KR20190138374A - 안테나 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 챔버 내부에서 발생 가능한 플라즈마의 불균형을 해소할 수 있는 안테나 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치를 제공하기 위하여, 기판의 공정공간에 플라즈마를 발생시키는 안테나 유닛에 있어서, 전력이 인가될 수 있는 제1 입력단이 일단에 마련되며 상기 제1 입력단을 통해 인가되는 전류의 흐름이 제1 방향으로 진행되도록 하는 제1 안테나 모듈 및 전력이 인가될 수 있는 제2 입력단이 일단에 마련되며 상기 제2 입력단을 통해 인가되는 전류의 흐름이 상기 제1 방향으로 진행되도록 하고 상기 제2 입력단이 상기 제1 안테나 모듈의 몸체 측방에 이격 배치되어 적어도 일부가 상기 제1 안테나 모듈과 중첩영역을 형성하는 제2 안테나 모듈을 포함하고, 상기 중첩영역 하측에서는 상기 플라즈마의 밀도가 상승된다. 이에, 플라즈마의 밀도가 국부적으로 상승하도록 하여 기판 처리를 위한 플라즈마의 불균형을 해소할 수 있는 바, 양질의 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.

Description

안테나 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치{ANTENNA UNIT, AND PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 안테나 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판의 처리를 위한 안테나 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 처리장치는 플라즈마를 기반으로 기판을 처리하는 장치를 의미한다. 플라즈마 처리장치는 증착, 식각 또는 이온 주입 등 다양한 방식으로 기판의 처리를 수행한다. 특히, 최근에는 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있는 유도결합 플라즈마 처리장치에 대한 연구 개발이 활발하게 진행되고 있다.
이러한 유도결합 플라즈마 처리장치에 대한 종래 기술은 이미 "대한민국 공개특허공보 제2016-0068254호(플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치, 2016.06.15.)"에 의해 공개되어 있다. 상기 공개발명은 기판이 배치되는 챔버 내부에 유도결합 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생모듈이 설치된다. 여기서, 플라즈마 발생모듈은 기판의 대형화에 대응 가능하도록 복수 개의 안테나를 포함한다.
다만, 기판의 대면적화에 따라 기판의 처리를 위한 챔버가 대형화되고 있어, 챔버 내부에서 발생되는 플라즈마의 밀도가 영역별로 상이해질 수 있었다. 특히, 유도결합 플라즈마 처리장치는 전력이 인가되는 안테나의 입력단으로부터 거리가 멀어질수록 안테나 하측에서 발생되는 플라즈마의 밀도가 저하된다. 이에, 기판 처리를 위한 플라즈마에 불균형이 발생되어, 양질의 기판을 제조하기 어려운 문제점이 있었다.
대한민국 공개특허공보 제2016-0068254호(플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치, 2016.06.15.)
본 발명의 목적은 챔버 내부에서 발생 가능한 플라즈마의 불균형을 해소할 수 있는 안테나 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 안테나 유닛은 기판의 공정공간에 플라즈마를 발생시키는 안테나 유닛에 있어서, 전력이 인가될 수 있는 제1 입력단이 일단에 마련되며 상기 제1 입력단을 통해 인가되는 전류의 흐름이 제1 방향으로 진행되도록 하는 제1 안테나 모듈 및 전력이 인가될 수 있는 제2 입력단이 일단에 마련되며 상기 제2 입력단을 통해 인가되는 전류의 흐름이 상기 제1 방향으로 진행되도록 하고 상기 제2 입력단이 상기 제1 안테나 모듈의 몸체 측방에 이격 배치되어 적어도 일부가 상기 제1 안테나 모듈과 중첩영역을 형성하는 제2 안테나 모듈을 포함하고, 상기 중첩영역 하측에서는 상기 플라즈마의 밀도가 상승된다.
상기 제2 입력단은 평면 방향에서 상기 제1 안테나 모듈의 몸체 측방에 배치될 수 있다.
상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈은 평면 방향에서 상호 평행하게 배치될 수 있다.
상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈 각각은 상기 전력이 인가되는 제1 안테나 영역과, 상기 제1 안테나 영역으로부터 연장되어 상기 제1 안테나 영역으로부터 상기 전류의 흐름이 제공되는 제2 안테나 영역과, 상기 제2 안테나 영역에 이웃하도록 상기 제1 안테나 영역으로부터 연장되어 상기 제1 안테나 영역으로부터 상기 전류의 흐름이 제공되는 제3 안테나 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 안테나 영역은 상기 전력이 입력되는 경로를 형성하는 입력부와, 상기 입력부에 교차하는 방향으로 상기 입력부와 연결되며 일측에 상기 제2 안테나 영역이 연결되고 타측에 상기 제3 안테나 영역이 연결되는 분기부를 포함할 수 있다.
상기 제2 안테나 모듈의 상기 제1 안테나 영역은 상기 제1 안테나 모듈의 상기 제2 안테나 영역과 상기 제3 안테나 영역 사이에 배치되어, 상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈이 상기 중첩영역을 형성하도록 할 수 있다.
상기 제2 안테나 영역과 상기 제3 안테나 영역은 평면 방향에서 상호 평행하게 배치될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 기판이 반입되는 챔버 및 상기 기판에 마주하도록 배치되어 상기 챔버 내부에 플라즈마를 발생시키는 안테나 유닛을 포함하고, 상기 안테나 유닛은 고주파 전력이 인가될 수 있는 제1 입력단이 일단에 마련되며 상기 제1 입력단을 통해 인가되는 전류의 흐름이 제1 방향으로 진행되도록 하는 제1 안테나 모듈 및 고주파 전력이 인가될 수 있는 제2 입력단이 일단에 마련되며 상기 제2 입력단을 통해 인가되는 전류의 흐름이 상기 제1 방향으로 진행되도록 하고 상기 제2 입력단이 상기 제1 안테나 모듈의 몸체 측방에 이격 배치되어 적어도 일부가 상기 제1 안테나 모듈과 중첩영역을 형성하는 제2 안테나 모듈을 포함하고, 상기 중첩영역 하측에서는 상기 플라즈마의 밀도가 상승된다.
상기 제1 입력단은 평면 방향에서 상기 제1 안테나 모듈의 몸체 측방에 배치될 수 있다.
상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈은 평면 방향에서 상호 평행하게 배치될 수 있다.
상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈 각각은 상기 고주파 전력이 인가되는 제1 안테나 영역과, 상기 제1 안테나 영역으로부터 연장되어 상기 제1 안테나 영역으로부터 상기 전류의 흐름이 제공되는 제2 안테나 영역과, 상기 제2 안테나 영역에 이웃하도록 상기 제1 안테나 영역으로부터 연장되어 상기 제1 안테나 영역으로부터 상기 전류의 흐름이 제공되는 제3 안테나 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 안테나 영역은 상기 전력이 입력되는 경로를 형성하는 입력부와, 상기 입력부에 교차하는 방향으로 상기 입력부와 연결되며 일측에 상기 제2 안테나 영역이 연결되고 타측에 상기 제3 안테나 영역이 연결되는 분기부를 포함할 수 있다.
상기 제2 안테나 모듈의 상기 제1 안테나 영역은 상기 제1 안테나 모듈의 상기 제2 안테나 영역과 상기 제3 안테나 영역 사이에 배치되어, 상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈이 상기 중첩영역을 형성하도록 할 수 있다.
상기 제2 안테나 영역과 상기 제3 안테나 영역은 평면 방향에서 상호 평행하게 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 안테나 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치는 플라즈마의 밀도가 국부적으로 상승하도록 하여 기판 처리를 위한 플라즈마의 불균형을 해소할 수 있는 바, 양질의 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 안테나 유닛을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 종래의 안테나 유닛과 본 실시예에 따른 안테나 유닛을 상호 비교한 개념도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 안테나 유닛을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
도 1은 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100, 이하, 처리장치라 칭한다.)는 챔버(100a)를 포함한다.
먼저, 챔버(100a)는 처리장치(100)의 외형을 형성한다. 그리고 챔버(100a) 내부에는 기판(S)을 처리하기 위한 공정공간이 형성된다. 이러한 챔버(100a)는 내벽이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 마련될 수 있으나, 챔버(100a)의 재질은 한정하지 않는다.
그리고 챔버(100a)의 일측에는 기판(S)이 반입 및 반출되는 경로를 형성하는 게이트 밸브(110)가 장착될 수 있다. 다만, 이는 본 실시예를 설명하기 위한 것으로 챔버(100a)는 개구가 형성된 하부챔버, 및 하부챔버의 개구를 개폐할 수 상부챔버로 구분되어 기판(S)의 반입 및 반출 경로를 형성할 수 있다.
한편, 챔버(100a) 내부에는 기판(S)을 지지하는 스테이지(120)가 배치된다. 스테이지(120)는 챔버(100a) 내부 하부영역에 배치되며, 바이어스용 고주파 전원(P1)과 연결될 수 있다. 여기서, 스테이지(120)에는 기판(S)의 온도를 제어하기 위한 히터 또는 쿨러 등이 장착될 수 있으며, 기판(S)을 척킹하기 위한 척킹유닛이 장착될 수 있다. 또한, 스테이지(120)는 필요에 따라 챔버(100a) 내부에서 승강 및 회전 가능하도록 마련될 수 있다.
한편, 챔버(100a)에는 복수 개의 안테나 유닛(130)이 배치된다.
복수 개의 안테나 유닛(130)은 챔버(100a) 내부 상부영역에 배치될 수 있으며, 각각이 설정된 영역에 배치될 수 있다. 여기서, 각각의 안테나 유닛(130)에는 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원(P2)이 연결되며, 외부에 접지된 상태를 유지할 수 있다. 그리고 안테나 유닛(130)과 고주파 전원(P2) 사이에는 임피던스 정합을 수행하는 정합기(A)가 마련된다. 이에, 복수 개의 안테나 유닛(130)은 고주파 전원을 기반으로 챔버(100a) 내부에 유도전계를 형성한다. 이러한 안테나 유닛(130)은 복수 개의 안테나 모듈을 포함할 수 있으며, 안테나 모듈에 대해서는 이하에서 첨부된 도면을 참조하여 다시 설명하도록 한다.
한편, 복수 개의 안테나 유닛(130) 하측에는 윈도우(140)가 설치된다. 윈도우(140)는 복수 개로 마련될 수 있으며, 유전체 또는 메탈 재질로 마련될 수 있다. 이러한 윈도우(140)는 리드 프레임(150)에 의해 챔버(100a)에 지지된다. 리드 프레임(150)은 격자 형태로 마련될 수 있으며, 각각의 격자 공간에는 윈도우(140)가 지지될 수 있다.
그리고 챔버(100a)에는 공정공간으로 공정가스를 유입하는 가스 공급유닛(160) 및 챔버(100a) 내부에 진공 분위기를 형성하는 진공펌프(170)가 연결될 수 있다. 이에, 공정공간에는 기판(S) 처리를 위한 공정 분위기가 형성 및 유지될 수 있다.
한편, 이하에서는 상술된 안테나 유닛(130)에 대하여 상세히 설명하도록 한다. 다만, 상술된 구성요소에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 동일한 참조부호를 부여하여 설명하도록 한다.
도 2는 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 안테나 유닛을 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 3은 종래의 안테나 유닛과 본 실시예에 따른 안테나 유닛을 상호 비교한 개념도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 안테나 유닛(130)은 제1 안테나 모듈(131) 및 제2 안테나 모듈(132)을 포함할 수 있다.
먼저, 제1 안테나 모듈(131)은 제1 안테나 영역(131a), 제2 안테나 영역(131b) 및 제3 안테나 영역(131c)을 포함한다.
제1 안테나 영역(131a)은 제1 입력부(131aa) 및 제1 분기부(131ab)로 구성될 수 있다.
제1 입력부(131aa)는 일 방향으로 기다란 프레임 형태로 마련된다. 여기서, 제1 입력부(131aa)의 일단은 고주파 전력이 인가되는 제1 입력단을 형성하고, 타단에는 제1 분기부(131ab)가 연결될 수 있다. 제1 분기부(131ab)는 일 방향으로 기다란 프레임 형태로 마련되어, 평면 방향에서 제1 입력부(131aa)에 교차하도록 연결된다. 이때, 제1 입력부(131aa)의 타단은 제1 분기부(131ab)의 대략 중심영역에 연결될 수 있다.
그리고 제2 안테나 영역(131b)과 제3 안테나 영역(131c)은 일 방향으로 기다란 프레임 형태로 마련된다. 여기서, 제2 안테나 영역(131b)은 제1 분기부(131ab)의 일단에 연결되고, 제3 안테나 영역(131c)은 제1 분기부(131ab)의 타단에 연결된다. 이때, 제2 안테나 영역(131b)과 제3 안테나 영역(131c)은 평면 방향에서 상호 평행하게 배치될 수 있으나, 이를 한정하지 않는다.
이러한 제1 안테나 모듈(131)은 고주파 전원(P2)으로부터 고주파 전력이 인가될 때에, 전류의 흐름이 제1 안테나 영역(131a)으로부터 제2 안테나 영역(131b)과 제3 안테나 영역(131c)으로 분기되며 이루어진다.
한편, 제2 안테나 모듈(132)은 제4 안테나 영역(132a), 제5 안테나 영역(132b) 및 제6 안테나 영역(132c)을 포함한다.
제4 안테나 영역(132a)은 제2 입력부(132aa) 및 제2 분기부(132ab)로 구성될 수 있다.
제2 입력부(132aa)는 일 방향으로 기다란 프레임 형태로 마련된다. 여기서, 제2 입력부(132aa)의 일단은 고주파 전력이 인가되는 제2 입력단을 형성하고, 타단에는 제2 분기부(132ab)가 연결될 수 있다. 제2 분기부(132ab)는 일 방향으로 기다란 프레임 형태로 마련되어, 평면 방향에서 제2 입력부(132aa)에 교차하도록 연결된다. 이때, 제2 입력부(132aa)의 타단은 제2 분기부(132ab)의 대략 중심영역에 연결될 수 있다.
그리고 제5 안테나 영역(132b)과 제6 안테나 영역(132c)은 일 방향으로 기다란 프레임 형태로 마련된다. 여기서, 제5 안테나 영역(132b)은 제2 분기부(132ab)의 일단에 연결되고, 제6 안테나 영역(132c)은 제2 분기부(132ab)의 타단에 연결된다. 이때, 제5 안테나 영역(132b)과 제6 안테나 영역(132c)은 평면 방향에서 상호 평행하게 배치될 수 있으나, 이를 한정하지 않는다.
이러한 제2 안테나 모듈(132)은 고주파 전원(P2)으로부터 고주파 전력이 인가될 때에 전류의 흐름이 제4 안테나 영역(132a)으로부터 제5 안테나 영역(132b)과 제6 안테나 영역(132c)으로 분기되며 제공된다.
한편, 제1 안테나 모듈(131)과 제2 안테나 모듈(132)은 평면 방향에서 상호 중첩되도록 이격 배치되어, 제1 안테나 모듈(131)과 제2 안테나 모듈(132) 사이에 중첩영역(200)이 형성되도록 한다.
일례로, 제2 안테나 모듈(132)은 제2 입력부(132aa)가 제1 안테나 모듈(131)의 제2 안테나 영역(131b)과 제3 안테나 영역(131c) 사이에 위치하도록 배치된다. 이에, 제1 안테나 모듈(131)과 제2 안테나 모듈(132) 사이에는 중첩영역(200)이 형성된다.
이때, 제2 안테나 영역(131b)과 제3 안테나 영역(131c)에서는 전류 흐름이 일단으로부터 타단을 향해 제1 방향으로 이루어지고, 제2 입력부(132aa)에서도 전류의 흐름이 제2 입력단으로부터 제2 분기부(132ab) 향해 제1 방향으로 이루어지게 된다. 이에, 제2 안테나 영역(131b), 제3 안테나 영역(131c), 및 제2 입력부(132aa)에 의해 형성되는 중첩영역(200)에서는 상호 동일한 방향으로 전류의 흐름이 이루어지게 된다.
따라서, 제1 안테나 모듈(131)과 제2 안테나 모듈(132)의 중첩영역(200)에서는 상호 인덕턴스 및 전위가 증가하게 된다. 이에, 중첩영역(200)에서는 전위의 상승과 함께 플라즈마의 밀도가 국부적으로 증가하게 된다.
일반적으로 도 3a와 같이, 단일의 안테나 모듈(10)을 구비할 경우에 고주파 전력이 인가되는 입력단으로부터 타단 방향으로 전위가 점차적으로 감소하게 된다. 이에, 챔버(100a) 내부에서 발생되는 플라즈마의 밀도에 불균형이 발생된다. 즉, 전류의 흐름에 따라 안테나 모듈(10) 하측에서 발생되는 플라즈마의 밀도가 점차적으로 감소하여 양질의 기판을 제조하기 어려운 문제점이 있었다.
그러나 도 3b와 같이, 본 실시예에 따른 안테나 유닛(130)은 제1 안테나 모듈(131)과 제2 안테나 모듈(132)이 중첩영역(200)을 형성하도록 배치된다. 이때, 제2 안테나 모듈(132)의 제2 입력단이 제1 안테나 모듈(131)의 전위 감소를 보상할 뿐만 아니라 중첩영역(200)에서는 제1 안테나 모듈(131)의 전류 흐름과 제2 안테나 모듈(132)의 전류 흐름이 동일한 방향으로 진행됨에 따라 상호 인덕턴스가 증가하게 된다.
따라서 중첩영역(200) 하측에서의 플라즈마 밀도가 국부적으로 상승하게 되고, 결과적으로 플라즈마의 밀도에 불균형이 발생되는 것을 억제할 수 있는 이점이 있다.
또한, 안테나 유닛(130)은 제1 안테나 모듈(131)과 제2 안테나 모듈(132) 사이의 거리가 조절 가능하도록 마련되어, 플라즈마의 밀도가 국부적으로 상승되는 거리를 조절할 수 있게 한다.
한편, 이하에서는 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 안테나 유닛에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. 다만, 상술된 구성요소에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 동일한 참조부호를 부여하여 설명하도록 한다.
도 4는 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 안테나 유닛을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에 따른 안테나 유닛(130)은 제1 안테나 모듈(131) 및 제2 안테나 모듈(132)을 포함할 수 있다.
먼저, 제1 안테나 모듈(131)은 일 방향으로 기다란 프레임 형태로 마련될 수 있다. 여기서, 제1 안테나 모듈(131)의 일단은 고주파 전력이 인가되는 제1 입력단을 형성하여, 전류의 흐름이 일단으로부터 타단 방향으로 이루어지도록 할 수 있다.
그리고 제2 안테나 모듈(132)은 일 방향으로 기다란 프레임 형태로 마련될 수 있다. 여기서, 제2 안테나 모듈(132)의 일단은 고주파 전력이 인가되는 제2 입력단을 형성하여, 전류의 흐름이 일단으로부터 타단 방향으로 이루어지도록 할 수 있다.
이때, 제1 안테나 모듈(131)과 제2 안테나 모듈(132)은 상호 중첩되도록 이격 배치되어 제1 안테나 모듈(131)과 제2 안테나 모듈(132) 사이에 중첩영역(200)이 형성되도록 한다. 일례로, 제2 안테나 모듈(132)은 제1 안테나 모듈(131)의 측방에 이격 배치되며, 제2 입력단이 제1 안테나 모듈(131)의 제1 입력단과 타단 사이에 배치되어 중첩영역(200)을 형성한다. 이에, 중첩영역(200)에서는 제2 입력단이 제1 안테나 모듈(131)의 전위 감소를 보상할 뿐만 아니라 상호 동일한 방향으로 전류의 흐름이 이루어지게 되어, 상호 인덕턴스 및 전위가 증가하게 된다.
따라서 중첩영역(200) 하측에서 발생되는 플라즈마는 국부적으로 밀도가 증가하게 되고, 결과적으로 챔버(100a) 내부에서 발생될 수 있는 플라즈마의 불균형을 해소할 수 있는 이점이 있다.
한편, 본 실시예에서는 안테나 유닛(130)이 제1 안테나 모듈(131)과 제2 안테나 모듈(132)을 포함하는 실시예를 설명하고 있다. 그러나 이는 본 실시예를 설명하기 위한 것으로 안테나 모듈의 개수는 증가될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 안테나 유닛 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치는 플라즈마의 밀도가 국부적으로 상승하도록 하여 기판 처리를 위한 플라즈마의 불균형을 해소할 수 있는 바, 양질의 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
100 : 플라즈마 처리장치 100a : 챔버
110 : 게이트 밸브 120 : 스테이지
130 : 안테나 유닛 140 : 윈도우
150 : 리드 프레임 160 : 가스 공급유닛
170 : 진공펌프

Claims (14)

  1. 기판의 공정공간에 플라즈마를 발생시키는 안테나 유닛에 있어서,
    전력이 인가될 수 있는 제1 입력단이 일단에 마련되며 상기 제1 입력단을 통해 인가되는 전류의 흐름이 제1 방향으로 진행되도록 하는 제1 안테나 모듈; 및
    전력이 인가될 수 있는 제2 입력단이 일단에 마련되며 상기 제2 입력단을 통해 인가되는 전류의 흐름이 상기 제1 방향으로 진행되도록 하고 상기 제2 입력단이 상기 제1 안테나 모듈의 몸체 측방에 이격 배치되어 적어도 일부가 상기 제1 안테나 모듈과 중첩영역을 형성하는 제2 안테나 모듈을 포함하고,
    상기 중첩영역 하측에서는 상기 플라즈마의 밀도가 상승되는 것을 특징으로 하는 안테나 유닛.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 입력단은
    평면 방향에서 상기 제1 안테나 모듈의 몸체 측방에 배치되는 것을 특징으로 하는 안테나 유닛.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈은
    평면 방향에서 상호 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 안테나 유닛.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈 각각은
    상기 전력이 인가되는 제1 안테나 영역과,
    상기 제1 안테나 영역으로부터 연장되어 상기 제1 안테나 영역으로부터 상기 전류의 흐름이 제공되는 제2 안테나 영역과,
    상기 제2 안테나 영역에 이웃하도록 상기 제1 안테나 영역으로부터 연장되어 상기 제1 안테나 영역으로부터 상기 전류의 흐름이 제공되는 제3 안테나 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 유닛.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 안테나 영역은
    상기 전력이 입력되는 경로를 형성하는 입력부와,
    상기 입력부에 교차하는 방향으로 상기 입력부와 연결되며 일측에 상기 제2 안테나 영역이 연결되고 타측에 상기 제3 안테나 영역이 연결되는 분기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나 유닛.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 안테나 모듈의 상기 제1 안테나 영역은 상기 제1 안테나 모듈의 상기 제2 안테나 영역과 상기 제3 안테나 영역 사이에 배치되어,
    상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈이 상기 중첩영역을 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 안테나 유닛.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 안테나 영역과 상기 제3 안테나 영역은
    평면 방향에서 상호 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 안테나 유닛.
  8. 기판이 반입되는 챔버; 및
    상기 기판에 마주하도록 배치되어 상기 챔버 내부에 플라즈마를 발생시키는 안테나 유닛을 포함하고,
    상기 안테나 유닛은
    고주파 전력이 인가될 수 있는 제1 입력단이 일단에 마련되며 상기 제1 입력단을 통해 인가되는 전류의 흐름이 제1 방향으로 진행되도록 하는 제1 안테나 모듈; 및
    고주파 전력이 인가될 수 있는 제2 입력단이 일단에 마련되며 상기 제2 입력단을 통해 인가되는 전류의 흐름이 상기 제1 방향으로 진행되도록 하고 상기 제2 입력단이 상기 제1 안테나 모듈의 몸체 측방에 이격 배치되어 적어도 일부가 상기 제1 안테나 모듈과 중첩영역을 형성하는 제2 안테나 모듈을 포함하고,
    상기 중첩영역 하측에서는 상기 플라즈마의 밀도가 상승되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 입력단은
    평면 방향에서 상기 제1 안테나 모듈의 몸체 측방에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈은
    평면 방향에서 상호 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈 각각은
    상기 고주파 전력이 인가되는 제1 안테나 영역과,
    상기 제1 안테나 영역으로부터 연장되어 상기 제1 안테나 영역으로부터 상기 전류의 흐름이 제공되는 제2 안테나 영역과,
    상기 제2 안테나 영역에 이웃하도록 상기 제1 안테나 영역으로부터 연장되어 상기 제1 안테나 영역으로부터 상기 전류의 흐름이 제공되는 제3 안테나 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 안테나 영역은
    상기 전력이 입력되는 경로를 형성하는 입력부와,
    상기 입력부에 교차하는 방향으로 상기 입력부와 연결되며 일측에 상기 제2 안테나 영역이 연결되고 타측에 상기 제3 안테나 영역이 연결되는 분기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 안테나 모듈의 상기 제1 안테나 영역은 상기 제1 안테나 모듈의 상기 제2 안테나 영역과 상기 제3 안테나 영역 사이에 배치되어,
    상기 제1 안테나 모듈과 상기 제2 안테나 모듈이 상기 중첩영역을 형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 안테나 영역과 상기 제3 안테나 영역은
    평면 방향에서 상호 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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