KR20200046113A - 프로세스 볼륨 밀봉이 개선된 기판 프로세싱 챔버 - Google Patents

프로세스 볼륨 밀봉이 개선된 기판 프로세싱 챔버 Download PDF

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KR20200046113A
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일야 라비츠키
키스 에이. 밀러
존 마조코
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

프로세스 챔버들의 실시예들이 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는: 프로세스 챔버 내에 내측 볼륨을 정의하는 챔버 벽; 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 갖는, 내측 볼륨 내에 배치된 기판 지지부 ― 내측 볼륨은, 지지 표면 위에 배치된 프로세싱 볼륨 및 지지 표면 아래에 적어도 부분적으로 배치된 비-프로세싱 볼륨을 포함함 ―; 지지 표면 위에 배치된 가스 공급 채널을 통해 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 가스 공급 플레넘; 지지 표면 위에 배치된 배기 채널을 통해 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 펌핑 플레넘; 및 기판 지지부가 프로세싱 포지션에 있을 때, 프로세싱 볼륨을 비-프로세싱 볼륨으로부터 유동적으로 격리하도록 구성된 밀봉 장치를 포함하며, 기판 지지부가 비-프로세싱 포지션에 있을 때, 프로세싱 볼륨과 비-프로세싱 볼륨은 유동적으로 커플링된다.

Description

프로세스 볼륨 밀봉이 개선된 기판 프로세싱 챔버
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 기판 프로세싱 장비에 관한 것이다.
[0002] 예컨대, PVD(physical vapor deposition) 챔버를 사용하여 기판을 프로세싱하기 위해, 기판은 로봇 암(robotic arm)을 통해 프로세싱 챔버의 기판 지지부로 이송되며, 기판 지지부는 프로세싱 포지션으로 상승되고, 프로세싱(예컨대, 증착, 에칭 등)된다. PVD 챔버에서, 프로세싱 볼륨은, 프로세싱 챔버 내에 배치된 프로세스 키트, 스퍼터링 타겟, 및 기판에 의해 정의된다. 비-프로세싱 또는 공통 볼륨은, 챔버 플로어, 챔버 벽들, 및 기판 지지부와 프로세스 키트 차폐부의 최하부들에 의해 정의된다. 본 발명자들은, 펌핑, 가스 전달, 및 압력 제어가 전형적으로 비-프로세싱 볼륨에서 발생하기 때문에, 전달된 가스의 대부분이 사용되지 않은 채 펌핑 아웃(pump out)되는데, 왜냐하면, 비-프로세싱 볼륨이 상당히 크기 때문이라는 것을 발견하였다. 게다가, 압력 게이지들은 전형적으로 비-프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링되며, 이는 프로세싱 볼륨 내의 압력의 부정확한 판독들을 초래할 수 있다.
[0003] 따라서, 본 발명자들은 개선된 기판 프로세스 챔버의 실시예들을 제공한다.
[0004] 프로세스 챔버들의 실시예들이 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는: 프로세스 챔버 내에 내측 볼륨을 정의하는 챔버 벽; 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 갖는, 내측 볼륨 내에 배치된 기판 지지부 ― 내측 볼륨은, 지지 표면 위에 배치된 프로세싱 볼륨 및 지지 표면 아래에 적어도 부분적으로 배치된 비-프로세싱 볼륨을 포함함 ―; 지지 표면 위에 배치된 가스 공급 채널을 통해 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 가스 공급 플레넘(gas supply plenum); 지지 표면 위에 배치된 배기 채널을 통해 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 펌핑 플레넘; 및 기판 지지부가 프로세싱 포지션에 있을 때, 프로세싱 볼륨을 비-프로세싱 볼륨으로부터 유동적으로 격리하도록 구성된 밀봉 장치를 포함하며, 기판 지지부가 비-프로세싱 포지션에 있을 때, 프로세싱 볼륨과 비-프로세싱 볼륨은 유동적으로 커플링된다.
[0005] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는: 프로세스 챔버 내에 내측 볼륨을 정의하는 챔버 벽 ― 내측 볼륨은 프로세싱 볼륨 및 비-프로세싱 볼륨을 포함함 ―; 내측 볼륨의 상부 섹션에 배치된 스퍼터링 타겟; 스퍼터링 타겟 아래에 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 갖는 기판 지지부; 기판 지지부에 커플링되고, 그리고 기판 지지부가 프로세싱 포지션에 있을 때 프로세싱 볼륨을 비-프로세싱 볼륨으로부터 유동적으로 격리하도록 구성된 밀봉 장치; 및 프로세스 키트를 포함한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 키트는: 챔버 벽의 정상에 배치되고, 그리고 제1 환형 채널 및 제2 환형 채널을 갖는 환형 어댑터; 환형 어댑터의 부분의 정상에 그리고 제1 환형 채널에 인접하게 배치되어 제1 환형 플레넘을 형성하는 외향 연장 칼라(outwardly extending collar)를 갖는 하부 차폐부 ― 하부 차폐부는, 제1 환형 플레넘을 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링하기 위해 칼라를 관통해 형성된 복수의 스루 홀(through hole)들을 포함함 ―; 및 외향 연장 칼라의 정상에 배치된 상부 부분 및 상부 부분으로부터 하향으로 연장되는 하부 부분을 갖는 상부 차폐부를 포함하며, 상부 부분은, 상부 부분의 외측 표면에 형성되고 그리고 제2 환형 채널에 인접하게 배치되어 제2 환형 플레넘을 형성하는 제3 환형 채널을 포함하고, 그리고 상부 부분은 스퍼터링 타겟으로부터 이격되어, 상부 부분과, 제2 환형 플레넘을 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링하는 스퍼터링 타겟 사이에 구불구불한 경로(tortuous path)를 형성한다.
[0006] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는, 프로세스 챔버 내에 내측 볼륨을 정의하는 챔버 벽 ― 내측 볼륨은 프로세싱 볼륨 및 비-프로세싱 볼륨을 포함함 ―; 가스 공급 플레넘 및 펌핑 플레넘을 갖는 프로세스 키트 ― 가스 공급 플레넘 및 펌핑 플레넘 둘 모두는 내측 볼륨에 유동적으로 커플링됨 ―; 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 갖는 기판 지지부; 및 기판 지지부가 제1 포지션과, 제1 포지션보다 더 낮은 제2 포지션 사이에서 이동함에 따라, 프로세싱 볼륨을 비-프로세싱 볼륨으로부터 유동적으로 격리시키기 위해 프로세스 키트에 대해 선택적으로 밀봉하도록 구성된 밀봉 부재를 포함한다.
[0007] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는: 프로세스 챔버 내에 내측 볼륨을 정의하는 챔버 벽; 내측 볼륨 내에 각각 배치된, 제1 지지 표면을 갖는 제1 기판 지지부 및 제2 지지 표면을 갖는 제2 기판 지지부 ― 내측 볼륨은, 제1 기판 지지부 위에 배치된 제1 프로세싱 볼륨 및 제1 지지 표면 아래에 적어도 부분적으로 배치된 제1 비-프로세싱 볼륨을 포함하고, 내측 볼륨은, 제2 기판 지지부 위에 배치된 제2 프로세싱 볼륨 및 제2 지지 표면 아래에 적어도 부분적으로 배치된 제2 비-프로세싱 볼륨을 포함하고, 제1 비-프로세싱 볼륨과 제2 비-프로세싱 볼륨은 함께 공통 볼륨을 형성함 ―; 제1 지지 표면 위에 배치된 제1 가스 공급 채널을 통해 제1 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 제1 가스 공급 플레넘; 제2 지지 표면 위에 배치된 제2 가스 공급 채널을 통해 제2 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 제2 가스 공급 플레넘; 제1 지지 표면 위에 배치된 제1 배기 채널을 통해 제1 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 제1 펌핑 플레넘; 제2 지지 표면 위에 배치된 제2 배기 채널을 통해 제2 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 제2 펌핑 플레넘; 및 제1 기판 지지부가 프로세싱 포지션에 있을 때 제1 프로세싱 볼륨을 공통 볼륨으로부터 유동적으로 격리시키도록 구성된 제1 밀봉 장치 ― 제1 기판 지지부가 비-프로세싱 포지션에 있을 때 제1 프로세싱 볼륨과 공통 볼륨은 유동적으로 커플링됨 ―; 및 제2 기판 지지부가 프로세싱 포지션에 있을 때 제2 프로세싱 볼륨을 공통 볼륨으로부터 유동적으로 격리시키도록 구성된 제2 밀봉 장치를 포함하며, 제2 기판 지지부가 비-프로세싱 포지션에 있을 때 제2 프로세싱 볼륨과 공통 볼륨은 유동적으로 커플링된다.
[0008] 본 개시내용의 다른 그리고 추가의 실시예들은 아래에서 설명된다.
[0009] 앞서 간략히 요약되고 하기에서 보다 상세히 논의되는 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0011] 도 2a 및 도 2b는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면 확대도들을 도시한다.
[0012] 도 3a는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 멀티-챔버 클러스터 툴(300)의 개략적인 평면도를 예시한다.
[0013] 도 3b는 라인 B-B'를 따라 취해진, 도 3a의 멀티-챔버 클러스터 툴의 개략적인 단면도를 예시한다.
[0014] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 도면들은 실척에 맞게 그려지지 않으며, 명확성을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들은 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다.
[0015] 프로세스 챔버들의 실시예들이 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는, 프로세스 챔버의 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 가스 공급 시스템 및 펌핑 시스템을 포함한다. 따라서, 본 발명의 프로세스 챔버는 유리하게, 펌핑 및 가스 공급이 발생하는 볼륨을 감소시킴으로써, 프로세스 챔버를 프로세스 압력까지 펌핑 다운(pumping down)시키고 그리고 프로세스 가스들을 챔버에 공급하기 위해 필요한 시간을 감소시킨다. 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는, 프로세스 챔버의 비-프로세싱 볼륨을 프로세싱 볼륨으로부터 밀봉하기 위해 기판의 프로세싱 동안 프로세싱 볼륨을 밀봉하는 밀봉 장치를 더 포함한다. 결과적으로, 프로세스 챔버는, 동일한 또는 상이한 프로세스들을 실행하는 복수의 프로세스 챔버들을 갖는 클러스터 툴의 부분일 수 있는데, 왜냐하면, 복수의 챔버들 중 각각의 챔버의 프로세싱 볼륨들은 서로 유동적으로 독립적이기 때문이다.
[0016] 도 1은 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 키트 차폐부를 갖는 예시적인 프로세스 챔버(100)(예컨대, PVD 챔버)의 개략적인 단면도를 도시한다. 본 개시내용의 프로세스 키트 차폐부들과 함께 사용하기에 적합한 PVD 챔버들의 예들은 캘리포니아 산타클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수가능한 IMPULSE™ 및 다른 PVD 프로세싱 챔버들을 포함한다. Applied Materials, Inc. 또는 다른 제조사들로부터의 다른 프로세싱 챔버들이 또한, 본원에서 개시되는 본 발명의 장치로부터 이익을 얻을 수 있다.
[0017] 프로세스 챔버(100)는, 프로세싱 볼륨(108) 및 비-프로세싱 볼륨(109)을 갖는 내측 볼륨을 인클로징(enclose)하는 챔버 벽들(106)을 포함한다. 챔버 벽들(106)은, 측벽들(116), 최하부 벽(120) 및 천장(ceiling)(124)을 포함한다. 천장(124)은 내측 볼륨을 밀봉하기 위한 챔버 덮개 또는 유사한 커버일 수 있다. 프로세스 챔버(100)는 독립형 챔버일 수 있거나, 또는 예컨대 다양한 챔버들 사이에서 기판들(104)을 이송하는 기판 이송 메커니즘(예컨대, 기판 이송 로봇)에 의해 연결되는 상호연결된 챔버들의 클러스터를 갖는 프로세스 시스템들의 ENDURA®, CENTURA®, 또는 PRODUCER® 라인들 중 임의의 것과 같은 멀티-챔버 플랫폼(도시되지 않음)의 부분일 수 있다. 프로세스 챔버(100)는 기판(104) 상에 재료를 스퍼터 증착할 수 있는 PVD 챔버일 수 있다. 스퍼터 증착을 위한 적합한 재료들의 비-제한적인 예들은, 알루미늄, 구리, 탄탈룸, 탄탈룸 나이트라이드, 티타늄, 티타늄 나이트라이드, 텅스텐, 텅스텐 나이트라이드 등 중 하나 이상을 포함한다.
[0018] 프로세스 챔버(100)는, 기판(104)을 지지하기 위한 페디스털(134)을 포함하는 기판 지지부(130)를 포함한다. 페디스털(134)은, 프로세스 챔버(100)의 상부 섹션에 배치된 스퍼터링 타겟(140)의 스퍼터링 표면(139)에 대해 실질적으로 평행한 평면을 갖는 기판 지지 표면(138)을 갖는다. 페디스털(134)의 기판 지지 표면(138)은 프로세싱 동안 기판(104)을 수용하고 지지한다. 페디스털(134)은 정전 척 또는 히터(이를테면, 전기 저항 히터, 열 교환기 또는 다른 적합한 가열 디바이스)를 포함할 수 있다. 동작 시에, 기판(104)이 프로세스 챔버(100)의 측벽(116)의 기판 로딩 입구(142)를 통과해 프로세스 챔버(100)의 비-프로세싱 볼륨(109) 내로 도입되어, 기판 지지부(130) 상에 배치되며, 기판 지지부(130)는 기판(104)의 로딩 동안 비-프로세싱 포지션에 있다. 기판 지지부(130)는 지지부 리프트 메커니즘에 의해 리프팅되거나 하강될 수 있으며, 로봇 암에 의해 기판 지지부(130) 상에 기판(104)을 배치하는 동안 기판 지지부(130) 상으로 기판(104)을 리프팅하고 하강시키는 데 리프트 핑거 어셈블리가 사용될 수 있다. 페디스털(134)은 플라즈마 동작 동안 전기적 플로팅 전위로 유지되거나 접지될 수 있다.
[0019] 프로세스 챔버(100)는 또한, 예컨대 컴포넌트 표면들로부터 스퍼터링 증착물들을 세정하거나, 부식된 컴포넌트들을 교체 또는 수리하거나, 또는 다른 프로세스들을 위해 프로세스 챔버(100)를 적응시키기 위해, 프로세스 챔버(100)로부터 용이하게 제거될 수 있는 다양한 컴포넌트들을 포함하는 프로세스 키트(150)를 포함한다. 본 발명자들은, 가스 공급부 및 펌핑 메커니즘들을 프로세스 키트 내에 통합함으로써, 스루풋이 증가될 수 있는데, 왜냐하면, 단지 프로세싱 볼륨만이 펌핑 다운되고 프로세스 가스들을 수용하며, 그에 따라, 그 둘 모두를 수행하는 데 필요한 시간량을 감소시키기 때문이라는 것을 발견하였다.
[0020] 예컨대, 프로세스 챔버(100)는, 가스 공급 채널(도 2a-도 2b에서 더 상세하게 논의됨)을 통해 프로세싱 볼륨(108)에 유동적으로 커플링된 가스 공급 플레넘을 포함할 수 있다. 가스 공급 플레넘은, 프로세싱 동안 프로세싱 볼륨(108)에 공급될 하나 이상의 프로세스 가스들을 수용하기 위해 가스 공급부(166)에 커플링된다. 게다가, 프로세스 챔버(100)는, 배기 채널(도 2a-도 2b에서 더 상세하게 논의됨)을 통해 프로세싱 볼륨(108)에 유동적으로 커플링된 펌핑 플레넘을 포함할 수 있다. 펌핑 플레넘은 프로세싱 볼륨(108)을 진공배기(evacuate)시키기 위해 펌프(185)에 커플링된다.
[0021] 일부 실시예들에서, 프로세스 키트(150)는 상부 차폐부(151) 및 하부 차폐부(152)를 포함한다. 상부 차폐부는 스퍼터링 타겟(140)의 스퍼터링 표면(139) 및 기판 지지부(130)를 둘러싸도록 사이즈가 정해진 직경(예컨대, 스퍼터링 표면(139)보다 크고 그리고 기판 지지부(130)의 지지 표면보다 큰 직경)을 갖는다. 도 2a 및 도 2b와 관련하여 아래에서 더 상세하게 설명될 바와 같이, 상부 차폐부는 하부 차폐부(152)의 정상에 배치된 상부 부분(157), 및 상부 부분으로부터 하향으로 연장되고 그리고 하부 차폐부(152)의 반경방향 내측 표면과 이격된 관계로(예컨대, 하부 부분(158)과 하부 차폐부(152) 사이에 갭을 정의함) 하부 차폐부(152)의 적어도 부분을 수직으로 오버랩하는 하부 부분(158)을 갖는다. 하부 차폐부(152)는, 원통형 부분(167), 원통형 부분(167)의 최하부 부분으로부터 반경방향 내부쪽으로 연장되는 렛지(168), 및 렛지(168)의 반경방향 최내측 부분으로부터 상향으로 연장되고 그리고 기판 지지부(130)를 둘러싸는 립(lip)(169)을 포함한다. 상부 차폐부(151) 및 하부 차폐부(152)가 별개의 엘리먼트들로서 도시되지만, 일부 실시예들에서, 상부 차폐부(151)와 하부 차폐부(152)는 하나의 통합된 구조로서 형성될 수 있다. 상부 차폐부(151) 및 하부 차폐부(152)는 동일한 재료 또는 상이한 재료들, 이를테면, 예컨대 알루미늄 합금, 스테인리스 강, 또는 세라믹으로 형성될 수 있다.
[0022] 상부 차폐부(151)의 상부 부분(157) 및 원통형 부분(167)의 상부 부분은 환형 어댑터(159)와 인터페이싱하여 제1 환형 플레넘(180) 및 제2 환형 플레넘(181)을 각각 형성하며, 제1 환형 플레넘(180) 및 제2 환형 플레넘(181) 둘 모두는 프로세싱 볼륨(108)에 유동적으로 커플링된다. 제1 환형 플레넘(180)은, 프로세싱 볼륨(108)을 진공배기하기 위해 펌프(185), 이를테면, 예컨대 터보분자 펌프에 유동적으로 커플링된 펌핑 플레넘일 수 있다. 제2 환형 플레넘(181)은, 프로세싱 동안 프로세싱 볼륨(108)에 공급될 하나 이상의 프로세스 가스들을 수용하기 위해 가스 공급부(166)에 유동적으로 커플링된 가스 공급 플레넘일 수 있다.
[0023] 프로세스 키트(150)는, 립(169)의 정상에 배치된 커버 링(155) 및 커버 링(155) 아래에 배치된 증착 링(154)을 더 포함한다. 커버 링(155)의 최하부 표면은 증착 링(154)과 인터페이싱한다. 커버 링(155)은 증착 링(154)을 적어도 부분적으로 커버한다. 증착 링(154)과 커버 링(155)은 서로 협력하여, 기판 지지부(130)의 주변 벽들 및 기판(104)의 돌출 에지(overhanging edge)(153) 상에서의 스퍼터 증착물들의 형성을 감소시킨다.
[0024] 프로세스 챔버(100)는, 페디스털(134)이 프로세싱 포지션에 있을 때, 프로세싱 볼륨(108)을 비-프로세싱 볼륨(109)으로부터 밀봉하기 위해 페디스털(134)에 커플링된 밀봉 장치(190)를 더 포함한다. 밀봉 장치(190)는, 페디스털(134)이 비-프로세싱 포지션에 있을 때, 예컨대 하강된 로딩 포지션에 있을 때, 프로세싱 볼륨(108)과 비-프로세싱 볼륨(109)이 유동적으로 커플링되는 것을 가능하게 하는 한편, 페디스털(134)이 프로세싱 포지션에 있을 때 프로세싱 볼륨(108)을 비-프로세싱 볼륨(109)으로부터 선택적으로 밀봉하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 밀봉 장치(190)는, 제1 단부에서 기판 지지부(130)에 커플링되고 그리고 제1 단부 반대편의 제2 단부에서 환형 브래킷의 반경방향 외부쪽 부분에 커플링된 적어도 하나의 벨로우즈를 포함할 수 있으며, 기판 지지부가 프로세싱 포지션에 있을 때, 환형 브래킷의 반경방향 외부쪽 부분의 상부 표면은, 프로세싱 볼륨(108)을 비-프로세싱 볼륨(109)으로부터 밀봉하거나 또는 유동적으로 디커플링하기 위해 프로세스 챔버 컴포넌트(이를테면, 하부 차폐부(152))의 표면에 맞닿게 배치된다. 기판 지지부(130)가 비-프로세싱 포지션에 있을 때, 환형 브래킷의 상부 표면은, 프로세싱 볼륨(108)이 비-프로세싱 볼륨(109)에 유동적으로 커플링되도록, 프로세스 챔버 컴포넌트의 표면으로부터 이격된다.
[0025] 도 2a 및 도 2b는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 프로세스 챔버(100)의 우측의 개략적인 단면 확대도를 도시한다. 도 2a는 프로세싱 포지션에 있는 페디스털(134)을 도시한다. 도 2b는 하부 포지션에 있는(즉, 프로세스에서, 기판(104)이 기판 지지부(130) 상에 배치되는 로딩 포지션까지 하강되어 있는) 페디스털(134)을 도시한다. 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 하부 차폐부(152)는 환형 어댑터(159)의 부분의 정상에 배치된 외향 연장 칼라(outwardly extending collar)(202)를 포함한다. 칼라(202)는 환형 어댑터(159)에 형성된 제1 환형 채널(206)과 함께 제2 환형 플레넘(181)을 형성한다. 제2 환형 플레넘(181)과 비-프로세싱 볼륨(109) 사이에 개선된 밀봉을 제공하기 위해, o-링(204)이 칼라(202)와 환형 어댑터(159) 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 외향 연장 렛지(262)(명확성을 위해 도 2b에서만 라벨링됨)는 칼라(202)의 상부 부분으로부터 연장될 수 있다. 외향 연장 렛지(262)는 환형 어댑터(159)의 내향 연장 렛지(263)의 정상에 배치된다. 외향 연장 렛지(262)를 내향 연장 렛지(263) 상으로 클램핑 다운하기 위해, 하나 이상의 고정 엘리먼트(fixation element)들이 사용될 수 있다. 예컨대, 고정 엘리먼트들은 볼트(264) 및 너트(266)를 포함할 수 있다. 그러나, 다른 고정 엘리먼트들이 대안적으로 사용될 수 있다.
[0026] 제2 환형 플레넘(181)과 프로세싱 볼륨(108)을 유동적으로 커플링하기 위해(예컨대, 제2 환형 플레넘(181)에 공급되는 가스가 프로세싱 볼륨(108)에 유동하게 하기 위한 가스 공급 채널을 형성하기 위해), 복수의 스루 홀들(208)이 칼라(202)를 관통해 형성된다. 결과적인 유동 경로는 도 2a에 도시된 화살표들(210)로 도시된다. 일부 실시예들에서, 복수의 스루 홀들(208)은 대략 10 내지 대략 50개의 스루 홀들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 복수의 스루 홀들(208)은 대안적으로, 대략 16개의 스루 홀들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 복수의 스루 홀들(208) 각각은 동일한 직경을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 복수의 스루 홀들(208)은 대안적으로, 제2 환형 플레넘(181)으로부터 프로세싱 볼륨(108) 내로의 프로세스 가스의 유동 컨덕턴스를 제어하기 위해, 상이한 직경들을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 환형 플레넘(181) 내의 제1 압력을 모니터링하기 위해, 제1 압력 모니터링 디바이스(215)(예컨대, 압력 게이지)가 제2 환형 플레넘(181)에 유동적으로 커플링될 수 있다.
[0027] 일부 실시예들에서, 상부 차폐부(151)의 상부 부분(157)은, 외측에 형성된 제2 환형 채널(214), 및 하부 차폐부(152)의 칼라(202)의 정상에 놓이는 외향 연장 환형 렛지(212)를 포함한다. 제2 환형 채널(214)은 환형 어댑터(159)에 형성된 제3 환형 채널(216)과 함께 제1 환형 플레넘(180)(예컨대, 펌핑 플레넘)을 형성한다. 상부 부분(157)은, 구불구불한 경로(218)(도 2b에 도시됨)가 스퍼터링 타겟(140)과 상부 차폐부(151)의 상부 부분(157) 사이에 형성되도록, 스퍼터링 타겟(140)으로부터 이격된다. 구불구불한 경로(218)는, 프로세싱 볼륨(108)과 제1 환형 플레넘(180)을 유동적으로 커플링하는 배기 채널을 제공한다. 진공배기되는 가스의 결과적인 유동 경로는 화살표들(220)로 도시된다. 일부 실시예들에서, 제1 환형 플레넘(180)과 펌프(185)를 선택적으로 유동적으로 커플링하기 위해, 제1 환형 플레넘(180)과 펌프(185) 사이에서 밸브(221)가 펌프(185)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 환형 플레넘(180) 내의 제2 압력을 모니터링하기 위해, 제2 압력 모니터링 디바이스(217)(예컨대, 압력 게이지)가 제1 환형 플레넘(180)에 유동적으로 커플링될 수 있다.
[0028] 일부 실시예들에서, 열 전달 매체(예컨대, 냉각제)를 환형 튜브(224)에 공급하여 환형 어댑터(159)의 온도를 제어하기 위해, 환형 어댑터(159)에 배치된 환형 튜브(224)에 열 전달 소스(222)가 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 환형 어댑터(159) 및 챔버 벽들을 스퍼터링 타겟(140)의 백킹 플레이트(246)로부터 전기 절연시키기 위해, 절연체 링(163)이 백킹 플레이트(246)와 환형 어댑터(159) 사이에 배치될 수 있다.
[0029] 도 1, 도 2a-도 2b를 참조하면, 프로세스 챔버(100)는, 페디스털(134)에 커플링된 베이스 플레이트(189)를 통해 페디스털(134)에 커플링되는 밀봉 장치(190)를 더 포함한다. 베이스 플레이트(189)는 베이스 플레이트(189)의 중심에서 기판 지지부(130)의 샤프트(199)에 커플링된다. 밀봉 장치(190)는, 프로세스 압력으로의 펌핑 다운 및 프로세스 가스 전달이 프로세싱 볼륨(108) 내에서만 발생하도록, 기판(104)의 프로세싱 동안 프로세싱 볼륨(108)을 비-프로세싱 볼륨(109)으로부터 유동적으로 격리시키도록 구성된다. 결과적으로, 펌핑 다운하고, 그리고 가스를, 프로세싱 볼륨(108) 및 비-프로세싱 볼륨(109) 둘 모두 대신에, 프로세싱 볼륨(108)에만 전달하는 데 필요한 감소된 시간으로 인해, 프로세스 챔버(100)의 스루풋이 개선된다.
[0030] 일부 실시예들에서, 밀봉 장치(190)는, 기판 지지부(130)의 최하부 표면에 커플링된 링(232), 제1 벨로우즈(236)를 통해 링(232)에 커플링된 제1 환형 브래킷(234), 및 제2 벨로우즈(240)를 통해 제1 환형 브래킷(234)에 커플링된 제2 환형 브래킷(238)을 포함한다. 제1 벨로우즈(236)는 제1 단부에서는 링(232)에 커플링되고, 제2 단부에서는 제1 환형 브래킷(234)의 반경방향 내부쪽 부분에 커플링된다. 제2 벨로우즈(240)는 제1 단부에서는 제1 환형 브래킷(234)의 반경방향 외부쪽 부분에 커플링되고, 제2 단부에서는 제2 환형 브래킷(238)에 커플링된다. 베이스 플레이트(189)는 제1 벨로우즈(236) 반대편 측에서 제1 환형 브래킷(234)의 반경방향 내부쪽 부분에 커플링된다.
[0031] 도 2a에 도시된 페디스털 포지션에서, 제2 벨로우즈(240)는 압축된 상태에 있고, 제2 환형 브래킷(238)의 반경방향 외부쪽 부분의 상부 표면(242)은 하부 차폐부(152)의 렛지(168)의 하부 표면(244)에 인접한다. 도 2b에 도시된 페디스털 포지션에서(즉, 페디스털(134)의 최하측 로딩 포지션으로 가는 도중에), 제2 벨로우즈(240)는 비-압축 상태에 있고, 제2 환형 브래킷(238)의 상부 표면(242)은 하부 차폐부의 하부 표면(244)으로부터 이격되어 있다. 제1 벨로우즈(236)가 제2 벨로우즈(240)와 유사한 방식으로 압축 상태 또는 비-압축 상태 사이에서 이동하지 않기 때문에, 일부 실시예들에서, 단단한 구조(예컨대, 벽)가 링(232)과 제1 환형 브래킷(234)을 연결할 수 있다. 일부 실시예들에서, 밀봉 장치(190)는 제2 벨로우즈(240)만을 포함할 수 있다.
[0032] 본원에서 개시된 프로세스 챔버(100)의 밀봉 장치(190) 및 프로세스 키트(150)의 추가의 장점은, 프로세스 챔버(100)가 멀티-챔버 클러스터 툴의 복수의 챔버들 중 하나인 시나리오에서 실현된다. 그러한 시나리오에서, 각각의 챔버는 각각의 프로세스 챔버의 프로세싱 볼륨의 격리로 인해 상이한 프로세스들 또는 동일한 프로세스를 실행할 수 있다. 예컨대, 도 3a는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따른 멀티-챔버 클러스터 툴(300)의 개략적인 평면도를 예시한다. 도 3b는 라인 B-B'을 따라 취해진, 도 3a의 멀티-챔버 클러스터 툴의 개략적인 단면도를 예시한다. 도 3a 및 도 3b에 예시된 바와 같이, 멀티-챔버 클러스터 툴(300)은 복수의 프로세스 챔버들(100A, 100B)을 포함할 수 있다. 도 3a 및 도 3b에 2개의 챔버들이 도시되지만, 멀티-챔버 클러스터 툴(300)은 대안적으로, 임의의 수의 챔버들(예컨대, 3개, 4개 등)을 포함할 수 있다. 각각의 챔버는 위에서 설명된 프로세스 챔버(100)와 유사할 수 있다. 일부 실시예들에서, 멀티-챔버 클러스터 툴(300)은, 이송 로봇(도시되지 않음)으로부터 개구(304)(예컨대, 슬릿 밸브 개구)를 통해 기판을 수용하도록 구성된 로봇 암(302)을 포함한다. 로봇 암(302)은, 기판을 프로세스 챔버들(100A, 100B)에 공급하기 위해, (화살표(306)로 도시된 바와 같이) 회전하고 (화살표(308)로 도시된 바와 같이) 수직으로 이동할 수 있다. 프로세스 챔버들(100A, 100B)은, 위에서 설명된 기판 지지부(130) 및 페디스털(134)과 유사한, 페디스털들(134A, 134B)을 갖는 개개의 기판 지지부들(130A, 130B)(예컨대, 제1 기판 지지부 및 제2 기판 지지부)을 포함한다. 페디스털들(134A, 134B)은, 로봇 암(302)으로부터 기판을 수용하기 위한 개개의 로딩 포지션들과 개개의 페디스털의 정상에 배치된 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 포지션들 사이에서 (화살표들(310A, 310B)로 도시된 바와 같이) 수직으로 이동가능하다. 각각의 프로세스 챔버(100A, 100B)가 위에서 설명된 밀봉 장치(190)(예컨대, 190A, 190B)를 포함하기 때문에, 페디스털들(134A, B)이 프로세싱 포지션들에 있을 때, 개개의 프로세싱 볼륨들(108A, 108B)은 공통 볼륨(309)(예컨대, 페디스털들 아래에 배치된 비-프로세싱 볼륨들)으로부터 격리된다. 따라서, 프로세스 챔버들(100A, 100B)은 유리하게, 하나의 챔버의 프로세스가 인접한 챔버를 오염시키지 않으면서, 상이한 프로세스들을 실행할 수 있다.
[0033] 예컨대, 각각의 프로세스 챔버(100A, 100B)는 개개의 가스 공급 플레넘들(예컨대, 제2 환형 플레넘들(181A, 181B))을 통해 독립적인 가스 공급부(166A, 166B)에 커플링될 수 있다. 게다가, 각각의 프로세스 챔버(100A, 100B)는 개개의 펌핑 플레넘들(예컨대, 제1 환형 플레넘들(180A, 180B))을 통해 독립적인 펌프(185A, 185B)에 커플링될 수 있다. 대안적으로, 각각의 프로세스 챔버(100A, 100B)는, 각각의 개개의 프로세싱 볼륨(108A, 108B)으로부터의 펌핑을 제어하기 위해, 개별적으로 제어되는 밸브들을 이용하여 공통 펌프(185)에 커플링될 수 있다.
[0034] 도 1을 다시 참조하면, 스퍼터링 타겟(140)은 DC 전력 소스(146) 및 RF 전력 소스(148) 중 하나 또는 둘 모두에 연결된다. DC 전력 소스(149)는, 스퍼터링 프로세스 동안 전기적으로 플로팅될 수 있는 상부 차폐부(151)에 대해 스퍼터링 타겟(140)에 바이어스 전압을 인가할 수 있다. DC 전력 소스(146)가 스퍼터링 타겟(140), 상부 차폐부(151), 기판 지지부(130), 및 DC 전력 소스(146)에 연결된 다른 챔버 컴포넌트들에 전력을 공급하는 동안, RF 전력 소스(148)는 스퍼터링 가스를 에너자이징(energize)하여 스퍼터링 가스의 플라즈마를 형성한다. 형성된 플라즈마는 스퍼터링 타겟(140)의 스퍼터링 표면(139)에 부딪치고 타격하여 스퍼터링 표면(139)으로부터의 재료를 기판(104) 상에 스퍼터링한다. 일부 실시예들에서, RF 전력 소스(148)에 의해 공급되는 RF 에너지는 주파수 범위가 대략 2 MHz 내지 대략 60 MHz일 수 있거나, 또는 예컨대, 2 MHz, 13.56 MHz, 27.12 MHz, 또는 60 MHz와 같은 비-제한적인 주파수들이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 복수(즉, 2개 이상)의 RF 전력 소스들이 제공되어 위의 주파수들 중 복수의 주파수들로 RF 에너지를 제공할 수 있다.
[0035] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버(100)는, 스퍼터링 타겟(140) 주위의 자기장을 형상화하여 스퍼터링 타겟(140)의 스퍼터링을 개선하기 위해 스퍼터링 타겟(140) 위에 배치된 자기장 생성기(164)를 포함할 수 있다. 용량성으로 생성된 플라즈마는, 예컨대, 영구 자석 또는 전자기 코일들이 기판(104)의 평면에 수직인 회전축을 갖는 회전 자기장을 갖는 자기장을 프로세스 챔버(100) 내에 제공할 수 있는 자기장 생성기(164)에 의해 향상될 수 있다. 프로세스 챔버(100)는 추가로 또는 대안으로, 스퍼터링 타겟(140)에 인접한 고밀도 플라즈마 구역에서 이온 밀도를 증가시켜 타겟 재료의 스퍼터링을 개선하기 위해 프로세스 챔버(100)의 스퍼터링 타겟(140) 근처에 자기장을 생성하는 자기장 생성기(164)를 포함한다.
[0036] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버(100)는 배기부(170)를 추가적으로 포함할 수 있다. 배기부(170)는, 일부 소비된 프로세스 가스를 수용할 수 있는 배기 포트(171)를 포함하고, 그리고 소비된 가스를 프로세스 챔버(100) 내의 가스의 압력을 제어하기 위한 스로틀 밸브(179)를 갖는 배기 도관(172)에 통과시킨다. 배기 도관(172)은 하나 이상의 배기 펌프들(173)에 연결된다.
[0037] 프로세스 챔버(100)의 다양한 컴포넌트들은 제어기(174)에 의해 제어될 수 있다. 제어기(174)는 기판(104)을 프로세싱하도록 컴포넌트들을 동작시키기 위한 명령 세트들을 갖는 프로그램 코드를 포함한다. 예컨대, 제어기(174)는 프로그램 코드를 포함할 수 있으며, 프로그램 코드는, 기판 지지부(130) 및 기판 이송 메커니즘을 동작시키기 위한 기판 포지셔닝 명령 세트들; 프로세스 챔버(100)로의 스퍼터링 가스의 유동을 세팅하도록 가스 유동 제어 밸브들을 동작시키기 위한 가스 유동 제어 명령 세트들; 프로세스 챔버(100) 내의 압력을 유지하도록 동작시키기 위한 가스 압력 제어 명령 세트들; 가스 에너자이징 전력 레벨을 세팅하도록 RF 전력 소스(148)를 동작시키기 위한 가스 에너자이저 제어 명령 세트들; 환형 튜브(224)로의 열 전달 매체의 유량을 제어하도록 열 전달 소스(222) 또는 기판 지지부(130) 내의 온도 제어 시스템을 제어하기 위한 온도 제어 명령 세트들; 및 프로세스 챔버(100) 내의 프로세스를 모니터링하기 위한 프로세스 모니터링 명령 세트들을 포함한다.
[0038] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 고안될 수 있다.

Claims (15)

  1. 프로세스 챔버로서,
    상기 프로세스 챔버 내에 내측 볼륨을 정의하는 챔버 벽;
    기판을 지지하기 위한 지지 표면을 갖는, 상기 내측 볼륨 내에 배치된 기판 지지부 ― 상기 내측 볼륨은, 상기 지지 표면 위에 배치된 프로세싱 볼륨 및 상기 지지 표면 아래에 적어도 부분적으로 배치된 비-프로세싱 볼륨을 포함함 ―;
    상기 지지 표면 위에 배치된 가스 공급 채널을 통해 상기 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 가스 공급 플레넘(gas supply plenum);
    상기 지지 표면 위에 배치된 배기 채널을 통해 상기 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 펌핑 플레넘; 및
    상기 기판 지지부가 프로세싱 포지션에 있을 때, 상기 프로세싱 볼륨을 상기 비-프로세싱 볼륨으로부터 유동적으로 격리하도록 구성된 밀봉 장치를 포함하며,
    상기 기판 지지부가 비-프로세싱 포지션에 있을 때, 상기 프로세싱 볼륨과 상기 비-프로세싱 볼륨은 유동적으로 커플링되는,
    프로세스 챔버.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 내측 볼륨 내에 배치되고 그리고 상기 프로세싱 볼륨을 둘러싸는 프로세스 키트를 더 포함하며,
    상기 가스 공급 플레넘 및 상기 펌핑 플레넘 각각은 상기 프로세스 키트 및 상기 챔버 벽에 의해 부분적으로 정의되는,
    프로세스 챔버.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 프로세스 키트는,
    하부 차폐부 ― 상기 하부 차폐부는, 상기 가스 공급 채널을 적어도 부분적으로 정의하는, 상기 하부 차폐부의 상부 부분을 관통해 형성된 복수의 스루 홀(through hole)들을 가짐 ―; 및
    상부 차폐부를 포함하며,
    상기 상부 차폐부는 상기 하부 차폐부의 정상에 배치되고, 그리고 상기 펌핑 플레넘을 상기 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링하는 상기 배기 채널을 부분적으로 정의하는 상부 부분을 포함하는,
    프로세스 챔버.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 상부 차폐부는 하부 부분을 더 포함하고, 상기 하부 부분은, 상기 하부 부분과 상기 하부 차폐부의 반경방향 내측 표면 사이에 갭을 정의하기 위해 상기 반경방향 내측 표면에 대해 이격된 관계로 상기 상부 부분으로부터 하향으로 연장되고,
    상기 하부 차폐부의 복수의 스루 홀들은, 상기 갭이 추가로 상기 가스 공급 채널을 적어도 부분적으로 정의하도록, 상기 상부 차폐부의 하부 부분에 인접하게 배치되는,
    프로세스 챔버.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 프로세스 키트는,
    상기 하부 차폐부의 상향으로 연장되는 립(upwardly extending lip)의 정상에 배치된 커버 링; 및
    상기 기판 지지부의 정상에 그리고 상기 커버 링의 아래에 배치된 증착 링을 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 프로세스 키트는,
    환형 어댑터 ― 상기 환형 어댑터는, 상기 챔버 벽의 정상에 배치되고, 그리고 상기 환형 어댑터의 반경방향 내부쪽 지향 표면(radially inward facing surface)을 따라 배치된 제1 환형 채널 및 제2 환형 채널을 가짐 ―;
    상기 환형 어댑터의 부분의 정상에 그리고 상기 제1 환형 채널에 인접하게 배치되어 제1 환형 플레넘을 형성하는 외향 연장 칼라(outwardly extending collar)를 갖는 하부 차폐부 ― 상기 하부 차폐부는 상기 제1 환형 플레넘을 상기 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링하기 위해, 상기 칼라를 관통해 형성된 복수의 스루 홀들을 포함함 ―; 및
    상기 외향 연장 칼라의 정상에 배치된 상부 부분 및 상기 상부 부분으로부터 하향으로 연장되는 하부 부분을 갖는 상부 차폐부를 포함하며,
    상기 상부 부분은, 상기 상부 부분의 외측 표면에 형성되고 그리고 상기 제2 환형 채널에 인접하게 배치되어 제2 환형 플레넘을 형성하는 제3 환형 채널을 포함하고, 그리고 상기 상부 부분은, 상기 제2 환형 플레넘을 상기 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링하는 구불구불한 경로(tortuous path)를 적어도 부분적으로 정의하는,
    프로세스 챔버.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세싱 볼륨에 인접하게, 상기 내측 볼륨의 상부 섹션에 배치된 스퍼터링 타겟을 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  8. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밀봉 장치는,
    제1 단부에서 상기 기판 지지부에 커플링되고 그리고 상기 제1 단부 반대편의 제2 단부에서 환형 브래킷의 반경방향 외부쪽 부분에 커플링된 벨로우즈를 포함하며,
    상기 기판 지지부가 상기 프로세싱 포지션에 있을 때, 상기 환형 브래킷의 반경방향 외부쪽 부분의 상부 표면은, 상기 프로세싱 볼륨을 상기 비-프로세싱 볼륨으로부터 유동적으로 디커플링하기 위해 프로세스 챔버 컴포넌트의 표면에 맞닿게 배치되고, 그리고
    상기 기판 지지부가 상기 비-프로세싱 포지션에 있을 때, 상기 환형 브래킷의 상부 표면은 상기 프로세싱 볼륨을 상기 비-프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링하기 위해 상기 프로세스 챔버 컴포넌트의 표면으로부터 이격되는,
    프로세스 챔버.
  9. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급 플레넘 내의 제1 압력을 모니터링하기 위해 상기 가스 공급 플레넘에 유동적으로 커플링된 제1 압력 모니터링 디바이스; 및
    상기 펌핑 플레넘 내의 제2 압력을 모니터링하기 위해 상기 펌핑 플레넘에 유동적으로 커플링된 제2 압력 모니터링 디바이스를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  10. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나 이상의 프로세스 가스들을 상기 프로세싱 볼륨에 공급하기 위해 상기 가스 공급 플레넘에 커플링된 가스 공급부; 및
    상기 프로세싱 볼륨을 진공배기(evacuate)시키기 위해 상기 펌핑 플레넘에 커플링된 펌프를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  11. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 환형 플레넘 내의 제1 압력을 모니터링하기 위해 상기 제1 환형 플레넘에 커플링된 제1 압력 모니터링 디바이스; 및
    상기 제2 환형 플레넘 내의 제2 압력을 모니터링하기 위해 상기 제2 환형 플레넘에 커플링된 제2 압력 모니터링 디바이스를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  12. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제2 기판을 지지하기 위한 제2 지지 표면을 갖는, 상기 내측 볼륨 내에 배치된 제2 기판 지지부 ― 상기 내측 볼륨은, 상기 제2 지지 표면 위에 배치된 제2 프로세싱 볼륨 및 상기 제2 지지 표면 아래에 적어도 부분적으로 배치된 제2 비-프로세싱 볼륨을 더 포함하고, 상기 비-프로세싱 볼륨과 상기 제2 비-프로세싱 볼륨은 공통 볼륨을 형성함 ―;
    상기 제2 지지 표면 위에 배치된 제2 가스 공급 채널을 통해 상기 제2 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 제2 가스 공급 플레넘;
    상기 제2 지지 표면 위에 배치된 제2 배기 채널을 통해 상기 제2 프로세싱 볼륨에 유동적으로 커플링된 제2 펌핑 플레넘; 및
    상기 제2 기판 지지부가 프로세싱 포지션에 있을 때, 상기 제2 프로세싱 볼륨을 상기 공통 볼륨으로부터 유동적으로 격리하도록 구성된 제2 밀봉 장치를 더 포함하며,
    상기 제2 기판 지지부가 비-프로세싱 포지션에 있을 때, 상기 제2 프로세싱 볼륨과 상기 공통 볼륨은 유동적으로 커플링되는,
    프로세스 챔버.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 챔버 벽의 개구를 통해 기판들을 수용하기 위해 상기 공통 볼륨에 배치된 로봇 암을 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  14. 제12 항에 있어서,
    하나 이상의 프로세스 가스들을 상기 제1 프로세싱 볼륨에 공급하기 위해 상기 제1 가스 공급 플레넘에 커플링된 제1 가스 공급부; 및
    하나 이상의 프로세스 가스들을 상기 제2 프로세싱 볼륨에 공급하기 위해 상기 제2 가스 공급 플레넘에 커플링된, 상기 제1 가스 공급부와 독립적인, 제2 가스 공급부를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 프로세싱 볼륨을 진공배기시키기 위해 상기 제1 펌핑 플레넘에 커플링된 제1 펌프; 및
    상기 제2 프로세싱 볼륨을 진공배기시키기 위해 상기 제2 펌핑 플레넘에 커플링된 제2 펌프를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
KR1020207011224A 2017-09-22 2018-09-18 프로세스 볼륨 밀봉이 개선된 기판 프로세싱 챔버 KR20200046113A (ko)

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