KR102065145B1 - Apparatus for processing object using steam - Google Patents

Apparatus for processing object using steam Download PDF

Info

Publication number
KR102065145B1
KR102065145B1 KR1020160065475A KR20160065475A KR102065145B1 KR 102065145 B1 KR102065145 B1 KR 102065145B1 KR 1020160065475 A KR1020160065475 A KR 1020160065475A KR 20160065475 A KR20160065475 A KR 20160065475A KR 102065145 B1 KR102065145 B1 KR 102065145B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
steam
unit
heating
pure water
pure
Prior art date
Application number
KR1020160065475A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170133960A (en
Inventor
최대규
Original Assignee
주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 뉴파워 프라즈마 filed Critical 주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority to KR1020160065475A priority Critical patent/KR102065145B1/en
Publication of KR20170133960A publication Critical patent/KR20170133960A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102065145B1 publication Critical patent/KR102065145B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046Dry cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment

Abstract

본 발명은 증기를 이용한 대상물 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 증기를 이용한 대상물 처리 장치는, 하나 이상의 제1 유로를 통과하는 순수를 저항 가열하기 위한 순수예열부; 상기 제1 유로로부터 전달된 순수를 수렴하여 수용한 후 저항 가열하여 증기를 발생시키기 위한 증기발생부; 상기 증기발생부에 의해 발생된 증기를 제2 유로를 통과시켜 유도가열을 이용하여 가열하기 위한 증기가열부; 상기 순수예열부, 상기 증기발생부 및 상기 증기가열부 각각에 전원을 공급하기 위한 전원공급부; 및 상기 전원공급부를 제어하기 위한 제어부; 상기 증기가열부로부터 생성된 증기에 소정의 액체 또는 기체를 섞어 대상물로 분사하기 위한 노즐부;를 포함한다.The present invention relates to an object treating apparatus using steam, and an object treating apparatus using steam according to an embodiment of the present invention comprises: a pure water preheating unit for resistively heating pure water passing through at least one first flow path; A steam generator for collecting steam received from the first flow path and accommodating the pure water and then heating the resistor to generate steam; A steam heater for heating the steam generated by the steam generator through a second flow path and using induction heating; A power supply unit for supplying power to each of the pure preheating unit, the steam generating unit, and the steam heating unit; And a controller for controlling the power supply unit. It includes; a nozzle unit for injecting a predetermined liquid or gas in the steam generated from the steam heating unit to spray to the object.

Description

증기를 이용한 대상물 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING OBJECT USING STEAM}Object processing apparatus using steam {APPARATUS FOR PROCESSING OBJECT USING STEAM}

본 발명은 증기를 이용한 대상물 처리 장치에 관한 것으로, 구체적으로는 저항 가열을 이용하여 순수를 예열한 후 증기를 발생시키고, 유도 가열을 이용하여 발생된 증기를 더욱 가열한 후 순수를 혼합함으로써, 대용량의 증기를 발생시킬 수는 있지만 전체 설비 면적을 줄여 처리 시스템의 규모를 소형화하기 위한, 증기를 이용한 대상물 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an object treatment apparatus using steam, specifically, by preheating pure water using resistance heating to generate steam, and further heating the generated steam using induction heating, and then mixing the pure water, The present invention relates to an object treatment apparatus using steam, which can generate steam, but to reduce the size of the entire plant and thereby to reduce the size of the treatment system.

반도체 웨이퍼(Semiconductor wafer), 평판디스플레이의 유리기판, 금속판 등과 같은 수많은 워크피스의 표면에는 제조공정 중에 많은 잔류물질(Residual organic materials), 미립자(Particle), 유기물, 무기물 등 오염물질이 존재하게 된다. 반도체 디바이스 제조공정에서는 웨이퍼에 패턴을 형성한 후 세정하는 세정 공정이 반복된다. 웨이퍼를 세정하는 이유는 포토레지스트막이나 폴리머막 등의 유기물이나 파티클 등을 제거하는 것이다. 유기물이나 파티클은 제품의 결함을 발생시키기 때문에 이를 제거하기 위한 세정공정(Cleaning process)의 중요성은 더욱 부각되고 있는 추세에 있다.Surfaces of numerous workpieces such as semiconductor wafers, glass substrates of flat panel displays, metal plates, etc., are contaminated with many residual organic materials, particles, organics, and inorganics during the manufacturing process. In the semiconductor device manufacturing process, the cleaning process of forming a pattern on a wafer and then cleaning is repeated. The reason for cleaning the wafer is to remove organic substances such as photoresist film and polymer film, particles and the like. Since organic matter or particles cause product defects, the importance of the cleaning process to remove them is becoming more and more important.

반도체와 같은 산업분야에서는 비용이 저렴하고 기술의 적합성이 검증되어 있는 습식 세정법이 광범위하게 사용되고 있다. 그런데 습식 세정은 독성이 매우 강한 강산과 강염기를 주로 사용하므로, 환경오염, 안전성 등의 문제로 사용이 규제되고 있다. 또한, 반도체 소자의 집적도가 증가되는 것에 따라 세정제와 초순수의 순도를 높게 유지해야 할 필요가 있으므로, 비용이 증가되고 있는 실정이다. 특히, 습식 세정은 진공장비들과 연계시켜 연속적인 공정을 수행하기 위한 클러스터 툴 시스템(Cluster tool system)에 적용하기 어렵다. 습식 세정법의 단점을 보완하고 해결하기 위하여 건식 세정법이 개발되어 적용되고 있다. 기상 세정이라 부르고도 있는 건식 세정에는 초음파 세정, 전리오존 세정, 엑시머 자외선(Excimer ultraviolet, EUV) 세정, 플라즈마(Plasma) 세정 등이 있다. 건식 세정장비는 구성이 복잡하고 차지하는 면적도 넓은 단점이 있다.In industries such as semiconductors, wet cleaning methods are widely used, which are inexpensive and have proven their suitability. However, wet scrubbing mainly uses strong acids and strong bases, which are highly toxic. Therefore, the use of wet scrubbing is regulated due to environmental pollution and safety. In addition, as the degree of integration of semiconductor devices increases, it is necessary to keep the purity of the cleaning agent and ultrapure water high. In particular, wet cleaning is difficult to apply to a cluster tool system for performing continuous processes in conjunction with vacuum equipment. Dry cleaning methods have been developed and applied to supplement and solve the disadvantages of wet cleaning methods. Dry cleaning, also called gas phase cleaning, includes ultrasonic cleaning, ionozone cleaning, Excimer ultraviolet (EUV) cleaning, plasma cleaning, and the like. Dry cleaning equipment has a disadvantage in that the configuration is complicated and the area occupies is large.

한편, 친환경적이면서 세정력이 우수한 고온고압의 스팀을 이용하는 스팀 세정장비가 개발되었다. 스팀세정장비는 히터를 이용하여 대용량 용기에 담긴 물을 가열하여 스팀을 발생시켜 이를 웨이퍼에 분사하여 세정하는 방식이다. Meanwhile, steam cleaning equipment using high temperature and high pressure steam, which is environmentally friendly and has excellent cleaning power, has been developed. Steam cleaning equipment uses a heater to heat water in a large-capacity container to generate steam and spray it onto the wafer to clean it.

이와 같은 스팀세정장비는 대부분 대량으로 스팀을 생성하기 위해 대용량의 용기를 사용함으로써, 반도체 디바이스 제조 공정에서 일부를 차지하는 세정 시스템의 규모가 대형화될 수 밖에 없다.Most of these steam cleaning equipments use large-capacity containers to generate steam in large quantities, thereby increasing the size of the cleaning system, which takes a part in the semiconductor device manufacturing process.

또한, 대형화된 스팀세정장비는 스팀을 발생시키는 지점부터 스팀을 분사시키는 지점까지의 스팀이송경로를 길어지게 만들기 때문에, 발생된 스팀을 온도 및 압력 조건을 유지시키면서 원하는 위치까지 이동시키기 위한 상당한 노력이 필요하다. 즉, 발생된 스팀은 스팀이송경로가 길어짐에 따라 온도변화로 인해 기체 상태의 스팀이 응축되어 액체 상태의 물로 변화될 수 있다. 이에 따라, 이러한 세정 시스템에서는 스팀 온도 및 압력 상태를 유지시키기 위한 추가적인 설비를 구비하거나 스팀의 온도와 압력을 제어하는 기술 적용이 요구될 수 있다.In addition, large steam cleaning equipment lengthens the steam transfer path from the point where steam is generated to the point where steam is injected, so that considerable effort is required to move the generated steam to a desired position while maintaining temperature and pressure conditions. need. That is, the generated steam may be changed into liquid water by condensing steam in a gaseous state due to a temperature change as the steam transport path is lengthened. Accordingly, such a cleaning system may require the provision of additional equipment to maintain steam temperature and pressure conditions or the application of technology to control the temperature and pressure of steam.

또한, 물은 비열이 다른 물질보다 상대적으로 크기 때문에 온도변화가 크게 나타나지 않는다. 이러한 물의 특성으로 인해, 스팀세정장비는 히터를 이용하여 대용량의 용기에 담긴 물을 가열하여 스팀세정공정을 시작하기에 앞서 많은 양의 스팀을 준비해야 한다. In addition, since the specific heat of water is relatively larger than that of other materials, the temperature change does not appear much. Due to the nature of the water, the steam cleaning equipment needs to prepare a large amount of steam before the steam cleaning process starts by heating the water contained in a large capacity container using a heater.

다시 말해, 종래의 스팀세정장비는 물의 온도를 제어하기가 어렵기 때문에, 짧은 시간 내에 스팀을 발생시키기 곤란하다. 이는 스팀세정공정에서 짧은 시간 내에 스팀공정으로 들어오는 피처리대상(일례로, 웨어퍼, 글래스, 기판 등)을 대응하기 위해 대용량의 스팀을 사전에 준비해야 함을 의미한다.In other words, the conventional steam washing equipment is difficult to control the temperature of the water, it is difficult to generate steam in a short time. This means that a large amount of steam must be prepared in advance in order to cope with a target object (for example, a wafer, a glass, a substrate, etc.) coming into the steam process in a short time in the steam cleaning process.

아울러, 용기 내부에 파티클이 발생되면 발생된 스팀도 파티클에 의해 오염될 수 있는데, 스팀의 오염이 웨이퍼에 분사되면 웨이퍼의 세정력이 떨어지게 된다.In addition, when particles are generated in the container, the generated steam may be contaminated by the particles. When the contamination of the steam is injected onto the wafer, the cleaning power of the wafer is reduced.

따라서, 종래의 스팀세정장비는 스팀 시스템의 규모를 소형화시켜 별도의 스팀이송경로 없이 스팀을 제공할 뿐만 아니라, 짧은 시간 내에 스팀공정으로 들어오는 피처리대상에 대응할 수 있는 빠른 속도로 스팀을 생성할 수 있는 시스템이 제안될 필요성이 있다.Therefore, the conventional steam cleaning equipment can reduce the size of the steam system and provide steam without a separate steam transfer path, and can generate steam at a high speed that can cope with the processing target that enters the steam process within a short time. There is a need for a system to be proposed.

본 발명의 목적은 저항 가열을 이용하여 순수를 예열한 후 증기를 발생시키고, 유도 가열을 이용하여 발생된 증기를 더욱 가열한 후 순수를 혼합함으로써, 대용량의 증기를 발생시킬 수는 있지만 전체 설비 면적을 줄여 처리 시스템의 규모를 소형화하기 위한, 증기를 이용한 대상물 처리 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to generate a large amount of steam by preheating the pure water by using resistance heating, and further by heating the steam generated by using induction heating, and then mixing the pure water, the total installation area In order to reduce the size of the treatment system to reduce the size, to provide an object treatment apparatus using steam.

본 발명의 일실시예에 따른 대상물 처리 장치는, 하나 이상의 제1 유로를 통과하는 순수를 저항 가열하기 위한 순수예열부; 상기 제1 유로로부터 전달된 순수를 수렴하여 수용한 후 저항 가열하여 증기를 발생시키기 위한 증기발생부; 상기 증기발생부에 의해 발생된 증기를 제2 유로를 통과시켜 유도가열을 이용하여 가열하기 위한 증기가열부; 상기 순수예열부, 상기 증기발생부 및 상기 증기가열부 각각에 전원을 공급하기 위한 전원공급부; 및 상기 전원공급부를 제어하기 위한 제어부; 상기 증기가열부로부터 생성된 증기에 소정의 액체 또는 기체를 섞어 대상물로 분사하기 위한 노즐부;를 포함한다.Object treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, the pure water preheating unit for resistance heating the pure water passing through at least one first flow path; A steam generator for collecting steam received from the first flow path and accommodating the pure water and then heating the resistor to generate steam; A steam heater for heating the steam generated by the steam generator through a second flow path and using induction heating; A power supply unit for supplying power to each of the pure preheating unit, the steam generating unit, and the steam heating unit; And a controller for controlling the power supply unit. It includes; a nozzle unit for injecting a predetermined liquid or gas in the steam generated from the steam heating unit to spray to the object.

상기 순수예열부는, 상기 유로를 형성할 때 각각 상기 증기발생부로 연결하여 복수 유로를 형성하거나, 서로 연결하여 단일 유로를 형성한다.When forming the flow path, the pure preheating unit is connected to the steam generating unit to form a plurality of flow paths, or connected to each other to form a single flow path.

상기 순수예열부는, 내부에 발열체를 지지하여 순수를 가열하고, 순수 유로를 형성하는 발열체 지지부를 포함한다.The pure water preheating unit includes a heating element supporting part for supporting a heating element therein to heat the pure water and forming a pure water flow path.

상기 증기발생부는, 순수를 수렴하여 수용할 때, 하부측에 순수가 채워진 공간과 상부측에 증기가 채워진 공간으로 구분된다.The steam generator is divided into a space filled with pure water on the lower side and a space filled with steam on the upper side when the pure water is collected and received.

상기 증기가열부는, 상기 전원공급부로부터 전원을 공급받아 고주파 교류자계를 형성하기 위한 코일; 및 상기 고주파 교류자계에 의해 상기 제2 유로를 통과하는 순수를 유도 가열하여 증기를 발생하기 위한 바디;를 포함한다.The steam heating unit, the coil for receiving a power from the power supply to form a high frequency alternating magnetic field; And a body for generating steam by induction heating pure water passing through the second flow path by the high frequency alternating magnetic field.

상기 바디는, 복수의 중공이 분포되어 유로를 내부에 형성한다.The body has a plurality of hollows distributed to form a flow path therein.

상기 증기가열부는, 복수의 유로를 형성하여 상기 증기발생부와 연결한다.The steam heating unit forms a plurality of flow paths and is connected to the steam generating unit.

상기 증기가열부는, 상기 증기발생부와 연결되는 복수의 유로를 형성할 때, 복수의 유로에 권선되는 상기 코일이 상기 전원공급부까지 동일한 전선 길이를 갖도록 연결한다.When the steam heating unit forms a plurality of flow paths connected to the steam generating unit, the coils wound around the plurality of flow paths are connected to have the same wire length to the power supply unit.

상기 노즐부는, 증기, 액체 및 기체를 동시에 상기 대상물에 분사한다.The nozzle unit simultaneously injects vapor, liquid, and gas onto the object.

본 발명은 저항 가열을 이용하여 순수를 예열한 후 증기를 발생시키고, 유도 가열을 이용하여 발생된 증기를 더욱 가열한 후 순수를 혼합함으로써, 대용량의 증기를 발생시킬 수는 있지만 전체 설비 면적을 줄여 처리 시스템의 규모를 소형화할 수 있다.The present invention generates steam after preheating pure water using resistance heating, and further heats the generated steam using induction heating, and then mixes pure water to reduce the total plant area. The processing system can be downsized.

또한, 본 발명은 반도체 기판, 유리 기판, 렌즈, 디스크 부재, 정밀 기계 가공 부재, 몰드 수지 부재, 인쇄회로기판(PCB) 등과 같은 대상물의 불용물에 대해 박리, 세정, 가공, 증착 등을 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide peeling, cleaning, processing, deposition, etc., on insoluble materials of a semiconductor substrate, a glass substrate, a lens, a disk member, a precision machining member, a mold resin member, a printed circuit board (PCB), and the like. Can be.

또한, 본 발명은 유도 가열을 통해 짧은 시간 내에 증기를 더욱 가열시킨 후 순수를 혼합하여 대용량의 증기를 발생함으로써 대용량의 증기 저장소를 마련할 필요가 없다.In addition, the present invention does not need to provide a large-capacity steam reservoir by further heating the steam within a short time through induction heating and then mixing pure water to generate a large-capacity steam.

또한, 본 발명은 대용량의 용기를 마련할 필요가 없기 때문에 용기 내부의 파티클 발생을 방지하고, 그에 따라 파티클이 증기에 포함됨에 따른 증기의 웨이퍼 세정력 저하를 방지할 수 있다. In addition, since the present invention does not need to provide a large-capacity container, it is possible to prevent the generation of particles inside the container, thereby preventing the reduction of the wafer cleaning power of the steam as the particles are contained in the vapor.

또한, 본 발명은 짧은 시간 내에 공정으로 들어오는 대상물에 대응할 수 있는 빠른 속도로 증기를 생성할 수 있는 시스템을 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a system capable of generating steam at a high rate that can respond to objects entering the process in a short time.

또한, 본 발명은 증기에 압축공기를 혼합하여 세정 대상물에 대한 세정하는 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can improve the efficiency of cleaning the object to be cleaned by mixing compressed air in the steam.

또한, 본 발명은 증기에 세정액을 혼합하여 추가적인 증기의 양을 급속으로 증가시켜 대용량의 증기를 발생시킬 수 있을 뿐만 아니라, 증기의 온도를 조절하여 증기 세정을 위한 최적 조건의 증기를 발생시킬 수 있다.In addition, the present invention can not only generate a large amount of steam by rapidly increasing the amount of additional steam by mixing the cleaning liquid in the steam, it is also possible to generate the steam of the optimum conditions for steam cleaning by adjusting the temperature of the steam .

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 대상물 처리 장치에 대한 도면이다.
도 2는 상기 도 1의 순수예열부와 증기발생부에 대한 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 상기 도 1의 순수예열부에 형성된 유로에 대한 도면이다.
도 4는 상기 도 2의 순수예열부의 단면에 대한 상세 도면이다.
도 5a는 상기 도 1의 증기가열부에 대한 도면이다.
도 5b는 상기 도 5a의 증기가열부의 A-A' 단면에 대한 도면이다.
도 5c 및 도 5d는 상기 도 5a의 증기가열부의 B-B' 단면에 대한 도면이다.
도 6은 상기 도 1의 증기가열부의 코일 연결 방식에 대한 도면이다.
도 7은 상기 도 1의 노즐부에 대한 상세 도면이다.
1 is a diagram of an object treating apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view of the pure preheating unit and the steam generating unit of FIG.
3A to 3C are views illustrating a flow path formed in the pure preheating unit of FIG. 1.
4 is a detailed view of a cross section of the pure preheating unit of FIG. 2.
5A is a view of the steam heating unit of FIG.
5B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of the steam heating unit of FIG. 5A.
5C and 5D are cross-sectional views taken along line BB ′ of the steam heating unit of FIG. 5A.
6 is a diagram illustrating a coil connection method of the steam heating unit of FIG. 1.
7 is a detailed view of the nozzle unit of FIG. 1.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.In order to fully understand the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the embodiments described in detail below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings and the like may be exaggerated to emphasize a more clear description. It should be noted that the same members in each drawing are sometimes shown with the same reference numerals. Detailed descriptions of well-known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention are omitted.

본 명세서에 있어 용어의 의의에 대해 설명하기로 한다. 「대상물」이란, 예를 들면 반도체 기판, 유리 기판, 렌즈, 디스크 부재, 정밀 기계 가공 부재, 몰드 수지 부재, 인쇄회로기판(PCB) 등을 들 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 「처리」란, 대상물에 실시되는 것으로서, 예를 들면 박리, 세정, 가공, 증착 등을 들 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 「불용물」이란, 대상물 처리 시에 발생한 여러 가지 불용물을 의미하고, 예를 들면 반도체 장치 또는 디스플레이 장치의 제조 프로세스에 대하여는 레지스트막, 드라이 에칭 후의 에칭 잔사, 화학적으로 변질된 레지스트막, 반도체 장치에 있어서 고유전층의 에칭 처리 후에 생성되는 반응 부생성물, 패시베이션막의 에칭 처리 후에 생성되는 반응 부생성물, 메탈층의 에칭 처리 후에 생성되는 반응 부생성물 등을 예시할 수 있다. 「순수」란, 반도체장치 또는 디스플레이 장치 제조에서의 처리 공정 등에서 순수(pure water, DI water) 또는 초순수(ultrapure water)로서 사용되고 있는 정도의 특성을 갖는 물일 수 있다. The meaning of the terms in the present specification will be described. Examples of the "object" include a semiconductor substrate, a glass substrate, a lens, a disk member, a precision machining member, a mold resin member, a printed circuit board (PCB), and the like, but are not limited thereto. "Treatment" is performed on an object, for example, peeling, washing | cleaning, processing, vapor deposition, etc. are mentioned, It is not limited to this. The term "insoluble matter" means various insoluble matters generated at the time of processing an object. For example, a resist film, an etching residue after dry etching, a chemically altered resist film, and a semiconductor device are used for a manufacturing process of a semiconductor device or a display device. The reaction byproduct produced after the etching process of the high dielectric layer, the reaction byproduct produced after the etching process of a passivation film, the reaction byproduct produced after the etching process of a metal layer, etc. can be illustrated. "Pure water" may be water having a characteristic of a degree that is used as pure water (DI water) or ultrapure water (treat water) in a process such as semiconductor device or display device manufacture.

이하, 본 발명의 실시의 형태에 대하여 도면을 사용하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described using drawing.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 대상물 처리 장치에 대한 도면이다.1 is a diagram of an object treating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 대상물 처리 장치(100)는, 저항 가열을 이용하여 순수를 예열 및 증기를 발생시킨 후, 고주파 유도 가열을 이용하여 발생된 증기를 가열한다. 이때, 대상물 처리 장치(100)는 고주파 유도 가열에 의해 가열된 소량의 증기(일례로, 500℃ 증기)에 순수를 혼합시켜 대량의 증기(일례로, 130∼150℃ 증기)를 생성하여 대상물(4)에 분사함으로써 반도체 장치 또는 디스플레이 장치의 제조 공정에서 발생되는 불용물을 처리할 수 있다. As illustrated in FIG. 1, the object treating apparatus 100 according to an exemplary embodiment of the present invention preheats pure water and generates steam using resistance heating, and then heats generated steam using high frequency induction heating. do. At this time, the object processing apparatus 100 mixes pure water with a small amount of steam (for example, 500 ° C. steam) heated by high frequency induction heating to generate a large amount of steam (for example, 130 to 150 ° C. steam) to produce an object ( By injecting into 4), an insoluble matter generated in the manufacturing process of the semiconductor device or the display device can be treated.

이러한 대상물 처리 장치(100)는 대용량 저장소에 저장된 순수를 가열하여 증기를 발생하고 대용량 저장소에서 발생된 증기를 소정의 이송경로를 거쳐 대상물(4)까지 공급하지 않고, 미리 예열된 순수를 공급하자 마자 급속 가열하여 증기를 발생시킨 후 대상물(4)에 곧바로 분사할 수 있다. 이와 같이, 대상물 처리 장치(100)는 대용량의 순수를 가열하여 증기를 발생시키는 별도의 설비가 필요하지 않기 때문에 대용량의 증기를 발생시킬 수는 있지만, 전체 설비 면적을 줄여 처리 시스템의 규모를 소형화할 수 있다. The object processing apparatus 100 generates steam by heating the pure water stored in the mass storage and does not supply the steam generated in the mass storage to the object 4 through a predetermined transfer path, and as soon as the preheated pure water is supplied. After rapid heating to generate steam, the object 4 can be sprayed directly. As such, the object processing apparatus 100 may generate a large amount of steam because it does not need a separate facility for heating a large amount of pure water to generate steam, but the size of the processing system can be reduced by reducing the overall facility area. Can be.

한편, 대상물 처리 장치(100)는 아래와 같은 열효과 현상을 이용하여 대상물(4)을 처리한다.On the other hand, the object processing apparatus 100 processes the object 4 using the following thermal effect phenomenon.

상온(약 20℃)의 순수와, 고온(100℃ 이상)의 증기를 일정한 용량을 가진 용기 내에서 일정한 압력하에서 연속적으로 혼합하면, 순수는 증기에 의하여 가열되어 팽창한다. 한편, 증기는 순수에 의하여 냉각되어 수축한다. 이들의 열교환에 의하여, 어느 정도의 주파수(10㎑ 내지 1㎒)를 가지는 진동이 발생한다.When pure water at room temperature (about 20 ° C) and steam at high temperature (100 ° C or more) are continuously mixed under a constant pressure in a container having a constant capacity, the pure water is heated by the steam and expands. On the other hand, the steam is cooled by water and contracted. These heat exchanges generate vibrations having a certain frequency (10 Hz to 1 MHz).

순수(약 20℃) + 증기(100℃ 이상) → 진동Pure water (approx. 20 ℃) + steam (over 100 ℃) → vibration

또한, 이 진동에 의하여, 물 분자 H2O가 수소 이온 H+와 수산화물 이온 OH-로 분해된다.This vibration also decomposes the water molecules H 2 O into hydrogen ions H + and hydroxide ions OH-.

H2O → H+ + OH-H 2 O → H + + OH-

수소 이온 H+와 수산화물 이온 OH-는 매우 불안정한 상태에 있기 때문에, 물 분자 H2O로 돌아가려고 한다. 이때에 발생하는 고에너지를 기계적 충격으로 변환함으로써 대상물(4)을 세정할 수 있다. 즉, 대상물 처리 장치(100)는 전술한 열효과 현상을 이용하여 캐비테이션(cavitation)을 발생시키고, 이것에 의하여 대상물(4)의 표면에 있는 불용물을 제거하는 등의 처리를 실시한다. 여기서, 캐비테이션이라 함은 빠른 속도로 액체가 운동할 때 액체의 압력이 증기압 이하로 낮아져서 액체 내에 증기 기포가 발생하는 현상이다. 증기 기포는 대상물(4)의 표면에 부딪혀 불용물을 제거할 수 있다.Since the hydrogen ions H + and OH- is a hydroxide ion it is very unstable, and to get back to the water molecules H 2 O. The object 4 can be cleaned by converting the high energy generated at this time into a mechanical impact. That is, the object processing apparatus 100 generates a cavitation using the above-described heat effect phenomenon, and thereby performs a process such as removing an insoluble matter on the surface of the object 4. Here, the cavitation is a phenomenon in which the vapor pressure is generated in the liquid because the pressure of the liquid is lowered below the vapor pressure when the liquid moves at a high speed. The vapor bubbles may hit the surface of the object 4 to remove insoluble matters.

다시 말해, 열효과 현상에 의해 발생된 캐비테이션 제트가 대상물(4)의 표면에 분사되면, 캐비테이션에 의한 기포가 소멸할 때에 발생하는 높은 충격력에 의하여, 대상물(4)의 표면에 세정·연마·연삭 등의 처리가 실시되어 불용물이 제거된다.In other words, when the cavitation jet generated by the heat effect phenomenon is injected onto the surface of the object 4, the surface of the object 4 is cleaned, polished and ground by the high impact force generated when the bubbles due to cavitation disappear. Treatment is carried out to remove insoluble matters.

한편, 대상물 처리 장치(100)는 발생된 증기, 고온의 압축공기 또는 세정액을 선택적으로 대상물(4)의 표면에 분사하거나, 이들을 혼합시켜 대상물(4)의 표면에 분사할 수 있다.On the other hand, the object processing apparatus 100 may spray the generated steam, high temperature compressed air or the cleaning liquid selectively on the surface of the object 4, or mix them and spray the surface of the object (4).

대상물 처리 장치(100)는 순수예열부(10), 증기발생부(20), 증기가열부(30), 노즐부(40), 전원공급부(50), 제어부(60), 제1 조작밸브(1), 제2 조작밸브(2), 제3 조작밸브(3)를 포함할 수 있다.The object treating apparatus 100 includes a pure water preheating unit 10, a steam generating unit 20, a steam heating unit 30, a nozzle unit 40, a power supply unit 50, a control unit 60, and a first operation valve ( 1), the second operation valve 2, the third operation valve (3) may be included.

본 명세서에서는 설명의 편의상 증기발생부(20)에 의해 발생된 증기를 이하, "발생증기"라 하고, 증기가열부(30)에 의해 가열된 증기를 "가열증기"라 하고, 노즐부(40)에 의해 분사되는 증기를 "분사증기"라 한다.In the present specification, for convenience of description, steam generated by the steam generator 20 is hereinafter referred to as “generated steam”, and steam heated by the steam heater 30 is referred to as “heated steam” and the nozzle unit 40. The steam injected by) is called "injection steam".

순수예열부(10)는 증기발생부(20)로 순수를 공급하기에 앞서, 외부로부터 공급된 순수를 비등점(boiling point) 근처(일례로, 상압에서 85℃ 내지 95℃)까지 예열하여 증기발생부(20)로 공급한다. 이는 상온의 순수를 증기발생부(20)로 직접 공급하지 않고, 증기발생부(20)에서 짧은 시간 가열하더라도 곧바로 비등점까지 온도가 상승할 수 있는 순수를 증기발생부(20)로 공급하기 위함이다. 예를 들어, 상압에서, 증기발생부(20)가 상온(20℃)의 순수에서 발생증기를 발생하기 위해서는 80℃ 이상으로 순수의 온도를 상승시켜야 하는 반면에, 95℃의 순수에서 발생증기를 발생하기 위해서는 5℃ 이상만 온도를 올리면 된다. 즉, 전자는 순수가 증기발생부(20)를 통과할 때 비등점까지 순수의 온도를 상승시켜 발생증기를 발생시키고, 이를 다시 가열하는 과정을 거쳐야 한다. 반면에, 후자는 미리 예열된 순수가 증기발생부(20)를 통과할 때 짧은 시간 내에 비등점까지 순수의 온도가 상승하므로 곧바로 발생증기를 발생시킨다.The pure water preheating unit 10 generates steam by preheating the pure water supplied from the outside to a boiling point (for example, 85 ° C. to 95 ° C. at normal pressure) before supplying pure water to the steam generating unit 20. It supplies to the part 20. This is to supply the pure water to the steam generating unit 20 that can immediately rise to the boiling point even if heated at a short time in the steam generating unit 20 without directly supplying the pure water at room temperature. . For example, at normal pressure, the steam generator 20 must raise the temperature of pure water to 80 ° C. or higher in order to generate steam in pure water at room temperature (20 ° C.), while generating steam in pure water at 95 ° C. In order to generate | occur | produce, only 5 degreeC or more needs to raise temperature. In other words, when the pure water passes through the steam generator 20, the electrons must raise the temperature of the pure water to the boiling point to generate the generated steam, and then heat it again. On the other hand, in the latter, when the pre-heated pure water passes through the steam generator 20, the temperature of the pure water rises to the boiling point within a short time, thereby generating steam immediately.

이에 따라, 증기발생부(20)는 순수예열부(10)로부터 미리 예열된 순수를 공급받기 때문에 곧바로 발생증기를 발생시킬 수 있을 뿐만 아니라, 발생증기를 더욱더 고온의 증기로 가열할 수 있다.Accordingly, since the steam generator 20 receives the pre-heated pure water from the pure preheater 10, the steam generator 20 may not only generate generated steam immediately, but also heat the generated steam with a higher temperature steam.

또한, 순수예열부(10)는 전원공급부(50)에 직접 연결된 발열체에 전류를 흐르게 할 때 발생하는 주울 열(Joule heat)로 순수를 가열하는 저항 가열 방식(resistance heating)으로 순수를 예열한다. 여기서, 발열체는 금속 발열체(철/크롬/알루미늄계, 니켈/크롬계 합금, 단일 금속 등), 비금속 발열체(탄화규소, 이산화몰리브덴, 탄탄크로마이트, 카폰/그래파이트 등), 시즈 히터, 세라믹 히터 등이 이용될 수 있다. 이러한 순수예열부(10)는 전원공급부(50)로부터 공급되는 전원의 세기에 따라 순수의 가열 온도를 조절할 수 있다. 이때, 순수는 제1 조작밸브(1)의 개폐에 따라 순수의 공급이 정지되거나 재개될 수 있다. 이때, 제1 조작밸브(1)는 제어부(60)에 의해 제어될 수 있다.In addition, the pure water preheating unit 10 preheats the pure water by a resistance heating method of heating pure water by Joule heat generated when a current flows through a heating element directly connected to the power supply unit 50. Here, the heating element may be a metal heating element (iron / chromium / aluminum type, nickel / chromium alloy, single metal, etc.), non-metal heating element (silicon carbide, molybdenum dioxide, tanthanum chromite, carphone / graphite, etc.), sheath heater, ceramic heater, or the like. This can be used. The pure preheating unit 10 may adjust the heating temperature of the pure water according to the strength of the power supplied from the power supply unit 50. At this time, the pure water may be stopped or resumed to be supplied with pure water according to the opening and closing of the first operation valve 1. In this case, the first operation valve 1 may be controlled by the control unit 60.

순수예열부(10)는 순수의 유로를 형성하며 저항 가열을 이용하여 순수를 예열할 수 있는 하나 이상의 묶음 구조를 포함할 수 있다. 각각의 순수의 유로는 서로 연결되어 하나의 유로를 형성하거나, 증기발생부(20)로 인입될 수 있다.The pure preheating unit 10 may include one or more bundle structures that form a flow path of pure water and may preheat the pure water using resistance heating. Each flow path of pure water may be connected to each other to form one flow path, or may be introduced into the steam generator 20.

증기발생부(20)는 순수예열부(10)로부터 미리 예열된 순수를 공급받고, 이를 저항 가열 방식으로 가열하여 발생증기를 생성한다. 즉, 증기발생부(20)는 전원공급부(50)에 직접 연결된 발열체에 전류를 흐르게 할 때 발생하는 주울 열(Joule heat)로 순수를 가열하는 저항 가열 방식(resistance heating)으로 순수를 예열한다. 여기서, 발열체는 금속 발열체(철/크롬/알루미늄계, 니켈/크롬계 합금, 단일 금속 등), 비금속 발열체(탄화규소, 이산화몰리브덴, 탄탄크로마이트, 카폰/그래파이트 등), 시즈 히터, 세라믹 히터 등이 이용될 수 있다. 이때, 발생된 증기는 제2 조작밸브(2)의 개폐에 따라 증기가열부(30)로 공급이 정지되거나 재개될 수 있다. 제2 조작밸브(2)는 제어부(60)에 의해 제어될 수 있다.The steam generator 20 receives the pre-heated pure water from the pure preheater 10 and heats it by resistance heating to generate generated steam. That is, the steam generator 20 preheats the pure water by a resistive heating method of heating pure water by Joule heat generated when a current flows through a heating element directly connected to the power supply unit 50. Here, the heating element may be a metal heating element (iron / chromium / aluminum type, nickel / chromium alloy, single metal, etc.), non-metal heating element (silicon carbide, molybdenum dioxide, tanthanum chromite, carphone / graphite, etc.), sheath heater, ceramic heater, or the like. This can be used. At this time, the generated steam may be stopped or resumed supply to the steam heating unit 30 according to the opening and closing of the second operation valve (2). The second operation valve 2 may be controlled by the control unit 60.

이때, 증기발생부(20)는 순수예열부(10)에 의해 미리 예열된 순수를 가열하여 발생증기를 빠른 시간 내에 발생시킬 수 있기 때문에, 내부에 발생된 발생증기의 저장 공간이 크지 않은 소형으로 구성할 수 있다. 이는 대상물 처리 장치(100)의 소형화를 가져올 수 있고, 반도체 장치 또는 디스플레이 장치 제조 공정을 위한 전체 설비 면적을 줄일 수 있다.At this time, since the steam generator 20 may generate the generated steam in a short time by heating the pure water preheated in advance by the pure water preheating unit 10, the steam generator 20 may have a small storage space in which the generated steam generated is not large. Can be configured. This may result in miniaturization of the object processing apparatus 100 and may reduce the total facility area for the semiconductor device or the display device manufacturing process.

증기발생부(20)는 전원공급부(50)로부터 공급되는 전원의 세기에 따라 발생증기의 가열 온도를 조절할 수 있다. 이때, 증기발생부(10)는 증기 상태를 유지할 수 있는 소정의 온도(일례로, 상압에서 100℃ 내지 130℃)를 갖는 발생증기를 증기가열부(30)로 공급한다. The steam generator 20 may adjust the heating temperature of the generated steam according to the strength of the power supplied from the power supply unit 50. At this time, the steam generator 10 supplies the generated steam having a predetermined temperature (for example, 100 ℃ to 130 ℃ at normal pressure) to maintain the steam state to the steam heating unit 30.

증기가열부(30)는 증기발생부(20)로부터 발생증기를 공급받고, 이를 고주파 유도 가열 방식(high-frequency induction heating)으로 가열하여 가열증기를 발생시킨다. 이때, 가열증기는 제3 조작밸브(3)의 개폐에 따라 노즐부(40)를 통해 대상물(4)로 분사가 정지되거나 재개될 수 있다. 제3 조작밸브(3)는 제어부(60)에 의해 제어될 수 있다.The steam heating unit 30 receives the generated steam from the steam generator 20 and heats the generated steam by high-frequency induction heating to generate heated steam. At this time, the heating steam may be stopped or resumed injection to the object (4) through the nozzle unit 40 in accordance with the opening and closing of the third operation valve (3). The third operation valve 3 may be controlled by the controller 60.

여기서, 고주파 유도 가열 방식은 전자 유도 현상을 이용한 것으로서, 가열 코일에 고주파 교류 전류가 흐를 때 발생하는 고주파 교류 자계 중에 도전성의 금속 물질을 위치시키면 금속 물질의 표면에 유도 와전류(Eddy current)가 발생하여 금속 물질의 표피 저항에 의한 주울 열(Joule heat)이 발생하게 되는 원리를 이용하는 가열 방식이다. Here, the high frequency induction heating method uses an electromagnetic induction phenomenon. When a conductive metal material is placed in a high frequency alternating magnetic field generated when a high frequency alternating current flows through a heating coil, an induced eddy current is generated on the surface of the metal material. It is a heating method using the principle that Joule heat is generated by the skin resistance of the metal material.

전술한 바와 같이, 증기가열부(30)는 발생증기를 더욱 가열하여 발생증기에 비해 고온(일례로, 250℃~500℃ 증기)이면서 열량이 많은 가열증기를 생성한다. 이는 노즐부(40)에서 소량의 가열증기에 순수를 혼합할 때, 빠른 속도로 대상물 처리에 적합한 분사증기를 대용량으로 형성함으로써 처리 시스템의 규모가 크지 않더라도 대용량 처리 능력을 제공하기 위함이다.As described above, the steam heating unit 30 further heats the generated steam to generate heated steam at a high temperature (for example, 250 ° C. to 500 ° C. steam) while generating more heat than the generated steam. This is to provide a large capacity processing capacity even if the size of the processing system is not large by forming a large amount of injection steam suitable for the object treatment at a high speed when mixing a small amount of heated steam in the nozzle unit 40.

증기가열부(30)는 전원공급부(50)로부터 공급되는 전원의 세기에 따라 가열증기의 가열 온도를 조절할 수 있다.The steam heating unit 30 may adjust the heating temperature of the heating steam according to the strength of the power supplied from the power supply unit 50.

전원공급부(50)는 순수예열부(10), 증기발생부(20) 및 증기가열부(30) 각각에 필요한 전원을 공급한다. 즉, 전원공급부(50)는 순수예열부(10) 및 증기발생부(20)에 상용 교류 전원 또는 직류 전원을 공급하고, 증기가열부(30)에 고주파 교류 전원(또는 RF 전원)을 공급한다. 특히, 전원공급부(50)는 증기가열부(30)의 임피던스차에 의한 반사를 줄이는 임피던스 매칭을 위해, 임피던스 매칭 네트워크(impedance matching network)를 통해 고주파 교류 전원을 공급할 수 있다. The power supply unit 50 supplies power required for each of the pure preheating unit 10, the steam generating unit 20, and the steam heating unit 30. That is, the power supply unit 50 supplies commercial AC power or DC power to the pure water preheating unit 10 and the steam generator 20, and supplies high frequency AC power (or RF power) to the steam heating unit 30. . In particular, the power supply unit 50 may supply high-frequency AC power through an impedance matching network for impedance matching to reduce reflection due to the difference in impedance of the steam heating unit 30.

이와 같이 전원공급부(50)는 순수예열부(10), 증기발생부(20) 및 증기가열부(30) 각각에 필요한 개별 구성으로 구비되어 전원을 공급하거나, 하나의 구성에서 각각에 대응되는 조건에 따라 전원을 공급할 수 있다. In this way, the power supply unit 50 is provided in a separate configuration required for each of the pure preheating unit 10, the steam generating unit 20 and the steam heating unit 30 to supply power, or a condition corresponding to each in one configuration Power can be supplied according to

제어부(60)는 전원공급부(50)를 통해 순수예열부(10), 증기발생부(20) 및 증기가열부(30)의 동작을 제어한다. 구체적으로, 제어부(60)는 전원공급부(50)를 통해 순수예열부(10), 증기발생부(20) 및 증기가열부(30) 각각에 공급되는 전원의 세기를 제어함으로써, 순수예열부(10)에 의해 가열되는 순수 온도, 증기발생부(20)에 의해 발생되는 발생증기의 온도와 발생량, 증기가열부(30)에 의해 발생되는 가열증기의 온도와 발생량 등을 제어할 수 있다. 또한, 제어부(60)는 전원공급부(50)를 통해 순수예열부(10), 증기발생부(20) 및 증기가열부(30)의 온/오프(on/off) 동작을 제어한다.The controller 60 controls the operations of the pure preheater 10, the steam generator 20, and the steam heater 30 through the power supply unit 50. Specifically, the controller 60 controls the intensity of the power supplied to each of the pure preheating unit 10, the steam generating unit 20, and the steam heating unit 30 through the power supply unit 50. The pure water heated by 10), the temperature and the amount of steam generated by the steam generator 20, the temperature and the amount of steam generated by the steam heating unit 30 can be controlled. In addition, the controller 60 controls the on / off operation of the pure preheater 10, the steam generator 20, and the steam heater 30 through the power supply unit 50.

아울러, 제어부(60)는 순수예열부(10), 증기발생부(20), 증기가열부(30), 제1 조작밸브(1), 제2 조작밸브(2), 제3 조작밸브(3)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(60)는 각 구성들을 제어할 때 각 구성들의 온도 및 압력을 감지하여 제어할 수 있다. 즉, 제어부(60)는 순수예열부(10), 증기발생부(20), 증기가열부(30), 제1 조작밸브(1), 제2 조작밸브(2), 제3 조작밸브(3) 중 어느 한 지점의 온도 및 압력이 기 설정된 온도 및 압력 이상으로 감지되는 경우에, 전원공급부(50)를 통해 순수예열부(10), 증기발생부(20) 및 증기가열부(30) 각각에 공급되는 전원의 세기를 조절할 수 있다. 이때, 제어부(60)는 각 구성들의 온도 및 압력을 감지하여 사용자에게 알려줄 수 있다. In addition, the control unit 60 is a pure preheating unit 10, steam generating unit 20, steam heating unit 30, the first operation valve (1), the second operation valve (2), the third operation valve (3) ) Can be controlled. For example, the controller 60 may detect and control the temperature and pressure of each component when controlling each component. That is, the control unit 60 is a pure preheating unit 10, steam generating unit 20, steam heating unit 30, the first operation valve (1), the second operation valve (2), the third operation valve (3) When the temperature and pressure at any one point of) is detected to be higher than the preset temperature and pressure, the pure preheating unit 10, the steam generating unit 20, and the steam heating unit 30 are respectively provided through the power supply unit 50. You can adjust the strength of the power supplied to the system. In this case, the controller 60 may detect a temperature and pressure of each component and inform the user.

또한, 제어부(60)는 제1 조작밸브(1), 제2 조작밸브(2), 제3 조작밸브(3)의 개폐를 제어할 수 있다. 즉, 제1 조작밸브(1)는 개폐 정도에 따라 순수예열부(10)로 공급되는 순수의 유량(flux)을 조절할 수 있다. 제2 조작밸브(2)는 개폐 정도에 따라 증기가열부(30)로 공급되는 발생증기의 유량을 조절할 수 있다. 제3 조작밸브(3)는 개폐 정도에 따라 노즐부(40)로 분사되는 가열증기의 유량을 조절할 수 있다. In addition, the controller 60 may control the opening and closing of the first operation valve 1, the second operation valve 2, and the third operation valve 3. That is, the first operation valve 1 may adjust the flow rate of the pure water supplied to the pure water preheating unit 10 according to the degree of opening and closing. The second operation valve 2 may adjust the flow rate of the generated steam supplied to the steam heating unit 30 according to the degree of opening and closing. The third operation valve 3 may adjust the flow rate of the heating steam injected into the nozzle unit 40 according to the degree of opening and closing.

한편, 제어부(60)는 대상물(4)의 처리 대상면을 균등하게 스캐닝하여 증기를 분사하기 위해, 노즐부(40) 또는/및 대상물 지지부(미도시)를 제어할 수 있다. 즉, 대상물 지지부는 고정된 채로, 노즐부(40)만을 단독으로 가동시키고, 이동 동작 및 회동 동작을 조합하여, 대상물(4)의 처리면 전역을 스캐닝 하는 동작을 실시할 수도 있다. 또한, 노즐부(40)는 고정한 채로, 대상물 지지부만을 단독으로 가동시키고, 회동 동작만이 아니라 이동 동작을 가능하게 하는 기구를 설치하여 회동과 이동을 동기시켜 조합하고 대상물(4)의 처리면 전역을 스캐닝하는 동작을 하도록 할 수도 있다. 또한, 노즐부(40)의 이동 동작과 대상물 지지부의 회전 동작에 대하여, 서로 동기하도록 조합하여 양자를 동시에 동작시키고, 대상물(4)의 스캐닝을 하고, 원하는 스캔 속도를 얻도록 제어할 수도 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 이와 같이, 노즐부(40)와 대상물 지지부의 동작은 스캐닝 사양에 맞추어 적절하게 조합하고, 원하는 스캔 속도를 얻을 수 있도록 설계할 수 있다.Meanwhile, the controller 60 may control the nozzle unit 40 and / or the object supporter (not shown) in order to uniformly scan the processing target surface of the object 4 to inject steam. That is, while the object support part is fixed, only the nozzle part 40 can be operated alone, and the operation | movement which scans the whole processing surface of the object 4 can be performed combining a movement operation and a rotation operation. Moreover, the nozzle part 40 is fixed, and only the object support part is actuated independently, and the mechanism which enables not only rotation operation but a movement operation is provided, it synchronizes rotation and a movement, and combines the whole process surface of the object 4 Scanning may also be performed. In addition, the movement operation of the nozzle unit 40 and the rotation operation of the object support unit may be controlled so as to operate both in combination so as to be synchronized with each other, to scan the object 4, and to obtain a desired scan speed. It is not limited to this. In this way, the operation of the nozzle portion 40 and the object support portion can be appropriately combined in accordance with the scanning specification, and can be designed to obtain a desired scan speed.

도 2는 상기 도 1의 순수예열부와 증기발생부에 대한 도면이다.2 is a view of the pure preheating unit and the steam generating unit of FIG.

도 2에 도시된 바와 같이, 순수예열부(10) 및 증기발생부(20)는 하나 이상의 중공형 파이프로 제작될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.As shown in FIG. 2, the pure preheating unit 10 and the steam generating unit 20 may be made of one or more hollow pipes, but are not limited thereto.

순수예열부(10)는 2개의 구성 즉, 제1 및 제2 순수예열부(10a,10b)으로 각각 구성될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 순수예열부(10a,10b) 각각은 중공형 파이프 내부를 통해 순수가 흐를 수 있는 유로를 형성하며, 유로를 따라 길이 방향으로 제1 및 제2 발열체(11a,11b)를 배치할 수 있다. 이로 인해, 순수는 제1 및 제2 순수예열부(10a,10b)를 통과할 때 예열되어, 최종적으로 증기발생부(20)에 비등점 근처의 온도(일례로, 상압에서 85℃ 내지 95℃)를 갖는 상태로 공급되어진다.The pure preheating unit 10 may be composed of two components, that is, the first and second pure preheating units 10a and 10b, respectively. In this case, each of the first and second pure preheating units 10a and 10b forms a flow path through which the pure water can flow through the hollow pipe, and the first and second heating elements 11a and 11b in the longitudinal direction along the flow path. Can be placed. For this reason, the pure water is preheated when passing through the first and second pure preheating units 10a and 10b, and finally the temperature near the boiling point in the steam generating unit 20 (for example, 85 ° C to 95 ° C at normal pressure). It is supplied in a state having.

증기발생부(20)는 순수예열부(10)로부터 공급된 순수를 수렴하여 수용할 수 있는 소정의 공간을 구비한다. 여기서, 증기발생부(20)는 순수를 수렴하여 수용할 때, 하부측에 순수가 채워진 공간과 상부측에 발생증기가 채워진 공간으로 나눠지도록 순수를 채운다.The steam generating unit 20 has a predetermined space that can receive and receive the pure water supplied from the pure water preheating unit 10. Here, the steam generating unit 20 fills the pure water so as to be divided into a space filled with pure water on the lower side and a space filled with generated steam on the upper side when the pure water converges to receive the pure water.

이때, 제3 및 제4 발열체(21a,21b)는 증기발생부(20)의 하부측에 배치하여 채워진 순수를 가열한다. 그에 따라 발생된 발생증기는 증기발생부(20)의 상부측에 형성된 발생증기 배출부(22)를 통해 증기가열부(30)로 공급되어진다.At this time, the third and fourth heating elements 21a and 21b are disposed on the lower side of the steam generator 20 to heat the pure water filled. The generated steam is supplied to the steam heating unit 30 through the generated steam discharge unit 22 formed on the upper side of the steam generator 20.

도 3a 내지 도 3c는 상기 도 1의 순수예열부에 형성된 유로에 대한 도면이다.3A to 3C are views illustrating a flow path formed in the pure preheating unit of FIG. 1.

전술한 바와 같이, 순수예열부(10)에서는 순수가 내부에 형성된 유로를 통해 흐르면서 가열되며, 증기발생부(20)에서는 순수가 내부에 채워진 상태에서 가열된다.As described above, in the pure water preheating unit 10, the pure water flows through the flow path formed therein, and in the steam generator 20, the pure water is heated in the state filled therein.

한편, 제1 및 제2 순수예열부(10a,10b)는 각각 독립적이고 서로 반대 방향의 복수의 유로를 형성하고, 증기발생부(20) 양단에 각각 순수를 공급할 수 있다(도 3a 참조). 이는 증기발생부(20) 내부에 채워진 순수의 온도를 빠른 시간 내에 온도 평형상태를 만들어 줄 수 있다.Meanwhile, the first and second pure preheating units 10a and 10b may each independently form a plurality of flow paths in opposite directions and supply pure water to both ends of the steam generator 20 (see FIG. 3A). This may make the temperature equilibrium state of the pure water filled in the steam generator 20 within a short time.

반면에, 제1 및 제2 순수예열부(10a,10b)는 각각 독립적이고 서로 동일한 방향의 복수의 유로를 형성하고, 증기발생부(20) 일단에 각각 순수를 공급할 수 있다(도 3b 참조). 이는 순수의 유로를 묶어 하나의 유로로 증기발생부(20)로 순수를 공급하기 용이하다.On the other hand, the first and second pure preheating units 10a and 10b may each independently form a plurality of flow paths in the same direction and supply pure water to one end of the steam generating unit 20 (see FIG. 3B). . It is easy to supply pure water to the steam generating unit 20 by tying up the flow path of pure water.

또한, 제1 및 제2 순수예열부(10a,10b)는 서로 연결되어 하나의 단일 유로를 형성하고, 증기발생부(20) 일단에 순수를 공급할 수 있다(도 3c 참조). 이때, 순수의 유로는 지그재그형으로 형성된다. 이는 순수의 가열시간을 단축시켜 제1 및 제2 순수예열부(10a,10b)의 크기를 줄일 수 있다. In addition, the first and second pure preheating units 10a and 10b may be connected to each other to form a single flow path, and may supply pure water to one end of the steam generating unit 20 (see FIG. 3C). At this time, the pure water flow path is formed in a zigzag shape. This may shorten the heating time of the pure water to reduce the size of the first and second pure preheating unit (10a, 10b).

도 4는 상기 도 2의 순수예열부의 단면에 대한 상세 도면이다.4 is a detailed view of a cross section of the pure preheating unit of FIG. 2.

도 4를 참조하면, 순수예열부(10)는 관 또는 파이프 형태로 내부가 빈 원통형의 예열부 바디(101)를 형성한다. 여기서, 예열부 바디(101)는 내부에 순수를 직접 예열하기 위한 발열체(11)를 포함한다. 바람직하게는 발열체(11)도 원통형의 막대형 구조이다.Referring to FIG. 4, the pure preheating unit 10 forms a cylindrical preheater body 101 having a hollow interior in the form of a pipe or a pipe. Here, the preheater body 101 includes a heating element 11 for directly preheating the pure water therein. Preferably, the heating element 11 also has a cylindrical rod-shaped structure.

예열부 바디(101) 내부에는 원통형의 예열부 바디(101) 중심과 동일한 중심을 가질 수 있도록 발열체(11)를 지지하기 위한 발열체 지지부(102)가 배치된다. 발열체 지지부(102)는 원반형으로서 중심부(102a)에 발열체(11)가 통과하여 발열체(11)를 지지하며, 중심 주변부에 순수 유로(102b)를 형성할 수 있다. 여기서, 발열체 지지부(102)는 예열부 바디(101) 또는 발열체(11)와 동일한 재질인 것이 바람직하다.In the preheater body 101, a heat generator support part 102 for supporting the heat generator 11 may be disposed to have the same center as the center of the cylindrical preheater body 101. The heat generator support portion 102 has a disc shape, and the heat generator 11 passes through the central portion 102a to support the heat generator 11, and a pure flow path 102b may be formed at the center periphery. Here, the heating element support portion 102 is preferably made of the same material as the preheater body 101 or the heating element (11).

도 5a는 상기 도 1의 증기가열부에 대한 도면이고, 도 5b는 상기 도 5a의 증기가열부의 A-A' 단면에 대한 도면이고, 도 5c 및 도 5d는 상기 도 5a의 증기가열부의 B-B' 단면에 대한 도면이다.Figure 5a is a view of the steam heating unit of Figure 1, Figure 5b is a view of the AA 'cross section of the steam heating unit of Figure 5a, Figures 5c and 5d is a BB' cross section of the steam heating unit of Figure 5a This is the drawing.

도 5a를 참조하면, 증기가열부(30)는 코일(31)과 바디(32)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5A, the steam heating unit 30 may include a coil 31 and a body 32.

코일(31)은 전원공급부(50)와 연결되어 고주파 교류전원이 공급된다. 이로 인해, 코일(31)은 전원공급부(50)로부터 고주파 교류전원을 공급받아 고주파 교류 자계를 형성한다. The coil 31 is connected to the power supply unit 50 to supply a high frequency AC power. Thus, the coil 31 receives a high frequency AC power from the power supply unit 50 to form a high frequency AC magnetic field.

코일(31)은 바디(112c)의 세로 방향으로 권선할 수 있다. 즉, 코일(31)은 바디(32) 전체를 단일 선으로 권선하여 일측에 전원공급부(50)를 연결하고 타측에 접지할 수 있다. The coil 31 may be wound in the longitudinal direction of the body 112c. That is, the coil 31 may connect the power supply unit 50 to one side and ground the other side by winding the whole body 32 in a single line.

바디(32)는 필요에 따라 코일(31)을 지지하여 고정하기 위한 코일 지지 및 고정부(미도시)를 구비할 수 있다. 이때, 코일 지지 및 고정부는 코일(31)의 권선 경로를 가이드하여 다회 권선을 할 때 각 권선 간 간격을 일정하게 유지시켜준다. 아울러, 코일 지지 및 고정부는 일정 간격 이격된 상태로 바디(32)의 둘레에 코일(31)이 권선될 수 있도록 함으로써 코일(31)이 바디(32) 표면에 직접 권선되는 것을 방지한다. 이는 유도 가열에 의해 가열된 바디(32)의 온도가 코일(31)로 직접 전도되는 것을 방지하기 위함이다. 즉, 코일 지지 및 고정부는 절연 구조를 형성한다.The body 32 may include a coil support and a fixing part (not shown) for supporting and fixing the coil 31 as necessary. At this time, the coil support and the fixing portion guides the winding path of the coil 31 to maintain a constant interval between each winding when winding multiple times. In addition, the coil support and the fixing part may be wound around the body 32 at a predetermined interval to prevent the coil 31 from being directly wound on the surface of the body 32. This is to prevent the temperature of the body 32 heated by induction heating from being directly conducted to the coil 31. That is, the coil support and the fixing portion form an insulating structure.

또한, 코일(31)은 속이 빈 가늘고 긴 관 형태(즉, 파이프 또는 튜브 형태)일 수 있다. 이러한 코일(31)은 관 내부를 냉각수의 통로로 이용하여 코일 자체에 발생하는 열을 식힌다. 바람직하게는 코일(31)은 전도성이 90% 이상의 동관(copper pipe)이다.In addition, the coil 31 may be in the form of a hollow elongated tube (ie, in the form of a pipe or tube). The coil 31 uses the inside of the pipe as a passage for cooling water to cool the heat generated in the coil itself. Preferably the coil 31 is a copper pipe having a conductivity of at least 90%.

바디(32)는 금속 재질(일례로, 티타늄 등)로서, 전자 유도 현상에 의해 코일(31)에 고주파 교류 전류가 흐를 때 발생하는 고주파 교류 자계로 인해 표면에 유도 와전류가 발생하여 표피 저항에 의한 주울열이 발생한다. 이로 인해, 바디(32)는 증기발생부(20)로부터 공급된 발생증기를 더욱 가열하여 가열증기를 생성할 수 있다.The body 32 is a metal material (for example, titanium), and an induction eddy current is generated on the surface due to a high frequency alternating magnetic field generated when a high frequency alternating current flows through the coil 31 by an electromagnetic induction phenomenon. Joule heat is produced. For this reason, the body 32 may further generate heated steam by further heating the generated steam supplied from the steam generator 20.

바디(32)는 내부 공간에서 발생된 가열증기를 외부로 분사시키기 위한 증기 분사부(미도시)를 형성할 수 있다. 이때, 증기 분사부는 각각이 노즐부(40)에 개별 연결되거나 전체가 하나의 노즐부(40)에 집결되어 대상물(4)로 증기를 직접 분사할 수 있다.The body 32 may form a steam injector (not shown) for injecting heated steam generated in the inner space to the outside. In this case, each of the steam injection unit may be individually connected to the nozzle unit 40 or the whole may be collected in one nozzle unit 40 to directly inject the steam to the object (4).

도 5b를 참고하면, 증기가열부(30)는 발생증기의 유로를 형성할 때, 단일 유로의 형태가 아닌 복수의 중공이 분포되어 유로를 형성하는 중공 다발형 유로(33)로 형성되어 있다. 즉, 중공 다발형 유로(33)는 발생증기가 지나가는 단일 유로를 협소하게 여러 경로로 형성한다. 이는 발생증기의 흐름 속도를 크게 줄이지 않으면서 발생증기에 열을 전달하는 면적을 넓혀주는 효과를 얻을 수 있기 때문에, 빠른 시간 내에 고온의 가열증기를 발생시켜줄 수 있음을 의미한다.Referring to FIG. 5B, when the flow path of the generated steam is formed, the steam heating part 30 is formed as a hollow bundle-type flow path 33 in which a plurality of hollows are distributed to form a flow path rather than a single flow path. That is, the hollow bundle-type flow path 33 forms a narrow flow path through which the generated steam passes in several paths. This means that it is possible to generate a high temperature heating steam within a short time since the effect of widening the area for transferring heat to the generated steam can be obtained without significantly reducing the flow rate of the generated steam.

도 5c 및 도 5d를 참고하면, 중공 다발형 유로(33)는 증기가열부(30) 내부 전체에 형성되는 구조(도 5c 참조)이거나, 증기가열부(30) 내부의 공간에 배치되어 해당 공간을 구획하는 복수의 구조물(33a 내지 33c)로 형성되는 구조(도 5d 참고)일 수 있다. 도 5c의 중공 다발형 유로(33)는 발생증기의 인입부터 배출까지 발생증기의 유로를 독립적인 복수의 유로로 구성하는 반면에, 도 5d의 중공 다발형 유로(33)는 증기가열부(30)의 내부에서 부분적으로 발생증기의 유로를 독립적인 복수의 유로로 구성한다. 5C and 5D, the hollow bundle flow path 33 is a structure formed in the entire steam heating unit 30 (see FIG. 5C), or is disposed in a space inside the steam heating unit 30 and corresponding space. It may be a structure formed of a plurality of structures (33a to 33c) for partitioning (see FIG. 5D). The hollow bundle-type flow path 33 of FIG. 5C constitutes a plurality of independent flow paths from the inlet to discharge of the generated steam, whereas the hollow bundle-type flow path 33 of FIG. 5D is a steam heating unit 30. The flow path of the generated steam partially consists of a plurality of independent flow paths in the inside).

도 6은 상기 도 1의 증기가열부의 코일 연결 방식에 대한 도면이다.6 is a diagram illustrating a coil connection method of the steam heating unit of FIG. 1.

도 6을 참조하면, 증기가열부(30)는 유도 가열을 이용하여 발생증기를 가열증기로 생성한다. 증기가열부(30)는 복수의 유로를 통해 증기발생부(20)와 연결할 수 있다.Referring to FIG. 6, the steam heating unit 30 generates generated steam as heating steam by using induction heating. The steam heating unit 30 may be connected to the steam generating unit 20 through a plurality of flow paths.

증기가열부(30)는 코일(31)을 권선함에 있어서, 각각의 권선(30a 내지 30d)으로부터 전원공급부(50)까지 동일한 전선 길이를 갖도록 연결할 수 있다. 이때, 전원공급부(50)는 임피던스 매칭을 위한 매칭 네트워크(matching network)(113a)를 통해 코일(112a)에 전원을 공급한다.The steam heating unit 30 may be connected to have the same wire length from each of the windings 30a to 30d to the power supply unit 50 in winding the coil 31. In this case, the power supply unit 50 supplies power to the coil 112a through a matching network 113a for impedance matching.

즉, 증기가열부(30) 각각의 권선(30a 내지 30d)과 전원공급부(50) 간의 연결 길이(L1 내지 L4)는 서로 동일하게 구성하는 것이 바람직하다. 이는 각 권선(30a 내지 30d)의 인덕턴스(inductance)를 동일하게 구성하기 위함이다.That is, the connection lengths L1 to L4 between the windings 30a to 30d of the steam heating unit 30 and the power supply unit 50 are preferably configured to be the same. This is to configure the inductance of each winding 30a to 30d equally.

도 7은 상기 도 1의 노즐부에 대한 상세 도면이다.7 is a detailed view of the nozzle unit of FIG. 1.

도 7을 참조하면, 노즐부(40)는 대상물(4)에 분사증기뿐만 아니라, 액체와 기체도 동시에 공급할 수 있다.Referring to FIG. 7, the nozzle unit 40 may simultaneously supply not only injection steam but also liquid and gas to the object 4.

즉, 노즐부(40)는 분사증기를 분사하기 위한 제1 노즐부(41), 액체를 분사하기 위한 제2 노즐부(42), 기체를 분사하기 위한 제3 노즐부(43)를 포함한다. 이때, 제1 노즐부(41), 제2 노즐부(42) 및 제3 노즐부(43)는 각각 기체 공급부(44) 또는 액체 공급부(45)와 연결된다.That is, the nozzle part 40 includes a first nozzle part 41 for injecting the injection steam, a second nozzle part 42 for injecting the liquid, and a third nozzle part 43 for injecting the gas. . In this case, the first nozzle part 41, the second nozzle part 42, and the third nozzle part 43 are connected to the gas supply part 44 or the liquid supply part 45, respectively.

제1 노즐부(41)에서는 증기가열부(30)로부터 제공된 가열증기에 기체 또는/및 액체를 혼합시켜 발생되는 분사증기를 대상물(4)로 분사할 수 있다. 이때, 제1 노즐부(41)는 기체 공급부(44) 및 액체 공급부(45)와 연결된다. 제2 노즐부(42)는 액체공급부(42)로부터 액체를 제공받는다. 제3 노즐부(43)는 기체공급부(43)로부터 기체를 제공받는다. 제1 내지 제3 노즐부(41 내지 43) 각각은 필요에 따라 분사증기, 액체, 기체를 조합하여 대상물(4)에 분사할 수 있다. 즉, 대상물(4)에 분사증기를 분사한 후, 기체(압축공기)를 분사하여 대상물(4)를 건조시킬 수 있다.The first nozzle part 41 may inject the injection steam generated by mixing the gas or / and liquid into the heating steam provided from the steam heating unit 30 to the object 4. In this case, the first nozzle part 41 is connected to the gas supply part 44 and the liquid supply part 45. The second nozzle part 42 receives liquid from the liquid supply part 42. The third nozzle part 43 receives gas from the gas supply part 43. Each of the first to third nozzle parts 41 to 43 may be sprayed onto the object 4 by combining injection steam, liquid, and gas as necessary. That is, after spraying the injection steam on the object 4, the object (4) can be dried by spraying a gas (compressed air).

기체공급부(44) 및 액체공급부(55) 각각은 기체 또는 액체의 공급을 조절하기 위한 제4 내지 제7 조작밸브(5 내지 8)를 포함할 수 있다.Each of the gas supply part 44 and the liquid supply part 55 may include fourth to seventh operation valves 5 to 8 for controlling supply of gas or liquid.

이상에서 설명된 본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Embodiments of the present invention described above are merely exemplary, and those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, it will be understood that the present invention is not limited only to the form mentioned in the above detailed description. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims. It is also to be understood that the present invention includes all modifications, equivalents, and substitutes within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

10 : 순수예열부 20 : 증기발생부
30 : 증기가열부 40 : 노즐부
50 : 전원공급부 60 : 제어부
4 : 대상물
10: pure preheating unit 20: steam generating unit
30: steam heating part 40: nozzle part
50: power supply unit 60: control unit
4: object

Claims (9)

하나 이상의 제1 유로를 통과하는 순수를 저항 가열하기 위한 순수예열부;
상기 제1 유로로부터 전달된 순수를 수렴하여 수용한 후 저항 가열하여 증기를 발생시키기 위한 증기발생부;
상기 증기발생부에 의해 발생된 증기를 제2 유로를 통과시켜 유도가열을 이용하여 가열하기 위한 증기가열부;
상기 순수예열부, 상기 증기발생부 및 상기 증기가열부 각각에 전원을 공급하기 위한 전원공급부;
상기 전원공급부를 제어하기 위한 제어부; 및
상기 증기가열부로부터 생성된 증기에 소정의 액체 또는 기체를 섞어 대상물로 분사하기 위한 노즐부;
를 포함하고,
상기 순수예열부, 상기 증기발생부 및 상기 증기가열부는 하부에서 상부로 순차적으로 형성되어,
상기 순수예열부에서 수평방향으로 이동하면서 가열된 순수는 상기 순수예열부의 상측에 형성된 상기 증기발생부에 전달되고,
상기 증기발생부에서 수평방향으로 이동하면서 발생된 발생증기는 상기 증기발생부의 상부측에 수직방향으로 동일하게 형성된 복수의 발생증기 배출부를 통하여 상기 증기가열부에 전달되고,
상기 증기가열부에서 가열된 가열증기는 상기 노즐부로 전달되는 증기를 이용한 대상물 처리 장치.
Pure preheating unit for resistance heating the pure water passing through at least one first flow path;
A steam generator for collecting steam received from the first flow path and accommodating the pure water and then heating the resistor to generate steam;
A steam heater for heating the steam generated by the steam generator through a second flow path and using induction heating;
A power supply unit for supplying power to each of the pure preheating unit, the steam generating unit, and the steam heating unit;
A control unit for controlling the power supply unit; And
A nozzle unit for injecting a predetermined liquid or gas into the vapor generated from the steam heating unit and injecting the vapor into an object;
Including,
The pure preheating unit, the steam generating unit and the steam heating unit is formed sequentially from the bottom to the top,
The pure water heated while moving in the horizontal direction in the pure preheater is transferred to the steam generating unit formed on the pure preheater,
The generated steam generated while moving in the horizontal direction from the steam generating unit is transferred to the steam heating unit through a plurality of generated steam discharge parts formed in the same vertical direction on the upper side of the steam generating unit,
Heating steam heated in the steam heating unit using the steam delivered to the nozzle unit.
제 1 항에 있어서,
상기 순수예열부는, 상기 유로를 형성할 때 각각 상기 증기발생부로 연결하여 복수 유로를 형성하거나, 서로 연결하여 단일 유로를 형성하는 증기를 이용한 대상물 처리 장치.
The method of claim 1,
The pure water preheating unit, the object processing apparatus using steam to form a plurality of flow paths by connecting to the steam generating unit, respectively, or connected to each other when forming the flow path.
제 2 항에 있어서,
상기 순수예열부는, 내부에 발열체를 지지하여 순수를 가열하고, 순수 유로를 형성하는 발열체 지지부를 포함하는 증기를 이용한 대상물 처리 장치.
The method of claim 2,
The pure water preheating unit, the object processing apparatus using the steam including a heating element support for heating the pure water by supporting the heating element therein to form a pure water flow path.
제 3 항에 있어서,
상기 증기발생부는, 순수를 수렴하여 수용할 때, 하부측에 순수가 채워진 공간과 상부측에 증기가 채워진 공간으로 구분되는 증기를 이용한 대상물 처리 장치.
The method of claim 3, wherein
The steam generating unit, the object processing apparatus using the steam divided into a space filled with pure water on the lower side and the space filled with steam on the upper side when receiving the pure water.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증기가열부는,
상기 전원공급부로부터 전원을 공급받아 고주파 교류자계를 형성하기 위한 코일; 및
상기 고주파 교류자계에 의해 상기 제2 유로를 통과하는 순수를 유도 가열하여 증기를 발생하기 위한 바디;
를 포함하는 증기를 이용한 대상물 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
The steam heating unit,
A coil for receiving a power from the power supply to form a high frequency alternating magnetic field; And
A body for generating steam by induction heating pure water passing through the second flow path by the high frequency alternating magnetic field;
Object processing apparatus using the steam containing.
제 5 항에 있어서,
상기 바디는, 복수의 중공이 분포되어 유로를 내부에 형성하는 증기를 이용한 대상물 처리 장치.
The method of claim 5,
The body has a plurality of hollows are distributed object processing apparatus using steam to form a flow path therein.
제 6 항에 있어서,
상기 증기가열부는, 복수의 유로를 형성하여 상기 증기발생부와 연결하는 증기를 이용한 대상물 처리 장치.
The method of claim 6,
The steam heating unit, the object processing apparatus using the steam to form a plurality of flow paths connected to the steam generating unit.
제 7 항에 있어서,
상기 증기가열부는, 상기 증기발생부와 연결되는 복수의 유로를 형성할 때, 복수의 유로에 권선되는 상기 코일이 상기 전원공급부까지 동일한 전선 길이를 갖도록 연결하는 증기를 이용한 대상물 처리 장치.
The method of claim 7, wherein
The steam heating unit, when forming a plurality of flow paths connected to the steam generating unit, the object processing apparatus using steam to connect the coil wound in the plurality of flow paths to have the same wire length to the power supply.
제 8 항에 있어서,
상기 노즐부는, 증기, 액체 및 기체를 동시에 상기 대상물에 분사하는 증기를 이용한 대상물 처리 장치.
The method of claim 8,
The nozzle unit is an object processing apparatus using steam for simultaneously injecting steam, liquid and gas to the object.
KR1020160065475A 2016-05-27 2016-05-27 Apparatus for processing object using steam KR102065145B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160065475A KR102065145B1 (en) 2016-05-27 2016-05-27 Apparatus for processing object using steam

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160065475A KR102065145B1 (en) 2016-05-27 2016-05-27 Apparatus for processing object using steam

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170133960A KR20170133960A (en) 2017-12-06
KR102065145B1 true KR102065145B1 (en) 2020-01-10

Family

ID=60922196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160065475A KR102065145B1 (en) 2016-05-27 2016-05-27 Apparatus for processing object using steam

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102065145B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100280647B1 (en) * 1994-10-24 2001-02-01 모리시타 요이찌 Steam generator of induction heating system
KR100883983B1 (en) * 2008-10-17 2009-02-17 일산통상(주) Temperature controling device with non electromagnetic heating cable
JP2009054655A (en) * 2007-08-23 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd Vaporizer, material gas supply system using vaporizer and film depositing apparatus using the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100280647B1 (en) * 1994-10-24 2001-02-01 모리시타 요이찌 Steam generator of induction heating system
JP2009054655A (en) * 2007-08-23 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd Vaporizer, material gas supply system using vaporizer and film depositing apparatus using the same
KR100883983B1 (en) * 2008-10-17 2009-02-17 일산통상(주) Temperature controling device with non electromagnetic heating cable

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170133960A (en) 2017-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101229694B1 (en) Fluid heater, manufacturing method thereof, substrate processing device equipped with a fluid heater, and substrate processing method
CN107546095A (en) Support component, the apparatus and method for handling substrate
US10537013B2 (en) Distributed electro-static chuck cooling
JP6465442B2 (en) Plasma processing equipment
CN108431930A (en) Atomic layer etch system with remote plasma source and DC electrodes
KR101791871B1 (en) Electrostatic chuck and substrate treating apparatus including the same
KR102100762B1 (en) Steam generation apparatus using the evaporation of heating unit surface
KR101983731B1 (en) Apparatus for rapidly heating of fluid and system for processing object using the same
KR102100757B1 (en) Steam generation apparatus using induction heating, steam cleaning system
KR102065145B1 (en) Apparatus for processing object using steam
KR102065146B1 (en) Apparatus for processing object using steam
KR102065143B1 (en) Steam generation apparatus using induction heating, steam cleaning system
KR102144362B1 (en) Steam cleaning system using steam generation apparatus
KR102086539B1 (en) Steam generation apparatus for spraying uniform steam
KR102065142B1 (en) Steam generation apparatus using induction heating, steam cleaning system
KR102336731B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101976797B1 (en) Apparatus for generating steam
KR102065144B1 (en) Steam generation apparatus using induction heating, steam cleaning system
KR20170114292A (en) Steam generation apparatus using induction heating, steam cleaning system
KR20180124279A (en) Apparatus for cleaning
KR20110115137A (en) Particle reduction treatment for gas delivery system
KR20190004504A (en) Heat supplying system for nozzle
KR102100758B1 (en) Vapor spray apparatus using a ultrasonic transducer
KR102116995B1 (en) Small steam cleaner using induction heating
US11398391B2 (en) Substrate processing apparatus and method for processing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant