KR20200046785A - Master Mold and Method for Manufacturing The Same - Google Patents

Master Mold and Method for Manufacturing The Same Download PDF

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KR20200046785A
KR20200046785A KR1020180128395A KR20180128395A KR20200046785A KR 20200046785 A KR20200046785 A KR 20200046785A KR 1020180128395 A KR1020180128395 A KR 1020180128395A KR 20180128395 A KR20180128395 A KR 20180128395A KR 20200046785 A KR20200046785 A KR 20200046785A
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master mold
substrate
protective layer
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pattern layer
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김용남
김혜영
연효동
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미래나노텍(주)
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Abstract

The present invention relates to a master mold which can be formed to have a large area, can be produced at relatively low costs, is eco-friendly, and has excellent durability, and to a production method thereof. The master mold of the present invention comprises: a substrate; a pattern layer on the substrate; and a protective layer on the substrate and the pattern layer.

Description

마스터 몰드 및 그 제조방법{Master Mold and Method for Manufacturing The Same}Master Mold and Method for Manufacturing The Same}

본 발명은 임베디드 메탈 메쉬 타입의 터치 스크린 패널, 전자파 차폐 필름(EMI shielding film), 발열 필름, 안테나 등의 제조를 위한 마스터 몰드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 대면적화가 가능하고, 비교적 저렴한 비용으로 생산될 수 있고, 친환경적이며, 우수한 내구성을 갖는 마스터 몰드 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a master mold for manufacturing an embedded metal mesh type touch screen panel, an electromagnetic shielding film, a heating film, an antenna, and a manufacturing method thereof, more specifically, a large area is possible. , It can be produced at a relatively low cost, environmentally friendly, and relates to a master mold having excellent durability and a method for manufacturing the same.

메탈 메쉬 타입의 터치 스크린 패널, 전자파 차폐 필름, 발열 필름, 안테나 등의 제조를 위한 임프린팅 공정에 이용되는 몰드는 일반적으로 마스터 몰드를 이용하여 제조된다. 예를 들어, 상기 몰드는 열경화성 또는 광경화성 수지에 상기 마스터 몰드의 패턴을 임프린팅함으로써 제조될 수 있다.Molds used in the imprinting process for manufacturing metal mesh type touch screen panels, electromagnetic wave shielding films, heating films, antennas, etc. are generally manufactured using a master mold. For example, the mold can be prepared by imprinting a pattern of the master mold on a thermosetting or photocurable resin.

수십 마이크로미터 이상의 음각 폭을 갖는 마스터 몰드는 일반적으로 DTM(Direct Tooling Machine)을 이용하여 제조될 수 있다. 그러나, 수 마이크로미터 또는 서브마이크로미터의 미세 선폭을 구현하기 위해서는 포토리소그래피 공정을 통해 마스터 몰드의 패턴을 형성하여야 한다.Master molds having an engraved width of several tens of micrometers or more can generally be manufactured using a Direct Tooling Machine (DTM). However, in order to realize a fine line width of several micrometers or submicrometers, a pattern of a master mold must be formed through a photolithography process.

포토리소그래피 공정을 이용한 종래의 마스터 몰드 제조방법은, 일반적으로, (i) 기재를 세정하는 단계; (ii) 상기 기재 상에 금속 또는 금속 산화막을 증착하는 단계; (iii) 상기 금속이 증착된 기재를 세정하는 단계; (iv) 포토레지스트(PR)를 도포하는 단계; (v) 마스크를 이용하여 상기 PR을 선택적으로 노광시키는 단계; (vi) 현상(develop) 공정을 통해 상기 PR의 노광 또는 비노광 부분을 선택적으로 제거하는 단계; (vii) 잔존 PR 패턴을 마스크로 이용하여 상기 금속을 선택적으로 식각하는 단계; 및 (viii) 에싱(ashing) 공정을 통해 상기 잔존 PR 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.Conventional master mold manufacturing method using a photolithography process, generally, (i) cleaning the substrate; (ii) depositing a metal or metal oxide film on the substrate; (iii) cleaning the substrate on which the metal is deposited; (iv) applying photoresist (PR); (v) selectively exposing the PR using a mask; (vi) selectively removing the exposed or non-exposed portion of the PR through a development process; (vii) selectively etching the metal using the residual PR pattern as a mask; And (viii) removing the residual PR pattern through an ashing process.

상술한 종래의 제조방법은, 지나치게 많은 수의 공정들 요구하기 때문에 마스터 몰드의 생산성 저하 및 생산비 증가를 야기하고, 롤투롤(roll-to-roll) 공정의 적용이 불가능하기 때문에 대면적화가 어렵고, 식각 공정에서 사용되는 불소 함유 식각액으로 말미암아 환경 문제를 유발한다.The above-described conventional manufacturing method, because it requires an excessively large number of processes, leads to a decrease in productivity and an increase in production cost of the master mold, and a large area is difficult because it is impossible to apply a roll-to-roll process, The fluorine-containing etchant used in the etching process causes environmental problems.

위와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 'PR 패턴이 상면에 형성된 기재'를 마스터 몰드로 이용하는 것을 고려하여 볼 수 있다. 즉, 기재 상에 PR을 도포한 후 노광 및 현상 공정을 순차적으로 수행함으로써 기재 상에 PR 패턴들이 형성된 마스터 몰드를 제조할 경우, 공정 개수 감소 덕분에 생산비가 절감될 수 있고, 롤투롤 공정에 적합한 필름 기재를 사용할 수 있어 대면적화가 가능하며, 식각 공정이 생략될 수 있어 식각액으로 인한 환경 오염을 방지할 수 있다.In order to solve the problems of the prior art as described above, it can be considered to consider using a 'substrate with a PR pattern formed thereon' as a master mold. That is, when a master mold having PR patterns formed on a substrate is manufactured by sequentially performing an exposure and development process after applying PR on the substrate, production cost may be reduced due to a reduction in the number of processes, and suitable for a roll-to-roll process Since a film substrate can be used, a large area is possible, and the etching process can be omitted, thereby preventing environmental contamination due to the etching solution.

그러나, PR은 이형성(releasability)이 낮다는 문제가 있을 뿐만 아니라 필름 기재(예를 들어, PET 필름)와의 접착력이 좋지 못해 사용 중에 상기 기재로부터 박리될 위험이 크다. 이러한 낮은 이형성 및 낮은 내구성은 마스터 몰드에 있어서 치명적인 문제가 된다.However, PR not only has a problem of low releasability, but also has a poor risk of peeling from the substrate during use due to poor adhesion with a film substrate (eg, PET film). This low releasability and low durability is a fatal problem for the master mold.

따라서, 본 발명은 위와 같은 관련 기술분야의 문제점을 해결할 수 있는 마스터 몰드 및 그 제조방법에 관한 것이다.Accordingly, the present invention relates to a master mold and a method of manufacturing the same, which can solve the problems in the related technical field.

본 발명의 일 관점은, 대면적화가 가능하고, 비교적 저렴한 비용으로 생산될 수 있고, 친환경적이며, 우수한 내구성을 갖는 마스터 몰드를 제공하는 것이다.One aspect of the present invention is to provide a master mold having a large area, being able to be produced at a relatively low cost, environmentally friendly, and having excellent durability.

본 발명의 다른 관점은, 대면적화가 가능하고, 비교적 저렴한 비용으로 생산될 수 있고, 친환경적이며, 우수한 내구성을 갖는 마스터 몰드를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.Another aspect of the present invention is to provide a method for manufacturing a master mold having a large area, capable of being produced at a relatively low cost, environmentally friendly, and having excellent durability.

위에서 언급된 본 발명의 관점 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 설명되거나, 그러한 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the above-mentioned aspects of the present invention, other features and advantages of the present invention will be described below, or it will be clearly understood by those skilled in the art from the description.

위와 같은 본 발명의 일 관점에 따라, 기재(substrate); 상기 기재 상의 패턴층(patterned layer); 및 상기 기재와 상기 패턴층 상의 보호층(protecting layer)을 포함하는, 마스터 몰드가 제공된다.According to one aspect of the present invention as described above, the substrate (substrate); A patterned layer on the substrate; And a protective layer on the substrate and the pattern layer.

상기 기재는 합성수지, 유리, 실리콘(Si) 또는 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.The substrate may include synthetic resin, glass, silicon (Si), or nickel (Ni).

상기 기재는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름일 수 있다.The substrate may be a polyethylene terephthalate (PET) film.

상기 패턴층은 포토레지스트(photoresist)를 포함할 수 있다.The pattern layer may include photoresist.

상기 패턴층은 개질 표면(modified surface)을 가질 수 있다.The pattern layer may have a modified surface.

상기 보호층의 물에 대한 접촉각은 60° 이상일 수 있다.The contact angle of the protective layer with respect to water may be 60 ° or more.

상기 보호층의 두께는 50Å 내지 10㎛일 수 있다.The thickness of the protective layer may be 50Å to 10㎛.

상기 보호층은 금속, 금속 산화물, 또는 금속 질화물을 포함할 수 있다.The protective layer may include metal, metal oxide, or metal nitride.

상기 금속은 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, 또는 Nb일 수 있고, 상기 금속 산화물은 Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, 또는 Nb2O5일 수 있으며, 상기 금속 질화물은 AlN, SiN, 또는 TiN일 수 있다.The metal may be Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, or Nb, and the metal oxide is Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , It may be ITO, ZnO, or Nb 2 O 5 , and the metal nitride may be AlN, SiN, or TiN.

상기 마스터 몰드는 상기 패턴층과 상기 보호층 사이 및 상기 기재와 상기 보호층 사이의 버퍼층(buffer layer)을 더 포함할 수 있다. 상기 패턴층은 개질 표면을 가질 수 있으며, 상기 버퍼층은 상기 패턴층의 개질 표면 상에 위치할 수 있다.The master mold may further include a buffer layer between the pattern layer and the protective layer and between the substrate and the protective layer. The pattern layer may have a modified surface, and the buffer layer may be located on the modified surface of the pattern layer.

상기 보호층은 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5, AlN, SiN, 및 TiN으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제1 물질을 포함할 수 있고, 상기 버퍼층은 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5, AlN, SiN, 및 TiN으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제2 물질을 포함할 수 있으며, 상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 서로 다를 수 있다.The protective layer is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 O 5 , AlN, SiN, and may include a first material selected from the group consisting of TiN, the buffer layer is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 O 5 , It may include a second material selected from the group consisting of AlN, SiN, and TiN, the first material and The second material may be different.

상기 보호층과 상기 버퍼층 중 어느 하나는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, 또는 Nb의 금속을 포함하고 다른 하나는 Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, 또는 Nb2O5의 금속 산화물을 포함할 수 있다.One of the protective layer and the buffer layer includes a metal of Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, or Nb, and the other is Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, or Nb 2 O 5 .

상기 보호층과 상기 버퍼층 중 어느 하나는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, 또는 Nb의 금속을 포함하고 다른 하나는 AlN, SiN, 또는 TiN의 금속 질화물을 포함할 수 있다.One of the protective layer and the buffer layer includes a metal of Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, or Nb, and the other is AlN, SiN, Or metal nitride of TiN.

상기 보호층과 상기 버퍼층 중 어느 하나는 AlN, SiN, 또는 TiN의 금속 질화물을 포함하고 다른 하나는 Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, 또는 Nb2O5의 금속 산화물을 포함할 수 있다.One of the protective layer and the buffer layer includes a metal nitride of AlN, SiN, or TiN, and the other includes a metal oxide of Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, or Nb 2 O 5 can do.

본 발명의 다른 관점에 따라, 패턴층을 기재 상에 형성하는 단계; 및 상기 기재와 상기 패턴층 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는, 마스터 몰드 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the invention, forming a pattern layer on a substrate; And forming a protective layer on the substrate and the pattern layer.

상기 패턴층 형성 단계는, 상기 기재 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및 마스크를 이용한 노광 공정 및 현상 공정을 수행함으로써 상기 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the pattern layer may include applying a photoresist onto the substrate; And selectively removing the photoresist by performing an exposure process and a development process using a mask.

상기 제조방법은 상기 보호층을 형성하기 전에 상기 패턴층의 표면을 개질하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method may further include a step of modifying the surface of the pattern layer before forming the protective layer.

상기 패턴층의 표면 개질 단계는 상기 패턴층의 표면을 플라즈마로 처리하는 단계를 포함할 수 있다.The step of modifying the surface of the pattern layer may include treating the surface of the pattern layer with plasma.

상기 보호층 형성 단계는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5, AlN, SiN, 또는 TiN을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.The protective layer forming step is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 O 5 , AlN, SiN, or may include the step of depositing TiN.

상기 증착 단계는 스퍼터링(Sputtering) 방식, 화학기상증착(CVD) 방식, 또는 증발증착(Evaporation) 방식에 따라 수행될 수 있다.The deposition step may be performed according to a sputtering method, a chemical vapor deposition (CVD) method, or an evaporation method.

상기 제조방법은 상기 보호층을 형성하기 전에 상기 기재와 상기 패턴층 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method may further include forming a buffer layer on the substrate and the pattern layer before forming the protective layer.

상기 보호층 형성 단계는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5, AlN, SiN, 및 TiN으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제1 물질을 증착하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 버퍼층 형성 단계는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5, AlN, SiN, 및 TiN으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제2 물질을 증착하는 단계를 포함할 수 있으며, 상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 서로 다를 수 있다.The protective layer forming step is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 O 5 , AlN, SiN, and may include depositing a first material selected from the group consisting of TiN, wherein the buffer layer forming step is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, To deposit a second material selected from the group consisting of Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 O 5 , AlN, SiN, and TiN It may include a step, the first material and the second material may be different from each other.

상기 제조방법은 상기 버퍼층을 형성하기 전에 상기 패턴층의 표면을 개질하는 단계를 더 포함할 수 있다.The manufacturing method may further include the step of modifying the surface of the pattern layer before forming the buffer layer.

상기 패턴층의 표면 개질 단계는 상기 패턴층의 표면을 플라즈마로 처리하는 단계를 포함할 수 있다.The step of modifying the surface of the pattern layer may include treating the surface of the pattern layer with plasma.

위와 같은 일반적 서술 및 이하의 상세한 설명 모두는 본 발명을 예시하거나 설명하기 위한 것일 뿐으로서, 특허청구범위의 발명에 대한 더욱 자세한 설명을 제공하기 위한 것으로 이해되어야 한다.Both the above general description and the following detailed description are only intended to illustrate or describe the present invention, and should be understood to provide a more detailed description of the invention of the claims.

본 발명에 의하면, 대면적화가 가능하고, 친환경적이며, 우수한 내구성을 갖는 마스터 몰드가 상대적으로 저렴한 비용으로 제공될 수 있다.According to the present invention, a master mold having a large area, eco-friendly, and excellent durability can be provided at a relatively low cost.

첨부된 도면은 본 발명의 이해를 돕고 본 명세서의 일부를 구성하기 위한 것으로서, 본 발명의 실시예들을 예시하며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스터 몰드의 단면도이고,
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스터 몰드의 단면도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스터 몰드의 제조방법을 예시하고,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스터 몰드의 제조방법을 예시한다.The accompanying drawings are intended to help the understanding of the present invention and constitute a part of the present specification, and exemplify embodiments of the present invention, and describe the principles of the present invention together with a detailed description of the present invention.
1 is a cross-sectional view of a master mold according to an embodiment of the present invention,
2 is a cross-sectional view of a master mold according to another embodiment of the present invention,
Figure 3 illustrates a method of manufacturing a master mold according to an embodiment of the present invention,
4 illustrates a method of manufacturing a master mold according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명한다. 다만, 아래에서 설명되는 실시예들은 본 발명의 명확한 이해를 돕기 위한 예시적 목적으로 제시되는 것일 뿐, 본 발명의 범위를 제한하지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments described below are presented for illustrative purposes only to aid in a clear understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.It should be noted that in this specification, in addition to reference numerals to the components of each drawing, the same components have the same number as possible, even if they are displayed on different drawings.

또한, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.In addition, the meaning of the terms described in this specification should be understood as follows.

어떤 구조물이 다른 구조물 "상에" 또는 "아래에" 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 다만, "바로 위에" 또는 "바로 아래에"라는 용어가 사용될 경우에는, 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 것으로 제한되어 해석되어야 한다.When a structure is described as being formed "on" or "below" another structure, the description includes not only when these structures are in contact with each other, but also when a third structure is interposed between these structures. It should be interpreted as. However, when the terms “directly above” or “directly below” are used, the structures should be interpreted as being limited to being in contact with each other.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.It should be understood that a singular expression includes a plurality of expressions unless the context clearly defines otherwise, and the terms "first", "second", etc. are intended to distinguish one component from another component, The scope of rights should not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that terms such as “include” or “have” do not preclude the presence or addition possibility of one or more other features or numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1 항목, 제2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1 항목, 제2 항목, 또는 제3 항목 각각 뿐만 아니라 제1 항목, 제2 항목, 및 제3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.It should be understood that the term “at least one” includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of “at least one of the first item, the second item, and the third item” means each of the first item, second item, or third item, as well as the first item, second item, and third item It means a combination of all items that can be presented from two or more of them.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스터 몰드(100A)의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a master mold 100A according to an embodiment of the present invention.

도 1에 예시된 바와 같이, 본 발명의 마스터 몰드(100A)는 기재(110), 상기 기재 상의 패턴층(120a), 및 상기 기재(110)와 상기 패턴층(120a) 상의 보호층(130)을 포함한다.As illustrated in FIG. 1, the master mold 100A of the present invention includes a substrate 110, a pattern layer 120a on the substrate, and a protective layer 130 on the substrate 110 and the pattern layer 120a. It includes.

상기 기재(110)는 합성수지 필름, 유리 기판, 실리콘(Si) 기판, 또는 니켈(Ni) 기판일 수 있다. 롤투롤(roll-to-roll) 임프린팅 공정을 가능하게 하고 대면적화에 유리한 합성수지 필름, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름이 상기 기재(110)로 바람직하게 사용될 수 있다.The substrate 110 may be a synthetic resin film, a glass substrate, a silicon (Si) substrate, or a nickel (Ni) substrate. A synthetic resin film that enables a roll-to-roll imprinting process and is advantageous for large area, for example, polyethylene terephthalate (PET) film, can be preferably used as the substrate 110.

도 1에 도시된 바와 같이, 상기 패턴층(120a)은 서로 이격되어 있는 다수의 패턴들을 포함한다. 상기 패턴들은 감광성 고분자 물질, 즉 포토레지스트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트를 상기 기재(110) 상에 도포한 후 포토리소그래피 공정을 통해 상기 포토레지스트를 선택적으로 제거함으로써 상기 다수의 패턴들을 형성할 수 있다.As shown in FIG. 1, the pattern layer 120a includes a plurality of patterns spaced apart from each other. The patterns may include photosensitive polymer material, that is, photoresist. For example, the plurality of patterns may be formed by selectively removing the photoresist through a photolithography process after applying a photoresist on the substrate 110.

포지티브 포토레지스트와 네거티브 포토레지스트 중 그 어느 것이라도 상기 패턴층(120a)의 형성을 위해 사용될 수 있다.Either a positive photoresist or a negative photoresist can be used to form the pattern layer 120a.

전술한 바와 같이, 상기 기재(110) 및 포토레지스트 패턴들만으로 이루어진 구조를 마스터 몰드로 이용하는 것도 고려하여 볼 수 있다. 그러나, 포토레지스트 패턴들은 이형성(releasability)이 낮다는 문제가 있을 뿐만 아니라 기재(110)와의 접착력이 좋지 못해 사용 중에 상기 기재(110)로부터 박리될 위험이 크다.As described above, it can also be considered to consider using a structure composed of only the substrate 110 and the photoresist patterns as a master mold. However, photoresist patterns not only have a problem of low releasability, but also have a poor risk of peeling from the substrate 110 during use due to poor adhesion with the substrate 110.

따라서, 도 1에 예시된 바와 같이, 본 발명의 마스터 몰드(100A)는 상기 기재(110)와 상기 패턴층(120a) 상의 보호층(130)을 더 포함한다.Therefore, as illustrated in FIG. 1, the master mold 100A of the present invention further includes a protective layer 130 on the substrate 110 and the pattern layer 120a.

상기 보호층(130)의 두께는 50Å 내지 10㎛일 수 있다.The thickness of the protective layer 130 may be 50Å to 10㎛.

일반적으로, 친수성이 낮을수록(또는, 소수성이 클수록) 높은 이형성을 나타낸다. 따라서, 마스터 몰드(100A)를 이용한 임프린팅 공정이 원활히 수행될 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 보호층(130) 물(순수)에 대한 접촉각은 60° 이상일 수 있다.Generally, the lower the hydrophilicity (or the greater the hydrophobicity), the higher the releasability. Therefore, in order to enable the imprinting process using the master mold 100A to be performed smoothly, the contact angle with respect to the water (pure water) of the protective layer 130 of the present invention may be 60 ° or more.

상기 패턴층(120a)의 패턴들 사이에서 상기 기재(110)와 직접적으로 접촉하는 본 발명의 보호층(130)은 상기 기재(110)에 대해 우수한 접착력을 갖기 때문에 상기 기재(110)와 상기 패턴들 사이의 비교적 낮은 접착력에도 불구하고 마스터 몰드(100A)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 보호층(130)은 포토레지스트 패턴과의 접착력이 일반적으로 좋지 못한 필름 기재(예를 들어, PET 필름)의 사용을 가능하게 하고, 그 결과, 롤투롤(roll-to-roll) 임프린팅 공정에 적용될 수 있는 대면적의 마스터 몰드를 제조할 수 있다.Since the protective layer 130 of the present invention that directly contacts the substrate 110 between the patterns of the pattern layer 120a has excellent adhesion to the substrate 110, the substrate 110 and the pattern It is possible to improve the durability of the master mold 100A despite the relatively low adhesion between them. Accordingly, the protective layer 130 of the present invention enables the use of a film substrate (eg, PET film) having a poor adhesion with a photoresist pattern, and as a result, roll-to-roll. ) It is possible to manufacture a large area master mold that can be applied to the imprinting process.

물(순수)에 대한 접촉각이 60° 이상이며 상기 기재(110)와의 접착력이 우수한 본 발명의 보호층(130)은 금속, 금속 산화물, 또는 금속 질화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속은 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr(Ni과 Cr의 합금), Zr, Pt, Si, Fe, W, 또는 Nb일 수 있고, 상기 금속 산화물은 Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, 또는 Nb2O5일 수 있으며, 상기 금속 질화물은 AlN, SiN, 또는 TiN일 수 있다.The contact angle with respect to water (pure water) is 60 ° or more, and the protective layer 130 of the present invention having excellent adhesion to the substrate 110 may include metal, metal oxide, or metal nitride. For example, the metal may be Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr (alloy of Ni and Cr), Zr, Pt, Si, Fe, W, or Nb, and the metal oxide Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, or Nb 2 O 5 , and the metal nitride may be AlN, SiN, or TiN.

상기 보호층(130)과의 접착력 강화를 위하여, 상기 패턴층(120a)은 개질 표면(modified surface)을 가질 수 있다. 상기 패턴층(120a)과 상기 보호층(130)의 접착력 강화를 통해 마스터 몰드(100A)의 내구성이 더욱 향상될 수 있다. 다만, 본 발명이 개질 표면을 갖는 패턴층(120a)으로 제한되는 것은 아니며, 패턴들의 표면 개질 없이 상기 보호층(130)이 상기 기재(110) 및 상기 패턴들 상에 바로 형성되는 경우도 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.In order to enhance the adhesion with the protective layer 130, the pattern layer 120a may have a modified surface. The durability of the master mold 100A may be further improved by enhancing the adhesion between the pattern layer 120a and the protective layer 130. However, the present invention is not limited to the pattern layer 120a having a modified surface, and even when the protective layer 130 is directly formed on the substrate 110 and the patterns without modifying the surface of the patterns, the present invention It should be understood as belonging to the scope of the right.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스터 몰드(100B)의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a master mold 100B according to another embodiment of the present invention.

도 2에 예시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 의한 마스터 몰드(100B)는 패턴층(120a)과 보호층(130) 사이 및 기재(110)와 보호층(130) 사이에 버퍼층(140)을 더 포함한다는 것을 제외하고는 도 1의 마스터 몰드(100A)와 동일한 구조를 갖는다.As illustrated in FIG. 2, the master mold 100B according to another embodiment of the present invention includes a buffer layer 140 between the pattern layer 120a and the protective layer 130 and between the substrate 110 and the protective layer 130. It has the same structure as the master mold (100A) of Figure 1 except that it further includes.

상기 버퍼층(140)은 마스터 몰드(100B)의 유연성을 향상시키기 위한 층이다.The buffer layer 140 is a layer for improving flexibility of the master mold 100B.

패턴층(120a)의 패턴들 사이에서 기재(110)와 보호층(130)이 직접적으로 접촉하는 도 1의 마스터 몰드(100A)와 달리, 도 2에 예시된 실시예의 마스터 몰드(100B)에서는 상기 버퍼층(140)이 패턴층(120a)의 패턴들 사이에서 기재(110)와 직접 접촉한다. 따라서, 상기 기재(110)와 상기 패턴들 사이의 비교적 낮은 접착력에도 불구하고 마스터 몰드(100B)의 내구성을 향상시키기 위해서는 상기 버퍼층(140)이 상기 기재(110)에 대해 우수한 접착력을 가질 필요가 있다. 이러한 점에서, 상기 버퍼층(140)은 보호층(130) 형성을 위한 물질로 형성될 수 있다.Unlike the master mold 100A of FIG. 1 in which the substrate 110 and the protective layer 130 directly contact between the patterns of the pattern layer 120a, in the master mold 100B of the embodiment illustrated in FIG. The buffer layer 140 directly contacts the substrate 110 between the patterns of the pattern layer 120a. Therefore, in order to improve the durability of the master mold 100B despite the relatively low adhesion between the substrate 110 and the patterns, the buffer layer 140 needs to have excellent adhesion to the substrate 110. . In this regard, the buffer layer 140 may be formed of a material for forming the protective layer 130.

예를 들어, 상기 마스터 몰드(100B)의 보호층(130)과 버퍼층(140) 각각은 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5, AlN, SiN, 및 TiN으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 물질을 포함할 수 있다. 다만, 상기 보호층(130)의 물질과 상기 버퍼층(140)의 물질은 상이한 것이 바람직하다. For example, each of the protective layer 130 and the buffer layer 140 of the master mold 100B is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb , Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 O 5 , AlN, SiN, and TiN. However, it is preferable that the material of the protective layer 130 and the material of the buffer layer 140 are different.

상기 보호층(130)과 상기 버퍼층(140) 중 어느 하나는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, 또는 Nb의 금속을 포함하고 다른 하나는 Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, 또는 Nb2O5의 금속 산화물을 포함할 수 있다.Any one of the protective layer 130 and the buffer layer 140 includes Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, or Nb metal, and the other One may include Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, or a metal oxide of Nb 2 O 5 .

대안적으로, 상기 보호층(130)과 상기 버퍼층(140) 중 어느 하나는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, 또는 Nb의 금속을 포함하고 다른 하나는 AlN, SiN, 또는 TiN의 금속 질화물을 포함할 수 있다.Alternatively, any one of the protective layer 130 and the buffer layer 140 is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, or Nb. And the other may include a metal nitride of AlN, SiN, or TiN.

대안적으로, 상기 보호층(130)과 상기 버퍼층(140) 중 어느 하나는 AlN, SiN, 또는 TiN의 금속 질화물을 포함하고 다른 하나는 Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, 또는 Nb2O5의 금속 산화물을 포함할 수 있다. Alternatively, one of the protective layer 130 and the buffer layer 140 includes a metal nitride of AlN, SiN, or TiN, and the other is Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Or it may include a metal oxide of Nb 2 O 5 .

이하에서는, 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마스터 몰드(100A)의 제조방법을 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a master mold 100A according to an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIG. 3.

먼저, 도 3(a)에 예시된 바와 같이, 다수의 패턴들로 이루어진 패턴층(120)을 기재(110) 상에 형성한다.First, as illustrated in FIG. 3 (a), a pattern layer 120 made of a plurality of patterns is formed on the substrate 110.

상기 기재(110)는 합성수지 필름, 유리 기판, 실리콘(Si) 기판, 또는 니켈(Ni) 기판일 수 있다. 롤투롤 임프린팅 공정에 적합하고 대면적화에 유리한 합성수지 필름, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름이 상기 기재(110)로 바람직하게 사용될 수 있다.The substrate 110 may be a synthetic resin film, a glass substrate, a silicon (Si) substrate, or a nickel (Ni) substrate. A synthetic resin film suitable for a roll-to-roll imprinting process and advantageous for large area, for example, polyethylene terephthalate (PET) film may be preferably used as the substrate 110.

상기 패턴층(120) 형성 방법은 다음과 같다.The method of forming the pattern layer 120 is as follows.

먼저, 상기 기재(110) 상에 감광성 고분자 물질인 포토레지스트(PR)를 도포한다. 상기 PR은 스핀 코팅 방식을 이용하여 상기 기재(110) 상에 도포될 수 있으나, 다른 공지의 코팅 방식이 이용될 수도 있다.First, photoresist (PR), which is a photosensitive polymer material, is coated on the substrate 110. The PR may be applied on the substrate 110 using a spin coating method, but other known coating methods may be used.

이어서, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 이용하여 상기 PR 코팅층을 선택적으로 제거함으로써 PR 패턴들을 형성한다. 구체적으로, 마스크를 이용하여 상기 PR 코팅층을 선택적으로 노광(expose)시키고 현상(develop) 공정을 실시함으로써 노광된 부분(상기 PR이 포지티브 타입인 경우) 또는 마스킹된 부분(상기 PR이 네거티브 타입인 경우)을 선택적으로 제거한다. PR 코팅층의 선택적 제거를 통해 상기 패턴층(120)을 구성하는 패턴들이 형성된다.Subsequently, PR patterns are formed by selectively removing the PR coating layer using a photolithography process. Specifically, the exposed portion (when the PR is a positive type) or the masked portion (when the PR is a negative type) by selectively exposing and developing the PR coating layer using a mask ) Is selectively removed. Patterns constituting the pattern layer 120 are formed through selective removal of the PR coating layer.

이어서, 선택적 단계(optional step)로서, 도 3(b)에 예시된 바와 같이 상기 패턴층(120)의 표면을 개질할 수 있다. 전술한 바와 같이, 표면이 개질된 패턴층(120a)은 후속 공정을 통해 형성되는 보호층(130)에 대해 향상된 접착력을 갖기 때문에 마스터 몰드(100A)의 내구성을 증가시킬 수 있다.Subsequently, as an optional step, the surface of the pattern layer 120 may be modified as illustrated in FIG. 3 (b). As described above, since the surface-modified pattern layer 120a has improved adhesion to the protective layer 130 formed through a subsequent process, it is possible to increase the durability of the master mold 100A.

상기 패턴층(120)의 표면 개질은 예를 들어 O2 플라즈마 표면 처리를 통해 수행될 수 있지만, 그 밖의 화학적 또는 물리적 표면 처리를 통해서도 수행될 수 있다.The surface modification of the pattern layer 120 may be performed, for example, through O 2 plasma surface treatment, but may also be performed through other chemical or physical surface treatment.

이러한 표면 처리는, 상기 패턴층(120)의 표면과 함께, 상기 패턴들 사이에 위치한 기재(110)의 노출 표면도 개질시킬 수 있는데, 이것은 기재(110)와 보호층(130)의 접착력을 더욱 강화시킴으로써 마스터 몰드(100A)의 내구성을 더욱 증가시킨다.This surface treatment, along with the surface of the pattern layer 120, can also modify the exposed surface of the substrate 110 positioned between the patterns, which further improves the adhesion between the substrate 110 and the protective layer 130. By strengthening, the durability of the master mold 100A is further increased.

이어서, 도 3(c)에 예시된 바와 같이, 상기 기재(110)와 상기 패턴층(120a) 상에 보호층(130)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3 (c), a protective layer 130 is formed on the substrate 110 and the pattern layer 120a.

예를 들어, 금속(Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb 등), 금속 산화물(Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5 등), 또는 금속 질화물(AlN, SiN, TiN 등)을 스퍼터링(Sputtering) 방식, 화학기상증착(CVD) 방식, 또는 증발증착(Evaporation) 방식에 따라 증착함으로써 50Å 내지 10㎛의 두께를 갖는 보호층(130)을 형성할 수 있다.For example, metals (Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, etc.), metal oxides (Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 O 5, etc.) or metal nitride (AlN, SiN, TiN, etc.) by sputtering, chemical vapor deposition (CVD), or evaporation (Evaporation) to deposit 50 Å to A protective layer 130 having a thickness of 10 μm may be formed.

본 발명의 마스터 몰드 제조방법(PR 도포 => 노광 => 현상 => 증착)은 전술한 종래기술의 제조방법[증착 => PR 도포 => 노광 => 현상 => 식각 => 에싱(잔존 PR 제거)]에 비해 공정 수가 적어 생산성 및 생산비 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 환경 문제를 야기하는 식각 공정 및 에싱 공정이 생략될 수 있기 때문에 상대적으로 친환경적이다.The manufacturing method of the master mold of the present invention (PR application => exposure => development => deposition) is the production method of the prior art described above [deposition => PR application => exposure => development => etching => ashing (removing residual PR) Compared with)], the number of processes is small, which is not only advantageous in terms of productivity and production cost, but also is relatively eco-friendly because etching and ashing processes that cause environmental problems can be omitted.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스터 몰드(100B) 제조방법을 예시한다.4 illustrates a method of manufacturing a master mold 100B according to another embodiment of the present invention.

먼저, 도 4(a)에 예시된 바와 같이, 다수의 패턴들로 이루어진 패턴층(120)을 기재(110) 상에 형성한다.First, as illustrated in FIG. 4A, a pattern layer 120 made of a plurality of patterns is formed on the substrate 110.

상기 기재(110)는 합성수지 필름, 유리 기판, 실리콘(Si) 기판, 또는 니켈(Ni) 기판일 수 있다. 롤투롤 임프린팅 공정에 적합하고 대면적화에 유리한 합성수지 필름, 예를 들어 PET 필름이 상기 기재(110)로 바람직하게 사용될 수 있다.The substrate 110 may be a synthetic resin film, a glass substrate, a silicon (Si) substrate, or a nickel (Ni) substrate. A synthetic resin film suitable for a roll-to-roll imprinting process and advantageous for large area, for example, a PET film may be preferably used as the substrate 110.

상기 패턴층(120) 형성 방법은 다음과 같다.The method of forming the pattern layer 120 is as follows.

먼저, 상기 기재(110) 상에 감광성 고분자 물질인 포토레지스트(PR)를 도포한다. 상기 PR은 스핀 코팅 방식을 이용하여 상기 기재(110) 상에 도포될 수 있으나, 다른 공지의 코팅 방식이 이용될 수도 있다.First, photoresist (PR), which is a photosensitive polymer material, is coated on the substrate 110. The PR may be applied on the substrate 110 using a spin coating method, but other known coating methods may be used.

이어서, 마스크를 이용하여 상기 PR 코팅층을 선택적으로 노광시키고 현상 공정을 실시함으로써 노광된 부분(상기 PR이 포지티브 타입인 경우) 또는 마스킹된 부분(상기 PR이 네거티브 타입인 경우)을 선택적으로 제거한다. PR 코팅층의 선택적 제거를 통해 상기 패턴층(120)을 구성하는 패턴들이 형성된다.Subsequently, the exposed portion (if the PR is a positive type) or the masked portion (if the PR is a negative type) is selectively removed by selectively exposing the PR coating layer using a mask and performing a development process. Patterns constituting the pattern layer 120 are formed through selective removal of the PR coating layer.

이어서, 선택적 단계로서, 도 4(b)에 예시된 바와 같이 상기 패턴층(120)의 표면을 개질할 수 있다. 전술한 바와 같이, 표면이 개질된 패턴층(120a)은 후속 공정을 통해 형성되는 버퍼층(140)에 대해 향상된 접착력을 갖기 때문에 마스터 몰드(100B)의 내구성을 증가시킬 수 있다.Subsequently, as an optional step, the surface of the pattern layer 120 may be modified as illustrated in FIG. 4 (b). As described above, since the surface-modified pattern layer 120a has improved adhesion to the buffer layer 140 formed through a subsequent process, it is possible to increase the durability of the master mold 100B.

상기 패턴층(120)의 표면 개질은 예를 들어 O2 플라즈마 표면 처리를 통해 수행될 수 있지만, 그 밖의 화학적 또는 물리적 표면 처리를 통해서도 수행될 수 있다.The surface modification of the pattern layer 120 may be performed, for example, through O 2 plasma surface treatment, but may also be performed through other chemical or physical surface treatment.

이러한 표면 처리는, 상기 패턴층(120)의 표면과 함께, 상기 패턴들 사이에 위치한 기재(110)의 노출 표면도 개질시킬 수 있는데, 이것은 기재(110)와 버퍼층(140)의 접착력을 더욱 강화시킴으로써 마스터 몰드(100B)의 내구성을 더욱 증가시킨다.This surface treatment, along with the surface of the pattern layer 120, can also modify the exposed surface of the substrate 110 located between the patterns, which further enhances the adhesion between the substrate 110 and the buffer layer 140 By doing so, the durability of the master mold 100B is further increased.

이어서, 도 4(c)에 예시된 바와 같이, 상기 기재(110)와 상기 패턴층(120a) 상에 마스터 몰드(100B)의 유연성 향상을 위한 버퍼층(140)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 4C, a buffer layer 140 for improving flexibility of the master mold 100B is formed on the substrate 110 and the pattern layer 120a.

예를 들어, 금속(Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb 등), 금속 산화물(Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5 등), 또는 금속 질화물(AlN, SiN, TiN 등)을 스퍼터링 방식, 화학기상증착 방식, 또는 증발증착 방식에 따라 증착함으로써 상기 버퍼층(140)을 형성할 수 있다.For example, metals (Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, etc.), metal oxides (Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , The buffer layer 140 may be formed by depositing ITO, ZnO, Nb 2 O 5, etc.) or a metal nitride (AlN, SiN, TiN, etc.) according to a sputtering method, a chemical vapor deposition method, or an evaporation deposition method.

이어서, 도 4(d)에 예시된 바와 같이, 우수한 이형성을 갖는 보호층(130)을 상기 버퍼층(140) 상에 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 4D, a protective layer 130 having excellent releasability is formed on the buffer layer 140.

예를 들어, 금속(Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb 등), 금속 산화물(Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5 등), 또는 금속 질화물(AlN, SiN, TiN 등)을 스퍼터링 방식, 화학기상증착 방식, 또는 증발증착 방식에 따라 증착함으로써 50Å 내지 10㎛의 두께를 갖는 보호층(130)을 형성할 수 있다. For example, metals (Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, etc.), metal oxides (Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 O 5, etc.) or a metal nitride (AlN, SiN, TiN, etc.) deposited by sputtering, chemical vapor deposition, or evaporation deposition, to provide a protective layer having a thickness of 50 mm to 10 μm ( 130).

다만, 상기 보호층(130)의 물질과 상기 버퍼층(140)의 물질은 상이한 것이 바람직하다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 보호층(130)과 상기 버퍼층(140) 중 어느 하나는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, 또는 Nb의 금속을 포함하고 다른 하나는 Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, 또는 Nb2O5의 금속 산화물을 포함할 수 있다.However, it is preferable that the material of the protective layer 130 and the material of the buffer layer 140 are different. According to an embodiment of the present invention, any one of the protective layer 130 and the buffer layer 140 is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W , Or a metal of Nb and the other may include a metal oxide of Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, or Nb 2 O 5 .

대안적으로, 상기 보호층(130)과 상기 버퍼층(140) 중 어느 하나는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, 또는 Nb의 금속을 포함하고 다른 하나는 AlN, SiN, 또는 TiN의 금속 질화물을 포함할 수 있다.Alternatively, any one of the protective layer 130 and the buffer layer 140 is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, or Nb. And the other may include a metal nitride of AlN, SiN, or TiN.

대안적으로, 상기 보호층(130)과 상기 버퍼층(140) 중 어느 하나는 AlN, SiN, 또는 TiN의 금속 질화물을 포함하고 다른 하나는 Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, 또는 Nb2O5의 금속 산화물을 포함할 수 있다.Alternatively, one of the protective layer 130 and the buffer layer 140 includes a metal nitride of AlN, SiN, or TiN, and the other is Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Or it may include a metal oxide of Nb 2 O 5 .

100A, 100B: 마스터 몰드 110: 기재
120, 120a: 패턴층 130: 보호층
140: 버퍼층100A, 100B: master mold 110: substrate
120, 120a: pattern layer 130: protective layer
140: buffer layer

Claims (21)

기재(substrate);
상기 기재 상의 패턴층(patterned layer); 및
상기 기재와 상기 패턴층 상의 보호층(protecting layer)
을 포함하는,
마스터 몰드.Substrate;
A patterned layer on the substrate; And
A protective layer on the substrate and the pattern layer
Containing,
Master mold. 제1항에 있어서,
상기 기재는 합성수지, 유리, 실리콘(Si) 또는 니켈(Ni)을 포함하는,
마스터 몰드.According to claim 1,
The substrate comprises synthetic resin, glass, silicon (Si) or nickel (Ni),
Master mold. 제1항에 있어서,
상기 패턴층은 포토레지스트(photoresist)를 포함하는,
마스터 몰드.According to claim 1,
The pattern layer includes a photoresist (photoresist),
Master mold. 제1항에 있어서,
상기 패턴층은 개질 표면(modified surface)을 갖는,
마스터 몰드.According to claim 1,
The pattern layer has a modified surface,
Master mold. 제1항에 있어서,
상기 보호층의 물에 대한 접촉각은 60° 이상인,
마스터 몰드.According to claim 1,
The contact angle of the protective layer with water is 60 ° or more,
Master mold. 제1항에 있어서,
상기 보호층의 두께는 50Å 내지 10㎛인,
마스터 몰드.According to claim 1,
The thickness of the protective layer is 50Å to 10㎛,
Master mold. 제1항에 있어서,
상기 보호층은 금속, 금속 산화물, 또는 금속 질화물을 포함하는,
마스터 몰드.According to claim 1,
The protective layer includes a metal, metal oxide, or metal nitride,
Master mold. 제7항에 있어서,
상기 금속은 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, 또는 Nb이고,
상기 금속 산화물은 Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, 또는 Nb2O5이며,
상기 금속 질화물은 AlN, SiN, 또는 TiN인,
마스터 몰드.The method of claim 7,
The metal is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, or Nb,
The metal oxide is Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, or Nb 2 O 5 ,
The metal nitride is AlN, SiN, or TiN,
Master mold. 제1항에 있어서,
상기 패턴층과 상기 보호층 사이 및 상기 기재와 상기 보호층 사이의 버퍼층(buffer layer)을 더 포함하는,
마스터 몰드.According to claim 1,
Further comprising a buffer layer (buffer layer) between the pattern layer and the protective layer and between the substrate and the protective layer,
Master mold. 제9항에 있어서,
상기 보호층은 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5, AlN, SiN, 및 TiN으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제1 물질을 포함하고,
상기 버퍼층은 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5, AlN, SiN, 및 TiN으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제2 물질을 포함하며,
상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 서로 다른,
마스터 몰드.The method of claim 9,
The protective layer is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 O 5 , comprising a first material selected from the group consisting of AlN, SiN, and TiN,
The buffer layer is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 O 5 , AlN, SiN, and a second material selected from the group consisting of TiN,
The first material and the second material are different,
Master mold. 제10항에 있어서,
상기 보호층과 상기 버퍼층 중 어느 하나는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, 또는 Nb의 금속를 포함하고 다른 하나는 Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, 또는 Nb2O5의 금속 산화물을 포함하는,
마스터 몰드.The method of claim 10,
One of the protective layer and the buffer layer includes a metal of Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, or Nb, and the other is Al 2 O 3 , Comprising a metal oxide of SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, or Nb 2 O 5 ,
Master mold. 제10항에 있어서,
상기 보호층과 상기 버퍼층 중 어느 하나는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, 또는 Nb의 금속을 포함하고 다른 하나는 AlN, SiN, 또는 TiN의 금속 질화물을 포함하는,
마스터 몰드.The method of claim 10,
One of the protective layer and the buffer layer includes a metal of Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, or Nb, and the other is AlN, SiN, Or comprising a metal nitride of TiN,
Master mold. 제10항에 있어서,
상기 보호층과 상기 버퍼층 중 어느 하나는 AlN, SiN, 또는 TiN의 금속 질화물을 포함하고 다른 하나는 Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, 또는 Nb2O5의 금속 산화물을 포함하는,
마스터 몰드.The method of claim 10,
One of the protective layer and the buffer layer includes a metal nitride of AlN, SiN, or TiN, and the other includes a metal oxide of Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, or Nb 2 O 5 doing,
Master mold. 패턴층을 기재 상에 형성하는 단계; 및
상기 기재와 상기 패턴층 상에 보호층을 형성하는 단계
를 포함하는,
마스터 몰드 제조방법.Forming a pattern layer on the substrate; And
Forming a protective layer on the substrate and the pattern layer
Containing,
Master mold manufacturing method. 제14항에 있어서,
상기 패턴층 형성 단계는,
상기 기재 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및
마스크를 이용한 노광 공정 및 현상 공정을 수행함으로써 상기 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 단계
를 포함하는,
마스터 몰드 제조방법.The method of claim 14,
The pattern layer forming step,
Applying a photoresist on the substrate; And
Selectively removing the photoresist by performing an exposure process and a development process using a mask
Containing,
Master mold manufacturing method. 제14항에 있어서,
상기 보호층을 형성하기 전에 상기 패턴층의 표면을 개질하는 단계를 더 포함하는,
마스터 몰드 제조방법.The method of claim 14,
Further comprising the step of modifying the surface of the pattern layer before forming the protective layer,
Master mold manufacturing method. 제16항에 있어서,
상기 패턴층의 표면 개질 단계는 상기 패턴층의 표면을 플라즈마로 처리하는 단계를 포함하는,
마스터 몰드 제조방법.The method of claim 16,
The surface modification step of the pattern layer includes the step of treating the surface of the pattern layer with plasma,
Master mold manufacturing method. 제14항에 있어서,
상기 보호층 형성 단계는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5, AlN, SiN, 또는 TiN을 증착하는 단계를 포함하는,
마스터 몰드 제조방법.The method of claim 14,
The protective layer forming step is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 O 5 , comprising the step of depositing AlN, SiN, or TiN,
Master mold manufacturing method. 제14항에 있어서,
상기 보호층을 형성하기 전에 상기 기재와 상기 패턴층 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는,
마스터 몰드 제조방법.The method of claim 14,
Forming a buffer layer on the substrate and the pattern layer before forming the protective layer,
Master mold manufacturing method. 제19항에 있어서,
상기 보호층 형성 단계는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5, AlN, SiN, 및 TiN으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제1 물질을 증착하는 단계를 포함하고,
상기 버퍼층 형성 단계는 Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al2O3, SiO2, TiO2, ITO, ZnO, Nb2O5, AlN, SiN, 및 TiN으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 제2 물질을 증착하는 단계를 포함하며,
상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 서로 다른,
마스터 몰드 제조방법.The method of claim 19,
The protective layer forming step is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb And depositing a first material selected from the group consisting of 2 O 5 , AlN, SiN, and TiN,
The buffer layer forming step is Al, Cu, Ti, Au, Ag, Ni, Ni-Cr, Zr, Pt, Si, Fe, W, Nb, Al 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ITO, ZnO, Nb 2 And depositing a second material selected from the group consisting of O 5 , AlN, SiN, and TiN,
The first material and the second material are different,
Master mold manufacturing method. 제19항에 있어서,
상기 버퍼층을 형성하기 전에 상기 패턴층의 표면을 개질하는 단계를 더 포함하는,
마스터 몰드 제조방법.The method of claim 19,
Further comprising the step of modifying the surface of the pattern layer before forming the buffer layer,
Master mold manufacturing method.
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