KR20200008348A - substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate treatment apparatus. The substrate treatment apparatus includes: a body part (110) having an open upper part and including at least one first gate (111) for the entry of a substrate; a lid part (120) combined with the upper part of the body part (110) to form a sealed internal space (S); a substrate support part (200) installed in the body part (110) to support at least one substrate (10); a lateral wall part (300) forming a lateral wall along the edge of the substrate support part (200); a ceiling part (400) combined with the center of the lid part (120) to be opposite to the upper part of the substrate support part (200), and placed on the lateral wall part (300) to form a separate process space (P) in the internal space (S) with the substrate support part (200) and the lateral wall part (300); a gas spray part (500) installed in the process space (P) by penetrating the center of the ceiling part (400) and the lid part (120), and spraying process gas towards the edge of the substrate support part (200); a lower heater part (600) installed under the substrate support part (200) to heat the substrate support part (200); and an upper heater part (700) installed between the lid part (120) and the ceiling part (300) to heat the ceiling part (400). Therefore, the substrate treatment apparatus is capable of increasing the productivity of treating substrates.

Description

기판처리장치 {substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 선택적 에픽텍셜 성장(SEG, Selective Epitaxial Growth)을 위한 기판처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for selective epitaxial growth (SEG).

일반적으로, 선택적 단결정 실리콘 박막 성장 기술인, SEG(Selective Epitaxial Growth) 공정은 절연체(insulator)에는 실리콘이 성장하지 않으면서 실리콘 기판이 드러난 부분에서 실리콘만 선택 적으로 성장시키는 기술이다.In general, the selective epitaxial growth (SEG) process, which is a selective single crystal silicon thin film growth technology, is a technique for selectively growing only silicon in an area where a silicon substrate is exposed without growing silicon in an insulator.

이를 위하여, 박막증착을 위한 소스가스(예로서, DCS, MS, DS, GeH4 등)와 식각을 위한 에칭가스(예로서, HCl, Cl2 등)이 모두 공정공간으로 주입되어 공정이 수행된다.To this end, both the source gas (for example, DCS, MS, DS, GeH4, etc.) for the thin film deposition and the etching gas (for example, HCl, Cl2, etc.) for etching are injected into the process space to perform the process.

그런데, 종래의 SEG 공정을 위한 기판처리장치의 경우 기판지지부 하측에서만 히팅이 수행되므로, 공정이 이루어지는 공간에서 기판이 지지되는 기판지지부 측 보다 공정챔버의 상부 측의 온도가 낮게 나타나 공정공간 내에서 소스가스나 에칭가스의 분포가 불균일해지고 그에 따라 공정효율이 떨어지고, 상대적으로 온도가 낮은 공정챔버 내부영역에 박막이 증착되는 문제점이 있다.However, in the conventional substrate processing apparatus for the SEG process, since the heating is performed only on the lower side of the substrate support, the temperature of the upper side of the process chamber is lower than that of the substrate support side on which the substrate is supported in the process space. There is a problem that the distribution of the gas or etching gas is uneven and thus the process efficiency is lowered, and the thin film is deposited in the region inside the process chamber having a relatively low temperature.

공정수행에 따라 공정챔버 내부영역에 박막이 증착되면, 주기적인 공정챔버의 클리닝이 필요한데, 공정챔버 클리닝 시 기판처리공정이 중단되게 되므로 기판처리장치의 생산성이 저하되는 문제점이 있다.When the thin film is deposited in the process chamber inner region according to the process execution, periodic cleaning of the process chamber is required, but the substrate processing process is interrupted when the process chamber is cleaned, thereby reducing the productivity of the substrate processing apparatus.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 인식하여, 기판처리공정(예로서, SEG 공정)이 수행되는 공정공간 전체에 걸쳐 균일한 온도분포를 형성하여 공정가스의 분포를 균일화하고, 그에 따라 기판의 필요한 부분에만 박막을 성장시킴으로써 챔버에 대한 클리닝주기를 증가시킬 수 있으며, 최종적으로 기판처리의 생산성을 향상시킬 수 있을 기판처리장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to recognize the above problems, to form a uniform temperature distribution throughout the process space in which the substrate processing process (eg, SEG process) is performed to uniform the distribution of the process gas, accordingly It is possible to increase the cleaning period for the chamber by growing the thin film only in the necessary portion of the, and finally to provide a substrate processing apparatus that can improve the productivity of substrate processing.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 기판출입을 위한 하나 이상의 제1게이트(111)가 형성되며 상측이 개구되는 몸체부(110)와; 상기 몸체부(110)의 상측에 결합되어 밀폐된 내부공간(S)을 형성하는 리드부(120)와; 상기 몸체부(110)에 설치되어 하나 이상의 기판(10)을 지지하는 기판지지부(200)를 포함하는 기판처리장치에 있어서, 상기 기판지지부(200)의 가장자리 둘레를 따라 측벽을 형성하는 측벽부(300)와; 상기 기판지지부(200)의 상측에 대향하도록 상기 리드부(120)의 중앙부에 결합되며, 상기 측벽부(300)의 상단에 안착되어 상기 기판지지부(200) 및 상기 측벽부(300)와 함께 상기 내부공간(S)에 별도의 공정공간(P)을 형성하는 천정부(400)와; 상기 리드부(120)와 상기 천정부(400)의 중앙부를 관통하여 상기 공정공간(P)에 설치되며, 상기 기판지지부(200)의 가장자리를 향해 공정가스를 분사하는 가스분사부(500)와; 상기 기판지지부(200)의 하측에 설치되어 상기 기판지지부(200)를 가열하는 하부히터부(600)와; 상기 리드부(120)와 상기 천정부(300) 사이에 설치되어 상기 천정부(400)를 가열하는 상부히터부(700)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention has been created in order to achieve the object of the present invention as described above, the body portion 110 is formed with one or more first gates 111 for opening and closing the substrate; A lead part 120 coupled to an upper side of the body part 110 to form a sealed inner space S; In the substrate processing apparatus including a substrate support portion 200 which is provided on the body portion 110 to support one or more substrates 10, the side wall portion forming a side wall along the periphery of the edge of the substrate support portion 200 ( 300); It is coupled to the central portion of the lead portion 120 so as to face the upper side of the substrate support portion 200, it is seated on the upper end of the side wall portion 300 and together with the substrate support portion 200 and the side wall portion 300 A ceiling portion 400 for forming a separate process space P in the inner space S; A gas injection part 500 installed in the process space P through the center part of the lead part 120 and the ceiling part 400 and injecting the process gas toward the edge of the substrate support part 200; A lower heater part 600 installed under the substrate support part 200 to heat the substrate support part 200; Disclosed is a substrate processing apparatus including an upper heater part 700 installed between the lead part 120 and the ceiling part 300 to heat the ceiling part 400.

상기 기판처리장치는, 상기 공정공간(P)의 온도조절을 위하여 상기 상부히터부(700)를 제어하는 제어부를 추가로 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a control unit for controlling the upper heater unit 700 to control the temperature of the process space P.

상기 기판지지부(200), 상기 측벽부(300) 및 상기 천정부(400)는, 그라파이트재질로 이루어질 수 있다.The substrate support part 200, the side wall part 300, and the ceiling part 400 may be made of graphite material.

상기 몸체부(110) 및 상기 리드부(120)는, 알루미늄재질로 이루어질 수 있다.The body portion 110 and the lead portion 120 may be made of an aluminum material.

상기 측벽부(300)는, 하단에 상기 기판지지부(200)를 향해 수평방향으로 연장 형성되는 연장부(304)와, 상기 가스분사부(500)에서 분사된 공정가스를 외부로 배출하기 위하여 상기 기판지지부(200)의 둘레를 따라 상기 연장부(304)에 형성되는 다수의 배기홀(310)들을 포함할 수 있다.The side wall part 300 includes an extension part 304 formed at a lower end thereof in a horizontal direction toward the substrate support part 200, and for discharging the process gas injected from the gas injection part 500 to the outside. A plurality of exhaust holes 310 may be formed in the extension part 304 along the circumference of the substrate support part 200.

상기 측벽부(300)에는, 상기 제1게이트(111)에 대향되는 위치에 기판출입을 위한 제2게이트(320)가 형성될 수 있다.In the sidewall part 300, a second gate 320 may be formed at a position opposite to the first gate 111.

상기 가스분사부(500)는, SEG 공정을 위한 증착가스 및 식각가스를 분사할 수 있다.The gas injection unit 500 may inject the deposition gas and the etching gas for the SEG process.

상기 하부히터부(600)는, 상기 기판지지부(200)의 하부측 중앙부에서 외곽부까지 나선형으로 복수회 감기며 외부전원에 의해 발열되는 발열코일(610)을 포함할 수 있다.The lower heater unit 600 may include a heating coil 610 that is wound helically a plurality of times from the lower central portion of the substrate support 200 to the outer portion in a spiral manner and is generated by an external power source.

상기 하부히터부(600)는, 상기 발열코일(610)의 중 상기 기판지지부(200)에 형성되는 기판안착부(202)의 중앙부에 대응되는 부분의 높이를 조정하는 히터높이조정부(620)를 추가로 포함할 수 있다.The lower heater part 600 may include a heater height adjusting part 620 that adjusts a height of a portion of the heating coil 610 corresponding to a central part of the substrate seating part 202 formed in the substrate support part 200. It may further comprise.

상기 상부히터부(700)는, 원형링 형상이며, 상기 천정부(400)의 중앙부를 중심으로 동심원을 이루도록 배치되는 복수의 상부히터부재(710)들을 포함할 수 있다.The upper heater unit 700 may have a circular ring shape, and may include a plurality of upper heater members 710 arranged to form concentric circles about a central portion of the ceiling 400.

상기 복수의 상부히터부재(710)들은, 상기 천정부(400) 상측의 영역에 따라 선택적으로 구비될 수 있다.The plurality of upper heater members 710 may be selectively provided according to an area above the ceiling 400.

상기 복수의 상부히터부재(710)들은, 상기 천정부(400) 상측 중앙부에 설치되는 중앙히터부재(712)와, 상기 천정부(400) 상측 외곽부에 설치되는 복수의 외곽히터부재(714)를 포함할 수 있다.The plurality of upper heater members 710 may include a central heater member 712 installed at an upper center portion of the ceiling 400 and a plurality of outer heater members 714 installed at an upper outer portion of the ceiling 400. can do.

상기 복수의 상부히터부재(710)들은, 할로겐히터일 수 있다.The plurality of upper heater members 710 may be halogen heaters.

상기 천정부(400)에는 공정상태 모니터링을 위한 뷰포트창이 형성될 수 있다.The ceiling 400 may be a viewport window for monitoring the process status.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판처리공정(예로서, SEG 공정)이 수행되는 공정공간 전체에 걸쳐 균일한 온도분포를 형성하여 공정가스의 분포를 균일화하고, 그에 따라 기판의 필요한 부분에만 박막을 성장시킴으로써 챔버에 대한 클리닝주기를 증가시킬 수 있으며, 최종적으로 기판처리의 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The substrate treating apparatus according to the present invention forms a uniform temperature distribution throughout the process space in which the substrate treating process (eg, SEG process) is performed to uniformize the distribution of the process gas, thereby thinning only the necessary portion of the substrate. It is possible to increase the cleaning period for the chamber by growing the, and finally there is an advantage that can improve the productivity of the substrate treatment.

구체적으로, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 그라파이트재질의 기판지지부, 측벽부 및 천정부를 이용해 외부챔버 내부에 별도의 공정공간이 형성되는 이중챔버 구조를 적용하여 공정공간 주변부를 고온벽(Hot wall)으로 구성하고, 기판지지부의 하측 및 천정부의 상측에 각각 하부히터부와 상부히터부를 설치함으로써, 공정공간 전체에 걸쳐 균일한 온도분포를 형성할 수 있다.Specifically, the substrate processing apparatus according to the present invention, by applying a double chamber structure in which a separate process space is formed inside the outer chamber by using a substrate support, a side wall and a ceiling made of graphite material, the hot wall around the process space. And a lower heater portion and an upper heater portion, respectively, below the substrate support portion and above the ceiling portion, it is possible to form a uniform temperature distribution over the entire process space.

그에 따라, 기판처리 공정 시 공정가스가 기판지지부 측에서 천정부 측까지 고르게 분포될 수 있고, 기판의 필요한 영역을 제외한 나머지 부분에서 불필요한 박막이 형성되는 것을 효과적으로 방지할 수 있으며, 결과적으로 챔버의 클리닝 주기를 최대한 길게 유지할 수 있는 이점이 있다.Accordingly, the process gas can be evenly distributed from the substrate support side to the ceiling side during the substrate processing process, and effectively prevent unnecessary thin films from being formed in the remaining portions except the necessary region of the substrate, and as a result, the cleaning cycle of the chamber There is an advantage that can be kept as long as possible.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리시스템을 보여주는 개념도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리시스템의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은, 도 2의 기판처리장치의 구성 일부를 보여주는 평면도이다.
도 4는, 도 2의 기판처리장치의 구성 일부를 보여주는 사시도이다.
도 5는, 도 4의 Ⅰ-Ⅰ방향 단면도이다.
도 6은, 도 2의 기판처리장치 내부의 온도분포를 보여주는 도면이다.
도 7은, 도 2의 기판처리장치 내부의 가스분포를 보여주는 그래프이다.1 is a conceptual diagram illustrating a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus of the substrate processing system of FIG.
3 is a plan view showing a part of the configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 2.
4 is a perspective view showing a part of the configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 2.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line I-I of FIG. 4. FIG.
6 is a diagram illustrating a temperature distribution inside the substrate treating apparatus of FIG. 2.
FIG. 7 is a graph showing a gas distribution in the substrate processing apparatus of FIG. 2.

이하 본 발명에 따른 기판처리시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing system according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리시스템은, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10) 반송을 위한 EFEM(Equipment Front End Module)과, EFEM에서 전달받은 기판(10)을 기판처리를 위한 하나 이상의 기판처리장치(PM, Process module)로 전달하는 트랜스퍼모듈(TM, Transfer Module) 및 트랜스퍼모듈(TM)과 EFEM 사이에 설치되는 로드락모듈(L/L, Load Lock Module)을 포함할 수 있다. 다만, 도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치가 적용될 수 있는 하나의 실시예일뿐 도 1의 기판처리시스템에 한정되는 것은 아니다.As shown in FIG. 1, the substrate processing system according to the present invention includes an equipment front end module (EFEM) for transporting the substrate 10 and one or more substrate processing for processing the substrate 10 received from the EFEM. It may include a transfer module (TM) to transfer to a device (PM, Process module) and a load lock module (L / L, Load Lock Module) installed between the transfer module (TM) and the EFEM. However, FIG. 1 is not limited to the substrate processing system of FIG. 1, which is one embodiment to which the substrate processing apparatus according to the present invention may be applied.

상기 기판처리장치는, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하여 증착/식각 등의 기판처리를 수행할 수 있다.The substrate treating apparatus may form a closed inner space S to perform substrate treatment such as deposition / etching.

특히, 상기 기판처리장치는, 절연체(insulator)에는 실리콘이 성장하지 않으면서 실리콘 기판이 드러난 부분에서 실리콘만 선택적으로 성장시키는 선택적 실리콘 박막 성장을 위한 SEG 공정(Selective Epitaxial Growth)에 유용하다.In particular, the substrate treating apparatus is useful for a selective epitaxial growth (SEG) process for selective silicon thin film growth in which only silicon is selectively grown in a portion where a silicon substrate is exposed without growing silicon in an insulator.

예로서, 상기 기판처리장치는, 기판출입을 위한 하나 이상의 제1게이트(111)가 형성되며 상측이 개구되는 몸체부(110)와; 몸체부(110)의 상측에 결합되어 밀폐된 내부공간(S)을 형성하는 리드부(120)와; 몸체부(110)에 설치되어 하나 이상의 기판(10)을 지지하는 기판지지부(200)를 포함하는 기판처리장치에 있어서, 기판지지부(200)의 가장자리 둘레를 따라 측벽을 형성하는 측벽부(300)와; 기판지지부(200)의 상측에 대향하도록 리드부(120)의 중앙부에 결합되며, 측벽부(300)의 상단에 안착되어 기판지지부(200) 및 측벽부(300)와 함께 내부공간(S)에 별도의 공정공간(P)을 형성하는 천정부(400)와; 리드부(120)와 천정부(400)의 중앙부를 관통하여 공정공간(P)에 설치되며, 기판지지부(200)의 가장자리를 향해 공정가스를 분사하는 가스분사부(500)와; 기판지지부(200)의 하측에 설치되어 기판지지부(200)를 가열하는 하부히터부(600)와; 리드부(120)와 천정부(300) 사이에 설치되어 천정부(400)를 가열하는 상부히터부(700)를 포함할 수 있다.For example, the substrate processing apparatus may include: a body part 110 having one or more first gates 111 formed therein for opening and closing the substrate and having an upper side opened; A lead part 120 coupled to an upper side of the body part 110 to form a sealed inner space S; In a substrate processing apparatus including a substrate support portion 200 installed on the body portion 110 to support one or more substrates 10, the sidewall portion 300 forming sidewalls along an edge of the substrate support portion 200. Wow; It is coupled to the center portion of the lead portion 120 so as to face the upper side of the substrate support portion 200, it is seated on the upper end of the side wall portion 300 and together with the substrate support portion 200 and the side wall portion 300 in the inner space (S) A ceiling portion 400 for forming a separate process space P; A gas injection part 500 installed in the process space P through the center part of the lead part 120 and the ceiling part 400, and spraying the process gas toward the edge of the substrate support part 200; A lower heater part 600 installed below the substrate support part 200 to heat the substrate support part 200; The upper heater part 700 may be installed between the lead part 120 and the ceiling part 300 to heat the ceiling part 400.

상기 몸체부(110)와 리드부(120)는, 기판처리를 위하여 밀폐된 내부공간(S)를 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The body portion 110 and the lead portion 120 may be configured in a variety of configurations to form a sealed inner space (S) for substrate processing.

상기 몸체부(110)는, 상측에 개구가 형성될 수 있고, 상기 리드부(120)는, 몸체부(110)의 개구에 탈착가능하게 결합되어 몸체부(110)와 함께 밀폐된 내부공간(S)을 형성하도록 구성될 수 있다.The body part 110 may have an opening formed on an upper side thereof, and the lead part 120 may be detachably coupled to an opening of the body part 110 to be sealed together with the body part 110. It can be configured to form S).

그리고 상기 몸체부(110)는, 기판(10)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 측면에 형성될 수 있다.And the body portion 110, one or more gates 111 for the introduction and discharge of the substrate 10 may be formed on the side.

상기 몸체부(110) 및 리드부(120)에는 기판처리 수행을 위한 전원인가시스템, 내부공간(S)의 압력 제어 및 배기를 위한 배기시스템 등이 연결 또는 설치될 수 있다.The body part 110 and the lead part 120 may be connected or installed with a power supply system for performing substrate processing, an exhaust system for pressure control and exhaust of the internal space S, and the like.

상기 몸체부(110)와 리드부(120)는, 설계에 따라 다양한 재질로 구성될 수 있고, 예로서, 알루미늄 또는 알루미늄합금 재질로 이루어질 수 있다.The body portion 110 and the lead portion 120 may be made of various materials, depending on the design, for example, may be made of aluminum or aluminum alloy material.

상기 기판지지부(200)는, 몸체부(110)에 설치되어 하나 이상의 기판(10)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate support part 200 may be installed in the body part 110 to support one or more substrates 10.

예로서, 상기 기판지지부(200)는, 기판(10)이 안착되는 하나 이상의 기판안착부(202)가 상면에 형성되는 기판안착플레이트(210)와, 기판안착플레이트(210)를 지지하는 샤프트부(220)를 포함할 수 있다.For example, the substrate support 200 may include a substrate seating plate 210 having at least one substrate seating portion 202 on which the substrate 10 is seated, and a shaft portion supporting the substrate seating plate 210. 220 may be included.

상기 기판안착플레이트(210)에는 중앙부(C)를 중심으로 복수의 기판안착부(202)가 둘레방향을 따라 형성될 수 있다.In the substrate seating plate 210, a plurality of substrate seating parts 202 may be formed along a circumferential direction with the center portion C in the center.

이때, 상기 기판안착부(202)는, 기판(10)을 지지함과 아울러 기판안착부(202)의 중심에 대해 회전되도록 설치될 수 있다.In this case, the substrate seating portion 202 may be installed to support the substrate 10 and to rotate about the center of the substrate seating portion 202.

상기 샤프트부(220)는, 몸체부(110) 외부의 회전구동부(미도시)와 결합되어 중앙부(C)를 중심으로 회전가능하게 설치될 수 있다.The shaft part 220 may be coupled to a rotation driving part (not shown) outside the body part 110 to be rotatably installed around the center part C.

그에 따라, 기판안착부(202)에 안착된 기판은 기판지지부(200)의 중앙부(C)를 중심으로 공전하며, 기판안착부(202)의 중앙부를 중심으로 자전하여, 결과적으로 공자전하며 기판처리가 수행될 수 있다.Accordingly, the substrate seated on the substrate seating portion 202 revolves around the center portion C of the substrate support portion 200, and rotates about the center portion of the substrate seating portion 202, resulting in a corotating process. Can be performed.

상기 측벽부(300)는, 기판지지부(200)의 가장자리 둘레를 따라 측벽을 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The side wall portion 300 may be configured in various ways to form a side wall along the periphery of the edge of the substrate support 200.

상기 측벽부(300)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상단 및 하단에서 기판지지부(200)를 향하는 수평방향으로 연장 형성되는 연장부(302, 304)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the sidewall part 300 may include extension parts 302 and 304 extending in a horizontal direction from the top and the bottom toward the substrate support part 200.

상기 상단에 형성되는 연장부(302)에는, 후술하는 천정부(400)와 결합되는 결합영역이 형성될 수 있다. 예로서, 상기 연장부(302)의 끝단에는 후술하는 천정부(400)의 가장자리가 안착돼 지지되는 단차부(303)가 형성될 수 있다.In the extension part 302 formed at the upper end, a coupling area coupled to the ceiling part 400 to be described later may be formed. For example, a step 303 may be formed at the end of the extension part 302 to support the edge of the ceiling 400 to be described later.

상기 하단에 형성되는 연장부(304)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판처리 시에 위치되는 기판지지부(200)의 상면과 동일한 평면을 형성하도록 설치됨이 바람직하다.As shown in FIG. 2, the extension part 304 formed at the lower end thereof is preferably installed to form the same plane as the upper surface of the substrate support part 200 positioned at the time of substrate processing.

한편, 상기 측벽부(300), 가스분사부(500)에서 분사된 공정가스를 외부로 배출하기 위하여 기판지지부(200)의 둘레를 따라 연장부(304)에 형성되는 다수의 배기홀(310)들을 포함할 수 있다.Meanwhile, a plurality of exhaust holes 310 formed in the extension part 304 along the circumference of the substrate support part 200 to discharge the process gas injected from the side wall part 300 and the gas injection part 500 to the outside. Can include them.

즉, 상기 측벽부(300)는, 공정공간(P)의 가스배출을 위한 배플(baffle)로써 기능할 수 있다.That is, the side wall part 300 may function as a baffle for discharging the gas in the process space P.

상기 다수의 배기홀(310)들은, 기판지지부(200)의 둘레를 따라 형성될 수 있다.The plurality of exhaust holes 310 may be formed along the circumference of the substrate support part 200.

상기 다수의 배기홀(310)들은, 몸체부(120)에 설치되는 배기포트(800)와 연통될 수 있다.The plurality of exhaust holes 310 may communicate with the exhaust port 800 installed in the body 120.

또한, 상기 측벽부(300)에는, 몸체부(110)의 제1게이트(111)와 대응되는 위치에 기판출입을 위한 제2게이트(320)가 형성될 수 있다.In addition, a second gate 320 may be formed in the sidewall part 300 to access the substrate at a position corresponding to the first gate 111 of the body part 110.

한편, 상기 측벽부(300)는, 단일부재로 구성되거나, 복수의 부재들의 결합이나 조립을 통해 구성될 수 있음은 물론이다.On the other hand, the side wall portion 300, of course, may be composed of a single member or by combining or assembling a plurality of members.

상기 천정부(400)는, 기판지지부(200)의 상측에 대향하도록 리드부(120) 에 결합되며, 측벽부(300)의 상단에 안착되어 기판지지부(200) 및 측벽부(300)와 함께 내부공간(S)에 별도의 공정공간(P)을 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The ceiling part 400 is coupled to the lead part 120 so as to face the upper side of the substrate support part 200, and is mounted on an upper end of the side wall part 300 to be internally formed with the substrate support part 200 and the side wall part 300. Various configurations are possible by forming a separate process space (P) in the space (S).

상기 천정부(400)는, 기판지지부(200)의 상측에 대향하는 플레이트로, 리드부(120)의 중앙부에 결합되며 상술한 측벽부(300)의 상단부에 안착될 수 있다. 구체적으로, 상기 천정부(400)는, 측벽부(300)의 상단 연장부(302)에 형성되는 단차부(303)에 안착되어 측벽부(300)와 결합될 수 있다.The ceiling 400 is a plate facing the upper side of the substrate support 200, is coupled to the central portion of the lead portion 120 may be seated on the upper end of the side wall portion 300 described above. In detail, the ceiling part 400 may be seated on the stepped part 303 formed on the upper end part 302 of the side wall part 300 and may be coupled to the side wall part 300.

상기 천정부(400)가 측벽부(300)와 결합됨으로써, 기판지지부(200), 측벽부(300) 및 천정부(400)로 둘러싸인 내부공간(S)과 구분되는 공정공간(P)가 형성될 수 있다.The ceiling part 400 is coupled to the side wall part 300 to form a process space P that is separated from the inner space S surrounded by the substrate support part 200, the side wall part 300, and the ceiling part 400. have.

상기 공정공간(P)는 내부공간(S)과 별도로 구분되는 공간에 해당되나, 여기서, 구분된다는 것은 물리적으로 구획되어 있음을 의미할 뿐, 기판지지부(200)와 측벽부(300) 사이에 틈이 존재할 수 있으므로, 몸체부(110)와 리드부(120)에 의해 형성되는 내부공간(S)으로부터 완전히 밀폐된 실링상태를 의미하는 것은 아니다.The process space P corresponds to a space that is separated from the internal space S. Here, the separation means only a physical partition, and a gap between the substrate support 200 and the side wall 300. Since this may exist, it does not mean a sealing state completely sealed from the internal space S formed by the body 110 and the lid 120.

즉, 상기 기판지지부(200), 측벽부(300) 및 천정부(400)가 공정공간(P)을 둘러싸는 형태로 구성되는 바, 본 발명에 따른 기판처리장치는 단일챔버구조가 아닌 이중챔버구조로 구성될 수 있다.That is, the substrate support part 200, the side wall part 300, and the ceiling part 400 are configured to surround the process space P. The substrate processing apparatus according to the present invention is not a single chamber structure but a double chamber structure. It can be configured as.

또한, 상기 기판지지부(200), 측벽부(300) 및 천정부(400)는, 모두 그라파이트재질로 이루어지거나 또는 그라파이트가 SiC코팅 되어 형성될 수 있다.In addition, the substrate support part 200, the side wall part 300, and the ceiling part 400 may be all made of a graphite material or may be formed of graphite coated with SiC.

그리고, 상기 천정부(400)가 기판지지부(200)의 상측을 가리게 되므로, 천정부(400)에는 공정상태 In-situ 모니터링(기판온도, 두께(thickness), 선택성 손실 결함(selectivity loss defect) 등)을 위한 뷰포트창이 형성될 수 있다.In addition, since the ceiling portion 400 covers the upper side of the substrate support portion 200, the ceiling portion 400 includes process state in-situ monitoring (substrate temperature, thickness, selectivity loss defect, etc.). A viewport window can be formed.

상기 가스분사부(500)는, 공정공간(P)으로 공정가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The gas injection unit 500 may be configured in various ways by injecting the process gas into the process space (P).

예로서, 상기 가스분사부(500)는, 리드부(120)와 천정부(400)의 중앙부를 관통하여 공정공간(P)에 설치되며, 기판지지부(200)의 가장자리를 향해 공정가스를 분사하도록 구성될 수 있다.For example, the gas injection unit 500 is installed in the process space P through the center of the lead unit 120 and the ceiling 400, and sprays the process gas toward the edge of the substrate support unit 200. Can be configured.

일 실시예에서, 상기 가스분사부(500)는, 리드부(120) 및 천정부(400)의 중앙부 결합부위를 관통하여 공정공간(P)에 설치되며 기판지지부(200)의 가장자리를 향하여 방사형으로 공정가스를 분사하는 노즐부(510)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the gas injection unit 500 is installed in the process space (P) penetrating through the central coupling portion of the lead portion 120 and the ceiling portion 400 and radially toward the edge of the substrate support portion 200. It may include a nozzle unit 510 for injecting a process gas.

이때, 상기 가스분사부(500)는, SEG 공정을 위하여 증착가스(소스가스) 및 식각가스(에칭가스)를 동시에 또는 순차적으로 분사할 수 있다.In this case, the gas injection unit 500 may spray the deposition gas (source gas) and the etching gas (etching gas) simultaneously or sequentially for the SEG process.

구체적으로, 상기 노즐부(510)는, 도시하지는 않았으나, 각각 서로 다른 종류의 다수의 가스를 분사하기 위하여 상하로 적층되어 다단구조를 가지는 복수의 서브노즐들을 포함할 수 있다.In detail, although not illustrated, the nozzle unit 510 may include a plurality of sub-nozzles having a multi-stage structure, stacked up and down to inject a plurality of different types of gases, respectively.

각 서브노즐은, DCS, MS, DS, GeH4 등의 소스가스, HCL, Cl2 등의 에칭가스, PH3, B2H6등의 도펀트가스, H2 등의 캐리어가스를 분사할 수 있다.Each sub-nozzle can inject source gas such as DCS, MS, DS, GeH4, etching gas such as HCL, Cl2, dopant gas such as PH3, B2H6, or carrier gas such as H2.

상기 가스분사부(500)는, 기판지지부(200)의 중앙부에서 외곽부 방향으로 가스를 분사하고, 다수의 배기홀(310)이 기판지지부(200)의 가장자리 둘레를 따라 형성되므로, 가스분사부(500)에서 분사되는 가스는 도 2에 도시된 바와 같이 기판지지부(200)의 중앙부에서 외곽부를 향해 흐르는 가스흐름을 형성할 수 있다.The gas injection part 500 injects gas from the center of the substrate support part 200 toward the outer part, and a plurality of exhaust holes 310 are formed along the periphery of the edge of the substrate support part 200. The gas injected at 500 may form a gas flow flowing toward the outer portion from the center of the substrate support 200 as shown in FIG. 2.

상기 하부히터부(600)는, 기판지지부(200)의 하측에 설치되어 기판지지부(200)를 가열하기 위한 구성으로 다양한 가열수단이 적용될 수 있다.The lower heater unit 600 may be installed under the substrate support unit 200 to heat the substrate support unit 200. Various heating means may be applied to the lower heater unit 600.

상기 하부히터부(600)에 의해, 기판지지부(200) 측을 통해 공정공간(P)이 가열될 수 있다.By the lower heater part 600, the process space P may be heated through the substrate support part 200 side.

일 실시예에서, 상기 하부히터부(600)는, 기판지지부(200)의 하부측 중앙부에서 외곽부까지 나선형으로 복수회 감기며 외부전원에 의해 발열되는 발열코일(610)을 포함할 수 있다.In one embodiment, the lower heater unit 600 may include a heating coil 610 that is wound spirally a plurality of times from the lower central portion of the substrate support 200 to the outer portion in a spiral manner.

예로서, 상기 발열코일(610)은, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 중앙부부터 외곽부까지 7회 감기도록 구성될 수 있다.For example, as shown in FIGS. 4 and 5, the heating coil 610 may be configured to be wound seven times from the center portion to the outer portion.

이때, 상기 발열코일(610)은, 균일한 가열조건을 만족하기 위하여 불균등한 간격으로 감길 수 있다.In this case, the heating coil 610 may be wound at uneven intervals to satisfy uniform heating conditions.

예로서, 도 5 기준, 기판지지부(200)의 중앙부에서 외곽부를 향하는 방향 따라, 상기 발열코일(610)의 제1턴(610a), 제2턴(610b), 제3턴(610c), 제4턴(610d), 제5턴(610e), 제6턴(610f) 및 제7턴(610g)이라 할 때, 제3턴(610c), 제4턴(610d), 제5턴(610e)은 상대적으로 다른 부분 보다 낮은 밀도로 설치될 수 있다.For example, as illustrated in FIG. 5, the first turn 610a, the second turn 610b, the third turn 610c, and the third turn of the heating coil 610 along the direction from the center of the substrate support 200 to the outer portion. When referred to as the fourth turn 610d, the fifth turn 610e, the sixth turn 610f, and the seventh turn 610g, the third turn 610c, the fourth turn 610d, and the fifth turn 610e. Can be installed at a lower density than other parts.

또한, 상기 하부히터부(600)는, 발열코일(610) 설치를 위한 베이스(602)와, 발열코일(610)와 베이스(602) 사이에 결합되어 발열코일(610)을 지지하는 서포트부(604)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the lower heater unit 600, the base 602 for installing the heating coil 610, and the support portion for supporting the heating coil 610 is coupled between the heating coil 610 and the base 602 ( 604) may be further included.

예로서, 상기 하부히터부(600)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 발열코일(610)을 중심으로 방사형으로 설치되는 4개의 베이스부(602)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 4, the lower heater part 600 may include four base parts 602 radially installed around the heating coil 610.

이때, 상기 하부히터부(600)는, 발열코일(610)의 중 기판지지부(200)에 형성되는 기판안착부(202)의 중앙부에 대응되는 부분의 높이를 조정하는 히터높이조정부(620)를 추가로 포함할 수 있다.At this time, the lower heater 600, the heater height adjusting unit 620 for adjusting the height of the portion corresponding to the central portion of the substrate seating portion 202 formed in the substrate support portion 200 of the heating coil 610. It may further comprise.

예로서, 도 5에서, 상기 하부히터부(600) 중, 기판지지부(200)에 형성되는 기판안착부(202)의 중앙부에 대응되는 부분은, 발열코일(610)의 제4턴(610d) 및 제5턴(610e)일 수 있다.For example, in FIG. 5, a portion of the lower heater 600 corresponding to the central portion of the substrate seating portion 202 formed in the substrate support 200 is the fourth turn 610d of the heating coil 610. And a fifth turn 610e.

상기 히터높이조정부(620)는, 높이조정대상에 포함되는 발열코일(610) 영역의 상하이동을 구동하는 상하구동부(624)와, 상하구동부(624) 및 발열코일(610)을 결합시키는 결합부(622, 626)을 포함할 수 있다.The heater height adjustment unit 620, the coupling portion for coupling the vertical drive unit 624, the vertical drive unit 624 and the heating coil 610 to drive the shangdong of the heating coil 610 area included in the height adjustment object. 622, 626.

상기 결합부(622, 626)는, 높이조정대상에 포함되는 발열코일(610)이 복수의 턴(도 5에서, 제4턴(610d) 및 제5턴(610e))을 포함하는 경우, 해당 영역들이 동기화 되어 높이조정이 가능하게 하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.When the coupling coils 622 and 626 include a plurality of turns (the fourth turn 610d and the fifth turn 610e in FIG. 5) of the heating coil 610 included in the height adjustment target, Various configurations are possible with the configuration that the areas are synchronized and the height can be adjusted.

그에 따라, 상기 히터높이조정부(620)는, 기판(10)의 중앙부에 대하여 상하구동부(624)를 통해 발열코일(610)의 높이를 미세조정할 수 있다.Accordingly, the heater height adjusting unit 620 may finely adjust the height of the heating coil 610 through the vertical driving unit 624 with respect to the central portion of the substrate 10.

예로서, 상기 히터높이조정부(620)에 의해, 기판(10) 중앙부에 대응되는 발열코일(610)의 높이가 도 6에 도시된 바와 같이 하측으로 조정되어, 기판(10)이 과도하게 과열되는 것을 방지할 수 있다.For example, the height of the heating coil 610 corresponding to the center portion of the substrate 10 is adjusted downward by the heater height adjusting unit 620 so that the substrate 10 is excessively overheated. Can be prevented.

상기 상부히터부(700)는, 천정부(300)의 상측에 설치되어 천정부(400)를 가열하는 구성으로 다양한 가열수단이 적용될 수 있다.The upper heater unit 700 is installed on the ceiling 300 to heat the ceiling 400 may be applied to a variety of heating means.

일 실시예에서, 상기 상부히터부(700)는, 원형링 형상이며, 천정부(400)의 중앙부를 중심으로 동심원을 이루도록 배치되는 복수의 상부히터부재(710)들을 포함할 수 있다.In one embodiment, the upper heater unit 700 may have a circular ring shape, and may include a plurality of upper heater members 710 arranged to form concentric circles about a central portion of the ceiling 400.

상기 복수의 상부히터부재(710)들은, 공정공간(S)의 균일한 온도분포를 위하여, 천정부(400) 상측의 영역(위치)에 따라 선택적으로 구비될 수 있다.The plurality of upper heater members 710 may be selectively provided according to an area (position) above the ceiling part 400 for uniform temperature distribution of the process space S. FIG.

예로서, 상기 복수의 상부히터부재(710)들은, 상대적으로 높은 온도를 보이는 천정부(400)의 중앙영역에서는 상대적으로 적은 개수로 구비되고, 상대적으로 낮은 온도를 보이는 천정부(400)의 외곽영역에서는 상대적으로 많은 수로 구비될 수 있다.For example, the plurality of upper heater members 710 are provided in a relatively small number in the central region of the ceiling portion 400 showing a relatively high temperature, and in the outer region of the ceiling portion 400 showing a relatively low temperature. It can be provided in a relatively large number.

보다 구체적으로, 상기 복수의 상부히터부재(710)들은, 도 3에 도시된 바와 같이, 천정부(400) 상측 중앙부에 설치되는 중앙히터부재(712)와, 천정부(400) 상측 외곽부에 설치되는 복수의 외곽히터부재(714)(도 3의 경우 2개의 외곽히터부재(714))를 포함할 수 있다.More specifically, the plurality of upper heater members 710 are, as shown in Figure 3, the central heater member 712 is installed on the upper center portion of the ceiling portion 400, and is installed on the upper outer portion of the ceiling portion 400 It may include a plurality of outer heater members 714 (two outer heater members 714 in the case of FIG. 3).

이때, 상기 상부히터부재(710)는, 할로겐히터일 수 있다.In this case, the upper heater member 710 may be a halogen heater.

본 발명은 하부히터부재(600)를 메인히터로써 활용하고, 공정공간(P)의 온도분포를 균일화 하기 위한 보조히터로써 상부히터부(700)를 활용함으로써, 공정공간(P)의 온도제어를 보다 용이하게 수행할 수 있다.The present invention utilizes the lower heater member 600 as a main heater, and by utilizing the upper heater unit 700 as an auxiliary heater for equalizing the temperature distribution of the process space (P), to control the temperature of the process space (P) It can be done more easily.

미설명된 부호 900은, 기판출입을 위한 기판리프트부(900)이다.Unexplained reference numeral 900 is a substrate lift unit 900 for substrate access.

상기 기판리프트부(900)는, 기판지지부(200)를 관통하여 상하이동 가능하게 설치되는 복수의 리프트핀(910)과, 복수의 리프트핀(910)의 상하이동을 구동하는 리프트핀구동부(920)를 포함할 수 있다.The substrate lift unit 900 includes a plurality of lift pins 910 that are installed to be movable through the substrate support unit 200, and a lift pin driver 920 that drives the shanghai of the plurality of lift pins 910. ) May be included.

이때, 상기 기판처리장치는, 공정공간(P)의 온도조절을 위하여 하부히터부(600) 및 상부히터부(700) 중 적어도 하나를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.In this case, the substrate processing apparatus may include a control unit for controlling at least one of the lower heater unit 600 and the upper heater unit 700 to control the temperature of the process space P.

상기 제어부는, 공정공간(P)의 내부온도를 감지하기 위한 온도센서(미도시)로부터 공정공간(P)의 온도정보를 전달받아 상부히터부(700) 및 하부히터부(600) 중 적어도 하나의 온도를 조정하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The control unit receives at least one of the upper heater 700 and the lower heater 600 by receiving the temperature information of the process space (P) from a temperature sensor (not shown) for sensing the internal temperature of the process space (P). Various configurations are possible by adjusting the temperature.

상기 제어부에 의한 하부히터부(600) 및 상부히터부(700) 중 적어도 하나의 제어를 통해 공정공간(P) 내의 온도가 균일하게 분포(Homogeneous temperature)되도록 컨트롤될 수 있고, 그에 따라 공정공간(P) 내에서 가스분포가 제어될 수 있다.Through the control of at least one of the lower heater 600 and the upper heater 700 by the control unit can be controlled so that the temperature in the process space (P) is uniformly distributed (Homogeneous temperature), according to the process space ( The gas distribution can be controlled in P).

상술한 구성을 가지는 본 발명에 따른 기판처리장치는, 몸체부(110) 및 리드부(120)로 이루어지는 외부챔버 내부에 공정공간(P)을 기판지지부(200), 측벽부(300) 및 천정부(400)로 둘러싸 이중챔버구조를 가지고, 공정공간(P)을 하측 및 상측에서 각각 하부히터부(600) 및 상부히터부(700)를 통해 가열함으로써, 공정공간(P)에 최적화된 온도를 보다 균일하게 형성할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention having the above-described configuration, the process space P is formed inside the outer chamber including the body portion 110 and the lead portion 120, the substrate support portion 200, the side wall portion 300, and the ceiling portion. It has a double chamber structure surrounded by (400), by heating the process space (P) in the lower and upper sides through the lower heater 600 and the upper heater 700, respectively, the temperature optimized for the process space (P) It can form more uniformly.

도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 기판처리장치에서, 공정공간(P)에서 기판측(D)과 천정부측(C)의 온도가 매우 균일하게 분포되어 나타남을 확인할 수 있다. 도 6에서 A는 가스분사부(500) 측이고, B는 측벽부(300)의 배기홀(310) 측을 의미한다.Referring to FIG. 6, it can be seen that in the substrate processing apparatus according to the present invention, temperatures of the substrate side D and the ceiling side C are uniformly distributed in the process space P. FIG. In FIG. 6, A is the gas injection part 500 side, and B is the exhaust hole 310 side of the side wall part 300.

공정공간(P)에 균일한 온도분포가 형성되면, 공정공간(P)에서 가스분사부(500)에서 배기홀(310)로 흐르는 공정가스의 분포도 균일화될 수 있다.When the uniform temperature distribution is formed in the process space P, the distribution of the process gas flowing from the gas injection unit 500 to the exhaust hole 310 in the process space P may be uniform.

도 7은 하부히터부(600)를 이용해 기판지지부(200)의 온도를 750℃로 가열한 상태에서, 천정부(400)의 온도를 변화시키며 공정가스(DCS(증착가스), HCl(식각가스), H2(캐리어가스))의 가스분포를 나타낸 그래프이다.FIG. 7 illustrates the process gas (deposition gas) and HCl (etch gas) while changing the temperature of the ceiling part 400 in a state in which the temperature of the substrate support part 200 is heated to 750 ° C. using the lower heater part 600. Is a graph showing the gas distribution of H2 (carrier gas).

도 7을 참조하면, 상부히터부(700)에 의해 천정부(400)의 온도가 증가하여 기판지지부(200)의 온도에 근접할수록, 천정부(400)와 기판지지부(200) 측에서 가스분포가 50%에 수렴하여 균일한 가스분포를 나타냄을 보여주고 있다.Referring to FIG. 7, as the temperature of the ceiling part 400 increases by the upper heater part 700 and approaches the temperature of the substrate support part 200, the gas distribution is 50 at the side of the ceiling part 400 and the substrate support part 200. Converging to% shows uniform gas distribution.

즉, 본 발명은 공정공간(P)에서의 공정가스의 불균일한 분포에 의한 증착가스와 식각가스의 반응효율이 떨어지고 그에 따라 공정공간(P)의 원치 않은 영역에 증착이 이루어지는 것을 방지할 수 있고, 공정공간(P) 온도가 균일하게 분포됨으로써 기판(10) 상에 원하는 부분에만 성장이 이루어지도록 할 수 있다.That is, the present invention can reduce the reaction efficiency of the deposition gas and the etching gas due to the non-uniform distribution of the process gas in the process space (P), thereby preventing the deposition on the unwanted region of the process space (P) As the process space P is uniformly distributed, growth may be performed only on a desired portion of the substrate 10.

특히, 본 발명은 외부의 몸체부(110) 및 리드부(120)는 알루미늄재질로 이루어지고, 공정공간(P)를 형성하는 기판지지부(200), 측벽부(300) 및 천정부(400)는 그라파이트재질로 이루어짐으로써, 공정공간(P)를 둘러싸는 외벽이 가열될 수 있고(Hot-Wall), 그에 따라 기판(10) 상 필요한 영역을 제외하고는 공정공간(P)에서 증착률이 식각률보다 크게 형성되지 않아, 천정부(400)를 포함한 내부의 증착이 효과적으로 방지될 수 있다(참고로, 천정부(400)의 온도가 상대적으로 낮게 형성되는 경우 천정부(400)에서 증착률이 식각률보다 커져 공정과정에서 천정부(400)에 박막이 증착될 수 있다).Particularly, in the present invention, the outer body part 110 and the lead part 120 are made of aluminum, and the substrate support part 200, the side wall part 300, and the ceiling part 400 forming the process space P are By being made of graphite material, the outer wall surrounding the process space P can be heated (Hot-Wall), so that the deposition rate in the process space P is higher than the etching rate except for the required area on the substrate 10. Since it is not largely formed, deposition inside the ceiling including the ceiling 400 may be effectively prevented. (For reference, when the temperature of the ceiling 400 is relatively low, the deposition rate is greater than the etching rate in the ceiling 400. Thin film may be deposited on the ceiling (400)).

한편, 도시하지는 않았으나, 본 발명의 기판처리장치에는, 공정공간(P)의 내부온도를 감지하기 위한 하나 이상의 온도센서, 상부히터부(700) 및 하부히터부(600)에 전력을 공급하기 위한 전원, 상부히터부(700) 및 하부히터부(600)의 온도제어를 위한 제어부 등의 구성요소들이 설치될 수 있음은 물론이다.On the other hand, although not shown, the substrate processing apparatus of the present invention, for supplying power to at least one temperature sensor, the upper heater 700 and the lower heater 600 for sensing the internal temperature of the process space (P). Components such as a power supply, a control unit for temperature control of the upper heater 700 and the lower heater 600 may be installed.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다. Since the above has just been described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, the present invention described above It will be said that both the technical idea and the technical idea which together with the base are included in the scope of the present invention.

10: 기판 110: 몸체부
120: 리드부 200: 기판지지부
300: 측벽부
400: 천정부10: substrate 110: body portion
120: lead portion 200: substrate support portion
300: side wall portion
400: Heavenly Father

Claims (14)

기판출입을 위한 하나 이상의 제1게이트(111)가 형성되며 상측이 개구되는 몸체부(110)와; 상기 몸체부(110)의 상측에 결합되어 밀폐된 내부공간(S)을 형성하는 리드부(120)와; 상기 몸체부(110)에 설치되어 하나 이상의 기판(10)을 지지하는 기판지지부(200)를 포함하는 기판처리장치에 있어서,
상기 기판지지부(200)의 가장자리 둘레를 따라 측벽을 형성하는 측벽부(300)와;
상기 기판지지부(200)의 상측에 대향하도록 상기 리드부(120)의 중앙부에 결합되며, 상기 측벽부(300)의 상단에 안착되어 상기 기판지지부(200) 및 상기 측벽부(300)와 함께 상기 내부공간(S)에 별도의 공정공간(P)을 형성하는 천정부(400)와;
상기 리드부(120)와 상기 천정부(400)의 중앙부를 관통하여 상기 공정공간(P)에 설치되며, 상기 기판지지부(200)의 가장자리를 향해 공정가스를 분사하는 가스분사부(500)와;
상기 기판지지부(200)의 하측에 설치되어 상기 기판지지부(200)를 가열하는 하부히터부(600)와;
상기 리드부(120)와 상기 천정부(300) 사이에 설치되어 상기 천정부(400)를 가열하는 상부히터부(700)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.At least one first gate 111 for substrate access is formed and the upper body portion 110 is opened; A lead part 120 coupled to an upper side of the body part 110 to form a sealed inner space S; In the substrate processing apparatus including a substrate support portion 200 which is installed on the body portion 110 to support one or more substrates 10,
Sidewall portions 300 forming sidewalls along edges of the substrate support 200;
It is coupled to the central portion of the lead portion 120 so as to face the upper side of the substrate support portion 200, it is seated on the upper end of the side wall portion 300 and together with the substrate support portion 200 and the side wall portion 300 A ceiling portion 400 for forming a separate process space P in the inner space S;
A gas injection part 500 installed in the process space P through the center part of the lead part 120 and the ceiling part 400 and injecting the process gas toward the edge of the substrate support part 200;
A lower heater part 600 installed under the substrate support part 200 to heat the substrate support part 200;
And an upper heater part (700) installed between the lead part (120) and the ceiling part (300) to heat the ceiling part (400). 청구항 1에 있어서,
상기 공정공간(P)의 온도조절을 위하여 상기 상부히터부(700)를 제어하는 제어부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Substrate processing apparatus, characterized in that further comprising a control unit for controlling the upper heater 700 for temperature control of the process space (P). 청구항 1에 있어서,
상기 기판지지부(200), 상기 측벽부(300) 및 상기 천정부(400)는, 그라파이트재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The substrate supporting unit (200), the side wall portion (300) and the ceiling portion (400), the substrate processing apparatus, characterized in that made of a graphite material. 청구항 1에 있어서,
상기 몸체부(110) 및 상기 리드부(120)는, 알루미늄재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The body portion 110 and the lead portion 120, the substrate processing apparatus, characterized in that made of aluminum. 청구항 1에 있어서,
상기 측벽부(300)는,
하단에 상기 기판지지부(200)를 향해 수평방향으로 연장 형성되는 연장부(304)와, 상기 가스분사부(500)에서 분사된 공정가스를 외부로 배출하기 위하여 상기 기판지지부(200)의 둘레를 따라 상기 연장부(304)에 형성되는 다수의 배기홀(310)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The side wall portion 300,
An extension part 304 extending in the horizontal direction toward the substrate support part 200 at a lower end thereof, and the periphery of the substrate support part 200 to discharge the process gas injected from the gas injection part 500 to the outside. Substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a plurality of exhaust holes 310 formed in the extension (304). 청구항 5에 있어서,
상기 측벽부(300)에는,
상기 제1게이트(111)에 대향되는 위치에 기판출입을 위한 제2게이트(320)가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 5,
In the side wall portion 300,
Substrate processing apparatus, characterized in that the second gate (320) for accessing the substrate is formed in a position opposite to the first gate (111). 청구항 1에 있어서,
상기 가스분사부(500)는,
SEG 공정을 위한 증착가스 및 식각가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The gas injection unit 500,
Substrate processing apparatus, characterized in that for spraying the deposition gas and etching gas for the SEG process. 청구항 1에 있어서,
상기 하부히터부(600)는,
상기 기판지지부(200)의 하부측 중앙부에서 외곽부까지 나선형으로 복수회 감기며 외부전원에 의해 발열되는 발열코일(610)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The lower heater unit 600,
And a heating coil (610) spirally wound a plurality of times spirally from the lower central portion to the outer portion of the substrate support part (200) and generated by an external power source. 청구항 8에 있어서,
상기 하부히터부(600)는,
상기 발열코일(610)의 중 상기 기판지지부(200)에 형성되는 기판안착부(202)의 중앙부에 대응되는 부분의 높이를 조정하는 히터높이조정부(620)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 기판처리장치.The method according to claim 8,
The lower heater unit 600,
And a heater height adjusting unit 620 for adjusting a height of a portion of the heating coil 610 corresponding to the central portion of the substrate seating portion 202 formed in the substrate support 200. Device. 청구항 1에 있어서,
상기 상부히터부(700)는,
원형링 형상이며, 상기 천정부(400)의 중앙부를 중심으로 동심원을 이루도록 배치되는 복수의 상부히터부재(710)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The upper heater unit 700,
A circular ring shape, the substrate processing apparatus comprising a plurality of upper heater members (710) arranged to form a concentric circle around the central portion of the ceiling (400). 청구항 10에 있어서,
상기 복수의 상부히터부재(710)들은,
상기 천정부(400) 상측의 영역에 따라 선택적으로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 10,
The plurality of upper heater members 710,
Substrate processing apparatus, characterized in that provided selectively according to the region above the ceiling (400). 청구항 11에 있어서,
상기 복수의 상부히터부재(710)들은,
상기 천정부(400) 상측 중앙부에 설치되는 중앙히터부재(712)와,
상기 천정부(400) 상측 외곽부에 설치되는 복수의 외곽히터부재(714)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 11,
The plurality of upper heater members 710,
A central heater member 712 installed at an upper center portion of the ceiling part 400;
Substrate (400) substrate processing apparatus comprising a plurality of outer heater member (714) installed in the upper outer portion. 청구항 10에 있어서,
상기 복수의 상부히터부재(710)들은, 할로겐히터인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 10,
The plurality of upper heater members (710), characterized in that the halogen heater. 청구항 1에 있어서,
상기 천정부(400)에는 공정상태 모니터링을 위한 뷰포트창이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The ceiling processing unit is characterized in that the viewport window for monitoring the process state is formed.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101183616B1 (en) * 2011-03-18 2012-09-18 주성엔지니어링(주) Substrate processing apparatus
KR20140018712A (en) * 2012-08-03 2014-02-13 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus for chemical vapor deposition
KR20140037336A (en) * 2012-09-17 2014-03-27 주식회사 원익아이피에스 Apparatus for processing substrate and method for operating the same
KR20140089167A (en) * 2013-01-04 2014-07-14 주식회사 원익아이피에스 Apparatus for processing substrate
KR20160067619A (en) * 2014-12-04 2016-06-14 삼성전자주식회사 Chemical vapor deposition apparatus for fabricating light emitting diode(LED) and fabrication method of light emitting diode using the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101183616B1 (en) * 2011-03-18 2012-09-18 주성엔지니어링(주) Substrate processing apparatus
KR20140018712A (en) * 2012-08-03 2014-02-13 엘아이지에이디피 주식회사 Apparatus for chemical vapor deposition
KR20140037336A (en) * 2012-09-17 2014-03-27 주식회사 원익아이피에스 Apparatus for processing substrate and method for operating the same
KR20140089167A (en) * 2013-01-04 2014-07-14 주식회사 원익아이피에스 Apparatus for processing substrate
KR20160067619A (en) * 2014-12-04 2016-06-14 삼성전자주식회사 Chemical vapor deposition apparatus for fabricating light emitting diode(LED) and fabrication method of light emitting diode using the same

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