KR20200014756A - 광전지 및 그 제조 방법 - Google Patents

광전지 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200014756A
KR20200014756A KR1020197034544A KR20197034544A KR20200014756A KR 20200014756 A KR20200014756 A KR 20200014756A KR 1020197034544 A KR1020197034544 A KR 1020197034544A KR 20197034544 A KR20197034544 A KR 20197034544A KR 20200014756 A KR20200014756 A KR 20200014756A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thread
fabric
surface element
electrically conductive
open fabric
Prior art date
Application number
KR1020197034544A
Other languages
English (en)
Inventor
피터 샤브레섹
우리엘 촌데렉게르
롤란트 슈타임
Original Assignee
세파르 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세파르 아게 filed Critical 세파르 아게
Publication of KR20200014756A publication Critical patent/KR20200014756A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864Annealing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 광전기적으로 활성인 표면 요소 및 표면 요소의 하나 이상의 표면 측에 하나 이상의 도체 트랙 배열을 포함하는 광전지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 전도체 트랙 배열을 형성하기 위해, 오픈 직물이 광전 활성 표면 요소의 적어도 하나의 표면 측에 적용되며, 이 직조 직물은 전기 전도성 스레드 및 투명한 전기 비전 도성 스레드로 직조된다. 오픈 직물에는 표면 코팅이 없다.

Description

광전지 및 그 제조 방법
본 발명은 청구항 1의 전제부에 따라, 광전기적으로 활성인 표면 요소 및 이 표면 요소의 적어도 하나의 표면에 적어도 하나의 도체 트랙 배열을 포함하는 광전지 및 새로운 광전지 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 청구항 15의 전제부에 따라 하나 이상의 광전기적으로 활성인 표면 요소 및 이 표면 요소의 하나 이상의 표면에 하나 이상의 도체 트랙 배열을 포함하는 광전지에 관한 것이다.
매우 광범위한 디자인의 태양 전지, 특히 후막 또는 박막 태양 전지가 오랫동안 알려져 왔다. 태양 전지는 일반적으로 하나 이상의 반도체 재료, 특히 실리콘을 사용하여 형성된 광전기적으로 활성인 표면 요소를 포함한다. 상기 표면 요소에 부딪치는 광은 층화된(layered) 표면 요소에서 자유 전하 캐리어를 생성한다. 이러한 방식으로 생성 된 자유 전하 캐리어의 상응하는 조향(steering)은 전압이 발생되어 전류를 생성하는데 사용될 수 있도록 하는 것을 가능하게 한다.
복수 유형의 태양 전지의 경우, 전류 생성의 목적으로, 특히 인쇄 될 때, 광이 충돌하는 광전 활성 표면에 직접 전기 전도체 트랙 배열을 적용하는 것이 필요하다. 도체 트랙 배열의 크기가 증가함에 따라, 음영(shading)으로도 알려진 것이 증가하여, 광전 활성 표면이 감소되고, 따라서 태양 전지의 전력 출력이 야기된다.
개선된 전력 출력, 즉 증가된 효율을 갖는 태양 전지에 대한 상당한 필요성이 존재한다. 또한, 상기 전지를 가능한 한 광범위하게 사용할 수 있기 위해서는 시장에서 훨씬 더 비용 효율적인 태양 전지가 필요하다.
예를 들어 필름 상에 도체 트랙 배열을 형성한 다음, 전기 전도성 기판으로서 광전 표면 요소에 상기 필름을 적용하는 것이 공지되어 있다.
EP 2 790 196 A1은 광전자 장치를 위한 전기 전도성 기판을 개시하며, 여기에서 도체 트랙 배열은 금속 또는 금속화 된 섬유를 엮어서 생성된다. 이 경우, 직물에는 부분 또는 전체 표면 코팅이 제공되어 직물의 일부가 노출되어 광전자 장치와의 접촉에 사용될 수 있다.
광전자 디바이스를 위한 유사한 기판은 DE 10 2008 055 969 A1로부터도 알려져 있다. 이러한 종류의 기판에는 광전지를 형성하기 위한 광전 활성 표면 요소가 적용될 수 있다. 그러나, 이 경우에도, 광전 활성 표면 요소의 표면과 양호한 전기적 접촉을 설정하는 것이 여전히 필요하다. 이는 추가적인 노력과 관련이 있으며 효율성을 떨어뜨릴 수 있습니다.
해당 유형의 일반적인 방법은 WO 2016/156 276 A1에 개시되어있다. 가용성 폴리머 스레드를 포함하는 직조 전도체 트랙 배열이 사용된다. 상기 스레드는 클래딩 층을 형성하기 위해 열처리에 의해 액화된다.
EP 2 660 878 A1 및 US 3,255,047 A에는 솔더 페이스트로 구성된 전기 접점에 의해 전기 전도체 트랙 배열로 직물을 고정시키는 것이 알려져 있다.
JP 2006 165 149 A1은 추가 접착제 층에 의해 직조된 도체 트랙 배열을 고정시키는 것을 교시하고 있다.
본 발명의 목적은 특히 높은 효율을 갖는 광전지 및 이러한 종류의 광전지 모듈 및 신규한 광전지 모듈의 효율적인 제조 방법이 달성되는 광전지 및 이의 제조 방법을 특정하는 것이다.
본 발명의 목적은 청구항 1의 특징을 갖는 방법, 청구항 14의 특징을 갖는 광전지, 및 청구항 15의 특징을 갖는 광전지를 위한 직물에 의해 달성된다. 본 발명의 바람직한 실시예가 종속항들에서 특정된다.
본 발명에 따른 방법은, 전도체 트랙 배열을 형성하기 위해, 오픈 직물이 광전 활성 표면 요소의 하나 이상의 표면 측에 적용되며, 상기 직물은 전기 전도성 스레드 및 투명하고 전기 비전도성 스레드로 직조되고, 상기 오픈 직물에는 표면 코팅이 없는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기본 개념은 광전 활성 표면 요소의 표면 측에 전도체 트랙 배열을 형성하기 위해 오픈 직물, 즉 코팅되지 않은 직물을 사용하는 것이다. 이 경우, 직물은 광전 활성 표면 요소의 표면에 직접 적용된다. 결과적으로, 종래 기술로부터 알려진 바와 같이 연속 코팅을 포함하는 기판을 제조하는 작업 단계는 생략될 수 있다. 직물은 매우 간단한 방식으로 구성되는데, 개방 구조 및 투명한 비전도성 스레드의 사용으로 인해, 양호한 투명성 및 광전 활성 표면 요소의 양호한 에너지 수율로 이어진다. 직조 직물은 바람직하게는 광에 노출되는 2 개의 표면의 앞면 상에 배열 될 수 있다. 새로운 IBC SHJ 태양 전지의 경우, 직물은 또한 표면 요소의 뒷면에만 적용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 구체 예는 오픈 직물이 적어도 부분적으로 가용성 스레드에 의해 형성되고, 오픈 직물의 적용 후에 열처리가 수행되며, 이 열처리에서 가용성 스레드가 적어도 부분적으로 용융되며, 상기 오픈 직물은 상기 용융된 스레드에 의해 상기 표면 요소에 견고하게 본딩된다. 직물의 적용 후에, 상기 직물은 표면 요소의 표면 측에 쉽게 고정될 수 있다. 이 경우, 직물에 사용된 스레드의 적어도 일부는 적어도 그 표면 영역에서 용융될 수 있다. 이 경우에, 용융된 재료는 표면 요소의 표면에 대한 밀접한 연결을 구성하며, 직물은 적어도 어느 영역에서 표면 요소의 표면 측에 확실하게 접착된다.
본 발명의 개량에 따르면, 비전도성 스레드는 열가소성 폴리머 재료, 특히 열가소성 올레핀에 의해 형성되는 것이 바람직하며, 이는 적어도 부분적으로 융합된다. 열가소성 폴리머 재료는 특히 PP, POE, PA, PET, PEN 등을 포함할 수 있다. 비전도성 스레드의 직경은 바람직하게는 10㎛ 내지 200㎛ 또는 그 이상의 범위 일 수 있다. 폴리머 스레드는 바람직하게는 투명하다.
원칙적으로 비전도성 스레드만 융합될 수 있다. 그러나 본 발명의 바람직한 개량은 특히 200 ℃ 미만의 낮은 용융 또는 연화 온도를 가지는 금속 또는 금속 합금으로 형성되고 적어도 부분적으로 융합되는 전기적으로 전도성 스레드로 구성된다. 따라서 열처리 동안 전기적으로 전도성 스레드만 또는 전도성 및 비전도성 스레드 둘 다를 용융시키는 것이 가능하다. 이는 표면 요소의 표면에 특히 밀접하게 연결을 초래한다. 금속 전도성 스레드의 용융은 또한 접촉을 개선시키고 따라서 광전지의 내부 저항을 감소시킨다. 이러한 금속 스레드는 고체 재료를 포함할 수 있거나 가용성 금속 코팅이 제공된다. 가용성 재료는 Cu/InSn, Cu/Sn, CU/SBA 등의 합금일 수 있다. 바람직하게는 주석 합금(Sn 합금)이 용융-주석으로 도포될 수 있다.
본 발명의 개량에 따르면, 스레드가 표면 요소의 표면과 직접 접촉하고 스레드와 표면 요소의 표면 사이의 접촉 표면이 융합시 증가하는 것이 특히 유리하다. 특히, 가용성 전도성 스레드를 사용할 때, 표면 요소와의 접촉 표면이 더 크고 특히 가깝도록 설계될 수 있다. 이것은 특히 낮은 저항 전압 또는 전류 태핑을 허용한다.
열처리는 적절한 온도에서 수행될 수 있다. 본 발명의 개량에 따르면, 열처리 동안 250 ℃, 특히 200 ℃의 온도를 초과하지 않는 것이 특히 바람직하다. 열처리 온도는 바람직하게는 140 ℃ 내지 200 ℃이다. 이러한 비교적 낮은 온도에서, 반도체 재료로 만들어진 민감한 표면 요소에 대한 열 손상이 방지된다. 결과적으로, 특히 본 발명에 따른 방법은 특히 열에 민감한 재료, 특히 실리콘 헤테로 구조 태양 전지로부터 신규 한 태양 전지를 제조하는 데 적합하다.
열처리는 오픈 직물이 표면 요소 상에 적절하게 위치되고 고정될 수 있게 한다. 본 발명의 변형에 따르면, 안정적인 접합을 달성하기 위해, 오픈 직물의 적용 후에 접합 화합물이 표면 요소 상에 적층된다. 이 경우, 접합 화합물은 투명하므로, 우수한 투명성이 여전히 보장된다. 특히, 접합 화합물은 열 전도성 폴리머 또는 UV-경화성 폴리머 또는 폴리머 혼합물, 예를 들어 전기적으로 비전도성 스레드, 또는 플루오로 폴리머 또는 실리콘의 사용을 위해 제공되는 폴리머 혼합물일 수 있다.
본 발명에 따르면, 투명 직물 층, 특히 유리가 오픈 직물의 적용 후에 표면 요소에 도포된다는 점에서 추가 개량이 달성된다. 투명 커버 층은 접합 화합물과 함께 또는 접합 화합물 없이 제공될 수 있다. 그러나 투명 커버 층이 결합된 화합물과 함께 오픈 직물을 포함하는 표면 요소의 표면 측에 적용되는 것이 바람직하다. 그 결과, 광전지의 특히 우수한 보호 및 특히 견고한 표면이 달성된다.
또한, 본 발명에 따르면, 오픈 직물은 전기 전도성 스레드의 상당 부분이 함께 연장되는 접촉면을 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 직물에는 트윌(twill), 특히 5 : 1 또는 3 : 1의 트윌을 갖는 직조물이 제공 될 수 있다. 또한, 11 : 1 까지 또는 그 이상의 트윌이 가능하며, 여기서 전기적으로 전도성 스레드는 오픈 직물의 접촉면에서 복수의 인접한 스레드에 걸쳐 있어서, 특히 큰 접촉 영역을 형성한다.
원칙적으로, 다른 적합한 직물 및 바인더 시스템이 또한 제공될 수 있다. 본 발명의 개량에 따르면, 전기 전도성 스레드가 오픈 직물에서 씨실 및/또는 날실 방향으로 직조되는 것이 특히 유리하다. 씨실 또는 날실 방향으로만 직조하는 경우, 실질적으로 평행하도록 연장되는 전기 도체 트랙이 제공된다. 씨실 및 날실 방향으로 전기 전도성 스레드를 직조함으로써 오픈 직물에서 패턴 또는 그리드 형 도체 트랙 배열을 달성 할 수 있다. 이는 특정 태양 전지 조립체에 유리할 수 있다.
원칙적으로, 광전 활성 표면 요소는 바람직하게는 광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 임의의 광전기 또는 광전자 요소일 수 있다. 이 경우, 태양 전지를 위한 임의의 통상적인 구조, 특히 Al-BSF, PERC-/PERT-/PERL 전지 또는 다른 태양 전지가 제공될 수 있다. 본 발명에 따른 방법의 특히 유리한 개량은 광전 활성 표면 요소로서 제공되는 SHJ 태양 전지로도 알려진 실리콘 헤테로 구조 태양 전지로 구성된다. 이러한 종류의 태양 전지는 새로운 세대의 태양 전지를 나타내며 효율이 향상된다. 이러한 종류의 태양 전지는 특히 열에 민감하다.
본 발명의 개량에 따르면, 오픈 직물을 포함하는 도체 트랙 장치는 표면 요소의 한쪽 또는 양쪽에 적용된다. 특히 단면 적용의 경우, 도체 트랙 배열은 광에 노출되는 표면 요소의 표면 측에 제공될 수 있다. 동일한 방식으로, 특히 양면 셀로 알려진 경우에, 표면 요소의 하부면 상에 제 2 도체 트랙 배열이 배치될 수 있다. 바람직하게는, 새로운 IBC SHJ 태양 전지의 경우, 도체 트랙 배열을 포함하는 직물은 또한 빛으로부터 멀리 떨어진 하부 또는 후면에만 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 방법의 변형에 따르면, 광전지 모듈에 특히 편리하게 연결하기 위해, 복수의 표면 요소가 하나 이상의 직조 직물에 의해 하나의 광전지 모듈에 연결되는 것이 바람직하다. 이 경우, 오픈 직물은 단일 광전지보다 몇 배 더 클 수 있다. 이 경우, 전기적으로 전도성 스레드는 직조 직물의 한 측면에서만, 또는 바람직하게 그리고 교변적으로 먼저 직물의 한쪽에 그리고 나서 직물의 다른 측면에 연장될 수 있다(도 3). 교번적으로 전도성 접촉면을 갖는 이러한 종류의 직물은 하나의 모듈에서 셀의 Z-배선을 위해 특히 요구된다. 오픈 직물은 복수의 서로 인접한 광전지와 접촉하고 상호 연결될 수 있다. 이것은 한쪽 면이거나 인접한 셀의 전면과 후면 사이에서 교번적일 수 있다. 이 경우, 오픈 직물은 서로 인접한 태양 전지들 사이의 전도성 전기 연결을 구성 할뿐만 아니라 상기 전지들을 기계적 방식으로 연결한다.
광전지에 대하여, 처음에 언급된 목적은 도체 트랙 배열을 형성하기 위해 오픈 직물이 표면 요소의 하나 이상의 표면 측에 직접 적용되는 점에서 달성되는데, 여기서 직조 직물은 전기적으로 전도성 스레드 및 투명한 전기적으로 비전도성 스레드로 직조된다. 광전지는 특히 전술한 방법 중 하나에 따라 제조되며, 이에 상응하는 장점이 또한 발생한다.
또한, 본 발명에 따르면, 직조 직물이 제공되는데, 이 직조 직물은 전기적으로 전도성 스레드 및 투명한 전기적으로 비전 도성 스레드로 직조되는 오픈 직물이라는 점과 적어도 일부의 스레드는 200 °이하의 온도에서 용융될 수 있다는 점에 특징이 있다. 직물은 특히 상기 광전지 또는 본 발명에 따른 상기 방법에 사용될 수 있다.
직물을 형성하기 위해, 전도성 스레드로 직경이 70㎛ 내지 300㎛ 인 전도성 금속으로 만들어 지거나 전도성 금속 코팅을 갖는 와이어가 바람직하게 제공된다. 전기적으로 비전 도성 스레드는 바람직하게는 20 ㎛ 내지 200 ㎛, 특히 30 ㎛ 내지 70 ㎛의 직경을 갖는다. 상기 스레드는 95 % 이상의 투명도, 특히 99 % 이상의 투명성을 가지는 투명 폴리머 재료, 특히 PEN, PP, POE 및 PA 또는 PET로 제조된다. 날실 방향의 스레드 수는 바람직하게는 cm 당 40 내지 60 스레드이고, 씨실 방향은 바람직하게는 cm 당 40 내지 60 스레드이다. 이 경우에, 직물은 본질적으로 비전도성 투명 스레드로 형성되며, 여기서 전기 전도성 스레드는 0.5 mm 내지 15 mm, 바람직하게는 1 mm 내지 8 mm의 간격으로 제공된다. 특히, 바람직하게는 5/1 내지 11/1 또는 3/3의 트윌이 직조물로서 제공된다.
이 경우에, 본 발명의 개량에 따르면, 전기적으로 전도성 스레드는 비전도성 스레드에 대해 규정된 양만큼 바깥쪽으로 돌출되는 것이 특히 유리하며, 여기서 그 양은 바람직하게는 10 내지 20 μm이다.
결과적으로, 전기적으로 전도성 스레드와 표면 요소의 표면 사이의 개선된 접촉이 달성될 수 있다. 직물의 두께는 바람직하게는 100㎛ 내지 400㎛이다.
도 1은 본 발명에 따라 제조된 광전지의 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 광전지용 직물의 도면이다.
도 3은 본 발명 직물의 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 직물을 구성하는 개략적인 단면도이다.
도 5는 복수의 광전지를 직물에 접합하기 위한 제1 접합 구성을 도시한 도면이다.
도 6은 광전지를 접합하기 위한 제2 접합 구성을 도시한다.
본 발명은 도면에 개략적으로 도시된 바람직한 실시예를 바탕으로 이하에서 더 상세히 설명될 것이다.
본 발명에 따른 광전지가 도 1에 도시되어 있다. 상기 광전지는 광전기적으로 활성인 표면 요소(12)를 실질적인 부분으로 포함한다. 상기 표면 요소(12)는 공지된 방식으로 반도체 재료, 특히 실리콘 재료로 층 구조로 형성되며, 광 에너지가 충돌할 때 전하 캐리어들(charge carriers)이 변위된다. 상기 표면 요소(12)는 특히 실리콘 헤테로 구조(heterostructure)의 태양 전지일 수 있다.
상기 표면 요소(12)의 두 표면 측면에서 전하 캐리어 또는 전압을 탭(tap)하기 위해, 본 발명에 따라 오픈 직물(20)이 각각의 경우에 적용된다. 도 2에 따르면, 상기 직물(20)은 비전도성 스레드(24) 및 전도체 트랙 배열(conductor track arrangement)을 형성하는 전기적으로 전도성 스레드(22)를 포함한다.
상기 오픈 직물(20)이 적용되거나 위에 놓인 후, 바람직하게는 140 ℃ 내지 180 ℃의 온도 범위에서 열처리가 수행된다. 이 경우, 상기 오픈 직물(20)의 전도성 스레드(22) 및 비전 도성 스레드(24)는 모두 융합되어 확대된 접촉 표면 및 상기 표면 요소(12)의 표면에 대한 확고한 연결을 형성한다.
이어서, 특히 플라스틱 또는 접착 재료로 이루어진 접합 화합물(14)이 융합 또는 유동성 상태로 적층된다. 이어서, 표면 요소(12)의 양면에서 커버 층(18) 또는 테플론 또는 실리콘과 같은 UV-안정성 폴리머, 특히 유리가 접합 화합물(14)에 도포된다. 접합 화합물(14)이 경화될 때, 커버 층(18) 특히, 투시 유리 재료가 견고하게 연결되어, 광전지(10)를 위한 견고한 외부 보호층이 제공된다.
본 발명에 따른 오픈 직물(20)은 전기적으로 전도성 스레드(22) 및 폴리머 재료로 제조된 전기적으로 비전도성 스레드(24)로부터 직조된다. 본 발명에 따른 오픈 직물(20)의 경우, 연속 코팅 또는 다른 층 코팅이 제공되지 않으므로, 직조 구조를 통한 갭(gaps) 및 통로(passages)가 여전히 존재한다. 도시된 직물(20)의 경우, 금속 와이어 형태의 전기 전도성 스레드(22)는 1mm 내지 1.8mm의 간격으로 함께 직조된다. 투명 및 열가소성 올레핀(olefin)으로 이루어진 비전도성 스레드(24)는 날실 및 중간 씨실로서 제공된다. cm당 총 60 개의 스레드(22, 24)가 날실 및 씨실 방향으로 직조된다.
도 3은 5 : 1의 트윌(twill; 능직)을 갖는 가능한 직물 직조를 도시한다. 이 경우에, 위사(씨실) 방향으로 하나의 전기 전도성 스레드(22)는, 스레드 루프(thread loop)가 형성되기 전에, 각각의 경우에 5 개의 전기 비전도성 경사(날실) 스레드(24)와 교차된다. 이 경우, 전도성 스레드(22)의 길고 따라서 넓은 표면의 접촉 영역은 직물(20)의 접촉면(26)을 형성한다. 이 경우, 도 3에 따른 직물(20)은 양면이 접촉면(26)으로서 형성되며, 여기서 트윌은 특정 지점에서 하나의 접촉면(26)에서 다른 접촉면(26)으로 교번된다. 직물(20)에서의 상기 교번 배열은, 도 5에 도시된 바와 같이, 특히 복수의 표면 요소(12)를 포함하는 광전지 모듈(30)에서 유리하다. 이 경우에, 연속 직물(20)은 각각 교번하는 접촉 영역이 필요하도록 서로 인접하는 표면 요소(12)의 전면 및 후면 주위에서 각각의 경우에 교번하여 루프를 이룬다.
그러나 본 발명에 따른 직물(20)은 단지 하나의 접촉면(26)을 갖도록 형성 될 수 있으며, 여기서 전기 전도성 스레드(22)는 실질적으로 하나의 접촉면(26)을 따라 연장된다. 이러한 직물의 설계는 도 6에 따른 광전지 모듈(30)에 특히 적합하며, 각 경우에 하나의 직물(20)이 복수의 표면 요소(12)로 구성되는 각각의 배열의 한쪽 면에 적용된다. 직물 또는 직물들에 의한 접촉 후, 접합 화합물(14) 및 커버 층(18)이 인가될 수 있다.
본 발명에 따른 직물(20)을 형성 할 때, 도 4에 명확히 도시된 바와 같이, 전도성 스레드(22)가 특히 접촉면(26)에서 인접한 비전도성 스레드(24)에 대해 규정된 양 Δh만큼 바깥쪽으로 돌출하는 것이 편리하고 유리하다. 상기 전도성 스레드(22)의 상기 돌출하는 양은 특히 10 ㎛ 내지 50 ㎛이다.

Claims (15)

  1. 광전기적으로 활성인 표면 요소와 상기 표면 요소의 적어도 하나의 표면에 적어도 하나의 도체 트랙 배열을 구비하는 광전지의 제조 방법으로,
    상기 전도체 트랙 배열을 형성하기 위해, 오픈 직물이 상기 광전기적으로 활성인 표면 요소의 적어도 하나의 표면에 적용되며, 상기 오픈 직물은 전기적으로 전도성 스레드 및 투명한 전기적으로 비전도성 스레드로 직조되며, 상기 오픈 직물은 표면 코팅이 없으며, 상기 오픈 직물은 적어도 부분적으로 가용성 스레드를 구비하여 형성되고,
    상기 전기적으로 비전도성 스레드는 30㎛ 내지 70㎛의 직경을 가지며, 상기 전기적으로 전도성 스레드는 70㎛ 내지 300㎛의 직경을 가지며, 상기 전기적으로 전도성 스레드는 상기 비도전성 스레드에 대해 규정된 양만큼 바깥쪽으로 돌출되고, 상기 전기적으로 비전도성 스레드는 열가소성 폴리머 재료를 사용하여 형성되며,
    상기 오픈 직물의 적용 후에 열처리가 수행되고, 상기 열처리에서 상기 가용성 스레드는 적어도 부분적으로 용융되고, 상기 오픈 직물은 부분적으로 용융된 스레드에 의해 상기 표면 요소에 본딩되어 고정되고,
    상기 고정된 오픈 직물에 투명한 커버 층이 적용되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    날실 방향과 씨실 방향에서 상기 오픈 직물의 스레드 수는 cm당 40 내지 60 개의 스레드인 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 비전도성 스레드는 부분적으로 용융되는 열가소성 올레핀을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 전기적으로 전도성 스레드는 200 ℃ 미만의 낮은 용융 또는 연화 온도를 가지고 금속 또는 금속 합금으로 형성되고 적어도 부분적으로 용융하는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 스레드는 상기 표면 요소의 표면과 직접 접촉하고 상기 스레드와 상기 표면 요소의 표면 사이의 접촉 표면은 용융할 때 증가하는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 열처리 동안 250 ℃, 특히 200 ℃의 온도가 초과되지 않는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 오픈 직물의 적용에 이어서 접합 화합물이 상기 표면 요소 상에 적층되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 투명 커버 층으로서 유리가 상기 표면 요소에 적용되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 오픈 직물은 접촉면을 포함하고, 상기 전기적으로 전도성 스레드의 상당 부분이 상기 접촉면을 따라서 연장하는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 전기적으로 전도성 스레드는 상기 오픈 직물에서 씨실 및/또는 날실 방향으로 직조되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  11. 제1 항에 있어서,
    실리콘 헤테로 구조(heterostructure) 태양 전지(SHJ 태양 전지)가 상기 광전기적으로 활성인 표면 요소로서 제공되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 오픈 직물을 포함하는 상기 도체 트랙 배열이 상기 표면 요소의 한쪽 또는 양쪽에 적용되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  13. 제1 항에 있어서,
    복수의 표면 요소가 하나 이상의 직조 직물에 의해 하나의 광전지 모듈에 연결되는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 전기 전도성 스레드는 서로 1mm 내지 8mm의 간격을 갖는 것을 특징으로 하는 광전지의 제조 방법.
  15. 제 1 항에 따른 방법에 따라 제조된, 하나 이상의 광전기적으로 활성인 표면 요소 및 상기 표면 요소의 적어도 하나의 표면에 적어도 하나의 도체 트랙 배열을 포함하는 광전지 셀 및/또는 모듈로서,
    상기 도체 트랙 배열을 형성하기 위해, 오픈 직물이 상기 표면 요소의 하나 이상의 표면 측에 직접 적용되며, 상기 오픈 직물은 적어도 부분적으로 용융될 수 있는 전기적으로 전도성 스레드 및 투명하고 전기적으로 비전도성 스레드로 직조되고,
    상기 전기적으로 비전도성 스레드는 30㎛ 내지 70㎛의 직경을 갖고, 상기 전기적으로 전도성 스레드는 70㎛ 내지 300㎛의 직경을 가지며, 상기 전기적으로 전도성 스레드는 상기 비전도성 스레드에 대해 소정의 양만큼 외부로 돌출되고,
    상기 전기적으로 비전도성 스레드는 열가소성 폴리머 재료를 사용하여 형성되며,
    상기 오픈 직물의 적용에 이어서, 상기 스레드는 열처리에 의해 부분적으로 용융되며, 상기 오픈 직물은 상기 표면 요소에 단단히 본딩되어 결합되는 것을 특징으로 하는 광전지 셀 및/또는 모듈.
KR1020197034544A 2017-05-29 2018-04-20 광전지 및 그 제조 방법 KR20200014756A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP17173259.7A EP3410494B1 (de) 2017-05-29 2017-05-29 Photovoltaische zelle und module sowie verfahren zu deren herstellung
EP17173259.7 2017-05-29
PCT/EP2018/060167 WO2018219556A1 (de) 2017-05-29 2018-04-20 Photovoltaische zelle sowie verfahren zu deren herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200014756A true KR20200014756A (ko) 2020-02-11

Family

ID=58873652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197034544A KR20200014756A (ko) 2017-05-29 2018-04-20 광전지 및 그 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210175382A1 (ko)
EP (1) EP3410494B1 (ko)
JP (1) JP2020522139A (ko)
KR (1) KR20200014756A (ko)
CN (1) CN110800115A (ko)
ES (1) ES2764745T3 (ko)
WO (1) WO2018219556A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3944342B1 (en) * 2020-07-22 2023-11-01 IMEC vzw Method for interconnecting photovoltaic cells and photovoltaic cells assembly being producible thereby
FR3114687A1 (fr) * 2020-09-30 2022-04-01 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Encapsulation pour module solaire a elements de connexion integres

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3255047A (en) * 1961-09-07 1966-06-07 Int Rectifier Corp Flexible fabric support structure for photovoltaic cells
EP1801889B1 (en) * 1999-09-01 2017-05-17 Kaneka Corporation Thin-film solar cell module and method of manufacturing the same
JP2006165149A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Canon Inc 光起電力素子、光起電力素子集合体、光起電力素子モジュール、及び、それらの製造方法
DE102008055969A1 (de) 2008-11-05 2010-06-10 Sefar Ag Substrat für eine optoelektronische Vorrichtung
DE102011050250A1 (de) * 2011-04-08 2012-10-11 Sefar Ag Elektrodensubstrat sowie flächige optoelektronische Vorrichtung
EP2795676A1 (en) * 2011-12-21 2014-10-29 Dow Global Technologies LLC Improved method of producing two or more thn-film-based interconnected photovoltaic cells
US20130213456A1 (en) * 2012-02-22 2013-08-22 Muhlbauer Ag Method and apparatus for manufacturing a solar module and a solar module having flexible thin film solar cells
WO2013124438A2 (de) * 2012-02-22 2013-08-29 Muehlbauer Ag Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines solarmoduls und ein solarmodul mit flexiblen dünnschicht-solarzellen
ES2533574T3 (es) * 2012-05-04 2015-04-13 Sol Invictus Energy Materiales tejidos híbridos útiles en la producción de células solares de contacto posterior
US20150136207A1 (en) * 2012-06-05 2015-05-21 Saint-Gobain Glass France Roof panel comprising an integrated photovoltaic module
FR2999804B1 (fr) * 2012-12-18 2015-01-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'interconnexion de cellules photovoltaiques a contacts en face arriere, et module comprenant un tel dispositif
EP2790196A1 (de) 2013-04-09 2014-10-15 Sefar AG Elektrisch leitfähiges Substrat für eine optoelektrische Vorrichtung
EP3278370B1 (en) * 2015-03-30 2020-07-29 IMEC vzw Electrically contacting and interconnecting photovoltaic cells

Also Published As

Publication number Publication date
CN110800115A (zh) 2020-02-14
JP2020522139A (ja) 2020-07-27
US20210175382A1 (en) 2021-06-10
EP3410494A1 (de) 2018-12-05
WO2018219556A1 (de) 2018-12-06
EP3410494B1 (de) 2019-10-09
ES2764745T3 (es) 2020-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2966693B1 (en) Solar cell module
EP2911206B1 (en) Solar cell module and method for manufacturing the same
JP6082039B2 (ja) 太陽電池モジュール
CA2483645C (en) Light-receiving or light-emitting device and its production method
JP6835800B2 (ja) 太陽電池モジュール
KR102271055B1 (ko) 태양 전지 모듈
US20070186968A1 (en) Photovoltaic Module
US20160181454A1 (en) Solar cell module and method for manufacturing the same
US11177406B2 (en) Solar cell and solar cell module using the same
KR102244597B1 (ko) 태양 전지 모듈
WO2012141073A1 (ja) 太陽電池モジュールおよびその製造方法
CN112951937A (zh) 太阳能电池串及其制备方法
KR20200014756A (ko) 광전지 및 그 제조 방법
CN110249434A (zh) 太阳能电池模块以及其制造方法
KR20130011328A (ko) 리본 및 이를 구비한 태양전지 모듈
KR20160025411A (ko) 태양 전지 모듈
KR102162718B1 (ko) 태양 전지 모듈
JP6931591B2 (ja) 太陽電池モジュール、および、太陽電池モジュールの製造方法
KR102302076B1 (ko) 태양전지 및 태양전지 모듈
KR20220047819A (ko) 적어도 하나의 보호층을 구비한 광전자 부품을 전기 전도성 접촉시키는 방법, 및 이러한 유형의 접촉을 갖는 광전자 부품
JP2016225446A (ja) 太陽電池モジュール用封止シートおよび太陽電池モジュール
CN111727485A (zh) 布线及使用了该布线的太阳能电池单元和太阳能电池模块
KR102316782B1 (ko) 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR101918992B1 (ko) 태양 전지 모듈과 상기 태양 전지 모듈의 제조 방법, 태양 전지 모듈을 구비하는 전자 기기의 제조 방법
KR101903408B1 (ko) 태양 전지 모듈과 상기 태양 전지 모듈의 제조 방법