KR102178626B1

KR102178626B1 - Method of Peeling Lamination Structure, Method of Repairing Organic Light Emitting Device and Apparatus of Peeling Lamination Structure

Info

Publication number: KR102178626B1
Application number: KR1020180130929A
Authority: KR
Inventors: 허준규; 김승환; 이정현
Original assignee: 에이피시스템 주식회사
Priority date: 2018-10-30
Filing date: 2018-10-30
Publication date: 2020-11-16
Also published as: KR20200048644A; CN111195770B; CN111195770A

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 적층구조물 박리 방법은 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체, 및 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 갖는 제2 레이어를 구비하는 제2 단위 구조체를 포함하는 적층구조물을 제공하는 과정; 상기 적층구조물 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정; 및 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체 및 상기 제2 단위 구조체의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체로부터 상기 제2 단위 구조체가 분리되는 과정;을 포함할 수 있다.A method for peeling a laminated structure according to an embodiment of the present invention includes a laminated structure including a first unit structure including a first layer and a second unit structure including a second layer having a different coefficient of thermal expansion than the first layer. The process of providing; Transmitting thermal energy by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the laminated structure; And a process of separating the second unit structure from the first unit structure by a difference in thermal expansion between the first unit structure and the second unit structure due to the thermal energy.

Description

Method of Peeling Lamination Structure, Method of Repairing Organic Light Emitting Device and Apparatus of Peeling Lamination Structure}

본 발명은 적층구조물 박리 방법, 유기발광소자 수리 방법 및 적층구조물 박리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 적층구조물 표면에 레이저를 조사하여 박리하는 적층구조물 박리 방법, 유기발광소자 수리 방법 및 적층구조물 박리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for peeling a laminated structure, a method for repairing an organic light emitting device, and a peeling device for a laminated structure, and more particularly, a method for peeling a laminated structure by irradiating a laser on the surface of the laminated structure to peel, a method for repairing an organic light emitting device, and peeling the laminated structure. It relates to the device.

LCD, OLED, PDP, LED, 반도체, 이차전지 전극 등 여러 분야에서 다층으로 구성되어 있는 적층구조물을 활용한 많은 제품들이 만들어지고 있으며 이와 관련된 기술들이 발전하고 있다. 이렇게 여러 분야에 필수적으로 사용하는 적층구조물이지만 적층구조물을 제조할 때 다층으로 이루어진 적층구조물을 구성하는 적층체 사이에는 파티클이나 이물질 등이 발생하여 제조된 적층구조물에 불량이 발생하는 경우가 있으며, 제품을 만드는 공정 중 적층체를 박리해야 하는 경우가 생기기도 하는데 박리하는 과정 중 물리적 또는 화학적 방법으로 박리를 하여 박리되는 적층체 주변까지도 영향을 주어 불량이 발생하는 경우도 발생한다. 종래에는 이러한 이물질 등에 의해 발생한 불량을 이물질들을 직접적으로 파괴하거나 불량이 발생한 적층구조물을 사용하지 못하고 폐기 등을 하였다. In various fields such as LCD, OLED, PDP, LED, semiconductor, and secondary battery electrodes, many products using multi-layered laminate structures are being made, and related technologies are developing. Although it is a laminated structure that is essentially used in various fields, when manufacturing a laminated structure, particles or foreign substances may be generated between the laminates constituting the multilayered structure, causing defects in the produced laminated structure. In the process of making the laminate, there may be cases where it is necessary to peel off the laminate, but in the process of peeling, defects may occur as it affects even the periphery of the laminate that is peeled off by physical or chemical methods. In the past, defects caused by such foreign materials were destroyed directly or the laminated structure in which the defect occurred was not used.

그 중 유기 발광 표시 장치(OLED)를 예를 들면, 유기 발광 표시 장치는 외부의 수분이나 산소 등에 의해 열화되는 특성을 가지므로, 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 소자를 보호하기 위하여 유기 발광 소자를 박막봉지층 등을 이용하여 밀봉하여야 한다. 하지만, 최근에 유기 발광 소자의 베이스가 되는 패널 제조시 Glass사이즈가 대형화 됨에 따라 공정 중 발생되는 파티클 또는 열적변형 등에 의해 불량패널이 발생할 확률이 점점 커지고 있는데, 그 중 유기 발광 표시 장치에 수분 침투 방지를 위한 박막 봉지층을 증착하는 과정에서 형성되는 파티클은 핀홀의 원인이 되며 이를 통해 수분 침투가 발생되면 박막 봉지층의 들뜸 현상이 유발되어 진다. 이 들뜸 현상으로 인해 후공정 과정에서 Transfer 공정이나 LLO 공정시 박막 봉지층이 파괴되는 경우가 발생하면서 주변 정상 셀에 파괴된 박막 봉지층의 잔유물이 붙게되어 불량이 발생하는 문제점이 있다.Among them, for example, an organic light-emitting display device (OLED) is an organic light-emitting device in order to protect the organic light-emitting device from external moisture or oxygen. Should be sealed with a thin film encapsulation layer. However, in recent years, as the size of the glass increases in manufacturing the panel that is the base of the organic light emitting device, the probability of occurrence of defective panels due to particles or thermal deformation generated during the process is increasing. Among them, moisture penetration into the organic light emitting display device is prevented. Particles formed in the process of depositing the thin film encapsulation layer for this cause pinholes, and when moisture infiltrates through the particles, the thin film encapsulation layer is lifted up. Due to this lifting phenomenon, there is a problem in that the thin film encapsulation layer is destroyed during the transfer process or the LLO process in the post process, and the residue of the destroyed thin film encapsulation layer adheres to the surrounding normal cells, resulting in a defect.

공개특허공보 제10-2013-0134467호Unexamined Patent Publication No. 10-2013-0134467

본 발명은 적층구조물 표면에 레이저를 조사하여 다른 열팽창 차이를 발생시켜 적층구조물의 일부를 박리시키는 적층구조물 박리 방법 및 박리 장치를 제공하는 것이다.The present invention provides a method for peeling a laminated structure and a peeling apparatus for peeling off a part of the laminated structure by irradiating a laser on the surface of the laminated structure to generate another difference in thermal expansion.

본 발명은 유기발광소자 구조물 표면에 레이저를 조사하여 열팽창 차이를 발생시켜 결함이 생성된 박막봉지층을 유기발광소자 구조물로부터 박리시키는 유기발광소자 수리 방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a method for repairing an organic light-emitting device in which a thin film encapsulation layer in which defects are generated is separated from the organic light-emitting device structure by irradiating a laser on the surface of the organic light-emitting device structure to generate a difference in thermal expansion.

본 발명의 실시예에 따른 적층구조물 박리 방법은 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체, 및 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 갖는 제2 레이어를 구비하는 제2 단위 구조체를 포함하는 적층구조물을 제공하는 과정; 상기 적층구조물 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정; 및 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체 및 상기 제2 단위 구조체의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체로부터 상기 제2 단위 구조체의 적어도 일부가 분리되는 과정;을 포함할 수 있다.A method for peeling a laminated structure according to an embodiment of the present invention includes a laminated structure including a first unit structure including a first layer and a second unit structure including a second layer having a different coefficient of thermal expansion than the first layer. The process of providing; Transmitting thermal energy by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the laminated structure; And a process of separating at least a part of the second unit structure from the first unit structure by a difference in thermal expansion between the first unit structure and the second unit structure due to the thermal energy.

상기 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 박리영역을 결정하는 과정;을 더 포함할 수 있다.It may further include a process of irradiating a laser along the edge of the area to determine a separation area.

상기 박리영역을 결정하는 과정 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정;을 더 포함할 수 있다.The process of determining the separation area or changing the accumulated energy of the laser used in the process of transmitting the thermal energy; may further include.

상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지보다 클 수 있다.The accumulated energy of the laser used in the process of determining the separation area may be greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.

상기 누적에너지를 변경하는 과정은, 상기 적층구조물 표면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 조절하는 과정; 상기 적층구조물 표면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 조절하는 과정; 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The process of changing the accumulated energy may include controlling the energy density of the laser irradiated to the surface of the laminated structure; Adjusting the irradiation overlapping rate of the laser irradiated on the surface of the laminated structure; It may include at least any one of.

상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 펄스 레이저인 조합이거나, 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭의 펄스레이저이고, 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저 조합일 수 있다.The laser used in the process of transferring the heat energy is a continuous laser and the laser used in the process of determining the separation area is a combination of a pulse laser, or the laser used in the process of transferring the heat energy has a first pulse width. It is a pulsed laser, and the laser used in the process of determining the separation region may be a combination of a pulsed laser having a second pulse width shorter than that of a pulsed laser having a first pulse width.

본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 수리 방법은 유기발광 적층체, 상기 유기발광 적층체 상에 제공되어 광학 특성을 향상하는 커버층, 및 상기 커버층 상에 형성되어 수분의 침투를 방지하는 박막봉지층을 포함하는 유기발광소자 구조물을 제공하는 과정; 상기 박막봉지층에 형성된 결함을 확인하는 과정; 확인된 상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정; 및 상기 커버층 및 상기 박막봉지층은 서로 다른 열팽창 계수를 가지며, 상기 열에너지로 인한 열팽창 차이에 의해 커버층으로부터 박막봉지층의 적어도 일부가 분리되는 과정;을 포함할 수 있다.An organic light emitting device repair method according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting laminate, a cover layer provided on the organic light emitting laminate to improve optical properties, and a thin film formed on the cover layer to prevent moisture penetration. Providing an organic light-emitting device structure including an encapsulation layer; Checking defects formed in the thin film encapsulation layer; Transmitting thermal energy by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the organic light emitting device structure including the identified defect; And a process in which the cover layer and the thin film encapsulation layer have different coefficients of thermal expansion from each other, and at least a part of the thin film encapsulation layer is separated from the cover layer by a difference in thermal expansion due to the thermal energy.

상기 유기발광소자 구조물은 복수개 제공되며, 복수개의 상기 유기발광소자 구조물 사이에 제공된 분리부에 의해 각각의 상기 유기발광소자 구조물이 독립되어 제공될 수 있다.A plurality of organic light-emitting device structures may be provided, and each of the organic light-emitting device structures may be independently provided by a separation unit provided between the plurality of organic light-emitting device structures.

상기 커버층은 불화물로 이루어지고, 유기막 및 무기막이 교번되어 적층된 상기 박막봉지층의 최하단층은 무기막으로 이루어질 수 있다.The cover layer may be formed of fluoride, and the lowermost layer of the thin film encapsulation layer in which organic and inorganic layers are alternately stacked may be formed of an inorganic layer.

상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물의 일정 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 박리영역을 결정하는 과정;을 더 포함할 수 있다.It may further include a process of irradiating a laser along an edge of a certain area of the organic light emitting device structure including the defect to determine a separation area.

상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지보다 클 수 있다.The accumulated energy of the laser used in the process of determining the separation area may be greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.

상기 누적에너지를 변경하는 과정은, 상기 유기발광소자 구조물 표면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 조절하는 과정; 상기 유기발광소자 구조물 표면에 조사되는 레이저의 중첩률을 조절하는 과정;중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The process of changing the accumulated energy may include adjusting the energy density of the laser irradiated to the surface of the organic light emitting device structure; It may include at least one of: adjusting the overlapping rate of the laser irradiated to the surface of the organic light emitting device structure.

상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 펄스 레이저이거나, 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭의 펄스레이저이고, 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저일 수 있다.The laser used in the process of transferring the thermal energy is a continuous laser, and the laser used in the process of determining the separation area is a pulse laser, or the laser used in the process of transferring the thermal energy is a pulse laser having a first pulse width. In addition, the laser used in the process of determining the separation region may be a pulse laser having a second pulse width having a shorter pulse width than a pulse laser having a first pulse width.

본 발명의 실시예에 따른 적층구조물 수리 장치는 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체, 및 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 갖는 제2 레이어를 구비하는 제2 단위 구조체를 포함하는 적층구조물을 지지하는 지지대; 레이저의 누적에너지가 서로 다른 복수의 조사 모드 중 어느 하나를 선택하는 모드 선택부; 상기 모드 선택부에 의해 선택된 모드에 따른 레이저 제어신호를 생성하는 제어부; 및 상기 레이저 제어신호를 수신하여 선택된 모드에 대응하는 누적에너지의 레이저를 상기 적층구조물 표면에 조사하는 레이저 조사부;를 포함하고, 상기 복수의 조사모드는 박리모드를 포함하고, 모드 선택부에서 박리모드가 선택된 경우 레이저 조사부는 상기 적층구조물 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써, 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체 및 상기 제2 단위 구조체의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체로부터 상기 제2 단위 구조체의 적어도 일부가 박리될 수 있다.The apparatus for repairing a laminated structure according to an embodiment of the present invention includes a first unit structure including a first layer, and a second unit structure including a second layer having a different coefficient of thermal expansion than the first layer. A support for supporting; A mode selector for selecting any one of a plurality of irradiation modes having different accumulated energy of the laser; A control unit for generating a laser control signal according to the mode selected by the mode selection unit; And a laser irradiation unit configured to receive the laser control signal and irradiate the surface of the laminated structure with a laser of accumulated energy corresponding to the selected mode, wherein the plurality of irradiation modes include a peeling mode, and a peeling mode in the mode selection unit When is selected, the laser irradiation unit irradiates a laser to at least a portion of the surface of the laminated structure to transmit thermal energy, and thus from the first unit structure due to a difference in thermal expansion between the first unit structure and the second unit structure due to the thermal energy. At least a part of the second unit structure may be peeled off.

상기 복수의 조사 모드는, 상기 박리모드에서 사용된 레이저의 누적에너지보다 큰 누적에너지의 가지는 박리영역 결정모드를 더 포함할 수 있다.The plurality of irradiation modes may further include a separation region determination mode having a cumulative energy greater than the cumulative energy of the laser used in the separation mode.

상기 레이저 조사부는,상기 분리영역 결정모드로 선택된 경우 상기 레이저를 상기 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사함으로써, 상기 제2 단위 구조체의 가장자리가 제거될 수 있다.When the laser irradiation unit is selected as the separation region determination mode, the edge of the second unit structure may be removed by irradiating the laser along the edge of the region.

상기 제어부는, 상기 복수의 조사 모드에 따라 레이저의 누적에너지를 변경하는 누적에너지 변동부;를 포함할 수 있다.The control unit may include a cumulative energy fluctuation unit that changes the cumulative energy of the laser according to the plurality of irradiation modes.

상기 누적에너지 변동부는, 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 변경하는 에너지 밀도 변경부; 및 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 변경하는 조사중첩률 변경부; 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The cumulative energy fluctuation unit may include an energy density change unit for changing an energy density of a laser irradiated onto the laser irradiation surface; And an irradiation overlap rate change unit for changing an irradiation overlap rate of the laser irradiated onto the laser irradiation surface. It may include at least any one of.

상기 박리모드에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 펄스 레이저의 조합이거나, 또는 상기 박리모드에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저이고, 상기 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저의 조합일 수 있다.The laser used in the separation mode is a continuous laser and the laser used in the separation region determination mode is a combination of pulsed lasers, or the laser used in the separation mode is a pulsed laser having a first pulse width, and the separation region The laser used in the crystal mode may be a combination of a pulse laser having a second pulse width shorter than that of a pulse laser having a first pulse width.

본 발명의 실시예에 따른 적층구조물 박리방법 및 박리장치에 의하면 복수의 단위 구조체를 포함하는 적층구조물 표면에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써 단위구조체가 적층구조물로부터 서로 다른 열팽창 계수에 의하여 스스로 박리가 될 수 있다.According to the method for peeling a laminated structure and the peeling apparatus according to an embodiment of the present invention, by irradiating a laser to the surface of a laminated structure including a plurality of unit structures to transmit thermal energy, the unit structure can be separated by itself from the laminated structure by different coefficients of thermal expansion. Can be.

즉, 복수의 단위 구조체에 포함된 레이어는 서로 다른 열팽창계수값을 가지고 있으며, 열팽창계수값이 상대적으로 큰 레이어를 포함한 단위 구조체에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하면 각각의 레이어에 의해 단위 구조체가 열팽창하고 이 열팽창 차이에 의해 열팽창 계수가 상대적으로 큰 레이어가 포함된 단위 구조체가 적층구조물로부터 스스로 박리가 될 수 있다. In other words, the layers included in the plurality of unit structures have different coefficients of thermal expansion, and when thermal energy is transferred by irradiating a laser to a unit structure including a layer with a relatively large coefficient of thermal expansion, the unit structure is thermally expanded by each layer. And, due to the difference in thermal expansion, a unit structure including a layer having a relatively large coefficient of thermal expansion may be separated from the stacked structure by itself.

더해서 적층구조물 전체영역이 아닌 적어도 일부 영역에 열에너지를 전달하여 일부분만 박리시킬 수도 있고, 상기 일부 영역의 가장자리를 따라 열에너지를 전달하는 레이저보다 누적에너지가 높은 레이저를 조사함으로써 적층구조물로부터 분리되는 분리영역을 결정하여 그 부분만을 열적 또는 물리적 영향 없이 원하는 영역에 선택적으로 적층구조물로부터 제거할 수 있다.In addition, heat energy may be transferred to at least a portion of the laminated structure, not the entire area, and only a portion may be separated, and a separation area separated from the laminated structure by irradiating a laser having a higher accumulated energy than a laser that transfers thermal energy along the edge of the partial area. And only that part can be selectively removed from the stacked structure in a desired area without thermal or physical influence.

또한, 레이저는 국부적으로 조사할 수 있고 레이저에 의한 열적 변형이 거의 없이 열에너지를 제공할 수 있기 때문에 기판에 관계없이 박막 분리를 필요로 하는 공정에서 사용이 용이 할 수 있다.In addition, since the laser can be irradiated locally and provides thermal energy with little or no thermal deformation by the laser, it can be easily used in a process requiring thin film separation regardless of the substrate.

본 발명에 따른 유기발광소자 수리 방법은 박막봉지층에 형성된 결함을 확인하여 결함을 포함한 적어도 일정 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써 결함을 포함한 박막봉지층이 서로 다른 열팽창계수로 인해 열팽창이 일어남으로써 유기발광소자 구조물로부터 스스로 박리되게 할 수 있다.In the organic light emitting device repair method according to the present invention, a defect formed in the thin film encapsulation layer is identified, and thermal energy is transmitted by irradiating a laser to at least a certain area including the defect, thereby causing thermal expansion of the thin film encapsulation layer including the defect due to different coefficients of thermal expansion. As a result, it can be separated from the organic light emitting device structure by itself.

즉, 유기발광소자 구조물은 서로 열팽창계수값이 다른 커버층 및 박막봉지층을 포함하고, 상대적으로 열팽창계수값이 큰 박막봉지층 표면에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하면 박막봉지층이 유기발광소자 구조물로부터 열적 또는 물리적 영향 없이 선택적으로 스스로 박리 될 수 있다. 그렇기 때문에 후공정시 불량 패널이 발생 비율이 줄어들어 공정 수율향상 및 비용 절감이 될 수 있다.That is, the organic light emitting device structure includes a cover layer and a thin film encapsulation layer having different thermal expansion coefficient values, and when thermal energy is transmitted by irradiating a laser to the surface of the thin film encapsulation layer having a relatively large thermal expansion coefficient value, the thin film encapsulation layer becomes the organic light emitting device. It can selectively peel itself from the structure without thermal or physical influence. Therefore, the rate of occurrence of defective panels during post-processing is reduced, which can improve process yield and reduce costs.

또한, 레이저는 국부적으로 조사할 수 있고 레이저에 의한 열적 변형이 거의 없이 열에너지를 제공할 수 있기 때문에 박리 되는 박막봉지층 이외에는 영향을 주지 않을 수 있다.In addition, since the laser can be irradiated locally and provide thermal energy with little or no thermal deformation by the laser, it may not affect other than the thin film encapsulation layer to be peeled off.

더해서 위에서와 같이 유기발광소자 구조물의 전체영역이 아닌 결함을 포함하는 적어도 일부 영역에 열에너지를 전달하여 일부분만 박리시킬 수도 있고, 결함을 포함하는 일부 영역의 가장자리를 따라 열에너지를 전달하는 레이저보다 누적에너지가 높은 레이저를 조사함으로써 유기발광소자 구조물로부터 분리되는 분리영역을 결정하여 그 부분만을 유기발광소자 구조물로부터 제거할 수 있다. In addition, as above, heat energy may be transferred to at least a part of the area including defects, not the entire area of the organic light emitting device structure, and only a portion of the area may be peeled off, and cumulative energy than lasers that transfer thermal energy along the edges of some areas including defects By irradiating a laser having a high A, the separation region separated from the organic light emitting device structure can be determined, and only that part can be removed from the organic light emitting device structure.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물 박리 방법을 나타낸 순서도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제1 단위 구조체가 제2 단위 구조체로부터 분리되는 이미지.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 박리영역 결정하는 과정과 열에너지를 전달하는 과정을 나타내는 이미지.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 수리 방법을 나타낸 순서도.
도 5는 유기발광소자 구조물이 제공된 모습과 유기발광소자 구조물에서 박막봉지층이 들뜸 현상을 나타내는 이미지.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물 박리 장치를 나타낸 블럭도.1 is a flow chart showing a method of peeling a laminated structure according to an embodiment of the present invention.
2 is an image in which a first unit structure according to an embodiment of the present invention is separated from a second unit structure.
3 is an image showing a process of determining a separation area and a process of transferring heat energy according to an embodiment of the present invention.
4 is a flow chart showing a method of repairing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
5 is an image showing a state in which an organic light-emitting device structure is provided and a phenomenon in which the thin film encapsulation layer is lifted in the organic light-emitting device structure.
6 is a block diagram showing an apparatus for peeling a laminated structure according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the scope of the invention to those of ordinary skill in the art It is provided to inform you. In the description, the same reference numerals are assigned to the same components, and the drawings may be partially exaggerated in size to accurately describe the embodiments of the present invention, and the same numerals refer to the same elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물(100) 박리 방법을 나타낸 순서도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제1 단위 구조체(110)가 제2 단위 구조체(120)로부터 분리되는 이미지를 나타낸다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 박리영역 결정하는 과정과 열에너지를 전달하는 과정을 나타내는 이미지이다.1 is a flowchart showing a method of peeling a laminated structure 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a flow chart in which the first unit structure 110 according to the embodiment of the present invention is separated from the second unit structure 120. Show the image. 3 is an image showing a process of determining a peeling area and transferring heat energy according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물(100) 박리 방법은 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체(110), 및 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 갖는 제2 레이어를 구비하는 제2 단위 구조체(120)를 포함하는 적층구조물(100)을 제공하는 과정(S10); 상기 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정(S20); 및 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체(110) 및 상기 제2 단위 구조체(120)의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체(110)로부터 상기 제2 단위 구조체(120)의 적어도 일부가 분리되는 과정(S30);을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a method of peeling a laminated structure 100 according to an embodiment of the present invention includes a first unit structure 110 including a first layer, and a second layer having a different coefficient of thermal expansion than the first layer. Providing a stacked structure 100 including a second unit structure 120 having a (S10); Transmitting thermal energy by irradiating a laser onto at least a portion of the surface of the laminated structure 100 (S20); And at least a part of the second unit structure 120 is separated from the first unit structure 110 by a difference in thermal expansion between the first unit structure 110 and the second unit structure 120 due to the thermal energy. Process (S30); may include.

먼저, 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체(110), 및 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 갖는 제2 레이어를 구비하는 제2 단위 구조체(120)를 포함하는 적층구조물(100)을 제공하는 과정을 진행한다(S10). First, a stacked structure 100 including a first unit structure 110 including a first layer and a second unit structure 120 including a second layer having a thermal expansion coefficient different from that of the first layer. Proceeds the process of providing (S10).

제1 단위 구조체(110)는 단층 또는 여러 층의 레이어로 구성될 수 있고 그 중 제1 레이어를 포함할 수 있다. 제2 단위 구조체(120)도 또한 단층 또는 여러 층의 레이어로 구성될 수 있고, 그 중 제2 레이어는 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 가진다. 본 발명의 실시예에 따른 적층 구조물은 제1 레이어 및 제2 레이어의 두께가 충분히 두꺼울 수 있고 제1 레이어 및 제2 레이어는 서로 인접하여 제공되거나 서로 직접적으로 맞닿게 제공될 수 있으며 제2 레이어의 열팽창계수가 제1 레이어보다 클 수 있다 그렇기 때문에 제1 단위 구조체 및 제2 단위 구조체는 제1 레이어 및 제2 레이어에 의해 각각 열팽창계수가 결정 될 수 있다. 또한, 제1 단위 구조체(110) 및 제2 단위 구조체(120)는 상대적으로 약한 결합력으로 결합될 수 있다.The first unit structure 110 may be composed of a single layer or multiple layers, and may include a first layer. The second unit structure 120 may also be composed of a single layer or multiple layers, of which the second layer has a different coefficient of thermal expansion than the first layer. In the laminated structure according to an embodiment of the present invention, the first layer and the second layer may have a sufficiently thick thickness, and the first layer and the second layer may be provided adjacent to each other or provided in direct contact with each other. The coefficient of thermal expansion may be greater than that of the first layer Therefore, the coefficient of thermal expansion of the first unit structure and the second unit structure may be determined by the first layer and the second layer, respectively. In addition, the first unit structure 110 and the second unit structure 120 may be combined with a relatively weak bonding force.

다음으로, 상기 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정을 진행한다(S20).Next, a process of transmitting thermal energy by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the laminated structure 100 is performed (S20).

적층구조물(100)을 이루는 제1 단위 구조체(110) 또는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달 할 수 있다. 또한, 제1 단위 구조체(110) 또는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달 할 수 있다. 본 발명의 따른 실시예는 상대적으로 열팽창계수값이 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달 할 수 있다. 하지만 이는 실시예일뿐 상대적으로 더 큰 열팽창계수를 갖는 또 다른 단위 구조체에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 한편, 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 때 특정 영역에 점 형태로 조사되는 레이저의 이동경로를 조절하여 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 수도 있고, 라인빔 형태 또는 면형태의 레이저를 적어도 일부 영역에 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 도 3(b)를 보면, 레이저를 적어도 일부영역 전체에 조사하여 전체적으로 고르게 열에너지가 전달할 수 있도록 조사할 수 있다. 또한, 레이저는 국부적으로 조사할 수도 있고 레이저에 의한 열적 변형이 거의 없이 열에너지를 제공할 수 있기 때문에 조사되는 영역 외에는 영향을 주지 않아 기판에 관계없이 박막 분리를 필요로 하는 공정에서 사용이 용이 할 수 있다.Thermal energy may be transmitted by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the first unit structure 110 or the second unit structure 120 constituting the stacked structure 100. In addition, thermal energy may be transmitted by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the first unit structure 110 or the second unit structure 120. According to an embodiment of the present invention, thermal energy may be transmitted by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the second unit structure 120 including the second layer having a relatively large coefficient of thermal expansion. However, this is only an example, and thermal energy may be transferred by irradiating a laser to another unit structure having a relatively larger coefficient of thermal expansion. Meanwhile, when the laser is irradiated on at least a portion of the surface of the laminated structure 100, the laser may be irradiated to at least a portion of the area by controlling the movement path of the laser irradiated in the form of dots on a specific area, or in the form of a line beam or a plane. The thermal energy may be transferred by irradiating the laser of at least a portion of the area. Referring to FIG. 3(b), the laser may be irradiated over at least a partial area so that thermal energy can be transmitted evenly as a whole. In addition, since the laser can be irradiated locally and provides thermal energy with little or no thermal deformation by the laser, it does not affect other than the irradiated area, so it can be easily used in a process that requires thin film separation regardless of the substrate. have.

다음으로, 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체(110) 및 상기 제2 단위 구조체(120)의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체(110)로부터 상기 제2 단위 구조체(120)의 적어도 일부가 분리되는 과정을 진행한다(S30).Next, at least a part of the second unit structure 120 from the first unit structure 110 due to the difference in thermal expansion between the first unit structure 110 and the second unit structure 120 due to the thermal energy The separation process proceeds (S30).

본 발명에 따른 실시예는 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체(110)보다는 상대적으로 열팽창계수값이 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 조사되는 레이저의 열에너지는 점차 제2 단위 구조체(120)로부터 제1 단위 구조체(110)로 열전달이 일어나게 될 수 있다.In the embodiment according to the present invention, laser is irradiated to at least a portion of the surface of the second unit structure 120 including the second layer having a relatively higher coefficient of thermal expansion than the first unit structure 110 including the first layer. Thus, heat energy can be transferred. Thermal energy of the laser irradiated to at least a portion of the surface of the second unit structure 120 may gradually transfer heat from the second unit structure 120 to the first unit structure 110.

이렇게 전달된 열에너지에 의해 제1 단위 구조체(110) 및 제2 단위 구조체(120)는 각각 열팽창이 일어날 수 있는데, 상대적으로 열팽창계수가 큰 제2 레이어를 포함하고 열에너지를 전달받은 제2 단위 구조체(120)가 제1 단위 구조체(110)보다 상대적으로 더 많이 열팽창이 됨으로써 각 구조체가 인장되는 정도의 차이에 의해 변위차이가 발생하게 되고, 이러한 변위차이가 전단응력을 발생시켜 제1 단위구조체와 제2 단위구조체의 결합력을 초과할 정도로 전단응력이 발생하게되면 제2 단위 구조체(120)의 적어도 일부 영역이 제1 단위 구조체(110)로부터 분리되는 자가 박리가 발생할 수 있다. 본 발명에 따른 실시예는 각각의 단위 구조체에 포함된 제1 레이어 및 제2 레이어가 가지는 열팽창계수의 차이가 약 2배 내지 4배 이상이 되면 일어 날 수 있고, 바람직하게는 4배 이상의 차이가 있을 수 있다. 열팽창계수 차이가 2배보다 낮으면 제1 단위 구조체 및 제2 단위 구조체가 열팽창에 의해 생기는 변위차이가 줄어들어 박리가 일어나지 않을 수도 있다. 또한 레이어는 유기물 또는 무기물이 포함되어 있을 수 있는데 유기물은 무기물 보다 열팽창계수가 클 수 있다. 정확하게 보면 유기물은 106*10^-6/K 내지 198*10^-6/K의 범위를 가질 수 있으며 무기물은 약 5*10^-6/K 내지 40*10^-6/K의 범위를 가질 수 있다. 이렇게 열팽창계수 차이가 많이 날수록 열에너지에 의한 자가박리가 용이하게 일어날 수 있다.The first unit structure 110 and the second unit structure 120 may each undergo thermal expansion by the heat energy transferred in this way, and a second unit structure including a second layer having a relatively large coefficient of thermal expansion and receiving heat energy ( As 120) is thermally expanded relatively more than the first unit structure 110, a difference in displacement occurs due to a difference in the degree to which each structure is stretched, and this difference in displacement generates a shear stress, resulting in the first unit structure and the first unit structure. 2 When shear stress is generated to an extent that exceeds the bonding force of the unit structure, self-separation may occur in which at least a portion of the second unit structure 120 is separated from the first unit structure 110. The embodiment according to the present invention may occur when the difference in the coefficient of thermal expansion of the first layer and the second layer included in each unit structure is about 2 to 4 times or more, and preferably 4 times or more. There may be. If the difference in the coefficient of thermal expansion is less than 2 times, the difference in displacement between the first unit structure and the second unit structure caused by thermal expansion is reduced, so that peeling may not occur. In addition, the layer may contain an organic material or an inorganic material, and the organic material may have a higher coefficient of thermal expansion than an inorganic material. When viewed accurately, the organic material may have a range of 106 * 10 ^-6 /K to 198 * 10 ^-6 /K, and the inorganic material may have a range of about 5 * 10 ^-6 /K to 40 * 10 ^-6 /K. As the difference in the coefficient of thermal expansion increases in this way, self-delamination by thermal energy can easily occur.

도 2를 참조하면, 도 2(a)에서 제1 단위 구조체(110)와 제2 단위 구조체(120)가 결합되어 있고, 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저가 조사되어 열에너지가 전달될 수 있다. 도 2(b)를 보면 레이저가 조사되어 열에너지가 전달되어 제1 단위 구조체(110)와 제2 단위 구조체(120)가 각각 인장되는 모습을 볼 수 있는데 열팽창계수 값이 상대적으로 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120)가 제1 단위 구조체(110)보다 상대적으로 더 많이 열팽창이 되어 전단응력이 발생하는 것을 볼 수 있고, 또한 제2 단위 구조체(120)상에 레이저가 조사됨으로써 열전달에 의해서 열에너지가 제1 단위 구조체(110)로 전달될 수 있다. 도 2(c)에서는 제2 단위 구조체(120)와 제1 단위 구조체(110)의 열팽창 차이에 의해 발생한 전단응력이 제1 단위 구조체(110)와 제2 단위 구조체(120)의 결합력을 초과하여 제2 단위 구조체(120)가 제1 단위 구조체(110)로부터 자가 박리된 모습을 볼 수 있다. Referring to FIG. 2, in FIG. 2(a), the first unit structure 110 and the second unit structure 120 are combined, and a laser is irradiated to at least a portion of the surface of the second unit structure 120 to generate thermal energy. Can be delivered. Referring to FIG. 2(b), it can be seen that the first unit structure 110 and the second unit structure 120 are respectively stretched by irradiation of the laser and the heat energy transmitted. A second layer having a relatively large coefficient of thermal expansion It can be seen that the included second unit structure 120 thermally expands relatively more than the first unit structure 110 to generate shear stress, and also heat transfer by irradiating the laser on the second unit structure 120 Thermal energy may be transferred to the first unit structure 110 by this. In FIG. 2(c), the shear stress generated by the difference in thermal expansion between the second unit structure 120 and the first unit structure 110 exceeds the bonding force between the first unit structure 110 and the second unit structure 120. It can be seen that the second unit structure 120 is self-separated from the first unit structure 110.

상기 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 박리영역을 결정하는 과정;을 더 포함할 수 있다.The process of determining a separation area by irradiating a laser along the edge of the area; further Can include.

본 발명에 따른 실시예는 열팽창 계수가 상대적으로 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하기 전에 일부 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 구성물질을 제거함으로써 박리영역을 먼저결정 한 후 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써 박리영역이 결정된 일부 영역이 자가 박리될 수 있다. 이는 박리영역을 결정하고나면 가장자리가 제거될 수 있는데 이에 따라 열에너지를 전달하는 과정에서 해당 영역에만 레이저에 의한 열에너지가 전달될 수 있고 박리영역의 가장자리가 제거되어 박리영역 외부로는 열에너지가 전달되지 않을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a laser is irradiated along at least a portion of the surface of the second unit structure 120 including a second layer having a relatively large coefficient of thermal expansion and a laser is irradiated along the edge of the partial area before transferring thermal energy. Thus, the separation region is first determined by removing the constituent material, and then the partial region in which the separation region is determined may be self-detached by irradiating a laser to a partial region to transmit thermal energy. This is because the edge can be removed after the separation area is determined. Accordingly, heat energy by the laser can be transferred only to the area in the process of transferring heat energy, and the edge of the separation area is removed so that heat energy cannot be transferred outside the separation area. I can.

상기 박리영역을 결정하는 과정 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정;을 더 포함할 수 있다. 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지보다 클 수 있다.The process of determining the separation area or changing the accumulated energy of the laser used in the process of transmitting the thermal energy; may further include. The accumulated energy of the laser used in the process of determining the separation area may be greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.

레이저의 누적에너지를 변경하는 과정은 박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 동일 레이저 일 수 있기 때문에 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정이 필요할 수 있다. 본 발명의 따른 실시예는 박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 동일 레이저 일 수 있고, 박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 서로 다른 레이저 일 수 있다. 서로 다른 레이저를 사용한다면 위와 같은 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정을 진행하지 않을 수 있다. The process of changing the accumulated energy of the laser may require a process of changing the accumulated energy of the laser because the laser used in the process of determining the separation area or the process of transmitting thermal energy may be the same laser. According to an embodiment of the present invention, the laser used in the process of determining the separation area or the process of transferring heat energy may be the same laser, and the laser used in the process of determining the separation area or the process of transferring heat energy is different. Can be If different lasers are used, the process of changing the accumulated energy of the laser as above may not be performed.

박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 동일 레이저라면 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정이 필요하게 된다. 이는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지와 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지는 달라야 하기 때문이다. 도 3(a)를 보면, 단위 구조체 표면의 적어도 일부 영역의 외곽부에 해당하는 가장자리를 따라 레이저를 조사 할 수 있다. 이렇게 가장자리를 따라 조사되는 레이저는 높은 누적에너지를 가지고 조사됨으로써 조사된 영역의 구성물질이 단위 구조체로부터 제거되는 어블레이션(ablation) 과정이 일어나 박리영역을 결정할 수 있다. 어블레이션 과정이 일어나기 위해서는 높은 에너지가 필요한데 그 이유는 가장자리를 따라 조사되는 레이저를 따라 해당 제2 단위 구조체(120)를 구성하는 물질이 높은 에너지로 인해 그 부분만 제거가 되어야 하기 때문이다. 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저보다 누적에너지가 높아야 하는데 이는 앞서 살펴본 바와 같이 높은 누적에너지로 적층 구조체의 적어도 일부 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사함으로써 해당 부분에 어블레이션 과정이 진행되어야 하기 때문이다. 후술하겠지만 본 발명에 따른 실시예는 위와 같이 주변부의 변형을 최소화 하면서 레이저의 에너지를 전달하기 위해서 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 펄스폭을 가지는 레이저 일 수 있으며 그 중 펨토초를 가지는 레이저 일 수 있다. 짧은 시간에 순간적으로 높은 에너지가 조사됨으로써 해당 부분에만 에너지가 전달되고 주변부에는 영향을 주지 않을 수 있기 때문이다. 이렇게 레이저의 누적에너지를 다르게 함으로써 레이저에 의한 열적 변형이 거의 일어나지 않게 할 수 있기 때문에 기판에 관계없이 어떠한 적층구조체를 박리하는 공정에 사용이 가능할 수 있다. 하지만 이는 실시예일뿐 실시예에 한정되지는 않는다.If the laser used in the process of determining the separation area or the process of transferring thermal energy is the same laser, a process of changing the accumulated energy of the laser is required. This is because the cumulative energy of the laser used in the process of determining the separation area and the cumulative energy of the laser used in the process of transferring heat energy must be different. Referring to FIG. 3(a), a laser may be irradiated along an edge corresponding to an outer portion of at least a partial area of the surface of the unit structure. As the laser irradiated along the edge is irradiated with high cumulative energy, an ablation process in which the constituent materials of the irradiated area are removed from the unit structure may occur, thereby determining the separation area. In order for the ablation process to occur, high energy is required because the material constituting the second unit structure 120 along the laser irradiated along the edge needs to be removed due to the high energy. The laser used in the process of determining the peeling area must have a higher cumulative energy than the laser used in the process of transferring thermal energy. This is achieved by irradiating the laser along the edge of at least some areas of the stacked structure with high cumulative energy as described above. This is because the ablation process must be performed on the part. As will be described later, in an embodiment according to the present invention, the laser used in the process of determining the separation area in order to transmit energy of the laser while minimizing the deformation of the periphery as described above may be a laser having a pulse width, and among them, a laser having a femtosecond. I can. This is because high energy is irradiated instantaneously in a short time, so that energy is transmitted only to the relevant part and may not affect the surrounding area. By varying the accumulated energy of the laser in this way, since thermal deformation by the laser can hardly occur, it can be used in the process of peeling any laminated structure regardless of the substrate. However, this is only an example and is not limited to the example.

반면에 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저보다 누적에너지가 낮을 수 있다. 이는 적어도 일정 영역 전체에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하여야 하기 때문에 박리영역을 결정하는 과정에서 조사되는 레이저보다 누적에너지가 낮을 수 있고, 상대적으로 낮은 누적에너지로도 적층구조물(100) 적어도 일부 영역에 열에너지를 전달하여 자가 박리를 시킬 수 있기 때문이고 박리영역을 결정하는 과정과 달리 높은 누적에너지가 필요하지 않은 이유는 어블레이션 과정이 필요 없기 때문이다. 일정량의 열에너지만 적층구조물 상에 인가할 수 있다면 열에너지가 전달되어 박리가 일어날 수 있기 때문이다.On the other hand, the laser used in the process of transferring heat energy may have a lower cumulative energy than the laser used in the process of determining the separation area. This is because it is necessary to transmit thermal energy by irradiating the laser to at least a certain area, so the cumulative energy may be lower than that of the laser irradiated in the process of determining the separation area, and even with a relatively low cumulative energy, This is because it is possible to self-exfoliate by transferring heat energy, and the reason that high cumulative energy is not required unlike the process of determining the peeling region is that the ablation process is not required. This is because if only a certain amount of heat energy can be applied on the laminated structure, heat energy can be transferred and peeling may occur.

상기 누적에너지를 변경하는 과정은, 상기 적층구조물(100) 표면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 조절하는 과정; 상기 적층구조물(100) 표면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 조절하는 과정; 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The process of changing the accumulated energy may include adjusting the energy density of the laser irradiated to the surface of the laminated structure 100; Adjusting the irradiation overlap rate of the laser irradiated to the surface of the laminated structure 100; It may include at least any one of.

레이저의 누적에너지는 레이저의 밀도 또는 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률 중 적어도 어느 하나를 조절하여 변경이 가능하다. The accumulated energy of the laser can be changed by controlling at least one of the laser density or the irradiation overlapping rate of the laser irradiated to the laser irradiation surface.

레이저의 밀도는 (레이저 에너지)/(레이저 빔의 크기)로 정의 될 수 있는데, 레이저를 조사 받는 재료가 열응력을 받을 수 있는 임계치의 에너지 밀도가 있기 때문에 적정열응력이 인가되기 위해서 적정 수준의 에너지 밀도를 유지하는 것이 바람직하다. 레이저 밀도를 조절하는 과정은 레이저의 출력을 제어하는 과정 또는 레이저 조사면에 조사되는 레이저 빔의 크기를 제어하는 과정 중 중 적어도 어느 하나를 수행하여 레이저의 밀도를 조절할 수 있다. The density of the laser can be defined as (laser energy)/(the size of the laser beam). Since the material to be irradiated with the laser has an energy density of a critical value that can receive thermal stress, an appropriate level of thermal stress is applied. It is desirable to maintain the energy density. In the process of adjusting the laser density, at least one of a process of controlling the output of the laser or a process of controlling the size of a laser beam irradiated to the laser irradiation surface may be performed to adjust the density of the laser.

레이저 빔의 크기를 제어하는 과정은 포커스 렌즈로 입사되는 빔의 크기를 조절함으로써 제어가 가능하다. 예를 들면, 빔 크기 조절부를 통해 포커스 렌즈로 입사되는 빔의 크기를 크게 하면 레이저 조사면에 조사되는 레이저 빔의 크기가 작아지게 되어 에너지 밀도가 증가할 수 있게 된다. 레이저의 출력을 제어하는 과정은 레이저가 발진되는 레이저의 출력 에너지를 조절함으로써 누적에너지를 조절 할 수 있다.The process of controlling the size of the laser beam can be controlled by adjusting the size of the beam incident on the focus lens. For example, when the size of the beam incident on the focus lens is increased through the beam size adjusting unit, the size of the laser beam irradiated to the laser irradiation surface decreases, thereby increasing the energy density. In the process of controlling the output of the laser, the accumulated energy can be adjusted by adjusting the output energy of the laser from which the laser is oscillated.

레이저의 조사중첩률을 조절하는 과정은 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 진행경로에 따른 이동속도를 제어하는 과정 또는 조사면에 조사되는 레이저의 빈도수를 조절하는 과정 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 여기서 사용된 레이저는 연속형 레이저가 아닌 펄스형 레이저 일 수 있다.The process of adjusting the irradiation overlapping rate of the laser may include at least one of a process of controlling a moving speed according to a progress path of the laser irradiated to the laser irradiation surface or a process of adjusting the frequency of the laser irradiated to the irradiation surface. . In addition, the laser used herein may be a pulsed laser rather than a continuous laser.

레이저 조사면에 조사되는 레이저는 일정 크기의 영역을 가지며 이 일정 크기의 영역을 레이저 조사면에 조사할 수 있다. 조사면에 조사되는 이동경로에 따른레이저의 이동속도를 제어하는 과정은 예를 들면, 조사면에 조사되는 레이저는 일정 크기의 영역을 가지며 이 레이저를 광학부에 의해 공간적으로 이동시킴으로써 두 빔 사이에 거리차이가 생길 수 있다. 이렇게 이동시키는 속도를 빠르게 하면 두 빔 사이의 거리가 늘어나게 되고 일정 영역을 가지는 두 빔이 중첩되는 영역이 줄어들게 됨으로써 누적에너지가 낮아 질 수 있게 된다. 조사면에 조사되는 레이저의 빈도수를 조절하는 과정은 조사면에 조사되는 레이저의 인터벌을 짧게 하여 여러번 조사면에 레이저가 조사될 수 있게 하고 이렇게 함으로써 한 지점에 인가되는 레이저의 펄스수가 증가하게 될 수 있다. 즉, 레이저 조사면에 조사되는 횟수가 증가하게 됨으로써 한 점에 조사되는 누적에너지가 증가할 수 있게 된다. 이렇게 조사중첩률의 비율을 높임으로써 레이저에 의한 어블레이션 공정이 진행되어 레이저가 조사되는 영역만 집중적으로 에너지가 전달되어 주변부에는 영향을 주지 않으면서 가장자리여역만 정확하게 제거가 될 수 있다.The laser irradiated to the laser irradiation surface has an area of a predetermined size, and the area of the predetermined size can be irradiated onto the laser irradiation surface. The process of controlling the moving speed of the laser according to the moving path irradiated on the irradiated surface is, for example, the laser irradiated on the irradiated surface has a certain sized area and spatially moves the laser between the two beams. Distance differences can occur. If the moving speed is increased in this way, the distance between the two beams increases and the area where the two beams having a certain area overlap decreases, so that the accumulated energy can be lowered. The process of adjusting the frequency of the laser irradiated to the irradiation surface shortens the interval of the laser irradiated onto the irradiation surface so that the laser can be irradiated to the irradiation surface several times, thereby increasing the number of laser pulses applied to a point. have. That is, as the number of times the laser irradiation surface is irradiated increases, the cumulative energy irradiated to a point can be increased. By increasing the ratio of the irradiation overlapping rate in this way, the ablation process by the laser proceeds, and energy is intensively transferred only to the area where the laser is irradiated, so that only the edge area can be accurately removed without affecting the periphery.

한편, 본 발명에 실시예에 따르면 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저가 적층구조물(100)의 적어도 일부 영역의 가장자리를 따라 조사될 때 조사중첩률이 95%이상 내지 100% 미만의 조사중첩률을 갖도록 조절 될 수 있다. 이렇게 높은 조사중첩률을 가짐으로써 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 상대적으로 높은 누적에너지로 조사될 수 있고 이로 인해 일부 영역의 가장자리에만 레이저의 에너지가 전달되어 주변부에는 레이저의 에너지에 의한 데미지를 받지 않을 수 있다. 반면에 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 조사중첩률이 0% 초과 내지 95% 미만 일 수 있다. 이렇게 상대적으로 낮은 누적에너지를 가지고 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 조사하여도 충분한 열원이 전달되어 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120)를 제1 단위 구조체(110)로부터 자가 박리할 수 있다. 한편, 조사중첩률은 생산 효율과 반비례 관계에 있으므로, 조사중첩률을 낮추는 방법은 낮은 누적에너지를 구현하는 효과 외에도 가공시간을 단출시킬 수 있는 부수적인 효과가 있기 때문에 상황에 따라 알맞은 조사중첩률을 부과하여 레이저를 조사하는게 바람직하다 할 수 있다. 하지만 이는 본 발명의 따른 실시예일뿐 위의 수치에 한정되지는 않는다.On the other hand, according to an embodiment of the present invention, when the laser used in the process of determining the peeling area is irradiated along the edge of at least a portion of the laminated structure 100, the irradiation overlap rate is 95% or more to less than 100%. It can be adjusted to have a rate. By having such a high irradiation overlapping rate, the laser used in the process of determining the separation area can be irradiated with a relatively high cumulative energy, and due to this, the energy of the laser is transmitted only to the edge of a part of the area, and damage caused by the energy of the laser to the periphery. May not receive. On the other hand, the laser used in the process of transferring heat energy may have an irradiation overlapping rate of more than 0% to less than 95%. Even if irradiated to at least a portion of the surface of the stacked structure 100 with such a relatively low cumulative energy, sufficient heat source is transmitted, so that the second unit structure 120 including the second layer is self-contained from the first unit structure 110. Can be peeled off. On the other hand, since the irradiation overlap rate is inversely proportional to the production efficiency, the method of lowering the irradiation overlapping rate has a side effect that can shorten the processing time in addition to the effect of realizing low cumulative energy. It can be said that it is desirable to apply laser irradiation. However, this is only an embodiment of the present invention and is not limited to the above numerical values.

본 발명의 실시예에서는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 펄스 레이저인 조합이거나, 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭의 펄스레이저이고, 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저 조합을 이용할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the laser used in the process of transferring the thermal energy is a continuous laser, and the laser used in the process of determining the separation area is a combination of a pulse laser, or a laser used in the process of transferring the thermal energy. Is a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the process of determining the separation region may use a combination of a pulse laser having a second pulse width shorter than that of a pulse laser having the first pulse width.

즉, 펄스레이저 및 연속형 레이저 조합, 펄스폭이 서로 다른 펄스레이저 조합 또는 펄스폭을 조절할 수 있는 펄스레이저 일 수 있다. 본 발명의 따른 실시예는 상술했듯이 열에너지를 전달하는 과정 및 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저보다 순간적으로 조사되는 레이저의 에너지가 낮게 조사되어도 박리가 가능하다. That is, a combination of a pulsed laser and a continuous laser, a combination of pulsed lasers having different pulse widths, or a pulsed laser capable of controlling a pulse width may be used. According to an embodiment of the present invention, as described above, the laser used in the process of transferring heat energy and the process of determining the separation area may be the same laser or different lasers. The laser used in the process of transferring heat energy can be peeled off even if the energy of the laser irradiated instantaneously is lower than that of the laser used in the process of determining the peeling area.

반면에 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 순간적으로 조사영역에 조사되는 레이저의 에너지가 높아야 어블레이션 과정이 일어날 수 있으며 펄스폭이 짧은 레이저가 조사되는 영역 이외의 부분에 레이저의 에너지에 따른 영향을 받지 않을 수 있다. 동일한 출력을 지닌 레이저일 때 펄스폭이 짧아 열전달 시간이 짧아지면 동일한 출력을 짧은 시간에 발진해야 하므로 순간적인 레이저의 에너지가 높은 상태로 조사되고 짧은 시간에만 고에너지가 조사되기 때문에 조사되는 영역 외에는 영향을 주지 않을 수 있다. 이러한 차이가 있기 때문에 열에너지를 전달하는 과정 및 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 서로 다른 레이저 일때는 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 연속형 레이저 일 수 있고, 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 펄스 레이저 일 수 있고 펄스폭은 나노초 내지 펨토초 일 수 있으며 바람직하게는 펨토초인 레이저 일 수 있다. On the other hand, the laser used in the process of determining the separation area can cause the ablation process to occur only when the energy of the laser irradiated to the irradiated area is instantaneously high, and the energy of the laser is applied to the area other than the irradiated area with a short pulse width. May not be affected. In the case of a laser with the same output, if the pulse width is short and the heat transfer time is short, the same output must be oscillated in a short time. Therefore, the instantaneous laser is irradiated with high energy and high energy is irradiated only for a short time. May not give. Because of this difference, the laser used in the process of transferring thermal energy and the process of determining the separation region may be the same laser or different lasers. In the case of different lasers, the laser used in the process of transferring thermal energy that does not have to have high instantaneous energy may be a continuous laser, and the laser used in the process of determining the separation area where the instantaneous energy should be high may be a pulsed laser. And the pulse width may be nanoseconds to femtoseconds, preferably a femtosecond laser.

반면에 같은 레이저를 사용하기 위해서는 순간적인 에너지를 조절할 수 있는 레이저여야 한다. 그렇기 때문에 같은 레이저는 펄스 레이저 일 수 있다. 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저 일 수 있고 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 제1 펄스폭 보다 짧은 펄스폭을 갖는 제2 펄스폭을 가지는 펄스 레이저 일 수 있다. 제2 펄스폭을 가지는 펄스 레이저는 바람직하게는 펨토초를 가지를 펄스 레이저 일 수 있다. 이렇게 동일레이저를 이용하는 것은 프로세스의 단순성과 장치 구성의 편리성을 감안 했기 때문이다. On the other hand, in order to use the same laser, it must be a laser that can control instantaneous energy. So the same laser can be a pulsed laser. The laser used in the process of transmitting thermal energy that does not have to have high instantaneous energy may be a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the process of determining the peeling region in which the instantaneous energy should be high is greater than the first pulse width. It may be a pulsed laser having a second pulse width having a short pulse width. The pulsed laser having the second pulse width may preferably be a pulsed laser having femtoseconds. This use of the same laser is due to the simplicity of the process and the convenience of the device configuration.

한편, 위에서 사용되는 모든 레이저는 파장의 종류에 따라 IR, Green 또는 UV 파장이 이용될 수 있고, 본 발명의 실시예에 따른 레이저는 펨토초 펄스폭을 가지며 IR파장의 fiber레이저 일 수 있다. fiber레이저는 상대적으로 비용이 저렴하고 크기가 작은 장점이 있다. 하지만 이는 본 발명의 실시예일뿐 위의 실시예로 한정되지는 않는다.Meanwhile, all of the lasers used above may use IR, Green, or UV wavelengths depending on the type of wavelength, and the laser according to the embodiment of the present invention may be a fiber laser having a femtosecond pulse width and an IR wavelength. Fiber lasers have advantages of relatively low cost and small size. However, this is only an embodiment of the present invention and is not limited to the above embodiment.

이렇게 적층구조물을 이루는 각각의 단위 구조체를 적층구조물로부터 박리시킴으로써 적층구조물로 이루어진 여러분야에 응용이 가능할 수 있다. 결함등이 생긴 영역을 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써 전체적으로 그 층 전체 또는 해당부분만 선택적으로 박리 시킬 수도 있고 공정 중 필요에 의해 박리되어야 하는 부분을 박리시킬 수도 있다. 또한 레이저를 이용하여 열에너지를 전달하기 때문에 그 부분만을 열적 또는 물리적 영향 없이 원하는 영역에 선택적으로 적층구조물로부터 제거할 수 있다. 또한, 레이저는 국부적으로 조사할 수 있고 레이저에 의한 열적 변형이 거의 없이 열에너지를 제공할 수 있기 때문에 기판에 관계없이 박막 분리를 필요로 하는 공정에서 사용이 용이한 장점이 있을 수 있다.By peeling each unit structure constituting the laminated structure from the laminated structure, it can be applied to a wide variety of laminated structures. By irradiating a laser on the area where the defects have occurred and transferring heat energy, the entire layer or only the corresponding part may be selectively peeled off, or the part to be peeled off as needed during the process. In addition, since thermal energy is transmitted using a laser, only that part can be selectively removed from the laminated structure in a desired area without thermal or physical influence. In addition, since the laser can be irradiated locally and provides thermal energy with little or no thermal deformation by the laser, it can be easily used in a process requiring thin film separation regardless of the substrate.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 수리 방법을 나타낸 순서도이다. 도 5는 유기발광소자 구조물(600)이 제공된 모습과 유기발광소자 구조물(600)에서 박막봉지층(640)이 들뜸 현상을 나타내는 이미지이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략거나 간단히 기술할 수 있다.4 is a flow chart showing a method for repairing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention. 5 is an image showing a state in which the organic light-emitting device structure 600 is provided and a phenomenon in which the thin film encapsulation layer 640 is lifted in the organic light-emitting device structure 600. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components regardless of the reference numerals are given the same reference numerals, and redundant descriptions thereof may be omitted or simply described. have.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 수리 방법은 유기발광 적층체(620), 상기 유기발광 적층체(620) 상에 제공되어 광학 특성을 향상하는 커버층(630), 및 상기 커버층(630) 상에 형성되어 수분의 침투를 방지하는 박막봉지층(640)을 포함하는 유기발광소자 구조물(600)을 제공하는 과정(S100); 상기 박막봉지층(640)에 형성된 결함을 확인하는 과정(S200); 확인된 상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물(600) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정(S300); 및 상기 커버층(630) 및 상기 박막봉지층(640)은 서로 다른 열팽창 계수를 가지며, 상기 열에너지로 인한 열팽창 차이에 의해 커버층(630)으로부터 박막봉지층(640)의 적어도 일부가 분리되는 과정(S400);을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, a method for repairing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present invention includes an organic light-emitting stack 620, a cover layer 630 provided on the organic light-emitting stack 620 to improve optical properties, And providing an organic light emitting device structure 600 including a thin film encapsulation layer 640 formed on the cover layer 630 to prevent penetration of moisture (S100). A process of checking defects formed in the thin film encapsulation layer 640 (S200); Transmitting thermal energy by irradiating a laser onto at least a portion of the surface of the organic light emitting device structure 600 including the identified defect (S300); And a process in which the cover layer 630 and the thin film encapsulation layer 640 have different coefficients of thermal expansion, and at least a part of the thin film encapsulation layer 640 is separated from the cover layer 630 by a difference in thermal expansion due to the thermal energy. (S400); may include.

유기발광 적층체(620), 상기 유기발광 적층체(620) 상에 제공되어 광학 특성을 향상하는 커버층(630), 및 상기 커버층(630) 상에 형성되어 수분의 침투를 방지하는 박막봉지층(640)을 포함하는 유기발광소자 구조물(600)을 제공하는 과정을 진행한다(S100).An organic light-emitting laminate 620, a cover layer 630 provided on the organic light-emitting laminate 620 to improve optical properties, and a thin film encapsulation formed on the cover layer 630 to prevent moisture penetration A process of providing the organic light emitting device structure 600 including the layer 640 is performed (S100).

유기발광소자 구조물(600)은 유기발광 적층체(620), 커버층(630) 및 박막봉지층(640)(Thin Film Encapsulation:TFE)을 포함하는데 유기발광 적층체(620)는 캐리어 글래스(601) 상에 필름층(602)을 형성하고 필름층(602) 상에 형성된 유기발광소자를 포함한다. 커버층(630)은 유기발광소자(603) 상에 제공되며 유기발광소자(603)를 보호하면서도 광투광성을 갖는 무기막 또는 유기막으로 만들어지거나, 무기 입자가 함유된 유기막으로 만들어 질 수 있다. 본 발명에 실시예에 따른 커버층(630)은 무기막으로 이루어질 수 있다. 박막봉지층(640)은 커버층(630) 상에 제공되며 유기발광소자(603)로 공기 및 수분 등이 침투되지 않도록 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 이러한 구성을 포함하는 유기발광소자 구조물(600)(또는 유닛 셀)을 제공할 수 있다.The organic light emitting device structure 600 includes an organic light emitting laminate 620, a cover layer 630, and a thin film encapsulation layer 640 (Thin Film Encapsulation: TFE), and the organic light emitting laminate 620 includes a carrier glass 601 ) On the film layer 602 is formed, and includes an organic light emitting device formed on the film layer 602. The cover layer 630 is provided on the organic light-emitting device 603 and may be made of an inorganic film or an organic film having light transmittance while protecting the organic light-emitting device 603, or an organic film containing inorganic particles. . The cover layer 630 according to the embodiment of the present invention may be formed of an inorganic film. The thin film encapsulation layer 640 is provided on the cover layer 630 and may play a role of preventing air and moisture from penetrating into the organic light emitting device 603. An organic light emitting device structure 600 (or a unit cell) including such a configuration may be provided.

다음으로, 상기 박막봉지층(640)에 형성된 결함을 확인하는 과정을 진행한다(S200).Next, a process of checking the defect formed in the thin film encapsulation layer 640 is performed (S200).

도 5를 참조하면, 최근 유기발광소자 구조물(600)을 포함하는 패널을 제조시 기초가되는 캐리어 글래스(601)의 사이즈가 대형화 됨에 따라 공정 중에 발생되는 파티클 및 열적 변형등에 의해 불량 패널이 발생활 확률이 증대 되었다. 특히 유기발광소자 구조물(600)을 제조시 수분 침투 방지를 위해 제공되는 박막 봉지층을 증착하는 과정에서 파티클 및 열적 변형 등에 의해 형성된 결함이 발생하게 되면 유기발광소자에 번인(Burn-in) 현상 또는 유기물 파괴 등이 일어 날 수 있게되고, 또한 결함에 의해 박막 봉지 층의 들뜸 현상이 유발되어 지고 후공정 진행시 들뜬 박막 봉지층이 의도지 않게 뜯겨져 나가 생성된 파티클 또는 잔유물 등이 정상적인 유기발광소자 구조물(600)에 붙게 되어 트랜스퍼 공정 또는 LLO 공정시 정상적인 유기발광소자의 박막봉지층(640)이 파괴되는 경우가 발생할 수 있다. 그렇기 때문에 이러한 문제점을 해결하기 위해서 본 발명에 따른 실시예는 박막봉지층(640)에 형성된 결함을 확인하는 과정을 진행하여 후술할 결함이 포함된 적어도 일부 영역을 레이저를 조사하여 열에너지를 전달 함으로써 제거할 수 있다. 이 결함을 확인하는 과정은 외부에서 결함을 확인하여 그 위치를 파악할 수도 있고, 수리방법을 진행하는 중에 확인할 수도 있다.Referring to FIG. 5, as the size of the carrier glass 601, which is the basis of the recent manufacturing of the panel including the organic light emitting device structure 600, has become larger, defective panels are generated due to particles and thermal deformation generated during the process. The probability was increased. In particular, when defects formed by particles and thermal deformation occur in the process of depositing a thin film encapsulation layer provided to prevent moisture penetration when manufacturing the organic light emitting device structure 600, a burn-in phenomenon in the organic light emitting device or Destruction of organic matter can occur, and the phenomenon of lifting of the thin film encapsulation layer is caused by defects, and particles or residues generated by unintentional tearing of the excited thin film encapsulation layer during post-processing are normal organic light-emitting devices. It may be attached to the structure 600 and thus the thin film encapsulation layer 640 of the normal organic light-emitting device may be destroyed during the transfer process or the LLO process. Therefore, in order to solve this problem, the embodiment according to the present invention proceeds with the process of checking the defects formed in the thin film encapsulation layer 640 and is removed by irradiating at least some areas containing defects to be described later by transmitting thermal energy. can do. In the process of checking this defect, the location of the defect can be identified by externally checking the defect, or it can be checked during the repair method.

다음으로, 확인된 상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물(600) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하는 과정을 진행한다(S300).Next, a process of transmitting thermal energy by irradiating a laser to at least a partial area of the surface of the organic light emitting device structure 600 including the identified defect is performed (S300).

본 발명의 따른 실시예는 유기발광소자 구조물(600)을 이루는 박막봉지층(640) 표면에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 이때 결함을 포함하는 적어도 일부 영역의 박막봉지층(640) 상에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 한편, 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 때 특정 영역에 점 형태로 조사되는 레이저의 이동경로를 변경하여 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 수도 있고, 라인빔 형태로 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, thermal energy may be transmitted by irradiating a laser on the surface of the thin film encapsulation layer 640 constituting the organic light emitting device structure 600. In this case, thermal energy may be transmitted by irradiating a laser onto the thin film encapsulation layer 640 in at least a partial region including the defect. Meanwhile, when the laser is irradiated on at least a portion of the surface of the laminated structure 100, the laser may be irradiated to at least a portion of the area by changing the movement path of the laser irradiated to a specific area in the form of dots, or at least partially in the form of a line beam. It is also possible to irradiate the laser with the area.

상기 커버층(630) 및 상기 박막봉지층(640)은 서로 다른 열팽창 계수를 가지며, 상기 열에너지로 인한 열팽창 차이에 의해 커버층(630)으로부터 박막봉지층(640)의 적어도 일부가 분리되는 과정을 진행한다(S400).The cover layer 630 and the thin film encapsulation layer 640 have different coefficients of thermal expansion, and at least a part of the thin film encapsulation layer 640 is separated from the cover layer 630 by a difference in thermal expansion due to the thermal energy. Proceed (S400).

본 발명에 따른 실시예는 커버층(630)보다 상대적으로 열팽창계수값이 큰 박막봉지층(640) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 박막봉지층(640) 표면의 적어도 일부 영역에 조사되는 레이저의 열에너지는 점차 박막봉지층(640)으로부터 커버층(630)로 열전달이 일어날 수 있다.According to an embodiment of the present invention, thermal energy may be transferred by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the thin film encapsulation layer 640 having a relatively higher coefficient of thermal expansion than the cover layer 630. Thermal energy of the laser irradiated to at least a portion of the surface of the thin film encapsulation layer 640 may gradually transfer heat from the thin film encapsulation layer 640 to the cover layer 630.

이렇게 전달된 열에너지에 의해 커버층(630) 및 박막봉지층(640)은 열팽창이 일어날 수 있는데, 상대적으로 열팽창계수가 큰 박막봉지층(640)은 상대적으로 열팽창 계수가 작은 커버층(630)보다 상대적으로 더 많이 인장됨으로써 인장되는 정도의 차이에 의해 변위차이가 발생하게 되고 이러한 변위차이가 전단응력을 발생시켜 전단응력이 커버층(630)과 박막봉지층(640)의 결합력을 초과하게 되면 박막봉지층(640)의 적어도 일부 영역이 커버층(630)로부터 분리되는 자가 박리가 일어 날 수 있게 된다. 예를 들어, 박막봉지층(640)의 열팽창계수가 0.00015/K이고 커버층(630) 열팽창계수가 0.000037/K이며 박막 봉지층에는 100K의 열이 전달되고 커버층(630)에는 전달된 열이 50K일때 박막봉지층(640)은 약 1.5mm 인장되고 커버층(630)은 약 0.185mm 인장되게 되어 박막 봉지층과 커버층(630)의 변위차이가 약 1.315mm 발생하게 되고 이 변위차이가 전단응력을 발생시키게 되고 이 전단응력이 박막봉지층(640)과 커버층(630)의 결합력을 초과하게 되면 박막봉지층(640)이 커버층(630)으로부터 자가 박리가 일어나게 된다. 이렇게 박막봉지층(640)의 박리가 일어난 유기발광소자 구조물(600)은 재사용의 목적으로 제거하는 것이 아닐 수 있고 상술했듯이 후공정시 발생될 수 있는 오염원을 미리 제거하여 온전한 유기발광층 구조물의 오염을 방지하는 효과가 있을 수 있다. 한편, 박막봉지층(640)이 제거된 유기발광소자 구조물(600)은 수분이 침투하여 불량이 발생하기가 쉬워진다. 그렇기 때문에 결함을 포함한 박막봉지층(640)을 자가 박리시키고 후 공정을 통해 해당 유기발광소자 구조물(600) 또는 후술할 복수개의 유기발광소자 구조물(600) 상에 박막봉지층(640)을 다시 재생성하여 결함을 포함하지 않은 유기발광소자 구조물(600)로 재사용 할 수 있다. 여기서 재생하는 방법은 기존의 박막봉지층(640)을 증착시키는 PVD 또는 CVD를 이용하여 증착시킬 수도 있고 미리 제조된 박막봉지층(640)을 결함이 제거된 유기발광소자 구조물(600) 상에 제공하고 레이저 등을 조사하여 유기발광소자에 증착되게 할 수 있다.Thermal expansion of the cover layer 630 and the thin film encapsulation layer 640 may occur due to the thermal energy transmitted in this way, and the thin film encapsulation layer 640 having a relatively large coefficient of thermal expansion is compared to the cover layer 630 having a relatively small coefficient of thermal expansion. When the shear stress exceeds the bonding force between the cover layer 630 and the thin film encapsulation layer 640, a difference in displacement occurs due to the difference in the degree of tension due to relatively greater tension. At least a portion of the encapsulation layer 640 may be separated from the cover layer 630 and self-separation may occur. For example, the coefficient of thermal expansion of the thin film encapsulation layer 640 is 0.00015/K, the coefficient of thermal expansion of the cover layer 630 is 0.000037/K, and 100K of heat is transferred to the thin film encapsulation layer, and the heat transferred to the cover layer 630 is At 50K, the thin film encapsulation layer 640 is stretched by about 1.5 mm and the cover layer 630 is stretched by about 0.185 mm, so that the difference in displacement between the thin film encapsulation layer and the cover layer 630 is about 1.315 mm, and the displacement difference is sheared. When stress is generated and the shear stress exceeds the bonding force between the thin film encapsulation layer 640 and the cover layer 630, the thin film encapsulation layer 640 is self-separated from the cover layer 630. The organic light-emitting device structure 600 in which the thin film encapsulation layer 640 is peeled off may not be removed for the purpose of reuse, and as described above, contamination of the intact organic light-emitting layer structure is prevented by removing in advance a pollutant that may occur during the post-processing. It may have a preventive effect. On the other hand, the organic light-emitting device structure 600 from which the thin film encapsulation layer 640 has been removed is easily infiltrated into moisture to cause defects. Therefore, the thin film encapsulation layer 640 including defects is self-detached and the thin film encapsulation layer 640 is regenerated on the organic light emitting device structure 600 or a plurality of organic light emitting device structures 600 to be described later through a post process. Thus, it can be reused as the organic light emitting device structure 600 that does not contain defects. Here, the method of regeneration may be deposited using PVD or CVD that deposits the existing thin film encapsulation layer 640, or a pre-manufactured thin film encapsulation layer 640 is provided on the organic light emitting device structure 600 from which the defects have been removed. And it can be deposited on the organic light emitting device by irradiating a laser or the like.

도 5를 참조하면, 상기 유기발광소자 구조물(600)은 복수개 제공되며, 복수개의 상기 유기발광소자 구조물(600) 사이에 제공된 분리부(610)에 의해 각각의 상기 유기발광소자 구조물(600)이 독립되어 제공될 수 있다.Referring to FIG. 5, a plurality of the organic light emitting device structures 600 are provided, and each of the organic light emitting device structures 600 is provided by a separation unit 610 provided between the plurality of organic light emitting device structures 600. It can be provided independently.

캐리어 글래스(601)(또는 마더 글래스)상에 복수개의 유기발광소자 구조물(600)이 제공되며 캐리어 글래스(601) 상에 제공되고 복수개의 유기발광소자 구조물(600) 사이에 위치하는 분리부(610)에 의해 각각의 유기발광소자 구조물(600)이 독립되어 형성될 수 있다. 분리부(610)는 산화물 또는 질화물중 적어도 어느 하나를 포함하는 구성을 가지고 있을 수 있다. 복수개의 유기발광소자 구조물(600)이 서로 독립되지 않고 연속하여 위치한다면 하나의 유기발광소자를 이루는 박막봉지층(640)에 결함이 발생하여 수분 및 공기의 침투를 막지 못하고 불량이 발생한다면 그 유기발광소자 구조물(600)을 통해 수분 등이 인접해 있는 복수의 유기발광소자 구조물(600)로 흘러들어가 영향을 주어 다수의 불량이 발생할 수 있기 때문이다. 그렇기 때문에 복수의 유기발광소자 구조물(600)을 각각 독립되게 제공할 수 있다. 또한, 유기발광소자 구조물(600)은 각각이 패널에 사용될 수 있는데 각각을 커팅하여 개별 단위패널로 사용할 수도 있다. 이렇게 각각 독립되게 유기발광소자 구조물(600)을 제공함으로써 결함 등으로 인한 불량이 발생한 유기발광소자 구조물(600)은 후에 커팅하여 사용하지 않고 폐기하고 나머지는 유기발광 패널로 사용하거나 박막봉지층을 재형성하여 유기발광 패널로써 재사용 할 수 있다. 이렇게 결함이 발생한 부분을 박리하여 제거하거나 박리 후 박막봉지층을 재형성을 시킴으로써 수율향상 및 원가절감을 이룰 수 있고, 대형화된 패널에도 사용이 가능하므로 대형화 패널의 제조에도 불량없이 제조할 수 있는 장점이 있을 수 있다.A plurality of organic light emitting device structures 600 are provided on the carrier glass 601 (or mother glass), and a separation unit 610 provided on the carrier glass 601 and positioned between the plurality of organic light emitting device structures 600 ), each organic light emitting device structure 600 may be independently formed. The separating part 610 may have a configuration including at least one of oxide and nitride. If the plurality of organic light-emitting device structures 600 are not independent from each other and are located in succession, a defect occurs in the thin film encapsulation layer 640 constituting one organic light-emitting device, so that the penetration of moisture and air cannot be prevented. This is because moisture, etc., flows through the light-emitting device structure 600 to the plurality of adjacent organic light-emitting device structures 600 and affects the plurality of defects. Therefore, a plurality of organic light emitting device structures 600 can be independently provided. In addition, each of the organic light emitting device structures 600 may be used for a panel, and each may be cut and used as an individual unit panel. By providing the organic light-emitting device structure 600 independently of each of these, the organic light-emitting device structure 600 having defects due to defects, etc., is later cut and discarded without being used, and the rest is used as an organic light-emitting panel or a thin film encapsulation layer is recycled. It can be formed and reused as an organic light emitting panel. By peeling off and removing the defective part, or reforming the thin film encapsulation layer after peeling, it is possible to improve yield and reduce cost, and it can be used for large-sized panels, so it is possible to manufacture large-sized panels without defects. This can be.

상기 커버층(630)은 불화물로 이루어지고, 유기막 및 무기막이 교번되어 적층된 상기 박막봉지층(640)의 최하단층은 무기막으로 이루어질 수 있다.The cover layer 630 may be formed of fluoride, and the lowermost layer of the thin film encapsulation layer 640 in which organic and inorganic layers are alternately stacked may be formed of an inorganic layer.

본 발명의 실시예에 따른 커버층(630)은 불화물 중 열팽창 계수가 상대적으로 작은 불화리튬(LiF)으로 이루어 질 수 있다. 불화리튬의 열팽창 계수는 37*10^-6/K이다. 또한, 커버층(630)은 무기물로 이루어질 수 있는데 무기물은 약 5*10^-6/K 내지 40*10^-6/K의 열팽창계수를 가질 수 있다.The cover layer 630 according to an embodiment of the present invention may be made of lithium fluoride (LiF) having a relatively small coefficient of thermal expansion among fluorides. The coefficient of thermal expansion of lithium fluoride is 37*10 ^-6 /K. In addition, the cover layer 630 may be formed of an inorganic material, and the inorganic material may have a thermal expansion coefficient of about 5*10 ^-6 /K to 40*10 ^-6 /K.

박막봉지층(640)은 유기막 및 무기막이 교번되어 적층되는 구조 일 수 있는데 유기막은 모너머(Monomer) 또는 이들의 중합체로 이루어 질 수 있다. 그 재료로는 폴리에틸렌 계열의 수지로 이루어 질 수 있고 폴리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트 단량체 또는 폴리에틸렌 글리콜 디아크리렐이트 단량체 중 적어도 어느 하나를 포함한 유기막일 수 있고 또한, 펜타에리쓰리톨 테트라아크릴레이트 또는 펜타에리쓰리톨 테트라메타크릴레이트 중 적어도 어느 하나를 포함한 유기막 일 수 있다. 무기막은 질화물, 산화물 및 산화질화물 중 적어도 어느 하나 포함할 수 있고 본 발명의 실시예에 따른 무기막은 SiNx 일 수 있다. 박막봉지층(640)을 이루는 유기막은 수㎛ 내지 수십㎛의 두께를 이루며 제공되고, 무기막은 수십 nm 내지 수백nm의 두께를 가지고 박막봉지층(640)을 이룬다. 박막봉지층(640)은 유기막과 무기막이 단층 또는 멀티 레이어로 제공될 수 있다. 한편, 박막봉지층(640)을 구성하는 무기막을 증착할 때 파티클 등에 의한 결함이 발생할 확률이 높을 수 있다.The thin film encapsulation layer 640 may have a structure in which organic and inorganic layers are alternately stacked, and the organic layer may be formed of a monomer or a polymer thereof. The material may be made of a polyethylene-based resin and may be an organic film including at least one of a polyethylene glycol dimethacrylate monomer or a polyethylene glycol diacrylate monomer, and pentaerythritol tetraacrylate or pentaerythritol It may be an organic film including at least any one of erythritol tetramethacrylate. The inorganic film may include at least one of nitride, oxide, and oxynitride, and the inorganic film according to an embodiment of the present invention may be SiNx. The organic film forming the thin film encapsulation layer 640 is provided with a thickness of several µm to tens of µm, and the inorganic film has a thickness of tens to hundreds of nm and forms the thin film encapsulation layer 640. The thin film encapsulation layer 640 may include an organic layer and an inorganic layer as a single layer or multiple layers. On the other hand, when depositing the inorganic film constituting the thin film encapsulation layer 640, there may be a high probability of occurrence of defects due to particles or the like.

박막봉지층(640)을 이루는 유기막과 무기막의 두께는 약 10²배의 차이가 나게 되는데 무기막은 유기막에 비해 상대적으로 얇기 때문에 박막봉지층(640)에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 때 무기막은 유기막이 열팽창됨에 따라서 무기막 고유의 열팽창계수값과는 관계 없이 유기막을 따라 열팽창 되게 된다. 따라서 박막 봉지층의 열팽창계수는 유기막의 열팽창계수 값을 따라 결정되며 박막 봉지층의 열팽창계수는 106*10^-6/K 내지 198*10^-6/K의 열팽창계수를 가질 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 커버층(630) 및 박막 봉지층의 열팽창계수의 차이는 약 2배 내지 4배이상의 차이가 날 수 있다. 열팽창계수 차이가 2배보다 낮으면 커버층 및 박막봉지층이 열팽창에 의해 생기는 변위차이가 줄어들어 박리가 일어나지 않을 수도 있다.The thickness of the organic layer and the inorganic layer constituting the thin film encapsulation layer 640 is about 10 ² times different. Since the inorganic layer is relatively thinner than the organic layer, the inorganic layer 640 is irradiated with a laser to transmit thermal energy. As the organic film is thermally expanded, the film is thermally expanded along the organic film regardless of the inherent coefficient of thermal expansion of the inorganic film. Therefore, the coefficient of thermal expansion of the thin film encapsulation layer is determined according to the value of the coefficient of thermal expansion of the organic layer, and the coefficient of thermal expansion of the thin film encapsulation layer may have a coefficient of thermal expansion of 106 * 10 ^-6 /K to 198 * 10 ^-6 /K. The difference in the coefficient of thermal expansion of the cover layer 630 and the thin film encapsulation layer according to the embodiment of the present invention may be about 2 to 4 times or more. If the difference in the coefficient of thermal expansion is less than 2 times, the difference in displacement caused by thermal expansion of the cover layer and the thin film encapsulation layer may be reduced, so that peeling may not occur.

박막봉지층(640)의 최하단층은 무기막으로 이루어질 수 있으며 무기막인 SiNx와 커버층(630)의 무기물 계열인 LiF가 약한 결합력에 의해 결합될 수 있다. 이는 불화물에서 불소는 불화물을 형성하는 원소 간의 강한 화학적 결합으로 인해 다른 물질(또는 원소)들과의 결합력을 현저히 저하시킬 수 있다. 즉, 상기 불화물을 형성하는 원소 간에만 링크를 형성하여 본딩되고 커버층 상에 새롭게 제공되는 원소와는 링크를 형성하지 않아 커버층 상에 박막봉지층이 강한게 결합될 수 없기 때문이다. 상기 박막봉지층(640) 표면 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하면 열팽창계수 차이에 의해 박막봉지층(640) 및 커버층(630)이 팽창되고 상대적으로 열팽창계수가 큰 박막봉지층(640)의 열팽창이 커버층(630)보다 많이 되어 변위차이가 발생에 따른 전단응력이 박막봉지층(640)과 커버층(630)의 약한 결합력을 초과하면 자가 박리가 일어날 수 있다. 한편, 박막봉지층(640)의 유기막과 무기막 사이의 결합력이 박막봉지층(640)과 커버층(630) 사이에 결합력보다 크기 때문에 박막봉지층(640)의 유기막과 무기막이 박리되는것보다 먼저 결합층과 박막봉지층(640)이 먼저 박리가 일어 날 수 있다.The lowermost layer of the thin film encapsulation layer 640 may be formed of an inorganic layer, and SiNx, which is an inorganic layer, and LiF, which is an inorganic material of the cover layer 630, may be bonded by a weak bonding force. In this case, in fluoride, fluorine may significantly reduce bonding strength with other substances (or elements) due to a strong chemical bond between elements forming fluoride. That is, this is because a link is formed and bonded only between elements forming the fluoride, and a link is not formed with an element newly provided on the cover layer, so that the thin film encapsulation layer cannot be strongly bonded to the cover layer. When thermal energy is transmitted by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the thin film encapsulation layer 640, the thin film encapsulation layer 640 and the cover layer 630 expand due to the difference in thermal expansion coefficient, and a thin film encapsulation layer having a relatively large thermal expansion coefficient ( When the thermal expansion of the 640 is greater than that of the cover layer 630 and the shear stress resulting from a displacement difference exceeds the weak bonding force between the thin film encapsulation layer 640 and the cover layer 630, self-delamination may occur. On the other hand, since the bonding force between the organic film and the inorganic film of the thin film encapsulation layer 640 is greater than the bonding force between the thin film encapsulation layer 640 and the cover layer 630, the organic film and the inorganic film of the thin film encapsulation layer 640 are peeled off. First, the bonding layer and the thin film encapsulation layer 640 may be peeled off first.

상기 결함을 포함하는 상기 유기발광소자 구조물(600)의 일정 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사하여 박리영역을 결정하는 과정;을 더 포함할 수 있다.It may further include a process of irradiating a laser along an edge of a certain area of the organic light emitting device structure 600 including the defect to determine a separation area.

상술 했듯이 본 발명에 따른 실시예는 박막봉지층(640) 표면의 적어도 일부 영역의 외곽부에 해당하는 가장자리를 따라 레이저를 조사할 수 있다. 이렇게 가장자리를 따라 레이저를 조사함으로써 어블레이션(ablation) 공정이 일어나게 되고 조사된 영역은 커버층(630)로부터 박막봉지층(640)을 구성하는 구성물질이 레이저의 에너지에 의해 제거되어 박리영역이 결정될 수 있다. As described above, in the embodiment of the present invention, a laser may be irradiated along an edge corresponding to an outer portion of at least a partial area of the surface of the thin film encapsulation layer 640. By irradiating the laser along the edge in this way, an ablation process occurs, and in the irradiated area, the constituent materials constituting the thin film encapsulation layer 640 are removed from the cover layer 630 by the energy of the laser to determine the peeling area. I can.

상기 박리영역을 결정하는 과정 또는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정;을 더 포함할 수 있다. 상기 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지는 상기 열에너지를 전달하는 과정에서 사용된 레이저의 누적에너지보다 클 수 있다.The process of determining the separation area or changing the accumulated energy of the laser used in the process of transmitting the thermal energy; may further include. The accumulated energy of the laser used in the process of determining the separation area may be greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.

상술했듯이 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정은 박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 동일 레이저 일 수 있기 때문에 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정을 진행할 수 있다. 박리영역을 결정하는 과정 또는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저가 동일레이저라면 레이저의 누적에너지를 변경하는 과정이 필요하게 된다. 이는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지와 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저의 누적에너지는 달라야 하기 때문이다. 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저보다 누적에너지가 높아야 하는데 이는 높은 누적에너지로 적층 구조체의 적어도 일부 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사함으로써 해당 부분은 어블레이션 과정이 일어나 박막봉지층을 이루는 부분만 제거가 될 수 있다. 이렇게 박리영역을 결정하고나면 가장자리가 제거될 수 있는데 이에 따라 열에너지를 전달하는 과정에서 해당 영역에만 레이저에 의한 열에너지가 전달될 수 있고 박리영역의 가장자리가 제거되어 박리영역 외부로는 열에너지가 전달되지 않을 수 있다.As described above, the process of changing the accumulated energy of the laser may proceed with the process of changing the accumulated energy of the laser because the laser used in the process of determining the separation region or the process of transmitting thermal energy may be the same laser. If the laser used in the process of determining the separation area or the process of transmitting thermal energy is the same laser, a process of changing the accumulated energy of the laser is required. This is because the cumulative energy of the laser used in the process of determining the separation area and the cumulative energy of the laser used in the process of transferring heat energy must be different. The laser used in the process of determining the separation area must have a higher cumulative energy than the laser used in the process of transferring thermal energy, which is a high accumulated energy and irradiated with the laser along the edge of at least some areas of the stacked structure to ablate the corresponding part. The process takes place and only the part that forms the thin film encapsulation layer can be removed. After determining the peeling area in this way, the edge can be removed. Accordingly, in the process of transferring heat energy, heat energy by the laser can be transferred only to that area, and the edge of the peeling area is removed so that heat energy cannot be transferred outside the peeling area. I can.

반면에 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저보다 누적에너지가 낮을 수 있다. 이는 적어도 일정 영역 전체에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달하여야 하기 때문에 박리영역을 결정하는 과정에서 조사되는 레이저보다 누적에너지가 낮을 수 있고, 상대적으로 낮은 누적에너지로도 박막봉지층(640) 적어도 일부 영역에 열에너지를 전달하여 자가 박리를 시킬 수 있다.On the other hand, the laser used in the process of transferring heat energy may have a lower cumulative energy than the laser used in the process of determining the separation area. This is because it is necessary to transmit thermal energy by irradiating the laser to at least a certain area, so the cumulative energy may be lower than that of the laser irradiated in the process of determining the separation area, and at least some areas of the thin film encapsulation layer 640 even with a relatively low cumulative energy. It can self-exfoliate by transferring heat energy to

상기 누적에너지를 변경하는 과정은, 상기 유기발광소자 구조물(600) 표면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 조절하는 과정; 상기 유기발광소자 구조물(600) 표면에 조사되는 레이저의 중첩률을 조절하는 과정;중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The process of changing the accumulated energy may include adjusting the energy density of the laser irradiated to the surface of the organic light emitting device structure 600; It may include at least one of: adjusting the overlapping rate of the laser irradiated to the surface of the organic light emitting device structure 600.

상술했듯이 레이저의 누적에너지는 레이저의 밀도 또는 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률 중 적어도 어느 하나를 조절하여 변경이 가능하다. As described above, the accumulated energy of the laser can be changed by adjusting at least one of the laser density or the irradiation overlapping rate of the laser irradiated to the laser irradiation surface.

레이저의 조사중첩률을 조절하는 과정은 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 이동속도를 제어하는 과정 또는 조사면에 조사되는 레이저의 빈도수를 조절하는 과정 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 여기서 사용된 레이저는 연속형 레이저가 아닌 펄스형 레이저 일 수 있다.The process of adjusting the irradiation overlapping rate of the laser may include at least one of a process of controlling a moving speed of a laser irradiated to the laser irradiation surface or a process of controlling a frequency of a laser irradiated onto the irradiation surface. In addition, the laser used herein may be a pulsed laser rather than a continuous laser.

반면에 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 순간적으로 조사영역에 조사되는 레이저의 에너지가 높아야 조사되는 영역 이외의 부분에 레이저의 에너지에 따른 영향을 받지 않을 수 있다. 이러한 차이가 있기 때문에 열에너지를 전달하는 과정 및 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 서로 다른 레이저 일때는 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 연속형 레이저 일 수 있고, 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 펄스 레이저 일 수 있고 펄스폭은 나노초 내지 펨토초 일 수 있으며 바람직하게는 펨토초인 레이저 일 수 있다.On the other hand, the laser used in the process of determining the peeling area may not be affected by the energy of the laser in parts other than the irradiated area only when the energy of the laser irradiated to the irradiated area is high. Because of this difference, the laser used in the process of transferring thermal energy and the process of determining the separation region may be the same laser or different lasers. In the case of different lasers, the laser used in the process of transferring thermal energy that does not have to have high instantaneous energy may be a continuous laser, and the laser used in the process of determining the separation area where the instantaneous energy should be high may be a pulsed laser. And the pulse width may be nanoseconds to femtoseconds, preferably a femtosecond laser.

반면에 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 순간적으로 조사영역에 조사되는 레이저의 에너지가 높아야 어블레이션 과정이 일어날 수 있으며 펄스폭이 짧은 레이저가 조사되는 영역 이외의 부분에 레이저의 에너지에 따른 영향을 받지 않을 수 있다. 동일한 출력을 지닌 레이저일 때 펄스폭이 짧아 열전달 시간이 짧아지면 동일한 출력을 짧은 시간에 발진해야 하므로 순간적인 레이저의 에너지가 높은 상태로 조사되고 짧은 시간에만 고에너지가 조사되기 때문에 조사되는 영역 외에는 영향을 주지 않을 수 있다. 이러한 차이가 있기 때문에 열에너지를 전달하는 과정 및 박리영역을 결정하는 과정에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 서로 다른 레이저 일때는 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 열에너지를 전달하는 과정에서 사용되는 레이저는 연속형 레이저 일 수 있고, 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역을 결정하는 과정에서 사용되는 레이저는 펄스 레이저 일 수 있고 펄스폭은 나노초 내지 펨토초 일 수 있으며 바람직하게는 펨토초인 레이저 일 수 있다. On the other hand, the laser used in the process of determining the separation area can cause the ablation process to occur only when the energy of the laser irradiated to the irradiated area is instantaneously high. May not be affected. In the case of a laser with the same output, if the pulse width is short and the heat transfer time is short, the same output must be oscillated in a short time. Therefore, the instantaneous laser is irradiated with high energy and high energy is irradiated only for a short time. May not give. Because of this difference, the laser used in the process of transferring thermal energy and the process of determining the separation region may be the same laser or different lasers. In the case of different lasers, the laser used in the process of transferring thermal energy that does not have to have high instantaneous energy may be a continuous laser, and the laser used in the process of determining the separation area where the instantaneous energy should be high may be a pulsed laser. And the pulse width may be nanoseconds to femtoseconds, preferably a femtosecond laser.

한편, 위에서 사용되는 모든 레이저는 파장의 종류에 따라 IR, Green 또는 UV 파장이 이용될 수 있고, 본 발명의 실시예에 따른 레이저는 펨토초 펄스폭을 가지며 IR파장의 fiber레이저 일 수 있다. fiber레이저는 상대적으로 비용이 저렴하고 크기가 작은 장점이 있다. 하지만 이는 실시예인뿐 실시예에 한정되지는 않는다.Meanwhile, all of the lasers used above may use IR, Green, or UV wavelengths depending on the type of wavelength, and the laser according to the embodiment of the present invention may be a fiber laser having a femtosecond pulse width and an IR wavelength. Fiber lasers have advantages of relatively low cost and small size. However, this is only an example and is not limited to the example.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물(100) 박리 장치를 나타낸 블럭도이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략거나 간단히 기술할 수 있다.6 is a block diagram showing an apparatus for peeling a laminated structure 100 according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components regardless of the reference numerals are given the same reference numerals, and redundant descriptions thereof may be omitted or simply described. have.

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 적층구조물(100) 수리 장치는 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체(110), 및 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 갖는 제2 레이어를 구비하는 제2 단위 구조체(120)를 포함하는 적층구조물(100)을 지지하는 지지대(500); 레이저의 누적에너지가 서로 다른 복수의 조사 모드 중 어느 하나를 선택하는 모드 선택부(200); 상기 모드 선택부(200)에 의해 선택된 모드에 따른 레이저 제어신호를 생성하는 제어부(300); 및 상기 레이저 제어신호를 수신하여 선택된 모드에 대응하는 누적에너지의 레이저를 상기 적층구조물(100) 표면에 조사하는 레이저 조사부(400);를 포함하고, 상기 복수의 조사모드는 박리모드를 포함하고, 모드 선택부(200)에서 박리모드가 선택된 경우 레이저 조사부(400)는 상기 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달함으로써, 상기 열에너지로 인한 상기 제1 단위 구조체(110) 및 상기 제2 단위 구조체(120)의 열팽창 차이에 의해 상기 제1 단위 구조체(110)로부터 상기 제2 단위 구조체(120)의 적어도 일부가 박리될 수 있다.6, the apparatus for repairing a laminated structure 100 according to an embodiment of the present invention includes a first unit structure 110 including a first layer, and a second layer having a different coefficient of thermal expansion than the first layer. A support 500 for supporting the stacked structure 100 including the second unit structure 120 having a; A mode selection unit 200 for selecting any one of a plurality of irradiation modes having different accumulated energy of the laser; A control unit 300 generating a laser control signal according to the mode selected by the mode selection unit 200; And a laser irradiation unit 400 for receiving the laser control signal and irradiating the surface of the laminated structure 100 with a laser having an accumulated energy corresponding to the selected mode, wherein the plurality of irradiation modes include a peeling mode, When the peeling mode is selected in the mode selection unit 200, the laser irradiation unit 400 irradiates a laser to at least a portion of the surface of the laminated structure 100 to transfer thermal energy, thereby transmitting the thermal energy to the first unit structure 110 due to the thermal energy. ) And at least a part of the second unit structure 120 may be peeled from the first unit structure 110 due to a difference in thermal expansion of the second unit structure 120.

지지대(500)는 박리가 진행될 수 있도록 적층구조물(100)을 움직이지 않게 고정하거나 고정된 적층구조물(100)을 이동시킬 수 있다. 적층구조물(100)을 이루는 제1 단위 구조체(110)는 단층 또는 여러 층의 레이어로 구성될 수 있고 그 중 제1 레이어를 포함할 수 있다. 제2 단위 구조체(120)도 또한 단층 또는 여러 층의 레이어로 구성될 수 있고 그 중 제2 레이어는 상기 제1 레이어와 서로 다른 열팽창계수를 가진다. 본 발명의 실시예에 따른 적층 구조물은 제1 레이어 및 제2 레이어의 두께가 충분히 두꺼울 수 있고 제1 레이어 및 제2 레이어는 서로 인접하여 제공되거나 서로 직접적으로 맞닿게 제공될 수 있으며 제2 레이어의 열팽창계수가 제1 레이어보다 클 수 있다 그렇기 때문에 제1 단위 구조체 및 제2 단위 구조체는 제1 레이어 및 제2 레이어에 의해 각각 열팽창계수가 결정 될 수 있다. 또한, 제1 단위 구조체(110) 및 제2 단위 구조체(120)는 상대적으로 약한 결합력으로 결합될 수 있다.The support 500 may fix the stacked structure 100 so that peeling can proceed, or may move the fixed stacked structure 100. The first unit structure 110 constituting the stacked structure 100 may be composed of a single layer or multiple layers, and may include a first layer among them. The second unit structure 120 may also be composed of a single layer or multiple layers, of which the second layer has a different coefficient of thermal expansion than the first layer. In the laminated structure according to an embodiment of the present invention, the first layer and the second layer may have a sufficiently thick thickness, and the first layer and the second layer may be provided adjacent to each other or provided in direct contact with each other. The coefficient of thermal expansion may be greater than that of the first layer Therefore, the coefficient of thermal expansion of the first unit structure and the second unit structure may be determined by the first layer and the second layer, respectively. In addition, the first unit structure 110 and the second unit structure 120 may be combined with a relatively weak bonding force.

모드 선택부(200)는 조사영역에 조사되는 레이저의 누적에너지가 서로 다른 복수의 조사모드 중 어느 하나를 선택할 수 있다. 선택된 모드에 따라 후술할 제어부(300)의 누적에너지 변동부(310)에 의해 레이저의 누적에너지가 달라지도록 할 수 있다. The mode selector 200 may select any one of a plurality of irradiation modes in which the accumulated energy of the laser irradiated to the irradiation area is different from each other. According to the selected mode, the accumulated energy of the laser may be changed by the accumulated energy fluctuation unit 310 of the controller 300 to be described later.

제어부(300)는 모드 선택부(200)에서 선택된 모드에 따른 레이저 제어신호를 생성할 수 있다. 제어부(300)는 제어신호 생성부(320)를 포함할 수 있고 제어신호 생성부(320)에서 생성된 레이저 제어신호는 레이저 조사부(400)로 전송 될 수 있다.The control unit 300 may generate a laser control signal according to the mode selected by the mode selection unit 200. The control unit 300 may include a control signal generation unit 320, and the laser control signal generated by the control signal generation unit 320 may be transmitted to the laser irradiation unit 400.

레이저 조사부(400)는 레이저 제어신호를 수신하여 선택된 모드에 대응되는 누적에너지로 적층구조물(100) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 수 있다. 본 발명에 따른 실시예는 적층구조물(100)을 이루는 제1 단위 구조체(110) 및 제2 단위 구조체(120) 중 열팽창계수 값이 더 큰 제2 레이어를 포함한 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사할 수 있다. The laser irradiation unit 400 may receive a laser control signal and irradiate a laser onto at least a portion of the surface of the laminated structure 100 with accumulated energy corresponding to the selected mode. According to an embodiment of the present invention, the surface of the second unit structure 120 including a second layer having a higher coefficient of thermal expansion among the first unit structure 110 and the second unit structure 120 constituting the stacked structure 100 At least some areas can be irradiated with a laser.

한편, 레이저 조사부(400)는 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진부; 발진된 레이저 빔의 진행경로를 변경하는 광학부;를 포함할 수 있다. 광학부는 제어부(300)에 의해 제어되며 제어부(300)에서 생성된 제어신호는 발진된 레이저 빔의 진행경로를 변경하여 조사영역에 조사되는 레이저의 진행경로를 변경할 수 있다. 광학부는 조사되는 레이저의 진행경로를 변경하는 갈바노 미러, 조사되는 레이저를 라인빔 형태로 변환하는 라인빔 성형부 또는 조사되는 레이저의 면적을 넓혀 면형태의 빔으로 변형하는 빔 성형부; 중 적어도 어느 하나를 포함 할 수 있다. 갈바노 미러는 X축을 조절하는 X축 갈바노 미러 및 Y축을 조절하는 Y축 갈바노 미러를 포함할 수 있으며 조사되는 레이저를 X축 또는 Y축 갈바노 미러를 제어하여 적층구조물(100) 적어도 일부 영역 전체에 레이저가 조사되도록 할 수 있다. 라인빔 성형부는 적층구조물(100) 적어도 일부 영역에 레이저가 조사될 때 조사되는 레이저의 형태를 라인 빔 형태로 성형하여 조사할 수 있다. 또한, 빔 성형부에 의해 적층구조물(100) 적어도 일부 영역에 조사되는 레이저의 면적이 상기 영역 전체를 조사할 수 있을 정도로 빔 성형부에 의해 크기를 키워 조사할 수 있다.Meanwhile, the laser irradiation unit 400 includes a laser oscillation unit for oscillating a laser beam; It may include; an optical unit for changing the traveling path of the oscillated laser beam. The optical unit is controlled by the control unit 300, and the control signal generated by the control unit 300 may change the progression path of the oscillated laser beam to change the progression path of the laser irradiated to the irradiation area. The optical unit may include a galvano mirror that changes the path of the irradiated laser, a line beam forming unit that converts the irradiated laser into a line beam form, or a beam forming unit that expands the area of the irradiated laser and transforms it into a planar beam; It may include at least any one of. The galvano mirror may include an X-axis galvano mirror for adjusting the X-axis and a Y-axis galvano mirror for adjusting the Y-axis, and at least part of the laminated structure 100 by controlling the irradiated laser to the X-axis or Y-axis galvano mirror. The laser can be irradiated over the entire area. When the laser is irradiated to at least a portion of the laminated structure 100, the line beam shaping unit may form a laser beam to be irradiated to form a line beam. In addition, the size of the laser irradiated to at least a portion of the laminated structure 100 by the beam shaping unit may be increased in size to irradiate the entire region.

복수의 조사모드는 박리모드를 포함할 수 있는데 박리모드로 선택됨에 따라 제어부(300)에서는 레이저 제어신호를 생성하고 레이저 조사부(400)는 열팽창계수가 상대적으로 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120) 표면의 적어도 일부 영역에 레이저를 조사하여 열에너지를 전달할 수 있다. 제2 단위구조체에 조사되는 열에너지는 열전달에 의해 제1 단위 구조체에 열이 전달이 될 수 있다.The plurality of irradiation modes may include a peeling mode. As the peeling mode is selected, the control unit 300 generates a laser control signal, and the laser irradiation unit 400 is a second unit including a second layer having a relatively large coefficient of thermal expansion. Thermal energy may be transmitted by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the structure 120. Heat energy irradiated to the second unit structure may be transferred to the first unit structure by heat transfer.

상대적으로 열팽창계수가 큰 제2 레이어를 포함하는 제2 단위 구조체(120)에 열에너지를 전달됨으로써 작은 열팽창계수를 가지는 제1 레이어를 포함하는 제1 단위 구조체(110)보다 열팽창이 더 많이 일어나 제1 단위구조체 및 제2 단위구조체의 열팽창 차이에 의해 상대적으로 열팽창이 더 많이 발생한 제2 단위 구조체(120)가 제1 단위 구조체(110)로부터 박리될 수 있다.When thermal energy is transferred to the second unit structure 120 including the second layer having a relatively large coefficient of thermal expansion, thermal expansion occurs more than the first unit structure 110 including the first layer having a small coefficient of thermal expansion. The second unit structure 120 having relatively more thermal expansion due to a difference in thermal expansion between the unit structure and the second unit structure may be peeled off from the first unit structure 110.

상기 복수의 조사 모드는, 상기 박리모드에서 사용된 레이저의 누적에너지보다 큰 누적에너지의 가지는 박리영역 결정모드를 더 포함할 수 있다. 상기 레이저 조사부(400)는,상기 분리영역 결정모드로 선택된 경우 상기 레이저를 상기 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사함으로써 어브렐이션 과정이 진행되어 상기 제2 단위 구조체(120)의 가장자리를 이루는 물질이 제거될 수 있다.The plurality of irradiation modes may further include a separation region determination mode having a cumulative energy greater than the cumulative energy of the laser used in the separation mode. When the laser irradiation unit 400 is selected as the separation region determination mode, the ablation process proceeds by irradiating the laser along the edge of the region so that the material forming the edge of the second unit structure 120 is Can be removed.

복수의 조사 모드는 앞서 살펴본 바와 같이 박리모드를 포함할 수 있는데 박리영역 결정모드에서 사용되는 레이저의 누적에너지는 박리모드에서 사용되는 레이저의 누적에너지보다 더 클 수 있다. 모드 선택부(200)에서 박리영역 결정모드로 선택되면 제어부(300)에서는 레이저 제어신호를 생성하여 레이저 조사부(400)에 전송할 수 있고 레이저 조사부(400)는 전송된 레이저 제어신호를 수신받아 박리모드보다 상대적으로 큰 누적에너지의 레이저를 조사 할 수 있다. 박리영역 결정모드로 선택되어 레이저 제어신호를 수신한 레이저 조사부(400)는 적층구조물(100) 적어도 일부 영역의 가장자리를 따라 레이저를 조사할 수 있다. 이는 적층구조물(100) 중 박리가 되어야 하는 일정 영역의 외곽부에 상대적으로 누적에너지가 높은 레이저를 조사함으로써 어블레이션 공정이 진행됨으로써 조사되는 영역 주변부에는 영향을 거의 주지 않으면서 레이저가 조사되는 해당 부분의 물질이 제거가 되어 박리영역이 결정 될 수 있다.The plurality of irradiation modes may include a peeling mode as described above, and the accumulated energy of the laser used in the peeling region determination mode may be greater than the accumulated energy of the laser used in the peeling mode. When the mode selection unit 200 selects the separation area determination mode, the control unit 300 can generate a laser control signal and transmit it to the laser irradiation unit 400, and the laser irradiation unit 400 receives the transmitted laser control signal and receives the transmitted laser control signal to the separation mode. It is possible to irradiate a laser with a relatively large cumulative energy. The laser irradiation unit 400 selected as the separation region determination mode and receiving the laser control signal may irradiate the laser along the edge of at least a partial region of the laminated structure 100. This is because the ablation process proceeds by irradiating a laser having a relatively high accumulated energy to the outer portion of a certain area to be peeled off of the laminated structure 100, so that the laser irradiated portion has little effect on the periphery of the irradiated area. As the material of is removed, the peeling area can be determined.

상기 제어부(300)는, 상기 복수의 조사 모드에 따라 레이저의 누적에너지를 변경하는 누적에너지 변동부(310);를 포함할 수 있다. 상기 누적에너지 변동부(310)는, 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 에너지 밀도를 변경하는 에너지 밀도 변경부(311); 및 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 변경하는 조사중첩률 변경부(312); 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The control unit 300 may include a cumulative energy fluctuation unit 310 for changing the cumulative energy of the laser according to the plurality of irradiation modes. The accumulated energy fluctuation unit 310 may include an energy density change unit 311 for changing an energy density of a laser irradiated onto the laser irradiation surface; And an irradiation overlapping rate changing unit 312 for changing an irradiation overlapping rate of the laser irradiated on the laser irradiation surface. It may include at least any one of.

복수의 조사모드에 따라서 누적에너지를 변경하기 위하여 제어부(300)는 레이저의 누적에너지를 변경할 수 있는 누적에너지 변동부(310)를 포함할 수 있다. 상술했듯이 하나의 레이저로 적층구조물(100) 적어도 일부 영역에 열에너지를 전달하거나 적층구조물(100) 적어도 일부 영역 가장자리에 높은 누적에너지로 레이저를 조사하기 위해서는 누적에너지를 변경할 수 있는 구성이 필수적일 수 있다. In order to change the accumulated energy according to a plurality of irradiation modes, the controller 300 may include a cumulative energy fluctuation unit 310 capable of changing the accumulated energy of the laser. As described above, in order to transmit thermal energy to at least a portion of the stacked structure 100 with one laser or to irradiate the laser with high cumulative energy at the edge of at least a portion of the stacked structure 100, a configuration capable of changing the cumulative energy may be essential. .

이렇게 레이저의 누적에너지를 변경하기 위해서는 레이저의 에너지 밀도 또는 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률 중 적어도 어느 하나를 조절하여 누적에너지를 변경할 수 있다. 레이저의 에너지 밀도를 변경하는 에너지 밀도 변경부(311)는 레이저의 출력을 제어하는 출력 조절부; 또는 레이저 조사면에 조사되는 레이저 빔의 크기를 제어하는 빔크기 조절부; 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 조사중첩률을 변경하는 조사중첩률 변경부(312)는 레이저 조사면에 조사되는 레이저의 이동속도를 제어하는 이동속도 조절부; 또는 조사면에 조사되는 레이저의 빈도수를 조절하는 빈도수 조절부; 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 여기서 사용된 레이저는 연속형 레이저가 아닌 펄스형 레이저 일 수 있다.In order to change the accumulated energy of the laser, the accumulated energy may be changed by adjusting at least one of the energy density of the laser or the irradiation overlap rate of the laser irradiated to the laser irradiation surface. The energy density changing unit 311 for changing the energy density of the laser includes an output adjusting unit for controlling the output of the laser; Or a beam size control unit for controlling the size of the laser beam irradiated to the laser irradiation surface; It may include at least any one of. The irradiation overlapping rate changing unit 312 for changing the irradiation overlapping rate of the laser irradiated on the laser irradiation surface includes a movement speed adjusting unit for controlling the moving speed of the laser irradiated on the laser irradiation surface; Or a frequency control unit for adjusting the frequency of the laser irradiated to the irradiation surface; It may include at least any one of. In addition, the laser used herein may be a pulsed laser rather than a continuous laser.

본 발명의 실시예에서는 상기 박리모드에서 사용된 레이저는 연속형 레이저이고 상기 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 펄스 레이저인 조합이거나, 또는 상기 박리모드에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저이고, 상기 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저보다 펄스폭이 짧은 제2 펄스폭을 갖는 펄스레이저 조합을 이용할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the laser used in the separation mode is a continuous laser and the laser used in the separation region determination mode is a combination of a pulse laser, or the laser used in the separation mode is a pulse having a first pulse width. The laser is a laser, and the laser used in the separation region determination mode may be a combination of a pulse laser having a second pulse width shorter than that of a pulse laser having a first pulse width.

본 발명의 따른 실시예는 상술했듯이 박리모드 및 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 박리모드에서 사용된 레이저는 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저보다 순간적으로 조사되는 레이저의 에너지가 낮게 조사되어도 박리가 가능하다. 반면에 박리영역을 결정모드에서 사용되는 레이저는 순간적으로 조사영역에 조사되는 레이저의 에너지가 높아야 조사되는 영역 이외의 부분에 레이저의 에너지에 따른 영향을 받지 않을 수 있다. 이러한 차이가 있기 때문에 박리모드 및 박리영역 결정모드에서 사용된 레이저는 동일 레이저 일 수 있고, 서로 다른 레이저 일 수 있다. 서로 다른 레이저 일때는 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 박리모드에서 사용되는 레이저는 연속형 레이저 일 수 있고, 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역 결정모드에서 사용되는 레이저는 펄스 레이저 일 수 있고 펄스폭은 나노초 내지 펨토초 일 수 있으며 바람직하게는 펨토초인 레이저 일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, as described above, the lasers used in the separation mode and the separation region determination mode may be the same laser or different lasers. The laser used in the peeling mode can be peeled even if the energy of the laser irradiated instantly is lower than that of the laser used in the peeling region determination mode. On the other hand, the laser used in the separation region determination mode may not be affected by the laser energy in parts other than the irradiated region only when the energy of the laser irradiated to the irradiated region is instantaneously high. Because of this difference, the laser used in the separation mode and the separation region determination mode may be the same laser or different lasers. In the case of different lasers, the laser used in the separation mode where the instantaneous energy does not need to be high may be a continuous laser, and the laser used in the separation region determination mode where the instantaneous energy must be high may be a pulsed laser and the pulse width is nanoseconds. To femtosecond, preferably a femtosecond laser.

반면에 같은 레이저를 사용하기 위해서는 순간적인 에너지를 조절할 수 있는 레이저여야 한다. 그렇기 때문에 같은 레이저는 펄스 레이저 일 수 있다. 순간적인 에너지가 높지 않아도 되는 박리모드에서 사용되는 레이저는 제1 펄스폭을 갖는 펄스레이저 일 수 있고 순간적인 에너지가 높아야 하는 박리영역 결정모드에서 사용되는 레이저는 제1 펄스폭 보다 짧은 펄스폭을 갖는 제2 펄스폭을 가지는 펄스 레이저 일 수 있다. 제2 펄스폭을 가지는 펄스 레이저는 바람직하게는 펨토초를 가지를 펄스 레이저 일 수 있다. 이렇게 동일레이저를 이용하는 것은 프로세스의 단순성과 장치 구성의 편리성을 감안 했기 때문이다. 이렇게 박리영역 조사모드로 레이저가 조사되는 적층구조물의 가장자리를 어블레이션 과정을 통해 제거 함으로써 박리모드의 레이저를 해당 부분에 조사할때 적층구조물의 가장자리 바깥쪽으로는 열에너지가 전달되지 않아 선택적으로 원하는 부분만 박리하기가 용이해 질 수 있다.On the other hand, in order to use the same laser, it must be a laser that can control instantaneous energy. So the same laser can be a pulsed laser. The laser used in the separation mode where the instantaneous energy does not need to be high may be a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the separation region determination mode where the instantaneous energy must be high has a pulse width shorter than the first pulse width. It may be a pulsed laser having a second pulse width. The pulsed laser having the second pulse width may preferably be a pulsed laser having femtoseconds. This use of the same laser is due to the simplicity of the process and the convenience of the device configuration. By removing the edge of the laminated structure irradiated with the laser in the peeling area irradiation mode through the ablation process, when the laser in the peeling mode is irradiated to the corresponding part, heat energy is not transmitted to the outside of the edge of the laminated structure. It can be easy to peel off.

한편, 위에서 사용되는 모든 레이저는 파장의 종류에 따라 IR, Green 또는 UV 파장이 이용될 수 있고, 본 발명의 실시예에 따른 레이저는 펨토초 펄스폭을 가지며 IR파장의 fiber레이저 일 수 있다. fiber레이저는 상대적으로 비용이 저렴하고 크기가 작은 장점이 있다. 하지만 이는 실시예일뿐 실시예에 한정되지는 않는다.Meanwhile, all of the lasers used above may use IR, Green, or UV wavelengths depending on the type of wavelength, and the laser according to the embodiment of the present invention may be a fiber laser having a femtosecond pulse width and an IR wavelength. Fiber lasers have advantages of relatively low cost and small size. However, this is only an example and is not limited to the example.

이와 같이, 본 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, although specific embodiments have been described in the description of the present invention, various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments and should not be defined by the claims to be described below, as well as by the claims and equivalents.

100: 적층구조물 110: 제1 단위 구조체
120: 제2 단위 구조체 200: 모드 선택부
300: 제어부 310: 누적에너지 변동부
311: 에너지 밀도 변경부 312: 조사중첩률 변경부
320: 제어신호 생성부 400: 레이저 조사부
500: 지지대 600: 유기발광소자 구조물
601: 캐리어 글래스 602: 필름층
603: 유기발광소자 610: 분리부
620: 유기발광 적층체 630: 커버층
640: 박막봉지층 L : 레이저 빔 100: laminated structure 110: first unit structure
120: second unit structure 200: mode selection unit
300: control unit 310: accumulated energy fluctuation unit
311: energy density change unit 312: irradiation overlap rate change unit
320: control signal generation unit 400: laser irradiation unit
500: support 600: organic light emitting device structure
601: carrier glass 602: film layer
603: organic light emitting device 610: separation unit
620: organic light emitting laminate 630: cover layer
640: thin film encapsulation layer L: laser beam

Claims

Providing a stacked structure including a first unit structure including a first layer and a second unit structure including a second layer having a coefficient of thermal expansion different from that of the first layer;
Determining a separation area by irradiating a laser along an edge of at least a partial area of the surface of the laminated structure;
Transmitting thermal energy by irradiating a laser to the region; And
The process of separating at least a part of the second unit structure from the first unit structure by a difference in thermal expansion between the first unit structure and the second unit structure due to the thermal energy.

delete

The method of claim 1,
The process of determining the peeling area or changing the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy;

The method of claim 1,
A method of peeling a laminated structure in which the accumulated energy of the laser used in the process of determining the peeling area is greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.

The method of claim 3,
The process of changing the accumulated energy,
Adjusting the energy density of the laser irradiated to the surface of the laminated structure; And
Adjusting the irradiation overlapping rate of the laser irradiated on the surface of the laminated structure; Stacked structure peeling method comprising at least any one of.

The method of claim 1,
The laser used in the process of transmitting the thermal energy is a continuous laser, and the laser used in the process of determining the separation region is a combination of a pulse laser, or
The laser used in the process of transmitting the thermal energy is a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the process of determining the separation region has a second pulse width shorter than that of the pulse laser having the first pulse width. A method of peeling a laminated structure, which is a combination of a pulsed laser.

A process of providing an organic light-emitting device structure including an organic light-emitting laminate, a cover layer provided on the organic light-emitting laminate to improve optical properties, and a thin film encapsulation layer formed on the cover layer to prevent penetration of moisture ;
Checking defects formed in the thin film encapsulation layer;
Transmitting thermal energy by irradiating a laser to at least a portion of the surface of the organic light emitting device structure including the identified defect; And
And a process in which the cover layer and the thin film encapsulation layer have different coefficients of thermal expansion, and at least a part of the thin film encapsulation layer is separated from the cover layer by a difference in thermal expansion due to the thermal energy.

The method of claim 7,
The organic light emitting device structure is provided in plurality,
A method of repairing an organic light-emitting device in which each of the organic light-emitting device structures is independently provided by a separation unit provided between a plurality of organic light-emitting device structures.

The method of claim 7,
The cover layer is made of fluoride,
A method for repairing an organic light-emitting device comprising an inorganic layer as the lowermost layer of the thin film encapsulation layer in which organic and inorganic layers are alternately stacked.

The method of claim 7,
The method of repairing an organic light-emitting device further comprising: irradiating a laser along an edge of a certain area of the organic light-emitting device structure including the defect to determine a separation area.

The method of claim 10,
The method of repairing an organic light-emitting device further comprising: determining the separation region or changing the accumulated energy of the laser used in the process of transmitting the thermal energy.

The method of claim 10,
The method of repairing an organic light-emitting device in which the accumulated energy of the laser used in the process of determining the separation area is greater than the accumulated energy of the laser used in the process of transferring the thermal energy.

The method of claim 11,
The process of changing the accumulated energy,
Adjusting the energy density of the laser irradiated to the surface of the organic light emitting device structure;
The method of repairing an organic light emitting device comprising at least one of; adjusting the overlapping rate of the laser irradiated to the surface of the organic light emitting device structure.

The method of claim 10,
The laser used in the process of transferring the thermal energy is a continuous laser, and the laser used in the process of determining the separation area is a pulsed laser combination, or
The laser used in the process of transmitting the thermal energy is a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the process of determining the separation region has a second pulse width shorter than that of the pulse laser having the first pulse width. An organic light emitting device repair method that is a combination of a pulsed laser.

A support for supporting a stacked structure including a first unit structure including a first layer and a second unit structure including a second layer having a coefficient of thermal expansion different from that of the first layer;
A mode selector for selecting any one of a plurality of irradiation modes having different accumulated energy of the laser;
A control unit for generating a laser control signal according to the mode selected by the mode selection unit; And
Including; a laser irradiation unit for receiving the laser control signal and irradiating a laser of the accumulated energy corresponding to the selected mode on the surface of the laminated structure, and
The plurality of irradiation modes include a peeling mode,
When the peeling mode is selected in the mode selection unit, the laser irradiation unit irradiates a laser to at least a portion of the surface of the laminated structure to transmit thermal energy, thereby A laminated structure peeling apparatus in which at least a part of the second unit structure is peeled from the first unit structure.

The method of claim 15,
The plurality of irradiation modes,
A stacked structure peeling apparatus further comprising a peeling region determination mode having an accumulated energy greater than the accumulated energy of the laser used in the peeling mode.

The method of claim 16,
The laser irradiation unit,
When the separation area determination mode is selected, the edge of the area of the second unit structure is removed by irradiating the laser along the edge of the area.

The method of claim 15,
The control unit,
Stacked structure peeling apparatus comprising a; cumulative energy fluctuation unit for changing the cumulative energy of the laser according to the plurality of irradiation modes.

The method of claim 18,
The accumulated energy fluctuation unit,
An energy density changing unit for changing the energy density of the laser irradiated on the laser irradiation surface; And
An irradiation overlap rate change unit for changing an irradiation overlap rate of a laser irradiated onto the laser irradiation surface; A laminated structure peeling device comprising at least any one of.

The method of claim 16,
The laser used in the separation mode is a continuous laser and the laser used in the separation region determination mode is a combination of pulsed lasers, or
The laser used in the separation mode is a pulse laser having a first pulse width, and the laser used in the separation region determination mode is of a pulse laser having a second pulse width shorter than that of a pulse laser having a first pulse width. Combined laminated structure peeling device.