KR20200036631A - System and method for examining equipment for manufacturing of semiconductor, and wafer for testing - Google Patents

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KR20200036631A
KR20200036631A KR1020180116505A KR20180116505A KR20200036631A KR 20200036631 A KR20200036631 A KR 20200036631A KR 1020180116505 A KR1020180116505 A KR 1020180116505A KR 20180116505 A KR20180116505 A KR 20180116505A KR 20200036631 A KR20200036631 A KR 20200036631A
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손덕현
홍성환
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세메스 주식회사
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Abstract

Provided is a system for diagnosing semiconductor manufacturing equipment, which diagnoses a state of each device forming the semiconductor manufacturing equipment by using a wafer in which a gyro sensor is embedded. Also, provided is a method thereof. The system for diagnosing semiconductor manufacturing equipment includes: a device under test provided on the semiconductor manufacturing equipment; a test wafer in which a sensor assembly is embedded wherein the test wafer obtains and transmits information relating to a slope of the device under test by using the sensor assembly when being positioned on or in the device under test; and a diagnosed result generating device determining whether the device under test is positioned in a horizontal state based on the information relating to the slope.

Description

반도체 제조 설비 진단 시스템과 방법, 및 테스트용 웨이퍼 {System and method for examining equipment for manufacturing of semiconductor, and wafer for testing}System and method for examining equipment for manufacturing of semiconductor, and wafer for testing}

본 발명은 테스트용 웨이퍼와, 이 웨이퍼를 이용하여 반도체 제조 설비를 구성하는 각 장치의 상태를 진단하는 반도체 제조 설비 진단 시스템 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a test wafer and a semiconductor manufacturing facility diagnostic system and method for diagnosing the state of each device constituting a semiconductor manufacturing facility using the wafer.

반도체 소자는 웨이퍼(wafer) 상에 소정의 패턴을 형성함으로써 제조될 수 있다. 웨이퍼 상에 소정의 패턴을 형성할 때에는 증착 공정(depositing process), 사진 공정(lithography process), 식각 공정(etching process) 등 다양한 공정이 연속적으로 수행될 수 있다.The semiconductor device can be manufactured by forming a predetermined pattern on a wafer. When forming a predetermined pattern on the wafer, various processes such as a deposition process, a lithography process, and an etching process may be continuously performed.

한국공개특허 제10-2009-0070387호 (공개일: 2009.07.01.)Korean Patent Publication No. 10-2009-0070387 (Publication date: 2009.07.01.)

반도체 소자를 제조할 때에 불량률을 감소시키려면, 반송 로봇, FOUP(Front Opening Unified Pod), 로드락(L/L; Load Lock), 사이드 버퍼(side buffer) 등 반도체 제조 설비 내의 각 장치의 상태를 주기적으로 진단해야 한다. 그런데 각 장치의 상태를 진단하려면, 각 장치에 센서가 장착되어 있어야 하는 불편이 있다.In order to reduce the defect rate when manufacturing a semiconductor device, the state of each device in a semiconductor manufacturing facility such as a transfer robot, front opening unified pod (FOUP), load lock (L / L), side buffer, etc. It should be diagnosed periodically. However, in order to diagnose the state of each device, there is an inconvenience that a sensor must be installed in each device.

본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 자이로 센서가 내장되어 있는 웨이퍼를 이용하여 반도체 제조 설비를 구성하는 각 장치의 상태를 진단하는 반도체 제조 설비 진단 시스템 및 그 방법을 제공하는 것이다.The problem to be solved in the present invention is to provide a semiconductor manufacturing facility diagnostic system and method for diagnosing the state of each device constituting a semiconductor manufacturing facility using a wafer in which a gyro sensor is embedded.

또한 본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 반도체 제조 설비를 구성하는 각 장치의 상태를 진단하기 위해 자이로 센서가 내장되어 있는 테스트용 웨이퍼를 제공하는 것이다.In addition, a problem to be solved in the present invention is to provide a test wafer with a gyro sensor embedded therein to diagnose the state of each device constituting a semiconductor manufacturing facility.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 설비 진단 시스템의 일 면(aspect)은, 반도체 제조 설비에 구비되는 테스트 대상 장치; 센서 조립체가 내장되는 웨이퍼(wafer)이며, 상기 테스트 대상 장치의 상부 또는 내부에 위치할 때 상기 센서 조립체를 이용하여 상기 테스트 대상 장치의 기울기와 관련된 정보를 획득하여 송출하는 테스트용 웨이퍼; 및 상기 기울기와 관련된 정보를 기초로 상기 테스트 대상 장치가 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하는 진단 결과 생성 장치를 포함한다.One aspect (aspect) of the semiconductor manufacturing equipment diagnostic system of the present invention for achieving the above object is a device to be tested provided in the semiconductor manufacturing equipment; A wafer in which a sensor assembly is embedded, and a test wafer for acquiring and transmitting information related to the tilt of the device under test using the sensor assembly when located on top or inside the device under test; And a diagnosis result generating device that determines whether the device under test is positioned horizontally based on information related to the inclination.

상기 테스트용 웨이퍼는, 제1 웨이퍼; 상기 제1 웨이퍼의 일면에 형성된 홈에 삽입되는 상기 센서 조립체; 및 상기 제1 웨이퍼의 상기 일면에 결합되는 제2 웨이퍼를 포함할 수 있다.The test wafer includes: a first wafer; The sensor assembly inserted into a groove formed on one surface of the first wafer; And a second wafer coupled to the one surface of the first wafer.

상기 센서 조립체는, 상기 기울기와 관련된 정보를 획득하는 센싱부; 상기 기울기와 관련된 정보를 무선 신호로 송출하는 통신부; 상기 센싱부와 상기 통신부에 전원을 공급하는 전원부; 및 상기 센싱부, 상기 통신부 및 상기 전원부의 작동을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.The sensor assembly includes: a sensing unit that acquires information related to the inclination; A communication unit transmitting information related to the gradient as a wireless signal; A power supply unit supplying power to the sensing unit and the communication unit; And it may include a control unit for controlling the operation of the sensing unit, the communication unit and the power unit.

상기 센서 조립체는 상기 테스트용 웨이퍼의 중앙에 적어도 하나 내장되며, 상기 테스트용 웨이퍼의 테두리를 따라 복수개 내장될 수 있다.At least one sensor assembly is embedded in the center of the test wafer, and a plurality of sensor assemblies may be embedded along the rim of the test wafer.

상기 테스트 대상 장치는 웨이퍼를 반송하는 반송 로봇, 웨이퍼를 보관하는 웨이퍼 컨테이너(wafer container), 및 웨이퍼를 고정하는 척(chuck) 상에 구비되어 웨이퍼를 승강 또는 하강시키는 복수개의 리프트 핀(lift pin) 중 어느 하나일 수 있다.The device under test is provided on a transport robot for transporting a wafer, a wafer container for storing a wafer, and a plurality of lift pins provided on a chuck for fixing the wafer to raise or lower the wafer. It can be either.

상기 진단 결과 생성 장치는 상기 테스트 대상 장치가 상기 반송 로봇인 경우, 상기 반송 로봇의 암(arm)이 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하고, 상기 테스트 대상 장치가 상기 웨이퍼 컨테이너인 경우, 상기 웨이퍼 컨테이너 내에 구비되는 슬롯(slot)이 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하며, 상기 테스트 대상 장치가 상기 복수개의 리프트 핀인 경우, 상기 복수개의 리프트 핀이 상기 척 상에 고르게 돌출되어 있는지 여부를 판단할 수 있다.When the device to be tested is the transport robot, the apparatus for generating a diagnosis result determines whether the arm of the transport robot is positioned horizontally, and when the device to be tested is the wafer container, the wafer container It is determined whether a slot provided therein is horizontally located, and when the device under test is the plurality of lift pins, it is possible to determine whether the plurality of lift pins are evenly projected on the chuck. .

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 테스트용 웨이퍼의 일 면(aspect)은, 제1 웨이퍼; 상기 제1 웨이퍼의 일면에 형성된 홈에 삽입되며, 테스트 대상 장치의 기울기와 관련된 정보를 획득하여 외부로 송출하는 센서 조립체; 및 상기 제1 웨이퍼의 상기 일면에 결합되는 제2 웨이퍼를 포함한다.An aspect of the test wafer of the present invention for achieving the above object is a first wafer; A sensor assembly that is inserted into a groove formed on one surface of the first wafer, and acquires information related to the inclination of the device under test and sends it to the outside; And a second wafer coupled to the one surface of the first wafer.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 설비 진단 방법의 일 면(aspect)은, 센서 조립체가 내장되는 테스트용 웨이퍼가 반도체 제조 설비에 구비되는 테스트 대상 장치의 상부 또는 내부에 위치하면, 상기 센서 조립체를 이용하여 상기 테스트 대상 장치의 기울기와 관련된 정보를 획득하는 단계; 상기 기울기와 관련된 정보를 전송하는 단계; 상기 기울기와 관련된 정보가 수신되면, 상기 기울기와 관련된 정보를 기초로 상기 테스트 대상 장치가 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하는 단계를 포함한다.An aspect of the method for diagnosing a semiconductor manufacturing facility of the present invention for achieving the above object is, when a test wafer in which a sensor assembly is embedded is located above or inside a device under test provided in the semiconductor manufacturing facility, the sensor Obtaining information related to the tilt of the device under test using an assembly; Transmitting information related to the gradient; And when the information related to the tilt is received, determining whether the device under test is positioned horizontally based on the information related to the tilt.

상기 테스트 대상 장치는 웨이퍼를 반송하는 반송 로봇, 웨이퍼를 보관하는 웨이퍼 컨테이너(wafer container), 및 웨이퍼를 고정하는 척(chuck) 상에 구비되어 웨이퍼를 승강 또는 하강시키는 복수개의 리프트 핀(lift pin) 중 어느 하나일 수 있다.The device under test is provided on a transport robot for transporting a wafer, a wafer container for storing a wafer, and a plurality of lift pins provided on a chuck for fixing the wafer to elevate or lower the wafer. It can be either.

상기 판단하는 단계는 상기 테스트 대상 장치가 상기 반송 로봇인 경우, 상기 반송 로봇의 암(arm)이 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하고, 상기 테스트 대상 장치가 상기 웨이퍼 컨테이너인 경우, 상기 웨이퍼 컨테이너 내에 구비되는 슬롯(slot)이 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하며, 상기 테스트 대상 장치가 상기 복수개의 리프트 핀인 경우, 상기 복수개의 리프트 핀이 상기 척 상에 고르게 돌출되어 있는지 여부를 판단할 수 있다.In the determining, if the device under test is the transport robot, it is determined whether an arm of the transport robot is positioned horizontally, and when the device under test is the wafer container, within the wafer container It is determined whether the provided slot is located horizontally, and when the device under test is the plurality of lift pins, it may be determined whether the plurality of lift pins are evenly projected on the chuck.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 테스트용 웨이퍼의 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 테스트용 웨이퍼에 구비되는 센서 조립체의 내부 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 테스트용 웨이퍼의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 설비 진단 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 설비 진단 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 제조 설비 진단 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 7은 테스트 대상 장치를 구비하는 반도체 제조 설비의 측면도이다.
도 8은 테스트 대상 장치를 구비하는 반도체 제조 설비의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조 설비 진단 방법을 개략적으로 도시한 흐름도이다.1 is a side cross-sectional view of a test wafer according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram schematically showing the internal configuration of a sensor assembly provided on a test wafer according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of a wafer for testing according to an embodiment of the present invention.
4 is a conceptual diagram schematically showing the internal configuration of a semiconductor manufacturing facility diagnostic system according to a first embodiment of the present invention.
5 is a conceptual diagram schematically showing the internal configuration of a semiconductor manufacturing facility diagnostic system according to a second embodiment of the present invention.
6 is a conceptual diagram schematically showing the internal configuration of a semiconductor manufacturing facility diagnostic system according to a third embodiment of the present invention.
7 is a side view of a semiconductor manufacturing facility having a device to be tested.
8 is a plan view of a semiconductor manufacturing facility having a device to be tested.
9 is a flowchart schematically illustrating a method for diagnosing a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be clarified with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only the embodiments allow the publication of the present invention to be complete, and general knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.Elements or layers referred to as "on" or "on" of another device or layer are not only directly above the other device or layer, but also when intervening another layer or other device in the middle. All inclusive. On the other hand, when a device is referred to as “directly on” or “directly above”, it indicates that no other device or layer is interposed therebetween.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The spatially relative terms “below”, “beneath”, “lower”, “above”, “upper”, etc., are as shown in the figure. It can be used to easily describe the correlation of a device or components with other devices or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the drawings. For example, if the device shown in the figure is turned over, a device described as "below" or "beneath" the other device may be placed "above" the other device. Thus, the exemplary term “below” can include both the directions below and above. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to the orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, it goes without saying that these elements, components and / or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Accordingly, it goes without saying that the first element, the first component or the first section mentioned below may be the second element, the second component or the second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless otherwise specified in the phrase. As used herein, "comprises" and / or "comprising" refers to the components, steps, operations and / or elements mentioned above, the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or do not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used as meanings commonly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. In addition, terms defined in the commonly used dictionary are not ideally or excessively interpreted unless specifically defined.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are assigned the same reference numbers regardless of reference numerals and overlapped with them. The description will be omitted.

본 발명에서는 자이로 센서가 내장되어 있는 테스트용 웨이퍼에 대하여 제안한다. 또한 본 발명에서는 테스트용 웨이퍼를 이용하여 반도체 제조 설비를 구성하는 각 장치의 상태를 진단하는 반도체 제조 설비 진단 시스템 및 그 방법에 대하여 제안한다. 이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 자세하게 설명하기로 한다.The present invention proposes a test wafer in which a gyro sensor is embedded. In addition, the present invention proposes a semiconductor manufacturing facility diagnostic system and method for diagnosing the state of each device constituting a semiconductor manufacturing facility using a test wafer. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

먼저 자이로 센서가 내장되어 있는 테스트용 웨이퍼에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 테스트용 웨이퍼의 측단면도이다.First, a test wafer with a built-in gyro sensor will be described. 1 is a side cross-sectional view of a test wafer according to an embodiment of the present invention.

도 1에 따르면, 테스트용 웨이퍼(100)는 제1 웨이퍼(110), 제2 웨이퍼(120) 및 센서 조립체(130)를 포함하여 구성될 수 있다.According to FIG. 1, the test wafer 100 may include a first wafer 110, a second wafer 120, and a sensor assembly 130.

제1 웨이퍼(110)는 기판 형태의 것으로서, 일면에 홈이 형성될 수 있다. 제1 웨이퍼(110)의 홈에는 센서 조립체(130)가 삽입될 수 있다.The first wafer 110 is in the form of a substrate, and grooves may be formed on one surface. The sensor assembly 130 may be inserted into the groove of the first wafer 110.

제1 웨이퍼(110)는 일면에 복수개의 홈이 형성될 수 있다. 일례로 제1 웨이퍼(110)는 도 3에 도시된 바와 같이 다섯개의 홈이 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 웨이퍼(110)는 일면에 한 개의 홈이 형성되는 것도 가능하다. 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 테스트용 웨이퍼의 평면도이다.A plurality of grooves may be formed on one surface of the first wafer 110. For example, as shown in FIG. 3, the first wafer 110 may have five grooves. However, the present embodiment is not limited thereto. The first wafer 110 may be formed with one groove on one surface. 3 is a plan view of a wafer for testing according to an embodiment of the present invention.

제1 웨이퍼(110)는 실리콘(Si)을 소재로 하여 제조될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로 제1 웨이퍼(110)는 갈륨비소(GaAs)를 소재로 하여 제조되는 것도 가능하다.The first wafer 110 may be made of silicon (Si). However, the present embodiment is not limited thereto. For example, the first wafer 110 may be made of gallium arsenide (GaAs).

제2 웨이퍼(120)는 제1 웨이퍼(110)의 홈에 삽입된 센서 조립체(130)가 외부로 탈출되지 않도록 제1 웨이퍼(110)에 결합되는 것이다. 제2 웨이퍼(120)는 실리콘 등을 이용한 웨이퍼 본딩(wafer bonding)을 통해 제1 웨이퍼(110)에 결합될 수 있다.The second wafer 120 is coupled to the first wafer 110 so that the sensor assembly 130 inserted into the groove of the first wafer 110 does not escape to the outside. The second wafer 120 may be coupled to the first wafer 110 through wafer bonding using silicon or the like.

제2 웨이퍼(120)는 제1 웨이퍼(110)와 동일한 물질을 소재로 하여 제조될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로 제2 웨이퍼(120)는 제1 웨이퍼(110)와 서로 다른 물질을 소재로 하여 제조되는 것도 가능하다.The second wafer 120 may be made of the same material as the first wafer 110. However, the present embodiment is not limited thereto. For example, the second wafer 120 may be manufactured using a material different from that of the first wafer 110.

센서 조립체(130)는 테스트용 웨이퍼(100)의 수평 상태에 대한 정보를 획득하며, 이 정보를 외부로 송출하는 것이다. 센서 조립체(130)는 이를 위해 제1 웨이퍼(110)의 홈에 내장될 수 있다.The sensor assembly 130 acquires information on the horizontal state of the test wafer 100, and transmits the information to the outside. The sensor assembly 130 may be embedded in the groove of the first wafer 110 for this purpose.

센서 조립체(130)는 테스트용 웨이퍼(100)의 수평 상태에 대한 센싱 효율을 높이기 위해, 제1 웨이퍼(110)의 일면의 중앙과 외곽에 각각 홈을 형성하고, 그 홈에 삽입될 수 있다. 이때 제1 웨이퍼(110) 일면의 중앙과 외곽에는 각각 한 개 이상의 홈이 형성될 수 있다. 일례로 제1 웨이퍼(110) 일면의 중앙과 외곽에는 도 3에 도시된 바와 같이 각각 한 개의 홈과 네 개의 홈이 형성될 수 있다.The sensor assembly 130 may form grooves in the center and the outside of one surface of the first wafer 110, respectively, and insert the grooves in order to increase the sensing efficiency for the horizontal state of the test wafer 100. At this time, one or more grooves may be formed in the center and the outer side of one surface of the first wafer 110, respectively. For example, as shown in FIG. 3, one groove and four grooves may be formed at the center and the outer surface of one surface of the first wafer 110, respectively.

센서 조립체(130)는 테스트용 웨이퍼(100)의 수평 상태에 대한 정보를 획득하고 이 정보를 외부로 송출하기 위해, 도 2에 도시된 바와 같이 센싱부(131), 통신부(132), 전원부(133) 및 제어부(134)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 테스트용 웨이퍼에 구비되는 센서 조립체의 내부 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다. 이하 설명은 도 2를 참조한다.The sensor assembly 130 acquires information on the horizontal state of the wafer 100 for testing and transmits the information to the outside, as shown in FIG. 2, the sensing unit 131, the communication unit 132, and the power unit ( 133) and the control unit 134. 2 is a block diagram schematically showing the internal configuration of a sensor assembly provided on a test wafer according to an embodiment of the present invention. 2 will be described below.

센싱부(131)는 테스트용 웨이퍼(100)의 수평 상태에 대한 정보를 획득하는 것이다. 센싱부(131)는 이를 위해 수평 센서(예를 들어, 자이로 센서(gyro sensor))로 구현될 수 있다.The sensing unit 131 acquires information on the horizontal state of the test wafer 100. The sensing unit 131 may be implemented with a horizontal sensor (eg, a gyro sensor) for this purpose.

통신부(132)는 센싱부(131)에 의해 획득된 정보를 외부(예를 들어, 사용자 컴퓨터)로 송출하는 것이다. 통신부(132)는 이를 위해 무선 통신 모듈(예를 들어 와이파이(WiFi) 통신 모듈)로 구현될 수 있다.The communication unit 132 transmits information acquired by the sensing unit 131 to the outside (eg, a user computer). For this, the communication unit 132 may be implemented with a wireless communication module (for example, a Wi-Fi communication module).

전원부(133)는 센서 조립체(130)를 구성하는 각 구성요소에 전원을 공급하는 것이다. 전원부(133)는 이를 위해 배터리(battery)로 구현될 수 있다.The power supply unit 133 supplies power to each component constituting the sensor assembly 130. The power supply unit 133 may be implemented with a battery for this purpose.

제어부(134)는 센서 조립체(130)를 구성하는 각 구성요소의 전체 작동을 제어하는 것이다. 일례로 제어부(134)는 테스트용 웨이퍼(100)의 수평 상태에 대한 정보가 획득될 수 있도록 센싱부(131)의 작동을 제어할 수 있으며, 센싱부(131)에 의해 획득된 정보가 외부로 송출될 수 있도록 통신부(132)의 작동을 제어할 수 있다. 또한 제어부(134)는 센싱부(131)와 통신부(132)가 작동하는 데에 필요한 전원이 공급될 수 있도록 전원부(133)의 작동을 제어할 수 있다. 제어부(134)는 이를 위해 프로세서(processor)로 구현될 수 있다.The control unit 134 controls the overall operation of each component constituting the sensor assembly 130. For example, the control unit 134 may control the operation of the sensing unit 131 so that information on the horizontal state of the test wafer 100 can be obtained, and the information obtained by the sensing unit 131 is externally The operation of the communication unit 132 can be controlled to be transmitted. In addition, the control unit 134 may control the operation of the power unit 133 so that power required for the sensing unit 131 and the communication unit 132 to operate can be supplied. For this, the controller 134 may be implemented as a processor.

한편 본 실시예에서는 제1 웨이퍼(110)의 홈에 센서 조립체(130)를 삽입한 후, 실리콘 본드 등을 이용하여 제1 웨이퍼(110)의 홈을 밀봉시키는 것도 가능하다. 이 경우 제2 웨이퍼(120)는 제1 웨이퍼(110)에 접착되지 않을 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, after inserting the sensor assembly 130 into the groove of the first wafer 110, it is also possible to seal the groove of the first wafer 110 using a silicon bond or the like. In this case, the second wafer 120 may not adhere to the first wafer 110.

다음으로 테스트용 웨이퍼를 이용하여 반도체 제조 설비를 구성하는 각 장치의 상태를 진단하는 시스템에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 설비 진단 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 개념도이고, 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 설비 진단 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 개념도이다. 그리고 도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 제조 설비 진단 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 개념도이다.Next, a system for diagnosing the state of each device constituting a semiconductor manufacturing facility using a test wafer will be described. 4 is a conceptual diagram schematically showing the internal configuration of a semiconductor manufacturing facility diagnostic system according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a schematic view showing the internal configuration of a semiconductor manufacturing facility diagnostic system according to a second embodiment of the present invention. It is a conceptual diagram shown. And Figure 6 is a conceptual diagram schematically showing the internal configuration of a semiconductor manufacturing equipment diagnostic system according to a third embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 6에 따르면, 반도체 제조 설비 진단 시스템(200)은 테스트용 웨이퍼(100), 진단 결과 생성 장치(210) 및 테스트 대상 장치(220, 230, 240)를 포함하여 구성될 수 있다.According to FIGS. 4 to 6, the semiconductor manufacturing facility diagnostic system 200 may include a wafer 100 for testing, a device 210 for generating a diagnostic result, and devices 220, 230 and 240 to be tested.

테스트용 웨이퍼(100)에 대해서는 도 1 내지 도 3을 참조하여 전술하였는 바, 여기서는 그 자세한 설명을 생략한다.The test wafer 100 has been described above with reference to FIGS. 1 to 3, and a detailed description thereof is omitted herein.

테스트 대상 장치(220, 230, 240)는 반도체 제조 설비 내에 구비되는 것으로서, 테스트용 웨이퍼(100)를 이용하여 수평 상태를 모니터링하기 위한 것이다.The devices to be tested 220, 230, and 240 are provided in a semiconductor manufacturing facility and are for monitoring a horizontal state using a wafer 100 for testing.

이러한 테스트 대상 장치(220, 230, 240)에는 웨이퍼를 반송하는 기기인 반송 로봇(220), 웨이퍼가 일시적으로 보관되는 기기인 웨이퍼 컨테이너(wafer container; 230), 공정 챔버(process chamber)의 척(chuck; 240)에 구비되어 웨이퍼를 승강 또는 하강시키는 리프트 핀(lift pin; 243) 등이 있을 수 있다.The devices under test (220, 230, 240) include a transport robot 220, which is a device for transporting wafers, a wafer container (230), a device for temporarily storing wafers, and a chuck of a process chamber ( There may be a lift pin (243) provided on the chuck (240) for lifting or lowering the wafer.

진단 결과 생성 장치(210)는 테스트 대상 장치(220, 230, 240)에 위치하는 테스트용 웨이퍼(100)를 이용하여 테스트 대상 장치(220, 230, 240)의 수평 상태를 진단하는 것이다. 이러한 진단 결과 생성 장치(210)는 컴퓨터, 서버 등과 같이 연산이 가능한 장치로 구현될 수 있다.The diagnosis result generating device 210 diagnoses the horizontal state of the devices under test 220, 230, and 240 using the test wafer 100 located in the devices under test 220, 230, and 240. The diagnosis result generating device 210 may be implemented as a computer, a server, or a computer capable of calculation.

테스트용 웨이퍼(100)가 반송 로봇(220)의 암(arm; 221) 상에 위치하는 경우, 진단 결과 생성 장치(210)는 테스트용 웨이퍼(100)를 이용하여 반송 로봇(220)의 암(221)이 수평 상태를 유지하고 있는지 여부를 판단할 수 있다. 이하 도 4를 참조하여 이에 대해 설명한다.When the test wafer 100 is located on the arm 221 of the transfer robot 220, the diagnostic result generating device 210 uses the test wafer 100 to arm the transfer robot 220. It may be determined whether 221) is maintained in a horizontal state. This will be described below with reference to FIG. 4.

반송 로봇(220)은 서로 다른 웨이퍼 컨테이너들 사이에 위치하여, 어느 하나의 웨이퍼 컨테이너에 보관되어 있는 웨이퍼를 다른 하나의 웨이퍼 컨테이너로 이송시키는 것일 수 있다.The transfer robot 220 may be located between different wafer containers to transfer wafers stored in one wafer container to another wafer container.

또한 반송 로봇(220)은 증착 공정(depositing process), 사진 공정(lithography process), 식각 공정(etching process) 등 웨이퍼 상에 소정의 패턴을 형성하는 공정 장비와 웨이퍼 컨테이너 사이에 위치하여, 웨이퍼 컨테이너에 보관되어 있는 웨이퍼를 공정 장비로 이송시키거나, 공정 작업이 완료된 웨이퍼를 공정 장비로부터 웨이퍼 컨테이너로 이송시키는 것일 수 있다.In addition, the transport robot 220 is located between the wafer container and the process equipment forming a predetermined pattern on the wafer, such as a deposition process, a lithography process, an etching process, and the like. It may be to transfer the stored wafer to the process equipment, or to transfer the wafer whose process operation is completed from the process equipment to the wafer container.

도 7은 테스트 대상 장치를 구비하는 반도체 제조 설비의 측면도이고, 도 8은 테스트 대상 장치를 구비하는 반도체 제조 설비의 평면도이다. 이하 설명은 도 7 및 도 8을 참조한다.7 is a side view of a semiconductor manufacturing facility having a device to be tested, and FIG. 8 is a plan view of the semiconductor manufacturing facility having a device to be tested. 7 and 8 will be described below.

전자의 경우, 제1 반송 로봇(330)은 FOUP(Front Opening Unified Pod; 320), 사이드 버퍼(side buffer; 370), 로드락 챔버(L/L(Load Lock) chamber; 340)의 웨이퍼 지지대 등의 사이에 위치하여, 웨이퍼를 FOUP(320)으로부터 로드락 챔버(340)의 웨이퍼 지지대(또는 사이드 버퍼(370))로 이송시키거나, 로드락 챔버(340)의 웨이퍼 지지대(또는 사이드 버퍼(370))로부터 FOUP(320)으로 이송시키는 것일 수 있다. 또한 제1 반송 로봇(330)은 웨이퍼를 사이드 버퍼(370)로부터 로드락 챔버(340)의 웨이퍼 지지대로 이송시키거나, 로드락 챔버(340)의 웨이퍼 지지대로부터 사이드 버퍼(370)로 이송시키는 것일 수 있다.In the former case, the first transport robot 330 includes a front opening unified pod (FOUP) 320, a side buffer (370), a wafer support of a load lock chamber (L / L) 340, etc. Located in between, the wafer is transferred from the FOUP 320 to the wafer support (or side buffer 370) of the load lock chamber 340, or the wafer support (or side buffer 370) of the load lock chamber 340 )) To FOUP (320). In addition, the first transfer robot 330 is to transfer the wafer from the side buffer 370 to the wafer support of the load lock chamber 340, or to transfer the wafer from the wafer support of the load lock chamber 340 to the side buffer 370. You can.

후자의 경우, 제2 반송 로봇(350)은 로드락 챔버(340)의 웨이퍼 지지대와 공정 챔버 내 정전 척(ESC; Electro-Static Chuck; 360) 사이에 위치하여, 공정 작업이 필요한 웨이퍼를 로드락 챔버(340)의 웨이퍼 지지대로부터 정전 척(360)으로 이송시키거나, 공정 작업이 완료된 웨이퍼를 정전 척(360)으로부터 로드락 챔버(340)의 웨이퍼 지지대로 이송시키는 것일 수 있다.In the latter case, the second transfer robot 350 is located between the wafer support of the load lock chamber 340 and an electrostatic chuck (ESC) 360 in the process chamber, and load locks the wafer that requires processing. The wafer may be transferred from the wafer support of the chamber 340 to the electrostatic chuck 360, or may be transferred from the electrostatic chuck 360 to a wafer support of the load lock chamber 340 from the electrostatic chuck 360.

한편 로드 포트(L/P; Load Port; 310)는 OHT(Overhead Hoist Transport)에 의해 운반된 FOUP(320)이 놓여지는 선반 형태의 것이다.On the other hand, the load port (L / P; Load Port) 310 is in the form of a shelf on which the FOUP 320 carried by the overhead hoist transport (OHT) is placed.

다시 도 4를 참조하여 설명한다.It will be described again with reference to FIG. 4.

반송 로봇(220)의 암(221) 상에 테스트용 웨이퍼(100)를 위치시키면, 테스트용 웨이퍼(100)에 내장되어 있는 센싱부(131)가 암(221)의 기울기 값과 관련된 정보를 측정한다. 이후 통신부(132)가 측정된 정보를 진단 결과 생성 장치(210)로 전송한다. 그러면 진단 결과 생성 장치(210)는 테스트용 웨이퍼(100)로부터 수신된 정보를 토대로 암(221)이 수평 상태를 유지하고 있는지 여부를 판단할 수 있다.When the test wafer 100 is placed on the arm 221 of the transfer robot 220, the sensing unit 131 embedded in the test wafer 100 measures information related to the tilt value of the arm 221. do. Thereafter, the communication unit 132 transmits the measured information to the diagnosis result generating device 210. Then, the apparatus 210 for generating a diagnostic result may determine whether the arm 221 is in a horizontal state based on the information received from the test wafer 100.

센싱부(131)로 자이로 센서를 이용하는 경우, 센싱부(131)는 암(221)의 기울기 값과 관련된 정보로 각속도 값을 측정할 수 있다. 각속도로부터 기울어진 각도를 구하는 방법은 이미 공지되어 있는 바, 여기서는 그 자세한 설명을 생략한다.When a gyro sensor is used as the sensing unit 131, the sensing unit 131 may measure the angular velocity value with information related to the slope value of the arm 221. A method for obtaining an inclined angle from an angular velocity is already known, and a detailed description thereof is omitted here.

한편 센싱부(131)로 자이로 센서를 이용하는 경우, 온도의 영향으로 자이로 센서에 의해 측정된 값에서 오차가 발생하여, 최종값이 드리프트(drift)되는 현상이 발생할 수 있다. 본 실시예에서는 이 점을 고려하여 센싱부(131)로 자이로 센서와 함께 온도 센서를 구비하는 것도 가능하다.On the other hand, when the gyro sensor is used as the sensing unit 131, an error may occur in a value measured by the gyro sensor under the influence of temperature, resulting in a phenomenon in which the final value drifts. In this embodiment, in consideration of this point, it is also possible to provide a temperature sensor together with a gyro sensor as the sensing unit 131.

한편 진단 결과 생성 장치(210)는 센싱부(131)에 의해 측정된 정보를 기초로 암(221)의 좌우 방향 회전 속도, 상하 방향 진동 등도 산출할 수 있다.Meanwhile, the apparatus 210 for generating a diagnosis result may also calculate the rotational speed of the arm 221 in the left and right directions, vibration in the vertical direction, and the like based on the information measured by the sensing unit 131.

테스트용 웨이퍼(100)가 웨이퍼 컨테이너(230) 내에 위치하는 경우, 진단 결과 생성 장치(210)는 테스트용 웨이퍼(100)를 이용하여 웨이퍼 컨테이너(230) 내의 슬롯(slot)이 수평 상태를 유지하고 있는지 여부를 판단할 수 있다. 이하 도 5를 참조하여 이에 대해 설명한다.When the test wafer 100 is located in the wafer container 230, the diagnostic result generating device 210 uses the test wafer 100 to maintain a horizontal slot in the wafer container 230. Can determine whether there is. This will be described below with reference to FIG. 5.

웨이퍼 컨테이너(230)는 복수개의 슬롯을 이용하여 내부 공간을 분할하고, 슬롯에 의해 분할된 각 공간에 웨이퍼를 내장할 수 있는 것이다. 이러한 웨이퍼 컨테이너(230)에는 도 7 및 도 8에 도시되어 있는 FOUP(320), 사이드 버퍼(370), 로드락 챔버(340)의 웨이퍼 지지대 등이 있을 수 있다.The wafer container 230 divides the internal space using a plurality of slots, and can store the wafer in each space divided by the slot. The wafer container 230 may include a FOUP 320 shown in FIGS. 7 and 8, a side buffer 370, and a wafer support of the load lock chamber 340.

웨이퍼 컨테이너(230) 내의 슬롯 상에 테스트용 웨이퍼(100)를 위치시키면, 테스트용 웨이퍼(100)에 내장되어 있는 센싱부(131)가 슬롯의 기울기 값과 관련된 정보를 측정한다. 이후 통신부(132)가 측정된 정보를 진단 결과 생성 장치(210)로 전송한다. 그러면 진단 결과 생성 장치(210)는 테스트용 웨이퍼(100)로부터 수신된 정보를 토대로 웨이퍼 컨테이너(230) 내의 슬롯이 수평 상태를 유지하고 있는지 여부를 판단할 수 있다.When the test wafer 100 is placed on a slot in the wafer container 230, the sensing unit 131 embedded in the test wafer 100 measures information related to the slope value of the slot. Thereafter, the communication unit 132 transmits the measured information to the diagnosis result generating device 210. Then, the diagnosis result generating device 210 may determine whether the slot in the wafer container 230 maintains a horizontal state based on the information received from the test wafer 100.

테스트용 웨이퍼(100)가 척(240)의 리프트 핀(243) 상에 위치하는 경우, 진단 결과 생성 장치(210)는 테스트용 웨이퍼(100)를 이용하여 척(240) 상에 돌출되어 있는 복수개의 리프트 핀(243)이 수평 상태를 유지하고 있는지 여부를 판단할 수 있다. 이하 도 6을 참조하여 이에 대해 설명한다.When the test wafer 100 is located on the lift pin 243 of the chuck 240, the diagnostic result generating device 210 uses the test wafer 100 to protrude on the chuck 240 It is possible to determine whether the lift pins 243 are kept horizontal. Hereinafter, this will be described with reference to FIG. 6.

척(240)은 공정 챔버에 구비되어 웨이퍼를 고정하는 것이다. 이러한 척(240)에는 일례로 정전 척(ESC)이 있다.The chuck 240 is provided in the process chamber to fix the wafer. An example of the chuck 240 is an electrostatic chuck (ESC).

리프트 핀(243)은 척(240)의 몸체부(241) 상에 구비되며, 리프트 핀 구동 모터(242)의 작동에 따라 몸체부(241) 상에서 승강 또는 하강을 할 수 있다. 리프트 핀 구동 모터(242)의 작동은 제어기(244)에 의해 제어될 수 있다.The lift pin 243 is provided on the body portion 241 of the chuck 240, and may be moved up or down on the body portion 241 according to the operation of the lift pin drive motor 242. The operation of the lift pin drive motor 242 can be controlled by the controller 244.

테스트용 웨이퍼(100)가 리프트 핀(243) 상에 위치하게 되면, 제어기(244)는 복수개의 리프트 핀 구동 모터(242)를 제어하여 각각의 리프트 핀(243)을 모두 승강시키거나 또는 하강시킨다. 이후 테스트용 웨이퍼(100)에 내장되어 있는 센싱부(131)가 복수개의 리프트 핀(243) 상에 놓여 있는 테스트용 웨이퍼(100)의 기울기 값과 관련된 정보를 측정한다. 이후 통신부(132)가 측정된 정보를 진단 결과 생성 장치(210)로 전송한다. 그러면 진단 결과 생성 장치(210)는 테스트용 웨이퍼(100)로부터 수신된 정보를 토대로 복수개의 리프트 핀(243)이 수평 상태를 유지하고 있는지 여부를 판단할 수 있다.When the test wafer 100 is positioned on the lift pin 243, the controller 244 controls a plurality of lift pin drive motors 242 to raise or lower each lift pin 243. . Thereafter, the sensing unit 131 embedded in the test wafer 100 measures information related to a slope value of the test wafer 100 placed on the plurality of lift pins 243. Thereafter, the communication unit 132 transmits the measured information to the diagnosis result generating device 210. Then, the diagnosis result generating apparatus 210 may determine whether the plurality of lift pins 243 maintain a horizontal state based on the information received from the test wafer 100.

이상 도 4 내지 도 8을 참조하여 반도체 제조 설비 진단 시스템(200)에 대하여 설명하였다. 이하에서는 반도체 제조 설비 진단 시스템(200)이 반도체 제조 설비를 구성하는 각 장치의 수평 상태를 진단하는 방법에 대하여 설명한다.The semiconductor manufacturing facility diagnostic system 200 has been described above with reference to FIGS. 4 to 8. Hereinafter, a method of diagnosing the horizontal state of each device constituting the semiconductor manufacturing facility by the semiconductor manufacturing facility diagnostic system 200 will be described.

도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조 설비 진단 방법을 개략적으로 도시한 흐름도이다. 이하 설명은 도 1 내지 도 9를 참조한다.9 is a flowchart schematically illustrating a method for diagnosing a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIGS. 1 to 9.

먼저, 테스트용 웨이퍼(100)를 테스트 대상 장치 상에 위치시키거나, 테스트 대상 장치 내에 위치시킨다(S410).First, the test wafer 100 is placed on a device to be tested or placed in a device to be tested (S410).

테스트 대상 장치가 반송 로봇(220)인 경우, 테스트용 웨이퍼(100)는 반 송 로봇(220)의 암(221) 상에 위치할 수 있다. 테스트 대상 장치가 웨이퍼 컨테이너(230)인 경우, 테스트용 웨이퍼(100)는 FOUP(320), 사이드 버퍼(370) 등의 내부에 형성되어 있는 슬롯 상에 위치할 수 있으며, 로드락 챔버(340)의 웨이퍼 지지대 상에 위치할 수 있다.When the device under test is the transfer robot 220, the test wafer 100 may be located on the arm 221 of the transfer robot 220. When the device to be tested is a wafer container 230, the test wafer 100 may be located on a slot formed inside the FOUP 320, the side buffer 370, and the like, and the load lock chamber 340 It can be located on the wafer support.

이후, 센서 조립체(130)의 센싱부(131)가 테스트 대상 장치의 기울기 값과 관련된 정보를 측정한다(S420).Thereafter, the sensing unit 131 of the sensor assembly 130 measures information related to a slope value of the device under test (S420).

테스트 대상 장치가 반송 로봇(220)인 경우, 센싱부(131)는 센싱 정보로 암(221)의 기울기 값과 관련된 정보를 획득할 수 있다. 테스트 대상 장치가 웨이퍼 컨테이너(230)인 경우, 센싱부(131)는 FOUP(320), 사이드 버퍼(370) 등의 내부에 형성되어 있는 슬롯의 기울기 값과 관련된 정보를 획득할 수 있으며, 로드락 챔버(340)에 구비되는 웨이퍼 지지대의 기울기 값과 관련된 정보를 획득할 수 있다. 테스트 대상 장치가 리프트 핀(243)인 경우, 센싱부(131)는 복수개의 리프트 핀(243) 상에 놓여 있는 테스트용 웨이퍼(100)를 통해 복수개의 리프트 핀(243) 상에 놓여 있는 테스트용 웨이퍼(100)의 기울기 값과 관련된 정보를 획득할 수 있다.When the device under test is the transfer robot 220, the sensing unit 131 may acquire information related to the slope value of the arm 221 as sensing information. When the device under test is the wafer container 230, the sensing unit 131 may acquire information related to a slope value of a slot formed inside the FOUP 320, the side buffer 370, and the like, and load lock. Information related to a tilt value of the wafer support provided in the chamber 340 may be acquired. When the device under test is the lift pin 243, the sensing unit 131 is for testing on the plurality of lift pins 243 through the test wafer 100 placed on the plurality of lift pins 243 Information related to the slope value of the wafer 100 may be obtained.

이후, 센서 조립체(130)의 통신부(132)가 센싱부(131)에 의해 획득된 정보를 진단 결과 생성 장치(210)로 전송한다(S430).Thereafter, the communication unit 132 of the sensor assembly 130 transmits the information obtained by the sensing unit 131 to the diagnostic result generating device 210 (S430).

이후, 진단 결과 생성 장치(210)가 테스트용 웨이퍼(100)로부터 수신된 정보를 기초로 테스트 대상 장치가 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단한다(S440).Thereafter, the apparatus 210 for generating a diagnostic result determines whether the apparatus to be tested is located in a horizontal state based on the information received from the wafer 100 for testing (S440).

테스트 대상 장치가 수평 상태로 위치하지 않는 것으로 판단되면, 진단 결과 생성 장치(210)는 이 사실을 관리자의 휴대 단말로 통지하여, 관리자로 하여금 적절한 조치를 취할 수 있도록 할 수 있다.If it is determined that the device under test is not located in a horizontal state, the diagnosis result generating device 210 may notify the fact to the mobile terminal of the administrator, so that the administrator can take appropriate action.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can implement the present invention in other specific forms without changing its technical spirit or essential features. You will understand that there is. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

100: 테스트용 웨이퍼 110: 제1 웨이퍼
120: 제2 웨이퍼 130: 센서 조립체
131: 센싱부 132: 통신부
133: 전원부 134: 제어부
200: 반도체 제조 설비 진단 시스템 210: 진단 결과 생성 장치
220: 반송 로봇 221: 암
230: 웨이퍼 컨테이너 240: 척
241: 몸체부 242: 리프트 핀 구동 모터
243: 리프트 핀 244: 제어기
310: 로드 포트 320: FOUP
340: 로드락 챔버 360: 정전 척
370: 사이드 버퍼100: test wafer 110: first wafer
120: second wafer 130: sensor assembly
131: sensing unit 132: communication unit
133: power supply unit 134: control unit
200: semiconductor manufacturing facility diagnostic system 210: diagnostic result generating device
220: transfer robot 221: arm
230: wafer container 240: chuck
241: body 242: lift pin drive motor
243: lift pin 244: controller
310: load port 320: FOUP
340: load lock chamber 360: electrostatic chuck
370: side buffer

Claims (14)

반도체 제조 설비에 구비되는 테스트 대상 장치;
센서 조립체가 내장되는 웨이퍼(wafer)이며, 상기 테스트 대상 장치의 상부 또는 내부에 위치할 때 상기 센서 조립체를 이용하여 상기 테스트 대상 장치의 기울기와 관련된 정보를 획득하여 송출하는 테스트용 웨이퍼; 및
상기 기울기와 관련된 정보를 기초로 상기 테스트 대상 장치가 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하는 진단 결과 생성 장치를 포함하는 반도체 제조 설비 진단 시스템.A device to be tested provided in a semiconductor manufacturing facility;
A wafer in which a sensor assembly is embedded, and a test wafer for acquiring and transmitting information related to the tilt of the device under test using the sensor assembly when located on top or inside the device under test; And
And a diagnosis result generation device for determining whether the device under test is horizontally located based on the information related to the slope. 제 1 항에 있어서,
상기 테스트용 웨이퍼는,
제1 웨이퍼;
상기 제1 웨이퍼의 일면에 형성된 홈에 삽입되는 상기 센서 조립체; 및
상기 제1 웨이퍼의 상기 일면에 결합되는 제2 웨이퍼를 포함하는 반도체 제조 설비 진단 시스템.According to claim 1,
The test wafer,
A first wafer;
The sensor assembly inserted into a groove formed on one surface of the first wafer; And
A semiconductor manufacturing facility diagnostic system including a second wafer coupled to the one surface of the first wafer. 제 1 항에 있어서,
상기 센서 조립체는,
상기 기울기와 관련된 정보를 획득하는 센싱부;
상기 기울기와 관련된 정보를 무선 신호로 송출하는 통신부;
상기 센싱부와 상기 통신부에 전원을 공급하는 전원부; 및
상기 센싱부, 상기 통신부 및 상기 전원부의 작동을 제어하는 제어부를 포함하는 반도체 제조 설비 진단 시스템.According to claim 1,
The sensor assembly,
A sensing unit acquiring information related to the gradient;
A communication unit transmitting information related to the gradient as a wireless signal;
A power supply unit supplying power to the sensing unit and the communication unit; And
A semiconductor manufacturing facility diagnostic system including a control unit that controls operation of the sensing unit, the communication unit, and the power unit. 제 1 항에 있어서,
상기 센서 조립체는 상기 테스트용 웨이퍼의 중앙에 적어도 하나 내장되며, 상기 테스트용 웨이퍼의 테두리를 따라 복수개 내장되는 반도체 제조 설비 진단 시스템.According to claim 1,
The sensor assembly is embedded in at least one of the center of the test wafer, a semiconductor manufacturing facility diagnostic system that is embedded in a plurality along the rim of the test wafer. 제 1 항에 있어서,
상기 테스트 대상 장치는 웨이퍼를 반송하는 반송 로봇, 웨이퍼를 보관하는 웨이퍼 컨테이너(wafer container), 및 웨이퍼를 고정하는 척(chuck) 상에 구비되어 웨이퍼를 승강 또는 하강시키는 복수개의 리프트 핀(lift pin) 중 어느 하나인 반도체 제조 설비 진단 시스템.According to claim 1,
The device under test is provided on a transport robot for transporting a wafer, a wafer container for storing a wafer, and a plurality of lift pins provided on a chuck for fixing the wafer to elevate or lower the wafer. Any one of the semiconductor manufacturing equipment diagnostic system. 제 5 항에 있어서,
상기 진단 결과 생성 장치는 상기 테스트 대상 장치가 상기 반송 로봇인 경우, 상기 반송 로봇의 암(arm)이 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하는 반도체 제조 설비 진단 시스템.The method of claim 5,
The diagnostic result generating device is a semiconductor manufacturing facility diagnostic system for determining whether the arm of the transport robot is positioned in a horizontal state when the device to be tested is the transport robot. 제 5 항에 있어서,
상기 진단 결과 생성 장치는 상기 테스트 대상 장치가 상기 웨이퍼 컨테이너인 경우, 상기 웨이퍼 컨테이너 내에 구비되는 슬롯(slot)이 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하는 반도체 제조 설비 진단 시스템.The method of claim 5,
The diagnostic result generating apparatus is a semiconductor manufacturing facility diagnostic system that determines whether a slot provided in the wafer container is positioned in a horizontal state when the device to be tested is the wafer container. 제 5 항에 있어서,
상기 진단 결과 생성 장치는 상기 테스트 대상 장치가 상기 복수개의 리프트 핀인 경우, 상기 복수개의 리프트 핀이 상기 척 상에 고르게 돌출되어 있는지 여부를 판단하는 반도체 제조 설비 진단 시스템.The method of claim 5,
The diagnostic result generating device is a semiconductor manufacturing facility diagnostic system for determining whether the plurality of lift pins are evenly projected on the chuck when the device to be tested is the plurality of lift pins. 제1 웨이퍼;
상기 제1 웨이퍼의 일면에 형성된 홈에 삽입되며, 테스트 대상 장치의 기울기와 관련된 정보를 획득하여 외부로 송출하는 센서 조립체; 및
상기 제1 웨이퍼의 상기 일면에 결합되는 제2 웨이퍼를 포함하는 테스트용 웨이퍼.A first wafer;
A sensor assembly that is inserted into a groove formed on one surface of the first wafer, and acquires information related to the inclination of the device under test and transmits it to the outside; And
A test wafer including a second wafer coupled to the one surface of the first wafer. 센서 조립체가 내장되는 테스트용 웨이퍼가 반도체 제조 설비에 구비되는 테스트 대상 장치의 상부 또는 내부에 위치하면, 상기 센서 조립체를 이용하여 상기 테스트 대상 장치의 기울기와 관련된 정보를 획득하는 단계;
상기 기울기와 관련된 정보를 전송하는 단계;
상기 기울기와 관련된 정보가 수신되면, 상기 기울기와 관련된 정보를 기초로 상기 테스트 대상 장치가 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하는 단계를 포함하는 반도체 제조 설비 진단 방법.If the test wafer in which the sensor assembly is embedded is located above or inside the device under test provided in the semiconductor manufacturing facility, obtaining information related to the slope of the device under test using the sensor assembly;
Transmitting information related to the gradient;
And when the information related to the slope is received, determining whether the device under test is positioned horizontally based on the information related to the slope. 제 10 항에 있어서,
상기 테스트 대상 장치는 웨이퍼를 반송하는 반송 로봇, 웨이퍼를 보관하는 웨이퍼 컨테이너(wafer container), 및 웨이퍼를 고정하는 척(chuck) 상에 구비되어 웨이퍼를 승강 또는 하강시키는 복수개의 리프트 핀(lift pin) 중 어느 하나인 반도체 제조 설비 진단 방법.The method of claim 10,
The device under test is provided on a transport robot for transporting a wafer, a wafer container for storing a wafer, and a plurality of lift pins provided on a chuck for fixing the wafer to elevate or lower the wafer. Any one of the semiconductor manufacturing equipment diagnostic method. 제 11 항에 있어서,
상기 판단하는 단계는 상기 테스트 대상 장치가 상기 반송 로봇인 경우, 상기 반송 로봇의 암(arm)이 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하는 반도체 제조 설비 진단 방법.The method of claim 11,
In the determining step, when the device to be tested is the transfer robot, a method for diagnosing a semiconductor manufacturing facility that determines whether an arm of the transfer robot is positioned horizontally. 제 11 항에 있어서,
상기 판단하는 단계는 상기 테스트 대상 장치가 상기 웨이퍼 컨테이너인 경우, 상기 웨이퍼 컨테이너 내에 구비되는 슬롯(slot)이 수평 상태로 위치하는지 여부를 판단하는 반도체 제조 설비 진단 방법.The method of claim 11,
In the determining, if the device to be tested is the wafer container, a semiconductor manufacturing facility diagnostic method for determining whether a slot provided in the wafer container is positioned horizontally. 제 11 항에 있어서,
상기 판단하는 단계는 상기 테스트 대상 장치가 상기 복수개의 리프트 핀인 경우, 상기 복수개의 리프트 핀이 상기 척 상에 고르게 돌출되어 있는지 여부를 판단하는 반도체 제조 설비 진단 방법.The method of claim 11,
In the determining, if the device to be tested is the plurality of lift pins, the semiconductor manufacturing facility diagnostic method of determining whether the plurality of lift pins are evenly protruding on the chuck.
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