KR20190135407A - Method of aligning chip part - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 칩 부품을 정렬시키는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of aligning chip components.
내부전극을 가지며, 대략 직방체 형상을 가지는 칩 부품에 대해, 내부전극이 소정의 방향을 향하도록 칩 부품을 정렬시키는 방법이 알려져 있다. For a chip component having an internal electrode and having a substantially rectangular parallelepiped shape, a method of aligning the chip component such that the internal electrode faces a predetermined direction is known.
특허문헌 1에는, 평면으로 보았을 때, 칩 부품의 치수보다도 큰 오목 모양의 포켓에 칩 부품을 수용한 상태에서, 포켓의 바닥면과 평행한 방향으로 자석을 이동시킴으로써 내부전극의 방향을 포켓의 바닥면과 직교하는 방향으로 가지런히 하는 방법이 기재되어 있다. 즉, 평판 모양의 내부전극의 방향이 포켓의 바닥면과 평행한 칩 부품에 대하여 자석을 이동시켜 자력선을 내부전극에 작용시키면, 칩 부품이 횡전(橫轉)함으로써 내부전극의 방향이 포켓의 바닥면과 직교하는 방향으로 가지런해진다고 특허문헌 1에는 기재되어 있다.
그러나 특허문헌 1에 기재된 정렬 방법에서는, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 칩 부품의 길이 방향에 대한 자석의 착자(着磁) 방향이 90°로 되어 있다. 이 때문에 내부전극의 방향이 포켓의 바닥면과 평행한 칩 부품의 횡전율은 그다지 높지 않고, 칩 부품의 정렬률을 향상시키기 위해서 개선의 여지가 있다. However, in the alignment method of
본 발명은 상기 과제를 해결하는 것이고, 칩 부품의 정렬률을 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention solves the said subject and an object of this invention is to provide the technique which can improve the alignment rate of a chip component.
본 발명의 칩 부품의 정렬 방법은, Alignment method of the chip component of the present invention,
길이 방향의 치수(L1)가 폭 방향의 치수(W1) 및 두께 방향의 치수(T1)보다도 긴 대략 직방체 형상을 가지며, 자성체이면서 상기 길이 방향 및 상기 폭 방향에 의해 규정되는 면과 평행한 내부전극을 포함한 칩 부품의 정렬 방법으로서, An internal electrode having a substantially rectangular parallelepiped shape whose length L1 in the longitudinal direction is longer than the dimension W1 in the width direction and the size T1 in the thickness direction, and is a magnetic material and parallel to the surface defined by the longitudinal direction and the width direction. As an alignment method of chip components, including
바닥면과, 제1 측벽과, 상기 제1 측벽과 대향하는 제2 측벽과, 상기 제1 측벽을 따른 면과 상기 제2 측벽을 따른 면 사이에 위치하는 제3 측벽을 가지며, 상기 제1 측벽과 상기 제2 측벽 사이의 거리가, 상기 칩 부품의 상기 폭 방향 및 상기 두께 방향에 의해 규정되는 면의 대각선의 치수 이상이면서 상기 길이 방향의 치수(L1) 이하인 수용 공간에 상기 칩 부품을 수용하는 공정과, The first sidewall having a bottom surface, a first sidewall, a second sidewall facing the first sidewall, a third sidewall positioned between the surface along the first sidewall and the surface along the second sidewall, And the distance between the second side wall and the second side wall to accommodate the chip component in an accommodation space that is equal to or larger than the diagonal dimension of the surface defined by the width direction and the thickness direction of the chip component and is equal to or smaller than the dimension L1 in the longitudinal direction. Fair,
상기 수용 공간에 수용된 상기 칩 부품에 대하여 자석을 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 내부전극의 방향이 상기 바닥면과 직교하는 방향을 향하도록 상기 칩 부품을 정렬시키는 공정을 포함하고, Moving the magnet relative to the chip component accommodated in the accommodation space, thereby aligning the chip component such that the direction of the internal electrode faces a direction orthogonal to the bottom surface;
상기 칩 부품에 대하여 상기 자석을 상대적으로 이동시킬 때의 착자 방향은, 상기 칩 부품의 상기 길이 방향에 대하여 0° 이상 90° 미만의 범위인 것을 특징으로 한다. The magnetization direction when the magnet is moved relative to the chip component is characterized in that it is in a range of 0 ° or more and less than 90 ° with respect to the length direction of the chip part.
상기 수용 공간은 상기 제3 측벽과 대향하는 제4 측벽을 추가로 포함하고 있어도 된다. The accommodation space may further include a fourth side wall facing the third side wall.
상기 수용 공간은 기판에 마련되어 있는 오목부이어도 된다. The accommodation space may be a recess provided in the substrate.
상기 수용 공간에 상기 칩 부품을 수용한 후, 상기 수용 공간의 상방을 덮도록 뚜껑을 덮는 공정을 추가로 포함하고, After accommodating the chip component in the accommodating space, further comprising a step of covering a lid to cover an upper portion of the accommodating space,
상기 뚜껑을 덮은 상태에서, 상기 바닥면으로부터 상기 뚜껑의 내면까지의 거리는, 상기 칩 부품의 상기 폭 방향 및 상기 두께 방향에 의해 규정되는 면의 대각선의 치수 이상이어도 된다. In the state which covered the said lid, the distance from the said bottom surface to the inner surface of the said lid may be more than the dimension of the diagonal of the surface prescribed | regulated by the said width direction and the said thickness direction of the said chip component.
상기 뚜껑을 덮은 상태에서, 상기 바닥면으로부터 상기 뚜껑의 내면까지의 거리는, 상기 칩 부품의 상기 길이 방향의 치수(L1) 이하이어도 된다. In the state which covered the said lid, the distance from the said bottom surface to the inner surface of the said lid may be below the dimension L1 of the said longitudinal direction of the said chip component.
상기 수용 공간에 수용된 상기 칩 부품에 대한 상기 자석의 상대적인 이동 방향은 상기 자석의 착자 방향에 대하여 0° 이상 90° 미만의 방향이어도 된다. The relative movement direction of the magnet with respect to the chip component accommodated in the accommodation space may be in a direction of 0 ° or more and less than 90 ° with respect to the magnetization direction of the magnet.
상기 수용 공간은 기판에 복수개 마련되어 있고, The accommodation space is provided in a plurality of substrates,
복수개의 상기 수용 공간은 상기 기판의 주면(主面)과 평행한 제1 방향으로 늘어서 있어도 된다. The plurality of storage spaces may be arranged in a first direction parallel to the main surface of the substrate.
상기 제1 방향으로 늘어서서 복수개 마련되어 있는 상기 수용 공간은 또한, 상기 기판의 주면과 평행하면서, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로도 늘어서서 복수개 마련되어 있어도 된다. The plurality of accommodation spaces provided in a line in the first direction may be provided in plurality in a second direction orthogonal to the first direction while being parallel to the main surface of the substrate.
상기 칩 부품은, 상기 두께 방향으로 적층된 복수개의 상기 내부전극을 포함하고 있고, The chip component includes a plurality of the internal electrodes stacked in the thickness direction,
복수개의 상기 내부전극은, 상기 칩 부품의 상기 폭 방향에 대향하는 면인 측면에 노출되어 있어도 된다. The plurality of internal electrodes may be exposed on the side surfaces of the chip components that face the width direction.
상기 바닥면, 상기 제1 측벽, 상기 제2 측벽 및 상기 제3 측벽은 비(非)자성체에 의해 구성되어 있어도 된다. The bottom surface, the first sidewall, the second sidewall and the third sidewall may be formed of a nonmagnetic material.
상기 칩 부품에 대하여 상기 자석을 상대적으로 이동시키는 공정을 복수회 실시해도 된다. You may perform the process of moving the said magnet relatively with respect to the said chip component in multiple times.
상기 칩 부품에 대한 상기 자석을 상대적으로 이동시킬 때의 이동 속도는 100㎜/s 이하로 해도 된다.The movement speed at the time of relatively moving the magnet with respect to the chip component may be 100 mm / s or less.
본 발명의 칩 부품의 정렬 방법에 의하면, 칩 부품의 길이 방향에 대한 자석의 착자 방향이 0° 이상 90° 미만의 범위가 되도록, 칩 부품에 대하여 자석을 상대적으로 이동시키므로, 내부전극의 방향이 바닥면과 직교하는 방향을 향하고 있지 않은 칩 부품의 회전률이 높아지고, 내부전극의 방향이 바닥면과 직교하는 방향을 향하는 정렬률을 향상시킬 수 있다. According to the alignment method of the chip component of the present invention, the magnet is moved relative to the chip component so that the magnetization direction of the magnet with respect to the longitudinal direction of the chip component is in a range of 0 ° or more and less than 90 °. The rotation rate of the chip component not facing the direction perpendicular to the bottom surface is increased, and the alignment rate at which the direction of the internal electrodes is directed at the direction orthogonal to the bottom surface can be improved.
도 1은 적층 세라믹 콘덴서를 구성하는 세라믹 소체의 사시도이다.
도 2는 세라믹 소체의 폭 방향 및 두께 방향에 의해 규정되는 면의 대각선의 치수를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은, (a)는 유전체층 상에 배치된 제1 내부전극의 형상을 나타내는 사시도이고, (b)는 유전체층 상에 배치된 제2 내부전극의 형상을 나타내는 사시도이다.
도 4는 팔레트의 형상을 나타내는 평면도이다.
도 5는, (a)는 팔레트에 마련된 오목부의 형상을 나타내는 평면도이고, (b)는 뚜껑을 덮은 상태의 오목부의 측면도이다.
도 6은 뚜껑의 상방에서, 팔레트와 평행한 방향으로 자석을 이동시키는 모습을 나타내는 평면도이다.
도 7은 세라믹 소체에 대하여 자석을 상대적으로 이동시킴으로써, 세라믹 소체를 회전시켜, 내부전극의 방향을 가지런히 하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 오목부의 상방에 위치하는 내면 부분이 다른 내면 부분에 대하여, 두께 방향으로 패여 있는 형상의 뚜껑을 이용한 경우의 단면도이다.1 is a perspective view of a ceramic body constituting a multilayer ceramic capacitor.
2 is a view for explaining the dimensions of the diagonal of the surface defined by the width direction and the thickness direction of the ceramic body.
3 is a perspective view showing the shape of the first internal electrode disposed on the dielectric layer, and (b) is a perspective view showing the shape of the second internal electrode disposed on the dielectric layer.
4 is a plan view showing the shape of a pallet.
5: (a) is a top view which shows the shape of the recessed part provided in the pallet, and (b) is a side view of the recessed part in the state which covered the lid | cover.
6 is a plan view showing a state in which the magnet is moved in a direction parallel to the pallet from above the lid.
FIG. 7 is a view for explaining a process of rotating the ceramic body to orient the internal electrode by moving the magnet relative to the ceramic body.
8 is a cross-sectional view in the case of using a lid of a shape in which the inner surface portion located above the concave portion is recessed in the thickness direction with respect to another inner surface portion.
이하에 본 발명의 실시형태를 나타내어, 본 발명의 특징으로 하는 바를 구체적으로 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Embodiment of this invention is shown to the following, and what characterizes this invention is demonstrated concretely.
우선 첫째로, 정렬시킬 대상의 칩 부품의 구성에 대해 설명한다. 여기서는 칩 부품의 일례로서 적층 세라믹 콘덴서를 구성하는 세라믹 소체를 들어 설명한다. First, the structure of the chip component to be aligned is explained. Here, as an example of a chip component, the ceramic body which comprises a multilayer ceramic capacitor is demonstrated.
(세라믹 소체) (Ceramic body)
도 1은 적층 세라믹 콘덴서를 구성하는 세라믹 소체(10)의 사시도이다. 세라믹 소체(10)는 전체적으로 대략 직방체 형상을 가진다. 1 is a perspective view of a
여기서는, 대략 직방체의 형상을 가지는 세라믹 소체(10)의 가장 긴 변과 평행한 방향을 길이 방향(L)으로 정의한다. 또한, 후술하는 내부전극 (2(2a, 2b))의 적층 방향을 두께 방향(T)으로 정의하고, 길이 방향(L) 및 두께 방향(T) 중 어느 방향에나 직교하는 방향을 폭 방향(W)으로 정의한다. Here, the direction parallel to the longest side of the
세라믹 소체(10)는 길이 방향(L)으로 마주 보는 제1 단면(端面)(11a) 및 제2 단면(11b)과, 두께 방향(T)으로 마주 보는 제1 주면(12a) 및 제2 주면(12b)과, 폭 방향(W)으로 마주 보는 제1 측면(13a) 및 제2 측면(13b)을 가진다. The
세라믹 소체(10)는 모서리부 및 능선부에 라운드형을 띠고 있는 것이 바람직하다. 여기서, 모서리부는 세라믹 소체(10)의 3면이 교차하는 부분이고, 능선부는 세라믹 소체(10)의 2면이 교차하는 부분이다. 상술한 "대략 직방체 형상"에는 모서리부나 능선부를 라운드형으로 한 형상도 포함된다. The
세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)의 치수(L1)는 폭 방향(W)의 치수(W1) 및 두께 방향(T)의 치수(T1)보다 길다. 즉, L1>W1 및 L1>T1의 관계가 성립된다. The dimension L1 of the longitudinal direction L of the
예를 들면, 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)의 치수(L1)는 1.1㎜이고, 폭 방향(W)의 치수(W1)는 0.57㎜이며, 두께 방향(T)의 치수(T1)는 0.57㎜이다. 또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 세라믹 소체(10)의 폭 방향(W) 및 두께 방향(T)에 의해 규정되는 면, 즉, 세라믹 소체(10)를 길이 방향(L)으로 보았을 때의 면의 대각선의 치수(D1)는 예를 들면 0.8㎜이다. For example, the dimension L1 of the longitudinal direction L of the
세라믹 소체(10)는 유전체층(1)과 제1 내부전극(2a) 및 제2 내부전극(2b)을 포함한다. 제1 내부전극(2a) 및 제2 내부전극(2b)은 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L) 및 폭 방향(W)에 의해 규정되는 면과 평행하게 배치되어 있다. The
도 3(a)는 유전체층(1) 상에 배치된 제1 내부전극(2a)의 형상을 나타내는 사시도이고, 도 3(b)는 유전체층(1) 상에 배치된 제2 내부전극(2b)의 형상을 나타내는 사시도이다. 3 (a) is a perspective view showing the shape of the first
제1 내부전극(2a)은, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 평면으로 보았을 때, 십자(十字) 모양의 형상을 가진다. 제1 내부전극(2a)의 대향하는 한 쌍의 단부(端部)(21x, 21y)는 세라믹 소체(10)의 제1 측면(13a) 및 제2 측면(13b)에 각각 인출되어 노출되어 있다. As shown in Fig. 3A, the first
제2 내부전극(2b)은 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 평면으로 보았을 때, 장방형 형상을 가진다. 제2 내부전극(2b)의 대향하는 한 쌍의 단부(22x, 22y)는 세라믹 소체(10)의 제1 단면(11a) 및 제2 단면(11b)에 각각 인출되어 노출되어 있다. As shown in Fig. 3B, the second
제1 내부전극(2a)과 제2 내부전극(2b)은, 두께 방향(T)에서, 유전체층(1)을 사이에 두고 교대로 배치되어 있다. 제1 내부전극(2a)과 제2 내부전극(2b)이 유전체층(1)을 사이에 두고 대향함으로써 용량이 형성되고, 이로써, 콘덴서로서 기능한다. The first
제1 내부전극(2a) 및 제2 내부전극(2b)은 예를 들면, Ni, Cu, Ag, Pd, 및 Au 등의 금속, Ag와 Pd의 합금 등을 함유하고 있다. 제1 내부전극(2a) 및 제2 내부전극(2b)은, 또한 유전체층(1)에 포함되는 세라믹과 동일 조성계의 유전체 입자를 포함하고 있어도 된다. The first
유전체층(1)은 예를 들면, 유전체 세라믹을 주성분으로 하는 재료에 의해 구성되어 있다. 유전체 세라믹의 구체예로는 예를 들면, BaTiO3, CaTiO3, SrTiO3, CaZrO3 등을 들 수 있다. 유전체층(1)에는 예를 들면, Mn 화합물, Mg 화합물, Si 화합물, Co 화합물, Ni 화합물, 희토류 화합물 등의 부성분이 적절히 첨가되어 있어도 된다. The
상술한 구성을 가지는 세라믹 소체(10)를 이용하여, 예를 들면 3단자형 적층 세라믹 콘덴서를 형성할 수 있다. 그와 같은 3단자형 적층 세라믹 콘덴서는, 상술한 세라믹 소체(10)와, 제1 단면(11a)에 형성된 제1 외부전극과, 제2 단면(11b)에 형성된 제2 외부전극과, 세라믹 소체(10)를 주회(周回)하도록, 제1 측면(13a), 제2 측면(13b), 제1 주면(12a) 및 제2 주면(12b)에 형성된 띠 모양의 제3 외부전극을 포함한다. For example, a three-terminal multilayer ceramic capacitor can be formed using the
제1 외부전극은 제1 단면(11a)에 인출된 제2 내부전극(2b)과 전기적으로 접속된다. 제2 외부전극은 제2 단면(11b)에 인출된 제2 내부전극(2b)과 전기적으로 접속된다. 또한, 제3 외부전극은 제1 측면(13a) 및 제2 측면(13b)에 인출된 제1 내부전극(2a)과 전기적으로 접속된다. The first external electrode is electrically connected to the second
(칩 부품의 정렬 방법) (How to arrange chip parts)
칩 부품의 정렬 방법에 대해 설명한다. 여기서는, 칩 부품이 상술한 구성을 가지는 세라믹 소체(10)인 것으로서 설명한다. The alignment method of chip components is demonstrated. Here, it demonstrates as a chip element which is the
첫째로, 복수개의 오목부가 마련된 기판으로서의 팔레트와 팔레트 뚜껑을 준비한다. 오목부는 칩 부품이 수용되는 수용 공간을 구성한다. 팔레트 및 뚜껑은 예를 들면, 비자성체의 베이클라이트(Bakelite)에 의해 구성되어 있다. First, the pallet and pallet lid as a board | substrate with which the some recessed part was provided are prepared. The recess constitutes a receiving space in which the chip component is accommodated. The pallet and lid are made of, for example, non-magnetic Bakelite.
도 4는 팔레트(40)의 형상을 나타내는 평면도이다. 또한, 도 5(a)는 팔레트(40)에 마련된 오목부(41)의 형상을 나타내는 평면도이고, 도 5(b)는 오목부(41)의 측면도이다. 도 5(b)는 팔레트(40)에 뚜껑(42)을 덮은 상태의 측면도를 나타내고 있다. 4 is a plan view showing the shape of the
팔레트(40)는 전체적으로 평판 모양의 형상을 가지며, 복수개의 오목부(41)을 포함한다. 오목부(41)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 평판 모양의 팔레트(40)의 주면과 평행한 제1 방향(X축 방향)으로 늘어서서 복수개 마련되어 있고, 또한 팔레트(40)의 주면과 평행하면서 제1 방향과 직교하는 제2 방향(Y축 방향)으로도 늘어서서 복수개 마련되어 있다. 단, 팔레트(40)에 마련되어 있는 오목부(41)의 수가 도 4에 나타내는 수에 한정되는 것은 아니다. The
오목부(41)는 바닥면(41a)과 제1 측벽(41b)과 제2 측벽(41c)과 제3 측벽(41d)과 제4 측벽(41e)에 의해 구성되어 있다. 제1 측벽(41b)과 제2 측벽(41c)은 서로 대향하는 위치에 마련되어 있다. 제3 측벽(41d)과 제4 측벽(41e)은 서로 대향하는 위치에 마련되어 있다. 제3 측벽(41d) 및 제4 측벽(41e)은 각각 제1 측벽(41b) 및 제2 측벽(41c)과 직교한다. The recessed
여기서는, 오목부(41)의 바닥면을 구성하는 변 중 가장 긴 변과 평행한 방향, 즉, 제3 측벽(41d)과 제4 측벽(41e)이 대향하는 방향을 오목부(41)의 길이 방향이라고 부른다. 또한, 오목부(41)의 바닥면을 구성하는 변 중 가장 짧은 변과 평행한 방향, 즉, 제1 측벽(41b)과 제2 측벽(41c)이 대향하는 방향을 오목부(41)의 폭 방향이라고 부른다. 또한, 바닥면(41a)과 직교하는 방향을 오목부(41)의 깊이 방향이라고 부른다. In this case, the length of the
오목부(41)의 길이 방향의 치수(L2)는 폭 방향의 치수(W2) 및 깊이 방향의 치수(T2)보다 길다. 즉, L2>W2 및 L2>T2의 관계가 성립된다. The dimension L2 of the longitudinal direction of the recessed
오목부(41)의 길이 방향의 치수(L2)는 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)의 치수(L1)보다도 길다. 오목부(41)의 폭 방향의 치수(W2)는 세라믹 소체(10)의 폭 방향(W)의 치수(W1) 및 두께 방향(T)의 치수(T1)보다도 길다. The dimension L2 of the longitudinal direction of the recessed
또한, 오목부(41)의 폭 방향의 치수(W2)는, 세라믹 소체(10)의 폭 방향(W) 및 두께 방향(T)에 의해 규정되는 면의 대각선의 치수(D1)(도 2 참조) 이상이면서, 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)의 치수(L1) 이하이다. In addition, the dimension W2 of the width direction of the recessed
오목부(41)의 상방을 막도록 팔레트(40)에 뚜껑(42)을 덮은 상태에서, 오목부(41)의 바닥면(41a)으로부터 뚜껑(42)의 내면(42a)까지의 거리는, 세라믹 소체(10)의 폭 방향(W) 및 두께 방향(T)에 의해 규정되는 면의 대각선의 치수(D1)(도 2 참조) 이상이다. 본 실시형태에서는, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 오목부(41)의 바닥면(41a)으로부터 뚜껑(42)의 내면(42a)까지의 거리는 오목부(41)의 깊이 방향의 치수(T2)와 동일하다. In the state which covered the
또한, 뚜껑(42)을 덮은 상태에서, 오목부(41)의 바닥면(41a)으로부터 뚜껑(42)의 내면(42a)까지의 거리는 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)의 치수(L1) 이하이다. In addition, in the state which covered the
세라믹 소체(10)의 치수가 상술한 치수, 즉, 길이 방향(L)의 치수(L1)는 1.1㎜, 폭 방향(W)의 치수(W1)는 0.57㎜, 두께 방향(T)의 치수(T1)는 0.57㎜인 경우, 오목부(41)의 치수의 일례는 이하와 같다. 즉, 오목부(41)의 길이 방향의 치수(L2)는 예를 들면 1.3㎜이고, 폭 방향의 치수(W2)는 예를 들면 0.9㎜이다. 또한, 오목부(41)의 깊이 방향의 치수(T2), 즉, 오목부(41)의 바닥면(41a)으로부터 뚜껑(42)의 내면(42a)까지의 거리는 예를 들면 1.0㎜이다. The dimension of the
준비한 팔레트(40)의 오목부(41)에 세라믹 소체(10)를 투입한다. 세라믹 소체(10) 및 오목부(41)의 치수가 상술한 관계를 가짐으로써, 오목부(41)에 투입된 세라믹 소체(10)의 제1 단면(11a) 및 제2 단면(11b) 중 한쪽은 오목부(41)의 제3 측벽(41d)과 대향하고, 다른 쪽은 제4 측벽(41e)과 대향한다. The
이어서, 오목부(41)에 수용된 세라믹 소체(10)의 상방을 덮도록, 팔레트(40)의 상부에 뚜껑(42)을 배치한다. Next, the
이어서, 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)에 대한 자석의 착자 방향이 0° 이상 90° 미만의 범위에 있는 상태에서, 오목부(41)에 수용된 세라믹 소체(10)에 대하여 자석을 상대적으로 이동시킨다. 여기서, "세라믹 소체(10)에 대하여 자석을 상대적으로 이동시키는" 방법에는, 팔레트(40)를 움직이지 않고 자석을 이동시키는 방법, 자석을 움직이지 않고 팔레트(40)를 이동시키는 방법, 팔레트(40)와 자석을 모두 이동시키는 방법이 있다. 즉, 상술한 3개의 방법 중 어느 하나의 방법에 의해, 세라믹 소체(10)에 대하여 자석을 상대적으로 이동시키면 된다. Subsequently, while the magnetization direction of the magnet with respect to the longitudinal direction L of the
본 실시형태에서는 팔레트(40)를 움직이지 않고, 자석을 이동시킨다. 구체적으로는 도 6에 나타내는 바와 같이, 뚜껑(42)의 상방에서, 평판 모양의 팔레트(40)의 주면과 평행한 방향으로 자석(50)을 이동시킨다. 자석(50)은, 팔레트(40)의 모든 오목부(41)에 각각 수용되어 있는 세라믹 소체(10)의 상방을 통과하도록 이동시킨다. In this embodiment, the magnet is moved without moving the
자석(50)은 예를 들면 네오디뮴 자석이다. 도 6에 나타내는 자석(50)은, 평면으로 보았을 때, 장방형 형상을 가지며, 그 착자 방향(자화(磁化) 방향)(K)은 자석(50)의 길이 방향과 직교하는 폭 방향이다. The
상술한 바와 같이, 세라믹 소체(10)에 대하여 상대적으로 자석(50)을 이동시킬 때, 자석(50)의 착자 방향(K)은, 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)에 대하여 0° 이상 90° 미만의 범위에 있다. 즉, 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)과 자석(50)의 착자 방향(K) 사이의 각도(θ)는 0° 이상 90° 미만이다(도 6 참조). 한편, 도 6에서는 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)이 Y축 방향과 일치해 있을 때의 각도(θ)를 나타내고 있다. As described above, when the
세라믹 소체(10)에 대한 자석(50)의 상대적인 이동 방향은, 자석(50)의 착자 방향(K)에 대하여 0° 이상 90° 미만의 방향으로 한다. 본 실시형태에서는 Y축 방향으로 자석(50)을 이동시킨다. 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)이 Y축 방향과 일치해 있을 경우, 자석(50)의 이동 방향과 착자 방향(K) 사이의 각도는, 상술한 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)과 자석(50)의 착자 방향(K) 사이의 각도(θ)와 동일하다. 한편, 세라믹 소체(10)에 대한 자석(50)의 상대적인 이동 방향은 기판으로서의 팔레트(40)의 주면을 따른 방향인 것이 바람직하다. The relative movement direction of the
본 실시형태에서는, 세라믹 소체(10)에 대하여 자석(50)을 상대적으로 이동시킴으로써, 내부전극(2)의 방향이 오목부(41)의 바닥면(41a)과 평행한 방향인 세라믹 소체(10)를 회전시켜서, 내부전극(2)의 방향을 오목부(41)의 바닥면(41a)과 직교하는 방향으로 가지런히 한다. 내부전극(2)의 방향이란, 평판 모양의 내부전극(2)과 평행한 방향이다. In the present embodiment, by moving the
즉, 내부전극(2)의 방향이 오목부(41)의 바닥면(41a)과 평행한 방향인 세라믹 소체(10)(도 7(a) 참조)에 대하여, 자석(50)을 상대적으로 이동시킴으로써, 자석(50)의 자력선을 내부전극(2)에 작용시킨다. 도 7(a)에 나타내는 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)은 Y축 방향이다. That is, the
자석(50)의 자력선을 내부전극(2)에 작용시킴으로써, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)과 평행한 방향의 축을 회전축으로 하여, 세라믹 소체(10)는 회전한다. 그리고 도 7(c)에 나타내는 바와 같이, 내부전극(2)의 방향이 오목부(41)의 바닥면(41a)과 직교하는 방향으로 가지런해진다. By applying the magnetic force lines of the
본 실시형태에서의 칩 부품의 정렬 방법에 의하면, 칩 부품인 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)에 대한 자석(50)의 착자 방향(K)이 0° 이상 90° 미만의 범위가 되도록, 세라믹 소체(10)에 대하여 자석(50)을 상대적으로 이동시키므로, 내부전극(2)의 방향이 오목부(41)의 바닥면(41a)과 평행한 세라믹 소체(10)의 회전률이 높아지고, 정렬률을 향상시킬 수 있다. According to the alignment method of the chip component in this embodiment, the magnetization direction K of the
상술한 바와 같이, 오목부(41)의 폭 방향의 치수(W2)는, 세라믹 소체(10)의 폭 방향(W) 및 두께 방향(T)에 의해 규정되는 면의 대각선의 치수(D1)(도 2 참조) 이상이면서, 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)의 치수(L1) 이하이다. 이로써, 세라믹 소체(10)가 오목부(41)의 바닥면(41a)과 직교하는 축을 회전축으로 하여 회전하는 것을 방지하면서, 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)의 축을 회전축으로 하여 세라믹 소체(10)를 회전시킬 수 있다. As mentioned above, the dimension W2 of the width direction of the recessed
또한, 오목부(41)는 바닥면(41a) 이외에 제1 측벽(41b)과 제2 측벽(41c)과 제3 측벽(41d)과 제4 측벽(41e)을 포함하므로, 세라믹 소체(10)가 바닥면(41a)과 평행한 방향에서의 외부로 튀어나올 일이 없다. 이로써, 세라믹 소체(10)에 대하여 자석(50)을 상대적으로 왕복 이동시킬 수 있고, 후술하는 바와 같이, 정렬률을 향상시킬 수 있다. In addition, since the recessed
또한, 팔레트(40)의 오목부(41)의 상방을 막도록 뚜껑(42)을 덮음으로써, 세라믹 소체(10)가 밖으로 튀어나오는 것을 막을 수 있다. 뚜껑(42)을 덮은 상태에서, 오목부(41)의 바닥면(41a)으로부터 뚜껑(42)의 내면까지의 거리는, 세라믹 소체(10)의 폭 방향(W) 및 두께 방향(T)에 의해 규정되는 면의 대각선의 치수(D1) 이상이기 때문에, 뚜껑(42)을 덮은 상태에서도 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)의 축을 회전축으로 하여 세라믹 소체(10)를 회전시킬 수 있다. In addition, by covering the
또한, 뚜껑(42)을 덮은 상태에서, 오목부(41)의 바닥면(41a)으로부터 뚜껑(42)의 내면까지의 거리는 세라믹 소체(10)의 길이 방향(L)의 치수(L1) 이하이므로, 제1 단면(11a) 또는 제2 단면(11b)을 아래로 하여, 세라믹 소체(10)가 서는 상태가 되는 것을 방지할 수 있다. In addition, since the distance from the
상술한 바와 같이, 본 실시형태에서의 칩 부품의 정렬 방법에서는, 오목부(41)에 수용된 세라믹 소체(10)에 대한 자석(50)의 상대적인 이동 방향은, 자석(50)의 착자 방향(K)에 대하여 0° 이상 90° 미만의 방향이다. 자석(50)의 상대적인 이동 방향을 자석(50)의 착자 방향(K)에 대하여 90°의 방향으로 하면, 세라믹 소체(10)의 회전률이 낮아지기 때문에, 자석(50)의 착자 방향(K)에 대하여 0° 이상 90° 미만의 방향으로 함으로써 세라믹 소체(10)의 회전율을 향상시키고, 정렬률을 향상시킬 수 있다. As described above, in the chip component alignment method according to the present embodiment, the relative moving direction of the
(실시예 1) (Example 1)
길이 방향(L)의 치수(L1)는 1.1㎜, 폭 방향(W)의 치수(W1)는 0.57㎜, 두께 방향(T)의 치수(T1)는 0.57㎜인 세라믹 소체(10)를 복수개 준비했다. 이 적층 세라믹 콘덴서의 폭 방향(W) 및 두께 방향(T)에 의해 규정되는 면의 치수(D1)는 약 0.8㎜이다. The plurality of
또한, 길이 방향의 치수(L2)는 1.3㎜, 폭 방향의 치수(W2)는 0.9㎜, 오목부(41)의 깊이 방향의 치수(T2)는 1.0㎜인 오목부를 복수개 포함한 팔레트를 준비했다. Moreover, the pallet including the plurality of recessed parts whose length L2 is 1.3 mm, the dimension W2 of the width direction is 0.9 mm, and the dimension T2 of the depth direction of the recessed
그리고 팔레트의 복수개의 오목부에 적층 세라믹 콘덴서를 투입한 후, 뚜껑을 덮었다. And after putting a laminated ceramic capacitor into the some recessed part of a pallet, the lid was covered.
그 후, 미리 준비한 네오디뮴 자석(이하, 간단히 자석이라고 부름)을, 뚜껑의 상방에서, 평판 모양의 팔레트와 평행한 방향으로 이동시켰다. 자석은 길이 240㎜, 폭 20㎜, 높이 15㎜의 직방체 형상을 가진다. 자석은, 팔레트와 뚜껑이 접해 있는 면으로부터 15㎜ 거리의 위치에서 100㎜/s의 속도로 이동시켰다. 자석의 이동 방향은 착자 방향과 동일 방향으로 했다. Thereafter, the neodymium magnet (hereinafter, simply referred to as a magnet) prepared in advance was moved in a direction parallel to the flat pallet on the upper side of the lid. The magnet has a rectangular parallelepiped shape of 240 mm in length, 20 mm in width and 15 mm in height. The magnet was moved at a speed of 100 mm / s at a position 15 mm from the surface where the pallet and the lid were in contact. The moving direction of the magnet was in the same direction as the magnetizing direction.
여기서는, 팔레트의 오목부에 투입된 546개의 세라믹 소체를 대상으로 하여, 세라믹 소체의 길이 방향(L)과 자석의 착자 방향(K) 사이의 각도(θ)를 바꿈으로써, 세라믹 소체의 내부전극의 방향이 오목부의 바닥면과 직교하는 방향으로 가지런해지는 정렬률을 조사했다. In this case, the 546 ceramic bodies introduced into the recess of the pallet are subjected to an object, and the direction of the internal electrodes of the ceramic body is changed by changing the angle θ between the longitudinal direction L of the ceramic body and the magnetization direction K of the magnet. The alignment rate aligned in the direction orthogonal to the bottom surface of the recess was investigated.
세라믹 소체의 폭 방향(W)의 치수(W1)와 두께 방향의 치수(T1)는 동일하기 때문에, 세라믹 소체를 팔레트의 오목부에 투입했을 때에, 내부전극의 방향이 오목부의 바닥면과 평행한 방향이 될 확률과, 오목부의 바닥면과 직교하는 방향이 될 확률은 같다. 따라서, 세라믹 소체를 팔레트의 오목부에 투입한 상태의 정렬률은 50%이다. Since the dimension W1 in the width direction W of the ceramic element is the same as the dimension T1 in the thickness direction, when the ceramic element is placed in the recess of the pallet, the direction of the internal electrodes is parallel to the bottom surface of the recess. The probability of becoming a direction and the probability of becoming a direction orthogonal to the bottom surface of the recess are the same. Therefore, the alignment rate in the state which put the ceramic body into the recessed part of a pallet is 50%.
표 1에, 세라믹 소체의 길이 방향(L)과 자석의 착자 방향(K) 사이의 각도(θ)와 정렬률의 관계를 나타낸다. 정렬률은, 팔레트에 대하여 자석을 상대적으로 1회 이동시키고 나서 정렬률을 구하는 공정을 3회 실시하고, 3회의 정렬률의 평균값으로 했다. Table 1 shows the relationship between the angle θ and the alignment rate between the longitudinal direction L of the ceramic body and the magnetization direction K of the magnet. The alignment rate was performed three times to calculate the alignment rate after the magnet was moved once relative to the pallet, and the alignment rate was the average of three alignment rates.
표 1에 나타내는 바와 같이, 세라믹 소체의 길이 방향(L)과 자석의 착자 방향(K) 사이의 각도(θ)는 0°에 가까울수록 정렬률이 높아졌다. 본 실시예에서는 상기 각도(θ)가 5°일 때에 정렬률이 100%가 되어, 가장 정렬률이 높아졌다. 또한, 상기 각도(θ)가 60° 이상일 때에 정렬률은 85% 이상이 되었다. As shown in Table 1, as the angle θ between the longitudinal direction L of the ceramic body and the magnetization direction K of the magnet was closer to 0 °, the alignment ratio was higher. In this embodiment, when the angle [theta] is 5 [deg.], The alignment rate is 100%, and the alignment rate is the highest. Moreover, when the said angle (theta) was 60 degrees or more, the alignment rate became 85% or more.
표 1에 나타내는 바와 같이, 상기 각도(θ)가 90°일 때에 정렬률이 80% 미만이 되어, 가장 정렬률이 낮아졌다. 이것은 상기 각도(θ)가 90°일 때에는 세라믹 소체의 길이 방향(L)의 양단에 거의 동일한 자력이 작용하여, 회전력이 생기기 어렵기 때문이라고 추측된다. As shown in Table 1, when the said angle (theta) was 90 degrees, the alignment rate became less than 80%, and the alignment rate became the lowest. This is presumably because when the angle θ is 90 °, almost the same magnetic force acts on both ends of the longitudinal direction L of the ceramic element, and rotational force is less likely to occur.
즉, 본 실시형태와 같이, 세라믹 소체의 길이 방향(L)과 자석의 착자 방향(K) 사이의 각도(θ)를 0° 이상 90° 미만으로 한 상태에서, 세라믹 소체에 대하여 자석을 상대적으로 이동시킴으로써, 내부전극의 방향을 오목부의 바닥면과 직교하는 방향으로 가지런히 하는 정렬률을 향상시킬 수 있다. That is, as in the present embodiment, the magnet is relatively to the ceramic body in a state where the angle θ between the longitudinal direction L of the ceramic body and the magnetization direction K of the magnet is set to 0 ° or more and less than 90 °. By moving, the alignment rate which makes the direction of an internal electrode orientate in the direction orthogonal to the bottom surface of a recessed part can be improved.
특히, 세라믹 소체의 길이 방향(L)과 자석의 착자 방향(K) 사이의 각도(θ)를 0° 이상 60° 이하로 함으로써, 정렬률을 85% 이상으로 할 수 있으므로 바람직하다. In particular, since the alignment rate can be 85% or more by setting the angle θ between the longitudinal direction L of the ceramic body and the magnetization direction K of the magnet to be 0 ° or more and 60 ° or less, it is preferable.
(실시예 2) (Example 2)
팔레트에 대하여 상대적으로 자석을 이동시킬 때의 이동 속도 V를 바꿈으로써, 세라믹 소체의 내부전극의 방향이 오목부의 바닥면과 직교하는 방향으로 가지런해지는 정렬률을 조사했다. 세라믹 소체 및 팔레트의 사이즈 등은 실시예 1과 동일하다. 단, 세라믹 소체의 길이 방향(L)과 자석의 착자 방향(K) 사이의 각도(θ)는 1°로 했다. By changing the moving speed V when moving the magnet relative to the pallet, the alignment rate at which the direction of the internal electrodes of the ceramic element is aligned in the direction orthogonal to the bottom surface of the recess was investigated. The sizes of the ceramic body and the pallet are the same as those in the first embodiment. However, angle (theta) between the longitudinal direction L of a ceramic element, and the magnetization direction K of a magnet was 1 degree.
표 2에, 자석의 이동 속도 V와 정렬률의 관계를 나타낸다. 정렬률은, 실시예 1과 마찬가지로, 팔레트에 대하여 자석을 상대적으로 1회 이동시키고 나서 정렬률을 구하는 공정을 3회 실시하고, 3회의 정렬률의 평균값으로 했다. Table 2 shows the relationship between the moving speed V and the alignment rate of the magnet. As for the alignment rate, similarly to Example 1, three steps of calculating the alignment rate after moving the magnet relative to the pallet one time were carried out three times, and the alignment rate was set to the average value of three alignment rates.
표 2에 나타내는 바와 같이, 자석의 이동 속도 V를 67.5㎜/s, 85㎜/s, 112.5㎜/s로 바꾸었으나, 정렬률은 모두 90% 이상으로 높은 수치가 되었다. 특히, 자석의 이동 속도 V를 100㎜/s 이하로 하면, 이동 속도 V가 100㎜/s 미만인 경우와 비교하여 정렬율이 보다 높아지므로, 세라믹 소체에 대하여 자석을 상대적으로 이동시킬 때의 이동 속도 V는 100㎜/s 이하로 하는 것이 바람직하다. As shown in Table 2, although the moving speed V of the magnet was changed to 67.5 mm / s, 85 mm / s, and 112.5 mm / s, the alignment ratios were all higher than 90%. In particular, when the moving speed V of the magnet is 100 mm / s or less, the alignment rate is higher than that when the moving speed V is less than 100 mm / s. Therefore, the moving speed when the magnet is relatively moved with respect to the ceramic body It is preferable to make V 100 mm / s or less.
또한, 자석의 이동 속도 V를 112.5㎜/s로 하여, 팔레트에 대하여 자석을 상대적으로 N회 이동시켰을 때의 정렬률을 조사했다. 표 3에 자석의 이동 횟수 N과 정렬률의 관계를 나타낸다. Moreover, the alignment rate at the time of moving the magnet relatively N times with respect to the pallet was made with the moving speed V of a magnet being 112.5 mm / s. Table 3 shows the relationship between the number N of magnet movements and the alignment rate.
표 3에 나타내는 바와 같이, 자석의 이동 횟수 N이 1회일 때의 정렬률은 96.5%이고, 팔레트에 대하여 자석을 상대적으로 이동시키는 횟수 N이 늘어날수록 정렬률은 높아져서 100%에 가까워졌다. 즉, 팔레트에 대하여 자석을 상대적으로 이동시키는 횟수 N이 늘어날수록 정렬률은 향상된다. 또한, 팔레트에 대하여 자석을 상대적으로 이동시키는 횟수 N이 늘어나도 내부전극의 방향이 오목부의 바닥면과 직교하는 방향과 일치해 있는 세라믹 소체가 회전하여, 내부전극의 방향이 오목부의 바닥면과 평행한 방향이 될 가능성은 낮다. As shown in Table 3, when the number of movements of the magnet N was 1, the alignment rate was 96.5%, and as the number N of moving the magnets relative to the pallet increased, the alignment rate became higher and approached 100%. That is, as the number N of moving the magnet relative to the pallet increases, the alignment rate is improved. Further, even if the number N of moving the magnet relative to the pallet increases, the ceramic element whose direction of the internal electrode coincides with the direction perpendicular to the bottom surface of the recess rotates, so that the direction of the internal electrode is parallel to the bottom surface of the recess. It is unlikely to be in one direction.
본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위 내에서 다양한 응용, 변형을 가하는 것이 가능하다. The present invention is not limited to the above embodiment, and various applications and modifications can be made within the scope of the present invention.
예를 들면, 내부전극의 방향을 오목부의 바닥면과 직교하는 방향으로 가지런히 할 대상인 칩 부품의 구성이 도 1에 나타내는 구성에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 정렬시킬 대상의 칩 부품은 소성 전의 칩 부품이어도 되고, 외부전극을 가지는 칩 부품, 예를 들면 적층 세라믹 콘덴서이어도 된다. For example, the configuration of the chip component, which is the object to be aligned in the direction orthogonal to the bottom surface of the recess, is not limited to the configuration shown in FIG. For example, the chip component to be aligned may be a chip component before firing or a chip component having an external electrode, for example, a multilayer ceramic capacitor.
상술한 실시형태에서는, 세라믹 소체(10)에 대하여 자석(50)을 상대적으로 이동시키기 위해, 오목부(41)에 세라믹 소체(10)가 수용된 팔레트(40)를 움직이지 않고, 자석(50)을 이동시키는 것으로서 설명했다. 그러나 자석(50)을 움직이지 않고, 팔레트(40)를 움직이도록 해도 되고, 팔레트(40)와 자석(50)을 모두 움직이도록 해도 된다. In the above-described embodiment, in order to move the
상술한 실시형태에서는, 칩 부품의 수용 공간은, 바닥면(41a)과 제1 측벽(41b)과 제2 측벽(41c)과 제3 측벽(41d)과 제4 측벽(41e)에 의해 구성된 오목부(41)인 것으로서 설명했다. 그러나 수용 공간은 적어도 바닥면과 제1 측벽과 제2 측벽과 제3 측벽을 가지고 있으면 된다. 예를 들면, 바닥면 상에, 제1 측벽을 형성하는 기둥과, 제2 측벽을 형성하는 기둥과, 제3 측벽을 형성하는 기둥이 배치됨으로써 수용 공간이 형성되어 있어도 된다. In the above-mentioned embodiment, the accommodating space of a chip component is concave comprised by the
또한, 상술한 실시형태에서는, 제3 측벽(41d)은 제1 측벽(41b) 및 제2 측벽(41c)과 직교하는 양태로 마련되어 있는데, 적어도 제1 측벽(41b)을 따른 면과 제2 측벽(41c)을 따른 면 사이에 위치하고 있으면 된다. 여기서, "제1 측벽(41b)을 따른 면"에는 제1 측벽(41b)의 표면뿐만 아니라, 제1 측벽(41b)의 표면의 연장상의 면도 포함된다. "제2 측벽(41c)을 따른 면"에 대해서도 마찬가지이다. 그 경우, 제1 측벽(41b), 제2 측벽(41c), 및 제3 측벽(41d)의 표면이 평면일 필요는 없다. 단, 상술한 실시형태와 같이, 제3 측벽(41d)은 제1 측벽(41b) 및 제2 측벽(41c)과 직교하는 양태로 마련되어 있는 것이 바람직하다. In addition, in the above-described embodiment, the
상술한 실시형태에서, 오목부(41)의 바닥면(41a)으로부터 뚜껑(42)의 내면(42a)까지의 거리는 오목부(41)의 깊이 방향의 치수(T2)와 동일하지만, 달라도 된다. 예를 들면, 도 8에 나타내는 뚜껑(42A)은, 그 내면 중 오목부(41)의 상방에 위치하는 부분(421)이 그 밖의 부분(422)과 비교하여 뚜껑(42A)의 두께 방향으로 패여 있다. 따라서, 오목부(41)의 바닥면(41a)으로부터 뚜껑(42)의 내면까지의 거리(T3)는 오목부(41)의 깊이 방향의 치수(T2)보다 길다. In the above-mentioned embodiment, the distance from the
상술한 실시형태에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 뚜껑(42)의 상방에서, 평판 모양의 팔레트(40)와 평행한 방향으로 자석(50)을 이동시키는 것으로서 설명했는데, 팔레트(40)의 하방에서, 평판 모양의 팔레트(40)와 평행한 방향으로 자석(50)을 이동시키도록 해도 된다. In the above-described embodiment, as illustrated in FIG. 6, the
1: 유전체층 2a: 제1 내부전극
2b: 제2 내부전극 10: 세라믹 소체
11a: 제1 단면 11b: 제2 단면
12a: 제1 주면 12b: 제2 주면
13a: 제1 측면 13b: 제2 측면
40: 팔레트 41: 오목부
41a: 오목부의 바닥면 41b: 제1 측벽
41c: 제2 측벽 41d: 제3 측벽
41e: 제4 측벽 42: 뚜껑
50: 자석 1:
2b: second internal electrode 10: ceramic body
11a:
12a: first
13a:
40: pallet 41: recess
41a: bottom surface of recessed
41c:
41e: fourth side wall 42: lid
50: magnet
Claims (12)
바닥면과, 제1 측벽과, 상기 제1 측벽과 대향하는 제2 측벽과, 상기 제1 측벽을 따른 면과 상기 제2 측벽을 따른 면 사이에 위치하는 제3 측벽을 가지며, 상기 제1 측벽과 상기 제2 측벽 사이의 거리가 상기 칩 부품의 상기 폭 방향 및 상기 두께 방향에 의해 규정되는 면의 대각선의 치수(D1) 이상이면서, 상기 길이 방향의 치수(L1) 이하인 수용 공간에 상기 칩 부품을 수용하는 공정과,
상기 수용 공간에 수용된 상기 칩 부품에 대하여 자석을 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 내부전극의 방향이 상기 바닥면과 직교하는 방향을 향하도록 상기 칩 부품을 정렬시키는 공정을 포함하고,
상기 칩 부품에 대하여 상기 자석을 상대적으로 이동시킬 때의 착자(着磁) 방향은, 상기 칩 부품의 상기 길이 방향에 대하여 0° 이상 90° 미만의 범위인 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법.The length L1 in the longitudinal direction has a rectangular parallelepiped shape which is longer than the width W1 in the width direction and the size T1 in the thickness direction, and is a magnetic material that is parallel to the surface defined by the length direction and the width direction. As an alignment method of the chip component included,
The first sidewall having a bottom surface, a first sidewall, a second sidewall facing the first sidewall, and a third sidewall positioned between the surface along the first sidewall and the surface along the second sidewall; The chip component in a receiving space having a distance between the second sidewall and the second side wall being equal to or larger than the diagonal dimension D1 of the surface defined by the width direction and the thickness direction of the chip component, or less than the dimension L1 in the longitudinal direction. To accommodate the process,
Moving the magnet relative to the chip component accommodated in the accommodation space, thereby aligning the chip component such that the direction of the internal electrode faces a direction orthogonal to the bottom surface;
The magnetization direction at the time of moving the said magnet relatively with respect to the said chip component is a range of 0 degree or more and less than 90 degree with respect to the said longitudinal direction of the said chip component.
상기 수용 공간은 상기 제3 측벽과 대향하는 제4 측벽을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법. The method of claim 1,
And the receiving space further comprises a fourth side wall facing the third side wall.
상기 수용 공간은 기판에 마련되어 있는 오목부인 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법.The method according to claim 1 or 2,
And the accommodation space is a recess provided in the substrate.
상기 수용 공간에 상기 칩 부품을 수용한 후, 상기 수용 공간의 상방을 덮도록 뚜껑을 덮는 공정을 추가로 포함하고,
상기 뚜껑을 덮은 상태에서, 상기 바닥면으로부터 상기 뚜껑의 내면까지의 거리는, 상기 칩 부품의 상기 폭 방향 및 상기 두께 방향에 의해 규정되는 면의 대각선의 치수 이상인 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법. The method according to claim 1 or 2,
After accommodating the chip component in the accommodating space, further comprising a step of covering a lid to cover an upper portion of the accommodating space,
In the state which covered the said lid, the distance from the said bottom surface to the inner surface of the said lid is more than the dimension of the diagonal of the surface prescribed | regulated by the said width direction and the said thickness direction of the said chip component, The alignment method of the chip component characterized by the above-mentioned.
상기 뚜껑을 덮은 상태에서, 상기 바닥면으로부터 상기 뚜껑의 내면까지의 거리는 상기 칩 부품의 상기 길이 방향의 치수(L1) 이하인 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법. The method of claim 4, wherein
In the state that the lid is covered, the distance from the bottom surface to the inner surface of the lid is less than the dimension (L1) in the longitudinal direction of the chip component.
상기 수용 공간에 수용된 상기 칩 부품에 대한 상기 자석의 상대적인 이동 방향은, 상기 자석의 착자 방향에 대하여 0° 이상 90° 미만의 방향인 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법. The method according to claim 1 or 2,
The direction of movement of the magnet relative to the chip component accommodated in the accommodating space is a direction of 0 ° or more and less than 90 ° with respect to the magnetization direction of the magnet.
상기 수용 공간은 기판에 복수개 마련되어 있고,
복수개의 상기 수용 공간은, 상기 기판의 주면(主面)과 평행한 제1 방향으로 늘어서 있는 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법. The method according to claim 1 or 2,
The accommodation space is provided in a plurality of substrates,
A plurality of said accommodating spaces are arranged in the 1st direction parallel to the main surface of the said board | substrate, The alignment method of the chip component characterized by the above-mentioned.
상기 제1 방향으로 늘어서서 복수개 마련되어 있는 상기 수용 공간은 또한 상기 기판의 주면과 평행하면서, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로도 늘어서서 복수개 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법. The method of claim 7, wherein
And the plurality of accommodating spaces arranged in a line in the first direction are provided in a plurality of lines in a second direction perpendicular to the first direction while being parallel to the main surface of the substrate.
상기 칩 부품은 상기 두께 방향으로 적층된 복수개의 상기 내부전극을 포함하고 있고,
복수개의 상기 내부전극은 상기 칩 부품의 상기 폭 방향에 대향하는 면인 측면에 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법.The method according to claim 1 or 2,
The chip component includes a plurality of internal electrodes stacked in the thickness direction.
And a plurality of internal electrodes are exposed on side surfaces of the chip components, which are faces opposite to the width direction of the chip components.
상기 바닥면, 상기 제1 측벽, 상기 제2 측벽 및 상기 제3 측벽은 비(非)자성체에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법. The method according to claim 1 or 2,
And said bottom surface, said first side wall, said second side wall and said third side wall are made of a non-magnetic material.
상기 칩 부품에 대하여 상기 자석을 상대적으로 이동시키는 공정을 복수회 실시하는 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법.The method according to claim 1 or 2,
And a step of moving the magnet relative to the chip component a plurality of times.
상기 칩 부품에 대한 상기 자석을 상대적으로 이동시킬 때의 이동 속도는 100㎜/s 이하인 것을 특징으로 하는 칩 부품의 정렬 방법. The method according to claim 1 or 2,
And a moving speed when the magnet is relatively moved with respect to the chip component is 100 mm / s or less.
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62222919A (en) * | 1986-03-22 | 1987-09-30 | Nec Kansai Ltd | Device for transferring shaft-like parts |
JP2003007574A (en) | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Tdk Corp | Alignment method of orientation of chip component |
JP2017054980A (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | 株式会社村田製作所 | Conveyance device for electronic parts and method for manufacturing electronic parts |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07336090A (en) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Nippon Avionics Co Ltd | Chip component and positioning device of chip component |
JP3430854B2 (en) * | 1997-04-09 | 2003-07-28 | 株式会社村田製作所 | Electronic component alignment device and alignment method |
JP4951796B2 (en) * | 2009-07-07 | 2012-06-13 | 株式会社村田製作所 | Electronic component conveyor |
KR101058697B1 (en) * | 2010-12-21 | 2011-08-22 | 삼성전기주식회사 | Mounting structure of ciruit board having thereon multi-layered ceramic capacitor, method thereof, land pattern of circuit board for the same, packing unit for multi-layered ceramic capacitor taped horizontally and aligning method thereof |
JP2013125945A (en) * | 2011-12-16 | 2013-06-24 | Tdk Corp | Peeling device of electronic component, peeling method of electronic component, and manufacturing method of electronic component |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62222919A (en) * | 1986-03-22 | 1987-09-30 | Nec Kansai Ltd | Device for transferring shaft-like parts |
JP2003007574A (en) | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Tdk Corp | Alignment method of orientation of chip component |
JP2017054980A (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | 株式会社村田製作所 | Conveyance device for electronic parts and method for manufacturing electronic parts |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102421136B1 (en) | 2021-04-02 | 2022-07-14 | 주식회사 다인이엔지 | The multi layer ceramic condenser aligner using magnet |
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