KR20200019582A - Method for processing workpiece - Google Patents

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Abstract

An objective of the present invention is to suppress occurrence of warpage of a workpiece. In an ultraviolet irradiation step, a resin layer (10) is formed by curing a liquid resin in a state lower than an environmental temperature of a rear side grinding step. In the rear side grinding step, a wafer (1) is ground after the temperature of the resin layer (10) is increased. According to a processing method of the present invention, radially outward expanding force (arrow D) is generated in the resin layer (10) due to thermal expansion of the resin layer (10), in addition to radially inward contracting force (arrow C), thereby being offset. Therefore, even if the wafer (1) is ground to be thinned, the tensioning of the wafer (1) by the resin layer (10) is suppressed so that the occurrence of warpage of the wafer (1) can be suppressed.

Description

피가공물의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING WORKPIECE}Processing method of workpiece {METHOD FOR PROCESSING WORKPIECE}

본 발명은, 피가공물의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a processing method of a workpiece.

반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 피가공물의 표면에, 격자형의 스트리트가 형성된다. 그리고, 스트리트에 의해 구획된 영역에, IC 혹은 LSI 등의 디바이스가 형성된다. 이들 피가공물은, 이면이 연삭되어 정해진 두께로 박화된다. 그 후, 절삭 장치 등에 의해, 피가공물이 스트리트를 따라 분할됨으로써, 개개의 반도체 디바이스 칩이 제조된다.In the manufacturing process of a semiconductor device, a lattice street is formed on the surface of a to-be-processed object. A device such as an IC or an LSI is formed in a region partitioned by the street. These to-be-processed objects are ground and thinned to predetermined thickness. Thereafter, the workpiece is divided along the street by a cutting device or the like, whereby individual semiconductor device chips are manufactured.

피가공물을 박화하기 위해, 그 이면을 연삭할 때, 피가공물의 표면에 형성된 디바이스를 보호할 필요가 있다. 이 때문에, 자외선의 조사를 받음으로써 경화되는 액상의 자외선 경화 수지에 의해, 피가공물의 표면을 피복하는 수법이 있다(특허문헌 1 참조).In order to thin the workpiece, when grinding the back side thereof, it is necessary to protect the device formed on the surface of the workpiece. For this reason, there exists a method of covering the surface of a to-be-processed object with the liquid ultraviolet curable resin hardened | cured by receiving ultraviolet irradiation (refer patent document 1).

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 2009-043931[Patent Document 1] Japanese Patent Publication 2009-043931

그러나, 자외선 경화 수지는, 자외선의 조사를 받음으로써 경화될 때에 수축되어 버린다. 그 때문에, 이면 연삭 후, 수축되는 자외선 경화 수지에 의해 피가공물이 인장됨으로써, 피가공물에 휨이 발생하는 경우가 있다. 피가공물의 휨은, 그 후의 공정에서, 반송 불량 및 피가공물의 균열 등의 문제를 초래할 가능성이 있다.However, the ultraviolet curable resin shrinks when cured by being irradiated with ultraviolet rays. Therefore, a warp may arise in a to-be-processed object by tensioning a to-be-processed object by the ultraviolet curable resin shrink | contracted after back surface grinding. The warping of the workpiece may cause problems such as poor conveyance and cracking of the workpiece in subsequent steps.

본 발명의 피가공물의 가공 방법(본 가공 방법)은, 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 디바이스가 형성된 피가공물의 이면을, 원하는 두께까지 연삭하는 피가공물의 가공 방법으로서, 상기 디바이스가 형성된 상기 표면측을 노출시키도록, 제1 유지 테이블의 제1 유지면에 의해 상기 피가공물을 흡착 유지하는 유지 단계와, 상기 피가공물의 상기 표면에, 자외선의 조사를 받음으로써 경화되는 액상 수지를 공급하고, 상기 피가공물의 상기 표면을 상기 수지로 피복하는 수지 피복 단계와, 상기 수지 피복 단계에서 상기 피가공물의 상기 표면을 피복한 상기 수지를, 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온의 상태에서 경화시켜 수지층을 형성하는 자외선 조사 단계와, 상기 자외선 조사 단계를 실시한 후, 상기 피가공물의 상기 표면을 제2 유지 테이블의 제2 유지면에 의해 흡착 유지하고, 상기 피가공물의 상기 이면의 연삭을 실시하는 이면 연삭 단계를 구비하여, 상기 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온의 상태에서 상기 수지를 경화시킴으로써, 상기 피가공물의 휨을 저감할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.The processing method (main processing method) of the workpiece of the present invention is a processing method of a workpiece that is divided by a plurality of division scheduled lines formed in a lattice shape and ground the back surface of the workpiece having a device formed thereon to a desired thickness. And a holding step of adsorbing and holding the workpiece by the first holding surface of the first holding table so as to expose the surface side on which the device is formed, and curing by being irradiated with ultraviolet light on the surface of the workpiece. A resin coating step of supplying a liquid resin to be coated, and coating the surface of the workpiece with the resin, and the resin covering the surface of the workpiece in the resin coating step is lower than the environmental temperature of the back surface grinding step. UV irradiation step of curing in the state of forming a resin layer, and after performing the ultraviolet irradiation step, the workpiece The surface is sucked and held by the second holding surface of the second holding table, and the back surface grinding step of grinding the back surface of the workpiece is provided, and the resin is lower than the environmental temperature of the back surface grinding step. By hardening, it is possible to reduce the warpage of the workpiece.

본 가공 방법에서는, 상기 수지 피복 단계는, 스핀 코트에 의해, 상기 피가공물의 상기 표면을 상기 수지에 의해 피복하는 것을 포함하여도 좋다.In the present processing method, the resin coating step may include coating the surface of the workpiece with the resin by spin coating.

본 가공 방법에서는, 자외선 조사 단계에서, 피가공물에 있어서의 표면 상의 액상 수지의 온도를, 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온으로 한 상태에서, 액상 수지를 경화시켜 수지층을 형성한다. 그 후의 이면 연삭 단계에서는, 수지층의 온도를 높이고 나서, 피가공물의 이면을 연삭한다.In the present processing method, in the ultraviolet irradiation step, the liquid resin is cured to form a resin layer in a state where the temperature of the liquid resin on the surface of the workpiece is lower than the environmental temperature of the back surface grinding step. In the subsequent back surface grinding step, the back surface of the workpiece is ground after raising the temperature of the resin layer.

본 가공 방법에서는, 자외선 조사 단계 후, 수지층에, 직경 방향 내향의 수축력이 생긴다. 이것은, 액상 수지가, 경화될 때에 수축되는 성질을 갖는 것에 기인한다. 또한, 본 가공 방법에서는, 이면 연삭 단계의 개시시까지, 수지층이, 자외선 조사 단계에서의 비교적 낮은 온도로부터, 이면 연삭 단계의 환경 온도로까지 상승된다. 그 결과, 수지층에, 직경 방향 외향의 팽창력이 생긴다. 이 팽창력은, 액상 수지가, 경화 후의 온도 상승에 따라 열팽창하는 성질도 갖는 것에 기인한다.In this processing method, the shrinkage force in the radial direction is generated in the resin layer after the ultraviolet irradiation step. This is because liquid resin has a property to shrink | contract when hardening. In the present processing method, the resin layer is raised from the relatively low temperature in the ultraviolet irradiation step to the environmental temperature in the back grinding step until the start of the back grinding step. As a result, the expansion force in radial direction outward arises in a resin layer. This expansion force is attributable to the fact that the liquid resin also has a property of thermal expansion as the temperature rises after curing.

이 때문에, 본 가공 방법에서는, 수지층에 있어서, 수축력과 팽창력이 상쇄된다. 따라서, 이후의 이면 연삭 단계에서 피가공물의 이면이 깎여, 피가공물이 박화되어도, 수지층에 의해 피가공물이 인장되는 것이 억제되기 때문에, 피가공물의 휨의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.For this reason, in this processing method, shrinkage force and expansion force cancel in the resin layer. Therefore, even if the back surface of the workpiece is shaved in the subsequent back surface grinding step and the workpiece is thinned, the work of the workpiece is prevented from being stretched by the resin layer, so that the occurrence of warping of the workpiece can be suppressed.

또한, 본 가공 방법의 상기 수지 피복 단계는, 스핀 코트에 의해, 상기 피가공물의 상기 표면을 상기 수지에 의해 피복하는 것을 포함하여도 좋다. 이것에 의해, 액상 수지에 의한 피복을 용이하게 실시할 수 있다.The resin coating step of the present processing method may include coating the surface of the workpiece with the resin by spin coating. Thereby, coating with liquid resin can be performed easily.

도 1은 본 실시형태에 따른 피가공물의 일례인 웨이퍼를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼의 단면도이다.
도 3은 유지 단계 및 수지 피복 단계에서 이용되는 피복 장치를 나타낸 설명도이다.
도 4는 수지 피복 단계의 실시양태를 나타낸 사시도이다.
도 5는 수지층을 구비한 웨이퍼를 나타낸 단면도이다.
도 6은 이면 연삭 단계에서의 연삭 장치 및 웨이퍼의 단면도이다.
도 7은 웨이퍼 상의 수지층에 생기는 수축력을 나타낸 설명도이다.
도 8은 수지층에 의해 인장되어 휨이 생긴 웨이퍼를 나타낸 설명도이다.
도 9는 웨이퍼 상의 수지층에 생기는 수축력 및 팽창력을 나타낸 설명도이다.
도 10은 도 9에 도시된 웨이퍼의 이면 연삭 후의 상태를 나타낸 설명도이다.
도 11은 웨이퍼에 생기는 휨량을 나타낸 설명도이다.1 is a perspective view showing a wafer as an example of the workpiece according to the present embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the wafer shown in FIG. 1.
3 is an explanatory view showing a coating apparatus used in the holding step and the resin coating step.
4 is a perspective view showing an embodiment of the resin coating step.
5 is a cross-sectional view showing a wafer with a resin layer.
6 is a cross-sectional view of the grinding apparatus and wafer in the back grinding step.
It is explanatory drawing which shows the shrinkage force which arises in the resin layer on a wafer.
8 is an explanatory view showing a wafer in which warpage occurs due to tension caused by the resin layer.
9 is an explanatory diagram showing shrinkage and expansion forces generated in the resin layer on the wafer.
10 is an explanatory diagram showing a state after back grinding of the wafer shown in FIG. 9.
11 is an explanatory diagram showing the amount of warpage generated in a wafer.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 피가공물의 일례인 웨이퍼(1)는, 예컨대, 원판형의 실리콘 기판이다. 웨이퍼(1)의 표면(2a)에는, 디바이스 영역(5) 및 외주 잉여 영역(6)이 형성된다. 디바이스 영역(5)에서는, 격자형의 분할 예정 라인(3)에 의해 구획된 영역의 각각에, 디바이스(4)가 형성된다. 외주 잉여 영역(6)은, 디바이스 영역(5)을 둘러싼다.As shown in Fig. 1, the wafer 1, which is an example of the workpiece according to the present embodiment, is, for example, a disk-shaped silicon substrate. On the surface 2a of the wafer 1, the device region 5 and the outer circumference surplus region 6 are formed. In the device region 5, a device 4 is formed in each of the regions partitioned by the grid-shaped division scheduled lines 3. The outer circumferential surplus region 6 surrounds the device region 5.

도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에는, 디바이스(4)에 의한 요철이 형성된다. 이 때문에, 웨이퍼(1)의 표면(2a)은, 요철면으로 이루어진다. 또한, 웨이퍼(1)의 이면(2b)은, 디바이스(4)를 갖지 않고, 연삭 지석 등에 의해 연삭되는 피연삭면으로 이루어진다.As shown in FIG. 2, irregularities due to the device 4 are formed on the surface 2a of the wafer 1. For this reason, the surface 2a of the wafer 1 consists of an uneven surface. In addition, the back surface 2b of the wafer 1 does not have the device 4, and consists of the to-be-grinded surface grind | grinded by grinding grindstones.

본 실시형태에 따른 피가공물의 가공 방법(본 가공 방법)에서는, 이러한 웨이퍼(1)의 표면(2a)을 수지에 의해 피복하고, 이면(2b)을 연삭한다. 이하에, 본 가공 방법에 포함되는 단계에 대해서 설명한다.In the processing method (this processing method) of the to-be-processed object which concerns on this embodiment, the surface 2a of this wafer 1 is coat | covered with resin, and the back surface 2b is ground. The steps included in the present processing method will be described below.

(1) 유지 단계 및 수지 피복 단계(1) holding step and resin coating step

본 가공 방법에 있어서의 유지 단계 및 수지 피복 단계에서는, 도 3에 도시된 바와 같은 피복 장치(11)가 이용된다. 피복 장치(11)는, 웨이퍼(1)를 유지하고, 스핀 코트에 의해, 웨이퍼(1)의 표면(2a)을 수지에 의해 피복한다.In the holding step and the resin coating step in the present processing method, the coating device 11 as shown in FIG. 3 is used. The coating apparatus 11 holds the wafer 1 and coats the surface 2a of the wafer 1 with resin by spin coating.

도 3에 도시된 바와 같이, 피복 장치(11)는, 웨이퍼(1)를 유지하여 회전시키는 유지부(13), 및, 웨이퍼(1)에 수지를 공급하는 수지 공급부(15)를 구비한다.As shown in FIG. 3, the coating apparatus 11 includes a holding unit 13 that holds and rotates the wafer 1, and a resin supply unit 15 that supplies resin to the wafer 1.

유지부(13)는, 웨이퍼(1)를 흡착 유지하는 제1 유지 테이블(20), 제1 유지 테이블(20)의 회전축이 되는 스핀들(22), 및, 이들을 지지하는 베이스(24)를 구비한다. 제1 유지 테이블(20)은, 그 표면의 중앙부에, 제1 유지면(21)을 갖는다. 제1 유지면(21)은, 다공성 세라믹스 등의 다공질 재료로 이루어지고, 원판형으로 형성된다. 제1 유지면(21)은, 도시하지 않은 흡인원에 접속된다.The holding | maintenance part 13 is equipped with the 1st holding table 20 which adsorbs-holds the wafer 1, the spindle 22 which becomes a rotating shaft of the 1st holding table 20, and the base 24 which supports them. do. The 1st holding table 20 has the 1st holding surface 21 in the center part of the surface. The 1st holding surface 21 consists of porous materials, such as porous ceramics, and is formed in disk shape. The 1st holding surface 21 is connected to the suction source which is not shown in figure.

수지 공급부(15)는, 수지 공급구(31a)를 구비하는 L자형의 수지 공급 노즐(31), 및, 수지 공급 노즐(31)을 회전 가능하게 지지하는 지지대(33)를 구비한다.The resin supply part 15 is equipped with the L-shaped resin supply nozzle 31 provided with the resin supply port 31a, and the support base 33 rotatably supporting the resin supply nozzle 31. As shown in FIG.

유지 단계에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)가, 제1 유지 테이블(20)의 제1 유지면(21) 상에 배치된다. 그 후, 도시하지 않은 흡인원으로부터의 흡인력에 의해, 제1 유지면(21)에 부압이 생긴다. 제1 유지면(21)은, 이 부압에 의해, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을 흡인 유지한다. 이것에 의해, 웨이퍼(1)의 표면(2a)이 상향으로 노출된다.In the holding step, as shown in FIG. 3, the wafer 1 is disposed on the first holding surface 21 of the first holding table 20. Thereafter, negative pressure is generated on the first holding surface 21 by the suction force from the suction source (not shown). The 1st holding surface 21 suction-holds the back surface 2b of the wafer 1 by this negative pressure. As a result, the surface 2a of the wafer 1 is exposed upward.

유지 단계 후, 수지 피복 단계가 실시된다. 수지 피복 단계에서는, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 유지 테이블(20)의 위쪽에, 수지 공급 노즐(31)의 수지 공급구(31a)가 위치된다. 그리고, 제1 유지 테이블(20)을, 예컨대 화살표(A) 방향으로 회전시키면서, 수지 공급 노즐(31)의 수지 공급구(31a)로부터 웨이퍼(1)의 표면(2a)의 중앙에, 정해진 양의 액상 수지(R)를 공급한다. 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 적하된 액상 수지(R)는, 제1 유지 테이블(20)의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해, 표면(2a)의 중앙으로부터 외주측으로 흘러가서, 표면(2a) 전체면으로 널리 퍼진다.After the holding step, the resin coating step is performed. In the resin coating step, as shown in FIG. 4, the resin supply port 31a of the resin supply nozzle 31 is located above the first holding table 20. The predetermined amount is set in the center of the surface 2a of the wafer 1 from the resin supply port 31a of the resin supply nozzle 31 while rotating the first holding table 20 in the direction of the arrow A, for example. Liquid resin (R) is supplied. The liquid resin R dropped on the surface 2a of the wafer 1 flows from the center of the surface 2a to the outer circumferential side by the centrifugal force generated by the rotation of the first holding table 20, and the surface ( 2a) widespread throughout

또한, 액상 수지(R)는, 자외선의 조사를 받음으로써 경화되는 자외선 경화 수지로서, 스핀 코트에 알맞은 수지인 것이 바람직하다.The liquid resin (R) is an ultraviolet curable resin that is cured by being irradiated with ultraviolet rays, and is preferably a resin suitable for spin coating.

(2) 자외선 조사 단계(2) UV irradiation step

수지 피복 단계 후, 자외선 조사 단계가 실시된다. 자외선 조사 단계에서는, 우선, 웨이퍼(1)에 있어서의 표면(2a) 상의 액상 수지(R)를, 저온 상태로 한다. 그 때문에, 본 가공 방법에서는, 웨이퍼(1)를 저온의 분위기에 노출시킨다. 예컨대, 웨이퍼(1)를, 피복 장치(11)로부터 제거하여, 도시하지 않은 저온 분위기의 자외선 조사실 혹은 자외선 조사용 챔버에 설치한다.After the resin coating step, an ultraviolet irradiation step is performed. In the ultraviolet irradiation step, first, the liquid resin R on the surface 2a of the wafer 1 is brought into a low temperature state. Therefore, in this processing method, the wafer 1 is exposed to a low temperature atmosphere. For example, the wafer 1 is removed from the coating apparatus 11 and installed in an ultraviolet irradiation chamber or a chamber for ultraviolet irradiation in a low temperature atmosphere (not shown).

그리고, 웨이퍼(1)에 있어서의 표면(2a) 상의 액상 수지(R)의 온도가 정해진 값까지 내려간 후, 도시하지 않은 자외선 조사 장치에 의해, 표면(2a) 상의 액상 수지(R)에 자외광을 조사한다. 이것에 의해, 액상 수지(R)가 경화되어, 도 5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에, 수지층(10)이 형성된다.Then, after the temperature of the liquid resin R on the surface 2a of the wafer 1 drops to a predetermined value, ultraviolet light is applied to the liquid resin R on the surface 2a by an ultraviolet irradiation device (not shown). Investigate As a result, the liquid resin R is cured, and as shown in FIG. 5, the resin layer 10 is formed on the surface 2a of the wafer 1.

또한, 이 단계에서는, 액상 수지(R)는, 다음에 실시되는 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온 상태에서 경화되면 좋다.In this step, the liquid resin R may be cured at a lower temperature than the environmental temperature of the back surface grinding step performed next.

(3) 이면 연삭 단계(3) backside grinding step

자외선 조사 단계를 실시한 후, 이면 연삭 단계가 실시된다. 이면 연삭 단계에서는, 도 6에 도시된 바와 같은 연삭 장치(150)가 이용된다. 연삭 장치(150)는, 웨이퍼(1)를 유지하는 제2 유지 테이블(151), 수직 방향의 축심을 갖는 스핀들(152), 스핀들(152)의 하단에 부착되는 마운트(154), 및, 마운트(154)의 하면에 부착되는 연삭휠(156)을 구비한다.After performing the ultraviolet irradiation step, the back surface grinding step is performed. In the back grinding step, the grinding device 150 as shown in FIG. 6 is used. The grinding apparatus 150 includes a second holding table 151 holding the wafer 1, a spindle 152 having an axis in the vertical direction, a mount 154 attached to the lower end of the spindle 152, and a mount. A grinding wheel 156 is attached to the lower surface of the 154.

제2 유지 테이블(151)은, 그 표면의 중앙부에, 제2 유지면(151a)을 갖는다. 제2 유지면(151a)은, 다공성 세라믹스 등의 다공질 재료로 이루어지고, 원판형으로 형성된다. 제2 유지면(151a)은, 도시하지 않은 흡인원에 접속된다.The 2nd holding table 151 has the 2nd holding surface 151a in the center part of the surface. The second holding surface 151a is made of a porous material such as porous ceramics and is formed in a disc shape. The second holding surface 151a is connected to a suction source (not shown).

연삭휠(156)은, 마운트(154)에 부착되는 베이스(158), 및, 베이스(158)에 고착되는 복수의 연삭 지석(160)을 구비한다. 복수의 연삭 지석(160)은, 연삭휠(156)의 하부의 외주 가장자리에, 환형으로 늘어서도록 고착된다.The grinding wheel 156 includes a base 158 attached to the mount 154, and a plurality of grinding grindstones 160 fixed to the base 158. The plurality of grinding grindstones 160 are fixed to the outer peripheral edge of the lower portion of the grinding wheel 156 so as to be arranged in an annular shape.

이면 연삭 단계에서는, 우선, 수지층(10)을 포함하는 웨이퍼(1)가, 이면 연삭 단계가 실시되는 분위기에 노출된다. 이것에 의해, 웨이퍼(1)의 온도가, 이 분위기의 온도, 즉, 이면 연삭 단계의 환경 온도가 된다. 그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)가, 제2 유지 테이블(151)의 제2 유지면(151a) 상에 배치된다. 그 후, 도시하지 않은 흡인원으로부터의 흡인력에 의해, 제2 유지면(151a)에 부압이 생긴다. 제2 유지면(151a)은, 이 부압에 의해, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 형성된 수지층(10)을 흡인 유지한다. 이것에 의해, 웨이퍼(1)의 이면(2b)이, 상향으로 노출된다.In the back grinding step, first, the wafer 1 including the resin layer 10 is exposed to the atmosphere in which the back grinding step is performed. Thereby, the temperature of the wafer 1 becomes the temperature of this atmosphere, ie, the environmental temperature of a back surface grinding step. As shown in FIG. 6, the wafer 1 is disposed on the second holding surface 151a of the second holding table 151. Thereafter, negative pressure is generated on the second holding surface 151a by the suction force from the suction source (not shown). The second holding surface 151a sucks and holds the resin layer 10 formed on the surface 2a of the wafer 1 by this negative pressure. As a result, the back surface 2b of the wafer 1 is exposed upward.

다음에, 제2 유지 테이블(151)이, 예컨대 화살표(B) 방향으로 회전한다. 또한, 연삭휠(156)이, 화살표(B) 방향으로 회전하면서 강하한다. 그리고, 연삭 지석(160)이, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을, 압박하면서 연삭한다. 이 연삭에서는, 웨이퍼(1)가 원하는 두께가 될 때까지, 웨이퍼(1)의 이면(2b)이 깎인다.Next, the second holding table 151 rotates in the direction of the arrow B, for example. In addition, the grinding wheel 156 descends while rotating in the direction of the arrow B. FIG. Then, the grinding grindstone 160 grinds while pressing the back surface 2b of the wafer 1. In this grinding, the back surface 2b of the wafer 1 is shaved until the wafer 1 has a desired thickness.

여기서, 본 가공 방법의 작용 및 효과에 대해서 설명한다.Here, the operation and effect of the present processing method will be described.

자외선 조사 단계 후에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 형성되는 수지층(10)에, 화살표(C)로 나타내는 바와 같은 직경 방향 내향의 수축력이 생긴다. 이 수축력은, 액상 수지(R)가, 자외선 조사에 의해 경화될 때에 수축되는 성질을 갖는 것에 기인한다.After the ultraviolet irradiation step, as shown in FIG. 7, the shrinkage force in the radial direction inwardly as indicated by the arrow C is generated in the resin layer 10 formed on the surface 2a of the wafer 1. This shrinkage force is attributable to the property that the liquid resin R shrinks when cured by ultraviolet irradiation.

따라서, 종래, 이후의 이면 연삭 단계에서 웨이퍼(1)의 이면(2b)이 깎여, 웨이퍼(1)가 박화되면, 이 수축력이, 수지층(10) 및 웨이퍼(1)의 강성을 상회하는 경우가 있다. 이 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)에 휨이 발생한다.Therefore, when the back surface 2b of the wafer 1 is shaved and the wafer 1 is thinned in the conventional back surface grinding step, this shrinkage force exceeds the rigidity of the resin layer 10 and the wafer 1. There is. In this case, as shown in FIG. 8, warping occurs in the wafer 1.

이것에 관하여, 본 가공 방법에서는, 자외선 조사 단계에서, 웨이퍼(1)에 있어서의 표면(2a) 상의 액상 수지(R)의 온도를, 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온으로 한 상태에서, 액상 수지(R)를 경화시켜 수지층(10)을 형성한다. 그 후의 이면 연삭 단계에서는, 수지층(10)의 온도를 높이고 나서, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을 연삭한다.On the other hand, in the present processing method, the liquid resin is in a state in which the temperature of the liquid resin R on the surface 2a of the wafer 1 is lower than the environmental temperature of the back surface grinding step in the ultraviolet irradiation step. (R) is hardened and the resin layer 10 is formed. In the subsequent back surface grinding step, the back surface 2b of the wafer 1 is ground after raising the temperature of the resin layer 10.

본 가공 방법에서도, 자외선 조사 단계 후, 수지층(10)에, 도 9에 화살표(C)로 나타낸 바와 같은 직경 방향 내향의 수축력이 생긴다. 그러나, 본 가공 방법에서는, 이면 연삭 단계의 개시시까지, 수지층(10)이, 자외선 조사 단계에서의 비교적 낮은 온도로부터, 이면 연삭 단계의 환경 온도로까지 상승된다. 그 결과, 수지층(10)에, 도 9에 화살표(D)로 나타낸 바와 같은 직경 방향 외향의 팽창력이 생긴다.Also in this processing method, after the ultraviolet irradiation step, the shrinkage force in the radial direction inward as shown by the arrow C in FIG. 9 arises in the resin layer 10. However, in the present processing method, the resin layer 10 is raised from the relatively low temperature in the ultraviolet irradiation step to the environmental temperature in the back grinding step until the start of the back grinding step. As a result, the expansion force in the radial direction outward as shown by the arrow D in FIG. 9 arises in the resin layer 10.

이 팽창력은, 액상 수지(R)가, 자외선 조사에 의해 경화될 때에 수축되는 성질 이외에, 경화 후의 온도 상승에 따라 열팽창하는 성질을 갖는 것에 기인한다.This expansion force is attributable to the fact that the liquid resin R has a property of thermal expansion in response to a temperature rise after curing, in addition to the property of shrinkage when cured by ultraviolet irradiation.

이 때문에, 본 가공 방법에서는, 수지층(10)에 있어서의 수축력(화살표 C)과 팽창력(화살표 D)이 상쇄된다. 따라서, 이후의 이면 연삭 단계에서 웨이퍼(1)의 이면(2b)이 깎여, 웨이퍼(1)가 박화되어도, 도 10에 도시된 바와 같이, 수지층(10)에 의해 웨이퍼(1)가 인장되는 것이 억제되기 때문에, 웨이퍼(1)의 휨의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.For this reason, in this processing method, the contraction force (arrow C) and the expansion force (arrow D) in the resin layer 10 cancel out. Therefore, even if the back surface 2b of the wafer 1 is shaved in a subsequent back surface grinding step and the wafer 1 is thinned, as shown in FIG. 10, the wafer 1 is stretched by the resin layer 10. Since it is suppressed, it becomes possible to suppress generation | occurrence | production of the curvature of the wafer 1.

이하에, 본 가공 방법의 효과를 확인하기 위한 실험 결과를 나타낸다.Below, the experimental result for confirming the effect of this processing method is shown.

우선, 웨이퍼(1)의 표면(2a)을 액상 수지(R)에 의해 피복하고, 이 액상 수지(R)를 상온에서 경화시켜, 두께가 50 ㎛인 수지층(10)을 형성하였다. 그 후, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을, 웨이퍼(1)가 원하는 두께가 될 때까지 연삭함으로써, 비교예를 작성하였다.First, the surface 2a of the wafer 1 was covered with liquid resin R, and the liquid resin R was cured at room temperature to form a resin layer 10 having a thickness of 50 µm. Then, the comparative example was created by grinding the back surface 2b of the wafer 1 until the wafer 1 became desired thickness.

또한, 웨이퍼(1)의 표면(2a)을, 마찬가지로 액상 수지(R)에 의해 피복하고, 이 액상 수지(R)를 얼음물 온도로까지 저하시킨 상태에서 경화시켜, 두께가 50 ㎛인 수지층(10)을 형성하였다. 그 후, 수지층(10)을 상온으로 되돌린 후, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을, 웨이퍼(1)가 원하는 두께가 될 때까지 연삭함으로써, 실시예를 작성하였다.In addition, the surface 2a of the wafer 1 is similarly coated with the liquid resin R, and cured in a state where the liquid resin R is lowered to the ice water temperature to have a resin layer having a thickness of 50 µm ( 10) was formed. Then, after returning the resin layer 10 to normal temperature, the Example 2 was created by grinding the back surface 2b of the wafer 1 until the wafer 1 became desired thickness.

그리고, 도 11에 도시된 바와 같은, 이면(2b)의 연삭 후에 있어서의 웨이퍼(1)의 좌단부의 휨량(좌측 휨량)(d1), 및, 우단부의 휨량(우측 휨량)(d2)을 측정하였다.And as shown in FIG. 11, the curvature amount (left curvature amount) d1 of the left end part of the wafer 1 after grinding of the back surface 2b, and the curvature amount (right curvature amount) d2 of the right end part were measured. .

상온에서 액상 수지(R)를 경화시킨 비교예에서는, 좌측 휨량(d1) 및 우측 휨량(d2)은 각각 38 ㎛ 및 40 ㎛였다. 한편, 얼음물 온도에서 액상 수지(R)를 경화시킨 실시예에서는, 좌측 휨량(d1) 및 우측 휨량(d2)은 각각 30 ㎛ 및 38 ㎛로 개선되었다.In the comparative example which hardened liquid resin (R) at normal temperature, the left curvature amount d1 and the right curvature amount d2 were 38 micrometers and 40 micrometers, respectively. On the other hand, in the Example which hardened liquid resin R at ice water temperature, the left curvature amount d1 and the right curvature amount d2 were improved to 30 micrometers and 38 micrometers, respectively.

또한, 본 가공 방법에서는, 상기 수지 피복 단계에서, 스핀 코트에 의해, 웨이퍼(1)의 표면(2a)을 액상 수지(R)에 의해 피복한다. 이것에 의해, 액상 수지(R)에 의한 표면(2a)의 피복을, 용이하게 실시할 수 있다. 단, 표면(2a)을 액상 수지(R)에 의해 피복하는 방법은, 다른 어느 방법이어도 좋다.In the present processing method, the surface 2a of the wafer 1 is covered with the liquid resin R by spin coating in the resin coating step. Thereby, coating | covering the surface 2a by liquid resin R can be performed easily. However, any other method may be sufficient as the method of coating the surface 2a with liquid resin (R).

또한, 본 실시형태에서는, 자외선 조사 단계에서, 웨이퍼(1)를 저온의 분위기에 노출시킴으로써, 그 표면(2a) 상의 액상 수지(R)의 온도를 낮춘다. 그러나, 표면(2a) 상의 액상 수지(R)의 온도를 낮추는 방법은, 이것에 한정되지 않고, 어떠한 방법이라도 좋다. 예컨대, 저온의 척 테이블에 의해 웨이퍼(1)를 유지함으로써, 표면(2a) 상의 액상 수지(R)의 온도를 낮추어도 좋다.In the present embodiment, the temperature of the liquid resin R on the surface 2a is lowered by exposing the wafer 1 to a low temperature atmosphere in the ultraviolet irradiation step. However, the method of lowering the temperature of liquid resin R on the surface 2a is not limited to this, Any method may be sufficient. For example, the temperature of the liquid resin R on the surface 2a may be lowered by holding the wafer 1 by the low temperature chuck table.

또한, 자외선 조사 단계시의 액상 수지(R)의 온도를, 예측되는 웨이퍼(1)의 휨량에 따라 결정하여도 좋다. 예컨대, 휨량이 비교적 크다고 예상되는 경우에는, 자외선 조사 단계시의 액상 수지(R)의 온도를, 비교적 낮게 하여, 수지층(10)의 열팽창력을 크게 하여도 좋다. 한편, 휨량이 비교적 작다고 예상되는 경우에는, 자외선 조사 단계시의 액상 수지(R)의 온도를, 비교적 높게 하여, 수지층(10)의 열팽창력을 작게 하여도 좋다. 이와 같이, 본 실시형태에서는, 웨이퍼(1)의 휨량(휨의 강도)에 따라, 자외선 조사 단계시의 액상 수지(R)의 온도를 조정하여도 좋다.In addition, you may determine the temperature of the liquid resin R at the time of an ultraviolet irradiation step according to the curvature amount of the wafer 1 anticipated. For example, when the amount of warpage is expected to be relatively large, the thermal expansion force of the resin layer 10 may be increased by lowering the temperature of the liquid resin R during the ultraviolet irradiation step. On the other hand, when the amount of warpage is expected to be relatively small, the temperature of the liquid resin R during the ultraviolet irradiation step may be made relatively high to reduce the thermal expansion force of the resin layer 10. Thus, in this embodiment, you may adjust the temperature of the liquid resin R at the time of an ultraviolet irradiation step according to the curvature amount (strength intensity | strength) of the wafer 1.

또한, 본 실시형태에서는, 도 3에 도시된 피복 장치(11)에 의해, 유지 단계 및 수지 피복 단계를 실시한다. 이것 대신에, 피복 장치(11)에 의해, 유지 단계, 수지 피복 단계 및 자외선 조사 단계를 실시하여도 좋다. 이것은, 예컨대, 피복 장치(11)에, 웨이퍼(1)를 냉각하기 위한 냉각 장치, 및, 웨이퍼(1)에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 장치를 구비함으로써 실현되어도 좋다. 냉각 장치는, 예컨대, 웨이퍼(1)를 유지하는 제1 유지 테이블(20)을 저온으로 하는 장치여도 좋다.In addition, in this embodiment, the holding | maintenance step and the resin coating step are implemented by the coating apparatus 11 shown in FIG. Instead of this, the holding step, the resin coating step and the ultraviolet irradiation step may be performed by the coating device 11. This may be realized, for example, by providing the coating apparatus 11 with a cooling apparatus for cooling the wafer 1 and an ultraviolet irradiation apparatus for irradiating ultraviolet rays to the wafer 1. The cooling device may be, for example, a device in which the first holding table 20 holding the wafer 1 is kept at a low temperature.

또한, 본 실시형태에서는, 도 6에 도시된 연삭 장치(150)에 의해, 이면 연삭 단계가 실시된다. 이것 대신에, 연삭 장치(150)에 의해, 자외선 조사 단계 및 이면 연삭 단계가 실시되어도 좋다. 이것은, 예컨대, 연삭 장치(150)에, 웨이퍼(1)를 냉각하기 위한 냉각 장치, 및, 웨이퍼(1)에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 장치를 구비함으로써 실현되어도 좋다.In addition, in this embodiment, the back surface grinding step is performed by the grinding apparatus 150 shown in FIG. Instead of this, the ultraviolet irradiation step and the back surface grinding step may be performed by the grinding device 150. This may be realized, for example, by providing the grinding device 150 with a cooling device for cooling the wafer 1 and an ultraviolet irradiation device for irradiating ultraviolet light to the wafer 1.

또한, 본 실시형태에서는, 본 가공 방법을 실시하기 위해, 피복 장치(11) 및 연삭 장치(150)가 이용된다. 이것 대신에, 예컨대, 도 3에 도시된 피복 장치(11)가, 연삭 장치(150)를 겸하고 있어도 좋다. 이것은, 예컨대, 피복 장치(11)에, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을 연삭하기 위한 구성, 예컨대, 도 6에 도시된 스핀들(152), 마운트(154) 및 연삭휠(156)을 구비함으로써 실현되어도 좋다. 이 구성에서는, 제1 유지 테이블(20)은, 제2 유지 테이블(151)을 겸한다.In addition, in this embodiment, in order to implement this processing method, the coating apparatus 11 and the grinding apparatus 150 are used. Instead of this, for example, the coating apparatus 11 shown in FIG. 3 may serve as the grinding apparatus 150. This is, for example, provided with the coating apparatus 11 in a structure for grinding the back surface 2b of the wafer 1, for example, the spindle 152, the mount 154 and the grinding wheel 156 shown in FIG. 6. This may be realized by. In this configuration, the first holding table 20 also serves as the second holding table 151.

또한, 피복 장치(11)가 연삭 장치(150)를 겸하는 경우, 피복 장치(11)는, 웨이퍼(1)를 냉각하기 위한 냉각 장치, 및, 웨이퍼(1)에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 장치를 더 구비하여도 좋다. 이것에 의해, 피복 장치(11)는, 자외선 조사 단계도 실시하는 것이 가능해진다. 따라서, 본 가공 방법의 모든 단계를, 하나의 피복 장치(11)에 의해 실시할 수 있다.In addition, when the coating device 11 also serves as the grinding device 150, the coating device 11 is a cooling device for cooling the wafer 1, and an ultraviolet irradiation device for irradiating ultraviolet rays to the wafer 1. Further may be provided. Thereby, the coating apparatus 11 can also perform an ultraviolet irradiation step. Therefore, all the steps of the present processing method can be performed by one coating apparatus 11.

1: 웨이퍼 2a: 표면
2b: 이면 3: 분할 예정 라인
4: 디바이스 5: 디바이스 영역
6: 외주 잉여 영역 R: 액상 수지
10: 수지층 11: 피복 장치
13: 유지부 15: 수지 공급부
20: 제1 유지 테이블 21: 제1 유지면
22: 스핀들 24: 베이스
31: 수지 공급 노즐 31a: 수지 공급구
33: 지지대 150: 연삭 장치
151: 제2 유지 테이블 151a: 제2 유지면
152: 스핀들 154: 마운트
156: 연삭휠 158: 베이스
160: 연삭 지석1: wafer 2a: surface
2b: back side 3: line to be split
4: device 5: device area
6: outer periphery excess area R: liquid resin
10: resin layer 11: coating device
13: Retention part 15: Resin supply part
20: first holding table 21: first holding surface
22: spindle 24: base
31: resin supply nozzle 31a: resin supply port
33: support 150: grinding device
151: 2nd holding table 151a: 2nd holding surface
152: spindle 154: mount
156: grinding wheel 158: base
160: grinding stone

Claims (2)

격자형으로 형성되는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 디바이스가 형성되는 피가공물의 이면을, 원하는 두께까지 연삭하는 피가공물의 가공 방법으로서,
상기 디바이스가 형성된 상기 표면측을 노출시키도록, 제1 유지 테이블의 제1 유지면에 의해 상기 피가공물을 흡착 유지하는 유지 단계와,
상기 피가공물의 상기 표면에, 자외선의 조사를 받음으로써 경화되는 액상 수지를 공급하고, 상기 피가공물의 상기 표면을 상기 수지로 피복하는 수지 피복 단계와,
상기 수지 피복 단계에서 상기 피가공물의 상기 표면을 피복한 상기 수지를, 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온의 상태에서 경화시켜 수지층을 형성하는 자외선 조사 단계와,
상기 자외선 조사 단계를 실시한 후, 상기 피가공물의 상기 표면을 제2 유지 테이블의 제2 유지면에 의해 흡착 유지하고, 상기 피가공물의 상기 이면의 연삭을 실시하는 이면 연삭 단계를 구비하여,
상기 이면 연삭 단계의 환경 온도보다도 저온의 상태에서 상기 수지를 경화시킴으로써, 상기 피가공물의 휨을 저감할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.As a processing method of a workpiece to which the back surface of the to-be-processed object which is divided by the several division plan line formed in a grid | lattice form, and a device is formed in the surface to grinding to desired thickness,
A holding step of sucking and holding the workpiece by a first holding surface of a first holding table to expose the surface side on which the device is formed;
A resin coating step of supplying a liquid resin cured by being irradiated with ultraviolet rays to the surface of the workpiece, and coating the surface of the workpiece with the resin;
An ultraviolet irradiation step of curing the resin which coated the surface of the workpiece in the resin coating step at a temperature lower than the environmental temperature of the back surface grinding step to form a resin layer;
After performing the ultraviolet irradiation step, the surface of the workpiece is sucked and held by the second holding surface of the second holding table, and the back surface grinding step of grinding the back of the workpiece,
A method for processing a workpiece, wherein the warpage of the workpiece can be reduced by curing the resin at a temperature lower than the environmental temperature of the back surface grinding step. 제 1항에 있어서,
상기 수지 피복 단계는, 스핀 코트에 의해, 상기 피가공물의 상기 표면을 상기 수지에 의해 피복하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.The method of claim 1,
The resin coating step includes coating the surface of the workpiece with the resin by spin coating.
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