KR20200058705A - Photomask for preventing static electricity, having chemical resistance and high transmittance, and method for manufaturing the same - Google Patents

Photomask for preventing static electricity, having chemical resistance and high transmittance, and method for manufaturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20200058705A
KR20200058705A KR1020180143140A KR20180143140A KR20200058705A KR 20200058705 A KR20200058705 A KR 20200058705A KR 1020180143140 A KR1020180143140 A KR 1020180143140A KR 20180143140 A KR20180143140 A KR 20180143140A KR 20200058705 A KR20200058705 A KR 20200058705A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide layer
metal oxide
transparent metal
photomask
chromium
Prior art date
Application number
KR1020180143140A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102120819B1 (en
Inventor
백우성
이상문
정종국
김시범
변나은
박준영
박중철
송형찬
인장식
진병규
권아현
양대열
Original Assignee
주식회사 셀코스
(주)네프코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 셀코스, (주)네프코 filed Critical 주식회사 셀코스
Priority to KR1020180143140A priority Critical patent/KR102120819B1/en
Publication of KR20200058705A publication Critical patent/KR20200058705A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102120819B1 publication Critical patent/KR102120819B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/053—Oxides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0543—13th Group
    • H01L2924/05432—Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/053—Oxides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0544—14th Group
    • H01L2924/05442—SiO2

Abstract

Disclosed are a photomask which is formed with a glass substrate and a metal pattern formed on one surface of the glass substrate and is used for a contact type photolithography process, and a manufacturing method thereof. The metal pattern of the photomask comprises: a chrome layer formed on an upper surface of a glass substrate; an oxide chrome layer formed on an upper surface of the chrome layer; a first transparent metal oxide layer formed on an upper surface of the oxide chrome layer and on the exposed glass substrate; and a second transparent metal oxide layer formed on an upper surface of the first transparent metal oxide layer. The first transparent metal oxide layer is formed of a metal oxide having conductivity, and the second transparent metal oxide layer is formed of the metal oxide having chemical resistance.

Description

내화학성 및 고투과율을 가지는 대전방지 포토마스크 및 그 제조방법{PHOTOMASK FOR PREVENTING STATIC ELECTRICITY, HAVING CHEMICAL RESISTANCE AND HIGH TRANSMITTANCE, AND METHOD FOR MANUFATURING THE SAME}Antistatic photomask with chemical resistance and high transmittance and its manufacturing method {PHOTOMASK FOR PREVENTING STATIC ELECTRICITY, HAVING CHEMICAL RESISTANCE AND HIGH TRANSMITTANCE, AND METHOD FOR MANUFATURING THE SAME}

본 발명은 내화학성 및 고투과율을 가지는 대전방지 포토마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 접촉식 포토리소그래피 공정에서 정전기를 방지하고, 포토마스크 세정 시 내화학성을 가짐에 따라 전도성 투명금속산화물층의 손상을 방지하는 포토마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an antistatic photomask having chemical resistance and high transmittance and a method for manufacturing the same, and more specifically, to prevent static electricity in a contact photolithography process, and to have a conductive transparent metal as it has chemical resistance when cleaning the photomask The present invention relates to a photomask for preventing damage to an oxide layer and a method for manufacturing the same.

일반적으로 포토마스크는 빛을 이용하여 회로 등의 패턴을 패터닝화하는 포토리소그래피 공정에 사용되고 있다. 이러한 포토마스크는 반도체나 디스플레이용 패널을 포함하는 고도의 정밀성을 요구하는 전자장치의 제조에 사용되며, 통상 감광액(포토레지스트)이 입혀진 웨이퍼나 스테인리스, 디스플레이 패널용 글래스 기판 위에 노광공정을 통해서 회로패턴이 형성되게 한다.In general, photomasks are used in photolithography processes that pattern patterns such as circuits using light. These photomasks are used in the manufacture of electronic devices that require a high degree of precision, including semiconductors or display panels, and are typically used for photolithography (photoresist) coated wafers, stainless steel, and circuit board circuit patterns through exposure processes. Let it form.

이러한 포토마스크로는 통상 에멀전마스크 또는 크롬마스크가 사용되고 때로는 마스크용 필름과 유리기판을 접 합한 것을 사용하기도 하는데, 포토마스크를 포토마스크지그 등에 고정시킨 후 노광공정에 의한 회로패턴이 형성되게 한다.An emulsion mask or a chrome mask is usually used as the photomask, and sometimes a mask film and a glass substrate are used. The photomask is fixed to a photomask jig or the like, and a circuit pattern is formed by an exposure process.

한편, 접촉식 포토리소그래피 공정에 사용하는 포토마스크의 경우 정전기 방전(ESD, Electro-Static Discharge)이 주요 손상 원인 중 하나이다.Meanwhile, in the case of a photomask used in a contact photolithography process, electro-static discharge (ESD) is one of the main causes of damage.

종래의 포토마스크를 사용하는 접촉식 포토리소그래피 공정에 있어 포토마스크와 제품 간의 지속적인 탈부착이 반복되기 때문에 포토마스크 상부에 위치한 금속 패턴에 정전기 전하가 발생 및 축적된다. 이 경우 포토마스크에 축적된 정전기가 표면 항복 전압을 초과할 경우 금속 패턴이 용융되거나 기화되어 포토마스크 패턴이 손상되는 문제가 있었다.In a contact photolithography process using a conventional photomask, electrostatic charges are generated and accumulated in a metal pattern located on the top of the photomask because of continuous desorption between the photomask and the product. In this case, when the static electricity accumulated in the photomask exceeded the surface breakdown voltage, there was a problem in that the metalmask was melted or vaporized, thereby damaging the photomask pattern.

본 발명의 목적은 접촉식 포토리소그래피 공정 중 포토마스크의 탈부착이나 작업 환경에 기인하여 발생하는 정전기로부터 포토마스크의 손상을 최소화하고, 고투과율을 가짐으로써 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 포토마스크 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to minimize the damage to the photomask from static electricity generated due to the detachment of the photomask or the working environment during the contact-type photolithography process, and to have a high transmittance, thereby improving the reliability of the product and the photomask. It is to provide a manufacturing method.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 글래스 기판과 상기 글래스 기판의 일면에 형성된 금속 패턴이 형성되며, 접촉식 포토리소그래피 공정에 사용하는 포토마스크에 있어서, 상기 금속 패턴은, 상기 글래스 기판의 상면에 형성된 크롬층; 상기 크롬층의 상면에 형성된 산화 크롬층; 상기 산화 크롬층 상면과 상기 노출된 글래스 기판에 형성된 제1 투명금속산화물층; 및 상기 제1 투명금속산화물층의 상면에 형성된 제2 투명금속산화물층;을 포함하며, 상기 제1 투명금속산화물층은 전도성을 가지는 금속산화물로 이루어지고, 상기 제2 투명금속산화물층은 내화학성을 가지는 금속산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is formed of a glass substrate and a metal pattern formed on one surface of the glass substrate, and in a photomask used in a contact photolithography process, the metal pattern is formed on an upper surface of the glass substrate. Chromium layer; A chromium oxide layer formed on an upper surface of the chromium layer; A first transparent metal oxide layer formed on the upper surface of the chromium oxide layer and the exposed glass substrate; And a second transparent metal oxide layer formed on an upper surface of the first transparent metal oxide layer, wherein the first transparent metal oxide layer is made of a conductive metal oxide, and the second transparent metal oxide layer is chemical resistant. It provides a photomask comprising a metal oxide having a.

상기 제1 투명금속산화물층은 ITO(Indium tin oxide), AZO(Aluminium doped-zinc oxide) 및 IZO(Zinc oxide-doped indium oxide) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The first transparent metal oxide layer may be made of any one of indium tin oxide (ITO), aluminum doped-zinc oxide (AZO), and zinc oxide-doped indium oxide (IZO).

상기 제2 투명금속산화물층은 SiO2 또는 Al2O3로 이루어질 수 있고, 두께는 60nm~100nm일 수 있다.The second transparent metal oxide layer may be made of SiO 2 or Al 2 O 3 , and the thickness may be 60 nm to 100 nm.

상기 글래스 기판의 두께는 1.6~13mm이고, 상기 크롬층의 두께는 90nm~100nm이고, 상기 산화 크롬층의 두께는 10nm~20nm이고, 상기 제1 투명금속산화물층의 두께는 20~40nm이고, 상기 제2 투명금속산화물층의 두께는 60nm~100nm일 수 있다.The thickness of the glass substrate is 1.6 ~ 13mm, the thickness of the chromium layer is 90nm ~ 100nm, the thickness of the chromium oxide layer is 10nm ~ 20nm, the thickness of the first transparent metal oxide layer is 20 ~ 40nm, the The thickness of the second transparent metal oxide layer may be 60 nm to 100 nm.

또한, 본 발명은 글래스 기판의 상면에 크롬층, 산화 크롬층 및 포토레지스트를 순차적으로 적층한 후 상기 포토레지스트를 패턴 형상으로 형성하는 노광 및 현상하는 단계; 상기 포토레지스트에 의해 덮이지 않은 산화 크롬층과 그 하측의 크롬층을 식각하고 상기 포토레지스트를 박리하여 금속 패턴을 형성하는 단계; 상기 산화 크롬층과 노출된 글래스 기판에 ITO(Indium tin oxide), AZO(Aluminium doped-zinc oxide) 및 IZO(Zinc oxide-doped indium oxide) 중 어느 하나로 이루어진 제1 투명금속산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 투명금속산화물층의 상면에 SiO2 또는 Al2O3로 이루어진 제2 투명금속산화물층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법을 제공함으로써 상기 목적을 달성할 수 있다.In addition, the present invention comprises the steps of sequentially exposing and developing a chromium layer, a chromium oxide layer and a photoresist on a top surface of a glass substrate to form the photoresist in a pattern shape; Etching the chromium oxide layer not covered by the photoresist and the chromium layer underneath and peeling the photoresist to form a metal pattern; Forming a first transparent metal oxide layer made of any one of indium tin oxide (ITO), aluminum doped-zinc oxide (AZO), and zinc oxide-doped indium oxide (IZO) on the chromium oxide layer and the exposed glass substrate; And forming a second transparent metal oxide layer made of SiO 2 or Al 2 O 3 on the top surface of the first transparent metal oxide layer to achieve the above object by providing a method for manufacturing a photomask comprising the steps of: Can be.

상기 제1 투명금속산화물층은 스퍼터링 공정에 의해 20~40nm의 두께로 형성될 수 있다.The first transparent metal oxide layer may be formed to a thickness of 20 to 40 nm by a sputtering process.

상기 제2 투명금속산화물층은 리액티브(reactive) 방식의 스퍼터링 공정에 의해 60nm~100nm의 두께로 형성될 수 있다.The second transparent metal oxide layer may be formed to a thickness of 60 nm to 100 nm by a reactive sputtering process.

상기한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 산화 크롬층에 적층된 제1 투명금속산화물층(전도성 투명금속산화물)을 통해 접촉식 포토리소그래피 공정 중 포토마스크의 탈착 및 부착이나 작업 환경에 기인하여 발생하는 정전기를 미연에 방지할 수 있고, 제1 투명금속산화물층에 적층된 제2 투명금속산화물층(저굴절 투명금속산화물)을 통해 포토마스크의 세정 공정에서 사용되는 황산 또는 알카리 등의 약품에 대하여 제1 투명금속산화물층을 보호하고 고투과율을 유지함으로써 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, according to the embodiment of the present invention, due to the desorption and adhesion of the photomask or the working environment due to the contact photolithography process through the first transparent metal oxide layer (conductive transparent metal oxide) layered on the chromium oxide layer Chemicals such as sulfuric acid or alkali used in the cleaning process of the photomask through the second transparent metal oxide layer (low-refractive transparent metal oxide) laminated on the first transparent metal oxide layer. With respect to the first transparent metal oxide layer, there is an advantage that can improve the reliability of the product by maintaining a high transmittance.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크를 나타내는 단면도이다.
도 2 및 3은 UV광의 400nm 파장을 조사 시 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크에 제2 투명금속산화물층을 SiO2와 Al2O3로 적용한 각 경우에 대하여 제2 투명금속산화물층의 두께별 투과율을 나타내는 실험 데이터이다. 도 2 및 3의 실험데이터는 광학박막 설계를 위한 공지의 광학 Macleod simulation을 통해 얻은 결과이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크의 제조 과정을 나타내는 도면들이다.1 is a cross-sectional view showing an antistatic photomask according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are second transparent metal oxides for each case where a second transparent metal oxide layer is applied as SiO 2 and Al 2 O 3 to an antistatic photomask according to an embodiment of the present invention when irradiating 400 nm wavelength of UV light It is the experimental data showing the transmittance of each layer thickness. The experimental data of FIGS. 2 and 3 are the results obtained through a known optical Macleod simulation for optical thin film design.
4A and 4B are diagrams illustrating a manufacturing process of an antistatic photomask according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기재된 실시 예는 다양하게 변형될 수 있다. 특정한 실시 예가 도면에서 묘사되고 상세한 설명에서 자세하게 설명될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면에 개시된 특정한 실시 예는 다양한 실시 예를 쉽게 이해하도록 하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 첨부된 도면에 개시된 특정 실시 예에 의해 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, various embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments described herein can be variously modified. Certain embodiments are depicted in the drawings and may be described in detail in the detailed description. However, the specific embodiments disclosed in the accompanying drawings are only for easy understanding of various embodiments. Therefore, it is to be understood that the technical spirit is not limited by the specific embodiments disclosed in the accompanying drawings, and includes all equivalents or substitutes included in the spirit and technical scope of the invention.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상술한 용어에 의해 한정되지는 않는다. 상술한 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinal numbers such as first and second may be used to describe various components, but these components are not limited by the above-described terms. The above-mentioned terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components.

본 명세서에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 그 밖에도, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그에 대한 상세한 설명은 축약하거나 생략한다.In this specification, the terms "comprises" or "have" are intended to indicate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof described in the specification, one or more other features. It should be understood that the existence or addition possibilities of fields or numbers, steps, operations, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance. In addition, in describing the present invention, when it is determined that detailed descriptions of related known functions or configurations may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, detailed descriptions thereof are abbreviated or omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an antistatic photomask according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크(1)는 접촉식 포토리소그래피 공정에 사용되는 포토마스크로서 5인치의 소형부터 65인치 이상의 다양한 크기의 대형 디스플레이 제조 공정에 사용될 수 있다. 이에 따라, 대전 방지 포토마스크(1)의 크기는 제조하고자 하는 디스플레이 크기에 대응하도록 5인치부터 65인치 이상의 대형으로 제작될 수 있다. The anti-static photomask 1 according to an embodiment of the present invention is a photomask used in a contact photolithography process and can be used in a process of manufacturing a large display of various sizes ranging from a small size of 5 inches to a size of 65 inches or more. Accordingly, the size of the antistatic photomask 1 may be manufactured in a large size from 5 inches to 65 inches or more to correspond to the display size to be manufactured.

또한, 대전 방지 포토마스크(1)는 기본적으로 노광 공정에서 빛이 투과되어야 하므로 대전 방지 포토마스크(1)를 이루는 각 층이 소정의 투과율을 가지도록 형성된다.In addition, since the anti-static photomask 1 basically needs to transmit light during the exposure process, each layer constituting the anti-static photomask 1 has a predetermined transmittance.

도 1을 참조하면, 대전 방지 포토마스크(1)는 글래스 기판(10), 크롬층(11a), 산화 크롬층(13a), 제1 투명금속산화물층(15a) 및 제2 투명금속산화물층(17a)을 포함할 수 있다. 여기서 크롬층(11a), 산화 크롬층(13a), 제1 투명금속산화물층(15a) 및 제2 투명금속산화물층(17a)은 소정의 패턴을 이루는 박막의 패턴층을 이룬다.Referring to FIG. 1, the antistatic photomask 1 includes a glass substrate 10, a chromium layer 11a, a chromium oxide layer 13a, a first transparent metal oxide layer 15a, and a second transparent metal oxide layer ( 17a). Here, the chromium layer 11a, the chromium oxide layer 13a, the first transparent metal oxide layer 15a, and the second transparent metal oxide layer 17a form a pattern layer of a thin film forming a predetermined pattern.

글래스 기판(10)은 1.6~13mm의 두께로 형성될 수 있다.The glass substrate 10 may be formed to a thickness of 1.6 to 13 mm.

크롬층(11a)은 글래스 기판(10)의 상면에 적층되며, 글래스 기판(10)의 두께 보다 현저히 얇은 두께, 예를 들면 90~100nm의 두께로 형성될 수 있다.The chromium layer 11a is stacked on the top surface of the glass substrate 10 and may be formed to have a significantly thinner thickness than the thickness of the glass substrate 10, for example, 90 to 100 nm.

산화 크롬층(13a)은 크롬층(11a)의 상면에 적층되며, 크롬층(11a)의 두께보다 작은 두께, 예를 들면 10~20nm의 두께로 형성될 수 있다.The chromium oxide layer 13a is stacked on the upper surface of the chromium layer 11a, and may be formed to a thickness smaller than the thickness of the chromium layer 11a, for example, 10 to 20 nm.

제1 투명금속산화물층(15)은 일부(15a)가 산화 크롬층(13a)의 상면에 적층되고 나머지(15b)는 패턴 형성을 위해 진행하는 식각 공정에 의해 노출된 글래스 기판(10)의 상면 일부에 적층될 수 있다.In the first transparent metal oxide layer 15, a portion 15a is stacked on the upper surface of the chromium oxide layer 13a, and the remaining 15b is an upper surface of the glass substrate 10 exposed by an etching process that proceeds to form a pattern. It can be stacked in part.

제1 투명금속산화물층(15)은 접촉식 포토리소그래피 공정 중 발생하는 정전기 의한 포토마스크(1) 내 패턴의 손상을 방지하기 위해 전도성이 있으면서 높은 투명율을 가진 물질일 수 있다. 예를 들면, 제1 투명금속산화물층은 전도성 투명금속산화물인 ITO(Indium tin oxide), AZO(Aluminium doped-zinc oxide) 또는 IZO(Zinc oxide-doped indium oxide)로 이루어질 수 있다.The first transparent metal oxide layer 15 may be a material having conductivity and high transparency to prevent damage to a pattern in the photomask 1 due to static electricity generated during a contact photolithography process. For example, the first transparent metal oxide layer may be made of indium tin oxide (ITO), aluminum doped-zinc oxide (AZO), or zinc oxide-doped indium oxide (IZO).

제1 투명금속산화물층(15)의 두께는 산화 크롬층(13a)의 두께보다 크고 크롬층(11a)의 두께 보다 작은 20~40nm의 두께로 형성될 수 있다.The thickness of the first transparent metal oxide layer 15 may be formed to a thickness of 20 to 40 nm larger than the thickness of the chromium oxide layer 13a and smaller than the thickness of the chromium layer 11a.

이와 같은 제1 투명금속산화물층(15)은 표면저항이 400Ω/□ 수준으로 높은 전도 특성을 가짐에 따라, 산화 크롬층(13a)을 전기적으로 연결해주면서 전하의 이동통로를 형성한다.As the first transparent metal oxide layer 15 has a high conductivity characteristic with a surface resistance of 400 Pa / □, the first transparent metal oxide layer 15 electrically connects the chromium oxide layer 13a to form a passage for electric charges.

제2 투명금속산화물층(17)은 일부(17a)가 제1 투명금속산화물층(15)의 일부(15a)의 상면에 적층되고, 나머지(17b)가 제1 투명금속산화물층(15)의 나머지(15b)의 상면에 적층될 수 있다.In the second transparent metal oxide layer 17, a portion 17a is stacked on the upper surface of a portion 15a of the first transparent metal oxide layer 15, and the remaining 17b is of the first transparent metal oxide layer 15. It may be laminated on the upper surface of the rest (15b).

제2 투명금속산화물층(17)은 포토마스크(1) 세정 시 사용되는 황산 또는 알카리 등의 약품으로부터 제1 투명금속산화물층(15a)를 보호할 수 있도록 높은 내화학성을 가지는 물질로 이루어진다. 예를 들면, 제2 투명금속산화물층(17)은 저굴절 금속산화물 중 내화학성을 가지며 높은 투과도를 가지는 저굴절 투명금속산화물인 SiO2 또는 Al2O3 일 수 있다. 여기서 SiO2 또는 Al2O3의 저굴절의 범위는 1.2~1.8일 수 있다.The second transparent metal oxide layer 17 is made of a material having high chemical resistance to protect the first transparent metal oxide layer 15a from chemicals such as sulfuric acid or alkali used when cleaning the photomask 1. For example, the second transparent metal oxide layer 17 may be SiO 2 or Al 2 O 3 , which is a low-refractive transparent metal oxide having chemical resistance and high permeability among low-refractive metal oxides. Where SiO 2 Alternatively, the range of low refractive index of Al 2 O 3 may be 1.2 to 1.8.

제2 투명금속산화물층(17)의 두께는 제1 투명금속산화물층(15)의 두께보다 큰 60~100nm의 두께로 형성될 수 있다. 이와 같은 제2 투명금속산화물층(17)의 두께는 디스플레이 패널 제작공정 시 노광 공정에서 400nm 파장의 UV광을 사용할 때 광 투과율이 90% 이상이 되도록 고려한 것이다.The thickness of the second transparent metal oxide layer 17 may be formed to a thickness of 60 to 100 nm larger than the thickness of the first transparent metal oxide layer 15. The thickness of the second transparent metal oxide layer 17 is considered such that the light transmittance is 90% or more when using 400 nm wavelength UV light in the exposure process during the display panel manufacturing process.

도 2 및 3은 UV광의 400nm 파장을 조사 시 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크에 제2 투명금속산화물층을 SiO2와 Al2O3로 적용한 각 경우에 대하여 제2 투명금속산화물층의 두께별 투과율을 나타내는 실험 데이터이다. 도 2 및 3의 실험데이터는 광학박막 설계를 위한 공지의 광학 Macleod simulation을 통해 얻은 결과이다.2 and 3 are second transparent metal oxides for each case where a second transparent metal oxide layer is applied as SiO 2 and Al 2 O 3 to an antistatic photomask according to an embodiment of the present invention when irradiating 400 nm wavelength of UV light It is the experimental data showing the transmittance of each layer thickness. The experimental data of FIGS. 2 and 3 are the results obtained through a known optical Macleod simulation for optical thin film design.

도 2를 참조하면, 제2 투명금속산화물층(17)이 저굴절 투명금속산화물인 SiO2로 이루어진 경우, 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 20nm 및 40nm일 때 400nm 파장의 UV광 투과율은 각각 80.6%와 84.4%로 90% 미만이다.Referring to FIG. 2, when the second transparent metal oxide layer 17 is made of SiO 2 which is a low-refractive transparent metal oxide, 400 nm wavelength UV light when the second transparent metal oxide layer 17 has a thickness of 20 nm and 40 nm The transmittances are less than 90%, 80.6% and 84.4%, respectively.

반면 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 60nm, 80nm 및 100nm인 경우 400nm 파장의 UV광 투과율은 각각 91.4%와 96.0%로 93.6%로 모두 90% 이상이다. 특히, 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 80nm일 때 가장 높은 투과율을 보였다.On the other hand, when the thickness of the second transparent metal oxide layer 17 is 60 nm, 80 nm, and 100 nm, UV light transmittance of 400 nm wavelength is 91.4% and 96.0%, respectively, which is 93.6%, which is 90% or more. In particular, when the thickness of the second transparent metal oxide layer 17 is 80 nm, the highest transmittance was exhibited.

하지만 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 100nm를 초과하는 120nm의 두께에서는 400nm 파장의 UV광 투과율이 86.0%로 다시 90% 미만으로 하락했다.However, at a thickness of 120 nm, in which the thickness of the second transparent metal oxide layer 17 exceeds 100 nm, the UV light transmittance at a wavelength of 400 nm falls to less than 90% again at 86.0%.

따라서, 제2 투명금속산화물층(17)이 SiO2인 경우 400nm 파장의 UV광 투과율을 90% 이상 유지하기 위해서는 제2 투명금속산화물층(17)의 두께를 60nm~100nm 범위 내에서 설정하는 것이 바람직하다.Therefore, when the second transparent metal oxide layer 17 is SiO 2 , in order to maintain the UV light transmittance of 400 nm wavelength or more than 90%, it is preferable to set the thickness of the second transparent metal oxide layer 17 within a range of 60 nm to 100 nm. desirable.

도 3을 참조하면, 제2 투명금속산화물층(17)이 저굴절 투명금속산화물인 Al2O3로 이루어진 경우, 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 20nm 및 40nm일 때 400nm 파장의 UV광 투과율은 각각 79.1%와 83.4%로 90% 미만이다.Referring to FIG. 3, when the second transparent metal oxide layer 17 is made of Al 2 O 3 , which is a low refractive index transparent metal oxide, when the thickness of the second transparent metal oxide layer 17 is 20 nm and 40 nm, the wavelength of 400 nm is UV light transmittance is 79.1% and 83.4%, respectively, less than 90%.

또한 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 60nm, 80nm 및 100nm인 경우 400nm 파장의 UV광 투과율은 각각 91.9%와 95.9%로 90.1%로 모두 90% 이상이다. Al2O3 역시 SiO2인 경우와 마찬가지로 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 80nm일 때 가장 높은 투과율을 보였다.In addition, when the thickness of the second transparent metal oxide layer 17 is 60 nm, 80 nm, and 100 nm, UV light transmittances of 400 nm wavelength are 91.9% and 95.9%, respectively, which are 90% or more, respectively. Al 2 O 3 also showed the highest transmittance when the thickness of the second transparent metal oxide layer 17 was 80 nm, as in the case of SiO 2 .

제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 100nm를 초과하는 120nm의 두께에서는 400nm 파장의 UV광 투과율이 81.9%로 90% 미만을 나타냈다.When the thickness of the second transparent metal oxide layer 17 exceeded 100 nm and the thickness was 120 nm, the UV light transmittance at a wavelength of 400 nm was 81.9%, which was less than 90%.

따라서, 제2 투명금속산화물층(17)이 Al2O3 로 이루어진 경우에도 SiO2로 이루어진 경우와 마찬가지로 400nm 파장의 UV광 투과율을 90% 이상 유지하기 위해서는 제2 투명금속산화물층(17)의 두께를 60nm~100nm 범위 내에서 설정하는 것이 바람직하다.Therefore, even in the case where the second transparent metal oxide layer 17 is made of Al 2 O 3, as in the case of SiO 2 , in order to maintain the UV light transmittance at a wavelength of 400 nm of 90% or more, the second transparent metal oxide layer 17 is It is preferable to set the thickness within the range of 60 nm to 100 nm.

한편, 도 2 및 3에서와 같이, 제2 투명금속산화물층(17)이 없는 경우(두께가 0인 경우) 400nm 파장의 UV광 투과율은 82.1%로 90% 미만이다. 따라서, On the other hand, as in FIGS. 2 and 3, when the second transparent metal oxide layer 17 is not present (thickness is 0), the UV light transmittance of 400 nm wavelength is 82.1%, which is less than 90%. therefore,

이하, 도면을 참조하여 포토마스크(1)를 제조하는 과정을 순차적으로 설명한다. 도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 대전 방지 포토마스크의 제조 과정을 나타내는 도면들이다.Hereinafter, the process of manufacturing the photomask 1 will be sequentially described with reference to the drawings. 4A and 4B are diagrams illustrating a manufacturing process of an antistatic photomask according to an embodiment of the present invention.

도 4a를 참조하면, 글래스 기판(10)의 상면에 크롬층(11)을 90~100nm 두께로 형성하고, 크롬층(11)의 상면에 산화 크롬층(13)을 10~20nm 두께로 형성한다.Referring to FIG. 4A, a chromium layer 11 is formed on the upper surface of the glass substrate 10 to a thickness of 90 to 100 nm, and a chromium oxide layer 13 is formed on the upper surface of the chromium layer 11 to a thickness of 10 to 20 nm. .

이어서, 포토레지스트(14)를 산화 크롬층(13)의 상면에 약 1000nm의 두께로 형성한다.Subsequently, the photoresist 14 is formed on the upper surface of the chromium oxide layer 13 to a thickness of about 1000 nm.

이 상태에서 포토레지스트(14)를 노광 및 현상 공정을 순차적으로 진행하여 원하는 형상의 패턴을 형성한다. 이때 산화 크롬층(13)의 일부는 패턴 형상을 한 포토레지스트(14a)에 의해 덮히지 않기 때문에 외부로 노출된다.In this state, the photoresist 14 is sequentially exposed and developed to form a pattern having a desired shape. At this time, part of the chromium oxide layer 13 is exposed to the outside because it is not covered by the patterned photoresist 14a.

상기와 같이 포토레지스트(14a)가 소정의 패턴 형상의 갖도록 처리한 후, 식각 공정을 통해 포토레지스트(14a)의해 노출된 산화 크롬층(13)과 크롬층(11)의 일부가 제거되고 포토레지스트(14a)에 덮여 있는 산화 크롬층(13a)과 그 하부의 크롬층(11a)이 남게 된다.After the photoresist 14a is treated to have a predetermined pattern shape as described above, a part of the chromium oxide layer 13 and the chromium layer 11 exposed by the photoresist 14a is removed through an etching process and the photoresist is removed. The chromium oxide layer 13a covered in (14a) and the lower chromium layer 11a remain.

이어서 박리 공정을 통해 포토레지스트(14a)를 제거한다. 크롬층(11a)과 산화 크롬층(13a)은 포토레지스트(14a)의 패턴과 동일한 패턴으로 형성된다.Subsequently, the photoresist 14a is removed through a peeling process. The chromium layer 11a and the chromium oxide layer 13a are formed in the same pattern as that of the photoresist 14a.

계속해서 스퍼터링 공정을 통해 정전기에 의한 대전을 방지하기 위한 제1 투명금속산화물층(15)과 제2 투명금속산화물층(17)을 순차적으로 적층 형성한다.Subsequently, the first transparent metal oxide layer 15 and the second transparent metal oxide layer 17 are sequentially stacked to prevent charging by static electricity through a sputtering process.

도 4b를 참조하면, 제1 투명금속산화물층(15)과 제2 투명금속산화물층(17)은 스퍼터링 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 스퍼터링 공정을 이용하여 금속산화물 형성하기 위하여 사용전력의 종류에 따라 직류 펄스 전력(DC pulse power)을 이용한 방법과 고주파 전력(RF power)를 이용하여 형성할 수 있다.4B, the first transparent metal oxide layer 15 and the second transparent metal oxide layer 17 may be formed using a sputtering process. In order to form a metal oxide by using a sputtering process, it may be formed by using a method using DC pulse power and RF power according to the type of power used.

고주파 전력을 이용한 스퍼터링 공정(이하, 'RF 스퍼터링 공정')을 통해 제1 투명금속산화물층(15)을 산화 크롬층(13a)과 일부 노출된 글래스 기판(10)에 각각 박막 형성하는 경우, 직류 펄스 전력을 이용한 스퍼터링 공정(이하, 'DC 스퍼터링 공정')보다 박막의 성장 속도가 느리며 공정에 소요되는 비용도 높다. When the first transparent metal oxide layer 15 is thinly formed on the chromium oxide layer 13a and the partially exposed glass substrate 10 through a sputtering process using high-frequency power (hereinafter referred to as 'RF sputtering process'), DC The growth rate of the thin film is slower than the sputtering process using pulsed power (hereinafter referred to as 'DC sputtering process'), and the cost of the process is also high.

한편 RF 스퍼터링 공정의 경우 대면적 박막 형성이 어려운 반면 DC 스퍼터링 공정에서는 대면적의 고른 두께를 가지는 박막 형성이 가능하다.On the other hand, in the case of the RF sputtering process, it is difficult to form a large area thin film, whereas in the DC sputtering process, it is possible to form a thin film having a uniform thickness of a large area.

전술한 바와 같이 본 발명의 포토마스크(1)가 소형부터 대형까지 다양한 크기로 제작할 수 있으나, 본 실시예에서는 대형 포토마스크(1)를 제작하는 것을 예로 들어 설명하므로 제1 및 제2 투명금속산화물층(15,17)은 DC 스퍼터링 공정을 통해 형성하는 것으로 설명한다.As described above, the photomask 1 of the present invention can be manufactured in various sizes from small to large, but the first and second transparent metal oxides are described in this example as an example of manufacturing the large photomask 1. The layers 15 and 17 are described as being formed through a DC sputtering process.

또한, 본 실시예에서 제1 투명금속산화물층(15)은 전도성 투명금속산화물인 ITO로 형성하고, 제2 투명금속산화물층(17)은 저굴절 투명금속산화물인 SiO2로 형성하는 것으로 설명한다.In addition, in this embodiment, the first transparent metal oxide layer 15 is formed of ITO, which is a conductive transparent metal oxide, and the second transparent metal oxide layer 17 is formed of SiO 2 , which is a low refractive index transparent metal oxide. .

먼저 DC 스퍼터링 공정에서 ITO 박막을 산화 크롬층(13a)과 노출된 글래스 기판(10)에 약 20~40nm 두께로 형성한다. 이 경우 DC 스퍼터링 공정의 조건은 타겟은 ITO 타겟을 사용하고, 작업 진공도는 3mTorr이하이고, Ar:O2 비율은 4:1이고, 전력은 1500~2000W일 수 있다.First, in the DC sputtering process, an ITO thin film is formed to a thickness of about 20 to 40 nm on the chromium oxide layer 13a and the exposed glass substrate 10. In this case, the conditions of the DC sputtering process are targets using an ITO target, the working vacuum degree is 3 mTorr or less, the Ar: O 2 ratio is 4: 1, and the power may be 1500-2000 W.

이와 같이 산화 크롬층(13a)에 전도성을 가지는 제1 투명금속산화물층(15)을 적층함에 따라 접촉식 포토리소그래피 공정 중 포토마스크(1)의 탈착 및 부착이나 작업 환경에 기인하여 발생하는 정전기에 의해 패턴(제1 투명금속산화물층(15a), 산화 크몰층(13a) 및 크롬층(11a)) 및 글래스 기판(10)이 파손되는 것을 방지할 수 있다.As described above, as the first transparent metal oxide layer 15 having conductivity is stacked on the chromium oxide layer 13a, during the contact photolithography process, desorption and attachment of the photomask 1 or static electricity generated due to the working environment By this, it is possible to prevent the pattern (first transparent metal oxide layer 15a, chromium oxide layer 13a and chromium layer 11a) and the glass substrate 10 from being damaged.

이어서, 제1 투명금속산화물층(15)의 상면에 제2 투명금속산화물층(17)을 형성한다.Subsequently, a second transparent metal oxide layer 17 is formed on the top surface of the first transparent metal oxide layer 15.

특히 제2 투명금속산화물층(17)을 형성 시 직류 펄스 전력을 이용한 리액티브(reactive) 방식의 스퍼터링 공정(이하, '리액티브 스퍼터링 공정')으로 진행할 수 있다. 상기 리액티브 방식은 일반 스퍼터링 공정에 Ar가스와 산소를 주입시켜 반응을 만들어 내고, 그 반응을 통하여 금속물질에서 금속산화물을 형성하는 방법이다.In particular, when the second transparent metal oxide layer 17 is formed, a reactive sputtering process using DC pulse power (hereinafter referred to as a 'reactive sputtering process') may be performed. The reactive method is a method in which Ar gas and oxygen are injected into a general sputtering process to create a reaction, and a metal oxide is formed from a metal material through the reaction.

리액티브 스퍼터링 공정으로 제2 투명금속산화물층(17)을 형성하기 위해서는 일정한 진공도와 안정적인 플라즈마 형성이 이루어져야 한다. 이를 위해 리액티브 스퍼터링 공정의 조건으로, Si 타겟을 이용하고, 작업 진공도는 3mtorr 이하로 설정하고, Ar:O2 비율은 4:1이고, 전력은 2000~2500W일 수 있다. 이러한 조건 하에서 두께가 60~100nm의 SiO2 박막인 제2 투명금속산화물층(17)이 형성된다.In order to form the second transparent metal oxide layer 17 by the reactive sputtering process, constant vacuum and stable plasma formation must be performed. To this end, as a condition of a reactive sputtering process, a Si target is used, a working vacuum degree is set to 3 mtorr or less, an Ar: O 2 ratio is 4: 1, and power may be 2000 to 2500 W. Under these conditions, a second transparent metal oxide layer 17, which is a SiO 2 thin film having a thickness of 60 to 100 nm, is formed.

전술한 바와 같이 제2 투명금속산화물층(17)의 두께가 60~100nm로 형성되는 경우 400nm 파장의 UV광 투과율이 90% 이상될 수 있다.As described above, when the thickness of the second transparent metal oxide layer 17 is 60 to 100 nm, the UV light transmittance of 400 nm wavelength may be 90% or more.

이와 같이, 제1 투명금속산화물층(15a)에 내화학성 가지는 제2 투명금속산화물층(17a)을 적층함에 따라 포토마스크(1)를 세정하는 공정에서 사용되는 황산 또는 알카리 등의 약품에 의해 제1 투명금속산화물층(15)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.As described above, by laminating the second transparent metal oxide layer 17a having chemical resistance on the first transparent metal oxide layer 15a, it is made by chemicals such as sulfuric acid or alkali used in the process of cleaning the photomask 1. 1 It is possible to prevent the transparent metal oxide layer 15 from being damaged.

또한, 제2 투명금속산화물층(17)은 400nm 파장의 UV광 투과율이 90% 이상을 유지하는 고투과율을 가짐에 따라 포토마스크(1)의 제기능에 대한 신뢰도를 향상시킬 수 있다.In addition, as the second transparent metal oxide layer 17 has a high transmittance that maintains 90% or more UV light transmittance at a wavelength of 400 nm, reliability of the function of the photomask 1 can be improved.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되서는 안될 것이다.In the above, although the preferred embodiment of the present invention has been illustrated and described, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and it is usually in the technical field to which the present invention belongs without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, various modifications can be implemented by a person having knowledge of these, and these modifications should not be individually understood from the technical idea or prospect of the present invention.

10: 글래스 기판
11,11a: 크롬층
13,13a: 산화 크롬층
14,14a: 포토레지스트
15,15a,15b: 제1 투명금속산화물층
17,17a,17b: 제2 투명금속산화물층10: glass substrate
11,11a: Chrome layer
13,13a: Chromium oxide layer
14,14a: photoresist
15,15a, 15b: first transparent metal oxide layer
17,17a, 17b: second transparent metal oxide layer

Claims (8)

글래스 기판과 상기 글래스 기판의 일면에 형성된 금속 패턴이 형성되며, 접촉식 포토리소그래피 공정에 사용하는 포토마스크에 있어서,
상기 금속 패턴은,
상기 글래스 기판의 상면에 형성된 크롬층;
상기 크롬층의 상면에 형성된 산화 크롬층;
상기 산화 크롬층 상면과 상기 노출된 글래스 기판에 형성된 제1 투명금속산화물층; 및
상기 제1 투명금속산화물층의 상면에 형성된 제2 투명금속산화물층;을 포함하며,
상기 제1 투명금속산화물층은 전도성을 가지는 금속산화물로 이루어지고, 상기 제2 투명금속산화물층은 내화학성을 가지는 금속산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.A glass substrate and a metal pattern formed on one surface of the glass substrate are formed, and in a photomask used in a contact photolithography process,
The metal pattern,
A chromium layer formed on an upper surface of the glass substrate;
A chromium oxide layer formed on an upper surface of the chromium layer;
A first transparent metal oxide layer formed on the upper surface of the chromium oxide layer and the exposed glass substrate; And
It includes; a second transparent metal oxide layer formed on the top surface of the first transparent metal oxide layer,
The first transparent metal oxide layer is made of a metal oxide having conductivity, the second transparent metal oxide layer is a photomask, characterized in that made of a metal oxide having chemical resistance. 제1항에 있어서,
상기 제1 투명금속산화물층은 ITO(Indium tin oxide), AZO(Aluminium doped-zinc oxide) 및 IZO(Zinc oxide-doped indium oxide) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크.According to claim 1,
The first transparent metal oxide layer is made of any one of ITO (Indium tin oxide), AZO (Aluminium doped-zinc oxide) and IZO (Zinc oxide-doped indium oxide). 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 투명금속산화물층은 SiO2 또는 Al2O3로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크.The method according to claim 1 or 2,
The second transparent metal oxide layer is a photomask, characterized in that consisting of SiO 2 or Al 2 O 3 . 제3항에 있어서,
상기 제2 투명금속산화물층의 두께는 60nm~100nm인 것을 특징으로 하는 포토마스크.According to claim 3,
The thickness of the second transparent metal oxide layer is a photomask, characterized in that 60nm ~ 100nm. 제3항에 있어서,
상기 글래스 기판의 두께는 1.6~13mm이고,
상기 크롬층의 두께는 90nm~100nm이고,
상기 산화 크롬층의 두께는 10nm~20nm이고,
상기 제1 투명금속산화물층의 두께는 20~40nm이고,
상기 제2 투명금속산화물층의 두께는 60nm~100nm인 것을 특징으로 하는 포토마스크.According to claim 3,
The thickness of the glass substrate is 1.6 to 13mm,
The thickness of the chromium layer is 90nm ~ 100nm,
The thickness of the chromium oxide layer is 10nm ~ 20nm,
The thickness of the first transparent metal oxide layer is 20 ~ 40nm,
The thickness of the second transparent metal oxide layer is a photomask, characterized in that 60nm ~ 100nm. 글래스 기판의 상면에 크롬층, 산화 크롬층 및 포토레지스트를 순차적으로 적층한 후 상기 포토레지스트를 패턴 형상으로 형성하는 노광 및 현상하는 단계;
상기 포토레지스트에 의해 덮이지 않은 산화 크롬층과 그 하측의 크롬층을 식각하고 상기 포토레지스트를 박리하여 금속 패턴을 형성하는 단계;
상기 산화 크롬층과 노출된 글래스 기판에 ITO(Indium tin oxide), AZO(Aluminium doped-zinc oxide) 및 IZO(Zinc oxide-doped indium oxide) 중 어느 하나로 이루어진 제1 투명금속산화물층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 투명금속산화물층의 상면에 SiO2 또는 Al2O3로 이루어진 제2 투명금속산화물층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.A chromium layer, a chromium oxide layer and a photoresist sequentially stacked on the top surface of the glass substrate, followed by exposure and development to form the photoresist in a pattern shape;
Etching the chromium oxide layer not covered by the photoresist and the chromium layer underneath and peeling the photoresist to form a metal pattern;
Forming a first transparent metal oxide layer made of any one of indium tin oxide (ITO), aluminum doped-zinc oxide (AZO), and zinc oxide-doped indium oxide (IZO) on the chromium oxide layer and the exposed glass substrate; And
And forming a second transparent metal oxide layer made of SiO 2 or Al 2 O 3 on the top surface of the first transparent metal oxide layer. 제6항에 있어서,
상기 제1 투명금속산화물층은 스퍼터링 공정에 의해 20~40nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.The method of claim 6,
The first transparent metal oxide layer is a photomask manufacturing method characterized in that it is formed to a thickness of 20 ~ 40nm by a sputtering process. 제6항에 있어서,
상기 제2 투명금속산화물층은 리액티브(reactive) 방식의 스퍼터링 공정에 의해 60nm~100nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.The method of claim 6,
The second transparent metal oxide layer is a photomask manufacturing method characterized in that it is formed to a thickness of 60nm to 100nm by a reactive (sputtering) process.
KR1020180143140A 2018-11-20 2018-11-20 Photomask for preventing static electricity, having chemical resistance and high transmittance, and method for manufaturing the same KR102120819B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180143140A KR102120819B1 (en) 2018-11-20 2018-11-20 Photomask for preventing static electricity, having chemical resistance and high transmittance, and method for manufaturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180143140A KR102120819B1 (en) 2018-11-20 2018-11-20 Photomask for preventing static electricity, having chemical resistance and high transmittance, and method for manufaturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200058705A true KR20200058705A (en) 2020-05-28
KR102120819B1 KR102120819B1 (en) 2020-06-09

Family

ID=70919988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180143140A KR102120819B1 (en) 2018-11-20 2018-11-20 Photomask for preventing static electricity, having chemical resistance and high transmittance, and method for manufaturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102120819B1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002189286A (en) * 2000-12-21 2002-07-05 Andes Intekku:Kk Method of preventing destruction by static electricity of photomask
KR20030033612A (en) * 2001-10-24 2003-05-01 엘지전자 주식회사 Color filter for lcd and manufacturing method thereof
KR20090040614A (en) * 2007-10-22 2009-04-27 주식회사 동부하이텍 Method for fabricating halftone phase shift mask
KR20110106822A (en) * 2010-03-23 2011-09-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 Light-shielding film-attached glass substrate and liquid crystal display device
KR20110136247A (en) * 2010-06-14 2011-12-21 주식회사 피케이엘 Photomask and method for fabricating the same
KR101703654B1 (en) * 2016-10-19 2017-02-09 (주)네프코 Photomask for preventing damage by electrostatic discharge(esd) and manufacturing method thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002189286A (en) * 2000-12-21 2002-07-05 Andes Intekku:Kk Method of preventing destruction by static electricity of photomask
KR20030033612A (en) * 2001-10-24 2003-05-01 엘지전자 주식회사 Color filter for lcd and manufacturing method thereof
KR20090040614A (en) * 2007-10-22 2009-04-27 주식회사 동부하이텍 Method for fabricating halftone phase shift mask
KR20110106822A (en) * 2010-03-23 2011-09-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 Light-shielding film-attached glass substrate and liquid crystal display device
KR20110136247A (en) * 2010-06-14 2011-12-21 주식회사 피케이엘 Photomask and method for fabricating the same
KR101703654B1 (en) * 2016-10-19 2017-02-09 (주)네프코 Photomask for preventing damage by electrostatic discharge(esd) and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR102120819B1 (en) 2020-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10175579B2 (en) Mask, glass substrate and manufacturing method thereof
US20180356925A1 (en) Touch substrate, method for fabricating the same, touch panel
US7858194B2 (en) Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure in order to increase transmittance of blue light and method for manufacturing the same
US9666727B2 (en) Display device
TWI587076B (en) Mask blank and photomask
TWI774838B (en) Touch sensor, manufacturing method of touch sensor, and image display device
US20110063232A1 (en) Projective-capacitive touch panel and fabrication method thereof
US8017460B2 (en) Method of manufacturing flat panel display
WO2017010521A1 (en) Transparent electrode film, dimming element, and method for manufacturing transparent electrode film
JP2016081318A (en) Transparent conductor and touch panel
US6372390B1 (en) Photo mask with an ESD protective function
KR102120819B1 (en) Photomask for preventing static electricity, having chemical resistance and high transmittance, and method for manufaturing the same
JP2009086383A (en) Gray tone mask, pattern transfer method and gray tone mask blank
US7851065B2 (en) Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure in order to increase transmittance of blue light and method for manufacturing the same
JP6206262B2 (en) Transparent conductor, method for producing the same, and conductive paste
JP5822132B2 (en) LAMINATE AND CONDUCTIVE PATTERN FILM MANUFACTURING METHOD
JP4920266B2 (en) Method for manufacturing substrate having laminated structure
JP2016152182A (en) Transparent conductive film, method for producing transparent conductive film, and electronic apparatus
KR20240014357A (en) Photomask for preventing static electricity, having high transmittance
CN103809804A (en) Manufacturing method of touch panel
JP7040076B2 (en) Transparent gas barrier laminate, its manufacturing method, and devices
CN108365129B (en) Display panel, manufacturing method thereof and display device
CN106158976A (en) Display device
KR101756260B1 (en) Touch sensor laminate comprising silver nanowire conductive layer and manufacturing methods of thereof
US9318508B2 (en) Array substrate and method for producing the same, display

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant