KR20190125192A - Pellicle frame and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR20190125192A
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pellicle frame
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fixing
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pellicle
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유키히로 기무라
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니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention provides a pellicle frame having a high flatness and a method for manufacturing a pellicle frame, capable of manufacturing the pellicle frame. In the method for manufacturing a pellicle frame (1), a sintered body (35) serving as the pellicle frame (1) is fixed to a surface plate (31) without deforming the sintered body (35), and surface processing of an upper surface (second surface) (37) opposite to the surface plate (31) is performed. Thus, the flatness of the sintered body (35) (therefore, the pellicle frame (1)) can be increased. More specifically, the sintered body (35) is fixed to the surface plate (31) with wax (W) without deforming the sintered body (35). Therefore, even if the sintered body (35) is pressed from the second surface (37) when performing the surface processing to improve the flatness, the sintered body (35) is unlikely to be deformed following the surface (33) of the surface plate (31).

Description

펠리클 프레임 및 그 제조 방법{PELLICLE FRAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}PELLICLE FRAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

본 개시는 펠리클 프레임 및 펠리클 프레임의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a pellicle frame and a method of manufacturing a pellicle frame.

반도체 제조에 있어서, 반도체 웨이퍼에 배선 패턴을 형성하는 노광 공정에서는 포토 마스크가 사용되는데, 이 포토 마스크에 이물질 (파티클 등) 이 부착되면 배선 패턴의 결함이 발생한다.In semiconductor manufacturing, a photomask is used in an exposure step of forming a wiring pattern on a semiconductor wafer. When foreign matter (particles, etc.) adhere to the photomask, defects in the wiring pattern occur.

이 대책으로서, 즉 방진을 위해서 포토 마스크의 표면 (예를 들어 표리면) 을 덮도록 펠리클이 배치되어 있다. 이 펠리클이란, 사각형 프레임체인 펠리클 프레임에, 그 개구부를 덮도록 투명한 얇은 막 (펠리클막) 이 장설 (張設) 된 것이다.As a countermeasure, that is, the pellicle is arrange | positioned so that the surface (for example, front and back surface) of a photomask may be covered for dust isolation. This pellicle is a pellicle frame, which is a rectangular frame, in which a transparent thin film (pellicle film) is placed so as to cover the opening.

이 펠리클 프레임은, 프레임 부분이 가는 선재로 이루어지고 개구부의 개구 면적이 큰 부재로서, 펠리클막을 포토 마스크로부터 소정 거리 두고 배치하기 위해서 사용된다. 또, 펠리클 프레임을 구성하는 부재로서는, 예를 들어 두께 3 mm × 폭 2 mm 의 각기둥과 같은 직경이 가는 예를 들어 알루미늄 합금제 부재가 사용된다.This pellicle frame is a member made of a wire rod having a thin frame portion and having a large opening area of the opening portion, and is used to arrange the pellicle film at a predetermined distance from the photo mask. As the member constituting the pellicle frame, for example, a member made of, for example, an aluminum alloy having a small diameter, such as a prisms having a thickness of 3 mm × width 2 mm, is used.

그런데, 종래의 알루미늄 합금제 펠리클 프레임 (따라서 펠리클) 은, 평면도가 나쁘므로 (예를 들어 평면도가 수십 ㎛ 정도이므로), 펠리클을 포토 마스크에 첩부한 경우에는, 포토 마스크에 휨이나 왜곡 등의 변형이 발생한다는 문제가 있었다.By the way, the conventional aluminum alloy pellicle frame (hence the pellicle) has a bad flatness (for example, because the flatness is about several tens of micrometers). Therefore, when the pellicle is affixed to the photomask, deformation such as warpage or distortion in the photomask is applied. There was a problem that this occurred.

이 대책으로서, 예를 들어 특허문헌 1 에는, 펠리클 프레임의 측벽에 패임을 형성하여, 펠리클 프레임의 강성을 저하시키고, 포토 마스크의 변형을 억제하는 기술이 개시되어 있다.As this countermeasure, for example, Patent Literature 1 discloses a technique in which a dent is formed on the sidewall of the pellicle frame, the rigidity of the pellicle frame is reduced, and the deformation of the photomask is suppressed.

일본 공개특허공보 2011-7933호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-7933

그러나, 상기 서술한 종래 기술은, 펠리클 프레임의 평면도 자체를 개선하는 것이 아니기 때문에, 펠리클을 포토 마스크에 첩부한 경우에는, 포토 마스크의 변형을 충분히 억제할 수 없을 우려가 있었다.However, since the above-mentioned prior art does not improve the top view itself of a pellicle frame, when a pellicle is affixed on a photomask, there exists a possibility that the deformation | transformation of a photomask may not be fully suppressed.

이 대책으로서, 예를 들어 고정밀도 평면 가공기를 사용하여, 펠리클 프레임의 평면도를 1 ㎛ 미만으로 가공하는 것이 고려된다. 예를 들어, 도 9(a) 에 나타내는 바와 같이, 정반 (A1) 상에 펠리클 프레임 (A2) 을 재치 (載置) 하고, 펠리클 프레임의 두께 방향의 표면을 가공하는 것 (즉 평면 가공을 실시하는 것) 이 고려된다.As a countermeasure, for example, using a high-precision planar machine, it is considered that the flatness of the pellicle frame is less than 1 m. For example, as shown to Fig.9 (a), the pellicle frame A2 is mounted on the surface plate A1, and the surface of the thickness direction of a pellicle frame is processed (that is, performing planar processing). Is considered.

그런데, 개구 면적이 커서, 프레임 단면적이 작은 펠리클 프레임은 강성이 낮고, 평면 가공 중에 탄성 변형을 일으켜, 정반의 형상을 따라 변형되어 버린다. 예를 들어, 만곡된 펠리클 프레임은, 도 9(b) 에 나타내는 바와 같이, 평면 가공시에 상방에서부터 지석에 의해 압력이 가해지면, 정반의 평탄한 표면을 따라 평탄해져, 마치 평면도가 개선된 것 같은 플랫한 상태가 된다. 그래서, 이 상태에서 평면 가공을 실시해도, 평면도는 개선되지 않는다. 그 결과, 도 9(c) 에 나타내는 바와 같이, 평면 가공 후에는 자신의 탄성에 의해 원래의 형상으로 되돌아가기 때문에, 평면도는 개선되지 않은 상태가 된다.By the way, a pellicle frame with a large opening area and a small frame cross section has low rigidity, causes elastic deformation during planar processing, and deforms along the shape of the surface plate. For example, as shown in Fig. 9 (b), the curved pellicle frame is flattened along the flat surface of the surface plate when pressure is applied from the top by grinding wheels during the plane processing, as if the flatness is improved. It becomes a flat state. Therefore, even if it performs planar processing in this state, a flatness will not improve. As a result, as shown in FIG.9 (c), since it returns to an original shape by its elasticity after planar processing, a top view will be in the state which is not improved.

요컨대, 종래에는, 단지 정반 상에 펠리클 프레임을 재치하고, 그 상면 (즉 노출면) 에 대하여 평면 가공을 실시하므로, 펠리클 프레임은 정반의 표면에 따르도록 변형되고, 평면 가공 후에 압력이 없어지면 원래의 형상으로 되돌아가 버리기 때문에, 평면도가 향상되지 않는다는 문제가 있었다.In short, conventionally, since the pellicle frame is only placed on the surface plate and the top surface (that is, the exposed surface) is subjected to planar processing, the pellicle frame is deformed to conform to the surface of the surface surface, and when the pressure is released after the surface processing, Since it returns to a shape, there existed a problem that a flatness did not improve.

본 개시는, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 평면도가 높은 펠리클 프레임 및 그 펠리클 프레임을 제조할 수 있는 펠리클 프레임의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present disclosure has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a pellicle frame having a high plan view and a pellicle frame capable of manufacturing the pellicle frame.

(1) 본 개시의 제 1 국면은, 두께 방향의 양측에 형성된 제 1 면 및 제 2 면과, 제 1 면 및 제 2 면에 연이어 접해진 내주면 및 외주면을 갖는 프레임 형상의 펠리클 프레임을, 토대 상에 재치하고, 펠리클 프레임의 가공을 실시하는, 펠리클 프레임의 제조 방법에 관한 것이다.(1) The first aspect of the present disclosure is based on a frame-shaped pellicle frame having first and second surfaces formed on both sides in the thickness direction, and an inner circumferential surface and an outer circumferential surface in contact with the first and second surfaces. The manufacturing method of a pellicle frame which mounts on a phase and processes a pellicle frame is performed.

이 펠리클 프레임의 제조 방법에서는, 고정 공정에서 펠리클 프레임을, 제 1 면을 토대측으로 함과 함께, 펠리클 프레임의 형상을 유지한 채인 상태에서, 토대에 고정시키고, 고정 가공 공정에서 토대에 고정시킨 펠리클 프레임의 제 2 면에 대하여 평면 가공을 실시한다.In the method for producing a pellicle frame, the pellicle frame is fixed to the foundation in a state where the pellicle frame is placed on the foundation side in the fixing step and the shape of the pellicle frame is maintained, and the pellicle is fixed to the foundation in the fixing process. Plane processing is performed on the second surface of the frame.

이와 같이 본 제 1 국면에서는, 펠리클 프레임을 변형시키지 않은 상태에서 토대에 고정시키고, 토대와 반대측의 표면인 제 2 면 (노출면) 의 평면 가공을 실시하므로, 펠리클 프레임의 평면도를 높일 수 있다.Thus, in this 1st aspect, since the pellicle frame is fixed to the base in the state which does not deform | transform, and planar processing of the 2nd surface (exposure surface) which is the surface on the opposite side to the base is performed, the flatness of a pellicle frame can be raised.

상세하게는 본 제 1 국면에서는, 펠리클 프레임을 변형시키지 않은 상태에서 (즉, 평면도가 나쁜 경우에는 그 나쁜 평면도를 유지한 상태에서), 예를 들어 왁스 등으로 토대에 고정시킨다. 그래서, 펠리클 프레임의 평면도를 개선하기 위해서 그 노출면에 대하여 평면 가공을 실시할 때에, 펠리클 프레임이 지석 등에 의해 노출면측에서부터 가압되어도, 펠리클 프레임에는 토대의 표면을 따르는 변형이 발생하기 어렵다. 예를 들어, 펠리클 프레임이 만곡된 경우에도, 그 만곡의 상태를 유지한 채 (즉 탄성 변형되지 않은 상태인 채), 토대 상에 고정된다.Specifically, in the first aspect, the pellicle frame is fixed to the foundation with, for example, wax or the like without deforming the pellicle frame (i.e., maintaining the bad top view if the top view is bad). Therefore, even when the pellicle frame is pressed from the exposed surface side by a grindstone or the like when performing a planar processing on the exposed surface in order to improve the flatness of the pellicle frame, the pellicle frame is hardly deformed along the surface of the foundation. For example, even when the pellicle frame is curved, it is fixed on the foundation while maintaining the curved state (that is, not being elastically deformed).

그래서, 이 펠리클 프레임이 탄성 변형되지 않은 상태에서, 평면도를 개선하도록 노출면측의 평면 가공을 실시할 수 있으므로, 펠리클 프레임을 목적으로 하는 평면도가 되도록 가공할 수 있다.Therefore, in the state in which the pellicle frame is not elastically deformed, the planar processing on the exposed surface side can be performed to improve the flatness, so that the pellicle frame can be processed so as to be the flatness intended for the purpose.

또한, 본 제 1 국면에서는, 펠리클 프레임이 탄성 변형되지 않은 상태에서, 노출면측의 평면 가공을 실시하므로, 평면 가공 후에는, 평면 가공 중의 탄성 변형에 의해 발생하는 펠리클 프레임의 표리면 (즉 제 1 면 및 제 2 면) 의 잔류 응력차를 저감시킬 수 있다. 따라서, 평면 가공 후에, 펠리클 프레임이 자신의 탄성에 의해 원래로 되돌아가는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 펠리클 프레임은, 평면 가공에 의해 얻어진 높은 평면도를 유지할 수 있다.In addition, in this 1st phase, since the surface processing of the exposed surface side is performed in the state in which the pellicle frame is not elastically deformed, after the surface processing, the front and back surfaces of the pellicle frame produced by the elastic deformation during planar processing (namely, 1st Residual stress difference between the surface and the second surface) can be reduced. Therefore, after planar processing, the pellicle frame can be suppressed from returning to its original state by its elasticity. Therefore, the pellicle frame can maintain the high flatness obtained by planar processing.

따라서, 본 제 1 국면에서는, 펠리클 프레임에 대해서 평면도 불량의 발생률이 떨어져, 수율이 향상된다. 또, 평면도 불량이 발생한 경우에도, 용이하게 수정이 가능하다. 또한, 평면 가공의 공정을 간략화할 수 있으므로, 공정수의 대폭적인 저감이 가능하다.Therefore, in this 1st phase, the incidence rate of planar defects falls with respect to a pellicle frame, and a yield improves. Moreover, even when a flatness defect arises, correction is easy. Moreover, since the process of planar processing can be simplified, the number of processes can be reduced significantly.

(2) 본 개시의 제 2 국면에서는, 평면 가공 후에 분리 공정에서 토대로부터 펠리클 프레임을 분리하고, 재치 가공 공정에서 분리한 펠리클 프레임을, 제 2 면을 토대측으로 하고 토대 상에 재치한 상태에서, 제 1 면에 대하여 평면 가공을 실시해도 된다.(2) In the second aspect of the present disclosure, in the state where the pellicle frame is separated from the foundation in the separation step after the planar processing, and the pellicle frame separated in the mounting process is placed on the foundation with the second surface as the foundation side, You may perform planar processing with respect to a 1st surface.

상기 제 1 국면에 있어서의 평면 가공에 의해 펠리클 프레임의 제 2 면의 평면도가 작아져 있으므로, 펠리클 프레임을 제 2 면을 토대측으로 하고 토대 상에 재치한 경우에는, 펠리클 프레임은 거의 변형되지 않는다. 요컨대, 평면 가공시에 사용되는 토대는, 통상적으로는 그 표면은 매우 평탄하므로 (즉 평면도가 작으므로), 평면 가공된 제 2 면을 토대측으로 한 경우에는, 펠리클 프레임은 거의 변형되지 않는다.Since the plan view of the second surface of the pellicle frame is reduced by the planar processing in the first aspect, the pellicle frame is hardly deformed when the pellicle frame is placed on the foundation with the second surface as the foundation. That is, since the surface used at the time of planar processing is usually very flat (namely, a flatness is small), when a 2nd planar surface is made into the foundation side, a pellicle frame hardly deforms.

따라서, 거의 변형되지 않은 펠리클 프레임의 노출면인 제 1 면에 대하여 평면 가공을 실시함으로써, 제 1 면의 평면도도 작게 할 수 있다.Therefore, the flatness of a 1st surface can also be made small by carrying out planar processing with respect to the 1st surface which is the exposed surface of a pellicle frame which hardly deform | transforms.

따라서, 본 제 2 국면에서는, 펠리클 프레임의 두께 방향의 양면 (즉 제 1 면 및 제 2 면) 의 평면도를 작게 할 수 있다.Therefore, in this 2nd phase, the top view of both surfaces (namely, 1st surface and 2nd surface) of the thickness direction of a pellicle frame can be made small.

또한, 상기 제 1 국면에 따른 평면 가공에 의해, 펠리클 프레임의 제 2 면측과 제 1 면측에 잔류 응력의 차이가 발생했다 하더라도, 본 제 2 국면에서는, 제 2 면을 토대 상에 재치한 상태 (요컨대, 제 1 국면과 달리 펠리클 프레임을 토대에 고정시키지 않은 상태) 에서 제 1 면에 대하여 평면 가공을 실시한다. 따라서, 펠리클 프레임의 제 1 면에 제 2 면과 동등한 잔류 응력을 부여할 수 있어, 펠리클 프레임의 제 1 면 및 제 2 면의 평면도를 작게 할 수 있다.Further, even if a difference in residual stress occurs between the second surface side and the first surface side of the pellicle frame by the planar processing according to the first aspect, in the second aspect, the second surface is placed on the foundation ( In short, unlike the first phase, the pellicle frame is not fixed to the foundation) and the first surface is subjected to planar processing. Therefore, the residual stress equivalent to a 2nd surface can be provided to the 1st surface of a pellicle frame, and the flatness of the 1st surface and the 2nd surface of a pellicle frame can be made small.

(3) 본 개시의 제 3 국면에서는, 고정 공정, 고정 가공 공정, 분리 공정, 재치 가공 공정을 실시한 후에, 다시 고정 공정, 고정 가공 공정, 분리 공정, 재치 가공 공정을 실시해도 된다.(3) In the third aspect of the present disclosure, after the fixing step, the fixed machining step, the separation step, and the tact step, the fixing step, the fixed step, the separation step, and the tact step may be performed again.

본 개시의 제 3 국면에서는, 고정 공정, 고정 가공 공정, 분리 공정, 재치 가공 공정을 2 회 실시하므로, 펠리클 프레임의 두께 방향의 양면의 평면도를 한층 더 작게 할 수 있다.In the third aspect of the present disclosure, since the fixing step, the fixed machining step, the separation step, and the tact step are performed twice, the plan view of both surfaces in the thickness direction of the pellicle frame can be further reduced.

(4) 본 개시의 제 4 국면에서는, 재치 가공 공정에서 사용하는 토대는, 고정 가공 공정에서 사용하는 토대와 동일한 토대 또는 상이한 토대여도 된다.(4) In the fourth aspect of the present disclosure, the base used in the mounting processing step may be the same base as or the different base used in the fixed machining step.

상이한 공정에서 사용하는 토대를 공통으로 해도 되고, 별개의 토대로 해도 된다.The bases used in different processes may be common or may be separate foundations.

(5) 본 개시의 제 5 국면에서는, 토대로서 단일 토대 또는 복수 토대를 조합한 것을 사용해도 된다.(5) In the fifth aspect of the present disclosure, a combination of a single foundation or a plurality of foundations may be used as the basis.

예를 들어 단일 토대 상에 펠리클 프레임을 재치하고 평면 가공을 실시해도 된다. 또한, 베이스가 되는 토대 (메인 토대) 상에 보조적인 토대 (서브 토대) 를 설치히고, 그 서브 토대 상에 펠리클 프레임을 재치하고 평면 가공을 실시해도 된다.For example, the pellicle frame may be placed on a single foundation and subjected to planar processing. In addition, an auxiliary base (sub base) may be provided on the base (main base) serving as a base, and the pellicle frame may be placed on the sub base to perform planar processing.

(6) 본 개시의 제 6 국면에서는, 토대는, 평면에서 볼 때, 펠리클 프레임의 외형 치수보다 큰 치수를 갖고 있어도 된다.(6) In the sixth aspect of the present disclosure, the foundation may have a dimension larger than the external dimension of the pellicle frame in plan view.

이와 같이 토대가 펠리클 프레임보다 큰 외형 치수인 경우에는, 펠리클 프레임의 전체를 토대 상에 배치할 수 있으므로, 펠리클 프레임의 고정이나 평면 가공이 용이하다는 이점이 있다.As described above, in the case where the foundation has an outer dimension larger than that of the pellicle frame, the entire pellicle frame can be arranged on the foundation, so that the pellicle frame can be easily fixed or planarized.

(7) 본 개시의 제 7 국면에서는, 토대는, 평면 가공시에 변형되지 않은 특성을 갖고 있어도 된다.(7) In the seventh aspect of the present disclosure, the foundation may have a characteristic that is not deformed during planar processing.

토대가, 펠리클 프레임의 평면 가공시에 변형되지 않은 특성을 갖고 있는 경우에는, 평면 가공 중에 펠리클 프레임도 변형되기 어렵다. 따라서, 펠리클 프레임의 평면도를 개선하는 평면 가공을 바람직하게 실시할 수 있다.When the foundation has a property that is not deformed at the time of planar processing of the pellicle frame, the pellicle frame is less likely to deform during planar processing. Therefore, planar processing which improves the flatness of a pellicle frame can be performed preferably.

(8) 본 개시의 제 8 국면에서는, 토대의 영률은 200 GPa 이상이어도 된다. 토대의 영률이 200 GPa 이상인 경우에는, 높은 강성을 갖고 있으므로, 펠리클 프레임의 평면 가공시에 토대가 변형되기 어렵다. 따라서, 펠리클 프레임의 평면도를 개선하는 평면 가공을 바람직하게 실시할 수 있다.(8) In the eighth aspect of the present disclosure, the Young's modulus of the base may be 200 GPa or more. In the case where the Young's modulus of the base is 200 GPa or more, since it has high rigidity, the base is hardly deformed during the planar processing of the pellicle frame. Therefore, planar processing which improves the flatness of a pellicle frame can be performed preferably.

(9) 본 개시의 제 9 국면에서는, 고정 공정에서는, 토대와 펠리클 프레임의 사이에 배치한 고정재에 의해 펠리클 프레임의 고정을 실시해도 된다.(9) In the ninth aspect of the present disclosure, in the fixing step, the pellicle frame may be fixed by a fixing member disposed between the base and the pellicle frame.

이와 같이 고정재를 사용함으로써, 펠리클 프레임을 토대에 고정시킬 수 있다.By using the fixing material in this way, the pellicle frame can be fixed to the foundation.

(10) 본 개시의 제 10 국면에서는, 평면 가공 후에 토대로부터 펠리클 프레임을 분리하는 경우에는, 토대와 펠리클 프레임의 사이로부터 고정재를 제거하여, 펠리클 프레임을 분리해도 된다.(10) In the tenth aspect of the present disclosure, when the pellicle frame is separated from the foundation after planar processing, the pellicle frame may be separated by removing the fixing material between the base and the pellicle frame.

이와 같이 고정 가공 공정의 평면 가공 후에 고정재를 제거함으로써, 토대로부터 펠리클 프레임을 분리할 수 있다.In this way, the pellicle frame can be separated from the base by removing the fixing material after the planar processing of the fixing processing step.

(11) 본 개시의 제 11 국면에서는, 고정 공정에서는, 토대와 펠리클 프레임의 사이에, 고화되지 않은 상태의 고정재를 충전시킨 후에 고정재를 고화시켜, 펠리클 프레임의 고정을 실시해도 된다.(11) In the eleventh aspect of the present disclosure, in the fixing step, the fixing member may be solidified by filling the fixing member in an unsolidified state between the base and the pellicle frame to fix the pellicle frame.

이와 같이 고화되지 않은 고정재를 토대와 펠리클 프레임의 사이에 충전시키고, 그 후에 고정재를 고화시킴으로써, 펠리클 프레임을 토대에 고정시킬 수 있다.The pellicle frame can be fixed to the foundation by filling the non-solidified fixing material between the base and the pellicle frame and then solidifying the fixing material.

(12) 본 개시의 제 12 국면에서는, 고정재는 액상 접합재이고, 액상 접합재를 토대와 펠리클 프레임의 사이에 충전시키고, 그 후 고화시켜, 고정을 실시해도 된다.(12) In the twelfth aspect of the present disclosure, the fixing member is a liquid bonding material, and the liquid bonding material may be filled between the base and the pellicle frame, and then solidified and fixed.

본 제 12 국면은, 고정재로서 액상 접합재를 사용하는 경우의 방법을 예시하고 있다.This twelfth aspect illustrates a method in the case of using a liquid bonding material as the fixing material.

(13) 본 개시의 제 13 국면에서는, 고정재는 왁스이고, 고형 상태의 왁스를 가온하여 액상화시켜, 토대와 펠리클 프레임의 사이에 충전시키고, 그 후 냉각하여 왁스를 고화시켜, 고정을 실시해도 된다.(13) In the thirteenth aspect of the present disclosure, the fixing material is wax, and the wax in the solid state may be heated to be liquefied, filled between the base and the pellicle frame, and then cooled to solidify the wax to fix it. .

본 제 13 국면은, 고정재로서 왁스를 사용하는 경우의 방법을 예시하고 있다.This thirteenth aspect illustrates a method in the case of using wax as the fixing material.

(14) 본 개시의 제 14 국면에서는, 토대에 있어서의 펠리클 프레임이 재치되는 표면 (즉 재치면) 의 평면도는, 3 ㎛ 이하 (바람직하게는 1 ㎛ 이하) 여도 된다.(14) In the 14th aspect of this indication, 3 micrometers or less (preferably 1 micrometer or less) may be sufficient as the top view of the surface (namely, mounting surface) in which the pellicle frame in a base is mounted.

본 제 14 국면에서는, 토대의 재치면의 평면도가 작아 평탄하므로, 토대 상에 펠리클 프레임을 재치한 경우에, 펠리클 프레임의 변형을 억제할 수 있다.In the fourteenth aspect, since the flatness of the mounting surface of the base is small and flat, deformation of the pellicle frame can be suppressed when the pellicle frame is placed on the foundation.

(15) 본 개시의 제 15 국면에서는, 펠리클 프레임은 세라믹을 주성분으로 해도 된다.(15) In the fifteenth aspect of the present disclosure, the pellicle frame may include ceramic as the main component.

본 제 15 국면은, 펠리클 프레임의 바람직한 재료를 예시한 것이다. 또, 주성분이란, 당해 세라믹 성분이 펠리클 프레임을 구성하는 재료의 50 체적% 이상인 것을 나타내고 있다.This 15th aspect illustrates the preferable material of a pellicle frame. In addition, a main component has shown that the said ceramic component is 50 volume% or more of the material which comprises a pellicle frame.

(16) 본 개시의 제 16 국면은, 두께 방향의 양측에 형성된 제 1 면 및 제 2 면과, 제 1 면 및 제 2 면에 연이어 접해진 내주면 및 외주면을 갖는 펠리클 프레임에 관한 것으로, 이 펠리클 프레임의 제 1 면과 제 2 면의 잔류 응력의 차이가 5 MPa 이하이다.(16) A sixteenth aspect of the present disclosure relates to a pellicle frame having first and second surfaces formed on both sides in a thickness direction, and an inner circumferential surface and an outer circumferential surface that are in contact with the first and second surfaces. The difference in residual stress between the first and second surfaces of the frame is 5 MPa or less.

이와 같이 펠리클 프레임의 제 1 면과 제 2 면의 잔류 응력의 차이가 5 MPa 이하인 경우에는, 펠리클 프레임 자체가 변형되기 어려워, 그 평면도가 작다. 따라서, 포토 마스크의 표면에 펠리클을 첩부한 경우에, 포토 마스크가 변형되기 어려우므로 바람직하다.Thus, when the difference of the residual stress of the 1st surface and the 2nd surface of a pellicle frame is 5 Mpa or less, the pellicle frame itself is hard to deform | transform, and its flatness is small. Therefore, when a pellicle is affixed on the surface of a photomask, since a photomask is hard to deform | transform, it is preferable.

(17) 본 개시의 제 17 국면은, 두께 방향의 양측에 형성된 제 1 면 및 제 2 면과, 제 1 면 및 제 2 면에 연이어 접해진 내주면 및 외주면을 갖는 펠리클 프레임에 관한 것으로, 이 펠리클 프레임의 제 1 면 및 제 2 면에 있어서의 평면도가 5 ㎛ 이하여도 된다.(17) A seventeenth aspect of the present disclosure relates to a pellicle frame having a first surface and a second surface formed on both sides in a thickness direction, and an inner circumferential surface and an outer circumferential surface in contact with the first and second surfaces. 5 micrometers or less of the top view in the 1st surface and the 2nd surface of a frame may be sufficient.

이와 같이 펠리클 프레임의 제 1 면 및 제 2 면에 있어서의 평면도가 5 ㎛ 이하인 경우에는, 포토 마스크의 표면에 펠리클을 첩부한 경우에, 포토 마스크가 변형되기 어려우므로 바람직하다Thus, when the flat surface in the 1st surface and the 2nd surface of a pellicle frame is 5 micrometers or less, when a pellicle is affixed on the surface of a photomask, since a photomask is hard to deform | transform, it is preferable.

<이하, 본 개시의 구성에 대해서 설명한다><Hereinafter, the configuration of the present disclosure will be described>

·평면 가공이란, 워크의 표면을 평탄하게 하는 가공을 말하며, 여기서는, 펠리클 프레임의 두께 방향의 표면에 있어서의 평면도를 개선하기 위해서, 펠리클 프레임의 표면에 대하여 연삭이나 연마 등의 가공을 실시하는 것이다.-Flat surface processing means the process which flattens the surface of a workpiece | work, Here, in order to improve the flatness in the surface of the thickness direction of a pellicle frame, processing, such as grinding and grinding | polishing, is performed to the surface of a pellicle frame. .

·평면도란, 「평면 형체의 기하학적으로 바른 평면으로부터의 어긋난 크기」이고, JIS 0621-1984 에서 규정되는 것이다.The plan view is "deviated size from the geometrically correct plane of the planar body", and is defined in JIS 0621-1984.

·토대의 평면도는, 평면 가공 전의 펠리클 프레임 (즉 소결체) 및 평면 가공 후의 펠리클 프레임의 평면도보다 작다. 또한, 토대의 강성은 펠리클 프레임의 강성보다 높아, 동일한 힘이 가해진 경우에도, 토대는 펠리클 프레임보다 변형되기 어렵다.The plan view of the foundation is smaller than the plan view of the pellicle frame (ie, sintered body) before the planar processing and the pellicle frame after the planar processing. In addition, the rigidity of the foundation is higher than that of the pellicle frame, and even when the same force is applied, the foundation is more difficult to deform than the pellicle frame.

·펠리클 프레임의 프레임체의 재료로는, 세라믹을 주성분으로 하는 재료, 초경 (超硬) 으로 이루어지는 재료, 서멧으로 이루어지는 재료, 단체 (單體) 또는 합금의 금속으로 이루어지는 재료 등을 채용할 수 있다.As the material of the frame of the pellicle frame, a material mainly composed of ceramic, a material made of cemented carbide, a material made of cermet, a material made of a single metal or an alloy metal can be used. .

세라믹으로는, 알루미나, 질화규소, 지르코니아 등의 비도전성 세라믹이나, 알루미나·탄화티탄, 알루미나·탄화티탄·질화티탄, 지르코니아·탄화티탄 등의 도전성 세라믹 등을 채용할 수 있다. 금속으로는, 알루미늄 합금 등을 채용할 수 있다.As the ceramic, non-conductive ceramics such as alumina, silicon nitride, zirconia, conductive ceramics such as alumina titanium carbide, alumina titanium carbide titanium nitride, zirconia titanium carbide, and the like can be adopted. As the metal, an aluminum alloy or the like can be adopted.

·펠리클 프레임의 치수로는, 프레임 부분의 폭, 두께 모두 예를 들어 2.0 mm ∼ 5.0 mm 의 범위를 채용할 수 있다. 개구부 (즉 중앙 관통 구멍) 의 치수로는, 예를 들어 세로 110 mm ∼ 120 mm, 가로 140 mm ∼ 145 mm 의 범위를 채용할 수 있다.As a dimension of a pellicle frame, the width | variety and thickness of a frame part can employ | adopt the range of 2.0 mm-5.0 mm, for example. As a dimension of an opening part (namely, a center through hole), the range of 110 mm-120 mm in length and 140 mm-145 mm in width can be employ | adopted, for example.

·토대의 재료로는, 알루미나, 질화알루미늄, 탄화규소 등의 세라믹을 채용할 수 있고, 그 두께로는, 예를 들어 5 mm 이상을 채용할 수 있다.As a base material, ceramics, such as alumina, aluminum nitride, and silicon carbide, can be employ | adopted, For example, 5 mm or more can be employ | adopted as the thickness.

도 1 은 제 1 실시형태의 펠리클 프레임을 나타내는 사시도이다.
도 2 는 제 1 실시형태의 펠리클 프레임을 XY 평면을 따라 파단한 단면을 나타내는 단면도이다.
도 3 은 도 1 에 있어서의 A-A 단면도이다.
도 4 는 제 1 실시형태의 펠리클 프레임의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 5 는 제 1 실시형태의 펠리클 프레임의 제조 방법 중 평면 가공의 일부를 나타내는 설명도이다.
도 6 은 제 1 실시형태의 펠리클 프레임의 제조 방법 중 평면 가공의 다른 일부를 나타내는 설명도이다.
도 7 은 제 2 실시형태형태의 펠리클 프레임의 제조 방법 중 평면 가공을 나타내는 설명도이다.
도 8 은 실험예 2 의 설명도이다.
도 9 는 종래 기술의 설명도이다.
1 is a perspective view illustrating a pellicle frame according to the first embodiment.
It is sectional drawing which shows the cross section which cut | disconnected the pellicle frame of 1st Embodiment along the XY plane.
3 is a cross-sectional view taken along AA in FIG. 1.
It is process drawing which shows the manufacturing method of the pellicle frame of 1st Embodiment.
It is explanatory drawing which shows a part of planar processing in the manufacturing method of the pellicle frame of 1st Embodiment.
It is explanatory drawing which shows another part of planar processing in the manufacturing method of the pellicle frame of 1st Embodiment.
It is explanatory drawing which shows planar processing in the manufacturing method of the pellicle frame of 2nd Embodiment.
8 is an explanatory diagram of Experimental Example 2. FIG.
9 is an explanatory diagram of a prior art.

이하, 본 개시가 적용된 펠리클 프레임 및 그 제조 방법의 실시형태에 대해서 도면을 사용하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of the pellicle frame to which this indication was applied, and its manufacturing method is demonstrated using drawing.

[1. 제 1 실시형태][One. 1st Embodiment]

[1-1. 전체 구성][1-1. Full configuration]

우선, 제 1 실시형태의 펠리클 프레임의 전체 구성에 대해서 설명한다.First, the whole structure of the pellicle frame of 1st Embodiment is demonstrated.

도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 바와 같이, 펠리클 프레임 (1) 은, 자신의 편면 (도 3 의 상방) 에 펠리클막 (3) (도 3 참조) 이 장설되는 부재이다. 이 펠리클 프레임 (1) 은, 세라믹을 주성분으로 하는 재료 (예를 들어, 알루미나를 주성분으로 하고, 탄화티탄을 함유하는 도전성 세라믹스) 로 구성되어 있다. 또, 도 1 및 도 2 에서는, 펠리클 프레임 (1) 자체를 나타내고, 도 3 에서는, 펠리클 프레임 (1) 의 편면에 펠리클막 (3) 이 장설된 펠리클 (5) 을 나타내고 있다.As shown in FIGS. 1-3, the pellicle frame 1 is a member in which the pellicle film 3 (refer FIG. 3) is installed in one side (upper of FIG. 3). The pellicle frame 1 is made of a material containing ceramic as a main component (for example, conductive ceramics containing alumina as a main component and containing titanium carbide). In addition, in FIG. 1 and FIG. 2, the pellicle frame 1 itself is shown, In FIG. 3, the pellicle 5 in which the pellicle film 3 was installed in the single side | surface of the pellicle frame 1 is shown.

또한, 이하에서는, 펠리클 프레임 (1) 의 모든 면 중에서 펠리클 프레임 (1) 자신으로 둘러싸인 내측의 면을 내주면 (7), 내측과 반대측의 외측의 면을 외주면 (9) 이라고 한다. 또한, 내주면 (7) 과 외주면 (9) 에 연이어 접해진 면 중에서 펠리클막 (3) 이 장설된 측을 상면 (11), 반대의 면을 하면 (13) 이라고 한다. 또, 이것들의 면을 구별할 필요가 없을 경우에는, 간단히 표면이라고 하는 경우가 있다.In addition, below, the inner surface surrounded by the pellicle frame 1 itself among all the surfaces of the pellicle frame 1 is called the inner peripheral surface 7, and the outer surface on the opposite side to the inner side is the outer peripheral surface 9. In addition, the side in which the pellicle film 3 was installed among the surfaces which are in contact with the inner peripheral surface 7 and the outer peripheral surface 9 is called the upper surface 11, and the opposite surface is called (13). In addition, when it is not necessary to distinguish these surfaces, it may only be called surface.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 직교하는 X 축, Y 축, Z 축의 좌표계에 있어서, 펠리클 프레임 (1) 은, Z 방향에서 본 평면에서 볼 때, 장방 형상의 프레임체 (즉 고리형 부재) 이고, 중앙에는 평면에서 볼 때 장방형의 중앙 관통 구멍 (15) 을 갖고 있다.As shown in FIG. 1, in the coordinate system of the orthogonal X-axis, Y-axis, and Z-axis, the pellicle frame 1 is a rectangular frame body (that is, an annular member) when viewed in a plane viewed from the Z direction, The center has a rectangular central through hole 15 in plan view.

요컨대, 펠리클 프레임 (1) 은, 동일 평면상에서 평면에서 볼 때, 상하 좌우의 사방에 배치된 장척의 프레임부로 이루어진다. 상세하게는 펠리클 프레임 (1) 은, X 축으로 평행하게 배치된 제 1 프레임부 (1a) 및 제 2 프레임부 (1b) 와, Y 축으로 평행하게 배치된 제 3 프레임부 (1c) 및 제 4 프레임부 (1d) 에 의해 구성되어 있다.That is, the pellicle frame 1 consists of a long frame part arrange | positioned in the up, down, left, and right directions in plan view on the same plane. Specifically, the pellicle frame 1 includes the first frame portion 1a and the second frame portion 1b arranged in parallel in the X axis, the third frame portion 1c and the first frame arranged in parallel in the Y axis. It consists of four frame parts 1d.

또, 펠리클 프레임 (1) 의 외형 치수는, 예를 들어 세로 (Y 방향) 약 149 mm × 가로 (X 방향) 약 120 mm × 두께 (Z 방향) 약 3 mm 이다. 또한, 펠리클 프레임 (1) 의 각 프레임부 (1a ∼ 1d) 는 사각기둥이고, 그 폭의 치수 (Z 방향에서 본 폭의 치수) 는 동일 (예를 들어 약 2 mm) 하다.In addition, the external dimension of the pellicle frame 1 is about 149 mm long (Y direction) x horizontal (X direction) about 120 mm x thickness (Z direction) about 3 mm, for example. In addition, each frame part 1a-1d of the pellicle frame 1 is a square pillar, and the dimension of the width (dimension of the width seen from the Z direction) is the same (for example, about 2 mm).

또한, 이 펠리클 프레임 (1) 은, 영률이 150 GPa 이상, 또한, 비커스 경도가 800 Hv 이상의 특성을 갖고 있다. 또, 펠리클 프레임 (1) 의 평면도 (상세하게는 상면 (11) 및 하면 (13) 의 평면도) 는 5 ㎛ 이하이다. 또한, 펠리클 프레임 (1) 의 상면 (11) 과 하면 (13) 의 잔류 응력의 차이는 5 MPa 이하이다.Moreover, this pellicle frame 1 has the characteristic whose Young's modulus is 150 GPa or more, and Vickers hardness is 800 Hv or more. Moreover, the top view (in detail, the top view of the upper surface 11 and the lower surface 13) of the pellicle frame 1 is 5 micrometers or less. In addition, the difference of the residual stress of the upper surface 11 and the lower surface 13 of the pellicle frame 1 is 5 Mpa or less.

상기 펠리클 프레임 (1) 에는, 평면에서 볼 때, 도 2 에 나타내는 바와 같이, X 방향에 있어서의 양 프레임부 (즉 제 3 프레임부 (1c), 제 4 프레임부 (1d)) 에, 각각 2 지점 (합계 4 지점) 에, 외주면 (9) 측에 개구되는 패임인 바닥 있는 구멍 (17a, 17b, 17c, 17d) (17 로 총칭한다) 이 형성되어 있다.As shown in FIG. 2, the said pellicle frame 1 has two frame parts (namely, the 3rd frame part 1c and the 4th frame part 1d) in an X direction, respectively. At the point (total four points), bottomed holes 17a, 17b, 17c, 17d (generally referred to as 17) which are recesses opened on the outer circumferential surface 9 side are formed.

이 바닥 있는 구멍 (17) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 φ1.5 mm, 깊이 1.2 mm 의 바닥 있는 둥근 구멍이며, 바닥부는 원뿔 형상으로 가지런히 되어 있다.As shown in FIG. 3, this bottomed hole 17 is a bottomed round hole having a diameter of 1.5 mm and a depth of 1.2 mm, for example, and the bottom is aligned in a conical shape.

바닥 있는 구멍 (17) 은, 펠리클 (5) 의 제조 및 그 후의 포토 마스크 (도시 생략) 에 장착할 때의 위치 결정 등에 사용된다.The bottomed hole 17 is used for the manufacture of the pellicle 5 and for positioning when mounting it on a subsequent photo mask (not shown).

또, 상기 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 펠리클 프레임 (1) 의 제 3 프레임부 (1c) 에는, 예를 들어 φ0.5 mm 의 관통 구멍인 통기 구멍 (20) 이 형성되어 있다. 이 통기 구멍 (20) 은, 포토 마스크에 펠리클 (5) 이 장착된 후, 펠리클 (5) 과 포토 마스크에 둘러싸인 공간과 외부 환경의 기압 조정에 사용된다. 또, 외부 환경으로부터 분진이 침입하지 않도록, 통기 구멍 (20) 에는 도시되지 않은 필터가 형성된다.In addition, as shown in the said FIG. 1 and FIG. 2, the ventilation hole 20 which is a through hole of (phi) 0.5mm is formed in the 3rd frame part 1c of the pellicle frame 1, for example. After the pellicle 5 is attached to the photomask, the vent hole 20 is used for adjusting the air pressure of the space surrounded by the pellicle 5 and the photomask and the external environment. Moreover, the filter which is not shown in figure is formed in the ventilation hole 20 so that dust may not intrude from an external environment.

[1-2. 펠리클 프레임의 제조 방법의 개략][1-2. Outline of the manufacturing method of the pellicle frame]

다음으로, 펠리클 프레임 (1) 의 제조 방법의 개략에 대해서 설명한다.Next, the outline of the manufacturing method of the pellicle frame 1 is demonstrated.

(제 1 공정 P1)(1st process P1)

도 4 에 나타내는 바와 같이, 펠리클 프레임 (1) 의 원료인 분체 (즉 소지 (素地) 분말) 를 제조하였다.As shown in FIG. 4, the powder (namely, a ground powder) which is a raw material of the pellicle frame 1 was manufactured.

여기서 분체란, 펠리클 프레임 (1) 을 구성하는 소결체의 기초가 되는 물질로, 후술하는 바와 같이 알루미나나 도전성 재료 등의 원료 분말에, 소결 보조제 등을 적절히 첨가하여 습식 혼합한 후, 분무 건조법에 의해 50 ㎛ ∼ 100 ㎛ 의 과립으로 제조한 것이다.Here, powder is a substance which becomes the basis of the sintered compact which comprises the pellicle frame 1, As mentioned later, after sintering adjuvant etc. are appropriately added and wet-mixed to raw material powders, such as an alumina and an electroconductive material, it is spray-dried by It is manufactured from granules of 50 µm to 100 µm.

또, 원료 분말 입경의 측정은, 레이저 회절·산란법에 의해 실시했는데, 동적 광산란법이나 침강법에 의해 실시해도 된다.In addition, although the raw material powder particle diameter was measured by the laser diffraction scattering method, you may perform it by the dynamic light scattering method or the sedimentation method.

(제 2 공정 P2)(2nd process P2)

다음으로, 이 분체를 성형하여, 펠리클 프레임 (1) 의 원형을 형성하였다.Next, this powder was shape | molded and the circular shape of the pellicle frame 1 was formed.

(제 3 공정 P3)(3rd process P3)

다음으로, 상기 분체 성형 후, 이것을 소정 온도에서 소성시켰다.Next, after the said powder molding, this was baked at predetermined temperature.

이 소성 온도는, 분체의 조성에 따르지만, 일반적으로 1500 ℃ 이상이다. 소성시킴으로써, 높은 영률과 강도를 지닌 소결체 (즉 펠리클 프레임 (1) 을 구성하는 소결체) 가 얻어진다.Although this firing temperature is based on the composition of powder, it is generally 1500 degreeC or more. By baking, the sintered compact (that is, the sintered compact which comprises the pellicle frame 1) which has high Young's modulus and strength is obtained.

(제 4 공정 P4)(4th process P4)

다음으로, 소결체에 대하여 그 두께를 조절하는 두께 가공 (구체적으로는 연삭 가공) 을 실시하였다.Next, the thickness process (specifically, the grinding process) which adjusts the thickness with respect to the sintered compact was performed.

또, 여기서는, 후술하는 정밀 평면 가공 (제 9 공정 P9) 의 연마 여유분 (예를 들어 0.05 mm ∼ 0.10 mm) 를 남기고 두께를 일정하게 하였다.In addition, the thickness was made constant here, leaving polishing margin (for example, 0.05 mm-0.10 mm) of the precision planar process (9th process P9) mentioned later.

(제 5 공정 P5)(5th process P5)

다음으로, 두께 가공 후의 소결체에 대하여 내형·외형 가공을 실시하였다.Next, the inner mold and outer mold were processed on the sintered body after the thickness processing.

상세하게는 유지 지그 (도시 생략) 로 소결체의 외주면을 파지하고, 소결체의 내주면과 외주면에 대하여 와이어 방전 가공을 실시하여, 내형이나 외형을 목적으로 하는 치수로 가공하였다.Specifically, the outer circumferential surface of the sintered body was gripped with a holding jig (not shown), wire discharge processing was performed on the inner circumferential surface and the outer circumferential surface of the sintered compact, and processed into dimensions for the purpose of inner mold or outer mold.

(제 6 공정 P6)(Sixth Step P6)

다음으로, 내형·외형 가공 후의 소결체에 대하여 방전 가공면의 표면 처리를 실시하였다.Next, the sintered compact after internal mold and external form process was surface-treated of the electrical discharge machining surface.

상세하게는 샌드 블라스트 처리에 의해 방전 가공으로 인해 발생한 열 변질층을 제거하였다.In detail, the thermally deteriorated layer generated by the electric discharge machining was removed by sandblasting.

(제 7 공정 P7)(7th process P7)

다음으로, 방전 가공면의 표면 처리 후의 소결체에 대하여 천공 가공을 실시하였다.Next, the punching process was performed about the sintered compact after the surface treatment of an electric discharge machining surface.

구체적으로는 다이싱킹 방전 가공에 의해, 소결체의 측면에 바닥 있는 구멍 (17) 을 형성하였다. 또한, 가는 구멍 방전 가공기 (도시 생략) 에 의해, 소결체의 측면에 기압 조정용 통기 구멍 (20) 을 형성하였다.Specifically, the bottomed hole 17 was formed in the side surface of a sintered compact by the dicing king electric discharge process. Moreover, the ventilation hole 20 for air pressure adjustment was formed in the side surface of a sintered compact by a thin hole electric discharge machine (not shown).

(제 8 공정 P8)(Step 8 P8)

다음으로, 바닥 있는 구멍 (17) 및 통기 구멍 (20) 에 대하여 방전 가공면의 표면 처리를 실시하였다.Next, surface treatment of the electric discharge machining surface was performed with respect to the bottomed hole 17 and the ventilation hole 20.

상세하게는 샌드 블라스트 처리에 의해, 방전 가공으로 인해 바닥 있는 구멍 (17) 및 통기 구멍 (20) 의 내주면에 발생한 열 변질층을 제거하였다.In detail, the thermal alteration layer which generate | occur | produced on the inner periphery of the bottom hole 17 and the ventilation hole 20 by discharge processing was removed by sandblasting process.

(제 9 공정 P9)(Ninth process P9)

다음으로, 바닥 있는 구멍 (17) 및 통기 구멍 (20) 의 샌드 블라스트 처리 후의 소결체에 대해서 이후에 상세하게 서술하는 바와 같이, 펠리클 프레임 (1) 의 상면 (11) 및 하면 (13) 의 평면도를 향상시키기 위해 정밀 평면 가공을 실시하였다.Next, the planar view of the upper surface 11 and the lower surface 13 of the pellicle frame 1 will be described later in detail with respect to the sintered body after the sandblasting treatment of the bottomed hole 17 and the vent hole 20. Precision plane processing was performed to improve.

(제 10 공정 P10)(Step 10 P10)

그 후, 펠리클 프레임 (1) 에 대하여 모따기 가공을 실시해도 된다.Thereafter, the pellicle frame 1 may be chamfered.

[1-3. 실시예][1-3. Example]

다음으로, 펠리클 프레임 (1) 의 제조 방법의 구체적인 실시예에 대해서 상세하게 설명한다.Next, the specific Example of the manufacturing method of the pellicle frame 1 is demonstrated in detail.

(제 1 공정 P1)(1st process P1)

이 소지의 제조 공정에서는, 평균 입경 0.5 ㎛ 의 α-알루미나 분말 63 체적%, 평균 입경 1.0 ㎛ 의 탄화티탄 10 체적%, 평균 입경 1.0 ㎛ 의 질화티탄 25 체적%, 잔부를 MgO : Y2O3 = 1 : 1 의 소결 보조제로 이루어지는 복합 재료를 조제하였다.In this manufacturing process, 63 vol% of α-alumina powder having an average particle diameter of 0.5 µm, 10 vol% of titanium carbide having an average particle diameter of 1.0 µm, 25 vol% of titanium nitride having an average particle diameter of 1.0 µm, and the balance of MgO: Y 2 O 3 A composite material composed of a sintering aid of = 1: 1 was prepared.

그리고, 이 복합 재료를 습식 혼합하고, 성형용 유기 바인더를 첨가한 후, 통상적인 분무 건조법에 의해 알루미나·탄화티탄·질화티탄의 복합 세라믹스 소지 분말을 제조하였다.Then, the composite material was wet mixed, an organic binder for molding was added, and then a composite ceramic body powder of alumina, titanium carbide, or titanium nitride was prepared by a conventional spray drying method.

(제 2 공정 P2)(2nd process P2)

이 성형 공정에서는, 복합 세라믹스 소지 분말을, 금형 프레스법에 의해 외형 치수를 세로 182 mm × 가로 147 mm × 두께 6 mm, 프레임 폭 5 mm 정도의 프레임 형상으로 성형하고, 펠리클 프레임 (1) 의 원형 (분말 성형체) 을 제조하였다.In this molding step, the composite ceramics powder is molded into a frame shape of about 182 mm long by 147 mm wide by 6 mm thick by 5 mm in width by a mold press method, and the circular shape of the pellicle frame 1 is obtained. (Powder molding) was prepared.

여기서는, 후술하는 소성 공정에 의해 펠리클 프레임 (1) 의 외형은, 20 ∼ 30 % 정도 축소되기 때문에, 미리 소성 후의 펠리클 프레임 (1) 보다 크게 성형한다. 또한, 펠리클 프레임 (1) 은, 반도체 노광 장치에 있어서의 노광용 마스크의 크기에 맞춰 여러 크기가 가능하다.Here, since the external shape of the pellicle frame 1 is reduced by about 20 to 30% by the baking process mentioned later, it shape | molds larger than the pellicle frame 1 after baking previously. In addition, the pellicle frame 1 can be various sizes according to the size of the mask for exposure in a semiconductor exposure apparatus.

(제 3 공정 P3)(3rd process P3)

이 소성 공정에서는, 분말 성형체를 탈바인더하고, 불활성 가스 중에서 1700 ℃ 에서 3 시간 유지하며 소성시켜, 도전성을 갖는 치밀한 세라믹스 소결체를 얻었다.In this firing step, the powder compact was debindered and baked in an inert gas at 1700 ° C. for 3 hours to obtain a compact ceramic sintered body having conductivity.

이 소결체의 치수는, 세로 151 mm × 가로 122 mm × 두께 5 mm, 프레임 폭 4 mm 정도였다. 또, 0.3 mm 정도의 왜곡이 있었다.The dimension of this sintered compact was about 151 mm x 122 mm x thickness 5 mm, and frame width 4 mm. There was also a distortion of about 0.3 mm.

(제 4 공정 P4)(4th process P4)

이 두께 가공 공정에서는, 소결체의 상하면 (두께 방향의 양면) 을, 평면 연삭반에서 거의 동량 연삭하여, 두께 3.1 mm 로 가공하였다. 또, 소결체의 평면 연삭 후 양면의 평면도는, 각각 20 ㎛ ∼ 40 ㎛ 였다.In this thickness processing process, the upper and lower surfaces (both sides in the thickness direction) of the sintered body were ground in the same amount in a planar grinding mill and processed to a thickness of 3.1 mm. Moreover, the top view of both surfaces after planar grinding of the sintered compact was 20 micrometers-40 micrometers, respectively.

(제 5 공정 P5)(5th process P5)

이 내형·외형 가공 공정에서는, 와이어 방전 가공에 의해 소결체의 내형 및 외형을, 세로 149 mm × 가로 120 mm, 프레임 폭 2 mm 로 가공하였다. 또, 이 때에 모서리부 (코너부) 의 R 가공을 실시해도 된다.In this inner mold and outer mold machining step, the inner mold and the outer mold of the sintered compact were processed to a length of 149 mm × 120 mm in width and a frame width of 2 mm by wire discharge machining. Moreover, you may perform R process of the edge part (corner part) at this time.

(제 6 공정 P6)(Sixth Step P6)

이 방전 가공면의 표면 처리 공정에서는, 샌드 블라스트 처리에 의해 방전 가공면의 열 변질층을 제거하였다. 샌드 블라스트 처리에서는, 입도 #600 (평균 입경 약 30 ㎛) 의 탄화규소 지립을 사용하였다. 제거한 층의 두께는 5 ㎛ 정도였다.In the surface treatment process of this electrical discharge machining surface, the heat-deterioration layer of the electrical discharge machining surface was removed by sandblasting process. In the sand blasting process, silicon carbide abrasive grains having a particle size of 600 (average particle size of about 30 µm) were used. The thickness of the removed layer was about 5 μm.

(제 7 공정 P7)(7th process P7)

이 천공 가공 처리에서는, 다이싱킹 방전 가공에 의해 소결체에 대하여 즉 펠리클 프레임 (1) 의 제 3 프레임부 (1c) 및 제 4 프레임부 (1d) 에 대하여 φ1.5 mm, 깊이 1.2 mm 의 바닥 있는 구멍 (17) 을 형성하였다.In this punching treatment, a φ1.5 mm and a depth of 1.2 mm depth are applied to the sintered body, that is, the third frame portion 1c and the fourth frame portion 1d of the pellicle frame 1 by dicing king discharge processing. The hole 17 was formed.

또한, 가는 구멍 방전 가공에 의해 소결체에 대하여 φ1 mm 의 기압 조정용 통기 구멍 (20) 을 형성하였다.Moreover, the ventilation hole 20 for air pressure adjustment of (phi) 1mm was formed with respect to a sintered compact by a thin hole discharge process.

(제 8 공정 P8)(Step 8 P8)

이 방전 가공면의 표면 처리 공정에서는, 샌드 블라스트 처리에 의해 방전 가공된 바닥 있는 구멍 (17) 및 통기 구멍 (20) 의 내주면의 열 변질층을 제거하였다.In the surface treatment process of this electrical discharge machining surface, the thermally altered layer of the inner periphery of the bottom hole 17 and the ventilation hole 20 which were discharge-processed by the sand blasting process was removed.

샌드 블라스트 처리에서는, 입도 #600 (평균 입경 약 30 ㎛) 의 탄화규소 지립을 사용하였다. 제거한 층의 두께는 5 ㎛ 정도였다.In the sand blasting process, silicon carbide abrasive grains having a particle size of 600 (average particle size of about 30 µm) were used. The thickness of the removed layer was about 5 μm.

(제 9 공정 P9)(Ninth process P9)

다음으로, 평면 가공기를 사용하여, 샌드 블라스트 처리 후의 소결체의 편면씩에 대하여 순차적으로 정밀 평면 가공을 실시하여, 각 편면을 각각 평면도를 5 ㎛ 이하로 가공하였다.Next, using a planar machine, precision planar processing was sequentially performed on each side of the sintered body after the sand blasting process, and each single side was processed to have a flatness of 5 µm or less.

이하, 이 정밀 평면 가공에 대해서 도 5 및 도 6 을 사용하여 상세하게 설명한다. 또, 도 5 및 도 6 에서는, 소결체 (35) 등의 각 부재의 형상은 특징을 강조하며 모식적으로 도시되어 있다.Hereinafter, this precision plane processing is demonstrated in detail using FIG. 5 and FIG. In addition, in FIG. 5 and FIG. 6, the shape of each member, such as the sintered compact 35, is shown typically, highlighting a characteristic.

먼저, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 높은 강성을 갖는 정반 (서브 정반) (31) 의 표면 (상면) (33) 상에, 상기 제 8 공정 P8 에 따른 처리 후의 소결체 (즉 펠리클 프레임 (1) 을 구성하는 소결체) (35) 를, 두께 방향의 일방의 표면 (제 2 면) (37) 이 상측이 되도록 재치하였다.First, as shown to Fig.5 (a), on the surface (upper surface) 33 of the surface plate (sub surface plate) 31 which has high rigidity, the sintered compact after the process by 8th process P8 (namely, a pellicle frame ( The sintered compact 35 which comprises 1) was mounted so that one surface (second surface) 37 of the thickness direction might become upper side.

이 서브 정반 (31) 으로서, 예를 들어 알루미나제이며, 두께가 5 mm 이상 (예를 들어 10 mm) 이고, 평면도가 3 ㎛ 이하 (예를 들어 0.8 ㎛) 인 판재를 사용하였다. 또, 서브 정반 (31) 은, 평면에서 볼 때 (두께 방향에서 본 경우), 소결체 (35) 의 외형 치수보다 큰 치수를 갖고 있고, 그 두께는 일정하다. 또한, 서브 정반 (31) 은, 평면 가공시에 변형되지 않도록, 영률이 200 GPa 이상 (예를 들어 300 GPa) 인 높은 강성을 갖고 있다.As the sub surface plate 31, for example, a plate made of alumina, having a thickness of 5 mm or more (eg, 10 mm) and a top view of 3 μm or less (eg, 0.8 μm) was used. Moreover, the sub surface plate 31 has the dimension larger than the external dimension of the sintered compact 35 in plan view (when seen from the thickness direction), and the thickness is constant. Moreover, the sub surface plate 31 has high rigidity whose Young's modulus is 200 GPa or more (for example, 300 GPa) so that it may not be deformed at the time of planar processing.

다음으로, 소결체 (35) 를 재치한 서브 정반 (31) 을 핫 플레이트 (도시 생략) 상에 두고, 소결체 (35) 주위에 고형 왁스 (W) (상세하게는 닛카 세이코 주식회사 제조 스카이 왁스) 를 배치하였다.Next, the sub surface plate 31 on which the sintered body 35 is placed is placed on a hot plate (not shown), and the solid wax W (in detail, Nikka Seiko Co., Ltd. sky wax) is disposed around the sintered body 35. It was.

그리고, 핫 플레이트에 의해 왁스 (W) 를 가열하여 용융시켰다. 용융된 왁스 (W) 는, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 소결체 (35) 와 서브 정반 (31) 의 예를 들어 20 ㎛ ∼ 50 ㎛ 의 간극 (39) 에 기포 없이 침투시켰다.And the wax W was heated and melted by the hot plate. As shown in FIG.5 (b), the molten wax W penetrated the clearance gap 39 of 20 micrometers-50 micrometers of the sintered compact 35 and the sub surface plate 31 without bubbles.

다음으로, 핫 플레이트의 가열을 중지시키고, 자연 냉각에 의해 왁스 (W) 를 고화시켰다. 이로써, 왁스 (W) 에 의해 소결체 (35) 가 서브 정반 (31) 에 고정되었다. 또, 왁스 (W) 를 냉각시켜 고화시킬 때의 서브 정반 (31) 의 상면 (33) 과 하면 (34) 의 온도차는, 예를 들어 1 ℃ 이하이다. 냉각 중에 상면 (33) 과 하면 (34) 사이의 온도차가 크면, 서브 정반 (31) 이 휨 변형을 일으키고, 냉각 후에 서브 정반 (31) 의 휨 변형이 해소되면, 소결체 (35) 에 역방향의 휨이 남은 상태가 되는 경우가 있기 때문이다.Next, the heating of the hot plate was stopped and the wax W was solidified by natural cooling. Thereby, the sintered compact 35 was fixed to the sub surface plate 31 by the wax (W). Moreover, the temperature difference of the upper surface 33 and the lower surface 34 of the sub surface plate 31 at the time of cooling and solidifying the wax W is 1 degrees C or less. If the temperature difference between the upper surface 33 and the lower surface 34 during cooling is large, the sub surface plate 31 causes bending deformation, and when the bending deformation of the sub surface plate 31 is eliminated after cooling, bending in the reverse direction to the sintered body 35. This is because there may be a remaining state.

또, 이 소결체 (35) 를 서브 정반 (31) 에 왁스 (W) 를 사용하여 고정시키는 공정은, 고정 공정의 일례이다.Moreover, the process of fixing this sintered compact 35 to the sub surface plate 31 using the wax W is an example of a fixing process.

다음으로, 도 5(c) 에 나타내는 바와 같이, 소결체 (35) 가 고정된 서브 정반 (31) 을, 평면 가공기 (41) 에 장착하였다.Next, as shown to FIG. 5 (c), the sub surface plate 31 to which the sintered compact 35 was fixed was attached to the planar processing machine 41. Next, as shown in FIG.

구체적으로는, 평면 가공기 (41) 의 정반 (메인 정반) (43) 의 표면 (상면) (45) 상에, 소결체 (35) 가 고정된 서브 정반 (31) 을 배치하였다. 상세하게는 메인 정반 (43) 의 표면 (45) 에는, 서브 정반 (31) 의 외형에 일치하는 개구부 (40a) 를 갖는 플라스틱제 프레임체 (40) 가 고정되어 있고, 그 프레임체 (40) 의 개구부 (40a) 에 서브 정반 (31) 을 끼움으로써, 서브 정반 (31) 을 메인 정반 (43) 상에 고정시켰다.Specifically, the sub surface 31 to which the sintered compact 35 was fixed was arrange | positioned on the surface (upper surface) 45 of the surface plate (main surface plate) 43 of the planar processing machine 41. Specifically, the plastic frame 40 having the opening 40a corresponding to the outer shape of the sub surface 31 is fixed to the surface 45 of the main surface plate 43, and the frame body 40 is The sub surface plate 31 was fixed on the main surface plate 43 by sandwiching the sub surface plate 31 in the opening portion 40a.

또, 메인 정반 (43) 은 수평 정반이며, 그 표면 (45) 은 수평으로 되어 있다. 따라서, 서브 정반 (31) 도 수평 정반이며, 그 표면 (상면) (33) 도 수평으로 되어 있다. 또한, 메인 정반 (43) 및 서브 정반 (31) 의 각 표면 (45, 33) 의 평면도는, 3 ㎛ 이하, 바람직하게는 1 ㎛ 이하이다.Moreover, the main surface plate 43 is a horizontal surface plate, and the surface 45 is horizontal. Therefore, the sub surface plate 31 is also a horizontal surface plate, and the surface (upper surface) 33 is also horizontal. In addition, the top view of each surface 45 and 33 of the main surface plate 43 and the sub surface plate 31 is 3 micrometers or less, Preferably it is 1 micrometer or less.

이 평면 가공기 (41) 란, 예를 들어 로터리 평면 연삭반이며, 표면 (45) 이 수평의 원반 형상의 메인 정반 (43) 과, 메인 정반 (43) 의 상방에서 메인 정반 (43) 과 평행하게 배치된 원반 형상의 지석 (47) 을 구비하고 있다. 또, 메인 정반 (43) 과 지석 (47) 의 회전축은 수직이다.This planar processing machine 41 is a rotary plane grinding disk, for example, and the surface 45 is parallel to the main surface plate 43 above the horizontal disk-shaped main surface plate 43 and the main surface plate 43. The disk-shaped grindstone 47 arrange | positioned is provided. In addition, the rotation axis of the main surface plate 43 and the grindstone 47 is vertical.

그리고, 메인 정반 (43) 과 지석 (47) 이, 서로 반대 방향으로 회전함과 함께, 지석 (47) 이 하강하여 워크인 소결체 (35) 의 노출면을 연삭함으로써, 평면 가공을 실시한다. 또, 지석 (47) 은 하강할 때에, 수평 방향 (예를 들어 도 5(c) 의 좌우 방향) 으로 수 mm 정도 요동하여 연삭을 실시한다.Then, while the main surface plate 43 and the grindstone 47 rotate in opposite directions, the grindstone 47 descends to grind the exposed surface of the sintered body 35 as a work, thereby performing planar processing. In addition, when the grindstone 47 descends, it grind | pulverizes about several mm in a horizontal direction (for example, the left-right direction of FIG.5 (c)), and grinds.

또, 평면 가공기 (41) 로서 평면 초마무리반을 사용하였다.Moreover, the planar super finishing board was used as the planar processing machine 41.

여기서는, 상기 평면 가공기 (41) 를 사용하여, 도 6(a) 에 나타내는 바와 같이, 지석 (47) 에 의해 소결체 (35) 의 제 2 면 (37) 을 평탄하게 하도록 평면 가공을 실시함으로써, 제 2 면 (37) 의 평면도를 5 ㎛ 이하로 가공하였다.Here, by using the planar processing machine 41, as shown in FIG. 6 (a), the planar processing is performed to flatten the second surface 37 of the sintered body 35 by the grindstone 47. The top view of the two sides 37 was processed to 5 micrometers or less.

다음으로, 도 6(b) 에 나타내는 바와 같이, 제 2 면 (37) 의 가공 후의 소결체 (35) 를 재치한 서브 정반 (31) 을, 상기 핫 플레이트에 재치하고, 상기 서술한 바와 같이 재차 가열함으로써, 왁스 (W) 를 용융시켰다. 이로써, 소결체 (35) 와 서브 정반 (31) 을 분리할 수 있었다. 또, 소결체 (35) 나 서브 정반 (31) 에 부착된 왁스 (W) 는, 세정 등에 의해 제거하였다.Next, as shown to FIG. 6 (b), the sub surface plate 31 which mounted the sintered compact 35 after the process of the 2nd surface 37 is mounted on the said hotplate, and heats again as mentioned above. Thus, the wax (W) was melted. Thereby, the sintered compact 35 and the sub surface plate 31 were able to be isolate | separated. In addition, the wax W adhering to the sintered compact 35 and the sub surface plate 31 was removed by washing | cleaning etc.

다음으로, 도 6(c) 에 나타내는 바와 같이, 소결체 (35) 의 제 2 면 (37) 과 제 1 면 (49) 을 뒤집어 (즉 제 1 면 (49) 을 상측으로 하여), 소결체 (35) 의 제 2 면 (37) 을 메인 정반 (43) 상에 배치하였다.Next, as shown to FIG. 6 (c), the 2nd surface 37 and the 1st surface 49 of the sintered compact 35 are reversed (that is, the 1st surface 49 is made upper), and the sintered compact 35 ), The second face 37 is disposed on the main surface plate 43.

또, 소결체 (35) 는, 후술하는 평면 가공시에 움직이지 않도록, 프레임체 (50) 에 의해 메인 정반 (43) 상에 위치 어긋나지 않도록 배치하였다. 상세하게는 메인 정반 (43) 의 표면 (45) 에는, 소결체 (35) 의 외형에 일치하는 개구부 (50a) 를 갖는 플라스틱제 프레임체 (50) 가 고정되어 있고, 그 프레임체 (50) 의 개구부 (50a) 에 소결체 (35) 를 끼움으로써, 소결체 (35) 를 메인 정반 (43) 상에 배치하였다.In addition, the sintered compact 35 was arrange | positioned so that it might not shift | deviate on the main surface plate 43 by the frame 50 so that it might not move at the time of planar processing mentioned later. Specifically, the plastic frame 50 having the opening 50a corresponding to the outer shape of the sintered compact 35 is fixed to the surface 45 of the main surface plate 43, and the opening of the frame 50 is fixed. The sintered compact 35 was arrange | positioned on the main surface plate 43 by fitting the sintered compact 35 to 50a.

다음으로, 도 6(d) 에 나타내는 바와 같이, 상기 서술한 제 2 면 (37) 의 평면 가공과 동일하게 하여, 소결체 (35) 의 제 1 면 (49) 의 평면 가공을 실시하였다. 이 평면 가공에 의해 제 1 면 (49) 의 평면도를 5 ㎛ 이하로 가공하였다.Next, as shown to FIG. 6 (d), it carried out similarly to the planar process of the 2nd surface 37 mentioned above, and performed the planar process of the 1st surface 49 of the sintered compact 35. By this planar processing, the plan view of the first surface 49 was processed to 5 µm or less.

이와 같이 하여 소결체 (35) 의 양면 (즉 제 1 면 (49) 및 제 2 면 (37)) 의 평면 가공을 실시함으로써, 제 1 면 (49) 및 제 2 면 (37) 의 평면도가 5 ㎛ 이하인 높은 평면도를 갖는 펠리클 프레임 (1) 을 얻었다.In this way, the planar processing of both surfaces (ie, the first surface 49 and the second surface 37) of the sintered compact 35 is performed, so that the plan view of the first surface 49 and the second surface 37 is 5 μm. The pellicle frame 1 which has the following high top view was obtained.

(제 10 공정 P10)(Step 10 P10)

그 후, 펠리클 프레임 (1) 에 대하여 모따기 가공을 실시해도 된다. 예를 들어, 펠리클 프레임 (1) 의 모서리부를 브러쉬 연마 가공에 의해 0.03 mm ∼ 0.05 mm 의 R 반경이 되도록 R 가공을 실시해도 된다.Thereafter, the pellicle frame 1 may be chamfered. For example, you may perform R process so that the edge part of the pellicle frame 1 may become R radius of 0.03 mm-0.05 mm by brush polishing process.

이상과 같은 처리에 의해, 알루미나를 주성분으로 하는 펠리클 프레임 (1) 을 얻었다. 이 펠리클 프레임 (1) 의 영률과 강도를 계측한 바, 영률 420 GPa, 강도 690 MPa 였다.By the above process, the pellicle frame 1 which has alumina as a main component was obtained. The Young's modulus and strength of the pellicle frame 1 were measured, and the Young's modulus was 420 GPa and the strength was 690 MPa.

[1-4. 효과]1-4. effect]

(1) 본 제 1 실시형태의 펠리클 프레임 (1) 의 제조 방법에서는, 펠리클 프레임 (1) 이 되는 소결체 (35) 를 변형시키지 않은 상태에서, 서브 정반 (31) 에 고정시키고, 서브 정반 (31) 과 반대측의 표면인 제 2 면 (37) 의 평면 가공을 실시하므로, 소결체 (35) (따라서 펠리클 프레임 (1)) 의 평면도를 높일 수 있다.(1) In the manufacturing method of the pellicle frame 1 of this 1st Embodiment, the sintered compact 35 used as the pellicle frame 1 is fixed to the sub surface plate 31, without deforming, and the sub surface plate 31 Since the flat surface of the 2nd surface 37 which is the surface on the opposite side to () is implemented, the flatness of the sintered compact 35 (thus the pellicle frame 1) can be raised.

상세하게는 소결체 (35) 를 변형시키지 않은 상태에서 (즉, 평면도가 나쁜 경우에는 그 나쁜 평면도를 유지한 상태에서), 왁스 (W) 로 서브 정반 (31) 에 고정시킨다. 그래서, 평면도를 개선하기 위해서 평면 가공을 실시할 때에, 소결체 (35) 가 제 2 면 (37) 측에서부터 지석 (47) 에 의해 가압되어도, 소결체 (35) 에는 서브 정반 (31) 의 표면 (33) 을 따르는 변형이 발생하기 어렵다.Specifically, the sintered compact 35 is fixed to the sub surface plate 31 with wax W in a state in which the sintered compact 35 is not deformed (that is, in a state where the bad plan view is maintained when the plan view is bad). Therefore, even when the sintered compact 35 is pressurized by the grindstone 47 from the 2nd surface 37 side at the time of performing planar processing in order to improve flatness, the sintered compact 35 has the surface 33 of the sub surface plate 31. ) Deformation is unlikely to occur.

이와 같이 소결체 (35) 가 탄성 변형되지 않은 상태에서, 평면도를 개선하도록 제 2 면 (37) 측의 평면 가공을 실시할 수 있으므로, 소결체 (35) (따라서 펠리클 프레임 (1)) 를 목적으로 하는 작은 평면도가 되도록 가공할 수 있다.In this state, in the state where the sintered compact 35 is not elastically deformed, the planar processing on the side of the second surface 37 can be performed to improve the flatness, so that the sintered compact 35 (and thus the pellicle frame 1) It can be processed to have a small flatness.

또한, 본 제 1 실시형태에서는, 상기 서술한 바와 같이, 소결체 (35) 가 탄성 변형되지 않은 상태에서, 제 2 면 (37) 측의 평면 가공을 실시하므로, 평면 가공 후에는, 소결체 (35) 의 표리면의 잔류 응력차를 저감시킬 수 있다. 따라서, 평면 가공 후에, 소결체 (35) 가 자신의 탄성에 의해 원래로 되돌아가는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 소결체 (35) (따라서 펠리클 프레임 (1)) 는, 평면 가공에 의해 얻어진 작은 평면도를 유지할 수 있다.In addition, in the first embodiment, as described above, the sintered compact 35 is subjected to planar processing on the second surface 37 side in a state in which the sintered compact 35 is not elastically deformed. The residual stress difference between the front and back surfaces can be reduced. Therefore, after planar processing, the sintered compact 35 can be suppressed from returning to original by its elasticity. Therefore, the sintered compact 35 (thus the pellicle frame 1) can hold the small flatness obtained by planar processing.

(2) 또한, 본 제 1 실시형태에서는, 제 2 면 (37) 의 평면 가공을 실시한 후에, 서브 정반 (31) 으로부터 소결체 (35) 를 분리하고, 분리한 소결체 (35) 를, 제 2 면 (37) 을 메인 정반 (43) 에 재치한 상태에서, 제 1 면 (49) 에 대하여 평면 가공을 실시한다.(2) Moreover, in this 1st Embodiment, after performing the planar process of the 2nd surface 37, the sintered compact 35 is isolate | separated from the sub surface plate 31, and the separated sintered compact 35 is 2nd surface. In the state where the 37 is mounted on the main surface plate 43, the surface processing is performed on the first surface 49.

요컨대, 상기 서술한 제 2 면 (37) 에 대한 평면 가공에 의해, 소결체 (35) 의 제 2 면 (37) 의 평면도가 작아지므로, 제 2 면 (37) 을 메인 정반 (43) 측으로 하고, 소결체 (35) 를 평면도가 작은 메인 정반 (43) 에 재치한 경우에는, 소결체 (35) 는 거의 변형되지 않는다. 따라서, 거의 변형되지 않은 소결체 (35) 의 제 1 면 (49) 에 대하여 평면 가공을 실시함으로써, 제 1 면 (49) 의 평면도도 작게 할 수 있다.That is, since the flatness of the 2nd surface 37 of the sintered compact 35 becomes small by the planar process with respect to the 2nd surface 37 mentioned above, let the 2nd surface 37 be the main surface plate 43 side, When the sintered compact 35 is mounted on the main surface plate 43 with a small flatness, the sintered compact 35 hardly deforms. Therefore, the flatness of the 1st surface 49 can also be made small by carrying out planar processing with respect to the 1st surface 49 of the sintered compact 35 which is hardly deformed.

또한, 소결체 (35) 의 제 2 면 (37) 에 대한 평면 가공에 의해, 소결체 (35) 의 제 2 면 (37) 측과 제 1 면 (49) 측에 잔류 응력의 차이가 발생했다 하더라도, 제 2 면 (37) 측을 메인 정반 (43) 측으로 하고 소결체 (35) 를 메인 정반 (43) 에 재치한 상태 (요컨대, 제 2 면 (37) 의 평면 가공과는 달리, 소결체 (35) 를 메인 정반 (43) 에 고정시키지 않은 상태) 에서, 제 1 면 (49) 에 대하여 평면 가공을 실시한다. 따라서, 소결체 (35) 의 제 1 면 (49) 에 제 2 면 (37) 과 동등한 잔류 응력을 부여할 수 있어, 소결체 (35) 의 제 1 면 (49) 및 제 2 면 (37) 의 평면도를 작게 할 수 있다.Moreover, even if the difference of residual stress generate | occur | produced in the 2nd surface 37 side and the 1st surface 49 side of the sintered compact 35 by the planar process with respect to the 2nd surface 37 of the sintered compact 35, The state where the sintered compact 35 is placed on the main surface 43 with the second surface 37 side as the main surface plate 43 side (in other words, unlike the planar processing of the second surface 37, the sintered body 35 is In the state which is not fixed to the main surface plate 43, planar processing is performed with respect to the 1st surface 49. FIG. Therefore, the residual stress equivalent to the 2nd surface 37 can be given to the 1st surface 49 of the sintered compact 35, and the top view of the 1st surface 49 and the 2nd surface 37 of the sintered compact 35 Can be made small.

이와 같이 본 제 1 실시형태에서는, 소결체 (35) (따라서 펠리클 프레임 (1)) 의 두께 방향의 양면의 평면도를 작게 할 수 있다.Thus, in this 1st Embodiment, the top view of both surfaces of the sintered compact 35 (thus the pellicle frame 1) in the thickness direction can be made small.

(3) 본 제 1 실시형태에서는, 서브 정반 (31) 은, 평면에서 볼 때, 소결체 (35) (따라서 펠리클 프레임 (1)) 보다 큰 외형 치수이다. 따라서, 소결체 (35) 의 전체를 서브 정반 (31) 상에 배치할 수 있으므로, 소결체 (35) 의 고정이나 평면 가공이 용이하다.(3) In this 1st Embodiment, the sub surface plate 31 is an external dimension larger than the sintered compact 35 (thus the pellicle frame 1) in planar view. Therefore, since the whole sintered compact 35 can be arrange | positioned on the sub surface plate 31, fixing and planar processing of the sintered compact 35 are easy.

(4) 본 제 1 실시형태에서는, 서브 정반 (31) 의 영률은 200 GPa 이상이며 높은 강성을 갖고 있으므로, 서브 정반 (31) 은, 평면 가공시에 변형되지 않는다. 그래서, 평면 가공 중에 소결체 (35) 가 변형되기 어렵기 때문에, 소결체 (35) 의 평면도를 개선하는 평면 가공을 바람직하게 실시할 수 있다.(4) In the first embodiment, since the Young's modulus of the sub surface plate 31 is 200 GPa or more and has high rigidity, the sub surface plate 31 is not deformed at the time of planar processing. Therefore, since the sintered compact 35 is hard to deform | transform during planar processing, the planar processing which improves the flatness of the sintered compact 35 can be performed suitably.

(5) 본 제 1 실시형태에서는, 메인 정반 (43) (및 서브 정반 (31)) 의 소결체 (35) 가 재치되는 표면 (45, 33) (즉 상면) 의 평면도는, 3 ㎛ 이하, 바람직하게는 1 ㎛ 이하이다. 따라서, 메인 정반 (43) (및 서브 정반 (31)) 상에 소결체 (35) 를 재치한 경우에, 소결체 (35) 의 변형을 억제할 수 있다.(5) In this 1st Embodiment, the top view of the surface 45, 33 (namely, upper surface) in which the sintered compact 35 of the main surface plate 43 (and the sub surface plate 31) is mounted is 3 micrometers or less, Preferably Preferably it is 1 micrometer or less. Therefore, when the sintered compact 35 is mounted on the main surface plate 43 (and the sub surface plate 31), the deformation of the sintered body 35 can be suppressed.

(6) 본 제 1 실시형태의 펠리클 프레임 (1) 에서는, 펠리클 프레임 (1) 의 상면 (11) 과 하면 (13) 의 잔류 응력의 차이가 5 MPa 이하이므로, 펠리클 프레임 (1) 자체가 변형되기 어려워, 그 평면도가 작다. 따라서, 포토 마스크의 표면에 펠리클 (5) 을 첩부한 경우에, 포토 마스크가 변형되기 어려우므로 바람직하다.(6) In the pellicle frame 1 of the first embodiment, the difference in the residual stress between the upper surface 11 and the lower surface 13 of the pellicle frame 1 is 5 MPa or less, so that the pellicle frame 1 itself deforms. It is difficult to become, and the floor plan is small. Therefore, when the pellicle 5 is affixed on the surface of a photomask, since a photomask is hard to deform | transform, it is preferable.

(7) 본 제 1 실시형태에서는, 펠리클 프레임 (1) 의 상면 (11) 과 하면 (13) 에 있어서의 평면도가 5 ㎛ 이하이므로, 포토 마스크의 표면에 펠리클 (5) 을 첩부한 경우에, 포토 마스크가 변형되기 어려우므로 바람직하다.(7) In the first embodiment, when the top surface 11 and the bottom surface 13 of the pellicle frame 1 are 5 µm or less, when the pellicle 5 is affixed to the surface of the photomask, It is preferable because the photo mask is hardly deformed.

[1-5. 문언의 대응 관계][1-5. Word correspondence]

제 1 실시형태의 펠리클 프레임 (1) 의 소결체 (35), 제 1 면 (49), 제 2 면 (37), 서브 정반 (31) 및 메인 정반 (43), 고정재 (W) 는, 각각 본 개시의 펠리클 프레임, 제 1 면, 제 2 면, 토대, 고정재의 일례에 상당한다.The sintered compact 35, the 1st surface 49, the 2nd surface 37, the sub surface plate 31, the main surface plate 43, and the fixing material W of the pellicle frame 1 of 1st Embodiment are respectively seen It corresponds to an example of a pellicle frame of a start, a 1st surface, a 2nd surface, a base, and a fixing material.

[2. 제 2 실시형태][2. 2nd Embodiment]

다음으로, 제 2 실시형태에 대해서 설명하겠지만, 제 1 실시형태와 동일한 내용에 대해서는, 그 설명은 생략 또는 간략화한다. 또, 제 1 실시형태와 동일한 구성에는 같은 번호를 붙인다.Next, although 2nd Embodiment is described, about the content similar to 1st Embodiment, the description is abbreviate | omitted or simplified. In addition, the same number is attached | subjected to the structure similar to 1st Embodiment.

본 제 2 실시형태에서는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 평면 가공기 (41) 의 정반 (43) 상에, 직접적으로 소결체 (35) 를 배치하고, 왁스 (W) 를 사용하여 소결체 (35) 를 정반 (43) 에 고정시키고, 소결체 (35) 의 제 2 면 (37) 의 평면 가공을 실시한다. 또, 도 7 에서는, 소결체 (35) 등의 각 부재의 형상은 특징을 강조해서 모식적으로 도시되어 있다.In this 2nd Embodiment, as shown in FIG. 7, the sintered compact 35 is arrange | positioned directly on the surface plate 43 of the planar processing machine 41, and the sintered compact 35 is used with the wax W. It is fixed to the 43 and the planar process of the 2nd surface 37 of the sintered compact 35 is performed. In addition, in FIG. 7, the shape of each member, such as the sintered compact 35, is shown typically, highlighting characteristics.

요컨대, 본 제 2 실시형태에서는, 제 1 실시형태의 세라믹제 서브 정반을 사용하지 않고, 소결체 (35) 를 직접적으로 평면 가공기 (41) 의 정반 (43) 에 고정시키는 것이다.In other words, in the second embodiment, the sintered compact 35 is directly fixed to the surface plate 43 of the planar processing machine 41 without using the ceramic sub surface plate of the first embodiment.

또, 소결체 (35) 를 뒤집어, 그 제 1 면 (49) 의 평면 가공을 실시하는 경우에는, 제 1 실시형태에서 사용한 프레임체 (도시 생략) 를 사용하여, 소결체 (35) 를 정반 (43) 에 고정시킨다.Moreover, when inverting the sintered compact 35 and performing the planar processing of the 1st surface 49, the sintered compact 35 is platen 43 using the frame body (not shown) used in 1st Embodiment. Fix it to

또, 소결체 (35) 를 직접적으로 정반 (43) 에 고정시킨다는 내용 이외에는, 기본적으로 제 1 실시형태와 동일한 제조 공정을 채용할 수 있다. 또, 왁스 (W) 는, 예를 들어 온풍을 부가하거나 함으로써, 용융시켜 제거할 수 있다.Moreover, the manufacturing process similar to 1st Embodiment can be employ | adopted basically except the content which fixes the sintered compact 35 directly to the surface plate 43. In addition, the wax (W) can be melted and removed by, for example, adding warm air.

본 제 2 실시형태는, 제 1 실시형태와 동일한 효과를 발휘한다.This second embodiment exhibits the same effects as the first embodiment.

[3. 실험예][3. Experimental Example]

다음으로, 본 개시의 효과를 확인하기 위해서 실시한 실험예에 대해서 설명한다.Next, the experimental example performed in order to confirm the effect of this indication is demonstrated.

<실험예 1><Experimental example 1>

이 실험예 1 에서는, 상기 제 1 실시형태와 동일하게 하여, 본 개시의 범위내의 실시예의 펠리클 프레임 (따라서 소결체) 을 제조할 때에, 후술하는 바와 같이, 소결체의 제 1 면 및 제 2 면의 평면도를 측정하였다.In this Experimental Example 1, when manufacturing the pellicle frame (hence the sintered compact) of the example within the scope of the present disclosure in the same manner as in the first embodiment, as described later, plan views of the first and second surfaces of the sintered compact Was measured.

또, 평면 가공기에 의한 평면 가공시의 가공 조건은, 하기와 같다.Moreover, the processing conditions at the time of planar processing by a planar processing machine are as follows.

지석의 종류 : 다이아몬드 지석 #1500Type of grindstone: diamond grindstone # 1500

가공 시간 : 약 3 분Processing time  About 3 minutes

가공 조건 : 조 (粗) 연삭 후에 마무리 연삭Processing condition  : Finishing grinding after rough grinding

조연삭 (가공 속도 : 0.4 ㎛/sec)              Rough grinding (processing speed: 0.4 ㎛ / sec)

마무리 연삭 (가공 속도 : 0.2 ㎛/sec)              Finishing Grinding (Machining Speed: 0.2 ㎛ / sec)

먼저, 상기 제 8 공정 후에 평면 가공 전의 소결체에 대하여 그 제 1 면 및 제 2 면의 평면도를 측정하였다.First, the flatness of the 1st surface and the 2nd surface was measured about the sintered compact before planar processing after the said 8th process.

다음으로, 제 2 면의 가공 후에, 소결체를 정반 (서브 정반) 으로부터 분리하고, 그 소결체의 제 1 면과 제 2 면의 평면도를 측정하였다.Next, after the process of the 2nd surface, the sintered compact was isolate | separated from the surface plate (sub surface plate), and the top view of the 1st surface and the 2nd surface of this sintered compact was measured.

다음으로, 소결체를 뒤집어, 그 제 1 면을 평면 가공한 후에, 제 1 면과 제 2 면의 평면도를 측정하였다.Next, after inverting the sintered compact and planar processing of the first surface thereof, plan views of the first surface and the second surface were measured.

또한, 본 개시의 범위 밖의 비교예의 소결체를 제조하고, 상기 실시예와 동일하게 하여, 제 2 면의 평면 가공 전 및 평면 가공 후와, 제 1 면의 평면 가공 후에 있어서, 각각 제 1 면과 제 2 면의 평면도를 측정하였다.In addition, a sintered compact of a comparative example outside the scope of the present disclosure was produced, and in the same manner as in the above example, the first surface and the first surface before and after the plane processing of the second surface and after the plane processing of the first surface, respectively The top view of two sides was measured.

또, 이 비교예에서는, 상기 서술한 제 9 공정에 있어서, 소결체에 있어서의 제 2 면을 평면 가공할 때에, 제 1 면을 서브 정반에 고정시키는 고정 공정을 실시하지 않고, 메인 정반 상에 소결체를 간단히 배치하고, 평면 가공을 실시하는 것 이외에는, 상기 실시예와 동일하게 하였다.Moreover, in this comparative example, in the ninth process mentioned above, when carrying out the planar process of the 2nd surface in a sintered compact, the sintered compact on a main surface plate is not implemented, without performing the fixing process which fixes a 1st surface to a sub surface plate. Was carried out similarly to the said Example except having arrange | positioned simply and performing planar processing.

그것들의 결과를, 하기 표 1 및 표 2 에 기재한다.The results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

표 1 에 나타내는 바와 같이, 고정 공정을 실시하고 제 2 면에 대하여 평면 가공을 실시한 실시예에서는, 평면 가공 전의 제 2 면의 평면도가 27.1 ㎛ 인 반면에, 평면 가공 후에는 16.8 ㎛ 가 되었다. 한편, 고정 공정을 실시하지 않고 평면 가공을 실시한 비교예에서는, 평면 가공 전의 제 2 면의 평면도가 27.9 ㎛ 인 반면에, 평면 가공 후에는 21.4 ㎛ 였다.As shown in Table 1, in the Example which performed the fixing process and performed the planar process with respect to the 2nd surface, while the top view of the 2nd surface before planar processing was 27.1 micrometers, it became 16.8 micrometers after planar processing. On the other hand, in the comparative example which performed planar processing without performing a fixing process, while the flatness of the 2nd surface before planar processing was 27.9 micrometers, it was 21.4 micrometers after planar processing.

이것들의 결과로부터, 실시예와 같이 고정 공정을 실시하고 평면 가공을 실시한 경우에는, 평면도가 향상됨을 알 수 있다.These results show that the flatness is improved when the fixing step is performed and the planar processing is performed as in the example.

또한, 표 2 는, 실시예 및 비교예에 있어서의 소결체의 제 1 면에 대하여 평면 가공을 실시한 결과를 나타내고 있다.In addition, Table 2 has shown the result of having performed surface processing with respect to the 1st surface of the sintered compact in an Example and a comparative example.

이 표 2 에 나타내는 바와 같이, 제 2 면에 대하여 평면 가공을 실시한 후의 소결체의 제 1 면에 대하여 평면 가공을 실시하면, 실시예에서는, 제 1 면의 평면도가 1.3 ㎛ 이고, 제 2 면의 평면도가 1.5 ㎛ 였다. 한편, 비교예에서는, 제 1 면의 평면도가 20.7 ㎛ 이고, 제 2 면의 평면도가 21.4 ㎛ 였다.As shown in this Table 2, when the surface processing is performed on the first surface of the sintered body after the surface processing on the second surface, in the embodiment, the plan view of the first surface is 1.3 µm, and the plan view of the second surface is Was 1.5 µm. On the other hand, in the comparative example, the top view of the 1st surface was 20.7 micrometers and the top view of the 2nd surface was 21.4 micrometers.

이상과 같은 결과로부터, 고정 공정을 실시하고 소결체의 제 2 면에 대하여 평면 가공을 실시한 후에, 제 1 면에 대하여 평면 가공을 실시한 실시예는, 단지 제 2 면에 대하여 평면 가공을 실시한 후에, 제 1 면에 대하여 평면 가공을 실시한 비교예에 비해서, 제 1 면 및 제 2 면 모두, 한층 더 평면도를 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.From the above results, after performing a fixing process and performing a planar processing on the second surface of the sintered compact, the embodiment in which a planar processing was performed on the first surface is only performed after the planar processing is performed on the second surface. Compared with the comparative example which performed the planar processing with respect to one surface, it turns out that a plan view can be improved further on both a 1st surface and a 2nd surface.

또한, 비교예에 있어서, 제 1 면 및 제 2 면에 대하여 추가로 평면 가공을 실시하고, 평면 가공을 반복함으로써 평면도에 미치는 영향을 확인한 결과를, 하기 표 3 에 나타낸다.In addition, in the comparative example, the result which confirmed the influence on a top view by performing planar processing further on a 1st surface and a 2nd surface, and repeating planar processing is shown in following Table 3.

Figure pat00003
Figure pat00003

제 2 면에 대하여 고정 공정을 실시하지 않고 평면 가공을 실시하는 비교예에서는, 표 3 에 나타내는 바와 같이, 평면 가공을 반복해도, 평면도가 크게 향상되지는 않아, 평면도의 향상은 확인할 수 없었다.In the comparative example which performs planar processing, without performing a fixing process with respect to a 2nd surface, as shown in Table 3, even if planar processing is repeated, a flatness does not improve significantly and the improvement of a flatness could not be confirmed.

상기 서술한 표 1 ∼ 표 3 에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예에서는 제 2 면의 평면 가공 후에는, 제 2 면의 평면도가 비교예보다 크게 개선되어 바람직하였다. 또한, 제 2 면과 제 1 면의 평면 가공 후에는, 제 2 면과 제 1 면 모두 평면도가 1.5 ㎛ 이하로 작아서, 한층 더 바람직하였다.As can be seen from the above Tables 1 to 3, in the examples, the flatness of the second surface was improved after the planar processing of the second surface, which was preferable than that of the comparative example. Moreover, after planar processing of the 2nd surface and the 1st surface, the top view of both the 2nd surface and the 1st surface was small to 1.5 micrometers or less, and it was further more preferable.

<실험예 2><Experiment 2>

이 실험예 2 에서는, 펠리클 프레임이 하중을 받았을 때의 휨의 상태를 조사하였다.In this Experimental Example 2, the state of warpage when the pellicle frame was loaded was examined.

도 8 에 나타내는 바와 같이, 알루미나제 정반 (51) 상에 1 쌍의 세라믹 블록 (53) 을 배치하고, 세라믹 블록 상에 제 1 실시형태와 동일한 펠리클 프레임 (55) 을 배치하였다.As shown in FIG. 8, the pair of ceramic blocks 53 were arrange | positioned on the alumina base plate 51, and the pellicle frame 55 similar to 1st Embodiment was arrange | positioned on the ceramic block.

또, 펠리클 프레임의 치수는, 장변 149.0 mm, 단변 115 mm, 폭 2.0 mm, 두께 2.5 mm 이다.Moreover, the dimension of a pellicle frame is 149.0 mm in long sides, 115 mm in short sides, 2.0 mm in width, and 2.5 mm in thickness.

그리고, 다이얼 게이지를 사용하여, 세라믹 블록의 상면으로부터 펠리클 프레임의 상면의 각 위치 (즉, 장변의 중앙부, 세라믹 블록 상의 단부 (端部)) 에 있어서의 높이를 측정하였다. 또, 다이얼 게이지의 촉침 하중은 180 gw 이다.And the height in each position (namely, the center part of a long side, the edge part on a ceramic block) of the upper surface of a pellicle frame was measured from the upper surface of a ceramic block using the dial gauge. Moreover, the stylus load of the dial gauge is 180 gw.

그 결과, 펠리클 프레임의 장변의 중앙부의 높이는 2.430 mm, 단부의 높이는 2.499 mm 이고, 펠리클 프레임의 장변의 중앙부는 단부로부터 약간 하방으로 휘어져 있음을 알 수 있었다.As a result, it was found that the height of the center of the long side of the pellicle frame was 2.430 mm and the height of the end was 2.499 mm, and the center of the long side of the pellicle frame was slightly bent downward from the end.

요컨대, 다이얼 게이지의 촉침 하중 (180 gw) 에 의해 펠리클 프레임의 장변의 중앙부가 약 70 ㎛ 휘는 것이 확인되었다.In short, it was confirmed that the central portion of the long side of the pellicle frame was bent about 70 µm by the stylus load (180 gw) of the dial gauge.

<실험예 3><Experiment 3>

이 실험예 3 은, 펠리클 프레임의 평면 가공시의 응력과 변형 (발생 휨량) 의 관계를, 계산에 의해 조사한 것이다.This Experimental Example 3 investigates the relationship between the stress and deformation (deformation warpage amount) during plane processing of the pellicle frame by calculation.

상기 실험예 2 에 의해, 다이얼 게이지의 촉침 하중 (180 gw) 에서 펠리클 프레임의 중앙부가 약 70 ㎛ 휘는 것이 확인되었다.By Experimental Example 2, it was confirmed that the central portion of the pellicle frame was bent at about 70 µm at the styling load (180 gw) of the dial gauge.

그래서, 180 gw (= 1.76 N) 상당의 3 점 굽힘 인장 응력 σ 을 구하면,σ = 64.7 N/㎟ = 64.7 MPa 이다.Therefore, when three-point bending tensile stress (sigma) equivalent to 180 gw (= 1.76 N) is calculated, sigma = 64.7 N / mm 2 = 64.7 MPa.

또, σ = 3PL/2ab2 = (3*1.76*149)/(2*2*2.5*2.5) = 31.5 N/㎟Σ = 3PL / 2ab 2 = (3 * 1.76 * 149) / (2 * 2 * 2.5 * 2.5) = 31.5 N / mm2

(P : 굽힘 하중, L : 지점 간 거리, a : 시험편 폭, b : 시험편 높이)(P: bending load, L: distance between points, a: test piece width, b: test piece height)

여기서, 하면에 31.5 MPa 의 인장 응력, 상면에 31.5 MPa 의 압축 응력이 가해져 있는 경우에는, 표리면인 하면과 상면의 응력차가 63.0 MPa 이고, 70 ㎛ 의 변형 (휨) 이 발생하게 된다.Here, when a tensile stress of 31.5 MPa is applied to the lower surface and a compressive stress of 31.5 MPa is applied to the upper surface, the stress difference between the lower surface and the upper surface as the front and rear surfaces is 63.0 MPa, and deformation (curvature) of 70 µm occurs.

영률 400 GPa 인 재료의 경우For materials with a Young's modulus of 400 GPa

10 ㎛ 휨 발생의 응력차 = 9.0 MPa10 µm warpage stress difference = 9.0 MPa

5 ㎛ 휨 발생의 응력차 = 4.5 MPa5 µm warpage stress difference = 4.5 MPa

따라서, 평면도 5 ㎛ 이하를 실현하기 위해서는, 가공 중의 탄성 변형에 의해 표리면의 응력차는 5 MPa 이하로 하는 것이 필요해질 것으로 볼 수 있다.Therefore, in order to realize the flatness of 5 micrometers or less, it can be considered that the stress difference between the front and back surfaces should be 5 MPa or less due to elastic deformation during processing.

[4. 기타 실시형태][4. Other embodiments]

또, 본 개시는, 상기 실시형태 등에 전혀 한정되는 것이 아니라, 본 개시의 기술적 범위에 속하는 한 다양한 형태를 채용할 수 있음은 말할 필요도 없다.In addition, this indication is not limited to the said embodiment at all, It goes without saying that various forms can be employ | adopted as long as it belongs to the technical scope of this indication.

(1) 펠리클 프레임의 재료로는, 세라믹으로 이루어지는 재료 또는 세라믹을 주성분으로 하는 재료 이외에, 초경, 서멧, 단체 또는 합금의 금속 등을 채용할 수 있다.(1) As a material of a pellicle frame, a cemented carbide, cermet, a single metal, an alloy metal, etc. can be employ | adopted besides the material which consists of ceramics, or the material which has a ceramic as a main component.

(2) 고정재로서는, 왁스 이외에 액상 접합재 (즉 접착제) 등을 사용할 수 있다. 또, 고화된 접착제는, 예를 들어 접착제를 녹일 수 있는 용제 등을 사용하여 제거할 수 있다.(2) As the fixing material, a liquid bonding material (that is, an adhesive) or the like can be used in addition to the wax. Moreover, the solidified adhesive agent can be removed using the solvent etc. which can melt | dissolve an adhesive agent, for example.

(3) 고정재로서 가열에 의해 용융되는 재료 (예를 들어 왁스) 를 사용하는 경우에, 예를 들어 왁스를 냉각시켜 고화시킬 때의 토대 (예를 들어 서브 정반 등의 정반) 의 상면과 하면의 온도차는, 온도차에 따른 정반의 휨을 억제하기 위해서는, 적은 것 (예를 들어 1 ℃ 이하) 이 바람직하다.(3) In the case of using a material (for example, wax) that is melted by heating as a fixing material, for example, the upper and lower surfaces of the base (for example, a surface plate such as a sub surface plate) when the wax is cooled and solidified. The temperature difference is preferably small (for example, 1 ° C. or less) in order to suppress warping of the surface plate according to the temperature difference.

또한, 온도차에 따른 정반의 휨을 억제하기 위해서는, 서랭시키는 것을 생각할 수 있지만, 고열 전도성이나 저열팽창 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 질화알루미늄, 탄화규소, 질화규소 등이 바람직하다.In addition, in order to suppress the curvature of the surface plate according to a temperature difference, although cooling can be considered, it is preferable to use a high thermal conductivity and a low thermal expansion material. For example, aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride and the like are preferable.

(4) 평면도가 나쁜 (예를 들어 50 ㎛ 이상) 펠리클 프레임에 대해서는, 제 1 실시형태에 나타낸, 제 1 면 및 제 2 면의 평면 가공을 예를 들어 2 회 이상 반복함으로써, 평면도를 개선할 수 있다.(4) For the pellicle frame having a poor flatness (for example, 50 μm or more), the flatness of the first and second surfaces, shown in the first embodiment, may be repeated two or more times, for example, to improve the flatness. Can be.

(5) 정반으로서 단일의 정반 또는 복수의 정반을 조합한 것을 사용해도 된다. 예를 들어, 단일 정반 상에 소결체를 재치하고 평면 가공을 실시해도 된다. 또한, 베이스가 되는 메인 정반 상에 보조적인 서브 정반을 설치하고, 그 서브 정반 상에 소결체를 재치하고 평면 가공을 실시해도 된다.(5) As a surface plate, you may use a single surface plate or a combination of a plurality of surface plates. For example, you may mount a sintered compact on a single surface plate and perform a surface process. In addition, an auxiliary sub surface plate may be provided on the main surface plate serving as a base, and the sintered body may be placed on the sub surface plate to perform planar processing.

(6) 제 1 면을 가공하는 재치 가공 공정에서 사용하는 정반은, 제 2 면을 가공하는 고정 가공 공정에서 사용하는 정반과 동일한 정반이어도 되고 상이한 정반이어도 된다.(6) The surface plate used by the mounting process which processes a 1st surface may be the same surface plate as the surface plate used by the fixed processing process which processes a 2nd surface, or may be a different surface plate.

(7) 또한, 펠리클 프레임의 프레임체을 형성하는 세라믹스 재료로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2016-122091호에 개시되어 있는 바와 같은, 질화규소, 지르코니아, 알루미나와 탄화티탄의 복합 세라믹스 등, 각종 재료를 채용할 수 있다.(7) Moreover, as a ceramic material which forms the frame of a pellicle frame, various materials, such as a composite ceramic of silicon nitride, zirconia, alumina, and titanium carbide, as disclosed, for example, in Unexamined-Japanese-Patent No. 2016-122091, are mentioned. Can be adopted.

(8) 또, 상기 각 실시형태에 있어서의 하나의 구성 요소가 갖는 기능을 복수의 구성 요소에 분담시키거나, 복수의 구성 요소가 갖는 기능을 하나의 구성 요소에 발휘시키거나 해도 된다. 또한, 상기 각 실시형태의 구성의 일부를 생략해도 된다. 또한, 상기 각 실시형태의 구성의 적어도 일부를, 다른 실시형태의 구성에 대하여 부가, 치환하거나 해도 된다. 또, 특허 청구 범위에 기재된 문언으로부터 특정되는 기술 사상에 포함되는 모든 양태가 본 개시의 실시형태이다.(8) In addition, the function of one component in each of the above embodiments may be shared among the plurality of components, or the function of the plurality of components may be exerted on one component. In addition, you may abbreviate | omit a part of structure of each said embodiment. In addition, you may add and replace at least one part of the structure of each said embodiment with respect to the structure of another embodiment. In addition, all the aspects included in the technical idea specified from the language of the claim are embodiments of the present disclosure.

1… 펠리클 프레임
5… 펠리클
31, 43… 정반
35… 소결체
37… 제 2 면
41… 평면 가공기
49… 제 1 면
One… Pellicle frame
5... Pellicle
31, 43... Plate
35... Sintered body
37... 2nd side
41... Plane processing machine
49... First side

Claims (17)

두께 방향의 양측에 형성된 제 1 면 및 제 2 면과, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면에 연이어 접해진 내주면 및 외주면을 갖는 프레임 형상의 펠리클 프레임을, 토대 상에 재치하고, 상기 펠리클 프레임의 가공을 실시하는, 펠리클 프레임의 제조 방법에 있어서,
상기 펠리클 프레임을, 상기 제 1 면을 상기 토대측으로 함과 함께, 상기 펠리클 프레임의 형상을 유지한 채인 상태에서, 상기 토대에 고정시키는 고정 공정과,
상기 토대에 고정시킨 상기 펠리클 프레임의 상기 제 2 면에 대하여 평면 가공을 실시하는 고정 가공 공정을 갖는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
A pellicle frame having a frame shape having a first surface and a second surface formed on both sides in the thickness direction, and an inner circumferential surface and an outer circumferential surface that are in contact with the first surface and the second surface in contact with each other, is placed on a base of the pellicle frame. In the manufacturing method of a pellicle frame which processes,
A fixing step of fixing the pellicle frame to the base while keeping the first surface on the base side and maintaining the shape of the pellicle frame;
The manufacturing method of the pellicle frame which has a fixed process process of performing planar processing with respect to the said 2nd surface of the said pellicle frame fixed to the said base material.
제 1 항에 있어서,
상기 평면 가공 후에, 상기 토대로부터 상기 펠리클 프레임을 분리하는 분리 공정과,
분리한 상기 펠리클 프레임을, 상기 제 2 면을 상기 토대측으로 하고 그 토대 상에 재치한 상태에서, 상기 제 1 면에 대하여 평면 가공을 실시하는 재치 가공 공정을 갖는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method of claim 1,
A separation step of separating the pellicle frame from the base after the planar processing;
The manufacturing method of the pellicle frame which has the mounting process of performing the planar process with respect to the said 1st surface, in the state which mounted | separated the said pellicle frame to the said base side by making the said 2nd surface into the said base side.
제 2 항에 있어서,
상기 고정 공정, 상기 고정 가공 공정, 상기 분리 공정, 상기 재치 가공 공정을 실시한 후에, 다시 상기 고정 공정, 상기 고정 가공 공정, 상기 분리 공정, 상기 재치 가공 공정을 실시하는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method of claim 2,
And after performing the fixing step, the fixing step, the separation step, and the tact step, the fixing step, the fixing step, the separation step, and the tact step again.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 재치 가공 공정에서 사용하는 토대는, 상기 고정 가공 공정에서 사용하는 토대와 동일한 토대 또는 상이한 토대인, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method of claim 2 or 3,
The base used in the said mounting process is the same base as the base used by the said fixed process, or a different base.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토대로서 단일 토대 또는 복수 토대를 조합한 것을 사용하는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The manufacturing method of the pellicle frame using what combined the single foundation or multiple foundations based on the said foundation.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토대는, 평면에서 볼 때, 상기 펠리클 프레임의 외형 치수보다 큰 치수를 갖는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The foundation has a dimension in plan view that is larger than an external dimension of the pellicle frame.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토대는, 상기 평면 가공시에 변형되지 않는 특성을 갖는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The said base has a characteristic which does not deform | transform at the time of planar processing, The manufacturing method of the pellicle frame.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토대의 영률은, 200 GPa 이상인, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The Young's modulus of the said foundation is 200 GPa or more, The manufacturing method of the pellicle frame.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 고정 공정에서는, 상기 토대와 상기 펠리클 프레임의 사이에 배치한 고정재에 의해 상기 펠리클 프레임의 고정을 실시하는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3,
In the fixing step, the pellicle frame is fixed by the fixing member disposed between the base and the pellicle frame.
제 9 항에 있어서,
상기 평면 가공 후에, 상기 토대로부터 상기 펠리클 프레임을 분리하는 경우에는, 상기 토대와 상기 펠리클 프레임의 사이로부터 상기 고정재를 제거하여, 상기 펠리클 프레임을 분리하는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method of claim 9,
When the said pellicle frame is removed from the said foundation after the said planar process, the said pellicle frame is isolate | separated by removing the said fixing material between the said base and the said pellicle frame.
제 10 항에 있어서,
상기 고정 공정에서는, 상기 토대와 상기 펠리클 프레임의 사이에, 고화되지 않은 상태의 고정재를 충전시킨 후에, 그 고정재를 고화시켜, 상기 펠리클 프레임의 고정을 실시하는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method of claim 10,
In the fixing step, after the base member and the pellicle frame are filled with a fixing material in a non-solidified state, the fixing material is solidified to fix the pellicle frame.
제 11 항에 있어서,
상기 고정재는 액상 접합재이고, 그 액상 접합재를 상기 토대와 상기 펠리클 프레임의 사이에 충전시키고, 그 후 고화시켜, 상기 고정을 실시하는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method of claim 11,
The fixing material is a liquid bonding material, and the liquid bonding material is filled between the base and the pellicle frame, and then solidified to perform the fixing.
제 11 항에 있어서,
상기 고정재는 왁스이고, 고형 상태의 그 왁스를 가온하여 액상화시켜, 상기 토대와 상기 펠리클 프레임의 사이에 충전시키고, 그 후 냉각하여 상기 왁스를 고화시켜, 상기 고정을 실시하는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method of claim 11,
The fixing material is a wax, and the wax in a solid state is heated to liquefy, filled between the base and the pellicle frame, and then cooled to solidify the wax to perform the fixing. .
제 1 항 내지 제 3 항 및 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토대에 있어서의 상기 펠리클 프레임이 재치되는 표면의 평면도는, 3 ㎛ 이하인, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3 and 10 to 13,
The manufacturing method of the pellicle frame whose plan view of the surface on which the said pellicle frame is mounted is 3 micrometers or less.
제 1 항 내지 제 3 항 및 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 펠리클 프레임은 세라믹을 주성분으로 하는, 펠리클 프레임의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 3 and 10 to 13,
The said pellicle frame has a ceramic as a main component, The manufacturing method of a pellicle frame.
두께 방향의 양측에 형성된 제 1 면 및 제 2 면과, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면에 연이어 접해진 내주면 및 외주면을 갖는 펠리클 프레임에 있어서,
상기 펠리클 프레임의 상기 제 1 면과 상기 제 2 면의 잔류 응력의 차이가 5 MPa 이하인, 펠리클 프레임.
In a pellicle frame having a first surface and a second surface formed on both sides in the thickness direction, and an inner circumferential surface and an outer circumferential surface in contact with the first and second surfaces,
A pellicle frame, wherein a difference in residual stress between the first surface and the second surface of the pellicle frame is 5 MPa or less.
두께 방향의 양측에 형성된 제 1 면 및 제 2 면과, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면에 연이어 접해진 내주면 및 외주면을 갖는 펠리클 프레임에 있어서,
상기 펠리클 프레임의 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면에 있어서의 평면도가 5 ㎛ 이하인, 펠리클 프레임.
In a pellicle frame having a first surface and a second surface formed on both sides in the thickness direction, and an inner circumferential surface and an outer circumferential surface in contact with the first and second surfaces,
A pellicle frame having a plan view of the first and second surfaces of the pellicle frame of 5 µm or less.
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