KR20200019065A - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 챔버; 기판이 안치되는 안치대; 상기 안치대의 상측에 위치하고, 상기 안치대 쪽으로 돌출된 복수개의 돌출전극이 결합된 제1전극; 상기 제1전극과 상기 안치대의 사이에 위치하고, 상기 돌출전극들에 대응되는 위치에 복수개의 개구가 형성된 제2전극; 상기 제1전극을 통해 제1가스를 분사하는 제1분사부; 상기 제1전극을 통해 제2가스를 분사하는 제2분사부; 상기 제1분사부에 상기 제1가스를 주입하는 제1주입부; 및 상기 제2분사부에 상기 제2가스를 주입하는 제2주입부를 포함하되, 상기 제1주입부와 상기 제2주입부가 각각 상기 제1전극에 대해 같은 쪽에 배치된 기판처리장치에 관한 것이다.

Description

기판처리장치{Apparatus for Processing Substrate}
본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 처리공정이 이루어진다. 이러한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.
종래 기술에 따른 기판처리장치는 2개 이상의 가스를 기판을 향해 분사함으로써, 상기 처리공정을 수행한다. 그러나 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 기판의 부분별로 가스들이 서로 다른 유량비율로 분사되므로, 상기 기판의 부분별로 가스들에 대한 유량비율의 편차가 발생함에 따라 상기 처리공정을 거친 기판의 품질이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판의 부분별로 가스들에 대한 유량비율의 편차를 감소시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 챔버; 기판이 안치되는 안치대; 상기 안치대의 상측에 위치하고, 상기 안치대 쪽으로 돌출된 복수개의 돌출전극이 결합된 제1전극; 상기 제1전극과 상기 안치대의 사이에 위치하고, 상기 돌출전극들에 대응되는 위치에 복수개의 개구가 형성된 제2전극; 상기 제1전극을 통해 제1가스를 분사하는 제1분사부; 상기 제1전극을 통해 제2가스를 분사하는 제2분사부; 상기 제1분사부에 상기 제1가스를 주입하는 제1주입부; 및 상기 제2분사부에 상기 제2가스를 주입하는 제2주입부를 포함할 수 있다. 상기 제1주입부와 상기 제2주입부는 각각 상기 제1전극에 대해 같은 쪽에 배치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 기판의 부분별로 가스들에 대한 유량비율의 편차를 감소시키도록 구현됨으로써, 가스의 낭비량을 감소시켜서 공정비용을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 처리공정을 거친 기판에 대한 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치에 대한 개략적인 측단면도
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1전극과 제2전극에 대한 개략적인 측단면도
도 3은 비교예에 있어서 제1전극과 제2전극에 대한 개략적인 측단면도
도 4는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1주입부와 제2주입부의 위치에 대한 변형 실시예를 설명하기 위한 개념적인 측면도
도 5는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1주입부재와 제2주입부재에 대한 개략적인 측단면도
도 6은 도 5의 A 부분에 대한 확대도
도 7은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1전극과 제1분사부에 대한 개략적인 평단면도
도 8은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1주입부로부터 이격된 거리에 따른 제1공급공의 크기 차이를 설명하기 위한 개념적인 평단면도
도 9는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1전극과 제1분사부의 변형된 실시예에 대한 개략적인 평단면도
도 10은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1분사부재의 길이에 따른 제1공급공의 크기 차이를 설명하기 위한 개념적인 평단면도
도 11은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1전극과 제2분사부에 대한 개략적인 평단면도
도 12는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제2주입부로부터 이격된 거리에 따른 제2공급공의 크기 차이를 설명하기 위한 개념적인 평단면도
도 13은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1전극과 제2분사부의 변형된 실시예에 대한 개략적인 평단면도
도 14는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제2분사부재의 길이에 따른 제2공급공의 크기 차이를 설명하기 위한 개념적인 평단면도
도 15는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1주입부, 제2주입부, 제1분사부재, 제2분사부재의 배치를 설명하기 위한 개념적인 평면도
도 16은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1공급부재와 제2공급부재에 대한 개략적인 측단면도
도 17은 도 16의 B 부분에 대한 확대도
도 18은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 배기구와 온도조절유닛을 설명하기 위한 개략적인 측단면도
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(200)에 박막을 증착하는 증착공정, 및 상기 기판(200)에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 중에서 적어도 하나를 수행할 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 CVD(Chemical Vapor Depostion), ALD(Atomic Layer Deposition) 등과 같은 증착공정을 수행할 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 안치대(2), 제1전극(3), 제2전극(4), 제1주입부(5), 제2주입부(6), 제1분사부(7), 및 제2분사부(8)를 포함한다.
도 1을 참고하면, 상기 안치대(2)는 상기 기판(200)을 지지하는 것이다. 상기 안치대(2)에는 상기 기판(200)이 안치될 수 있다. 상기 안치대(2)는 상기 제2전극(4)의 하측에 배치할 수 있다. 이 경우, 상기 기판(200)은 상기 안치대(2)의 상면에 안치될 수 있다. 상기 기판(200)은 반도체 기판, 웨이퍼(Wafer) 등일 수 있다. 상기 안치대(2)는 복수개의 기판(200)을 지지할 수도 있다.
상기 안치대(2)는 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 챔버(100)는 상기 처리공정이 이루어지는 처리공간을 제공하는 것이다. 상기 안치대(2)는 상기 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 안치대(2)는 상기 챔버(100)에 회전 가능하게 결합될 수도 있다. 이 경우, 상기 안치대(2)는 회전력을 제공하는 회전부에 연결될 수 있다. 상기 회전부는 상기 안치대(2)를 회전시킴으로써, 상기 안치대(2)에 지지된 기판(200)을 회전시킬 수 있다.
도 1을 참고하면, 상기 제1전극(3)은 상기 안치대(2)의 상측에 위치하는 것이다. 상기 제1전극(3)은 상기 제2전극(4)의 상측에 위치할 수 있다. 상기 제1전극(3)은 상기 제2전극(4)으로부터 상측으로 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제1전극(3)은 상기 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제1전극(3)은 상기 챔버(100)의 상부에 위치하도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제1전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 원반형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
도 1을 참고하면, 상기 제2전극(4)은 상기 제1전극(3)과 상기 안치대(3)의 사이에 위치하는 것이다. 상기 제2전극(4)은 상기 제1전극(3)의 하측에 위치함과 아울러 상기 안치대(3)의 상측에 위치할 수 있다. 상기 제2전극(4)은 상기 안치대(3)로부터 상측으로 소정 거리 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제2전극(4)은 상기 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제2전극(4)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 원반형 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
상기 제2전극(4)과 상기 제1전극(3)은 플라즈마를 발생시키는데 이용될 수 있다. 상기 제2전극(4)과 상기 제1전극(3) 중에서 어느 하나에는 RF(Radio Frequency) 전력이 인가되고, 나머지 하나는 접지(Ground)가 될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2전극(4) 및 상기 제1전극(3) 간에 걸리는 전기장에 의해 방전이 이루져서 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 제2전극(4)에 RF 전력이 인가되고, 상기 제1전극(3)이 접지될 수 있다. 상기 제2전극(4)이 접지되고, 상기 제1전극(3)에 RF 전력이 인가될 수도 있다.
상기 제2전극(4)에는 개구(41)가 형성될 수 있다. 상기 개구(41)는 상기 제2전극(4)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 개구(41)는 상기 제2전극(4)의 상면 및 하면을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 개구(41)는 전체적으로 원통 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 직방체 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.
상기 제2전극(4)에 상기 개구(41)가 형성된 경우, 상기 제1전극(3)에는 돌출전극(31)이 결합될 수 있다. 상기 돌출전극(31)은 상기 안치대(2) 쪽으로 돌출되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 돌출전극(31)은 상기 제1전극(3)의 하면으로부터 돌출될 수 있다. 상기 돌출전극(31) 및 상기 제1전극(3)은 일체로 형성될 수도 있다. 상기 제1전극(3)이 접지된 경우, 상기 돌출전극(31)은 상기 제1전극(3)을 통해 접지될 수 있다. 상기 제1전극(3)에 RF 전력이 인가된 경우, 상기 돌출전극(31)에는 상기 제1전극(3)을 통해 RF 전력이 인가될 수 있다.
상기 제2전극(4)에는 상기 개구(41)가 복수개 형성될 수도 있다. 상기 개구(41)들은 서로 이격된 위치에 비치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1전극(3)에는 상기 돌출전극(31)이 복수개 결합될 수 있다. 상기 돌출전극(31)들은 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 개구(41)들은 상기 돌출전극(31)들에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들 쪽으로 돌출될 수 있다. 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들에 삽입되는 길이로 돌출될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들에 삽입되지 않는 길이로 돌출될 수도 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(31)들은 상기 개구(41)들의 상측에 위치할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 제1주입부(5)는 제1가스를 주입하는 것이다. 상기 제1가스는 상기 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스일 수 있다. 상기 제1가스는 상기 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스, 및 플라즈마를 발생시키기 위한 가스가 혼합된 혼합가스일 수도 있다.
상기 제1주입부(5)는 상기 제1분사부(7)에 상기 제1가스를 주입할 수 있다. 상기 제1분사부(7)에 주입된 제1가스는, 상기 기판(200)의 전면(全面)을 향해 분사되도록 상기 제1분사부(7)를 따라 유동한 후에 상기 제1전극(3)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다. 상기 기판(200)의 전면(全面)은 상기 기판(200)의 상면 전체에 해당할 수 있다. 상기 기판(200)의 상면은 상기 제2전극(4)을 향하도록 배치된 면(面)이다. 상기 제1주입부(5)는 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 제2주입부(6)는 제2가스를 주입하는 것이다. 상기 제2가스는 상기 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스일 수 있다. 상기 제2가스는 상기 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하기 위한 가스, 및 플라즈마를 발생시키기 위한 가스가 혼합된 혼합가스일 수도 있다. 상기 제2가스 및 상기 제1가스는 서로 상이한 성분으로 이루어질 수 있다.
상기 제2주입부(6)는 상기 제2분사부(8)에 상기 제2가스를 주입할 수 있다. 상기 제2분사부(8)에 주입된 제2가스는, 상기 기판(200)의 전면(全面)을 향해 분사되도록 상기 제2분사부(8)를 따라 유동한 후에 상기 제1전극(3)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다. 상기 제2주입부(6)는 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제2주입부(6)가 주입한 제2가스 및 상기 제1주입부(5)가 주입한 제1가스는, 상기 안치대(2)에 지지된 기판(200) 쪽으로 분사됨으로써 상기 기판(200)에 대한 처리공정을 수행하는데 이용될 수 있다.
상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)는 각각 상기 제1전극(3)에 대해 같은 쪽에 배치될 수 있다. 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)는 상기 제2분사부(8)와 상기 제1분사부(7) 각각에 상기 제2가스와 상기 제1가스를 주입할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 각각 상기 제1전극(3)에 대해 다른 쪽에 배치된 비교예와 대비할 때, 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차를 감소시킬 수 있다. 이를 구체적으로 살펴보면, 다음과 같다.
우선, 도 3에 도시된 바와 같이 비교예는, 상기 제2주입부(6)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a) 쪽에 배치됨과 아울러 상기 제1주입부(5)가 상기 제1전극(3)의 상측(3b) 쪽에 배치될 수 있다.
상기 제2주입부(6)가 상기 제2분사부(8)에 주입한 제2가스는, 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에서 타측(3c)을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 기판(200)의 일측(210)에서 타측(220)을 향할수록, 상기 기판(200)을 향해 분사된 제2가스의 유량이 감소한다. 도 3에서 점선 화살표가 상기 제2가스를 나타낸 것으로, 점선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제2가스의 유량이 적은 것이다.
상기 제1주입부(5)가 상기 제1분사부(7)에 주입한 제1가스는, 상기 제1전극(3)의 중앙 부분을 기준으로 하여 일측(3a)과 타측(3c) 각각을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 상기 제1전극(3)의 중앙 부분은, 상기 제1전극(3)의 일측(3a)으로부터 이격된 거리와 상기 제1전극(3)의 타측(3c)으로부터 이격된 거리가 대략 일치하는 영역을 의미한다. 이에 따라, 상기 기판(200)의 중앙(230)을 기준으로 하여 일측(210)과 타측(220) 각각을 향할수록, 상기 기판(200)을 향해 분사된 제1가스의 유량이 감소한다. 도 3에서 실선 화살표가 상기 제1가스를 나타낸 것으로, 실선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제1가스의 유량이 적은 것이다.
이에 따라, 비교예는 상기 기판(200)의 일측(210), 상기 기판(200)의 중앙(230), 상기 기판(200)의 타측(220) 각각에서 상기 제1가스와 상기 제2가스에 대한 유량비율의 편차가 증가하게 된다. 상기 기판(200)의 일측(210)에서는 상기 제1가스의 유량에 비해 상기 제2가스의 유량이 많고, 상기 기판(200)의 중앙(230)에서는 상기 제2가스의 유량에 비해 상기 제1가스의 유량이 많으며, 상기 기판(200)의 타측(220)에서는 상기 제1가스의 유량과 상기 제2가스의 유량이 비슷하기 때문이다. 따라서, 비교예는 상기 기판(200)의 부분별로 상기 처리공정에 사용되지 못하고 잔존하는 가스의 유량이 증가할 수 있다. 이에 따라, 비교예는 가스가 불필요하게 낭비될 수 있고, 잔존하는 가스가 상기 처리공정에 악영향을 미칠 위험이 있다.
다음, 도 2에 도시된 바와 같이 실시예는, 상기 제2주입부(6)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a) 쪽에 배치됨과 아울러 상기 제1주입부(5)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a) 쪽에 배치될 수 있다. 즉, 실시예는 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 상기 제1전극(3)에 대해 같은 쪽에 배치될 수 있다.
상기 제2주입부(6)가 상기 제2분사부(8)에 주입한 제2가스는, 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에서 타측(3c)을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 기판(200)의 일측(210)에서 타측(220)을 향할수록, 상기 기판(200)을 향해 분사된 제2가스의 유량이 감소한다. 도 2에서 점선 화살표가 상기 제2가스를 나타낸 것으로, 점선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제2가스의 유량이 적은 것이다.
상기 제1주입부(5)가 상기 제1분사부(7)에 주입한 제1가스는, 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에서 타측(3c)을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 기판(200)의 일측(210)에서 타측(220)을 향할수록, 상기 기판(200)을 향해 분사된 제1가스의 유량이 감소한다. 도 2에서 실선 화살표가 상기 제1가스를 나타낸 것으로, 실선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제1가스의 유량이 적은 것이다.
이에 따라, 실시예는 상기 기판(200)의 일측(210)에서 타측(220)을 향할수록 상기 제2가스의 유량과 상기 제1가스의 유량이 모두 감소하게 되므로, 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차가 감소하게 된다. 따라서, 실시예는 비교예와 대비할 때, 상기 기판(200)의 부분별로 상기 처리공정에 사용되지 못하고 잔존하는 가스의 유량을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예는 비교예와 대비할 때, 가스의 낭비량을 감소시켜서 공정비용을 줄일 수 있다. 또한, 실시예는 비교예와 대비할 때, 상기 처리공정에 사용되지 못하고 잔존하는 가스가 상기 처리공정에 미치는 영향을 줄일 수 있으므로, 상기 처리공정을 거친 기판(200)에 대한 품질을 향상시킬 수 있다.
도 2에는 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 모두 상기 제1전극(3)의 일측(3a) 쪽에 배치되는 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 상기 제1전극(3)에 대해 같은 쪽에 배치되는 것이면 다르게 구현될 수도 있다.
예컨대, 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 모두 상기 제1전극(3)의 타측(3c) 쪽에 배치될 수도 있다. 이 경우, 상기 제2주입부(6)가 주입한 제2가스 및 상기 제1주입부(5)가 주입한 제1가스는 모두 상기 제1전극(3)의 타측(3c)에서 일측(3a)을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 기판(200)을 향해 분사된 상기 제2가스의 유량과 상기 제1가스의 유량이 모두 상기 기판(200)의 타측(220)에서 일측(210)을 향할수록 감소하게 된다. 따라서, 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차가 감소할 수 있다.
예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)는 모두 상기 제1전극(3)의 상측(3b) 쪽에서 상기 제1전극(3)의 중앙 부분을 통해 상기 제2가스와 상기 제1가스를 주입하도록 배치될 수도 있다. 이 경우, 상기 제2주입부(6)가 주입한 제2가스 및 상기 제1주입부(5)가 주입한 제1가스는 모두 상기 제1전극(3)의 중앙 부분을 기준으로 하여 일측(3a)과 타측(3c) 각각을 향해 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 기판(200)을 향해 분사된 상기 제2가스의 유량과 상기 제1가스의 유량이 모두 상기 기판(200)의 중앙(230)을 기준으로 하여 일측(210)과 타측(220) 각각을 향할수록 감소하게 된다. 따라서, 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차가 감소할 수 있다. 도 4에서 점선 화살표가 상기 제2가스를 나타낸 것으로, 점선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제2가스의 유량이 적은 것이다. 도 4에서 실선 화살표가 상기 제1가스를 나타낸 것으로, 실선 화살표의 길이가 짧을수록 상기 제1가스의 유량이 적은 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)가 상기 제1전극(3)에 대해 같은 쪽에 배치되도록 구현됨으로써, 가스의 낭비량을 감소시켜서 공정비용을 줄일 수 있고, 상기 처리공정을 거친 기판(200)에 대한 품질을 향상시킬 수 있다. 한편, 상기 제2주입부(6)와 상기 제1주입부(5)는 각각 상기 제2가스와 상기 제1가스를 서로 동일한 주입방향으로 유동시켜서 상기 제2가스와 상기 제1가스를 상기 제2분사부(8)와 상기 제1분사부(7) 각각에 주입할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차를 더 감소시킬 수 있다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 상기 제2주입부(6) 및 상기 제1주입부(5)는 각각 상기 제2분사부(8) 및 상기 제1분사부(7)에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 제1주입부(5)는 제1주입부재(51)를 포함하고, 상기 제2주입부(6)는 제2주입부재(61)를 포함할 수 있다.
상기 제1주입부재(51)는 상기 제1분사부(7)에 연결된 것이다. 상기 제1주입부(5)는 상기 제1주입부재(51)를 통해 상기 제1분사부(7)에 상기 제1가스를 주입할 수 있다. 상기 제1주입부(5)는 상기 제1가스를 저장하는 제1주입유닛(50)을 포함할 수 있다. 상기 제1주입유닛(50)은 상기 제1주입부재(51)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1주입유닛(50)에 저장된 제1가스는, 상기 제1주입부재(51)를 통해 상기 제1분사부(7)에 주입될 수 있다. 상기 제1주입부재(51)는 상기 제1가스가 상기 제1분사부(7)로 주입되기 위해 유동하는 제1주입공(52)을 포함할 수 있다. 상기 제1주입공(52)은 상기 제1주입부재(51)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제1주입부재(51)는 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제1주입부재(51)는 상기 제1분사부(7)에 연결되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.
상기 제1주입부재(51)는 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 안치대(2)로부터 제1거리(L1)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제1축방향(X축 방향)은 상기 안치대(2)의 상면에 대해 평행한 축 방향이다. 상기 제1주입부재(51)는 상기 안치대(2)로부터 제1높이(51H)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1주입부재(51)는 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 하여 상기 안치대(2)에 비해 더 높은 위치에 배치될 수 있다. 상기 상하방향(Z축 방향)은 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 수직한 축 방향이다.
상기 제2주입부재(61)는 상기 제2분사부(8)에 연결된 것이다. 상기 제2주입부(6)는 상기 제2주입부재(61)를 통해 상기 제2분사부(8)에 상기 제2가스를 주입할 수 있다. 상기 제2주입부(6)는 상기 제2가스를 저장하는 제2주입유닛(60)을 포함할 수 있다. 상기 제2주입유닛(60)은 상기 제2주입부재(61)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2주입유닛(60)에 저장된 제2가스는, 상기 제2주입부재(61)를 통해 상기 제2분사부(8)에 주입될 수 있다. 상기 제2주입부재(61)는 상기 제2가스가 상기 제2분사부(8)로 주입되기 위해 유동하는 제2주입공(62)을 포함할 수 있다. 상기 제2주입공(62)은 상기 제2주입부재(61)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제2주입부재(61)는 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제2주입부재(61)는 상기 제2분사부(8)에 연결되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.
상기 제2주입부재(61)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 안치대(2)로부터 상기 제1거리(L1)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2주입부재(61) 및 상기 제1주입부재(51)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 안치대(2)로부터 동일한 거리로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2주입부재(61)가 상기 제2분사부(8)에 주입한 제2가스 및 상기 제1주입부재(4)가 상기 제1분사부(7)에 주입한 제1가스는, 상기 제1축방향(X축 방향)을 따라 유동하면서 동일한 비율로 유량이 감소하게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차를 감소시킬 수 있다.
상기 제2주입부재(61)는 상기 안치대(2)로부터 제2높이(61H)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2높이(61H)는 상기 제1높이(51H)에 비해 더 낮다. 이에 따라, 상기 제2주입부재(61)는 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1주입부재(51)에 비해 더 낮은 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61) 및 상기 제1주입부재(51)가 서로 간섭되지 않는 위치에 배치될 수 있으므로, 상기 제2가스와 상기 제1가스가 서로 혼합되지 않으면서 상기 제2분사부(7) 및 상기 제1분사부(6) 각각에 주입되도록 구현될 수 있다.
상기 제2주입부재(61)가 상기 제1주입부재(51)에 비해 더 낮은 위치에 배치된 경우, 상기 제2분사부(8)가 상기 제1분사부(7)에 비해 상기 안치대(2)에 더 가깝게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2주입부재(61)와 상기 제1주입부재(51)가 서로 동일한 유량의 제2가스와 제1가스를 주입하면, 상기 제2분사부(8)와 상기 제1분사부(7)의 높이 차이로 인해 상기 기판(200) 쪽으로 분사된 제2가스의 유량과 제1가스의 유량에 차이가 발생하게 된다. 이러한 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제2주입공(62)은 상기 제1주입공(52)에 비해 더 작은 크기(62D)로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2주입공(62)의 크기(62D)가 상기 제1주입공(52)의 크기(52D)에 비해 더 작다. 이에 따라, 상기 제2주입공(62)을 통해 상기 제2분사부(8)로 주입되는 상기 제2가스의 유량은, 상기 제1주입공(52)을 통해 상기 제1분사부(7)로 주입되는 상기 제1가스의 유량에 비해 더 적어지게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61)가 상기 제1주입부재(51)에 비해 더 낮은 위치에 배치되더라도, 상기 기판(200) 쪽으로 분사된 제2가스의 유량과 제1가스의 유량에 발생하는 차이를 감소시킬 수 있다. 상기 제2주입공(62) 및 상기 제1주입공(52) 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제2주입공(62)의 직경(62D)은 상기 제1주입공(52)의 직경(52D)에 비해 더 작게 구현될 수 있다.
상기 제2주입부재(61)는 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61)의 교체를 통해 상기 제1주입공(52)과 상기 제2주입공(62) 간의 크기 차이가 조절될 수 있도록 구현됨으로써, 상기 제1가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제2가스의 유량을 변경할 수 있다.
예컨대, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 서로 동일한 유량으로 사용되는 처리공정에서 상기 제1가스에 비해 상기 제2가스가 더 많은 유량으로 사용되는 처리공정으로 변경된 경우, 상기 제2주입부재(61)는 상기 제2주입공(62)의 크기(62D)가 더 큰 것으로 교체될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61)의 교체를 통해 상기 제2분사부(8)에 주입하는 제2가스의 유량을 증대시킴으로써, 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량을 증대시킬 수 있다.
예컨대, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 서로 동일한 유량으로 사용되는 처리공정에서 상기 제1가스에 비해 상기 제2가스가 더 적은 유량으로 사용되는 처리공정으로 변경된 경우, 상기 제2주입부재(61)는 상기 제2주입공(62)의 크기(62D)가 더 작은 것으로 교체될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61)의 교체를 통해 상기 제2분사부(8)에 주입하는 제2가스의 유량을 감소시킴으로써, 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량을 감소시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2주입부재(61)가 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합됨으로써, 상기 처리공정에 따라 상기 제1가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제2가스의 유량을 변경할 수 있도록 구현된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리공정의 변경에 대한 대응력을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 처리공정에 적용할 수 있는 범용성을 향상시킬 수 있다. 상기 제2주입부재(61)는 볼트 등과 같은 체결수단을 이용하여 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1주입부재(51)가 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1주입부재(51)를 상기 제1주입공(52)의 크기(52D)가 다른 것으로 교체함으로써, 상기 처리공정에 따라 상기 제2가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제1가스의 유량을 변경할 수 있도록 구현된다. 상기 제1주입부재(51)는 볼트 등과 같은 체결수단을 이용하여 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1주입부재(51)와 상기 제2주입부재(61) 모두가 상기 챔버(100)에 분리 가능하게 결합되도록 구현될 수도 있다.
도 2 및 도 7을 참고하면, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1전극(3)을 통해 상기 제1가스를 분사하는 것이다. 상기 제1분사부(7)는 상기 제1주입부(5)에 연결될 수 있다. 상기 제1주입부(5)가 상기 제1분사부(7)에 주입한 제1가스는, 상기 제1분사부(7)를 따라 유동하면서 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다.
상기 제1분사부(7)는 제1분사부재(71)를 포함할 수 있다.
상기 제1분사부재(71)는 상기 제1전극(3)의 내부에 배치된 것이다. 상기 제1분사부재(71)는 상기 제1주입부(5)로부터 주입된 제1가스를 유동시키기 위한 통로로 기능할 수 있다. 상기 제1분사부재(71)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 따라 연장되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1분사부재(71)에 주입된 제1가스는, 상기 제1분사부재(71)를 따라 상기 제1축방향(X축 방향)으로 유동할 수 있다. 상기 제1분사부재(71)는 파이프(Pipe), 튜브(Tube) 등으로 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분사부재(71)는 상기 제1전극(3)의 내부에 배치되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 제1분사부재(71)는 상기 제1전극(3)의 내부에 홈(Groove)을 형성함으로써 상기 제1전극(3)의 내부에 배치되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1분사부재(71)를 따라 유동하는 제1가스의 온도를 조절할 필요가 있는 경우, 상기 제1전극(3)의 온도를 조절하여 상기 제1가스의 온도를 직접적으로 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1가스의 온도를 조절하는 작업에 대한 용이성과 정확성을 향상시킬 수 있다.
상기 제1분사부(7)는 제1분사공(72)을 포함할 수 있다.
상기 제1분사공(72)은 상기 제1가스를 상기 안치대(2) 쪽으로 분사하는 것이다. 상기 제1분사공(72)은 상기 제1분사부재(71)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1분사부재(71)를 따라 유동하는 제1가스는, 상기 제1분사공(72)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다 상기 제1분사공(72)은 일단이 상기 제1분사부재(71)에 연결됨과 아울러 타단이 상기 제1전극(3)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제1분사부재(71)가 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 평행하게 형성된 경우, 상기 제1분사공(72)은 상기 상하방향(Z축 방향)에 대해 평행하게 형성될 수 있다.
상기 제1분사부(7)는 상기 제1분사공(72)을 복수개 포함할 수 있다. 상기 제1분사공(72)들은 상기 제1축방향(X축 방향)을 따라 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1분사공(72)은 상기 안치대(2)에 지지된 기판(200)의 서로 다른 부분에 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 상기 제1분사공(72)들은 각각 상기 제1분사부재(71)의 서로 다른 부분에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1가스는 상기 제1분사부재(71)를 따라 상기 제1축방향(X축 방향)으로 유동하면서 상기 제1분사공(72)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다.
상기 제1분사공(72)이 복수개 구비됨에 따라, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제1가스를 분사하도록 구현될 수 있다. 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 수직한 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제1가스를 분사하기 위해, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1분사부재(71)를 복수개 포함할 수 있다.
상기 제1분사부재(71)들은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2축방향(Y축 방향)과 상기 제1축방향(X축 방향)은 하나의 평면 상에서 서로 수직하게 배치된 축 방향이다. 상기 제1분사부재(71)들 각각에는 상기 제1분사공(72)들이 복수개 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1분사부재(71)들은 상기 제1분사공(72)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제1가스를 분사할 수 있을 뿐만 아니라 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제1가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 안치대(2)에 안치된 기판(200)의 전면(全面)을 향해 상기 제1가스를 분사할 수 있도록 구현된다. 상기 제1분사공(72)들은 상기 돌출전극(31)을 관통하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1가스는 상기 제1분사공(72)들을 통해 상기 개구(41)를 향해 분사된 후에, 상기 개구(41)를 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 유동할 수 있다.
상기 제1분사부(7)는 제1공급부재(73)를 포함할 수 있다. 상기 제1공급부재(73)는 상기 제1분사부재(71)의 입구에 결합된 것이다. 상기 제1공급부재(73)는 상기 제1주입부(5)로부터 주입된 제1가스를 상기 제1분사부재(71)의 내부로 공급할 수 있다. 상기 제1공급부재(73)는 상기 제1가스가 상기 제1분사부재(71)로 공급되기 위해 유동하는 제1공급공(74)을 포함할 수 있다. 상기 제1공급공(74)은 상기 제1공급부재(73)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제1공급공(74)은 상기 제1분사부재(71)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1주입부(5)로부터 주입된 제1가스는, 상기 제1공급공(74)을 통해 상기 제1공급부재(73)를 통과하여 상기 제1분사부재(71)로 공급될 수 있다. 상기 제1공급부재(73)는 상기 제1공급공(74)이 상기 제1분사부재(71)에 연결되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다.
상기 제1분사부(7)가 상기 제1분사부재(71)를 복수개 포함하는 경우, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1공급부재(73)를 복수개 포함할 수 있다. 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제1분사부재(71)들 각각의 입구에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분사부(7)는 제1분배부재(70)를 포함할 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1주입부(5)로부터 주입된 상기 제1가스를 상기 제1공급부재(73)들 각각에 분배하는 것이다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 하나의 제1주입부(5)를 이용하여 상기 제1공급부재(73)들 및 상기 제1분사부재(71)들에 상기 제1가스를 공급하도록 구현될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1주입부(5) 및 상기 제1공급부재(73)들 각각에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1공급부재(73)들의 제1공급공(74)들 각각에 연결될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 챔버(100)에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1주입부(5)는 상기 제1분배부재(70)에 연결되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제1분배부재(70) 및 상기 제1분사부재(71)들에 연결되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1주입부(5) 및 상기 제1공급부재(73)들의 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 제2축방향(Y축 방향)으로 연장되도록 상기 챔버(100)에 형성될 수 있다.
상기 제1분배부재(70)는 상기 제1주입부(5)로부터 주입된 상기 제1가스를 상기 제1공급부재(73)들 각각에 분배하는 통로로 기능할 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 상기 챔버(100)의 내부에 홈(Groove)를 형성함으로써 상기 챔버(100)의 내부에 배치되도록 구현될 수 있다. 상기 제1분배부재(70)는 파이프(Pipe), 튜브(Tube) 등으로 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1분배부재(70)는 상기 챔버(100)의 내부에 배치되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.
상기 제1분배부재(70)의 체적은 상기 제1분사부재(71)들의 체적의 합보다 더 클 수 있다. 이 경우, 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1분사부재(71)들 각각의 체적을 모두 합한 것보다 더 큰 체적을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 제1분사부재(71)들 각각의 체적을 모두 합한 것보다 상기 제1분배부재(70)의 체적이 더 작은 비교예는, 상기 제1분사부재(71)들 각각에 상기 제1가스를 균일하게 공급할 수 없다. 상기 제1분사부재(71)들에 공급해야 하는 상기 제1가스의 전체 유량보다 상기 제1분배부재(70)에 최대로 채워질 수 있는 상기 제1가스의 유량이 작기 때문이다. 이와 달리, 실시예는 상기 제1분사부재(71)들에 공급해야 하는 상기 제1가스의 전체 유량보다 상기 제1분배부재(70)에 최대로 채워질 수 있는 상기 제1가스의 유량이 더 크므로, 비교예와 대비할 때 상기 제1분배부재(70)를 통해 상기 제1분사부재(71)들 각각에 상기 제1가스를 더 균일하게 공급할 수 있다. 여기서, 상기 제1분배부재(70)의 체적은 상기 제1분배부재(70)가 상기 제1주입부(5)에 맞닿는 부분에서부터 상기 제1분배부재(70)가 상기 제1공급부재(73)에 맞닿는 부분까지를 기준으로 한 것이다. 즉, 상기 제1분배부재(70)의 체적에는 상기 제1주입부(5)의 체적과 상기 제1공급부재(73)의 체적이 포함되지 않는다. 상기 제1분사부재(71)들 각각의 체적에는 제1공급부재(73)의 체적과 상기 제1분사공(72)의 체적이 포함되지 않는다.
도 7 및 도 8을 참고하면, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1분사부재(71)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 동일한 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1주입부(5)가 주입한 제1가스는, 상기 제1분배부재(70)를 통해 상기 제2축방향(Y축 방향)으로 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제1주입부(5)로부터 이격된 거리 차이에 따라 상기 제1공급부재(73)들이 상기 제1분사부재(71)들에 공급하는 제1가스의 유량에 차이가 발생하게 된다.
이러한 제1가스의 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1주입부(5)로부터 이격된 거리가 큰 것일수록 상기 제1공급공(74)의 크기가 더 크게 구현될 수 있다. 상기 제1주입부(5)로부터 이격된 거리는, 상기 제1주입부재(51)를 기준으로 이격된 거리에 해당할 수 있다.
예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1주입부재(51)로부터 제1이격거리(73L')로 이격된 제1공급부재(73'), 및 상기 제1주입부재(51)로부터 제2이격거리(73L")로 이격된 제1공급부재(73")가 배치될 수 있다. 상기 제2이격거리(73L")는 상기 제1이격거리(73L')에 비해 더 크다. 이 경우, 상기 제1공급부재(73")의 제1공급공(74")은 상기 제1공급부재(73')의 제1공급공(74')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 즉, 상기 제1공급공(74")의 크기(74D")은 상기 제1공급공(74')의 크기(74D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73")가 상기 제1공급부재(73')에 비해 상기 제1주입부재(51)로부터 더 큰 거리로 이격되도록 배치되더라도, 상기 제1공급부재(73, '73")들이 상기 제1분사부재(71, 도 7에 도시됨)들 각각에 공급하는 제1가스의 유량에 대한 차이를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하는 상기 제1공급부재들(73', 73")의 이격거리(73L', 73L") 차이로 인해, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제1가스의 유량에 대한 편차를 감소시킬 수 있다. 상기 제1공급공들(74', 74") 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제1공급공(74")의 직경(74D")은 상기 제1공급공(74')의 직경(74D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 상기 제1분사부재(71)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 동일한 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현된 경우, 상기 제1전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있다. 상기 제1주입부재(51)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1전극(3)의 양측면으로부터 동일한 거리로 이격된 지점에 위치하도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.
도 2, 도 9 및 도 10을 참고하면, 상기 제1분사부(7)는 상기 제1분사부재(71)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1주입부(5)가 주입한 제1가스는, 상기 제1공급부재(73)들을 통해 상기 제1분사부재(71)들로 공급된 후에 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 거리로 유동하면서 상기 기판(200, 도 2에 도시됨)을 향해 분사된다. 이에 따라, 상기 제1분사부재(71)들의 길이 차이에 따라 상기 제1분사부재(71)들이 상기 기판(200)을 향해 분사하는 제1가스의 유량에 차이가 발생할 수 있다.
이러한 제1가스의 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 길이가 긴 제1분사부재(71)에 결합된 것일수록 상기 제1공급공(74)의 크기가 더 크게 구현될 수 있다.
예컨대, 도 10에 도시된 바와 같이 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 제1길이(71L')로 형성된 제1분사부재(71') 및 제2길이(71L")로 형성된 제1분사부재(71")가 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제2길이(71L")는 상기 제1길이(71L')에 비해 더 길다. 이 경우, 상기 제1분사부재(71")에 결합된 제1공급부재(73")의 제1공급공(74")은 상기 제1분사부재(71')에 결합된 제1공급부재(73')의 제1공급공(74')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 즉, 상기 제1공급공(74")의 크기(74D")은 상기 제1공급공(74')의 크기(74D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1분사부재(71")가 상기 제1분사부재(71')에 비해 더 긴 길이로 형성되더라도, 상기 제1분사부재들(71', 71")이 상기 기판(200, 도 2에 도시됨)을 향해 분사하는 제1가스의 유량에 대한 차이를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하는 상기 제1분사부재들(71', 71")의 길이 차이로 인해, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제1가스의 유량에 대한 편차를 감소시킬 수 있다. 상기 제1공급공들(74', 74") 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제1공급공(74")의 직경(74D")은 상기 제1공급공(74')의 직경(74D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.
한편, 상기 제1분사부재(71)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현된 경우, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1분사부재(71)들의 양단은 상기 제1분사부재(71)들의 길이에 따라 서로 다른 위치에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1분배부재(70)는 상기 제1분사부재(71)들의 일단에 대응되도록 휘어진 곡선 형태로 형성될 수 있다. 도 9에는 상기 제1전극(3)이 전체적으로 원반형으로 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제1전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수도 있다.
도 7 내지 도 10을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73)들이 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합되도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73)들의 교체를 통해 상기 제1공급공(74)들 간의 크기 차이가 조절됨으로써, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)에 분사되는 제1가스의 유량에 대한 편차를 감소시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제1주입부(5)로부터 이격된 이격거리에 따라 발생하는 제1가스의 유량에 대한 편차를 줄이기 위해 교체될 수 있다. 예컨대, 상기 제1공급부재(73)들은 상기 제1분사부재(71)들의 길이 차이에 따라 발생하는 제1가스의 유량에 대한 편차를 줄이기 위해 교체될 수 있다. 이 경우, 상기 제1공급부재(73)들에 대한 교체는, 상기 제1주입부(5)로부터 이격된 이격거리보다 상기 제1분사부재(71)들의 길이 차이가 우선적으로 고려될 수 있다. 상기 제1공급부재(73)들은 볼트 등과 같은 체결수단을 이용하여 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합될 수 있다.
도 2 및 도 11을 참고하면, 상기 제2분사부(8)는 상기 제1전극(3)을 통해 상기 제2가스를 분사하는 것이다. 상기 제2분사부(8)는 상기 제2주입부(6)에 연결될 수 있다. 상기 제2주입부(6)가 상기 제2분사부(8)에 주입한 제2가스는, 상기 제2분사부(8)를 따라 유동하면서 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다.
상기 제2분사부(8)는 제2분사부재(81)를 포함할 수 있다.
상기 제2분사부재(81)는 상기 제1전극(3)의 내부에 배치된 것이다. 상기 제2분사부재(81)는 상기 제2주입부(6)로부터 주입된 제2가스를 유동시키기 위한 통로로 기능할 수 있다. 상기 제2분사부재(81)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 따라 연장되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)에 주입된 제2가스는, 상기 제2분사부재(81)를 따라 상기 제1축방향(X축 방향)으로 유동할 수 있다. 상기 제2분사부재(81)는 파이프(Pipe), 튜브(Tube) 등으로 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2분사부재(81)는 상기 제1전극(3)의 내부에 배치되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)는 상기 제1전극(3)의 내부에 홈(Groove)을 형성함으로써 상기 제1전극(3)의 내부에 배치되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2분사부재(81)를 따라 유동하는 제2가스의 온도를 조절할 필요가 있는 경우, 상기 제1전극(3)의 온도를 조절하여 상기 제2가스의 온도를 직접적으로 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2가스의 온도를 조절하는 작업에 대한 용이성과 정확성을 향상시킬 수 있다.
상기 제2분사부(8)는 제2분사공(82)을 포함할 수 있다.
상기 제2분사공(82)은 상기 제2가스를 상기 안치대(2) 쪽으로 분사하는 것이다. 상기 제2분사공(82)은 상기 제2분사부재(81)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)를 따라 유동하는 제2가스는, 상기 제2분사공(82)을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다 상기 제2분사공(82)은 일단이 상기 제2분사부재(81)에 연결됨과 아울러 타단이 상기 제1전극(3)을 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)가 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 평행하게 형성된 경우, 상기 제2분사공(82)은 상기 상하방향(Z축 방향)에 대해 평행하게 형성될 수 있다.
상기 제2분사부(8)는 상기 제2분사공(82)을 복수개 포함할 수 있다. 상기 제2분사공(82)들은 상기 제1축방향(X축 방향)을 따라 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사공(82)은 상기 안치대(2)에 지지된 기판(200)의 서로 다른 부분에 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 상기 제2분사공(82)들은 각각 상기 제2분사부재(81)의 서로 다른 부분에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2가스는 상기 제2분사부재(81)를 따라 상기 제1축방향(X축 방향)으로 유동하면서 상기 제2분사공(82)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 분사될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제2분사공(82) 및 상기 제1분사공(72)은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 교대로 복수개씩 배치될 수 있다.
상기 제2분사공(82)이 복수개 구비됨에 따라, 상기 제2분사부(8)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제2가스를 분사하도록 구현될 수 있다. 상기 제1축방향(X축 방향)에 대해 수직한 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제2가스를 분사하기 위해, 상기 제2분사부(8)는 상기 제2분사부재(81)를 복수개 포함할 수 있다.
상기 제2분사부재(81)들은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)들 각각에는 상기 제2분사공(82)들이 복수개 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)들은 상기 제2분사공(82)들을 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제2가스를 분사할 수 있을 뿐만 아니라 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 전체적으로 상기 제2가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 안치대(2)에 안치된 기판(200)의 전면(全面)을 향해 상기 제2가스를 분사할 수 있도록 구현된다. 상기 제2분사공(82)들은 상기 제2전극(4)의 상측에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제2가스는 상기 제2분사공(82)들을 통해 상기 제1전극(3)과 상기 제2전극(4)의 사이로 분사된 후에, 상기 개구(41)를 통해 상기 안치대(2) 쪽으로 유동할 수 있다.
상기 제2분사부(8)는 제2공급부재(83)를 포함할 수 있다. 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2분사부재(81)의 입구에 결합된 것이다. 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2주입부(6)로부터 주입된 제2가스를 상기 제2분사부재(81)의 내부로 공급할 수 있다. 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2가스가 상기 제2분사부재(81)로 공급되기 위해 유동하는 제2공급공(84)을 포함할 수 있다. 상기 제2공급공(84)은 상기 제2공급부재(83)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 제2공급공(84)은 상기 제2분사부재(81)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2주입부(6)로부터 주입된 제2가스는, 상기 제2공급공(84)을 통해 상기 제2공급부재(83)를 통과하여 상기 제2분사부재(81)로 공급될 수 있다. 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2공급공(84)이 상기 제2분사부재(81)에 연결되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다.
상기 제2분사부(8)가 상기 제2분사부재(81)를 복수개 포함하는 경우, 상기 제2분사부(8)는 상기 제2공급부재(83)를 복수개 포함할 수 있다. 상기 제2공급부재(83)들은 상기 제2분사부재(81)들 각각의 입구에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 제2분사부(8)는 제2분배부재(80)를 포함할 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2주입부(6)로부터 주입된 상기 제2가스를 상기 제2공급부재(83)들 각각에 분배하는 것이다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 하나의 제2주입부(6)를 이용하여 상기 제2공급부재(83)들 및 상기 제2분사부재(81)들에 상기 제2가스를 공급하도록 구현될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2주입부(6) 및 상기 제2공급부재(83)들 각각에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2공급부재(83)들의 제2공급공(84)들 각각에 연결될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 챔버(100)에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2주입부(6)는 상기 제2분배부재(80)에 연결되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다. 상기 제2공급부재(83)들은 상기 제2분배부재(80) 및 상기 제2분사부재(81)들에 연결되도록 상기 제1전극(3)에 결합될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2주입부(6) 및 상기 제2공급부재(83)들의 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2축방향(Y축 방향)으로 연장되도록 상기 챔버(100)에 형성될 수 있다.
상기 제2분배부재(80)는 상기 제2주입부(6)로부터 주입된 상기 제2가스를 상기 제2공급부재(83)들 각각에 분배하는 통로로 기능할 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 상기 챔버(100)의 내부에 홈(Groove)를 형성함으로써 상기 챔버(100)의 내부에 배치되도록 구현될 수 있다. 상기 제2분배부재(80)는 파이프(Pipe), 튜브(Tube) 등으로 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 제2분배부재(80)는 상기 챔버(100)의 내부에 배치되도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.
상기 제2분배부재(80)의 체적은 상기 제2분사부재(81)들의 체적의 합보다 더 클 수 있다. 이 경우, 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2분사부재(81)들 각각의 체적을 모두 합한 것보다 더 큰 체적을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)들 각각의 체적을 모두 합한 것보다 상기 제2분배부재(80)의 체적이 더 작은 비교예는, 상기 제2분사부재(81)들 각각에 상기 제2가스를 균일하게 공급할 수 없다. 상기 제2분사부재(81)들에 공급해야 하는 상기 제2가스의 전체 유량보다 상기 제2분배부재(80)에 최대로 채워질 수 있는 상기 제2가스의 유량이 작기 때문이다. 이와 달리, 실시예는 상기 제2분사부재(81)들에 공급해야 하는 상기 제2가스의 전체 유량보다 상기 제2분배부재(80)에 최대로 채워질 수 있는 상기 제2가스의 유량이 더 크므로, 비교예와 대비할 때 상기 제2분배부재(80)를 통해 상기 제2분사부재(81)들 각각에 상기 제2가스를 더 균일하게 공급할 수 있다. 여기서, 상기 제2분배부재(80)의 체적은 상기 제2분배부재(80)가 상기 제2주입부(6)에 맞닿는 부분에서부터 상기 제2분배부재(80)가 상기 제2공급부재(83)에 맞닿는 부분까지를 기준으로 한 것이다. 즉, 상기 제2분배부재(80)의 체적에는 상기 제2주입부(6)의 체적과 상기 제2공급부재(83)의 체적이 포함되지 않는다. 상기 제2분사부재(81)들 각각의 체적에는 제2공급부재(83)의 체적과 상기 제2분사공(82)의 체적이 포함되지 않는다.
도 11 및 도 12를 참고하면, 상기 제2분사부(8)는 상기 제2분사부재(81)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 동일한 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2주입부(6)가 주입한 제2가스는, 상기 제2분배부재(80)를 통해 상기 제2축방향(Y축 방향)으로 유동하면서 점차적으로 유량이 감소하게 된다. 이에 따라, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제2주입부(6)로부터 이격된 거리 차이에 따라 상기 제2공급부재(83)들이 상기 제2분사부재(81)들에 공급하는 제2가스의 유량에 차이가 발생하게 된다.
이러한 제2가스의 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제2공급부재(83)들은 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제2주입부(6)로부터 이격된 거리가 큰 것일수록 상기 제2공급공(84)의 크기가 더 크게 구현될 수 있다. 상기 제2주입부(6)로부터 이격된 거리는, 상기 제2주입부재(61)를 기준으로 이격된 거리에 해당할 수 있다.
예컨대, 도 12에 도시된 바와 같이 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제2주입부재(61)로부터 제3이격거리(83L')로 이격된 제2공급부재(83'), 및 상기 제2주입부재(61)로부터 제4이격거리(83L")로 이격된 제2공급부재(83")가 배치될 수 있다. 상기 제4이격거리(83L")는 상기 제3이격거리(83L')에 비해 더 크다. 이 경우, 상기 제2공급부재(83")의 제2공급공(84")은 상기 제2공급부재(83')의 제2공급공(84')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 즉, 상기 제2공급공(84")의 크기(84D")은 상기 제2공급공(84')의 크기(84D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2공급부재(83")가 상기 제2공급부재(83')에 비해 상기 제2주입부재(61)로부터 더 큰 거리로 이격되도록 배치되더라도, 상기 제2공급부재들(83', 83")이 상기 제2분사부재(81, 도 11에 도시됨)들 각각에 공급하는 제2가스의 유량에 대한 차이를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하는 상기 제2공급부재들(83', 83")의 이격거리(83L', 83L") 차이로 인해, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량에 대한 편차를 감소시킬 수 있다. 상기 제2공급공들(84', 84") 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제2공급공(84")의 직경(84D")은 상기 제2공급공(84')의 직경(84D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 동일한 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현된 경우, 상기 제1전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수 있다. 상기 제2주입부재(61)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 제1전극(3)의 양측면으로부터 동일한 거리로 이격된 지점에 위치하도록 상기 챔버(100)에 결합될 수 있다.
도 2, 도 13 및 도 14를 참고하면, 상기 제2분사부(8)는 상기 제2분사부재(81)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제2주입부(6)가 주입한 제2가스는, 상기 제2공급부재(83)들을 통해 상기 제2분사부재(81)들로 공급된 후에 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 거리로 유동하면서 상기 기판(200, 도 2에 도시됨)을 향해 분사된다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)들의 길이 차이에 따라 상기 제2분사부재(81)들이 상기 기판(200)을 향해 분사하는 제2가스의 유량에 차이가 발생할 수 있다.
이러한 제2가스의 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제2공급부재(83)들은 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 길이가 긴 제2분사부재(81)에 결합된 것일수록 상기 제2공급공(84)의 크기가 더 크게 구현될 수 있다.
예컨대, 도 14에 도시된 바와 같이 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 제3길이(81L')로 형성된 제2분사부재(81') 및 제4길이(81L")로 형성된 제2분사부재(81")가 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 이격되도록 배치될 수 있다. 상기 제4길이(81L")는 상기 제3길이(81L')에 비해 더 길다. 이 경우, 상기 제2분사부재(81")에 결합된 제2공급부재(83")의 제2공급공(84")은 상기 제2분사부재(81')에 결합된 제2공급부재(83')의 제2공급공(84')에 비해 더 크게 구현될 수 있다. 즉, 상기 제2공급공(84")의 크기(84D")은 상기 제2공급공(84')의 크기(84D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 제2분사부재(81")가 상기 제2분사부재(81')에 비해 더 긴 길이로 형성되더라도, 상기 제2분사부재들(81', 81")이 상기 기판(200, 도 2에 도시됨)을 향해 분사하는 제2가스의 유량에 대한 차이를 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하는 상기 제2분사부재들(81', 81")의 길이 차이로 인해, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량에 대한 편차를 감소시킬 수 있다. 상기 제2공급공들(84', 84") 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제2공급공(84")의 직경(84D")은 상기 제2공급공(84')의 직경(84D')에 비해 더 크게 구현될 수 있다.
한편, 상기 제2분사부재(81)들이 상기 제1축방향(X축 방향)으로 서로 다른 길이로 형성됨과 아울러 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 이격된 위치에 배치되도록 구현된 경우, 도 13에 도시된 바와 같이 상기 제1축방향(X축 방향)을 기준으로 하여 상기 제2분사부재(81)들의 양단은 상기 제2분사부재(81)들의 길이에 따라 서로 다른 위치에 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제2분배부재(80)는 상기 제2분사부재(81)들의 일단에 대응되도록 휘어진 곡선 형태로 형성될 수 있다. 도 13에는 상기 제1전극(3)이 전체적으로 원반형으로 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 제1전극(3)은 전체적으로 사각판형으로 형성될 수도 있다.
도 15를 참고하면, 상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여 교대로 복수개씩 배치될 수 있다. 도 15에서 실선이 제1가스가 유동하는 제1주입부재(51)와 제1분사부재(71)들의 위치를 표시한 것이고, 점선이 제2가스가 유동하는 제2주입부재(61)와 제2분사부재(81)들의 위치를 표시한 것이다. 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)는 서로 제1간격(S1)으로 이격되면서 교대로 복수개씩 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사부(7)와 상기 제1분사부(8)는 상기 제2가스와 상기 제1가스가 서로 혼합되지 않도록 별개의 유로를 구현할 수 있다.
상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)가 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 상기 제1간격(S1)으로 이격되도록 배치된 경우, 상기 제2주입부재(61)와 상기 제1주입부재(51)는 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 상기 제1간격(S1)으로 이격되도록 배치될 수 있다. 즉, 상기 제2축방향(Y축 방향)을 기준으로 하여, 상기 제2주입부재(61)와 상기 제1주입부재(51)는 상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)가 서로 이격된 간격과 동일한 간격으로 이격되도록 배치된다. 이에 따라, 상기 제2주입부재(61)가 주입한 제2가스 및 상기 제1주입부재(51)가 주입한 제1가스는, 각각 상기 제2축방향(Y축 방향)을 따라 서로 동일한 거리로 유동하여 상기 제2분사부재(81)들 및 상기 제1분사부재(71)들로 분배될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(200)의 부분별로 상기 제2가스와 상기 제1가스에 대한 유량비율의 편차를 감소시킬 수 있다.
도 16 및 도 17을 참고하면, 상기 제2분사부재(81) 및 상기 제1분사부재(71)는 상기 안치대(2)로부터 서로 다른 높이로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제1분사부재(71)는 상기 안치대(2)로부터 제3높이(71H)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1분사부재(71)는 상기 상하방향(Z축 방향)을 기준으로 하여 상기 안치대(2)에 비해 더 높은 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2분사부재(81)는 상기 안치대(2)로부터 제4높이(81H)로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 상기 제4높이(81H)는 상기 제3높이(71H)에 비해 더 낮다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)는 상기 제1분사부재(71)에 비해 상기 안치대(2)로부터 더 낮은 높이로 이격된 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2분사부재(81) 및 상기 제1분사부재(71)는 서로 간섭되지 않는 위치에 배치될 수 있으므로, 상기 제2가스와 상기 제1가스가 서로 혼합되지 않도록 별개의 유로를 구현할 수 있다.
상기 제2분사부재(81)가 상기 제1분사부재(71)에 비해 더 낮은 위치에 배치된 경우, 상기 제2분사부재(81)가 상기 제1분사부재(71)에 비해 상기 안치대(2)에 더 가깝게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)에 서로 동일한 유량의 제2가스와 제1가스가 공급되면, 상기 제2분사부재(81)와 상기 제1분사부재(71)의 높이 차이로 인해 상기 기판(200) 쪽으로 분사된 제2가스의 유량과 제1가스의 유량에 차이가 발생하게 된다. 이러한 유량 차이를 감소시키기 위해, 상기 제2분사부재(81)에 결합된 제2공급부재(83)의 제2공급공(84)은, 상기 제1분사부재(71)에 결합된 제1공급부재(73)의 제1공급공(74)에 비해 더 작은 크기(84D)로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2공급공(84)의 크기(84D)가 상기 제1공급공(74)의 크기(74D)에 비해 더 작다. 이에 따라, 상기 제2공급공(84)을 통해 상기 제2분사부재(81)로 공급되는 제2가스의 유량은, 상기 제1공급공(74)을 통해 상기 제1분사부재(71)로 공급되는 제1가스의 유량에 비해 더 적어지게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2분사부재(81)가 상기 제1분사부재(71)에 비해 더 낮은 위치에 배치되더라도, 상기 기판(2000 쪽으로 분사된 제2가스의 유량과 제1가스의 유량에 발생하는 차이를 감소시킬 수 있다. 상기 제2공급공(84) 및 상기 제1공급공(74) 각각이 원통 형태로 형성된 경우, 상기 제2공급공(84)의 직경(84D)이 상기 제1공급공(74)의 직경(74D)에 비해 더 작게 구현될 수 있다.
상기 제2공급부재(83)는 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2공급부재(83)의 교체를 통해 상기 제2공급공(84)과 상기 제1공급공(74) 간의 크기 차이가 조절될 수 있도록 구현됨으로써, 상기 제1가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제2가스의 유량을 변경할 수 있다.
예컨대, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 서로 동일한 유량으로 사용되는 처리공정에서 상기 제1가스에 비해 상기 제2가스가 더 많은 유량으로 사용되는 처리공정으로 변경된 경우, 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2공급공(84)의 크기(84D)가 더 큰 것으로 교체될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2공급부재(83)의 교체를 통해 상기 제2분사부재(81)에 공급되는 제2가스의 유량을 증대시킴으로써, 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량을 증대시킬 수 있다.
예컨대, 상기 제1가스와 상기 제2가스가 서로 동일한 유량으로 사용되는 처리공정에서 상기 제1가스에 비해 상기 제2가스가 더 적은 유량으로 사용되는 처리공정으로 변경된 경우, 상기 제2공급부재(83)는 상기 제2공급공(84)의 크기(84D)가 더 작은 것으로 교체될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2공급부재(83)의 교체를 통해 상기 제2분사부재(81)에 공급되는 제2가스의 유량을 감소시킴으로써, 상기 기판(200)을 향해 분사되는 제2가스의 유량을 감소시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제2공급부재(83)가 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합됨으로써, 상기 처리공정에 따라 상기 제1가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제2가스의 유량을 변경할 수 있도록 구현된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 처리공정의 변경에 대한 대응력을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 처리공정에 적용할 수 있는 범용성을 향상시킬 수 있다. 상기 제2공급부재(83)는 볼트 등과 같은 체결수단을 이용하여 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73)가 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73)를 상기 제1공급공(74)의 크기(74D)가 다른 것으로 교체함으로써, 상기 처리공정에 따라 상기 제2가스의 유량을 기준으로 하여 상기 제1가스의 유량을 변경할 수 있도록 구현된다. 상기 제1공급부재(73)는 볼트 등과 같은 체결수단을 이용하여 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1공급부재(73)와 상기 제2공급부재(83) 모두가 상기 제1전극(3)에 분리 가능하게 결합되도록 구현될 수도 있다.
도 18을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 배기구(110)를 포함할 수 있다.
상기 배기구(110)는 상기 챔버(100)의 내부를 배기시키는 것이다. 상기 배기구(110)는 상기 챔버(100)를 관통하도록 형성될 수 있다. 상기 배기구(110)는 상기 챔버(100)의 외부에 배치된 배기유닛(120)에 연결될 수 있다. 상기 배기유닛(120)은 흡입력을 발생시킴으로써, 상기 배기구(110)를 통해 상기 챔버(100)의 내부를 배기시킬 수 있다.
여기서, 상기 제1주입부(5)와 상기 제2주입부(6)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에 배치된 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)이 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에 대응됨과 아울러 상기 기판(200)의 타측(220)이 상기 제1전극(3)의 타측(3c)에 대응되도록 상기 안치대(2)에 안치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1주입부(5)와 상기 제2주입부(6)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에서 상기 제1가스와 상기 제2가스를 주입하므로, 상기 기판(200)의 일측(210)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량비율 및 상기 기판(200)의 타측(220)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량비율은 대략 일치하게 된다. 그러나 상기 기판(200)의 일측(210)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량은, 상기 기판(200)의 타측(220)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량에 비해 더 많게 된다. 이에 따라, 증착공정의 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)에 더 두꺼운 박막이 증착될 수 있다. 식각공정의 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)에서 더 많은 식각이 이루어질 수 있다.
이를 해결하기 위해, 상기 배기구(110)는 상기 제1전극(3)의 타측(3c)에 대응되는 위치에서 상기 챔버(100)의 내부를 배기시키도록 상기 챔버(100)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1전극(3)의 일측(3a) 쪽에서 상기 기판(200)의 일측(210) 쪽을 향해 분사된 제1가스와 제2가스가 상기 기판(200)의 타측(220) 쪽으로 유동하여 배기되도록 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(200)의 일측(210) 상에 위치한 제1가스와 제2가스의 유량 및 상기 기판(200)의 타측(220) 상에 위치한 제1가스와 제2가스의 유량 간에 발생하는 편차를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 증착공정을 수행하는 경우, 상기 기판(200)에 전체적으로 균일한 두께의 박막이 증착되도록 구현될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 식각공정을 수행하는 경우, 상기 기판(200)에 전체적으로 균일한 식각이 이루어지도록 구현될 수 있다.
상기 배기구(110)는 상기 제1전극(3)의 타측(220)에 대응되는 위치에서 상기 챔버(100)의 바닥면을 관통하도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 배기구(110)는 상기 안치대(2)와 상기 챔버(100)의 사이에 대응되는 위치에서 상기 챔버(100)의 바닥면을 관통하도록 형성될 수 있다.
도 18을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)은 온도조절유닛(130)을 포함할 수 있다.
상기 온도조절유닛(130)은 상기 기판(200)의 온도를 조절하는 것이다. 상기 온도조절유닛(130)은 상기 안치대(2)에 결합될 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)은 상기 안치대(2)의 온도를 조절함으로써, 상기 안치대(2)에 안치된 기판(200)의 온도를 조절할 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)은 온도조절용 유체를 상기 안치대(2)의 내부에서 순환 이동시킴으로써, 상기 기판(200)의 온도를 조절할 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)은 상기 안치대(2)의 내부에 결합된 전열선에 전원을 인가함으로써, 상기 기판(200)의 온도를 조절할 수도 있다.
여기서, 상기 제1주입부(5)와 상기 제2주입부(6)가 상기 제1전극(3)의 일측(3a)에 배치된 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량비율 및 상기 기판(200)의 타측(220)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량비율은 대략 일치하게 된다. 그러나 상기 기판(200)의 일측(210)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량은, 상기 기판(200)의 타측(220)을 향해 분사된 제1가스와 제2가스의 유량에 비해 더 많게 된다. 이에 따라, 증착공정의 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)에 더 두꺼운 박막이 증착될 수 있다. 식각공정의 경우, 상기 기판(200)의 일측(210)에서 더 많은 식각이 이루어질 수 있다.
이를 해결하기 위해, 상기 온도조절유닛(130)은 상기 기판(200)의 일측(210)에 비해 상기 기판(200)의 타측(220)을 더 높은 온도로 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 온도조절유닛(130)은 상기 기판(200)의 일측(210)에서의 반응성에 비해 상기 기판(200)의 타측(220) 쪽에서의 반응성을 더 높일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 증착공정을 수행하는 경우, 상기 기판(200)에 전체적으로 균일한 두께의 박막이 증착되도록 구현될 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 식각공정을 수행하는 경우, 상기 기판(200)에 전체적으로 균일한 식각이 이루어지도록 구현될 수 있다.
상기 온도조절유닛(130)은 상기 기판(200)의 타측(220)에 대응되는 안치대(2)의 타측부분을 더 높은 온도로 조절함으로써, 상기 기판(200)의 타측(200)을 더 높은 온도로 조절할 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)이 온도조절용 유체를 이용하는 경우, 상기 온도조절유닛(130)은 상기 타측부분을 순환 이동하는 온도조절용 유체의 온도와 유량 중에서 적어도 하나를 증대시킬 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)이 전열선을 이용하는 경우, 상기 온도조절유닛(130)은 상기 타측부분에 더 높은 전류의 전원을 인가할 수 있다. 상기 온도조절유닛(130)은 상기 타측부분에만 배치되도록 상기 안치대(2)에 결합될 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
1 : 기판처리장치 2 : 안치대
3 : 제1전극 4 : 제2전극
5 : 제1주입부 6 : 제2주입부
7 : 제1분사부 8 : 제2분사부
31 : 돌출전극 41 : 개구
51 : 제1주입부재 52 : 제1주입공
61 : 제2주입부재 62 : 제2주입공
71 : 제1분사부재 72 : 제1분사공
73 : 제1공급부재 74 : 제1공급공
81 : 제1분사부재 82 : 제2분사공
83 : 제2공급부재 84 : 제2공급공
100 : 챔버 110 : 배기구
120 : 배기유닛 130 : 온도조절유닛

Claims (18)

  1. 챔버;
    기판이 안치되는 안치대;
    상기 안치대의 상측에 위치하고, 상기 안치대 쪽으로 돌출된 복수개의 돌출전극이 결합된 제1전극;
    상기 제1전극과 상기 안치대의 사이에 위치하고, 상기 돌출전극들에 대응되는 위치에 복수개의 개구가 형성된 제2전극;
    상기 제1전극을 통해 제1가스를 분사하는 제1분사부;
    상기 제1전극을 통해 제2가스를 분사하는 제2분사부;
    상기 제1분사부에 상기 제1가스를 주입하는 제1주입부; 및
    상기 제2분사부에 상기 제2가스를 주입하는 제2주입부를 포함하고,
    상기 제1주입부와 상기 제2주입부는 각각 상기 제1전극에 대해 같은 쪽에 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1주입부와 상기 제2주입부는 각각 상기 제1가스와 상기 제2가스를 서로 동일한 주입방향으로 유동시켜서 상기 제1분사부와 상기 제2분사부에 주입하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1주입부는 상기 제1분사부에 연결된 제1주입부재를 포함하고,
    상기 제2주입부는 상기 제2분사부에 연결된 제2주입부재를 포함하며,
    상기 제1주입부재는 제1축방향을 기준으로 하여 상기 안치대로부터 제1거리로 이격된 위치에 배치되고,
    상기 제2주입부재는 상기 제1축방향을 기준으로 하여 상기 안치대로부터 상기 제1거리로 이격된 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1주입부재는 상기 안치대로부터 제1높이로 이격된 위치에 배치되고,
    상기 제2주입부재는 상기 안치대로부터 상기 제1높이에 비해 더 낮은 제2높이로 이격된 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1주입부재는 상기 제1가스가 상기 제1분사부로 주입되기 위해 유동하는 제1주입공을 포함하고,
    상기 제2주입부재는 상기 제2가스가 상기 제2분사부로 주입되기 위해 유동하는 제2주입공을 포함하며,
    상기 제2주입공은 상기 제1주입공을 통해 상기 제1분사부로 주입되는 상기 제1가스의 유량에 비해 상기 제2분사부로 주입되는 상기 제2가스의 유량이 더 적도록 상기 제1주입공에 비해 더 작은 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1주입부는 상기 제1분사부에 연결된 제1주입부재를 포함하고,
    상기 제2주입부는 상기 제2분사부에 연결된 제2주입부재를 포함하며,
    상기 제1주입부재는 상기 제1가스가 상기 제1분사부로 주입되기 위해 유동하는 제1주입공을 포함하고,
    상기 제2주입부재는 상기 제2가스가 상기 제2분사부로 주입되기 위해 유동하는 제2주입공을 포함하되, 상기 챔버에 분리 가능하게 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 복수개의 제1분사부재, 상기 제1분사부재들 각각의 입구에 결합된 복수개의 제1공급부재, 및 상기 제1주입부로부터 주입된 상기 제1가스를 상기 제1공급부재들 각각에 분배하는 제1분배부재를 포함하고,
    상기 제1공급부재들은 각각 상기 제1분배부재와 상기 제1분사부재 각각에 연결된 제1공급공을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1분사부재들은 제1축방향을 따라 서로 동일한 길이로 형성됨과 아울러 상기 제1축방향에 대해 수직한 제2축방향을 따라 서로 이격된 위치에 배치되고,
    상기 제1공급부재들은 상기 제2축방향을 기준으로 하여 상기 제1주입부로부터 이격된 거리가 큰 것일수록 상기 제1공급공의 크기가 더 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1분사부재들은 제1축방향을 따라 서로 다른 길이로 형성됨과 아울러 상기 제1축방향에 대해 수직한 제2축방향을 따라 서로 이격된 위치에 배치되고,
    상기 제1공급부재들은 상기 제1축방향을 기준으로 하여 길이가 긴 제1분사부재에 결합된 것일수록 상기 제1공급공의 크기가 더 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 복수개의 제1분사부재, 상기 제1분사부재들 각각의 입구에 결합된 복수개의 제1공급부재, 및 상기 제1주입부로부터 주입된 상기 제1가스를 상기 제1공급부재들 각각에 분배하는 제1분배부재를 포함하고,
    상기 제1분배부재의 체적은 상기 제1분사부재들의 체적의 합보다 더 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 제1분사부재, 및 상기 제1분사부재의 입구에 결합된 제1공급부재를 포함하고,
    상기 제2분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 제2분사부재, 및 상기 제2분사부재의 입구에 결합된 제2공급부재를 포함하며,
    상기 제2분사부재는 상기 제1분사부재에 비해 상기 안치대로부터 더 낮은 높이로 이격된 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1공급부재는 상기 제1분사부재에 연결된 제1공급공을 포함하고,
    상기 제2공급부재는 상기 제2분사부재에 연결된 제2공급공을 포함하며,
    상기 제2공급공은 상기 제1공급공에 비해 더 작은 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 제1분사부재, 및 상기 제1분사부재의 입구에 결합된 제1공급부재를 포함하고,
    상기 제2분사부는 상기 제1전극의 내부에 배치된 제2분사부재, 및 상기 제2분사부재의 입구에 결합된 제2공급부재를 포함하며,
    상기 제1공급부재는 상기 제1분사부재에 연결된 제1공급공을 포함하고,
    상기 제2공급부재는 상기 제2분사부재에 연결된 제2공급공을 포함하되, 상기 제1전극에 분리 가능하게 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1분사부는 제1축방향을 따라 연장된 제1분사부재를 포함하고,
    상기 제2분사부는 상기 제1축방향을 따라 연장된 제2분사부재를 포함하며,
    상기 제1분사부재와 상기 제2분사부재는 상기 제1축방향에 대해 수직한 제2축방향을 기준으로 하여 교대로 복수개씩 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1주입부는 상기 제1분사부에 연결된 제1주입부재를 포함하고,
    상기 제2주입부는 상기 제2분사부에 연결된 제2주입부재를 포함하며,
    상기 제1주입부재와 상기 제2주입부재는 상기 제2축방향을 기준으로 하여 상기 제1분사부재와 상기 제2분사부재가 서로 이격된 간격과 동일한 간격으로 이격되게 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1분사부는 상기 제1가스를 상기 안치대 쪽으로 분사하는 제1분사공을 포함하며,
    상기 제2분사부는 상기 제2가스를 상기 안치대 쪽으로 분사하는 제2분사공을 포함하며,
    상기 제1분사공 및 상기 제2분사공은 상기 제1축방향을 기준으로 하여 교대로 복수개씩 배치되며,
    상기 제1분사부재들은 상기 제1분사공들을 통해 상기 안치대 쪽으로 상기 제1가스를 분사하도록 상기 제1분사공들에 연결되고,
    상기 제2분사부재들은 상기 제2분사공들을 통해 상기 안치대 쪽으로 상기 제2가스를 분사하도록 상기 제1분사공들에 연결된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 내부를 배기시키기 위한 배기구를 포함하고,
    상기 제1주입부와 상기 제2주입부는 상기 제1전극의 일측에 배치되며,
    상기 배기구는 상기 제1전극의 타측에 대응되는 위치에서 상기 챔버의 내부를 배기시키도록 상기 챔버에 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 온도를 조절하기 위한 온도조절유닛을 포함하고,
    상기 제1주입부와 상기 제2주입부는 상기 제1전극의 일측에 배치되며,
    상기 안치대에는 상기 기판의 일측이 상기 제1전극의 일측에 대응됨과 아울러 상기 기판의 타측이 상기 제1전극의 타측에 대응되도록 안치되고,
    상기 온도조절유닛은 상기 기판의 일측에 비해 상기 기판의 타측을 더 높은 온도로 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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