KR20200007240A - Led 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
LED 소자의 제조 방법이 개시된다.
LED 소자의 제조 방법은, 글래스(glass) 기판 상에 상호 이격된 복수의 제1 전극을 마련하는 단계, 글래스 기판의 노출 영역 및 복수의 제1 전극을 덮도록 전도성 폴리머 층을 형성하는 단계 및 일 측면에 상호 이격된 복수의 제2 전극이 마련된 LED(Light Emitting Diode) 칩을 전도성 폴리머 층 상에 실장하는 단계를 포함한다. 여기서, 복수의 제2 전극은, 전도성 폴리머 층에 의해 복수의 제1 전극과 각각 전기적으로 연결된다.
Description
본 개시는 마이크로 LED 소자 및 그 제조 방법에 대한 것이다.
반도체 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 조명 장치용 광원뿐만 아니라, TV, 휴대폰, PC, 노트북 PC, PDA 등과 같은 다양한 전자 제품의 각종 디스플레이 장치들을 위한 광원으로 널리 사용되고 있다.
특히, 최근에는 그 크기가 100㎛ 이하의 마이크로 LED(micro LED)가 개발되고 있으며, 마이크로 LED는 기존의 LED에 비해 빠른 반응속도, 낮은 전력, 높은 휘도를 가지고 있어 차세대 디스플레이의 발광 소자로서 각광받고 있다.
하지만, 초소형 칩을 이용한다는 점에서 새로운 제조 기술이 요구되고 있다.
본 개시는 상술한 필요성에 따른 것으로, 본 개시의 목적은, 원활하게 타겟 기판과 전기적으로 접속되는 마이크로 LED 소자 및 그 제조 방법을 제공함에 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 소자의 제조 방법은, 글래스(glass) 기판 상에 상호 이격된 복수의 제1 전극을 마련하는 단계, 상기 글래스 기판의 노출 영역 및 상기 복수의 제1 전극을 덮도록 전도성 폴리머 층을 형성하는 단계 및 일 측면에 상호 이격된 복수의 제2 전극이 마련된 LED(Light Emitting Diode) 칩을 상기 전도성 폴리머 층 상에 실장하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 복수의 제2 전극은, 상기 전도성 폴리머 층에 의해 상기 복수의 제1 전극과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 복수의 제2 전극 간 이격 거리는, 상기 전도성 폴리머 층의 두께의 기설정된 배수 이상일 수 있다.
상기 전도성 폴리머 층의 두께는 20㎚ 이상 2㎛ 이하이며, 상기 기설정된 배수는 5배 이상 1000배 이하일 수 있다.
상기 전도성 폴리머 층은, 전도성 폴리머로 구현된 복수의 파티클(particles)을 포함할 수 있다.
상기 전도성 폴리머 층은, 비 전도성의 베이스 층에 수직 방향으로 마련된 복수의 홀 내부에 전도성 폴리머를 포함하는 층일 수 있다.
상기 전도성 폴리머 층은, PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly styrene sulfonate) 소재로 형성될 수 있다.
상기 전도성 폴리머 층은, 비등방성(anisotropic) 성질을 가지는 층일 수 있다.
상기 제2 전극의 폭 및 상기 제2 전극 간의 거리를 승산한 값은 0.04 ㎛2 이상 4㎜2 이하일 수 있다.
상기 LED 소자의 길이 및 폭은 1㎛ 이상 100㎛ 이하일 수 있다.
상기 LED 소자는, LED 디스플레이 패널의 디스플레이 소자로 이용될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 소자는, 글래스(glass) 기판, 상기 글래스 기판의 상부에 이격 배치된 복수의 제1 전극, 상기 글래스 기판의 노출 영역 및 상기 복수의 제1 전극 상을 덮도록 형성된 전도성 폴리머 층, 상기 전도성 폴리머 층 상에서 상기 복수의 제1 전극에 대응되는 위치에 형성된 복수의 제2 전극 및 상기 복수의 제2 전극 상에 형성된 LED(Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 복수의 제2 전극 간 이격 거리는, 상기 전도성 폴리머 층의 두께의 기설정된 배수 이상일 수 있다.
상기 전도성 폴리머 층의 두께는 20㎚ 이상 2㎛ 이하일 수 있다.
상기 기설정된 배수는 5배 이상 1000배 이하일 수 있다.
상기 전도성 폴리머 층은, 전도성 폴리머로 구현된 복수의 파티클(particles)을 포함할 수 있다.
상기 전도성 폴리머 층은, 비 전도성의 베이스 층에 수직 방향으로 마련된 복수의 홀 내부에 전도성 폴리머를 포함하는 층일 수 있다.
상기 전도성 폴리머 층은, PEDOT: PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly styrene sulfonate) 소재로 형성될 수 있다.
상기 전도성 폴리머 층은, 비등방성(anisotropic) 성질을 가질 수 있다.
상기 제2 전극의 폭 및 상기 제2 전극 간의 거리를 승산한 값은 0.04 ㎛2 이상 4㎜2 이하일 수 있다.
상기 LED 소자의 길이 및 폭은 1㎛ 이상 100㎛ 이하일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 개시의 다양한 실시 예에 따르면 마이크로 LED 소자 제조 시 마이크로 LED 칩을 타겟 기판에 실장하는 공정에서, 접착성을 갖는 전도성 폴리머 층을 이용하여 마이크로 LED 칩을 안정적으로 실장할 수 있다. 또한, 전도성 폴리머 층을 이용하여 마이크로 LED 칩을 원활하게 타겟 기판과 전기적으로 연결할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 복수의 파티클(particles)을 포함하는 전도성 폴리머 층을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 개시의 다른 실시 예에 따른 블록 공중합체(block co-polymer)로 패터닝된 전도성 폴리머 층을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 소자의 제조 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 복수의 파티클(particles)을 포함하는 전도성 폴리머 층을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 개시의 다른 실시 예에 따른 블록 공중합체(block co-polymer)로 패터닝된 전도성 폴리머 층을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 소자의 제조 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.
본 명세서에서 사용되는 용어에 대해 간략히 설명하고, 본 개시에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.
본 개시의 실시 예에서 사용되는 용어는 본 개시에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 개시의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 개시에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 개시의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.
본 개시의 실시 예들은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 특정한 실시 형태에 대해 범위를 한정하려는 것이 아니며, 개시된 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 실시 예들을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구성되다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 개시에서 "모듈" 혹은 "부"는 적어도 하나의 기능이나 동작을 수행하며, 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다. 또한, 복수의 "모듈" 혹은 복수의 "부"는 특정한 하드웨어로 구현될 필요가 있는 "모듈" 혹은 "부"를 제외하고는 적어도 하나의 모듈로 일체화되어 적어도 하나의 프로세서(미도시)로 구현될 수 있다.
또한, 'a, b 및 c 중 적어도 하나'라는 표현은 'a', 'b', 'c', 'a 및 b', 'a 및 c', 'b 및 c' 또는 'a, b 및 c'로 해석될 수 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고하여 본 개시의 실시 예에 대하여 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 개시는 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 개시를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본 개시의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 이용하여 본 개시에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 디스플레이 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
최근 HMD, 스마트폰과 태블릿, 노트북/모니터, TV 등 대형기기 등과 같은 다양한 디스플레이 장치에 마이크로 LED 디스플레이가 적용되기 시작하고 있다. 마이크로 LED 디스플레이란, 10~100 마이크로미터(㎛) 단위의 초소형 LED를 촘촘히 배열해 각각의 픽셀을 표현하는 디스플레이를 의미한다. 즉, 각각의 마이크로 LED 소자는 디스플레이 패널의 서브 픽셀로 이용될 수 있다.
이러한 마이크로 LED 디스플레이를 구현하기 위해서 많은 수의 초소형 칩을 정밀하게 기판으로 옮기는 전사 공정이 요구된다. 여기서, 전사 공정은 단일 또는 복수의 마이크로 LED를 타겟 기판으로 전송하는 공정이다.
전사 공정에는 직접 전사 공정 및 인쇄 전사 공정 등이 있다.
직접 전사 공정은 전송하고자 하는 칩을 타겟 기판에 직접 접합하는 공정이다. 예를 들어, p-type의 GaN (gallium nitride)을 식각 공정으로 마이크로 크기로 분리시킨 후에 스위칭 소자가 형성된 기판에 직접 접합하는 방식이다. 필요에 따라 성장기판으로 사용한 실리콘 또는 사파이어 기판이 제거될 수 있다. 여기서, 스위칭 소자는 CMOS와 같은 미세 스위칭 소자가 이용될 수 있다.
직접 전사 공정에는 롤투롤(Roll to Roll) 방식이 이용될 수 있다. 구체적으로, 원통형 롤을 이용하여 CMOS와 같은 미세 스위칭 소자를 픽업한 후 임시 기판에 배치시키고, 롤을 이용하여 웨이퍼 상의 LED 칩을 픽업하여 스위칭 소자가 형성된 기판에 접합한다. 이후, 롤을 이용하여 스위칭 소자 및 LED 칩을 픽업하고 타겟 기판에 전사하는 방식이다.
인쇄 전사 공정은 픽앤플레이스(pick & place) 장치와 같은 중간 매개체를 이용하여 기판에서 성장된 LED 칩을 타겟 기판으로 옮기는 공정이다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 픽앤플레이스 장치를 전송 장치(10)로 통칭한다. 전송 장치(10)는 웨이퍼(20) 상에 배치된 복수의 칩(21)을 픽업하여 타겟 기판(30)에 배치하는 장치로서, 픽업 장치(11) 및 이동 장치(12)를 포함할 수 있다. 여기서, 인쇄 전사 공정은 픽업 장치(11)의 후술하는 픽업 방식에 따라 구분될 수 있다.
도 1에 따르면, 픽업 장치(11)는 웨이퍼(20) 상에 배치된 복수의 칩(21)을 픽업하고, 이동 장치(12)는 픽업된 복수의 칩(21)을 타겟 기판(30)으로 이동하여 타겟 기판(30) 상에 픽업된 칩을 배치할 수 있다. 다만, 복수의 칩(21)이 픽업되기 전에 복수의 칩(21)이 웨이퍼(20)로부터 분리되어 개별 칩이 되는 공정이 선행되어야 한다. 이러한 공정에는 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)이 이용될 수 있다.
여기서, 웨이퍼(20)는 그 상면에 반도체 물질을 성장시킬 수 있는 반도체 성장용 기판이 될 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼(20)는 사파이어 기판, 실리콘(Si) 기판, 산화아연(ZnO) 기판, 질화물 반도체 기판 또는 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN 중 적어도 어느 하나가 적층된 템플레이트(Template) 기판 일 수 있다. 일 예로, 웨이퍼(20)는 사파이어 기판으로 육방정계 격자구조(hexagonal crystal system)를 갖는 질화물층을 성장시킬 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 웨이퍼(20)는 Cu, Cr, Ni, Ag, Au, Mo, Pd, W 또는 Al 등의 금속 물질로 이루어진 금속 기판일 수도 있다.
예를 들어, 웨이퍼(20) 상에 InGaN LED 층을 성장하고, n-type 전극을 배치하기 위해 메사(mesa) 구조를 형성하고, p-type Ni/Au 투명 전극을 p-GaN 상에 형성할 수 있다. 이후, n-type 전극 형성을 위하여 Ti/Al/Mo/Au를 n-GaN 상에 증착하고, Ti/Au 패드 전극을 p형 투명전극 상에 형성할 수 있다. 이후, KOH(수산화 칼륨) 용액을 이용하여 웨이퍼(20)를 식각하고 남아있는 GaN 층이 LED 칩으로서 타겟 기판(30)에 전송될 수 있다.
픽업 장치(11)는 이동 장치(12)와 연결되어 이동함과 동시에 복수의 칩(21)을 픽업할 수 있는 장치이면, 다양한 형태로 구현될 수 있다. 픽업 장치(11)는 웨이퍼(20) 상에 배치된 복수의 칩(21)을 선택적 또는 일괄적으로 픽업할 수 있다.
픽업 장치(11)는 복수의 칩(21)을 다양한 방식으로 픽업할 수 있다. 이러한 방식은 인쇄 전사 공정의 방식이기도 하다.
구체적으로, 복수의 칩(21)을 픽업하는 방식에는 정전기 방식, 접착(adhesive) 방식, 진공(vacuum) 방식, 하이브리드(hybrid) 방식 등이 있다.
정전기 방식은 실리콘 재질로 구성된 정전 헤드(Electrostatic head)에 전압을 인가하여 웨이퍼(20) 상의 칩을 픽업하여 타겟 기판(30)에 이송하는 방식이다.
접착 방식은 탄성이 있는 고분자 물질을 캐리어로 이용하여 웨이퍼(20) 상의 칩을 픽업하여 타겟 기판(30)에 이송하는 방식이다. 여기서, 탄성이 있는 고분자 물질은 폴리디메틸실록산 (polydimethylsiloxane, PDMS)이 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 접착 방식이 사용되는 경우, 복수의 칩(21)이 타겟 기판(30) 상의 층(후술하는 전도성 폴리머 층)에 실장되기 위해 복수의 칩(21)을 픽업하는 탄성이 있는 고분자 물질보다 타겟 기판(30) 상의 층의 접착력이 더 커야 한다. 복수의 칩(21)을 픽업하는 고분자 물질의 접착력이 타겟 기판(30) 상의 층의 접착력보다 큰 경우, 복수의 칩(21)이 고분자 물질에 접착된 상태가 유지되어 타겟 기판(30) 상의 층에 실장되지 않을 수 있기 때문이다.
진공 방식은 픽업 장치(11)가 진공 압을 통해 웨이퍼(20) 상의 칩을 흡착하여 픽업하여 타겟 기판(30) 상으로 이동하고, 원하는 위치에서 진공 압을 해제하여 이송하는 방식이다.
이동 장치(12)는 픽업 장치(11)를 이송하기 위해 픽업 장치(11)를 지지하는 구조물이며, 도시하지 않은 구조체에 결합될 수 있다. 이동 장치(12)는 다중 관절 구조, 피스톤 구조, 슬라이딩 구조 등의 통상적인 구조를 통해 픽업 장치(11)를 이동시킬 수 있다. 이동 장치(12)는 픽업 장치(11)와 연결된 상태에서 이동 장치(12) 자체가 이동할 수 있다.
전송 장치(10)는 웨이퍼(20) 및 타겟 기판(30) 상에서 공간 좌표계(X, Y, Z 축)를 따라 상하좌우로 이동할 수 있을 뿐만 아니라, X, Y, Z축을 중심으로 회전할 수 있다.
이에 따라, 전송 장치(10)는 웨이퍼(20)에서 복수의 칩(21)을 픽업한 후, 픽업된 복수의 칩(21)을 타겟 기판(30)의 다양한 위치에 실장(mounting)할 수 있다. 후술하는 전도성 폴리머 층은 접착성을 가지므로 복수의 칩(21)이 타겟 기판(30) 상에 안전하게 실장될 수 있다. 복수의 칩(21)이 전도성 폴리머 층 상에 실장된 후 상호 간 접착력을 강화하기 위해 복수의 칩(21)을 전도성 폴리머 층 방향으로 압착하는 공정 및 전도성 폴리머 층을 가열하는 공정 중 적어도 하나가 추가될 수도 있다.
복수의 칩(21)은 웨이퍼(20) 상에 배치되어 성장할 수 있다. 복수의 칩(21)은 XY 평면상에서 상호 기 설정된 간격으로 배치될 수 있다. 여기서, 기 설정된 간격은 하나의 칩의 일면에서 이웃한 다른 칩의 일면 사이의 거리를 의미한다. 기설정된 간격은, 예를 들어, 픽업 장치(11)에 의해 복수의 칩(21)이 동시에 픽업될 수 있도록 결정될 수도 있다.
하나의 픽셀이 RGB 서브 픽셀로 구현되는 경우, LED 소자는 각각 서브 픽셀을 이루는 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. LED 소자는 휘도가 우수하므로, 초소형의 LED 소자 각각이 개별 서브 픽셀을 구성할 수 있다. 이 경우, 각각의 색상의 서브 픽셀은 서로 다른 웨이퍼에서 성장될 수 있다. 즉, 하나의 웨이퍼에 일 색상의 LED가 성장되고 다른 웨이퍼에 다른 색상의 LED가 성장될 수 있다.
예를 들어, 적색(R) 서브 픽셀은 적색의 LED만이 성장되는 웨이퍼로부터 생성되고, 청색(B) 서브 픽셀은 청색의 LED만이 성장되는 웨이퍼로부터 생성될 수 있다. 이에 따라, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 서브 픽셀들이 하나의 픽셀(또는 화소)을 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 복수의 칩(21)은 LED (Micro Light Emitting Diode) 칩일 수 있으며, 구체적으로, 마이크로 LED (micro LED) 칩일 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 칩(21)을 LED 칩으로 통칭한다.
여기서, 마이크로 LED는, 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하로 제작되는 LED이다. 즉, 마이크로 LED 소자의 길이 및 폭은 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이며, Al, Ga, N, P, As, In 등의 무기물 재료로 사파이어 또는 실리콘 기판 위에 박막 성장을 통하여 제작될 수 있다.
타겟 기판(30)은 LED 칩(21)이 배치되어 LED 칩(21)과 물리적, 전기적으로 연결되는 구성이다. 타겟 기판(30)은 글래스(glass) 기판일 수 있다. 즉, LED 칩(21)이 타겟 기판(30)에 실장된 LED 소자는 유리 기판 상에 칩을 탑재하는 COG(Chip on Glass) 형태일 수 있다. COG 형태는 인쇄 회로 기판이 필요 없는 초박형 경량화 및 미세한 접속 피치의 실장 방식이다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 타겟 기판(30)은 통상의 인쇄회로 기판일 수도 있으며, 디스플레이 제품에 적용되기 위한 다양한 형상일 수 있다.
스테이지(35)는 웨이퍼(20)와 타겟 기판(30)이 각각 로딩, 언로딩 되는 구성이며, 평판으로 형성될 수 있다. 스테이지(35)는 웨이퍼(20)와 타겟 기판(30)이 로딩된 상태에서 전송 장치(10)에 대해 상대적으로 이동할 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 타입은 제조 공정에 따라 수평형(lateral), 수직형(vertical) 및 플립 칩(flip chip) 등의 구조가 될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위해 LED 타입은 수평형, 플립 칩으로 상정하여 설명한다.
이하에서는 설명의 편의를 위하여 인쇄 전사 공정을 이용하는 경우를 상정하여 설명하나, 직접 전사 공정도 본 개시의 다른 실시 예로서 이용될 수 있음은 물론이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
즉, 도 2는 도 1에 따라 전송된 LED 칩(21)이 전도성 폴리머 층(50) 상에 실장되어 전기적으로 접속되는 과정을 설명하는 도면이다.
도 2에 따르면, LED 소자(100)는 타겟 기판(30), 복수의 제1 전극(40), 전도성 폴리머 층(50), 복수의 제2 전극(60) 및 반도체 층(70)을 포함할 수 있다.
여기서, 복수의 제2 전극(60) 및 반도체 층(70)은 상술한 도 1에 따라 타겟 기판(30)으로 전송된 LED 칩(21)에 포함되는 구성이다.
타겟 기판(30)의 상부에 복수의 제1 전극(40)이 이격 배치될 수 있다. 여기서, 타겟 기판(30)은 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 예를 들어, 타겟 기판(30)은 글래스나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 타겟 기판(30)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
이하에서는 설명의 편의를 위해 타겟 기판(30)은 글래스 기판으로 통칭하도록 한다.
복수의 제1 전극(40)은 ITO(Indium tin Oxide), AZO(Aluminium Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, GZO(ZnO:Ga), In2O3, SnO2, CdO, CdSnO4, 또는 Ga2O3일 수 있다. 복수의 제1 전극(40)은 투명 전극, 투명 전극 층으로 불릴 수 있으나 이하에서는 설명의 편의를 위해 복수의 제1 전극(40)으로 통칭하도록 한다.
복수의 제1 전극(40) 및 복수의 제2 전극(60)과 전기적으로 연결됨에 따라 LED 소자(100)는 소정의 에너지를 갖는 광을 방출할 수 있다. 여기서, 복수의 제1 전극(40) 및 복수의 제2 전극(60)이 전기적으로 연결되기 위해 타겟 기판(30) 및 반도체 층(70) 사이에는 전도성을 갖는 전도성 폴리머 층(50)이 형성될 수 있다. 복수의 제2 전극(60)은 복수의 제1 전극(40)과 유사한 물질로 형성될 수 있다.
전도성 폴리머 층(50)은 글래스 기판(30)의 노출 영역 및 복수의 제1 전극(40) 상을 덮도록 형성될 수 있다.
복수의 제2 전극(60)은 전도성 폴리머 층(50) 상에서 복수의 제1 전극(40)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제2 전극(60) 각각의 중심은 복수의 제1 전극(40) 각각의 중심과 일치 또는 유사한 위치에 복수의 제2 전극(60)이 배치될 수 있다.
반도체 층(70)은 LED 칩(21)이 글래스 기판(30)으로 전송되기 전 웨이퍼(20)에서 식각되고 남은 층이다. 전송 장치(10)에 의해 복수의 제2 전극(60)과 함께 전도성 폴리머 층(50) 상에 배치된다. 반도체 층(70)은 일 측면에 복수의 제2 전극(60)이 배치된 층으로, GaN (gallium nitride)으로 형성된 층일 수 있다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 복수의 파티클(particles)을 포함하는 전도성 폴리머 층을 설명하기 위한 도면이다.
도 3에 따르면, 전도성 폴리머 층(50)은 전도성 폴리머로 구현된 복수의 파티클(particles)(52)을 포함할 수 있다.
여기서, 복수의 파티클(52) 각각은 니켈(nickel) 및 금(gold) 또는 니켈, 금 및 은(silver)으로 구현될 수 있다. 다만, 파티클은 전도성을 갖는 입자이면 재질의 종류에 상관없이 다양한 형태로 구현될 수 있다.
전도성 폴리머 층(50)은 전도성을 갖는 복수의 파티클(52)을 포함하는 물질이 글래스 기판(30) 상부에 도포된 형태 또는 필름으로 라미네이션된 형태로 구현될 수 있다.
도 4는 본 개시의 다른 실시 예에 따른 블록 공중합체(block co-polymer)로 패터닝된 전도성 폴리머 층을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a는 블록 공중합체로 패터닝된 전도성 폴리머 층(50)이 글래스 기판(30)의 노출 영역 및 복수의 제1 전극(40) 상을 덮는 모습을 설명하기 위한 도면이다.
도 4b는 블록 공중합체로 패터닝된 전도성 폴리머 층(50)을 확대한 형태의 도면이다. 여기서, 블록 공중합체는 두 가지 이상의 폴리머가 공유결합으로 이루어진 중합체이며, 하나의 폴리머가 다른 폴리머와 화학 구조상 또는 입체 배치상 다른 블록일 수 있다.
전도성 폴리머 층(50)은 비 전도성의 베이스 층(54)에 수직 방향으로 마련된 복수의 홀(56) 내부에 전도성 폴리머를 포함하는 층일 수 있다. 수직 방향의 복수의 홀(56)이 전도성을 가지며, 베이스 층(54)은 비 전도성 물질로 구현되므로 수평 방향의 전도는 베이스 층(54)에 의해 차단되고, 수직 방향의 전도는 전도성을 갖는 홀(56)에 의해 가능하게 될 수 있다. 즉, 전도성 폴리머 층(50)은 수평 방향은 전도성이 없으나 수직 방향의 전도성 만을 갖는 비등방성(anisotropic) 성질을 갖는다. 여기서, 비등방성은 방향에 따라 물체의 물리적 성질이 달라지는 성질이며, 본 개시에서는 수평 방향 및 수직 방향의 전도성의 크기가 다른 성질일 수 있다.
전도성 폴리머 층(50)은 비 전도성의 베이스 층(54)에 수직 방향으로 마련된 복수의 홀(56) 내부에 전도성 폴리머를 포함하고 복수의 제1 전극(40) 및 복수의 제2 전극(60)은 서로 수직 방향으로 배치되어 있으므로, 복수의 제1 전극(40) 및 복수의 제2 전극(60)이 용이하게 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 베이스 층(54)은 비 전도성의 폴리머 계열의 소재로 형성되고, 복수의 홀(56) 내부에 배치된 폴리머는 전도성을 갖는 소재로 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 홀(56) 내부에 배치된 폴리머는 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly styrene sulfonate) 소재로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 복수의 홀(56)은 상호 이격 배치될 수 있다.
다만, 수직 방향의 전도성이 수평 방향의 전도성보다 크면, 블록 공중합체는 도 4b에 도시된 실린더 형태뿐만 아니라 구(sphere), 자이로이드(gyroid), 라멜라(lamellae) 등 다양한 형태로 패터닝되어 구현될 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
LED 소자(100)는 소자의 길이 및 폭이 1㎛ 이상 100㎛ 이하인 마이크로 LED 소자일 수 있다. 또한, LED 소자(100)는 LED 디스플레이 패널의 디스플레이 소자로 이용되는 소자일 수 있다. 즉, 각각의 마이크로 LED 소자는 디스플레이 패널의 서브 픽셀로 이용될 수 있다.
우선, 도 5a에 도시된 바와 같이, 글래스 기판(30)을 마련하고, 글래스 기판(30) 상에 상호 이격된 복수의 제1 전극(40)을 마련할 수 있다. 여기서, 복수의 제1 전극(40)은 ITO(Indium tin Oxide), AZO(Aluminium Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, GZO(ZnO:Ga), In2O3, SnO2, CdO, CdSnO4, Cu, Ag, Al, Ni, Au 또는 Ga2O3일 수 있다.
글래스 기판(30) 상에 회로 패턴을 삽입한 포토 공정 이후, 증착 공정을 통해 복수의 제1 전극(40)이 마련될 수 있다. 증착 공정에는 물리적으로 증착시키는 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD), 화학 반응을 이용하는 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD)이 이용될 수 있다.
복수의 제1 전극(40)은 상호 기설정된 거리만큼 이격 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 전극(40) 간 기설정된 거리는 0.5㎛ 이상 100㎛ 이하 이고, 바람직하게는 5㎛ 이상 50㎛ 이하가 될 수 있다. 여기서, 기설정된 거리는 전극 제조 단계에서 설정되는 거리로서 LED 소자의 특성에 따라 변경될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제2 전극(60) 간 거리에 기초하여 복수의 제1 전극(40) 간 기설정된 거리가 변경될 수 있다. 제1 전극(40) 및 제2 전극(60)에서 어느 하나가 애노드(anode)이고 나머지가 캐소드(cathode)가 된다. 제1 전극(40)과 제2 전극(60)의 애노드 및 캐소드가 각각 결합되는 형태이다.
이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 글래스 기판(30)의 노출 영역 및 복수의 제1 전극(40)을 덮도록 전도성 폴리머 층(50)을 형성할 수 있다. 여기서, 전도성 폴리머 층(50)의 두께(55)는 20㎚ 이상 2㎛ 이하일 수 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따르면, 전도성 폴리머 층(50)은 전도성 폴리머로 구현된 복수의 파티클(particles)을 포함할 수 있다.
여기서, 복수의 파티클 각각은 니켈(nickel) 및 금(gold) 또는 니켈, 금 및 은(silver)으로 구현될 수 있다. 다만, 파티클은 전도성을 갖는 입자이면 재질의 종류에 상관없이 다양한 형태로 구현될 수 있다.
전도성 폴리머 층(50)은 전도성을 갖는 복수의 파티클을 포함하는 물질이 글래스 기판(30) 상부에 도포된 형태 또는 필름으로 라미네이션된 형태로 구현될 수 있다.
다른 실시 예에 따르면, 전도성 폴리머 층(50)은 블록 공중합체(Block co-polymer)로 패터닝된 형태일 수 있다. 블록 공중합체는, 두 가지 이상의 폴리머가 공유결합으로 이루어진 중합체이며, 하나의 폴리머가 다른 폴리머와 화학 구조상 또는 입체 배치상 다른 블록일 수 있다.
전도성 폴리머 층(50)은 비 전도성의 베이스 층에 수직 방향으로 마련된 복수의 홀 내부에 전도성 폴리머를 포함하는 층일 수 있다. 수직 방향의 복수의 홀이 전도성을 가지며, 베이스 층은 비 전도성 물질로 구현되므로 수평 방향의 전도는 베이스 층에 의해 차단되고, 수직 방향의 전도는 전도성을 갖는 홀에 의해 가능하게 될 수 있다. 즉, 전도성 폴리머 층(50)은 수평 방향은 전도성이 없으나 수직 방향의 전도성 만을 갖는 비등방성 성질을 갖는다. 복수의 제1 전극(40) 및 복수의 제2 전극(60)은 서로 수직 방향으로 배치되어 있으므로 복수의 제1 전극(40) 및 복수의 제2 전극(60)이 용이하게 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 베이스 층(54)은 비 전도성의 폴리머 계열의 소재로 형성되고, 복수의 홀 내부에 전도성 폴리머는 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly styrene sulfonate) 소재로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 복수의 홀(56)은 상호 이격 배치될수 있다.
다만, 수직 방향의 전도성이 수평 방향의 전도성보다 크면, 블록 공중합체는 도 4b에 도시된 실린더 형태뿐만 아니라 구(sphere), 자이로이드(gyroid), 라멜라(lamellae) 등 다양한 형태로 패터닝되어 구현될 수 있다.
이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 일 측면에 상호 이격된 복수의 제2 전극(60)이 마련된 반도체 층(70)을 포함하는 LED(Light Emitting Diode) 칩을 전도성 폴리머 층(50) 상에 실장할 수 있다.
전송 장치(10)는 웨이퍼(20) 상에 배치된 LED 칩(21)을 픽업하여 글래스 기판(30) 상으로 이동할 수 있다. 즉, 웨이퍼(20) 상에서 성장된 LED 칩(21)은 타겟 기판인 글래스 기판(30)으로 이동되어 전도성 폴리머 층(50) 상에 실장될 수 있다.
전송 장치(10)는 웨이퍼(20) 상에 배치된 LED 칩(21)을 선택적 또는 일괄적으로 픽업할 수 있으며, 필요에 따라 접착(adhesive) 방식, 진공(vacuum) 방식, 정전기 방식, 하이브리드(hybrid) 방식 등 다양한 방식으로 LED 칩(21)을 픽업할 수 있다.
여기서, 정전기 방식은 실리콘 재질로 구성된 정전 헤드(Electrostatic head)에 전압을 걸어 웨이퍼(20) 상의 LED 칩(21)을 픽업하여 글래스 기판(30)에 이송하는 방식이다. 접착 방식은 탄성이 있는 고분자 물질을 캐리어로 이용하여 웨이퍼(20) 상의 LED 칩(21)을 픽업하여 글래스 기판(30)에 이송하는 방식이다. 여기서, 탄성이 있는 고분자 물질은 폴리디메틸실록산 (polydimethylsiloxane, PDMS)이 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
여기서, 전도성 폴리머 층(50)은 접착성을 가지므로 LED 칩(21)이 글래스 기판(30) 상에 안전하게 실장될 수 있다. LED 칩(21)을 픽업하는 방식으로 접착 방식이 사용되는 경우, LED 칩(21)이 전도성 폴리머 층(50)에 실장되기 위해 LED 칩(21)을 픽업하는 탄성이 있는 고분자 물질보다 전도성 폴리머 층(50)의 접착력이 더 커야 한다.
LED 칩(21)이 전도성 폴리머 층 상에 실장된 후 상호 간 접착력을 강화하기 위해 LED 칩(21)을 전도성 폴리머 층(50) 방향으로 압착하는 공정 및 전도성 폴리머 층(50)을 가열하는 공정 중 적어도 하나가 추가될 수도 있다.
복수의 제2 전극(60) 간 이격 거리(65)는 복수의 제2 전극(60)이 복수의 제1 전극(40)에 대응되도록 설정되어 LED 칩(21)이 제조될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제2 전극(60) 각각의 중심은 복수의 제1 전극(40) 각각의 중심과 일치 또는 유사한 위치에 복수의 제2 전극(60)이 배치되도록 복수의 제2 전극(60) 간 이격 거리(65)가 결정되어 LED 칩(21)이 제조될 수 있다.
복수의 제2 전극(60)은 전도성 폴리머 층(50)에 의해 복수의 제1 전극(40)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(60)이 애노드(anode) 및 캐소드(cathode) 중 하나이면 제1 전극(40)이 나머지 극일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(60)이 애노드(anode)이면, 제2 전극(60)과 전기적으로 연결되는 제1 전극(40)은 캐소드(cathode)일 수 있다. 또는 제2 전극(60)이 캐소드(cathode)이면, 제1 전극(40)은 애노드(anode)일 수 있다.
여기서, 복수의 제2 전극(60) 간 이격 거리(65)는 전도성 폴리머 층(50)의 두께(55)의 기설정된 배수 이상일 수 있다. 예를 들어, 전도성 폴리머 층(50)의 두께(55)는 20㎚ 이상 2㎛ 이하이며, 기설정된 배수는 2배 이상 1000배 이하, 바람직하게는 5배 이상 1000배 이하일 수 있다.
복수의 제2 전극(60) 간 이격 거리(65)와 전도성 폴리머 층(50)의 두께의 차이를 이용하여 전도성 폴리머 층(50)은 비등방성(anisotropic) 성질을 갖을 수 있다. 여기서, 비등방성은 수평 방향 및 수직 방향의 전도성의 크기가 다른 성질일 수 있다. 여기서, 전도성 폴리머 층(50)은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly styrene sulfonate) 소재로 형성될 수 있다.
예를 들어, 복수의 제2 전극(60) 간 이격 거리(65)가 5㎛이고, 전도성 폴리머 층(50)의 두께가 50nm인 경우, 수직 방향의 전도성이 수평 방향의 전도성보다 약 100배 클 수 있다. 수평 방향의 전도성보다 수직 방향의 전도성이 커짐에 따라 복수의 제1 전극(40) 및 복수의 제2 전극(60)이 용이하게 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 제1 전극(40) 및 복수의 제2 전극(60)은 서로 수직 방향으로 배치되어 있기 때문이다.
또한, 복수의 제2 전극(60) 각각의 폭(66) 및 복수의 제2 전극 간 이격 거리(65)를 승산한 값은 0.04 ㎛2 이상 4㎜2 이하일 수 있다.
반도체 층(70)은 LED 칩(21)이 글래스 기판(30)으로 전송되기 전 웨이퍼(20)에서 식각되고 남은 층이다. 전송 장치(10)에 의해 복수의 제2 전극(60)과 함께 전도성 폴리머 층(50) 상에 배치된다. 반도체 층(70)은 일 측면에 복수의 제2 전극(60)이 배치된 층으로, GaN (gallium nitride)으로 형성된 층일 수 있다.
도 6은 본 개시의 일 실시 예에 따른 LED 소자의 제조 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.
먼저, 글래스 기판(30)을 마련하고, 글래스(glass) 기판 상에 상호 이격된 복수의 제1 전극(40)을 마련할 수 있다(S610).
이어서, 글래스 기판(30)의 노출 영역 및 복수의 제1 전극(40)을 덮도록 전도성 폴리머 층(50)을 형성할 수 있다(S620).
여기서, 전도성 폴리머 층(50)은 전도성 폴리머로 구현된 복수의 파티클(particles)(52)을 포함할 수 있다. 또는, 전도성 폴리머 층(50)은 비 전도성의 베이스 층(54)에 수직 방향으로 마련된 복수의 홀(56) 내부에 전도성 폴리머를 포함하는 층일 수 있다.
전도성 폴리머 층(50)은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly styrene sulfonate) 소재로 형성될 수 있다. 또한, 전도성 폴리머 층(50)은 비등방성(anisotropic) 성질을 가질 수 있다. 여기서, 비등방성은 수평 방향 및 수직 방향의 전도성의 크기가 다른 성질이며, 본 개시에서는 수직 방향의 전도성이 수평 방향의 전도성보다 큰 성질일 수 있다.
이어서, 일 측면에 상호 이격된 복수의 제2 전극(60)이 마련된 LED(Light Emitting Diode) 칩을 전도성 폴리머 층(50) 상에 실장할 수 있다(S630).
여기서, 복수의 제2 전극(60) 간 이격 거리는 전도성 폴리머 층(50)의 두께의 기설정된 배수 이상이다. 전도성 폴리머 층(50)의 두께는 20㎚ 이상 2㎛ 이하이며, 기설정된 배수는 2배 이상 1000배 이하, 바람직하게는 5배 이상 1000배 이하일 수 있다.
여기서, 복수의 제2 전극(60)은 전도성 폴리머 층(50)에 의해 복수의 제1 전극(40)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다(S640).
LED 소자(100)는 길이 및 폭은 1㎛ 이상 100㎛ 이하인 마이크로 LED 일 수 있으며, LED 소자(100)는 LED 디스플레이 패널의 디스플레이 소자로 이용될 수 있다. 즉, 각각의 마이크로 LED 소자는 디스플레이 패널의 서브 픽셀로 이용될 수 있다.
상술한 "증착", "성장" 등의 용어는 반도체 물질 층을 형성한다는 의미일 수 있다.
또한, 층 또는 기판과 같은 구성이 다른 구성 "상(on)"에 존재하는 하는 것으로 기재된 것은 직접적으로 다른 구성 상에 존재하거나 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다.
이상에서는 본 개시의 다양한 실시예를 각각 개별적으로 설명하였으나, 각 실시예들은 반드시 단독으로 구현되어야만 하는 것은 아니며, 각 실시예들의 구성 및 동작은 적어도 하나의 다른 실시예들과 조합되어 구현될 수도 있다.
또한, 이상에서는 본 개시의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 개시는 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위상에서 청구하는 본 개시의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 개시의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
10: 전송 장치
20: 웨이퍼
30: 타겟 기판 40: 복수의 제1 전극
50: 전도성 폴리머 층 60: 복수의 제2 전극
30: 타겟 기판 40: 복수의 제1 전극
50: 전도성 폴리머 층 60: 복수의 제2 전극
Claims (18)
- 글래스(glass) 기판 상에 상호 이격된 복수의 제1 전극을 마련하는 단계;
상기 글래스 기판의 노출 영역 및 상기 복수의 제1 전극을 덮도록 전도성 폴리머 층을 형성하는 단계; 및
일 측면에 상호 이격된 복수의 제2 전극이 마련된 LED(Light Emitting Diode) 칩을 상기 전도성 폴리머 층 상에 실장하는 단계;를 포함하며,
상기 복수의 제2 전극은, 상기 전도성 폴리머 층에 의해 상기 복수의 제1 전극과 각각 전기적으로 연결되는, LED 소자의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 복수의 제2 전극 간 이격 거리는, 상기 전도성 폴리머 층의 두께의 기설정된 배수 이상인, 제조 방법.
- 제2항에 있어서,
상기 전도성 폴리머 층의 두께는 20㎚ 이상 2㎛ 이하이며,
상기 기설정된 배수는 5배 이상 1000배 이하인, 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 전도성 폴리머 층은,
전도성 폴리머로 구현된 복수의 파티클(particles)을 포함하는, 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 전도성 폴리머 층은,
비 전도성의 베이스 층에 수직 방향으로 마련된 복수의 홀 내부에 전도성 폴리머를 포함하는 층인, 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 전도성 폴리머 층은,
PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly styrene sulfonate) 소재로 형성되는, 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 전도성 폴리머 층은,
비등방성(anisotropic) 성질을 가지는, 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제2 전극의 폭 및 상기 제2 전극 간의 거리를 승산한 값은 0.04 ㎛2 이상 4㎜2 이하인, 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 LED 소자의 길이 및 폭은 1㎛ 이상 100㎛ 이하인, 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 LED 소자는,
LED 디스플레이 패널의 디스플레이 소자로 이용되는, 제조 방법.
- 글래스(glass) 기판;
상기 글래스 기판의 상부에 이격 배치된 복수의 제1 전극;
상기 글래스 기판의 노출 영역 및 상기 복수의 제1 전극 상을 덮도록 형성된 전도성 폴리머 층;
상기 전도성 폴리머 층 상에서 상기 복수의 제1 전극에 대응되는 위치에 형성된 복수의 제2 전극; 및
상기 복수의 제2 전극 상에 형성된 LED(Light Emitting Diode);를 포함하며,
상기 복수의 제2 전극 간 이격 거리는, 상기 전도성 폴리머 층의 두께의 기설정된 배수 이상인, LED 소자.
- 제11항에 있어서,
상기 전도성 폴리머 층의 두께는 20㎚ 이상 2㎛ 이하이며,
상기 기설정된 배수는 5배 이상 1000배 이하인, LED 소자.
- 제11항에 있어서,
상기 전도성 폴리머 층은,
전도성 폴리머로 구현된 복수의 파티클(particles)을 포함하는, LED 소자.
- 제11항에 있어서,
상기 전도성 폴리머 층은,
비 전도성의 베이스 층에 수직 방향으로 마련된 복수의 홀 내부에 전도성 폴리머를 포함하는 층인, LED 소자.
- 제11항에 있어서,
상기 전도성 폴리머 층은,
PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly styrene sulfonate) 소재로 형성되는, LED 소자.
- 제11항에 있어서,
상기 전도성 폴리머 층은,
비등방성(anisotropic) 성질을 가지는, LED 소자.
- 제11항에 있어서,
상기 제2 전극의 폭 및 상기 제2 전극 간의 거리를 승산한 값은 0.04 ㎛2 이상 4㎜2 이하인, LED 소자.
- 제11항에 있어서,
상기 LED 소자의 길이 및 폭은 1㎛ 이상 100㎛ 이하인, LED 소자.
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