. The second substrate 400 is formed of a pixel array 200 by an encapsulation layer 300 and/or a pixel array 200 including an adhesive material and a sealant (not shown) surrounding the encapsulation layer 300. The first substrate 100 may be fully bonded. The encapsulation layer 300 may be formed in a multi-layer structure. The encapsulation layer 300 may prevent the moisture and oxygen from outside from penetrating into the light emitting device 160 by sealing the light emitting device 160 together with the third passivation layer 160. The encapsulation layer 300 may further include a filling material, and the filling material may further include a getter.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 발광형 OLED 디스플레이 장치를 나타낸 단면도이고, 도 2와 대비하여 상부 발광 구조의 픽셀 어레이(200A)의 구성을 보다 구체적으로 나타낸 것이다.4 is a cross-sectional view showing an upper emission type OLED display device according to an embodiment of the present invention, and more specifically shows the configuration of the pixel array 200A of the upper emission structure as compared to FIG. 2.

도 4에 도시된 상부 발광형 OLED 디스플레이 장치는 도 3에 도시된 하부 발광형 OLED 디스플레이 장치와 대비하여, 패널(500A)이 상부 발광 구조를 갖고, 투과율 제어 필름(600)이 제2 기판(400A)의 광출사면에 배치된 점에서 차이가 있으므로, 도 3과 중복된 구성들에 대한 설명은 생략하거나 간단하게 언급하기로 한다.In the upper light emitting OLED display device illustrated in FIG. 4, in contrast to the lower light emitting OLED display device illustrated in FIG. 3, the panel 500A has an upper light emitting structure, and the transmittance control film 600 has a second substrate 400A ), there is a difference in that it is arranged on the light exit surface, and thus descriptions of the components overlapping with FIG. 3 will be omitted or simply described.

도 4를 참조하면, 상부 발광 구조의 패널(500A)에서 제2 기판(400A)은 투명 기판이고 제1 기판(100A)은 불투명 기판일 수 있다. 제1 및 제2 기판(100A, 400A) 사이에 픽셀 어레이(200A), 픽셀 어레이(200A)를 밀봉하는 봉지층(300), 봉지층(300)과 오버랩하는 컬러 필터(210R, 210B, 210G) 및 블랙 매트릭스(BM)이 위치할 수 있다. 제2 기판(400A)은 복수의 절연막의 적층 구조를 포함하는 배리어 필름일 수 있다.Referring to FIG. 4, in the upper light emitting structure panel 500A, the second substrate 400A may be a transparent substrate and the first substrate 100A may be an opaque substrate. A pixel array 200A between the first and second substrates 100A and 400A, an encapsulation layer 300 sealing the pixel array 200A, and color filters 210R, 210B, and 210G overlapping the encapsulation layer 300 And a black matrix (BM). The second substrate 400A may be a barrier film including a stacked structure of a plurality of insulating films.

TFT(120)를 포함하는 픽셀 구동 회로는 상부 발광형 발광 소자(160A)의 발광 영역(REA, WEA, BEA, GEA)과 일부 오버랩할 수 있다. 이에 따라 도 3의 하부 발광형과 대비하여 비발광 영역(NA)이 감소하고 R, W, B, G 서브픽셀의 발광 영역(REA, WEA, BEA, GEA)이 증가하여 각 서브픽셀의 개구율이 증가할 수 있다.The pixel driving circuit including the TFT 120 may partially overlap the emission regions REA, WEA, BEA, and GEA of the upper emission type light emitting device 160A. Accordingly, as compared to the lower emission type of FIG. 3, the non-emission area NA decreases and the emission areas REA, WEA, BEA, and GEA of the R, W, B, and G subpixels increase, so that the aperture ratio of each subpixel increases. Can increase.

R, W, B, G 서브픽셀 각각의 발광 소자(160A)는 오버코트층(140) 상에 위치하고 오버코트층(140)을 관통하는 컨택홀을 통해 각 픽셀 구동 회로의 TFT(120)와 개별적으로 접속된다. 발광 소자(160A)는 제1 전극(162A)이 반사 전극으로 구성되고, 제2 전극(166A)이 투명 전극으로 구성됨으로써 상부 발광 구조를 갖는다.The light emitting elements 160A of each of the R, W, B, and G subpixels are positioned on the overcoat layer 140 and individually connected to the TFT 120 of each pixel driving circuit through contact holes penetrating the overcoat layer 140 do. In the light emitting element 160A, the first electrode 162A is composed of a reflective electrode, and the second electrode 166A is composed of a transparent electrode, thereby having an upper light emitting structure.

R, B, G 서브픽셀의 발광 영역(REA, BEA, GEA)과 각각 오버랩하는 R, B, G 컬러 필터(210R, 210B, 210G)는 각 발광 소자(160A)의 광 출사 방향에 위치한다. 예를 들면, 컬러 필터(210R, 210B, 210G)는 제2 기판(400A)의 내측면에 위치할 수 있다. 비발광 영역(NA)과 오버랩하는 블랙 매트릭스(220)도 제2 기판(400A)의 내측면에 위치할 수 있다. 컬러 필터(210R, 210B, 210G) 및 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 제2 기판(400A)은 픽셀 어레이(200A)가 형성된 제1 기판(100A)과, 봉진층(300)에 포함된 접착층 및/또는 픽셀 어레이(200A) 및 봉진층(300)를 둘러싸는 실런트에 의해 합착될 수 있다. 한편, 컬러 필터(210R, 210B, 210G) 및 블랙 매트릭스(BM)는 제3 보호막(170)과 봉지층(300) 사이에 위치할 수 있다.The R, B, and G color filters 210R, 210B, and 210G overlapping the light emitting regions REA, BEA, and GEA of the R, B, and G subpixels, respectively, are positioned in the light exit direction of each light emitting element 160A. For example, the color filters 210R, 210B, and 210G may be located on the inner surface of the second substrate 400A. The black matrix 220 overlapping the non-emission region NA may also be located on the inner surface of the second substrate 400A. The second substrate 400A on which the color filters 210R, 210B, 210G and the black matrix (BM) are formed is the first substrate 100A on which the pixel array 200A is formed, and the adhesive layer included in the sealing layer 300 and/or Alternatively, it may be bonded by a sealant surrounding the pixel array 200A and the sealing layer 300. Meanwhile, the color filters 210R, 210B, 210G and the black matrix BM may be positioned between the third passivation layer 170 and the encapsulation layer 300.

패턴드 투과율 제어 필름(600)은 상부 발광 구조를 갖는 패널(500A)의 광출사면인 제2 기판(400A)의 외측면에 부착되어, 외부광 반사를 저감하고 R, W, B, G 서브픽셀의 컬러별로 투과율을 다르게 제어한다. 예를 들면, 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 적색광, 청색광에 대한 투과율을 백색광, 녹색광에 대한 투과율 보다 높게 제어할 수 있다. 한편, 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 청색광의 투과율>적색광의 투과율>녹색광의 투과율>백색광의 투과율의 순서로 각 서브픽셀에 대한 내부광의 투과율이 낮아지도록 제어할 수 있다.The patterned transmittance control film 600 is attached to the outer surface of the second substrate 400A, which is the light emission surface of the panel 500A having the upper light emitting structure, thereby reducing external light reflection and reducing R, W, B, and G subs. The transmittance is controlled differently for each color of a pixel. For example, the patterned transmittance control film 600 may control transmittance of red light and blue light higher than transmittance of white light and green light. On the other hand, the patterned transmittance control film 600 may be controlled such that the transmittance of internal light for each subpixel is lowered in the following order: transmittance of blue light>transmittance of red light>transmittance of green light>transmittance of white light.

일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 장치에서 패턴드 투과율 제어 필름(600)과 패널(500, 500A)은 각각 제조된 다음, 패널(500, 500A)의 광출사면에 패턴드 투과율 제어 필름(600)이 얼라인되어 부착될 수 있다.In the OLED display device according to an embodiment, the patterned transmittance control film 600 and the panels 500 and 500A are respectively manufactured, and then the patterned transmittance control film 600 is provided on the light exit surface of the panels 500 and 500A. It can be aligned and attached.

이와 달리, 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 장치에서는 패널(500, 500A)의 광출사면에 투과율 제어 필름을 부착한 다음, 마스크를 통해 레이저를 조사하여 투과율 제어 필름의 각 투과 영역을 패터닝함으로써 R, W, B, G 서브픽셀의 컬러별로 투과율이 다른 패턴드 투과율 제어 필름(600)을 제조할 수 있다.Alternatively, in the OLED display device according to an embodiment, the transmittance control film is attached to the light exit surfaces of the panels 500 and 500A, and then irradiated with a laser through a mask to pattern each transmittance area of the transmittance control film, R, A patterned transmittance control film 600 having different transmittance for each color of W, B, and G subpixels may be manufactured.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴트 투과율 제어 필름의 제조 방법을 단계적으로 나타낸 도면들이다.5 to 7 are diagrams showing a method of manufacturing a patterned transmittance control film according to an embodiment of the present invention step by step.

도 5를 참조하면, 투과율 가변 필름(600A)은 투명 필름(630)과, 투명 필름(630)의 제1 면에 위치하는 블랙층(640)과, 투명 필름(630)의 제1 면과 대향하는 제2 면에 위치하는 점착제(620)를 포함한다.Referring to FIG. 5, the variable transmittance film 600A has a transparent film 630, a black layer 640 positioned on a first surface of the transparent film 630, and a first surface of the transparent film 630 facing each other. It includes an adhesive 620 located on the second surface.

도 6을 참조하면, 투과율 가변 필름(600A) 상에 투과 영역(710) 및 차광 영역(720)을 포함하는 제1 마스크(700)가 배치된다. 제1 마스크(700)의 투과 영역(710)을 통해 투과율 가변 필름(600A)의 블랙층(640)에 레이저를 조사하여 패터닝함으로써 제1 투과율을 갖는 제2 및 제4 투과 영역(600W, 600G)을 형성할 수 있다. 제1 투과율을 갖는 제2 및 제4 투과 영역(600W, 600G)은 W 및 G 서브픽셀의 제2 및 제4 발광 영역(WEA, GEA)에 각각 대응할 수 있다.Referring to FIG. 6, a first mask 700 including a transmission area 710 and a light blocking area 720 is disposed on a variable transmittance film 600A. The second and fourth transmissive regions 600W and 600G having the first transmissivity by irradiating and patterning a laser on the black layer 640 of the variable transmissivity film 600A through the transmissive region 710 of the first mask 700 Can form. The second and fourth transmission regions 600W and 600G having the first transmittance may correspond to the second and fourth emission regions WEA and GEA of the W and G subpixels, respectively.

도 7을 참조하면, 도 6에 도시된 투과율 가변 필름(600A) 상에 투과 영역(810) 및 차광 영역(820)을 포함하는 제2 마스크(800)가 배치된다. 제2 마스크(700)의 투과 영역(710)을 통해 블랙층(640)에 레이저를 조사하여 패터닝함으로써 제2 투과율을 갖는 제1 및 제3 투과 영역(600R, 600B)을 형성할 수 있다. 이때, 레이저 강도 세기를 증가시키거나 레이저 파장을 달리함으로써 제2 투과율을 제1 투과율보다 높일 수 있다. 제1 투과율 보다 높은 제2 투과율을 갖는 제1 및 제3 투과 영역(600R, 600B)은 R 및 B 서브픽셀의 제1 및 제3 발광 영역(REA, BEA)에 각각 대응할 수 있다. 이에 따라, 제1 내지 제4 투과 영역(600R, 600W, 600B, 600G) 및 비투과 영역(610)을 포함하는 패턴드 투과율 제어 필름(600)을 제조할 수 있다. 또한, 패턴드 투과율 제어 필름(600)의 비투과 영역(610)에 레이저를 조사하여 얼라인 마크(640)를 더 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7, a second mask 800 including a transmission region 810 and a light blocking region 820 is disposed on the variable transmittance film 600A illustrated in FIG. 6. The first and third transmissive regions 600R and 600B having the second transmittance may be formed by irradiating and patterning the black layer 640 through the transmissive region 710 of the second mask 700. At this time, the second transmittance may be higher than the first transmittance by increasing the laser intensity or changing the laser wavelength. The first and third transmissive regions 600R and 600B having the second transmittance higher than the first transmittance may correspond to the first and third emission regions REA and BEA of the R and B subpixels, respectively. Accordingly, the patterned transmittance control film 600 including the first to fourth transmissive regions 600R, 600W, 600B, and 600G and the non-transmissive regions 610 may be manufactured. In addition, an alignment mark 640 may be further formed by irradiating a laser to the non-transmissive region 610 of the patterned transmittance control film 600.

그 다음, 패턴드 투과율 제어 필름(600)은 얼라인 마크(640)를 통해 패널(500, 500A)의 광출사면 상에 정렬되고 점착제(620)에 의해, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 패널(500, 500A)의 광출사면에 부착될 수 있다.Then, the patterned transmittance control film 600 is aligned on the light exit surfaces of the panels 500 and 500A through the alignment marks 640 and by the adhesive 620, as shown in FIGS. 1 and 2 Likewise, it can be attached to the light exit surfaces of the panels 500 and 500A.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 장치의 제조 방법 중 패턴드 투과율 제어 필름의 제조 방법을 단계적으로 나타낸 단면도들이다.8 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a patterned transmittance control film in a method of manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention.

도 8(a)를 참조하면, 패널(500A)의 광출사면에 투과율 가변 필름(600A)이 점착제(620)에 의해 부착된다. 이어서, 도 6 및 도 7에 도시된 제1 및 제2 마스크(700, 800)를 순차적으로 이용하여 투과율 가변 필름(600A)의 블랙층(640)을 레이저 패터닝함으로써 도 8(b)에 도시된 바와 같이 제1 내지 제4 투과 영역(600R, 600W, 600B, 600G) 및 비투과 영역(610)을 포함하는 패턴드 투과율 제어 필름(600)을 제조할 수 있다.Referring to FIG. 8(a), a variable transmittance film 600A is attached to the light exit surface of the panel 500A by the adhesive 620. Subsequently, the black and white layers 640 of the variable transmittance film 600A are sequentially laser-patterned using the first and second masks 700 and 800 shown in FIGS. 6 and 7 to be shown in FIG. 8(b). As described above, the patterned transmittance control film 600 including the first to fourth transmissive regions 600R, 600W, 600B, and 600G and the non-transmissive regions 610 may be manufactured.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름을 나타낸 도면이다.9 is a view showing a patterned transmittance control film according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 패턴드 투과율 제어 필름(900)은 지지체(Base)(910)의 제1 면에 제1 접착층(920)에 의해 부착되고 산란되는 빛을 흡수하는 하부 코팅층(Under coating layer)(912), 하부 코팅층(912) 상에 위치하는 할로겐화 은(Silverhalide) 유제층(914), 유제층(914) 상에 위치하는 보호층(916) 및 제1 무광층(matt layer)(918)층을 포함한다.9, the patterned transmittance control film 900 is attached to the first surface of the support (Base) 910 by the first adhesive layer 920 and absorbs scattered light (Under coating layer) 912, a silver halide emulsion layer 914 positioned on the lower coating layer 912, a protective layer 916 positioned on the emulsion layer 914 and a first matt layer 918 layer Includes.

할로겐화 은(Silverhalide) 유제층(914)은 은(Ag), 할로겐 원소(Br, Cl), 젤라틴(Gelatine)을 포함하는 은염감광유제를 포함할 수 있다. 예를 들면, 할로겐화 은 유제층(914)은 AgBr(30%) 및 AgCl(70%)와 젤라틴을 포함할 수 있다. 입자가 큰 AgBr은 광 에너지의 장파장에 고감도 특성을 갖고 샤프니스(Sharpness)가 떨어질 수 있다. 미립자인 AgCl은 광 에너지의 단파장에 저감도 특성을 갖고 샤프니스가 양호할 수 있다. 할로겐화 은 유제층(914)은 조사되는 레이져의 광 에너지에 따라 광 투과율이 다르게 제어될 수 있다.Silver halide (Silverhalide) emulsion layer 914 may include silver (Ag), halogen elements (Br, Cl), a silver dye emulsion containing gelatin (Gelatine). For example, the silver halide emulsion layer 914 may include AgBr (30%) and AgCl (70%) and gelatin. AgBr with large particles has a high sensitivity to long wavelengths of light energy and may have poor sharpness. AgCl, which is a fine particle, has a short-wavelength characteristic of light energy and may have good sharpness. The silver halide emulsion layer 914 may have a different light transmittance according to the light energy of the irradiated laser.

또한, 패턴드 투과율 제어 필름(900)은 지지체(910)의 제1 면과 대향하는 제2 면에 제2 접착층(930)에 의해 부착되어 정전기 방지 기능을 갖는 산화은층(936), 산화은층(936) 아래에 위치하는 백코팅층(Backcoating layer)(934), 백코팅층(934) 아래에 위치하는 제2 무광층(932)을 더 포함할 수 있다. 백코팅층(934)은 할레이션(Halation) 방지, 컬(Curl) 방지, 포크(Fog) 방지 기능을 갖을 수 있다. 제1 및 제2 무광층(918, 932)은 밀착 효과를 증대하고 취급 용이성을 제공할 수 있다.In addition, the patterned transmittance control film 900 is attached by a second adhesive layer 930 on the second surface opposite to the first surface of the support 910, the silver oxide layer 936 having an antistatic function, the silver oxide layer ( 936) may further include a backcoating layer 934 positioned below and a second matte layer 932 positioned below the backcoating layer 934. The back coating layer 934 may have a function of preventing halation, preventing curl, and preventing fork. The first and second matte layers 918 and 932 may increase the adhesion effect and provide ease of handling.

도 9에 도시된 패턴드 투과율 제어 필름(900)은 제2 무광층(932) 아래에 위치하는 점착제(940)를 더 포함하고, 그 점착제(940)에 의해 패널(500, 500A)의 광출사면에 부착될 수 있다. 패턴드 투과율 제어 필름(900)은 패널(500, 500A)의 광출사면에 부착되기 이전 또는 이후에 마스크를 이용한 레이져 패터닝을 통해 도 1 및 도 2에 도시된 제1 내지 제4 투과 영역(600R, 600W, 600B, 600G) 및 비투과 영역(610)을 포함할 수 있다.The patterned transmittance control film 900 illustrated in FIG. 9 further includes an adhesive 940 positioned under the second matte layer 932, and light output of the panels 500 and 500A by the adhesive 940 It can be attached to the face. The patterned transmittance control film 900 is the first to fourth transmission regions 600R illustrated in FIGS. 1 and 2 through laser patterning using a mask before or after being attached to the light exit surfaces of the panels 500 and 500A. , 600W, 600B, 600G) and a non-transmissive region 610.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름과 비교예에 따른 컬러 필터가 적용된 각 서브픽셀의 휘도비를 비교하여 나타낸 그래프이다.10 is a graph showing a comparison of the luminance ratio of each subpixel to which the color filter according to the comparative example and the patterned transmittance control film according to an embodiment of the present invention are applied.

도 10을 참조하면, 비교예에 따른 컬러 필터가 적용된 경우 R 및 B 컬러 필터의 광 투과율이 매우 낮음으로 인하여 각 서브픽셀의 휘도비는 W 및 G 서브픽셀의 휘도비 대비 R 및 B 서브픽셀의 휘도비가 현저하게 낮음을 알 수 있다. 반면, 일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름이 적용된 경우 광 효율이 높은 W 및 G 서브픽셀 대비 광 효율이 낮은 R 및 B 서브픽셀에 대한 내부광 투과율을 높게 설정함으로써, 각 서브픽셀의 휘도비는 W 및 G 서브픽셀의 휘도비 대비 R 및 B 서브픽셀의 휘도비가 향상되었음을 알 수 있다.Referring to FIG. 10, when the color filters according to the comparative examples are applied, the luminance ratio of each subpixel is very low compared to the luminance ratio of the W and G subpixels due to the very low light transmittance of the R and B color filters. It can be seen that the luminance ratio is remarkably low. On the other hand, when the patterned transmittance control film according to an embodiment is applied, the luminance ratio of each subpixel is set by setting the internal light transmittance high for the R and B subpixels having low light efficiency compared to the W and G subpixels having high light efficiency. It can be seen that the luminance ratio of the R and B subpixels is improved compared to the luminance ratio of the W and G subpixels.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름과 비교예에 따른 전체 투과율 제어 필름의 광 효율을 비교하여 나타낸 그래프이다.11 is a graph showing a comparison of light efficiency of a patterned transmittance control film according to an embodiment of the present invention and a total transmittance control film according to a comparative example.

도 11을 참조하면, 비교예에 따른 전체 투과율 제어 필름을 적용한 경우 R, W, B, G 서브픽셀로부터 발생된 내부광의 투과율이 모두 동일하게 낮음을 알 수 있다. 반면에, 일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름을 적용한 경우 W, G 서브픽셀 대비 R, B 서브픽셀에 대한 내부광 투과율이 1.8배 정도 향상되었음을 알 수 있다. 비교예에 따른 전체 투과율 제어 필름과 일 실시예에 따른 패턴드 투과율 제어 필름의 반사율은 동등 수준을 갖을 수 있다.Referring to FIG. 11, when the entire transmittance control film according to the comparative example is applied, it can be seen that the transmittance of internal light generated from R, W, B, and G subpixels are all equally low. On the other hand, when the patterned transmittance control film according to an embodiment is applied, it can be seen that the internal light transmittance for the R and B subpixels is improved by 1.8 times compared to the W and G subpixels. The reflectance of the total transmittance control film according to the comparative example and the patterned transmittance control film according to an embodiment may have an equivalent level.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 장치는 각 서브픽셀의 컬러별로 투과율을 다르게 만든 패턴드 투과율 제어 필름을 이용함으로써 외부광 반사율을 저감하여 밝은 환경에서 선명한 영상을 제공할 수 있음과 아울러, 각 서브픽셀의 컬러별 광 효율과 반대로 각 서브픽셀의 내부광 투과율을 제어하여 컬러 선택적으로 광 효율 및 휘도 저하를 저감할 수 있다.As described above, the OLED display device according to an embodiment of the present invention can provide a clear image in a bright environment by reducing external light reflectivity by using a patterned transmittance control film having a different transmittance for each color of each subpixel. In addition to this, as opposed to the light efficiency for each color of each subpixel, the internal light transmittance of each subpixel can be controlled to selectively reduce the light efficiency and luminance degradation.

이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 디스플레이 장치는 외부광 저반사 기능을 갖는 패턴드 투과율 제어 필름을 이용하여 광 효율이 높은 백색 및 녹색 중 적어도 한 컬러의 서브픽셀에 대한 내부광 투과율을 상대적으로 낮추고, 광 효율이 낮은 청색 및 적색 중 적어도 한 컬러의 서브픽셀에 대한 내부광 투과율을 상대적으로 높임으로써, 편광판 등과 같이 전체적으로 내부광 투과율을 낮추는 경우보다 컬러 선택적으로 광 효율을 높일 수 있고 휘도를 향상시킬 수 있다.Accordingly, the OLED display device according to an embodiment of the present invention uses the patterned transmittance control film having an external light low-reflection function to control the internal light transmittance for at least one subpixel of white and green light efficiency. By relatively lowering and relatively increasing the internal light transmittance for a subpixel of at least one color among blue and red, which has low light efficiency, color selective light efficiency can be increased and luminance can be increased as compared to the case where the internal light transmittance is lowered overall, such as a polarizing plate. To improve.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Through the above description, those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications are possible without departing from the technical idea of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be determined by the claims.

100, 100A: 제1 기판 200, 200A: 픽셀 어레이
300: 봉지층 400, 400A: 제2 기판
500, 500A: 패널 600: 패턴드 투과율 제어 필름
600R, 600W, 600B, 600G: 제1, 제2, 제3, 제4 투과 영역
REA, WEA, BEA, GEA: 제1, 제2, 제3, 제4 발광 영역
610: 비투과 영역 NA: 비발광 영역
110, 130, 160: 제1, 제2, 제3 보호막 120:TFT
140: 오버코트층 150: 뱅크 절연막
210R, 210B, 210G: R, B, G 컬러 필터 160, 160A: 발광 소자
162, 162A: 제1 전극 164: 발광 스택
166, 166A: 제2 전극100, 100A: first substrate 200, 200A: pixel array
300: encapsulation layer 400, 400A: second substrate
500, 500A: Panel 600: Patterned transmittance control film
600R, 600W, 600B, 600G: 1st, 2nd, 3rd, 4th transmission area
REA, WEA, BEA, GEA: first, second, third, and fourth emission regions
610: non-transmissive area NA: non-luminous area
110, 130, 160: first, second, third protective film 120: TFT
140: overcoat layer 150: bank insulating film
210R, 210B, 210G: R, B, G color filters 160, 160A: light-emitting element
162, 162A: first electrode 164: light emitting stack
166, 166A: second electrode

Claims (11)

서로 다른 색의 내부광을 방출하는 복수의 서브픽셀을 포함하는 패널과,
상기 패널의 광출사면에 배치되어 외부광에 대한 반사 방지 기능을 갖으며, 각 서브픽셀의 내부광에 대한 투과율을 서브픽셀별로 제어하되, 상기 복수의 서브픽셀 중 광 효율이 낮은 서브픽셀에 대한 내부광 투과율이, 광 효율이 높은 서브픽셀에 대한 내부광 투과율보다 높게 설정된 패턴드 투과율 제어 필름을 포함하는 OLED 디스플레이 장치.A panel including a plurality of sub-pixels emitting different colors of internal light,
It is disposed on the light exit surface of the panel and has an anti-reflection function against external light, and controls the transmittance of the internal light of each sub-pixel for each sub-pixel. An OLED display device including a patterned transmittance control film having an internal light transmittance set higher than an internal light transmittance for a subpixel having high light efficiency. 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 서브픽셀은 적색광, 백색광, 청색광, 녹색광을 각각 방출하는 적색 서브픽셀, 백색 서브픽셀, 청색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀을 포함하고,
상기 적색, 백색, 청색, 녹색 서브픽셀 각각은
백색광을 발생하는 발광 소자를 포함하고, 상기 적색, 청색, 녹색 서브픽셀 각각은 상기 발광 소자와 상기 광출사면 사이의 광 경로에 배치된 컬러 필터를 포함하는 OLED 디스플레이 장치.The method according to claim 1,
The plurality of subpixels includes a red subpixel, a white subpixel, a blue subpixel, and a green subpixel emitting red light, white light, blue light, and green light, respectively.
Each of the red, white, blue, and green subpixels
An OLED display device comprising a light emitting element that generates white light, and each of the red, blue, and green subpixels includes a color filter disposed in an optical path between the light emitting element and the light exit surface. 청구항 2에 있어서,
상기 패턴드 투과율 제어 필름의 각 서브픽셀에 대한 내부광 투과율은 상기 백색광 및 녹색광의 투과율 보다, 상기 적색광 및 청색광의 투과율이 높게 설정된 OLED 디스플레이 장치.The method according to claim 2,
The OLED display device in which the transmittance of the red light and the blue light is set higher than that of the white light and green light, as the internal light transmittance for each subpixel of the patterned transmittance control film. 청구항 2에 있어서,
상기 패턴드 투과율 제어 필름의 각 서브픽셀에 대한 내부광 투과율은 상기 백색광, 녹색광, 적색광, 청색광의 순서로 높아지도록 설정된 OLED 디스플레이 장치.The method according to claim 2,
The OLED display device is set such that the internal light transmittance for each subpixel of the patterned transmittance control film is increased in the order of the white light, green light, red light, and blue light. 청구항 2에 있어서,
상기 패널은 상기 적색 서브픽셀의 제1 발광 영역, 백색 서브픽셀의 제2 발광 영역, 청색 서브픽셀의 제3 발광 영역, 녹색 서브픽셀의 제4 발광 영역, 및 상기 제1 내지 제4 발광 영역들 사이와 그 제1 내지 제4 발광 영역들을 둘러싸는 비발광 영역을 포함하고,
상기 패턴드 투과율 제어 필름은
상기 제1, 제2, 제3, 제4 발광 영역과 각각 오버랩하는 제1, 제2, 제3, 제4 투과 영역 및 상기 비발광 영역과 오버랩하며 상기 외부광을 흡수하는 비투과 영역을 포함하는 OLED 디스플레이 장치.The method according to claim 2,
The panel includes a first emission region of the red subpixel, a second emission region of the white subpixel, a third emission region of the blue subpixel, a fourth emission region of the green subpixel, and the first to fourth emission regions And a non-emission area surrounding the first to fourth emission areas,
The patterned transmittance control film
The first, second, third, and fourth light-emitting regions overlap with the first, second, third, and fourth transmissive regions, respectively, and the non-emissive regions overlapping the non-emissive regions and absorbing the external light. OLED display device. 청구항 5에 있어서,
상기 제1 및 제3 투과 영역의 투과율은 상기 제2 및 제4 투과 영역의 투과율 보다 높게 설정되거나,
상기 제1 내지 제4 투과 영역의 투과율은 상기 제3, 제1, 제4, 제2 투과 영역의 순서로 낮게 설정된 OLED 디스플레이 장치.The method according to claim 5,
The transmittance of the first and third transmission regions is set higher than that of the second and fourth transmission regions, or
The OLED display device having a transmittance of the first to fourth transmission regions is set low in the order of the third, first, fourth, and second transmission regions. 청구항 6에 있어서,
상기 패널은 상기 복수의 서브픽셀을 포함하는 픽셀 어레이가 위치하는 제1 기판, 상기 픽셀 어레이를 밀봉하는 봉지층, 및 상기 봉지층을 사이에 두고 상기 픽셀 어레이가 형성된 제1 기판과 합착된 제2 기판을 포함하고,
상기 각 서브픽셀은 발광 소자와 그 발광 소자를 구동하는 픽셀 구동 회로를 포함하고,
상기 컬러 필터는 상기 발광 소자와 상기 제1 및 제2 기판 중 어느 하나의 사이에 위치하여 상기 발광 소자의 발광 영역과 오버랩하며,
상기 패턴드 투과율 제어 필름은 상기 제1 및 제2 기판 중 광출사면에 부착되는 OLED 디스플레이 장치.The method according to claim 6,
The panel includes a first substrate on which a pixel array including the plurality of sub-pixels is located, a sealing layer sealing the pixel array, and a second bonded to the first substrate on which the pixel array is formed with the sealing layer interposed therebetween. Comprising a substrate,
Each sub-pixel includes a light emitting element and a pixel driving circuit for driving the light emitting element,
The color filter is positioned between any one of the light emitting element and the first and second substrates and overlaps the light emitting region of the light emitting element,
The patterned transmittance control film is an OLED display device attached to the light exit surface of the first and second substrates. 청구항 7에 있어서,
상기 발광 소자는 하부 발광 구조를 갖고,
상기 컬러 필터는 상기 발광 소자와 상기 제1 기판 사이에 위치하여 상기 발광 소자의 발광 영역과 오버랩하며,
상기 패턴드 투과율 제어 필름은 상기 제1 기판의 광출사면에 부착되는 OLED 디스플레이 장치.The method according to claim 7,
The light emitting device has a lower light emitting structure,
The color filter is located between the light emitting element and the first substrate to overlap the light emitting region of the light emitting element,
The patterned transmittance control film is an OLED display device attached to the light exit surface of the first substrate. 청구항 7에 있어서,
상기 발광 소자는 상부 발광 구조를 갖고,
상기 컬러 필터는 상기 발광 소자와 상기 제2 기판 사이에 위치하여 상기 발광 소자의 발광 영역과 오버랩하며,
상기 패턴드 투과율 제어 필름은 상기 제2 기판의 광출사면에 부착되는 OLED 디스플레이 장치.The method according to claim 7,
The light emitting device has an upper light emitting structure,
The color filter is located between the light emitting element and the second substrate to overlap the light emitting region of the light emitting element,
The patterned transmittance control film is an OLED display device attached to the light exit surface of the second substrate. 청구항 5에 있어서,
상기 패턴드 투과율 제어 필름의 상기 비투과 영역은 블랙 매트릭스 물질을 더 포함하는 OLED 디스플레이 장치.The method according to claim 5,
The non-transmissive region of the patterned transmittance control film further comprises a black matrix material. 청구항 5에 있어서,
상기 패턴드 투과율 제어 필름의 상기 제1 내지 제4 투과 영역 각각은 레이저 조사에 따라 투과율이 가변되는 OLED 디스플레이 장치.The method according to claim 5,
Each of the first to fourth transmission regions of the patterned transmittance control film has an OLED display device in which transmittance is varied according to laser irradiation.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2023002280A1 (en) * 2021-07-20 2023-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device, fabrication method for display device, display module, and electronic equipment

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