KR20200030450A - Edge trimming apparatus - Google Patents

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KR20200030450A
KR20200030450A KR1020190106581A KR20190106581A KR20200030450A KR 20200030450 A KR20200030450 A KR 20200030450A KR 1020190106581 A KR1020190106581 A KR 1020190106581A KR 20190106581 A KR20190106581 A KR 20190106581A KR 20200030450 A KR20200030450 A KR 20200030450A
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cutting
wafer
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KR1020190106581A
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고이치 마키노
신이치로 노구치
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

The subject of the present invention is to make the cutting depth of a cutting blade constant with respect to the surface of a bonding wafer. A control means can properly identify a change in the height of an outer upper surface of a bonding wafer (1) because matching data is created by matching the rotation angle of a rotary shaft of a chuck table (31) with the height of the outer upper surface of the bonding wafer (1) measured at each rotation angle. Moreover, based on the matching data, the control means identifies the height of the outer upper surface of the bonding wafer (1) matched with the rotation angle of the rotary shaft and sets the height of a cutting blade (63) in accordance with the identified height. Therefore, the present invention is capable of making the cutting depth of the cutting blade (63) approximately constant with respect to the outer upper surface of the bonding wafer (1). Moreover, the present invention is capable of reducing the consumption of the cutting blade (63) by making the cutting depth of the cutting blade (63) approximately constant.

Description

에지 트리밍 장치{EDGE TRIMMING APPARATUS}Edge trimming device {EDGE TRIMMING APPARATUS}

본 발명은 에지 트리밍 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an edge trimming device.

웨이퍼는, 표면에 디바이스가 형성된 후 이면이 연삭되어 박화된다. 여기서, 웨이퍼의 외주에, 표면으로부터 이면에 이르는 면취부가 형성되어 있는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼를 박화하는 것에 의해, 그 외주 가장자리의 면취부가 샤프 에지가 된다. 이것은, 웨이퍼에 크랙을 발생시키는 요인이 된다. 이것을 방지하기 위해, 연삭전에, 웨이퍼의 표면측에 소정의 깊이로 면취부를 환형으로 제거하는 에지 트리밍을 실시하고, 그 후에 웨이퍼의 이면을 연삭 지석으로 연삭하여 박화하는 방법이 있다(특허문헌 1 및 2 참조). 이 방법에서는, 샤프 에지가 형성되지 않기 때문에 크랙의 발생이 억제된다.The wafer is thinned by grinding the back surface after the device is formed on the surface. Here, a chamfered portion from the front surface to the back surface may be formed on the outer periphery of the wafer. In this case, by thinning the wafer, the chamfered portion of the outer circumferential edge becomes a sharp edge. This is a factor that causes cracks in the wafer. In order to prevent this, before grinding, there is a method of performing edge trimming to remove the chamfered portion annularly at a predetermined depth on the surface side of the wafer, and then grinding the back surface of the wafer with a grinding stone to thin it (Patent Document 1 and 2). In this method, the occurrence of cracks is suppressed because no sharp edges are formed.

이 방법에서는, 웨이퍼의 표면에 대하여 에지 트리밍을 실시한 후, 웨이퍼를 반전시켜 이면을 연삭한다. 이것에 의해, 면취부가 완전히 제거되기 때문에, 에지 트리밍의 깊이를 균일하게 할 필요가 없다.In this method, after edge trimming is performed on the surface of the wafer, the wafer is inverted to grind the back surface. Thereby, since the chamfer is completely removed, there is no need to make the depth of edge trimming uniform.

특허문헌 1 : 일본 특허 제5991890호 공보Patent Document 1: Japanese Patent No. 5991890 특허문헌 2 : 일본 특허 제6196776호 공보Patent Document 2: Japanese Patent No. 6196776

한편, 2장의 웨이퍼를 포함하는 접합 웨이퍼에서는, 각 웨이퍼의 표면(디바이스가 설치된 면)이 접합면측에 위치하고 있다. 따라서, 이면을 연삭했을 때에 샤프 에지의 형성을 억제하기 위해 면취부가 완전히 절제된다. 접합 웨이퍼에서는, 예컨대 디바이스가 형성되는 균등한 면내 두께를 갖는 한쪽의 웨이퍼와, 면내 두께에 변동이 있는 다른쪽의 웨이퍼가 접합되어 있다. 다른쪽의 웨이퍼에서의 면내 두께의 변동이 크면, 한쪽의 웨이퍼의 표면을 에지 트리밍할 때, 절삭 블레이드의 절입 깊이를 일정하게 하는 것이 어렵다.On the other hand, in a bonded wafer including two wafers, the surface of each wafer (the surface on which the device is provided) is located on the bonding surface side. Therefore, when grinding the back surface, the chamfered portion is completely excised to suppress the formation of a sharp edge. In a bonded wafer, for example, one wafer having a uniform in-plane thickness in which the device is formed, and the other wafer having a variation in the in-plane thickness are bonded. If the variation in the in-plane thickness on the other wafer is large, it is difficult to make the cutting depth of the cutting blade constant when edge trimming the surface of one wafer.

본 발명의 에지 트리밍 장치는, 외주 가장자리에 면취부를 갖는 웨이퍼와 지지 기판을 접합 부재로 접합한 접합 웨이퍼의 상기 면취부를 절삭 블레이드로 절삭하는 에지 트리밍 장치로서, 상기 지지 기판에 접촉하여 상기 접합 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖는 유지 수단과, 상기 절삭 블레이드를 선단에 장착한 스핀들을 회전시켜, 상기 유지면에 유지된 상기 접합 웨이퍼의 상기 면취부를 절삭하는 절삭 수단과, 상기 유지면에 대하여 수직인 Z축 방향으로 상기 절삭 수단을 이동시키는 Z축 방향 이동 수단과, 상기 유지면에 유지된 상기 접합 웨이퍼의 상면측으로부터, 상기 접합 웨이퍼의 외주 상면의 높이를 측정하는 상면 높이 측정 수단과, 기억 수단과, 제어 수단을 구비하고, 상기 유지 수단은, 상기 유지면을 갖는 척 테이블과, 상기 유지면의 중심을 축심으로 하여 상기 척 테이블에 연결된 회전축과, 상기 회전축을 회전시키는 모터와, 상기 회전축의 회전 각도를 검출하는 인코더를 구비하고, 상기 기억 수단은, 상기 회전축의 회전시에, 상기 인코더에 의해 검출된 회전 각도와, 상기 회전 각도에서 상기 상면 높이 측정 수단에 의해 측정된 외주 상면 높이를 대응시킨 대응 데이터를 기억하고, 상기 제어 수단은, 상기 회전축을 회전시켜, 상기 인코더에 의해 검출된 회전 각도에 대응하는 상기 외주 상면 높이를 상기 대응 데이터로부터 호출하고, 호출한 상기 외주 상면 높이에 따라서 상기 절삭 블레이드의 높이를 설정한다.The edge trimming apparatus of the present invention is an edge trimming apparatus for cutting the chamfered portion of a bonded wafer in which a wafer having a chamfered portion on an outer circumferential edge and a supporting substrate are joined with a bonding member, and contacting the supporting substrate to contact the supporting wafer. Holding means having a holding surface for holding; cutting means for cutting the chamfered portion of the bonded wafer held on the holding surface by rotating a spindle equipped with the cutting blade at a tip; and Z perpendicular to the holding surface Z-axis moving means for moving the cutting means in the axial direction, and upper surface height measuring means for measuring the height of the outer circumferential upper surface of the bonded wafer from the upper surface side of the bonded wafer held on the holding surface, and storage means. , The control means, the holding means, the chuck table having the holding surface, and the holding surface And a rotating shaft connected to the chuck table with an axis as a shaft, a motor for rotating the rotating shaft, and an encoder for detecting a rotation angle of the rotating shaft, and the storage means detects by the encoder when rotating the rotating shaft. The stored rotational angle and corresponding data corresponding to the height of the outer circumferential upper surface measured by the upper surface height measuring means at the rotational angle are stored, and the control means rotates the rotational axis to the rotational angle detected by the encoder. The corresponding outer circumferential upper surface height is called from the corresponding data, and the height of the cutting blade is set according to the called outer circumferential upper surface height.

본 발명의 에지 트리밍 장치에서는, 회전축의 회전 각도와, 각 회전 각도에서 측정된 접합 웨이퍼의 외주 상면의 높이를 대응시킨 대응 데이터를 기억하고 있기 때문에, 이 대응 데이터에 기초하여, 접합 웨이퍼에서의 외주 상면의 높이의 변동을 양호하게 파악하는 것이 가능하다.In the edge trimming apparatus of the present invention, since corresponding data is stored in which the rotation angle of the rotating shaft and the height of the outer circumferential upper surface of the bonded wafer measured at each rotating angle are stored, based on the corresponding data, the outer circumference of the bonded wafer It is possible to grasp the fluctuation of the height of the upper surface satisfactorily.

또한, 접합 웨이퍼의 외주 상면의 높이에 따라서 절삭 블레이드의 높이를 설정할 수 있기 때문에, 외주 상면에 대한 절삭 블레이드의 절입 깊이를, 용이하게 대략 일정하게 할 수 있다. 이것에 의해, 절삭 블레이드의 소모를 작게 할 수 있다.In addition, since the height of the cutting blade can be set in accordance with the height of the outer circumferential upper surface of the bonded wafer, the cutting depth of the cutting blade with respect to the outer circumferential upper surface can be easily substantially constant. Thereby, consumption of a cutting blade can be made small.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 관한 에지 트리밍 장치(본 에지 트리밍 장치)의 측정 대상인 접합 웨이퍼의 사시도이다.
도 2는 접합 웨이퍼의 단면도이다.
도 3은 본 에지 트리밍 장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4는 접합 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖는 유지 수단의 단면도이다.
도 5는 본 에지 트리밍 장치의 상면 높이 측정 수단 및 척 테이블을 나타내는 설명도이다.
도 6은 본 에지 트리밍 장치의 상면 높이 측정 수단 및 그 측정 범위를 나타내는 설명도이다.
도 7은 본 에지 트리밍 장치에서의 외주 상면의 높이 측정을 나타내는 설명도이다.
도 8은 본 에지 트리밍 장치에서의 에지 트리밍을 나타내는 설명도이다.1 is a perspective view of a bonded wafer that is a measurement target of an edge trimming device (this edge trimming device) according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a bonded wafer.
3 is a perspective view showing the configuration of the present edge trimming device.
4 is a cross-sectional view of the holding means having a holding surface for holding the bonded wafer.
It is explanatory drawing which shows the upper surface height measuring means and chuck table of this edge trimming apparatus.
It is explanatory drawing which shows the upper surface height measuring means of this edge trimming apparatus, and its measuring range.
It is explanatory drawing which shows the height measurement of the outer peripheral upper surface in this edge trimming apparatus.
8 is an explanatory diagram showing edge trimming in the present edge trimming apparatus.

우선, 본 실시형태에 관한 에지 트리밍 장치(이하, 본 에지 트리밍 장치로 함)의 피가공물인 접합 웨이퍼(1)에 관해 간단히 설명한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 접합 웨이퍼(1)는, 예를 들면 원판형으로 형성되어 있다.First, the bonded wafer 1, which is a workpiece of the edge trimming apparatus (hereinafter referred to as the present edge trimming apparatus) according to the present embodiment, will be briefly described. As shown in FIG. 1, the bonding wafer 1 is formed in a disk shape, for example.

도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 접합 웨이퍼(1)는, 웨이퍼(2)와, 웨이퍼(2)를 지지하기 위한 지지 기판(3)을 포함하고 있다.1 and 2, the bonded wafer 1 includes a wafer 2 and a supporting substrate 3 for supporting the wafer 2.

웨이퍼(2)는, 원판형으로 형성되어 있고, 외주 가장자리(7)에, 표면(2a)으로부터 이면(2b)에 걸쳐 원호형으로 면취부(4)가 형성되어 있다. 웨이퍼(2)는 그 표면(2a)에 디바이스(D)를 갖고 있다.The wafer 2 is formed in a disk shape, and a chamfer 4 is formed in an arc shape on the outer circumferential edge 7 from the surface 2a to the back surface 2b. The wafer 2 has a device D on its surface 2a.

지지 기판(3)은, 예를 들면 실리콘을 모재로 하고, 비교적 높은 강성을 갖고 있다. 지지 기판(3)은, 웨이퍼(2)와 거의 동일한 형상의 원판형으로 형성되어 있다. 또한, 접합 웨이퍼(1)에서는, 지지 기판(3)의 중심과 웨이퍼(2)의 중심이 거의 합치하고 있다.The support substrate 3 is made of, for example, silicon and has a relatively high rigidity. The supporting substrate 3 is formed in a disk shape having a shape substantially the same as that of the wafer 2. In addition, in the bonded wafer 1, the center of the support substrate 3 and the center of the wafer 2 are almost coincident.

또, 지지 기판(3)의 모재는 사파이어 혹은 유리 등이어도 좋다.Moreover, the base material of the support substrate 3 may be sapphire or glass.

웨이퍼(2)와 지지 기판(3)은, 웨이퍼(2)의 표면(2a)과 지지 기판(3)의 표면(3a)을 접합면으로 하여, 접착 부재(J)를 통해 서로 접합되어 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(2)의 이면(2b) 및 지지 기판(3)의 이면(3b)이, 접합 웨이퍼(1)의 노출면이 된다. 접착 부재(J)는, 예를 들면 자외선 경화 수지제의 접착제로 이루어지며, 20~50 ㎛의 두께를 갖는다. 접착 부재(J)는 접합 부재의 일례에 상당한다.The wafer 2 and the support substrate 3 are joined to each other via the adhesive member J, using the surface 2a of the wafer 2 and the surface 3a of the support substrate 3 as bonding surfaces. Thereby, the back surface 2b of the wafer 2 and the back surface 3b of the support substrate 3 are exposed surfaces of the bonded wafer 1. The adhesive member J is made of, for example, an ultraviolet curing resin adhesive, and has a thickness of 20 to 50 μm. The adhesive member J corresponds to an example of a bonding member.

본 에지 트리밍 장치는, 이러한 접합 웨이퍼(1)에서의 웨이퍼(2)의 면취부(4)를 제거한다. 이하에, 본 에지 트리밍 장치의 구성에 관해 설명한다.The edge trimming device removes the chamfered portion 4 of the wafer 2 from such a bonded wafer 1. The configuration of the edge trimming device will be described below.

도 3에 나타내는 본 에지 트리밍 장치에서는, 유지 수단(30)에서의 척 테이블(31)에 유지된 접합 웨이퍼(1)에 대하여, 절삭 수단(6)에 구비되는 절삭 블레이드(63)를 이용하여 절삭 가공을 하는 장치이다. 이 절삭 가공에 의해, 웨이퍼(2)의 면취부(4)가 절삭된다.In the edge trimming apparatus shown in FIG. 3, the bonded wafer 1 held by the chuck table 31 in the holding means 30 is cut using the cutting blade 63 provided in the cutting means 6. It is a processing device. By this cutting process, the chamfer 4 of the wafer 2 is cut.

또한, 본 에지 트리밍 장치에서는, 절삭 수단(6)에 의한 절삭 가공을 위해, 상면 높이 측정 수단(20)에 의해 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면 높이가 측정된다.Moreover, in this edge trimming apparatus, the height of the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 is measured by the upper surface height measuring means 20 for cutting by the cutting means 6.

도 3에 나타낸 바와 같이, 본 에지 트리밍 장치는, 베이스(10), 베이스(10)에 세워져 설치된 도어형 칼럼(14), 및 본 에지 트리밍 장치의 각 부재를 제어하는 제어 수단(70)을 구비하고 있다.As shown in Fig. 3, the present edge trimming device includes a base 10, a door-shaped column 14 erected and installed on the base 10, and control means 70 for controlling each member of the edge trimming device. Doing.

베이스(10) 위에는 절삭 이송 기구(11)가 배치되어 있다. 절삭 이송 기구(11)는, 척 테이블(31)을 포함하는 유지 수단(30)을, 절삭 이송 방향(X축 방향)을 따라서 이동시킨다. 절삭 이송 기구(11)는, X축 방향으로 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(111), 가이드 레일(111)에 배치된 X축 테이블(113), 가이드 레일(111)과 평행하게 연장되는 볼나사(110), 및 볼나사(110)를 회전시키는 모터(112)를 포함하고 있다.The cutting feed mechanism 11 is disposed on the base 10. The cutting feed mechanism 11 moves the holding means 30 including the chuck table 31 along the cutting feed direction (X-axis direction). The cutting feed mechanism 11 includes a pair of guide rails 111 extending in the X-axis direction, an X-axis table 113 disposed on the guide rail 111, and a ball screw extending parallel to the guide rail 111. 110, and a motor 112 for rotating the ball screw 110.

한 쌍의 가이드 레일(111)은, X축 방향으로 평행하게 베이스(10)의 상면에 배치되어 있다. X축 테이블(113)은, 한 쌍의 가이드 레일(111) 위에, 이들 가이드 레일(111)을 따라서 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. X축 테이블(113) 위에는 유지 수단(30)이 배치되어 있다.A pair of guide rail 111 is arrange | positioned on the upper surface of the base 10 in parallel in the X-axis direction. The X-axis table 113 is slidably provided on the pair of guide rails 111 along these guide rails 111. A holding means 30 is disposed on the X-axis table 113.

볼나사(110)는, X축 테이블(113)의 하면측에 설치된 너트부(도시하지 않음)에 나사 결합되어 있다. 모터(112)는, 볼나사(110)의 일단부에 연결되어 있고, 볼나사(110)를 회전 구동시킨다. 볼나사(110)가 회전 구동됨으로써, X축 테이블(113) 및 유지 수단(30)이, 가이드 레일(111)을 따라서 절삭 이송 방향인 X축 방향을 따라서 이동한다.The ball screw 110 is screwed to a nut part (not shown) provided on the lower surface side of the X-axis table 113. The motor 112 is connected to one end of the ball screw 110 and drives the ball screw 110 to rotate. As the ball screw 110 is rotationally driven, the X-axis table 113 and the holding means 30 move along the guide rail 111 along the X-axis direction which is the cutting feed direction.

도 1 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 유지 수단(30)은, 대략 원판형의 척 테이블(31), 및 대략 원기둥형상의 테이블 베이스(32)를 갖고 있다. 척 테이블(31)은, 도 1에 나타낸 접합 웨이퍼(1)를 흡착 유지한다. 테이블 베이스(32)는, 척 테이블(31)을 지지한 상태로 X축 테이블(113) 위에 고정되어 있다.1 and 4, the holding means 30 has an approximately disk-shaped chuck table 31 and an approximately cylindrical table base 32. As shown in FIGS. The chuck table 31 adsorbs and holds the bonded wafer 1 shown in FIG. 1. The table base 32 is fixed on the X-axis table 113 in a state where the chuck table 31 is supported.

도 4에 나타낸 바와 같이, 척 테이블(31)은, 다공질재를 포함하는 흡착부(312)와, 흡착부(312)를 지지하는 프레임체(314)를 구비하고 있다.4, the chuck table 31 is provided with the adsorption part 312 containing a porous material, and the frame body 314 which supports the adsorption part 312. As shown in FIG.

흡착부(312)는, 도시하지 않은 흡인원에 연통되어 있고, 노출면인 유지면(313)을 갖고 있다. 유지면(313)은, 접합 웨이퍼(1)보다 약간 작은 원형이며, 프레임체(314)의 상면과 단차없이 형성되어 있다. 흡착부(312)는, 이 유지면(313)에 의해 접합 웨이퍼(1)를 흡인 유지한다.The adsorption section 312 communicates with a suction source (not shown) and has a holding surface 313 that is an exposed surface. The holding surface 313 is slightly smaller than the bonded wafer 1, and is formed without a step with the upper surface of the frame body 314. The adsorption part 312 sucks and holds the bonded wafer 1 by this holding surface 313.

척 테이블(31)은, 척 테이블(31)의 저면측에 배치된 테이블 베이스(32)에 지지되어 있다. 테이블 베이스(32) 내에는, 척 테이블(31)의 회전축(315), 회전축(315)을 회전시키는 모터(317), 및 회전축(315)의 회전 각도를 검출하는 인코더(319)를 구비하고 있다. 회전축(315)의 회전 각도는, 예를 들면 회전축(315)에서의 소정의 각도 위치를 원점으로 하여 검출된다.The chuck table 31 is supported by a table base 32 arranged on the bottom side of the chuck table 31. In the table base 32, a rotation shaft 315 of the chuck table 31, a motor 317 for rotating the rotation shaft 315, and an encoder 319 for detecting the rotation angle of the rotation shaft 315 are provided. . The rotation angle of the rotation shaft 315 is detected, for example, using a predetermined angular position on the rotation shaft 315 as an origin.

베이스(10) 위의 -X 방향측에는, 도어형 칼럼(14)이 절삭 이송 기구(11)에 걸치도록 세워져 있다.On the -X direction side on the base 10, a door column 14 is erected so as to span the cutting feed mechanism 11.

도어형 칼럼(14)의 측면의 +Y측에는, 절삭 수단(6)을 이동시키는 절삭 수단 이동 기구(13)가 설치되어 있다. 절삭 수단 이동 기구(13)는, 절삭 수단(6)을, Y축 방향으로 인덱스 이송하고, Z축 방향으로 절입 이송한다. 절삭 수단 이동 기구(13)는, 절삭 수단(6)을 Y축 방향으로 이동시키는 제1 Y축 방향 이동 수단(12), 및 절삭 수단(6)을 Z축 방향으로 이동시키는 제1 Z축 방향 이동 수단(16)을 구비하고 있다.On the + Y side of the side surface of the door column 14, a cutting means moving mechanism 13 for moving the cutting means 6 is provided. The cutting means moving mechanism 13 index-feeds the cutting means 6 in the Y-axis direction, and cuts and feeds it in the Z-axis direction. The cutting means moving mechanism 13 is a first Y-axis direction moving means 12 for moving the cutting means 6 in the Y-axis direction, and a first Z-axis direction for moving the cutting means 6 in the Z-axis direction It has a moving means (16).

제1 Y축 방향 이동 수단(12)은, 도어형 칼럼(14)의 측면에 배치되어 있다. 제1 Y축 방향 이동 수단(12)은, Y축 방향으로 제1 Z축 방향 이동 수단(16) 및 절삭 수단(6)을 왕복 이동시킨다. Y축 방향은, X축 방향에 대하여 유지면 방향(수평 방향)에 직교하는 방향이다. 제1 Y축 방향 이동 수단(12)은, Y축 방향으로 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(121), 가이드 레일(121)에 배치된 제1 Y축 테이블(123), 가이드 레일(121)과 평행하게 연장되는 제1 볼나사(120), 및 제1 볼나사(120)를 회전시키는 모터(도시하지 않음)를 포함하고 있다.The first Y-axis direction moving means 12 is disposed on the side surface of the door column 14. The first Y-axis direction moving means 12 reciprocates the first Z-axis direction moving means 16 and the cutting means 6 in the Y-axis direction. The Y-axis direction is a direction orthogonal to the holding surface direction (horizontal direction) with respect to the X-axis direction. The first Y-axis direction moving means 12 includes a pair of guide rails 121 extending in the Y-axis direction, a first Y-axis table 123 and a guide rail 121 disposed on the guide rail 121. It includes a first ball screw 120 extending in parallel, and a motor (not shown) for rotating the first ball screw 120.

한 쌍의 가이드 레일(121)은, Y축 방향으로 평행하게 도어형 칼럼(14)의 측면에 배치되어 있다. 제1 Y축 테이블(123)은, 한 쌍의 가이드 레일(121) 위에, 이들 가이드 레일(121)을 따라서 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. 제1 Y축 테이블(123) 위에는, 제1 Z축 방향 이동 수단(16) 및 절삭 수단(6)이 배치되어 있다.A pair of guide rail 121 is arrange | positioned at the side surface of the door column 14 parallel to the Y-axis direction. The 1st Y-axis table 123 is provided slidably along these guide rails 121 on a pair of guide rails 121. On the 1st Y-axis table 123, the 1st Z-axis direction moving means 16 and the cutting means 6 are arrange | positioned.

제1 볼나사(120)는, 제1 Y축 테이블(123)의 배면측에 설치된 너트부(도시하지 않음)에 나사 결합되어 있다. 제1 Y축 방향 이동 수단(12)의 모터는, 제1 볼나사(120)에서의 +Y측의 단부에 연결되어 있고, 제1 볼나사(120)를 회전 구동시킨다. 제1 볼나사(120)가 회전 구동됨으로써, 제1 Y축 테이블(123), 제1 Z축 방향 이동 수단(16) 및 절삭 수단(6)이, 가이드 레일(121)을 따라서 인덱스 이송 방향인 Y축 방향으로 이동한다.The first ball screw 120 is screwed to a nut portion (not shown) provided on the rear side of the first Y-axis table 123. The motor of the 1st Y-axis direction moving means 12 is connected to the + Y side end part of the 1st ball screw 120, and drives the 1st ball screw 120 rotationally. As the first ball screw 120 is rotationally driven, the first Y-axis table 123, the first Z-axis direction moving means 16 and the cutting means 6 are in the index transfer direction along the guide rail 121. Move in the Y-axis direction.

제1 Z축 방향 이동 수단(16)은, 절삭 수단(6)을 Z축 방향(수직 방향)으로 왕복 이동시킨다. Z축 방향은, X축 방향 및 Y축 방향에 직교하고, 척 테이블(31)의 유지면(313)에 대하여 직교하는 방향이다.The first Z-axis direction moving means 16 reciprocates the cutting means 6 in the Z-axis direction (vertical direction). The Z-axis direction is a direction perpendicular to the X-axis direction and the Y-axis direction, and perpendicular to the holding surface 313 of the chuck table 31.

제1 Z축 방향 이동 수단(16)은, Z축 방향으로 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(161), 가이드 레일(161)에 배치된 제1 지지 부재(163), 가이드 레일(161)과 평행하게 연장되는 볼나사(160), 및 볼나사(160)를 회전시키는 모터(162)를 포함하고 있다.The first Z-axis direction moving means 16 is parallel to the pair of guide rails 161 extending in the Z-axis direction, the first support member 163 disposed on the guide rail 161, and the guide rail 161 It includes a ball screw 160 to extend, and a motor 162 for rotating the ball screw 160.

한 쌍의 가이드 레일(161)은, Z축 방향으로 평행하게 제1 Y축 테이블(123)에 배치되어 있다. 제1 지지 부재(163)는, 한 쌍의 가이드 레일(161) 위에, 이들 가이드 레일(161)을 따라서 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. 제1 지지 부재(163)의 하단부에는 절삭 수단(6)이 부착되어 있다.The pair of guide rails 161 are arranged on the first Y-axis table 123 in parallel in the Z-axis direction. The first support member 163 is slidably provided on the pair of guide rails 161 along these guide rails 161. The cutting means 6 is attached to the lower end of the first support member 163.

볼나사(160)는, 제1 지지 부재(163)의 배면측에 설치된 너트부(도시하지 않음)에 나사 결합되어 있다. 모터(162)는, 볼나사(160)의 일단부에 연결되어 있고, 볼나사(160)를 회전 구동시킨다. 볼나사(160)가 회전 구동됨으로써, 제1 지지 부재(163) 및 절삭 수단(6)이, 가이드 레일(161)을 따라서 절입 이송 방향인 Z축 방향으로 이동한다.The ball screw 160 is screwed to a nut portion (not shown) provided on the back side of the first support member 163. The motor 162 is connected to one end of the ball screw 160, and drives the ball screw 160 to rotate. When the ball screw 160 is rotationally driven, the first support member 163 and the cutting means 6 move along the guide rail 161 in the Z-axis direction, which is the cut feed direction.

절삭 수단(6)은, 제1 지지 부재(163)의 하단에 설치된 하우징(61)을 구비하고 있다. 절삭 수단(6)은 또한, 도 3에 일부를 확대하여 나타낸 바와 같이, Y축 방향으로 연장되는 스핀들(60), 스핀들(60)의 선단에 장착되는 절삭 블레이드(63), 및, 스핀들(60)을 회전 구동시키는 모터(도시하지 않음)를 구비하고 있다.The cutting means 6 is provided with the housing 61 provided at the lower end of the first support member 163. The cutting means 6 is also enlarged and partially shown in FIG. 3, the spindle 60 extending in the Y-axis direction, the cutting blade 63 mounted on the tip of the spindle 60, and the spindle 60 ) Is provided with a motor (not shown) that drives rotationally.

스핀들(60)은, 하우징(61)에 의해 회전 가능하게 지지된다. 모터가 스핀들(60)을 회전 구동시키는 것에 의해, 절삭 블레이드(63)도 고속 회전한다.The spindle 60 is rotatably supported by the housing 61. When the motor rotates the spindle 60, the cutting blade 63 also rotates at a high speed.

도어형 칼럼(14)의 측면의 -Y측에는, 상면 높이 측정 수단(20)을 이동시키는 상면 높이 측정 수단 이동 기구(18)가 설치되어 있다. 상면 높이 측정 수단 이동 기구(18)는, 상면 높이 측정 수단(20)을, Y축 방향으로 인덱스 이송하고, Z축 방향으로 절입 이송한다. 상면 높이 측정 수단 이동 기구(18)는, 상면 높이 측정 수단(20)을 Y축 방향으로 이동시키는 제2 Y축 방향 이동 수단(15), 및 상면 높이 측정 수단(20)을 Z축 방향으로 이동시키는 제2 Z축 방향 이동 수단(17)을 구비하고 있다.On the -Y side of the side surface of the door column 14, an upper surface height measuring means moving mechanism 18 for moving the upper surface height measuring means 20 is provided. The upper surface height measuring means moving mechanism 18 index-transfers the upper surface height measuring means 20 in the Y-axis direction, and cuts and feeds it in the Z-axis direction. The upper surface height measuring means moving mechanism 18 moves the second upper surface height measuring means 20 in the Y-axis direction, and the second Y-axis direction moving means 15 and the upper surface height measuring means 20 in the Z-axis direction The second Z-axis moving means 17 is provided.

제2 Y축 방향 이동 수단(15)은, 제1 Y축 방향 이동 수단(12)과 동일한 구성을 갖고 있고, 도어형 칼럼(14)의 측면에 배치되어 있다. 제2 Y축 방향 이동 수단(15)은, Y축 방향으로, 제2 Z축 방향 이동 수단(17) 및 상면 높이 측정 수단(20)을 왕복 이동시킨다.The 2nd Y-axis direction moving means 15 has the same structure as the 1st Y-axis direction moving means 12, and is arrange | positioned at the side surface of the door column 14. As shown in FIG. The second Y-axis direction moving means 15 reciprocates the second Z-axis direction moving means 17 and the upper surface height measuring means 20 in the Y-axis direction.

제2 Y축 방향 이동 수단(15)은, 한 쌍의 가이드 레일(121), 가이드 레일(121)에 배치된 제2 Y축 테이블(153), 가이드 레일(121)과 평행하게 연장되는 제2 볼나사(150), 및 제2 볼나사(150)를 회전시키는 모터(152)를 포함하고 있다.The second Y-axis direction moving means 15 is a pair of guide rails 121, a second Y-axis table 153 disposed on the guide rails 121, and a second extending parallel to the guide rails 121 It includes a ball screw 150, and a motor 152 for rotating the second ball screw 150.

제2 Y축 방향 이동 수단(15)은, 한 쌍의 가이드 레일(121)을 제1 Y축 방향 이동 수단(12)과 겸용하고 있다. 제2 Y축 테이블(153)은, 한 쌍의 가이드 레일(121) 위에, 이들 가이드 레일(121)을 따라서 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. 제2 Y축 테이블(153) 위에는, 제2 Z축 방향 이동 수단(17) 및 상면 높이 측정 수단(20)이 배치되어 있다.The second Y-axis direction moving means 15 combines the pair of guide rails 121 with the first Y-axis direction moving means 12. The second Y-axis table 153 is slidably provided on the pair of guide rails 121 along these guide rails 121. On the 2nd Y-axis table 153, the 2nd Z-axis direction moving means 17 and the upper surface height measuring means 20 are arrange | positioned.

제2 볼나사(150)는, 제2 Y축 테이블(153)의 배면측에 설치된 너트부(도시하지 않음)에 나사 결합되어 있다. 모터(152)는, 제2 볼나사(150)의 일단부에 연결되어 있고, 제2 볼나사(150)를 회전 구동시킨다. 제2 볼나사(150)가 회전 구동됨으로써, 제2 Y축 테이블(153), 제2 Z축 방향 이동 수단(17) 및 상면 높이 측정 수단(20)이, 가이드 레일(121)을 따라서 Y축 방향으로 이동한다.The second ball screw 150 is screwed to a nut portion (not shown) provided on the rear side of the second Y-axis table 153. The motor 152 is connected to one end of the second ball screw 150 and drives the second ball screw 150 to rotate. As the second ball screw 150 is rotationally driven, the second Y-axis table 153, the second Z-axis direction moving means 17, and the upper surface height measuring means 20 along the guide rail 121, the Y axis Direction.

제2 Z축 방향 이동 수단(17)은, 제1 Z축 방향 이동 수단(16)과 동일한 구성을 갖고 있고, 상면 높이 측정 수단(20)을 Z축 방향으로 왕복 이동시킨다.The second Z-axis direction moving means 17 has the same configuration as the first Z-axis direction moving means 16, and moves the upper surface height measuring means 20 in the Z-axis direction.

제2 Z축 방향 이동 수단(17)은, Z축 방향으로 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(171), 가이드 레일(171)에 배치된 제2 지지 부재(173), 가이드 레일(171)과 평행하게 연장되는 볼나사(170), 및 볼나사(170)를 회전시키는 모터(172)를 포함하고 있다.The second Z-axis direction moving means 17 is parallel to the pair of guide rails 171 extending in the Z-axis direction, the second support member 173 disposed on the guide rail 171, and the guide rail 171 It includes a ball screw 170 to extend, and a motor 172 for rotating the ball screw 170.

한 쌍의 가이드 레일(171)은, Z축 방향으로 평행하게 제2 Y축 테이블(153)에 배치되어 있다. 제2 지지 부재(173)는, 한 쌍의 가이드 레일(171) 위에, 이들 가이드 레일(171)을 따라서 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. 제2 지지 부재(173)의 하단부에는, 상면 높이 측정 수단(20)이 부착되어 있다.The pair of guide rails 171 are arranged on the second Y-axis table 153 in parallel in the Z-axis direction. The second support member 173 is slidably provided on the pair of guide rails 171 along these guide rails 171. The upper surface height measuring means 20 is attached to the lower end of the second support member 173.

볼나사(170)는, 제2 지지 부재(173)의 배면측에 설치된 너트부(도시하지 않음)에 나사 결합되어 있다. 모터(172)는, 볼나사(170)의 일단부에 연결되어 있고, 볼나사(170)를 회전 구동시킨다. 볼나사(170)가 회전 구동됨으로써, 제2 지지 부재(173) 및 상면 높이 측정 수단(20)이, 가이드 레일(171)을 따라서 Z축 방향으로 이동한다.The ball screw 170 is screwed to a nut portion (not shown) provided on the back side of the second support member 173. The motor 172 is connected to one end of the ball screw 170 and drives the ball screw 170 to rotate. As the ball screw 170 is rotationally driven, the second support member 173 and the upper surface height measuring means 20 move along the guide rail 171 in the Z-axis direction.

상면 높이 측정 수단(20)은, 도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 척 테이블(31)의 유지면(313)에 유지된 접합 웨이퍼(1)의 상면인 웨이퍼(2)의 이면(2b)측으로부터, 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면의 높이를 측정한다.The upper surface height measuring means 20 is a rear surface 2b of the wafer 2, which is the upper surface of the bonded wafer 1 held on the holding surface 313 of the chuck table 31, as shown in FIGS. 5 and 6. The height of the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 is measured from the side.

접합 웨이퍼(1)의 외주 상면은 웨이퍼(2)의 외주 부분의 상면이며, 예를 들면, 웨이퍼(2)의 이면(2b)에서의 외주 가장자리(7)로부터 소정 길이만큼 내측으로 들어간 부분까지의 범위, 즉 외주 가장자리(7)를 따르는 소정 폭을 갖는 원형의 띠형상의 부분이다. 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면은, 웨이퍼(2)의 절삭되는 면취부(4)(도 2 참조)를 포함하고 있다.The outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 is the upper surface of the outer circumferential portion of the wafer 2, for example, from the outer circumferential edge 7 on the back surface 2b of the wafer 2 to a portion that has been inward by a predetermined length. It is a range, i.e., a circular strip-shaped portion having a predetermined width along the outer edge 7. The outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 includes a chamfered portion 4 (see FIG. 2) to be cut off of the wafer 2.

또한, 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면의 높이란, 예를 들면 척 테이블(31)의 유지면(313)으로부터 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면까지의 Z축 방향(도 5 참조)을 따르는 거리이다.The height of the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 is, for example, a distance along the Z-axis direction (see FIG. 5) from the holding surface 313 of the chuck table 31 to the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1. to be.

도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 상면 높이 측정 수단(20)은, 측정광을 투광하는 투광부(21), 반사광을 집광하는 집광 렌즈(23), 및 반사광을 수광하는 수광 센서(25)를 구비하고 있다.5 and 6, the upper surface height measuring means 20 includes: a light transmitting unit 21 that transmits measurement light, a condensing lens 23 that collects reflected light, and a light receiving sensor 25 that receives reflected light It is equipped with.

투광부(21)로부터 투광되는 측정광은, 접합 웨이퍼(1)의 직경 방향을 따르는 소정의 폭을 갖는다. 즉, 측정광은, 도 6에 나타낸 바와 같이, 접합 웨이퍼(1)의 직경 방향으로 연장되는 측정 범위(R)에 투광된다. 이 측정 범위(R)는 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면을 포함한다.The measurement light transmitted from the light transmitting portion 21 has a predetermined width along the radial direction of the bonded wafer 1. That is, as shown in FIG. 6, the measurement light is transmitted to the measurement range R extending in the radial direction of the bonded wafer 1. This measurement range R includes the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1.

집광 렌즈(23)는, 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면으로부터의 반사광을 집광한다. 수광 센서(25)는, 웨이퍼(2)의 직경 방향으로 길게 연장되도록 배치되어 있다. 수광 센서(25)는, 집광 렌즈(23)에 의해 집광된 반사광을 수광한다.The condenser lens 23 condenses reflected light from the outer circumferential upper surface of the bonding wafer 1. The light-receiving sensor 25 is arranged to extend long in the radial direction of the wafer 2. The light receiving sensor 25 receives the reflected light collected by the light collecting lens 23.

본 측정 장치에서는, 수광 센서(25)에 의해 수광된 반사광에 기초하여, 상면 높이 측정 수단(20)과 측정 범위(R) 내의 외주 상면 사이의 Z축 방향의 거리인 제1 거리가 구해진다. 그리고, 상면 높이 측정 수단(20)과 유지면(313) 사이의 Z축 방향의 거리인 소정의 제2 거리로부터 제1 거리를 빼는 것에 의해, 외주 상면의 높이, 즉 척 테이블(31)의 유지면(313)으로부터 외주 상면까지의 Z축 방향의 거리가 측정된다.In the present measuring device, the first distance, which is the distance in the Z-axis direction, between the upper surface height measuring means 20 and the outer circumferential upper surface in the measurement range R is obtained based on the reflected light received by the light receiving sensor 25. Then, by subtracting the first distance from a predetermined second distance that is the Z-axis distance between the upper surface height measuring means 20 and the holding surface 313, the height of the outer circumferential upper surface, that is, the chuck table 31 is maintained. The distance in the Z-axis direction from the surface 313 to the outer circumferential upper surface is measured.

또, 수광 센서(25)에 의한 높이 측정 방법으로는, 거리 측정 반사형 광전 센서에 관한 공지의 측정 방법을 적용하는 것이 가능하다.Moreover, as a height measurement method by the light-receiving sensor 25, it is possible to apply a known measurement method for a distance-measurement reflection type photoelectric sensor.

도 3에 나타낸 제어 수단(70)은, 여러가지 데이터 및 프로그램을 기억하는 기억 수단(71)을 구비하고 있다. 제어 수단(70)은, 각종 처리를 실행하고, 본 에지 트리밍 장치의 각 구성 요소를 통괄 제어한다.The control means 70 shown in Fig. 3 is provided with a storage means 71 for storing various data and programs. The control means 70 performs various processes and collectively controls each component of the edge trimming device.

예를 들면, 제어 수단(70)에는, 각종 검출기(도시하지 않음)로부터의 검출 결과가 입력된다. 또한, 제어 수단(70)은, 절삭 이송 기구(11), 상면 높이 측정 수단 이동 기구(18) 및 유지 수단(30)을 제어하여, 상면 높이 측정 수단(20)의 측정 범위(R)를 결정하고, 외주 상면 높이의 측정을 실시한다.For example, detection results from various detectors (not shown) are input to the control means 70. Further, the control means 70 controls the cutting feed mechanism 11, the upper surface height measuring means moving mechanism 18, and the holding means 30 to determine the measurement range R of the upper surface height measuring means 20 Then, the height of the outer circumferential upper surface is measured.

또한, 제어 수단(70)은, 절삭 이송 기구(11), 절삭 수단 이동 기구(13), 유지 수단(30) 및 절삭 수단(6)을 제어하여, 접합 웨이퍼(1)에 대한 절삭 블레이드(63)에 의한 절삭 가공(에지 트리밍)을 실시한다. 이때, 제어 수단(70)은, 제1 Z축 방향 이동 수단(16)을 제어하여 절삭 블레이드(63)의 높이를 설정한다.In addition, the control means 70 controls the cutting feed mechanism 11, the cutting means moving mechanism 13, the holding means 30, and the cutting means 6, so that the cutting blade 63 for the bonded wafer 1 ) To perform cutting (edge trimming). At this time, the control means 70 controls the first Z-axis direction moving means 16 to set the height of the cutting blade 63.

다음으로, 본 에지 트리밍 장치의 동작에 관해 설명한다.Next, the operation of the present edge trimming device will be described.

(1) 외주 상면의 높이의 측정 공정(1) Process of measuring the height of the outer circumferential upper surface

이 공정에서는, 우선 도 7에 나타낸 바와 같이, 사용자에 의해, 접합 웨이퍼(1)의 지지 기판(3)이 척 테이블(31)의 유지면(313)에 접하도록, 접합 웨이퍼(1)가 유지면(313)에 배치된다. 그 후, 도시하지 않은 흡인원으로부터의 흡인력에 의해, 유지면(313)에 부압이 생긴다. 유지면(313)은, 이 부압에 의해 지지 기판(3)의 이면(3b)을 흡인 유지한다. 이것에 의해, 접합 웨이퍼(1)가, 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 위를 향해 노출시킨 상태로 유지면(313)에 흡착 유지된다.In this step, first, as shown in FIG. 7, the bonded wafer 1 is held by the user so that the supporting substrate 3 of the bonded wafer 1 is in contact with the holding surface 313 of the chuck table 31. It is arranged on the face 313. Thereafter, a negative pressure is generated on the holding surface 313 by the suction force from the suction source (not shown). The holding surface 313 sucks and holds the back surface 3b of the support substrate 3 by this negative pressure. Thereby, the bonded wafer 1 is adsorbed and held by the holding surface 313 in a state where the back surface 2b of the wafer 2 is exposed upward.

다음으로, 사용자의 지시에 따라서, 제어 수단(70)(도 3 참조)이, 절삭 이송 기구(11) 및 상면 높이 측정 수단 이동 기구(18)를 제어하여, 유지면(313)에 유지된 접합 웨이퍼(1)에 대한 상면 높이 측정 수단(20)의 위치, 즉 상면 높이 측정 수단(20)의 측정 범위(R)를 설정한다.Next, according to the user's instruction, the control means 70 (see Fig. 3) controls the cutting feed mechanism 11 and the upper surface height measuring means moving mechanism 18 to be held on the holding surface 313 The position of the top surface height measuring means 20 with respect to the wafer 1, that is, the measuring range R of the top surface height measuring means 20 is set.

그 후, 제어 수단(70)이, 유지 수단(30)의 모터(317)를 제어하여, 회전축(315)을, 예를 들면 도 7에 나타내는 화살표 C 방향으로 회전시킨다. 이것에 의해, 접합 웨이퍼(1)를 유지하고 있는 척 테이블(31)[유지면(313)]이 회전축(315)과 함께 회전하여, 접합 웨이퍼(1)가 상면 높이 측정 수단(20)에 대하여 회전된다.Thereafter, the control means 70 controls the motor 317 of the holding means 30 to rotate the rotation shaft 315 in the direction of the arrow C shown in FIG. 7, for example. Thereby, the chuck table 31 (holding surface 313) holding the bonded wafer 1 rotates with the rotating shaft 315, so that the bonded wafer 1 with respect to the upper surface height measuring means 20 Is rotated.

회전축(315)이 회전되면, 인코더(319)가 차례대로 회전축(315)의 회전 각도를 검출하여 제어 수단(70)에 전달한다. 또, 척 테이블(31)의 유지면(313)에 배치된 접합 웨이퍼(1)도, 회전축(315)과 함께 회전하기 때문에, 회전축(315)의 회전 각도는 접합 웨이퍼(1)의 회전 각도이기도 하다.When the rotation shaft 315 is rotated, the encoder 319 sequentially detects the rotation angle of the rotation shaft 315 and transmits it to the control means 70. In addition, since the bonded wafer 1 disposed on the holding surface 313 of the chuck table 31 also rotates with the rotating shaft 315, the rotating angle of the rotating shaft 315 is also the rotating angle of the bonded wafer 1 Do.

외주 상면의 높이 측정에서는, 제어 수단(70)은, 상면 높이 측정 수단(20)의 투광부(21)(도 5 참조)를 제어하여, 도 7에 나타내는 측정 범위(R)에 측정광을 투광시킨다. 측정광은, 측정 범위(R)에서의 웨이퍼(2)의 외주 상면에 의해 반사된다. 반사광은, 집광 렌즈(23)를 통해 수광 센서(25)에 수광된다.In the measurement of the height of the outer circumferential upper surface, the control means 70 controls the light-transmitting portion 21 (see FIG. 5) of the upper surface height measuring means 20 to emit the measurement light in the measurement range R shown in FIG. 7. Order. The measurement light is reflected by the outer circumferential upper surface of the wafer 2 in the measurement range R. The reflected light is received by the light receiving sensor 25 through the condensing lens 23.

제어 수단(70)은, 수광 센서(25)에 수광된 반사광에 기초하여, 측정 범위(R) 내의 외주 상면의 높이를 구한다.The control means 70 obtains the height of the outer circumferential upper surface within the measurement range R based on the reflected light received by the light receiving sensor 25.

또, 측정되는 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면의 높이는, 접합 웨이퍼(1)의 회전 각도의 변화[측정 범위(R)의 변화]에 따라서 변동한다. 즉, 접합 웨이퍼(1)를 구성하는 지지 기판(3)의 면내 두께에는 변동이 있다. 이 때문에, 웨이퍼(2)의 이면(2b) 및 지지 기판(3)의 이면(3b)은, 면내 두께의 변동에 따른 요철을 갖고 있다. 따라서, 측정되는 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면의 높이는, 이 요철로 인해 측정 범위(R)의 변화에 따라서 변동한다.In addition, the height of the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 to be measured fluctuates according to the change in the rotation angle of the bonded wafer 1 (change in the measurement range R). That is, the in-plane thickness of the supporting substrate 3 constituting the bonded wafer 1 varies. For this reason, the back surface 2b of the wafer 2 and the back surface 3b of the support substrate 3 have irregularities due to fluctuations in the in-plane thickness. Therefore, the height of the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 to be measured fluctuates according to the change in the measurement range R due to the unevenness.

제어 수단(70)은, 접합 웨이퍼(1)가 1회전할 때까지, 상면 높이 측정 수단(20)에 의한 외주 상면의 높이 측정을 실시한다. 그리고, 제어 수단(70)은, 인코더(319)에 의해 검출된 회전축(315)의 회전 각도와, 각 회전 각도에서 측정된 외주 상면의 높이를 대응시킨 대응 데이터를 생성하여, 기억 수단(71)에 기억한다.The control means 70 measures the height of the outer circumferential upper surface by the upper surface height measuring means 20 until the bonding wafer 1 rotates once. Then, the control means 70 generates corresponding data that correlates the rotation angle of the rotation shaft 315 detected by the encoder 319 with the height of the outer circumferential upper surface measured at each rotation angle, and the storage means 71 To remember.

(2) 에지 트리밍 공정(2) Edge trimming process

이 공정에서는, 제어 수단(70)은, 절삭 블레이드(63)의 높이를 조정하면서, 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면을 절삭하는 것에 의해, 웨이퍼(2)의 면취부(4)(도 2 참조)를 제거한다.In this process, the control means 70 cuts the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 while adjusting the height of the cutting blade 63, so that the chamfer 4 of the wafer 2 (see FIG. 2) ).

이 공정에 관해, 제어 수단(70)은, 사전에 제1 Z축 방향 이동 수단(16) 등을 제어하여, 절삭 블레이드(63)의 하단을 척 테이블(31)의 유지면(313)에 접촉시킨다. 또한, 제어 수단(70)은, 이때의 절삭 블레이드(63)의 높이(Z 방향을 따르는 위치)를 절삭 블레이드(63)의 높이의 원점으로서 설정한다. 즉, 본 실시형태에서는, 절삭 블레이드(63)의 높이는, 절삭 블레이드(63)와 절삭 블레이드(63)의 유지면(313) 사이의 Z 방향을 따르는 거리이다.With regard to this process, the control means 70 controls the first Z-axis direction moving means 16 and the like in advance to contact the lower end of the cutting blade 63 with the holding surface 313 of the chuck table 31. Order. In addition, the control means 70 sets the height (the position along the Z direction) of the cutting blade 63 at this time as the origin of the height of the cutting blade 63. That is, in this embodiment, the height of the cutting blade 63 is a distance along the Z direction between the cutting blade 63 and the holding surface 313 of the cutting blade 63.

에지 트리밍 공정에서는, 우선 제어 수단(70)은, 절삭 이송 기구(11) 및 제1 Y축 방향 이동 수단(12)(도 3 참조)을 제어하여, 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 유지면(313)에 유지되어 있는 접합 웨이퍼(1)에 대한 절삭 블레이드(63)의 위치(XY 면내에서의 위치)를, 절삭 블레이드(63)가 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면 위에 배치되도록 설정한다. 또한, 제어 수단(70)은, 절삭 수단(6)의 모터를 제어하여, 스핀들(60)을 통해 절삭 블레이드(63)를 회전시킨다.In the edge trimming process, first, the control means 70 controls the cutting feed mechanism 11 and the first Y-axis direction moving means 12 (refer to FIG. 3) and holds as shown in FIGS. 6 and 7 The position of the cutting blade 63 with respect to the bonded wafer 1 held on the surface 313 (the position in the XY plane) is set such that the cutting blade 63 is disposed on the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1. . In addition, the control means 70 controls the motor of the cutting means 6 to rotate the cutting blade 63 through the spindle 60.

또한, 제어 수단(70)은, 유지 수단(30)의 모터(317)를 제어하여, 회전축(315)을, 예를 들면 도 7에 나타내는 화살표 C 방향으로 회전시킨다. 이것에 의해, 접합 웨이퍼(1)를 유지하고 있는 유지면(313)이 회전축(315)과 함께 회전하여, 접합 웨이퍼(1)가 절삭 블레이드(63)에 대하여 회전된다.Further, the control means 70 controls the motor 317 of the holding means 30 to rotate the rotation shaft 315 in the direction of the arrow C shown in FIG. 7, for example. Thereby, the holding surface 313 holding the bonded wafer 1 rotates with the rotating shaft 315, and the bonded wafer 1 is rotated relative to the cutting blade 63.

회전축(315)이 회전되면, 인코더(319)가 차례대로 회전축(315)의 회전 각도를 검출하여 제어 수단(70)에 전달한다.When the rotation shaft 315 is rotated, the encoder 319 sequentially detects the rotation angle of the rotation shaft 315 and transmits it to the control means 70.

제어 수단(70)은, 기억 수단(71)에 기억되어 있는 대응 데이터로부터, 인코더(319)에 의해 검출된 회전 각도에 대응하는 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면 높이를 호출한다. 그리고, 제어 수단(70)은, 제1 Z축 방향 이동 수단(16)을 제어하여 절삭 블레이드(63)를 상하 이동시키는 것에 의해, 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면에 대한 절삭 블레이드(63)의 절입 깊이가 대략 일정해지도록, 절삭 블레이드(63)의 높이를, 호출한 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면 높이에 따른 높이로 설정한다.The control means 70 calls the height of the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 corresponding to the rotation angle detected by the encoder 319 from the corresponding data stored in the storage means 71. And the control means 70 moves the cutting blade 63 up and down by controlling the 1st Z-axis direction moving means 16, so that the cutting blade 63 with respect to the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 is moved. The height of the cutting blade 63 is set to a height corresponding to the height of the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 so that the depth of cut is substantially constant.

이와 같이 하여, 제어 수단(70)은, 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면에 대한 절삭 블레이드(63)의 절입 깊이가 대략 일정해지도록 절삭 블레이드(63)의 높이를 조정하면서, 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면을 절삭해 간다. 그리고, 제어 수단(70)은, 최종적으로는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 절삭 블레이드(63)의 높이를, 접착 부재(J)가 약간 깎이는 정도의 위치까지 낮춘다. 이것에 의해, 웨이퍼(2)의 면취부(4)가 절제된다.In this way, the control means 70 adjusts the height of the cutting blade 63 so that the cutting depth of the cutting blade 63 with respect to the outer circumferential upper surface of the bonding wafer 1 becomes substantially constant, while the bonding wafer 1 The upper surface of the outer circumference is cut. Then, the control means 70 finally lowers the height of the cutting blade 63 to a position where the adhesive member J is slightly cut, as shown in FIG. 8. Thereby, the chamfering part 4 of the wafer 2 is excised.

이상과 같이, 본 에지 트리밍 장치에서는, 제어 수단(70)이, 인코더(319)에 의해 검출된 회전축(315)의 회전 각도와, 각 회전 각도에서 측정된 접합 웨이퍼(1)에서의 외주 상면의 높이를 대응시킨 대응 데이터를 생성하여, 기억 수단(71)에 기억한다. 이것에 의해, 제어 수단(70)은, 접합 웨이퍼(1)에서의 외주 상면의 높이의 변동을, 양호하게 파악하는 것이 가능하다.As described above, in the present edge trimming apparatus, the control means 70 includes the rotational angle of the rotating shaft 315 detected by the encoder 319 and the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 measured at each rotating angle. Corresponding data corresponding to the height is generated and stored in the storage means 71. Thereby, the control means 70 can grasp | ascertain the fluctuation of the height of the outer peripheral upper surface in the bonding wafer 1 favorably.

또한, 본 에지 트리밍 장치에서는, 제어 수단(70)은, 대응 데이터에 기초하여, 회전축(315)의 회전 각도에 대응하는 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면의 높이를 파악할 수 있다. 그리고, 제어 수단(70)은, 파악한 외주 상면의 높이에 따라서 절삭 블레이드(63)의 높이를 설정할 수 있다. 즉, 제어 수단(70)은, 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면에 대하여 절삭 블레이드(63)를 상하 이동시키는 것에 의해, 절삭 블레이드(63)의 높이를 조정할 수 있다.In addition, in the edge trimming apparatus, the control means 70 can grasp the height of the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 corresponding to the rotation angle of the rotation shaft 315 based on the corresponding data. And the control means 70 can set the height of the cutting blade 63 according to the height of the grasped outer peripheral upper surface. That is, the control means 70 can adjust the height of the cutting blade 63 by moving the cutting blade 63 up and down with respect to the outer circumferential upper surface of the bonding wafer 1.

이것에 의해, 본 에지 트리밍 장치에서는, 접합 웨이퍼(1)의 외주 상면에 대한 절삭 블레이드(63)의 절입 깊이를, 용이하게 대략 일정하게 할 수 있다. 그리고, 절삭 블레이드(63)의 절입 깊이를 대략 일정하게 하는 것에 의해, 절삭 블레이드(63)의 소모를 작게 할 수 있다.Thereby, in this edge trimming apparatus, the depth of cut of the cutting blade 63 with respect to the outer circumferential upper surface of the bonded wafer 1 can be easily made substantially constant. And, by making the cutting depth of the cutting blade 63 substantially constant, the consumption of the cutting blade 63 can be reduced.

또한, 본 실시형태에서는, 에지 트리밍 공정에서, 절삭 블레이드(63)의 높이가, 접착 부재(J)가 약간 깎일 정도의 위치까지 낮아진다. 이로 인해, 지지 기판(3)이 깎이는 것을 억제할 수 있기 때문에, 지지 기판(3)을 재이용하는 것이 가능하다.Moreover, in this embodiment, in the edge trimming process, the height of the cutting blade 63 is lowered to a position where the adhesive member J is slightly cut. For this reason, since the support substrate 3 can be suppressed from being cut, it is possible to reuse the support substrate 3.

또한, 절삭 블레이드(63)는, 접착 부재(J)가 약간 깎이는 위치로 낮아졌기 때문에, 절삭 블레이드(63)에 접착 부재(J)가 부착되어 절삭 불량을 발생시키는 일이 없다.In addition, since the cutting member 63 has been lowered to a position where the bonding member J is slightly cut, the bonding member J is not attached to the cutting blade 63 to cause a cutting failure.

또, 본 실시형태에서는, 외주 상면 높이의 측정 공정이, 제어 수단(70)의 제어에 의해 실시되고 있다. 그러나, 외주 상면 높이의 측정 공정은, 다른 외부의 제어 장치 혹은 사용자에 의한 제어에 의해 실시되어도 좋다.Moreover, in this embodiment, the measuring process of the outer peripheral upper surface height is performed by the control of the control means 70. However, the step of measuring the outer circumferential upper surface height may be performed by another external control device or control by a user.

또한, 에지 트리밍 공정에서의 절삭 개시시의 회전축(315)의 회전 각도(위치)는, 회전 각도의 원점으로부터 임의의 각도만큼 회전한 위치이어도 좋다.In addition, the rotation angle (position) of the rotation shaft 315 at the start of cutting in the edge trimming process may be a position rotated by an arbitrary angle from the origin of the rotation angle.

또한, 본 실시형태에서는, 웨이퍼(2)와 지지 기판(3)을 접합하기 위한 접합 부재로서 접착 부재(J)를 이용하고 있다. 이것 대신에, 접합 부재로서 3 ㎛ 정도의 두께를 갖는 산화막을 이용해도 좋다.Moreover, in this embodiment, the adhesive member J is used as a bonding member for bonding the wafer 2 and the supporting substrate 3. Instead of this, an oxide film having a thickness of about 3 μm may be used as the bonding member.

또한, 에지 트리밍 공정에서는, 절삭 블레이드(63)에 의해, 지지 기판(3)의 외주부, 즉, 지지 기판(3)에서의 웨이퍼(2)의 면취부(4)에 대응하는 부분이 절제되어도 좋다.Moreover, in the edge trimming process, the outer peripheral part of the support substrate 3, that is, the part corresponding to the chamfer 4 of the wafer 2 in the support substrate 3 may be cut off by the cutting blade 63. .

1 : 접합 웨이퍼 2 : 웨이퍼
3 : 지지 기판 4 : 면취부
7 : 외주 가장자리 6 : 절삭 수단
60 : 스핀들 61 : 하우징
63 : 절삭 블레이드 20 : 상면 높이 측정 수단
21 : 투광부 23 : 집광 렌즈
25 : 수광 센서 70 : 제어 수단
71 : 기억 수단 10 : 베이스
14 : 도어형 칼럼 11 : 절삭 이송 기구
13 : 절삭 수단 이동 기구 12 : 제1 Y축 방향 이동 수단
16 : 제1 Z축 방향 이동 수단 18 : 상면 높이 측정 수단 이동 기구
15 : 제2 Y축 방향 이동 수단 17 : 제2 Z축 방향 이동 수단
30 : 유지 수단 31 : 척 테이블
32 : 테이블 베이스 312 : 흡착부
313 : 유지면 314 : 프레임체
315 : 회전축 317 : 모터
319 : 인코더 J : 접착 부재
R : 측정 범위1: bonded wafer 2: wafer
3: support substrate 4: chamfer
7: Outer periphery 6: Cutting means
60: spindle 61: housing
63: cutting blade 20: upper surface height measuring means
21: light transmitting part 23: condensing lens
25: light receiving sensor 70: control means
71: memory means 10: base
14: door column 11: cutting feed mechanism
13: cutting means moving mechanism 12: first Y-axis direction moving means
16: first Z-axis direction moving means 18: upper surface height measuring means moving mechanism
15: second Y-axis direction moving means 17: second Z-axis direction moving means
30: holding means 31: chuck table
32: table base 312: adsorption unit
313: holding surface 314: frame body
315: rotating shaft 317: motor
319: Encoder J: Adhesive member
R: Measuring range

Claims (1)

외주 가장자리에 면취부를 갖는 웨이퍼와 지지 기판을 접합 부재로 접합한 접합 웨이퍼의 상기 면취부를 절삭 블레이드로 절삭하는 에지 트리밍 장치로서,
상기 지지 기판에 접촉하여 상기 접합 웨이퍼를 유지하는 유지면을 갖는 유지 수단과,
상기 절삭 블레이드를 선단에 장착한 스핀들을 회전시켜, 상기 유지면에 유지된 상기 접합 웨이퍼의 상기 면취부를 절삭하는 절삭 수단과,
상기 유지면에 대하여 수직인 Z축 방향으로 상기 절삭 수단을 이동시키는 Z축 방향 이동 수단과,
상기 유지면에 유지된 상기 접합 웨이퍼의 상면측으로부터, 상기 접합 웨이퍼의 외주 상면의 높이를 측정하는 상면 높이 측정 수단과,
기억 수단과,
제어 수단
을 구비하고,
상기 유지 수단은,
상기 유지면을 갖는 척 테이블과,
상기 유지면의 중심을 축심으로 하여 상기 척 테이블에 연결된 회전축과,
상기 회전축을 회전시키는 모터와,
상기 회전축의 회전 각도를 검출하는 인코더
를 구비하고,
상기 기억 수단은, 상기 회전축의 회전시에, 상기 인코더에 의해 검출된 회전 각도와, 상기 회전 각도에서 상기 상면 높이 측정 수단에 의해 측정된 외주 상면 높이를 대응시킨 대응 데이터를 기억하고,
상기 제어 수단은, 상기 회전축을 회전시켜, 상기 인코더에 의해 검출된 회전 각도에 대응하는 상기 외주 상면 높이를 상기 대응 데이터로부터 호출하고, 호출한 상기 외주 상면 높이에 따라서 상기 절삭 블레이드의 높이를 설정하는 것인 에지 트리밍 장치.An edge trimming device for cutting the chamfered portion of a bonded wafer in which a wafer having a chamfered portion on an outer circumferential edge and a supporting substrate are joined with a bonding member,
A holding means having a holding surface for holding the bonded wafer in contact with the supporting substrate,
A cutting means for rotating the spindle equipped with the cutting blade at the tip, and cutting the chamfered portion of the bonded wafer held on the holding surface;
Z-axis movement means for moving the cutting means in the Z-axis direction perpendicular to the holding surface,
Upper surface height measurement means for measuring a height of an outer circumferential upper surface of the bonded wafer from an upper surface side of the bonded wafer held on the holding surface;
Memory means,
Control
Equipped with,
The holding means,
A chuck table having the holding surface,
A rotating shaft connected to the chuck table with the center of the holding surface as an axis;
A motor for rotating the rotating shaft,
Encoder to detect the rotation angle of the rotating shaft
Equipped with,
The storage means stores corresponding data corresponding to the rotation angle detected by the encoder and the outer circumferential upper surface height measured by the upper surface height measurement means at the rotation angle when the rotation shaft is rotated,
The control means rotates the rotating shaft to call the outer circumferential upper surface height corresponding to the rotation angle detected by the encoder from the corresponding data, and sets the height of the cutting blade according to the called outer circumferential upper surface height Edge trimming device.
KR1020190106581A 2018-09-12 2019-08-29 Edge trimming apparatus KR20200030450A (en)

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