KR20200016699A - An electromagnetic wave shielding composition comprising carbon group non-oxide nanoparticles - Google Patents

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Abstract

One embodiment of the present invention provides an electromagnetic wave shielding composition comprising a binder resin and two-component or three-component carbon group non-oxide nanoparticles having an average particle size of 5 to 300 nm. The present invention is advantageous in terms of productivity and economic feasibility due to a simple manufacturing process.

Description

탄소족 비산화물 나노입자를 포함하는 전자파 차폐재 조성물{AN ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING COMPOSITION COMPRISING CARBON GROUP NON-OXIDE NANOPARTICLES}Electromagnetic shielding composition comprising carbon group non-oxide nanoparticles {AN ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELDING COMPOSITION COMPRISING CARBON GROUP NON-OXIDE NANOPARTICLES}

본 발명은 탄소족 비산화물 나노입자를 포함하는 전자파 차폐재 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다성분계 탄소족 비산화물 나노입자를 포함하는 전자파 차폐재 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to an electromagnetic wave shielding composition comprising carbon group non-oxide nanoparticles, and more particularly to an electromagnetic wave shielding composition comprising a multi-component carbon group non-oxide nanoparticles.

최근 컴퓨터나 전자제품, 통신기기 등의 급속한 발달과 대량 보급으로 인해 전자파 발생이 증가하고 있고, 다양한 주파수 범위에서 전자파로 인한 잡음 발생이 급증하면서 전자제품 상호 간 장애 현상이 나타나는 등 여러 문제점이 제기되고 있다. 특히, 차량에서 운전자와 보행자의 안전을 위한 여러 안전장치 및 편의장치에 전자장비가 적용되어 그 기능에 대한 소비자의 관심이 극대화되고 있는 상황에서, 전자장비에 들어가는 전자부품이나 회로들의 저전력화, 고집적화, 다기능화로 인한 전자부품 간 전자파 간섭의 억제, 전자파 차폐, 면역성 등 여러 측면에서 높은 신뢰성이 요구되고 있다.Recently, due to the rapid development and mass distribution of computers, electronic products, and communication devices, the generation of electromagnetic waves is increasing, and various problems are raised, such as the occurrence of interference between electronic products due to the rapid generation of noise caused by electromagnetic waves in various frequency ranges. have. In particular, electronic devices are applied to various safety devices and convenience devices for the safety of drivers and pedestrians in a vehicle, and the consumer's interest in the functions is maximized, resulting in low power and high integration of electronic components and circuits. In addition, high reliability is required in many aspects, such as suppressing electromagnetic interference between electronic components due to multifunctionalization, electromagnetic shielding, and immunity.

종래 전자제품 간 전자파 간섭을 효과적으로 억제하기 위해 전자제품을 금속 하우징(housing)으로 둘러싸서 전자파를 차폐하거나, 고가의 전자파 차폐 회로망을 구성하는 것이 최선의 방법이었다. 그러나, 금속으로 전자제품을 감싸는 경우 고가의 금형 제작비가 소요됨은 물론, 금속 자체의 중량으로 인해 연비 향상을 위한 차량 경량화 측면에 있어서 불리해지는 문제가 있다.In order to effectively suppress electromagnetic interference between conventional electronic products, the best method has been to surround electromagnetic products with metal housings to shield electromagnetic waves or to construct expensive electromagnetic shielding networks. However, in the case of wrapping an electronic product with a metal, an expensive mold manufacturing cost is required, as well as a weight of the metal itself, which is disadvantageous in terms of weight reduction of a vehicle for improving fuel efficiency.

이에 전자제품을 감싸는 전자파 차폐 소재로 금속을 사용하는 대신 기능성 고분자 플라스틱을 사용하려는 연구가 활발히 진행되고 있으며, 종래 고분자 플라스틱을 기능화하기 위해 고분자 내에 전기전도성 또는 자성을 가지는 필러를 첨가한 고분자 복합재가 검토되고 있다. 아울러, 일반적으로 전자파차폐에 대한 기술은 금속재료를 이용한 반사차폐나, 전도성 재료를 이용한 흡수차폐 등이 이용되고 있다.Therefore, research is being actively conducted to use functional polymer plastic instead of metal as an electromagnetic shielding material to wrap electronic products, and a polymer composite material in which a filler having electrical conductivity or magnetic is added to the polymer to functionalize the conventional polymer plastic is reviewed. It is becoming. In addition, in general, a technique for shielding electromagnetic waves, reflection shielding using a metal material, absorption shielding using a conductive material is used.

종래 기술에 따른 고분자 복합재의 경우 고분자 내에 자성입자를 함유하여 저주파 영역에서 흡수차폐 성능을 확보하거나, 또는 고분자 내에 전도성 나노재료를 함유하여 고주파 영역에서 반사차폐 성능을 확보하고자 하였다. 공개특허 제 2011-53058 호에서는 고분자와 저융점 금속재료로 된 복합재를 이용하여 전자파 차폐 기능을 부여하는 기술이 개시된바 있다.In the case of the polymer composite according to the prior art, the magnetic shield is contained in the polymer to secure the absorption shielding performance in the low frequency region, or the conductive nano material is contained in the polymer to secure the reflective shielding performance in the high frequency region. Patent Publication No. 2011-53058 discloses a technique for providing an electromagnetic shielding function using a composite material made of a polymer and a low melting point metal material.

종래 기술에 따른 전도성 필러를 함유한 고분자 복합재는 가장 보편적인 압출 및 사출성형에 의해 제조되는데, 이는 가장 경제적인 생산방법으로 금속재료로 된 전자파 차폐재 대비 경량화 및 제조비용의 절감 효과를 얻을 수 있다. 그러나, 상기와 같은 종래의 고분자 복합재는 압출 및 사출에 의해 제조되는 과정 중 고분자 내에 전도성 필러를 고르게 분산 및 분포시키기가 어려운 단점이 있다. 이와 같은 분산의 어려움을 해결하기 위해 전도성 필러의 표면 처리, 필러와 고분자 간의 상용성을 증가시키는 상용화제의 첨가 등 다양한 방법들이 제시되고 있으나, 이는 제조공정의 복잡화 및 제조비용의 증가를 초래하는 문제점이 있다.The polymer composite containing the conductive filler according to the prior art is produced by the most common extrusion and injection molding, which is the most economical production method can be obtained a lighter weight and a reduction in manufacturing cost compared to the electromagnetic shielding material made of a metal material. However, the conventional polymer composite as described above has a disadvantage in that it is difficult to uniformly disperse and distribute the conductive filler in the polymer during the manufacturing process by extrusion and injection. In order to solve this difficulty of dispersion, various methods such as surface treatment of conductive fillers and addition of a compatibilizer to increase the compatibility between the filler and the polymer have been proposed. However, this causes problems in manufacturing process complexity and increase in manufacturing cost. There is this.

또한, 종래기술에 따른 고분자 복합재는 전도성 필러를 포함함으로써 전도성에 의한 반사차폐 기능이 주를 이루어 저주파 영역에서의 전자파 차폐 기능에는 한계가 있고, 또한 재료의 크랙이나 틈이 발생할 경우 그 공간이 전자파의 이동 경로가 될 우려가 있다. 따라서 광대역의 전자파를 차폐하기 위해서는 전자부품의 하우징 소재로 자성입자와 전도성 입자를 균일하게 사용하여 복합화한 고분자 복합재를 사용하여야 하는데, 이 경우 비용적인 문제가 발생하게 된다.In addition, since the polymer composite according to the prior art includes a conductive filler, the shielding function due to conductivity is mainly used, and thus the electromagnetic shielding function in the low frequency region is limited, and when the crack or gap of the material occurs, the space is There is a fear of becoming a moving path. Therefore, in order to shield broadband electromagnetic waves, it is necessary to use a polymer composite compounded by uniformly using magnetic particles and conductive particles as a housing material of an electronic component. In this case, a cost problem occurs.

본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 전자파 차폐성능이 우수하고 제조공정이 간소하여 경제적으로 유리한 전자파 차폐재 조성물을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, an object of the present invention is to provide an electromagnetic shielding composition which is excellent in the electromagnetic shielding performance and the manufacturing process is economically advantageous.

본 발명의 일 측면은 평균 입도가 5~300nm이고 하기 화학식 1로 표시되는 탄소족 비산화물 나노입자, 및 바인더 수지를 포함하는 전자파 차폐재 조성물을 제공한다.One aspect of the present invention provides an electromagnetic wave shielding composition comprising an average particle size of 5 ~ 300nm and carbon group non-oxide nanoparticles represented by the following formula (1), and a binder resin.

<화학식 1><Formula 1>

AxByAxBy

상기 식에서,Where

A, B는 각각 C, Si, Ge, 또는 B이고,A, B are each C, Si, Ge, or B,

x, y는 각각 A, B의 몰 분율이고,x and y are the mole fractions of A and B, respectively,

x는 0.01~0.99이고, x+y=1이다.x is 0.01-0.99 and x + y = 1.

본 발명의 다른 일 측면은 평균 입도가 5~300nm이고 하기 화학식 2로 표시되는 탄소족 비산화물 나노입자, 및 바인더 수지를 포함하는 전자파 차폐재 조성물을 제공한다.Another aspect of the present invention provides an electromagnetic wave shielding composition comprising an average particle size of 5 to 300nm and carbon group non-oxide nanoparticles represented by the following Chemical Formula 2, and a binder resin.

<화학식 2><Formula 2>

AxByCzAxByCz

상기 식에서,Where

A, B, C는 각각 C, Si, Ge, 또는 B이고,A, B, C are each C, Si, Ge, or B,

x, y, z는 각각 A, B, C의 몰 분율이고,x, y, z are the mole fractions of A, B, and C, respectively

x, y는 각각 0.01~0.9이고, x+y+z=1이다.x and y are each 0.01-0.9, and x + y + z = 1.

본 명세서에 사용된 용어, "탄소족 비산화물 나노입자"는 C, Si, Ge 중 적어도 하나의 탄소족(13족) 원소를 포함하는 입자를 의미이며, 이종의 탄소족 원소가 합금되거나 적어도 하나의 탄소족 원소에 붕소(B)가 합금된 입자를 포함하는 개념으로 이해될 수 있다.As used herein, the term "carbon-group non-oxide nanoparticle" means a particle including at least one carbon-group (Group 13) element of C, Si, and Ge, and heterogeneous carbon-group elements are alloyed or at least one It may be understood as a concept including particles in which boron (B) is alloyed with a carbon group element of.

본 명세서에 사용된 용어, "비산화물 나노입자"는 실질적으로 산소 원소(O)를 포함하지 않는 입자를 의미하며, 자연적으로 발생한 산화반응에 의해 비산화물 나노입자의 표면에 생성된 산화물 층(oxide layer)을 포함하는 개념으로 이해될 수 있다.As used herein, the term "non-oxide nanoparticle" means a particle substantially free of an oxygen element (O), the oxide layer (oxide) generated on the surface of the non-oxide nanoparticles by a naturally occurring oxidation reaction It can be understood as a concept including a layer).

상기 전자파 차폐재 조성물에서 상기 탄소족 비산화물 나노입자는 1~1,000ppm의 농도로 희석된 용액의 형태로 포함될 수 있고, 상기 용액의 함량은 상기 바인더 수지 100중량부에 대해 1~20중량부일 수 있다.In the electromagnetic shielding composition, the carbon group non-oxide nanoparticles may be included in the form of a diluted solution at a concentration of 1 to 1,000 ppm, and the content of the solution may be 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the binder resin. .

상기 바인더 수지는 저밀도폴리에틸렌(low density polyethylene, LDPE), 고밀도폴리에틸렌(high density polyethylene, HDPE), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol, PVA), PET(polyethylene terephthalate), EPM(copolymer of ethylene and propylene), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리우레아(poly urea), 실리콘 수지(silicon resin), 에폭시 수지(epoxy resin) 및 이들 중 2 이상의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 하나일 수 있고, 바람직하게는, 실리콘 수지일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The binder resin may be low density polyethylene (LDPE), high density polyethylene (HDPE), polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene terephthalate (PET), copolymer of ethylene and propylene (EPM), polyurethane (polyurethane), polyurea (poly urea), silicone resin (silicon resin), epoxy resin (epoxy resin) and may be one selected from the group consisting of two or more thereof, preferably, may be a silicone resin, It is not limited to this.

상기 실리콘 수지는 뛰어난 복원력, 내화학성, 내열성, 난연성, 내후성, 내약품성, 내열수성, 내유성, 절연성, 무독성, 강도, 저온 신축성 등의 물성을 가지며, 실리콘 수지가 포함된 조성물을 전자파 차폐재로 사용할 경우 인장력, 신율, 마찰 견뢰도 등이 뛰어나기 때문에 코팅된 부분이 임의로 박리되지 않는 장점이 있다. 또한, 상기 실리콘 수지는 인체에 유해하지 않을 뿐만 아니라, 차폐재의 수명이 긴 장점이 있다.The silicone resin has excellent resilience, chemical resistance, heat resistance, flame retardancy, weather resistance, chemical resistance, hot water resistance, oil resistance, insulation, non-toxicity, strength, low temperature elasticity, and the like, and when the composition containing the silicone resin is used as an electromagnetic shielding material. Since the tensile strength, elongation, friction fastness and the like is excellent, there is an advantage that the coated portion is not peeled off arbitrarily. In addition, the silicone resin is not only harmful to the human body, but also has the advantage of long life of the shielding material.

상기 실리콘 수지는, 예를 들어, 디메틸실록산(dimethylsiloxane), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산, 올리고실록산 및 이들 중 2 이상의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 하나일 수 있다.The silicone resin may be, for example, one selected from the group consisting of dimethylsiloxane, polydimethylsiloxane, polyether modified polydimethylsiloxane, oligosiloxane, and mixtures of two or more thereof.

일 실시예에 있어서, 상기 전자파 차폐재 조성물은 알칼리토금속 화합물, 전기석(tourmaline), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 텔루르(Te), 요오드(I), 크세논(Xe), 세슘(Cs), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 톨륨(Tm), 이테르븀(Yb), 루테튬(Lu), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 금(Au), 수은(Hg), 탈륨(Tl), 납(Pb), 폴로늄(Po), 아스타틴(At), 라돈(Rn), 프랑슘(Fr), 라듐(Ra), 악티늄(Ac), 토륨(Th), 프로트악티늄(Pa), 우라늄(U), 넵투늄(Np), 플루토늄(Pu), 아메리슘(Am), 퀴륨(Cm), 버클륨(Bk), 칼리포르늄(Cf), 아인시타이늄(Es), 페르뮴(Fm), 멘델레븀(Md), 노벨륨(No), 로렌슘(Lr), 러더포듐(Rf), 더브늄(Db), 시보기움(Sg), 보륨(Bh), 하슘(Hs), 마이트너륨(Mt) 및 이들 중 2 이상의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 하나를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the electromagnetic wave shielding composition is an alkaline earth metal compound, tourmaline, tin (Sn), antimony (Sb), tellurium (Te), iodine (I), xenon (Xe), cesium (Cs), Barium (Ba), Lanthanum (La), Cerium (Ce), Praseodymium (Pr), Neodymium (Nd), Promethium (Pm), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gadolinium (Gd), Terbium (Tb), Dysprosium (Dy), Holmium (Ho), Erbium (Er), Tolium (Tm), Ytterbium (Yb), Lutetium (Lu), Hafnium (Hf), Tantalum (Ta), Tungsten (W), Rhenium (Re), Osmium (Os), iridium (Ir), platinum (Pt), gold (Au), mercury (Hg), thallium (Tl), lead (Pb), polonium (Po), asstatin (At), radon (Rn), Francium (Fr), Radium (Ra), Actinium (Ac), Thorium (Th), Protactinium (Pa), Uranium (U), Neptunium (Np), Plutonium (Pu), Americium (Am), Curium (Cm) , Berkelium (Bk), Californium (Cf), Einitanium (Es), Fermium (Fm), Mendelebium (Md), Nobelium (No), Lawrencium (Lr), Rutherfordium (Rf), Dubnium (Db), Siboum (Sg), borium (Bh), hassium (Hs), mite It may further comprise one selected from the group consisting of a cerium (Mt) and a mixture of two or more thereof.

일 실시예에 있어서, 상기 전자파 차폐재 조성물은 탄소나노튜브(CNT), 탄소나노입자(CNP), 그래핀 나노플레이트(GNP), 탄소섬유(CF), 카본블랙(CB) 및 이들 중 2 이상의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 하나를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the electromagnetic shielding material composition is carbon nanotubes (CNT), carbon nanoparticles (CNP), graphene nanoplates (GNP), carbon fibers (CF), carbon black (CB) and a mixture of two or more thereof It may further comprise one selected from the group consisting of.

일 실시예에 있어서, 상기 탄소족 비산화물 나노입자는 알콕시기, 하이드록실기, 아미노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나에 의해 표면 개질된 것일 수 있다.In one embodiment, the carbon group non-oxide nanoparticles may be surface-modified by one selected from the group consisting of alkoxy groups, hydroxyl groups, amino groups and combinations thereof.

본 발명의 일 측면에 따른 전자파 차폐재 조성물은, 탄소족 비산화물 나노입자의 입도를 일정 범위로 조절하고 바인더 수지를 포함함으로써 전자파 차폐성능이 우수하고, 제조공정이 간소하여 생산성, 경제성 측면에서 유리하다.The electromagnetic wave shielding composition according to an aspect of the present invention is excellent in electromagnetic shielding performance by controlling the particle size of the carbon group non-oxide nanoparticles to a certain range and including a binder resin, and is advantageous in terms of productivity and economic efficiency due to the simple manufacturing process. .

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It is to be understood that the effects of the present invention are not limited to the above effects, and include all effects deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "indirectly connected" with another member in between. . In addition, when a part is said to "include" a certain component, this means that it may further include other components, without excluding the other components unless otherwise stated.

이하, 본 발명의 실시예에 관하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

실시예 1: SiB 나노입자를 포함하는 전자파 차폐재 조성물 제조Example 1 Preparation of an Electromagnetic Wave Shielding Material Composition Comprising SiB Nanoparticles

실리콘-붕소 합금 나노입자는 하기 반응식 1에 따라 제조될 수 있다.Silicon-boron alloy nanoparticles may be prepared according to Scheme 1 below.

<반응식 1><Scheme 1>

2SiH4 + 2B2H6 + N2 SiB4 + 8H2 + N2 2SiH 4 + 2B 2 H 6 + N 2 SiB 4 + 8H 2 + N 2

모노실란가스(SiH4), 디보레인가스(B2H6), 질소를 혼합하여 반응챔버 내부로 주입하여 CO2 레이저빔을 조사시킨다. 이 때, 디보레인 가스는 촉매가스 및 원료가스로 작용하며, 10.6㎛ 파장에서 흡수한 에너지가 효율적으로 실란가스로 전달되고, 실란가스의 Si-H 결합이 잘 끊어지도록 하여 실리콘-붕소 합금 나노입자(SiBx-NPs)를 생성시킨다.Monosilane gas (SiH 4 ), diborane gas (B 2 H 6 ), and nitrogen are mixed and injected into the reaction chamber to irradiate a CO 2 laser beam. At this time, the diborane gas acts as a catalyst gas and a source gas, and the energy absorbed at 10.6 탆 wavelength is efficiently transferred to the silane gas, and the Si-H bond of the silane gas is well broken so that the silicon-boron alloy nanoparticles (SiB x -NPs) are generated.

또한, 디보레인가스는 붕소와 수소 원자로 분해되어 붕소는 실리콘 나노입자와 합금을 이루며, 실리콘의 산화를 막아주는 역할을 한다. 원료가스인 실란가스는 전체 부피(원료가스 및 촉매가스를 합친 부피)의 90%이상 이고, 촉매가스는 전체 부피의 10% 이하의 범위로 조절한다. 또한, 캐리어가스인 질소는 원료가스인 실란가스 대비 400 부피부를 넘지 않도록 한다. 가스의 유량은 sccm 단위를 사용한다. 반응챔버 내부의 공정압력은 100~400Torr 범위로 설정하여 제조한다. 이 범위에서 5~300nm 크기를 갖는 실리콘-붕소 합금 나노입자(SiBx-NPs)가 제조된다.In addition, since diborigox is decomposed into boron and hydrogen atoms, boron forms an alloy with silicon nanoparticles, and serves to prevent oxidation of silicon. Silane gas as the source gas is 90% or more of the total volume (volume of the raw material gas and the catalyst gas combined), and the catalyst gas is adjusted to the range of 10% or less of the total volume. In addition, the carrier gas nitrogen does not exceed 400 parts by volume relative to the silane gas as the raw material gas. The flow rate of gas is in sccm. Process pressure inside the reaction chamber is prepared by setting in the range of 100 ~ 400 Torr. In this range, silicon-boron alloy nanoparticles (SiB x -NPs) having a size of 5 to 300 nm are prepared.

구분division 실시예 1-1Example 1-1 실시예 1-2Example 1-2 실시예 1-3Example 1-3 실시예 1-4Example 1-4 실시예 1-5Example 1-5 원료가스 (sccm)Raw material gas (sccm) 300300 500500 700700 10001000 15001500 촉매가스 (sccm)Catalyst gas (sccm) 1515 3636 6060 8080 105105 캐리어가스 (sccm)Carrier Gas (sccm) 400400 400400 400400 500500 500500 공정압력 (Torr)Process pressure (Torr) 350~200350-200 350~200350-200 250~100250-100 250~100250-100 200~100200-100 입자크기 (nm)Particle Size (nm) 20~3020-30 20~3020-30 20~3020-30 20~3020-30 20~3020-30 B함량 (wt%)B content (wt%) 2.52.5 66 9.69.6 12.512.5 1616 Si함량 (wt%)Si content (wt%) 97.597.5 9494 90.490.4 87.587.5 8484 Atomic ratioAtomic ratio 1:151:15 1:61: 6 1:41: 4 1:31: 3 1:21: 2 SiBxSiBx SiB15 SiB 15 SiB6 SiB 6 SiB4 SiB 4 SiB3 SiB 3 SiB2 SiB 2

이후, 액상의 실리콘 수지로서 디메틸실록산(dimethylsiloxane) 80중량%, 평균입경이 20~30nm인 SiBx-NPs가 1~1,000 ppm분산된 용액 10중량%, 실리콘 수지 경화제 10중량%을 교반기에 넣고 혼합하여 전자파 차폐재 조성물을 제조하였다. 제조된 전자파 차폐재 조성물에는 분말과 액상의 계면에 아주 작은 기포들이 많이 발생되기 때문에 상기 기포들을 제거하기 위해 진공챔버에서 1시간 동안 기포제거 작업을 진행하였다.실시예 1-5 Subsequently, 80 wt% of dimethylsiloxane as a liquid silicone resin, 10 wt% of a solution in which SiB x -NPs having an average particle diameter of 20 to 30 nm and 1 to 1,000 ppm of dispersed solution, and 10 wt% of a silicone resin curing agent were added to a stirrer and mixed. To prepare an electromagnetic wave shielding material composition. In the prepared electromagnetic shielding material composition, since very small bubbles are generated at the interface between the powder and the liquid phase, the bubble removing operation was performed for 1 hour in the vacuum chamber to remove the bubbles. Example 1-5

실시예 1-3에서 제조된 SiB4-NPs 100mg을 메탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 메톡시기로 표면 개질된 SiB4-NPs를 제조하였다.100 mg of SiB 4 -NPs prepared in Example 1-3 was dispersed in 25 ml of methanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiB 4 -NPs with methoxy groups.

실시예 1-6Example 1-6

실시예 1-3에서 제조된 SiB4-NPs 100mg을 에탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 에톡시기로 표면 개질된 SiB4-NPs를 제조하였다.100 mg of SiB 4 -NPs prepared in Example 1-3 was dispersed in 25 ml of ethanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiB 4 -NPs with ethoxy groups.

실시예 1-7Example 1-7

실시예 1-3에서 제조된 SiB4-NPs 100mg을 이소프로판올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 이소프로폭시기로 표면 개질된 SiB4-NPs를 제조하였다.100 mg of SiB 4 -NPs prepared in Example 1-3 was dispersed in 25 ml of isopropanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiB 4 -NPs with isopropoxy.

실험예 1Experimental Example 1

실시예 1-3의 전자파 차폐재 조성물을 일정하게 0.5~1.5mm의 두께로 기판에 도포한 후 반건조시키고, 이를 건조부의 벨트에 놓고 120~180℃에서 약 3~5분 간 가열하여 완전히 건조시켰다. 완전히 건조된 기판에 송풍기를 이용하여 차가운 공기를 불어주어 완전히 경화되도록 한 후 기판에서 떼어내어 필름 타입의 전자파 차폐재(제조예 1-1~1-5)를 얻었다.After applying the electromagnetic wave shielding composition of Example 1-3 to the substrate to a thickness of 0.5 ~ 1.5mm constant and semi-dried, it was placed on the belt of the drying unit and heated to 120 ~ 180 ℃ for about 3-5 minutes to dry completely . Cool air was blown to the completely dried substrate by using a blower to completely cure, and then removed from the substrate to obtain a film type electromagnetic shielding material (Production Examples 1-1 to 1-5).

전자파 차폐재 필름의 두께를 달리한 시료를 20cm×20cm로 절단하고 100~120kvp 전압의 전자파를 조사하여, 차폐율(%)을 측정하였다. 이 때, 전자파 차폐 필름의 차폐율을 매번 그 위치를 달리하여 10 회 측정한 후 그 평균 차폐율(%)을 구하였다.Samples having different thicknesses of the electromagnetic wave shielding film were cut into 20 cm x 20 cm, and the shielding rate (%) was measured by irradiating electromagnetic waves with a voltage of 100 to 120 kvp. At this time, the shielding rate of the electromagnetic shielding film was measured 10 times at different positions each time, and the average shielding rate (%) was obtained.

구분division 제조예 1-1Preparation Example 1-1 제조예 1-2Preparation Example 1-2 제조예 1-3Preparation Example 1-3 제조예 1-4Preparation Example 1-4 제조예 1-5Preparation Example 1-5 SiB4-NPs (농도)SiB 4 -NPs (concentration) 1ppm1 ppm 10ppm10 ppm 100ppm100 ppm 500ppm500 ppm 1,000ppm1,000 ppm SiB4-NPs (중량%)SiB 4 -NPs (wt%) 1010 1010 1010 1010 1010 실리콘 수지 (중량%)Silicone resin (wt%) 8080 8080 8080 8080 8080 경화제 (중량%)Curing agent (% by weight) 1010 1010 1010 1010 1010 두께 (mm)Thickness (mm) 1.51.5 1.51.5 1One 0.80.8 0.50.5 전압 (kvp)Voltage (kvp) 100100 100100 100100 120120 120120 차폐율 (%)Shielding rate (%) 80.580.5 85.285.2 99.599.5 98.998.9 99.199.1

실시예 2: SiC 나노입자를 포함하는 전자파 차폐재 조성물 제조Example 2 Preparation of Electromagnetic Wave Shielding Material Composition Comprising SiC Nanoparticles

실리콘-탄소 합금 나노입자는 하기 반응식 2에 따라 제조될 수 있다.Silicon-carbon alloy nanoparticles may be prepared according to Scheme 2 below.

<반응식 2><Scheme 2>

2SiH4 + C2H2 → 2SiC + 5H2 2SiH 4 + C 2 H 2 → 2SiC + 5H 2

실시예 2-1Example 2-1

모노실란가스(SiH4), 아세틸렌가스(C2H2), 질소를 혼합하여 반응챔버 내부로 주입하여 CO2 레이저빔을 조사시킨다. 아세틸렌가스는 탄소와 수소 원자로 분해되어 탄소는 실리콘 나노입자와 합금을 이루며, 실리콘의 산화를 막아주는 역할을 한다. 원료가스인 실란가스 및 아세틸렌가스는 각각 2 : 1의 부피비로 주입된다. 또한, 캐리어가스인 질소는 원료가스인 실란가스 대비 400 부피부를 넘지 않도록 한다. 가스의 유량은 sccm 단위를 사용한다. 반응챔버 내부의 공정압력은 100~500Torr 범위로 설정하여 제조한다. 이 범위에서 10~30nm 크기를 갖는 실리콘-탄소 합금 나노입자(SiC-NPs)가 제조된다.Monosilane gas (SiH 4 ), acetylene gas (C 2 H 2 ), and nitrogen are mixed and injected into the reaction chamber to irradiate a CO 2 laser beam. Acetylene gas is decomposed into carbon and hydrogen atoms, and carbon forms alloys with silicon nanoparticles, and serves to prevent oxidation of silicon. Silane gas and acetylene gas which are raw material gases are injected in the volume ratio of 2: 1, respectively. In addition, the carrier gas nitrogen does not exceed 400 parts by volume relative to the silane gas as the raw material gas. The flow rate of gas is in sccm. Process pressure inside the reaction chamber is prepared by setting in the range of 100 ~ 500 Torr. In this range, silicon-carbon alloy nanoparticles (SiC-NPs) having a size of 10 to 30 nm are manufactured.

이후, 액상의 실리콘 수지로서 디메틸실록산(dimethylsiloxane) 80중량%, 평균입경이 10~30nm인 SiC-NPs가 1~1,000 ppm분산된 용액 10중량%, 실리콘 수지 경화제 10중량%을 교반기에 넣고 혼합하여 전자파 차폐재 조성물을 제조하였다. 제조된 전자파 차폐재 조성물에는 분말과 액상의 계면에 아주 작은 기포들이 많이 발생되기 때문에 상기 기포들을 제거하기 위해 진공챔버에서 1시간 동안 기포제거 작업을 진행하였다.Thereafter, as a liquid silicone resin, 80% by weight of dimethylsiloxane, 10 to 30% by weight of a solution containing 1 to 1,000 ppm of SiC-NPs having an average particle diameter of 10 to 30 nm, and 10% by weight of a silicone resin curing agent were added to a stirrer and mixed. An electromagnetic wave shielding composition was prepared. In the prepared electromagnetic shielding material composition, since very small bubbles are generated at the interface between the powder and the liquid phase, the bubble removing operation was performed for 1 hour in the vacuum chamber to remove the bubbles.

실시예 2-2Example 2-2

실시예 2-1에서 제조된 SiC-NPs 100mg을 메탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 메톡시기로 표면 개질된 SiC-NPs를 제조하였다.100 mg of SiC-NPs prepared in Example 2-1 was dispersed in 25 ml of methanol, and ultrasonic waves were irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiC-NPs with methoxy groups.

실시예 2-3Example 2-3

실시예 2-1에서 제조된 SiC-NPs 100mg을 에탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 에톡시기로 표면 개질된 SiC-NPs를 제조하였다.100 mg of SiC-NPs prepared in Example 2-1 was dispersed in 25 ml of ethanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiC-NPs with ethoxy groups.

실시예 2-4Example 2-4

실시예 2-1에서 제조된 SiC-NPs 100mg을 이소프로판올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 이소프로폭시기로 표면 개질된 SiC-NPs를 제조하였다.100 mg of SiC-NPs prepared in Example 2-1 was dispersed in 25 ml of isopropanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiC-NPs with isopropoxy.

실험예 2Experimental Example 2

실시예 2-1의 전자파 차폐재 조성물을 일정하게 0.5~1.5mm의 두께로 기판에 도포한 후 반건조시키고, 이를 건조부의 벨트에 놓고 120~180℃에서 약 3~5분 간 가열하여 완전히 건조시켰다. 완전히 건조된 기판에 송풍기를 이용하여 차가운 공기를 불어주어 완전히 경화되도록 한 후 기판에서 떼어내어 필름 타입의 전자파 차폐재(제조예 2-1~2-5)를 얻었다.The electromagnetic wave shielding composition of Example 2-1 was applied to a substrate with a constant thickness of 0.5 to 1.5 mm, and then semi-dried, placed on a belt of a drying unit, and dried at 120 to 180 ° C. for about 3 to 5 minutes to dry completely. . Cool air was blown to the completely dried substrate using a blower to completely cure, and then removed from the substrate to obtain a film type electromagnetic shielding material (Production Examples 2-1 to 2-5).

전자파 차폐재 필름의 두께를 달리한 시료를 20cm×20cm로 절단하고 50~100kvp 전압의 전자파를 조사하여, 차폐율(%)을 측정하였다. 이 때, 전자파 차폐 필름의 차폐율을 매번 그 위치를 달리하여 10 회 측정한 후 그 평균 차폐율(%)을 구하였다.Samples with different thicknesses of the electromagnetic wave shielding film were cut into 20 cm x 20 cm, and the shielding rate (%) was measured by irradiating electromagnetic waves with a voltage of 50 to 100 kbp. At this time, the shielding rate of the electromagnetic shielding film was measured 10 times at different positions each time, and the average shielding rate (%) was obtained.

구분division 제조예 2-1Preparation Example 2-1 제조예 2-2Preparation Example 2-2 제조예 2-3Preparation Example 2-3 제조예 2-4Preparation Example 2-4 제조예 2-5Preparation Example 2-5 SiC-NPs (농도)SiC-NPs (concentration) 1ppm1 ppm 10ppm10 ppm 100ppm100 ppm 500ppm500 ppm 1,000ppm1,000 ppm SiC-NPs (중량%)SiC-NPs (wt%) 1010 1010 1010 1010 1010 실리콘 수지 (중량%)Silicone resin (wt%) 8080 8080 8080 8080 8080 경화제 (중량%)Curing agent (% by weight) 1010 1010 1010 1010 1010 두께 (mm)Thickness (mm) 1.51.5 1.51.5 1One 0.80.8 0.50.5 전압 (kvp)Voltage (kvp) 5050 5050 5050 100100 100100 차폐율 (%)Shielding rate (%) 81.781.7 89.889.8 90.190.1 9696 98.898.8

실시예 3: SiGeB 나노입자를 포함하는 전자파 차폐재 조성물 제조Example 3 Preparation of an Electromagnetic Wave Shielding Material Composition Comprising SiGeB Nanoparticles

실리콘-게르마늄-붕소 합금 나노입자는 하기 반응식 3에 따라 제조될 수 있다.Silicon-germanium-boron alloy nanoparticles can be prepared according to Scheme 3 below.

<반응식 3><Scheme 3>

2SiH4 + 2GeH4 + B2H6 → 2SiGeB + 11H2 2SiH 4 + 2GeH 4 + B 2 H 6 → 2SiGeB + 11H 2

실시예 3-1Example 3-1

원료가스 공급노즐을 통해 원료가스인 모노실란(SiH4) 100부피부, Germane(GeH4) 100부피부, 및 다이보레인(diborane, B2H6) 40~80부피부와 캐리어가스인 질소(N2) 400 부피부를 혼합한 혼합가스를 내부 압력이 80~400 torr인 반응챔버 내부로 공급하고, 반응챔버 내부로 공급된 혼합가스에 CO2 레이저 발생기에서 발생시킨 레이저를 조사부를 통해 파장이 10.6㎛인 연속파의 라인 빔(Line Beam) 형태로 3시간 동안 조사하여 실리콘-게르마늄-붕소 합금 나노입자(SiGeB-NPs)를 제조하였다. SiGeB-NPs의 입도는 10~300nm이다.100 parts of monosilane (SiH 4 ), 100 parts of Germane (GeH 4 ), and 40 to 80 parts of diborane (B 2 H 6 ) and nitrogen of carrier gas through the source gas supply nozzle (N 2 ) The mixed gas containing 400 parts by volume is supplied into the reaction chamber having an internal pressure of 80 to 400 torr, and the laser generated by the CO 2 laser generator is supplied to the mixed gas supplied into the reaction chamber through the irradiation part. Irradiation was performed for 3 hours in the form of a continuous wave line beam of 10.6 μm to prepare silicon-germanium-boron alloy nanoparticles (SiGeB-NPs). The particle size of SiGeB-NPs is 10-300 nm.

이후, 액상의 실리콘 수지로서 디메틸실록산(dimethylsiloxane) 80중량%, 평균입경이 10~30nm인 SiGeB-NPs가 1~100ppm분산된 용액 10중량%, 실리콘 수지 경화제 10중량%을 교반기에 넣고 혼합하여 전자파 차폐재 조성물을 제조하였다. 제조된 전자파 차폐재 조성물에는 분말과 액상의 계면에 아주 작은 기포들이 많이 발생되기 때문에 상기 기포들을 제거하기 위해 진공챔버 내에서 1시간 동안 기포제거 작업을 진행하였다.Thereafter, 80 wt% of dimethylsiloxane as a liquid silicone resin, 10 wt% of a solution in which 1 to 100 ppm of SiGeB-NPs having an average particle diameter of 10 to 30 nm, and 10 wt% of a silicone resin curing agent were added to a stirrer and mixed with electromagnetic waves. The shielding composition was prepared. In the prepared electromagnetic shielding material composition, since very small bubbles are generated at the interface between the powder and the liquid phase, the bubble removing operation was performed for 1 hour in the vacuum chamber to remove the bubbles.

실시예 3-2Example 3-2

실시예 3-1에서 제조된 SiGeB-NPs 100mg을 메탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 메톡시기로 표면 개질된 SiGeB-NPs를 제조하였다.100 mg of SiGeB-NPs prepared in Example 3-1 was dispersed in 25 ml of methanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiGeB-NPs with methoxy groups.

실시예 3-3Example 3-3

실시예 3-1에서 제조된 SiGeB-NPs 100mg을 에탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 에톡시기로 표면 개질된 SiGeB-NPs를 제조하였다.100 mg of SiGeB-NPs prepared in Example 3-1 was dispersed in 25 ml of ethanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiGeB-NPs with ethoxy groups.

실시예 3-4Example 3-4

실시예 3-1에서 제조된 SiGeB-NPs 100mg을 이소프로판올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 이소프로폭시기로 표면 개질된 SiGeB-NPs를 제조하였다.100 mg of SiGeB-NPs prepared in Example 3-1 was dispersed in 25 ml of isopropanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiGeB-NPs with isopropoxy.

실험예 3Experimental Example 3

실시예 3-1의 전자파 차폐재 조성물을 일정하게 0.5~1.5mm의 두께로 기판에 도포한 후 반건조시키고, 이를 건조부의 벨트에 놓고 120~180℃에서 약 3~5분 간 가열하여 완전히 건조시켰다. 완전히 건조된 기판에 송풍기를 이용하여 차가운 공기를 불어주어 완전히 경화되도록 한 후 기판에서 떼어내어 필름 타입의 전자파 차폐재(제조예 3-1~3-3)를 얻었다.The electromagnetic wave shielding composition of Example 3-1 was applied to a substrate with a constant thickness of 0.5 to 1.5 mm, and then semi-dried, and placed on a belt of a drying unit, and dried at 120 to 180 ° C. for about 3 to 5 minutes to dry completely. . Cool air was blown to the completely dried substrate using a blower to completely cure, and then removed from the substrate to obtain a film type electromagnetic shielding material (Production Examples 3-1 to 3-3).

전자파 차폐재 필름의 두께를 달리한 시료를 20cm×20cm로 절단하고 100kvp 전압의 전자파를 조사하여, 차폐율(%)을 측정하였다. 이 때, 전자파 차폐 필름의 차폐율을 매번 그 위치를 달리하여 10 회 측정한 후 그 평균 차폐율(%)을 구하였다.Samples with different thicknesses of the electromagnetic wave shielding film were cut into 20 cm x 20 cm, and the shielding rate (%) was measured by irradiating electromagnetic waves with a voltage of 100kvp. At this time, the shielding rate of the electromagnetic shielding film was measured 10 times at different positions each time, and the average shielding rate (%) was obtained.

구분division 제조예 3-1Preparation Example 3-1 제조예 3-2Preparation Example 3-2 제조예 3-3Preparation Example 3-3 SiGeB-NPs (농도)SiGeB-NPs (concentration) 1ppm1 ppm 10ppm10 ppm 100ppm100 ppm SiGeB-NPs (중량%)SiGeB-NPs (wt%) 1010 1010 1010 실리콘 수지 (중량%)Silicone resin (wt%) 8080 8080 8080 경화제 (중량%)Curing agent (% by weight) 1010 1010 1010 두께 (mm)Thickness (mm) 1.51.5 1.51.5 1One 전압 (kvp)Voltage (kvp) 100100 100100 100100 차폐율 (%)Shielding rate (%) 89.889.8 86.786.7 9999

실시예 4: SiGeC 나노입자를 포함하는 전자파 차폐재 조성물 제조Example 4 Preparation of Electromagnetic Wave Shielding Material Composition Comprising SiGeC Nanoparticles

실리콘-게르마늄-탄소 합금 나노입자는 하기 반응식 4에 따라 제조될 수 있다.Silicon-germanium-carbon alloy nanoparticles can be prepared according to Scheme 4 below.

<반응식 4><Scheme 4>

2SiH4 + 2GeH4 + C2H2 → 2SiGeC + 9H2 2SiH 4 + 2GeH 4 + C 2 H 2 → 2SiGeC + 9H 2

실시예 4-1Example 4-1

원료가스 공급노즐을 통해 원료가스인 모노실란(SiH4) 100부피부, Germane(GeH4) 100부피부, 및 아세틸렌(acetylene, C2H2) 40~80부피부와 캐리어가스인 질소(N2) 400 부피부를 혼합한 혼합가스를 내부 압력이 80~400 torr인 반응챔버 내부로 공급하고, 반응챔버 내부로 공급된 혼합가스에 CO2 레이저 발생기에서 발생시킨 레이저를 조사부를 통해 파장이 10.6㎛인 연속파의 라인 빔(Line Beam) 형태로 3시간 동안 조사하여 실리콘-게르마늄-탄소 합금 나노입자(SiGeC-NPs)를 제조하였다. SiGeC-NPs의 입도는 5~300nm이다.100 parts by weight of monosilane (SiH 4 ), 100 parts by weight of Germane (GeH 4 ), and 40 to 80 parts by weight of acetylene (C 2 H 2 ) and nitrogen (N) 2 ) The mixed gas mixed with 400 parts by volume is supplied into the reaction chamber having an internal pressure of 80 to 400 torr, and the laser generated by the CO 2 laser generator is supplied to the mixed gas supplied into the reaction chamber with a wavelength of 10.6. Irradiation for 3 hours in the form of a line beam of continuous wave (μm) was made of silicon-germanium-carbon alloy nanoparticles (SiGeC-NPs). The particle size of SiGeC-NPs is 5 to 300 nm.

이후, 액상의 실리콘 수지로서 디메틸실록산(dimethylsiloxane) 80중량%, 평균입경이 10~30nm인 SiGeC-NPs가 1~100ppm분산된 용액 10중량%, 실리콘 수지 경화제 10중량%을 교반기에 넣고 혼합하여 전자파 차폐재 조성물을 제조하였다. 제조된 전자파 차폐재 조성물에는 분말과 액상의 계면에 아주 작은 기포들이 많이 발생되기 때문에 상기 기포들을 제거하기 위해 진공챔버 내에서 1시간 동안 기포제거 작업을 진행하였다.Thereafter, 80 wt% of dimethylsiloxane as a liquid silicone resin, 10 wt% of a solution containing 1 to 100 ppm of SiGeC-NPs having an average particle diameter of 10 to 30 nm, and 10 wt% of a silicone resin curing agent were added to a stirrer and mixed with electromagnetic waves. The shielding composition was prepared. In the prepared electromagnetic shielding material composition, since very small bubbles are generated at the interface between the powder and the liquid phase, the bubble removing operation was performed for 1 hour in the vacuum chamber to remove the bubbles.

실시예 4-2Example 4-2

실시예 4-1에서 제조된 SiGeC-NPs 100mg을 메탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 메톡시기로 표면 개질된 SiGeC-NPs를 제조하였다.100 mg of SiGeC-NPs prepared in Example 4-1 was dispersed in 25 ml of methanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiGeC-NPs with methoxy groups.

실시예 4-3Example 4-3

실시예 4-1에서 제조된 SiGeC-NPs 100mg을 에탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 에톡시기로 표면 개질된 SiGeC-NPs를 제조하였다.100 mg of SiGeC-NPs prepared in Example 4-1 was dispersed in 25 ml of ethanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiGeC-NPs with ethoxy groups.

실시예 4-4Example 4-4

실시예 4-1에서 제조된 SiGeC-NPs 100mg을 이소프로판올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 이소프로폭시기로 표면 개질된 SiGeC-NPs를 제조하였다.100 mg of SiGeC-NPs prepared in Example 4-1 was dispersed in 25 ml of isopropanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified SiGeC-NPs with isopropoxy.

실험예 4Experimental Example 4

실시예 4-1의 전자파 차폐재 조성물을 일정하게 0.5~1.5mm의 두께로 기판에 도포한 후 반건조시키고, 이를 건조부의 벨트에 놓고 120~180℃에서 약 3~5분 간 가열하여 완전히 건조시켰다. 완전히 건조된 기판에 송풍기를 이용하여 차가운 공기를 불어주어 완전히 경화되도록 한 후 기판에서 떼어내어 필름 타입의 전자파 차폐재(제조예 4-1~4-3)를 얻었다.The electromagnetic wave shielding composition of Example 4-1 was applied to a substrate with a thickness of 0.5 to 1.5 mm, and then semi-dried. . Cool air was blown to the completely dried substrate using a blower to completely cure, and then removed from the substrate to obtain a film type electromagnetic shielding material (Production Examples 4-1 to 4-3).

전자파 차폐재 필름의 두께를 달리한 시료를 20cm×20cm로 절단하고 100kvp 전압의 전자파를 조사하여, 차폐율(%)을 측정하였다. 이 때, 전자파 차폐 필름의 차폐율을 매번 그 위치를 달리하여 10 회 측정한 후 그 평균 차폐율(%)을 구하였다.Samples with different thicknesses of the electromagnetic wave shielding film were cut into 20 cm x 20 cm, and the shielding rate (%) was measured by irradiating electromagnetic waves with a voltage of 100kvp. At this time, the shielding rate of the electromagnetic shielding film was measured 10 times at different positions each time, and the average shielding rate (%) was obtained.

구분division 제조예 4-1Preparation Example 4-1 제조예 4-2Preparation Example 4-2 제조예 4-3Preparation Example 4-3 SiGeC-NPs (농도)SiGeC-NPs (concentration) 1ppm1 ppm 10ppm10 ppm 100ppm100 ppm SiGeC-NPs (중량%)SiGeC-NPs (wt%) 1010 1010 1010 실리콘 수지 (중량%)Silicone resin (wt%) 8080 8080 8080 경화제 (중량%)Curing agent (% by weight) 1010 1010 1010 두께 (mm)Thickness (mm) 1.51.5 1.51.5 1One 전압 (kvp)Voltage (kvp) 100100 100100 100100 차폐율 (%)Shielding rate (%) 81.881.8 89.789.7 98.998.9

실시예 5: CB 나노입자를 포함하는 전자파 차폐재 조성물 제조Example 5 Preparation of Electromagnetic Wave Shielding Material Composition Comprising CB Nanoparticles

탄소-붕소 합금 나노입자는 하기 반응식 5에 따라 제조될 수 있다.Carbon-boron alloy nanoparticles can be prepared according to Scheme 5 below.

<반응식 5>Scheme 5

C2H2 + 4B2H6 + N2 2B4C + 13H2 + N2 C 2 H 2 + 4 B 2 H 6 + N 2 2 B 4 C + 13 H 2 + N 2

실시예 5-1Example 5-1

원료가스 공급노즐을 통해 원료가스인 아세틸렌(C2H2) 100부피부, 및 다이보레인(diborane, B2H6) 40~80부피부와 캐리어가스인 질소(N2) 400 부피부를 혼합한 혼합가스를 내부 압력이 100~400 torr인 반응챔버 내부로 공급하고, 반응챔버 내부로 공급된 혼합가스에 CO2 레이저 발생기에서 발생시킨 레이저를 조사부를 통해 파장이 10.6㎛인 연속파의 라인 빔(Line Beam) 형태로 3시간 동안 조사하여 탄소-붕소 합금 나노입자(CBx-NPs)를 제조하였다. CBx-NPs의 입도는 10~300nm이다.100 parts by volume of acetylene (C 2 H 2 ) as the source gas, 40 to 80 parts by volume of diborane (B 2 H 6 ) and 400 parts by volume of nitrogen (N 2 ) as the carrier gas through the source gas supply nozzle The mixed gas mixture is supplied into the reaction chamber having an internal pressure of 100 to 400 torr, and the laser beam generated by the CO 2 laser generator is supplied to the mixed gas supplied into the reaction chamber through a radiation unit. (Carbon-boron alloy nanoparticles (CB x -NPs) were prepared by irradiation for 3 hours in the form of (Line Beam)). The particle size of CB x -NPs is 10-300 nm.

이후, 액상의 실리콘 수지로서 디메틸실록산(dimethylsiloxane) 80중량%, 평균입경이 10~300nm인 CBx-NPs가 1~1,000ppm분산된 용액 10중량%, 실리콘 수지 경화제 10중량%을 교반기에 넣고 혼합하여 전자파 차폐재 조성물을 제조하였다. 제조된 전자파 차폐재 조성물에는 분말과 액상의 계면에 아주 작은 기포들이 많이 발생되기 때문에 상기 기포들을 제거하기 위해 진공챔버 내에서 1시간 동안 기포제거 작업을 진행하였다.Thereafter, as a liquid silicone resin, 80 wt% of dimethylsiloxane, 10 wt% of a solution containing 1 to 1,000 ppm of CB x- NPs having an average particle diameter of 10 to 300 nm, and 10 wt% of a silicone resin curing agent were mixed in a stirrer. To prepare an electromagnetic wave shielding material composition. In the prepared electromagnetic shielding material composition, since very small bubbles are generated at the interface between the powder and the liquid phase, the bubble removing operation was performed for 1 hour in the vacuum chamber to remove the bubbles.

실시예 5-2Example 5-2

실시예 5-1에서 제조된 CBx-NPs 100mg을 메탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 메톡시기로 표면 개질된 CBx-NPs를 제조하였다.100 mg of CB x -NPs prepared in Example 5-1 was dispersed in 25 ml of methanol, and ultrasonic waves were irradiated for 5 minutes to prepare CB x -NPs surface-modified with a methoxy group.

실시예 5-3Example 5-3

실시예 5-1에서 제조된 CBx-NPs 100mg을 에탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 에톡시기로 표면 개질된 CBx-NPs를 제조하였다.100 mg of CB x -NPs prepared in Example 5-1 was dispersed in 25 ml of ethanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare CB x -NPs surface-modified with an ethoxy group.

실시예 5-4Example 5-4

실시예 5-1에서 제조된 CBx-NPs 100mg을 이소프로판올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 이소프로폭시기로 표면 개질된 CBx-NPs를 제조하였다.100 mg of CB x -NPs prepared in Example 5-1 was dispersed in 25 ml of isopropanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare CB x -NPs surface-modified with isopropoxy.

실험예 5Experimental Example 5

실시예 5-1의 전자파 차폐재 조성물을 일정하게 0.5~1.5mm의 두께로 기판에 도포한 후 반건조시키고, 이를 건조부의 벨트에 놓고 120~180℃에서 약 3~5분 간 가열하여 완전히 건조시켰다. 완전히 건조된 기판에 송풍기를 이용하여 차가운 공기를 불어주어 완전히 경화되도록 한 후 기판에서 떼어내어 필름 타입의 전자파 차폐재(제조예 5-1~5-5)를 얻었다.The electromagnetic wave shielding composition of Example 5-1 was uniformly coated on a substrate with a thickness of 0.5 to 1.5 mm and then semi-dried. . Cool air was blown to the completely dried substrate using a blower to completely cure, and then removed from the substrate to obtain a film type electromagnetic shielding material (Production Examples 5-1 to 5-5).

전자파 차폐재 필름의 두께를 달리한 시료를 20cm×20cm로 절단하고 100~120kvp 전압의 전자파를 조사하여, 차폐율(%)을 측정하였다. 이 때, 전자파 차폐 필름의 차폐율을 매번 그 위치를 달리하여 10 회 측정한 후 그 평균 차폐율(%)을 구하였다.Samples having different thicknesses of the electromagnetic wave shielding film were cut into 20 cm x 20 cm, and the shielding rate (%) was measured by irradiating electromagnetic waves with a voltage of 100 to 120 kvp. At this time, the shielding rate of the electromagnetic shielding film was measured 10 times at different positions each time, and the average shielding rate (%) was obtained.

구분division 제조예 5-1Preparation Example 5-1 제조예 5-2Preparation Example 5-2 제조예 5-3Preparation Example 5-3 제조예 5-4Preparation Example 5-4 제조예 5-5Preparation Example 5-5 CBx-NPs (농도)CB x -NPs (concentration) 1ppm1 ppm 10ppm10 ppm 100ppm100 ppm 500ppm500 ppm 1,000ppm1,000 ppm CBx-NPs (중량%)CB x -NPs (% by weight) 1010 1010 1010 1010 1010 실리콘 수지 (중량%)Silicone resin (wt%) 8080 8080 8080 8080 8080 경화제 (중량%)Curing agent (% by weight) 1010 1010 1010 1010 1010 두께 (mm)Thickness (mm) 1.51.5 1.51.5 1One 0.80.8 0.50.5 전압 (kvp)Voltage (kvp) 100100 100100 100100 120120 120120 차폐율 (%)Shielding rate (%) 79.879.8 82.682.6 86.786.7 93.193.1 99.899.8

실시예 6: GeB 나노입자를 포함하는 전자파 차폐재 조성물 제조Example 6: Preparation of electromagnetic shielding material composition comprising GeB nanoparticles

게르마늄-붕소 합금 나노입자는 하기 반응식 6에 따라 제조될 수 있다.Germanium-boron alloy nanoparticles can be prepared according to Scheme 6 below.

<반응식 6><Scheme 6>

2GeH4 + 2B2H6 + N2 GeB4 + 8H2 + N2 2GeH 4 + 2B 2 H 6 + N 2 GeB 4 + 8H 2 + N 2

실시예 6-1Example 6-1

원료가스 공급노즐을 통해 원료가스인 Germane(GeH4) 100부피부, 및 다이보레인(diborane, B2H6) 40~80부피부와 캐리어가스인 질소(N2) 400 부피부를 혼합한 혼합가스를 내부 압력이 100~400 torr인 반응챔버 내부로 공급하고, 반응챔버 내부로 공급된 혼합가스에 CO2 레이저 발생기에서 발생시킨 레이저를 조사부를 통해 파장이 10.6㎛인 연속파의 라인 빔(Line Beam) 형태로 3시간 동안 조사하여 게르마늄-붕소 합금 나노입자(GeBx-NPs)를 제조하였다. GeBx-NPs의 입도는 10~300nm이다.Through the feed gas supply nozzle, 100 parts of Germane (GeH 4 ) source gas, 40 ~ 80 parts of diborane (B 2 H 6 ) and 400 parts of nitrogen (N 2 ) carrier gas were mixed. The mixed gas is supplied into the reaction chamber having an internal pressure of 100 to 400 torr, and the laser generated by the CO 2 laser generator is supplied to the mixed gas supplied into the reaction chamber through a irradiation unit. Germanium-boron alloy nanoparticles (GeB x -NPs) were prepared by irradiation in the form of a beam) for 3 hours. The particle size of GeB x -NPs is 10-300 nm.

이후, 액상의 실리콘 수지로서 디메틸실록산(dimethylsiloxane) 80중량%, 평균입경이 10~300nm인 GeBx-NPs가 1~1,000ppm분산된 용액 10중량%, 실리콘 수지 경화제 10중량%을 교반기에 넣고 혼합하여 전자파 차폐재 조성물을 제조하였다. 제조된 전자파 차폐재 조성물에는 분말과 액상의 계면에 아주 작은 기포들이 많이 발생되기 때문에 상기 기포들을 제거하기 위해 진공챔버 내에서 1시간 동안 기포제거 작업을 진행하였다.Thereafter, 80 wt% of dimethylsiloxane (dimethylsiloxane), 10 wt% of GeB x -NPs having an average particle diameter of 10 to 300 nm, and 10 wt% of a silicone resin curing agent were mixed in a stirrer as a liquid silicone resin. To prepare an electromagnetic wave shielding material composition. In the prepared electromagnetic shielding material composition, since very small bubbles are generated at the interface between the powder and the liquid phase, the bubble removing operation was performed for 1 hour in the vacuum chamber to remove the bubbles.

실시예 6-2Example 6-2

실시예 6-1에서 제조된 GeBx-NPs 100mg을 메탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 메톡시기로 표면 개질된 GeBx-NPs를 제조하였다.100 mg of GeB x -NPs prepared in Example 6-1 was dispersed in 25 ml of methanol, and ultrasound was irradiated for 5 minutes to prepare GeB x -NPs surface-modified with methoxy groups.

실시예 6-3Example 6-3

실시예 6-1에서 제조된 GeBx-NPs 100mg을 에탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 에톡시기로 표면 개질된 GeBx-NPs를 제조하였다.100 mg of GeB x -NPs prepared in Example 6-1 was dispersed in 25 ml of ethanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified GeB x -NPs with ethoxy groups.

실시예 6-4Example 6-4

실시예 6-1에서 제조된 GeBx-NPs 100mg을 이소프로판올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 이소프로폭시기로 표면 개질된 GeBx-NPs를 제조하였다.100 mg of GeB x -NPs prepared in Example 6-1 was dispersed in 25 ml of isopropanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare GeB x -NPs surface-modified with isopropoxy.

실험예 6Experimental Example 6

실시예 6-1의 전자파 차폐재 조성물을 일정하게 0.5~1.5mm의 두께로 기판에 도포한 후 반건조시키고, 이를 건조부의 벨트에 놓고 120~180℃에서 약 3~5분 간 가열하여 완전히 건조시켰다. 완전히 건조된 기판에 송풍기를 이용하여 차가운 공기를 불어주어 완전히 경화되도록 한 후 기판에서 떼어내어 필름 타입의 전자파 차폐재(제조예 6-1~6-5)를 얻었다.The electromagnetic wave shielding composition of Example 6-1 was applied to a substrate with a constant thickness of 0.5 to 1.5 mm, and then semi-dried, placed on a belt of a drying unit, and dried at 120 to 180 ° C. for about 3 to 5 minutes to dry completely. . Cool air was blown to the completely dried substrate using a blower to completely cure, and then removed from the substrate to obtain a film type electromagnetic shielding material (Production Examples 6-1 to 6-5).

전자파 차폐재 필름의 두께를 달리한 시료를 20cm×20cm로 절단하고 100~120kvp 전압의 전자파를 조사하여, 차폐율(%)을 측정하였다. 이 때, 전자파 차폐 필름의 차폐율을 매번 그 위치를 달리하여 10 회 측정한 후 그 평균 차폐율(%)을 구하였다.Samples having different thicknesses of the electromagnetic wave shielding film were cut into 20 cm x 20 cm, and the shielding rate (%) was measured by irradiating electromagnetic waves with a voltage of 100 to 120 kvp. At this time, the shielding rate of the electromagnetic shielding film was measured 10 times at different positions each time, and the average shielding rate (%) was obtained.

구분division 제조예 6-1Preparation Example 6-1 제조예 6-2Preparation Example 6-2 제조예 6-3Preparation Example 6-3 제조예 6-4Preparation Example 6-4 제조예 6-5Preparation Example 6-5 GeBx-NPs (농도)GeB x -NPs (concentration) 1ppm1 ppm 10ppm10 ppm 100ppm100 ppm 500ppm500 ppm 1,000ppm1,000 ppm GeBx-NPs (중량%)GeB x -NPs (% by weight) 1010 1010 1010 1010 1010 실리콘 수지 (중량%)Silicone resin (wt%) 8080 8080 8080 8080 8080 경화제 (중량%)Curing agent (% by weight) 1010 1010 1010 1010 1010 두께 (mm)Thickness (mm) 1.51.5 1.51.5 1One 0.80.8 0.50.5 전압 (kvp)Voltage (kvp) 100100 100100 100100 120120 120120 차폐율 (%)Shielding rate (%) 79.879.8 82.682.6 86.786.7 93.193.1 98.998.9

실시예 7: GeC 나노입자를 포함하는 전자파 차폐재 조성물 제조Example 7: Preparation of electromagnetic shielding material composition comprising GeC nanoparticles

게르마늄-탄소 합금 나노입자는 하기 반응식 7에 따라 제조될 수 있다.Germanium-carbon alloy nanoparticles may be prepared according to Scheme 7 below.

<반응식 7>Scheme 7

2GeH4 + C2H2 → 2GeC + 5H2 2GeH 4 + C 2 H 2 → 2GeC + 5H 2

실시예 7-1Example 7-1

germane가스(GeH4), 아세틸렌가스(C2H2), 질소를 혼합하여 반응챔버 내부로 주입하여 CO2 레이저빔을 조사시킨다. 아세틸렌가스는 탄소와 수소 원자로 분해되어 탄소는 실리콘 나노입자와 합금을 이루며, 실리콘의 산화를 막아주는 역할을 한다. 원료가스인 germane가스 및 아세틸렌가스는 각각 2 : 1의 부피비로 주입된다. 또한, 캐리어가스인 질소는 원료가스인 실란가스 대비 400 부피부를 넘지 않도록 한다. 가스의 유량은 sccm 단위를 사용한다. 반응챔버 내부의 공정압력은 100~500Torr 범위로 설정하여 제조한다. 이 범위에서 10~30nm 크기를 갖는 게르마늄-탄소 합금 나노입자(GeC-NPs)가 제조된다.Germane gas (GeH 4 ), acetylene gas (C 2 H 2 ) and nitrogen are mixed and injected into the reaction chamber to irradiate a CO 2 laser beam. Acetylene gas is decomposed into carbon and hydrogen atoms, and carbon forms alloys with silicon nanoparticles, and serves to prevent oxidation of silicon. The raw material gases germane gas and acetylene gas are injected at a volume ratio of 2: 1, respectively. In addition, the carrier gas nitrogen does not exceed 400 parts by volume relative to the silane gas as the raw material gas. The flow rate of gas is in sccm. Process pressure inside the reaction chamber is prepared by setting in the range of 100 ~ 500 Torr. In this range, germanium-carbon alloy nanoparticles (GeC-NPs) having a size of 10 to 30 nm are prepared.

이후, 액상의 실리콘 수지로서 디메틸실록산(dimethylsiloxane) 80중량%, 평균입경이 10~30nm인 GeC-NPs가 1~1,000 ppm분산된 용액 10중량%, 실리콘 수지 경화제 10중량%을 교반기에 넣고 혼합하여 전자파 차폐재 조성물을 제조하였다. 제조된 전자파 차폐재 조성물에는 분말과 액상의 계면에 아주 작은 기포들이 많이 발생되기 때문에 상기 기포들을 제거하기 위해 진공챔버에서 1시간 동안 기포제거 작업을 진행하였다.Thereafter, 80 wt% of dimethylsiloxane as a liquid silicone resin, 10 wt% of a solution in which GeC-NPs having an average particle diameter of 10 to 30 nm dispersed in 1 to 1,000 ppm, and 10 wt% of a silicone resin curing agent were mixed in a stirrer. An electromagnetic wave shielding material composition was prepared. In the prepared electromagnetic shielding material composition, since very small bubbles are generated at the interface between the powder and the liquid phase, the bubble removing operation was performed for 1 hour in the vacuum chamber to remove the bubbles.

실시예 7-2Example 7-2

실시예 7-1에서 제조된 GeC-NPs 100mg을 메탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 메톡시기로 표면 개질된 GeC-NPs를 제조하였다.100 mg of GeC-NPs prepared in Example 7-1 was dispersed in 25 ml of methanol and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified GeC-NPs with methoxy groups.

실시예 7-3Example 7-3

실시예 7-1에서 제조된 GeC-NPs 100mg을 에탄올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 에톡시기로 표면 개질된 GeC-NPs를 제조하였다.100 mg of GeC-NPs prepared in Example 7-1 was dispersed in 25 ml of ethanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified GeC-NPs with ethoxy groups.

실시예 7-4Example 7-4

실시예 7-1에서 제조된 GeC-NPs 100mg을 이소프로판올 25ml에 분산시키고, 초음파를 5분 동안 조사하여 이소프로폭시기로 표면 개질된 GeC-NPs를 제조하였다.100 mg of GeC-NPs prepared in Example 7-1 was dispersed in 25 ml of isopropanol, and ultrasonically irradiated for 5 minutes to prepare surface-modified GeC-NPs with isopropoxy.

실험예 7Experimental Example 7

실시예 7-1의 전자파 차폐재 조성물을 일정하게 0.5~1.5mm의 두께로 기판에 도포한 후 반건조시키고, 이를 건조부의 벨트에 놓고 120~180℃에서 약 3~5분 간 가열하여 완전히 건조시켰다. 완전히 건조된 기판에 송풍기를 이용하여 차가운 공기를 불어주어 완전히 경화되도록 한 후 기판에서 떼어내어 필름 타입의 전자파 차폐재(제조예 7-1~7-5)를 얻었다.The electromagnetic wave shielding composition of Example 7-1 was uniformly coated on a substrate with a thickness of 0.5 to 1.5 mm and then semi-dried. . Cool air was blown to the completely dried substrate by using a blower to completely cure, and then removed from the substrate to obtain a film type electromagnetic shielding material (Production Examples 7-1 to 7-5).

전자파 차폐재 필름의 두께를 달리한 시료를 20cm×20cm로 절단하고 50~100kvp 전압의 전자파를 조사하여, 차폐율(%)을 측정하였다. 이 때, 전자파 차폐 필름의 차폐율을 매번 그 위치를 달리하여 10 회 측정한 후 그 평균 차폐율(%)을 구하였다.Samples with different thicknesses of the electromagnetic wave shielding film were cut into 20 cm x 20 cm, and the shielding rate (%) was measured by irradiating electromagnetic waves with a voltage of 50 to 100 kbp. At this time, the shielding rate of the electromagnetic shielding film was measured 10 times at different positions each time, and the average shielding rate (%) was obtained.

구분division 제조예 7-1Preparation Example 7-1 제조예 7-2Preparation Example 7-2 제조예 7-3Preparation Example 7-3 제조예 7-4Preparation Example 7-4 제조예 7-5Preparation Example 7-5 GeC-NPs (농도)GeC-NPs (concentration) 1ppm1 ppm 10ppm10 ppm 100ppm100 ppm 500ppm500 ppm 1,000ppm1,000 ppm GeC-NPs (중량%)GeC-NPs (wt%) 1010 1010 1010 1010 1010 실리콘 수지 (중량%)Silicone resin (wt%) 8080 8080 8080 8080 8080 경화제 (중량%)Curing agent (% by weight) 1010 1010 1010 1010 1010 두께 (mm)Thickness (mm) 1.51.5 1.51.5 1One 0.80.8 0.50.5 전압 (kvp)Voltage (kvp) 5050 5050 5050 100100 100100 차폐율 (%)Shielding rate (%) 77.577.5 83.683.6 89.689.6 94.294.2 98.398.3

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the invention is indicated by the following claims, and it should be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are included in the scope of the invention.

Claims (5)

평균 입도가 5~300nm이고 하기 화학식 1로 표시되는 탄소족 비산화물 나노입자, 및
바인더 수지를 포함하는 전자파 차폐재 조성물:
<화학식 1>
AxBy
상기 식에서,
A, B는 각각 C, Si, Ge, 또는 B이고,
x, y는 각각 A, B의 몰 분율이고,
x는 0.01~0.99이고, x+y=1이다.
Carbon group non-oxide nanoparticles having an average particle size of 5 to 300 nm and represented by the following Chemical Formula 1, and
Electromagnetic shielding material composition comprising a binder resin:
<Formula 1>
AxBy
Where
A, B are each C, Si, Ge, or B,
x and y are the mole fractions of A and B, respectively,
x is 0.01-0.99 and x + y = 1.
평균 입도가 5~300nm이고 하기 화학식 2로 표시되는 탄소족 비산화물 나노입자, 및
바인더 수지를 포함하는 전자파 차폐재 조성물:
<화학식 2>
AxByCz
상기 식에서,
A, B, C는 각각 C, Si, Ge, 또는 B이고,
x, y, z는 각각 A, B, C의 몰 분율이고,
x, y는 각각 0.01~0.9이고, x+y+z=1이다.
Carbon group non-oxide nanoparticles having an average particle size of 5 to 300 nm and represented by the following Chemical Formula 2, and
Electromagnetic shielding material composition comprising a binder resin:
<Formula 2>
AxByCz
Where
A, B, C are each C, Si, Ge, or B,
x, y, z are the mole fractions of A, B, and C, respectively
x and y are each 0.01-0.9, and x + y + z = 1.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 전자파 차폐재 조성물은 알칼리토금속 화합물, 전기석(tourmaline), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 텔루르(Te), 요오드(I), 크세논(Xe), 세슘(Cs), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er), 톨륨(Tm), 이테르븀(Yb), 루테튬(Lu), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 금(Au), 수은(Hg), 탈륨(Tl), 납(Pb), 폴로늄(Po), 아스타틴(At), 라돈(Rn), 프랑슘(Fr), 라듐(Ra), 악티늄(Ac), 토륨(Th), 프로트악티늄(Pa), 우라늄(U), 넵투늄(Np), 플루토늄(Pu), 아메리슘(Am), 퀴륨(Cm), 버클륨(Bk), 칼리포르늄(Cf), 아인시타이늄(Es), 페르뮴(Fm), 멘델레븀(Md), 노벨륨(No), 로렌슘(Lr), 러더포듐(Rf), 더브늄(Db), 시보기움(Sg), 보륨(Bh), 하슘(Hs), 마이트너륨(Mt) 및 이들 중 2 이상의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 하나를 더 포함하는 전자파 차폐재 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
The electromagnetic wave shielding composition is alkaline earth metal compound, tourmaline, tin (Sn), antimony (Sb), tellurium (Te), iodine (I), xenon (Xe), cesium (Cs), barium (Ba), lanthanum (La), Cerium (Ce), Praseodymium (Pr), Neodymium (Nd), Promethium (Pm), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gadolinium (Gd), Terbium (Tb), Dysprosium (Dy), Holmium (Ho), Erbium (Er), Tolium (Tm), Ytterbium (Yb), Lutetium (Lu), Hafnium (Hf), Tantalum (Ta), Tungsten (W), Rhenium (Re), Osmium (Os), Iridium (Ir), platinum (Pt), gold (Au), mercury (Hg), thallium (Tl), lead (Pb), polonium (Po), asstatin (At), radon (Rn), francium (Fr), radium (Ra), actinium (Ac), thorium (Th), protactinium (Pa), uranium (U), neptunium (Np), plutonium (Pu), americium (Am), querium (Cm), buckleium (Bk), Californium (Cf), Einitanium (Es), Fermium (Fm), Mendelebium (Md), Nobelium (No), Lawrencium (Lr), Rutherfordium (Rf), Dubnium (Db), Siboum (Sg) Bh), hassium (Hs), mitenerium (Mt) and two of them Electromagnetic shielding material composition further comprising one selected from the group consisting of the above mixture.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 전자파 차폐재 조성물은 탄소나노튜브(CNT), 탄소나노입자(CNP), 그래핀 나노플레이트(GNP), 탄소섬유(CF), 카본블랙(CB) 및 이들 중 2 이상의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 하나를 더 포함하는 전자파 차폐재 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
The electromagnetic shielding composition is one selected from the group consisting of carbon nanotubes (CNT), carbon nanoparticles (CNP), graphene nanoplates (GNP), carbon fibers (CF), carbon black (CB), and mixtures of two or more thereof. Electromagnetic shielding material composition further comprising.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 탄소족 비산화물 나노입자는 알콕시기, 하이드록실기, 아미노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나에 의해 표면 개질된 것인 전자파 차폐재 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the carbon group non-oxide nanoparticles surface-modified by one selected from the group consisting of alkoxy groups, hydroxyl groups, amino groups and combinations thereof.
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