KR20200033767A - 플라스틱 및 탄소계 소재의 표면처리방법 및 이에 의하여 제조된 표면구조를 가지는 플라스틱 및 탄소계 소재 - Google Patents

플라스틱 및 탄소계 소재의 표면처리방법 및 이에 의하여 제조된 표면구조를 가지는 플라스틱 및 탄소계 소재 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라스틱 및 탄소계 소재의 표면처리방법 및 이에 의하여 제조된 표면구조를 가지는 소재에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기존의 플라스틱 소재의 표면처리 공정에서 이온 플레이팅 단계를 생략하여 공정을 빠르게 진행하면서도 물리적 증기 증착 과정을 통해 더욱 두터운 표면층을 형성하며, 또한 이와 같은 공정을 탄소계 소재에도 적용한, 플라스틱 및 탄소계 소재의 표면처리방법 및 이에 의하여 제조된 표면구조를 가지는 소재에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 플라스틱 소재의 표면처리시, 플라스틱 상부에 이온 플레이팅 공정 없이, 물리적 증기 증착(PVD) 공정만에 의한 금속 표면처리를 수행함으로써 공정의 복잡도를 줄이고 공정 시간 역시 현저히 단축하며, 또한 종래 물리적 증기 증착(PVD)에 의한 금속 밀착층보다 훨씬 두터운 표면처리를 수행하는 플라스틱 소재의 표면처리 방법 및 그에 의하여 표면처리된 플라스틱 소재를 제공한다. 또한 플라스틱 소재 뿐 아니라 그라파이트(graphite), 그래핀, 탄소나노튜브 등과 같은 탄소계 소재에 대하여도 이와 같이 물리적 증기 증착(PVD) 공정만에 의한 두터운 금속 표면처리를 수행하는 방법 및 그에 의하여 표면처리된 탄소계 소재를 제공한다.

Description

플라스틱 및 탄소계 소재의 표면처리방법 및 이에 의하여 제조된 표면구조를 가지는 플라스틱 및 탄소계 소재{Surface treatment method of plastic material and carbon material, and plastic material and carbon material having surface structure produced by the method}
본 발명은 플라스틱 및 탄소계 소재의 표면처리방법 및 이에 의하여 제조된 표면구조를 가지는 소재에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기존의 플라스틱 소재의 표면처리 공정에서 이온 플레이팅 단계를 생략하여 공정을 빠르게 진행하면서도 물리적 증기 증착 과정을 통해 더욱 두터운 표면층을 형성하며, 또한 이와 같은 공정을 탄소계 소재에도 적용한, 플라스틱 및 탄소계 소재의 표면처리방법 및 이에 의하여 제조된 표면구조를 가지는 소재에 관한 것이다.
도 1은 종래 표면처리가 가해진 플라스틱 소재의 구성을 도시한 도면이다.
도 1에 나타난 바와 같은, 대한민국 등록특허 10-1745949호에 개시된 종래 플라스틱 소재의 표면처리 공정에서는, 화학 에칭층이 형성된 플라스틱(101) 소재 위에 물리적 증기 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)을 통해 두께 28 내지 36 ㎛의 금속(Ti) 밀착층(102)을 형성한 후, 이온 플레이팅 방법으로 금속 밀착층 상부에 알루미늄 및 알루미늄 합금 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 두께 35 내지 45 ㎛의 표면층(103)을 형성하고, 이 위에 양극산화 피막층인 아노다이징 층(104)을 형성하였다.
그러나 이와 같은 표면처리를 수행하는 공정에서는, 물리적 증기 증착(PVD) 공정 후에 알루미늄 등을 다시 이온 플레이팅 방법으로 형성하여야 하여, 공정이 복잡해지고 처리 시간도 오래 걸리는 문제점이 있었다.
KR 10-1745949 B1
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 플라스틱 소재의 표면처리시, 플라스틱 상부에 이온 플레이팅 공정 없이, 물리적 증기 증착(PVD) 공정만에 의한 금속 표면처리를 수행함으로써 공정의 복잡도를 줄이고 공정 시간 역시 현저히 단축하며, 또한 종래 물리적 증기 증착(PVD)에 의한 금속 밀착층보다 훨씬 두터운 표면처리를 수행하는 플라스틱 소재의 표면처리 방법 및 그에 의하여 표면처리된 플라스틱 소재를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한 플라스틱 소재 뿐 아니라 그라파이트(graphite), 그래핀, 탄소나노튜브 등과 같은 탄소계 소재에 대하여도 이와 같이 물리적 증기 증착(PVD) 공정만에 의한 두터운 금속 표면처리를 수행하는 방법 및 그에 의하여 표면처리된 탄소계 소재를 제공하는데 다른 목적이 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 박막층이 형성된 플라스틱 소재는, 플라스틱 층; 및 상기 플라스틱 층 위에 형성된 박막층을 포함하고, 상기 플라스틱 층과 상기 박막층 간의 밀착력을 강화하기 위한 점착제 층을 상기 플라스틱 층과 상기 박막층 사이에 구비하지 않는다.
상기 박막층은, 물리적 증기 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)을 통해 형성된 금속 밀착층일 수 있다.
상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는, 순도 90% 이상의 알루미늄일 수 있다.
상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는, 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 성분을 포함하고, 금속 순도가 90% 이상일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 박막층이 형성된 탄소계 소재는, 탄소계 시트 층; 및 상기 탄소계 시트 층 위에 형성된 박막층을 포함하고, 상기 탄소계 시트 층과 상기 박막층 간의 밀착력을 강화하기 위한 점착제 층을 상기 탄소계 시트 층과 상기 박막층 사이에 구비하지 않는다.
상기 박막층은, 물리적 증기 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)을 통해 형성된 금속 밀착층일 수 있다.
상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는, 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 성분을 포함하고, 금속 순도가 90% 이상일 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기 플라스틱 소재 또는 상기 탄소계 소재를 형성하는 방법은, (a) 플라스틱 층 표면 또는 탄소계 시트 층 표면을 활성화함으로써 박막층의 밀착력을 증가시키기 위하여, 상기 플라스틱 층 표면 또는 상기 탄소계 시트 층 표면에 대하여 유도 결합 플라즈마(Inductive-Coupled Plasma, ICP)를 이용한 고밀도 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 및, (b) 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링(High Power Impulse Magnetron Sputtering, HiPIMS) 방법을 이용하여 상기 플라스틱 층 표면 또는 상기 탄소계 시트 층 표면에 박막층을 형성하는 단계를 포함한다.
플라스틱 층을 사용할 경우, 상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는, 순도 90% 이상의 알루미늄일 수 있다.
플라스틱 층을 사용할 경우, 상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는, 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 성분을 포함하고, 금속 순도가 90% 이상일 수 있다.
탄소계 시트 층을 사용할 경우, 상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는,구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 성분을 포함하고, 금속 순도가 90% 이상일 수 있다.
상기 HiPIMS 수행시, 인가 전압은, 10 ~ 35kV일 수 있다.
본 발명에 의하면, 플라스틱 소재의 표면처리시, 플라스틱 상부에 이온 플레이팅 공정 없이, 물리적 증기 증착(PVD) 공정만에 의한 금속 표면처리를 수행함으로써 공정의 복잡도를 줄이고 공정 시간 역시 현저히 단축하며, 또한 종래 물리적 증기 증착(PVD)에 의한 금속 밀착층보다 훨씬 두터운 표면처리를 수행하는 플라스틱 소재의 표면처리 방법 및 그에 의하여 표면처리된 플라스틱 소재를 제공하는 효과가 있다.
또한 플라스틱 소재 뿐 아니라 그라파이트(graphite), 그래핀, 탄소나노튜브 등과 같은 탄소계 소재에 대하여도 이와 같이 물리적 증기 증착(PVD) 공정만에 의한 두터운 금속 표면처리를 수행하는 방법 및 그에 의하여 표면처리된 탄소계 소재를 제공하는 효과가 있다.
도 1은 종래 표면처리가 가해진 플라스틱 소재의 구성을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 제1 실시예로서, 표면처리가 수행된 플라스틱 소재의 구성을 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 제2 실시예로서, 표면처리가 수행된 플라스틱 소재의 구성을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 제3 실시예로서, 표면처리가 수행된 탄소계 소재의 구성을 도시한 도면.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예로서, 표면처리가 수행된 플라스틱 소재의 구성을 도시한 도면이다.
플라스틱 층(201)은 수지 또는 동일 조성을 갖는 필름 혹은 쉬트(sheet)이며, 유리섬유, 탄소섬유, 그리고 탈크, 운모, 석영 등의 미네랄 필러 등의 보강재를 0 ~ 70% 포함할 수 있다. 이때 수지(레진)은 열변형 온도가 150 ~ 350도 사이여야 한다.
금속 밀착층(202)은 플라스틱 소재(201) 표면에 물리적 증기 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 방법을 통하여 형성될 수 있다. 이러한 PVD 증착 후 두께는 20 ~ 70μm가 된다. 이때 인가 전압은 10 ~ 35kV이며, PVD에 의해 형성되는 재료, 즉, 타겟(target)은 1 ~ 6개 사이로 형성될 수 있으며, 타겟 종류는 순도 90% 이상의 알루미늄이 바람직하다. 공정 시간은 30분 ~ 6시간이 걸린다. 알루미늄으로 이루어진 금속 밀착층(202) 위에는 부식 방지를 위한 코팅, 즉, 양극산화 피막층 형성을 위해 아노다이징(anodizing)을 수행할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예로서, 표면처리가 수행된 플라스틱 소재의 구성을 도시한 도면이다.
플라스틱 층(301)은 도 2를 참조하여 설명한 바와 동일하다. 플라스틱 층(301) 위에는 PVD 방법에 의하여 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등이 증착된다(302).
PVD 증착 후에는 두께가 1 ~ 50μm가 가능하나, 바람직하게는 50μm 부근으로 형성되는 것이 좋다. 이때 인가 전압은 10 ~ 35kV이며, 타겟(target)은 1 ~ 6개 사이로 형성될 수 있으며, 타겟 종류는 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등으로서, 금속 순도 90% 이상으로 형성되는 것이 바람직하다. 공정 시간은 30분 ~ 6시간이 걸린다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예로서, 표면처리가 수행된 탄소계 소재의 구성을 도시한 도면이다.
즉, 도 2 및 도 3과 달리, 플라스틱 소재가 아닌, 탄소계 소재가 시트로 사용된다. 이와 같은 탄소계 시트 층(401)에 대하여, 종래에는 탄소계 시트 층 위에 점착제 층을 두고 이 위에 금속박판을 형성, 즉, "탄소계 시트 층(그라파이트(graphite), 그래핀, 탄소나노튜브 등) - 점착제 - 금속박판" 과 같은 구조가 되도록 하였다. 즉, 밀착력 개선을 위해 일종의 버퍼 레이어(buffer layer)인 점착제를 사용한 것이다. 그러나, 이러한 점착제를 통해서도 밀착력의 현저한 개선을 가져오지는 못하였다.
따라서 본 발명에서는 점착제를 사용하지 않고, "탄소계 시트 층(401)(그라파이트(graphite), 그래핀, 탄소나노튜브 등) - PVD (금속 전반)(402)" 와 같은 구조가 되도록 한다. 이와 같이 본 발명은 점착제를 사용하지 않음으로 인해 공정수가 감소되고, 점착제에 의한 방열 효율 감소 문제점을 개선하게 된 장점이 있다. 즉, 종래에는 100kcal/hr 였으나, 본 발명에서 점착제를 사용하지 않음으로써 500kcal/hr가 되었다.
PVD 증착 후에는 두께가 1 ~ 50μm가 가능하나, 바람직하게는 50μm 부근으로 형성되는 것이 좋다. 이때 인가 전압은 10 ~ 35kV이며, 타겟(target)은 1 ~ 6개 사이로 형성될 수 있으며, 타겟 종류는 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등으로서, 금속 순도 90% 이상으로 형성되는 것이 바람직하다. 공정 시간은 30분 ~ 6시간이 걸린다.
도 2 내지 도 4에서, 외관재 적용시에는 PVD 전 연마제를 사용하는 것이 필요하다. 연마제 종류에는 세라믹, 유리, 금강사 등이 사용될 수 있고, bead size는 1 ~ 150μm일 수 있고, 표면거칠기(Ra)는 1 ~ 10일 수 있다.
위에서 도 4에 대하여만 기술하였으나, 도 2 및 도 3을 참조하면, 도 2 및 도 3의 경우에도 역시, 일종의 버퍼 레이어(buffer layer)인 점착제를 사용하지 않고, "플라스틱 층(201,301) - PVD (금속 전반)(202,302)" 와 같은 구조가 되도록 한다.
즉, 도 2 내지 도 4에서의 본 발명의 차별점은, 플라스틱 층(201,301) 또는 탄소계 시트(401) 위에, 점착제 층을 형성하지 않고, 바로 금속 밀착층(202,302,402)과 같은 박막을 밀착 형성하며, 이와 같이 점착제를 사용하지 않음으로 인해 공정수가 감소될 뿐 아니라, 점착제에 의한 방열 효율 감소 문제점을 개선하게 된 장점이 있는 것이다.
본 발명이 도 2 내지 도 4에서, 그와 같이 점착제를 사용하지 않고 플라스틱 층(201,301) 또는 탄소계 시트(401) 위에 바로 금속 밀착층(202,302,402)과 같은 박막을 밀착 형성하기 위한 공정의 특징은 다음과 같다.
즉, 종래 PVD 코팅의 박막 밀착력 증가를 위해 사용되는 방법은 소재의 가열, 바이어스 파워(bias power) 인가 또는 플라즈마 처리 등의 방법이다.
그러나, 본 발명에 사용되는 플라스틱 소재 또는 탄소계 소재는 부도체 소재로서, 바이어스 파워(bias power)를 인가할 수 없으며, 또한 소재 가열 방법은 변형 및 outgassing이 발생하여 증착하고자 하는 박막의 밀착력을 오히려 저하시킬 뿐 아니라, 박막 물성 또한 변질될 수 있는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 플라즈마 처리 방법을 사용하여 소재의 표면 개질을 통한 박막의 밀착력을 개선한다. 그러나 종래 일반적인 플라즈마 처리가 아닌, ICP (Inductively-Coupled Plasma : 유도 결합 플라즈마) 및 HiPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering : 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링) 방법을 사용한다. 이러한 ICP는 RF 에너지를 플라즈마에 유도 결합하는 하나 이상의 RF 코일들에 의해 제공될 수 있다. 일 실시예로서, 유도 결합 플라즈마(IC) 방출기는, 유도 코일부와 고주파 전원 포함할 수 있으며, 외부로부터 유입되는 기체를 플라즈마 상태로 변환하여 챔버 내부로 유입시킬 수 있는데, 기체로는 일 실시예로서 아르곤, 산소, 질소 및 도핑 가스 등이 이용될 수 있다.
즉, 본 발명은 먼저 ICP를 이용한 고밀도 플라즈마 처리로 소재표면을 활성화 하여 박막의 밀착력을 증가시킨다. 이러한 유도 결합 플라즈마(ICP)는 일반적인 DC 마그네트론 스퍼터링법으로 발생되는 저밀도 플라즈마와 비교했을 때 이온 밀도가 약 100 내지 1000배 가량 높고 플라즈마 내 타겟 물질의 금속이온 분율이 높은 장점이 있다. 이러한 유도 결합 플라즈마(ICP) 공정을 통하여, 플라스틱 층(201,301) 또는 탄소계 시트 층(401) 표면과, 또한 그 위에 코팅될 박막인 PVD 금속 밀착층(202,302,402) 형성에 사용되는 타겟에 대한 세정을 수행하고, 이로써 플라스틱 층(201,301) 또는 탄소계 시트 층(401) 표면에 초기 불순물 증착을 방지하여 박막의 밀착력을 증가시키게 되는 것이다.
이후 스퍼터링에 의하여 플라스틱 층(201,301) 또는 탄소계 시트 층(401) 표면에 박막, 즉, PVD 금속 밀착층(202,302,402)을 형성시킴에 있어 HiPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering : 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링) 방법을 사용하여 박막을 형성한다. 이러한 HiPIMS 방법에서, 본 발명은 전술한 바와 같이 인가 전압 10 ~ 35kV의 고전압으로 타켓을 스퍼터링하여 고경도 및 고밀도의 박막을 형성한다. 즉, HiPIMS의 높은 인가 전압으로 인해, 타겟으로부터 발생한 높은 에너지의 이온화된 타겟 물질인 알루미늄, 또는 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 등이, 플라스틱 층(201,301) 또는 탄소계 시트 층(401) 표면에 충돌해서 부착하도록 하여 밀도 및 경도가 높은 박막층(202,302,402)이 형성되도록 하는 것이다. 이러한 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링(HiPIMS)은 기존 DC 마그네트론 스퍼터링 방법의 전력밀도보다 3배 이상 높아 고경도 및 고밀도의 박막(202,302,402)을 형성할 수 있는 것이다.
100: 종래 표면처리방법에 의하여 표면처리된 플라스틱 소재
101: 플라스틱
102: PVD에 의한 금속(Ti) 밀착층
103: 이온 플레이팅에 의한 알루미늄 소재의 표면층
104: 아노다이징 층
200: 본 발명의 제1 실시예에 의한 표면처리방법에 의하여 표면처리된 플라스틱 소재
201: 플라스틱
202: PVD에 의한 금속(Al) 밀착층(박막층)
203: 아노다이징 층
300: 본 발명의 제2 실시예에 의한 표면처리방법에 의하여 표면처리된 플라스틱 소재
301: 플라스틱
302: PVD에 의한 금속(Cu,Ti,Ni 등) 밀착층(박막층)
400: 본 발명의 제3 실시예에 의한 표면처리방법에 의하여 표면처리된 탄소계 소재
401: 탄소계 시트 층
402: PVD에 의한 금속(Cu,Ti,Ni 등) 밀착층(박막층)

Claims (12)

  1. 박막층이 형성된 플라스틱 소재로서,
    플라스틱 층; 및
    상기 플라스틱 층 위에 형성된 박막층
    을 포함하고,
    상기 플라스틱 층과 상기 박막층 간의 밀착력을 강화하기 위한 점착제 층을 상기 플라스틱 층과 상기 박막층 사이에 구비하지 않는,
    박막층이 형성된 플라스틱 소재.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 박막층은,
    물리적 증기 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)을 통해 형성된 금속 밀착층인 것
    을 특징으로 하는 박막층이 형성된 플라스틱 소재.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는,
    순도 90% 이상의 알루미늄인 것
    을 특징으로 하는 박막층이 형성된 플라스틱 소재.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는,
    구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 성분을 포함하고, 금속 순도가 90% 이상인 것
    을 특징으로 하는 박막층이 형성된 플라스틱 소재.
  5. 박막층이 형성된 탄소계 소재로서,
    탄소계 시트 층; 및
    상기 탄소계 시트 층 위에 형성된 박막층
    을 포함하고,
    상기 탄소계 시트 층과 상기 박막층 간의 밀착력을 강화하기 위한 점착제 층을 상기 탄소계 시트 층과 상기 박막층 사이에 구비하지 않는,
    박막층이 형성된 탄소계 소재.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 박막층은,
    물리적 증기 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)을 통해 형성된 금속 밀착층인 것
    을 특징으로 하는 박막층이 형성된 탄소계 소재.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는,
    구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 성분을 포함하고, 금속 순도가 90% 이상인 것
    을 특징으로 하는 박막층이 형성된 탄소계 소재.
  8. 청구항 1의 플라스틱 소재 또는 청구항 5의 탄소계 소재를 형성하는 방법으로서,
    (a) 플라스틱 층 표면 또는 탄소계 시트 층 표면을 활성화함으로써 박막층의 밀착력을 증가시키기 위하여, 상기 플라스틱 층 표면 또는 상기 탄소계 시트 층 표면에 대하여 유도 결합 플라즈마(Inductive-Coupled Plasma, ICP)를 이용한 고밀도 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 및,
    (b) 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링(High Power Impulse Magnetron Sputtering, HiPIMS) 방법을 이용하여 상기 플라스틱 층 표면 또는 상기 탄소계 시트 층 표면에 박막층을 형성하는 단계
    를 포함하는 플라스틱 소재 또는 탄소계 소재 형성 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    플라스틱 층을 사용할 경우, 상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는,
    순도 90% 이상의 알루미늄인 것
    을 특징으로 하는 플라스틱 소재 또는 탄소계 소재 형성 방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    플라스틱 층을 사용할 경우, 상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는,
    구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 성분을 포함하고, 금속 순도가 90% 이상인 것
    을 특징으로 하는 플라스틱 소재 또는 탄소계 소재 형성 방법.
  11. 청구항 8에 있어서,
    탄소계 시트 층을 사용할 경우, 상기 박막층을 형성하는데 사용되는 타겟 종류는,
    구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 성분을 포함하고, 금속 순도가 90% 이상인 것
    을 특징으로 하는 플라스틱 소재 또는 탄소계 소재 형성 방법.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 HiPIMS 수행시, 인가 전압은,
    10 ~ 35kV 인 것
    을 특징으로 하는 플라스틱 소재 또는 탄소계 소재 형성 방법.
KR1020190116185A 2018-09-20 2019-09-20 플라스틱 및 탄소계 소재의 표면처리방법 및 이에 의하여 제조된 표면구조를 가지는 플라스틱 및 탄소계 소재 KR20200033767A (ko)

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