KR20200038447A - Steam cleaning system using steam generation apparatus - Google Patents
Steam cleaning system using steam generation apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200038447A KR20200038447A KR1020200040976A KR20200040976A KR20200038447A KR 20200038447 A KR20200038447 A KR 20200038447A KR 1020200040976 A KR1020200040976 A KR 1020200040976A KR 20200040976 A KR20200040976 A KR 20200040976A KR 20200038447 A KR20200038447 A KR 20200038447A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- steam
- unit
- induction heating
- cleaning
- heating unit
- Prior art date
Links
- 238000013020 steam cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 132
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 80
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 238000003303 reheating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 14
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010793 Steam injection (oil industry) Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000008236 heating water Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02054—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process combining dry and wet cleaning steps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/10—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications
- H05B6/105—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications using a susceptor
- H05B6/108—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications using a susceptor for heating a fluid
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템에 관한 것으로서, 더 상세하게는 유도 가열을 이용하여 미리 예열된 순수를 스팀으로 빠르게 발생시켜 세정 대상물로 분사함으로써, 순수로부터 스팀을 발생시키는 공간을 줄여 전체적인 스팀 세정 시스템의 규모를 소형화할 수 있는 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a steam cleaning system using a steam generating device, and more specifically, by using induction heating to quickly generate preheated pure water as steam and spray it to a cleaning object, thereby reducing the space for generating steam from pure water, thereby reducing the overall The present invention relates to a steam cleaning system using a steam generator capable of miniaturizing the scale of the steam cleaning system.
반도체 웨이퍼(Semiconductor wafer), 평판디스플레이의 유리기판, 금속판 등과 같은 수많은 워크피스의 표면에는 제조공정 중에 많은 잔류물질(Residual organic materials), 미립자(Particle), 유기물, 무기물 등 오염물질이 존재하게 된다. 반도체 디바이스 제조공정에서는 웨이퍼에 패턴을 형성한 후 세정하는 세정 공정이 반복된다. 웨이퍼를 세정하는 이유는 포토레지스트막이나 폴리머막 등의 유기물이나 파티클 등을 제거하는 것이다. 유기물이나 파티클은 제품의 결함을 발생시키기 때문에 이를 제거하기 위한 세정공정(Cleaning process)의 중요성은 더욱 부각되고 있는 추세에 있다.On the surface of numerous workpieces such as semiconductor wafers, glass substrates of flat panel displays, metal plates, etc., there are many residual organic materials, particulates, organics, and inorganic contaminants during the manufacturing process. In a semiconductor device manufacturing process, a cleaning process for forming a pattern on a wafer and then cleaning is repeated. The reason for cleaning the wafer is to remove organic substances such as photoresist films and polymer films, particles, and the like. Since organic matter or particles generate defects in products, the importance of a cleaning process to remove them is becoming more and more emphasized.
반도체와 같은 산업분야에서는 비용이 저렴하고 기술의 적합성이 검증되어 있는 습식 세정법이 광범위하게 사용되고 있다. 그런데 습식 세정은 독성이 매우 강한 강산과 강염기를 주로 사용하므로, 환경오염, 안전성 등의 문제로 사용이 규제되고 있다. 또한, 반도체 소자의 집적도가 증가되는 것에 따라 세정제와 초순수의 순도를 높게 유지해야 할 필요가 있으므로, 비용이 증가되고 있는 실정이다. 특히, 습식 세정은 진공장비들과 연계시켜 연속적인 공정을 수행하기 위한 클러스터 툴 시스템(Cluster tool system)에 적용하기 어렵다. 습식 세정법의 단점을 보완하고 해결하기 위하여 건식 세정법이 개발되어 적용되고 있다. 기상 세정이라 부르고도 있는 건식 세정에는 초음파 세정, 전리오존 세정, 엑시머 자외선(Excimer ultraviolet, EUV) 세정, 플라즈마(Plasma) 세정 등이 있다. 건식 세정장비는 구성이 복잡하고 차지하는 면적도 넓은 단점이 있다.In the industrial field such as semiconductor, a wet cleaning method is widely used because of its low cost and proven technology suitability. However, since wet cleaning mainly uses strong acids and strong bases, which are highly toxic, use is restricted due to environmental pollution and safety issues. In addition, since the purity of the cleaning agent and ultrapure water needs to be kept high as the degree of integration of semiconductor devices increases, the situation is increasing. In particular, wet cleaning is difficult to apply to a cluster tool system for performing a continuous process in connection with vacuum equipment. Dry cleaning methods have been developed and applied to compensate and solve the disadvantages of wet cleaning methods. Dry cleaning, also called gas phase cleaning, includes ultrasonic cleaning, ionozone cleaning, excimer ultraviolet (EUV) cleaning, and plasma cleaning. Dry cleaning equipment has the disadvantage of a complicated configuration and a large area.
한편, 친환경적이면서 세정력이 우수한 고온고압의 스팀을 이용하는 스팀 세정장비가 개발되었다. 스팀세정장비는 히터를 이용하여 대용량 용기에 담긴 물을 가열하여 스팀을 발생시켜 이를 웨이퍼에 분사하여 세정하는 방식이다. On the other hand, steam cleaning equipment using high-temperature, high-pressure steam that is environmentally friendly and has excellent cleaning power has been developed. The steam cleaning equipment is a method of heating water contained in a large-capacity container using a heater to generate steam and spraying it onto a wafer for cleaning.
이와 같은 스팀세정장비는 대부분 대량으로 스팀을 생성하기 위해 대용량의 용기를 사용함으로써, 반도체 디바이스 제조 공정에서 일부를 차지하는 세정 시스템의 규모가 대형화될 수 밖에 없다.Most of these steam cleaning equipments use a large-capacity container to generate steam in large quantities, and thus the size of the cleaning system, which occupies a part in the semiconductor device manufacturing process, has to be enlarged.
또한, 대형화된 스팀세정장비는 스팀을 발생시키는 지점부터 스팀을 분사시키는 지점까지의 스팀이송경로를 길어지게 만들기 때문에, 발생된 스팀을 온도 및 압력 조건을 유지시키면서 원하는 위치까지 이동시키기 위한 상당한 노력이 필요하다. 즉, 발생된 스팀은 스팀이송경로가 길어짐에 따라 온도변화로 인해 기체 상태의 스팀이 응축되어 액체 상태의 물로 변화될 수 있다. 이에 따라, 이러한 세정 시스템에서는 스팀 온도 및 압력 상태를 유지시키기 위한 추가적인 설비를 구비하거나 스팀의 온도와 압력을 제어하는 기술 적용이 요구될 수 있다.In addition, since the large-scale steam cleaning equipment makes the steam transfer path from the steam generating point to the steam injection point longer, considerable effort is required to move the generated steam to a desired position while maintaining temperature and pressure conditions. need. That is, the generated steam may be changed into liquid water due to condensation of gaseous steam due to temperature change as the steam transfer path becomes longer. Accordingly, in such a cleaning system, it may be necessary to provide additional facilities for maintaining the steam temperature and pressure state or to apply a technology for controlling the temperature and pressure of the steam.
또한, 물은 비열이 다른 물질보다 상대적으로 크기 때문에 온도변화가 크게 나타나지 않는다. 이러한 물의 특성으로 인해, 스팀세정장비는 히터를 이용하여 대용량의 용기에 담긴 물을 가열하여 스팀세정공정을 시작하기에 앞서 많은 양의 스팀을 준비해야 한다. In addition, since the specific heat of water is relatively larger than other materials, the temperature change does not appear significantly. Due to the nature of this water, the steam cleaning equipment must prepare a large amount of steam before starting the steam cleaning process by heating the water in a large container using a heater.
다시 말해, 종래의 스팀세정장비는 물의 온도를 제어하기가 어렵기 때문에, 짧은 시간 내에 스팀을 발생시키기 곤란하다. 이는 스팀세정공정에서 짧은 시간 내에 스팀공정으로 들어오는 피처리대상(일례로, 웨어퍼, 글래스, 기판 등)을 대응하기 위해 대용량의 스팀을 사전에 준비해야 함을 의미한다.In other words, the conventional steam cleaning equipment is difficult to control the temperature of the water, so it is difficult to generate steam in a short time. This means that a large amount of steam must be prepared in advance in order to respond to an object to be treated (eg, a wafer, glass, substrate, etc.) entering the steam process within a short time in the steam cleaning process.
아울러, 용기 내부에 파티클이 발생되면 발생된 스팀도 파티클에 의해 오염될 수 있는데, 스팀의 오염이 웨이퍼에 분사되면 웨이퍼의 세정력이 떨어지게 된다.In addition, when particles are generated inside the container, the generated steam may also be contaminated by particles. When the contamination of steam is sprayed onto the wafer, the cleaning power of the wafer is deteriorated.
따라서, 종래의 스팀세정장비는 스팀 시스템의 규모를 소형화시켜 별도의 스팀이송경로 없이 스팀을 제공할 뿐만 아니라, 짧은 시간 내에 스팀공정으로 들어오는 피처리대상에 대응할 수 있는 빠른 속도로 스팀을 생성할 수 있는 시스템이 제안될 필요성이 있다.Therefore, the conventional steam cleaning equipment can not only provide steam without a separate steam transport path by miniaturizing the size of the steam system, but also generate steam at a high speed that can respond to the object to be processed entering the steam process within a short time. There is a need for a proposed system.
본 발명의 목적은 유도 가열을 이용하여 미리 예열된 순수를 스팀으로 빠르게 발생시켜 세정 대상물로 분사함으로써, 순수로부터 스팀을 발생시키는 공간을 줄여 전체적인 스팀 세정 시스템의 규모를 소형화할 수 있는 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템을 제공하는데 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.An object of the present invention is to generate a steam generator capable of miniaturizing the scale of the overall steam cleaning system by reducing the space for generating steam from pure water by rapidly generating preheated pure water as steam using induction heating and spraying it into the object to be cleaned. It is to provide a used steam cleaning system. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템이 제공된다. 상기 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템은, 세정 대상물을 공급하기 위한 대상물 공급부; 상기 세정 대상물을 스팀발생장치를 이용하여 스팀 세정을 수행하기 위한 대상물 처리부; 및 상기 세정 대상물의 처리 결과에 따라 상기 대상물 공급부와 상기 대상물 처리부로 로딩 또는 언로딩하는 대상물 로딩/언로딩부;를 포함하며, 상기 스팀발생장치는, 외부로부터 공급된 순수를 가열하여 스팀을 발생시키는 제1 공간과 발생된 스팀을 재가열하는 제2 공간을 구분하고, 상기 제1 및 제2 공간을 유도 가열하기 위한 유도 가열부; 상기 유도 가열부로 순수를 공급하기에 앞서, 외부로부터 공급된 순수를 스팀이 발생하기 직전의 온도로 예열하여 상기 유도 가열부로 공급하는 예열부; 상기 유도 가열부와 상기 예열부 각각에 전원을 공급하기 위한 전원공급부; 및 상기 유도 가열부의 온도 및 압력과 상기 예열부의 온도 및 압력을 감지하여 상기 유도 가열부와 상기 예열부 각각에 공급되는 전원의 세기를 조절할 수 있도록, 상기 전원공급부를 제어하는 제어부;를 포함하고, 상기 유도 가열부는, 스팀이 발생하기 직전의 온도인 85℃ 내지 95℃로 미리 가열된 순수를 상기 예열부로부터 공급받을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a steam cleaning system using a steam generator is provided. The steam cleaning system using the steam generator includes: an object supply unit for supplying an object to be cleaned; An object processing unit for performing steam cleaning on the object to be cleaned using a steam generator; And an object loading / unloading unit loading or unloading the object supply unit and the object processing unit according to the result of the treatment of the cleaning object, and the steam generating device generates steam by heating pure water supplied from the outside. An induction heating unit for separating the first space and the second space for reheating the generated steam, and for induction heating the first and second spaces; A preheating unit preheating the pure water supplied from the outside to a temperature just before steam is generated and supplying the pure water to the induction heating unit before supplying the pure water to the induction heating unit; A power supply unit for supplying power to each of the induction heating unit and the preheating unit; It includes; and a control unit for controlling the power supply unit to detect the temperature and pressure of the induction heating unit and the temperature and pressure of the preheater to adjust the strength of power supplied to each of the induction heating unit and the preheater. The induction heating unit may receive pure water preheated to 85 ° C to 95 ° C, which is the temperature immediately before steam is generated, from the preheating unit.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 유도 가열부는, 상기 전원공급부로부터 교류전원을 공급받아 고주파 교류자계를 형성하기 위한 코일; 상기 코일에 의해 형성된 교류자계에 의해 외부로 공급된 순수로부터 스팀을 발생하기 위한 하나 이상의 하부 가열부; 상기 코일에 의해 형성된 교류자계에 의해 상기 하부 가열부에 의해 발생된 스팀을 재가열하기 위한 하나 이상의 상부 가열부; 및 상기 하부 및 상부 가열부를 내부에 위치시키고, 상기 코일을 둘레에 권선하기 위한 바디;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the induction heating unit, the coil for forming a high-frequency AC magnetic field receiving AC power from the power supply; At least one lower heating unit for generating steam from pure water supplied externally by an alternating magnetic field formed by the coil; At least one upper heating unit for reheating steam generated by the lower heating unit by an alternating magnetic field formed by the coil; And a body for positioning the lower and upper heating parts therein and winding the coil around the body.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 대상물 처리부는, 라인형 또는 회전형 구조일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the object processing unit may be a line type or a rotational structure.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 대상물 처리부는, 상기 세정 대상물에 UV 처리, 에어나이프 처리, 스팀 세정을 실시할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the object processing unit may perform UV treatment, air knife treatment, and steam cleaning on the object to be cleaned.
본 발명은 유도 가열을 이용하여 미리 예열된 순수를 스팀으로 빠르게 발생시켜 세정 대상물로 분사함으로써, 순수로부터 스팀을 발생시키는 공간을 줄여 전체적인 스팀 세정 시스템의 규모를 소형화할 수 있다.According to the present invention, the preheated pure water is rapidly generated by steam using induction heating and sprayed to the object to be cleaned, thereby reducing the space for generating steam from pure water and miniaturizing the overall scale of the steam cleaning system.
또한, 본 발명은 유도 가열을 통해 짧은 시간 내에 스팀을 발생함으로써 대용량의 스팀 저장소를 마련할 필요가 없다.In addition, the present invention does not need to provide a large capacity steam reservoir by generating steam in a short time through induction heating.
또한, 본 발명은 별도의 스팀이송경로 없이 발생된 스팀을 노즐을 통해 곧바로 세정 대상물로 분사할 수 있는 구조를 갖기 때문에 온도 변화에 따른 스팀의 응축현상을 방지할 수 있다.In addition, the present invention can prevent the condensation phenomenon of steam due to the temperature change because it has a structure that can directly spray the generated steam without a separate steam transport path through the nozzle to the object to be cleaned.
또한, 본 발명은 대용량의 용기를 마련할 필요가 없기 때문에 용기 내부의 파티클 발생을 방지하고, 그에 따라 파티클이 스팀에 포함됨에 따른 스팀의 웨이퍼 세정력 저하를 방지할 수 있다. In addition, since the present invention does not need to provide a large-capacity container, it is possible to prevent the generation of particles inside the container, and accordingly, to prevent the wafer from cleaning power of the steam as particles are included in the steam.
또한, 본 발명은 짧은 시간 내에 스팀공정으로 들어오는 피처리대상에 대응할 수 있는 빠른 속도로 스팀을 생성할 수 있는 시스템을 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a system capable of generating steam at a high speed capable of responding to an object to be processed entering a steam process within a short time.
또한, 본 발명은 스팀에 압축공기를 혼합하여 세정 대상물에 대한 세정하는 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can improve the efficiency of cleaning the object to be cleaned by mixing compressed air with steam.
또한, 본 발명은 스팀에 세정액을 혼합하여 추가적인 스팀의 양을 급속으로 증가시켜 대용량의 스팀을 발생시킬 수 있을 뿐만 아니라, 스팀의 온도를 조절하여 스팀 세정을 위한 최적 조건의 스팀을 발생시킬 수 있다.In addition, the present invention can generate a large amount of steam by rapidly increasing the amount of additional steam by mixing the cleaning solution with steam, as well as generating steam in optimum conditions for steam cleaning by controlling the temperature of the steam. .
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유도가열을 이용한 스팀발생장치에 대한 도면,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 유도 가열부 및 노즐에 대한 도면,
도 3a는 상기 도 2의 유도 가열부 외부를 나타낸 도면,
도 3b는 상기 도 2의 유도 가열부의 바디 단면을 나타낸 도면,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템에 대한 도면,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템에 대한 도면,
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일실시예에 따른 노즐의 출구 형상을 나타낸 도면,
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일실시예에 따른 노즐의 스팀 등을 분사하는 구조를 나타낸 도면,
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일실시예에 따른 세정 대상물의 배치 구조를 나타낸 도면,
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 노즐 주변 구조를 나타낸 도면,
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 조절밸브의 구조를 나타낸 도면이다.1 is a view of a steam generator using induction heating according to an embodiment of the present invention,
2 is a view of an induction heating unit and a nozzle according to an embodiment of the present invention,
Figure 3a is a view showing the outside of the induction heating unit of Figure 2,
Figure 3b is a view showing a cross-section of the body of the induction heating of Figure 2,
4 is a view of a steam cleaning system using a steam generator according to an embodiment of the present invention,
5 is a view of a steam cleaning system using a steam generator according to another embodiment of the present invention,
Figures 6a to 6c is a view showing the outlet shape of the nozzle according to an embodiment of the present invention,
7a to 7c is a view showing a structure for spraying steam and the like of the nozzle according to an embodiment of the present invention,
8A to 8C are views showing the arrangement structure of an object to be cleaned according to an embodiment of the present invention;
9 is a view showing the structure around the nozzle according to an embodiment of the present invention,
10 is a view showing the structure of a control valve according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following embodiments can be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to the Examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings is exaggerated for convenience and clarity of explanation.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the drawings, for example, depending on the manufacturing technology and / or tolerance, deformations of the illustrated shape can be expected. Therefore, embodiments of the inventive concept should not be interpreted as being limited to a specific shape of the region shown in this specification, but should include, for example, a change in shape resulting from manufacturing.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유도가열을 이용한 스팀발생장치에 대한 도면이다.1 is a view of a steam generating apparatus using induction heating according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 유도가열을 이용한 스팀발생장치(이하 "스팀발생장치"라 함, 100)는, 유도 가열을 이용하여 미리 예열된 순수를 스팀으로 빠르게 발생시켜 세정 대상물로 분사함으로써, 순수로부터 스팀을 발생시키는 공간을 줄여 전체적인 스팀 세정 시스템의 규모를 소형화할 수 있다. 즉, 스팀발생장치(100)는 대용량 저장소에 저장된 순수를 가열하여 스팀을 발생시키고 발생된 스팀을 소정의 이송경로를 거쳐 세정 대상물까지 공급하는 구조가 아니라, 발생된 스팀을 노즐(3)을 통해 곧바로 세정 대상물(50)로 분사할 수 있는 구조를 갖기 때문이다. 여기서, 세정 대상물(50)은 반도체 공정의 웨이퍼(wafer), 디스플레이 공정의 글래스 기판 뿐만 아니라, 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board, PCB), 글래스 기판, 금속 및 기판 등일 수 있다.As shown in Figure 1, the steam generator using induction heating according to an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as "steam generator", 100), the pre-heated pure water using induction heating to steam quickly By generating and spraying the object to be cleaned, the space for generating steam from pure water can be reduced to reduce the size of the overall steam cleaning system. That is, the
또한, 스팀발생장치(100)는 세정 대상물(50)에 가열된 스팀뿐만 아니라, 고온의 압축공기 또는 세정액을 선택적으로 세정 대상물(50)에 분사할 수도 있다.In addition, the
이를 위해, 스팀발생장치(100)는 예열부(10), 유도 가열부(20), 전원공급부(30), 제어부(40)를 포함한다. To this end, the
예열부(10)는 유도 가열부(20)로 순수를 공급하기에 앞서, 외부로부터 공급된 순수(DI water)를 스팀이 발생하기 직전의 온도(일례로, 85℃ 내지 95℃)로 예열하여 유도 가열부(20)로 공급한다. 이는 상온 상태의 순수를 유도 가열부(20)로 공급하는 것이 아니라 유도 가열부(20)에서 스팀이 발생하기 직전의 최적 온도 상태를 갖는 순수를 유도 가열부(20)로 공급하기 위함이다. 즉, 유도 가열부(20)는 상온 상태의 순수를 스팀이 발생하기 직전의 온도로 가열하는 과정을 생략함으로써, 순수를 공급받아 가열하기 위한 공간을 구비하지 않더라도 순수가 공급되는 즉시 스팀을 발생할 수 있다. 이러한 유도 가열부(20)는 예열부(10)로부터 공급된 순수를 즉시 스팀으로 변환시켜 세정 대상물(50)로 분사하기 때문에 소형화 구조로 설계할 수 있다.The preheating
또한, 예열부(10)는 전원공급부(30)로부터 전원을 공급받아, 전기저항을 이용하여 직/간접으로 가열하는 저항 가열 방식(resistance heating)으로 순수를 예열한다. 여기서, 저항 가열의 발열체는 금속 발열체(철/크롬/알루미늄계, 니켈/크롬계 합금, 단일 금속 등), 비금속 발열체(탄화규소, 이산화몰리브덴, 탄탄크로마이트, 카폰/그래파이트 등), 시즈 히터, 세라믹 히터 등이 이용될 수 있다. 이러한 예열부(10)는 전원공급부(30)로부터 공급되는 전원의 세기에 따라 순수의 온도를 조절할 수 있다.In addition, the preheating
예열부(10)는 외부로부터 공급된 순수를 소정의 용기에 담아 직/간접으로 저항 가열하거나, 외부로부터 공급된 순수를 소정의 관(일례로, 접촉면적을 크게 하는 지그재그형 관 등)을 통해 흐를 때 직/간접으로 저항 가열할 수 있다.The preheating
유도 가열부(20)는 예열부(10)로부터 공급된 순수를 유도 가열 방식으로 가열하여 스팀을 발생한다. 여기서, 유도 가열 방식은 전자 유도 현상을 이용한 것으로서, 가열 코일에 고주파 교류 전류가 흐를 때 발생하는 고주파 교류 자계 중에 도전성의 금속 물질을 위치시키면 금속 물질의 표면에 유도 와전류(Eddy current)가 발생하여 금속 물질의 표피 저항에 의한 주울(Joule)열이 발생하게 되는 원리를 이용하는 가열 방식이다. 이때, 유도 가열부(20)는 상온 상태의 순수를 가열하여 스팀을 발생시키는 것이 아니라 예열부(10)에 의해 미리 예열된 순수를 유도 가열하여 스팀을 발생시키기 때문에, 스팀 발생을 위한 공간이 크지 않더라도 예열부(10)로부터 순수가 공급되자마자 스팀을 발생시켜 발생된 스팀을 가열할 수 있다. 유도 가열부(20)는 전원공급부(30)로부터 공급되는 전원의 세기에 따라 스팀 온도를 조절할 수 있다.The
전원공급부(30)는 예열부(10)와 유도 가열부(20) 각각에 필요한 전원을 공급한다. 즉, 전원공급부(30)는 예열부(10)에 상용 교류 전원 또는 직류 전원을 공급하고, 유도 가열부(20)에 고주파 교류 전원(또는 RF 전원)을 공급한다. 특히, 전원공급부(30)는 임피던스 매칭을 위한 임피던스 매칭 네트워크(30a)를 통해 고주파 교류 전원을 유도 가열부(20)에 공급할 수 있다. 이와 같이 전원공급부(30)는 예열부(10)와 유도 가열부(20) 각각에 필요한 개별 구성으로 구비되어 전원을 공급하거나, 하나의 구성에서 각각에 대응되는 조건에 따라 전원을 공급할 수 있다. The
제어부(40)는 전원공급부(30)를 통해 예열부(10)와 유도 가열부(20)의 동작을 제어한다. 구체적으로, 제어부(40)는 전원공급부(30)를 통해 예열부(10)와 유도 가열부(20) 각각에 공급되는 전원의 세기를 제어함으로써, 예열부(10)에 의해 가열되는 순수 온도와 유도 가열부(20)에 의해 발생되는 스팀 온도를 제어할 수 있다. 또한, 제어부(40)는 전원공급부(30)를 통해 예열부(10)와 유도 가열부(20)의 온/오프(on/off) 동작을 제어한다.The
아울러, 제어부(40)는 예열부(10), 유도 가열부(20), 제1 조절밸브(1), 제2 조절밸브(2)의 온도 및 압력을 감지하여 전원공급부(30)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(40)는 예열부(10), 유도 가열부(20), 제1 조절밸브(1), 제2 조절밸브(2) 중 어느 한 지점의 온도 및 압력이 기 설정된 온도 및 압력 이상으로 감지되는 경우에, 전원공급부(30)를 통해 예열부(10)와 유도 가열부(20) 각각에 공급되는 전원의 세기를 조절한다.In addition, the
그리고, 제어부(40)는 예열부(10), 유도 가열부(20), 제1 조절밸브(1), 제2 조절밸브(2)의 온도 및 압력을 감지하여 사용자에게 알려줄 수 있다. Then, the
또한, 제어부(40)는 제1 조절밸브(1)와 제2 조절밸브(2)의 개폐를 제어할 수도 있다. 이를 통해, 제1 조절밸브(1)는 개폐 정도에 따라 예열부(10)로부터 공급된 순수, 압축공기, 세정액(순수 또는 초순수)의 혼합비를 조절할 수 있다. 마찬가지로, 제2 조절밸브(2)는 개폐 정도에 따라 유도 가열부(20)로부터 공급되는 스팀, 압축공기, 세정액(순수 또는 초순수)의 혼합비를 조절할 수 있다. 여기서는 제1 조절밸브(1) 및 제2 조절밸브(2)가 여러 경로를 통해 인입되는 유체를 하나의 밸브를 이용하여 흐름을 조절하고 있지만, 필요에 따라서 인입되는 유체별로 개별 밸브를 이용하여 흐름을 조절할 수도 있다. In addition, the
여기서, 스팀에 압축공기를 혼합하는 것은 스팀의 분사속도를 조절하여 스팀이 세정 대상물(50)을 세정하는 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 스팀에 세정액을 혼합하는 것은 고온의 스팀에 세정액이 섞일 때 발생하는 추가적인 스팀의 양을 급속으로 증가시켜 대용량의 스팀을 발생시킬 수 있다. 이는 스팀의 온도를 조절하여 스팀 세정을 위한 최적 조건의 스팀을 발생시킬 수 있다.Here, mixing compressed air with steam may improve the efficiency of steam cleaning the object to be cleaned 50 by controlling the injection speed of the steam. In addition, mixing the cleaning solution with steam can rapidly increase the amount of additional steam generated when the cleaning solution is mixed with the high-temperature steam, thereby generating large-capacity steam. This may generate steam in optimum conditions for steam cleaning by controlling the temperature of the steam.
전술한 바와 같이, 제어부(40)는 예열부(10), 유도 가열부(20), 제1 조절밸브(1) 및 제2 조절밸브(2)를 제어함으로써, 세정 대상물(50)에 스팀을 분사하여 세정 작업을 수행할 수 있을 뿐만 아니라, 세정 대상물(50)을 건조시키는 고온 압축 공기를 분사하거나 세정 대상물(50)을 세정하기 위한 세정액을 분사할 수 있다. 예를 들어, 제어부(40)는 제1 조절밸브(1)를 통해 압축공기가 인입되는 경로만 전부 개방하고, 제2 조절밸브(2)를 통해 스팀이 분사되는 경로를 전부 개방하면, 유도 가열부(20)를 통해 가열된 고온 압축 공기가 세정 대상물(50)을 향해 분사시킬 수 있다. 마찬가지로, 제어부(40)는 제1 조절밸브(1)를 통해 세정액이 인입되는 경로만 전부 개방하고, 제2 조절밸브(2)를 통해 스팀이 분사되는 경로를 전부 개방한 후 유도 가열부(20)를 오프시키면, 상온의 세정액이 세정 대상물(50)을 향해 분사시킬 수 있다. 이와 같이, 제어부(40)는 예열부(10), 유도 가열부(20), 제1 조절밸브(1) 및 제2 조절밸브(2)를 다양한 조합으로 제어하여 세정 대상물(50)에 따라 최적의 세정 공정 조건을 만족시키는 환경을 제공할 수 있다.As described above, the
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 유도 가열부 및 노즐에 대한 도면이고, 도 3a는 상기 도 2의 유도 가열부 외부를 나타낸 도면이고, 도 3b는 상기 도 2의 유도 가열부의 바디 단면을 나타낸 도면이다.Figure 2 is a view of the induction heating unit and the nozzle according to an embodiment of the present invention, Figure 3a is a view showing the outside of the induction heating unit of Figure 2, Figure 3b is a cross-section of the body of the induction heating unit of Figure 2 It is the figure shown.
먼저, 유도 가열부(20)에 대해 설명한다.First, the
도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 유도 가열부(20)는 코일(21), 바디(body, 22), 하부 가열부(23), 상부 가열부(24), 순수 공급부(25), 스팀조절밸브(26), 노즐 연결부(26a)를 포함한다. 2, 3A and 3B, the
코일(21)은 전원공급부(30)와 연결되어 고주파 교류전원이 공급된다. 이로 인해, 코일(21)은 전원공급부(30)로부터 고주파 교류전원을 공급받아 고주파 교류 자계를 형성한다. 이때, 전원공급부(30)는 임피던스 매칭을 위한 매칭 네트워크(30a)를 통해 코일(21)에 전원을 공급한다.The
한편, 코일(21)은 바디(22)의 둘레(즉, 전면, 후면, 측면)을 따라 권선된다. 이때, 바디(22)의 둘레에는 코일(21)을 지지하여 고정하고, 코일(21)의 권선 경로를 가이드하여 다회 권선할 때 각 권선 간 간격을 일정하게 유지시키기 위한 지지부가 장착될 수 있다. On the other hand, the
또한, 코일(21)은 속이 빈 가늘고 긴 관 형태(즉, 파이프 또는 튜브 형태)일 수 있다. 이러한 코일(21)은 관 내부를 냉각수의 통로로 이용하여 코일 자체에 발생하는 열을 식힌다. 바람직하게는 코일(21)은 전도성이 90% 이상의 동관(copper pipe)이다.Also, the
바디(22)는 석영(quartz) 또는 테프론 재질일 수 있다. 바디(22)는 내부에 하부 및 상부 가열부(23,24)를 배치한다. 이때, 하부 및 상부 가열부(23,24)는 각각의 금속판(23a,24a)을 절연재(23b,24b)로 감싼 형태로 구성한다. 여기서, 순수는 하부 가열부(23)가 잠기는 높이로 채워진다. 즉, 순수는 바디(22)의 중간 지점까지 채워진다. 이는 하부 가열부(23)에 의해 스팀을 발생하고, 상부 가열부(24)에 의해 발생된 스팀을 가열하기 위함이다. 순수는 바디(22)의 하부측에 위치하는 순수 공급부(25)를 통해 공급된다. 또한, 바디(22)는 직육면체로 형성될 수 있다. 하부 및 상부 가열부(23,24)는 바디 길이 방향을 따라 길게 형성된다. 하부 및 상부 가열부(23,24) 각각은 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.The
구체적으로, 하부 및 상부 가열부(23,24)는 전자 유도 현상에 의해 코일(21)에 고주파 교류 전류가 흐를 때 발생하는 고주파 교류 자계로 인해 금속판(23a,24a)의 표면에 유도 와전류가 발생하여 표피 저항에 의한 주울열이 발생한다. 이로 인해, 하부 및 상부 가열부(23,24)는 예열부(10)로부터 공급된 순수를 가열하여 스팀을 발생시킬뿐만 아니라 스팀을 재가열한다. 즉, 하부 가열부(23)는 순수를 가열하여 스팀을 발생시키고, 상부 가열부(24)는 발생된 스팀을 재가열하여 고온의 스팀을 발생시킨다. 이와 같이, 바디(22)는 스팀을 발생시키는 공간과 스팀을 가열하는 공간이 내부에 형성된다.Specifically, the lower and
부가적으로, 하부 및 상부 가열부(23,24)는 별도의 전원을 인가하여 자체의저항을 이용한 저항 가열로 추가적인 온도를 높일 수도 있다.Additionally, the lower and
바디(22)는 상부측에 스팀조절밸브(26)와 노즐 연결부(26a)를 형성할 수 있다. 스팀조절밸브(26)는 바디(22) 내부에서 발생된 스팀의 외부 분사량을 조절한다. 스팀조절밸브(26)는 노즐(3)에 연결하기 위한 노즐 연결부(26a)를 포함할 수 있다. 이때, 스팀조절밸브(26)는 바디(22)에 하나 이상으로 형성할 수 있는데, 스팀조절밸브(26) 각각에 노즐 연결부(26a)도 각각 형성하거나 스팀조절밸브(26) 각각을 하나로 또는 몇개의 그룹으로 묶어서 노즐 연결부(26a)와 연결할 수도 있다. 이러한 스팀조절밸브(26)는 제어부(40)에 의해 제어될 수 있다.The
다음으로, 노즐(3)에 대해 설명한다.Next, the
도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 노즐(3)은 노즐 바디(3a), 제1 노즐밸브(3a-1), 제2 노즐밸브(3a-2), 유도 가열부 연결부(3a-3), 노즐 유로(3b), 유로 분배부(3b-1), 노즐 가열부(3c)를 포함한다.2, 3A and 3B, the
노즐 바디(3a)는 상부측에 제1 노즐밸브(3a-1), 제2 노즐밸브(3a-2), 유도 가열부 연결부(3a-3)를 형성한다. 제1 노즐밸브(3a-1)은 유도 가열부 연결부(3a-3)를 통해 공급되는 스팀에 혼합시키기 위한 압축공기의 공급을 조절할 수 있고, 제2 노즐밸브(3a-2)는 유도 가열부 연결부(3a-3)를 통해 공급되는 스팀에 혼합시키기 위한 세정액(즉, 초순수 또는 순수)의 공급을 조절할 수 있다. 여기서, 유도 가열부 연결부(3a-3)는 유도 가열부(20)의 노즐 연결부(26a)에 연결된다. 여기서, 제1 노즐밸브(3a-1)는 압축공기 대신에 질소 가스의 공급을 조절할 수도 있다.The
스팀에 압축공기 또는 세정액을 혼합시키기 위해서는, 압축공기의 분사량을 조절하는 제1 노즐밸브(3a-1)와 세정액의 분사량을 조절하는 제2 노즐밸브(3a-2)와 같이 각각을 배치할 수도 있지만, 제2 조절밸브(2)의 개폐정도를 이용하여 스팀, 압축공기, 세정액 각각의 혼합량을 조절할 수도 있다.In order to mix the compressed air or the washing liquid with the steam, the
노즐 바디(3a)는 내부에 노즐 유로(3b)를 형성한다. 스팀은 노즐 유로(3b)를 따라 세정 대상물(50)로 분사된다. 또한, 노즐 유로(3b)는 내부에 유로 분배부(3b-1)를 형성하는데, 스팀, 압축공기, 세정액 등이 잘 섞이면서 스팀의 밀도를 균일하게 유지시키고, 물로 다시 액화(재결합)되는 것을 방지할 수 있다. 노즐 바디(3a)는 원통형 단면 또는 다각형 단면을 갖는 구조로 다양하게 설계할 수 있다. The
노즐 바디(3a)는 둘레에 노즐 가열부(3c)를 설치할 수 있다. 노즐 가열부(3c)는 노즐 유로(3b)를 통해 분사되는 노즐의 온도 저하로 인한 응축을 방지할 수 있다.The
노즐 가열부(3a)는 스팀, 압축공기, 세정액이 서로 잘 섞일 수 있는 진동부(미도시)로 대체할 수 있다. 이러한 진동부(미도시)는 소정의 주파수로 진동을 발생시켜 노즐 바디(3a)를 흔들어 스팀, 압축공기, 세정액의 혼합이 잘 일어날 수 있도록 한다. 노즐 가열부(3a)는 전원공급부(30)로부터 전원을 공급받는다.The
노즐(3)은 소정 간격으로 이격되어 적어도 하나 이상 형성될 수 있다. 이때, 노즐(3)은 세정 대상물(50)로 스팀을 직접 분사한다.The
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템에 대한 도면이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템에 대한 도면이다.4 is a view of a steam cleaning system using a steam generator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a view of a steam cleaning system using a steam generator according to another embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템(이하 "제1 스팀 세정 시스템"이라 함, 200)은, 라인형 구조로서, 제1 대상물 공급부(210), 제1 대상물 로딩/언로딩부(220), 제1 대상물 처리부(230)를 포함한다. 이때, 제1 대상물 처리부(230)는 제1 UV 처리부(231), 제1 및 제2 에어나이프 처리부(232,234), 제1 스팀 세정부(233)를 포함한다.Referring to FIG. 4, a steam cleaning system (hereinafter referred to as a “first steam cleaning system” 200) using a steam generator according to an embodiment of the present invention has a line-like structure, and a first
여기서, 제1 스팀 세정 시스템(200)는 적어도 하나 이상의 라인을 설치하여 다수의 세정 시스템으로 형성할 수 있다.Here, the first
또한, 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템(이하 "제2 스팀 세정 시스템"이라 함, 300)은, 회전형 구조로서, 제2 대상물 공급부(310), 제2 대상물 로딩/언로딩부(320), 제2 대상물 처리부(330)를 포함한다. 이때, 제2 대상물 처리부(330)는 제2 UV 처리부(331), 제3 및 제4 에어나이프(332,334), 제2 스팀 세정부(333)를 포함한다.In addition, referring to FIG. 5, a steam cleaning system (hereinafter referred to as a “second steam cleaning system” 300) using a steam generator according to another embodiment of the present invention is a rotating structure, and a second object supply unit ( 310), a second object loading /
여기서, 제2 스팀 세정 시스템(300)는 적어도 하나 이상의 라인을 설치하여 다수의 세정 시스템으로 형성할 수 있다.Here, the second
한편, 도 4 및 도 5에 도시된 제1 및 제2 스팀 세정 시스템(200,300)은 디스플레이 공정분야의 세정 대상물(일례로, 유리기판 등)을 세정하기 위한 세정 시스템으로 적용될 수 있으나, 반도체 공정분야의 세정 대상물(일례로, 웨어퍼 등)을 세정하기 위한 세정 시스템으로도 적용될 수 있다. 특히, 제1 및 제2 스팀 세정 시스템(200,300)은 반도체 식각 공정 후 포토레지스터를 제거하는 애셔(Asher) 장비와 결합하여 습식 세정 공정으로 적용될 수 있다.Meanwhile, the first and second
제1 및 제2 대상물 공급부(210,310)는 미처리된 세정 대상물(50)을 제1 및 제2 대상물 로딩/언로딩부(220,320)로 전달하고, 기처리된 세정 대상물(50)을 제1 및 제2 대상물 로딩/언로딩부(220,320)로부터 전달받는다.The first and second
제1 및 제2 대상물 로딩/언로딩부(220,320)는 회전 운동을 하는 이송로봇으로 세정 대상물(50)을 로딩 및 언로딩하기 위한 동작을 수행한다. 즉, 제1 및 제2 대상물 로딩/언로딩부(220,320)는 제1 및 제2 대상물 공급부(210,310)로부터 전달된 미처리된 세정 대상물(50)을 로딩하여 제1 및 제2 대상물 처리부(230,330)에 언로딩한다. 또한, 제1 및 제2 대상물 로딩/언로딩부(220,320)는 제1 및 제2 대상물 처리부(230,330)로부터 전달된 기처리된 세정 대상물(50)을 로딩하여 제1 및 제2 대상물 공급부(210,310)에 언로딩한다.The first and second object loading /
제1 대상물 처리부(230)는 직선 왕복운동을 하면서, 미처리된 세정 대상물(50)을 이송하여 제1 UV 처리부(231), 제1 에어나이프 처리부(232), 제1 스팀 세정부(233), 제2 에어나이프 처리부(234)를 통해 세정 대상물(50)의 오염물을 세정한다. The first
마찬가지로, 제2 대상물 처리부(330)는 회전운동을 하면서, 미처리된 세정 대상물(50)을 이송하여 제2 UV 처리부(331), 제3 에어나이프 처리부(332), 제2 스팀 세정부(333), 제4 에어나이프 처리부(334)를 통해 세정 대상물(50)의 오염물을 세정한다.Likewise, the second
제1 및 제2 UV 처리부(231,331)는 세정 대상물(50)에 대해 UV 세정을 실시한다.The first and second
또한, 제1 및 제2 에어나이프 처리부(232,334)는 제1 스팀 세정부(233) 사이에 배치하여 스팀 세정시에 발생하는 부산물들이 외부로 나가는 것을 방지하고, 스팀 세정에 의해 기처리된 세정 대상물(50)을 건조시키는 역할을 수행한다. 상술한 바와 같이, 제3 및 제4 에어나이프 처리부(332,334)도 제2 스팀 세정부(333) 사이에 배치하게 된다.In addition, the first and second air
또한, 제1 및 제2 스팀 세정부(233,333)는 전술한 스팀발생장치(100)를 이용하여 세정 대상물(50)에 대한 스팀 세정을 실시한다.In addition, the first and second
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일실시예에 따른 노즐의 출구 형상을 나타낸 도면이다. 6A to 6C are views illustrating an outlet shape of a nozzle according to an embodiment of the present invention.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 노즐(3)은 제2 조절밸브(2)에 연결되어 세정 대상물(50)을 향해 스팀발생장치(100)에 의해 발생된 스팀뿐만 아니라, 고온의 압축공기 또는 세정액을 분사한다. 이러한 노즐(3)은 스팀 등을 세정 대상물(50)에 고르게 분사하기 위해 다양한 형상의 출구 형상을 구비한다. 예를 들어, 노즐(3)은 가늘고 긴 형태의 타원형 구멍을 적어도 하나의 행(row)으로 배치하는 노즐 형상(도 6a 참조), 다각형 또는 원형의 구멍을 적어도 하나의 행(row)으로 배치하는 노즐 형상(도 6b 및 도 6c 참조)일 수 있다. 이때, 노즐 형상의 서로 다른 행에 배치된 각 구멍은 지그 재그로 배치하여 어느 일측에 스팀 등이 쏠리는 현상을 방지할 수 있다. Referring to Figures 6a to 6c, the
한편, 노즐(3)은 전술한 바와 같은 노즐 형상을 단독으로 적용할 수도 있으나, 필요에 따라 서로 결합하여 복합적으로 적용할 수도 있다.On the other hand, the
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 일실시예에 따른 노즐의 스팀 등을 분사하는 구조를 나타낸 도면이다. 7A to 7C are views illustrating a structure for spraying steam and the like of a nozzle according to an embodiment of the present invention.
도 7a 내지 도 7c를 참조하면, 노즐(3)은 세정 대상물(50)에 스팀 등을 효과적으로 분사하기 위해 다양한 각도로 스팀 등을 분사하는 구조를 가질 수 있다.7A to 7C, the
즉, 노즐(3)은 세정 대상물(50)에 스팀 등을 수직으로 분사하는 구조(도 7a 참조)를 가질 수도 있으나, 세정 대상물(50)의 이물질이 보다 효과적으로 분리될 수 있도록 스팀 등을 소정의 각도(α)를 가지고 분사시키는 구조(도 7b 또는 도 7c 참조)를 가질 수도 있다. 이때, 소정의 각도(α)를 가지고 분사하는 구조는 노즐(3) 자체를 소정의 각도(α)로 기울이거나(도 7b 참조), 노즐(3) 내부의 경로를 소정의 각도(α)로 기울일 수 있다(도 7c 참조).That is, the
이와 같이 노즐(3)은 스팀 등을 분사시키는 각도를 하나의 방향으로 스팀 등을 분사할 수도 있지만, 스팀 등을 분사시키는 각도를 다양하게 결합하여 다수의 방향으로 스팀을 분사할 수도 있다. As described above, the
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일실시예에 따른 세정 대상물의 배치 구조를 나타낸 도면이다.8A to 8C are views showing an arrangement structure of an object to be cleaned according to an embodiment of the present invention.
도 8a 내지 도 8c를 참조하면, 세정 대상물(50)은 노즐(3)에 대해 소정의 각도(α)를 갖도록 배치할 수 있다.8A to 8C, the object to be cleaned 50 may be arranged to have a predetermined angle α with respect to the
세정 대상물(50)은 노즐(3)로부터 수직 방향으로 스팀 등이 분사되도록 배치될 수도 있으나(도 8a 참조), 노즐(3)로부터 소정의 각도(α)를 갖는 기울어진 방향으로 스팀 등이 분사되도록 배치될 수도 있다(도 8b 또는 도 8c 참조). 이때, 세정 대상물(50)은 노즐(3)로부터 소정의 각도(α)를 갖도록 배치되면, 세정 공정시 이물질이 분리되어 흘러나가기 쉬운 구조로 배치된다.The object to be cleaned 50 may be arranged such that steam or the like is sprayed from the
이때, 세정 대상물(50)은 세정 공정을 진행할 때 어느 하나의 배치 구조로 고정될 수도 있지만, 도 8a 내지 도 8c의 배치 구조로 변환하면서 세정 공정을 진행할 수도 있다.At this time, the object to be cleaned 50 may be fixed to any one batch structure when the cleaning process is performed, but may be performed while converting to the batch structure of FIGS. 8A to 8C.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 노즐 주변 구조를 나타낸 도면이다.9 is a view showing the structure around the nozzle according to an embodiment of the present invention.
도 9에 도시된 바와 같이, 노즐(3)은 이물질 흡입부(4)를 주변에 설치한다. 이물질 흡입부(4)는 스팀 분사시에 발생되는 이물질 등을 흡입하여 외부로 방출함으로써, 세정이 완료된 부분의 재오염을 방지할 뿐만 아니라, 세정시 발생하는 오염물을 외부로 방출한다. 즉, 이물질 흡입부(4)는 스팀 등이 노즐(3)을 통해 분사되어 세정 대상물(50)에 직접 닿는 부분을 제외한 주변 영역을 흡입함으로써, 세정 대상물(50)로부터 이탈된 오염물과 세정 대상물(50)에 부딪혀 주변으로 흩어지는 스팀 등의 확산을 방지한다. As shown in FIG. 9, the
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 조절밸브의 구조를 나타낸 도면이다.10 is a view showing the structure of a control valve according to an embodiment of the present invention.
도 10을 참조하면, 조절밸브(5)는 밸브의 개폐 정도(즉, 회전 정도)에 따라 인입되는 적어도 하나 이상의 흐름에 대한 혼합비를 조절할 수 있다. 이때, 조절밸브(5)는 회전부재(a)와 연결관(b)의 단면적의 크기 차이를 이용하여 흐름의 양을 조절할 수 있다. 즉, 회전부재(a)와 연결관(b)은 회전부재(a)의 단면적 크기가 연결관(b)의 단면적 크기 보다 작은 경우(a>b), 회전부재(a)의 단면적 크기가 연결관(b)의 단면적 크기와 같은 경우(a=b), 회전부재(a)의 단면적 크기가 연결관(b)의 단면적 크기 보다 큰 경우(a<b)와 같이 형성하여 흐름의 혼합비를 조절한다. Referring to FIG. 10, the control valve 5 may adjust a mixing ratio for at least one flow input according to the opening / closing degree (ie, rotation degree) of the valve. At this time, the control valve 5 can adjust the amount of flow by using the size difference between the cross-sectional areas of the rotating member (a) and the connecting pipe (b). That is, when the cross-sectional size of the rotating member (a) and the connecting pipe (b) is smaller than the cross-sectional size of the connecting pipe (b) (a> b), the cross-sectional size of the rotating member (a) is connected. When the cross-sectional size of the pipe (b) is the same (a = b), the cross-sectional size of the rotating member (a) is greater than the cross-sectional size of the connecting pipe (b) (a <b) to adjust the mixing ratio of the flow. do.
이에 따라, 제1 조절밸브(1)는 밸브의 개폐 정도에 따라 예열부(10)로부터 공급된 순수, 압축공기, 세정액의 혼합비를 조절할 수 있다. 마찬가지로, 제2 조절밸브(2)는 밸브의 개폐 정도에 따라 유도 가열부(20)로부터 공급되는 스팀, 압축공기, 세정액의 혼합비를 조절할 수 있다. 이때, 제1 및 제2 조절밸브(1,2)는 회전부재(a)와 연결관(b) 간의 단면적의 크기 차이을 전술한 바와 같이 형성할 수 있다.Accordingly, the
이상에서 설명된 본 발명의 유도가열을 이용한 스팀발생장치,이를 이용한 스팀 세정 시스템 및 그 방법의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Exemplary embodiments of the steam generating apparatus using the induction heating of the present invention described above, the steam cleaning system using the same, and a method thereof, are those who have ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs, It will be appreciated that modifications and other equivalent embodiments are possible. Therefore, it will be understood that the present invention is not limited to the forms mentioned in the above detailed description. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications and equivalents and alternatives within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
1 : 제1 조절밸브
2 : 제2 조절밸브
3 : 노즐
3a : 노즐 바디
3a-1 : 제1 노즐밸브
3a-2 : 제2 노즐밸브
3a-3 : 유로 가열부 연결부
3b : 노즐 유로
3b-1 : 유로 분배부
3c : 노즐 가열부
10 : 예열부
20 : 유도 가열부
21 : 코일
22 : 바디
23 : 하부 가열부
24 : 상부 가열부
25 : 순수 공급부
26 : 스팀조절밸브
26a : 노즐 연결부
30 : 전원공급부
40 : 제어부
50 : 세정 대상물1: 1st control valve 2: 2nd control valve
3:
3a-1:
3a-3: flow path heating
3b-1: flow
10: preheating section 20: induction heating section
21: coil 22: body
23: lower heating section 24: upper heating section
25: pure water supply 26: steam control valve
26a: Nozzle connection 30: Power supply
40: control unit 50: object to be cleaned
Claims (4)
상기 세정 대상물을 스팀발생장치를 이용하여 스팀 세정을 수행하기 위한 대상물 처리부; 및
상기 세정 대상물의 처리 결과에 따라 상기 대상물 공급부와 상기 대상물 처리부로 로딩 또는 언로딩하는 대상물 로딩/언로딩부;를 포함하며,
상기 스팀발생장치는,
외부로부터 공급된 순수를 가열하여 스팀을 발생시키는 제1 공간과 발생된 스팀을 재가열하는 제2 공간을 구분하고, 상기 제1 및 제2 공간을 유도 가열하기 위한 유도 가열부;
상기 유도 가열부로 순수를 공급하기에 앞서, 외부로부터 공급된 순수를 스팀이 발생하기 직전의 온도로 예열하여 상기 유도 가열부로 공급하는 예열부;
상기 유도 가열부와 상기 예열부 각각에 전원을 공급하기 위한 전원공급부; 및
상기 유도 가열부의 온도 및 압력과 상기 예열부의 온도 및 압력을 감지하여 상기 유도 가열부와 상기 예열부 각각에 공급되는 전원의 세기를 조절할 수 있도록, 상기 전원공급부를 제어하는 제어부;를 포함하고,
상기 유도 가열부는,
스팀이 발생하기 직전의 온도인 85℃ 내지 95℃로 미리 가열된 순수를 상기 예열부로부터 공급받는, 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템.An object supply unit for supplying a cleaning object;
An object processing unit for performing steam cleaning on the object to be cleaned using a steam generator; And
Includes; the object loading / unloading unit loading or unloading the object supply unit and the object processing unit according to the result of the cleaning object processing;
The steam generating device,
An induction heating unit for distinguishing a first space for generating steam by heating pure water supplied from the outside and a second space for reheating the generated steam, and induction heating the first and second spaces;
A preheating unit preheating the pure water supplied from the outside to a temperature just before steam is generated and supplying the pure water to the induction heating unit before supplying the pure water to the induction heating unit;
A power supply unit for supplying power to each of the induction heating unit and the preheating unit; And
It includes a control unit for controlling the power supply unit to detect the temperature and pressure of the induction heating unit and the temperature and pressure of the preheater to adjust the intensity of power supplied to each of the induction heating unit and the preheater.
The induction heating unit,
A steam cleaning system using a steam generator, receiving pure water preheated to a temperature of 85 ° C to 95 ° C immediately before steam is supplied from the preheater.
상기 유도 가열부는,
상기 전원공급부로부터 교류전원을 공급받아 고주파 교류자계를 형성하기 위한 코일;
상기 코일에 의해 형성된 교류자계에 의해 외부로 공급된 순수로부터 스팀을 발생하기 위한 하나 이상의 하부 가열부;
상기 코일에 의해 형성된 교류자계에 의해 상기 하부 가열부에 의해 발생된 스팀을 재가열하기 위한 하나 이상의 상부 가열부; 및
상기 하부 및 상부 가열부를 내부에 위치시키고, 상기 코일을 둘레에 권선하기 위한 바디;
를 포함하는, 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템.According to claim 1,
The induction heating unit,
A coil for receiving AC power from the power supply and forming a high frequency AC magnetic field;
At least one lower heating unit for generating steam from pure water supplied externally by an alternating magnetic field formed by the coil;
At least one upper heating unit for reheating steam generated by the lower heating unit by an alternating magnetic field formed by the coil; And
A body for positioning the lower and upper heating parts inside and winding the coil around the body;
Including, steam cleaning system using a steam generator.
상기 대상물 처리부는, 라인형 또는 회전형 구조인, 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템.The method of claim 1 or 2,
The object processing unit, a steam cleaning system using a steam generator, which is a line type or a rotating structure.
상기 대상물 처리부는, 상기 세정 대상물에 UV 처리, 에어나이프 처리, 스팀 세정을 실시하는, 스팀발생장치를 이용한 스팀 세정 시스템.The method of claim 3,
The object processing unit, a UV cleaning, air knife treatment, steam cleaning the object to be cleaned, a steam cleaning system using a steam generator.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200040976A KR102144362B1 (en) | 2020-04-03 | 2020-04-03 | Steam cleaning system using steam generation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200040976A KR102144362B1 (en) | 2020-04-03 | 2020-04-03 | Steam cleaning system using steam generation apparatus |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160040633A Division KR20170114292A (en) | 2016-04-03 | 2016-04-03 | Steam generation apparatus using induction heating, steam cleaning system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200038447A true KR20200038447A (en) | 2020-04-13 |
KR102144362B1 KR102144362B1 (en) | 2020-08-13 |
Family
ID=70224603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200040976A KR102144362B1 (en) | 2020-04-03 | 2020-04-03 | Steam cleaning system using steam generation apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102144362B1 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015021647A (en) * | 2013-07-17 | 2015-02-02 | 富士電機株式会社 | Superheated steam-generating device |
-
2020
- 2020-04-03 KR KR1020200040976A patent/KR102144362B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015021647A (en) * | 2013-07-17 | 2015-02-02 | 富士電機株式会社 | Superheated steam-generating device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102144362B1 (en) | 2020-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6717985B2 (en) | High power electrostatic chuck with aperture reduction plug in gas hole | |
TWI512135B (en) | Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses | |
TWI676234B (en) | Electrostatic chuck with embossed top plate and cooling channels | |
TW201944529A (en) | Ceramic wafer heater with integrated pressurized helium cooling | |
JP2005328038A (en) | Method and apparatus for heating proximity head | |
TW201944531A (en) | Ceramic wafer heater having cooling channels with minimum fluid drag | |
KR102100757B1 (en) | Steam generation apparatus using induction heating, steam cleaning system | |
KR101983731B1 (en) | Apparatus for rapidly heating of fluid and system for processing object using the same | |
KR20200038447A (en) | Steam cleaning system using steam generation apparatus | |
KR102065143B1 (en) | Steam generation apparatus using induction heating, steam cleaning system | |
KR102065146B1 (en) | Apparatus for processing object using steam | |
KR102065144B1 (en) | Steam generation apparatus using induction heating, steam cleaning system | |
KR102065145B1 (en) | Apparatus for processing object using steam | |
KR102086539B1 (en) | Steam generation apparatus for spraying uniform steam | |
KR102065142B1 (en) | Steam generation apparatus using induction heating, steam cleaning system | |
TW202201529A (en) | Piping system and processing apparatus | |
JP2013232680A (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20170114292A (en) | Steam generation apparatus using induction heating, steam cleaning system | |
KR101976797B1 (en) | Apparatus for generating steam | |
KR102395029B1 (en) | Apparatus and method for treating a substrate | |
JP2010199421A (en) | Plasma processing apparatus and plasma etching method | |
KR102100758B1 (en) | Vapor spray apparatus using a ultrasonic transducer | |
KR20180124279A (en) | Apparatus for cleaning | |
US20100180426A1 (en) | Particle reduction treatment for gas delivery system | |
US11398391B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for processing substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |