KR102235993B1 - Compound and organic electronic device comprising the same - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a compound represented by Chemical Formula 1 and an organic electronic device including the same.
Description
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다. The present specification relates to a compound and an organic electronic device including the same.
유기 전자 소자의 대표적인 예로는 유기 발광 소자가 있다. 일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. A typical example of an organic electronic device is an organic light emitting device. In general, the organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which electrical energy is converted into light energy by using an organic material. An organic light-emitting device using the organic light-emitting phenomenon has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, the organic material layer is often made of a multilayer structure made of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light-emitting device.For example, the organic material layer may be formed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. In the structure of such an organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer, and excitons are formed when the injected holes and electrons meet. When it falls back to the ground, it glows.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. Development of a new material for the organic light emitting device as described above is continuously required.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자를 제공하고자 한다.The present specification is to provide a compound and an organic electronic device including the same.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by the following formula (1).
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,
X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 N 또는 CR이며,At least one of X1 to X3 is N, and the others are each independently N or CR,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L is a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
R 및 R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,R and R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
r1은 1 내지 3의 정수이며,r1 is an integer from 1 to 3,
r2는 1 내지 4의 정수이고,r2 is an integer from 1 to 4,
상기 r1 및 r2가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R1 및 R2는 각각 서로 같거나 상이하다.When r1 and r2 are each 2 or more, two or more R1 and R2 are each the same as or different from each other.
또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.In addition, the present specification is a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에 사용되어, 유기 전기 소자의 구동전압을 낮출 수 있다.The compound according to the exemplary embodiment of the present specification is used in an organic electronic device including an organic light emitting device, so that a driving voltage of the organic electric device may be reduced.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에 사용되어, 광효율을 향상시킬 수 있다. In addition, the compound according to the exemplary embodiment of the present specification may be used in organic electronic devices including organic light emitting devices, thereby improving light efficiency.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에 사용되어, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다. In addition, the compound according to the exemplary embodiment of the present specification is used in an organic electronic device including an organic light emitting device, and the lifespan characteristics of the device may be improved by thermal stability of the compound.
도 1 내지 도 4는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 to 4 illustrate examples of an organic light-emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.The present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituent in the present specification are described below, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 는 연결되는 부위를 의미한다.In this specification, Means the connected part.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that the hydrogen atom bonded to the carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position where the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent can be substituted, and when two or more are substituted , Two or more substituents may be the same or different from each other.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 알킬기; 시클로알킬기; 실릴기; 포스핀옥사이드기; 아릴기; 및 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. In the present specification, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; Halogen group; Nitrile group; Alkyl group; Cycloalkyl group; Silyl group; Phosphine oxide group; Aryl group; And substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group containing one or more of N, O, and S atoms, or substituted with a substituent to which two or more of the substituents are connected, or not having any substituents. Means that.
본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 "치환 또는 비치환"이란 중수소; 니트릴기; 알킬기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것이다. According to an exemplary embodiment of the present application, the term "substituted or unsubstituted" deuterium; Nitrile group; Alkyl group; Cycloalkyl group; Aryl group; And it is unsubstituted or substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a heteroaryl group containing one or more of N, O, and S atoms.
본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 "치환 또는 비치환"이란 중수소; 니트릴기; 탄소수 6 내지 15의 아릴기; 및 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하고 탄소수 2 내지 15 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것이다.According to an exemplary embodiment of the present application, the term "substituted or unsubstituted" deuterium; Nitrile group; Aryl group having 6 to 15 carbon atoms; And one or more substituents selected from the group consisting of 2 to 15 heteroaryl groups and including at least one of N, O, and S atoms.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬, 또는 요오드가 있다. In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine, or iodine.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하고, 1 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but it is preferably 1 to 50, and more preferably 1 to 30. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methylbutyl, 1-ethylbutyl, pentyl, n-pentyl, iso Pentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentyl Methyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethylpropyl, 1,1 -Dimethylpropyl, isohexyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 3 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적으로, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but it is preferably 3 to 60 carbon atoms, and more preferably 3 to 30 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3 ,4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR201R202R203로 표시되고, R201 내지 R203은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the silyl group is a substituent including Si and the Si atom is directly connected as a radical, represented by -SiR 201 R 202 R 203 , R 201 to R 203 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Alkyl group; Alkenyl group; Alkoxy group; Cycloalkyl group; Aryl group; And it may be a substituent consisting of at least one of a heterocyclic group. Specific examples of the silyl group include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, etc. It is not limited.
본 명세서에서 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50인 것이 바람직하고, 6 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적으로, 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, when the aryl group is a monocyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited, but it is preferably 6 to 50 carbon atoms, and more preferably 6 to 30 carbon atoms. Specifically, the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, or a quarterphenyl group, but is not limited thereto.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 50인 것이 바람직하고, 10 내지 30이 더욱 바람직하다. 구체적으로, 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the aryl group is a polycyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited. It is preferably 10 to 50 carbon atoms, and more preferably 10 to 30 carbon atoms. Specifically, the polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a triphenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and adjacent substituents may be bonded to each other to form a ring.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, , ,, ,,등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the fluorenyl group is substituted, , , , , , And the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 것으로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하고, 2 내지 30인 것이 더욱 바람직하다. 헤테로아릴기의 예로는, 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 아크리딘기, 피리다진기, 피라진기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 프탈라진기(phthalazine), 프테리딘기(pteridine), 피리도피리미딘기(pyridopyrimidine), 피리도피라진기(pyridopyrazine), 피라지노피라진기(pyrazinopyrazine), 이소퀴놀린기, 인돌기, 피리도인돌기(pyridoindole), 인데노피리미딘(5H-indenopyrimidine), 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기 및 티아디아졸릴기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heteroaryl group is one containing one or more of N, O, S, Si and Se as a heteroatom, and the number of carbons is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms, and more preferably 2 to 30 carbon atoms. Do. Examples of the heteroaryl group include thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, oxadiazole group, triazole group, pyridine group, bipyridine group, pyrimidine group, triazine group, acri Dine group, pyridazine group, pyrazine group, quinoline group, quinazoline group, quinoxaline group, phthalazine group (phthalazine), pteridine group (pteridine), pyridopyrimidine group (pyridopyrimidine), pyridopyrazine group (pyridopyrazine), Pyrazinopyrazine, isoquinoline, indole, pyridoindole, indenopyrimidine (5H-indenopyrimidine), carbazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, benzothiazole group, benzocarba There are sol group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuran group, dibenzofuran group, phenanthroline group, thiazolyl group, isoxazolyl group, oxadiazolyl group and thiadiazolyl group, etc. , It is not limited to these.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, the phosphine oxide group specifically includes a diphenylphosphine oxide group, a dinaphthylphosphine oxide, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, an arylene group means that the aryl group has two bonding positions, that is, a divalent group. Except that each of these is a divalent group, the description of the aryl group described above may be applied.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the heteroarylene group means that the heteroaryl group has two bonding positions, that is, a divalent group. Except that each of these is a divalent group, the description of the aforementioned heteroaryl group may be applied.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1은 N이다. In an exemplary embodiment of the present specification, X1 is N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X2는 N이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X2 is N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X3은 N이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X3 is N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 각각 N이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 and X2 are each N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X3은 각각 N이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 and X3 are each N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 내지 X3은 각각 N이다.In an exemplary embodiment of the present specification, X1 to X3 are each N.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13 이내의 아릴렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 13 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합 또는 치환 또는 비치환된 2환 이내의 아릴렌기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond or an arylene group within a substituted or unsubstituted bicyclic ring.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond, a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted naphthylene group, or a substituted or unsubstituted fluorenylene group. to be.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, L은 직접결합, 페닐렌기, 비페닐렌기 또는 나프틸렌기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, L is a direct bond, a phenylene group, a biphenylene group, or a naphthylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 니트릴기, 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 15의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently has 6 to 20 carbon atoms substituted or unsubstituted with a nitrile group, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or a heteroaryl group having 2 to 12 carbon atoms. Aryl group; Or it is a C2-C12 heteroaryl group substituted or unsubstituted with a C1-C3 alkyl group or a C6-C15 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 15 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 2환 이내의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted bicyclic aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다. In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group. , Or a substituted or unsubstituted fluorenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 비페닐기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기, 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다. In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 12 carbon atoms, a biphenyl group unsubstituted or substituted with a nitrile group, an aryl having 6 to 20 carbon atoms A naphthyl group substituted or unsubstituted with a group, or a fluorenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 카바졸기 또는 퀴놀린기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 비페닐기, 또는 나프틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group unsubstituted or substituted with a carbazole group or a quinoline group, a biphenyl group unsubstituted or substituted with a nitrile group, or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 페닐기, 비페닐기 또는 나프틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a phenyl group, a biphenyl group, or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 6 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 6 to 18 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 3환 이내의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group within 3 rings.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 2환 이내의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group within bicyclic rings.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 치환 또는 비치환된 카바졸기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 피리미딘기, 치환 또는 비치환된 트리아진기, 치환 또는 비치환된 퀴놀린기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a substituted or unsubstituted carbazole group, a substituted or unsubstituted pyridine group, a substituted or unsubstituted pyrimidine group, a substituted or unsubstituted triazine group, a substituted or unsubstituted quinoline. Group, a substituted or unsubstituted dibenzofuran group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기, 피리딘기, 페닐기로 치환 또는 비치환된 퀴놀린기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a carbazole group unsubstituted or substituted with a phenyl group, a pyridine group, a quinoline group unsubstituted or substituted with a phenyl group, a dibenzofuran group, or a dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 카바졸기, 피리딘기 또는 퀴놀린기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a carbazole group, a pyridine group, or a quinoline group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1은 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 is a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 2환 이내의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted bicyclic aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다. In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group , Or a substituted or unsubstituted fluorenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 비페닐기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기, 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a phenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 12 carbon atoms, a biphenyl group unsubstituted or substituted with a nitrile group, an aryl having 6 to 20 carbon atoms A naphthyl group substituted or unsubstituted with a group, or a fluorenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 카바졸기 또는 퀴놀린기로 치환 또는 비치환된 페닐기, 니트릴기로 치환 또는 비치환된 비페닐기, 또는 나프틸기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a phenyl group unsubstituted or substituted with a carbazole group or a quinoline group, a biphenyl group unsubstituted or substituted with a nitrile group, or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 페닐기, 비페닐기 또는 나프틸기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a phenyl group, a biphenyl group, or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 6 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 6 to 18 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 3환 이내의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group within 3 rings.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 2환 이내의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group within 2 rings.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 치환 또는 비치환된 카바졸기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 피리미딘기, 치환 또는 비치환된 트리아진기, 치환 또는 비치환된 퀴놀린기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted carbazole group, a substituted or unsubstituted pyridine group, a substituted or unsubstituted pyrimidine group, a substituted or unsubstituted triazine group, a substituted or unsubstituted quinoline. Group, a substituted or unsubstituted dibenzofuran group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기, 피리딘기, 페닐기로 치환 또는 비치환된 퀴놀린기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a carbazole group unsubstituted or substituted with a phenyl group, a pyridine group, a quinoline group unsubstituted or substituted with a phenyl group, a dibenzofuran group, or a dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 카바졸기, 피리딘기 또는 퀴놀린기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a carbazole group, a pyridine group, or a quinoline group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar2는 디벤조퓨란기 또는 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar2 is a dibenzofuran group or a dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 15의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 12의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is an aryl group having 6 to 20 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 12 carbon atoms; Or it is a C2-C12 heteroaryl group substituted or unsubstituted with a C1-C3 alkyl group or a C6-C15 aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 2환 이내의 아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted bicyclic aryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthryl group. , Or a substituted or unsubstituted fluorenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 페닐기 또는 나프틸기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a phenyl group or a naphthyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 페닐기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a phenyl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 6 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 3환 이내의 헤테로아릴기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted heteroaryl group within 3 rings.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 치환 또는 비치환된 카바졸기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 피리미딘기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아진기이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a substituted or unsubstituted carbazole group, a substituted or unsubstituted dibenzofuran group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group, a substituted or unsubstituted pyridine group, a substituted or It is an unsubstituted pyrimidine group, or a substituted or unsubstituted triazine group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 디벤조퓨란기이다. In an exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a dibenzofuran group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar3은 디벤조티오펜기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is a dibenzothiophene group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar3은 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 to Ar3 may be any one selected from the following structures.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 상기 구조에서 선택되는 어느 하나이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently is any one selected from the above structure.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3는 상기의 구조에서 선택되는 어느 하나이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is any one selected from the above structures.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar3은 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 to Ar3 may be any one selected from the following structures.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 상기 구조에서 선택되는 어느 하나이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently is any one selected from the above structure.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar3는 상기의 구조에서 선택되는 어느 하나이다.In the exemplary embodiment of the present specification, Ar3 is any one selected from the above structures.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R 및 R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R and R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, r1은 1 내지 3의 정수이며, r2는 1 내지 4의 정수이고, 상기 r1 및 r2가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R1 및 R2는 각각 서로 같거나 상이하다.In the exemplary embodiment of the present specification, r1 is an integer of 1 to 3, r2 is an integer of 1 to 4, and when r1 and r2 are each 2 or more, 2 or more R1 and R2 are each the same or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R은 수소이다.In an exemplary embodiment of the present specification, R is hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 각각 수소이다. In an exemplary embodiment of the present specification, R1 to R6 are each hydrogen.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다. 후술하는 제조예들에서는 대표적인 예시들을 기재하지만, 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당 기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다. The compound according to an exemplary embodiment of the present specification may be prepared by a manufacturing method described below. In the preparation examples described below, representative examples are described, but if necessary, a substituent may be added or excluded, and the position of the substituent may be changed. In addition, starting materials, reactants, reaction conditions, and the like can be changed based on techniques known in the art.
예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 일반식 1 및 2와 같이 코어 구조가 제조될 수 있다. 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다. 하기 일반식 1 및 2와 같이 치환기를 결합시킬 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the compound represented by Formula 1 may have a core structure as shown in Formulas 1 and 2 below. Substituents may be bonded by methods known in the art, and the type, position, or number of substituents may be changed according to techniques known in the art. Substituents may be combined as shown in Formulas 1 and 2 below, but are not limited thereto.
[일반식 1][General Formula 1]
[일반식 2][General Formula 2]
상기 일반식 1 및 2에 있어서, X1 내지 X3, L, Ar1 및 Ar2에 대한 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. 상기 일반식에는 R1 내지 R6가 표시되어 있지 않지만, R1 내지 R6가 치환된 반응물을 사용하거나 상기 일반식 1 또는 2에 의하여 생성된 생성물에 당 기술 분야에 알려져 있는 방법으로 R1 내지 R6를 치환할 수 있다.In the general formulas 1 and 2, the definitions for X1 to X3, L, Ar1, and Ar2 are the same as those defined in Chemical Formula 1. Although R1 to R6 are not indicated in the general formula, R1 to R6 may be substituted by using a reactant in which R1 to R6 is substituted, or for the product produced by the general formula 1 or 2 by a method known in the art. have.
또한, 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 전자 소자를 제공한다.In addition, the present specification provides an organic electronic device including the above compound.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다. In an exemplary embodiment of the present specification, the first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; And one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In this specification, when a member is positioned "on" another member, this includes not only the case where the member is in contact with the other member, but also the case where another member exists between the two members.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary.
본 명세서의 유기 전자 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 전자 소자의 대표적인 예로서, 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단층, 정공 차단층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 전자 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic electronic device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, as a representative example of the organic electronic device of the present specification, the organic light emitting device may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, etc. as an organic material layer. have. However, the structure of the organic electronic device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한 발광층은 녹색을 띤다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the compound represented by Formula 1 above. The light emitting layer including the compound represented by Formula 1 has a green color.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 호스트로서 포함한다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the compound represented by Formula 1 as a host of the emission layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층 또는 정공 수송층을 포함하고, 상기 정공 주입층 또는 정공 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole injection layer or the hole transport layer includes the compound represented by Formula 1 above.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자 주입층 또는 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 주입층 또는 전자 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an electron injection layer or an electron transport layer, and the electron injection layer or the electron transport layer includes the compound represented by Formula 1 above.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자 차단층을 포함하고, 상기 전자 차단층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes an electron blocking layer, and the electron blocking layer includes the compound represented by Formula 1 above.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 차단층을 포함하고, 상기 정공 차단층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes a hole blocking layer, and the hole blocking layer includes a compound represented by Formula 1 above.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 정공 주입층, 정공 수송층. 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic electronic device is a hole injection layer and a hole transport layer. It further includes one or two or more layers selected from the group consisting of a light-emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and an electron blocking layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 정공 주입층, 정공 수송층. 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층, 전자 차단층 및 전자 주입 및 수송층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic electronic device is a hole injection layer and a hole transport layer. It further includes one or two or more layers selected from the group consisting of a light-emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, and an electron injection and transport layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광소자, 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic electronic device may be selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic phosphorescent device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor.
이하에서는 유기 발광 소자에 대하여 예시한다.Hereinafter, an organic light-emitting device is illustrated.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 및 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device includes a first electrode; A second electrode provided to face the first electrode; A light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode; And two or more organic material layers provided between the light-emitting layer and the first electrode, or between the light-emitting layer and the second electrode, and at least one of the two or more organic material layers includes a compound represented by Formula 1 above.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, two or more organic material layers may be selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, a layer for simultaneously transporting and injecting holes, and an electron blocking layer.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 전자 수 송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자 수송층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 2층 이상의 전자 수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 전자 수송층에 포함될 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes two or more electron transport layers, and at least one of the two or more electron transport layers includes a compound represented by Formula 1 above. Specifically, in the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 may be included in one of the two or more electron transport layers, and may be included in each of two or more electron transport layers.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 전자 수송층에 포함되는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In addition, in the exemplary embodiment of the present specification, when the compound represented by Formula 1 is included in each of the two or more electron transport layers, materials other than the compound represented by Formula 1 may be the same or different from each other. have.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층이 전자 수송층인 경우, 상기 전자 수송층은 n형 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 당 기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있으며, 예컨대 금속 또는 금속착체를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자 수송층은 LiQ(Lithium Quinolate)를 더 포함할 수 있다.When the organic material layer including the compound represented by Formula 1 is an electron transport layer, the electron transport layer may further include an n-type dopant. As the n-type dopant, those known in the art may be used, for example, a metal or a metal complex. For example, the electron transport layer including the compound represented by Formula 1 may further include LiQ (Lithium Quinolate).
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 정공수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 정공 수송층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 2층 이상의 정공 수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 정공 수송층에 포함될 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer includes two or more hole transport layers, and at least one of the two or more hole transport layers includes a compound represented by Formula 1 above. Specifically, in the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 may be included in one of the two or more hole transport layers, and may be included in each of two or more hole transport layers.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 정공 수송층에 포함되는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In addition, in the exemplary embodiment of the present specification, when the compound represented by Formula 1 is included in each of the two or more hole transport layers, materials other than the compound represented by Formula 1 may be the same or different from each other. have.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층 이외에 아릴아민기, 카바졸기 또는 벤조카바졸기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공 주입층 또는 정공 수송층을 더 포함할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic material layer further includes a hole injection layer or a hole transport layer including a compound including an arylamine group, a carbazole group, or a benzocarbazole group in addition to the organic material layer including the compound represented by Formula 1 can do.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드 또는 캐소드이다.In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode or a cathode.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 전극은 캐소드 또는 애노드이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the second electrode is a cathode or an anode.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. In the exemplary embodiment of the present specification, the organic light-emitting device may be a normal type organic light-emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the organic light emitting device may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조가 도 1 내지 4에 예시되어 있다. 상기 도 1 내지 도 4는 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되는 것은 아니다. For example, the structure of an organic light-emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 to 4. 1 to 4 illustrate an organic light emitting device, but are not limited thereto.
도 1에는 기판(101) 위에 제1 전극(102), 발광층(106) 및 제2 전극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층에 포함된다.1 illustrates a structure of an organic light-emitting device in which a
도 2에는 기판(101) 위에 제1 전극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 발광층(106), 제2 전극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물층 중 1층 이상에 포함된다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 주입층, 정공 수송층 및 발광층 중 1층 이상에 포함된다. 2 shows a structure of an organic light emitting diode in which a
도 3에는 기판(101) 위에 제1 전극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 차단층(105), 발광층(106), 정공 차단층(107), 전자 수송층(108), 전자 주입층(109), 제2 전극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물층 중 1층 이상에 포함된다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 발광층, 정공 차단층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 1층 이상에 포함된다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 차단층 또는 전자 수송층에 포함된다.3, a
도 4에는 기판(101) 위에 제1 전극(102), 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 차단층(105), 발광층(106), 정공 차단층(107), 전자 주입 및 수송층(111). 제2 전극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물층 중 1층 이상에 포함된다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 발광층, 정공 차단층, 전자 주입 및 전자 수송층 중 1층 이상에 포함된다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 차단층 또는 전자 주입 및 전자 수송층에 포함된다.4, a
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. The organic light-emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers includes the compound, that is, the compound represented by Formula 1.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. When the organic light-emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질, 유기물층 및 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다. For example, the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially laminating an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, the anode is deposited by depositing a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof on the substrate. It can be manufactured by forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light-emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, the compound represented by Formula 1 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spray method, roll coating, and the like, but is not limited thereto.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질로부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate (International Patent Application Publication No. 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이다. In the exemplary embodiment of the present specification, the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드이다. In another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode, and the second electrode is an anode.
상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 예를 들어, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); A combination of metal and oxide such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb; Conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.
상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 예를 들어, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The cathode material is generally preferably a material having a small work function so that electrons can be easily injected into the organic material layer. Metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; There are a multi-layered material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but are not limited thereto.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로, 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The emission layer may include a host material and a dopant material. Host materials include condensed aromatic ring derivatives or heterocyclic-containing compounds. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocycle-containing compounds include dibenzofuran derivatives, ladder furan compounds, And pyrimidine derivatives, but are not limited thereto.
상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로, 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있다. 또한, 스티릴아민 화합물은 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아민기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the dopant material include aromatic amine derivatives, strylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes. Specifically, the aromatic amine derivative is a condensed aromatic ring derivative having a substituted or unsubstituted arylamine group, and includes pyrene, anthracene, chrysene, and periflanthene having an arylamine group. In addition, the styrylamine compound is a compound in which at least one arylvinyl group is substituted with a substituted or unsubstituted arylamine, and is selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and an arylamine group. Substituents are substituted or unsubstituted. Specifically, there are styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, and styryltetraamine, but are not limited thereto. In addition, examples of the metal complex include an iridium complex and a platinum complex, but are not limited thereto.
본 명세서에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 발광층 이외의 유기물층에 포함되거나, 추가의 발광층이 구비되는 경우, 상기 발광층의 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 예를 들어, 8-히드록시퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 및 루브렌 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, when the compound represented by Formula 1 is included in an organic material layer other than the emission layer or an additional emission layer is provided, the emission material of the emission layer is formed by transporting and bonding holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively. As a material capable of emitting light in the visible region, a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. For example, 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq3); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole, and benzimidazole-based compounds; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymer; Spiro compounds; Polyfluorene; And rubrene, but are not limited thereto.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층이다. 정공 주입 물질은 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드로부터 정공 수취 효과 및 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지할 수 있는 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는, 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물; 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물; 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물; 페릴렌(perylene) 계열의 유기물; 안트라퀴논, 폴리아닐린과 같은 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from an electrode. It is preferable that the hole injection material has an ability to transport holes and thus has an effect of receiving holes from the anode and an excellent hole injection effect to the light emitting layer or the light emitting material. In addition, a material having excellent ability to prevent the movement of excitons generated in the light emitting layer to the electron injection layer or the electron injection material is preferable. In addition, a material excellent in thin film formation ability is preferred. In addition, it is preferable that the HOMO (highest occupied molecular orbital) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material; Hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material; Quinacridone series organic matter; Perylene-based organics; There are polythiophene-based conductive polymers such as anthraquinone and polyaniline, but are not limited thereto.
상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층이다. 정공 수송 물질로는 애노드이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the emission layer. The hole transport material is a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer and transferring them to the emission layer, and a material having high mobility for holes is preferable. Specific examples include, but are not limited to, an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together.
상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층이다. 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이, 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질은 낮은 일함수를 가지며, 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로, 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨 등이 있고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다. 본 발명의 일 실시상태에서는 상기 화학식 1으로 표시되는 화합물이 전자 수송층에 포함된다. The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer. The electron transport material is a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer, and a material having high mobility for electrons is preferable. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq3; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer can be used with any desired cathode material, as used according to the prior art. In particular, suitable cathode materials are conventional materials that have a low work function and are followed by an aluminum layer or a silver layer. Specifically, there are cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, and in each case, an aluminum layer or a silver layer follows. In an exemplary embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 1 is included in the electron transport layer.
상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층이다. 전자 주입물로는 전자를 수송하는 능력이 우수하고, 캐소드로부터의 전자 수취 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤이 정공 주입층으로 이동하는 것을 방지하고, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 구체적으로는, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The electron injection layer is a layer that injects electrons from an electrode. The electron injection material preferably has an excellent ability to transport electrons, has an effect of receiving electrons from the cathode, and an excellent electron injection effect with respect to the light emitting layer or the light emitting material. In addition, a material that prevents excitons generated in the light emitting layer from moving to the hole injection layer and has excellent thin film formation ability is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, and their derivatives, Metal complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.
상기 금속 착체 화합물로는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As the metal complex compound, 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese , Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h) ]Quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato) (o-cresolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. , But is not limited thereto.
상기 전자 차단층은 정공 주입층으로부터 주입된 정공이 발광층을 지나 전자 주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이다. 공지된 재료는 제한 없이 사용 가능하며, 발광층과 정공 주입층 사이에, 발광층과 정공 수송층 사이에, 또는 발광층과 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 사이에 형성될 수 있다. The electron blocking layer is a layer capable of improving the lifespan and efficiency of a device by preventing holes injected from the hole injection layer from entering the electron injection layer through the emission layer. Known materials may be used without limitation, and may be formed between the light-emitting layer and the hole injection layer, between the light-emitting layer and the hole transport layer, or between the light-emitting layer and a layer for simultaneously injecting and transporting holes.
상기 정공 차단층은 정공의 캐소드로 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공 주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시상태에서는 상기 화학식 1으로 표시되는 화합물이 정공 차단층에 포함된다.The hole blocking layer is a layer that prevents holes from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, aluminum complexes, and the like, but are not limited thereto. In an exemplary embodiment of the present invention, the compound represented by Formula 1 is included in the hole blocking layer.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a bottom emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.In the exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by Formula 1 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to the organic light emitting device.
본 명세서에 따른 화합물은 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다. 예컨대, 상기 유기 태양 전지는 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 광활성층을 포함하는 구조일 수 있고, 상기 광활성층은 상기 화합물을 포함할 수 있다.The compound according to the present specification may act on a principle similar to that applied to an organic light-emitting device in organic electronic devices, including an organic phosphorescent device, an organic solar cell, an organic photoreceptor, and an organic transistor. For example, the organic solar cell may have a structure including a first electrode, a second electrode, and a photoactive layer provided between the first electrode and the second electrode, and the photoactive layer may include the compound.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예 등을 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예 및 비교예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예 및 비교예에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예 및 비교예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, examples and comparative examples will be described in detail to describe the present specification in detail. However, the Examples and Comparative Examples according to the present specification may be modified in various forms, and the scope of the present specification is not construed as being limited to the Examples and Comparative Examples described below. Examples and comparative examples of the present specification are provided to more completely describe the present specification to those of ordinary skill in the art.
<제조예><Production Example>
<제조예 1> - 중간체 합성<Production Example 1>-Intermediate synthesis
상기 일반식 1 및 2의 제조 방법을 이용하여 하기 중간체 A 내지 D 및 중간체 A-1 내지 D-1을 제조하였다. The following Intermediates A to D and Intermediates A-1 to D-1 were prepared using the preparation method of General Formulas 1 and 2.
<제조예 2> <Production Example 2>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A-1 (6.51g, 10.16mmol) 및 화합물 a-1 (3.94g, 11.17mmol)을 테트라하이드로퓨란 280ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(140ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.35g, 0.30mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 110ml로 재결정하여 화합물 1 (4.37g, 66%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 651Intermediate A-1 (6.51g, 10.16mmol) and compound a-1 (3.94g, 11.17mmol) were completely dissolved in 280ml of tetrahydrofuran in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (140ml) was added. . After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.35g, 0.30mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 110 ml of tetrahydrofuran to prepare compound 1 (4.37g, 66%). MS[M+H] + = 651
<제조예 3><Production Example 3>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A-1 (5.37g, 8.38mmol) 및 화합물 a-2 (3.25g, 9.22mmol)를 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.29g, 0.25mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 에틸아세테이트 180ml로 재결정하여 화합물 2 (3.26g, 60%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 651Intermediate A-1 (5.37 g, 8.38 mmol) and compound a-2 (3.25 g, 9.22 mmol) were completely dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran in a 500 ml round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (100 ml) was added. . After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.29g, 0.25mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 3 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 180 ml of ethyl acetate to prepare compound 2 (3.26 g, 60%). MS[M+H] + = 651
<제조예 4><Production Example 4>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A-1 (7.23g, 11.28mmol) 및 화합물 a-3 (4.37g, 12.41mmol)을 테트라하이드로퓨란 220ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(110ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.39g, 0.34mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세톤 210ml로 재결정하여 화합물 3 (4.43g, 60%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 650Intermediate A-1 (7.23g, 11.28mmol) and compound a-3 (4.37g, 12.41mmol) were completely dissolved in 220 ml of tetrahydrofuran in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (110ml) was added. . After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.39g, 0.34mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 210 ml of acetone to prepare compound 3 (4.43 g, 60%). MS[M+H] + = 650
<제조예 5><Production Example 5>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 B-1 (8.12g, 11.75mmol) 및 화합물 a-4 (4.54g, 12.93mmol)을 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.41g, 0.35mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세톤 170ml로 재결정하여 화합물 4 (5.76g, 70%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 699Intermediate B-1 (8.12g, 11.75mmol) and compound a-4 (4.54g, 12.93mmol) were completely dissolved in 240ml of tetrahydrofuran in a 500ml round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (120ml) was added. . After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.41g, 0.35mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 170 ml of acetone to prepare compound 4 (5.76g, 70%). MS[M+H] + = 699
<제조예 6><Production Example 6>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 B-1 (7.56g, 10.94mmol) 및 화합물 a-1 (4.25g, 12.03mmol)을 테트라하이드로퓨란 260ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(130ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.38g, 0.33mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 에틸아세테이트 190ml로 재결정하여 화합물 5 (4.92g, 64%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 701Intermediate B-1 (7.56g, 10.94mmol) and compound a-1 (4.25g, 12.03mmol) were completely dissolved in 260ml of tetrahydrofuran in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (130ml) was added. . After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.38g, 0.33mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 190 ml of ethyl acetate to prepare compound 5 (4.92 g, 64%). MS[M+H] + = 701
<제조예 7><Production Example 7>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 C-1 (6.82g, 10.64mmol) 및 화합물 a-5 (4.72g, 11.70mmol)을 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.37g, 0.32mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 에틸아세테이트 170ml로 재결정하여 화합물 6 (4.32g, 58%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 701Intermediate C-1 (6.82g, 10.64mmol) and compound a-5 (4.72g, 11.70mmol) were completely dissolved in 240ml of tetrahydrofuran in a 500ml round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (120ml) was added. . After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.37g, 0.32mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 170 ml of ethyl acetate to prepare compound 6 (4.32 g, 58%). MS[M+H] + = 701
<제조예 8><Production Example 8>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A (6.50g, 16.80mmol) 및 화합물 a-6 (5.62g, 15.27mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.53g, 0.46mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 160ml로 재결정하여 화합물 7 (7.16g, 69%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 676Intermediate A (6.50 g, 16.80 mmol) and compound a-6 (5.62 g, 15.27 mmol) were completely dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran in a 500 ml round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (100 ml) was added. After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.53g, 0.46mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 160 ml of acetonitrile to prepare compound 7 (7.16g, 69%). MS[M+H] + = 676
<제조예 9><Production Example 9>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A (5.29g, 14.83mmol) 및 화합물 a-7 (4.96g, 13.48mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.47g, 0.40mmol)을 넣은 후 5 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 190ml로 재결정하여 화합물 8 (5.68g, 57%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 740Intermediate A (5.29g, 14.83mmol) and compound a-7 (4.96g, 13.48mmol) were completely dissolved in 200ml of tetrahydrofuran in a 500ml round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (100ml) was added. After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.47g, 0.40mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 190 ml of acetonitrile to prepare compound 8 (5.68 g, 57%). MS[M+H] + = 740
<제조예 10><Production Example 10>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 B (6.74g, 15.42mmol) 및 화합물 a-8 (5.23g, 14.02mmol)을 테트라하이드로퓨란 260ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(130ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.49g, 0.42mmol)을 넣은 후 6 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 180ml로 재결정하여 화합물 9 (6.65g, 65%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 731Intermediate B (6.74 g, 15.42 mmol) and compound a-8 (5.23 g, 14.02 mmol) were completely dissolved in 260 ml of tetrahydrofuran in a 500 ml round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (130 ml) was added. After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.49g, 0.42mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 6 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 180 ml of acetonitrile to prepare compound 9 (6.65g, 65%). MS[M+H] + = 731
<제조예 11><Production Example 11>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 B (8.41g, 19.25mmol) 및 화합물 a-9 (7.56g, 17.50mmol)을 테트라하이드로퓨란 280ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(140ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.61g, 0.53mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 210ml로 재결정하여 화합물 10 (7.16g, 52%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 790Intermediate B (8.41 g, 19.25 mmol) and compound a-9 (7.56 g, 17.50 mmol) were completely dissolved in 280 ml of tetrahydrofuran in a 500 ml round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (140 ml) was added. After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.61g, 0.53mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 210 ml of acetonitrile to prepare compound 10 (7.16 g, 52%). MS[M+H] + = 790
<제조예 12><Production Example 12>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 C (9.50g, 19.91mmol) 및 화합물 a-10 (4.87g, 18.10mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.63g, 0.54mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 180ml로 재결정하여 화합물 11 (6.11g, 51%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 667Intermediate C (9.50g, 19.91mmol) and compound a-10 (4.87g, 18.10mmol) were completely dissolved in 200ml of tetrahydrofuran in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (100ml) was added. After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.63g, 0.54mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 3 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 180 ml of acetonitrile to prepare compound 11 (6.11 g, 51%). MS[M+H] + = 667
<제조예 13><Production Example 13>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 A-1 (5.98g, 13.93mmol) 및 화합물 a-11 (8.12g, 12.67mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.44g, 0.38mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 210ml로 재결정하여 화합물 12 (5.56g, 60%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 727Intermediate A-1 (5.98 g, 13.93 mmol) and compound a-11 (8.12 g, 12.67 mmol) were completely dissolved in 200 ml of tetrahydrofuran in a 500 ml round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (100 ml) was added. . After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.44g, 0.38mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 3 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 210 ml of acetonitrile to prepare compound 12 (5.56g, 60%). MS[M+H] + = 727
<제조예 14><Production Example 14>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 B (8.28g, 18.94mmol) 및 화합물 a-12 (6.32g, 17.22mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.60g, 0.52mmol)을 넣은 후 4 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 아세트니트릴 230ml로 재결정하여 화합물 13 (6.82g, 55%)을 제조하였다. MS[M+H]+= 725Intermediate B (8.28g, 18.94mmol) and compound a-12 (6.32g, 17.22mmol) were completely dissolved in 200ml of tetrahydrofuran in a 500ml round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (100ml) was added. After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.60g, 0.52mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 230 ml of acetonitrile to prepare compound 13 (6.82g, 55%). MS[M+H] + = 725
<제조예 15><Production Example 15>
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 중간체 D (7.78g, 15.79mmol) 및 화합물 a-13 (5.67g, 14.35mmol)을 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120ml)을 첨가했다. 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.50g, 0.43mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반 하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후, 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 210ml로 재결정하여 화합물 14 (5.55g, 48%)를 제조하였다. MS[M+H]+= 809Intermediate D (7.78g, 15.79mmol) and compound a-13 (5.67g, 14.35mmol) were completely dissolved in 240ml of tetrahydrofuran in a 500ml round bottom flask in a nitrogen atmosphere, and then 2M aqueous potassium carbonate solution (120ml) was added. After tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.50g, 0.43mmol) was added, the mixture was heated and stirred for 3 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 210 ml of tetrahydrofuran to prepare compound 14 (5.55 g, 48%). MS[M+H] + = 809
<실시예><Example>
<실시예 1-1><Example 1-1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) having a thickness of 1,000Å was put in distilled water dissolved in a detergent and washed with ultrasonic waves. At this time, a product made by Fischer Co. was used as a detergent, and distilled water secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, it was repeated twice with distilled water to perform ultrasonic cleaning for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 HI1 및 하기 화합물 HI2의 화합물을 98:2(몰비)의 비가 되도록 100Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 화합물 HT1을 1,150Å의 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 50Å으로 하기 화합물 EB1을 진공 증착하여 전자 차단층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자 차단층 위에 막 두께 200Å으로 하기 화합물 BH 및 하기 화합물 BD를 50:1의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 막 두께 50Å으로 상기에서 제조한 화합물 1을 진공 증착하여 정공 차단층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 차단층 위에 하기 화합물 ET1과 하기 화합물 LiQ를 1:1의 중량비로 진공증착하여 30Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 캐소드을 형성하였다. On the ITO transparent electrode prepared as described above, a compound of the following compound HI1 and the following compound HI2 was thermally vacuum deposited to a thickness of 100 Å in a ratio of 98:2 (molar ratio) to form a hole injection layer. The following compound HT1 was vacuum deposited on the hole injection layer to a thickness of 1,150 Å to form a hole transport layer. Subsequently, the following compound EB1 was vacuum deposited on the hole transport layer with a film thickness of 50 Å to form an electron blocking layer. Subsequently, the following compound BH and the following compound BD were vacuum-deposited at a weight ratio of 50:1 with a film thickness of 200 Å on the electron blocking layer to form a light emitting layer. A hole blocking layer was formed by vacuum depositing Compound 1 prepared above with a film thickness of 50 Å on the emission layer. Subsequently, the following compound ET1 and the following compound LiQ were vacuum-deposited at a weight ratio of 1:1 on the hole blocking layer to form an electron injection and transport layer with a thickness of 30 Å. A cathode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) to a thickness of 12 Å and aluminum to a thickness of 1,000 Å on the electron injection and transport layer.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 내지 0.7Å/sec를 유지하였고, 캐소드의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 X 10-7 내지 5 X 10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.Was the deposition rate of the organic material in the above process, maintaining the range of 0.4 to 0.7Å / sec, the lithium fluoride of the cathode 0.3Å / sec, the deposition rate of aluminum was maintained 2Å / sec, During the deposition, a vacuum 10 2 X - Maintaining 7 to 5 X 10 -6 torr, an organic light emitting device was manufactured.
<실시예 1-2 내지 1-7><Examples 1-2 to 1-7>
상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of Compound 1 in Example 1-1.
<비교예 1-1 내지 1-3><Comparative Examples 1-1 to 1-3>
상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 화합물 HB2 및 HB3을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that the following compounds HB2 and HB3 were used instead of compound 1 in Example 1-1.
상기 실시예 1-1 내지 1-5, 비교예 1-1 내지 비교예 1-3에 의해 제작된 유기 발광 소자를 20 mA/cm2의 전류밀도에서 구동 전압, 효율 및 색좌표를 측정하였고, 20mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(T95)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The driving voltage, efficiency, and color coordinates were measured for the organic light-emitting devices fabricated in Examples 1-1 to 1-5 and Comparative Examples 1-1 to 1-3 at a current density of 20 mA/cm 2, and 20 mA The time (T95) to be 95% of the initial luminance at a current density of /cm 2 was measured. The results are shown in Table 1 below.
(정공 차단층)compound
(Hole blocking layer)
(V@20mA
/cm2)Voltage
(V@20mA
/cm 2 )
(cd/A@20mA
/cm2)efficiency
(cd/A@20mA
/cm 2 )
(x,y)Color coordinates
(x,y)
(hr)T95
(hr)
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물을 정공 차단층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우, 비교예 1-1 내지 비교예 1-3에 비하여, 효율, 구동 전압 및/또는 안정성 면에서 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있다. 특히, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용한 실시예 1-1 내지 1-5는 비교예 1-1 내지 1-3에 비하여, 수명 특성이 우수한 것을 알 수 있다. As shown in Table 1, in the case of an organic light-emitting device manufactured using the compound represented by Formula 1 of the present specification as a hole blocking layer, compared to Comparative Examples 1-1 to 1-3, efficiency and driving voltage And/or it can be seen that exhibit excellent properties in terms of stability. In particular, it can be seen that Examples 1-1 to 1-5 using the compound represented by Chemical Formula 1 of the present specification have superior lifetime characteristics compared to Comparative Examples 1-1 to 1-3.
<실시예 2-1 내지 2-10><Examples 2-1 to 2-10>
상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 화합물 HB1을 사용하고, 화합물 ET1 대신 하기 표 2에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that the following compound HB1 was used instead of the compound 1 in Example 1-1, and the compound shown in Table 2 was used instead of the compound ET1.
<비교예 2-1 및 2-2><Comparative Examples 2-1 and 2-2>
상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 상기 화합물 HB1을 사용하고, 화합물 ET1 대신 하기 표 2에 기재된 화합물을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that the compound HB1 was used instead of the compound 1 in Example 1-1, and the compound shown in Table 2 below was used instead of the compound ET1.
상기 실시예 2-1 내지 2-10, 비교예 2-1 및 비교예 2-2에 의해 제작된 유기 발광 소자를 20 mA/cm2의 전류밀도에서 구동 전압, 효율 및 색좌표를 측정하였고, 20mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(T95)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The driving voltage, efficiency, and color coordinates were measured for the organic light-emitting devices fabricated in Examples 2-1 to 2-10, Comparative Example 2-1, and Comparative Example 2-2 at a current density of 20 mA/cm 2, and 20 mA The time (T95) to be 95% of the initial luminance at a current density of /cm 2 was measured. The results are shown in Table 2 below.
(전자 수송층)compound
(Electron transport layer)
(V@20mA
/cm2)Voltage
(V@20mA
/cm 2 )
(cd/A@20mA
/cm2)efficiency
(cd/A@20mA
/cm 2 )
(x,y)Color coordinates
(x,y)
(hr)TT95
(hr)
상기 표 2에서 보는 바와 같이, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물을 전자 수송층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우, 비교예 2-1 및 2-2에 비하여, 효율, 구동 전압 및/또는 안정성 면에서 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있다. 특히, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용한 실시예 2-1 내지 2-10은 비교예 2-1 및 2-2에 비하여, 수명 특성이 우수한 것을 알 수 있다. As shown in Table 2, in the case of an organic light-emitting device manufactured using the compound represented by Formula 1 of the present specification as an electron transport layer, compared to Comparative Examples 2-1 and 2-2, efficiency, driving voltage, and/or It can be seen that it shows excellent properties in terms of stability. In particular, it can be seen that Examples 2-1 to 2-10 using the compound represented by Chemical Formula 1 of the present specification have superior lifespan characteristics compared to Comparative Examples 2-1 and 2-2.
이상을 통해, 본 명세서의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허 청구 범위 및 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하며, 이 또한 발명의 범주에 속한다.Through the above, although the preferred embodiment of the present specification has been described, the present invention is not limited thereto, and it is possible to implement various modifications within the scope of the claims and the detailed description of the invention, and this is also the scope of the invention. Belongs to.
101: 기판
102: 제1 전극
103: 정공 주입층
104: 정공 수송층
105: 전자 차단층
106: 발광층
107: 정공 차단층
108: 전자 수송층
109: 전자 주입층
110: 제2 전극
111: 전자 주입 및 수송층101: substrate
102: first electrode
103: hole injection layer
104: hole transport layer
105: electron blocking layer
106: light-emitting layer
107: hole blocking layer
108: electron transport layer
109: electron injection layer
110: second electrode
111: electron injection and transport layer
Claims (10)
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
X1 내지 X3 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 N 또는 CR이며,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 치환 또는 비치환된 피리딘기; 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 치환 또는 비치환된 트리아진기; 치환 또는 비치환된 퀴놀린기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이며,
Ar3는 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이고,
Ar3이 치환 또는 비치환된 아릴기인 경우, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이고,
Ar3이 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기인 경우, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 피리딘기; 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 치환 또는 비치환된 트리아진기; 또는 치환 또는 비치환된 퀴놀린기이고,
R 및 R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
r1은 1 내지 3의 정수이며,
r2는 1 내지 4의 정수이고,
상기 r1 및 r2가 각각 2 이상일 때, 2 이상의 R1 및 R2는 각각 서로 같거나 상이하다.Compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
In Formula 1,
At least one of X1 to X3 is N, and the others are each independently N or CR,
L is a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted carbazole group; A substituted or unsubstituted pyridine group; A substituted or unsubstituted pyrimidine group; A substituted or unsubstituted triazine group; A substituted or unsubstituted quinoline group; A substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group,
Ar3 is a substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group,
When Ar3 is a substituted or unsubstituted aryl group, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted carbazole group; A substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group,
Ar3 is a substituted or unsubstituted dibenzofuran group; Or in the case of a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group, Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; A substituted or unsubstituted pyridine group; A substituted or unsubstituted pyrimidine group; A substituted or unsubstituted triazine group; Or a substituted or unsubstituted quinoline group,
R and R1 to R6 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
r1 is an integer from 1 to 3,
r2 is an integer from 1 to 4,
When r1 and r2 are each 2 or more, two or more R1 and R2 are each the same as or different from each other.
The compound of claim 1, wherein the compound represented by Formula 1 is any one selected from the following compounds:
Priority Applications (1)
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