KR20200030276A - LED module - Google Patents

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Abstract

The present invention provides an LED module which can prevent cracks or destruction in accordance with use of a large-sized ceramic substrate on which a plurality of LED light sources are mounted in a discrete chip form. The LED module comprises: a conductive layer having one surface thereof bonded to a heat sink via a bonding layer by brazing; a ceramic substrate having one surface thereof on which a plurality of LED packages of a discrete chip form are mounted; and a buffer layer formed between the conductive layer and the ceramic substrate and bonding the conductive layer and the ceramic substrate.

Description

엘이디 모듈{LED module}LED module {LED module}

본 발명은 엘이디 모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다수개의 엘이디 광원이 디스크리트 칩(Discrete chip) 형태로 실장된 대형의 세라믹 기판을 포함하는 엘이디 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to an LED module, and more particularly, to an LED module including a large ceramic substrate in which a plurality of LED light sources are mounted in the form of a discrete chip.

일반적으로, 발광 다이오드(이하 'LED'라 한다)는 기본적으로 p형과 n형 반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭(bandgap)에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자(photoelectronic device)이다.In general, a light emitting diode (hereinafter referred to as 'LED') basically consists of a junction of a p-type and an n-type semiconductor, and when a voltage is applied, the energy corresponding to the bandgap of the semiconductor is lighted by the combination of electrons and holes. It is a kind of photoelectronic device (photoelectronic device) that emits in the form of.

이와 같은 LED는 후레쉬용 고휘도 광원, 휴대용 전자제품(휴대폰, 캠코더, 디지털 카메라 및 PDA)에 사용되는 액정 디스플레이(LCD)의 후 광원(back light), 전광판용 광원, 조명 및 스위치 조명 광원, 표시등, 교통 신호등의 광원으로 그 사용 범위가 날로 확대되고 있다.Such LEDs are high-brightness light sources for flashlights, back light of liquid crystal displays (LCDs) used in portable electronic products (mobile phones, camcorders, digital cameras, and PDAs), light sources for billboards, light sources for lighting and switches, and indicator lights As a light source for traffic lights, the range of use is expanding day by day.

이러한 LED는 정보 통신 기기의 소형화와 슬림화 등의 추세에 따라 표면 실장 기술(Surface Mount Technology; SMT)을 이용하여 실장 되는 표면 실장 소자(Surface Mount Device ; SMD)형으로 개발되었다.These LEDs have been developed as a surface mount device (SMD) type that is mounted using a surface mount technology (SMT) according to trends such as miniaturization and slimness of information and communication devices.

도 1은 다수의 LED 패키지(1)를 디스크리트 칩(Discrete chip) 형태로 세라믹 기판(10)에 실장시킨 경우를 보여준다. FIG. 1 shows a case in which a plurality of LED packages 1 are mounted on a ceramic substrate 10 in the form of a discrete chip.

조명에 필요한 LED 모듈을 제작하고자 하는 측은 COB(Chip On Board) 방식의 LED 패키지가 실장된 세라믹 기판을 원하기도 하지만, 필요에 따라서는 도 1과 같이 디스크리트 칩 형태로 다수의 LED 패키지(1)가 실장된 세라믹 기판(10)을 원하기도 한다.The side who wants to manufacture the LED module required for lighting may want a ceramic substrate on which a COB (Chip On Board) type LED package is mounted, but if necessary, a plurality of LED packages 1 in the form of a discrete chip as shown in FIG. Sometimes, a mounted ceramic substrate 10 is desired.

보통, 대형 사이즈(예컨대, 100 mm*100 mm 이상인 경우)의 LED 모듈을 제작하기 위해서는 도 1과 같이 디스크리트 칩 형태로 다수의 LED 패키지(1)가 실장된 세라믹 기판(10)을 사용하는 경우가 많다.Usually, in order to manufacture a large size (for example, 100 mm * 100 mm or more) LED module, there is a case where a ceramic substrate 10 in which a plurality of LED packages 1 are mounted in a discrete chip form as shown in FIG. 1 is used. many.

도 1과 같이 디스크리트 칩 형태로 다수의 LED 패키지(1)가 실장된 세라믹 기판(10)을 사용하여 제작된 대형의 LED 모듈은, 도 2에서와 같이 브레이징(brazing)을 통해 히트 싱크(HS)에 접하는 전도판(30), 및 일면이 솔더링(soldering)을 통해 전도판(30)에 접하며 타면에는 디스크리트 칩(Discrete chip) 형태로 다수개의 LED 패키지(1)가 실장된 세라믹 기판(10)을 포함할 수 있다.A large-sized LED module manufactured using a ceramic substrate 10 in which a plurality of LED packages 1 are mounted in a discrete chip form as shown in FIG. 1 is a heat sink (HS) through brazing as shown in FIG. 2. Conductive plate 30 in contact with, and one surface is in contact with the conductive plate 30 through soldering (soldering) and the other side of the ceramic substrate 10 mounted with a plurality of LED packages (1) in the form of a discrete chip (Discrete chip) It can contain.

도 2의 LED 모듈을 사용하는 중(즉, LED 패키지(10)가 빛을 방출하는 경우)에는 LED 패키지(10)로부터의 열로 인해 LED 모듈이 팽창하고, 이후 LED 모듈을 사용하지 않는 경우(즉, LED 패키지(10)가 빛을 방출하지 않는 경우)에는 LED 모듈이 원래의 사이즈로 수축하게 된다.In the case of using the LED module of FIG. 2 (that is, when the LED package 10 emits light), the LED module expands due to heat from the LED package 10 and thereafter, when the LED module is not used (ie , When the LED package 10 does not emit light), the LED module shrinks to its original size.

도 2에 도시된 LED 모듈의 경우 히트 싱크(HS)와 전도판(20) 및 솔더링의 열팽창계수는 크고, 세라믹 기판(10)의 열팽창계수는 작다.In the case of the LED module illustrated in FIG. 2, the thermal expansion coefficient of the heat sink HS, the conductive plate 20 and soldering is large, and the thermal expansion coefficient of the ceramic substrate 10 is small.

그에 따라, 상기에서 설명한 LED 모듈의 팽창의 경우 도 3에서와 같이 LED 모듈이 휘어지게 된다. 이때, 세라믹 기판(10)이 소형인 경우(예컨대, 50 mm*50 mm 이내인 경우)에는 팽창으로 인한 문제가 거의 없다. Accordingly, in the case of expansion of the LED module described above, the LED module is bent as shown in FIG. 3. At this time, when the ceramic substrate 10 is small (for example, within 50 mm * 50 mm), there is almost no problem due to expansion.

그러나, 세라믹 기판(10)이 대형인 경우(예컨대, 100 mm*100 mm 이상인 경우)에는 세라믹 기판(10)은 다른 구성요소(즉, 히트 싱크(HS), 전도판(20), 솔더링)에 비해 열팽창계수가 작기 때문에 LED 모듈을 장시간 사용하다 보면 세라믹 기판(10)이 파괴되거나 크랙이 발생된다. However, when the ceramic substrate 10 is large (for example, 100 mm * 100 mm or more), the ceramic substrate 10 may be attached to other components (ie, heat sink (HS), conductive plate 20, soldering). Compared to this, since the thermal expansion coefficient is small, when the LED module is used for a long time, the ceramic substrate 10 is destroyed or cracks are generated.

선행기술 1 : 대한민국 등록특허 제10-0173782호(전기 또는 전자회로의 성형에 사용되는 세라믹기판)Prior art 1: Republic of Korea Registered Patent No. 10-0173782 (ceramic substrate used for molding of electric or electronic circuit) 선행기술 2 : 대한민국 등록특허 제10-1053141호(인쇄회로기판의 휨을 억제하는 더미 패턴 설계 방법)Prior art 2: Republic of Korea Patent No. 10-1053141 (dummy pattern design method to suppress bending of printed circuit board)

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 다수개의 엘이디 광원이 디스크리트 칩(Discrete chip) 형태로 실장된 대형 사이즈의 세라믹 기판의 사용에 따른 크랙 또는 파괴를 방지할 수 있는 엘이디 모듈을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-described conventional problems, a plurality of LED light source is mounted in the form of a discrete chip (Discrete chip) LED module that can prevent cracking or destruction due to the use of a large size ceramic substrate The purpose is to provide.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시양태에 따른 엘이디 모듈은, 일면이 브레이징에 의한 접합층을 매개로 히트 싱크에 접합된 전도층; 디스크리트 칩(Discrete chip) 형태의 다수개의 LED 패키지가 일면에 실장된 세라믹 기판; 및 상기 전도층과 상기 세라믹 기판 사이에 형성되어 상기 전도층과 상기 세라믹 기판을 접합시키는 버퍼층;을 포함한다.In order to achieve the above object, the LED module according to a preferred embodiment of the present invention, one side of the conductive layer bonded to the heat sink via a bonding layer by brazing; A ceramic substrate in which a plurality of LED packages in the form of discrete chips are mounted on one surface; And a buffer layer formed between the conductive layer and the ceramic substrate to bond the conductive layer and the ceramic substrate.

상기 버퍼층은 열경화성 접착제로 이루어질 수 있다.The buffer layer may be formed of a thermosetting adhesive.

상기 전도층은, 상기 버퍼층을 매개로 상기 세라믹 기판에 접합되는 제 1 전도층; 및 상기 브레이징에 의한 접합층을 매개로 상기 히트 싱크에 접합되는 제 2 전도층;을 포함하고, 상기 제 1 전도층과 상기 제 2 전도층은 솔더링에 의한 접합층을 매개로 상호 접합될 수 있다.The conductive layer may include a first conductive layer bonded to the ceramic substrate via the buffer layer; And a second conductive layer that is bonded to the heat sink via a bonding layer by brazing. The first conductive layer and the second conductive layer may be bonded to each other through a bonding layer by soldering. .

상기 세라믹 기판은 세라믹(Al2O3) 소재로 된 기판 또는 열전도성 세라믹 시트로 된 기판일 수 있다.The ceramic substrate may be a substrate made of a ceramic (Al 2 O 3 ) material or a substrate made of a thermally conductive ceramic sheet.

상기 세라믹 기판(40)은 100 mm*100 mm 이상의 기판일 수 있다.The ceramic substrate 40 may be a substrate of 100 mm * 100 mm or more.

이러한 구성의 본 발명에 따르면, LED 모듈의 사용시 전도층이 수축 및 팽창함에 따라 버퍼층이 함께 수축 및 팽창될 뿐, 세라믹 기판은 수축 및 팽창이 거의 없이 가만히 있을 수 있게 되어 세라믹 기판의 크랙 또는 파괴를 막을 수 있게 된다.According to the present invention of such a configuration, when the LED module is used, as the conductive layer contracts and expands, the buffer layer contracts and expands together, and the ceramic substrate can remain still with little contraction and expansion, thereby preventing cracking or destruction of the ceramic substrate. It can be prevented.

도 1은 다수의 LED 패키지가 디스크리트 칩(Discrete chip) 형태로 세라믹 기판(10)에 실장된 모습을 보여주는 도면이다.
도 2는 종래의 LED 모듈의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 종래의 LED 모듈의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 LED 모듈의 구성을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view showing a state in which a plurality of LED packages are mounted on a ceramic substrate 10 in the form of a discrete chip.
2 is a view for explaining an example of a conventional LED module.
3 is a view for explaining the problem of the conventional LED module.
4 is a view for explaining the configuration of the LED module according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다.The present invention can be applied to various changes and may have various embodiments, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail.

그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "include" or "have" are intended to indicate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof described herein, one or more other features. It should be understood that the existence or addition possibilities of fields or numbers, steps, operations, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person skilled in the art to which the present invention pertains. Terms, such as those defined in a commonly used dictionary, should be interpreted as having meanings consistent with meanings in the context of related technologies, and should not be interpreted as ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present application. Does not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명을 설명함에 있어 전체적인 이해를 용이하게 하기 위하여 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In order to facilitate the overall understanding in describing the present invention, the same reference numerals are used for the same components in the drawings, and duplicate descriptions for the same components are omitted.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 LED 모듈의 구성을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the configuration of the LED module according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 LED 모듈은, 일면이 브레이징에 의한 접합층(80)을 통해 히트 싱크(HS)에 접합된 전도층(100); 및 일면에는 디스크리트 칩(Discrete chip) 형태로 다수개의 LED 패키지(1)가 실장되고 타면은 버퍼층(60)을 매개로 전도층(100)의 타면에 접합된 세라믹 기판(40);을 포함한다.LED module according to an embodiment of the present invention, one side of the conductive layer 100 bonded to the heat sink (HS) through the bonding layer 80 by brazing; And a ceramic substrate 40 on one side in which a plurality of LED packages 1 are mounted in the form of a discrete chip and the other side is bonded to the other side of the conductive layer 100 via a buffer layer 60.

전도층(100)은 열전도율이 높은 구리(Cu)를 재료로 한다. The conductive layer 100 is made of copper (Cu) having high thermal conductivity.

전도층(100)은 단일의 전도층이어도 되고, 2개의 전도층으로 이루어져도 무방하다. 본 발명의 실시예에서는 전도층(100)을 2개의 전도층으로 한다. The conductive layer 100 may be a single conductive layer or two conductive layers. In the embodiment of the present invention, the conductive layer 100 is two conductive layers.

즉, 전도층(100)은 버퍼층(60)을 매개로 세라믹 기판(40)에 접합된 제 1 전도층(50), 및 접합층(80)을 통해 히트 싱크(HS)에 접합된 제 2 전도층(70)을 포함한다.That is, the conductive layer 100 is the first conductive layer 50 bonded to the ceramic substrate 40 via the buffer layer 60, and the second conductive layer bonded to the heat sink HS through the bonding layer 80 Layer 70.

한편, 제 1 전도층(50)과 제 2 전도층(70)은 솔더링에 의한 접합층(90)을 매개로 상호 접합된다. Meanwhile, the first conductive layer 50 and the second conductive layer 70 are mutually bonded through the bonding layer 90 by soldering.

세라믹 기판(40)은 세라믹(Al2O3) 소재로 된 기판일 수 있고, 필요에 따라서는 열전도성 세라믹 시트로 된 기판일 수도 있다.The ceramic substrate 40 may be a substrate made of a ceramic (Al 2 O 3 ) material, or, if necessary, a substrate made of a thermally conductive ceramic sheet.

특히, 세라믹 기판(40)은 100 mm*100 mm 이상의 대형의 기판으로서, 다수개의 LED 패키지(10)가 디스크리트 칩(Discrete chip) 형태로 실장된 기판이다. In particular, the ceramic substrate 40 is a large-sized substrate of 100 mm * 100 mm or more, and is a substrate in which a plurality of LED packages 10 are mounted in the form of a discrete chip.

버퍼층(60)은 열경화성 접착제(예컨대, 서멀 본드(thermal bond))로 이루어질 수 있다. The buffer layer 60 may be formed of a thermosetting adhesive (eg, thermal bond).

여기서, 버퍼층(60)은 금속인 전도층(100)에 비해 말랑말랑하므로, LED 모듈의 사용시 전도층(100)이 수축 및 팽창하더라도 버퍼층(60)이 전도층(100)을 충분히 잡아줄 수 있다. 이에 의해, LED 모듈의 사용시 전도층(100)이 수축 및 팽창함에 따라 버퍼층(60)이 함께 수축 및 팽창될 뿐, 세라믹 기판(40)은 수축 및 팽창이 거의 없이 가만히 있을 수 있게 되어 세라믹 기판(40)의 크랙 또는 파괴를 막을 수 있게 된다.Here, since the buffer layer 60 is softer than the conductive layer 100, which is a metal, the buffer layer 60 can sufficiently hold the conductive layer 100 even when the conductive layer 100 contracts and expands when the LED module is used. . Accordingly, when the LED module is used, as the conductive layer 100 contracts and expands, the buffer layer 60 contracts and expands together, and the ceramic substrate 40 can remain still with little contraction and expansion. 40) to prevent cracking or destruction.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 LED 모듈은 하기와 같은 공정으로 제작할 수 있다. The LED module according to the embodiment of the present invention as described above can be manufactured by the following process.

먼저, 디스크리트 칩(Discrete chip) 형태로 다수개의 LED 패키지(1)가 일면에 실장된 세라믹 기판(40)과 제 1 전도층(50)을 버퍼층(60)을 매개로 서로 접합시켜 둔다. 예를 들어, 세라믹 기판(40)의 타면에 서멀 본드(버퍼층(60)이 될 수 있음)를 골고루 바른 후에 제 1 전도층(50)과 접합시키거나, 반대로 제 1 전도층(50)의 일면에 서멀 본드(버퍼층(60)이 될 수 있음)를 골고루 바른 후에 세라믹 기판(40)과 접합시킬 수 있다. First, a plurality of LED packages 1 in the form of a discrete chip are mounted on one surface, and the ceramic substrate 40 and the first conductive layer 50 are bonded to each other via the buffer layer 60 as a medium. For example, after the thermal bond (which may be the buffer layer 60) is evenly applied to the other surface of the ceramic substrate 40, it is bonded to the first conductive layer 50 or, conversely, one surface of the first conductive layer 50 After the thermal bond (which may be the buffer layer 60) is evenly applied, it can be bonded to the ceramic substrate 40.

한편, 히트 싱크(HS)와 제 2 전도층(70)을 접합층(80)을 통해 서로 접합시켜 둔다. 여기서, 접합층(80)은 브레이징(brazing)에 의해 형성되는 층이다. 브레이징은 접합 모재(즉, 제 2 전도층(70)과 히트 싱크(HS))를 거의 용융시키지 않고 삽입 금속(즉, 브레이징 용가제)을 용융시켜 브레이징층(80)(즉, 접합면)을 형성한다. 이와 같이 브레이징 접합 방식을 사용하게 되면 제 2 전도층(70)과 히트 싱크(HS)가 녹지 않고 브레이징 용가제만으로 용접되기 때문에 모재의 변형이나 잔류응력이 거의 없게 되고, 브레이징층(80)에 대한 기밀성 및 내부식성을 제공하게 된다.Meanwhile, the heat sink HS and the second conductive layer 70 are bonded to each other through the bonding layer 80. Here, the bonding layer 80 is a layer formed by brazing. Brazing melts the insert metal (i.e., brazing filler) with little melting of the bonding base material (i.e., the second conductive layer 70 and heat sink HS), thereby brazing the brazing layer 80 (i.e., bonding surface). To form. When the brazing bonding method is used as described above, since the second conductive layer 70 and the heat sink HS are not melted and welded only with a brazing solvent, there is almost no deformation or residual stress of the base material, and the brazing layer 80 is It provides airtightness and corrosion resistance.

상술한 바와 같이 제 1 전도층(50)을 세라믹 기판(40)과 접합시켜 두고, 제 2 전도층(70)을 히트 싱크(HS)와 접합시켜 두는 이유는 추후에 전도층(100)을 매개로 하는 히트 싱크(HS)와 세라믹 기판(40)간의 결합이 용이하도록 하기 위해서이다. The reason why the first conductive layer 50 is bonded to the ceramic substrate 40 and the second conductive layer 70 is bonded to the heat sink HS as described above is because the conductive layer 100 is mediated later. This is to facilitate the coupling between the heat sink (HS) and the ceramic substrate (40).

즉, 상기와 같이 제 1 전도층(50)과 접합된 세라믹 기판(40) 및 제 2 전도층(70)과 접합된 히트 싱크(HS)를 각각 마련한 후에는, 서로를 마주보게 한 후에 제 1 전도층(50)과 제 2 전도층(70)을 솔더링을 통해 서로 접합시킨다. 솔더링은 널리 알려진 바와 같이 땜납이나 플럭스를 이용할 수 있다. 그에 따라, 제 1 전도층(50)과 제 2 전도층(70) 사이에는 솔더링에 의해 접합층(90)이 형성된다.That is, after providing the ceramic substrate 40 bonded to the first conductive layer 50 and the heat sink HS bonded to the second conductive layer 70, as described above, after facing each other, the first The conductive layer 50 and the second conductive layer 70 are bonded to each other through soldering. Soldering can use solder or flux as is well known. Accordingly, a bonding layer 90 is formed between the first conductive layer 50 and the second conductive layer 70 by soldering.

이와 같은 공정에 따르면 도 4에 도시된 LED 모듈을 완성할 수 있다.According to this process, the LED module shown in FIG. 4 can be completed.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예에서 버퍼층(60)은 금속인 전도층(100)에 비해 말랑말랑하므로, LED 모듈의 사용시 전도층(100)이 수축 및 팽창하더라도 버퍼층(60)이 전도층(100)을 충분히 잡아줄 수 있다. 이에 의해, LED 모듈의 사용시 전도층(100)이 수축 및 팽창함에 따라 버퍼층(60)이 함께 수축 및 팽창될 뿐, 세라믹 기판(40)은 수축 및 팽창이 거의 없이 가만히 있을 수 있게 되어 세라믹 기판(40)의 크랙 또는 파괴를 막을 수 있게 된다.In the embodiment of the present invention as described above, since the buffer layer 60 is softer than the conductive layer 100, which is a metal, even when the conductive layer 100 contracts and expands when the LED module is used, the buffer layer 60 does not 100). Accordingly, when the LED module is used, as the conductive layer 100 contracts and expands, the buffer layer 60 contracts and expands together, and the ceramic substrate 40 can remain still with little contraction and expansion. 40) to prevent cracking or destruction.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적의 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, optimal embodiments have been disclosed in the drawings and specifications. Although specific terms are used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not used to limit the scope of the present invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will appreciate that various modifications and other equivalent embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined by the technical spirit of the appended claims.

1 : LED 패키지 40 : 세라믹 기판
50 : 제 1 전도층 60 : 버퍼층
70 : 제 2 전도층 80, 90 : 접합층
100 : 전도층 HS : 히트 싱크1: LED package 40: ceramic substrate
50: first conductive layer 60: buffer layer
70: second conductive layer 80, 90: bonding layer
100: conductive layer HS: heat sink

Claims (5)

일면이 브레이징에 의한 접합층을 매개로 히트 싱크에 접합된 전도층;
디스크리트 칩(Discrete chip) 형태의 다수개의 LED 패키지가 일면에 실장된 세라믹 기판; 및
상기 전도층과 상기 세라믹 기판 사이에 형성되어 상기 전도층과 상기 세라믹 기판을 접합시키는 버퍼층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈.A conductive layer having one surface bonded to a heat sink via a bonding layer by brazing;
A ceramic substrate in which a plurality of LED packages in the form of discrete chips are mounted on one surface; And
And a buffer layer formed between the conductive layer and the ceramic substrate to bond the conductive layer and the ceramic substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 버퍼층은 열경화성 접착제로 이루어지는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈.The method according to claim 1,
The LED module, characterized in that the buffer layer is made of a thermosetting adhesive. 청구항 1에 있어서,
상기 전도층은,
상기 버퍼층을 매개로 상기 세라믹 기판에 접합되는 제 1 전도층; 및
상기 브레이징에 의한 접합층을 매개로 상기 히트 싱크에 접합되는 제 2 전도층;을 포함하고,
상기 제 1 전도층과 상기 제 2 전도층은 솔더링에 의한 접합층을 매개로 상호 접합되는 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈.The method according to claim 1,
The conductive layer,
A first conductive layer bonded to the ceramic substrate via the buffer layer; And
Including; a second conductive layer bonded to the heat sink via the bonding layer by the brazing;
The LED module, characterized in that the first conductive layer and the second conductive layer are mutually bonded via a bonding layer by soldering. 청구항 1에 있어서,
상기 세라믹 기판은 세라믹(Al2O3) 소재로 된 기판 또는 열전도성 세라믹 시트로 된 기판인 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈.The method according to claim 1,
The ceramic substrate is an LED module characterized in that the substrate made of a ceramic (Al 2 O 3 ) material or a substrate made of a thermally conductive ceramic sheet. 청구항 1에 있어서,
상기 세라믹 기판(40)은 100 mm*100 mm 이상의 기판인 것을 특징으로 하는 엘이디 모듈.The method according to claim 1,
The LED module, characterized in that the ceramic substrate 40 is a substrate of 100 mm * 100 mm or more.
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