KR20190136937A - Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and article manufacturing method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate holding apparatus, which comprises: a base with a gap; and a reflecting member disposed in the gap and configured to reflect light transmitted through the substrate to a substrate side, and to an exposure apparatus comprising the substrate holding apparatus.

Description

기판 보유지지 장치, 노광 장치 및 물품 제조 방법{SUBSTRATE HOLDING APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}Substrate holding device, exposure device and article manufacturing method {SUBSTRATE HOLDING APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 개시내용은 기판 보유지지 장치, 노광 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate holding apparatus, an exposure apparatus and an article manufacturing method.

포토리소그래피 기술을 사용해서 반도체 디바이스 및 액정 표시 소자 등의 디바이스를 제조할 때에 노광 장치가 사용된다. 노광 장치는 마스크의 패턴을 투영 광학계를 통해 기판에 투영하여 패턴을 전사한다.The exposure apparatus is used when manufacturing devices, such as a semiconductor device and a liquid crystal display element, using photolithography technique. The exposure apparatus projects the pattern of the mask onto the substrate through the projection optical system to transfer the pattern.

디바이스의 제조 공정은, 기판에 레지스트를 도포하는 공정, 레지스트를 노광하여 기판에 패턴을 전사하는 공정, 및 패턴이 전사된 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 일반적으로, 기판에 레지스트를 도포하는 공정 및 패턴이 전사된 기판을 현상하는 공정은, 레지스트를 노광하여 기판에 패턴을 전사하는 노광 장치와 상이한 코터 디벨로퍼(coater developer)에 의해 행해진다.The manufacturing process of a device includes the process of apply | coating a resist to a board | substrate, the process of exposing a resist, transferring a pattern to a board | substrate, and the process of developing the board | substrate with which the pattern was transferred. In general, a process of applying a resist to a substrate and a process of developing a substrate onto which the pattern has been transferred are performed by a coater developer different from an exposure apparatus that exposes the resist to transfer the pattern onto the substrate.

디바이스의 제조 공정에서, 이렇게 상이한 장치 사이에서 기판을 전달하면서 디바이스가 제조된다. 각각의 장치에는, 기판을 흡착에 의해 보유지지하여 기판을 전달하는 기판 보유지지 기구가 제공된다. 기판 보유지지 기구는 기판을 보유지지하는 베이스 및 기판을 상승 및 하강시키기 위한 리프트 핀 등의 기판 상승 기구를 포함하는 것이 일반적이다.In the manufacturing process of the device, the device is manufactured while transferring the substrate between these different devices. Each apparatus is provided with a substrate holding mechanism for holding the substrate by adsorption and delivering the substrate. The substrate holding mechanism generally includes a base holding mechanism and a substrate raising mechanism such as a lift pin for raising and lowering the substrate.

기판 아래에 배치되는 베이스와 기판 상승 기구 사이에는 간극이 생성된다. 따라서, 기판에는 베이스 및 기판 상승 기구가 배치되는 영역과 이들 어느 것도 배치되지 않는 영역이 발생한다.A gap is created between the base disposed below the substrate and the substrate raising mechanism. Thus, the substrate is provided with a region where the base and the substrate raising mechanism are arranged and a region where none of them are arranged.

요즘은, 노광 광이 투과하는 투명 기판을 사용해서 디바이스를 제조하는 것도 일반적이다. 투명 기판을 노광하는 경우에는, 기판을 투과한 노광 광이 베이스 또는 기판 상승 기구에 의해 반사되고, 기판에 도포된 레지스트가 반사광에 노광된다. 베이스에 제공된 간극이 레지스트에 조사되는 광량에 차이를 발생시키며, 기판 상에 노광 불균일이 발생한다.It is also common to manufacture a device using the transparent substrate through which exposure light transmits these days. When exposing a transparent substrate, the exposure light which permeate | transmitted the board | substrate is reflected by a base or a board | substrate raising mechanism, and the resist apply | coated to the board | substrate is exposed to reflected light. The gap provided in the base causes a difference in the amount of light irradiated to the resist, and an exposure nonuniformity occurs on the substrate.

상술한 노광 불균일을 저감시키기 위한 기술로서, 중국 특허 출원 공개 공보 제105045048호는 기판 하부의 간극에 반사 방지 부재를 제공함으로써 노광 광의 반사를 제한하는 구성을 개시하고 있다. 중국 특허 출원 공개 공보 제105045048호는, 기판 하부의 간극에 입사한 노광 광이 반사광으로서 기판 상의 레지스트를 감광하고, 간극 상에 위치하는 기판 상의 영역에서 노광량이 과잉이 되는 문제를 개시하고 있다. 간극 상에 위치하는 기판 상의 영역에서의 노광량을 저감시키기 위해서, 중국 특허 출원 공개 공보 제105045048호에 기재된 기판 보유지지 장치는 간극에 반사 방지 부재를 포함한다.As a technique for reducing the above-mentioned exposure nonuniformity, Chinese Patent Application Laid-Open No. 105045048 discloses a configuration for limiting reflection of exposure light by providing an antireflection member in a gap under the substrate. Chinese Patent Application Laid-Open No. 105045048 discloses a problem in which exposure light incident on a gap under the substrate reduces the resist on the substrate as reflected light and causes an excessive exposure amount in a region on the substrate positioned on the gap. In order to reduce the exposure amount in the area on the substrate located on the gap, the substrate holding apparatus described in Chinese Patent Application Laid-Open No. 105045048 includes an antireflection member in the gap.

한편, 본원 출원의 발명자는, 기판 하부의 간극에 입사한 노광 광이 기판 보유지지 장치의 하부로 진행하여 감쇠되고, 노광 광의 대부분은 기판 상의 레지스트에 도달하지 않는 것을 발견했다.On the other hand, the inventor of the present application found that the exposure light incident on the gap between the lower part of the substrate proceeds to the lower part of the substrate holding apparatus and is attenuated, and most of the exposure light does not reach the resist on the substrate.

본 발명의 양태에 따르면, 기판 보유지지 장치는, 간극을 구비하고 기판을 보유지지하도록 구성되는 베이스와 상기 간극에 배치되고 상기 기판을 투과하는 광을 상기 기판을 향해 반사하도록 구성되는 반사 부재를 포함하며, 상기 기판을 투과한 광에 대한 상기 반사 부재의 반사율은 상기 기판을 투과한 광에 대한 상기 베이스의 반사율보다 높다.According to an aspect of the present invention, a substrate holding apparatus includes a base having a gap and configured to hold a substrate and a reflecting member disposed to reflect the light disposed in the gap and passing through the substrate toward the substrate. The reflectance of the reflective member with respect to the light transmitted through the substrate is higher than the reflectance of the base with respect to the light transmitted through the substrate.

본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.Further features of the present invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments with reference to the attached drawings.

도 1은 노광 장치를 도시하는 개략도이다.
도 2a 및 도 2b는 기판 보유지지 기구를 도시하는 개략도이다.
도 3은 제1 예시적인 실시형태에 따른 기판 보유지지 기구에 포함되는 베이스를 도시하는 도면이다.
도 4는 제2 예시적인 실시형태에 따른 기판 보유지지 기구를 구성하는 베이스를 도시하는 도면이다.
도 5는 제3 예시적인 실시형태에 따른 기판 보유지지 기구를 구성하는 베이스를 도시하는 도면이다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c는 제4 예시적인 실시형태에 따른 기판 보유지지 기구를 구성하는 베이스를 도시하는 도면이다.
도 7은 노광 불균일의 발생 메커니즘을 도시하는 개략도이다.
도 8은 감광재의 투과율과 광의 파장 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 9는 노광 불균일을 저감시키기 위한 구성을 도시하는 도면이다.
도 10은 노광 불균일을 저감시키는 메커니즘을 도시하는 개략도이다.
도 11은 반사 부재의 위치와 형상 인자(k) 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 12a 및 도 12b는 각각 베이스의 상면에서의 확산 반사율 및 정반사율을 도시하는 도면이다.
도 13a 및 도 13b는 각각 기판 상승 기구의 상면에서의 확산 반사율 및 정반사율을 도시하는 도면이다.
도 14a 및 도 14b는 각각 반사 부재의 상면에서의 확산 반사율 및 정반사율을 도시하는 도면이다.
도 15는 기판 보유지지 기구의 상세를 도시하는 도면이다.
1 is a schematic view showing an exposure apparatus.
2A and 2B are schematic diagrams showing a substrate holding mechanism.
3 is a diagram illustrating a base included in the substrate holding mechanism according to the first exemplary embodiment.
4 is a diagram illustrating a base constituting the substrate holding mechanism according to the second exemplary embodiment.
FIG. 5 is a diagram showing a base constituting the substrate holding mechanism according to the third exemplary embodiment. FIG.
6A, 6B, and 6C are diagrams illustrating a base constituting the substrate holding mechanism according to the fourth exemplary embodiment.
7 is a schematic diagram showing a mechanism for generating exposure unevenness.
8 is a diagram illustrating a relationship between the transmittance of a photosensitive material and the wavelength of light.
It is a figure which shows the structure for reducing exposure nonuniformity.
10 is a schematic diagram showing a mechanism for reducing exposure unevenness.
11 is a diagram showing a relationship between the position of the reflective member and the shape factor k.
12A and 12B are diagrams showing diffuse reflectance and specular reflectance on the upper surface of the base, respectively.
13A and 13B are diagrams showing diffuse reflectance and specular reflectance on the upper surface of the substrate raising mechanism, respectively.
14A and 14B are diagrams showing diffuse reflectance and specular reflectance on the upper surface of the reflecting member, respectively.
It is a figure which shows the detail of a board | substrate holding mechanism.

이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시형태에 대해서 설명한다. 본 발명에 따른 기판 보유지지 장치는 사파이어 기판 및 유리 기판 등의 투명 기판을 보유지지하는데 적합하다. 사파이어 기판은 예를 들어 LED(Light Emitting Diode) 소자를 위한 기판으로서 사용할 수 있다. 유리 기판은 예를 들어 액정 패널을 위한 기판으로서 사용할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The substrate holding apparatus according to the present invention is suitable for holding a transparent substrate such as a sapphire substrate and a glass substrate. The sapphire substrate can be used, for example, as a substrate for a light emitting diode (LED) element. The glass substrate can be used, for example, as a substrate for a liquid crystal panel.

도 1은, 예시적인 실시형태의 일 양태에 따른 노광 장치(1)의 구성을 도시하는 개략도이다. 노광 장치(1)는 기판 상에 패턴을 형성하기 위해서 사용된다. 노광 장치(1)는, 광원(110)을 포함하는 광원 장치(100), 원판(310)을 조명하는 조명 광학계(200), 및 원판(310)을 보유지지하는 원판 스테이지(300)를 포함한다. 노광 장치(1)는, 원판(310)의 패턴의 상을 기판 보유지지 기구(500)(기판 스테이지 또는 기판 보유지지 장치) 위에 보유지지된 기판(510)에 투영하는 투영 광학계(400)를 더 포함한다.1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an exposure apparatus 1 according to an aspect of an exemplary embodiment. The exposure apparatus 1 is used to form a pattern on a substrate. The exposure apparatus 1 includes a light source device 100 including a light source 110, an illumination optical system 200 for illuminating the disc 310, and a disc stage 300 holding the disc 310. . The exposure apparatus 1 further includes a projection optical system 400 for projecting an image of the pattern of the original plate 310 onto the substrate 510 held on the substrate holding mechanism 500 (substrate stage or substrate holding apparatus). Include.

광원(110)으로서 고압 수은 램프 또는 엑시머 레이저가 사용된다. 일반적인 노광 광으로서, g-선(약 436 nm의 파장을 가짐) 및 100 내지 400 nm의 파장 영역을 갖는 근자외광이 사용된다. 예를 들어, 초고압 수은 램프의 g-선 및 i-선(약 365 nm의 파장을 가짐), KrF 엑시머 레이저 광(약 248 nm의 파장을 가짐), ArF 엑시머 레이저 광(약 193 nm의 파장을 가짐), 및 F2 레이저 광(약 157 nm의 파장을 가짐)이 사용된다.As the light source 110, a high pressure mercury lamp or excimer laser is used. As general exposure light, near ultraviolet light having a g-ray (having a wavelength of about 436 nm) and a wavelength region of 100 to 400 nm is used. For example, g- and i-rays of ultra-high pressure mercury lamps (having a wavelength of about 365 nm), KrF excimer laser light (having a wavelength of about 248 nm), ArF excimer laser light (about 193 nm). ), And F2 laser light (having a wavelength of about 157 nm).

광원(110)으로부터 조사된 광은, 조명 광학계(200)에 포함되는 광학계(210)를 통해서 원판(310)에 유도된다. 광학계(410)와 개구 조리개(420)를 포함하는 투영 광학계(400)는, 원판(310)의 패턴을 미리결정된 투영 배율로 기판(510)에 투영한다. 기판(510)에는 특정한 파장을 갖는 광에 대하여 감도를 갖는 감광재(레지스트)가 도포된다. 원판(310)의 패턴의 상이 레지스트에 투영되면, 레지스트에 잠상 패턴이 형성된다.Light irradiated from the light source 110 is guided to the disc 310 through the optical system 210 included in the illumination optical system 200. The projection optical system 400 including the optical system 410 and the aperture stop 420 projects the pattern of the original plate 310 onto the substrate 510 at a predetermined projection magnification. The substrate 510 is coated with a photosensitive material (resist) having sensitivity to light having a specific wavelength. When the image of the pattern of the original plate 310 is projected onto the resist, a latent image pattern is formed in the resist.

기판(510)은, 기판 보유지지 장치로서의 기판 보유지지 기구(500)에 의해 보유지지된다. 기판 보유지지 기구(500)는, 흡착 패드(도시되지 않음)를 사용한 진공 흡착 또는 정전 흡착을 통해 기판(510)을 보유지지한다. 기판 보유지지 기구(500)의 구성을 이하에서 상세하게 설명한다.The board | substrate 510 is hold | maintained by the board | substrate holding mechanism 500 as a board | substrate holding apparatus. The substrate holding mechanism 500 holds the substrate 510 through vacuum adsorption or electrostatic adsorption using an adsorption pad (not shown). The structure of the board | substrate holding mechanism 500 is demonstrated in detail below.

노광 장치(1)는, 본 예시적인 실시형태에 따르면, 원판(310)과 기판(510)을 주사 방향으로 동기하여 주사하면서, 원판(310)의 패턴을 기판(510)에 전사하는 주사형 노광 장치(스캐너)이다. 이하의 설명에서는, 연직 방향을 Z 축 방향으로서 규정하고, Z 축 방향에 수직한 평면 내에서의 기판(510)의 주사 방향을 Y 축 방향으로서 규정하며, Z 축 방향 및 Y 축 방향에 수직인 방향으로서의 비주사 방향을 X 축 방향으로서 규정한다.The exposure apparatus 1 scans the original 310 and the substrate 510 synchronously in the scanning direction while scanning the original 310 and the substrate 510 according to the present exemplary embodiment, and the scanning exposure that transfers the pattern of the original 310 to the substrate 510. Device (scanner). In the following description, the vertical direction is defined as the Z axis direction, the scanning direction of the substrate 510 in the plane perpendicular to the Z axis direction is defined as the Y axis direction, and is perpendicular to the Z axis direction and the Y axis direction. The non-scanning direction as the direction is defined as the X axis direction.

투영 광학계(400)에 의해 기판(510) 위에 투영되는 광량(노광량)은 패턴의 선 폭을 결정하는 중요한 요소이다. 적절한 노광량으로 기판(510) 상의 레지스트를 노광함으로써, 정밀도가 높은 패턴을 형성하는 것이 가능하게 된다.The amount of light (exposure amount) projected on the substrate 510 by the projection optical system 400 is an important factor for determining the line width of the pattern. By exposing the resist on the substrate 510 at an appropriate exposure amount, it is possible to form a high precision pattern.

예를 들어, 기판(510) 상의 패턴 형성 영역에 동일한 패턴을 반복적으로 형성하는 경우에는, 패턴 형성 영역의 전역에서 노광 불균일이 발생하지 않도록 레지스트를 노광하는 것이 바람직하다. 조명 광학계(200) 및 투영 광학계(400)의 구성을 고안함으로써, 기판(510)에 투영되는 노광량의 불균일을 저감시킬 수 있다. 그러나, 플레어 광(flare light)이라 불리는 것이 기판(510) 상의 레지스트에 조사되는 경우, 레지스트에 입사하는 광량의 불균일이 발생할 수 있다.For example, when the same pattern is repeatedly formed in the pattern formation region on the substrate 510, it is preferable to expose the resist so that exposure unevenness does not occur in the entire area of the pattern formation region. By devising the configurations of the illumination optical system 200 and the projection optical system 400, the variation in the exposure amount projected on the substrate 510 can be reduced. However, when what is called flare light is irradiated to the resist on the substrate 510, non-uniformity in the amount of light incident on the resist may occur.

원판(310)을 투과한 광 중, 기판(510) 상의 레지스트에 조사되는, 투영 광학계(400)에 포함되는 광학계(410) 및 개구 조리개(420)의 개구부를 투과하는 광을 정규 광이라 지칭하고, 정규 광 이외의 광을 플레어 광이라 지칭한다.Among the light transmitted through the original plate 310, the light transmitted through the opening of the optical system 410 and the aperture stop 420 included in the projection optical system 400, which is irradiated to the resist on the substrate 510, is referred to as normal light. , Light other than normal light is referred to as flare light.

<노광 불균일의 발생><Occurrence of exposure nonuniformity>

노광 장치에서의 노광 불균일의 발생 원인에 대해도 도 2a 내지 도 7을 참조하여 이하에서 설명한다. 도 2a는 기판(510)이 기판 보유지지 기구(500)에 의해 보유지지되는 상태를 도시한다. 도 2b는 기판(510)이 기판 상승 기구(522)에 의해 Z 축 방향으로 상승되는 상태를 도시한다. 기판(510)은, 기판 상승 기구(522)에 의해 기판 보유지지 기구(500)로부터 분리된 상태에서, 반송 로봇(도시되지 않음) 등의 기판 반송 장치에 의해 반송된다.The cause of exposure nonuniformity in the exposure apparatus will also be described below with reference to FIGS. 2A to 7. 2A shows a state where the substrate 510 is held by the substrate holding mechanism 500. 2B illustrates a state in which the substrate 510 is raised in the Z axis direction by the substrate raising mechanism 522. The board | substrate 510 is conveyed by board | substrate conveying apparatuses, such as a conveyance robot (not shown), in the state isolate | separated from the board | substrate holding mechanism 500 by the board | substrate raising mechanism 522.

도 2a를 참조하면, 기판 보유지지 기구(500)는 베이스(521)와 기판(510) 사이에 위치되는 흡착 패드(도시되지 않음)에 의해 기판(510)을 진공 흡착한다. 흡착 패드는 베이스(521)에 배치된다. 기판(510)을 보유지지하는 방법은 진공 흡착으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판(510)은 정전 흡착을 통해 보유지지될 수 있다. 기판(510)을 노광할 때, 기판(510)은 도 2a에 도시된 바와 같이 베이스(521)에 의해 보유지지된다.Referring to FIG. 2A, the substrate holding mechanism 500 vacuum-adsorbs the substrate 510 by an adsorption pad (not shown) positioned between the base 521 and the substrate 510. Suction pads are disposed in the base 521. The method of holding the substrate 510 is not limited to vacuum adsorption. For example, the substrate 510 may be held through electrostatic adsorption. When exposing the substrate 510, the substrate 510 is held by the base 521 as shown in FIG. 2A.

기판 상승 기구(522)는 Z 축 방향으로 이동가능하다. 도 2b에 도시되는 바와 같이, 기판(510)이 베이스(521)로부터 분리되는 경우, 기판 상승 기구(522)는 Z축 방향으로 이동하여 기판(510)을 Z 축 방향으로 상방으로 상승시킨다.The substrate raising mechanism 522 is movable in the Z axis direction. As shown in FIG. 2B, when the substrate 510 is separated from the base 521, the substrate raising mechanism 522 moves in the Z-axis direction to raise the substrate 510 upward in the Z-axis direction.

기판 상승 기구(522)는, Z 축 방향으로 연직으로 이동하는 상승부(522B) 및 기판(510)과 접촉하는 접촉부(522C)를 포함한다. 접촉부(522C)는 상면(522A)을 갖는다. 접촉부(522C)가 기판(510)과 접촉하기 때문에, 접촉부(522C)의 재료는 접촉부(522C)가 기판(510)에 손상을 거의 유발하지 않거나 접촉에 의해 기판(510)을 거의 마모시키지 않는 것을 고려하여 결정된다. 일반적으로, 접촉부(522C)는 수지 재료로 이루어진다.The substrate raising mechanism 522 includes a rising portion 522B that moves vertically in the Z axis direction and a contact portion 522C that contacts the substrate 510. The contact portion 522C has an upper surface 522A. Since contact 522C contacts substrate 510, the material of contact 522C indicates that contact 522C causes little damage to substrate 510 or hardly wears substrate 510 by contact. It is decided by considering. In general, the contact portion 522C is made of a resin material.

도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(510)이 베이스(521)에 의해 보유지지되는 상태에서, 기판(510)과 기판 상승 기구(522) 사이에는 작은 간극이 제공된다. 이 간극은 기판(510)이 기판 상승 기구(522)와 간섭하는 것을 방지하고, 기판(510)의 위치가 Z 축 방향으로 변화하는 위험을 감소시킨다.As shown in FIG. 2A, with the substrate 510 held by the base 521, a small gap is provided between the substrate 510 and the substrate raising mechanism 522. This gap prevents the substrate 510 from interfering with the substrate raising mechanism 522 and reduces the risk of the position of the substrate 510 changing in the Z-axis direction.

베이스(521)와 기판 상승 기구(522) 사이의 배치 관계에 대해서 도 3 내지 도 6c를 참고해서 이하에서 설명한다. 도 3은, XY 평면에서 기판 보유지지 기구(500)를 구성하는 베이스(521)가 8개의 기판 보유지지부로 분할되고, 인접하는 기판 보유지지부의 사이에 간극이 제공되는 예를 나타낸다. Y 축 방향의 플러스 측에 기판 보유지지부(521a, 521b, 521c, 및 521d)가 배치되고, 기판 상승부(522a, 522b, 및 522c)는 각각 기판 보유지지부(521a 및 521b) 사이, 기판 보유지지부(521b 및 521c) 사이, 및 기판 보유지지부(521c 및 521d) 사이의 간극에 배치된다. 또한, 기판 보유지지부(521e, 521f, 521g, 및 521h)는 Y 축 방향의 마이너스 측에 배치되고, 기판 상승부(522d, 522e, 및 522f)는 각각 기판 보유지지부(521e 및 521f) 사이, 기판 보유지지부(521f 및 521g) 사이, 및 기판 보유지지부(521g 및 521h) 사이의 간극에 배치된다. 도 3은 리프트 바가 기판 상승부로서 배치되는 예를 도시한다.An arrangement relationship between the base 521 and the substrate raising mechanism 522 will be described below with reference to FIGS. 3 to 6C. 3 shows an example in which the base 521 constituting the substrate holding mechanism 500 is divided into eight substrate holding portions in the XY plane, and a gap is provided between adjacent substrate holding portions. The substrate holding portions 521a, 521b, 521c, and 521d are disposed on the plus side in the Y axis direction, and the substrate rising portions 522a, 522b, and 522c are disposed between the substrate holding portions 521a and 521b, respectively. It is disposed between the gaps 521b and 521c and between the substrate holding portions 521c and 521d. Further, the substrate holding portions 521e, 521f, 521g, and 521h are disposed on the minus side in the Y axis direction, and the substrate rising portions 522d, 522e, and 522f are placed between the substrate holding portions 521e and 521f, respectively, and the substrate. It is arranged in the gap between the holding portions 521f and 521g and between the substrate holding portions 521g and 521h. 3 shows an example in which the lift bar is arranged as the substrate riser.

도 4는 베이스(521)가 기판 보유지지부(521a', 521b', 521c', 및 521d')로 분할되는 상태를 도시한다. 기판 보유지지부(521a', 521b', 521c', 및 521d')에는 각각 기판 상승부(522a', 522b', 522c', 및 522d')가 제공된다. 기판 보유지지부(521a' 및 521b') 사이의 간극에는 기판 상승부(522e')가 배치된다. 기판 상승부(522f')는 기판 보유지지부(521c' 및 521d') 사이의 간극에 배치된다. 도 4에 도시된 이들 기판 상승부 각각은 리프트 바에 의해 구성된다.4 shows a state in which the base 521 is divided into substrate holding portions 521a ', 521b', 521c ', and 521d'. The substrate holding portions 521a ', 521b', 521c ', and 521d' are provided with substrate rising portions 522a ', 522b', 522c ', and 522d', respectively. A substrate rising portion 522e 'is disposed in the gap between the substrate holding portions 521a' and 521b '. The substrate rising portion 522f 'is disposed in the gap between the substrate holding portions 521c' and 521d '. Each of these substrate rises shown in FIG. 4 is constituted by a lift bar.

도 5를 참조하면, 베이스(521)는 기판 보유지지부(521a'', 521b'', 521c'', 521d'', 521e'', 및 521f'')로 분할된다. 이들 기판 보유지지부 각각에는 관통 구멍이 제공된다. 각각의 관통 구멍에는, 관통 구멍 내측에서 Z 축 방향으로 이동하는 기판 상승 기구(522)로서 리프트 핀이 제공된다.Referring to FIG. 5, the base 521 is divided into substrate holding portions 521a ″, 521b ″, 521c ″, 521d ″, 521e ″, and 521f ″. Each of these substrate holding portions is provided with a through hole. Each through hole is provided with a lift pin as a substrate raising mechanism 522 that moves in the Z axis direction inside the through hole.

도 6a를 참고하면, 베이스(521)는 베이스 플레이트(521A) 및 베이스 플레이트(521A)에 배치되는 복수의 기판 보유지지부(521B)로 구성된다. 인접하는 기판 보유지지부(521B) 사이에는 간극이 제공된다. 기판(510)이 탑재된 기판 반송부(527)를 간극에 배치함으로써, 기판 반송부(527)가 베이스(521)에 중첩되고, 기판(510)은 베이스(521)에 의해 보유지지된다. 기판 반송부(527)는 필요한 경우 기판 반송 장치(528)에 의해 X축, Y 축, 및 Z 축 방향으로 구동된다. 기판(510)을 보유지지한 상태에서 기판 반송부(527)를 Z 축 방향으로 상승 및 하강시킴으로써, 기판(510)을 Z 축 방향으로 상승 및 하강시킬 수 있다.Referring to FIG. 6A, the base 521 includes a base plate 521A and a plurality of substrate holding parts 521B disposed on the base plate 521A. A gap is provided between the adjacent substrate holding portions 521B. By arrange | positioning the board | substrate conveyance part 527 on which the board | substrate 510 is mounted, the board | substrate conveyance part 527 overlaps with the base 521, and the board | substrate 510 is hold | maintained by the base 521. As shown in FIG. The board | substrate conveyance part 527 is driven by the board | substrate conveyance apparatus 528 in the X-axis, a Y-axis, and a Z-axis direction as needed. The substrate 510 can be raised and lowered in the Z axis direction by raising and lowering the substrate carrier 527 in the Z axis direction while holding the substrate 510.

도 6b는, 베이스(521)에 기판 반송부(527)가 중첩된 상태를 나타낸다. 도 6c는, 베이스(521)에 기판 반송부(527)가 중첩된 상태를 Y 축 방향으로부터 봤을 때를 도시한다. 인접하는 기판 보유지지부(521B) 사이의 간극에 기판 반송부(527)가 배치되어 있는 것을 알 수 있다.FIG. 6B shows a state where the substrate carrier 527 is superimposed on the base 521. FIG. 6C shows a state in which the substrate carrier 527 is superimposed on the base 521 as viewed from the Y axis direction. It turns out that the board | substrate conveyance part 527 is arrange | positioned in the clearance gap between the adjacent board | substrate holding parts 521B.

이상 설명한 바와 같이, 도 6a, 도 6b 및 도 6c에 도시된 예에서, 기판(510)은 기판 상승 기구(522) 대신에 기판 반송부(527)에 의해 상승 및 하강된다. 상술한 바와 같이, 기판 상승 기구(522)는, 도 3 및 도 4에 도시된 리프트 바 타입 또는 도 5에 도시된 리프트 핀 타입일 수 있다. 기판 반송부(527)는 도 6a, 도 6b 및 도 6c에 도시된 바와 같이 기판 상승 기구의 기능을 가질 수 있다. 어떠한 경우에도, 기판 상승 기구(522)를 구성하는 기판 상승부는 베이스(521)에 제공된 간극에 배치된다. 도 3 내지 도 6c를 참고하여 상술한 바와 같이, 인접하는 기판 보유지지부(521B) 사이 및 기판 보유지지부(521B)와 기판 상승부 사이에는 간극이 제공된다. 이들 간극을 통과하는 노광 광은 노광 불균일을 발생시킨다.As described above, in the examples shown in FIGS. 6A, 6B, and 6C, the substrate 510 is raised and lowered by the substrate transfer part 527 instead of the substrate raising mechanism 522. As described above, the substrate raising mechanism 522 may be the lift bar type shown in FIGS. 3 and 4 or the lift pin type shown in FIG. 5. The substrate transfer part 527 may have a function of a substrate raising mechanism as shown in FIGS. 6A, 6B, and 6C. In any case, the substrate raising portion constituting the substrate raising mechanism 522 is disposed in the gap provided in the base 521. As described above with reference to FIGS. 3-6C, a gap is provided between the adjacent substrate holding portions 521B and between the substrate holding portions 521B and the substrate rising portion. Exposure light passing through these gaps causes exposure unevenness.

도 7을 참고하여 이하에서 노광 불균일의 발생 메커니즘에 대해서 설명한다. 도 7은 기판(510)에 도포된 레지스트(511)가 노광 광으로 조사되는 상태를 도시한다. 베이스(521) 상부의 공간으로부터 레지스트(511)에 입사한 광선(10)은, 레지스트(511) 및 기판(510)을 투과하고, 베이스(521)의 상면(521A)에 의해 반사된다. 기판 상승 기구(522)의 상부의 공간으로부터 레지스트(511)에 입사한 광선(12)은, 레지스트(511) 및 기판(510)을 투과하여, 기판 상승 기구(522)의 상부에 의해 반사된다. 한편, 베이스(521)와 기판 상승 기구(522)의 사이 간극 상부로부터 레지스트(511)에 입사한 광선(11)은, 레지스트(511) 및 기판(510)을 투과한다.A mechanism for generating exposure nonuniformity will be described below with reference to FIG. 7. FIG. 7 shows a state in which a resist 511 applied to the substrate 510 is irradiated with exposure light. The light ray 10 incident on the resist 511 from the space above the base 521 passes through the resist 511 and the substrate 510 and is reflected by the upper surface 521A of the base 521. The light ray 12 incident on the resist 511 from the space above the substrate raising mechanism 522 passes through the resist 511 and the substrate 510 and is reflected by the upper portion of the substrate raising mechanism 522. On the other hand, the light rays 11 incident on the resist 511 from the upper portion of the gap between the base 521 and the substrate raising mechanism 522 pass through the resist 511 and the substrate 510.

레지스트(511)에 입사한 노광 광은 레지스트(511)에 의해 부분적으로 흡수된다. 노광 광의 파장 및 레지스트(511)의 광학 특성에 따라 광의 흡수율 및 투과율은 상이하다. 레지스트(511)에 대한 노광 광의 투과율은 이하와 같이 산출될 수 있다.The exposure light incident on the resist 511 is partially absorbed by the resist 511. The absorbance and the transmittance of light vary depending on the wavelength of the exposure light and the optical characteristics of the resist 511. The transmittance of exposure light to the resist 511 can be calculated as follows.

광이 Z 방향으로 전파하는 1차원 평면파인 것으로 상정하면, 시각 t에서의 평면파의 진폭(E(Z, t))은 이하이며,Assuming that the light is a one-dimensional plane wave propagating in the Z direction, the amplitude E (Z, t) of the plane wave at time t is

Figure pat00001
...(1)
Figure pat00001
...(One)

여기서 k는 파수를 나타내고, ω는 진동수를 나타낸다. 복소 굴절률(N)을 사용하면, 진동수(ω)는 이하와 같이 표현된다.Where k represents a wave number and ω represents a frequency. When the complex refractive index N is used, the frequency ω is expressed as follows.

Figure pat00002
...(2)
Figure pat00002
...(2)

그리고, 진폭(E(Z, t))은 이하에 의해 표현될 수 있다.The amplitude E (Z, t) can be expressed by the following.

Figure pat00003
...(3)
Figure pat00003
... (3)

ω=2πc/λ이기 때문에, 이하가 된다.Since ω = 2πc / λ, the following is obtained.

Figure pat00004
...(4)
Figure pat00004
...(4)

광 에너지(I(Z, t))는 진폭(E(Z, t))의 2승의 놈(norm) 또는 진폭(E(Z, t))의 놈의 2승에 기초하여 취득될 수 있다. 그러므로, 광 에너지(I(Z, t))는 이하이다.The light energy I (Z, t) can be obtained based on the square of norm of amplitude E (Z, t) or the square of norm of amplitude E (Z, t). . Therefore, the light energy I (Z, t) is as follows.

Figure pat00005
...(5)
Figure pat00005
... (5)

식 5에 기초하여, 광의 투과율(T)은 이하와 같이 계산된다.Based on Formula 5, the light transmittance T is calculated as follows.

Figure pat00006
...(6)
Figure pat00006
... (6)

식 (6)에 기초하여 계산된 바와 같은 투과율(T)로 레지스트(511)를 투과한 광은 기판(510)을 투과하여 베이스(521) 및 기판 상승 기구(522)의 상부에 도달한다. 도 8은 특정한 레지스트(511)에서의 광의 파장과 투과율 사이의 관계를 도시한다. 수은 램프를 사용한 노광 장치에서는, 노광 광으로서 i-선(약 365 nm의 파장을 가짐), h-선(약 405 nm의 파장을 가짐), g-선(약 436 nm의 파장을 가짐) 등이 사용된다. 도 8은, i-선에 대한 투과율(Ti), h-선에 대한 투과율(Th), 및 g-선에 대한 투과율(Tg)을 나타낸다. 각각의 파장마다 투과율의 값이 상이한 것을 알 수 있다.Light transmitted through the resist 511 at the transmittance T as calculated based on Equation (6) passes through the substrate 510 and reaches the top of the base 521 and the substrate raising mechanism 522. 8 shows the relationship between the wavelength and the transmittance of light in a particular resist 511. In an exposure apparatus using a mercury lamp, i-ray (having a wavelength of about 365 nm), h-ray (having a wavelength of about 405 nm), g-ray (having a wavelength of about 436 nm), etc., as exposure light, etc. This is used. 8 shows the transmittance (Ti) for i-rays, the transmittance (Th) for h-rays, and the transmittance (Tg) for g-rays. It can be seen that the values of the transmittances are different for each wavelength.

베이스(521) 및 기판 상승 기구(522)의 상부에 도달한 광은 정반사 및 확산 반사를 통해 반사면에 의해 반사된다. 정반사는 반사면에 입사하는 광의 각도에 의해 반사각이 결정되는 반사를 지칭한다. 정반사에서, 입사각 및 반사각은 일반적으로 동일하다. 확산 반사는 반사면에 입사한 광의 입사각에 의존하지 않는 반사를 지칭한다. 확산 반사에서, 반사면으로부터의 수선에 대해 각도(θ)에서 반사되는 광의 강도는 cosθ에 의존한다. 확산 반사는 램버트 반사(Lambert reflection)라 지칭할 수도 있다.Light reaching the top of the base 521 and the substrate raising mechanism 522 is reflected by the reflecting surface through the specular reflection and the diffuse reflection. Specular reflection refers to a reflection whose reflection angle is determined by the angle of light incident on the reflection surface. In specular reflection, the angle of incidence and the angle of reflection are generally the same. Diffuse reflection refers to reflection that does not depend on the angle of incidence of light incident on the reflective surface. In diffuse reflection, the intensity of light reflected at an angle [theta] with respect to the waterline from the reflective surface depends on cos [theta]. Diffuse reflection may be referred to as Lambert reflection.

정반사 또는 확산 반사를 통해 베이스(521) 및 기판 상승 기구(522)의 상면에 의해 반사된 광은 기판(510)을 투과한 후에 플레어 광으로서 레지스트(511)에 입사한다. 한편, 도 7에 도시된 광선(11)은 베이스(521)와 기판 상승 기구(522) 사이의 간극에 입사한다. 광선(11)의 대부분은 레지스트(511)에 다시 입사하지 않고 감쇠된다.Light reflected by the top surface of the base 521 and the substrate raising mechanism 522 through specular reflection or diffuse reflection passes through the substrate 510 and then enters the resist 511 as flared light. On the other hand, the light beam 11 shown in FIG. 7 enters the gap between the base 521 and the substrate raising mechanism 522. Most of the light rays 11 are attenuated without again entering the resist 511.

따라서, 기판(510) 상에는, 플레어 광이 많이 발생하는 영역과 플레어 광이 거의 발생하지 않는 영역이 발생하게 된다. 상술한 바와 같이, 플레어 광은, 베이스(521) 및 기판 상승 기구(522)의 상면의 반사 특성에 따라서 발생하며, 따라서 충분히 저감시키는 것은 어렵다. 기판(510) 상의 각각의 영역마다 상이한 광량의 플레어 광이 레지스트(511)에 입사하기 때문에, 그에 따라 노광 불균일이 발생할 것이다.Therefore, an area on which the flare light is generated and an area on which the flare light is hardly generated are generated on the substrate 510. As described above, the flare light is generated in accordance with the reflection characteristics of the upper surfaces of the base 521 and the substrate raising mechanism 522, and thus, it is difficult to sufficiently reduce the flare light. Since different amounts of flare light are incident on the resist 511 for each region on the substrate 510, exposure unevenness will therefore occur.

<노광 불균일을 저감하는 방법><How to reduce exposure unevenness>

노광 불균일을 저감하는 방법에 대해서 도 9 내지 도 11을 참조하여 이하에서 설명한다. 도 9를 참조하면, 상술한 노광 불균일은 베이스(521)와 기판 상승 기구(522) 사이의 간극에 반사 부재(523)를 배치함으로써 저감된다. 도 9에 도시된 반사 부재(523) 이외의 구성은 도 2a 및 도 2b에 도시된 구성과 유사하므로, 그에 대한 중복하는 설명은 생략한다. 반사 부재(523)는 아크릴 및 테플론® 등의 수지 재료 또는 알루미늄 등의 금속 재료로 구성된다. 도금 등의 표면 처리를 행한 금속 재료도 사용할 수 있다.The method of reducing exposure nonuniformity is demonstrated below with reference to FIGS. 9-11. Referring to FIG. 9, the above-described exposure nonuniformity is reduced by disposing the reflective member 523 in the gap between the base 521 and the substrate raising mechanism 522. Configurations other than the reflective member 523 shown in FIG. 9 are similar to those shown in FIGS. 2A and 2B, and thus redundant description thereof will be omitted. The reflective member 523 is made of a resin material such as acrylic and Teflon® or a metal material such as aluminum. The metal material which surface-treated, such as plating, can also be used.

반사 부재(523)를, 베이스(521) 또는 기판 상승 기구(522)의 상면과 동일한 높이에 배치하는 것이 바람직하다. 그러나, 일반적으로 베이스(521)의 상면과 기판 상승 기구(522)의 상면 사이의 간극은 매우 작기 때문에, 이 간극에 반사 부재(523)를 배치하는 것은 어렵다. 그러므로, 기판 상승 기구(522)의 접촉부(522C) 아래의 영역에 반사 부재(523)를 배치한다.It is preferable to arrange the reflective member 523 at the same height as the upper surface of the base 521 or the substrate raising mechanism 522. However, since the gap between the upper surface of the base 521 and the upper surface of the substrate raising mechanism 522 is generally small, it is difficult to arrange the reflective member 523 in this gap. Therefore, the reflective member 523 is disposed in the region under the contact portion 522C of the substrate raising mechanism 522.

이하에서 도 10을 참조하여 노광 불균일이 저감되는 메커니즘에 대해서 설명한다. 광선(10 및 12)의 광로에 관해서는 도 7을 참조하여 위에서 설명하였으므로, 그에 대한 중복하는 설명은 생략한다. 광선(11)은, 레지스트(511) 및 기판(510)을 투과하고, 반사 부재(523)의 상면(523A)에 도달하며, 상면(523A)에 의해 기판을 향해 반사된다.Hereinafter, with reference to FIG. 10, the mechanism which reduces exposure nonuniformity is demonstrated. Since the optical paths of the light beams 10 and 12 have been described above with reference to FIG. 7, redundant description thereof will be omitted. The light ray 11 passes through the resist 511 and the substrate 510, reaches the top surface 523A of the reflective member 523, and is reflected toward the substrate by the top surface 523A.

반사 부재(523)의 상면(523A)은 확산 반사면이다. 반사광 중에서 광선(41)은 작은 반사각을 갖기 때문에, 광선(41)은 베이스(521)와 기판 상승 기구(522) 사이의 간극을 통과하고, 기판(510)을 투과한 후에 레지스트(511)에 도달한다. 한편, 반사광 중에서 광선(42)은 상면(523A)으로부터의 수선에 대해서 큰 반사각을 갖는다. 그러므로, 광선(42)은 베이스(521) 및 기판 상승 기구(522)의 측면에 조사되고, 광선(42)의 거의 모두는 흡수된다. 결과적으로, 광선(42)의 대부분은 레지스트(511)에 도달하지 않는다.The upper surface 523A of the reflective member 523 is a diffuse reflective surface. Since the light beam 41 has a small reflection angle among the reflected light beams, the light beam 41 passes through the gap between the base 521 and the substrate raising mechanism 522 and reaches the resist 511 after passing through the substrate 510. do. On the other hand, among the reflected light beams 42 have a large reflection angle with respect to the waterline from the upper surface 523A. Therefore, the light rays 42 are irradiated to the sides of the base 521 and the substrate raising mechanism 522, and almost all of the light rays 42 are absorbed. As a result, most of the light rays 42 do not reach the resist 511.

이상 설명한 바와 같이, 베이스(521)와 기판 상승 기구(522) 사이의 간극에 반사 부재(523)가 배치되기 때문에, 간극의 상부에 위치하는 레지스트(511)에도 플레어 광이 입사하게 된다. 이 구성은, 베이스(521)에 의해 반사되어 베이스(521) 위의 제1 레지스트 영역에 도달하는 광량과, 반사 부재(523)에 의해 반사되어서 반사 부재(523) 위의 제2 레지스트 영역에 도달하는 광량 사이의 차이를 감소시킨다. 또한, 이 구성은, 기판 상승 기구(522)에 의해 반사되어 기판 상승 기구(522) 위의 제3 레지스트 영역에 도달하는 광량과, 반사 부재(523)에 의해 반사되어 반사 부재(523) 위의 제2 레지스트 영역에 도달하는 광량 사이의 차를 감소시킨다.As described above, since the reflective member 523 is disposed in the gap between the base 521 and the substrate raising mechanism 522, flare light also enters the resist 511 located above the gap. This configuration includes the amount of light reflected by the base 521 and reaching the first resist region on the base 521, and reflected by the reflecting member 523 and reaching the second resist region on the reflective member 523. To reduce the difference between the amount of light. In addition, this configuration includes the amount of light reflected by the substrate raising mechanism 522 and reaching the third resist region on the substrate raising mechanism 522, and reflected by the reflecting member 523 on the reflective member 523. The difference between the amounts of light reaching the second resist area is reduced.

결과적으로, 레지스트(511)에 조사된 플레어 광의 광량 분포는 어느 정도까지 균일해 질 수 있다. 도 9를 참조하면, 제1 레지스트 영역은 영역(511A)이고, 제2 레지스트 영역은 영역(511B)이며, 제3 레지스트 영역은 영역(511C)이다.As a result, the light amount distribution of the flare light irradiated to the resist 511 may be uniform to some extent. Referring to FIG. 9, the first resist region is a region 511A, the second resist region is a region 511B, and the third resist region is a region 511C.

그러나, 상술한 바와 같이, 반사 부재(523)에 입사한 노광 광의 모두가 레지스트(511)에 도달하는 것이 아니다. 그러므로, 노광 불균일을 더 감소시키기 위해서는 추가적인 고안이 필요하다.However, as described above, not all of the exposure light incident on the reflective member 523 reaches the resist 511. Therefore, further design is needed to further reduce exposure unevenness.

본 예시적인 실시형태는, 베이스(521), 기판 상승 기구(522) 및 반사 부재(523)의 각각의 반사면에서의 반사율 등의 반사 특성을 적절하게 설정함으로써 노광 불균일의 추가적인 저감을 실현한다. 이하 반사 특성을 결정하는 방법에 대해서 설명한다.The present exemplary embodiment further realizes further reduction in exposure unevenness by appropriately setting reflection characteristics such as reflectance on the respective reflective surfaces of the base 521, the substrate raising mechanism 522, and the reflective member 523. Hereinafter, a method of determining reflection characteristics will be described.

상술한 바와 같이, 반사면의 형상에 의해 입사광의 반사 특성이 변화한다. 반사면이 형상 인자(k(0 <k <1))를 갖고 반사면을 구성하는 물질이 반사율(R)을 갖는 경우, 반사면에 의해 반사된 후에 레지스트(511)에 도달하는 광량은 인자(kR)로 표현될 수 있다. 형상 인자(k)는, 반사 부재(523)의 Z 축 방향의 위치 및 베이스(521)와 기판 상승 기구(522) 사이의 간극의 폭(w) 등의 파라미터를 갖고, 광 해석 및 광학 시뮬레이션을 통해 결정된다.As mentioned above, the reflection characteristic of incident light changes with the shape of a reflective surface. When the reflecting surface has a shape factor k (0 <k <1) and the material constituting the reflecting surface has a reflectance R, the amount of light reaching the resist 511 after being reflected by the reflecting surface is a factor ( kR). The shape factor k has parameters such as the position of the reflective member 523 in the Z axis direction and the width w of the gap between the base 521 and the substrate raising mechanism 522, and performs optical analysis and optical simulation. Is determined through.

도 11은 반사 부재(523)의 Z 축 방향의 위치와 형상 인자(k) 사이의 관계를 도시한다. 도 11에 도시된 횡축은, 베이스(521)의 상면(521A)으로부터 반사 부재(523)의 상면(523A)까지의 Z 축 방향의 거리(d)를 나타낸다. 거리(d)=0인 경우, 베이스(521)의 상면(521A)의 높이와 반사 부재(523)의 상면(523A)의 높이는 동일하다. 도 11은 베이스(521)와 기판 상승 기구(522) 사이의 간극의 폭(w)에 따라 형상 인자(k)가 변화하는 것을 도시한다. 도 11은 또한, 폭(w)이 증가함에 따라 형상 인자(k)가 증가하고(w1>w2이기 때문), 베이스(521)의 상면(521A)으로부터의 반사 부재(523)의 위치의 거리가 증가함에 따라 형상 인자(k)가 감소하는 것을 나타낸다.11 shows the relationship between the position of the reflective member 523 in the Z axis direction and the shape factor k. The horizontal axis shown in FIG. 11 represents the distance d in the Z-axis direction from the top surface 521A of the base 521 to the top surface 523A of the reflective member 523. When the distance d is 0, the height of the upper surface 521A of the base 521 and the height of the upper surface 523A of the reflective member 523 are the same. FIG. 11 shows that the shape factor k changes in accordance with the width w of the gap between the base 521 and the substrate raising mechanism 522. 11 also shows that as the width w increases, the shape factor k increases (because w1> w2) and the distance of the position of the reflective member 523 from the top surface 521A of the base 521 is increased. It shows that the shape factor k decreases with increasing.

정반사율은 반사면에 입사하는 광의 광량에 대한 정반사 광의 광량 비의 백분율에 의해 규정된다. 확산 반사율은 확산 반사면에 입사하는 광의 광량에 대한, 정반사 광을 제외한, 모든 방향의 확산 반사 광의 광량의 비의 백분율에 의해 규정된다. 정반사 광에 대한 형상 인자(k)와 확산 반사 광에 대한 형상 인자(k)는 각각 규정될 수 있다.The specular reflectance is defined by the percentage of the light quantity ratio of the specularly reflected light to the quantity of the light incident on the reflecting surface. The diffuse reflectance is defined by the percentage of the ratio of the amount of light of the diffusely reflected light in all directions except the specular light to the amount of light incident on the diffusely reflective surface. The shape factor k for the specularly reflected light and the shape factor k for the diffusely reflected light can be defined respectively.

플레어 광의 광량은 상술한 인자(kR)와 레지스트(511)의 투과율(T)의 곱으로서의 계수(TkR)에 의존한다. 이상적으로는, 베이스(521), 기판 상승 기구(522) 및 반사 부재(523) 각각의 인자(kR)를 동등하게 함으로써 레지스트(511) 상의 각각의 영역에서의 계수(TkR)를 동등하게 할 수 있다. 이에 의해, 레지스트(511)의 각각의 영역마다의 노광량의 불균일을 저감시킬 수 있고, 결과적으로 노광 불균일을 저감시킬 수 있다.The amount of light of the flare light depends on the coefficient TkR as the product of the above-described factor kR and the transmittance T of the resist 511. Ideally, by equalizing the factors kR of the base 521, the substrate raising mechanism 522, and the reflective member 523, the coefficients TkR in each region on the resist 511 can be made equal. have. Thereby, the nonuniformity of the exposure amount for each area | region of the resist 511 can be reduced, and as a result, an exposure nonuniformity can be reduced.

정반사율(R), 확산 반사율을(R'), 정반사율에 관한 형상 인자(k), 및 확산 반사율에 관한 형상 인자(k')와 관련하여, 이하의 식(7-1) 및 (7-2) 중 적어도 하나를 만족하도록 반사 부재(523)의 형상 인자(k)를 조정한다.Regarding the specular reflectance R, the diffuse reflectance R ', the shape factor k for the specular reflectance, and the shape factor k' for the diffuse reflectance, the following formulas (7-1) and (7) The shape factor k of the reflective member 523 is adjusted to satisfy at least one of -2).

Figure pat00007
...(7-1)
Figure pat00007
... (7-1)

Figure pat00008
...(7-2)
Figure pat00008
... (7-2)

식 (7-1) 및 (7-2)를 참고하면, 첨자 S, C, 및 l는 각각 반사 부재(523), 베이스(521), 기판 상승 기구(522)의 파라미터를 나타낸다. 첨자 λ는 파장에 의존하는 파라미터를 나타낸다. 식 (7-1) 및 (7-2)는, 노광 광이 복수의 파장 성분을 포함하는 경우, 각각의 파장에 대해 이들 파라미터에 관한 값을 더하는 것을 나타낸다.Referring to equations (7-1) and (7-2), the subscripts S, C, and l represent the parameters of the reflective member 523, the base 521, and the substrate raising mechanism 522, respectively. The subscript λ represents a parameter depending on the wavelength. Formulas (7-1) and (7-2) show that when the exposure light includes a plurality of wavelength components, the values relating to these parameters are added to each wavelength.

노광 불균일은 식(부등식)(7-1) 및 (7-2)을 만족하도록 형상 인자(k) 및 반사율(R 및 R')을 조정함으로써 바람직하게 저감될 수 있다. 본 출원의 발명자에 의한 검증에 따르면, 본 발명에 따른 반사 부재(523)가 사용되지 않는 경우, 부등식 (7-1) 및 (7-2)의 좌변의 수치는 약 1.5 내지 2.0%가 된다는 것을 알았다.The exposure nonuniformity can be preferably reduced by adjusting the shape factors k and reflectances R and R 'so as to satisfy the equations (inequalities) 7-1 and (7-2). According to the verification by the inventor of the present application, when the reflective member 523 according to the present invention is not used, the numerical value of the left side of the inequality (7-1) and (7-2) becomes about 1.5 to 2.0%. okay.

본 예시적인 실시형태에서는, 베이스(521)와 기판 상승 기구(522) 사이의 간극에 반사 부재(523)가 배치되지만, 도 3 내지 도 6c에 도시된 바와 같이 인접하는 기판 보유지지부(521B) 사이의 간극에 반사 부재(523)를 배치할 수 있다. 이는, 인접하는 기판 보유지지부(521B) 사이에 기판 상승 기구(522)가 배치되지 않는 경우에도, 인접하는 기판 보유지지부(521B) 사이에 간극이 생성되면 상술한 문제와 유사한 문제가 발생할 수 있기 때문이다.In the present exemplary embodiment, the reflective member 523 is disposed in the gap between the base 521 and the substrate raising mechanism 522, but as shown in FIGS. 3 to 6C between the adjacent substrate holding portions 521B. The reflective member 523 can be arranged in the gap of the. This is because, even when the substrate raising mechanism 522 is not disposed between the adjacent substrate holding portions 521B, if a gap is generated between the adjacent substrate holding portions 521B, a problem similar to that described above may occur. to be.

계속해서, 베이스(521), 기판 상승 기구(522) 및 반사 부재(523)를 구성하는 재료의 구체예에 대해서 설명한다. 베이스(521)는 흑색 세라믹 재료로 구성된다. 기판 상승 기구(522)는 흑색 수지 재료로 구성된다. 반사 부재(523)는 테플론®으로 구성된다.Next, the specific example of the material which comprises the base 521, the board | substrate raising mechanism 522, and the reflective member 523 is demonstrated. Base 521 is made of a black ceramic material. The substrate raising mechanism 522 is made of a black resin material. Reflective member 523 is comprised of Teflon®.

도 12a 및 도 12b는 각각 흑색 세라믹 재료로 구성되는 베이스(521)의 상면(521A)에서의 확산 반사율 및 정반사율을 나타낸다. 도 13a 및 도 13b는 각각 흑색 수지 재료로 구성되는 기판 상승 기구(522)의 상면(522A)에서의 확산 반사율 및 정반사율을 나타낸다. 도 14a 및 도 14b는 각각 테플론®으로 구성되는 반사 부재(523)의 상면(523A)에서의 확산 반사율 및 정반사율을 나타낸다.12A and 12B show the diffuse reflectance and the specular reflectance at the top surface 521A of the base 521 made of a black ceramic material, respectively. 13A and 13B show the diffuse reflectance and the specular reflectance at the top surface 522A of the substrate raising mechanism 522 made of a black resin material, respectively. 14A and 14B show the diffuse reflectance and specular reflectance at the top surface 523A of the reflecting member 523 made of Teflon®, respectively.

상술한 바와 같이, 반사 부재(523)의 상면은 베이스(521)의 상면 및 기판 상승 기구(522)의 상면 아래에 배치된다. 따라서, 반사 부재(523)의 형상 인자(ks 및 ks')는 베이스(521) 및 기판 상승 기구(522)의 형상 인자(k)보다 작다. 따라서, 반사 부재(523)의 인자(kR)와 베이스(521) 및 기판 상승 기구(522)의 인자(kR) 사이의 차이는 반사 부재(523)의 재료로서 비교적 높은 반사율을 갖는 재료를 사용함으로써 감소된다. 이에 의해 노광 불균일을 저감시킬 수 있다.As described above, the upper surface of the reflective member 523 is disposed below the upper surface of the base 521 and the upper surface of the substrate raising mechanism 522. Therefore, the shape factors ks and ks' of the reflective member 523 are smaller than the shape factors k of the base 521 and the substrate raising mechanism 522. Thus, the difference between the factor kR of the reflective member 523 and the factor kR of the base 521 and the substrate raising mechanism 522 is determined by using a material having a relatively high reflectance as the material of the reflective member 523. Is reduced. Thereby, exposure nonuniformity can be reduced.

예를 들어, 노광 광의 파장 영역이 350 내지 450 nm의 범위에 있는 투영 노광 장치에서는, 파장 영역에서 베이스(521), 기판 상승 기구(522) 및 반사 부재(523)의 상면에서 반사율이 소량으로 변화하는 것이 바람직하다. 반사율이 크게 변화하는 경우, 노광 광으로서 i-선(약 365 nm의 파장을 가짐)을 사용하는 경우와 노광 광으로서 g-선(약 436 nm의 파장을 가짐)을 사용하는 경우 사이에서 노광량 분포가 크게 변화할 가능성이 있을 수 있다. 이는 노광 광의 파장에 따라서 노광 불균일의 크기가 변화하는 것을 나타내며, 노광 불균일의 저감의 관점에서는 바람직하지 않다.For example, in the projection exposure apparatus in which the wavelength region of the exposure light is in the range of 350 to 450 nm, the reflectance changes in small amounts on the upper surfaces of the base 521, the substrate raising mechanism 522, and the reflective member 523 in the wavelength region. It is desirable to. When the reflectance changes significantly, the exposure dose distribution between i-ray (having a wavelength of about 365 nm) as the exposure light and g-ray (having a wavelength of about 436 nm) as the exposure light May change significantly. This indicates that the magnitude of the exposure nonuniformity changes depending on the wavelength of the exposure light, which is not preferable from the viewpoint of reducing the exposure nonuniformity.

각각의 부재의 상면에서의 반사율의 변화는 베이스(521), 기판 상승 기구(522) 및 반사 부재(523)의 재료로서 상술한 파장 영역에서의 반사율이 작은 재료를 사용함으로써 감소될 수 있다.The change in reflectance at the upper surface of each member can be reduced by using the material having the low reflectance in the above-described wavelength range as the material of the base 521, the substrate raising mechanism 522, and the reflecting member 523.

베이스(521), 기판 상승 기구(522) 및 반사 부재(523)를 구성하는 재료는 도 12a 내지 도 14b에 도시된 재료로 한정되지 않는다. 예를 들어, 베이스(521)는 블랙 알루마이트 처리를 실시한 알루미늄 또는 DLC(Diamond-Like Carbon) 코팅을 실시한 금속 부재로 구성될 수 있다. 기판 상승 기구(522) 및 반사 부재(523)는 아크릴 등의 수지 재료 또는 다양한 유형의 코팅을 실시한 금속 재료로 구성될 수 있다.The materials constituting the base 521, the substrate raising mechanism 522, and the reflective member 523 are not limited to the materials shown in FIGS. 12A to 14B. For example, the base 521 may be made of aluminum having black anodized treatment or metal member having a diamond-like carbon (DLC) coating. The substrate raising mechanism 522 and the reflecting member 523 may be made of a resin material such as acrylic or a metal material having various types of coatings applied thereto.

<반사 부재의 위치 조정><Adjusting the position of the reflecting member>

반사 부재(523)의 Z 축 방향의 위치를 조정하는 위치 조정 기구를 제공하는 것이 바람직하다. 베이스(521), 기판 상승 기구(522) 및 반사 부재(523)의 반사율은 주로 재료의 물성값에 의해 결정된다. 그러나, 반사율은 제조 오차에 따라 변화할 수 있다. 반사율은 또한 레지스트(511)의 특성, 노광 광의 파장, 및 노광 프로세스에 따라 변화할 수 있다.It is preferable to provide a position adjusting mechanism for adjusting the position of the reflective member 523 in the Z axis direction. The reflectance of the base 521, the substrate raising mechanism 522, and the reflecting member 523 is mainly determined by the material property values. However, the reflectance may change depending on manufacturing error. The reflectance may also vary depending on the properties of the resist 511, the wavelength of the exposure light, and the exposure process.

반사 부재(523)를 Z 축 방향으로 구동시킴으로써 이들 반사율의 변동에 의해 발생할 수 있는 노광 불균일을 저감시킬 수 있다. 반사 부재(523)를 Z 축 방향으로 구동시킴으로써 형상 인자(k)가 변화하기 때문에, 상술한 부등식 (7-1) 및 (7-2)의 좌변의 값을 적절히 변화시킴으로써 노광 불균일을 저감시키는 것이 가능하다.By driving the reflecting member 523 in the Z-axis direction, exposure unevenness that may occur due to variations in these reflectances can be reduced. Since the shape factor k changes by driving the reflective member 523 in the Z-axis direction, it is preferable to reduce the exposure unevenness by appropriately changing the values of the left sides of the inequalities (7-1) and (7-2) described above. It is possible.

이어서, 도 15를 참고하여 위치 조정 기구를 포함하는 기판 보유지지 장치에 대해서 설명한다. 도 15는, 도 9에 도시된 구성, 즉 반사 부재(523)에 대한 위치 조정 기구(524)의 구성의 일부를 도시한다. 도 15에 도시하는 바와 같이, 반사 부재(523)는 베이스(521) 및 기판 상승 기구(522)와 별도로 배치된다. 반사 부재(523)는 위치 조정 기구(524)에 의해 구동되며, Z 축 방향으로 이동가능하다.Next, the board | substrate holding apparatus containing a position adjustment mechanism is demonstrated with reference to FIG. FIG. 15 shows a part of the configuration shown in FIG. 9, that is, the configuration of the position adjusting mechanism 524 with respect to the reflective member 523. As shown in FIG. 15, the reflective member 523 is disposed separately from the base 521 and the substrate raising mechanism 522. The reflective member 523 is driven by the position adjusting mechanism 524 and is movable in the Z axis direction.

베이스(521) 및 위치 조정 기구(524)는, X 축 방향과 Y 축 방향으로 이동가능한 가동 스테이지(도시하지 않음) 상의 상판(525)의 상부에 부착된다. 기판 상승 기구(522)를 구성하는 상승부(522B)는 상판(525)을 관통하며, 액추에이터(도시되지 않음)에 의해 가이드(526)를 따라 Z 축 방향으로 구동된다. 위치 조정 기구(524)는 상판(525)에 제공된 액추에이터(도시되지 않음)에 의해 Z 축 방향으로 구동된다.The base 521 and the position adjustment mechanism 524 are attached to the upper portion of the upper plate 525 on the movable stage (not shown) that is movable in the X axis direction and the Y axis direction. The rising portion 522B constituting the substrate raising mechanism 522 penetrates through the top plate 525 and is driven along the guide 526 in the Z axis direction by an actuator (not shown). The position adjustment mechanism 524 is driven in the Z axis direction by an actuator (not shown) provided on the upper plate 525.

다른 변형예Another variant

위에서 본 발명에 따른 기판 보유지지 장치를 노광 장치(1)로서의 스캐너에 적용한 예를 중심으로 예시적인 실시형태를 설명하였다. 또한, 고정된 원판(310)의 패턴을 기판(510)에 투영하는 스테퍼에도 본 발명의 기판 보유지지 장치를 적용할 수 있다.An exemplary embodiment has been described above with the example of applying the substrate holding apparatus according to the present invention to a scanner as the exposure apparatus 1. In addition, the substrate holding apparatus of the present invention can also be applied to a stepper that projects the fixed pattern of the original plate 310 onto the substrate 510.

물품 제조 방법Article manufacturing method

전술의 노광 장치를 사용하여 물품(예를 들어, 반도체 집적 회로 소자 및 액정 표시 소자)를 제조하는 방법을 설명한다. 물품 제조 방법은, 예시적인 실시형태에 따른 기판 보유지지 장치를 사용해서 보유지지된 기판에 노광 광을 조사하여 패턴을 형성하는 공정과, 패턴이 형성된 기판을 가공(현상 및 에칭)하는 공정을 포함한다. 노광 불균일은 본 발명에 따른 기판 보유지지 장치를 사용하여 효과적으로 감소될 수 있다. 결과적으로, 기판 상에 패턴을 형성하는 정밀도가 향상될 수 있다.The method of manufacturing an article (for example, a semiconductor integrated circuit element and a liquid crystal display element) using the above-mentioned exposure apparatus is demonstrated. The article manufacturing method includes a process of irradiating exposure light to a substrate held using a substrate holding apparatus according to an exemplary embodiment to form a pattern, and a process of processing (developing and etching) the substrate on which the pattern is formed. do. Exposure unevenness can be effectively reduced using the substrate holding apparatus according to the present invention. As a result, the accuracy of forming the pattern on the substrate can be improved.

종래의 방법에 비하여, 본 물품 제조 방법은 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다. 상술한 노광 장치는 고선명 디바이스(예를 들어, 반도체 집적 회로 소자 및 액정 디스플레이 소자)와 같은 물품을 제공할 수 있다.Compared with the conventional method, the present article manufacturing method is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity and production cost of the article. The exposure apparatus described above can provide articles such as high definition devices (eg, semiconductor integrated circuit elements and liquid crystal display elements).

본 발명을 상술한 예시적인 실시형태에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이러한 것으로 한정되지 않으며 첨부된 청구항의 범위 내에서 다양한 방식으로 변형될 수 있다.Although the invention has been described in detail based on the exemplary embodiments described above, the invention is not limited to this and may be modified in various ways within the scope of the appended claims.

본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.While the invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. The scope of the following claims is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass the structures and functions equivalent to all such modifications.

Claims (14)

기판 보유지지 장치이며,
간극을 구비하고 기판을 보유지지하도록 구성되는 베이스와;
상기 간극에 배치되고, 상기 기판을 투과하는 광을 상기 기판을 향해 반사하도록 구성되는 반사 부재를 포함하며,
상기 기판을 투과한 광에 대한 상기 반사 부재의 반사율은 상기 기판을 투과한 광에 대한 상기 베이스의 반사율보다 높은, 기판 보유지지 장치.
Substrate holding device,
A base having a gap and configured to hold a substrate;
A reflecting member disposed in the gap and configured to reflect light passing through the substrate toward the substrate,
And a reflectance of the reflective member with respect to light transmitted through the substrate is higher than a reflectance of the base with respect to light transmitted through the substrate.
제1항에 있어서,
상기 기판을 투과하는 광에 대한 상기 반사 부재의 확산 반사율은 상기 기판을 투과하는 광에 대한 상기 베이스의 확산 반사율보다 높은, 기판 보유지지 장치.
The method of claim 1,
And a diffuse reflectance of the reflecting member for light passing through the substrate is higher than a diffuse reflectance of the base for light passing through the substrate.
제1항에 있어서,
상기 기판을 투과한 광에 대한 상기 반사 부재의 정반사율은 상기 기판을 투과한 광에 대한 상기 베이스의 정반사율보다 높은, 기판 보유지지 장치.
The method of claim 1,
And the specular reflectance of the reflective member relative to the light transmitted through the substrate is higher than the specular reflectance of the base relative to the light transmitted through the substrate.
제1항에 있어서,
상기 기판 상에는 레지스트가 도포되어 있고,
상기 반사 부재는, 상기 베이스에 의해 반사되고 상기 베이스 위의 제1 레지스트 영역에 도달하는 광량과 상기 반사 부재에 의해 반사되고 상기 반사 부재 위의 제2 레지스트 영역에 도달하는 광량 사이의 차이를 저감시키도록 배치되는, 기판 보유지지 장치.
The method of claim 1,
A resist is coated on the substrate,
The reflective member reduces the difference between the amount of light that is reflected by the base and reaches the first resist region on the base and the amount of light that is reflected by the reflective member and reaches the second resist region on the reflective member. And a substrate holding device.
제1항에 있어서,
상기 반사 부재는 상기 베이스의 상면 아래에 배치되는, 기판 보유지지 장치.
The method of claim 1,
And the reflective member is disposed below an upper surface of the base.
제1항에 있어서,
상기 반사 부재는 연직 방향으로 이동가능한, 기판 보유지지 장치.
The method of claim 1,
And the reflective member is movable in the vertical direction.
제6항에 있어서,
상기 반사 부재를 상기 연직 방향으로 이동시키도록 구성되는 조정 기구를 더 포함하는, 기판 보유지지 장치.
The method of claim 6,
And a adjusting mechanism configured to move the reflective member in the vertical direction.
제1항에 있어서,
상기 베이스는 관통 구멍을 구비하고, 상기 반사 부재는 상기 관통 구멍의 내부에 배치되는, 기판 보유지지 장치.
The method of claim 1,
And the base has a through hole, and the reflective member is disposed inside the through hole.
제1항에 있어서,
상기 기판을 연직 방향으로 상승 및 하강시키도록 구성되는 상승 기구를 더 포함하며,
상기 반사 부재는 상기 베이스와 상기 상승 기구 사이의 간극에 배치되는, 기판 보유지지 장치.
The method of claim 1,
A raising mechanism configured to raise and lower the substrate in a vertical direction,
And the reflective member is disposed in a gap between the base and the lift mechanism.
제9항에 있어서,
상기 기판을 투과한 광에 대한 상기 반사 부재의 반사율은 상기 상승 기구 또는 상기 기판을 반송하는 반송 부재의 반사율보다 높은, 기판 보유지지 장치.
The method of claim 9,
The reflector of the said reflection member with respect to the light which permeate | transmitted the said board | substrate is a board | substrate holding apparatus higher than the reflectance of the said raise mechanism or the conveyance member which conveys the said board | substrate.
제10항에 있어서,
상기 기판 상에는 레지스트 재료가 도포되어 있고,
상기 반사 부재는, 상기 반사 부재에 의해 반사되고 상기 반사 부재 위의 제2 레지스트 영역에 도달하는 광량과 상기 상승 기구 또는 상기 반송 부재에 의해 반사되고 상기 상승 기구 또는 상기 반송 부재 위의 제3 레지스트 영역에 도달하는 광량 사이의 차이를 저감시키도록 배치되는, 기판 보유지지 장치.
The method of claim 10,
A resist material is coated on the substrate,
The reflecting member includes a light amount reflected by the reflecting member and reaching a second resist region on the reflecting member and a third resist region reflecting by the raising mechanism or the conveying member and on the raising mechanism or the conveying member. A substrate holding apparatus, arranged to reduce a difference between the amounts of light reaching the target.
제1항에 있어서,
상기 베이스는 상기 기판을 보유지지하는 복수의 기판 보유지지부를 포함하며,
상기 반사 부재는 상기 복수의 기판 보유지지부 사이의 간극에 배치되는, 기판 보유지지 장치.
The method of claim 1,
The base includes a plurality of substrate holding portion for holding the substrate,
And the reflective member is disposed in a gap between the plurality of substrate holding portions.
노광 장치이며,
간극을 구비하고 기판을 보유지지하도록 구성되는 베이스와, 상기 간극에 배치되고 상기 기판을 투과하는 광을 상기 기판측으로 반사하도록 구성되는 반사 부재를 포함하는 기판 보유지지 장치를 포함하며,
상기 노광 장치는, 노광 광을 투과시키는 특성을 갖는 상기 기판이 상기 기판 보유지지 장치에 의해 보유지지된 상태에서, 노광 광을 사용하여 원판의 패턴을 상기 기판 상에 전사하며,
상기 기판을 투과하는 광에 대한 상기 반사 부재의 반사율은 상기 기판을 투과하는 광에 대한 상기 베이스의 반사율보다 높은, 노광 장치.
Exposure device,
A substrate holding apparatus including a base having a gap and configured to hold a substrate, and a reflecting member disposed in the gap and configured to reflect light passing through the substrate to the substrate side,
The exposure apparatus transfers the pattern of the original plate onto the substrate using exposure light while the substrate having the property of transmitting exposure light is held by the substrate holding apparatus.
And a reflectance of the reflecting member with respect to light passing through the substrate is higher than a reflectance of the base with respect to light passing through the substrate.
물품 제조 방법이며,
노광 광을 사용하여 원판의 패턴을 기판 상에 전사하는 노광 장치를 사용하여 기판을 노광하는 단계와;
노광된 상기 기판을 현상하는 단계를 포함하며,
상기 노광 장치는,
간극을 구비하고 기판을 보유지지하도록 구성되는 베이스와, 상기 간극에 배치되고 상기 기판을 투과하는 광을 상기 기판측으로 반사하도록 구성되는 반사 부재를 포함하는 기판 보유지지 장치를 포함하며,
상기 노광 장치는, 노광 광을 투과시키는 특성을 갖는 상기 기판이 상기 기판 보유지지 장치에 의해 보유지지된 상태에서, 노광 광을 사용하여 상기 원판의 패턴을 상기 기판 상에 전사하며,
상기 기판을 투과하는 광에 대한 상기 반사 부재의 반사율은 상기 기판을 투과하는 광에 대한 상기 베이스의 반사율보다 높은, 물품 제조 방법.
Is a method of making an article,
Exposing the substrate using an exposure apparatus that transfers the pattern of the original onto the substrate using exposure light;
Developing the exposed substrate;
The exposure apparatus,
A substrate holding apparatus including a base having a gap and configured to hold a substrate, and a reflecting member disposed in the gap and configured to reflect light passing through the substrate to the substrate side,
The exposure apparatus transfers the pattern of the original plate onto the substrate using exposure light while the substrate having the property of transmitting exposure light is held by the substrate holding apparatus.
And the reflectance of the reflective member to light passing through the substrate is higher than the reflectance of the base to light passing through the substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111061131B (en) * 2019-12-16 2022-04-05 Tcl华星光电技术有限公司 Exposure machine

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004087833A (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Nikon Corp Substrate holding device
US20080043210A1 (en) * 2004-06-21 2008-02-21 Nikon Corporation Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
CN104298081A (en) * 2014-11-05 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 Exposure machine
CN106773553A (en) * 2017-03-06 2017-05-31 重庆京东方光电科技有限公司 Bogey and exposure sources

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3095514B2 (en) * 1992-01-29 2000-10-03 キヤノン株式会社 Substrate holding board
JP4679999B2 (en) 2005-08-05 2011-05-11 株式会社ブイ・テクノロジー Exposure equipment
JP2008233616A (en) 2007-03-22 2008-10-02 Sharp Corp Periphery exposure device and method of manufacturing panel structure
JP2012151407A (en) * 2011-01-21 2012-08-09 Ushio Inc Work stage and exposure device using work stage
CN105045048B (en) 2015-09-16 2017-05-03 京东方科技集团股份有限公司 Exposure base platform and exposure device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004087833A (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Nikon Corp Substrate holding device
US20080043210A1 (en) * 2004-06-21 2008-02-21 Nikon Corporation Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
CN104298081A (en) * 2014-11-05 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 Exposure machine
CN106773553A (en) * 2017-03-06 2017-05-31 重庆京东方光电科技有限公司 Bogey and exposure sources

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