KR20200048644A - Method of Peeling Lamination Structure, Method of Repairing Organic Light Emitting Device and Apparatus of Peeling Lamination Structure - Google Patents
Method of Peeling Lamination Structure, Method of Repairing Organic Light Emitting Device and Apparatus of Peeling Lamination Structure Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200048644A KR20200048644A KR1020180130929A KR20180130929A KR20200048644A KR 20200048644 A KR20200048644 A KR 20200048644A KR 1020180130929 A KR1020180130929 A KR 1020180130929A KR 20180130929 A KR20180130929 A KR 20180130929A KR 20200048644 A KR20200048644 A KR 20200048644A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- laser
- energy
- peeling
- unit
- light emitting
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
- B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
- B32B43/006—Delaminating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/861—Repairing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
-
- H01L2251/568—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 적층구조물 박리 방법, 유기발광소자 수리 방법 및 적층구조물 박리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 적층구조물 표면에 레이저를 조사하여 박리하는 적층구조물 박리 방법, 유기발광소자 수리 방법 및 적층구조물 박리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for peeling a layered structure, a method for repairing an organic light emitting device, and a device for peeling a layered structure, and more specifically, a layered structure peeling method for irradiating a laser to the surface of the layered structure, a method for repairing an organic light emitting device, and a layered structure peeling It is about the device.
LCD, OLED, PDP, LED, 반도체, 이차전지 전극 등 여러 분야에서 다층으로 구성되어 있는 적층구조물을 활용한 많은 제품들이 만들어지고 있으며 이와 관련된 기술들이 발전하고 있다. 이렇게 여러 분야에 필수적으로 사용하는 적층구조물이지만 적층구조물을 제조할 때 다층으로 이루어진 적층구조물을 구성하는 적층체 사이에는 파티클이나 이물질 등이 발생하여 제조된 적층구조물에 불량이 발생하는 경우가 있으며, 제품을 만드는 공정 중 적층체를 박리해야 하는 경우가 생기기도 하는데 박리하는 과정 중 물리적 또는 화학적 방법으로 박리를 하여 박리되는 적층체 주변까지도 영향을 주어 불량이 발생하는 경우도 발생한다. 종래에는 이러한 이물질 등에 의해 발생한 불량을 이물질들을 직접적으로 파괴하거나 불량이 발생한 적층구조물을 사용하지 못하고 폐기 등을 하였다. In many fields, such as LCD, OLED, PDP, LED, semiconductor, and secondary battery electrodes, many products using a multilayer structure composed of multiple layers are being made, and related technologies are being developed. Although it is a laminate structure that is essentially used in various fields, when manufacturing a laminate structure, there are cases where defects occur in the manufactured laminate structure by generating particles or foreign substances between the laminates constituting the multilayer laminate structure. In some cases, the laminate may need to be peeled off during the process of making it. In the peeling process, physical or chemical methods can also be peeled off to affect the periphery of the stacked product. In the related art, defects caused by foreign substances or the like have been directly destroyed by foreign substances, or a laminated structure having defects cannot be used and discarded.
그 중 유기 발광 표시 장치(OLED)를 예를 들면, 유기 발광 표시 장치는 외부의 수분이나 산소 등에 의해 열화되는 특성을 가지므로, 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 소자를 보호하기 위하여 유기 발광 소자를 박막봉지층 등을 이용하여 밀봉하여야 한다. 하지만, 최근에 유기 발광 소자의 베이스가 되는 패널 제조시 Glass사이즈가 대형화 됨에 따라 공정 중 발생되는 파티클 또는 열적변형 등에 의해 불량패널이 발생할 확률이 점점 커지고 있는데, 그 중 유기 발광 표시 장치에 수분 침투 방지를 위한 박막 봉지층을 증착하는 과정에서 형성되는 파티클은 핀홀의 원인이 되며 이를 통해 수분 침투가 발생되면 박막 봉지층의 들뜸 현상이 유발되어 진다. 이 들뜸 현상으로 인해 후공정 과정에서 Transfer 공정이나 LLO 공정시 박막 봉지층이 파괴되는 경우가 발생하면서 주변 정상 셀에 파괴된 박막 봉지층의 잔유물이 붙게되어 불량이 발생하는 문제점이 있다.Among them, for example, an organic light emitting display device (OLED), the organic light emitting display device has a property of being deteriorated by external moisture or oxygen, and thus, an organic light emitting device to protect the organic light emitting device from external moisture or oxygen. Should be sealed using a thin film encapsulation layer. However, in recent years, as the size of glass is increased when manufacturing a panel that is the base of an organic light emitting device, the probability of occurrence of a defective panel is gradually increasing due to particles or thermal deformation generated during the process. Among them, prevention of moisture penetration into the organic light emitting display device Particles formed in the process of depositing a thin film encapsulation layer for a pinhole cause the moisture to penetrate, thereby causing an excitation of the thin film encapsulation layer. Due to this excitation phenomenon, there is a case in which the thin film encapsulation layer is destroyed during the transfer process or LLO process in the post-process process, and a defect occurs due to the residue of the broken film encapsulation layer attached to the surrounding normal cells.
본 발명은 적층구조물 표면에 레이저를 조사하여 다른 열팽창 차이를 발생시켜 적층구조물의 일부를 박리시키는 적층구조물 박리 방법 및 박리 장치를 제공하는 것이다.The present invention provides a laminated structure peeling method and a peeling device for peeling a part of the stacked structure by irradiating a laser on the surface of the stacked structure to generate different thermal expansion differences.
본 발명은 유기발광소자 구조물 표면에 레이저를 조사하여 열팽창 차이를 발생시켜 결함이 생성된 박막봉지층을 유기발광소자 구조물로부터 박리시키는 유기발광소자 수리 방법을 제공하는 것이다.The present invention is to provide a method for repairing an organic light emitting device by irradiating a laser on the surface of the organic light emitting device structure to generate a difference in thermal expansion and peeling a thin film encapsulation layer having defects from the organic light emitting device structure.
본 발명의 실시예에 따른 적층구조물 박리 방법은 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체, 및 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 갖는 제2 레이어를 구비하는 제2 단위 구조체를 포함하는 적층구조물을 제공하는 과정; 상기 적층구조물 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정; 및 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체 및 상기 제2 단위 구조체의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체로부터 상기 제2 단위 구조체의 적어도 일부가 분리되는 과정;을 포함할 수 있다.A method of peeling a laminated structure according to an embodiment of the present invention includes a first unit structure including a first layer, and a second unit structure including a second unit structure having a second layer having a different thermal expansion coefficient from the first layer. The process of providing; A process of transmitting thermal energy by irradiating a laser to at least a part of the surface of the laminated structure; And a process in which at least a portion of the second unit structure is separated from the first unit structure by a difference in thermal expansion between the first unit structure and the second unit structure due to the thermal energy.
상기 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 박리영역을 결정하는 과정;을 더 포함할 수 있다.And irradiating a laser along the edge of the region to determine a peeling region.
상기 박리영역을 결정하는 과정 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정;을 더 포함할 수 있다.The process of determining the exfoliation area or changing the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy may further include.
상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지보다 클 수 있다.The accumulated energy of the laser used in the process of determining the peeling area may be greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.
상기 누적에너지를 변경하는 과정은, 상기 적층구조물 표면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 조절하는 과정; 상기 적층구조물 표면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 조절하는 과정; 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The process of changing the accumulated energy includes: adjusting the energy density of the laser beam irradiated on the surface of the laminated structure; Adjusting the overlap ratio of the laser beam irradiated on the surface of the laminated structure; It may include at least one of.
상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 펄스 레이저인 조합이거나, 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭의 펄스레이저이고, 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저 조합일 수 있다.The laser used in the process of transferring the thermal energy is a continuous laser and the laser used in the process of determining the exfoliation area is a combination of a pulse laser, or the laser used in the process of transferring the thermal energy is of a first pulse width. It is a pulse laser, and the laser used in the process of determining the peeling area may be a combination of a pulse laser having a second pulse width having a shorter pulse width than a pulse laser having a first pulse width.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 수리 방법은 유기발광 적층체, 상기 유기발광 적층체 상에 제공되어 광학 특성을 향상하는 커버층, 및 상기 커버층 상에 형성되어 수분의 침투를 방지하는 박막봉지층을 포함하는 유기발광소자 구조물을 제공하는 과정; 상기 박막봉지층에 형성된 결함을 확인하는 과정; 확인된 상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정; 및 상기 커버층 및 상기 박막봉지층은 서로 다른 열팽창 계수를 가지며, 상기 열에너지로 인한 열팽창 차이에 의해 커버층으로부터 박막봉지층의 적어도 일부가 분리되는 과정;을 포함할 수 있다.The method of repairing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting laminate, a cover layer provided on the organic light emitting laminate to improve optical properties, and a thin film formed on the cover layer to prevent the penetration of moisture Providing an organic light emitting device structure including an encapsulation layer; Identifying a defect formed in the thin film encapsulation layer; A process of transmitting thermal energy by irradiating a laser to at least a part of the surface of the organic light emitting device structure including the identified defect; And a process in which the cover layer and the thin film encapsulation layer have different coefficients of thermal expansion, and at least a part of the thin film encapsulation layer is separated from the cover layer by a difference in thermal expansion due to the thermal energy.
상기 유기발광소자 구조물은 복수개 제공되며, 복수개의 상기 유기발광소자 구조물 사이에 제공된 분리부에 의해 각각의 상기 유기발광소자 구조물이 독립되어 제공될 수 있다.A plurality of organic light emitting device structures are provided, and each of the organic light emitting device structures may be independently provided by a separation unit provided between the plurality of organic light emitting device structures.
상기 커버층은 불화물로 이루어지고, 유기막 및 무기막이 교번되어 적층된 상기 박막봉지층의 최하단층은 무기막으로 이루어질 수 있다.The cover layer is made of fluoride, and the lowermost layer of the thin film encapsulation layer in which the organic film and the inorganic film are alternately stacked may be made of an inorganic film.
상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물의 일정 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 박리영역을 결정하는 과정;을 더 포함할 수 있다.The process of determining a peeling area by irradiating a laser along an edge of a certain area of the organic light emitting device structure including the defect may be further included.
상기 박리영역을 결정하는 과정 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정;을 더 포함할 수 있다.The process of determining the exfoliation area or changing the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy may further include.
상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지보다 클 수 있다.The accumulated energy of the laser used in the process of determining the peeling area may be greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.
상기 누적에너지를 변경하는 과정은, 상기 유기발광소자 구조물 표면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 조절하는 과정; 상기 유기발광소자 구조물 표면에 조사되는 레이저의 중첩률을 조절하는 과정;중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The process of changing the accumulated energy includes: adjusting the energy density of the laser irradiated on the surface of the organic light emitting device structure; Controlling the overlapping rate of the laser irradiated on the surface of the organic light emitting device structure; may include at least one of.
상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 펄스 레이저이거나, 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭의 펄스레이저이고, 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저일 수 있다.The laser used in the process of transferring the thermal energy is a continuous laser and the laser used in the process of determining the exfoliation area is a pulse laser, or the laser used in the process of transferring the thermal energy is a pulse laser of a first pulse width. In addition, the laser used in the process of determining the peeling area may be a pulse laser having a second pulse width having a shorter pulse width than a pulse laser having a first pulse width.
본 발명의 실시예에 따른 적층구조물 수리 장치는 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체, 및 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 갖는 제2 레이어를 구비하는 제2 단위 구조체를 포함하는 적층구조물을 지지하는 지지대; 레이저의 누적에너지가 서로 다른 복수의 조사 모드 중 어느 하나를 선택하는 모드 선택부; 상기 모드 선택부에 의해 선택된 모드에 따른 레이저 제어신호를 생성하는 제어부; 및 상기 레이저 제어신호를 수신하여 선택된 모드에 대응하는 누적에너지의 레이저를 상기 적층구조물 표면에 조사하는 레이저 조사부;를 포함하고, 상기 복수의 조사모드는 박리모드를 포함하고, 모드 선택부에서 박리모드가 선택된 경우 레이저 조사부는 상기 적층구조물 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써, 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체 및 상기 제2 단위 구조체의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체로부터 상기 제2 단위 구조체의 적어도 일부가 박리될 수 있다.A laminate structure repair apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first unit structure including a first layer, and a second unit structure including a second unit structure having a second layer having a different thermal expansion coefficient from the first layer. Support for supporting; A mode selector which selects any one of a plurality of irradiation modes having different accumulated energy of the laser; A control unit generating a laser control signal according to a mode selected by the mode selection unit; And a laser irradiation unit that receives the laser control signal and irradiates the surface of the stacked structure with a laser of accumulated energy corresponding to the selected mode, wherein the plurality of irradiation modes include a peeling mode, and a peeling mode in the mode selector When is selected, the laser irradiation unit transmits thermal energy by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the stacked structure, and thus, from the first unit structure due to a difference in thermal expansion between the first unit structure and the second unit structure due to the thermal energy. At least a part of the second unit structure may be peeled off.
상기 복수의 조사 모드는, 상기 박리모드에서 사용된 레이저의 누적에너지보다 큰 누적에너지의 가지는 박리영역 결정모드를 더 포함할 수 있다.The plurality of irradiation modes may further include a peeling region determination mode having an accumulated energy greater than the accumulated energy of the laser used in the peeling mode.
상기 레이저 조사부는,상기 분리영역 결정모드로 선택된 경우 상기 레이저를 상기 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사함으로써, 상기 제2 단위 구조체의 가장자리가 제거될 수 있다.When the laser irradiation unit is selected as the separation region determination mode, the laser may irradiate the laser along the edge of the region, thereby removing the edge of the second unit structure.
상기 제어부는, 상기 복수의 조사 모드에 따라 레이저의 누적에너지를 변경하는 누적에너지 변동부;를 포함할 수 있다.The control unit may include a cumulative energy variation unit that changes the accumulated energy of the laser according to the plurality of irradiation modes.
상기 누적에너지 변동부는, 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 변경하는 에너지 밀도 변경부; 및 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 변경하는 조사중첩률 변경부; 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The cumulative energy fluctuation unit, an energy density changing unit for changing the energy density of the laser irradiated to the laser irradiation surface; And an irradiation overlapping rate changing unit for changing the irradiation overlapping rate of the laser irradiated onto the laser irradiation surface. It may include at least one of.
상기 박리모드에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 펄스 레이저의 조합이거나, 또는 상기 박리모드에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저이고, 상기 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저의 조합일 수 있다.The laser used in the peeling mode is a continuous laser and the laser used in the peeling area determination mode is a combination of a pulsed laser, or the laser used in the peeling mode is a pulse laser having a first pulse width, and the peeling area The laser used in the crystal mode may be a combination of a pulse laser having a second pulse width having a shorter pulse width than a pulse laser having a first pulse width.
본 발명의 실시예에 따른 적층구조물 박리방법 및 박리장치에 의하면 복수의 단위 구조체를 포함하는 적층구조물 표면에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써 단위구조체가 적층구조물로부터 서로 다른 열팽창 계수에 의하여 스스로 박리가 될 수 있다.According to the method of peeling a laminated structure and a peeling device according to an embodiment of the present invention, the laser beam is irradiated on the surface of the laminated structure including a plurality of unit structures to transmit thermal energy, and the unit structure is peeled off itself from the stacked structure by different thermal expansion coefficients. Can be.
즉, 복수의 단위 구조체에 포함된 레이어는 서로 다른 열팽창계수값을 가지고 있으며, 열팽창계수값이 상대적으로 큰 레이어를 포함한 단위 구조체에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하면 각각의 레이어에 의해 단위 구조체가 열팽창하고 이 열팽창 차이에 의해 열팽창 계수가 상대적으로 큰 레이어가 포함된 단위 구조체가 적층구조물로부터 스스로 박리가 될 수 있다. That is, the layers included in the plurality of unit structures have different coefficients of thermal expansion, and when a laser is irradiated to a unit structure including a layer having a relatively large coefficient of thermal expansion, and heat energy is transferred, the unit structure is thermally expanded by each layer. And the unit structure including the layer having a relatively large coefficient of thermal expansion can be peeled off from the laminated structure by the difference in thermal expansion.
더해서 적층구조물 전체영역이 아닌 적어도 일부 영역에 열에너지를 전달하여 일부분만 박리시킬 수도 있고, 상기 일부 영역의 가장자리를 따라 열에너지를 전달하는 레이저보다 누적에너지가 높은 레이저를 조사함으로써 적층구조물로부터 분리되는 분리영역을 결정하여 그 부분만을 열적 또는 물리적 영향 없이 원하는 영역에 선택적으로 적층구조물로부터 제거할 수 있다.In addition, it is also possible to exfoliate only a portion of the stacked structure by transferring heat energy to at least a portion of the entire region, and to separate the separated region from the layered structure by irradiating a laser having a higher cumulative energy than a laser transmitting thermal energy along the edge of the partial region. By determining, only that portion can be selectively removed from the laminate in a desired area without thermal or physical influence.
또한, 레이저는 국부적으로 조사할 수 있고 레이저에 의한 열적 변형이 거의 없이 열에너지를 제공할 수 있기 때문에 기판에 관계없이 박막 분리를 필요로 하는 공정에서 사용이 용이 할 수 있다.In addition, since the laser can be irradiated locally and can provide thermal energy with little thermal deformation by the laser, it can be easily used in processes requiring thin film separation regardless of the substrate.
본 발명에 따른 유기발광소자 수리 방법은 박막봉지층에 형성된 결함을 확인하여 결함을 포함한 적어도 일정 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써 결함을 포함한 박막봉지층이 서로 다른 열팽창계수로 인해 열팽창이 일어남으로써 유기발광소자 구조물로부터 스스로 박리되게 할 수 있다.In the method of repairing an organic light emitting device according to the present invention, a defect formed in a thin film encapsulation layer is identified, and thermal energy is generated due to different thermal expansion coefficients of the thin film encapsulation layer including the defects by irradiating a laser to at least a certain region including the defects to transfer thermal energy. By doing so, it can be peeled off from the organic light emitting device structure itself.
즉, 유기발광소자 구조물은 서로 열팽창계수값이 다른 커버층 및 박막봉지층을 포함하고, 상대적으로 열팽창계수값이 큰 박막봉지층 표면에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하면 박막봉지층이 유기발광소자 구조물로부터 열적 또는 물리적 영향 없이 선택적으로 스스로 박리 될 수 있다. 그렇기 때문에 후공정시 불량 패널이 발생 비율이 줄어들어 공정 수율향상 및 비용 절감이 될 수 있다.That is, the organic light emitting device structure includes a cover layer and a thin film encapsulation layer having different coefficients of thermal expansion from each other, and when heat energy is transmitted by irradiating a laser to the surface of the thin film encapsulation layer having a relatively high coefficient of thermal expansion, the thin film encapsulation layer is an organic light emitting device. It can selectively peel itself off from the structure without thermal or physical influence. Therefore, the rate of occurrence of defective panels during post-processing is reduced, which can improve process yield and reduce costs.
또한, 레이저는 국부적으로 조사할 수 있고 레이저에 의한 열적 변형이 거의 없이 열에너지를 제공할 수 있기 때문에 박리 되는 박막봉지층 이외에는 영향을 주지 않을 수 있다.In addition, since the laser can be irradiated locally and can provide thermal energy with little thermal deformation by the laser, it may not affect other than the thin film encapsulation layer that is peeled off.
더해서 위에서와 같이 유기발광소자 구조물의 전체영역이 아닌 결함을 포함하는 적어도 일부 영역에 열에너지를 전달하여 일부분만 박리시킬 수도 있고, 결함을 포함하는 일부 영역의 가장자리를 따라 열에너지를 전달하는 레이저보다 누적에너지가 높은 레이저를 조사함으로써 유기발광소자 구조물로부터 분리되는 분리영역을 결정하여 그 부분만을 유기발광소자 구조물로부터 제거할 수 있다. In addition, as described above, heat energy may be transferred to at least a part of the region including the defect, not the entire region of the organic light emitting device structure, and only a portion of the region may be peeled off, and cumulative energy is higher than a laser that transmits the heat energy along the edge of the region including the defect. By irradiating a high laser, a separation region separated from the organic light emitting element structure may be determined, and only a portion thereof may be removed from the organic light emitting element structure.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물 박리 방법을 나타낸 순서도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제1 단위 구조체가 제2 단위 구조체로부터 분리되는 이미지.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 박리영역 결정하는 과정과 열에너지를 전달하는 과정을 나타내는 이미지.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 수리 방법을 나타낸 순서도.
도 5는 유기발광소자 구조물이 제공된 모습과 유기발광소자 구조물에서 박막봉지층이 들뜸 현상을 나타내는 이미지.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물 박리 장치를 나타낸 블럭도.1 is a flow chart showing a method of peeling a laminate according to an embodiment of the present invention.
2 is an image in which a first unit structure according to an embodiment of the present invention is separated from a second unit structure.
3 is an image showing a process of determining a peeling area and transferring heat energy according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a flow chart showing a method of repairing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
5 is an image showing the appearance of the organic light emitting device structure and the thin film encapsulation layer in the organic light emitting device structure.
Figure 6 is a block diagram showing a laminate structure peeling device according to an embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the present embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and the scope of the invention to those skilled in the art is completely It is provided to inform you. In the description, the same reference numerals are assigned to the same components, and the drawings may be exaggerated in size in order to accurately describe embodiments of the present invention, and the same reference numerals in the drawings refer to the same elements.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물(100) 박리 방법을 나타낸 순서도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제1 단위 구조체(110)가 제2 단위 구조체(120)로부터 분리되는 이미지를 나타낸다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 박리영역 결정하는 과정과 열에너지를 전달하는 과정을 나타내는 이미지이다.1 is a flow chart showing a method of peeling a
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물(100) 박리 방법은 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체(110), 및 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 갖는 제2 레이어를 구비하는 제2 단위 구조체(120)를 포함하는 적층구조물(100)을 제공하는 과정(S10); 상기 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정(S20); 및 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체(110) 및 상기 제2 단위 구조체(120)의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체(110)로부터 상기 제2 단위 구조체(120)의 적어도 일부가 분리되는 과정(S30);을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a method of peeling a
먼저, 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체(110), 및 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 갖는 제2 레이어를 구비하는 제2 단위 구조체(120)를 포함하는 적층구조물(100)을 제공하는 과정을 진행한다(S10). First, a
제1 단위 구조체(110)는 단층 또는 여러 층의 레이어로 구성될 수 있고 그 중 제1 레이어를 포함할 수 있다. 제2 단위 구조체(120)도 또한 단층 또는 여러 층의 레이어로 구성될 수 있고, 그 중 제2 레이어는 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 가진다. 본 발명의 실시예에 따른 적층 구조물은 제1 레이어 및 제2 레이어의 두께가 충분히 두꺼울 수 있고 제1 레이어 및 제2 레이어는 서로 인접하여 제공되거나 서로 직접적으로 맞닿게 제공될 수 있으며 제2 레이어의 열팽창계수가 제1 레이어보다 클 수 있다 그렇기 때문에 제1 단위 구조체 및 제2 단위 구조체는 제1 레이어 및 제2 레이어에 의해 각각 열팽창계수가 결정 될 수 있다. 또한, 제1 단위 구조체(110) 및 제2 단위 구조체(120)는 상대적으로 약한 결합력으로 결합될 수 있다.The
다음으로, 상기 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정을 진행한다(S20).Next, a process of transferring thermal energy by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the stacked
적층구조물(100)을 이루는 제1 단위 구조체(110) 또는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달 할 수 있다. 또한, 제1 단위 구조체(110) 또는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달 할 수 있다. 본 발명의 따른 실시예는 상대적으로 열팽창계수값이 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달 할 수 있다. 하지만 이는 실시예일뿐 상대적으로 더 큰 열팽창계수를 갖는 또 다른 단위 구조체에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 한편, 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 때 특정 영역에 점 형태로 조사되는 레이저의 이동경로를 조절하여 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 수도 있고, 라인빔 형태 또는 면형태의 레이저를 적어도 일부 영역에 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 도 3(b)를 보면, 레이저를 적어도 일부영역 전체에 조사하여 전체적으로 고르게 열에너지가 전달할 수 있도록 조사할 수 있다. 또한, 레이저는 국부적으로 조사할 수도 있고 레이저에 의한 열적 변형이 거의 없이 열에너지를 제공할 수 있기 때문에 조사되는 영역 외에는 영향을 주지 않아 기판에 관계없이 박막 분리를 필요로 하는 공정에서 사용이 용이 할 수 있다.Thermal energy may be transferred by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the
다음으로, 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체(110) 및 상기 제2 단위 구조체(120)의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체(110)로부터 상기 제2 단위 구조체(120)의 적어도 일부가 분리되는 과정을 진행한다(S30).Next, at least a portion of the
본 발명에 따른 실시예는 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체(110)보다는 상대적으로 열팽창계수값이 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 조사되는 레이저의 열에너지는 점차 제2 단위 구조체(120)로부터 제1 단위 구조체(110)로 열전달이 일어나게 될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the laser is irradiated to at least a portion of the surface of the
이렇게 전달된 열에너지에 의해 제1 단위 구조체(110) 및 제2 단위 구조체(120)는 각각 열팽창이 일어날 수 있는데, 상대적으로 열팽창계수가 큰 제2 레이어를 포함하고 열에너지를 전달받은 제2 단위 구조체(120)가 제1 단위 구조체(110)보다 상대적으로 더 많이 열팽창이 됨으로써 각 구조체가 인장되는 정도의 차이에 의해 변위차이가 발생하게 되고, 이러한 변위차이가 전단응력을 발생시켜 제1 단위구조체와 제2 단위구조체의 결합력을 초과할 정도로 전단응력이 발생하게되면 제2 단위 구조체(120)의 적어도 일부 영역이 제1 단위 구조체(110)로부터 분리되는 자가 박리가 발생할 수 있다. 본 발명에 따른 실시예는 각각의 단위 구조체에 포함된 제1 레이어 및 제2 레이어가 가지는 열팽창계수의 차이가 약 2배 내지 4배 이상이 되면 일어 날 수 있고, 바람직하게는 4배 이상의 차이가 있을 수 있다. 열팽창계수 차이가 2배보다 낮으면 제1 단위 구조체 및 제2 단위 구조체가 열팽창에 의해 생기는 변위차이가 줄어들어 박리가 일어나지 않을 수도 있다. 또한 레이어는 유기물 또는 무기물이 포함되어 있을 수 있는데 유기물은 무기물 보다 열팽창계수가 클 수 있다. 정확하게 보면 유기물은 106*10-6/K 내지 198*10-6/K의 범위를 가질 수 있으며 무기물은 약 5*10-6/K 내지 40*10-6/K의 범위를 가질 수 있다. 이렇게 열팽창계수 차이가 많이 날수록 열에너지에 의한 자가박리가 용이하게 일어날 수 있다.The
도 2를 참조하면, 도 2(a)에서 제1 단위 구조체(110)와 제2 단위 구조체(120)가 결합되어 있고, 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저가 조사되어 열에너지가 전달될 수 있다. 도 2(b)를 보면 레이저가 조사되어 열에너지가 전달되어 제1 단위 구조체(110)와 제2 단위 구조체(120)가 각각 인장되는 모습을 볼 수 있는데 열팽창계수 값이 상대적으로 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120)가 제1 단위 구조체(110)보다 상대적으로 더 많이 열팽창이 되어 전단응력이 발생하는 것을 볼 수 있고, 또한 제2 단위 구조체(120)상에 레이저가 조사됨으로써 열전달에 의해서 열에너지가 제1 단위 구조체(110)로 전달될 수 있다. 도 2(c)에서는 제2 단위 구조체(120)와 제1 단위 구조체(110)의 열팽창 차이에 의해 발생한 전단응력이 제1 단위 구조체(110)와 제2 단위 구조체(120)의 결합력을 초과하여 제2 단위 구조체(120)가 제1 단위 구조체(110)로부터 자가 박리된 모습을 볼 수 있다. Referring to FIG. 2, in FIG. 2 (a), the
상기 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 박리영역을 결정하는 과정;을 더 포함할 수 있다.The process of determining the peeling area by irradiating a laser along the edge of the area; It can contain.
본 발명에 따른 실시예는 열팽창 계수가 상대적으로 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하기 전에 일부 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 구성물질을 제거함으로써 박리영역을 먼저결정 한 후 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써 박리영역이 결정된 일부 영역이 자가 박리될 수 있다. 이는 박리영역을 결정하고나면 가장자리가 제거될 수 있는데 이에 따라 열에너지를 전달하는 과정에서 해당 영역에만 레이저에 의한 열에너지가 전달될 수 있고 박리영역의 가장자리가 제거되어 박리영역 외부로는 열에너지가 전달되지 않을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a laser is irradiated on at least a portion of a surface of the
상기 박리영역을 결정하는 과정 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정;을 더 포함할 수 있다. 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지보다 클 수 있다.The process of determining the exfoliation area or changing the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy may further include. The accumulated energy of the laser used in the process of determining the peeling area may be greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.
레이저의 누적에너지를 변경하는 과정은 박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 동일 레이저 일 수 있기 때문에 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정이 필요할 수 있다. 본 발명의 따른 실시예는 박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 동일 레이저 일 수 있고, 박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 서로 다른 레이저 일 수 있다. 서로 다른 레이저를 사용한다면 위와 같은 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정을 진행하지 않을 수 있다. In the process of changing the accumulated energy of the laser, a process of changing the accumulated energy of the laser may be necessary because the laser used in the process of determining the peeling area or transferring heat energy may be the same laser. In an embodiment of the present invention, the laser used in the process of determining the peeling area or transferring heat energy may be the same laser, and the lasers used in the process of determining the peeling area or transferring heat energy may be different lasers. Can be If different lasers are used, the process of changing the accumulated energy of the above lasers may not be performed.
박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 동일 레이저라면 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정이 필요하게 된다. 이는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지와 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지는 달라야 하기 때문이다. 도 3(a)를 보면, 단위 구조체 표면의 적어도 일부 영역의 외곽부에 해당하는 가장자리를 따라 레이저를 조사 할 수 있다. 이렇게 가장자리를 따라 조사되는 레이저는 높은 누적에너지를 가지고 조사됨으로써 조사된 영역의 구성물질이 단위 구조체로부터 제거되는 어블레이션(ablation) 과정이 일어나 박리영역을 결정할 수 있다. 어블레이션 과정이 일어나기 위해서는 높은 에너지가 필요한데 그 이유는 가장자리를 따라 조사되는 레이저를 따라 해당 제2 단위 구조체(120)를 구성하는 물질이 높은 에너지로 인해 그 부분만 제거가 되어야 하기 때문이다. 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저보다 누적에너지가 높아야 하는데 이는 앞서 살펴본 바와 같이 높은 누적에너지로 적층 구조체의 적어도 일부 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사함으로써 해당 부분에 어블레이션 과정이 진행되어야 하기 때문이다. 후술하겠지만 본 발명에 따른 실시예는 위와 같이 주변부의 변형을 최소화 하면서 레이저의 에너지를 전달하기 위해서 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 펄스폭을 가지는 레이저 일 수 있으며 그 중 펨토초를 가지는 레이저 일 수 있다. 짧은 시간에 순간적으로 높은 에너지가 조사됨으로써 해당 부분에만 에너지가 전달되고 주변부에는 영향을 주지 않을 수 있기 때문이다. 이렇게 레이저의 누적에너지를 다르게 함으로써 레이저에 의한 열적 변형이 거의 일어나지 않게 할 수 있기 때문에 기판에 관계없이 어떠한 적층구조체를 박리하는 공정에 사용이 가능할 수 있다. 하지만 이는 실시예일뿐 실시예에 한정되지는 않는다.If the laser used in the process of determining the peeling area or transferring heat energy is the same laser, a process of changing the accumulated energy of the laser is required. This is because the accumulated energy of the laser used in the process of determining the peeling area and the accumulated energy of the laser used in the process of transferring heat energy must be different. Referring to Figure 3 (a), it is possible to irradiate the laser along the edge corresponding to the outer portion of at least a portion of the surface of the unit structure. As the laser irradiated along the edge is irradiated with high accumulated energy, an ablation process in which the constituent material of the irradiated region is removed from the unit structure may occur to determine the peeling region. High energy is required for the ablation process to occur because the material constituting the
반면에 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저보다 누적에너지가 낮을 수 있다. 이는 적어도 일정 영역 전체에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하여야 하기 때문에 박리영역을 결정하는 과정에서 조사되는 레이저보다 누적에너지가 낮을 수 있고, 상대적으로 낮은 누적에너지로도 적층구조물(100) 적어도 일부 영역에 열에너지를 전달하여 자가 박리를 시킬 수 있기 때문이고 박리영역을 결정하는 과정과 달리 높은 누적에너지가 필요하지 않은 이유는 어블레이션 과정이 필요 없기 때문이다. 일정량의 열에너지만 적층구조물 상에 인가할 수 있다면 열에너지가 전달되어 박리가 일어날 수 있기 때문이다.On the other hand, the laser used in the process of transferring heat energy may have a lower cumulative energy than the laser used in the process of determining the peeling area. This is because at least a portion of the entire region must be irradiated with laser to transfer heat energy, so the accumulated energy may be lower than the laser irradiated in the process of determining the peeling region. This is because self-exfoliation can be performed by transferring heat energy, and unlike the process of determining the exfoliation area, high cumulative energy is not required because the ablation process is not required. This is because if only a certain amount of thermal energy can be applied on the laminate, thermal energy is transferred and peeling may occur.
상기 누적에너지를 변경하는 과정은, 상기 적층구조물(100) 표면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 조절하는 과정; 상기 적층구조물(100) 표면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 조절하는 과정; 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The process of changing the accumulated energy includes: adjusting the energy density of the laser irradiated onto the surface of the stacked
레이저의 누적에너지는 레이저의 밀도 또는 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률 중 적어도 어느 하나를 조절하여 변경이 가능하다. The accumulated energy of the laser can be changed by adjusting at least one of the density of the laser or the irradiation overlapping rate of the laser irradiated on the laser irradiation surface.
레이저의 밀도는 (레이저 에너지)/(레이저 빔의 크기)로 정의 될 수 있는데, 레이저를 조사 받는 재료가 열응력을 받을 수 있는 임계치의 에너지 밀도가 있기 때문에 적정열응력이 인가되기 위해서 적정 수준의 에너지 밀도를 유지하는 것이 바람직하다. 레이저 밀도를 조절하는 과정은 레이저의 출력을 제어하는 과정 또는 레이저 조사면에 조사되는 레이저 빔의 크기를 제어하는 과정 중 중 적어도 어느 하나를 수행하여 레이저의 밀도를 조절할 수 있다. The density of the laser can be defined as (laser energy) / (the size of the laser beam). Since there is a threshold energy density at which the material irradiated with the laser can receive thermal stress, an appropriate level of thermal stress is applied. It is desirable to maintain energy density. The process of adjusting the laser density may be performed to control the density of the laser by performing at least one of a process of controlling the output of the laser or a process of controlling the size of the laser beam irradiated on the laser irradiation surface.
레이저 빔의 크기를 제어하는 과정은 포커스 렌즈로 입사되는 빔의 크기를 조절함으로써 제어가 가능하다. 예를 들면, 빔 크기 조절부를 통해 포커스 렌즈로 입사되는 빔의 크기를 크게 하면 레이저 조사면에 조사되는 레이저 빔의 크기가 작아지게 되어 에너지 밀도가 증가할 수 있게 된다. 레이저의 출력을 제어하는 과정은 레이저가 발진되는 레이저의 출력 에너지를 조절함으로써 누적에너지를 조절 할 수 있다.The process of controlling the size of the laser beam can be controlled by adjusting the size of the beam incident on the focus lens. For example, when the size of the beam incident on the focus lens is increased through the beam size adjusting unit, the size of the laser beam irradiated on the laser irradiation surface becomes smaller, so that the energy density can be increased. In the process of controlling the output of the laser, the accumulated energy can be controlled by adjusting the output energy of the laser from which the laser oscillates.
레이저의 조사중첩률을 조절하는 과정은 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 진행경로에 따른 이동속도를 제어하는 과정 또는 조사면에 조사되는 레이저의 빈도수를 조절하는 과정 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 여기서 사용된 레이저는 연속형 레이저가 아닌 펄스형 레이저 일 수 있다.The process of adjusting the irradiation overlapping rate of the laser may include at least one of a process of controlling a moving speed according to a progress path of a laser irradiated to the laser irradiation surface or a process of adjusting the frequency of the laser irradiated to the irradiation surface. . Further, the laser used herein may be a pulsed laser, not a continuous laser.
레이저 조사면에 조사되는 레이저는 일정 크기의 영역을 가지며 이 일정 크기의 영역을 레이저 조사면에 조사할 수 있다. 조사면에 조사되는 이동경로에 따른레이저의 이동속도를 제어하는 과정은 예를 들면, 조사면에 조사되는 레이저는 일정 크기의 영역을 가지며 이 레이저를 광학부에 의해 공간적으로 이동시킴으로써 두 빔 사이에 거리차이가 생길 수 있다. 이렇게 이동시키는 속도를 빠르게 하면 두 빔 사이의 거리가 늘어나게 되고 일정 영역을 가지는 두 빔이 중첩되는 영역이 줄어들게 됨으로써 누적에너지가 낮아 질 수 있게 된다. 조사면에 조사되는 레이저의 빈도수를 조절하는 과정은 조사면에 조사되는 레이저의 인터벌을 짧게 하여 여러번 조사면에 레이저가 조사될 수 있게 하고 이렇게 함으로써 한 지점에 인가되는 레이저의 펄스수가 증가하게 될 수 있다. 즉, 레이저 조사면에 조사되는 횟수가 증가하게 됨으로써 한 점에 조사되는 누적에너지가 증가할 수 있게 된다. 이렇게 조사중첩률의 비율을 높임으로써 레이저에 의한 어블레이션 공정이 진행되어 레이저가 조사되는 영역만 집중적으로 에너지가 전달되어 주변부에는 영향을 주지 않으면서 가장자리여역만 정확하게 제거가 될 수 있다.The laser irradiated on the laser irradiation surface has an area of a predetermined size, and the area of the predetermined size can be irradiated on the laser irradiation surface. The process of controlling the moving speed of the laser according to the movement path irradiated to the irradiated surface, for example, the laser irradiated to the irradiated surface has an area of a certain size and is spatially moved by the optical unit between the two beams. Distance differences may occur. When the moving speed is increased, the distance between the two beams increases, and the area where the two beams having a certain area overlap is reduced, so that the accumulated energy can be lowered. In the process of adjusting the frequency of the laser irradiated on the irradiated surface, the interval of the laser irradiated on the irradiated surface is shortened, so that the laser can be irradiated to the irradiated surface multiple times, and thus the number of pulses of the laser applied to one point can be increased have. That is, as the number of times irradiated to the laser irradiation surface increases, the accumulated energy irradiated to one point can increase. By increasing the ratio of the overlapping rate, the ablation process by the laser progresses and energy is concentrated only in the area irradiated with the laser, so that only the edge area can be accurately removed without affecting the periphery.
한편, 본 발명에 실시예에 따르면 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저가 적층구조물(100)의 적어도 일부 영역의 가장자리를 따라 조사될 때 조사중첩률이 95%이상 내지 100% 미만의 조사중첩률을 갖도록 조절 될 수 있다. 이렇게 높은 조사중첩률을 가짐으로써 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 상대적으로 높은 누적에너지로 조사될 수 있고 이로 인해 일부 영역의 가장자리에만 레이저의 에너지가 전달되어 주변부에는 레이저의 에너지에 의한 데미지를 받지 않을 수 있다. 반면에 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 조사중첩률이 0% 초과 내지 95% 미만 일 수 있다. 이렇게 상대적으로 낮은 누적에너지를 가지고 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 조사하여도 충분한 열원이 전달되어 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120)를 제1 단위 구조체(110)로부터 자가 박리할 수 있다. 한편, 조사중첩률은 생산 효율과 반비례 관계에 있으므로, 조사중첩률을 낮추는 방법은 낮은 누적에너지를 구현하는 효과 외에도 가공시간을 단출시킬 수 있는 부수적인 효과가 있기 때문에 상황에 따라 알맞은 조사중첩률을 부과하여 레이저를 조사하는게 바람직하다 할 수 있다. 하지만 이는 본 발명의 따른 실시예일뿐 위의 수치에 한정되지는 않는다.On the other hand, according to an embodiment of the present invention, when the laser used in the process of determining the peeling area is irradiated along the edge of at least a portion of the
본 발명의 실시예에서는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 펄스 레이저인 조합이거나, 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭의 펄스레이저이고, 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저 조합을 이용할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the laser used in the process of transferring the thermal energy is a continuous laser and the laser used in the process of determining the exfoliation region is a combination of a pulse laser, or a laser used in the process of transferring the thermal energy. Is a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the process of determining the peeling region may use a combination of pulse lasers having a second pulse width having a shorter pulse width than a pulse laser having a first pulse width.
즉, 펄스레이저 및 연속형 레이저 조합, 펄스폭이 서로 다른 펄스레이저 조합 또는 펄스폭을 조절할 수 있는 펄스레이저 일 수 있다. 본 발명의 따른 실시예는 상술했듯이 열에너지를 전달하는 과정 및 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저보다 순간적으로 조사되는 레이저의 에너지가 낮게 조사되어도 박리가 가능하다. That is, it may be a pulse laser and a continuous laser combination, a pulse laser combination having different pulse widths or a pulse laser capable of adjusting the pulse width. As described above, according to an embodiment of the present invention, the lasers used in the process of transferring heat energy and determining the peeling area may be the same laser or different lasers. The laser used in the process of transferring thermal energy can be peeled even when the energy of the laser that is instantaneously irradiated is lower than the laser used in the process of determining the peeling area.
반면에 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 순간적으로 조사영역에 조사되는 레이저의 에너지가 높아야 어블레이션 과정이 일어날 수 있으며 펄스폭이 짧은 레이저가 조사되는 영역 이외의 부분에 레이저의 에너지에 따른 영향을 받지 않을 수 있다. 동일한 출력을 지닌 레이저일 때 펄스폭이 짧아 열전달 시간이 짧아지면 동일한 출력을 짧은 시간에 발진해야 하므로 순간적인 레이저의 에너지가 높은 상태로 조사되고 짧은 시간에만 고에너지가 조사되기 때문에 조사되는 영역 외에는 영향을 주지 않을 수 있다. 이러한 차이가 있기 때문에 열에너지를 전달하는 과정 및 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 서로 다른 레이저 일때는 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 연속형 레이저 일 수 있고, 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 펄스 레이저 일 수 있고 펄스폭은 나노초 내지 펨토초 일 수 있으며 바람직하게는 펨토초인 레이저 일 수 있다. On the other hand, the laser used in the process of determining the exfoliation area can have an ablation process only when the energy of the laser that is irradiated to the irradiated area is instantaneously high. It may not be affected. In the case of a laser having the same power, if the pulse width is short and the heat transfer time is short, the same power must be oscillated in a short time, so the energy of the instantaneous laser is irradiated high and only a short time is irradiated. May not give. Because of this difference, the lasers used in the process of transferring heat energy and determining the peeling region may be the same laser or different lasers. For different lasers, the laser used in the process of transferring thermal energy that does not require instantaneous energy may be a continuous laser, and the laser used in the process of determining the exfoliation area where the instantaneous energy should be high may be a pulsed laser. The pulse width may be nanoseconds to femtoseconds, and preferably a femtosecond laser.
반면에 같은 레이저를 사용하기 위해서는 순간적인 에너지를 조절할 수 있는 레이저여야 한다. 그렇기 때문에 같은 레이저는 펄스 레이저 일 수 있다. 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저 일 수 있고 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 제1 펄스폭 보다 짧은 펄스폭을 갖는 제2 펄스폭을 가지는 펄스 레이저 일 수 있다. 제2 펄스폭을 가지는 펄스 레이저는 바람직하게는 펨토초를 가지를 펄스 레이저 일 수 있다. 이렇게 동일레이저를 이용하는 것은 프로세스의 단순성과 장치 구성의 편리성을 감안 했기 때문이다. On the other hand, in order to use the same laser, it must be a laser capable of controlling the instantaneous energy. Therefore, the same laser may be a pulse laser. The laser used in the process of transferring the thermal energy that does not need to have high instantaneous energy may be a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the process of determining the peeling area where the instantaneous energy should be higher than the first pulse width. It may be a pulse laser having a second pulse width having a short pulse width. The pulse laser having the second pulse width may preferably be a pulse laser having femtoseconds. The use of the same laser is because it considers the simplicity of the process and the convenience of device configuration.
한편, 위에서 사용되는 모든 레이저는 파장의 종류에 따라 IR, Green 또는 UV 파장이 이용될 수 있고, 본 발명의 실시예에 따른 레이저는 펨토초 펄스폭을 가지며 IR파장의 fiber레이저 일 수 있다. fiber레이저는 상대적으로 비용이 저렴하고 크기가 작은 장점이 있다. 하지만 이는 본 발명의 실시예일뿐 위의 실시예로 한정되지는 않는다.Meanwhile, all of the lasers used above may use IR, Green, or UV wavelengths depending on the type of wavelength, and the lasers according to embodiments of the present invention may have a femtosecond pulse width and may be a fiber laser having an IR wavelength. Fiber lasers have the advantage of being relatively inexpensive and small in size. However, this is only an embodiment of the present invention and is not limited to the above embodiment.
이렇게 적층구조물을 이루는 각각의 단위 구조체를 적층구조물로부터 박리시킴으로써 적층구조물로 이루어진 여러분야에 응용이 가능할 수 있다. 결함등이 생긴 영역을 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써 전체적으로 그 층 전체 또는 해당부분만 선택적으로 박리 시킬 수도 있고 공정 중 필요에 의해 박리되어야 하는 부분을 박리시킬 수도 있다. 또한 레이저를 이용하여 열에너지를 전달하기 때문에 그 부분만을 열적 또는 물리적 영향 없이 원하는 영역에 선택적으로 적층구조물로부터 제거할 수 있다. 또한, 레이저는 국부적으로 조사할 수 있고 레이저에 의한 열적 변형이 거의 없이 열에너지를 제공할 수 있기 때문에 기판에 관계없이 박막 분리를 필요로 하는 공정에서 사용이 용이한 장점이 있을 수 있다.By peeling each unit structure constituting the stacked structure from the stacked structure in this way, it can be applied to the field of the stacked structure. The area where the defects are generated is irradiated with a laser to transfer thermal energy, so that the entire layer or only a corresponding portion can be selectively peeled off as a whole, or a portion to be peeled off as necessary during the process. In addition, since heat energy is transferred using a laser, only a portion thereof can be selectively removed from a layered structure in a desired region without thermal or physical influence. In addition, since the laser can be irradiated locally and can provide thermal energy with little thermal deformation by the laser, there may be an advantage that it is easy to use in a process requiring thin film separation regardless of the substrate.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 수리 방법을 나타낸 순서도이다. 도 5는 유기발광소자 구조물(600)이 제공된 모습과 유기발광소자 구조물(600)에서 박막봉지층(640)이 들뜸 현상을 나타내는 이미지이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략거나 간단히 기술할 수 있다.4 is a flowchart illustrating a method of repairing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention. 5 is an image showing the state in which the organic light emitting
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 수리 방법은 유기발광 적층체(620), 상기 유기발광 적층체(620) 상에 제공되어 광학 특성을 향상하는 커버층(630), 및 상기 커버층(630) 상에 형성되어 수분의 침투를 방지하는 박막봉지층(640)을 포함하는 유기발광소자 구조물(600)을 제공하는 과정(S100); 상기 박막봉지층(640)에 형성된 결함을 확인하는 과정(S200); 확인된 상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물(600) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정(S300); 및 상기 커버층(630) 및 상기 박막봉지층(640)은 서로 다른 열팽창 계수를 가지며, 상기 열에너지로 인한 열팽창 차이에 의해 커버층(630)으로부터 박막봉지층(640)의 적어도 일부가 분리되는 과정(S400);을 포함할 수 있다.Referring to Figure 4, the organic light emitting device repair method according to an embodiment of the present invention is provided on the organic
유기발광 적층체(620), 상기 유기발광 적층체(620) 상에 제공되어 광학 특성을 향상하는 커버층(630), 및 상기 커버층(630) 상에 형성되어 수분의 침투를 방지하는 박막봉지층(640)을 포함하는 유기발광소자 구조물(600)을 제공하는 과정을 진행한다(S100).An organic
유기발광소자 구조물(600)은 유기발광 적층체(620), 커버층(630) 및 박막봉지층(640)(Thin Film Encapsulation:TFE)을 포함하는데 유기발광 적층체(620)는 캐리어 글래스(601) 상에 필름층(602)을 형성하고 필름층(602) 상에 형성된 유기발광소자를 포함한다. 커버층(630)은 유기발광소자(603) 상에 제공되며 유기발광소자(603)를 보호하면서도 광투광성을 갖는 무기막 또는 유기막으로 만들어지거나, 무기 입자가 함유된 유기막으로 만들어 질 수 있다. 본 발명에 실시예에 따른 커버층(630)은 무기막으로 이루어질 수 있다. 박막봉지층(640)은 커버층(630) 상에 제공되며 유기발광소자(603)로 공기 및 수분 등이 침투되지 않도록 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 이러한 구성을 포함하는 유기발광소자 구조물(600)(또는 유닛 셀)을 제공할 수 있다.The organic light emitting
다음으로, 상기 박막봉지층(640)에 형성된 결함을 확인하는 과정을 진행한다(S200).Next, a process of checking defects formed in the thin
도 5를 참조하면, 최근 유기발광소자 구조물(600)을 포함하는 패널을 제조시 기초가되는 캐리어 글래스(601)의 사이즈가 대형화 됨에 따라 공정 중에 발생되는 파티클 및 열적 변형등에 의해 불량 패널이 발생활 확률이 증대 되었다. 특히 유기발광소자 구조물(600)을 제조시 수분 침투 방지를 위해 제공되는 박막 봉지층을 증착하는 과정에서 파티클 및 열적 변형 등에 의해 형성된 결함이 발생하게 되면 유기발광소자에 번인(Burn-in) 현상 또는 유기물 파괴 등이 일어 날 수 있게되고, 또한 결함에 의해 박막 봉지 층의 들뜸 현상이 유발되어 지고 후공정 진행시 들뜬 박막 봉지층이 의도지 않게 뜯겨져 나가 생성된 파티클 또는 잔유물 등이 정상적인 유기발광소자 구조물(600)에 붙게 되어 트랜스퍼 공정 또는 LLO 공정시 정상적인 유기발광소자의 박막봉지층(640)이 파괴되는 경우가 발생할 수 있다. 그렇기 때문에 이러한 문제점을 해결하기 위해서 본 발명에 따른 실시예는 박막봉지층(640)에 형성된 결함을 확인하는 과정을 진행하여 후술할 결함이 포함된 적어도 일부 영역을 레이저를 조사하여 열에너지를 전달 함으로써 제거할 수 있다. 이 결함을 확인하는 과정은 외부에서 결함을 확인하여 그 위치를 파악할 수도 있고, 수리방법을 진행하는 중에 확인할 수도 있다.Referring to FIG. 5, as the size of the
다음으로, 확인된 상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물(600) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정을 진행한다(S300).Next, a process of transferring thermal energy by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the organic light emitting
본 발명의 따른 실시예는 유기발광소자 구조물(600)을 이루는 박막봉지층(640) 표면에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 이때 결함을 포함하는 적어도 일부 영역의 박막봉지층(640) 상에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 한편, 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 때 특정 영역에 점 형태로 조사되는 레이저의 이동경로를 변경하여 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 수도 있고, 라인빔 형태로 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, heat energy may be transferred by irradiating a laser on the surface of the thin
상기 커버층(630) 및 상기 박막봉지층(640)은 서로 다른 열팽창 계수를 가지며, 상기 열에너지로 인한 열팽창 차이에 의해 커버층(630)으로부터 박막봉지층(640)의 적어도 일부가 분리되는 과정을 진행한다(S400).The
본 발명에 따른 실시예는 커버층(630)보다 상대적으로 열팽창계수값이 큰 박막봉지층(640) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 박막봉지층(640) 표면의 적어도 일부 영역에 조사되는 레이저의 열에너지는 점차 박막봉지층(640)으로부터 커버층(630)로 열전달이 일어날 수 있다.According to an embodiment of the present invention, thermal energy may be transferred by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the thin
이렇게 전달된 열에너지에 의해 커버층(630) 및 박막봉지층(640)은 열팽창이 일어날 수 있는데, 상대적으로 열팽창계수가 큰 박막봉지층(640)은 상대적으로 열팽창 계수가 작은 커버층(630)보다 상대적으로 더 많이 인장됨으로써 인장되는 정도의 차이에 의해 변위차이가 발생하게 되고 이러한 변위차이가 전단응력을 발생시켜 전단응력이 커버층(630)과 박막봉지층(640)의 결합력을 초과하게 되면 박막봉지층(640)의 적어도 일부 영역이 커버층(630)로부터 분리되는 자가 박리가 일어 날 수 있게 된다. 예를 들어, 박막봉지층(640)의 열팽창계수가 0.00015/K이고 커버층(630) 열팽창계수가 0.000037/K이며 박막 봉지층에는 100K의 열이 전달되고 커버층(630)에는 전달된 열이 50K일때 박막봉지층(640)은 약 1.5mm 인장되고 커버층(630)은 약 0.185mm 인장되게 되어 박막 봉지층과 커버층(630)의 변위차이가 약 1.315mm 발생하게 되고 이 변위차이가 전단응력을 발생시키게 되고 이 전단응력이 박막봉지층(640)과 커버층(630)의 결합력을 초과하게 되면 박막봉지층(640)이 커버층(630)으로부터 자가 박리가 일어나게 된다. 이렇게 박막봉지층(640)의 박리가 일어난 유기발광소자 구조물(600)은 재사용의 목적으로 제거하는 것이 아닐 수 있고 상술했듯이 후공정시 발생될 수 있는 오염원을 미리 제거하여 온전한 유기발광층 구조물의 오염을 방지하는 효과가 있을 수 있다. 한편, 박막봉지층(640)이 제거된 유기발광소자 구조물(600)은 수분이 침투하여 불량이 발생하기가 쉬워진다. 그렇기 때문에 결함을 포함한 박막봉지층(640)을 자가 박리시키고 후 공정을 통해 해당 유기발광소자 구조물(600) 또는 후술할 복수개의 유기발광소자 구조물(600) 상에 박막봉지층(640)을 다시 재생성하여 결함을 포함하지 않은 유기발광소자 구조물(600)로 재사용 할 수 있다. 여기서 재생하는 방법은 기존의 박막봉지층(640)을 증착시키는 PVD 또는 CVD를 이용하여 증착시킬 수도 있고 미리 제조된 박막봉지층(640)을 결함이 제거된 유기발광소자 구조물(600) 상에 제공하고 레이저 등을 조사하여 유기발광소자에 증착되게 할 수 있다.The thermal energy of the
도 5를 참조하면, 상기 유기발광소자 구조물(600)은 복수개 제공되며, 복수개의 상기 유기발광소자 구조물(600) 사이에 제공된 분리부(610)에 의해 각각의 상기 유기발광소자 구조물(600)이 독립되어 제공될 수 있다.Referring to FIG. 5, a plurality of organic light emitting
캐리어 글래스(601)(또는 마더 글래스)상에 복수개의 유기발광소자 구조물(600)이 제공되며 캐리어 글래스(601) 상에 제공되고 복수개의 유기발광소자 구조물(600) 사이에 위치하는 분리부(610)에 의해 각각의 유기발광소자 구조물(600)이 독립되어 형성될 수 있다. 분리부(610)는 산화물 또는 질화물중 적어도 어느 하나를 포함하는 구성을 가지고 있을 수 있다. 복수개의 유기발광소자 구조물(600)이 서로 독립되지 않고 연속하여 위치한다면 하나의 유기발광소자를 이루는 박막봉지층(640)에 결함이 발생하여 수분 및 공기의 침투를 막지 못하고 불량이 발생한다면 그 유기발광소자 구조물(600)을 통해 수분 등이 인접해 있는 복수의 유기발광소자 구조물(600)로 흘러들어가 영향을 주어 다수의 불량이 발생할 수 있기 때문이다. 그렇기 때문에 복수의 유기발광소자 구조물(600)을 각각 독립되게 제공할 수 있다. 또한, 유기발광소자 구조물(600)은 각각이 패널에 사용될 수 있는데 각각을 커팅하여 개별 단위패널로 사용할 수도 있다. 이렇게 각각 독립되게 유기발광소자 구조물(600)을 제공함으로써 결함 등으로 인한 불량이 발생한 유기발광소자 구조물(600)은 후에 커팅하여 사용하지 않고 폐기하고 나머지는 유기발광 패널로 사용하거나 박막봉지층을 재형성하여 유기발광 패널로써 재사용 할 수 있다. 이렇게 결함이 발생한 부분을 박리하여 제거하거나 박리 후 박막봉지층을 재형성을 시킴으로써 수율향상 및 원가절감을 이룰 수 있고, 대형화된 패널에도 사용이 가능하므로 대형화 패널의 제조에도 불량없이 제조할 수 있는 장점이 있을 수 있다.A plurality of organic light emitting
상기 커버층(630)은 불화물로 이루어지고, 유기막 및 무기막이 교번되어 적층된 상기 박막봉지층(640)의 최하단층은 무기막으로 이루어질 수 있다.The
본 발명의 실시예에 따른 커버층(630)은 불화물 중 열팽창 계수가 상대적으로 작은 불화리튬(LiF)으로 이루어 질 수 있다. 불화리튬의 열팽창 계수는 37*10-6/K이다. 또한, 커버층(630)은 무기물로 이루어질 수 있는데 무기물은 약 5*10-6/K 내지 40*10-6/K의 열팽창계수를 가질 수 있다.The
박막봉지층(640)은 유기막 및 무기막이 교번되어 적층되는 구조 일 수 있는데 유기막은 모너머(Monomer) 또는 이들의 중합체로 이루어 질 수 있다. 그 재료로는 폴리에틸렌 계열의 수지로 이루어 질 수 있고 폴리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트 단량체 또는 폴리에틸렌 글리콜 디아크리렐이트 단량체 중 적어도 어느 하나를 포함한 유기막일 수 있고 또한, 펜타에리쓰리톨 테트라아크릴레이트 또는 펜타에리쓰리톨 테트라메타크릴레이트 중 적어도 어느 하나를 포함한 유기막 일 수 있다. 무기막은 질화물, 산화물 및 산화질화물 중 적어도 어느 하나 포함할 수 있고 본 발명의 실시예에 따른 무기막은 SiNx 일 수 있다. 박막봉지층(640)을 이루는 유기막은 수㎛ 내지 수십㎛의 두께를 이루며 제공되고, 무기막은 수십 nm 내지 수백nm의 두께를 가지고 박막봉지층(640)을 이룬다. 박막봉지층(640)은 유기막과 무기막이 단층 또는 멀티 레이어로 제공될 수 있다. 한편, 박막봉지층(640)을 구성하는 무기막을 증착할 때 파티클 등에 의한 결함이 발생할 확률이 높을 수 있다.The thin
박막봉지층(640)을 이루는 유기막과 무기막의 두께는 약 102배의 차이가 나게 되는데 무기막은 유기막에 비해 상대적으로 얇기 때문에 박막봉지층(640)에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 때 무기막은 유기막이 열팽창됨에 따라서 무기막 고유의 열팽창계수값과는 관계 없이 유기막을 따라 열팽창 되게 된다. 따라서 박막 봉지층의 열팽창계수는 유기막의 열팽창계수 값을 따라 결정되며 박막 봉지층의 열팽창계수는 106*10-6/K 내지 198*10-6/K의 열팽창계수를 가질 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 커버층(630) 및 박막 봉지층의 열팽창계수의 차이는 약 2배 내지 4배이상의 차이가 날 수 있다. 열팽창계수 차이가 2배보다 낮으면 커버층 및 박막봉지층이 열팽창에 의해 생기는 변위차이가 줄어들어 박리가 일어나지 않을 수도 있다.The thickness of the organic film and the inorganic film forming the thin
박막봉지층(640)의 최하단층은 무기막으로 이루어질 수 있으며 무기막인 SiNx와 커버층(630)의 무기물 계열인 LiF가 약한 결합력에 의해 결합될 수 있다. 이는 불화물에서 불소는 불화물을 형성하는 원소 간의 강한 화학적 결합으로 인해 다른 물질(또는 원소)들과의 결합력을 현저히 저하시킬 수 있다. 즉, 상기 불화물을 형성하는 원소 간에만 링크를 형성하여 본딩되고 커버층 상에 새롭게 제공되는 원소와는 링크를 형성하지 않아 커버층 상에 박막봉지층이 강한게 결합될 수 없기 때문이다. 상기 박막봉지층(640) 표면 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하면 열팽창계수 차이에 의해 박막봉지층(640) 및 커버층(630)이 팽창되고 상대적으로 열팽창계수가 큰 박막봉지층(640)의 열팽창이 커버층(630)보다 많이 되어 변위차이가 발생에 따른 전단응력이 박막봉지층(640)과 커버층(630)의 약한 결합력을 초과하면 자가 박리가 일어날 수 있다. 한편, 박막봉지층(640)의 유기막과 무기막 사이의 결합력이 박막봉지층(640)과 커버층(630) 사이에 결합력보다 크기 때문에 박막봉지층(640)의 유기막과 무기막이 박리되는것보다 먼저 결합층과 박막봉지층(640)이 먼저 박리가 일어 날 수 있다.The lowermost layer of the thin
상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물(600)의 일정 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 박리영역을 결정하는 과정;을 더 포함할 수 있다.The process of determining a peeling area by irradiating a laser along an edge of a predetermined area of the organic light emitting
상술 했듯이 본 발명에 따른 실시예는 박막봉지층(640) 표면의 적어도 일부 영역의 외곽부에 해당하는 가장자리를 따라 레이저를 조사할 수 있다. 이렇게 가장자리를 따라 레이저를 조사함으로써 어블레이션(ablation) 공정이 일어나게 되고 조사된 영역은 커버층(630)로부터 박막봉지층(640)을 구성하는 구성물질이 레이저의 에너지에 의해 제거되어 박리영역이 결정될 수 있다. As described above, the embodiment according to the present invention may irradiate the laser along the edge corresponding to the outer portion of at least a portion of the surface of the thin
상기 박리영역을 결정하는 과정 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정;을 더 포함할 수 있다. 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지보다 클 수 있다.The process of determining the exfoliation area or changing the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy may further include. The accumulated energy of the laser used in the process of determining the peeling area may be greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.
상술했듯이 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정은 박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 동일 레이저 일 수 있기 때문에 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정을 진행할 수 있다. 박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 동일레이저라면 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정이 필요하게 된다. 이는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지와 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지는 달라야 하기 때문이다. 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저보다 누적에너지가 높아야 하는데 이는 높은 누적에너지로 적층 구조체의 적어도 일부 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사함으로써 해당 부분은 어블레이션 과정이 일어나 박막봉지층을 이루는 부분만 제거가 될 수 있다. 이렇게 박리영역을 결정하고나면 가장자리가 제거될 수 있는데 이에 따라 열에너지를 전달하는 과정에서 해당 영역에만 레이저에 의한 열에너지가 전달될 수 있고 박리영역의 가장자리가 제거되어 박리영역 외부로는 열에너지가 전달되지 않을 수 있다.As described above, in the process of changing the accumulated energy of the laser, since the laser used in the process of determining the peeling area or transferring the thermal energy may be the same laser, the process of changing the accumulated energy of the laser may be performed. If the laser used in the process of determining the peeling area or transferring heat energy is the same laser, a process of changing the accumulated energy of the laser is required. This is because the accumulated energy of the laser used in the process of determining the peeling area and the accumulated energy of the laser used in the process of transferring heat energy must be different. The laser used in the process of determining the peeling area must have a higher cumulative energy than the laser used in the process of transferring heat energy, and this part is ablation by irradiating the laser along the edges of at least some areas of the laminated structure with high accumulated energy. The process takes place and only the part forming the thin film encapsulation layer can be removed. Once the peeling area is determined, the edges can be removed. Accordingly, in the process of transferring heat energy, the thermal energy by the laser can be transmitted only to the corresponding area, and the edge of the peeling area is removed so that heat energy is not transmitted outside the peeling area. Can be.
반면에 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저보다 누적에너지가 낮을 수 있다. 이는 적어도 일정 영역 전체에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하여야 하기 때문에 박리영역을 결정하는 과정에서 조사되는 레이저보다 누적에너지가 낮을 수 있고, 상대적으로 낮은 누적에너지로도 박막봉지층(640) 적어도 일부 영역에 열에너지를 전달하여 자가 박리를 시킬 수 있다.On the other hand, the laser used in the process of transferring heat energy may have a lower cumulative energy than the laser used in the process of determining the peeling area. This is because at least a portion of the thin
상기 누적에너지를 변경하는 과정은, 상기 유기발광소자 구조물(600) 표면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 조절하는 과정; 상기 유기발광소자 구조물(600) 표면에 조사되는 레이저의 중첩률을 조절하는 과정;중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The process of changing the accumulated energy includes: adjusting the energy density of the laser irradiated on the surface of the organic light emitting
상술했듯이 레이저의 누적에너지는 레이저의 밀도 또는 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률 중 적어도 어느 하나를 조절하여 변경이 가능하다. As described above, the cumulative energy of the laser can be changed by adjusting at least one of the density of the laser or the irradiation overlap ratio of the laser irradiated on the laser irradiation surface.
레이저의 밀도는 (레이저 에너지)/(레이저 빔의 크기)로 정의 될 수 있는데, 레이저를 조사 받는 재료가 열응력을 받을 수 있는 임계치의 에너지 밀도가 있기 때문에 적정열응력이 인가되기 위해서 적정 수준의 에너지 밀도를 유지하는 것이 바람직하다. 레이저 밀도를 조절하는 과정은 레이저의 출력을 제어하는 과정 또는 레이저 조사면에 조사되는 레이저 빔의 크기를 제어하는 과정 중 중 적어도 어느 하나를 수행하여 레이저의 밀도를 조절할 수 있다. The density of the laser can be defined as (laser energy) / (the size of the laser beam). Since there is a threshold energy density at which the material irradiated with the laser can receive thermal stress, an appropriate level of thermal stress is applied. It is desirable to maintain energy density. The process of adjusting the laser density may be performed to control the density of the laser by performing at least one of a process of controlling the output of the laser or a process of controlling the size of the laser beam irradiated on the laser irradiation surface.
레이저의 조사중첩률을 조절하는 과정은 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 이동속도를 제어하는 과정 또는 조사면에 조사되는 레이저의 빈도수를 조절하는 과정 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 여기서 사용된 레이저는 연속형 레이저가 아닌 펄스형 레이저 일 수 있다.The process of adjusting the laser overlapping rate may include at least one of a process of controlling a moving speed of a laser irradiated onto the laser irradiation surface or a process of controlling the frequency of the laser irradiated on the irradiation surface. Further, the laser used herein may be a pulsed laser, not a continuous laser.
본 발명의 실시예에서는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 펄스 레이저인 조합이거나, 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭의 펄스레이저이고, 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저 조합을 이용할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the laser used in the process of transferring the thermal energy is a continuous laser and the laser used in the process of determining the exfoliation region is a combination of a pulse laser, or a laser used in the process of transferring the thermal energy. Is a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the process of determining the peeling region may use a combination of pulse lasers having a second pulse width having a shorter pulse width than a pulse laser having a first pulse width.
즉, 펄스레이저 및 연속형 레이저 조합, 펄스폭이 서로 다른 펄스레이저 조합 또는 펄스폭을 조절할 수 있는 펄스레이저 일 수 있다. 본 발명의 따른 실시예는 상술했듯이 열에너지를 전달하는 과정 및 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저보다 순간적으로 조사되는 레이저의 에너지가 낮게 조사되어도 박리가 가능하다. That is, it may be a pulse laser and a continuous laser combination, a pulse laser combination having different pulse widths or a pulse laser capable of adjusting the pulse width. As described above, according to an embodiment of the present invention, the lasers used in the process of transferring heat energy and determining the peeling area may be the same laser or different lasers. The laser used in the process of transferring thermal energy can be peeled even when the energy of the laser that is instantaneously irradiated is lower than the laser used in the process of determining the peeling area.
반면에 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 순간적으로 조사영역에 조사되는 레이저의 에너지가 높아야 조사되는 영역 이외의 부분에 레이저의 에너지에 따른 영향을 받지 않을 수 있다. 이러한 차이가 있기 때문에 열에너지를 전달하는 과정 및 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 서로 다른 레이저 일때는 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 연속형 레이저 일 수 있고, 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 펄스 레이저 일 수 있고 펄스폭은 나노초 내지 펨토초 일 수 있으며 바람직하게는 펨토초인 레이저 일 수 있다.On the other hand, the laser used in the process of determining the exfoliation area may not be affected by the energy of the laser in areas other than the irradiated area only when the energy of the laser irradiated to the irradiated area is high immediately. Because of this difference, the lasers used in the process of transferring heat energy and determining the peeling area may be the same laser or different lasers. For different lasers, the laser used in the process of transferring thermal energy that does not require instantaneous energy may be a continuous laser, and the laser used in the process of determining the exfoliation area where the instantaneous energy should be high may be a pulsed laser. The pulse width may be nanoseconds to femtoseconds, and preferably a femtosecond laser.
반면에 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 순간적으로 조사영역에 조사되는 레이저의 에너지가 높아야 어블레이션 과정이 일어날 수 있으며 펄스폭이 짧은 레이저가 조사되는 영역 이외의 부분에 레이저의 에너지에 따른 영향을 받지 않을 수 있다. 동일한 출력을 지닌 레이저일 때 펄스폭이 짧아 열전달 시간이 짧아지면 동일한 출력을 짧은 시간에 발진해야 하므로 순간적인 레이저의 에너지가 높은 상태로 조사되고 짧은 시간에만 고에너지가 조사되기 때문에 조사되는 영역 외에는 영향을 주지 않을 수 있다. 이러한 차이가 있기 때문에 열에너지를 전달하는 과정 및 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 서로 다른 레이저 일때는 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 연속형 레이저 일 수 있고, 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 펄스 레이저 일 수 있고 펄스폭은 나노초 내지 펨토초 일 수 있으며 바람직하게는 펨토초인 레이저 일 수 있다. On the other hand, the laser used in the process of determining the exfoliation area can have an ablation process only when the energy of the laser that is irradiated to the irradiated area is instantaneously high. It may not be affected. In the case of a laser having the same power, if the pulse width is short and the heat transfer time is short, the same power must be oscillated in a short time, so the energy of the instantaneous laser is irradiated high and only a short time is irradiated. May not give. Because of this difference, the lasers used in the process of transferring heat energy and determining the peeling area may be the same laser or different lasers. For different lasers, the laser used in the process of transferring thermal energy that does not require instantaneous energy may be a continuous laser, and the laser used in the process of determining the exfoliation area where the instantaneous energy should be high may be a pulsed laser. The pulse width may be nanoseconds to femtoseconds, and preferably a femtosecond laser.
반면에 같은 레이저를 사용하기 위해서는 순간적인 에너지를 조절할 수 있는 레이저여야 한다. 그렇기 때문에 같은 레이저는 펄스 레이저 일 수 있다. 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저 일 수 있고 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 제1 펄스폭 보다 짧은 펄스폭을 갖는 제2 펄스폭을 가지는 펄스 레이저 일 수 있다. 제2 펄스폭을 가지는 펄스 레이저는 바람직하게는 펨토초를 가지를 펄스 레이저 일 수 있다. 이렇게 동일레이저를 이용하는 것은 프로세스의 단순성과 장치 구성의 편리성을 감안 했기 때문이다. On the other hand, in order to use the same laser, it must be a laser capable of controlling the instantaneous energy. Therefore, the same laser may be a pulse laser. The laser used in the process of transferring the thermal energy that does not need to have high instantaneous energy may be a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the process of determining the peeling area where the instantaneous energy should be higher than the first pulse width. It may be a pulse laser having a second pulse width having a short pulse width. The pulse laser having the second pulse width may preferably be a pulse laser having femtoseconds. The use of the same laser is because it considers the simplicity of the process and the convenience of device configuration.
한편, 위에서 사용되는 모든 레이저는 파장의 종류에 따라 IR, Green 또는 UV 파장이 이용될 수 있고, 본 발명의 실시예에 따른 레이저는 펨토초 펄스폭을 가지며 IR파장의 fiber레이저 일 수 있다. fiber레이저는 상대적으로 비용이 저렴하고 크기가 작은 장점이 있다. 하지만 이는 실시예인뿐 실시예에 한정되지는 않는다.Meanwhile, all of the lasers used above may use IR, Green, or UV wavelengths depending on the type of wavelength, and the lasers according to embodiments of the present invention may have a femtosecond pulse width and may be a fiber laser having an IR wavelength. Fiber lasers have the advantage of being relatively inexpensive and small in size. However, this is only an example, and is not limited to the example.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물(100) 박리 장치를 나타낸 블럭도이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략거나 간단히 기술할 수 있다.6 is a block diagram showing a
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물(100) 수리 장치는 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체(110), 및 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 갖는 제2 레이어를 구비하는 제2 단위 구조체(120)를 포함하는 적층구조물(100)을 지지하는 지지대(500); 레이저의 누적에너지가 서로 다른 복수의 조사 모드 중 어느 하나를 선택하는 모드 선택부(200); 상기 모드 선택부(200)에 의해 선택된 모드에 따른 레이저 제어신호를 생성하는 제어부(300); 및 상기 레이저 제어신호를 수신하여 선택된 모드에 대응하는 누적에너지의 레이저를 상기 적층구조물(100) 표면에 조사하는 레이저 조사부(400);를 포함하고, 상기 복수의 조사모드는 박리모드를 포함하고, 모드 선택부(200)에서 박리모드가 선택된 경우 레이저 조사부(400)는 상기 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써, 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체(110) 및 상기 제2 단위 구조체(120)의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체(110)로부터 상기 제2 단위 구조체(120)의 적어도 일부가 박리될 수 있다.Referring to FIG. 6, the apparatus for repairing a
지지대(500)는 박리가 진행될 수 있도록 적층구조물(100)을 움직이지 않게 고정하거나 고정된 적층구조물(100)을 이동시킬 수 있다. 적층구조물(100)을 이루는 제1 단위 구조체(110)는 단층 또는 여러 층의 레이어로 구성될 수 있고 그 중 제1 레이어를 포함할 수 있다. 제2 단위 구조체(120)도 또한 단층 또는 여러 층의 레이어로 구성될 수 있고 그 중 제2 레이어는 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 가진다. 본 발명의 실시예에 따른 적층 구조물은 제1 레이어 및 제2 레이어의 두께가 충분히 두꺼울 수 있고 제1 레이어 및 제2 레이어는 서로 인접하여 제공되거나 서로 직접적으로 맞닿게 제공될 수 있으며 제2 레이어의 열팽창계수가 제1 레이어보다 클 수 있다 그렇기 때문에 제1 단위 구조체 및 제2 단위 구조체는 제1 레이어 및 제2 레이어에 의해 각각 열팽창계수가 결정 될 수 있다. 또한, 제1 단위 구조체(110) 및 제2 단위 구조체(120)는 상대적으로 약한 결합력으로 결합될 수 있다.The
모드 선택부(200)는 조사영역에 조사되는 레이저의 누적에너지가 서로 다른 복수의 조사모드 중 어느 하나를 선택할 수 있다. 선택된 모드에 따라 후술할 제어부(300)의 누적에너지 변동부(310)에 의해 레이저의 누적에너지가 달라지도록 할 수 있다. The
제어부(300)는 모드 선택부(200)에서 선택된 모드에 따른 레이저 제어신호를 생성할 수 있다. 제어부(300)는 제어신호 생성부(320)를 포함할 수 있고 제어신호 생성부(320)에서 생성된 레이저 제어신호는 레이저 조사부(400)로 전송 될 수 있다.The
레이저 조사부(400)는 레이저 제어신호를 수신하여 선택된 모드에 대응되는 누적에너지로 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 수 있다. 본 발명에 따른 실시예는 적층구조물(100)을 이루는 제1 단위 구조체(110) 및 제2 단위 구조체(120) 중 열팽창계수 값이 더 큰 제2 레이어를 포함한 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 수 있다. The
한편, 레이저 조사부(400)는 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진부; 발진된 레이저 빔의 진행경로를 변경하는 광학부;를 포함할 수 있다. 광학부는 제어부(300)에 의해 제어되며 제어부(300)에서 생성된 제어신호는 발진된 레이저 빔의 진행경로를 변경하여 조사영역에 조사되는 레이저의 진행경로를 변경할 수 있다. 광학부는 조사되는 레이저의 진행경로를 변경하는 갈바노 미러, 조사되는 레이저를 라인빔 형태로 변환하는 라인빔 성형부 또는 조사되는 레이저의 면적을 넓혀 면형태의 빔으로 변형하는 빔 성형부; 중 적어도 어느 하나를 포함 할 수 있다. 갈바노 미러는 X축을 조절하는 X축 갈바노 미러 및 Y축을 조절하는 Y축 갈바노 미러를 포함할 수 있으며 조사되는 레이저를 X축 또는 Y축 갈바노 미러를 제어하여 적층구조물(100) 적어도 일부 영역 전체에 레이저가 조사되도록 할 수 있다. 라인빔 성형부는 적층구조물(100) 적어도 일부 영역에 레이저가 조사될 때 조사되는 레이저의 형태를 라인 빔 형태로 성형하여 조사할 수 있다. 또한, 빔 성형부에 의해 적층구조물(100) 적어도 일부 영역에 조사되는 레이저의 면적이 상기 영역 전체를 조사할 수 있을 정도로 빔 성형부에 의해 크기를 키워 조사할 수 있다.Meanwhile, the
복수의 조사모드는 박리모드를 포함할 수 있는데 박리모드로 선택됨에 따라 제어부(300)에서는 레이저 제어신호를 생성하고 레이저 조사부(400)는 열팽창계수가 상대적으로 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 제2 단위구조체에 조사되는 열에너지는 열전달에 의해 제1 단위 구조체에 열이 전달이 될 수 있다.The plurality of irradiation modes may include a peeling mode. As the peeling mode is selected, the
상대적으로 열팽창계수가 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120)에 열에너지를 전달됨으로써 작은 열팽창계수를 가지는 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체(110)보다 열팽창이 더 많이 일어나 제1 단위구조체 및 제2 단위구조체의 열팽창 차이에 의해 상대적으로 열팽창이 더 많이 발생한 제2 단위 구조체(120)가 제1 단위 구조체(110)로부터 박리될 수 있다.Thermal energy is transmitted to the
상기 복수의 조사 모드는, 상기 박리모드에서 사용된 레이저의 누적에너지보다 큰 누적에너지의 가지는 박리영역 결정모드를 더 포함할 수 있다. 상기 레이저 조사부(400)는,상기 분리영역 결정모드로 선택된 경우 상기 레이저를 상기 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사함으로써 어브렐이션 과정이 진행되어 상기 제2 단위 구조체(120)의 가장자리를 이루는 물질이 제거될 수 있다.The plurality of irradiation modes may further include a peeling region determination mode having an accumulated energy greater than the accumulated energy of the laser used in the peeling mode. When the
복수의 조사 모드는 앞서 살펴본 바와 같이 박리모드를 포함할 수 있는데 박리영역 결정모드에서 사용되는 레이저의 누적에너지는 박리모드에서 사용되는 레이저의 누적에너지보다 더 클 수 있다. 모드 선택부(200)에서 박리영역 결정모드로 선택되면 제어부(300)에서는 레이저 제어신호를 생성하여 레이저 조사부(400)에 전송할 수 있고 레이저 조사부(400)는 전송된 레이저 제어신호를 수신받아 박리모드보다 상대적으로 큰 누적에너지의 레이저를 조사 할 수 있다. 박리영역 결정모드로 선택되어 레이저 제어신호를 수신한 레이저 조사부(400)는 적층구조물(100) 적어도 일부 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사할 수 있다. 이는 적층구조물(100) 중 박리가 되어야 하는 일정 영역의 외곽부에 상대적으로 누적에너지가 높은 레이저를 조사함으로써 어블레이션 공정이 진행됨으로써 조사되는 영역 주변부에는 영향을 거의 주지 않으면서 레이저가 조사되는 해당 부분의 물질이 제거가 되어 박리영역이 결정 될 수 있다.As described above, the plurality of irradiation modes may include a peeling mode, and the accumulated energy of the laser used in the peeling area determination mode may be greater than the accumulated energy of the laser used in the peeling mode. When the peeling region determination mode is selected by the
상기 제어부(300)는, 상기 복수의 조사 모드에 따라 레이저의 누적에너지를 변경하는 누적에너지 변동부(310);를 포함할 수 있다. 상기 누적에너지 변동부(310)는, 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 변경하는 에너지 밀도 변경부(311); 및 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 변경하는 조사중첩률 변경부(312); 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The
복수의 조사모드에 따라서 누적에너지를 변경하기 위하여 제어부(300)는 레이저의 누적에너지를 변경할 수 있는 누적에너지 변동부(310)를 포함할 수 있다. 상술했듯이 하나의 레이저로 적층구조물(100) 적어도 일부 영역에 열에너지를 전달하거나 적층구조물(100) 적어도 일부 영역 가장자리에 높은 누적에너지로 레이저를 조사하기 위해서는 누적에너지를 변경할 수 있는 구성이 필수적일 수 있다. In order to change the accumulated energy according to the plurality of irradiation modes, the
이렇게 레이저의 누적에너지를 변경하기 위해서는 레이저의 에너지 밀도 또는 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률 중 적어도 어느 하나를 조절하여 누적에너지를 변경할 수 있다. 레이저의 에너지 밀도를 변경하는 에너지 밀도 변경부(311)는 레이저의 출력을 제어하는 출력 조절부; 또는 레이저 조사면에 조사되는 레이저 빔의 크기를 제어하는 빔크기 조절부; 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 변경하는 조사중첩률 변경부(312)는 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 이동속도를 제어하는 이동속도 조절부; 또는 조사면에 조사되는 레이저의 빈도수를 조절하는 빈도수 조절부; 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 여기서 사용된 레이저는 연속형 레이저가 아닌 펄스형 레이저 일 수 있다.In order to change the accumulated energy of the laser, the accumulated energy can be changed by adjusting at least one of the energy density of the laser or the overlap ratio of the laser irradiated on the laser irradiation surface. The energy
본 발명의 실시예에서는 상기 박리모드에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 펄스 레이저인 조합이거나, 또는 상기 박리모드에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저이고, 상기 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저 조합을 이용할 수 있다.In the embodiment of the present invention, the laser used in the peeling mode is a continuous laser and the laser used in the peeling area determination mode is a pulse laser, or the laser used in the peeling mode has a pulse having a first pulse width. It is a laser, and the laser used in the peeling region determination mode may use a pulse laser combination having a second pulse width that is shorter than the pulse laser having the first pulse width.
본 발명의 따른 실시예는 상술했듯이 박리모드 및 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 박리모드에서 사용된 레이저는 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저보다 순간적으로 조사되는 레이저의 에너지가 낮게 조사되어도 박리가 가능하다. 반면에 박리영역을 결정모드에서 사용되는 레이저는 순간적으로 조사영역에 조사되는 레이저의 에너지가 높아야 조사되는 영역 이외의 부분에 레이저의 에너지에 따른 영향을 받지 않을 수 있다. 이러한 차이가 있기 때문에 박리모드 및 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 서로 다른 레이저 일때는 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 박리모드에서 사용되는 레이저는 연속형 레이저 일 수 있고, 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역 결정모드에서 사용되는 레이저는 펄스 레이저 일 수 있고 펄스폭은 나노초 내지 펨토초 일 수 있으며 바람직하게는 펨토초인 레이저 일 수 있다. As described above, according to an embodiment of the present invention, the lasers used in the peeling mode and the peeling area determination mode may be the same laser or different lasers. The laser used in the peeling mode can be peeled even when the energy of the laser that is irradiated instantaneously is lower than the laser used in the peeling area determination mode. On the other hand, the laser used in the determination mode of the exfoliation region may not be affected by the energy of the laser in areas other than the irradiated region only when the energy of the laser irradiated to the irradiated region is high immediately. Because of this difference, the lasers used in the peeling mode and the peeling area determination mode may be the same laser or different lasers. For different lasers, the laser used in the exfoliation mode where the instantaneous energy does not need to be high may be a continuous laser, the laser used in the exfoliation area determination mode where the instantaneous energy should be high may be a pulsed laser, and the pulse width is nanoseconds. It may be a femtosecond or preferably a femtosecond laser.
반면에 같은 레이저를 사용하기 위해서는 순간적인 에너지를 조절할 수 있는 레이저여야 한다. 그렇기 때문에 같은 레이저는 펄스 레이저 일 수 있다. 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 박리모드에서 사용되는 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저 일 수 있고 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역 결정모드에서 사용되는 레이저는 제1 펄스폭 보다 짧은 펄스폭을 갖는 제2 펄스폭을 가지는 펄스 레이저 일 수 있다. 제2 펄스폭을 가지는 펄스 레이저는 바람직하게는 펨토초를 가지를 펄스 레이저 일 수 있다. 이렇게 동일레이저를 이용하는 것은 프로세스의 단순성과 장치 구성의 편리성을 감안 했기 때문이다. 이렇게 박리영역 조사모드로 레이저가 조사되는 적층구조물의 가장자리를 어블레이션 과정을 통해 제거 함으로써 박리모드의 레이저를 해당 부분에 조사할때 적층구조물의 가장자리 바깥쪽으로는 열에너지가 전달되지 않아 선택적으로 원하는 부분만 박리하기가 용이해 질 수 있다.On the other hand, in order to use the same laser, it must be a laser that can control the instantaneous energy. Therefore, the same laser may be a pulse laser. The laser used in the peeling mode in which the instantaneous energy does not need to be high may be a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the peeling region determination mode in which the instantaneous energy should be high has a pulse width shorter than the first pulse width. It may be a pulse laser having a second pulse width. The pulse laser having the second pulse width may preferably be a pulse laser having femtoseconds. The use of the same laser is because it considers the simplicity of the process and the convenience of device configuration. By removing the edge of the laminated structure irradiated with the laser through the ablation process in the peeling area irradiation mode, when irradiating the laser in the peeling mode to the corresponding part, thermal energy is not transmitted outside the edge of the laminated structure, so only the desired part is selectively selected. It can be easy to peel.
한편, 위에서 사용되는 모든 레이저는 파장의 종류에 따라 IR, Green 또는 UV 파장이 이용될 수 있고, 본 발명의 실시예에 따른 레이저는 펨토초 펄스폭을 가지며 IR파장의 fiber레이저 일 수 있다. fiber레이저는 상대적으로 비용이 저렴하고 크기가 작은 장점이 있다. 하지만 이는 실시예일뿐 실시예에 한정되지는 않는다.Meanwhile, all of the lasers used above may use IR, Green, or UV wavelengths depending on the type of wavelength, and the lasers according to the embodiments of the present invention may have a femtosecond pulse width and may be fiber lasers having an IR wavelength. Fiber lasers have the advantage of being relatively inexpensive and small in size. However, this is only an example and is not limited to the example.
이와 같이, 본 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, although specific embodiments have been described in the description of the present invention, various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims described below, but also by the claims and equivalents.
100: 적층구조물 110: 제1 단위 구조체
120: 제2 단위 구조체 200: 모드 선택부
300: 제어부 310: 누적에너지 변동부
311: 에너지 밀도 변경부 312: 조사중첩률 변경부
320: 제어신호 생성부 400: 레이저 조사부
500: 지지대 600: 유기발광소자 구조물
601: 캐리어 글래스 602: 필름층
603: 유기발광소자 610: 분리부
620: 유기발광 적층체 630: 커버층
640: 박막봉지층 L : 레이저 빔 100: laminated structure 110: first unit structure
120: second unit structure 200: mode selector
300: control unit 310: cumulative energy fluctuation unit
311: Energy density change unit 312: Irradiation overlap rate change unit
320: control signal generation unit 400: laser irradiation unit
500: support 600: organic light emitting device structure
601: carrier glass 602: film layer
603: organic light emitting element 610: separation unit
620: organic light emitting laminate 630: cover layer
640: thin film encapsulation layer L: laser beam
Claims (20)
상기 적층구조물 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정; 및
상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체 및 상기 제2 단위 구조체의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체로부터 상기 제2 단위 구조체의 적어도 일부가 분리되는 과정;을 포함하는 적층구조물 박리 방법.
Providing a stacked structure including a first unit structure including a first layer, and a second unit structure including a second layer having a different thermal expansion coefficient from the first layer;
A process of transmitting thermal energy by irradiating a laser to at least a part of the surface of the laminated structure; And
The process of separating at least a portion of the second unit structure from the first unit structure by the difference in thermal expansion of the first unit structure and the second unit structure due to the thermal energy; The method of peeling a laminated structure comprising a.
상기 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 박리영역을 결정하는 과정;을 더 포함하는 적층구조물 박리 방법.
According to claim 1,
The process of determining a peeling area by irradiating a laser along the edge of the area; The method of peeling a laminated structure further comprising.
상기 박리영역을 결정하는 과정 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정;을 더 포함하는 적층구조물 박리 방법.
According to claim 2,
The process of determining the peeling area or changing the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the heat energy; further comprising a method of peeling a laminated structure.
상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지보다 큰 적층구조물 박리 방법.
According to claim 2,
The method of peeling a laminated structure in which the accumulated energy of the laser used in the process of determining the peeling area is greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.
상기 누적에너지를 변경하는 과정은,
상기 적층구조물 표면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 조절하는 과정; 및
상기 적층구조물 표면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 조절하는 과정; 중 적어도 어느 하나를 포함하는 적층구조물 박리 방법.
According to claim 3,
The process of changing the accumulated energy,
Adjusting the energy density of the laser irradiated on the surface of the laminated structure; And
Adjusting the overlap ratio of the laser beam irradiated on the surface of the laminated structure; A method of peeling a laminated structure comprising at least one of them.
상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 펄스 레이저인 조합이거나, 또는
상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭의 펄스레이저이고, 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저의 조합인 적층구조물 박리 방법.
According to claim 2,
The laser used in the process of transferring the thermal energy is a continuous laser and the laser used in the process of determining the exfoliation area is a combination of a pulsed laser, or
The laser used in the process of transferring the thermal energy is a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the process of determining the exfoliation region has a second pulse width having a shorter pulse width than a pulse laser having a first pulse width. A method for peeling a laminated structure, which is a combination of a pulsed laser.
상기 박막봉지층에 형성된 결함을 확인하는 과정;
확인된 상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정; 및
상기 커버층 및 상기 박막봉지층은 서로 다른 열팽창 계수를 가지며, 상기 열에너지로 인한 열팽창 차이에 의해 커버층으로부터 박막봉지층의 적어도 일부가분리되는 과정;을 포함하는 유기발광소자 수리 방법.
A process of providing an organic light emitting device structure including an organic light emitting laminate, a cover layer provided on the organic light emitting laminate to improve optical properties, and a thin film encapsulation layer formed on the cover layer to prevent the penetration of moisture. ;
Identifying a defect formed in the thin film encapsulation layer;
A process of transmitting thermal energy by irradiating a laser to at least a part of the surface of the organic light emitting device structure including the identified defect; And
The cover layer and the thin film encapsulation layer has a different coefficient of thermal expansion, the process of separating at least a portion of the thin film encapsulation layer from the cover layer due to the difference in thermal expansion due to the thermal energy.
상기 유기발광소자 구조물은 복수개 제공되며,
복수개의 상기 유기발광소자 구조물 사이에 제공된 분리부에 의해 각각의 상기 유기발광소자 구조물이 독립되어 제공된 유기발광소자 수리 방법.
The method of claim 7,
A plurality of the organic light emitting device structure is provided,
A method of repairing an organic light emitting element provided by independently separating each of the organic light emitting element structures by a separator provided between a plurality of the organic light emitting element structures.
상기 커버층은 불화물로 이루어지고,
유기막 및 무기막이 교번되어 적층된 상기 박막봉지층의 최하단층은 무기막으로 이루어진 유기발광소자 수리 방법.
The method of claim 7,
The cover layer is made of fluoride,
A method of repairing an organic light emitting device, wherein the lowermost layer of the thin film encapsulation layer in which the organic film and the inorganic film are alternately stacked is made of an inorganic film.
상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물의 일정 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 박리영역을 결정하는 과정;을 더 포함하는 유기발광소자 수리 방법.
The method of claim 7,
And determining a peeling area by irradiating a laser along an edge of a predetermined area of the organic light emitting device structure including the defect.
상기 박리영역을 결정하는 과정 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정;을 더 포함하는 유기발광소자 수리 방법.
The method of claim 10,
And determining the exfoliation area or changing the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.
상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지보다 큰 유기발광소자 수리 방법.
The method of claim 10,
A method of repairing an organic light emitting device, wherein the accumulated energy of the laser used in the process of determining the peeling area is greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.
상기 누적에너지를 변경하는 과정은,
상기 유기발광소자 구조물 표면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 조절하는 과정;
상기 유기발광소자 구조물 표면에 조사되는 레이저의 중첩률을 조절하는 과정;중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기발광소자 수리 방법.
The method of claim 11,
The process of changing the accumulated energy,
Adjusting the energy density of the laser irradiated on the surface of the organic light emitting device structure;
A method of repairing an organic light emitting device including at least one of a process of adjusting an overlap ratio of a laser beam irradiated on the surface of the organic light emitting device structure.
상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 펄스 레이저 조합이거나, 또는
상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭의 펄스레이저이고, 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저의 조합인 유기발광소자 수리 방법.
The method of claim 10,
The laser used in the process of transferring the thermal energy is a continuous laser and the laser used in the process of determining the exfoliation area is a combination of pulsed lasers, or
The laser used in the process of transferring the thermal energy is a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the process of determining the exfoliation region has a second pulse width having a shorter pulse width than a pulse laser having a first pulse width. A method of repairing an organic light emitting device which is a combination of a pulsed laser.
레이저의 누적에너지가 서로 다른 복수의 조사 모드 중 어느 하나를 선택하는 모드 선택부;
상기 모드 선택부에 의해 선택된 모드에 따른 레이저 제어신호를 생성하는 제어부; 및
상기 레이저 제어신호를 수신하여 선택된 모드에 대응하는 누적에너지의 레이저를 상기 적층구조물 표면에 조사하는 레이저 조사부;를 포함하고,
상기 복수의 조사모드는 박리모드를 포함하고,
모드 선택부에서 박리모드가 선택된 경우 레이저 조사부는 상기 적층구조물 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써, 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체 및 상기 제2 단위 구조체의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체로부터 상기 제2 단위 구조체의 적어도 일부가 박리되는 적층구조물 박리장치.
A support for supporting a stacked structure including a first unit structure including a first layer, and a second unit structure including a second layer having a different thermal expansion coefficient from the first layer;
A mode selector which selects any one of a plurality of irradiation modes having different accumulated energy of the laser;
A control unit generating a laser control signal according to a mode selected by the mode selection unit; And
It includes; a laser irradiation unit for receiving the laser control signal and irradiating the surface of the laminated structure with a laser of accumulated energy corresponding to the selected mode;
The plurality of irradiation modes include a peeling mode,
When the peeling mode is selected in the mode selection unit, the laser irradiation unit transmits thermal energy by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the layered structure, and the thermal expansion difference between the first unit structure and the second unit structure due to the thermal energy is varied. A layered structure peeling apparatus in which at least a part of the second unit structure is peeled from the first unit structure.
상기 복수의 조사 모드는,
상기 박리모드에서 사용된 레이저의 누적에너지보다 큰 누적에너지의 가지는 박리영역 결정모드를 더 포함하는 적층구조물 박리장치.
The method of claim 15,
The plurality of irradiation modes,
A layered structure peeling apparatus further comprising a peeling area determination mode having a cumulative energy greater than the accumulated energy of the laser used in the peeling mode.
상기 레이저 조사부는,
상기 분리영역 결정모드로 선택된 경우 상기 레이저를 상기 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사함으로써, 상기 제2 단위 구조체의 가장자리가 제거되는 적층구조물 박리장치.
The method of claim 16,
The laser irradiation unit,
When the separation region determination mode is selected, the laser beam is irradiated along the edge of the region, so that the edge of the second unit structure is removed.
상기 제어부는,
상기 복수의 조사 모드에 따라 레이저의 누적에너지를 변경하는 누적에너지 변동부;를 포함하는 적층구조물 박리장치.
The method of claim 15,
The control unit,
A laminated structure peeling device comprising a; cumulative energy fluctuation unit for changing the accumulated energy of the laser according to the plurality of irradiation modes.
상기 누적에너지 변동부는,
레이저 조사면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 변경하는 에너지 밀도 변경부; 및
레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 변경하는 조사중첩률 변경부; 중 적어도 어느 하나를 포함하는 적층구조물 박리장치.
The method of claim 18,
The cumulative energy fluctuation unit,
An energy density changing unit for changing the energy density of the laser irradiated onto the laser irradiation surface; And
An irradiated overlap ratio changing unit for changing the irradiated overlap ratio of the laser irradiated onto the laser irradiation surface; Lamination structure peeling device comprising at least any one of.
상기 박리모드에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 펄스 레이저의 조합이거나, 또는
상기 박리모드에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저이고, 상기 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저의 조합인 적층구조물 박리장치.
The method of claim 16,
The laser used in the peeling mode is a continuous laser and the laser used in the peeling area determination mode is a combination of pulsed lasers, or
The laser used in the peeling mode is a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the peeling area determination mode is a pulse laser having a second pulse width shorter than the pulse laser having a first pulse width. Combination lamination structure peeling device.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180130929A KR102178626B1 (en) | 2018-10-30 | 2018-10-30 | Method of Peeling Lamination Structure, Method of Repairing Organic Light Emitting Device and Apparatus of Peeling Lamination Structure |
CN201910840870.2A CN111195770B (en) | 2018-10-30 | 2019-09-05 | Method and apparatus for peeling layered structure and method for repairing organic light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180130929A KR102178626B1 (en) | 2018-10-30 | 2018-10-30 | Method of Peeling Lamination Structure, Method of Repairing Organic Light Emitting Device and Apparatus of Peeling Lamination Structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200048644A true KR20200048644A (en) | 2020-05-08 |
KR102178626B1 KR102178626B1 (en) | 2020-11-16 |
Family
ID=70677684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180130929A KR102178626B1 (en) | 2018-10-30 | 2018-10-30 | Method of Peeling Lamination Structure, Method of Repairing Organic Light Emitting Device and Apparatus of Peeling Lamination Structure |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102178626B1 (en) |
CN (1) | CN111195770B (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN118426520B (en) * | 2024-07-02 | 2024-08-30 | 国鲸科技(广东横琴粤澳深度合作区)有限公司 | Temperature control device for laser stripping of organic electroluminescent film |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008097828A (en) * | 2005-01-21 | 2008-04-24 | Pioneer Electronic Corp | Manufacturing method of organic el device, and organic el element obtained by this |
JP2008114250A (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser beam machining method and laser beam machining apparatus |
KR20110034544A (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-05 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | Mask clening method for organic el, mask clening apparatus for organic el, and display manufacturing device for organic el |
KR20130134467A (en) | 2012-05-31 | 2013-12-10 | (주)미토스 | System and method for repairing display panel |
KR20150014775A (en) * | 2013-07-30 | 2015-02-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10203795B4 (en) * | 2002-01-31 | 2021-12-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Method for manufacturing a semiconductor component |
JP2008114448A (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Fuji Xerox Co Ltd | Transfer substrate and transfer method using the same |
WO2008121262A2 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Corning Incorporated | Glass-ceramic-based semiconductor-on-insulator structures and method for making the same |
CN102005517B (en) * | 2009-08-26 | 2013-09-18 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | Method of fabricating light emitting diode using laser lift-off technique and laser lift-off apparatus |
JP2013159743A (en) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Nitto Denko Corp | Method for peeling pressure-sensitive adhesive agent laminate and pressure-sensitive adhesive agent layer used therein |
US9849640B2 (en) * | 2012-03-28 | 2017-12-26 | Bell Helicopter Textron Inc. | Processes for repairing complex laminated composites |
DE112014007325B3 (en) * | 2013-12-02 | 2021-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and its manufacturing process |
US9701563B2 (en) * | 2013-12-17 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Laser cut composite glass article and method of cutting |
DE102015000451A1 (en) * | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Siltectra Gmbh | Uneven Wafer and Method of Making an Uneven Wafer |
WO2017149811A1 (en) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 三井金属鉱業株式会社 | Copper foil with carrier, production method for coreless support with wiring layer, and production method for printed circuit board |
-
2018
- 2018-10-30 KR KR1020180130929A patent/KR102178626B1/en active IP Right Grant
-
2019
- 2019-09-05 CN CN201910840870.2A patent/CN111195770B/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008097828A (en) * | 2005-01-21 | 2008-04-24 | Pioneer Electronic Corp | Manufacturing method of organic el device, and organic el element obtained by this |
JP2008114250A (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser beam machining method and laser beam machining apparatus |
KR20110034544A (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-05 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | Mask clening method for organic el, mask clening apparatus for organic el, and display manufacturing device for organic el |
KR20130134467A (en) | 2012-05-31 | 2013-12-10 | (주)미토스 | System and method for repairing display panel |
KR20150014775A (en) * | 2013-07-30 | 2015-02-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102178626B1 (en) | 2020-11-16 |
CN111195770A (en) | 2020-05-26 |
CN111195770B (en) | 2022-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11007607B2 (en) | Laser processing device and laser processing method | |
US8728914B2 (en) | Workpiece cutting method | |
KR101839505B1 (en) | Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses | |
JP6585050B2 (en) | Cutting stack transparent materials using ultrafast laser beam optics, destructive layers and other layers | |
US10328521B2 (en) | Laser machining device and laser machining method | |
JP4938998B2 (en) | Substrate and laminate cutting method, and laminate production method | |
JP4750427B2 (en) | Wafer laser processing method | |
US10322526B2 (en) | Laser processing method | |
JP2007260773A (en) | Substrate cutting method and substrate cutting apparatus using this method | |
US20170216973A1 (en) | Laser machining device and laser machining method | |
JP2014007375A (en) | Circuit singulation system and method | |
EA032743B1 (en) | Method for cutting a laminated ultra-thin glass layer | |
KR20070052227A (en) | Laser processing apparatus and laser processing method | |
JP2017502901A5 (en) | ||
KR20070086025A (en) | Laser processing method | |
JP2006140355A (en) | Laser processing method and semiconductor chip | |
TW200848190A (en) | Laser processing method and cutting method, method of dividing a structured body with multiple substrates | |
US20180249579A1 (en) | Methods of Continuous Fabrication of Features in Flexible Substrate Webs and Products Relating to the Same | |
JP2013126682A (en) | Laser beam machining method | |
JP2006123228A (en) | Laser processing method and laser processing apparatus | |
KR102155737B1 (en) | Substrate cutting apparatus and method for manufacturing display apparatus using the same | |
KR102178626B1 (en) | Method of Peeling Lamination Structure, Method of Repairing Organic Light Emitting Device and Apparatus of Peeling Lamination Structure | |
JP2010514926A (en) | Apparatus and method for forming metal thin film using laser | |
JP2007015169A (en) | Scribing formation method, scribing formation apparatus, and multilayer substrate | |
US7491288B2 (en) | Method of cutting laminate with laser and laminate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |