KR101723880B1 - Organic Light Emitting Diode Display Device And Method Of Fabricating Organic Light Emitting Diode Display Device - Google Patents

Organic Light Emitting Diode Display Device And Method Of Fabricating Organic Light Emitting Diode Display Device Download PDF

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Abstract

본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 적, 녹, 청색 컬러필터와 백색광을 방출하는 발광다이오드를 포함하며, 적색 및 녹색 컬러필터의 각각은 컬러필터패턴과 색변환패턴을 포함하여, 색순도를 향상시켜 고색재현을 구현하고 광효율을 향상시킬 수 있다. 이때, 적색 및 녹색 컬러필터 각각의 컬러필터패턴과 색변환패턴을 단일 마스크를 이용하여 패터닝함으로써 공정수를 감소시킬 수 있다.The organic light emitting diode display of the present invention includes red, green, and blue color filters and light emitting diodes that emit white light. Each of the red and green color filters includes a color filter pattern and a color conversion pattern to improve color purity Color reproduction can be realized and the light efficiency can be improved. At this time, the number of processes can be reduced by patterning the color filter pattern and the color conversion pattern of each of the red and green color filters using a single mask.

Description

유기발광다이오드 표시장치 및 그의 제조 방법{Organic Light Emitting Diode Display Device And Method Of Fabricating Organic Light Emitting Diode Display Device}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 특히 색재현율 및 광효율을 향상시킬 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode display device, and more particularly, to an organic light emitting diode display device capable of improving a color reproduction ratio and a light efficiency, and a method of manufacturing the same.

최근, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(flat panel display)가 널리 개발되어 다양한 분야에 적용되고 있다. 2. Description of the Related Art Flat panel displays having excellent characteristics such as thinning, lightening, and low power consumption have been widely developed and applied to various fields.

평판표시장치 중에서, 유기 전계발광 표시장치 또는 유기 전기발광 표시장치(organic electroluminescent display device)라고도 불리는 유기발광다이오드 표시장치(organic light emitting diode display device: OLED display device)는, 전자 주입 전극인 음극과 정공 주입 전극인 양극 사이에 형성된 발광층에 전하를 주입하여 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다. 이러한 유기발광다이오드 표시장치는 플라스틱과 같은 유연한 기판(flexible substrate) 위에도 형성할 수 있을 뿐 아니라, 자체 발광형이기 때문에 대조비(contrast ratio)가 크며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도이므로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 비교적 낮은 전압으로 구동이 가능하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다. Among the flat panel display devices, an organic light emitting diode (OLED) display device, also referred to as an organic electroluminescent display device or organic electroluminescent display device, An electron injecting charge is injected into the light emitting layer formed between the anode which is the injection electrode, and the electron and the hole are paired, and then the light is emitted while disappearing. Such an organic light emitting diode display device can be formed not only on a flexible substrate such as a plastic but also because it has a large contrast ratio and response time of several microseconds since it is a self- It is easy to manufacture and design a driving circuit because it is easy to operate, is not limited in viewing angle, is stable at a low temperature, and can be driven at a relatively low voltage of 5 V to 15 V DC.

유기발광다이오드 표시장치는 구동 방식에 따라 수동형(passive matrix type) 및 능동형(active matrix type)으로 나누어질 수 있는데, 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 능동형 유기발광다이오드 표시장치가 다양한 표시장치에 널리 이용되고 있다. The organic light emitting diode display device can be classified into a passive matrix type and an active matrix type according to a driving method. An active type organic light emitting diode display device capable of low power consumption, fixed size, and large size is widely used in various display devices. .

이러한 유기발광다이오드 표시장치는, 하나의 화소가 적, 녹, 청의 부화소(sub pixel)를 포함하고, 적, 녹, 청의 부화소는 각각 적, 녹, 청색 광을 발광하는 유기발광층을 포함함으로써, 각 부화소로부터 발광된 빛을 조합하여 영상을 표시한다. In such an organic light emitting diode display device, one pixel includes red, green, and blue subpixels, and the red, green, and blue subpixels include an organic emission layer that emits red, green, and blue light, respectively , And displays an image by combining light emitted from each sub-pixel.

그런데, 적, 녹, 청색 광을 발광하는 유기발광층은 서로 다른 물질로 형성되어 서로 다른 특성을 가진다. 이에 따라, 적, 녹, 청의 부화소는 서로 다른 발광 효율을 가지며 수명도 차이가 있다는 문제가 있다. However, the organic light emitting layers emitting red, green and blue light are formed of different materials and have different characteristics. Accordingly, red, green, and blue subpixels have different luminous efficiencies and different lifetimes.

이를 해결하기 위해, 유기발광다이오드 표시장치에 컬러필터를 사용하는 구조가 제안되었다. To solve this problem, a structure using a color filter for an organic light emitting diode display device has been proposed.

즉, 하나의 화소가 적, 녹, 청의 부화소를 포함하고, 적, 녹, 청의 부화소 각각은 백색광을 발광하는 유기발광층을 포함하며, 적, 녹, 청의 부화소는 각각 적, 녹, 청의 컬러필터를 포함하여, 각 부화소로부터 발광된 백색광이 적, 녹, 청의 컬러필터를 통과하면서 적, 녹, 청색 광이 출력되고, 적, 녹, 청색 광을 조합하여 영상을 표시한다. 이때, 정확한 색을 구현하기 위해서는 유기발광층으로부터 발광된 백색광과 컬러필터의 컬러 매칭이 필요하다. That is, one pixel includes red, green, and blue subpixels, and red, green, and blue subpixels each include an organic light emitting layer that emits white light, and red, green, and blue subpixels include red, Green, and blue light are output while white light emitted from each sub-pixel passes through red, green, and blue color filters including a color filter, and red, green, and blue light are combined to display an image. At this time, color matching of the white light emitted from the organic light emitting layer and the color filter is required to realize an accurate color.

컬러필터는 액정표시장치에 널리 사용되고 있는데, 액정표시장치의 광원으로부터 출력되는 백색광과 유기발광다이오드 표시장치의 유기발광층로부터 출력되는 백색광은 적, 녹, 청색 광의 피크(peak) 위치와 밴드 폭(band width)에서 차이가 있다. 이에 따라, 일반적인 컬러필터를 유기발광다이오드 표시장치에 적용할 경우 색재현율이 낮은 문제가 있다. BACKGROUND ART [0002] Color filters are widely used in liquid crystal display devices. White light output from a light source of a liquid crystal display device and white light output from an organic light emitting layer of an organic light emitting diode display have a peak position and a band width of red, width). Accordingly, when a general color filter is applied to an organic light emitting diode display device, there is a problem that the color reproduction rate is low.

또한, 컬러필터는 다른 파장 대의 색을 흡수하므로 광효율이 저하되는 문제가 있다. Further, since the color filter absorbs the color of the other wavelength band, there is a problem that the light efficiency is lowered.

본 발명은, 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 유기발광다이오드 표시장치의 낮은 색재현율 및 광효율 저하 문제를 해결하고자 한다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to solve the problem of low color recall and light efficiency degradation of an organic light emitting diode display.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 적, 녹, 청색 컬러필터와 백색광을 방출하는 발광다이오드를 포함하며, 적색 및 녹색 컬러필터의 각각은 컬러필터패턴과 색변환패턴을 포함한다.In order to achieve the above object, the organic light emitting diode display of the present invention includes red, green, and blue color filters and a light emitting diode that emits white light. Each of the red and green color filters includes a color filter pattern, .

이때, 적색 및 녹색 컬러필터의 각각은 컬러필터물질층을 형성하는 단계와, 색변환물질층을 형성하는 단계와, 단일 마스크로 상기 컬러필터물질층과 상기 색변환물질층을 패터닝하여 컬러필터패턴과 색변환패턴을 형성하는 단계를 통해 형성된다. Wherein each of the red and green color filters comprises the steps of forming a color filter material layer, forming a color conversion material layer, patterning the color filter material layer and the color conversion material layer with a single mask, And a step of forming a color conversion pattern.

따라서, 공정수를 감소시키고, 제조 시간 및 비용을 줄일 수 있다. Thus, the number of processes can be reduced, and manufacturing time and cost can be reduced.

본 발명에서는, 유기발광다이오드 표시장치에 컬러필터패턴과 색변환패턴을 포함하는 컬러필터를 적용함으로써, 색순도 및 광효율을 향상시키고 색재현율을 높일 수 있다. In the present invention, by applying a color filter including a color filter pattern and a color conversion pattern to an organic light emitting diode display device, the color purity and light efficiency can be improved and the color reproduction rate can be increased.

또한, 각 컬러필터의 컬러필터패턴과 색변환패턴을 단일 마스크를 이용하여 패터닝함으로써 공정수를 감소시키고, 공정 시간 및 비용을 줄일 수 있다.In addition, the color filter pattern and the color conversion pattern of each color filter can be patterned by using a single mask, thereby reducing the number of processes and reducing the processing time and cost.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 화소영역에 대한 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도로, 한 화소영역에 대응하는 구조를 도시한다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조 공정의 각 단계에서의 단면을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 1 is a circuit diagram of one pixel region of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention, and shows a structure corresponding to one pixel region.
3 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
FIGS. 4A to 4I are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법은, 제1, 제2, 제3 부화소 영역이 정의된 기판 전면에 제1 컬러필터물질층을 형성하는 단계와, 상기 제1 컬러필터물질층 상부의 상기 기판 전면에 제1 색변환물질층을 형성하는 단계와, 제1 마스크를 이용한 사진식각공정을 통해 상기 제1 색변환물질층과 상기 제1 컬러필터물질층을 패터닝하여 상기 제1 부화소 영역에 제1 컬러필터패턴과 제1 색변환패턴을 포함하는 제1 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 제1 색변환패턴 상부의 상기 기판 전면에 제2 컬러필터물질층을 형성하는 단계와, 상기 제2 컬러필터물질층 상부의 상기 기판 전면에 제2 색변환물질층을 형성하는 단계와, 제2 마스크를 이용한 사진식각공정을 통해 상기 제2 색변환물질층과 상기 제2 컬러필터물질층을 패터닝하여 상기 제2 부화소 영역에 제2 컬러필터패턴과 제2 색변환패턴을 포함하는 제2 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 제3 부화소 영역에 제3 컬러필터를 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting diode display of the present invention includes the steps of forming a first color filter material layer on a front surface of a substrate on which first, second and third sub pixel regions are defined, Forming a first color conversion material layer on the entire surface of the substrate of the first color conversion material layer and the first color conversion material layer by patterning the first color conversion material layer and the first color filter material layer through a photolithography process using a first mask, Forming a first color filter including a first color filter pattern and a first color conversion pattern in a region of the first color conversion pattern; forming a second color filter material layer on the entire surface of the substrate above the first color conversion pattern; Forming a second color conversion material layer on the entire surface of the substrate above the second color filter material layer; and forming a second color conversion material layer on the second color conversion material layer And the second subpixel zero For forming a second color filter and a second color filter pattern and the second color conversion pattern, and a step of forming the third color filter in the third sub-pixel region.

상기 제1 색변환물질층은 감광성 물질을 포함하고, 상기 제1 컬러필터를 형성하는 단계는, 상기 제1 색변환물질층을 패터닝하는 단계와, 패터닝된 상기 제1 색변환층을 식각 마스크로 상기 제1 컬러필터물질층을 패터닝하는 단계를 포함한다.Wherein the first color conversion material layer comprises a photosensitive material and the forming of the first color filter comprises patterning the first color conversion material layer and patterning the patterned first color conversion layer using an etch mask And patterning the first color filter material layer.

상기 제2 색변환물질층은 감광성 물질을 포함하고, 상기 제2 컬러필터를 형성하는 단계는, 상기 제2 색변환물질층을 패터닝하는 단계와, 패터닝된 상기 제2 색변환층을 식각 마스크로 상기 제2 컬러필터물질층을 패터닝하는 단계를 포함한다.Wherein the second color conversion material layer comprises a photosensitive material and wherein forming the second color filter comprises patterning the second color conversion material layer and patterning the patterned second color conversion layer using an etch mask And patterning the second color filter material layer.

상기 제1 컬러필터물질층을 형성하는 단계는 제1 컬러필터물질을 도포하고 1차 경화하는 단계를 포함하고, 상기 제1 색변환물질층을 형성하는 단계는 제1 색변환물질을 도포하고 2차 경화하는 단계를 포함하며, 상기 제1 컬러필터를 형성하는 단계는 상기 제1 컬러필터패턴과 제1 색변환패턴을 3차 경화하는 단계를 포함한다.Wherein forming the first color filter material layer comprises applying and first curing a first color filter material, wherein forming the first color conversion material layer comprises applying a first color conversion material Curing the first color filter pattern and the first color conversion pattern, the step of forming the first color filter includes a third curing of the first color filter pattern and the first color conversion pattern.

상기 제2 컬러필터물질층을 형성하는 단계는 제2 컬러필터물질을 도포하고 4차 경화하는 단계를 포함하고, 상기 제2 색변환물질층을 형성하는 단계는 제2 색변환물질을 도포하고 5차 경화하는 단계를 포함하며, 상기 제2 컬러필터를 형성하는 단계는 상기 제2 컬러필터패턴과 제2 색변환패턴을 6차 경화하는 단계를 포함한다.Wherein forming the second color filter material layer comprises applying and quadrupling the second color filter material, and wherein forming the second color conversion material layer comprises applying a second color conversion material, Wherein the forming of the second color filter includes a sixth step of curing the second color filter pattern and the second color conversion pattern.

상기 제1, 제2, 제3 컬러필터는 각각 적, 녹, 청색 컬러필터이며, 상기 제1 색변환물질층은 청색광 또는 청색 및 녹색의 혼합광을 흡수하여 적색광을 발광하는 제1 색변환물질을 포함하고, 상기 제2 색변환물질층은 청색광을 흡수하여 황색광을 발광하는 제2 색변환물질을 포함한다.The first color conversion material layer may include a first color conversion material that absorbs blue light or mixed light of blue and green to emit red light, and the first, second, and third color filters are red, green, And the second color conversion material layer includes a second color conversion material that absorbs blue light and emits yellow light.

본 발명의 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법은, 대향 기판 상의 상기 제1, 제2, 제3 부화소 영역 각각에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 형성하는 단계와, 상기 유기발광다이오드를 포함하는 상기 대향 기판과 상기 제1, 제2, 제3 컬러필터를 포함하는 상기 기판을 합착하는 단계를 더 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention includes the steps of forming a thin film transistor in each of first, second and third sub-pixel regions on a counter substrate, forming an organic light emitting diode And attaching the substrate including the first, second, and third color filters to the counter substrate including the organic light emitting diode.

또는, 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법은, 상기 기판 상의 상기 제1, 제2, 제3 부화소 영역 각각에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1, 제2, 제3 컬러필터가 상기 박막트랜지스터와 상기 유기발광다이오드 사이에 위치하거나, 상기 박막트랜지스터가 상기 제1, 제2, 제3 컬러필터와 상기 유기발광다이오드 사이에 위치한다.Alternatively, the method of manufacturing an organic light emitting diode display device may include forming a thin film transistor in each of the first, second, and third sub pixel regions on the substrate, forming an organic light emitting diode connected to the thin film transistor Wherein the first, second, and third color filters are located between the thin film transistor and the organic light emitting diode, or the thin film transistor is between the first, second, and third color filters and the organic light emitting diode Respectively.

한편, 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는, 제1, 제2, 제3 부화소 영역이 정의된 기판과, 상기 기판 상의 제1 부화소 영역에 위치하며 제1 컬러필터패턴과 제1 색변환패턴을 포함하는 제1 컬러필터와, 상기 기판 상의 제2 부화소 영역에 위치하며 제2 컬러필터패턴과 제2 색변환패턴을 포함하는 제2 컬러필터와, 상기 기판 상의 제3 부화소 영역에 위치하며 제3 컬러필터패턴을 포함하는 제3 컬러필터를 포함하고, 상기 제1 컬러필터패턴의 측면은 상기 제1 색변환패턴의 측면과 동일 선상에 놓이며, 상기 제2 컬러필터패턴의 측면은 상기 제2 색변환패턴의 측면과 동일 선상에 놓인다.Meanwhile, the organic light emitting diode display of the present invention includes a substrate on which first, second, and third sub-pixel regions are defined, a second color filter region located in the first sub- A second color filter located in a second sub-pixel region on the substrate, the second color filter including a second color filter pattern and a second color conversion pattern; and a third color filter disposed on the third sub- And a third color filter including a third color filter pattern, wherein a side of the first color filter pattern is collinear with a side of the first color conversion pattern, and a side of the second color filter pattern Is on the same line as the side of the second color conversion pattern.

상기 제1 색변환패턴과 상기 제2 색변환패턴 각각은 감광성 물질을 포함하고, 상기 제1 컬러필터패턴과 상기 제2 컬러필터패턴 각각은 감광성 물질을 포함하지 않을 수 있다. Each of the first color conversion pattern and the second color conversion pattern may include a photosensitive material, and each of the first color filter pattern and the second color filter pattern may not include a photosensitive material.

이와 달리, 상기 제1 색변환패턴과 상기 제1 컬러필터패턴 각각은 감광성 물질을 포함하고, 상기 제1 색변환패턴과 상기 제2 색변환패턴의 감광성 물질은 동일한 타입이며, 상기 제2 색변환패턴과 상기 제2 컬러필터패턴 각각은 감광성 물질을 포함하고, 상기 제2 색변환패턴과 상기 제2 컬러필터패턴의 감광성 물질은 동일한 타입일 수 있다. Alternatively, each of the first color conversion pattern and the first color filter pattern includes a photosensitive material, and the photosensitive material of the first color conversion pattern and the second color conversion pattern are of the same type, Pattern and the second color filter pattern each include a photosensitive material, and the photosensitive material of the second color conversion pattern and the second color filter pattern may be the same type.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 하나의 화소영역에 대한 회로도이다. 1 is a circuit diagram of one pixel region of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트배선(GL)과 데이터배선(DL)을 포함하고, 각각의 화소영역(P)에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts)와 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst), 그리고 유기발광다이오드(De)가 형성된다. 1, an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention includes a gate line GL and a data line DL that define pixel regions P to intersect with each other, A switching thin film transistor Ts, a driving thin film transistor Td, a storage capacitor Cst, and an organic light emitting diode De are formed in the region P.

보다 상세하게, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트전극은 게이트배선(GL)에 연결되고 소스전극은 데이터배선(DL)에 연결된다. 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극은 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 드레인전극에 연결되고, 소스전극은 고전위 전압(VDD)에 연결된다. 유기발광다이오드(De)의 애노드(anode)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인전극에 연결되고, 캐소드(cathode)는 저전위 전압(VSS)에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 드레인전극에 연결된다. More specifically, the gate electrode of the switching thin film transistor Ts is connected to the gate wiring GL and the source electrode thereof is connected to the data wiring DL. The gate electrode of the driving thin film transistor Td is connected to the drain electrode of the switching thin film transistor Ts, and the source electrode thereof is connected to the high potential voltage VDD. The anode of the organic light emitting diode De is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor Td and the cathode is connected to the low potential voltage VSS. The storage capacitor Cst is connected to the gate electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor Td.

이러한 유기발광다이오드 표시장치의 영상표시 동작을 살펴보면, 게이트배선(GL)을 통해 인가된 게이트신호에 따라 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 턴-온(turn-on) 되고, 이때, 데이터배선(DL)으로 인가된 데이터신호가 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 통해 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극에 인가된다. The switching TFTs turn on according to the gate signal applied through the gate line GL and the data line DL is turned on at this time. Is applied to the gate electrode of the driving thin film transistor Td and the one electrode of the storage capacitor Cst through the switching thin film transistor Ts.

구동 박막트랜지스터(Td)는 데이터신호에 따라 턴-온 되어 유기발광다이오드(De)를 흐르는 전류를 제어하여 영상을 표시한다. 유기발광다이오드(De)는 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 전달되는 고전위 전압(VDD)의 전류에 의하여 발광한다.The driving thin film transistor Td is turned on according to the data signal to control the current flowing through the organic light emitting diode De to display an image. The organic light emitting diode De emits light by a current of a high potential voltage (VDD) transmitted through the driving thin film transistor Td.

즉, 유기발광다이오드(De)를 흐르는 전류의 양은 데이터신호의 크기에 비례하고, 유기발광다이오드(De)가 방출하는 빛의 세기는 유기발광다이오드(De)를 흐르는 전류의 양에 비례하므로, 화소영역(P)은 데이터신호의 크기에 따라 상이한 계조를 표시하고, 그 결과 유기발광다이오드 표시장치는 영상을 표시한다. That is, the amount of current flowing through the organic light emitting diode De is proportional to the size of the data signal, and the intensity of light emitted by the organic light emitting diode De is proportional to the amount of current flowing through the organic light emitting diode De, The region P displays different gradations according to the size of the data signal, and as a result, the organic light emitting diode display displays an image.

스토리지 커패시터(Cst)는 데이터신호에 대응되는 전하를 일 프레임(frame) 동안 유지하여 유기발광다이오드(De)를 흐르는 전류의 양을 일정하게 하고 유기발광다이오드(De)가 표시하는 계조를 일정하게 유지시키는 역할을 한다. The storage capacitor Cst maintains the charge corresponding to the data signal for one frame so that the amount of current flowing through the organic light emitting diode De is kept constant and the gradation displayed by the organic light emitting diode De is maintained constant .

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도로, 한 화소영역에 대응하는 구조를 도시한다.2 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention, and shows a structure corresponding to one pixel region.

도 2에 도시한 바와 같이, 절연 기판(110) 상부에 패터닝된 반도체층(122)이 형성된다. 기판(110)은 유리기판이나 플라스틱기판일 수 있다. 반도체층(122)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있는데, 이 경우 반도체층(122) 하부에는 차광패턴(도시하지 않음)과 버퍼층(도시하지 않음)이 형성될 수 있으며, 차광패턴은 반도체층(122)으로 입사되는 빛을 차단하여 반도체층(122)이 빛에 의해 열화되는 것을 방지한다. 이와 달리, 반도체층(122)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 반도체층(122)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다. As shown in FIG. 2, a patterned semiconductor layer 122 is formed on an insulating substrate 110. The substrate 110 may be a glass substrate or a plastic substrate. In this case, a light shielding pattern (not shown) and a buffer layer (not shown) may be formed under the semiconductor layer 122, and the light shielding pattern may be formed on the semiconductor layer 122 And prevents the semiconductor layer 122 from being deteriorated by light. Alternatively, the semiconductor layer 122 may be made of polycrystalline silicon. In this case, impurities may be doped on both edges of the semiconductor layer 122.

반도체층(122) 상부에는 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(130)이 기판(110) 전면에 형성된다. 게이트 절연막(130)은 산화 실리콘(SiO2)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 반도체층(122)이 다결정 실리콘으로 이루어질 경우, 게이트 절연막(130)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)으로 형성될 수 있다.A gate insulating layer 130 made of an insulating material is formed on the entire surface of the substrate 110 on the semiconductor layer 122. The gate insulating film 130 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ). When the semiconductor layer 122 is made of polycrystalline silicon, the gate insulating layer 130 may be formed of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx).

게이트 절연막(130) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트전극(132)이 반도체층(122)의 중앙에 대응하여 형성된다. 또한, 게이트 절연막(130) 상부에는 게이트배선(도시하지 않음)과 제1 커패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 게이트배선은 제1방향을 따라 연장되고, 제1 커패시터 전극은 게이트전극(132)에 연결된다. A gate electrode 132 made of a conductive material such as metal is formed on the gate insulating layer 130 to correspond to the center of the semiconductor layer 122. A gate line (not shown) and a first capacitor electrode (not shown) may be formed on the gate insulating layer 130. The gate wiring extends along the first direction, and the first capacitor electrode is connected to the gate electrode 132. [

한편, 본 발명의 실시예에서는 게이트 절연막(130)이 기판(110) 전면에 형성되어 있으나, 게이트 절연막(130)은 게이트전극(132)과 동일한 모양으로 패터닝될 수도 있다. In the embodiment of the present invention, the gate insulating layer 130 is formed on the entire surface of the substrate 110, but the gate insulating layer 130 may be patterned to have the same shape as the gate electrode 132.

게이트전극(132) 상부에는 절연물질로 이루어진 층간 절연막(140)이 기판(110) 전면에 형성된다. 층간 절연막(140)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성되거나, 포토 아크릴(photo acryl)이나 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 형성될 수 있다. An interlayer insulating layer 140 made of an insulating material is formed on the entire surface of the substrate 110 on the gate electrode 132. The interlayer insulating film 140 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x) or an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene .

층간 절연막(140)은 반도체층(122)의 양측 상면을 노출하는 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)을 가진다. 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 게이트전극(132)의 양측에 게이트전극(132)과 이격되어 위치한다. 여기서, 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 게이트 절연막(130) 내에도 형성된다. 이와 달리, 게이트 절연막(130)이 게이트전극(132)과 동일한 모양으로 패터닝될 경우, 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 층간 절연막(140) 내에만 형성된다. The interlayer insulating film 140 has first and second contact holes 140a and 140b that expose both upper surfaces of the semiconductor layer 122. [ The first and second contact holes 140a and 140b are spaced apart from the gate electrode 132 on both sides of the gate electrode 132. Here, the first and second contact holes 140a and 140b are also formed in the gate insulating film 130. Alternatively, when the gate insulating film 130 is patterned to have the same shape as the gate electrode 132, the first and second contact holes 140a and 140b are formed only in the interlayer insulating film 140. [

층간 절연막(140) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 소스 및 드레인전극(142, 144)이 형성된다. 또한, 층간 절연막(140) 상부에는 제2방향을 따라 연장되는 데이터배선(도시하지 않음)과 전원배선(도시하지 않음) 및 제2 커패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. On the interlayer insulating layer 140, source and drain electrodes 142 and 144 are formed of a conductive material such as a metal. A data line (not shown), a power supply line (not shown), and a second capacitor electrode (not shown) may be formed on the interlayer insulating layer 140 in the second direction.

소스 및 드레인전극(142, 144)은 게이트전극(132)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)을 통해 반도체층(122)의 양측과 접촉한다. 도시하지 않았지만, 데이터배선은 제2방향을 따라 연장되고 게이트배선과 교차하여 각 화소영역을 정의하며, 고전위 전압을 공급하는 전원배선은 데이터배선과 이격되어 위치한다. 제2 커패시터 전극은 드레인전극(144)과 연결되고, 제1 커패시터 전극과 중첩하여 둘 사이의 층간 절연막(140)을 유전체로 스토리지 커패시터를 이룬다. The source and drain electrodes 142 and 144 are spaced around the gate electrode 132 and contact the two sides of the semiconductor layer 122 through the first and second contact holes 140a and 140b, respectively. Although not shown, the data wiring extends along the second direction and crosses the gate wiring to define each pixel region, and the power wiring for supplying the high potential voltage is located apart from the data wiring. The second capacitor electrode is connected to the drain electrode 144, and overlaps the first capacitor electrode to form a storage capacitor with the dielectric interlayer 140 between the two.

한편, 반도체층(122)과, 게이트전극(132), 그리고 소스 및 드레인전극(142, 144)은 박막트랜지스터를 이룬다. 여기서, 박막트랜지스터는 반도체층(122)의 일측, 즉, 반도체층(122)의 상부에 게이트전극(132)과 소스 및 드레인전극(142, 144)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.On the other hand, the semiconductor layer 122, the gate electrode 132, and the source and drain electrodes 142 and 144 constitute a thin film transistor. Here, the thin film transistor has a coplanar structure in which the gate electrode 132 and the source and drain electrodes 142 and 144 are located on one side of the semiconductor layer 122, that is, above the semiconductor layer 122.

이와 달리, 박막트랜지스터는 반도체층의 하부에 게이트전극이 위치하고 반도체층의 상부에 소스 및 드레인전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다. Alternatively, the thin film transistor may have an inverted staggered structure in which a gate electrode is positioned below the semiconductor layer and source and drain electrodes are located above the semiconductor layer. In this case, the semiconductor layer may be made of amorphous silicon.

여기서, 박막트랜지스터는 유기발광다이오드 표시장치의 구동 박막트랜지스터에 해당하며, 구동 박막트랜지스터와 동일한 구조의 스위칭 박막트랜지스터(도시하지 않음)가 각 화소영역에 대응하여 기판(110) 상에 더 형성된다. 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극(132)은 스위칭 박막트랜지스터의 드레인전극(도시하지 않음)에 연결되고 구동 박막트랜지스터의 소스전극(142)은 전원배선(도시하지 않음)에 연결된다. 또한, 스위칭 박막트랜지스터의 게이트전극(도시하지 않음)과 소스전극(도시하지 않음)은 게이트 배선 및 데이터 배선과 각각 연결된다.Here, the thin film transistor corresponds to a driving thin film transistor of an organic light emitting diode display, and a switching thin film transistor (not shown) having the same structure as the driving thin film transistor is further formed on the substrate 110 corresponding to each pixel region. The gate electrode 132 of the driving thin film transistor is connected to the drain electrode (not shown) of the switching thin film transistor and the source electrode 142 of the driving thin film transistor is connected to the power supply wiring (not shown). In addition, a gate electrode (not shown) and a source electrode (not shown) of the switching thin film transistor are connected to the gate wiring and the data wiring, respectively.

소스 및 드레인전극(142, 144) 상부에는 절연물질로 제1보호막(152)과 제2보호막(154)이 기판(110) 전면에 순차적으로 형성된다. 제1보호막(152)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있으며, 제2보호막(154)은 포토 아크릴이나 벤조사이클로부텐과 같은 유기절연물질로 형성되어 제2보호막(154)의 상면은 평탄할 수 있다. A first passivation layer 152 and a second passivation layer 154 are sequentially formed on the entire surface of the substrate 110 as insulating materials on the source and drain electrodes 142 and 144. The first passivation layer 152 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x), and the second passivation layer 154 may be formed of an organic insulating material such as photoacryl or benzocyclobutene And the upper surface of the second protective film 154 may be flat.

제1보호막(152)과 제2보호막(154)은 드레인전극(144)을 노출하는 드레인 컨택홀(156)을 가진다. 여기서, 드레인 컨택홀(156)은 제2 컨택홀(140b) 바로 위에 형성된 것으로 도시되어 있으나, 제2 컨택홀(140b)과 이격되어 형성될 수도 있다. The first passivation layer 152 and the second passivation layer 154 have drain contact holes 156 exposing the drain electrodes 144. Here, the drain contact hole 156 is formed directly on the second contact hole 140b, but may be formed apart from the second contact hole 140b.

제1보호막(152)과 제2보호막(154) 중 하나는 생략될 수도 있으며, 일례로, 무기절연물질로 이루어진 제1보호막(152)이 생략될 수 있다. One of the first protective film 152 and the second protective film 154 may be omitted. For example, the first protective film 152 made of an inorganic insulating material may be omitted.

제2보호막(154) 상부에는 비교적 일함수가 높은 도전성 물질로 제1전극(162)이 형성된다. 제1전극(162)은 각 화소영역마다 형성되고, 드레인 컨택홀(156)을 통해 드레인전극(144)과 접촉한다. 일례로, 제1전극(162)은 인듐-틴-옥사이드(indium tin oxide: ITO)나 인듐-징크-옥사이드(indium zinc oxide: IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다. A first electrode 162 is formed on the second protective film 154 with a conductive material having a relatively high work function. The first electrode 162 is formed for each pixel region and contacts the drain electrode 144 through the drain contact hole 156. For example, the first electrode 162 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

제1전극(162) 상부에는 절연물질로 뱅크층(170)이 형성된다. 뱅크층(170)은 인접한 화소영역 사이에 위치하고, 제1전극(162)을 노출하는 개구부를 가지며, 제1전극(162)의 가장자리를 덮는다. A bank layer 170 is formed of an insulating material on the first electrode 162. The bank layer 170 is located between adjacent pixel regions and has an opening exposing the first electrode 162 and covers the edge of the first electrode 162. [

여기서, 뱅크층(170)은 단일층 구조를 가지나, 이에 제한되지 않는다. 일례로, 뱅크층은 이중층 구조를 가질 수도 있다. 즉, 뱅크층은 제1뱅크와 제1뱅크 상부의 제2뱅크를 포함하고, 제1뱅크의 폭이 제2뱅크의 폭보다 넓을 수 있다. 이때, 제1뱅크는 친수성 특성을 갖는 무기절연물질이나 유기절연물질로 이루어질 수 있으며, 제2뱅크는 소수성 특성을 갖는 유기절연물질로 이루어질 수 있다.Here, the bank layer 170 has a single-layer structure, but is not limited thereto. In one example, the bank layer may have a bilayer structure. That is, the bank layer includes the first bank and the second bank above the first bank, and the width of the first bank may be wider than the width of the second bank. In this case, the first bank may be formed of an inorganic insulating material or an organic insulating material having a hydrophilic property, and the second bank may be formed of an organic insulating material having a hydrophobic property.

뱅크층(170)의 개구부를 통해 노출된 제1전극(162) 상부에는 발광층(180)이 형성된다. 발광층(180)은 제1전극(162) 상부로부터 순차적으로 위치하는 정공보조층(182)과 발광물질층(light-emitting material layer: EML)(184) 및 전자보조층(186)을 포함한다. A light emitting layer 180 is formed on the first electrode 162 exposed through the opening of the bank layer 170. The light emitting layer 180 includes a hole assistant layer 182, a light-emitting material layer (EML) 184, and an electron assistant layer 186 sequentially positioned from above the first electrode 162.

정공보조층(182)과 발광물질층(184) 및 전자보조층(186)은 유기 물질로 이루어지며, 용액 공정을 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 공정을 단순화하고 대면적 고해상도의 표시장치를 제공할 수 있다. 용액 공정으로는 스핀 코팅법이나 잉크젯 프린팅법 또는 스크린 프린팅법이 사용될 수 있다. The hole-assist layer 182, the light-emitting material layer 184 and the electron-assist layer 186 are made of an organic material and can be formed through a solution process. Thus, the process can be simplified and a display device with a large area and high resolution can be provided. As the solution process, a spin coating method, an inkjet printing method, or a screen printing method may be used.

이와 달리, 정공보조층(182)과 발광물질층(184) 및 전자보조층(186)은 진공 증착을 통해 형성될 수도 있다. Alternatively, the hole-assist layer 182 and the emissive material layer 184 and the electron-assisted layer 186 may be formed through vacuum deposition.

또는, 정공보조층(182)과 발광물질층(184) 및 전자보조층(186)은 용액 공정과 진공 증착의 조합에 의해 형성될 수도 있다. Alternatively, the hole-assist layer 182 and the light-emitting material layer 184 and the electron-assisted layer 186 may be formed by a combination of a solution process and a vacuum deposition.

정공보조층(182)은 정공주입층(hole injecting layer: HIL)과 정공수송층(hot transporting layer: HTL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 전자보조층(186)은 전자주입층(electron injecting layer: EIL)과 전자수숑층(electron transporting layer: ETL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The hole assist layer 182 may include at least one of a hole injecting layer (HIL) and a hot transporting layer (HTL), and the electron assist layer 186 may include at least one of an electron injecting layer : EIL) and an electron transporting layer (ETL).

전자보조층(186) 상부에는 비교적 일함수가 낮은 도전성 물질로 제2전극(192)이 기판(110) 전면에 형성된다. 여기서, 제2전극(192)은 알루미늄(aluminum)이나 마그네슘(magnesium), 은(silver) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.A second electrode 192 is formed on the entire surface of the substrate 110 with a conductive material having a relatively low work function on the electron assist layer 186. Here, the second electrode 192 may be formed of aluminum, magnesium, silver, or an alloy thereof.

제1전극(162)과 발광층(180) 및 제2전극(192)은 유기발광다이오드(De)를 이루며, 제1전극(162)은 애노드(anode)의 역할을 하고, 제2전극(192)은 캐소드(cathode)의 역할을 한다.The first electrode 162 and the emission layer 180 and the second electrode 192 form an organic light emitting diode De and the first electrode 162 serves as an anode and the second electrode 192 serves as an anode. Serves as a cathode.

여기서, 본 발명의 실시예에 따른 능동행렬방식 유기발광다이오드 표시장치는 발광물질층(184)으로부터 발광된 빛이 제2전극(192)을 통해 외부로 출력되는 상부발광방식(top emission type)일 수 있다. 이때, 제1전극(162)은 불투명 도전성 물질로 이루어진 반사층(도시하지 않음)을 더 포함한다. 일례로, 반사층은 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-paladium-copper: APC) 합금으로 형성될 수 있으며, 제1전극(162)은 ITO/APC/ITO의 3중층 구조를 가질 수 있다. 또한, 제2전극(192)은 빛이 투과되도록 비교적 얇은 두께를 가지며, 제2전극(192)의 빛 투과도는 약 45-50%일 수 있다.Here, the active matrix type organic light emitting diode display device according to the embodiment of the present invention includes a top emission type in which light emitted from the light emitting material layer 184 is output to the outside through the second electrode 192, . At this time, the first electrode 162 further includes a reflective layer (not shown) made of an opaque conductive material. For example, the reflective layer may be formed of an aluminum-palladium-copper (APC) alloy, and the first electrode 162 may have a triple-layer structure of ITO / APC / ITO. Also, the second electrode 192 may have a relatively thin thickness to transmit light, and the second electrode 192 may have a light transmittance of about 45-50%.

이와 달리, 본 발명의 실시예에 따른 능동행렬방식 유기발광다이오드 표시장치는 발광물질층(184)으로부터 발광된 빛이 제1전극(162)을 통해 외부로 출력되는 하부발광방식(bottom emission type)일 수 있다. 이때, 제2전극(192)은 반사판의 역할을 한다.Alternatively, the active matrix type organic light emitting diode display may include a bottom emission type in which light emitted from the light emitting material layer 184 is output to the outside through the first electrode 162, Lt; / RTI > At this time, the second electrode 192 serves as a reflector.

이러한 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 다수의 화소를 포함하며, 각 화소는 적, 녹, 청, 백색 부화소를 포함하고, 적, 녹, 청, 백색 부화소의 각각은 도 2의 박막트랜지스터와 유기발광다이오드를 포함한다. 또한, 적, 녹, 청색 부화소는 각각 적, 녹, 청색 컬러필터를 더 포함한다. 이에 대해 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.The organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pixels, each pixel including red, green, blue, and white sub-pixels, and red, green, 2 thin film transistor and an organic light emitting diode. The red, green, and blue sub-pixels further include red, green, and blue color filters, respectively. This will be described in more detail with reference to the drawings.

-제1실시예-- First Embodiment -

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도로, 한 화소(pixel)에 대응하는 영역을 도시하며, 한 화소는 적, 녹, 청, 백색 부화소(sub pixel)에 각각 대응하는 화소영역들을 포함한다.FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention, showing a region corresponding to one pixel, and one pixel is a red, green, blue, and pixel regions corresponding to sub pixels.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 제1기판(210), 박막트랜지스터(T), 보호막(220), 유기발광다이오드(De), 봉지층(sealing layer, 240), 제2기판(250), 블랙 매트릭스(262), 컬러필터층(270), 그리고 오버코트층(280)을 포함한다.3, the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 210, a thin film transistor T, a passivation layer 220, an organic light emitting diode De, a sealing layer a second substrate 250, a black matrix 262, a color filter layer 270, and an overcoat layer 280.

이때, 제1기판(210)과 제2기판(250)은 서로 대향되게 배치되고, 제2기판(250)은 투명한 재질로 이루어져 제2기판(250)을 통해 외부로 빛을 방출하는 상부 발광 방식(top emission type) 유기발광다이오드 표시장치일 수 있다. 예를 들어, 제2기판(250)은 유리나 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.The first substrate 210 and the second substrate 250 are opposed to each other and the second substrate 250 is made of a transparent material and is configured to emit light to the outside through the second substrate 250. [ (top emission type) organic light emitting diode display device. For example, the second substrate 250 may be formed of glass or plastic.

한편, 제1기판(210)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질로 이루어질 수 있으며, 유리나 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.Meanwhile, the first substrate 210 may be formed of a transparent material or an opaque material, and may be formed of glass, plastic, or the like.

제1기판(210) 상부에는 화소영역 마다 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다. 박막트랜지스터(T)는 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함하며, 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터 각각은 게이트 전극과 반도체층, 소스 및 드레인 전극을 포함한다. On the first substrate 210, a thin film transistor T is formed in each pixel region. The thin film transistor T includes a switching thin film transistor and a driving thin film transistor, and each of the switching thin film transistor and the driving thin film transistor includes a gate electrode, a semiconductor layer, and a source and a drain electrode.

또한, 도시하지 않았지만, 제1기판(210) 상부에는 스위칭 박막트랜지스터와 연결되는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되며, 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터에 연결되는 스토리지 커패시터가 형성된다.Although not shown, a gate wiring and a data wiring connected to the switching thin film transistor are formed on the first substrate 210, and a storage capacitor connected to the switching thin film transistor and the driving thin film transistor is formed.

박막트랜지스터(T) 상부에는 보호막(220)이 형성되어 박막트랜지스터(T)를 덮는다. A protective film 220 is formed on the thin film transistor T to cover the thin film transistor T.

보호막(220) 상부에는 제1전극(232)과 유기발광층(234) 및 제2전극(236)을 포함하는 유기발광다이오드(De)가 형성된다. An organic light emitting diode De including a first electrode 232, an organic light emitting layer 234, and a second electrode 236 is formed on the passivation layer 220.

이때, 제1전극(232)은 양극(anode)으로 비교적 일함수가 큰 도전성 물질로 형성되고, 제2전극(236)은 음극(cathode)으로 비교적 일함수가 작은 도전성 물질로 형성된다. 일례로, 제1전극(232)은 인듐-틴-옥사이드(indium tin oxide: ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium zinc oxide: IZO)와 같은 투명도전성 물질로 형성된 투명전극을 포함하며, 투명 전극 하부에 불투명 도전성 물질로 이루어진 반사층을 더 포함한다. 제2전극(236)은 알루미늄(aluminum)이나 마그네슘(magnesium), 은(silver) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 빛이 투과되도록 비교적 얇은 두께를 가진다. 이 경우, 유기발광층(234)에서 발광된 빛은 제2전극(236)을 통해 외부로 방출된다.At this time, the first electrode 232 is formed of a conductive material having a relatively large work function as an anode, and the second electrode 236 is formed of a conductive material having a relatively small work function as a cathode. For example, the first electrode 232 may include a transparent electrode formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) And a reflective layer made of an opaque conductive material at the bottom. The second electrode 236 may be formed of aluminum, magnesium, silver, or an alloy thereof. The second electrode 236 may have a relatively small thickness to allow light to pass therethrough. In this case, the light emitted from the organic light emitting layer 234 is emitted to the outside through the second electrode 236.

제1전극(232)은 각 화소영역마다 패턴되어 박막트랜지스터(T)와 연결되며, 제2전극(236)은 제1기판(210) 전면에 형성된다. The first electrode 232 is patterned for each pixel region and connected to the thin film transistor T, and the second electrode 236 is formed on the entire surface of the first substrate 210.

유기발광층(234)은 제1전극(232)과 제2전극(236)사이에 위치하는데, 제1전극(232) 상부로부터 정공수송층(hole transporting layer)과, 발광물질층(light-emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 순으로 적층된 다중층 구조를 가질 수 있으며, 정공수송층 하부의 정공주입층(hole injecting layer)과 전자수송층 상부의 전자주입층(electron injecting layer)을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting layer 234 is disposed between the first electrode 232 and the second electrode 236 and includes a hole transporting layer and a light emitting material layer ) And an electron transporting layer (hereinafter referred to as an electron transporting layer), and may further include a hole injecting layer below the hole transporting layer and an electron injecting layer above the electron transporting layer .

이러한 유기발광층(234)에서 발광되는 빛은 황색-녹색(yellow-green) 파장 대역 520~590nm의 빛과 청색(blue) 파장 대역 430~490nm의 빛을 포함한다. 따라서, 황색-녹색(yellow-green) 파장 대역 520~590nm의 빛과 청색(blue) 파장 대역 430~490nm의 빛이 혼합되어 백색광이 외부로 방출된다.The light emitted from the organic light emitting layer 234 includes light in the yellow-green wavelength band 520 to 590 nm and light in the blue wavelength band 430 to 490 nm. Accordingly, the light in the yellow-green wavelength band 520 to 590 nm and the light in the blue wavelength band 430 to 490 nm are mixed to emit the white light to the outside.

유기발광다이오드(De) 상부에는 외부로부터의 수분이나 산소로부터 유기발광다이오드(De)를 보호하기 위한 봉지층(240)이 형성된다. 봉지층(240)은 자외선 경화 실런트(UV sealant)나 프릿 실런트(frit sealant)이거나, 또는 무기막과 유기막이 번갈아 적층된 구조를 가질 수 있다.An encapsulating layer 240 is formed on the organic light emitting diode De to protect the organic light emitting diode De from moisture or oxygen from the outside. The sealing layer 240 may be a UV sealant or a frit sealant, or alternatively may have a structure in which an inorganic film and an organic film are alternately laminated.

한편, 봉지층(240) 상부에는 제2기판(250)이 이격되어 위치한다. On the other hand, the second substrate 250 is spaced apart from the top of the sealing layer 240.

제2기판(250) 하부에는 각 화소영역의 경계에 대응하며 블랙매트릭스(262)가 형성된다. 블랙매트릭스(262)는 블랙 수지(black resin)나 크롬 옥사이드(CrOx)와 크롬(Cr)의 이중막으로 이루어질 수 있다.A black matrix 262 is formed under the second substrate 250 to correspond to the boundaries of the respective pixel regions. The black matrix 262 may be formed of a black resin or a double layer of chromium oxide (CrOx) and chromium (Cr).

블랙매트릭스(262) 하부에는 컬러필터층(270)이 형성된다. 컬러필터층(270)은 적, 녹, 청색 부화소에 각각 대응하는 적, 녹, 청색 컬러필터(272, 274, 276)를 포함하며, 적색 컬러필터(272)는 적색 컬러필터패턴(272a)과 제1 색변환패턴(272b)을 포함하고, 녹색 컬러필터(274)는 녹색 컬러필터패턴(274a)과 제2 색변환패턴(274b)을 포함한다. 청색 컬러필터(276)는 청색 컬러필터패턴만을 포함한다.A color filter layer 270 is formed under the black matrix 262. The color filter layer 270 includes red, green and blue color filters 272, 274 and 276 respectively corresponding to red, green and blue subpixels. The red color filter 272 includes red color filter patterns 272a, Green color filter 274 includes a first color conversion pattern 272b and a green color filter 274 includes a green color filter pattern 274a and a second color conversion pattern 274b. The blue color filter 276 includes only a blue color filter pattern.

제1 색변환패턴(272b)과 제2 색변환패턴(274b)은, 흡광과 발광의 특성을 가지며 단파장의 빛을 흡수한 후 장파장의 빛으로 쉬프트(shift)하여 발광하는 색변환물질(color conversion material)을 포함한다. 여기서, 제1 색변환패턴(272b)은 청색광 또는 청색 및 녹색의 혼합광을 흡수하여 적색광을 발광하는 색변환물질을 포함하고, 제2 색변환패턴(274b)은 청색광을 흡수하여 황색광을 발광하는 색변환물질을 포함한다. 이때, 제1 색변환패턴(272b)은 적색변환물질을 포함할 수 있고, 제2색변환패턴(274b)은 황색변환물질을 포함할 수 있다. The first color conversion pattern 272b and the second color conversion pattern 274b have characteristics of light absorbing and luminescence and are formed by absorbing light of a short wavelength and then shifting to light of a long wavelength, material. Here, the first color conversion pattern 272b includes a color conversion material that absorbs blue light or mixed light of blue and green to emit red light, and the second color conversion pattern 274b absorbs blue light to emit yellow light Color conversion material. At this time, the first color conversion pattern 272b may include a red conversion material, and the second color conversion pattern 274b may include a yellow conversion material.

이러한 색변환물질은 레일리 산란(Rayleigh scattering)을 유발하지 않는 나노미터 크기를 가지며, 패터닝 공정을 위해 성막 후 우수한 광특성을 보이는, 즉, 피크(peak) 파장과 강도(intensity)가 높은 형광염료(fluorescent dye)인 것이 바람직하다. 일례로, 황색변환물질로는 쿠마린(coumarin) 계열의 형광염료가 사용되고, 적색변환물질로는 페릴린(perylene) 계열의 형광염료가 사용될 수 있다. Such a color conversion material has a nanometer size that does not cause Rayleigh scattering and has excellent optical characteristics after film formation for the patterning process, that is, a fluorescent dye having a high peak wavelength and intensity fluorescent dye. For example, coumarin-based fluorescent dyes may be used as the yellow conversion material and perylene-based fluorescent dyes may be used as the red conversion material.

여기서, 제1 및 제2 색변환패턴(272b, 274b)의 두께는 약 2 내지 5 마이크로미터이고, 적, 녹, 청색 컬러필터패턴(272a, 274a, 276)의 두께는 약 2 내지 3 마이크로미터일 수 있다. The thickness of the first and second color conversion patterns 272b and 274b is about 2 to 5 micrometers and the thickness of the red, green, and blue color filter patterns 272a, 274a, and 276 is about 2 to 3 micrometers Lt; / RTI >

한편, 컬러필터층(270) 하부에는 오버코트층(280)이 형성된다. 오버코트층(280)은 평탄한 표면을 가지며 컬러필터층(270)을 덮어 보호한다. 여기서, 백색 부화소에 대응하는 화소영역에는 컬러필터층이 형성되지 않으므로, 백색 부화소에 대응하는 화소영역에는 오버코트층(280)만이 위치한다. On the other hand, an overcoat layer 280 is formed under the color filter layer 270. The overcoat layer 280 has a flat surface and covers and protects the color filter layer 270. Here, since no color filter layer is formed in the pixel region corresponding to the white sub-pixel, only the overcoat layer 280 is located in the pixel region corresponding to the white sub-pixel.

이러한 컬러필터층(270)을 포함하는 제2기판(250)이 유기발광다이오드(De)를 포함하는 제1기판(210)과 합착되며, 이때, 제2기판(250)의 오버코트층(280)이 제1기판(210)의 봉지층(240)과 접촉한다. The second substrate 250 including the color filter layer 270 is attached to the first substrate 210 including the organic light emitting diode De and the overcoat layer 280 of the second substrate 250 And contacts the sealing layer 240 of the first substrate 210.

이러한 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에서는, 적색 부화소에 있어서, 유기발광다이오드(De)에서 방출된 백색광(W) 중 청색광(B)과 황색-녹색광(Y-G)은 적색 컬러필터(272)의 제1 색변환패턴(272b)을 통과하면서 적색광(R)으로 변환되어 적색 컬러필터패턴(272a)으로 전달된다. 따라서, 색순도 및 광효율이 향상된 적색광(R)이 최종적으로 출력된다. In the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention, in the red sub-pixel, the blue light B and the yellow-green light YG of the white light W emitted from the organic light emitting diode De are red Is converted into red light (R) while passing through the first color conversion pattern 272b of the color filter 272, and is transmitted to the red color filter pattern 272a. Accordingly, the red light R having improved color purity and light efficiency is finally output.

한편, 녹색 부화소에 있어서, 유기발광다이오드(De)에서 방출된 백색광(W) 중 황색-녹색광(Y-G)은 녹색 컬러필터(274)의 제2 색변환패턴(274b)을 그대로 통과하여 녹색 컬러필터패턴(274a)으로 전달되며, 청색광(B)은 녹색 컬러필터(274)의 제2 색변환패턴(274b)을 통과하면서 황색광(Y)으로 변환된 후 녹색 컬러필터패턴(274a)으로 전달된다. 따라서, 색순도 및 광효율이 향상된 녹색광(G)이 최종적으로 출력된다.On the other hand, in the green sub-pixel, the yellow-green light YG among the white light W emitted from the organic light emitting diode De passes through the second color conversion pattern 274b of the green color filter 274 as it is, The blue light B is converted into yellow light Y while passing through the second color conversion pattern 274b of the green color filter 274 and then transmitted to the green color filter pattern 274a do. Therefore, the green light G having improved color purity and light efficiency is finally output.

또한, 청색 부화소에 있어서, 유기발광다이오드(De)에서 방출된 백색광(W) 중 황색-녹색광(Y-G)은 청색 컬러필터(276)에서 흡수되고, 청색광(B)은 청색 컬러필터(276)를 통과하여 출력된다.In the blue sub-pixel, the yellow-green light YG among the white light W emitted from the organic light emitting diode De is absorbed by the blue color filter 276, the blue light B is absorbed by the blue color filter 276, And is output.

한편, 백색 부화소에 있어서, 유기발광다이오드(De)에서 방출된 백색광(W)은 그대로 외부로 출력된다. On the other hand, in the white sub-pixel, the white light W emitted from the organic light emitting diode De is directly output to the outside.

이와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 적색 컬러필터(272)와 녹색 컬러필터(274)가 컬러필터패턴(272a, 272b)과 색변환패턴(272b, 274b)을 포함하여, 색순도를 높여 색재현율을 증가시키고, 광효율을 높일 수 있다. The red color filter 272 and the green color filter 274 are disposed between the color filter patterns 272a and 272b and the color conversion patterns 272b and 274b in the organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention. It is possible to increase the color purity by increasing the color purity and increase the light efficiency.

본 발명의 실시예에서는, 한 화소가 적, 녹, 청, 백색 부화소로 이루어진 경우에 대하여 설명하였으나, 한 화소는 적, 녹, 청색 부화소로 구성될 수도 있다. In the embodiment of the present invention, one pixel is composed of red, green, blue, and white sub-pixels, but one pixel may be composed of red, green, and blue sub-pixels.

이러한 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에서 적색 컬러필터(272)와 녹색 컬러필터(274)의 컬러필터패턴(272a, 272b) 및 색변환패턴(272b, 274b)은 사진식각공정을 통해 형성된다. 그런데, 사진식각공정은 감광성 물질의 도포와, 마스크를 이용한 노광 및 노광된 감광성 물질의 현상, 경화 등 다수의 단계를 포함하므로, 각각의 패턴을 사진식각공정을 통해 형성할 경우, 공정 수가 증가하게 된다. 이때, 마스크 수가 공정 수를 결정한다. 따라서, 본 발명의 제1실시예에서는 공정 수를 줄일 수 있는 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법을 제시한다. The color filter patterns 272a and 272b and the color conversion patterns 272b and 274b of the red color filter 272 and the green color filter 274 in the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention are subjected to photolithography ≪ / RTI > However, since the photolithography process includes a plurality of steps such as application of a photosensitive material, development and curing of exposed and exposed photosensitive materials using a mask, and the like, when the respective patterns are formed through a photolithography process, do. At this time, the number of masks determines the number of processes. Accordingly, the first embodiment of the present invention proposes a method of manufacturing an organic light emitting diode display device capable of reducing the number of process steps.

도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조 공정의 각 단계에서의 단면을 도시한 도면이다. 이때, 도 4a 내지 도 4g는 컬러필터층이 형성된 제2기판을 도시한다.FIGS. 4A to 4I are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention. 4A to 4G show a second substrate on which a color filter layer is formed.

도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(250) 상에 광차단물질층(도시하지 않음)을 형성하고, 사진식각공정을 통해 이를 패터닝하여 각 화소영역의 경계에 대응하는 블랙매트릭스(262)를 형성한다. 여기서, 광차단물질층은 블랙 수지 또는 크롬 옥사이드와 크롬의 이중막을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 4A, a light blocking material layer (not shown) is formed on the substrate 250 and patterned through a photolithography process to form a black matrix 262 corresponding to the boundary of each pixel region do. Here, the light blocking material layer may include a black resin or a double layer of chromium oxide and chromium.

다음, 도 4b에 도시한 바와 같이, 블랙매트릭스(262) 상부의 기판(250) 전면에 제1 컬러필터물질을 도포하고 이를 1차 경화하여 제1 컬러필터물질층(271a)을 형성한다. 이어, 제1 컬러필터물질층(271a) 상부의 기판(250) 전면에 제1 색변환물질을 도포하고 이를 2차 경화하여 제1 색변환물질층(271b)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4B, a first color filter material is applied to an entire surface of the substrate 250 above the black matrix 262 and is first cured to form a first color filter material layer 271a. Next, a first color conversion material is applied to the entire surface of the substrate 250 above the first color filter material layer 271a, and the second color conversion material is secondarily cured to form a first color conversion material layer 271b.

이때, 1차 경화와 2차 경화의 온도는 동일할 수 있다. 또한, 제1 컬러필터물질 및 제1 색변환물질은 코팅법에 의해 도포될 수 있으며, 일례로, 스핀(spin) 코팅법, 슬릿(slit) 코팅법, 바(bar) 코팅법, 롤(roll) 코팅법, 잉크젯 코팅법 중 하나가 이용될 수 있다. At this time, the temperatures of the primary curing and the secondary curing may be the same. The first color filter material and the first color conversion material may be applied by a coating method. For example, a spin coating method, a slit coating method, a bar coating method, a roll ) Coating method or an ink-jet coating method may be used.

여기서, 제1 색변환물질층(271b)은 감광성 물질을 포함하며, 제1 컬러필터물질층(271a)은 감광성 물질을 포함하지 않을 수 있다. 제1 색변환물질층(271b)은 빛에 노출된 부분이 현상 후 남게 되는 네거티브(negative) 타입일 수 있다.Here, the first color conversion material layer 271b includes a photosensitive material, and the first color filter material layer 271a may not include a photosensitive material. The first color conversion material layer 271b may be a negative type in which a portion exposed to light is left after development.

이와 달리, 제1 색변환물질층(271b)은 빛에 노출된 부분이 현상 후 제거되는 포지티브(positive) 타입일 수도 있다.Alternatively, the first color conversion material layer 271b may be of a positive type in which a portion exposed to light is removed after development.

한편, 제1 컬러필터물질층(271a)은 감광성 물질을 포함할 수도 있다. 이때, 제1 컬러필터물질층(271a)과 제1 색변환물질층(271b)은 동일한 타입인 것이 바람직하다. 즉, 제1 색변환물질층(271a)이 네거티브 타입일 경우, 제1 컬러필터물질층(271a)도 네거티브 타입이고, 제1 색변환물질층(271a)이 포지티브 타입일 경우, 제1 컬러필터물질층(271a)도 포지티브 타입인 것이 바람직하다. On the other hand, the first color filter material layer 271a may include a photosensitive material. At this time, it is preferable that the first color filter material layer 271a and the first color conversion material layer 271b are the same type. That is, when the first color conversion material layer 271a is a negative type, the first color filter material layer 271a is also a negative type, and when the first color conversion material layer 271a is a positive type, The material layer 271a is also preferably of a positive type.

다음, 제1 색변환물질층(271b) 상부에 투과부(TA)와 반사부(BA)를 포함하는 제1 마스크(292)를 배치하고, 제1 마스크(292)를 통해 제1 색변환물질층(271b)을 노광한다. A first mask 292 including a transmissive portion TA and a reflective portion BA is disposed on the first color conversion material layer 271b and a first color conversion material layer (271b).

다음, 도 4c에 도시한 바와 같이, 제1 색변환물질층(도 4b의 271b)을 현상하여 빛에 노출되지 않은 부분을 제거함으로써, 제1 부화소 영역의 제1 컬러필터물질층(271a) 상부에 제1 색변환패턴(272b)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4C, by developing the first color conversion material layer (271b in FIG. 4B) to remove the portions not exposed to light, the first color filter material layer 271a in the first sub- A first color conversion pattern 272b is formed on the upper side.

다음, 도 4d에 도시한 바와 같이, 제1 색변환패턴(272b)을 식각 마스크로 제1 컬러필터물질층(도 4c의 271a)을 패터닝함으로써, 제1 부화소 영역의 제1 색변환패턴(272b) 하부에 제1 컬러필터패턴(272a)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4D, the first color conversion material pattern (271a in FIG. 4C) is patterned by using the first color conversion pattern 272b as an etching mask to form the first color conversion pattern The first color filter pattern 272a is formed under the first color filter pattern 272a.

이때, 제1 컬러필터패턴(272a)의 측면과 제1 색변환패턴(272b)의 측면은 동일선상에 놓일 수 있다. At this time, the side surface of the first color filter pattern 272a and the side surface of the first color conversion pattern 272b may be collinear.

이어, 제1 컬러필터패턴(272a)과 제1 색변환패턴(272b)을 3차 경화한다. 이때, 3차 경화 온도는 1차 및 2차 경화 온도보다 높은 것이 바람직하다. Next, the first color filter pattern 272a and the first color conversion pattern 272b are thirdarily cured. At this time, the tertiary curing temperature is preferably higher than the primary and secondary curing temperatures.

여기서, 제1 컬러필터패턴(272a)과 제1 색변환패턴(272b)은 제1 컬러필터(272)를 이룬다. 제1 컬러필터(272)는 적색 컬러필터일 수 있으며, 제1 컬러필터패턴(272a)은 적색 컬러필터물질을 포함하고, 제1 색변환패턴(272b)은 적색변환물질을 포함할 수 있다.Here, the first color filter pattern 272a and the first color conversion pattern 272b form a first color filter 272. [ The first color filter 272 may be a red color filter and the first color filter pattern 272a may include a red color filter material and the first color conversion pattern 272b may include a red conversion material.

다음, 도 4e에 도시한 바와 같이, 제1 컬러필터(272)와 블랙매트릭스(262) 상부의 기판(250) 전면에 제2 컬러필터물질을 도포하고 이를 4차 경화하여 제2 컬러필터물질층(273a)을 형성한다. 이어, 제2 컬러필터물질층(273a) 상부의 기판(250) 전면에 제2 색변환물질을 도포하고 이를 5차 경화하여 제2 색변환물질층(273b)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4E, a second color filter material is applied to the entire surface of the substrate 250 above the first color filter 272 and the black matrix 262 and is quadrature-cured to form a second color filter material layer (273a). Next, a second color conversion material is applied to the entire surface of the substrate 250 above the second color filter material layer 273a, and the fifth color conversion material is cured to form a second color conversion material layer 273b.

이때, 4차 경화와 5차 경화 온도는 동일할 수 있다. 또한, 4차 경화와 5차 경화 온도는 3차 경화 온도보다 낮을 수 있으며, 1차 경화 및 2차 경화 온도와 동일할 수 있다. At this time, the quaternary hardening temperature and the fifth hardening temperature may be the same. In addition, the quaternary hardening temperature and the fifth hardening temperature may be lower than the tertiary hardening temperature and may be the same as the first hardening and secondary hardening temperatures.

또한, 제2 컬러필터물질 및 제2 색변환물질은 코팅법에 의해 도포될 수 있으며, 일례로, 스핀(spin) 코팅법, 슬릿(slit) 코팅법, 바(bar) 코팅법, 롤(roll) 코팅법, 잉크젯 코팅법 중 하나가 이용될 수 있다. The second color filter material and the second color conversion material may be applied by a coating method. For example, a spin coating method, a slit coating method, a bar coating method, a roll ) Coating method or an ink-jet coating method may be used.

여기서, 제2 색변환물질층(273b)은 감광성 물질을 포함하며, 제2 컬러필터물질층(273a)은 감광성 물질을 포함하지 않을 수 있다. 제2 색변환물질층(273b)은 빛에 노출된 부분이 현상 후 남게 되는 네거티브(negative) 타입일 수 있다.Here, the second color conversion material layer 273b may include a photosensitive material, and the second color filter material layer 273a may not include a photosensitive material. The second color conversion material layer 273b may be of a negative type in which a portion exposed to light remains after development.

이와 달리, 제2 색변환물질층(273b)의 감광성 물질은 빛에 노출된 부분이 현상 후 제거되는 포지티브(positive) 타입일 수도 있다.Alternatively, the photosensitive material of the second color conversion material layer 273b may be of a positive type in which a portion exposed to light is removed after development.

한편, 제2 컬러필터물질층(273a)은 감광성 물질을 포함할 수도 있다. 이때, 제2 컬러필터물질층(273a)과 제2 색변환물질층(273b)은 동일한 타입인 것이 바람직하다. 즉, 제2 색변환물질층(273a)이 네거티브 타입일 경우, 제2 컬러필터물질층(273a)도 네거티브 타입이고, 제2 색변환물질층(273a)이 포지티브 타입일 경우, 제2 컬러필터물질층(273a)도 포지티브 타입인 것이 바람직하다. On the other hand, the second color filter material layer 273a may include a photosensitive material. At this time, it is preferable that the second color filter material layer 273a and the second color conversion material layer 273b are the same type. That is, when the second color conversion material layer 273a is a negative type, the second color filter material layer 273a is also a negative type, and when the second color conversion material layer 273a is a positive type, The material layer 273a is also preferably a positive type.

다음, 제2 색변환물질층(273b) 상부에 투과부(TA)와 반사부(BA)를 포함하는 제2 마스크(294)를 배치하고, 제2 마스크(294)를 통해 제2 색변환물질층(273b)을 노광한다. Next, a second mask 294 including a transmissive portion TA and a reflective portion BA is disposed on the second color conversion material layer 273b, and a second color conversion material layer The exposed portion 273b is exposed.

다음, 도 4f에 도시한 바와 같이, 제2 색변환물질층(도 4e의 273b)을 현상하여 빛에 노출되지 않은 부분을 제거함으로써, 제2 부화소 영역의 제2 컬러필터물질층(273a) 상부에 제2 색변환패턴(274b)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4F, by developing the second color conversion material layer (273b in FIG. 4E) to remove the portion not exposed to light, the second color filter material layer 273a of the second sub- And a second color conversion pattern 274b is formed on the upper portion.

다음, 도 4g에 도시한 바와 같이, 제2 색변환패턴(274b)을 식각 마스크로 제2 컬러필터물질층(도 4f의 273a)을 패터닝함으로써, 제2 부화소 영역의 제2 색변환패턴(274b) 하부에 제2 컬러필터패턴(274a)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4G, the second color conversion material pattern (273a in FIG. 4F) is patterned by using the second color conversion pattern 274b as an etching mask to form the second color conversion pattern A second color filter pattern 274a is formed under the first color filter pattern 274a.

이때, 제2 컬러필터패턴(274a)의 측면과 제2 색변환패턴(274b)의 측면은 동일선상에 놓일 수 있다. At this time, the side surface of the second color filter pattern 274a and the side surface of the second color conversion pattern 274b may be collinear.

이어, 제2 컬러필터패턴(274a)과 제2 색변환패턴(274b)을 6차 경화한다. 이때, 6차 경화 온도는 4차 및 5차 경화 온도보다 높은 것이 바람직하다. 또한, 6차 경화 온도는 3차 경화 온도와 같을 수 있다. Next, the second color filter pattern 274a and the second color conversion pattern 274b are sixtharily cured. At this time, the sixth curing temperature is preferably higher than the fourth and fifth curing temperatures. The sixth curing temperature may be the same as the third curing temperature.

여기서, 제2 컬러필터패턴(274a)과 제2 색변환패턴(274b)은 제2 컬러필터(274)를 이룬다. 제2 컬러필터(274)는 녹색 컬러필터일 수 있으며, 제2 컬러필터패턴(274a)은 녹색 컬러필터물질을 포함하고, 제2 색변환패턴(274b)은 황색변환물질을 포함할 수 있다.Here, the second color filter pattern 274a and the second color conversion pattern 274b constitute the second color filter 274. The second color filter 274 may be a green color filter, the second color filter pattern 274a may include a green color filter material, and the second color conversion pattern 274b may include a yellow conversion material.

다음, 도 4h에 도시한 바와 같이, 제1 컬러필터(272)와 제2 컬러필터(274) 및 블랙매트릭스(262) 상부에 제3 컬러필터물질을 도포하고 이를 7차 경화하여 제3 컬러필터물질층(도시하지 않음)을 형성한다. 제3 컬러필터물질층은 감광성 물질을 포함할 수 있다. Next, as shown in FIG. 4H, a third color filter material is applied to the first color filter 272, the second color filter 274, and the black matrix 262, To form a material layer (not shown). The third color filter material layer may comprise a photosensitive material.

이어, 마스크(도시하지 않음)를 통해 제3 컬러필터물질층을 노광하고 현상하여 제3 부화소 영역에 제3 컬러필터패턴(276)을 형성한다. 다음, 제3 컬러필터패턴(276)을 8차 경화한다. Then, a third color filter material layer is exposed and developed through a mask (not shown) to form a third color filter pattern 276 in the third sub-pixel region. Next, the third color filter pattern 276 is eightharily cured.

8차 경화 온도는 7차 경화 온도보다 높은 것이 바람직하다. The eighth curing temperature is preferably higher than the seventh curing temperature.

제3 컬러필터패턴(276)은 제3 컬러필터를 이룬다.The third color filter pattern 276 forms a third color filter.

다음, 도 4i에 도시한 바와 같이, 제1, 제2, 제3 컬러필터(272, 274, 276)와 블랙매트릭스(262) 상부의 기판 전면에 투명한 절연막을 도포하여 표면이 평탄한 오버코트층(280)을 형성한다. 제4 부화소 영역에 위치하는 오버코트층(280)은 백색 컬러필터의 기능을 한다.Next, as shown in FIG. 4I, a transparent insulating film is applied to the entire surface of the first, second, and third color filters 272, 274, and 276 and the black matrix 262 to form an overcoat layer 280 having a flat surface ). The overcoat layer 280 located in the fourth sub-pixel region functions as a white color filter.

오버코트층(280)은 아크릴을 포함할 수 있다.The overcoat layer 280 may comprise acrylic.

이러한 방법으로 제조된 제1, 제2, 제3 컬러필터(272, 274, 276)를 포함하는 기판(250)을 도 3의 박막 트랜지스터(T) 및 유기발광다이오드(De)가 형성된 제1기판(210)과 합착함으로써, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 완성할 수 있다.The substrate 250 including the first, second and third color filters 272, 274 and 276 manufactured in this way is referred to as a thin film transistor T and a first substrate 210 on which the organic light emitting diode De is formed, The organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention can be completed.

이와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치에서는, 제1 컬러필터(272)의 제1 컬러필터패턴(272a)과 제1 색변환패턴(272b)을 제1 마스크(도 4b의 292)를 통해 노광 후 현상하여 패터닝하고, 제2 컬러필터(274)의 제2 컬러필터패턴(274b)과 제2 색변환패턴(274b)을 제2 마스크(도 4e의 294)를 통해 노광 후 현상하여 패터닝함으로써, 사용되는 마스크 수를 줄일 수 있으며, 경화 공정도 줄어들어 공정 수를 감소시킬 수 있다. 또한, 공정 시간을 단축하고 비용을 줄일 수 있다. As described above, in the organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention, the first color filter pattern 272a of the first color filter 272 and the first color conversion pattern 272b are formed in the first mask The second color filter pattern 274b and the second color conversion pattern 274b of the second color filter 274 are patterned through the second mask 294 in FIG. By performing post-exposure development and patterning, the number of masks to be used can be reduced, and the number of process steps can be reduced by reducing the curing process. In addition, the process time can be shortened and the cost can be reduced.

앞선 제1실시예에 따른 도 4a 내지 도 4i의 제조 공정은 상부발광방식 유기발광다이오드 표시장치에 적용되는 것으로 설명하였으나, 도 4a 내지 도 4i의 제조 공정은 하부발광방식 유기발광다이오드 표시장치에도 적용될 수 있다. 이에 대해 도면을 참조하여 설명한다.Although the fabrication process of FIGS. 4A to 4I according to the first embodiment is described as being applied to the top emission type organic light emitting diode display device, the manufacturing process of FIGS. 4A to 4I may be applied to the bottom emission type organic light emitting diode display device . This will be described with reference to the drawings.

-제2실시예-- Second Embodiment -

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 단면도로, 한 화소(pixel)에 대응하는 영역을 도시하며, 한 화소는 적, 녹, 청, 백색 부화소(sub pixel)에 각각 대응하는 화소영역들을 포함한다.FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention, showing a region corresponding to one pixel, and one pixel is a red, green, blue, and pixel regions corresponding to sub pixels.

도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 제1기판(510), 박막트랜지스터(T), 보호막(520), 컬러필터층(530), 오버코트층(540), 유기발광다이오드(De), 봉지층(sealing layer, 560), 그리고 제2기판(570)을 포함한다.5, the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 510, a thin film transistor T, a protective layer 520, a color filter layer 530, an overcoat layer 540, , An organic light emitting diode (De), a sealing layer (560), and a second substrate (570).

이때, 제1기판(510)과 제2기판(570)은 서로 대향되게 배치되고, 제1기판(510)은 투명한 재질로 이루어져 제1기판(510)을 통해 외부로 빛을 방출하는 하부 발광 방식(bottom emission type) 유기발광다이오드 표시장치일 수 있다. 예를 들어, 제1기판(510)은 유리나 플라스틱 등으로 형성될 수 있다.The first substrate 510 and the second substrate 570 are opposed to each other. The first substrate 510 is made of a transparent material, and the first substrate 510 and the second substrate 570 emit light to the outside through the first substrate 510. (bottom emission type) organic light emitting diode display device. For example, the first substrate 510 may be formed of glass, plastic, or the like.

그리고, 제1기판(510) 상부에는 화소영역 마다 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다. 박막트랜지스터(T)는 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함하며, 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터 각각은 게이트 전극과 반도체층, 소스 및 드레인 전극을 포함한다. A thin film transistor T is formed on the first substrate 510 in each pixel region. The thin film transistor T includes a switching thin film transistor and a driving thin film transistor, and each of the switching thin film transistor and the driving thin film transistor includes a gate electrode, a semiconductor layer, and a source and a drain electrode.

또한, 도시하지 않았지만, 제1기판(510) 상부에는 스위칭 박막트랜지스터와 연결되는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되며, 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터에 연결되는 스토리지 커패시터가 형성된다.Although not shown, a gate wiring and a data wiring connected to the switching thin film transistor are formed on the first substrate 510, and a storage capacitor connected to the switching thin film transistor and the driving thin film transistor is formed.

박막트랜지스터(T) 상부에는 보호막(520)이 형성되어 박막트랜지스터(T)를 덮는다. A protective film 520 is formed on the thin film transistor T to cover the thin film transistor T.

보호막(520) 상부에는 컬러필터층(530)이 형성된다. 컬러필터층(530)은 적, 녹, 청색 부화소에 각각 대응하는 적, 녹, 청색 컬러필터(532, 534, 536)를 포함하며, 적색 컬러필터(532)는 적색 컬러필터패턴(532a)과 제1 색변환패턴(532b)을 포함하고, 녹색 컬러필터(534)는 녹색 컬러필터패턴(534a)과 제2 색변환패턴(534b)을 포함한다. 청색 컬러필터(536)는 청색 컬러필터패턴만을 포함한다.A color filter layer 530 is formed on the passivation layer 520. The color filter layer 530 includes red, green and blue color filters 532, 534 and 536 respectively corresponding to red, green and blue subpixels and the red color filter 532 includes red color filter patterns 532a and 532b. And a green color filter 534 includes a green color filter pattern 534a and a second color conversion pattern 534b. The blue color filter 536 includes only a blue color filter pattern.

제1 색변환패턴(532b)과 제2 색변환패턴(534b)은, 흡광과 발광의 특성을 가지며 단파장의 빛을 흡수한 후 장파장의 빛으로 쉬프트(shift)하여 발광하는 색변환물질(color conversion material)을 포함한다. 여기서, 제1 색변환패턴(532b)은 청색광 또는 청색 및 녹색의 혼합광을 흡수하여 적색광을 발광하는 색변환물질을 포함하고, 제2 색변환패턴(534b)은 청색광을 흡수하여 황색광을 발광하는 색변환물질을 포함한다. 이때, 제1 색변환패턴(532b)은 황색변환물질 및 적색변환물질을 포함할 수 있고, 제2 색변환패턴(534b)은 황색변환물질을 포함할 수 있다. The first color conversion pattern 532b and the second color conversion pattern 534b have characteristics of light absorbing and luminescence and are formed by absorbing light of a short wavelength and then shifting to light of a long wavelength, material. Here, the first color conversion pattern 532b includes a color conversion material that absorbs blue light or mixed light of blue and green to emit red light, and the second color conversion pattern 534b absorbs blue light to emit yellow light Color conversion material. In this case, the first color conversion pattern 532b may include a yellow conversion material and the red conversion material, and the second color conversion pattern 534b may include a yellow conversion material.

이러한 색변환물질은 레일리 산란(Rayleigh scattering)을 유발하지 않는 나노미터 크기를 가지며, 패터닝 공정을 위해 성막 후 우수한 광특성을 보이는, 즉, 피크(peak) 파장과 강도(intensity)가 높은 형광염료(fluorescent dye)인 것이 바람직하다. 일례로, 황색변환물질로는 쿠마린(coumarin) 계열의 형광 염료가 사용되고, 적색변환물질로는 페릴린(perylene) 계열의 형광염료가 사용될 수 있다. Such a color conversion material has a nanometer size that does not cause Rayleigh scattering and has excellent optical characteristics after film formation for the patterning process, that is, a fluorescent dye having a high peak wavelength and intensity fluorescent dye. For example, coumarin-based fluorescent dyes may be used as the yellow conversion material and perylene-based fluorescent dyes may be used as the red conversion material.

여기서, 제1 및 제2 색변환패턴(532b, 534b)의 두께는 약 2 내지 3 마이크로미터이고, 적, 녹, 청색 컬러필터패턴(532a, 534a, 536)의 두께는 약 2 내지 5 마이크로미터일 수 있다. The thickness of the first and second color conversion patterns 532b and 534b is about 2 to 3 micrometers and the thickness of the red, green and blue color filter patterns 532a, 534a, and 536 is about 2 to 5 micrometers Lt; / RTI >

이러한 적, 녹, 청색 컬러필터(532, 534, 536)는 도 4b 내지 도 4h의 단계를 통해 형성될 수 있다. These red, green, and blue color filters 532, 534, and 536 may be formed through the steps of FIGS. 4B to 4H.

도시하지 않았지만, 보호층(520) 상부에는, 각 화소영역의 경계에 대응하며 적, 녹, 청색 컬러필터(532, 534, 536) 각각을 둘러싸는 블랙매트릭스가 형성될 수 있다. Although not shown, a black matrix may be formed on the protective layer 520 to surround each of the red, green, and blue color filters 532, 534, and 536 corresponding to the boundaries of the respective pixel regions.

한편, 컬러필터층(530) 상부에는 오버코트층(540)이 형성된다. 오버코트층(540)은 평탄한 표면을 가지며 컬러필터층(530)을 덮어 보호한다. 여기서, 백색 부화소에 대응하는 화소영역에는 컬러필터층이 형성되지 않으므로, 백색 부화소에 대응하는 화소영역에는 오버코트층(540)만이 위치한다. On the other hand, an overcoat layer 540 is formed on the color filter layer 530. The overcoat layer 540 has a flat surface and covers and protects the color filter layer 530. Here, since no color filter layer is formed in the pixel region corresponding to the white sub-pixel, only the overcoat layer 540 is located in the pixel region corresponding to the white sub-pixel.

오버코트층(540) 상부에는 제1전극(552)과 유기발광층(554) 및 제2전극(556)을 포함하는 유기발광다이오드(De)가 형성된다. The organic light emitting diode De including the first electrode 552 and the organic light emitting layer 554 and the second electrode 556 is formed on the overcoat layer 540. [

이때, 제1전극(552)은 양극(anode)으로 비교적 일함수가 큰 도전성 물질로 형성되고, 제2전극(556)은 음극(cathode)으로 비교적 일함수가 작은 도전성 물질로 형성된다. 일례로, 제1전극(552)은 인듐-틴-옥사이드(indium tin oxide: ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium zinc oxide: IZO)와 같은 투명도전성 물질로 형성될 수 있다. 제2전극(554)은 반사 특성을 가지고 있거나 불투명한 금속물질로 형성될 수 있다. 이 경우, 유기발광층(554)에서 발광된 빛은 제1전극(552) 및 제1기판(510)을 통해 외부로 방출된다.In this case, the first electrode 552 is formed of a conductive material having a relatively large work function as an anode, and the second electrode 556 is formed of a conductive material having a relatively small work function as a cathode. For example, the first electrode 552 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The second electrode 554 may have a reflective characteristic or may be formed of an opaque metal material. In this case, the light emitted from the organic light emitting layer 554 is emitted to the outside through the first electrode 552 and the first substrate 510.

도시하지 않았지만, 제1전극(552)은 각 화소영역마다 패턴되어 박막트랜지스터(T)와 연결되며, 제2전극(556)은 제1기판(510) 전면에 형성된다. Although not shown, the first electrode 552 is patterned for each pixel region and connected to the thin film transistor T, and the second electrode 556 is formed on the entire surface of the first substrate 510.

유기발광층(554)은 제1전극(552)과 제2전극(556)사이에 위치하는데, 제1전극(552) 상부로부터 정공수송층(hole transporting layer)과, 발광물질층(light-emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 순으로 적층된 다중층 구조를 가질 수 있으며, 정공수송층 하부의 정공주입층(hole injecting layer)과 전자수송층 상부의 전자주입층(electron injecting layer)을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting layer 554 is disposed between the first electrode 552 and the second electrode 556 and includes a hole transporting layer and a light emitting material layer ) And an electron transporting layer (hereinafter referred to as an electron transporting layer), and may further include a hole injecting layer below the hole transporting layer and an electron injecting layer above the electron transporting layer .

이러한 유기발광층(554)에서 발광되는 빛은 황색-녹색(yellow-green) 파장 대역 520~590nm의 빛과 청색(blue) 파장 대역 430~490nm의 빛을 포함한다. 따라서, 황색-녹색(yellow-green) 파장 대역 520~590nm의 빛과 청색(blue) 파장 대역 430~490nm의 빛이 혼합되어 백색광이 외부로 방출된다.The light emitted from the organic light emitting layer 554 includes light in a yellow-green wavelength band of 520 to 590 nm and light in a blue wavelength band of 430 to 490 nm. Accordingly, the light in the yellow-green wavelength band 520 to 590 nm and the light in the blue wavelength band 430 to 490 nm are mixed to emit the white light to the outside.

한편, 유기발광다이오드(De) 상부에는 외부로부터의 수분이나 산소로부터 유기발광다이오드(De)를 보호하기 위한 봉지층(560)이 형성되고, 봉지층(560) 상부에 제2기판(570)이 위치하여, 유기발광다이오드 표시장치는 인캡슐레이션 된다. 봉지층(560)은 자외선 경화 실런트(UV sealant)나 프릿 실런트(frit sealant)이거나 또는 무기막과 유기막이 번갈아 적층된 구조를 가질 수 있다.A sealing layer 560 is formed on the organic light emitting diode De to protect the organic light emitting diode De from moisture and oxygen from the outside and a second substrate 570 is formed on the sealing layer 560 And the organic light emitting diode display device is encapsulated. The sealing layer 560 may be a UV sealant or a frit sealant or alternatively may have a structure in which an inorganic film and an organic film are alternately laminated.

이때, 제2기판(570)은 불투명한 재질로 이루어질 수 있으며, 일례로, 불투명한 유리 또는 플라스틱으로 형성될 수 있다.At this time, the second substrate 570 may be made of opaque material, for example, opaque glass or plastic.

본 발명의 제2실시예에서는, 적, 녹, 청색 컬러필터(532, 534, 535) 및 오버코트층(540)이 박막트랜지스터(T) 상부에 형성되는 구조를 설명하였으나, 적, 녹, 청색 컬러필터(532, 534, 535) 및 오버코트층(540)은 박막트랜지스터(T) 하부에 형성될 수도 있다. In the second embodiment of the present invention, the red, green, and blue color filters 532, 534, and 535 and the overcoat layer 540 are formed on the thin film transistor T. However, The filters 532, 534 and 535 and the overcoat layer 540 may be formed under the thin film transistor T. [

이와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 하부발광방식 유기발광다이오드 표시장치는 적색 컬러필터(572)와 녹색 컬러필터(574)가 컬러필터패턴(572a, 572b)과 색변환패턴(572b, 574b)을 포함하여, 색순도를 높여 색재현율을 증가시키고, 광효율을 높일 수 있다.As described above, in the bottom emission type organic light emitting diode display device according to the second embodiment of the present invention, the red color filter 572 and the green color filter 574 are disposed between the color filter patterns 572a and 572b and the color conversion patterns 572b, 574b to increase the color purity, increase the color purity, and increase the light efficiency.

또한, 제1 컬러필터(572)의 제1 컬러필터패턴(572a)과 제1 색변환패턴(572b)을 제1 마스크를 통해 노광 후 현상하여 패터닝하고, 제2 컬러필터(574)의 제2 컬러필터패턴(574b)과 제2 색변환패턴(574b)을 제2 마스크를 통해 노광 후 현상하여 패터닝함으로써, 사용되는 마스크 수를 줄일 수 있으며, 경화 공정도 줄어들어 공정 수를 감소시킬 수 있다. 또한, 공정 시간을 단축하고 비용을 줄일 수 있다.The first color filter pattern 572a and the first color conversion pattern 572b of the first color filter 572 are exposed through a first mask and then developed and patterned to form a second color filter pattern 572a, By patterning the color filter pattern 574b and the second color conversion pattern 574b through the second mask after exposure, the number of masks used can be reduced, and the number of processes can be reduced by reducing the number of curing processes. In addition, the process time can be shortened and the cost can be reduced.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. And changes may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

210: 제1기판 T: 박막트랜지스터
220: 보호막 De: 유기발광다이오드
232: 제1전극 234: 유기발광층
236: 제2전극 240: 봉지층
250: 제2기판 262: 블랙매트릭스
270: 컬러필터층 272: 적색 컬러필터
272a: 적색 컬러필터패턴 272b: 제1 색변환패턴
274: 녹색 컬러필터 274a: 녹색 컬러필터패턴
274b: 제2 색변환패턴 276: 청색 컬러필터
280: 오버코트층210: first substrate T: thin film transistor
220: protective film De: organic light emitting diode
232: first electrode 234: organic light emitting layer
236: second electrode 240: sealing layer
250: second substrate 262: black matrix
270: color filter layer 272: red color filter
272a: red color filter pattern 272b: first color conversion pattern
274: Green color filter 274a: Green color filter pattern
274b: second color conversion pattern 276: blue color filter
280: Overcoat layer

Claims (11)

제1, 제2, 제3 부화소 영역이 정의된 기판 전면에 제1 컬러필터물질층을 형성하는 단계와;
상기 제1 컬러필터물질층 상부의 상기 기판 전면에 제1 색변환물질층을 형성하는 단계와;
제1 마스크를 이용한 사진식각공정을 통해 상기 제1 색변환물질층과 상기 제1 컬러필터물질층을 패터닝하여 상기 제1 부화소 영역에 제1 컬러필터패턴과 제1 색변환패턴을 포함하는 제1 컬러필터를 형성하는 단계와;
상기 제1 색변환패턴 상부의 상기 기판 전면에 제2 컬러필터물질층을 형성하는 단계와;
상기 제2 컬러필터물질층 상부의 상기 기판 전면에 제2 색변환물질층을 형성하는 단계와;
제2 마스크를 이용한 사진식각공정을 통해 상기 제2 색변환물질층과 상기 제2 컬러필터물질층을 패터닝하여 상기 제2 부화소 영역에 제2 컬러필터패턴과 제2 색변환패턴을 포함하는 제2 컬러필터를 형성하는 단계와;
상기 제3 부화소 영역에 제3 컬러필터를 형성하는 단계
를 포함하며,
상기 제1 색변환물질층과 상기 제2 색변환물질층 각각은 감광성 물질을 포함하고, 상기 제1 컬러필터물질층과 상기 제2 컬러필터물질층 각각은 감광성 물질을 포함하지 않으며,
상기 제1 컬러필터를 형성하는 단계는, 상기 제1 색변환물질층을 패터닝하는 단계와, 패터닝된 상기 제1 색변환물질층을 식각 마스크로 상기 제1 컬러필터물질층을 패터닝하는 단계를 포함하고,
상기 제2 컬러필터를 형성하는 단계는, 상기 제2 색변환물질층을 패터닝하는 단계와, 패터닝된 상기 제2 색변환물질층을 식각 마스크로 상기 제2 컬러필터물질층을 패터닝하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법.

Forming a first color filter material layer on the entire surface of the substrate where the first, second, and third sub-pixel regions are defined;
Forming a first color conversion material layer over the entire surface of the substrate above the first color filter material layer;
Patterning the first color conversion material layer and the first color filter material layer through a photolithography process using a first mask to form a first color filter pattern and a first color conversion pattern in the first sub- 1 color filter;
Forming a second color filter material layer over the entire surface of the substrate above the first color conversion pattern;
Forming a second color conversion material layer over the entire surface of the substrate above the second color filter material layer;
Patterning the second color conversion material layer and the second color filter material layer through a photolithography process using a second mask to form a second color filter pattern and a second color conversion pattern in the second sub- Forming a two-color filter;
Forming a third color filter in the third sub-pixel region
/ RTI >
Wherein each of the first color conversion material layer and the second color conversion material layer comprises a photosensitive material and wherein each of the first color filter material layer and the second color filter material layer does not include a photosensitive material,
Wherein forming the first color filter includes patterning the first color conversion material layer and patterning the first color conversion material layer with the patterned first color conversion material layer as an etch mask and,
Wherein forming the second color filter includes patterning the second color conversion material layer and patterning the second color conversion material layer with the patterned second color conversion material layer as an etch mask Wherein the organic light emitting diode display device comprises a plurality of organic light emitting diodes.

삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 컬러필터물질층을 형성하는 단계는 제1 컬러필터물질을 도포하고 1차 경화하는 단계를 포함하고,
상기 제1 색변환물질층을 형성하는 단계는 제1 색변환물질을 도포하고 2차 경화하는 단계를 포함하며,
상기 제1 컬러필터를 형성하는 단계는 상기 제1 컬러필터패턴과 제1 색변환패턴을 3차 경화하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the first color filter material layer comprises applying and first curing the first color filter material,
Wherein forming the first color conversion material layer comprises applying and secondary curing the first color conversion material,
Wherein the forming of the first color filter includes a third curing of the first color filter pattern and the first color conversion pattern.
제4항에 있어서,
상기 제2 컬러필터물질층을 형성하는 단계는 제2 컬러필터물질을 도포하고 4차 경화하는 단계를 포함하고,
상기 제2 색변환물질층을 형성하는 단계는 제2 색변환물질을 도포하고 5차 경화하는 단계를 포함하며,
상기 제2 컬러필터를 형성하는 단계는 상기 제2 컬러필터패턴과 제2 색변환패턴을 6차 경화하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein forming the second color filter material layer comprises applying and quadrupling the second color filter material,
Wherein forming the second color conversion material layer comprises applying a fifth color conversion material and curing the fifth color conversion material,
Wherein the forming of the second color filter includes a sixth step of curing the second color filter pattern and the second color conversion pattern.
제1항에 있어서,
상기 제1, 제2, 제3 컬러필터는 각각 적, 녹, 청색 컬러필터이며,
상기 제1 색변환물질층은 청색광 또는 청색 및 녹색의 혼합광을 흡수하여 적색광을 발광하는 제1 색변환물질을 포함하고,
상기 제2 색변환물질층은 청색광을 흡수하여 황색광을 발광하는 제2 색변환물질을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법.
The method according to claim 1,
The first, second, and third color filters are respectively red, green, and blue color filters,
Wherein the first color conversion material layer comprises a first color conversion material that absorbs blue light or mixed light of blue and green to emit red light,
Wherein the second color conversion material layer comprises a second color conversion material that absorbs blue light and emits yellow light.
제1항과 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
대향 기판 상의 상기 제1, 제2, 제3 부화소 영역 각각에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 박막트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 형성하는 단계와;
상기 유기발광다이오드를 포함하는 상기 대향 기판과 상기 제1, 제2, 제3 컬러필터를 포함하는 상기 기판을 합착하는 단계
를 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Forming thin film transistors in each of the first, second, and third sub-pixel regions on the counter substrate;
Forming an organic light emitting diode connected to the thin film transistor;
A step of bonding the counter substrate including the organic light emitting diode and the substrate including the first, second and third color filters
Wherein the organic light emitting diode display device further comprises:
제1항과 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 상의 상기 제1, 제2, 제3 부화소 영역 각각에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 박막트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 형성하는 단계
를 더 포함하고,
상기 제1, 제2, 제3 컬러필터가 상기 박막트랜지스터와 상기 유기발광다이오드 사이에 위치하거나, 상기 박막트랜지스터가 상기 제1, 제2, 제3 컬러필터와 상기 유기발광다이오드 사이에 위치하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Forming thin film transistors in each of the first, second, and third sub-pixel regions on the substrate;
Forming an organic light emitting diode connected to the thin film transistor
Further comprising:
Wherein the first, second, and third color filters are located between the thin film transistor and the organic light emitting diode, or wherein the thin film transistor is disposed between the first, second, and third color filters and the organic light emitting diode. A method of manufacturing a light emitting diode display device.
제1, 제2, 제3 부화소 영역이 정의된 기판과;
상기 기판 상의 제1 부화소 영역에 위치하며 제1 컬러필터패턴과 제1 색변환패턴을 포함하는 제1 컬러필터와;
상기 기판 상의 제2 부화소 영역에 위치하며 제2 컬러필터패턴과 제2 색변환패턴을 포함하는 제2 컬러필터와;
상기 기판 상의 제3 부화소 영역에 위치하며 제3 컬러필터패턴을 포함하는 제3 컬러필터
를 포함하고,
상기 제1 컬러필터패턴의 측면은 상기 제1 색변환패턴의 측면과 동일 선상에 놓이며, 상기 제2 컬러필터패턴의 측면은 상기 제2 색변환패턴의 측면과 동일 선상에 놓이고,
상기 제1 색변환패턴과 상기 제2 색변환패턴 각각은 감광성 물질을 포함하고, 상기 제1 컬러필터패턴과 상기 제2 컬러필터패턴 각각은 감광성 물질을 포함하지 않는 유기발광다이오드 표시장치.


A substrate on which first, second, and third sub-pixel regions are defined;
A first color filter located in a first sub-pixel region on the substrate and including a first color filter pattern and a first color conversion pattern;
A second color filter located in a second sub-pixel region on the substrate and including a second color filter pattern and a second color conversion pattern;
And a third color filter located in the third sub-pixel region on the substrate and including a third color filter pattern
Lt; / RTI >
Wherein a side surface of the first color filter pattern is co-linear with a side surface of the first color conversion pattern, a side surface of the second color filter pattern is co-linear with a side surface of the second color conversion pattern,
Wherein each of the first color conversion pattern and the second color conversion pattern includes a photosensitive material, and each of the first color filter pattern and the second color filter pattern does not include a photosensitive material.


삭제delete 삭제delete
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