KR20190126631A - 증착 장치 및 박막 증착 방법 - Google Patents

증착 장치 및 박막 증착 방법 Download PDF

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박지우
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Abstract

본 발명은 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 증착 방법은 챔버 내에 기판을 제공하는 단계, 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공하는 단계, 상기 성막 가스가 상기 챔버 내에 제공되는 동안, 또는 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공한 후에, 순차적 펄스를 통해 도펀트 가스를 상기 챔버 내에 제공하는 단계를 포함하며, 상기 순차적 펄스의 작동 시간(on time)이 짧아지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간(off time)이 길어질수록 도핑 농도가 감소될 수 있다.

Description

증착 장치 및 박막 증착 방법{Apparatus for vapor deposition and method of vapor deposition of thin film}
본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법에 관한 것이다.
최근에 IT 및 각종 분야에서 기술이 발전하고 과거에 비해 처리할 정보의 양이 많아지면서, 이를 저장할 수 있는 반도체 메모리 소자의 연구 개발도 활발히 진행되고 있다. 현재 많이 사용되는 메모리 소자에는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)과 SRAM(Static Random Access Memory)같은 휘발성 메모리(volatile memory), 그리고 비휘발성 메모리(non-volatile memory)인 플래시 메모리(flash memory)가 있다. 특히 상기 플래시 메모리 소자의 경우 디지털카메라, 캠코더, USB 메모리 스틱, MP3 플레이어 같은 다 양한 휴대용 기기에 사용되면서 그 수요가 많아지고 이와 함께 국내외에서 연구 및 개발도 활발히 진행되고 있다.
최근 상기 DRAM의 장점인 높은 집적도와 상기 S-RAM의 장점인 빠른 속도를 갖는 TRAM(Thyristor-RAM) 소자 개발이 활발하게 진행되고 있다. 상기 TRAM 소자의 경우 소자층의 도핑 농도(doping concentration)에 따라, 순방향 항복 전압(forward breakdown voltage)이 조절되기 때문에, 상기 도핑 농도의 제어가 중요할 수 있다. 특히, 상기 TRAM 소자의 스위칭 메커니즘을 고려할 때, 상대적으로 낮은 도핑 농도가 요구될 수 있다. 구체적으로, 1×1017 이하의 도핑 농도 구현이 요구될 수 있다.
종래의 화학 기상 증착((chemical vapor deposition, CVD) 같은 증착 방법에서는 기체 흐름(gas flow)의 양을 조절함으로써, 도핑 농도를 제어하고 있지만, 단순히 기체 흐름의 양을 조절하는 것만으로는 TRAM 소자에 요구되는 최소 도핑 농도(예: 1×1017 이하)까지 낮추는데 한계가 있다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 1×1017 이하의 저농도의 도핑이 가능하며, 그에 따라 가용의 도핑 농도 범위를 확장하면서 동시에 정밀하면서 신뢰성있는 도핑 농도 조절이 가능한 증착 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 전술한 이점을 갖는 박막 증착 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 순차적 펄스를 통해 도펀트 가스를 챔버 내에 제공함으로써, 종래 증착 방법보다 상대적으로 더 낮은 도핑 농도를 가지며, 넓은 범위에서 도핑 농도 조절이 가능한 증착 장치가 제공될 수 있다. 또한, 낮은 도핑 농도가 요구되는 메모리 소자의 제조에 상기 증착 장치를 이용함으로써, 상기 메모리 소자의 정확한 스위칭 메커니즘을 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전술한 이점을 갖는 박막 증착 방법이 제공될 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치를 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2c 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1a 내지 도 1c의 박막을 형성하기 위한 증착 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4d 및 도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 1a 내지 도 1c의 박막을 형성하기 위한 증착 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 실시예에 따른 박막을 형성하기 위한 증착 방법의 개략적이 가스 흐름을 나타내는 도면이고, 도 7a 내지 도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막을 형성하기 위한 증착 방법의 개략적이 가스 흐름을 나타내는 도면이다.
도 8a 내지 도 8b는 본 발명의 실시예에 따른 박막을 형성하기 위한 증착 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 9a는 본 발명의 실시예에 따른 작동 시간(on time)의 변화에 따른 도핑 농도를 보여주는 그래프이며, 도 9b는 본 발명의 실시예에 따른 비작동 시간(off time)의 변화에 따른 도핑 농도를 보여주는 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
도면에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 단수로 기재되어 있다 하더라도, 문맥상 단수를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"이란 용어는 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
본 명세서에서 기판 또는 다른 층 "상에(on)" 형성된 층에 대한 언급은 상기 기판 또는 다른 층의 바로 위에 형성된 층을 지칭하거나, 상기 기판 또는 다른 층 상에 형성된 중간 층 또는 중간 층들 상에 형성된 층을 지칭할 수도 있다. 또한, 당해 기술 분야에서 숙련된 자들에게 있어서, 다른 형상에 "인접하여(adjacent)" 배치된 구조 또는 형상은 상기 인접하는 형상에 중첩되거나 하부에 배치되는 부분을 가질 수도 있다.
본 명세서에서, "아래로(below)", "위로(above)", "상부의(upper)", "하부의(lower)", "수평의(horizontal)" 또는 "수직의(vertical)"와 같은 상대적 용어들은, 도면들 상에 도시된 바와 같이, 일 구성 부재, 층 또는 영역들이 다른 구성 부재, 층 또는 영역과 갖는 관계를 기술하기 위하여 사용될 수 있다. 이들 용어들은 도면들에 표시된 방향뿐만 아니라 소자의 다른 방향들도 포괄하는 것임을 이해하여야 한다. 또한, 본 명세서에서, 사용되는 “이차원 나노 물질”은 작은 원자(수 나노미터(㎚))가 적어도 하나 의 층으로 배열돼 있는 물질을 지칭한다.
이하에서, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들(및 중간 구조들)을 개략적으로 도시하는 단면도들을 참조하여 설명될 것이다. 이들 도면들에 있어서, 예를 들면, 부재들의 크기와 형상은 설명의 편의와 명확성을 위하여 과장될 수 있으며, 실제 구현시, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 된다. 또한, 도면의 부재들의 참조 부호는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부재를 지칭한다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치(100A, 100B, 100C)의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1a를 참조하면, 증착 장치(100A)는 챔버(CB), 가스 인입부(IL), 및 가스 배출부(OL)를 포함할 수 있다. 도시하지 않았지만, 증착 장치(100A)는 박막 증착 방법에 따라, 적어도 하나 이상의 다른 구성 요소들을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 서셉터, 또는 히터 같은 가열 부재, 플라즈마를 발생시키기 위한 RF 전원 장치, 가스 공급 및 배출을 위한 장치, 가스 인입부(IL)를 통해 주입되는 가스의 양을 조절하거나 가스를 펄스 형태로 주입하도록 제어하기 위한 적어도 하나 이상의 밸브들 및 이를 제어하기 위한 제어 모듈 또는 제어 장치가 증착 장치(100A)에 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 적어도 하나 이상의 다른 구성 요소들은 챔버(CB) 내부 또는 챔버(CB) 외부에 배치되어, 기계적 또는 물리적으로 서로 연결될 수 있다. 특히, 상기 서셉터는 전극으로 사용될 수 있으며, 기판(SS)은 상기 서셉터의 상면에는 재치될 수 있다.
챔버(CB)는 외부 펌프(미도시함)와 연결되어, 상기 외부 펌프에 의해 챔버(CB) 내부는 소정의 진공도가 유지되며 시킬 수 있다. 챔버(CB) 내부의 진공도에 따라, 증착 장치(100A)는 상압 화학 기상 증착(APCVD, atmospheric pressure CVD), 저압 화학 기상 증착(LPCVD, low pressure CVD) 및 초고진공 화학 기상 증착(UHVCVD, ultrahigh vacuum CVD) 중 어느 하나를 통해서, 기판(SS) 상에 박막을 형성할 수 있다. 예컨대, 챔버(CB) 내부의 진공도가 약 760 Torr 이면, APCVD가 수행되어 막이 형성되고, 챔버(CB) 내부의 진공도가 수십 Torr 내지 수 m Torr 범위 내이면, LPCVD가 수행되어 막이 형성될 수 있으며, 챔버(CB) 내부의 진공도가 대략 1×10-8 Torr 이하이면, UHVCVD가 수행되어 막이 형성될 수 있다.
또한, 챔버(CB)는 가스 인입부(IL)을 통해, 성막 가스(G1) 및 도펀트 가스(G2)를 순차적으로 또는 동시에, 제공받을 수 있다. 일시 예에서, 성막 가스(G1)를 통해 기판(SS) 상에 형성되는 박막 내에, 넓은 범위에서 도핑 농도가 가능하며, 1×1017 이하 보다 더 낮은 도핑 농도를 갖도록, 도펀트 가스(G2)가 펄스 형태로 챔버(CB) 내부로 주입될 수 있다. 기판(SS) 상에 박막을 형성하는 방법과 관련된 내용은 후술할 도 2a 내지 도 2c, 도 3, 도 4a 내지 도 4d, 그리고 도 5a 내지 도 5d의 박막을 형성하기 위한 증착 방법을 설명하기 위한 도면을 참조할 수 있으며, 펄스 형태의 도펀트 가스(G2)의 주입과 관련한 내용은 후술할 도 6a 내지 도 6d의 가스 흐름을 도시한 도면을 참조할 수 있다.
성막 가스(G1)는 T-RAM의 활성층을 구현하기 위한 매트릭스 원소를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 매트릭스 원소는 실리콘, 게르마늄과 같은 반도성 4족 원소를 포함할 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, 상기 활성층은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 화합물 반도체는 이원계 화합물 반도체, 삼원계 화합물 반도체 또는 사원계 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 이원계 반도체 화합물은 GaAs(갈륨 비소), GaP(갈륨 인), GaSb, InP(인듐인), InAs, InSb 같은 3족-5족, ZnSe, ZnTe(텔루르화 아연), CdS(황화 카드뮴), CdTe 같은 2족-6족 및 SiC(실리콘 카바이드) 같은 4족-4족을 포함할 수 있다. 상기 삼원계 화합물 반도체는 AlxGa1-xAs를 포함하고, 사원계 화합물 반도체는 AlxGa1-xAsySb1-y를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 상기 매트릭스 원소는 SnO2, ZnO, Cu2O 같은 산화물 반도체의 구성 원소를 포함할 수 있다. 예를 들면, Li, Na, Cs 같은 알칼리 금속 원소, Mg, Be, Sr 같은 알칼리 토금속 원소, Ti, Co, Ni, Zn 같은 전이 금속 원소, Al, Sn 같은 전이후 금속 원소, B, Si 같은 준금속 원소, F, Cl, Br 같은 할로겐 원소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이들에 제한되지 않으며, 반도체 재료로 이용되는 다른 원소를 포함할 수 있다.
상기 활성층을 도핑하기 위한 도펀트 가스(G1)는 붕소(B)과 같은 13족의 원소, 탄소(C)와 같은 14족의 원소, 또는 인(P) 또는 비소(As)와 같은 15족의 원소를 포함할 수 있지만, 본 발명에서는 이들에 제한되지 않는다. 예컨대, 도펀트 가스(G1)는 희토류 원소, 귀금속 원소, 또는 중금속 원소를 포함할 수 있다.
후술하는 도 2a 내지 도 2c, 도 3, 도 4a 내지 도 4d, 그리고 도 5a 내지 도 5d의 증착 방법에 의해, 기판(SS) 상부에 박막이 형성될 수 있다. 상기 형성되는 박막은 산화물, 질화물, 황화물 및 산화질화물 중 어느 하나를 포함하는 박막일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이들에 제한되지 않는다. 예컨대, 박막은 셀렌화물, 탄화물, 붕화물, 할로겐화물 또는 인화물을 포함할 수 있다.
도 1a에서 가스 인입부(IL)와 가스 배출부(OL)가 수평 대향하는 구조를 갖는 증착 장치(100A)를 예시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 1b와 같이, 증착 장치(100B)는 가스 인입부(IL)와 가스 배출부(OL)가 수직 대향하는 구조를 가질 수 있다. 또는 도 1c와 같이, 저면에 가스 인입부(IL)가 배치되고, 측면에 가스 배출부(OL)가 배치되는 증착 장치(100C)도 적용 가능하다.
도 2a 내지 도 2c 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막을 형성하기 위한 증착 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2a를 참조하면, 가스 인입부(IL)를 통해, 매트릭스 원소(이하, A 원소라 지칭함)를 포함하는 성막 가스(G1)가 주입된다. 성막 가스(G1)는 A 원소의 전구체일 수 있으며, 상기 전구체는 A 원소 이외에 유기 분자화하기 위한 탄소와 같은 부가 원소(이하, X 원소라 지칭함)를 포함할 수 있다. 일 실예에서, 상기 A 원소는 실리콘, 게르마늄과 같은 반도성 4족 원소를 포함하고, 상기 B 원소는 탄소, 수소, 질소 또는 이들의 조합일 수 있다. 가스 인입부(IL)를 통해 주입된 성막 가스(G1)의 적어도 일부가 기판(SS)의 표면으로 이동하게 된다. 이후, 증착 온도에 의해 기판(SS)의 표면에 도달한 성막 가스(G1)는 기판(SS)의 표면에 화학적 및/또는 물리적으로 흡착될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 흡착 과정에서 기판(SS)의 표면에는 A 원소를 포함하는 막이 증착되며, X 원소를 포함하는 반응 부산물 가스가 생성될 수 있다. 도시하지 않았지만, 가스 배출부(OL)를 통해, X 원소를 포함하는 반응 부산물 가스 및 챔버(CB) 내부의 잔류 성막 가스(G1)를 배기시킬 수 있다. 일부 실시예에서, 성막 가스(G1)를 통해 제 1 박막을 형성한 후에, 성막 가스(G1)와 다른 반응 가스가 추가적으로 가스 인입부(IL)을 통해 주입되어, 상기 제 1 박막 상에 제 2 박막이 형성되어, 상기 제 1 박막과 상기 제 2 박막이 적층되는 구조가 형성될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 박막을 형성한 후에, 가스 인입부(IL)을 통해, 도핑을 위한 원소(이하, B 원소라 지칭함)를 포함하는 도펀트 가스(G2)가 주입될 수 있다. 도펀트 가스(G2)는 B 원소의 전구체일 수 있으며, 상기 전구체는 B 원소 이외에 유기 분자화하기 위한 탄소와 같은 부가 원소(이하, Y 원소라 지칭함)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, B 원소는 붕소(B), 탄소(C), 인(P) 또는 비소(As)를 포함할 수 있다. 도펀트 가스(G2)가 주입되어, 적어도 일부가 기판(SS)의 표면으로 이동하게 된다. 도 2a와 유사하게, 증착 온도에 의해 기판(SS)의 표면에 배치된 도펀트 가스(G2)는 기판(SS)의 표면에 형성된 박막 상에 물리적으로 또는 화학적으로 흡착될 수 있다. 구체적으로, B 원소를 포함하는 도펀트가 박막 내부로 도핑될 수 있으며, Y를 포함하는 반응 부산물 가스가 생성될 수 있다. 도시하지 않았지만, 가스 배출부(OL)를 통해, Y 원소를 포함하는 반응 부산물 가스와 잔류 도펀트 가스(G2)를 배기시킬 수 있다. 일부 실시예에서, 도펀트 가스(G2)를 통해 제 1 도펀트를 박막 내부로 도핑한 후에, 도펀트 가스(G2)와 다른 도펀트 가스가 추가적으로 가스 인입부(IL)을 통해 주입되어, 상기 제 1 도펀트가 도핑된 박막 내부로 제 2 도펀트가 도핑되어, 상기 박막 내에 제 1 도펀트와 제 2 도펀트가 형성될 수 있다. 제 1 도펀트 가스(G2)와 제 2 도펀트 가스(G2)가 순차적으로 가스 인입부(IL)을 통해 챔버(CB) 내부로 주입되어, 제 1 도펀트와 제 2 도펀트가 박막 내부에 도핑될 수 있지만, 일부 실시 예에서, 상기 제 1 도펀트 가스(G2)와 상기 제 2 도펀트 가스(G2)가 동시에 가스 인입부(IL)을 통해 챔버(CB) 내부로 주입되어, 상기 제 1 도펀트와 상기 제 2 도펀트가 박막 내부에 도핑될 수 있다.
또한, 도 2b에서처럼 B 원소를 포함하는 도펀트가 박막 내부로 도핑될 수도 있지만, 도 2c와 같이, B 원소를 포함하는 도펀트들이 A 원소를 포함하는 박막의 표면 상에 적어도 하나의 원자층 형태로 적층될 수 있다.
X 원소를 포함하는 반응 부산물 가스 및 Y 원소를 포함하는 반응 부산물 가스가 별개로 형성되어 각각 가스 배출부(OL)를 통해 배출될 수 있지만, 다른 실시예에서, X 원소 및 Y 원소를 포함하는 하나의 반응 부산물 가스가 형성되어, 가스 배출부(OL)를 통해 배출될 수 있다. 여기서, X 성분과 Y 성분 중 적어도 하나는 수소, 산소, 질소, 황산, 아르곤, 헬륨 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 화학 반응으로 인해서, 기판(SS)의 표면에는 A 원소를 포함하는 막이 증착되며, X 원소를 포함하는 반응 부산물 가스가 생성될 수 있다. 도시하지 않았지만, 가스 배출부(OL)를 통해, X를 포함하는 반응 부산물 가스를 배기시킬 수 있다. 일부 실시예에서, 성막 가스(G1)를 통해 제 1 박막을 형성한 후에, 성막 가스(G1)와 다른 반응 가스가 추가적으로 가스 인입부(IL)을 통해 주입되어, 상기 제 1 박막 상에 제 2 박막이 형성되어, 상기 제 1 박막과 상기 제 2 박막이 적층되는 구조가 형성될 수 있다.
도 2a 내지 도 2b는 성막 가스(G1)와 도펀트 가스(G2)가 순차적으로 가스 인입부(IL)을 통해 챔버(CB) 내부로 주입되어, 박막 내에 도펀트가 도핑되는 것을 예시하여 설명하였지만, 도 3에서처럼, A 원소와 X 원소를 포함하는 성막 가스(G1)와 B 원소와 Y 원소를 포함하는 도펀트 가스(G2)가 동시에 가스 인입부(IL)을 통해 챔버(CB) 내부로 주입되어, 박막 내에 도펀트가 도핑될 수 있다.
도 2a 내지 도 2c 및 도 3이 증착 방법은 화학 기상 증착(CVD)을 기반, 바람직하게는 초고진공 화학 기상 증착(UHVCVD)을 기반으로 수행되지만, 도 4a 내지 도 4d 및 도 5a 내지 도 5d와 같이, 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)을 기반으로 수행될 수도 있다. 상기 원자층 증착(ALD)은 자기-제한 반응(self-limited reaction)의 메커니즘으로 기판의 표면에 단위 원자층으로 박막이 증착되는 매우 균일하고 우수한 막질을 가진 박막을 얻을 수 있고, 박막의 두께를 쉽게, 정확하게 조절할 수 있다는 장점을 갖는다. 특히, 원자층 증착에서는 반응물들의 기상 반응을 막고, 기판에서의 표면 반응을 유도하기 위해 화학적 기상 증착의 경우보다 훨씬 낮은 온도에서 공정을 진행할 수 있다.
도 4a 내지 도 4d 및 도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막을 형성하기 위한 증착 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a를 참조하면, ALD 공정의 첫 번째 순서로서, 기판(SS)으로의 A 원소와 X 원소를 포함하는 성막 가스(G1)가 공급되어 흡착될 수 있다. 이때 기판(SS)의 온도는 성막 가스(G1)의 열분해 온도 이하로 유지시켜 열분해 박막 형성을 방지할 수 있다. 성막 가스(G1)는 기판(SS)의 온도가 낮을수록 기판(SS)에 더 많이 흡착될 수 있다. 또한, 성막 가스(G1)는 이송 가스와 함께 기판(SS)까지 전달되며, 물리적 인력에 의해 기판(SS)에 흡착될 수 있다. 흡착되는 형태는 성막 가스(G1)와 기판(SS)의 물리적 성질에 따라 달라 균일하게 분포 하기도 하고 섬 형태로 흡착될 수 있다. 우수한 두께 균일성을 얻기 위해서는 성막 가스(G1) 공급 시 기판(SS)이 완전히 성막 가스(G1)로 덮일 수 있도록 충분히 긴 시간이 필요할 수 있다. 성막 가스(G1) 공급 시간이 길수록 기판(SS)의 표면이 충분히 고르게 덮이므로 박막 두께의 균일성이 우수해질 수 있다.
도 4b를 참조하면, ALD 공정의 두 번째 순서로서, 불필요하게 남아 있는 성막 가스(G1)를 배기하는 퍼지 가스 공급이 수행될 수 있다. 상기 퍼지 가스로는 성막 가스(G1)와 반응하지 않는 불활성 기체인 아르곤(Ar)이 이용될 수 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 성막 가스(G1) 공급을 중단하고 퍼지 가스를 공급하면 기판(SS) 위 기상으로 잔류하는 성막 가스(G1)와 기판(SS)에 약하게 흡착을 하고 있던 성막 가스(G1)들이 퍼지 가스에 의해 배출되고 기판(SS)과 강한 물리적 결합을 하고 있던 한 층의 성막 가스(G1) 들만 남을 수 있다. 퍼지 가스는 물리적 흡착을 하고 있는 성막 가스(G1)와 챔버(CB) 내에 잔류하고 있는 성막 가스(G1)를 모두 배출시키는 역할을 수행할 수 있다. 퍼지 후 남는 전구체의 흡착량이 ALD 성장 속도를 결정하는데, 잔류 성막 가스(G1)의 양은 성막 가스(G1)의 크기, 성막 가스(G1)와 기판(SS) 간의 결합 특성, 그리고 공정 온도와 압력 등에 의해 달라질 수 있다.
도 4c를 참조하면, ALD 공정의 세 번째 순서로서, 기판(SS)으로의 B 원소와 Y 원소를 포함하는 도펀트 가스(G2) 공급이 수행될 수 있다. 도펀트 가스(G2)는 기판(SS)에 이미 흡착되어 있던 성막 가스(G1)의 A 원소들 사이로 도핑될 수 있다.
도 4d를 참조하면, ALD 공정의 네 번째 순서로서, 도펀트 가스(G2)를 퍼지하는 퍼지 가스의 공급이 수행될 수 있으며, 이는 ALD 공정의 두 번째 단계와 거의 동일하나, 도펀트 가스(G2)의 퍼지 용이성에 따라 퍼지 유량과 퍼지 시간이 달라질 수 있다. 예컨대, 물과 같이 흡착 특성이 강한 반응체를 사용한 경우 퍼지 시간이 가장 길며 산소와 같은 기체형 전구체를 사용할 때 퍼지 시간이 짧을 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 성막 가스(G1)에 의해 A 원소를 포함하는 박막이 형성된 후, 상기 박막 내부에 도펀트의 B 원소가 도핑되는 예이며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 후술할 도 5a 내지 도 5d와 같이, A 원소를 포함하는 박막(F1) 상에 B 원소를 포함하는 도펀트들이 얇은 막(F2) 형태로서 적층될 수 있다.
도 5a, 도 5b 및 도 5d에 대한 설명은 모순되지 않는 한, 도 4a, 도 4b 및 도 4d를 참조할 수 있다. 다만, 도 5a 내지 도 5b에서는 A 원소들이 간격 없이 밀집되어 하나의 박막 형태(F1)로 형성될 수 있다.
도 5c를 참조하면, 기판(SS)으로의 도펀트 가스(G2)가 공급될 때, 도펀트 가스(G2)가 기판(SS)에 이미 흡착되어 있던 성막 가스(G1)와 화학 반응하여 박막(F2)을 형성할 수 있다. 이때, 기판(SS)은 F1 박막 상에 F2 박막을 형성하도록 화학 반응을 일으킬 수 있는 충분히 높은 온도를 가질 수 있다.
전술한 바와 같이, 원자층 증착은 성막 가스(G1)와 도펀트 가스(G2)이 챔버(CB)에 교대로 들어가서 기판(SS)의 표면에 화학적 흡착과 표면 반응이 연속적으로 이루어지고, 성막 가스(G1)와 도펀트 가스(G2)들은 동일한 또는 서로 다른 불활성 가스에 의해서 퍼지(purge)될 수 있다.
도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 실시예에 따른 박막을 형성하기 위한 증착 방법의 개략적이 가스 흐름을 나타내는 도면이다. T1 내지 T2 사이의 구간으로 정의되는 D1은 성막 가스(G1)가 공급되는 구간으로, T3 내지 T4 사이의 구간으로 정의되는 D2는 도펀트 가스(G2)가 펄스 형태로 공급되는 구간으로 지칭될 수 있다. 그리고, T2 내지 T3 사이의 구간으로 정의되는 P는 퍼지 가스가 공급되는 구간으로 정의될 수 있다. 다른 일 실시예에서, 퍼지 가스가 공급되는 P 구간은 생략될 수 있다. D1 구간의 D2 구간은 크기가 동일하거나 다를 수 있다. 또 다른 실시예에서, 도핑 농도에 따라, D1 구간의 크기가 D2 구간의 크기보다 작거나 클 수 있다. h1은 가스의 유량을 나타내는 크기로 지칭될 수 있다.
도 6a를 참조하면, D1 구간 동안 성막 가스(G1)가 공급되고, 이후 잔류 성막 가스(G1)를 배출시키기 위해 P 구간 동안 퍼지 가스가 공급되며, D2 구간 동안에 넓은 범위 내에서 도핑 농도를 조절하며, 특히, 1×1017 이하 보다 더 낮은 도핑 농도를 갖도록 하기 위해서, 펄스 형태로 도펀트 가스(G2)가 공급될 수 있다. 펄스 형태로 도펀트 가스(G2)는 D2 구간 동안에 작동 시간(on time)과 비작동 시간(off time)이 주기적으로 나타나며, 상기 작동 시간과 상기 비작동 시간의 크기는 동일하거나 다를 수 있다. 예컨대, 원하는 도핑 농도에 따라, 상기 작동 시간의 상기 비작동 시간보다 크거나 작을 수 있다. 이때, 공급되는 가스의 유량(h1)은 동일할 수 있다.
도 6b를 참조하면, D1 구간 동안 성막 가스(G1)과 공급과 P 구간 동안 퍼지 가스 공급은 도 6a와 동일하다. 다만, 도핑 농도에 따라, D2 구간 동안에 공급되는 도펀트 가스(G2)의 펄스 형태가 도 6a의 펄스 형태와 상이하다. 구체적으로, 도 6b에서는 펄스 형태로 도펀트 가스(G2)는 D2 구간 동안에 작동 시간(on time)과 비작동 시간(off time)이 주기적으로 나타나며, 상기 작동 시간과 상기 비작동 시간의 크기는 동일하거나 다를 수 있다. 예컨대, 원하는 도핑 농도에 따라, 상기 작동 시간의 상기 비작동 시간보다 크거나 작을 수 있다. 이때, 공급되는 가스의 유량(h1)은 점차 증가할 수 있다.
도 6c를 참조하면, D1 구간 동안 성막 가스(G1)과 공급과 P 구간 동안 퍼지 가스 공급, 그리고 D2 구간 동안의 도펀트 가스(G2) 공급은 도 6b와 유사하다. 다만, 도 6b에서는 공급되는 가스의 유량(h1)은 점차 증가하지만, 도 6c에서는 공급되는 가스의 유량(h1)은 점차 감소할 수 있다.
도 6d를 참조하면, D1 구간 동안 성막 가스(G1)과 공급과 P 구간 동안 퍼지 가스 공급은 도 6a와 동일하다. 다만, 도핑 농도에 따라, D2 구간 동안에 공급되는 도펀트 가스(G2)의 펄스 형태가 도 6a의 펄스 형태와 상이할 수 있다. 구체적으로, 도 6d에서는 펄스 형태로 도펀트 가스(G2)는 D2 구간 동안에 작동 시간(on time)과 비작동 시간(off time)이 비주기적으로 나타나며, 상기 작동 시간(또는 펄스의 폭)이 점진적으로 감소할 수 있다. 여기서, 상기 비작동 시간(또는 펄스의 폭)은 점진적으로 감소 또는 증가할 수 있다. 또는, 비작동 시간(또는 펄스의 폭)은 랜덤하게 나타날 수 있다. 이때, 공급되는 가스의 유량(h1)은 동일할 수 있다.
도 6e를 참조하면, D1 구간 동안 성막 가스(G1)과 공급과 P 구간 동안 퍼지 가스 공급, 그리고 D2 구간 동안의 도펀트 가스(G2) 공급은 도 6d와 유사하다. 다만, 도 6d에서는 공급되는 가스의 유량(h1)이 동일하지만, 도 6e에서는 공급되는 가스의 유량(h1)은 점차 감소할 수 있다.
도 6f를 참조하면, D1 구간 동안 성막 가스(G1)과 공급과 P 구간 동안 퍼지 가스 공급은 도 6a와 동일하다. 다만, 도핑 농도에 따라, D2 구간 동안에 공급되는 도펀트 가스(G2)의 펄스 형태가 도 6a의 펄스 형태와 상이할 수 있다. 구체적으로, 도 6f에서는 펄스 형태로 도펀트 가스(G2)는 D2 구간 동안에 작동 시간(on time)과 비작동 시간(off time)이 비주기적으로 나타나며, 상기 작동 시간(또는 펄스의 폭)이 점진적으로 증가할 수 있다. 여기서, 상기 비작동 시간(또는 펄스의 폭)은 점진적으로 감소 또는 증가할 수 있다. 또는, 비작동 시간(또는 펄스의 폭)은 랜덤하게 나타날 수 있다. 이때, 공급되는 가스의 유량(h1)은 동일할 수 있다.
도 6g를 참조하면, D1 구간 동안 성막 가스(G1)과 공급과 P 구간 동안 퍼지 가스 공급, 그리고 D2 구간 동안의 도펀트 가스(G2) 공급은 도 6f와 유사하다. 다만, 도 6f에서는 공급되는 가스의 유량(h1)이 동일하지만, 도 6g에서는 공급되는 가스의 유량(h1)은 점차 증가할 수 있다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막을 형성하기 위한 증착 방법의 개략적이 가스 흐름을 나타내는 도면이다. T1 내지 T2 사이의 구간으로 정의되는 D1은 연속적인 성막 가스(G1) 및 펄스 형태의 도펀트 가스(G2)가 동시에 공급되는 구간으로 지칭될 수 있다. h1은 가스의 유량을 나타내는 크기로 지칭될 수 있다.
도 7a를 참조하면, 일 실시 예에서, D1 구간 동안에 성막 가스(G1)가 연속적으로 공급될 때, 도핑 농도를 조절하기 위해서, 주기적인 펄스 형태의 도펀트 가스(G2)가 공급될 수 있다(700). 이때, 펄스 형태는 작동 시간(on time)과 비작동 시간(off time)이 주기적으로 나타나며, 상기 작동 시간과 상기 비작동 시간의 크기는 동일하거나 다를 수 있다. 예컨대, 원하는 도핑 농도에 따라, 상기 작동 시간의 상기 비작동 시간보다 크거나 작을 수 있다. 이때, 공급되는 가스의 유량(h1)은 동일할 수 있다.
다른 실시 예에서, D1 구간 동안에 성막 가스(G1)가 연속적으로 공급될 때, 도핑 농도를 조절하기 위해서, 작동 시간(또는 펄스 폭)이 점진적을 증가하는 형태의 도펀트 가스(G2)가 공급될 수 있다(710).
또 다른 실시 예에서, D1 구간 동안에 성막 가스(G1)가 연속적으로 공급될 때, 도핑 농도를 조절하기 위해서, 작동 시간(또는 펄스 폭)이 점진적을 감소하는 형태의 도펀트 가스(G2)가 공급될 수 있다(720).
또 다른 실시 예에서, D1 구간 동안에 성막 가스(G1)가 연속적으로 공급될 때, 도핑 농도를 조절하기 위해서, 작동 시간(또는 펄스 폭) 또는 비작동 시간이 비주기적으로 나타나는 형태의 도펀트 가스(G2)가 공급될 수 있다(730).
도 7b를 참조하면, 또 다른 실시 예에서, D1 구간 동안에 성막 가스(G1)가 연속적으로 공급될 때, 도핑 농도를 조절하기 위해서, 주기적인 펄스 형태의 도펀트 가스(G2)가 공급될 수 있다(740). 이때, 펄스 형태는 일정한 작동 시간(on time)에 공급되는 가스의 유량(h4, h3, h2, h1)이 점진적으로 증가할 수 있다(740). 여기서, h4 < h3 < h2 < h1 일 수 있다.
또 다른 실시 예에서, D1 구간 동안에 성막 가스(G1)가 연속적으로 공급될 때, 도핑 농도를 조절하기 위해서, 주기적인 펄스 형태의 도펀트 가스(G2)가 공급될 수 있다(740). 이때, 펄스 형태는 일정한 작동 시간(on time)에 공급되는 가스의 유량(h4, h3, h2, h1)이 점진적으로 감소할 수 있다(750). 여기서, h1 > h2 > h3 > h4 일 수 있다.
또 다른 실시 예에서, D1 구간 동안에 성막 가스(G1)가 연속적으로 공급될 때, 도핑 농도를 조절하기 위해서, 비주기적인 펄스 형태의 도펀트 가스(G2)가 공급될 수 있다(760). 이때, 펄스 형태는 작동 시간(on time)이 점진적으로 증가하되, 상기 작동 시간에 공급되는 가스의 유량도 점진적으로 증가할 수 있다(760).
또 다른 실시 예에서, D1 구간 동안에 성막 가스(G1)가 연속적으로 공급될 때, 도핑 농도를 조절하기 위해서, 비주기적인 펄스 형태의 도펀트 가스(G2)가 공급될 수 있다(770). 이때, 펄스 형태는 작동 시간(on time)이 점진적으로 감소하되, 상기 작동 시간에 공급되는 가스의 유량도 점진적으로 감소할 수 있다(770).
도 7c에서, 제 1 시점과 제 2 시점 사이의 구간으로 정의되는 D1, D5, D9,.., D4n+1(n=0, 1, 2,..)은 성막 가스(G1)가 공급되는 구간으로 지칭되며, 제 2 시점과 제 3 시점 사이의 구간으로 정의되는 D2, D6, D10,.., D4n+2(n=0, 1, 2,..)은 잔여 성막 가스(G1)를 배출시키기 위한 제 1 퍼지 가스가 공급되는 구간으로 지칭되고, 제 3 시점과 제 5 시점 사이의 구간으로 정의되는 D3, D7, D11,.., D4n+3(n=0, 1, 2,..)은 도펀트 가스(G2)가 공급되는 구간으로 지칭되고, 제 5 시점과 제 6 시점 사이의 구간으로 정의되는 D4, D8, D12,.., D4n+4(n=0, 1, 2,..)은 잔여 도펀트 가스(G2)를 배출시키기 위한 제 2 퍼지 가스가 공급되는 구간으로 지칭될 수 있다. 성막 가스 공급-제 1 퍼지 가스-도먼트 가스-제 2 퍼지 가스가 공급 완료될 때를 1 cycle로 정의될 수 있으며, 이러한 1 cycle이 반복적으로 N 회 반복됨으로써 조절된 도핑 농도를 갖는 박막이 형성될 수 있다. 본 발명에서, 박막 내 도핑 농도를 조절하기 위해서, 도펀트 가스(G2)는 각각의 구간(예: D3, D7, D11,.., D4n+3)에서 동일한 또는 서로 다른 펄스 형태로 공급될 수 있다.
도 8a 내지 도 8b는 본 발명의 실시예에 따른 박막을 형성하기 위한 증착 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 8a를 참조하면, 증착 방법은 챔버 내에 기판을 제공하는 단계(S10), 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공하는 단계(S12), 상기 성막 가스가 상기 챔버 내에 제공되는 동안, 또는 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공한 후에, 순차적 펄스를 통해 도펀트 가스를 상기 챔버 내에 제공하는 단계(S13)를 포함할 수 있다. 상기 순차적 펄스의 작동 시간(on time)이 짧아지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간(off time)이 길어질수록 도핑 농도가 감소되며, 상기 순차적 펄스의 작동 시간이 길어지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간이 짧아질수록 도핑 농도가 증가될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 순차적 펄스의 높이는 단위 시간당 흐르는 도펀트 가스의 유량에 대응하며, 상기 순차적 펄스의 높이는 점진적으로 증가되거나, 점진적으로 감소될 수 있다. 또는 상기 순차적 펄스의 폭은 가스가 주입되는 시간에 대응하며, 상기 순차적 펄스의 폭은 점진적으로 증가되거나, 점진적으로 감소되는 증착 방법.
다른 실시예에서, 상기 순차적 펄스의 작동 시간과 비작동 시간이 상이하며, 상기 순차적 펄스의 작동 시간보다 비작동 시간이 짧거나, 상기 순차적 펄스의 작동 시간보다 비작동 시간이 길 수 있다.
또 다른 실시예에서, 상기 순차적 펄스의 높이와 상기 순차적 펄스의 폭이 모두 점진적으로 증가할 수 있다. 또는 상기 순차적 펄스의 높이와 상기 순차적 펄스의 폭이 모두 점진적으로 감소할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 증착 방법은 화학 기상 증착 또는 원자층 증착 중 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 챔버 내에 성막 가스에 의해 박막이 형성되며, 상기 챔버 내에 순차적 펄스를 통해 제공되는 도펀트 가스에 의해, 상기 박막 내에 도펀트가 형성될 수 있다. 상기 형성되는 박막은 산화물, 질화물, 황화물, 산화질화물, 셀렌화물 탄화물, 붕화물, 할로겐화물 또는 인화물 중 하나를 포함할 수 있다.
도 8b를 참조하면, 증착 방법은 형성할 박막의 도핑 농도를 결정하는 단계(S20), 상기 결정된 도핑 농도가 임계치 이하인지를 판단하는 단계(S21)를 포함하며, 상기 결정된 도핑 농도가 임계치보다 낮을 경우, 챔버 내에 기판을 제공하는 단계(S10), 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공하는 단계(S12), 상기 성막 가스가 상기 챔버 내에 제공되는 동안, 또는 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공한 후에, 순차적 펄스를 통해 도펀트 가스를 상기 챔버 내에 제공하는 단계(S13)가 수행될 수 있다. S10 단계 내지 S13 단계는 도 8a의 S10 단계 내지 S13 단계와 동일한 것으로서, 모순되지 않는 도 8a의 S10 단계 내지 S13 단계에 대한 설명을 참조할 수 있다. 또한, 상기 결정된 도핑 농도가 임계치보다 높을 경우, 해당 모드가 수행될 수 있다(S22). 구체적으로, 상기 결정된 도핑 농도가 임계치보다 높을 경우, 챔버 내에 성막 가스를 제공하고, 상기 성막 가스가 상기 챔버 내에 제공되는 동안, 또는 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공한 후에, 연속적인 도펀트 가스를 상기 챔버 내에 제공하는 단계가 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 순차적 펄스의 작동 시간(on time)이 짧아지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간(off time)이 길어질수록 도핑 농도가 감소되며, 상기 순차적 펄스의 작동 시간이 길어지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간이 짧아질수록 도핑 농도가 증가될 수 있다. 또한, 상기 연속적인 도펀트 가스의 양이 감소되면, 도핑 농도가 감소되고, 상기 연속적인 도펀트 가스의 양이 증가되면, 도핑 농도가 증가될 수 있다.
도 9a는 본 발명의 실시예에 따른 작동 시간(on time)의 변화에 따른 도핑 농도를 보여주는 그래프이며, 도 9b는 본 발명의 실시예에 따른 비작동 시간(off time)의 변화에 따른 도핑 농도를 보여주는 그래프이다.
도 9a를 참조하면, 펄스 형태의 작동 시간이 각각 1s, 3s, 5s의 도핑 농도 값을 나타낸다. 펄스 형태의 작동 시간이 길어질수록 또는 펄스의 폭의 증가할수록 도핑 농도가 증가함을 알 수 있다.
도 9b를 참조하면, 펄스 형태의 비작동 시간이 각각 25s, 100s, 150s의 도핑 농도 값을 나타낸다. 펄스 형태의 비작동 시간이 길어질수록 또는 펄스의 폭의 증가할수록 도핑 농도가 감소함을 알 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 화학 기상 증착 또는 원자층 증착을 이용한 박막을 기판 상에 증착할 시 상기 박막 상의 도펀트의 농도(또는 도핑 농도)을 1×1017 이하 보다 더 낮은 범위를 포함하는 넓은 범위에서 조절하기 위해서, 도펀트 가스(G2)를 다양한 펄스 형태로 챔버(CB) 내부로 공급할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (14)

  1. 챔버 내에 기판을 제공하는 단계;
    상기 챔버 내에 성막 가스를 제공하는 단계;
    상기 성막 가스가 상기 챔버 내에 제공되는 동안, 또는 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공한 후에, 순차적 펄스를 통해 도펀트 가스를 상기 챔버 내에 제공하는 단계를 포함하며,
    상기 순차적 펄스의 작동 시간(on time)이 짧아지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간(off time)이 길어질수록 도핑 농도가 감소되는 증착 방법.
  2. 제 1 항에 있어서
    상기 순차적 펄스의 작동 시간이 길어지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간이 짧아질수록 도핑 농도가 증가되는 증착 방법.
  3. 제 1 항에 있어서
    상기 순차적 펄스의 높이는 단위 시간당 흐르는 도펀트 가스의 유량에 대응하며,
    상기 순차적 펄스의 높이는 점진적으로 증가되거나, 점진적으로 감소되는 증착 방법.
  4. 제 1 항에 있어서
    상기 순차적 펄스의 폭이 점진적으로 증가되거나, 점진적으로 감소되는 증착 방법.
  5. 제 1 항에 있어서
    상기 순차적 펄스의 작동 시간과 비작동 시간이 상이하며,
    상기 순차적 펄스의 작동 시간보다 비작동 시간이 짧은 증착 방법.
  6. 제 1 항에 있어서
    상기 순차적 펄스의 작동 시간과 비작동 시간이 상이하며,
    상기 순차적 펄스의 작동 시간보다 비작동 시간이 긴 증착 방법.
  7. 제 1 항에 있어서
    상기 순차적 펄스의 높이와 상기 순차적 펄스의 폭이 모두 점진적으로 증가하는 증착 방법.
  8. 제 1 항에 있어서
    상기 순차적 펄스의 높이와 상기 순차적 펄스의 폭이 모두 점진적으로 감소하는 증착 방법.
  9. 제 1 항에 있어서
    상기 증착 방법은 화학 기상 증착 또는 원자층 증착 중 하나를 포함하는 증착 방법.
  10. 제 1 항에 있어서
    상기 챔버 내에 성막 가스에 의해 박막이 형성되며,
    상기 챔버 내에 순차적 펄스를 통해 제공되는 도펀트 가스에 의해, 상기 박막 내에 도펀트가 형성되는 증착 방법.
  11. 제 11 항에 있어서
    상기 형성되는 박막은 산화물, 질화물, 황화물, 산화질화물, 셀렌화물 탄화물, 붕화물, 할로겐화물 또는 인화물 중 하나를 포함하는 증착 방법.
  12. 형성할 박막의 도핑 농도를 결정하는 단계;
    상기 결정된 도핑 농도가 임계치보다 낮을 경우, 챔버 내에 성막 가스를 제공하고, 상기 성막 가스가 상기 챔버 내에 제공되는 동안, 또는 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공한 후에, 순차적 펄스를 통해 도펀트 가스를 상기 챔버 내에 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 결정된 도핑 농도가 임계치보다 높을 경우, 챔버 내에 성막 가스를 제공하고, 상기 성막 가스가 상기 챔버 내에 제공되는 동안, 또는 상기 챔버 내에 성막 가스를 제공한 후에, 연속적인 도펀트 가스를 상기 챔버 내에 제공하는 단계를 포함하는 증착 방법.
  13. 제 12 항에 있어서
    상기 순차적 펄스의 작동 시간(on time)이 짧아지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간(off time)이 길어질수록 도핑 농도가 감소되며,
    상기 순차적 펄스의 작동 시간이 길어지거나, 상기 순차적 펄스의 비작동 시간이 짧아질수록 도핑 농도가 증가되는 증착 방법.
  14. 제 12 항에 있어서
    상기 연속적인 도펀트 가스의 양이 감소되면, 도핑 농도가 감소되고,
    상기 연속적인 도펀트 가스의 양이 증가되면, 도핑 농도가 증가되는 증착 방법.
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KR20160141492A (ko) * 2015-06-01 2016-12-09 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조 방법

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