KR20200000366U - 배기 가스 트랩 장치 - Google Patents
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Abstract
배기 가스 트랩 장치가 개시된다. 배기 가스 트랩 장치는, 공정 챔버로부터 배출되는 배기 가스가 유입되는 유입부가 일측에 돌출되고 내부에는 포집 공간이 형성된 하부 트랩 하우징과, 하부 트랩 하우징에 착탈 가능하게 결합되며 내부에는 하부 트랩 하우징과의 사이에 포집 공간을 형성하며 측면에는 이물질이 제거된 배기 가스가 배출되는 배출부가 돌출되는 상부 트랩 하우징과, 포집 공간에 설치되며 배기 가스가 통과되는 복수개의 관통홀이 형성되어 배기 가스에 포함된 이물질이 축적되는 복수개의 타공판을 포함한다.
Description
본 고안은 반도체 공정 라인에서 발생되는 배기 가스에 포함된 이물질을 효과적으로 포집 제거하는 배기 가스 트랩 장치에 관한 것이다.
일반적으로 질화막 침적 및 금속 식각(metal etch)을 위한 반도체 제조 설비에서 공정 챔버로부터 배기되는 배기가스는 드라이 펌프를 거쳐 배기 라인을 따라 배기 덕트로 배기되고, 스크루버 등과 같은 가스정화기를 거쳐 정화된 후 대기로 배출된다.
한편, 배기 가스는 배기 라인 상에서 유속이 느려지게 되면서 그 부분에 파우더가 생성되어 배기 라인을 막게 된다.
특히, 산화막, 질화막, TEOS 막을 증착하는 공정에서 사용되는 SiH4, TEOS 등은 파우더가 가장 많이 생성된다.
종래 배기 시스템에서는 배기 가스의 유속 저하로 인한 파우더 생성으로, 배기 라인이 막히게 되고, 펌프에서 배기되는 배기가스의 역류가 발생하여 챔버 내의 파티클이 발생하게 되고, 결국에는 공정 불량의 한 원인이 된다.
또한, 배기 라인의 막힘 현상은 펌프의 성능 저하의 한 원인이 되기도 한다.
따라서, 반도체 공정 라인에서 배기 가스에 포함된 파우더 등의 이물질은 적절하게 포집 제거하는 것이 요구된다.
본 고안의 일 실시예는, 반도체 공정 라인의 배기 가스에 포함된 파우더 등의 이물질을 효과적으로 포집하는 배기 가스 트랩 장치를 제공하고자 한다.
본 고안의 일 실시예는, 공정 챔버로부터 배출되는 배기 가스가 유입되는 유입부가 일측에 돌출되고 내부에는 포집 공간이 형성된 하부 트랩 하우징과, 하부 트랩 하우징에 착탈 가능하게 결합되며 내부에는 하부 트랩 하우징과의 사이에 포집 공간을 형성하며 측면에는 이물질이 제거된 배기 가스가 배출되는 배출부가 돌출되는 상부 트랩 하우징과, 포집 공간에 설치되며 배기 가스가 통과되는 복수개의 관통홀이 형성되어 배기 가스에 포함된 이물질이 축적되는 복수개의 타공판을 포함한다.
관통홀은, 타공판의 직경 크기에 대해 1/3 내지 1/3.5 크기의 직경으로 타공판에 관통 형성될 수 있다.
관통홀은 타공판의 직경의 크기에 대해 1/3.3의 크기의 직경으로 형성될 수 있다.
관통홀은 타공판의 중심을 기준으로 4개가 방사상으로 배치될 수 있다.
상부 트랩 하우징과 하부 트랩 하우징에는 냉각부가 각각 형성될 수 있다.
본 고안의 일 실시예에 따르면, 타공판에 관통홀이 4개의 방사상으로 배치되고 타공판의 직경 크기에 대해 1/3 내지 1/3.5 크기의 직경으로 형성되도록 하는 바, 반도체 공정 과정에서 발생된 배기 가스에 포함된 파우더 등의 이물질 제거 작업이 효과적으로 이루어질 수 있다.
도 1은 본 고안의 제1 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 배기 가스 트랩 장치를 다른 측면에서 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 4는 도 2의 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 5는 본 고안의 제1 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치의 타공판을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 본 고안의 제2 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 7은 본 고안의 제3 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 배기 가스 트랩 장치를 다른 측면에서 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.
도 4는 도 2의 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 5는 본 고안의 제1 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치의 타공판을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 본 고안의 제2 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 7은 본 고안의 제3 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 실시예에 대하여 본 고안이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 고안은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 고안을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도 1은 본 고안의 제1 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도이며, 도 3은 도 2의 배기 가스 트랩 장치를 다른 측면에서 개략적으로 도시한 분해 사시도이고, 도 4는 도 2의 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 측면도이며, 도 5는 본 고안의 제1 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치의 타공판을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 고안의 제1 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치(100)는, 공정 챔버로부터 배출되는 배기 가스가 유입되는 유입부(11)가 일측에 돌출되고 내부에는 포집 공간이 형성된 하부 트랩 하우징(10)과, 하부 트랩 하우징(10)에 착탈 가능하게 결합되며 내부에는 트랩 하우징()과의 사이에 포집 공간을 형성하며 측면에는 이물질이 제거된 배기 가스가 배출되는 배출부(22)가 돌출되는 상부 트랩 하우징(20)과, 포집 공간에 설치되며 복수개의 관통홀이 형성되어 배기 가스에 포함된 이물질이 축적되는 복수개의 타공판(30)을 포함한다.
하부 트랩 하우징(10)은 내부에 배기 가스에 포함된 파우더 등의 이물질을 포집하는 포집 공간(12)이 형성되며 원통형으로 형성될 수 있다. 물론 하부 트랩 하우징(10)은 원통형으로 반드시 한정되는 것은 아니고 설치 장소에 대응하여 적절하게 변형 적용되는 것도 가능하다.
이러한 하부 트랩 하우징(10)의 측면에는 반도체 공정 라인의 공정 챔버(미도시)로부터 배출되는 배기 가스가 유입되는 유입부(11)가 돌출될 수 있다.
유입부(11)는 하부 트랩 하우징(10)의 하부 중앙 위치에 돌출되어 공정 라인에 연결되도록 형성될 수 있다.
이와 같이, 유입부(11)를 통해 하부 트랩 하우징(10)의 내부로 유입된 배기 가스는 후술하는 타공판(30)을 통과하면서 파우더 등의 이물질 제거 작업이 이루어질 수 있다.
한편, 하부 트랩 하우징(10)에는 상부 트랩 하우징(20)에 착탈 가능하게 결합될 수 있다.
상부 트랩 하우징(20)은 하부 트랩 하우징(10)에 나사 결합에 의해 작업자의 선택에 따라 체결 또는 분리 가능하게 설치되는 것으로, 내부에는 하부 트랩 하우징(10)과의 사이에 포집 공간(12)이 형성되도록 설치될 수 있다.
이러한 상부 트랩 하우징(20)은 하부 트랩 하우징(10)의 크기와 동일 또는 유사한 크기를 갖도록 형성되는 것으로, 외표면에는 하부 트랩 하우징(10)에 나사 결합되는 나사 체결부(21)가 형성될 수 있다.
아울러, 상부 트랩 하우징(20)에는 포집 공간(12)에서 이물질 제거 작업이 실시된 배기 가스의 배출위한 배출부(22)가 형성될 수 있다.
배출부(22)는 상부 트랩 하우징(20)의 상부 중앙 위치에서 포집 공간(12)과 연통된 상태로 돌출되는 것으로, 파우더 등의 이물질의 포집이 완료된 배기 가스를 진공 챔퍼(미도시) 등의 소정의 공급하고자 하는 위치에 공급하도록 연결될 수 있다.
한편, 상부 트랩 하우징(20)과 하부 트랩 하우징(10)의 사이에는 배기 가스에 포함된 파우더 등의 이물질의 포집을 위한 타공판(30)이 설치될 수 있다.
타공판(30)은, 포집 공간(12)에 설치되며 배기 가스가 통과되는 복수개의 관통홀(31)이 형성되어 배기 가스에 포함된 이물질이 축적된 상태로 제거되도록 설치될 수 있다.
타공판(30)은 본 실시예에서 포집 공간(12)의 내부에 2개가 서로간에 이격된 상태로 설치되는 것을 예시적으로 설명한다. 그러나 타공판(30)은 2개로 설치되는 것으로 반드시 한정되는 것은 아니고, 3개 이상이 서로간에 이격된 상태로 포집 공간(12)의 내부에 설치되는 것도 가능하다.
타공판(30)에는 배기 가스가 배출되는 관통홀(31)이 복수개로 형성될 수 있다.
관통홀(31)은 본 실시예에서 타공판(30)의 중심을 기준으로 4개가 방사상으로 형성될 수 있다.
이러한 관통홀(31)은 타공판(30)의 전체 직경 크기에 대해 1/3 내지 1/3.5 크기 범위의 직경으로 타공판(30)에 관통되어 형성될 수 있다. 보다 바람직하게는 관통홀(31)은 타공판(30)의 직경 크기에 대해 1/3.3 크기로 타공판(30)에 관통될 수 있다.
따라서, 배기 가스는 관통홀(31)을 통과하는 과정에서 파우더 등의 이물질 포집이 원활하게 이루어질 수 있다.
즉, 하부 트랩 하우징(10)과 상부 트랩 하우징(20)에는 냉각부(110)가 설치되는 바, 배기 가스가 관통홀(31)을 통과하면서 배기 가스에 포함된 파우더 등의 이물질은 포집되어 타공판(30)의 표면에 위치될 수 있다.
전술한 바와 같이, 타공판에 관통홀이 4개의 방사상으로 배치되고 타공판의 직경 크기에 대해 1/3 내지 1/3.5 크기의 직경으로 형성되도록 하는 바, 반도체 공정 과정에서 발생된 배기 가스에 포함된 파우더 등의 이물질 제거 작업이 효과적으로 이루어질 수 있다.
도 6은 본 고안의 제2 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 측면도이다. 도 1 내지 도 5와 동일 참조 번호는 동일 또는 유사 기능의 동일 또는 유사부재를 말한다. 이하에서 동일 참조 번호에 대해서는 그 자세한 설명을 생략한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 고안의 제2 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치(200)에는 냉각부(110)가 설치된다.
냉각부(110)는 타공판(30)이 설치된 위치에 설치되는 냉각 코일로 적용되는 것을 예시적으로 설명한다. 이하에서 냉각부와 냉각 코일은 동일 참조 번호를 사용한다.
냉각 코일(110)은 복수개의 타공판(30)들의 사이에 위치하거나 타공판(30)의 일측에 설치되어, 배기 가스를 냉각하여 배기 가스에 포함된 파우더 등의 이물질의 포집 작용이 이루어지도록 할 수 있다.
도 7은 본 고안의 제3 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 1 내지 도 6과 동일 참조 번호는 동일 또는 유사 기능의 동일 또는 유사부재를 말한다. 이하에서 동일 참조 번호에 대해서는 그 자세한 설명을 생략한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 고안의 제3 실시예에 따른 배기 가스 트랩 장치(300)의 냉각부(210)는 상부 트랩 하우징(20)과 하부 트랩 하우징(10)의 사이의 포집 공간(12)의 내벽면에 돌출된 상태로 형성될 수 있다.
따라서, 포집 공간(12)의 내부를 효과적으로 냉각 하는 것이 가능한 바, 배기 가스에 포함된 파우더 등의 포집 작용이 안정적으로 이루어질 수 있다.
이상을 통해 본 고안의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 고안은 이에 한정되는 것이 아니고 청구범위와 고안의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 고안의 범위에 속하는 것은 당연하다.
10...하부 트랩 하우징 11...유입부
12...포집 공간 20...상부 트랩 하우징
21...나사 체결부 22...배출부
30...타공판 31...관통홀
110, 210..냉각부
12...포집 공간 20...상부 트랩 하우징
21...나사 체결부 22...배출부
30...타공판 31...관통홀
110, 210..냉각부
Claims (4)
- 공정 챔버로부터 배출되는 배기 가스가 유입되는 유입부가 일측에 돌출되고 내부에는 포집 공간이 형성된 하부 트랩 하우징;
상기 하부 트랩 하우징에 착탈 가능하게 결합되며 내부에는 상기 하부 트랩 하우징과의 사이에 상기 포집 공간을 형성하며, 측면에는 이물질이 제거된 배기 가스가 배출되는 배출부가 돌출되는 상부 트랩 하우징; 및
상기 포집 공간에 설치되며 상기 배기 가스가 통과되는 복수개의 관통홀이 형성되어 상기 배기 가스에 포함된 이물질이 축적되는 복수개의 타공판;
을 포함하고,
상기 관통홀은, 상기 타공판의 직경 크기에 대해 1/3 내지 1/3.5 크기의 직경으로 상기 타공판에 관통 형성되는 배기 가스 트랩 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 관통홀은 상기 타공판의 직경의 크기에 대해 1/3.3의 크기의 직경으로 형성되는 배기 가스 트랩 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 관통홀은 상기 타공판의 중심을 기준으로 4개가 방사상으로 배치되는 배기 가스 트랩 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 상부 트랩 하우징과 상기 하부 트랩 하우징에는 냉각부가 각각 형성되는 배기 가스 트랩 장치.
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR2020180003653U KR20200000366U (ko) | 2018-08-07 | 2018-08-07 | 배기 가스 트랩 장치 |
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| KR (1) | KR20200000366U (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101442781B1 (ko) | 2008-07-25 | 2014-09-23 | 주식회사 원익아이피에스 | 반도체 제조 장치 및 이의 배기 가스 처리방법 |
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2018
- 2018-08-07 KR KR2020180003653U patent/KR20200000366U/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
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| KR101442781B1 (ko) | 2008-07-25 | 2014-09-23 | 주식회사 원익아이피에스 | 반도체 제조 장치 및 이의 배기 가스 처리방법 |
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