KR20190143188A - Compound and organic electronic device comprising the same - Google Patents

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KR20190143188A
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Abstract

The present specification relates to a compound represented by chemical formula 1 and an organic electronic device comprising the same. The compound according to an embodiment of the present specification can be used in the organic electronic device including an organic light emitting device, thereby being able to lower a driving voltage of an organic electric device, improving light efficiency thereof, and improving lifespan characteristics of a device.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자{COMPOUND AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME}COMPOUND AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a compound and an organic electronic device including the same.

유기 전자 소자의 대표적인 예로는 유기 발광 소자가 있다. 일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. Representative examples of the organic electronic device include an organic light emitting device. In general, organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon of converting electrical energy into light energy using an organic material. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon usually has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. In this case, the organic material layer is often made of a multilayer structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, for example, it may be made of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer. When the voltage is applied between the two electrodes in the structure of the organic light emitting device, holes are injected into the organic material layer at the anode and electrons are injected into the organic material layer, and excitons are formed when the injected holes and the electrons meet each other. When it falls back to the ground, it glows.

상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. There is a continuing need for the development of new materials for such organic light emitting devices.

국제 특허 출원 공개 제2003-012890호International Patent Application Publication No. 2003-012890

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자를 제공하고자 한다.The present specification is to provide a compound and an organic electronic device including the same.

본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by the following Formula 1.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In Chemical Formula 1,

X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 N 또는 CR이며,At least one of X1 to X3 is N, and the rest are each independently N or CR,

L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L is a direct bond; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

R 및 R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,R and R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted phosphine oxide group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

r1은 1 내지 3의 정수이며,r1 is an integer of 1 to 3,

r2는 1 내지 4의 정수이고,r2 is an integer of 1 to 4,

상기 r1 및 r2가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R1 및 R2는 각각 서로 같거나 상이하다.When r1 and r2 are each 2 or more, two or more R1 and R2 are the same as or different from each other.

또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.In addition, the present specification is a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에 사용되어, 유기 전기 소자의 구동전압을 낮출 수 있다.The compound according to the exemplary embodiment of the present specification may be used in an organic electronic device including an organic light emitting device to lower the driving voltage of the organic electric device.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에 사용되어, 광효율을 향상시킬 수 있다. In addition, the compound according to one embodiment of the present specification may be used in an organic electronic device including an organic light emitting device, thereby improving light efficiency.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에 사용되어, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다. In addition, the compound according to the exemplary embodiment of the present specification may be used in an organic electronic device including an organic light emitting device, thereby improving lifetime characteristics of the device by thermal stability of the compound.

도 1 내지 도 4는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 to 4 illustrate examples of organic light emitting diodes according to an exemplary embodiment of the present specification.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, this specification is demonstrated in detail.

본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1.

본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of substituents herein are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서,

Figure pat00002
는 연결되는 부위를 의미한다.In the present specification,
Figure pat00002
Means a site to be connected.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited to a position where the hydrogen atom is substituted, that is, a position where a substituent can be substituted, if two or more substituted , Two or more substituents may be the same or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 알킬기; 시클로알킬기; 실릴기; 포스핀옥사이드기; 아릴기; 및 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. As used herein, the term "substituted or unsubstituted" is deuterium; Halogen group; Nitrile group; Alkyl groups; Cycloalkyl group; Silyl groups; Phosphine oxide groups; Aryl group; And it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group containing one or more of N, O and S atoms, or two or more of the substituents exemplified above are substituted with a substituent, or have no substituent Means that.

본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 "치환 또는 비치환"이란 중수소; 니트릴기; 알킬기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것이다. According to an exemplary embodiment of the present application, the "substituted or unsubstituted" is deuterium; Nitrile group; Alkyl groups; Cycloalkyl group; Aryl group; And it is unsubstituted or substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group containing one or more of N, O and S atoms.

본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 "치환 또는 비치환"이란 중수소; 니트릴기; 탄소수 6 내지 15의 아릴기; 및 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하고 탄소수 2 내지 15 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것이다.According to an exemplary embodiment of the present application, the "substituted or unsubstituted" is deuterium; Nitrile group; Aryl groups having 6 to 15 carbon atoms; And it is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of 2 to 15 heteroaryl groups containing at least one of N, O and S atoms.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬, 또는 요오드가 있다. In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine, or iodine.

본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하고, 1 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, the carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 50, more preferably 1 to 30. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methylbutyl, 1-ethylbutyl, pentyl, n-pentyl, iso Pentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentyl Methyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethylpropyl, 1,1 -Dimethylpropyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 3 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적으로, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3 , 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR201R202R203로 표시되고, R201 내지 R203은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the silyl group is a substituent including Si and the Si atom is directly connected as a radical, represented by -SiR 201 R 202 R 203 , and R 201 to R 203 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; An alkyl group; Alkenyl groups; An alkoxy group; Cycloalkyl group; Aryl group; And it may be a substituent consisting of at least one of a heterocyclic group. Specific examples of the silyl group include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, and the like. It is not limited.

본 명세서에서 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50인 것이 바람직하고, 6 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적으로, 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, when the aryl group is a monocyclic aryl group, carbon number is not particularly limited, but is preferably 6 to 50 carbon atoms, more preferably 6 to 30 carbon atoms. Specifically, the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a quarterphenyl group, etc., but is not limited thereto.

상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 50인 것이 바람직하고, 10 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적으로, 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Carbon number is not particularly limited when the aryl group is a polycyclic aryl group. It is preferable that it is C10-C50, and 10-30 are more preferable. Specifically, the polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, pyrenyl group, peryllenyl group, triphenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and adjacent substituents may be bonded to each other to form a ring.

상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,

Figure pat00003
,
Figure pat00004
,
Figure pat00005
,
Figure pat00006
,
Figure pat00007
,
Figure pat00008
등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted,
Figure pat00003
,
Figure pat00004
,
Figure pat00005
,
Figure pat00006
,
Figure pat00007
,
Figure pat00008
Etc., but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 것으로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하고, 2 내지 30인 것이 더욱 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는, 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 아크리딘기, 피리다진기, 피라진기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 프탈라진기(phthalazine), 프테리딘기(pteridine), 피리도피리미딘기(pyridopyrimidine), 피리도피라진기(pyridopyrazine), 피라지노피라진기(pyrazinopyrazine), 이소퀴놀린기, 인돌기, 피리도인돌기(pyridoindole), 인데노피리미딘(5H-indenopyrimidine), 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기 및 티아디아졸릴기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heteroaryl group includes one or more of N, O, S, Si, and Se as hetero atoms, and the carbon number is not particularly limited, but preferably 2 to 60 carbon atoms, and more preferably 2 to 30 carbon atoms. Do. Examples of the heteroaryl group include thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, oxadiazole group, triazole group, pyridine group, bipyridine group, pyrimidine group, triazine group, acri Dinyl groups, pyridazine groups, pyrazine groups, quinoline groups, quinazoline groups, quinoxaline groups, phthalazine groups, pteridine groups, pyridopyrimidine groups, pyridopyrimidine groups, pyridopyrazine groups, Pyrazinopyrazine, isoquinoline, indole, pyridoindole, innopyrimidine, carbazole, benzoxazole group, benzimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole There are sol group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuran group, dibenzofuran group, phenanthroline group, thiazolyl group, isoxoxazolyl group, oxadiazolyl group and thiadiazolyl group, It is not limited only to these.

본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, phosphine oxide groups include, but are not limited to, diphenylphosphine oxide group, dinaphthylphosphine oxide, and the like.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the arylene group refers to a divalent group having two bonding positions in the aryl group. The description of the aforementioned aryl group can be applied except that they are each divalent.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the heteroarylene group means a divalent group having two bonding positions in the heteroaryl group. The description of the aforementioned heteroaryl group can be applied except that they are each divalent.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1은 N이다. In one embodiment of the present specification, X1 is N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X2는 N이다.In one embodiment of the present specification, X2 is N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X3은 N이다.In one embodiment of the present specification, X3 is N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 각각 N이다.In one embodiment of the present specification, X1 and X2 are each N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X3은 각각 N이다.In one embodiment of the present specification, X1 and X3 are each N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 내지 X3은 각각 N이다.In one embodiment of the present specification, X1 to X3 are each N.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13 이내의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합 또는 치환 또는 비치환된 2환 이내의 아릴렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond or a substituted or unsubstituted arylene group within 2 rings.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond, a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted naphthylene group, or a substituted or unsubstituted fluorenylene group to be.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합, 페닐렌기, 비페닐렌기 또는 나프틸렌기이다.In one embodiment of the present specification, L is a direct bond, a phenylene group, a biphenylene group, or a naphthylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 니트릴기, 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 15의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently having 6 to 20 carbon atoms unsubstituted or substituted with a nitrile group, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a heteroaryl group having 2 to 12 carbon atoms Aryl group; Or a heteroaryl group having 2 to 12 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an aryl group having 6 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 2환 이내의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group within 2 rings.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다. In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group Or a substituted or unsubstituted fluorenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 비페닐기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기, 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다. In one embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with a C6-C20 aryl group or a C2-C12 heteroaryl group, a biphenyl group unsubstituted or substituted with a nitrile group, and an aryl having 6 to 20 carbon atoms. A naphthyl group unsubstituted or substituted with a group, or a fluorenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 카바졸기 또는 퀴놀린기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 비페닐기, 또는 나프틸기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with a carbazole group or a quinoline group, a biphenyl group unsubstituted or substituted with a nitrile group, or a naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 페닐기, 비페닐기 또는 나프틸기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group, a biphenyl group or a naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 6 to 18 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 3환 이내의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group within 3 rings.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 2환 이내의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group within 2 rings.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 카바졸기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 피리미딘기, 치환 또는 비치환된 트리아진기, 치환 또는 비치환된 퀴놀린기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted carbazole group, a substituted or unsubstituted pyridine group, a substituted or unsubstituted pyrimidine group, a substituted or unsubstituted triazine group, a substituted or unsubstituted quinoline Group, a substituted or unsubstituted dibenzofuran group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기, 피리딘기, 페닐기로 치환 또는 비치환된 퀴놀린기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a carbazole group substituted or unsubstituted with a phenyl group, a pyridine group, a quinoline group substituted with or unsubstituted with a phenyl group, a dibenzofuran group, or a dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 카바졸기, 피리딘기 또는 퀴놀린기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a carbazole group, a pyridine group or a quinoline group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 is a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 2환 이내의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group within 2 rings.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다. In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group Or a substituted or unsubstituted fluorenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 비페닐기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기, 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a phenyl group unsubstituted or substituted with a C6-C20 aryl group or a C2-C12 heteroaryl group, a biphenyl group unsubstituted or substituted with a nitrile group, and an aryl having 6 to 20 carbon atoms. A naphthyl group unsubstituted or substituted with a group, or a fluorenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 카바졸기 또는 퀴놀린기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 비페닐기, 또는 나프틸기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a phenyl group unsubstituted or substituted with a carbazole group or a quinoline group, a biphenyl group unsubstituted or substituted with a nitrile group, or a naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 페닐기, 비페닐기 또는 나프틸기이다. In one embodiment of the present specification, Ar2 is a phenyl group, a biphenyl group or a naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 6 to 18 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 3환 이내의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group within 3 rings.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 2환 이내의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group within 2 rings.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 카바졸기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 피리미딘기, 치환 또는 비치환된 트리아진기, 치환 또는 비치환된 퀴놀린기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted carbazole group, a substituted or unsubstituted pyridine group, a substituted or unsubstituted pyrimidine group, a substituted or unsubstituted triazine group, a substituted or unsubstituted quinoline Group, a substituted or unsubstituted dibenzofuran group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기, 피리딘기, 페닐기로 치환 또는 비치환된 퀴놀린기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a carbazole group substituted or unsubstituted with a phenyl group, a pyridine group, a quinoline group substituted with or unsubstituted with a phenyl group, a dibenzofuran group, or a dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 카바졸기, 피리딘기 또는 퀴놀린기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a carbazole group, a pyridine group or a quinoline group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기이다.In one embodiment of the present specification, Ar2 is a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 15의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar3 is an aryl group having 6 to 20 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 12 carbon atoms; Or a heteroaryl group having 2 to 12 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an aryl group having 6 to 15 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 2환 이내의 아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted aryl group within 2 rings.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다. In one embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group Or a substituted or unsubstituted fluorenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 페닐기 또는 나프틸기이다.In one embodiment of the present specification, Ar3 is a phenyl group or a naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 페닐기이다.In one embodiment of the present specification, Ar3 is a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 3환 이내의 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group within 3 rings.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 카바졸기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 피리미딘기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아진기이다.In one embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted carbazole group, a substituted or unsubstituted dibenzofuran group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group, a substituted or unsubstituted pyridine group, a substituted or Unsubstituted pyrimidine group or substituted or unsubstituted triazine group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 디벤조퓨란기이다. In one embodiment of the present specification, Ar3 is a dibenzofuran group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 디벤조티오펜기이다.In one embodiment of the present specification, Ar3 is a dibenzothiophene group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar3은 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. In one embodiment of the present specification, Ar1 to Ar3 may be any one selected from the following structures.

Figure pat00009
Figure pat00009

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 상기 구조에서 선택되는 어느 하나이다. In one embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently one selected from the above structure.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3는 상기의 구조에서 선택되는 어느 하나이다. In one embodiment of the present specification, Ar3 is any one selected from the above structures.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar3은 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. In one embodiment of the present specification, Ar1 to Ar3 may be any one selected from the following structures.

Figure pat00010
Figure pat00010

Figure pat00011
Figure pat00011

Figure pat00012
Figure pat00012

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 상기 구조에서 선택되는 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently one selected from the above structure.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3는 상기의 구조에서 선택되는 어느 하나이다.In one embodiment of the present specification, Ar3 is any one selected from the above structures.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R 및 R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In one embodiment of the present specification, R and R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted phosphine oxide group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r1은 1 내지 3의 정수이며, r2는 1 내지 4의 정수이고, 상기 r1 및 r2가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R1 및 R2는 각각 서로 같거나 상이하다.In one embodiment of the present specification, r1 is an integer of 1 to 3, r2 is an integer of 1 to 4, when the r1 and r2 are each 2 or more, two or more R1 and R2 are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R은 수소이다.In one embodiment of the present specification, R is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 각각 수소이다. In one embodiment of the present specification, R1 to R6 are each hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다. In one embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds.

Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
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Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020

Figure pat00021
Figure pat00021

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다. 후술하는 제조예들에서는 대표적인 예시들을 기재하지만, 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당 기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다. Compounds according to one embodiment of the present specification may be prepared by the production method described below. In the following production examples, representative examples are described, but if necessary, a substituent may be added or excluded, and the position of the substituent may be changed. In addition, based on techniques known in the art, it is possible to change the starting materials, reactants, reaction conditions and the like.

예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 일반식 1 및 2와 같이 코어 구조가 제조될 수 있다. 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다. 하기 일반식 1 및 2와 같이 치환기를 결합시킬 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the compound represented by Formula 1 may be prepared in the core structure as shown in the general formulas 1 and 2. Substituents may be combined by methods known in the art, and the type, position or number of substituents may be changed according to techniques known in the art. Substituents may be bonded as in Formulas 1 and 2, but is not limited thereto.

[일반식 1][Formula 1]

Figure pat00022
Figure pat00022

[일반식 2][Formula 2]

Figure pat00023
Figure pat00023

상기 일반식 1 및 2에 있어서, X1 내지 X3, L, Ar1 및 Ar2에 대한 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. 상기 일반식에는 R1 내지 R6가 표시되어 있지 않지만, R1 내지 R6가 치환된 반응물을 사용하거나 상기 일반식 1 또는 2에 의하여 생성된 생성물에 당 기술 분야에 알려져 있는 방법으로 R1 내지 R6를 치환할 수 있다.In Formulas 1 and 2, the definitions for X1 to X3, L, Ar1, and Ar2 are the same as those defined in Chemical Formula 1. Although R1 to R6 are not represented in the general formula, R1 to R6 may be substituted using a reactant substituted with R1 to R6 or a method known in the art to the product produced by the above general formula (1) or (2). have.

또한, 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 전자 소자를 제공한다.In addition, the present specification provides an organic electronic device comprising the compound described above.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다. In one embodiment of the present specification, the first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound.

본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In this specification, when a member is located "on" another member, this includes not only when a member is in contact with another member but also when another member exists between the two members.

본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In the present specification, when a part "contains" a certain component, this means that the component may further include other components, except for the case where there is no contrary description.

본 명세서의 유기 전자 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 전자 소자의 대표적인 예로서, 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단층, 정공 차단층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 전자 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic electronic device of the present specification may have a single layer structure, but may have a multi-layered structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, as a representative example of the organic electronic device of the present specification, the organic light emitting device may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, etc. as an organic material layer. have. However, the structure of the organic electronic device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한 발광층은 녹색을 띤다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes a compound represented by Chemical Formula 1. The light emitting layer including the compound represented by Chemical Formula 1 is green.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 호스트로서 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes a compound represented by Chemical Formula 1 as a host of the light emitting layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층 또는 정공 수송층을 포함하고, 상기 정공 주입층 또는 정공 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, the hole injection layer or a hole transport layer comprises a compound represented by the formula (1).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자 주입층 또는 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 주입층 또는 전자 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes an electron injection layer or an electron transport layer, and the electron injection layer or the electron transport layer includes a compound represented by Chemical Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자 차단층을 포함하고, 상기 전자 차단층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes an electron blocking layer, and the electron blocking layer includes a compound represented by Chemical Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 차단층을 포함하고, 상기 정공 차단층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes a hole blocking layer, and the hole blocking layer includes a compound represented by Chemical Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 정공 주입층, 정공 수송층. 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic electronic device is a hole injection layer, a hole transport layer. It further comprises one or two or more layers selected from the group consisting of a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer and an electron blocking layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 정공 주입층, 정공 수송층. 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층, 전자 차단층 및 전자 주입 및 수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In one embodiment of the present specification, the organic electronic device is a hole injection layer, a hole transport layer. It further comprises one or more layers selected from the group consisting of a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer and an electron injection and transport layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광소자, 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic electronic device may be selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic phosphorescent device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor.

이하에서는 유기 발광 소자에 대하여 예시한다.Hereinafter, the organic light emitting device will be exemplified.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 및 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present specification, the organic light emitting device includes a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; A light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode; And two or more organic material layers provided between the light emitting layer and the first electrode or between the light emitting layer and the second electrode, wherein at least one of the two or more organic material layers includes a compound represented by Chemical Formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present specification, the two or more organic material layers may be selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transporting layer, a hole injection layer, a layer for simultaneously transporting holes and injecting holes, and an electron blocking layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 전자 수 송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자 수송층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 2층 이상의 전자 수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 전자 수송층에 포함될 수 있다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes two or more electron transport layers, and at least one of the two or more electron transport layers includes a compound represented by Chemical Formula 1. Specifically, in one embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 may be included in one layer of the two or more electron transport layers, and may be included in each of the two or more electron transport layers.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 전자 수송층에 포함되는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In addition, in an exemplary embodiment of the present specification, when the compound represented by Formula 1 is included in each of two or more electron transport layers, other materials except for the compound represented by Formula 1 may be the same or different from each other. have.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층이 전자 수송층인 경우, 상기 전자 수송층은 n형 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 당 기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있으며, 예컨대 금속 또는 금속착체를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자 수송층은 LiQ(Lithium Quinolate)를 더 포함할 수 있다.When the organic material layer including the compound represented by Chemical Formula 1 is an electron transport layer, the electron transport layer may further include an n-type dopant. The n-type dopant may be those known in the art, for example, may be a metal or metal complex. For example, the electron transport layer including the compound represented by Chemical Formula 1 may further include LiQ (Lithium Quinolate).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 정공수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 정공 수송층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 2층 이상의 정공 수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 정공 수송층에 포함될 수 있다. In one embodiment of the present specification, the organic material layer includes two or more hole transport layers, and at least one of the two or more hole transport layers includes a compound represented by Chemical Formula 1. Specifically, in one embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 may be included in one layer of the two or more hole transport layers, and may be included in each of the two or more hole transport layers.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 정공 수송층에 포함되는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In addition, in an exemplary embodiment of the present specification, when the compound represented by Formula 1 is included in each of the two or more hole transport layers, other materials except for the compound represented by Formula 1 may be the same or different from each other. have.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층 이외에 아릴아민기, 카바졸기 또는 벤조카바졸기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공 주입층 또는 정공 수송층을 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic material layer further includes a hole injection layer or a hole transport layer including a compound including an arylamine group, a carbazole group or a benzocarbazole group in addition to the organic material layer including the compound represented by Chemical Formula 1 can do.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드 또는 캐소드이다.In one embodiment of the present specification, the first electrode is an anode or a cathode.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 전극은 캐소드 또는 애노드이다. In one embodiment of the present specification, the second electrode is a cathode or an anode.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In one embodiment of the present specification, the organic light emitting device may be an organic light emitting device having a structure in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In one embodiment of the present specification, the organic light emitting diode may be an organic light emitting diode having an inverted type in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.

예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조가 도 1 내지 4에 예시되어 있다. 상기 도 1 내지 도 4는 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되는 것은 아니다. For example, the structure of an organic light emitting device according to one embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 to 4. 1 to 4 illustrate an organic light emitting device and are not limited thereto.

도 1에는 기판(101) 위에 제1 전극(102), 발광층(106) 및 제2 전극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다.1 illustrates a structure of an organic light emitting diode in which a first electrode 102, a light emitting layer 106, and a second electrode 110 are sequentially stacked on a substrate 101. The compound represented by Chemical Formula 1 is included in the light emitting layer.

도 2에는 기판(101) 위에 제1 전극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 발광층(106), 제2 전극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물층 중 1층 이상에 포함된다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광층 중 1층 이상에 포함된다. 2 illustrates a structure of an organic light emitting device in which a first electrode 102, a hole injection layer 103, a hole transport layer 104, a light emitting layer 106, and a second electrode 110 are sequentially stacked on a substrate 101. Is illustrated. According to an exemplary embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 1 is included in at least one layer of the organic material layer. According to another exemplary embodiment, the compound represented by Chemical Formula 1 is included in at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer.

도 3에는 기판(101) 위에 제1 전극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 차단층(105), 발광층(106), 정공 차단층(107), 전자 수송층(108), 전자 주입층(109), 제2 전극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물층 중 1층 이상에 포함된다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 발광층, 정공 차단층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 1층 이상에 포함된다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 차단층 또는 전자 수송층에 포함된다.3, the first electrode 102, the hole injection layer 103, the hole transport layer 104, the electron blocking layer 105, the light emitting layer 106, the hole blocking layer 107, and the electron transporting layer ( 108, the structure of the organic light emitting device in which the electron injection layer 109 and the second electrode 110 are sequentially stacked is illustrated. According to an exemplary embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 1 is included in at least one layer of the organic material layer. According to another exemplary embodiment, the compound represented by Chemical Formula 1 is included in at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. According to another exemplary embodiment, the compound represented by Chemical Formula 1 is included in the hole blocking layer or the electron transport layer.

도 4에는 기판(101) 위에 제1 전극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 차단층(105), 발광층(106), 정공 차단층(107), 전자 주입 및 수송층(111). 제2 전극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물층 중 1층 이상에 포함된다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 발광층, 정공 차단층, 전자 주입 및 전자 수송층 중 1층 이상에 포함된다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 차단층 또는 전자 주입 및 전자 수송층에 포함된다.4 shows the first electrode 102, the hole injection layer 103, the hole transport layer 104, the electron blocking layer 105, the light emitting layer 106, the hole blocking layer 107, the electron injection and the like on the substrate 101. Transport layer 111. The structure of the organic light emitting device in which the second electrode 110 is sequentially stacked is illustrated. According to an exemplary embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 1 is included in at least one layer of the organic material layer. According to another exemplary embodiment, the compound represented by Chemical Formula 1 is included in at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron injection and an electron transport layer. According to another exemplary embodiment, the compound represented by Chemical Formula 1 is included in the hole blocking layer or the electron injection and electron transport layer.

본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer includes the compound, that is, the compound represented by Chemical Formula 1.

상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질, 유기물층 및 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on the substrate to form an anode. It can be prepared by forming and forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to such a method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, the compound represented by Chemical Formula 1 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method in the manufacture of the organic light emitting device. Here, the solution coating method means spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spray method, roll coating, but is not limited thereto.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질로부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be fabricated by sequentially depositing an organic material layer and an anode material on a substrate (International Patent Application Publication No. 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이다. In one embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.

또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드이다. In another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode.

상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 예를 들어, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is generally preferred to facilitate hole injection into the organic material layer. For example, metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2 : Combination of metals and oxides such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.

상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 예를 들어, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The cathode material is generally a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Metals such as, for example, magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like, but are not limited thereto.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로, 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The light emitting layer may include a host material and a dopant material. The host material is a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic containing compound. Specifically, the condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and the heterocyclic containing compounds include dibenzofuran derivatives, ladder type furan compounds, Pyrimidine derivatives and the like, but is not limited thereto.

상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로, 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있다. 또한, 스티릴아민 화합물은 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아민기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the dopant material include aromatic amine derivatives, styrylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamine group, and includes pyrene, anthracene, chrysene and periplanthene having an arylamine group. In addition, the styrylamine compound is a compound in which at least one arylvinyl group is substituted with a substituted or unsubstituted arylamine, selected from the group consisting of aryl group, silyl group, alkyl group, cycloalkyl group and arylamine group. The substituent is substituted or unsubstituted. Specifically, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine and the like, but is not limited thereto. In addition, the metal complex includes an iridium complex, a platinum complex, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 발광층 이외의 유기물층에 포함되거나, 추가의 발광층이 구비되는 경우, 상기 발광층의 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 예를 들어, 8-히드록시퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 및 루브렌 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, when the compound represented by Chemical Formula 1 is included in an organic material layer other than the light emitting layer, or when an additional light emitting layer is provided, the light emitting material of the light emitting layer is transported and bonded with holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively. As a material capable of emitting light in the visible ray region, a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable. For example, 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq3); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene; And rubrene, but are not limited thereto.

상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층이다. 정공 주입 물질은 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드로부터 정공 수취 효과 및 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지할 수 있는 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는, 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물; 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물; 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물; 페릴렌(perylene) 계열의 유기물; 안트라퀴논, 폴리아닐린과 같은 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode. The hole injecting material preferably has the ability to transport holes to have a hole receiving effect from the anode and an excellent hole injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material. In addition, a material having an excellent ability to prevent migration of excitons generated in the light emitting layer to the electron injection layer or the electron injection material is preferable. In addition, a material excellent in thin film formation ability is preferable. In addition, it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material may include metal porphyrin, oligothiophene, and arylamine-based organic material; Hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material; Quinacridone series organics; Perylene-based organic material; Polythiophene-based conductive polymers such as anthraquinone and polyaniline, but are not limited thereto.

상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층이다. 정공 수송 물질로는 애노드이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the light emitting layer. As the hole transporting material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer and transferring the holes to the light emitting layer is preferred. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together.

상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층이다. 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이, 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질은 낮은 일함수를 가지며, 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로, 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨 등이 있고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다. 본 발명의 일 실시상태에서는 상기 화학식 1으로 표시되는 화합물이 전자 수송층에 포함된다. The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports the electrons to the light emitting layer. As the electron transporting material, a material capable of injecting electrons well from the cathode to be transferred to the light emitting layer, and a material having high mobility to electrons is preferable. Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq3; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but is not limited thereto. The electron transport layer can be used with any desired cathode material, as used in accordance with the prior art. In particular, suitable cathode materials have a low work function and are conventional materials followed by aluminum or silver layers. Specifically, there are cesium, barium, calcium, ytterbium, samarium, and the like, each followed by an aluminum layer or a silver layer. In one embodiment of the present invention, the compound represented by Chemical Formula 1 is included in the electron transport layer.

상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층이다. 전자 주입물로는 전자를 수송하는 능력이 우수하고, 캐소드로부터의 전자 수취 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤이 정공 주입층으로 이동하는 것을 방지하고, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 구체적으로는, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The electron injection layer is a layer for injecting electrons from the electrode. The electron injecting material is preferably excellent in the ability to transport electrons, and has an electron injection effect from the cathode, and an electron injection effect excellent in the light emitting layer or the light emitting material. In addition, a material which prevents the excitons generated in the light emitting layer from moving to the hole injection layer and is excellent in thin film formation ability is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone and the like, and derivatives thereof, Metal complex compounds, nitrogen-containing five-membered ring derivatives, and the like, but is not limited thereto.

상기 금속 착체 화합물로는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper and bis (8-hydroxyquinolinato) manganese , Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h ] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (o-cresolato) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtolato) gallium, It is not limited to this.

상기 전자 차단층은 정공 주입층으로부터 주입된 정공이 발광층을 지나 전자 주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이다. 공지된 재료는 제한 없이 사용 가능하며, 발광층과 정공 주입층 사이에, 발광층과 정공 수송층 사이에, 또는 발광층과 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 사이에 형성될 수 있다. The electron blocking layer is a layer that prevents holes injected from the hole injection layer from passing through the light emitting layer to the electron injection layer, thereby improving lifetime and efficiency of the device. Known materials can be used without limitation, and can be formed between the light emitting layer and the hole injection layer, between the light emitting layer and the hole transport layer, or between the light emitting layer and the layer which simultaneously performs hole injection and hole transport.

상기 정공 차단층은 정공의 캐소드로 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공 주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시상태에서는 상기 화학식 1으로 표시되는 화합물이 정공 차단층에 포함된다.The hole blocking layer is a layer which blocks the reaching of the cathode of the hole, and may generally be formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, aluminum complexes, and the like, but are not limited thereto. In one embodiment of the present invention, the compound represented by Chemical Formula 1 is included in the hole blocking layer.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a bottom emission type, or a double side emission type according to a material used.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.In one embodiment of the present specification, the compound represented by Chemical Formula 1 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to the organic light emitting device.

본 명세서에 따른 화합물은 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다. 예컨대, 상기 유기 태양 전지는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층을 포함하는 구조일 수 있고, 상기 광활성층은 상기 화합물을 포함할 수 있다.The compound according to the present specification may act on a principle similar to that applied to organic light emitting devices in organic electronic devices including organic phosphorescent devices, organic solar cells, organic photoconductors, organic transistors, and the like. For example, the organic solar cell may have a structure including a first electrode, a second electrode, and a photoactive layer provided between the first electrode and the second electrode, and the photoactive layer may include the compound.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예 등을 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예 및 비교예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예 및 비교예에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예 및 비교예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, the present specification will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the examples and comparative examples according to the present specification may be modified in many different forms, and the scope of the present specification is not interpreted to be limited to the examples and comparative examples described below. The examples and comparative examples herein are provided to more fully describe the present specification to those skilled in the art.

<제조예><Production example>

<제조예 1> - 중간체 합성Preparation Example 1-Intermediate Synthesis

상기 일반식 1 및 2의 제조 방법을 이용하여 하기 중간체 A 내지 D 및 중간체 A-1 내지 D-1을 제조하였다. The following intermediates A to D and intermediates A-1 to D-1 were prepared using the preparation methods of Formulas 1 and 2.

Figure pat00024
Figure pat00024

<제조예 2> <Manufacture example 2>

Figure pat00025
Figure pat00025

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A-1 (6.51g, 10.16mmol) 및 화합물 a-1 (3.94g, 11.17mmol)을 테트라하이드로퓨란 280ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(140ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.35g, 0.30mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 110ml로 재결정하여 화합물 1 (4.37g, 66%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 651In a 500 ml round-bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate A-1 (6.51 g, 10.16 mmol) and compound a-1 (3.94 g, 11.17 mmol) were completely dissolved in 280 ml of tetrahydrofuran and 2M aqueous potassium carbonate solution (140 ml) was added. . Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.35 g, 0.30 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 110 ml of tetrahydrofuran to prepare compound 1 (4.37 g, 66%). MS [M + H] + = 651

<제조예 3><Manufacture example 3>

Figure pat00026
Figure pat00026

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A-1 (5.37g, 8.38mmol) 및 화합물 a-2 (3.25g, 9.22mmol)를 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.29g, 0.25mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 에틸아세테이트 180ml로 재결정하여 화합물 2 (3.26g, 60%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 651In a 500 ml round-bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate A-1 (5.37 g, 8.38 mmol) and compound a-2 (3.25 g, 9.22 mmol) were completely dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran and 2M aqueous potassium carbonate solution (100 ml) was added. . Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.29g, 0.25mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 3 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 180 ml of ethyl acetate to obtain Compound 2 (3.26 g, 60%). MS [M + H] + = 651

<제조예 4><Manufacture example 4>

Figure pat00027
Figure pat00027

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A-1 (7.23g, 11.28mmol) 및 화합물 a-3 (4.37g, 12.41mmol)을 테트라하이드로퓨란 220ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(110ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.39g, 0.34mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세톤 210ml로 재결정하여 화합물 3 (4.43g, 60%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 650In a 500 ml round bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate A-1 (7.23 g, 11.28 mmol) and compound a-3 (4.37 g, 12.41 mmol) were completely dissolved in 220 ml of tetrahydrofuran and 2M aqueous potassium carbonate solution (110 ml) was added. . Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.39 g, 0.34 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 210 ml of acetone to prepare compound 3 (4.43 g, 60%). MS [M + H] + = 650

<제조예 5>Production Example 5

Figure pat00028
Figure pat00028

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 B-1 (8.12g, 11.75mmol) 및 화합물 a-4 (4.54g, 12.93mmol)을 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.41g, 0.35mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세톤 170ml로 재결정하여 화합물 4 (5.76g, 70%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 699In a 500 ml round-bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate B-1 (8.12 g, 11.75 mmol) and Compound a-4 (4.54 g, 12.93 mmol) were completely dissolved in 240 ml of tetrahydrofuran and 2M aqueous potassium carbonate solution (120 ml) was added. . Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.41 g, 0.35 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure and recrystallized with acetone 170ml to prepare compound 4 (5.76g, 70%). MS [M + H] + = 699

<제조예 6><Manufacture example 6>

Figure pat00029
Figure pat00029

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 B-1 (7.56g, 10.94mmol) 및 화합물 a-1 (4.25g, 12.03mmol)을 테트라하이드로퓨란 260ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(130ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.38g, 0.33mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 에틸아세테이트 190ml로 재결정하여 화합물 5 (4.92g, 64%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 701In a 500 ml round-bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate B-1 (7.56 g, 10.94 mmol) and compound a-1 (4.25 g, 12.03 mmol) were completely dissolved in 260 ml of tetrahydrofuran and 2M aqueous potassium carbonate solution (130 ml) was added. . Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.38g, 0.33mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 190 ml of ethyl acetate to obtain compound 5 (4.92 g, 64%). MS [M + H] + = 701

<제조예 7><Manufacture example 7>

Figure pat00030
Figure pat00030

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 C-1 (6.82g, 10.64mmol) 및 화합물 a-5 (4.72g, 11.70mmol)을 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.37g, 0.32mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 에틸아세테이트 170ml로 재결정하여 화합물 6 (4.32g, 58%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 701In a 500 ml round-bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate C-1 (6.82 g, 10.64 mmol) and Compound a-5 (4.72 g, 11.70 mmol) were completely dissolved in 240 ml of tetrahydrofuran and 2M aqueous potassium carbonate solution (120 ml) was added. . Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.37g, 0.32mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure and recrystallized with 170 ml of ethyl acetate to obtain compound 6 (4.32 g, 58%). MS [M + H] + = 701

<제조예 8><Manufacture example 8>

Figure pat00031
Figure pat00031

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A (6.50g, 16.80mmol) 및 화합물 a-6 (5.62g, 15.27mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.53g, 0.46mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 160ml로 재결정하여 화합물 7 (7.16g, 69%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 676In a 500 ml round bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate A (6.50 g, 16.80 mmol) and compound a-6 (5.62 g, 15.27 mmol) were completely dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran, followed by addition of 2 M aqueous potassium carbonate solution (100 ml). Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.53g, 0.46mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 160 ml of acetonitrile to obtain compound 7 (7.16 g, 69%). MS [M + H] + = 676

<제조예 9><Manufacture example 9>

Figure pat00032
Figure pat00032

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A (5.29g, 14.83mmol) 및 화합물 a-7 (4.96g, 13.48mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.47g, 0.40mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 190ml로 재결정하여 화합물 8 (5.68g, 57%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 740In a 500 ml round bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate A (5.29 g, 14.83 mmol) and compound a-7 (4.96 g, 13.48 mmol) were completely dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran, followed by addition of 2M aqueous potassium carbonate solution (100 ml). Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.47g, 0.40mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 190 ml of acetonitrile to prepare compound 8 (5.68 g, 57%). MS [M + H] + = 740

<제조예 10>Production Example 10

Figure pat00033
Figure pat00033

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 B (6.74g, 15.42mmol) 및 화합물 a-8 (5.23g, 14.02mmol)을 테트라하이드로퓨란 260ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(130ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.49g, 0.42mmol)을 넣은 후 6 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 180ml로 재결정하여 화합물 9 (6.65g, 65%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 731In a 500 ml round bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate B (6.74 g, 15.42 mmol) and compound a-8 (5.23 g, 14.02 mmol) were completely dissolved in 260 ml of tetrahydrofuran and 2M aqueous potassium carbonate solution (130 ml) was added. Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.49g, 0.42mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 6 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 180 ml of acetonitrile to prepare compound 9 (6.65 g, 65%). MS [M + H] + = 731

<제조예 11>Production Example 11

Figure pat00034
Figure pat00034

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 B (8.41g, 19.25mmol) 및 화합물 a-9 (7.56g, 17.50mmol)을 테트라하이드로퓨란 280ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(140ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.61g, 0.53mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 210ml로 재결정하여 화합물 10 (7.16g, 52%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 790In a 500 ml round bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate B (8.41 g, 19.25 mmol) and compound a-9 (7.56 g, 17.50 mmol) were completely dissolved in 280 ml of tetrahydrofuran and 2M aqueous potassium carbonate solution (140 ml) was added. Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.61 g, 0.53 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure and recrystallized with 210 ml of acetonitrile to prepare compound 10 (7.16 g, 52%). MS [M + H] + = 790

<제조예 12>Production Example 12

Figure pat00035
Figure pat00035

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 C (9.50g, 19.91mmol) 및 화합물 a-10 (4.87g, 18.10mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.63g, 0.54mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 180ml로 재결정하여 화합물 11 (6.11g, 51%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 667In a 500 ml round bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate C (9.50 g, 19.91 mmol) and compound a-10 (4.87 g, 18.10 mmol) were completely dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran, followed by addition of 2M aqueous potassium carbonate solution (100 ml). Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.63g, 0.54mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 3 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 180 ml of acetonitrile to prepare compound 11 (6.11 g, 51%). MS [M + H] + = 667

<제조예 13>Production Example 13

Figure pat00036
Figure pat00036

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A-1 (5.98g, 13.93mmol) 및 화합물 a-11 (8.12g, 12.67mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.44g, 0.38mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 210ml로 재결정하여 화합물 12 (5.56g, 60%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 727In a 500 ml round-bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate A-1 (5.98 g, 13.93 mmol) and compound a-11 (8.12 g, 12.67 mmol) were completely dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran and 2M aqueous potassium carbonate solution (100 ml) was added. . Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.44g, 0.38mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 3 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure and recrystallized with 210 ml of acetonitrile to prepare Compound 12 (5.56 g, 60%). MS [M + H] + = 727

<제조예 14>Production Example 14

Figure pat00037
Figure pat00037

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 B (8.28g, 18.94mmol) 및 화합물 a-12 (6.32g, 17.22mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.60g, 0.52mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 230ml로 재결정하여 화합물 13 (6.82g, 55%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 725To a 500 ml round bottom flask in nitrogen atmosphere, intermediate B (8.28 g, 18.94 mmol) and compound a-12 (6.32 g, 17.22 mmol) were completely dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran and 2M aqueous potassium carbonate solution (100 ml) was added. Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.60g, 0.52mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure and recrystallized with 230 ml of acetonitrile to prepare compound 13 (6.82 g, 55%). MS [M + H] + = 725

<제조예 15>Production Example 15

Figure pat00038
Figure pat00038

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 D (7.78g, 15.79mmol) 및 화합물 a-13 (5.67g, 14.35mmol)을 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.50g, 0.43mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 210ml로 재결정하여 화합물 14 (5.55g, 48%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 809In a 500 ml round bottom flask in nitrogen atmosphere, Intermediate D (7.78 g, 15.79 mmol) and Compound a-13 (5.67 g, 14.35 mmol) were completely dissolved in 240 ml of tetrahydrofuran and 2M aqueous potassium carbonate solution (120 ml) was added. Tetrakis- (triphenylphosphine) palladium (0.50g, 0.43mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 3 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 210 ml of tetrahydrofuran to prepare compound 14 (5.55 g, 48%). MS [M + H] + = 809

<실시예><Example>

<실시예 1-1><Example 1-1>

ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) at a thickness of 1,000 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and ultrasonically cleaned. In this case, Fischer Co. was used as a detergent, and distilled water was filtered secondly as a filter of Millipore Co. as a distilled water. After ITO was washed for 30 minutes, ultrasonic washing was performed twice with distilled water for 10 minutes. After washing the distilled water, ultrasonic washing with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, methanol, dried and transported to a plasma cleaner. In addition, the substrate was cleaned for 5 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator.

상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 HI1 및 하기 화합물 HI2의 화합물을 98:2(몰비)의 비가 되도록 100Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 화합물 HT1을 1,150Å의 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 50Å으로 하기 화합물 EB1을 진공 증착하여 전자 차단층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자 차단층 위에 막 두께 200Å으로 하기 화합물 BH 및 하기 화합물 BD를 50:1의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 막 두께 50Å으로 상기에서 제조한 화합물 1을 진공 증착하여 정공 차단층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 차단층 위에 하기 화합물 ET1과 하기 화합물 LiQ를 1:1의 중량비로 진공증착하여 30Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 캐소드을 형성하였다. The compound of the following compound HI1 and the following compound HI2 was thermally vacuum-deposited to a thickness of 100 kPa so as to have a ratio of 98: 2 (molar ratio) on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer. The following compound HT1 was vacuum deposited to a thickness of 1,150 GPa on the hole injection layer to form a hole transport layer. Subsequently, the following compound EB1 was vacuum deposited on the hole transport layer with a film thickness of 50 GPa to form an electron blocking layer. Subsequently, the following Compound BH and the following Compound BD were vacuum-deposited at a weight ratio of 50: 1 to form a light emitting layer on the electron blocking layer with a film thickness of 200 GPa. Compound 1 prepared above was vacuum deposited on the emission layer to form a hole blocking layer. Subsequently, the following compound ET1 and the following compound LiQ were vacuum deposited on the hole blocking layer in a weight ratio of 1: 1 to form an electron injection and transport layer at a thickness of 30 μs. The cathode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) and aluminum at a thickness of 1,000 Å on the electron injection and transport layer sequentially.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 내지 0.7Å/sec를 유지하였고, 캐소드의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 X 10-7 내지 5 X 10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.Was the deposition rate of the organic material in the above process, maintaining the range of 0.4 to 0.7Å / sec, the lithium fluoride of the cathode was 0.3Å / sec, aluminum was deposited at a rate of 2Å / sec, During the deposition, a vacuum 10 2 X - The organic light emitting device was manufactured by maintaining 7 to 5 × 10 −6 torr.

Figure pat00039
Figure pat00039

<실시예 1-2 내지 1-7><Examples 1-2 to 1-7>

상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that Compound 1 was used instead of Compound 1 in Example 1-1.

<비교예 1-1 내지 1-3><Comparative Examples 1-1 to 1-3>

상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 화합물 HB2 및 HB3을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that Compound HB2 and HB3 were used instead of Compound 1 in Example 1-1.

Figure pat00040
Figure pat00040

상기 실시예 1-1 내지 1-5, 비교예 1-1 내지 비교예 1-3에 의해 제작된 유기 발광 소자를 20 mA/cm2의 전류밀도에서 구동 전압, 효율 및 색좌표를 측정하였고, 20mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(T95)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The organic light emitting diodes manufactured according to Examples 1-1 to 1-5 and Comparative Examples 1-1 to 1-3 were measured at a current density of 20 mA / cm 2 and measured driving voltage, efficiency and color coordinates. The time T95 at 95% of the initial luminance at the current density of / cm 2 was measured. The results are shown in Table 1 below.

화합물
(정공 차단층)
compound
(Hole blocking layer)
전압
(V@20mA
/cm2)
Voltage
(V @ 20mA
/ cm 2 )
효율
(cd/A@20mA
/cm2)
efficiency
(cd / A @ 20mA
/ cm 2 )
색좌표
(x,y)
Color coordinates
(x, y)
T95
(hr)
T95
(hr)
실시예 1-1Example 1-1 화합물 1Compound 1 4.254.25 6.536.53 (0.144, 0.046)(0.144, 0.046) 240240 실시예 1-2Example 1-2 화합물 2Compound 2 4.234.23 6.466.46 (0.142, 0.048)(0.142, 0.048) 265265 실시예 1-3Example 1-3 화합물 5Compound 5 4.344.34 6.666.66 (0.143, 0.047)(0.143, 0.047) 270270 실시예 1-4Example 1-4 화합물 6Compound 6 4.364.36 6.776.77 (0.143, 0.046)(0.143, 0.046) 255255 실시예 1-5Example 1-5 화합물 10Compound 10 4.174.17 6.686.68 (0.144, 0.044)(0.144, 0.044) 280280 실시예 1-6Example 1-6 화합물 11Compound 11 4.454.45 6.566.56 (0.143, 0.045)(0.143, 0.045) 245245 실시예 1-7Example 1-7 화합물 12Compound 12 4.424.42 6.516.51 (0.145, 0.044)(0.145, 0.044) 230230 비교예 1-1Comparative Example 1-1 HB 2HB 2 4.894.89 5.545.54 (0.141, 0.047)(0.141, 0.047) 135135 비교예 1-2Comparative Example 1-2 HB 3HB 3 4.754.75 5.725.72 (0.143, 0.047)(0.143, 0.047) 110110 비교예 1-3Comparative Example 1-3 HB 4HB 4 4.624.62 5.955.95 (0.142, 0.048)(0.142, 0.048) 180180

상기 표 1에서 보는 바와 같이, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물을 정공 차단층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우, 비교예 1-1 내지 비교예 1-3에 비하여, 효율, 구동 전압 및/또는 안정성 면에서 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있다. 특히, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용한 실시예 1-1 내지 1-5는 비교예 1-1 내지 1-3에 비하여, 수명 특성이 우수한 것을 알 수 있다. As shown in Table 1, in the case of the organic light emitting device manufactured by using the compound represented by Formula 1 of the present specification as the hole blocking layer, compared to Comparative Example 1-1 to Comparative Example 1-3, efficiency, driving voltage And / or excellent properties in terms of stability. In particular, it can be seen that Examples 1-1 to 1-5 using the compound represented by the formula (1) of the present specification have superior life characteristics as compared to Comparative Examples 1-1 to 1-3.

<실시예 2-1 내지 2-10><Examples 2-1 to 2-10>

상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 화합물 HB1을 사용하고, 화합물 ET1 대신 하기 표 2에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that Compound HB1 was used instead of Compound 1 and Example 1-1 was used instead of Compound ET1 in Example 1-1.

Figure pat00041
Figure pat00041

<비교예 2-1 및 2-2><Comparative Examples 2-1 and 2-2>

상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 상기 화합물 HB1을 사용하고, 화합물 ET1 대신 하기 표 2에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1-1 except for using the compound HB1 instead of the compound 1 in Example 1-1 and using the compound shown in Table 2 instead of the compound ET1.

Figure pat00042
Figure pat00042

상기 실시예 2-1 내지 2-10, 비교예 2-1 및 비교예 2-2에 의해 제작된 유기 발광 소자를 20 mA/cm2의 전류밀도에서 구동 전압, 효율 및 색좌표를 측정하였고, 20mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(T95)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The organic light emitting diodes manufactured by Examples 2-1 to 2-10, Comparative Example 2-1, and Comparative Example 2-2 were measured at a current density of 20 mA / cm 2 and measured driving voltage, efficiency, and color coordinates. The time T95 at 95% of the initial luminance at the current density of / cm 2 was measured. The results are shown in Table 2 below.

화합물
(전자 수송층)
compound
(Electron transport layer)
전압
(V@20mA
/cm2)
Voltage
(V @ 20mA
/ cm 2 )
효율
(cd/A@20mA
/cm2)
efficiency
(cd / A @ 20mA
/ cm 2 )
색좌표
(x,y)
Color coordinates
(x, y)
TT95
(hr)
TT95
(hr)
실시예 2-1Example 2-1 화합물 1Compound 1 4.324.32 6.316.31 (0.144, 0.046)(0.144, 0.046) 275275 실시예 2-2Example 2-2 화합물 2Compound 2 4.334.33 6.826.82 (0.144, 0.044)(0.144, 0.044) 280280 실시예 2-3Example 2-3 화합물 3Compound 3 4.354.35 6.536.53 (0.145, 0.048)(0.145, 0.048) 290290 실시예 2-4Example 2-4 화합물 4Compound 4 4.344.34 6.746.74 (0.144, 0.044)(0.144, 0.044) 285285 실시예 2-5Example 2-5 화합물 5Compound 5 4.264.26 6.666.66 (0.144, 0.04)(0.144, 0.04) 270270 실시예 2-6Example 2-6 화합물 6Compound 6 4.284.28 6.586.58 (0.145, 0.047)(0.145, 0.047) 275275 실시예 2-7Example 2-7 화합물 7Compound 7 4.374.37 6.776.77 (0.145, 0.046)(0.145, 0.046) 270270 실시예 2-8Example 2-8 화합물 8Compound 8 4.394.39 6.656.65 (0.144, 0.048)(0.144, 0.048) 265265 실시예 2-9Example 2-9 화합물 13Compound 13 4.454.45 6.426.42 (0.146, 0.045)(0.146, 0.045) 270270 실시예 2-10Example 2-10 화합물 14Compound 14 4.434.43 6.416.41 (0.147, 0.047)(0.147, 0.047) 275275 비교예 2-1Comparative Example 2-1 ET2ET2 4.924.92 5.435.43 (0.143, 0.047)(0.143, 0.047) 160160 비교예 2-2Comparative Example 2-2 ET3ET3 5.365.36 4.854.85 (0.144, 0.049)(0.144, 0.049) 125125

상기 표 2에서 보는 바와 같이, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물을 전자 수송층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우, 비교예 2-1 및 2-2에 비하여, 효율, 구동 전압 및/또는 안정성 면에서 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있다. 특히, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용한 실시예 2-1 내지 2-10은 비교예 2-1 및 2-2에 비하여, 수명 특성이 우수한 것을 알 수 있다. As shown in Table 2, in the case of the organic light emitting device manufactured by using the compound represented by Formula 1 of the present specification as the electron transport layer, compared to Comparative Examples 2-1 and 2-2, efficiency, driving voltage and / or It can be seen that it shows excellent characteristics in terms of stability. In particular, it can be seen that Examples 2-1 to 2-10 using the compound represented by the formula (1) of the present specification have superior life characteristics as compared to Comparative Examples 2-1 and 2-2.

이상을 통해, 본 명세서의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허 청구 범위 및 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하며, 이 또한 발명의 범주에 속한다.Although the preferred embodiments of the present specification have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention, which are also within the scope of the invention. Belongs to.

101: 기판
102: 제1 전극
103: 정공 주입층
104: 정공 수송층
105: 전자 차단층
106: 발광층
107: 정공 차단층
108: 전자 수송층
109: 전자 주입층
110: 제2 전극
111: 전자 주입 및 수송층
101: substrate
102: first electrode
103: hole injection layer
104: hole transport layer
105: electron blocking layer
106: light emitting layer
107: hole blocking layer
108: electron transport layer
109: electron injection layer
110: second electrode
111: electron injection and transport layer

Claims (10)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00043

상기 화학식 1에 있어서,
X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 N 또는 CR이며,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
R 및 R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
r1은 1 내지 3의 정수이며,
r2는 1 내지 4의 정수이고,
상기 r1 및 r2가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R1 및 R2는 각각 서로 같거나 상이하다.
Compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
Figure pat00043

In Chemical Formula 1,
At least one of X1 to X3 is N, and the rest are each independently N or CR,
L is a direct bond; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
R and R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted phosphine oxide group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
r1 is an integer of 1 to 3,
r2 is an integer of 1 to 4,
When r1 and r2 are each 2 or more, two or more R1 and R2 are the same as or different from each other.
청구항 1에 있어서, L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기인 것인 화합물. The method according to claim 1, L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted phenylene group. 청구항 1에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 비페닐기인 것인 화합물.The compound of claim 1, wherein Ar 1 and Ar 2 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, or a substituted or unsubstituted biphenyl group. 청구항 1에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기인 것인 화합물.The compound of claim 1, wherein Ar 3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuran group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
Figure pat00047
Figure pat00048
Figure pat00049
Figure pat00050
Figure pat00051

Figure pat00052
The compound of claim 1, wherein the compound represented by Chemical Formula 1 is any one selected from the following compounds:
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
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제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.A first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes a compound according to any one of claims 1 to 5. Electronic devices. 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자. The organic electronic device of claim 6, wherein the organic material layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound. 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층 또는 정공 수송층을 포함하고, 상기 정공 주입층 또는 정공 수송층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자. The organic electronic device of claim 6, wherein the organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole injection layer or the hole transport layer includes the compound. 청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 정공 차단층을 포함하고, 상기 정공 차단층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.The organic electronic device of claim 6, wherein the organic material layer includes a hole blocking layer, and the hole blocking layer includes the compound. 청구항 6에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 발광층, 정공 주입층, 정공수송층, 전자 주입층, 전자 수송층, 전자 차단층 및 정공 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 전자 소자. The method of claim 6, wherein the organic electronic device further comprises one or two or more layers selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, an electron blocking layer and a hole blocking layer. Phosphorus organic electronic device.
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