JP5822132B2 - LAMINATE AND CONDUCTIVE PATTERN FILM MANUFACTURING METHOD - Google Patents

LAMINATE AND CONDUCTIVE PATTERN FILM MANUFACTURING METHOD Download PDF

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本発明は、基材フィルムと、基材フィルムの両側に設けられ、遮光性および導電性を有する遮光導電層と、を備えた積層体に関する。また本発明は、基材フィルム上に導電パターンが設けられた導電パターンフィルムを積層体を用いて製造する導電パターンフィルム製造方法に関する。   The present invention relates to a laminate including a base film and a light-shielding conductive layer that is provided on both sides of the base film and has light-shielding properties and conductivity. Moreover, this invention relates to the conductive pattern film manufacturing method which manufactures the conductive pattern film in which the conductive pattern was provided on the base film using a laminated body.

近年、タッチパネル装置、有機EL表示装置、液晶表示装置や電子ペーパーなど、様々な薄型の電子デバイスが実用化されている。薄型の電子デバイスは、一般に、ガラスやフィルムなどの基材上に光学素子や導電パターンなどを設けることによって作製される。   In recent years, various thin electronic devices such as a touch panel device, an organic EL display device, a liquid crystal display device, and electronic paper have been put into practical use. A thin electronic device is generally produced by providing an optical element or a conductive pattern on a substrate such as glass or film.

薄型の電子デバイスを作製する具体的な方法の1つとして、はじめに、基材と、基材上に設けられ、電子デバイスの機能を実現するための様々な材料からなる複数の層と、を有する積層体を用いる方法が知られている。この場合、エッチングなどによって積層体の各層を所望のパターンにパターニングすることにより、電子デバイスが作製される。例えば特許文献1においては、はじめに、透明な基材フィルムと、基材フィルムの一方の側に設けられた透明導電層および金属層と、基材フィルムの他方の側に設けられた透明導電層および金属層と、を有する積層体が準備される。次に、所定のエッチング液を用いて各透明導電層および金属層を部分的にエッチングする。これによって、所定のパターンで基材フィルム上に形成され、透明導電材料からなる透明導電パターンと、透明導電パターンに接続され、金属材料からなる遮光導電パターンと、を備えたタッチパネルセンサが作製される。   As one of the specific methods for manufacturing a thin electronic device, first, a substrate and a plurality of layers provided on the substrate and made of various materials for realizing the function of the electronic device are included. A method using a laminate is known. In this case, an electronic device is manufactured by patterning each layer of the laminated body into a desired pattern by etching or the like. For example, in Patent Document 1, first, a transparent base film, a transparent conductive layer and a metal layer provided on one side of the base film, a transparent conductive layer provided on the other side of the base film, and A laminate having a metal layer is prepared. Next, each transparent conductive layer and metal layer are partially etched using a predetermined etching solution. As a result, a touch panel sensor formed on the base film in a predetermined pattern and including a transparent conductive pattern made of a transparent conductive material and a light-shielding conductive pattern connected to the transparent conductive pattern and made of a metal material is manufactured. .

特開2010−238052号公報JP 2010-238052 A

電子デバイスの取り扱いや製造工程の容易さを実現するため、基材として、可撓性を有する合成樹脂を含むフィルムが用いられることがある。可撓性を有するフィルムをベースとして製造される積層体は、一般に、ロール状に巻き取られた巻回体として製造され保管される。ところで、積層体の両側に設けられる各層のうち最も外側に位置する層が金属層となっている場合、巻回体において互いに隣接する積層体の金属層同士が癒着してしまう(貼りついてしまう)こと、いわゆるブロッキング現象が生じることが知られている。ブロッキング現象が生じると、積層体の展開性が悪くなり、作業性が低下するという問題や、積層体の金属層に、癒着していた個所の跡が残るという問題などが起こる。   In order to realize easy handling of electronic devices and manufacturing processes, a film containing a synthetic resin having flexibility may be used as a base material. A laminated body manufactured using a flexible film as a base is generally manufactured and stored as a wound body wound up in a roll shape. By the way, when the layer located in the outermost side among each layer provided in the both sides of a laminated body is a metal layer, the metal layers of the laminated body adjacent to each other in the wound body are fused (attached). In other words, it is known that a so-called blocking phenomenon occurs. When the blocking phenomenon occurs, there arises a problem that the developability of the laminate is deteriorated and the workability is lowered, and a problem that the mark of the adhered portion remains in the metal layer of the laminate.

ブロッキング現象を防ぐため、積層体の巻取時に、粘着性の弱いフィルムを隣接する積層体間に挿入することが知られている。しかしながら、この場合、積層体を巻き取る際にフィルムを挿入するための機構や、積層体を展開する際にフィルムを取り除くための機構などが追加で必要になってしまう。   In order to prevent the blocking phenomenon, it is known to insert a film having low adhesiveness between adjacent laminates when winding the laminate. However, in this case, a mechanism for inserting a film when winding the laminate, a mechanism for removing the film when developing the laminate, and the like are additionally required.

本発明は、このような課題を効果的に解決し得る積層体であって、ブロッキング現象が生じることを抑制することができる積層体を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a laminate capable of effectively solving such problems, and capable of suppressing the occurrence of a blocking phenomenon.

本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第1遮光導電層と、前記基材フィルムの他方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第2遮光導電層と、第1遮光導電層の一方の側または第2遮光導電層の他方の側の少なくともいずれか一方に設けられ、アモルファス状態の導電性酸化物材料から構成されるアモルファス層と、を備えたことを特徴とする積層体である。   The present invention includes a base film, a first light-shielding conductive layer provided on one side of the base film, having light-shielding properties and conductivity, and provided on the other side of the base film. The second light-shielding conductive layer having conductivity and provided on at least one of one side of the first light-shielding conductive layer or the other side of the second light-shielding conductive layer and made of a conductive oxide material in an amorphous state. And an amorphous layer.

本発明による積層体において、前記アモルファス層が、第1遮光導電層の一方の側および第2遮光導電層の他方の側のいずれにも設けられていてもよい。   In the laminate according to the present invention, the amorphous layer may be provided on either one side of the first light-shielding conductive layer and the other side of the second light-shielding conductive layer.

本発明による積層体において、前記基材フィルムと前記第1遮光導電層との間、または、前記基材フィルムと前記第2遮光導電層との間の少なくともいずれか一方に、透光性および導電性を有する透明導電層が設けられていてもよい。   In the laminate according to the present invention, at least one between the base film and the first light-shielding conductive layer or between the base film and the second light-shielding conductive layer is translucent and conductive. A transparent conductive layer having properties may be provided.

本発明による積層体において、前記アモルファス層は、前記透明導電層上の前記第1遮光導電層または前記第2遮光導電層を、所定のエッチング液を用いて部分的に除去する際、同時に除去されるよう構成されていてもよい。   In the laminated body according to the present invention, the amorphous layer is removed at the same time when the first light-shielding conductive layer or the second light-shielding conductive layer on the transparent conductive layer is partially removed using a predetermined etching solution. You may be comprised so that.

本発明による積層体において、前記透明導電層および前記アモルファス層はいずれも、インジウムを含む導電性酸化物材料から構成されていてもよい。   In the laminate according to the present invention, both the transparent conductive layer and the amorphous layer may be made of a conductive oxide material containing indium.

本発明による積層体において、前記第1遮光導電層および前記第2遮光導電層は、好ましくは、銀、銅若しくはアルミニウム、またはこれらの合金の少なくとも1種類から構成されている。   In the laminate according to the present invention, the first light-shielding conductive layer and the second light-shielding conductive layer are preferably composed of at least one of silver, copper, aluminum, or an alloy thereof.

本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第1遮光導電層と、前記基材フィルムの他方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第2遮光導電層と、第1遮光導電層の一方の側に設けられ、アモルファス状態の導電性酸化物材料から構成される第1アモルファス層と、を有する積層体の一方の側に感光性を有する第1感光層を形成し、前記積層体の他方の側の面上に感光性を有する第2感光層を形成する工程と、前記第1感光層上に第1マスクを配置するとともに前記第2感光層上に第2マスクを配置した状態で、前記第1感光層および前記第2感光層を互いに異なるパターンで露光する工程と、前記第1感光層および前記第2感光層を現像してパターニングする工程と、パターニングされた前記第1感光層をマスクとして前記第1アモルファス層および前記第1遮光導電層をエッチングし、パターニングされた前記第2感光層をマスクとして前記第2遮光導電層をエッチングする第1パターニング工程と、前記パターニングされた前記第1感光層および前記第2感光層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする導電パターンフィルムの製造方法である。   The present invention includes a base film, a first light-shielding conductive layer provided on one side of the base film, having light-shielding properties and conductivity, and provided on the other side of the base film. One side of a laminate having a second light-shielding conductive layer having conductivity and a first amorphous layer provided on one side of the first light-shielding conductive layer and made of an amorphous conductive oxide material Forming a photosensitive first photosensitive layer and forming a photosensitive second photosensitive layer on the other surface of the laminate, and disposing a first mask on the first photosensitive layer. And exposing the first photosensitive layer and the second photosensitive layer in different patterns with the second mask disposed on the second photosensitive layer, and the first photosensitive layer and the second photosensitive layer. Developing and patterning and patterning Etching the first amorphous layer and the first light-shielding conductive layer using the patterned first photosensitive layer as a mask, and etching the second light-shielding conductive layer using the patterned second photosensitive layer as a mask It is a manufacturing method of the conductive pattern film characterized by including the process and the process of removing the said patterned 1st photosensitive layer and said 2nd photosensitive layer.

本発明による導電パターンフィルムの製造方法において、前記積層体は、前記基材フィルムと前記第1遮光導電層との間に設けられ、透光性および導電性を有する第1透明導電層と、前記基材フィルムと前記第2遮光導電層との間に設けられ、透光性および導電性を有する第2透明導電層と、をさらに有していてもよい。この場合、第1パターニング工程において、パターニングされた前記第1感光層をマスクとして前記第1透明導電層がさらにエッチングされ、かつ、パターニングされた前記第2感光層をマスクとして前記第2透明導電層がさらにエッチングされる。この場合、前記導電パターンフィルムの製造方法は、前記第1パターニング工程の後、所定のエッチング液を用いて、前記第1透明導電層上の前記第1遮光導電層を部分的に除去するとともに前記第1遮光導電層上の第1アモルファス層を除去する第2パターニング工程をさらに備えていてもよい。 In the manufacturing method of the conductive pattern film by this invention, the said laminated body is provided between the said base film and the said 1st light shielding conductive layer, The 1st transparent conductive layer which has translucency and electroconductivity, A second transparent conductive layer provided between the base film and the second light-shielding conductive layer and having translucency and conductivity may further be included. In this case, in the first patterning step, the first transparent conductive layer is further etched using the patterned first photosensitive layer as a mask, and the second transparent conductive layer is used using the patterned second photosensitive layer as a mask. Is further etched. In this case, the manufacturing method of the conductive pattern film partially removes the first light-shielding conductive layer on the first transparent conductive layer by using a predetermined etching solution after the first patterning step. A second patterning step for removing the first amorphous layer on the first light-shielding conductive layer may be further provided.

本発明によれば、積層体の第1遮光導電層の一方の側または第2遮光導電層の他方の側の少なくともいずれか一方に、アモルファス状態の導電性酸化物材料から構成されるアモルファス層が設けられている。このため、ロール状に巻き取られた巻回体として積層体が製造され保管される際、一の積層体の遮光導電層と、一の積層体に隣接する積層体の遮光導電層とが接することがない。このため、ブロッキング現象が生じることを抑制することができる。   According to the present invention, an amorphous layer made of a conductive oxide material in an amorphous state is provided on at least one side of the first light-shielding conductive layer or the other side of the second light-shielding conductive layer of the laminate. Is provided. For this reason, when a laminated body is manufactured and stored as a wound body wound up in a roll shape, the light-shielding conductive layer of one laminated body is in contact with the light-shielding conductive layer of the laminated body adjacent to the one laminated body. There is nothing. For this reason, it can suppress that a blocking phenomenon arises.

図1は、本発明の実施の形態における積層体を示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a laminate in an embodiment of the present invention. 図2は、積層体を製造する積層体製造装置を示す図。FIG. 2 is a view showing a laminate manufacturing apparatus for manufacturing a laminate. 図3は、図2に示す積層体製造装置の巻出装置を示す図。FIG. 3 is a view showing an unwinding device of the laminate manufacturing apparatus shown in FIG. 2. 図4は、図2に示す積層体製造装置の成膜装置を示す図。4 is a view showing a film forming apparatus of the laminate manufacturing apparatus shown in FIG. 図5は、図2に示す積層体製造装置の巻取装置を示す図。FIG. 5 is a view showing a winding device of the laminate manufacturing apparatus shown in FIG. 2. 図6(a)(b)は、本発明の実施の形態における積層体から作製されるタッチパネルセンサの一例を示す図。FIGS. 6A and 6B are diagrams showing an example of a touch panel sensor manufactured from the stacked body according to the embodiment of the present invention. 図7は、タッチパネルセンサを製造する方法を説明するフローチャート。FIG. 7 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a touch panel sensor. 図8(a)〜(f)は、タッチパネルセンサの製造工程を示す図。FIGS. 8A to 8F are diagrams showing a manufacturing process of the touch panel sensor. 図9は、成膜装置の一変形例を示す図。FIG. 9 is a view showing a modification of the film forming apparatus. 図10は、積層体の一変形例を示す断面図。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a modified example of the laminated body. 図11は、積層体の一変形例を示す断面図。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a modified example of the laminate. 図12は、積層体の一変形例を示す断面図。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a modified example of the laminate. 図13は、積層体の一変形例を示す断面図。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a modified example of the laminate.

以下、図1乃至図8を参照して、本発明の実施の形態について説明する。まず図1により、本実施の形態における積層体10について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. First, the laminated body 10 in this Embodiment is demonstrated using FIG.

積層体
図1に示すように、積層体10は、基材フィルム11と、基材フィルム11の一方の側の面上に設けられた第1透明導電層21と、第1透明導電層21の一方の側の面上に設けられた第1遮光導電層22と、第1遮光導電層22の一方の側の面上に設けられた第1アモルファス層23と、基材フィルム11の他方の側の面上に設けられた第2透明導電層31と、第2透明導電層31の他方の側の面上に設けられた第2遮光導電層32と、第2遮光導電層32の他方の側の面上に設けられた第2アモルファス層33と、を備えている。
As shown in FIG. 1, the laminate 10 includes a base film 11, a first transparent conductive layer 21 provided on the surface of one side of the base film 11, and a first transparent conductive layer 21. The first light-shielding conductive layer 22 provided on the surface on one side, the first amorphous layer 23 provided on the surface on one side of the first light-shielding conductive layer 22, and the other side of the base film 11 The second transparent conductive layer 31 provided on the surface of the second transparent conductive layer 31, the second light-shielding conductive layer 32 provided on the surface of the other side of the second transparent conductive layer 31, and the other side of the second light-shielding conductive layer 32 And a second amorphous layer 33 provided on the surface.

以下、積層体10を構成する各層について説明する。   Hereinafter, each layer which comprises the laminated body 10 is demonstrated.

(基材フィルム)
はじめに基材フィルム11について説明する。基材フィルム11は、積層体10を製造する際のベースとなるものであり、図1に示すように合成樹脂層12を有している。合成樹脂層12の材料としては、透明性および可撓性を有する材料が用いられ、例えば合成樹脂(プラスチック)が用いられる。合成樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シクロオレフィンポリマー(COP)、環状オレフィン・コポリマー(COC)、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド(PI)、トリアセチルセルロース(TAC)または(ポリメチルメタクリレート(PMMA)などの可撓性及び透明性を有する樹脂が用いられる。合成樹脂層12の厚みは、例えば25〜200μmの範囲内となっている。
(Base film)
First, the base film 11 will be described. The base film 11 serves as a base when the laminate 10 is manufactured, and has a synthetic resin layer 12 as shown in FIG. As a material of the synthetic resin layer 12, a material having transparency and flexibility is used, and for example, a synthetic resin (plastic) is used. Examples of synthetic resins include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), cycloolefin polymer (COP), cyclic olefin copolymer (COC), polycarbonate (PC), polyimide (PI), and triacetyl cellulose (TAC). Or a resin having flexibility and transparency, such as polymethyl methacrylate (PMMA), etc. The thickness of the synthetic resin layer 12 is in the range of 25 to 200 μm, for example.

基材フィルム11は、合成樹脂層12の一方の側の面上に設けられた第1ハードコート層13と、合成樹脂層32の他方の側の面上に設けられた第2ハードコート層14と、をさらに有していてもよい。第1ハードコート層13および第2ハードコート層14を設けることにより、擦り傷などに対する基材フィルム11の耐擦傷性を高めることができる。ハードコート層13,14を構成する材料としては、例えばアクリル樹脂が用いられる。   The base film 11 includes a first hard coat layer 13 provided on one surface of the synthetic resin layer 12 and a second hard coat layer 14 provided on the other surface of the synthetic resin layer 32. And may further have. By providing the first hard coat layer 13 and the second hard coat layer 14, the scratch resistance of the base film 11 against scratches and the like can be enhanced. As a material constituting the hard coat layers 13 and 14, for example, an acrylic resin is used.

(透明導電層)
透明導電層21,31は、透光性および導電性を有するよう構成された層である。透明導電層21,31を構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す透明導電性材料が用いられ、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。透明導電層21,31の厚みは、例えば18〜50nmの範囲内となっている。好ましくは、透明導電層21,31は、結晶状態の透明導電性材料から構成されている。
(Transparent conductive layer)
The transparent conductive layers 21 and 31 are layers configured to have translucency and conductivity. As a material constituting the transparent conductive layers 21 and 31, a transparent conductive material having conductivity and exhibiting translucency is used. For example, indium tin oxide (ITO), zinc oxide, indium oxide, antimony added Metals such as tin oxide, fluorine-added tin oxide, aluminum-added zinc oxide, potassium-added zinc oxide, silicon-added zinc oxide, zinc oxide-tin oxide, indium oxide-tin oxide, zinc oxide-indium oxide-magnesium oxide An oxide is used. The thickness of the transparent conductive layers 21 and 31 is, for example, in the range of 18 to 50 nm. Preferably, the transparent conductive layers 21 and 31 are made of a transparent conductive material in a crystalline state.

(遮光導電層)
遮光導電層22,32は、遮光性および導電性を有するよう構成された層である。遮光導電層22,32を構成する材料としては、透明導電層21,31を構成する透明導電性材料よりも高い導電性を有する材料が用いられ、例えば、銀、銅若しくはアルミニウム、またはこれらの合金の少なくとも1種類からなる金属材料が用いられる。このうち銀合金は、従来の一般的なタッチパネルセンサにおいて導電パターンの材料として用いられているモリブデン合金などよりも比抵抗が小さく、このため遮光導電層22,32の材料として好ましい。このような銀合金の一例として、銀、パラジウム、銅を含んでなるAPC合金を挙げることができる。遮光導電層22,32の厚みは、例えば100〜400nmの範囲内となっている。
(Light-shielding conductive layer)
The light shielding conductive layers 22 and 32 are layers configured to have light shielding properties and conductivity. As the material constituting the light-shielding conductive layers 22 and 32, a material having higher conductivity than the transparent conductive material constituting the transparent conductive layers 21 and 31 is used. For example, silver, copper or aluminum, or an alloy thereof The metal material which consists of at least 1 type of is used. Among these, the silver alloy has a smaller specific resistance than a molybdenum alloy or the like used as a material for a conductive pattern in a conventional general touch panel sensor, and is therefore preferable as a material for the light-shielding conductive layers 22 and 32. As an example of such a silver alloy, an APC alloy containing silver, palladium, and copper can be given. The thickness of the light-shielding conductive layers 22 and 32 is, for example, in the range of 100 to 400 nm.

(アモルファス層)
アモルファス層23,33は、導電性を有するとともに、アモルファス状態となっている導電性酸化物材料から構成された層である。アモルファス層23,33を構成する導電性酸化物材料としては、透明導電層21,31の透明導電性材料の場合と同様に、インジウム錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。アモルファス層23,33の厚みは、例えば1〜30nmの範囲内となっており、例えば約5nmとなっている。
(Amorphous layer)
The amorphous layers 23 and 33 are layers made of a conductive oxide material that has conductivity and is in an amorphous state. As the conductive oxide material constituting the amorphous layers 23 and 33, in the same manner as the transparent conductive material of the transparent conductive layers 21 and 31, indium tin oxide (ITO), zinc oxide, indium oxide, antimony-added oxidation Metal oxidation such as tin, fluorine-added tin oxide, aluminum-added zinc oxide, potassium-added zinc oxide, silicon-added zinc oxide, zinc oxide-tin oxide system, indium oxide-tin oxide system, zinc oxide-indium oxide-magnesium oxide system Things are used. The thickness of the amorphous layers 23 and 33 is in the range of 1 to 30 nm, for example, and is about 5 nm, for example.

なお、透明導電層21,31およびアモルファス層23,33はいずれも、インジウムを含む導電性酸化物材料から構成されていてもよい。例えば、透明導電層21,31およびアモルファス層23,33がいずれもITOから構成されていてもよい。また、透明導電層21,31およびアモルファス層23,33がそれぞれ、ITOまたはIZOのいずれか一方から構成されていてもよい。   The transparent conductive layers 21 and 31 and the amorphous layers 23 and 33 may all be made of a conductive oxide material containing indium. For example, the transparent conductive layers 21 and 31 and the amorphous layers 23 and 33 may all be made of ITO. Further, the transparent conductive layers 21 and 31 and the amorphous layers 23 and 33 may be made of either ITO or IZO.

図1に示すように、アモルファス層23,33は、積層体10の一方の側の面および他方の側の面を構成する層となっている。すなわちアモルファス層23,33は、積層体10の最外面に位置している。本件発明者が鋭意研究を重ねた結果、このように積層体10の最外面をアモルファス層23,33によって構成することによって、積層体10の最外面が遮光導電層22,32によって構成されている場合に比べて、ブロッキング現象を生じにくくすることができることを見出した。その理由としては、例えば、アモルファス状態の導電性酸化物材料が金属材料に比べて高い放熱性を有していることが考えられる。一般に、真空蒸着やスパッタリングなどの真空成膜方法によって形成される積層体においては、積層体の各層を構成する材料の結晶状態を制御するため、成膜処理の際、若しくはその後に行われるアニール処理の際、積層体が加熱される。しかしながら、積層体が高温となっている状態で積層体が巻き取られる場合、隣接する積層体間での癒着(貼りつき)が生じやすくなってしまう。ここで、本実施の形態のように積層体10の最外面に高い放熱性を有するアモルファス層23,33が位置している場合、成膜処理またはアニール処理の後、積層体10が巻き取られるまでの間に、積層体10の最外面の温度を十分に低くすることができる。これによって、隣接する積層体間でブロッキング現象が生じることを抑制することができる。   As shown in FIG. 1, the amorphous layers 23 and 33 are layers constituting a surface on one side and a surface on the other side of the stacked body 10. That is, the amorphous layers 23 and 33 are located on the outermost surface of the stacked body 10. As a result of intensive studies by the present inventors, the outermost surface of the laminate 10 is constituted by the amorphous layers 23 and 33 as described above, so that the outermost surface of the laminate 10 is constituted by the light-shielding conductive layers 22 and 32. It has been found that the blocking phenomenon can be made less likely to occur than in the case. As the reason, for example, it is conceivable that the conductive oxide material in the amorphous state has higher heat dissipation than the metal material. In general, in a laminate formed by a vacuum film formation method such as vacuum deposition or sputtering, an annealing process is performed during or after the film formation process in order to control the crystal state of the material constituting each layer of the laminate. At this time, the laminate is heated. However, when the laminate is wound up in a state where the laminate is at a high temperature, adhesion (adhesion) between adjacent laminates tends to occur. Here, when the amorphous layers 23 and 33 having high heat dissipation are located on the outermost surface of the laminate 10 as in the present embodiment, the laminate 10 is wound up after the film forming process or the annealing process. In the meantime, the temperature of the outermost surface of the laminated body 10 can be sufficiently lowered. Thereby, it can suppress that a blocking phenomenon arises between adjacent laminated bodies.

なお、アモルファス層23,33を設けることによってブロッキング現象が生じにくくなる原因が、アモルファス層23,33における高い放熱性に限られることはない。アモルファス層23,33が備えている、遮光導電層22,32とは異なるその他の特性が、ブロッキング現象の抑制に寄与することもある。従って、成膜処理の際、若しくはその後に行われるアニール処理の際に積層体が加熱されない場合であっても、アモルファス層23,33を設けることによるブロッキング現象の抑制効果は生じ得る。   The reason why the blocking phenomenon is hardly caused by providing the amorphous layers 23 and 33 is not limited to the high heat dissipation in the amorphous layers 23 and 33. Other characteristics different from those of the light shielding conductive layers 22 and 32 included in the amorphous layers 23 and 33 may contribute to suppression of the blocking phenomenon. Therefore, even when the laminated body is not heated during the film forming process or the annealing process performed thereafter, the effect of suppressing the blocking phenomenon by providing the amorphous layers 23 and 33 can occur.

本実施の形態によるアモルファス層23,33は、様々な観点から定義され得る。例えば、アモルファス層23,33は、アモルファス層23,33を構成するアモルファス状態の導電性酸化物材料に対するX線解析や電子線解析によって得られる回折パターンが、明確なピークを含まないパターン、いわゆるハローパターンとなっている、ということによって定義され得る。この場合、仮に導電性酸化物材料が結晶状態となっている際の回折パターンの最大ピークの高さ(最大回折強度)を1とした場合、同一条件下で測定されたアモルファス状態の導電性酸化物材料の回折パターンにおける、前記最大ピークに対応する位置での回折強度は、1に比べて十分に小さくなっている、例えば0.5以下になっている。若しくは、アモルファス層23,33は、導電性酸化物材料から構成される層であって、その耐薬品性が低い層として定義されてもよい。この場合、アモルファス層23,33は、塩化鉄系や燐硝酢酸系のエッチング液に曝された場合に5分以内に溶解する層となっている。   The amorphous layers 23 and 33 according to the present embodiment can be defined from various viewpoints. For example, in the amorphous layers 23 and 33, the diffraction pattern obtained by X-ray analysis or electron beam analysis on the amorphous conductive oxide material constituting the amorphous layers 23 and 33 does not include a clear peak, a so-called halo. It can be defined by being a pattern. In this case, assuming that the maximum peak height (maximum diffraction intensity) of the diffraction pattern when the conductive oxide material is in a crystalline state is 1, the conductive oxidation in an amorphous state measured under the same conditions The diffraction intensity at the position corresponding to the maximum peak in the diffraction pattern of the material is sufficiently smaller than 1, for example 0.5 or less. Alternatively, the amorphous layers 23 and 33 may be defined as layers made of a conductive oxide material and having low chemical resistance. In this case, the amorphous layers 23 and 33 are layers which dissolve within 5 minutes when exposed to an iron chloride-based or phosphonitrate-based etching solution.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに積層体10の製造方法について、図2乃至図5を参照して説明する。次に、得られた積層体10を用いて、導電性を有する導電性パターンが基材フィルム11上に設けられた導電パターンフィルムを製造する方法について説明する。ここでは一例として、タッチパネルセンサ80を作製する方法について、図6乃至図8を参照して説明する。   Next, the operation and effect of the present embodiment having such a configuration will be described. Here, the manufacturing method of the laminated body 10 is demonstrated with reference to FIG. 2 thru | or FIG. Next, a method for producing a conductive pattern film in which a conductive pattern having conductivity is provided on the substrate film 11 using the obtained laminate 10 will be described. Here, as an example, a method for manufacturing the touch panel sensor 80 will be described with reference to FIGS.

積層体の製造方法
図2は、積層体10を製造する積層体製造装置40を示す図である。図2に示すように、積層体製造装置40は、基材フィルム11を巻き出す巻出装置50と、基材フィルム11上に各層21,22,23,31,32,33を設けて基材フィルム11を形成する成膜装置60と、積層体10を巻き取る巻取装置70と、を備えている。図3乃至図5は、図2の巻出装置50,成膜装置60および巻取装置70をそれぞれ拡大して示す図である。
Manufacturing process Figure 2 the laminate is a diagram showing a laminate production apparatus 40 for producing a laminate 10. As shown in FIG. 2, the laminate manufacturing apparatus 40 is provided with an unwinding device 50 for unwinding the base film 11, and layers 21, 22, 23, 31, 32, 33 provided on the base film 11. A film forming device 60 for forming the film 11 and a winding device 70 for winding the laminated body 10 are provided. 3 to 5 are enlarged views of the unwinding device 50, the film forming device 60, and the winding device 70 of FIG.

(第1巻出工程)
はじめに図2に示すように、巻出装置50において、基材フィルム11が巻回されたシャフト51を準備し、次に、成膜装置60に向けて基材フィルム11を巻き出す。このとき、ヒーター53を含む加熱機構52によって基材フィルム11を80〜120℃で加熱するとともに、排気手段54によって巻出装置50内の気体を外部に排出する。これによって、基材フィルム11に付着している水分や油分などの不純物が取り除かれる。
(First unwinding process)
First, as shown in FIG. 2, the shaft 51 around which the base film 11 is wound is prepared in the unwinding device 50, and then the base film 11 is unwound toward the film forming device 60. At this time, the base film 11 is heated at 80 to 120 ° C. by the heating mechanism 52 including the heater 53, and the gas in the unwinding device 50 is discharged to the outside by the exhaust means 54. Thereby, impurities such as moisture and oil adhering to the base film 11 are removed.

(第1成膜工程)
次に、成膜装置60によって、基材フィルム11の一方の側に所望の層を設ける第1成膜工程を実施する。成膜装置60による成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング、CVDやイオンプレーティングなど様々な方法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について説明する。
(First film formation step)
Next, a first film forming step of providing a desired layer on one side of the base film 11 is performed by the film forming apparatus 60. Various methods such as vacuum deposition, sputtering, CVD, and ion plating can be adopted as a film forming method by the film forming apparatus 60. Here, an example in which sputtering is used as the film forming method will be described.

成膜装置60は、図4に示すように、成膜処理が実施される成膜室66と、基材フィルム11が巻き付けられて搬送される搬送ドラム68と、成膜室66の内部の気体を外部に排出する真空排気機構67と、搬送されている基材フィルム11に対向するよう設けられ、基材フィルム11上に設けられる層の原料となるターゲットと、を備えている。図4に示す例においては、ターゲットとして、搬送ドラム68の第1回転方向Rの上流側から順に、透明導電性材料からなる第1ターゲット61aと、金属材料からなる第2ターゲット62aと、導電性酸化物材料からなる第3ターゲット63aと、が配置されている。 As shown in FIG. 4, the film forming apparatus 60 includes a film forming chamber 66 in which a film forming process is performed, a transfer drum 68 around which the base film 11 is wound, and a gas inside the film forming chamber 66. A vacuum exhaust mechanism 67 that discharges the substrate to the outside, and a target that is provided so as to face the substrate film 11 being conveyed and serves as a raw material for the layer provided on the substrate film 11. In the example shown in FIG. 4, as a target, in order from the first upstream side in the rotational direction R 1 of the conveyance drum 68, a first target 61a made of a transparent conductive material, and a second target 62a made of a metal material, conductive And a third target 63a made of a conductive oxide material.

成膜装置60による第1成膜工程においては、はじめに、基材フィルム11が搬送ドラム68に巻き付けられる。次に、各ターゲット61a,62a,63aを構成する原子をスパッタリングによって基材フィルム11の一方の側に付着させる。これによって、基材フィルム11の一方の側の面上に、第1透明導電層21,第1遮光導電層22および第1アモルファス層23が順に設けられる。この際、搬送ドラム68は、各層の成膜に適した温度に基材フィルム11を加熱または冷却するよう構成されていてもよい。例えば搬送ドラム68は、基材フィルム11を−20〜180℃に加熱または冷却するための温度調整手段(図示せず)を含んでいてもよい。なお成膜装置60による第1成膜工程の後、基材フィルム11上に設けられた各層を加熱して結晶化を進行させるアニール処理が実施されてもよい。   In the first film forming step by the film forming apparatus 60, first, the base film 11 is wound around the transport drum 68. Next, atoms constituting each of the targets 61a, 62a, and 63a are attached to one side of the base film 11 by sputtering. As a result, the first transparent conductive layer 21, the first light shielding conductive layer 22, and the first amorphous layer 23 are sequentially provided on the surface on one side of the base film 11. At this time, the transport drum 68 may be configured to heat or cool the base film 11 to a temperature suitable for forming each layer. For example, the transport drum 68 may include a temperature adjusting means (not shown) for heating or cooling the base film 11 to −20 to 180 ° C. In addition, after the 1st film-forming process by the film-forming apparatus 60, the annealing process which heats each layer provided on the base film 11 and advances crystallization may be implemented.

ここで、スパッタリングによって第1アモルファス層23を第1遮光導電層22の一方の側の面上に設ける際、成膜装置60は、第1遮光導電層22の一方の側の面上に形成される導電性酸化物材料がアモルファス状態となるよう、成膜条件を制御する。具体的には、第3領域63における温度や圧力などの成膜雰囲気が調整される。これによって、アモルファス状態となっている導電性酸化物材料から構成される第1アモルファス層23を得ることができる。   Here, when the first amorphous layer 23 is provided on one surface of the first light-shielding conductive layer 22 by sputtering, the film forming apparatus 60 is formed on the surface on one side of the first light-shielding conductive layer 22. The film forming conditions are controlled so that the conductive oxide material to be in an amorphous state. Specifically, the film formation atmosphere such as temperature and pressure in the third region 63 is adjusted. Thereby, the first amorphous layer 23 composed of a conductive oxide material in an amorphous state can be obtained.

ところで、従来、ITOなどの導電性酸化物材料の成膜処理において、成膜雰囲気の水蒸気分圧を制御することによって、得られる導電性酸化物材料の結晶状態を制御できることが知られている。例えば、成膜処理時の水蒸気分圧が非常に小さい場合、微細な結晶粒からなる多結晶状態のITO層が得られ、また、水蒸気分圧を大きくするにつれて、得られる結晶粒が大きくなることが知られている。また、例えば特開2003−16858号公報に記載されているように、成膜処理時の水蒸気分圧をさらに大きくすると、アモルファス状態のITO層が得られることが知られている。   By the way, conventionally, it is known that the crystal state of the obtained conductive oxide material can be controlled by controlling the water vapor partial pressure in the film forming atmosphere in the film forming process of the conductive oxide material such as ITO. For example, when the partial pressure of water vapor during the film formation process is very small, a polycrystalline ITO layer composed of fine crystal grains can be obtained, and the obtained crystal grains increase as the partial pressure of water vapor increases. It has been known. Further, for example, as described in JP-A-2003-16858, it is known that an amorphous ITO layer can be obtained by further increasing the water vapor partial pressure during the film forming process.

本実施の形態においても、成膜工程時の水蒸気分圧を調整し、これによってアモルファス状態の導電性酸化物材料が得られるようにしてもよい。例えば図4に示すように、成膜装置60の第3領域63に、第3ターゲット63aおよび基材フィルム11の周囲の雰囲気に水蒸気を供給する水蒸気供給部65eと、第3領域63の水蒸気分圧を測定する測定部65cと、測定部65cによる水蒸気分圧の測定結果に基づいて水蒸気供給部65eを制御する制御部65dと、が設けられていてもよい。これによって、アモルファス状態をより確実に実現することができる。   Also in this embodiment, the partial pressure of water vapor during the film formation process may be adjusted so that an amorphous conductive oxide material can be obtained. For example, as shown in FIG. 4, a water vapor supply unit 65 e that supplies water vapor to the atmosphere around the third target 63 a and the base film 11 in the third region 63 of the film forming apparatus 60, and the water vapor content of the third region 63 A measurement unit 65c that measures the pressure and a control unit 65d that controls the water vapor supply unit 65e based on the measurement result of the water vapor partial pressure by the measurement unit 65c may be provided. Thereby, the amorphous state can be realized more reliably.

また図4に示すように、成膜装置60の第1領域61にも、第3領域63と同様に、第1ターゲット61aおよび基材フィルム11の周囲の雰囲気に水蒸気を供給する水蒸気供給部65eと、第1領域61の水蒸気分圧を測定する測定部65cと、測定部65cによる水蒸気分圧の測定結果に基づいて水蒸気供給部65eを制御する制御部65dと、が設けられていてもよい。この場合、第1領域61の水蒸気分圧を調整することにより、所望の大きさの結晶粒を含む透明導電性材料から構成される第1透明導電層21をより確実に得ることができる。   As shown in FIG. 4, in the first region 61 of the film forming apparatus 60, similarly to the third region 63, the water vapor supply unit 65 e that supplies water vapor to the atmosphere around the first target 61 a and the base film 11. And a measurement unit 65c that measures the partial pressure of water vapor in the first region 61, and a control unit 65d that controls the water vapor supply unit 65e based on the measurement result of the partial pressure of water vapor by the measurement unit 65c. . In this case, by adjusting the water vapor partial pressure in the first region 61, the first transparent conductive layer 21 made of a transparent conductive material containing crystal grains having a desired size can be obtained more reliably.

(第1巻取工程)
その後、巻取装置70において、その一方の側に第1透明導電層21,第1遮光導電層22および第1アモルファス層23が設けられた基材フィルム11が、シャフト71によって巻き取られる。
(First winding process)
Thereafter, in the winding device 70, the base film 11 provided with the first transparent conductive layer 21, the first light shielding conductive layer 22, and the first amorphous layer 23 on one side thereof is wound by the shaft 71.

(第2巻出工程)
その後、その一方の側に第1透明導電層21,第1遮光導電層22および第1アモルファス層23が設けられた基材フィルム11を巻出装置50内に再び搬入し、次に、成膜装置60に向けて基材フィルム11を巻き出す。この際、基材フィルム11の他方の側、すなわち層がまだ設けられていない側が外方に向いた状態で基材フィルム11が搬送ドラム68に巻き付けられるよう、基材フィルム11を成膜装置60に向けて巻き出す。
(Second unwinding process)
Thereafter, the base film 11 provided with the first transparent conductive layer 21, the first light-shielding conductive layer 22, and the first amorphous layer 23 on one side thereof is again carried into the unwinding device 50, and then formed into a film. The base film 11 is unwound toward the device 60. At this time, the base film 11 is wound on the transport drum 68 in a state where the other side of the base film 11, that is, the side where the layer is not yet provided faces outward. Unwind toward.

(第2成膜工程)
次に、成膜装置60によって、基材フィルム11の他方の側に所望の層を設ける第2成膜工程を実施する。第2成膜工程においては、はじめに、基材フィルム11が搬送ドラム68に巻き付けられる。次に、各ターゲット61a,62a,63aを構成する原子をスパッタリングによって基材フィルム11の他方の側に付着させる。これによって、基材フィルム11の他方の側の面上に、第2透明導電層31,第2遮光導電層32および第2アモルファス層33が順に設けられる。具体的な方法は、上述の第1成膜工程の場合と同様であるので、詳細な説明を省略する。
(Second film formation step)
Next, the 2nd film-forming process which provides a desired layer on the other side of the base film 11 with the film-forming apparatus 60 is implemented. In the second film forming step, first, the base film 11 is wound around the transport drum 68. Next, the atoms constituting each of the targets 61a, 62a, 63a are attached to the other side of the base film 11 by sputtering. As a result, the second transparent conductive layer 31, the second light-shielding conductive layer 32, and the second amorphous layer 33 are sequentially provided on the surface on the other side of the base film 11. Since the specific method is the same as that in the case of the first film forming step described above, detailed description thereof is omitted.

(第2巻取工程)
その後、巻取装置70において、基材フィルム11と、基材フィルム11の一方の側に設けられた第1透明導電層21,第1遮光導電層22および第1アモルファス層23と、基材フィルム11の他方の側に設けられた第2透明導電層31,第2遮光導電層32および第2アモルファス層33と、を備えた積層体10が、シャフト71によってロール状に巻き取られる。
(Second winding process)
Thereafter, in the winding device 70, the base film 11, the first transparent conductive layer 21, the first light-shielding conductive layer 22, the first amorphous layer 23 provided on one side of the base film 11, and the base film 11, the laminated body 10 including the second transparent conductive layer 31, the second light-shielding conductive layer 32, and the second amorphous layer 33 provided on the other side is wound up in a roll shape by the shaft 71.

ここで本実施の形態によれば、高い放熱性を有するアモルファス層23,33によって積層体10の最外面が構成されている。このため、成膜処理の後、積層体10が巻き取られるまでの間に、積層体10の最外面の温度を十分に低くすることができる。これによって、隣接する積層体10間に癒着が生じること、すなわちブロッキング現象が生じることを抑制することができる。   Here, according to this Embodiment, the outermost surface of the laminated body 10 is comprised by the amorphous layers 23 and 33 which have high heat dissipation. For this reason, the temperature of the outermost surface of the laminated body 10 can be sufficiently lowered after the film formation process and before the laminated body 10 is wound up. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of adhesion between adjacent laminates 10, that is, the occurrence of a blocking phenomenon.

タッチパネルセンサの作製方法
次に図6乃至図8を参照して、積層体10からタッチパネルセンサ80を作製する方法について説明する。
Method for Producing Touch Panel Sensor Next, a method for producing the touch panel sensor 80 from the laminate 10 will be described with reference to FIGS.

(タッチパネルセンサ)
はじめに図6(a)(b)を参照して、作製されるタッチパネルセンサ80について説明する。図6(a)は、タッチパネルセンサ80の一例を示す平面図であり、図6(b)は、図6(a)のVIa−VIa線に沿った断面図である。
(Touch panel sensor)
First, the manufactured touch panel sensor 80 will be described with reference to FIGS. 6A is a plan view illustrating an example of the touch panel sensor 80, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line VIa-VIa in FIG. 6A.

図6(a)(b)に示すように、タッチパネルセンサ80は、基材フィルム11上に所定のパターンで設けられた複数の第1透明導電パターン81および第2透明導電パターン86を有している。図6(a)(b)に示すように、各第1透明導電パターン81は、基材フィルム11の一方の側においてx方向に延びており、また各第2透明導電パターン86は、基材フィルム11の他方の側において、x方向に直交するy方向に延びている。なお図6(a)において、基材フィルム11の一方の側に設けられた各パターンが実線で示されており、基材フィルム11の他方の側に設けられた各パターンが点線で示されている。   As shown in FIGS. 6A and 6B, the touch panel sensor 80 has a plurality of first transparent conductive patterns 81 and second transparent conductive patterns 86 provided in a predetermined pattern on the base film 11. Yes. As shown in FIGS. 6A and 6B, each first transparent conductive pattern 81 extends in the x direction on one side of the base film 11, and each second transparent conductive pattern 86 is a base material. On the other side of the film 11, it extends in the y direction orthogonal to the x direction. In FIG. 6A, each pattern provided on one side of the base film 11 is indicated by a solid line, and each pattern provided on the other side of the base film 11 is indicated by a dotted line. Yes.

図6(b)に示すように、各透明導電パターン81,86は、透明導電性材料からなる透明導電層21,31から構成されている。この場合、人体などの被検出体からの静電気に起因する、各透明導電パターン81,86における電流や電圧の変化に基づいて、タッチ箇所を検出することができる。具体的には、各第1透明導電パターン81により、被検出体のタッチ箇所のy方向における位置を検出することができ、各第2透明導電パターン86により、被検出体のタッチ箇所のx方向における位置を検出することができる。   As shown in FIG. 6B, each of the transparent conductive patterns 81 and 86 is composed of transparent conductive layers 21 and 31 made of a transparent conductive material. In this case, a touch location can be detected based on changes in current and voltage in each of the transparent conductive patterns 81 and 86 caused by static electricity from a detection target such as a human body. Specifically, the position in the y direction of the touch location of the detected object can be detected by each first transparent conductive pattern 81, and the x direction of the touch location of the detected object can be detected by each second transparent conductive pattern 86. The position at can be detected.

また基材フィルム11上には、第1透明導電パターン81および第2透明導電パターン86にそれぞれ電気的に接続された第1遮光導電パターン82および第2遮光導電パターン87と、第1遮光導電パターン82および第2遮光導電パターン87に接続され、第1透明導電パターン81および第2透明導電パターン86からの信号を外部へ取り出すための第1端子部83および第2端子部88と、がさらに設けられている。各遮光導電パターン82,87および各端子部83,88は、金属材料からなる遮光導電層22,32を含んでいる。このため、第1透明導電パターン81および第2透明導電パターン86からの信号を低抵抗で外部へ取り出すことができる。   Further, on the base film 11, a first light-shielding conductive pattern 82 and a second light-shielding conductive pattern 87 electrically connected to the first transparent conductive pattern 81 and the second transparent conductive pattern 86, respectively, and a first light-shielding conductive pattern 82 and the second light-shielding conductive pattern 87, and a first terminal portion 83 and a second terminal portion 88 for taking out signals from the first transparent conductive pattern 81 and the second transparent conductive pattern 86 to the outside are further provided. It has been. Each light shielding conductive pattern 82 and 87 and each terminal part 83 and 88 include light shielding conductive layers 22 and 32 made of a metal material. Therefore, signals from the first transparent conductive pattern 81 and the second transparent conductive pattern 86 can be extracted to the outside with a low resistance.

第1遮光導電パターン82および第1端子部83は、基材フィルム11と第1遮光導電層22との間に介在された第1透明導電層21と、第1遮光導電層22の一方の側に設けられた第1アモルファス層23と、をさらに含んでいてもよい。上述のように、第1透明導電層21および第1アモルファス層23を構成する材料はそれぞれ導電性を有している。このため、第1透明導電層21および第1アモルファス層23は、第1遮光導電パターン82および第1端子部83の低抵抗化に寄与することができる。同様に、第2遮光導電パターン87および第2端子部88は、基材フィルム11と第2遮光導電層32との間に介在された第2透明導電層31と、第2遮光導電層22の他方の側に設けられた第2アモルファス層33と、をさらに含んでいてもよい。   The first light-shielding conductive pattern 82 and the first terminal portion 83 include the first transparent conductive layer 21 interposed between the base film 11 and the first light-shielding conductive layer 22 and one side of the first light-shielding conductive layer 22. And a first amorphous layer 23 provided on the substrate. As described above, the materials constituting the first transparent conductive layer 21 and the first amorphous layer 23 have conductivity. For this reason, the first transparent conductive layer 21 and the first amorphous layer 23 can contribute to lowering the resistance of the first light-shielding conductive pattern 82 and the first terminal portion 83. Similarly, the second light-shielding conductive pattern 87 and the second terminal portion 88 are formed by the second transparent conductive layer 31 interposed between the base film 11 and the second light-shielding conductive layer 32 and the second light-shielding conductive layer 22. And a second amorphous layer 33 provided on the other side.

次に、図7に示すフローチャートに沿ってタッチパネルセンサ80を作製する方法について、図8(a)〜(f)を参照して説明する。   Next, a method for manufacturing the touch panel sensor 80 will be described with reference to FIGS. 8A to 8F along the flowchart shown in FIG.

(感光層の形成工程)
はじめに積層体10を準備する(工程S11)。次に図8(a)に示すように、積層体10の一方の側の面上に第1感光層29aを設け、積層体10の他方の側の面上に第2感光層39aを設ける(工程S12)。感光層29a,39aは、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。感光層29a,39aの具体的な感光特性が特に限られることはない。例えば、感光層29a,39aとして、光硬化型の感光材が用いられてもよく、若しくは、光溶解型の感光材が用いられてもよい。ここでは、感光層29a,39aとして光硬化型の感光材が用いられる例を説明する。
(Photosensitive layer formation process)
First, the laminate 10 is prepared (step S11). Next, as shown in FIG. 8A, a first photosensitive layer 29a is provided on one side of the laminate 10, and a second photosensitive layer 39a is provided on the other side of the laminate 10 ( Step S12). The photosensitive layers 29a and 39a have photosensitivity to light in a specific wavelength range, for example, ultraviolet rays. The specific photosensitive characteristics of the photosensitive layers 29a and 39a are not particularly limited. For example, a photocurable photosensitive material may be used as the photosensitive layers 29a and 39a, or a photodissolvable photosensitive material may be used. Here, an example in which a photocurable photosensitive material is used as the photosensitive layers 29a and 39a will be described.

(一次露光工程)
次に、図8(b)に示すように、第1感光層29a上に第1露光マスク28aを配置するとともに第2感光層39a上に第2露光マスク38aを配置する。マスク28a,38aは各々、後に形成される透明導電パターン81,86,遮光導電パターン82,87および端子部83,88に対応したパターンで露光光を透過させる開口部と、露光光を遮蔽する遮光部と、を含んでいる。その後、露光光を、マスク28a,38aを介して感光層29a,39aに照射する(工程S13)。この結果、第1感光層29aおよび第2感光層39aが互いに異なるパターンで同時に露光される。
(Primary exposure process)
Next, as shown in FIG. 8B, the first exposure mask 28a is disposed on the first photosensitive layer 29a, and the second exposure mask 38a is disposed on the second photosensitive layer 39a. Each of the masks 28a and 38a has an opening that transmits exposure light in a pattern corresponding to the transparent conductive patterns 81 and 86, the light-shielding conductive patterns 82 and 87, and the terminal portions 83 and 88, which will be formed later, and a light-shield that shields the exposure light. Part. Thereafter, exposure light is irradiated to the photosensitive layers 29a and 39a through the masks 28a and 38a (step S13). As a result, the first photosensitive layer 29a and the second photosensitive layer 39a are simultaneously exposed in different patterns.

ここで本実施の形態によれば、積層体10は、遮光性を有する第1遮光導電層22および第2遮光導電層32を有している。このため、第1感光層29aを透過した露光光は第1遮光導電層22によって遮光される。また、第2感光層39aを透過した露光光は第2遮光導電層32によって遮光される。従って、第1感光層29aを露光するために積層体10の一方の側から照射される露光光が第2感光層39aに到達することはなく、同様に、第2感光層39aを露光するために積層体10の他方の側から照射される露光光が第1感光層29aに到達することもない。この結果、この露光工程S13において、第1感光層29aおよび第2感光層39aを、それぞれ所望のパターンで精度良く同時に露光することができる。   Here, according to the present embodiment, the stacked body 10 includes the first light-shielding conductive layer 22 and the second light-shielding conductive layer 32 having light shielding properties. Therefore, the exposure light transmitted through the first photosensitive layer 29 a is shielded by the first light shielding conductive layer 22. Further, the exposure light transmitted through the second photosensitive layer 39 a is shielded by the second light-shielding conductive layer 32. Therefore, the exposure light irradiated from one side of the laminated body 10 for exposing the first photosensitive layer 29a does not reach the second photosensitive layer 39a, and similarly for exposing the second photosensitive layer 39a. The exposure light irradiated from the other side of the laminate 10 does not reach the first photosensitive layer 29a. As a result, in the exposure step S13, the first photosensitive layer 29a and the second photosensitive layer 39a can be simultaneously exposed with a desired pattern with high accuracy.

(現像工程)
次に、露光された第1感光層29aおよび第2感光層39aを現像する(工程S14)。具体的には、第1感光層29aおよび第2感光層39aに対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、感光層29a,39aを現像する。これにより、図8(c)に示すように、感光層29a,39aのうち露光光が照射されていない部分が除去され、この結果、感光層29a,39aが所定のパターンにパターニングされる。
(Development process)
Next, the exposed first photosensitive layer 29a and second photosensitive layer 39a are developed (step S14). Specifically, a developer corresponding to the first photosensitive layer 29a and the second photosensitive layer 39a is prepared, and the photosensitive layers 29a and 39a are developed using this developer. As a result, as shown in FIG. 8C, portions of the photosensitive layers 29a and 39a that are not irradiated with the exposure light are removed, and as a result, the photosensitive layers 29a and 39a are patterned into a predetermined pattern.

(第1パターニング工程)
その後、パターニングされた第1感光層29aをマスクとして、第1アモルファス層23,第1遮光導電層22および第1透明導電層21をエッチングする。また、パターニングされた第2感光層39aをマスクとして、第2アモルファス層33,第2遮光導電層32および第2透明導電層31をエッチングする。このエッチングにより、図8(d)に示すように、第1アモルファス層23,第1遮光導電層22および第1透明導電層21が、第1感光層29aのパターンと略同一のパターンにパターニングされる。また、第2アモルファス層33,第2遮光導電層32および第2透明導電層31が、第2感光層39aのパターンと略同一のパターンにパターニングされる(工程S15)。なお、このようなエッチングを実施するための具体的な方法が特に限られることはなく、様々な方法が用いられ得る。例えば、アモルファス層23,33、遮光導電層22,32および透明導電層21,31の各々を選択的にエッチングするエッチング液をそれぞれ用いて、アモルファス層23,33、遮光導電層22,32および透明導電層21,31を順次エッチングしてもよい。若しくは、アモルファス層23,33、遮光導電層22,32および透明導電層21,31のうち2種以上の層を侵食することができるエッチング液を用いて、アモルファス層23,33、遮光導電層22,32および透明導電層21,31のうち2種以上の層を同時にエッチングしてもよい。エッチング後、アモルファス層23,33上に残留している感光層29a,39aを除去する(工程S16)。
(First patterning step)
Thereafter, the first amorphous layer 23, the first light-shielding conductive layer 22, and the first transparent conductive layer 21 are etched using the patterned first photosensitive layer 29a as a mask. In addition, the second amorphous layer 33, the second light-shielding conductive layer 32, and the second transparent conductive layer 31 are etched using the patterned second photosensitive layer 39a as a mask. By this etching, as shown in FIG. 8D, the first amorphous layer 23, the first light-shielding conductive layer 22, and the first transparent conductive layer 21 are patterned into a pattern substantially the same as the pattern of the first photosensitive layer 29a. The Further, the second amorphous layer 33, the second light-shielding conductive layer 32, and the second transparent conductive layer 31 are patterned into a pattern substantially the same as the pattern of the second photosensitive layer 39a (step S15). Note that a specific method for performing such etching is not particularly limited, and various methods can be used. For example, the amorphous layers 23 and 33, the light shielding conductive layers 22 and 32, and the transparent conductive layers 21 and 31 are respectively etched using an etching solution to selectively etch the amorphous layers 23 and 33, the light shielding conductive layers 22 and 32, and the transparent layers. The conductive layers 21 and 31 may be etched sequentially. Alternatively, the amorphous layers 23 and 33, the light-shielding conductive layer 22, and the amorphous layers 23 and 33, the light-shielding conductive layers 22 and 32, and the transparent conductive layers 21 and 31 are etched using an etchant that can attack two or more layers. , 32 and two or more of the transparent conductive layers 21 and 31 may be etched simultaneously. After the etching, the photosensitive layers 29a and 39a remaining on the amorphous layers 23 and 33 are removed (step S16).

(二次露光工程)
次に、図8(e)に示すように、第1アモルファス層23のうち後に形成される第1遮光導電パターン82および第1端子部83に対応する部分に第3感光層29bを設ける。また、第2アモルファス層23のうち後に形成される第2遮光導電パターン87および第2端子部88に対応する部分に第4感光層39bを設ける。具体的には、上述の工程S12〜S14の場合と同様に、はじめに積層体10上に感光層29b,39bを設け(工程S17)、次に、感光層29b,39bを所定パターンで同時に露光し(工程S18)、その後、感光層29b,39bを現像する(工程S19)。
(Secondary exposure process)
Next, as shown in FIG. 8E, the third photosensitive layer 29 b is provided in a portion corresponding to the first light-shielding conductive pattern 82 and the first terminal portion 83 to be formed later in the first amorphous layer 23. Further, the fourth photosensitive layer 39 b is provided in a portion corresponding to the second light-shielding conductive pattern 87 and the second terminal portion 88 to be formed later in the second amorphous layer 23. Specifically, as in the above-described steps S12 to S14, first, the photosensitive layers 29b and 39b are provided on the laminate 10 (step S17), and then the photosensitive layers 29b and 39b are simultaneously exposed in a predetermined pattern. Thereafter, the photosensitive layers 29b and 39b are developed (step S19).

(第2パターニング工程)
その後、図8(f)に示すように、エッチングによって、感光層29b,39bによって被覆されていない遮光導電層22,32およびアモルファス層23,33を除去する(工程S20)。この際、エッチング液として、遮光導電層22,32に対する浸食性を有するとともに、結晶状態の透明導電性材料からなる透明導電層21,31に対する浸食性を有さない若しくは弱い浸食性のみを有するエッチング液が用いられてもよい。このようなエッチング液としては、例えば燐硝酢酸系のエッチング液が挙げられる。
(Second patterning step)
Thereafter, as shown in FIG. 8F, the light-shielding conductive layers 22 and 32 and the amorphous layers 23 and 33 not covered with the photosensitive layers 29b and 39b are removed by etching (step S20). At this time, the etching liquid has an erosion property with respect to the light-shielding conductive layers 22 and 32 and an etching solution with no erosion property or only weak erosion property with respect to the transparent conductive layers 21 and 31 made of a transparent conductive material in a crystalline state. A liquid may be used. As such an etching solution, for example, a phosphoric acid acetic acid-based etching solution may be mentioned.

ところで上述のように、アモルファス層23,33は、アモルファス状態となっている導電性酸化物材料から構成されている。ところで一般に、アモルファス状態の導電性酸化物材料の耐薬品性は、結晶状態の導電性酸化物材料の耐薬品性よりも低くなっている。このため、第2パターニング工程においてエッチング液を用いて透明導電層21,31上の遮光導電層22,32を部分的に除去する際、アモルファス層23,33を同時に除去することができるよう、エッチング液またはアモルファス層23,33を設定することが可能である。例えば、第2パターニング工程で用いられるエッチング液が、透明導電層21,31に対する浸食性を有さないが、アモルファス層23,33に対する浸食性を有するよう、選択される。若しくは、アモルファス層23,33の導電性酸化物材料のアモルファス状態が、第2パターニング工程で用いられるエッチング液によって浸食され得るよう、設定される。これによって、遮光導電層22,32と同時にアモルファス層23,33を除去することができ、このことにより、第2パターニング工程に要する工数を少なくすることができる。   As described above, the amorphous layers 23 and 33 are made of a conductive oxide material in an amorphous state. In general, the chemical resistance of the conductive oxide material in the amorphous state is lower than the chemical resistance of the conductive oxide material in the crystalline state. Therefore, the etching is performed so that the amorphous layers 23 and 33 can be simultaneously removed when the light-shielding conductive layers 22 and 32 on the transparent conductive layers 21 and 31 are partially removed using an etchant in the second patterning step. The liquid or amorphous layers 23 and 33 can be set. For example, the etchant used in the second patterning step is selected so as not to have erosion with respect to the transparent conductive layers 21 and 31 but with erosion with respect to the amorphous layers 23 and 33. Alternatively, the amorphous state of the conductive oxide material of the amorphous layers 23 and 33 is set so as to be eroded by the etching solution used in the second patterning step. As a result, the amorphous layers 23 and 33 can be removed simultaneously with the light-shielding conductive layers 22 and 32, thereby reducing the number of steps required for the second patterning step.

その後、アモルファス層23,33上に残留している感光層29b,39bを除去する(工程S21)。これによって、図6(a)(b)に示すようなタッチパネルセンサ80を得ることができる。   Thereafter, the photosensitive layers 29b and 39b remaining on the amorphous layers 23 and 33 are removed (step S21). Thereby, a touch panel sensor 80 as shown in FIGS. 6A and 6B can be obtained.

ここで本実施の形態によれば、感光層29a,29b,39a,39bは、アモルファス層23,33上に設けられる。ここで一般に、感光層29a,29b,39a,39bを構成する感光材と、アモルファス層23,33を構成する導電性酸化物材料との間の密着性は、感光材と、遮光導電層22,32を構成する金属材料との間の密着性よりも高くなっている。このため、アモルファス層23,33に対して事前に光学的または化学的な処理を施すことなく、アモルファス層23,33上に容易に感光層29a,29b,39a,39bを設けることができる。このことにより、遮光導電層22,32上に感光層29a,29b,39a,39bが設けられる場合に比べて、感光層29a,29b,39a,39bを設けることに要する工数を少なくすることができる。   Here, according to the present embodiment, the photosensitive layers 29a, 29b, 39a, 39b are provided on the amorphous layers 23, 33. Here, in general, the adhesion between the photosensitive material constituting the photosensitive layers 29a, 29b, 39a, 39b and the conductive oxide material constituting the amorphous layers 23, 33 is such that the photosensitive material, the light-shielding conductive layer 22, It is higher than the adhesiveness between the metal materials constituting 32. Therefore, the photosensitive layers 29a, 29b, 39a, and 39b can be easily provided on the amorphous layers 23 and 33 without performing optical or chemical treatment on the amorphous layers 23 and 33 in advance. As a result, compared with the case where the photosensitive layers 29a, 29b, 39a, and 39b are provided on the light-shielding conductive layers 22 and 32, the number of steps required to provide the photosensitive layers 29a, 29b, 39a, and 39b can be reduced. .

なお本実施の形態によるタッチパネルセンサ80において、図6(b)において一点鎖線で示されているように、第1透明導電パターン81および第1遮光導電パターン82を覆う第1オーバーコート層84が基材フィルム11の一方の側に設けられ、第2透明導電パターン86および第2遮光導電パターン87を覆う第2オーバーコート層89が基材フィルム11の他方の側に設けられていてもよい。これによって、透明導電パターン81,86および遮光導電パターン82,87を外部雰囲気から遮蔽することができる。このことにより、タッチパネルセンサ80における透明導電パターン81,86および遮光導電パターン82,87の信頼性を向上させることができる。オーバーコート層84,89を構成する材料としては、例えば、アクリル樹脂などの絶縁性を有する材料が用いられる。   In the touch panel sensor 80 according to the present embodiment, the first overcoat layer 84 that covers the first transparent conductive pattern 81 and the first light-shielding conductive pattern 82 is based on the dotted line shown in FIG. 6B. A second overcoat layer 89 provided on one side of the material film 11 and covering the second transparent conductive pattern 86 and the second light-shielding conductive pattern 87 may be provided on the other side of the base film 11. Thus, the transparent conductive patterns 81 and 86 and the light shielding conductive patterns 82 and 87 can be shielded from the external atmosphere. Thereby, the reliability of the transparent conductive patterns 81 and 86 and the light shielding conductive patterns 82 and 87 in the touch panel sensor 80 can be improved. As a material constituting the overcoat layers 84 and 89, for example, an insulating material such as an acrylic resin is used.

ところで、タッチパネルセンサ80の端子部83,88は、透明導電パターン81,86からの信号を外部に取り出すための部材である。このため図6(b)に示すように、端子部83,88をオーバーコート層84,89によって完全に覆うことはできない。ここで本実施の形態によれば、図6(b)に示すように、第1端子部83において、第1遮光導電層22が第1アモルファス層23によって覆われている。また、図示はしないが、第2端子部88においても、第2遮光導電層32が第2アモルファス層33によって覆われている。上述のように、アモルファス層23,33は、導電性を有する導電性酸化物材料から構成されている。従って、このようなアモルファス層23,33によって端子部83,88の最外面を構成することにより、端子部83,88における導電性を確保しながら、遮光導電層22,32の表面を外部雰囲気から遮蔽することができる。このことにより、端子部83,88の遮光導電層22,32が酸化してしまうことを防ぐことができる。この結果、端子部83,88における良好な導電性を長期にわたって確保することができる。   By the way, the terminal parts 83 and 88 of the touch panel sensor 80 are members for taking out signals from the transparent conductive patterns 81 and 86 to the outside. Therefore, the terminal portions 83 and 88 cannot be completely covered with the overcoat layers 84 and 89 as shown in FIG. Here, according to the present embodiment, as shown in FIG. 6B, the first light-shielding conductive layer 22 is covered with the first amorphous layer 23 in the first terminal portion 83. Although not shown, the second light-shielding conductive layer 32 is also covered with the second amorphous layer 33 in the second terminal portion 88. As described above, the amorphous layers 23 and 33 are made of a conductive oxide material having conductivity. Therefore, by forming the outermost surfaces of the terminal portions 83 and 88 with such amorphous layers 23 and 33, the surface of the light-shielding conductive layers 22 and 32 is kept from the outside atmosphere while ensuring the conductivity in the terminal portions 83 and 88. Can be shielded. This can prevent the light-shielding conductive layers 22 and 32 of the terminal portions 83 and 88 from being oxidized. As a result, good electrical conductivity in the terminal portions 83 and 88 can be secured over a long period of time.

変形例
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、変形の一例について説明する。
Modifications Various modifications can be made to the above-described embodiment. Hereinafter, an example of modification will be described.

(積層体製造方法の変形例)
本実施の形態において、はじめに、積層体製造装置40において基材フィルム11を一方向に流すことによって、基材フィルム11の一方の側に複数の層が設けられ、次に、当該基材フィルム11を再び積層体製造装置40において一方向に流すことによって、基材フィルム11の他方の側に複数の層が形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図9に示すように、ロール・トゥ・ロールで基材フィルム11を往復させる間に基材フィルム11の一方の側および他方の側のそれぞれに複数の層を設けることができる成膜装置60Aを用いて積層体を製造してもよい。
(Modified example of laminate manufacturing method)
In the present embodiment, first, a plurality of layers are provided on one side of the base film 11 by flowing the base film 11 in one direction in the laminate manufacturing apparatus 40, and then the base film 11 An example in which a plurality of layers are formed on the other side of the base film 11 by flowing the film again in one direction in the laminate manufacturing apparatus 40 is shown. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 9, a plurality of layers are provided on each of one side and the other side of the base film 11 while the base film 11 is reciprocated by roll-to-roll. A laminated body may be manufactured using a film forming apparatus 60 </ b> A capable of providing a film.

図9に示す成膜装置60Aにおいては、第1回転方向Rの上流側から順に、透明導電性材料からなる第1ターゲット61aと、金属材料からなる第2ターゲット62aと、導電性酸化物材料からなる第3ターゲット63aと、金属材料からなる第4ターゲット62a’と、透明導電性材料からなる第5ターゲット61a’と、が配置されている。なお図9において、成膜室66内を複数の領域に区画する隔壁66aおよび成膜用真空排気機構67、並びに、ターゲットの近傍に配置され得る水蒸気供給部65eなどは、簡単のため省略されている。 In the film forming apparatus 60A shown in FIG. 9, in order from the first upstream side in the rotational direction R 1, the first target 61a made of a transparent conductive material, and a second target 62a made of a metal material, a conductive oxide material A third target 63a made of, a fourth target 62a ′ made of a metal material, and a fifth target 61a ′ made of a transparent conductive material are arranged. In FIG. 9, the partition 66 a and the film-forming vacuum exhaust mechanism 67 that partitions the film-forming chamber 66 into a plurality of regions, the water vapor supply unit 65 e that can be disposed near the target, and the like are omitted for simplicity. Yes.

図9に示す成膜装置60Aを用いた積層体製造方法においては、はじめに、図9の左から右へ基材フィルム11を搬送する間に第1成膜工程を実施する。まず、第1回転方向Rに回転している搬送ドラム68に基材フィルム11が巻き付けられる。次に、各ターゲット61a,62a,63aを構成する原子を、スパッタリングによって基材フィルム11の一方の側に付着させる。これによって、基材フィルム11の一方の側の面上に、第1透明導電層21,第1遮光導電層22および第1アモルファス層23が順に設けられる。その後、基材フィルム11の表裏を反転させた上で、図9の右から左へ基材フィルム11を搬送する間に第2成膜工程を実施する。まず、第2回転方向Rに回転している搬送ドラム68に基材フィルム11が巻き付けられる。次に、各ターゲット61a’,62a’,63aを構成する原子を、スパッタリングによって基材フィルム11の他方の側に付着させる。これによって、基材フィルム11の他方の側の面上に、第2透明導電層31,第2遮光導電層32および第2アモルファス層33が順に設けられる。このようにして、本実施の形態による積層体10を製造することができる。 In the laminate manufacturing method using the film forming apparatus 60A shown in FIG. 9, first, the first film forming step is performed while the base film 11 is conveyed from left to right in FIG. First, the base film 11 is wound around the conveying drum 68 rotating in the first rotational direction R 1. Next, atoms constituting each of the targets 61a, 62a, and 63a are attached to one side of the base film 11 by sputtering. As a result, the first transparent conductive layer 21, the first light shielding conductive layer 22, and the first amorphous layer 23 are sequentially provided on the surface on one side of the base film 11. Then, after the front and back of the base film 11 are reversed, the second film forming step is performed while the base film 11 is conveyed from right to left in FIG. First, the base film 11 is wound around the conveying drum 68 rotating in the second rotational direction R 2. Next, the atoms constituting each of the targets 61a ′, 62a ′, and 63a are attached to the other side of the base film 11 by sputtering. As a result, the second transparent conductive layer 31, the second light-shielding conductive layer 32, and the second amorphous layer 33 are sequentially provided on the surface on the other side of the base film 11. Thus, the laminated body 10 by this Embodiment can be manufactured.

(積層体の変形例)
また本実施の形態において、第1遮光導電層22の一方の側および第2遮光導電層32の他方の側のいずれにも、アモルファス層23,33が設けられている例を示した。すなわち、積層体10の一方の側の最外面および他方の側の最外面のいずれにもアモルファス層が位置している例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第1遮光導電層22の一方の側および第2遮光導電層32の他方の側の少なくともいずれか一方にアモルファス層が設けられて入ればよい。例えば図10に示すように、第1遮光導電層22の一方の側の面上にのみ第1アモルファス層23が設けられ、第2遮光導電層32の他方の側の面上にはアモルファス層が設けられていなくてもよい。この場合であっても、成膜処理またはアニール処理の後、積層体10が巻き取られるまでの間に、第1アモルファス層23によって、第1遮光導電層22の一方の側の面の温度を十分に低くすることができる。これによって、ブロッキング現象が生じることを抑制することができる。
(Modified example of laminate)
In the present embodiment, an example in which the amorphous layers 23 and 33 are provided on one side of the first light-shielding conductive layer 22 and the other side of the second light-shielding conductive layer 32 is shown. That is, an example is shown in which the amorphous layer is located on both the outermost surface on one side and the outermost surface on the other side of the laminate 10. However, the present invention is not limited to this, and it is sufficient that an amorphous layer is provided on at least one of one side of the first light-shielding conductive layer 22 and the other side of the second light-shielding conductive layer 32. For example, as shown in FIG. 10, the first amorphous layer 23 is provided only on one side surface of the first light-shielding conductive layer 22, and the amorphous layer is provided on the other side surface of the second light-shielding conductive layer 32. It may not be provided. Even in this case, the temperature of the surface on one side of the first light-shielding conductive layer 22 is reduced by the first amorphous layer 23 until the stacked body 10 is wound after the film forming process or the annealing process. It can be made low enough. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of the blocking phenomenon.

また図11に示すように、積層体10は、基材フィルム11と第1透明導電層21との間に設けられた第1インデックスマッチング層24と、基材フィルム11と第2透明導電層31との間に設けられた第2インデックスマッチング層34と、をさらに備えていてもよい。各インデックスマッチング層24,34は、例えば図11に示すように、透明導電層21,31よりも高い屈折率を有する高屈折率層25,35と、透明導電層21,31よりも低い屈折率を有する低屈折率層26,36と、を少なくとも1組含んでいる。このようなインデックスマッチング層24,34を設けることにより、積層体10における光の透過率および反射率を適切に調整することが可能となる。例えば、積層体10を用いてタッチパネルセンサ80を作製した場合に、透明導電パターン81,86が設けられている領域と透明導電パターン81,86が設けられてない領域との間における光の透過率および反射率の差が小さくなるよう、インデックスマッチング層24,34を適宜設定することができる。   As shown in FIG. 11, the laminate 10 includes a first index matching layer 24 provided between the base film 11 and the first transparent conductive layer 21, and the base film 11 and the second transparent conductive layer 31. And a second index matching layer 34 provided between the two. For example, as shown in FIG. 11, each of the index matching layers 24 and 34 includes high refractive index layers 25 and 35 having a higher refractive index than the transparent conductive layers 21 and 31, and a lower refractive index than the transparent conductive layers 21 and 31. And at least one set of low refractive index layers 26, 36 having the above. By providing such index matching layers 24 and 34, it is possible to appropriately adjust the light transmittance and reflectance in the stacked body 10. For example, when the touch panel sensor 80 is manufactured using the laminate 10, the light transmittance between a region where the transparent conductive patterns 81 and 86 are provided and a region where the transparent conductive patterns 81 and 86 are not provided. In addition, the index matching layers 24 and 34 can be appropriately set so that the difference in reflectance is reduced.

高屈折率層25,35を構成する材料としては、透明導電層21,31を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば酸化ニオブが用いられる。低屈折率層26,36を構成する材料としては、透明導電層21,31を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば酸化珪素が用いられる。高屈折率層25,35および低屈折率層26,36の厚みは、所望の透過率や反射率が達成されるよう、用いられる材料に応じて適宜設定される。   The material constituting the high refractive index layers 25 and 35 is not particularly limited as long as the material has a higher refractive index than the material constituting the transparent conductive layers 21 and 31. For example, niobium oxide is used. The material constituting the low refractive index layers 26 and 36 is not particularly limited as long as the material has a lower refractive index than the material constituting the transparent conductive layers 21 and 31. For example, silicon oxide is used. The thicknesses of the high-refractive index layers 25 and 35 and the low-refractive index layers 26 and 36 are appropriately set according to the materials used so that desired transmittance and reflectance are achieved.

また図12に示すように、積層体10は、第1透明導電層21と第1遮光導電層22との間に設けられた第1中間層27と、第2透明導電層31と第2遮光導電層32との間に設けられた第2中間層37と、をさらに備えていてもよい。ここで中間層27,37は、透明導電層21,31に比べて、遮光導電層22,32に対するより大きな密着力を有するよう構成された層である。このような中間層27,37を透明導電層21,31と遮光導電層22,32との間に介在させることにより、透明導電層21,31に対して遮光導電層22,32を確実に固定することができる。   As shown in FIG. 12, the laminated body 10 includes a first intermediate layer 27 provided between the first transparent conductive layer 21 and the first light shielding conductive layer 22, a second transparent conductive layer 31, and a second light shielding. And a second intermediate layer 37 provided between the conductive layer 32 and the conductive layer 32. Here, the intermediate layers 27 and 37 are layers configured to have greater adhesion to the light-shielding conductive layers 22 and 32 than the transparent conductive layers 21 and 31. By interposing such intermediate layers 27 and 37 between the transparent conductive layers 21 and 31 and the light shielding conductive layers 22 and 32, the light shielding conductive layers 22 and 32 are securely fixed to the transparent conductive layers 21 and 31. can do.

中間層27,37を構成する材料は、透明導電層21,31および遮光導電層22,32に対する密着力が良好な材料であれば特に限定されないが、例えばモリブデン(Mo)合金などの金属が用いられる。Mo合金としては、例えばMoとニオブ(Nb)の合金であるMoNbを挙げることができる。   The material constituting the intermediate layers 27 and 37 is not particularly limited as long as the material has good adhesion to the transparent conductive layers 21 and 31 and the light-shielding conductive layers 22 and 32. For example, a metal such as molybdenum (Mo) alloy is used. It is done. Examples of the Mo alloy include MoNb, which is an alloy of Mo and niobium (Nb).

また本実施の形態において、基材フィルム11と遮光導電層22,32との間に透明導電層21,31が設けられる例を示したが、これに限られることはない。積層体10は、基材フィルム11と、基材フィルム11の一方の側および他方の側に設けられた遮光導電層22,32と、第1遮光導電層22の一方の側または第2遮光導電層32の他方の側の少なくともいずれか一方に設けられたアモルファス層と、を備えていればよい。少なくともこれらの層を備えた積層体10は、巻き取られる際のブロッキング現象の発生が抑制されるという上述の効果を享受することができる。例えば図13に示すように、積層体10は、基材フィルム11と、基材フィルム11の一方の側の面上に設けられた第1遮光導電層22と、第1遮光導電層22の一方の側の面上に設けられた第1アモルファス層23と、基材フィルム11の他方の側の面上に設けられた第2遮光導電層32と、第2遮光導電層32の他方の側の面上に設けられた第2アモルファス層33と、を備えたものであってもよい。また図示はしないが、積層体10において、透明導電層が、基材フィルム11と第1遮光導電層22との間、または基材フィルム11と第2遮光導電層32との間のいずれか一方にのみ設けられていてもよい。   Moreover, in this Embodiment, although the example in which the transparent conductive layers 21 and 31 are provided between the base film 11 and the light shielding conductive layers 22 and 32 was shown, it is not restricted to this. The laminate 10 includes a base film 11, the light shielding conductive layers 22 and 32 provided on one side and the other side of the base film 11, and one side of the first light shielding conductive layer 22 or the second light shielding conductive. And an amorphous layer provided on at least one of the other sides of the layer 32. The laminated body 10 provided with at least these layers can enjoy the above-described effect that the occurrence of the blocking phenomenon when being wound is suppressed. For example, as illustrated in FIG. 13, the laminate 10 includes a base film 11, one of the first light-shielding conductive layer 22 provided on the surface on one side of the base film 11, and one of the first light-shielding conductive layers 22. The first amorphous layer 23 provided on the surface on the other side, the second light-shielding conductive layer 32 provided on the surface on the other side of the base film 11, and the other side of the second light-shielding conductive layer 32 And a second amorphous layer 33 provided on the surface. Although not shown, in the laminate 10, the transparent conductive layer is either between the base film 11 and the first light-shielding conductive layer 22 or between the base film 11 and the second light-shielding conductive layer 32. It may be provided only in.

なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。   In addition, although some modified examples with respect to the above-described embodiment have been described, naturally, a plurality of modified examples can be applied in combination as appropriate.

10 積層体
11 基材フィルム
12 合成樹脂層
13 第1ハードコート層
14 第2ハードコート層
21 第1透明導電層
22 第1遮光導電層
23 第1アモルファス層
24 第1インデックスマッチング層
25 第1高屈折率層
26 第1低屈折率層
27 第1中間層
31 第2透明導電層
32 第2遮光導電層
33 第2アモルファス層
34 第2インデックスマッチング層
35 第2高屈折率層
36 第2低屈折率層
37 第2中間層
40 積層体製造装置
50 巻出装置
60 成膜装置
70 巻取装置
80 タッチパネルセンサ
81 第1透明導電パターン
82 第1遮光導電パターン
83 第1端子部
84 第1オーバーコート層
86 第2透明導電パターン
87 第2遮光導電パターン
88 第2端子部
89 第2オーバーコート層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Laminated body 11 Base film 12 Synthetic resin layer 13 1st hard coat layer 14 2nd hard coat layer 21 1st transparent conductive layer 22 1st light shielding conductive layer 23 1st amorphous layer 24 1st index matching layer 25 1st high Refractive index layer 26 First low refractive index layer 27 First intermediate layer 31 Second transparent conductive layer 32 Second light shielding conductive layer 33 Second amorphous layer 34 Second index matching layer 35 Second high refractive index layer 36 Second low refractive index Rate layer 37 Second intermediate layer 40 Laminate manufacturing device 50 Unwinding device 60 Film forming device 70 Winding device 80 Touch panel sensor 81 First transparent conductive pattern 82 First light shielding conductive pattern 83 First terminal portion 84 First overcoat layer 86 Second transparent conductive pattern 87 Second light-shielding conductive pattern 88 Second terminal portion 89 Second overcoat layer

Claims (9)

基材フィルムと、
前記基材フィルムの一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第1遮光導電層と、
前記基材フィルムの他方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第2遮光導電層と、
第1遮光導電層の一方の側または第2遮光導電層の他方の側の少なくともいずれか一方に設けられ、アモルファス状態の導電性酸化物材料から構成されるアモルファス層と、を備えたことを特徴とする積層体。
A base film;
A first light-shielding conductive layer provided on one side of the base film and having light-shielding properties and conductivity;
A second light-shielding conductive layer provided on the other side of the base film and having a light-shielding property and conductivity;
An amorphous layer that is provided on at least one side of the first light-shielding conductive layer or the other side of the second light-shielding conductive layer and is made of a conductive oxide material in an amorphous state. Laminated body.
前記アモルファス層が、第1遮光導電層の一方の側および第2遮光導電層の他方の側のいずれにも設けられていることを特徴とする請求項1に記載の積層体。   The laminate according to claim 1, wherein the amorphous layer is provided on either one side of the first light-shielding conductive layer and the other side of the second light-shielding conductive layer. 前記基材フィルムと前記第1遮光導電層との間、または、前記基材フィルムと前記第2遮光導電層との間の少なくともいずれか一方に、透光性および導電性を有する透明導電層が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の積層体。   A transparent conductive layer having translucency and conductivity is provided between at least one of the base film and the first light-shielding conductive layer or between the base film and the second light-shielding conductive layer. It is provided, The laminated body of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. 前記アモルファス層は、前記透明導電層上の前記第1遮光導電層または前記第2遮光導電層を、所定のエッチング液を用いて部分的に除去する際、同時に除去されるよう構成されていることを特徴とする請求項3に記載の積層体。   The amorphous layer is configured to be simultaneously removed when the first light-shielding conductive layer or the second light-shielding conductive layer on the transparent conductive layer is partially removed using a predetermined etching solution. The laminate according to claim 3. 前記透明導電層および前記アモルファス層はいずれも、インジウムを含む導電性酸化物材料から構成されることを特徴とする請求項3または4に記載の積層体。   The laminate according to claim 3 or 4, wherein each of the transparent conductive layer and the amorphous layer is made of a conductive oxide material containing indium. 前記第1遮光導電層および前記第2遮光導電層は、銀、銅若しくはアルミニウム、またはこれらの合金の少なくとも1種類から構成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の積層体。   The said 1st light shielding conductive layer and the said 2nd light shielding conductive layer are comprised from at least 1 sort (s) of silver, copper, aluminum, or these alloys, It is any one of Claim 1 thru | or 5 characterized by the above-mentioned. The laminated body of description. 基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第1遮光導電層と、前記基材フィルムの他方の側に設けられ、遮光性および導電性を有する第2遮光導電層と、第1遮光導電層の一方の側に設けられ、アモルファス状態の導電性酸化物材料から構成される第1アモルファス層と、を有する積層体の一方の側に感光性を有する第1感光層を形成し、前記積層体の他方の側の面上に感光性を有する第2感光層を形成する工程と、
前記第1感光層上に第1マスクを配置するとともに前記第2感光層上に第2マスクを配置した状態で、前記第1感光層および前記第2感光層を互いに異なるパターンで露光する工程と、
前記第1感光層および前記第2感光層を現像してパターニングする工程と、
パターニングされた前記第1感光層をマスクとして前記第1アモルファス層および前記第1遮光導電層をエッチングし、パターニングされた前記第2感光層をマスクとして前記第2遮光導電層をエッチングする第1パターニング工程と、
前記パターニングされた前記第1感光層および前記第2感光層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする導電パターンフィルムの製造方法。
A base film, a first light-shielding conductive layer that is provided on one side of the base film and having light-shielding properties and conductivity, and a light-shielding property and conductivity that are provided on the other side of the base film. Photosensitive on one side of a laminate having a second light-shielding conductive layer and a first amorphous layer provided on one side of the first light-shielding conductive layer and made of a conductive oxide material in an amorphous state. Forming a first photosensitive layer having, and forming a photosensitive second photosensitive layer on the other surface of the laminate;
Exposing the first photosensitive layer and the second photosensitive layer in different patterns with a first mask disposed on the first photosensitive layer and a second mask disposed on the second photosensitive layer; ,
Developing and patterning the first photosensitive layer and the second photosensitive layer;
First patterning is performed by etching the first amorphous layer and the first light-shielding conductive layer using the patterned first photosensitive layer as a mask, and etching the second light-shielding conductive layer using the patterned second photosensitive layer as a mask. Process,
Removing the patterned first photosensitive layer and second photosensitive layer. A method for producing a conductive pattern film, comprising:
前記積層体は、前記基材フィルムと前記第1遮光導電層との間に設けられ、透光性および導電性を有する第1透明導電層と、前記基材フィルムと前記第2遮光導電層との間に設けられ、透光性および導電性を有する第2透明導電層と、をさらに有し、
第1パターニング工程において、パターニングされた前記第1感光層をマスクとして前記第1透明導電層がさらにエッチングされ、かつ、パターニングされた前記第2感光層をマスクとして前記第2透明導電層がさらにエッチングされ、
前記導電パターンフィルムの製造方法は、前記第1パターニング工程の後、所定のエッチング液を用いて、前記第1透明導電層上の前記第1遮光導電層を部分的に除去するとともに前記第1遮光導電層上の第1アモルファス層を除去する第2パターニング工程をさらに備えたことを特徴とする請求項7に記載の導電パターンフィルムの製造方法。
The laminate is provided between the base film and the first light-shielding conductive layer, and has a light-transmitting and conductive first transparent conductive layer, the base film, and the second light-shielding conductive layer. A second transparent conductive layer provided between and having translucency and conductivity,
In the first patterning step, the first transparent conductive layer is further etched using the patterned first photosensitive layer as a mask, and the second transparent conductive layer is further etched using the patterned second photosensitive layer as a mask. And
In the method of manufacturing the conductive pattern film , after the first patterning step, the first light shielding conductive layer on the first transparent conductive layer is partially removed and a first light shielding is performed using a predetermined etching solution. The method for producing a conductive pattern film according to claim 7, further comprising a second patterning step of removing the first amorphous layer on the conductive layer.
積層体は、請求項7または8に記載の製造方法で導電パターンフィルムを作製するために用いられる積層体であることを特徴とする、請求項1に記載の積層体。   The laminate according to claim 1, wherein the laminate is a laminate used for producing a conductive pattern film by the production method according to claim 7.
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