KR20190124985A - Torch plasma apparatus and pollutant processing apparatus - Google Patents

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KR20190124985A
KR20190124985A KR1020180049139A KR20180049139A KR20190124985A KR 20190124985 A KR20190124985 A KR 20190124985A KR 1020180049139 A KR1020180049139 A KR 1020180049139A KR 20180049139 A KR20180049139 A KR 20180049139A KR 20190124985 A KR20190124985 A KR 20190124985A
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Abstract

A torch plasma apparatus and a pollutant processing apparatus including the same are disclosed. The torch plasma apparatus includes a base cylinder and a first torch unit and a second torch unit provided on the base cylinder to discharge processed contaminants into the base cylinder. The base cylinder has a first door part and a second door part capable of ON/OFF connection with the first torch unit and the second torch unit, respectively. Each of the first torch unit and the second torch unit may process contaminants from one process apparatus or a plurality of process apparatuses, or one of the two may process exclusively. It is possible to extend the lifetime of each touch.

Description

토치 플라즈마 장치 및 그를 포함하는 오염물질 처리 장치{TORCH PLASMA APPARATUS AND POLLUTANT PROCESSING APPARATUS}TORCH PLASMA APPARATUS AND POLLUTANT PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 오염물질 처리 분야에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 듀얼 토치를 포함하는 토치 플라즈마 장치 및 그를 포함하는 오염물질 처리 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to the field of pollutant treatment, and more particularly, to a torch plasma apparatus including a dual torch and a pollutant treatment apparatus including the same.

기술과 산업이 발전함에 따라 다양한 종류의 산업 생산품들이 대량으로 생산되어 소비되고 있다. 특히, 스마트폰이나 디스플레이와 같은 전자제품은 종류도 다양하고 매우 빠르게 새로운 모델들이 쏟아져 나오기 때문에 그에 필요한 부속 제품들도 대량으로 생산되고 있다. 그 중 반도체 메모리나 디스플레이 기판은 이들 전자제품의 핵심적인 요소이기도 하고, 새로운 전자제품의 출현에 주도적인 역할을 하고 있다고 할 수 있을 정도로 중요하다. 이들 반도체 메모리나 디스플레이가 산업 발달에 크게 기여를 하고 있지만 생산 과정에서 다량의 복합 오염물질이 배출되는 문제가 있다.As technology and industry develop, various types of industrial products are produced and consumed in large quantities. In particular, electronic products such as smartphones and displays are diverse and new models are pouring out very quickly, so the necessary accessories are being produced in large quantities. Among them, semiconductor memory and display substrates are important elements of these electronic products, and they are important enough to play a leading role in the emergence of new electronic products. Although these semiconductor memories and displays contribute greatly to the development of the industry, there is a problem that a large amount of complex pollutants are emitted during production.

최근 대기오염과 온난화가 급속히 진행되고 있기 때문에 산업시설에 대한 오염물질 배출규제가 매우 강화되고 있다. 특히, 반도체 메모리나 디스플레이 제조 공정에서는 수많은 화학물질이 사용되며 그에 따라 복합적인 오염물질이 발생되며, 새로 신설되는 산업시설은 물론 기 운영 중인 시설에서도 오염물질 배출 억제를 위해 다각도로 노력하고 있다.Recently, due to the rapid progress of air pollution and warming, pollutant emission regulations for industrial facilities are being tightened. In particular, a large number of chemicals are used in the semiconductor memory or display manufacturing process, and contaminants are generated accordingly, and various efforts are being made to suppress the emission of pollutants in new and existing industrial facilities.

복합 오염물질의 처리에 효과적인 방안 중의 하나는 토치 플라즈마를 이용하는 것이다. 토치 플라즈마 장치는 상대적으로 작은 사이즈를 가지면서도 복합 오염물질 처리에 매우 높은 효율을 보인다.One effective way to treat complex contaminants is to use torch plasma. Torch plasma devices have a relatively small size and very high efficiency in treating complex contaminants.

다만, 토치 플라즈마 장치는 발생되는 고온의 프레임(flame)에 의해 전극이 쉽게 손상되거나 마모되어 토치의 수명이 짧다는 애로 사항이 있다. 특히, 산업시설의 오염물질 처리는 제조 공정이 진행되는 동안에는 연속적으로 수행하여야 하기 때문에 부하가 집중되어 토치 플라즈마의 수명이 더욱 짧아질 수밖에 없다. 따라서 토치를 비교적 자주 교체하여야 하며, 그 동안에는 공정이 중단되고 있다.However, the torch plasma device has a problem that the lifetime of the torch is short because the electrode is easily damaged or worn by a high temperature flame generated. In particular, since contaminant treatment in an industrial facility must be continuously performed during the manufacturing process, the load is concentrated and the lifetime of the torch plasma is shortened. Therefore, the torch must be replaced relatively frequently, during which the process is stopped.

한국특허공개 10-2010-0096384Korean Patent Publication 10-2010-0096384

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 감안한 것으로서, 복수의 토치를 구비하여 개별 토치의 수명이 연장되는 토치 플라즈마 장치를 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and provides a torch plasma apparatus having a plurality of torch to extend the life of an individual torch.

본 발명은 개별 토치의 정비나 교체 동안에도 오염물질 처리가 중단되지 않는 토치 플라즈마 장치를 제공한다.The present invention provides a torch plasma apparatus in which contaminant treatment is not interrupted even during maintenance or replacement of an individual torch.

본 발명은 또한 상술한 개선된 토치 플라즈마 장치를 포함하는 컴팩트한 오염물질 처리 장치를 제공한다.The present invention also provides a compact contaminant treatment apparatus comprising the improved torch plasma apparatus described above.

본 발명은 토치 플라즈마 장치를 제공하며, 이는: 베이스 통체; 및 처리한 오염물질을 상기 베이스 통체 내부로 배출하도록, 상기 베이스 통체 상에 설치된 제1토치유닛 및 제2토치유닛;를 포함하고, 상기 베이스 통체는 상기 제1토치유닛과 상기 제2토치유닛과의 연결을 각각 ON/OFF 가능한 제1도어부와 제2도어부를 가진다.The present invention provides a torch plasma apparatus, comprising: a base cylinder; And a first torch unit and a second torch unit installed on the base cylinder to discharge the treated contaminant into the base cylinder, wherein the base cylinder includes the first torch unit and the second torch unit; Has a first door part and a second door part that can be ON / OFF.

상기 베이스 통체는 상기 제1토치유닛 및 상기 제2토치유닛이 안착되는 상판을 포함하고, 상기 상판은 상기 제1토치유닛의 챔버와 상기 제2토치유닛의 챔버가 각각 연통되는 제1개구부 및 제2개구부를 구비한다. 상기 제2도어부와 상기 제2도어부는 각각 상기 제1개구부와 상기 제2개구부에 설치된다.The base cylinder may include a top plate on which the first torch unit and the second torch unit are seated, and the top plate may include a first opening through which the chamber of the first torch unit and the chamber of the second torch unit communicate with each other. It has two openings. The second door portion and the second door portion are provided in the first opening portion and the second opening portion, respectively.

상기 제1토치유닛과 상기 제2토치유닛은 동시에 또는 각기 동작하는 것일 수 있다.The first torch unit and the second torch unit may be operated simultaneously or separately.

본 발명은 또한 듀얼 토치 플라즈마 장치를 포함하는 오염물질 처리 장치를 제공하며, 이는: 습식 스크러버; 처리한 오염물질을 상기 습식 스크러버로 전달하도록 배치되는 상기 어느 하나의 토치 플라즈마 장치; 및 상기 습식 스크러버에서 처리되어 배출되는 오염물질을 전달받아 처리하도록 배치되는 전기 집진기;를 포함한다.The present invention also provides a contaminant treatment apparatus comprising a dual torch plasma apparatus, comprising: a wet scrubber; Any one of the torch plasma apparatus disposed to deliver the treated contaminant to the wet scrubber; And an electrostatic precipitator disposed to receive and process the pollutant discharged from the wet scrubber.

상기 습식 스크러버는 하우징을 포함하고, 상기 토치 플라즈마 장치 및 상기 전긴 집진기는 상기 습식 스크러버의 상기 하우징의 상면에 배치될 수 있다.The wet scrubber may include a housing, and the torch plasma apparatus and the precipitator may be disposed on an upper surface of the housing of the wet scrubber.

본 발명에 따르면, 듀얼 토치유닛을 포함하는 토치 플라즈마 장치, 그리고 토치 플라즈마 장치를 포함하는 오염물질 처리 장치가 제공된다. 듀얼 토치유닛들이 하나 이상의 공정 장치로부터 배출되는 오염물질을 분배하여 처리하거나 전담하여 처리할 수 있다. 따라서 개별 토치 유닛에 인가되는 부하를 줄여서 토치의 수명을 연장시킬 수 있고, 어느 하나의 토치에 문제가 발생하였을 경우에도 오염물질 처리 공정의 정지는 물론 제조 공정 장치의 정지가 발생하지 않는다. 또한 오염물질 처리 장치는 동시에 또는 각각 동작이 가능한 듀얼 토치를 포함하기 때문에 처리 용량이 확대되면서도 컴팩트한 사이즈를 가질 수 있다.According to the present invention, there is provided a torch plasma apparatus including a dual torch unit, and a pollutant treating apparatus including the torch plasma apparatus. Dual torch units may distribute or otherwise treat contaminants from one or more process units. Therefore, the life of the torch can be extended by reducing the load applied to the individual torch units, and even when a problem occurs in any one of the torch, the stop of the contaminant treatment process and the stop of the manufacturing process device do not occur. In addition, the contaminant treatment device includes a dual torch that can be operated simultaneously or separately, thereby increasing the processing capacity and having a compact size.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 토치 플라즈마 장치를 포함하는 오염물질 처리 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 듀얼 토치 플라즈마 장치를 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 듀얼 토치 플라즈마 장치의 주요 요소들을 분리하여 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 토치 플라즈마 장치의 작동 유형의 예를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 5는 도 1의 오염물질 처리 장치에 채용되는 습식 스크러버를 도시한 도면이다.
도 6은 도 1의 오염물질 처리 장치의 요소들의 처리 오염물질을 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a contaminant treatment apparatus including a torch plasma apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
2 illustrates a dual torch plasma apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating main elements of the dual torch plasma apparatus of FIG. 2 separately.
4 is a diagram illustrating an example of an operation type of the torch plasma apparatus of the present invention.
FIG. 5 is a view illustrating a wet scrubber employed in the pollutant treatment device of FIG. 1.
FIG. 6 shows treatment contaminants of elements of the pollutant treatment device of FIG. 1. FIG.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the embodiments of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 발명은 듀얼 토치를 포함하는 토치 플라즈마 장치 및 그를 포함하는 오염물질 처리 장치에 관한 것이다. 듀얼 토치는 베이스 통체 상에 설치되어 각각 동작하거나 동시에 함께 동작할 수 있다. 토치들은 베이스 통체의 내부로 처리한 오염물질을 배출하도록 설치된다. 이를 위해, 베이스 통체는 2개의 개구부를 가지는 상판을 포함하고, 듀얼 토치는 상판에 안착되어 각각 배정된 개구부를 통해 처리한 오염물질을 베이스 통체의 내부로 배출하도록 설치된다. 2개의 개구부에는 개구부를 개폐할 수 있는 도어부가 각각 배치된다. 2개의 개구부를 모두 개방하여 듀얼 토치가 함께 동작하도록 할 수 있고, 또한 어느 개구부를 폐쇄하여 하나만 동작하도록 할 수 있다. 이러한 구성은 개별 토치를 교체하거나 정비하는 동안 나머지 하나의 토치를 계속 동작시켜서 오염물질 처리 과정이 중지되지 않도록 할 수 있다. 듀얼 토치가 함께 동작하거나 교번적으로 동작할 때 어느 하나로 부하가 집중되는 것을 억제할 수 있고, 그에 따라 장치의 수명을 연장할 수 있다. 또한 본 발명은 상술한 듀얼 토치 플라즈마 장치를 포함하는 오염물질 처리 장치를 제공한다. 오염물질 처리 장치는 듀얼 토치 플라즈마 장치와, 습식 스크러버와, 전지 집진기로 이루어질 수 있고, 듀얼 토치 플라즈마 장치와 전기 집진기를 습식 스크러버의 하우징 상면에 배치하여 사이즈를 컴팩트하게 구성할 수 있다. 이러한 오염물질 처리 장치는 반도체나 디스플레이 제조 공정과 같이 복합 오염물질이 발생되는 공정에 바람직하게 적용될 수 있다.The present invention relates to a torch plasma apparatus comprising a dual torch and a pollutant treating apparatus comprising the same. The dual torches can be installed on the base cylinder to operate individually or simultaneously together. Torch is installed to discharge treated contaminants into the interior of the base cylinder. To this end, the base cylinder includes a top plate having two openings, and the dual torch is installed to discharge the contaminants disposed on the top plate and treated through the respectively assigned openings into the base cylinder. Door portions capable of opening and closing the openings are respectively disposed in the two openings. Both openings can be opened to allow the dual torch to work together, and any opening can be closed to allow only one to operate. This configuration allows the other torch to continue to operate while the individual torch is being replaced or serviced so that the pollutant treatment process is not interrupted. When dual torches work together or alternately, load concentration can be suppressed either, thereby extending the life of the device. The present invention also provides a contaminant treatment apparatus comprising the dual torch plasma apparatus described above. The contaminant treatment apparatus may include a dual torch plasma apparatus, a wet scrubber, and a battery dust collector, and the dual torch plasma apparatus and the electrostatic precipitator may be disposed on the housing upper surface of the wet scrubber to have a compact size. Such a pollutant treating apparatus may be preferably applied to a process in which complex pollutants are generated, such as a semiconductor or display manufacturing process.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 토치 플라즈마 장치를 포함하는 오염물질 처리 장치를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 듀얼 토치 플라즈마 장치를 도시한 도면이다. 도 3은 도 2의 듀얼 토치 플라즈마 장치의 주요 요소들을 분리하여 도시한 도면이다. 도 4는 본 발명의 토치 플라즈마 장치의 작동 유형의 예를 설명하기 위해 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a contaminant treatment apparatus including a torch plasma apparatus according to a preferred embodiment of the present invention. 2 illustrates a dual torch plasma apparatus according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram illustrating main elements of the dual torch plasma apparatus of FIG. 2 separately. 4 is a diagram illustrating an example of an operation type of the torch plasma apparatus of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참조하여 토치 플라즈마 장치(10)에 대하여 먼저 설명한다. 본 발명의 토치 플라즈마 장치(10)는 베이스 통체(11)와 베이스 통체(11) 상에 설치되는 제1토치유닛(13)과 제2토치유닛(14)을 포함한다.The torch plasma apparatus 10 will be described first with reference to FIGS. 1 to 4. The torch plasma apparatus 10 of the present invention includes a base cylinder 11 and a first torch unit 13 and a second torch unit 14 installed on the base cylinder 11.

베이스 통체(11)는 내부 공간(111)을 가지며, 제1토치유닛(13)과 제2토치유닛(14)이 안착되는 상판(113)을 포함한다. 상판(113)에는 제1개구부(1131)와 제2개구부(1132)가 구비되며, 이들을 통해 제1토치유닛(13)과 제2토치유닛(14)은 처리한 오염물질을 베이스 통체(11)의 내부 공간(111)으로 배출한다.The base cylinder 11 has an inner space 111 and includes a top plate 113 on which the first torch unit 13 and the second torch unit 14 are seated. The upper plate 113 is provided with a first opening portion 1131 and a second opening portion 1132, through which the first torch unit 13 and the second torch unit 14 process the contaminants treated by the base cylinder 11. Discharge into the internal space 111 of the.

따라서 바람직하게는 제1개구부(1131)에는 제1토치유닛(13)이 기밀이 유지되도록 결합되고, 제2개구부(1132)에는 제2토치유닛(14)이 기밀이 유지되도록 결합된다. 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 이러한 결합에 의해 제1토치유닛(13)의 챔버(131)와 베이스 통체(11)의 내부 공간(111), 그리고 제2토치유닛(14)의 챔버(141)와 베이스 통체(11)의 내부 공간(111)은 연통된다.Therefore, preferably, the first torch unit 13 is coupled to the first opening 1113 so that the airtightness is maintained, and the second torch unit 14 is coupled to the second opening 1132 so that the airtightness is maintained. As can be seen in the figure, the combination of the chamber 131 of the first torch unit 13 and the inner space 111 of the base cylinder 11, and the chamber 141 of the second torch unit 14 by this combination. And the internal space 111 of the base cylinder 11 communicate with each other.

제1개구부(1131)와 제2개구부(1132)에는 제1도어부(1151)와 제2도어부(1152)가 각각 배치된다. 제1도어부(1151)와 제2도어부(1152)는 제1개구부(1131)와 제2개구부(1132)를 각각 개폐 가능하도록 설치된다.The first door part 1151 and the second door part 1152 are disposed in the first opening 1113 and the second opening 1132, respectively. The first door part 1151 and the second door part 1152 are provided to open and close the first opening part 1131 and the second opening part 1132, respectively.

제1도어부(1151)와 제2도어부(1152)는 슬라이딩 방식이나 여닫이 방식이 적용될 수 있고, 개방되었을 때 해당 토치유닛에서 처리된 오염물질을 베이스 통체(11)의 내부 공간(111)으로 통과시킨다. 제1도어부(1151)와 제2도어부(1152)가 폐쇄되었을 때는 해당 토치유닛에서 처리된 오염물질이 베이스 통체(11)의 내부 공간(111)으로 통과되지 않도록 해당 개구부를 밀폐한다. 이렇게 제1도어부(1151) 및 제2도어부(1152)가 해당 개구부를 밀폐하면, 제1토치유닛(13)과 제2토치유닛(14)은 교체, 정비, 소재 등이 가능한 상태가 될 수 있다.The first door part 1151 and the second door part 1152 may be a sliding method or a case opening method, and when opened, the contaminant treated in the torch unit is transferred to the internal space 111 of the base cylinder 11. Pass it through. When the first door part 1151 and the second door part 1152 are closed, the opening is sealed to prevent contaminants processed in the torch unit from passing through the internal space 111 of the base cylinder 11. When the first door part 1151 and the second door part 1152 seal the openings, the first torch unit 13 and the second torch unit 14 may be replaced, maintained, or replaced. Can be.

바람직하게는 제1토치유닛(13)과 제2토치유닛(14)은 동일한 공정 장치, 예를 들어 반도체 제조 공정에 이용되는 식각 장치, 증착 장치 등의 어느 하나의 장치또는 복수의 장치에 함께 또는 각각 연결되어 배출되는 오염물질을 포함하는 배기가스를 처리하도록 설치될 수 있다. 이 경우, 제1토치유닛(13)과 제2토치유닛(14)은 함께 동작하거나 교번적으로 동작할 수 있다. 특히, 어느 하나의 토치가 동작 중이고 다른 토치가 동작이 정지된 상태에서는 해당 도어부는 밀폐된다. 이때 필요에 따라서 정지 중인 토치유닛을 교체하거나 정비할 수 있다. 밀폐된 도어부는 동작 중인 토치에서 발생되는 처리된 오염물질들이 역류하지 않도록 한다. 이러한 구성에 의해 어느 하나의 토치유닛을 교체나 정비 중에도 오염물질 처리 과정이 중지되지 않고 계속적으로 공정 장치로부터 배출되는 오염물질을 처리할 수 있다. 이는 제조 공정의 수율에도 직접적인 영향을 미치게 된다.Preferably, the first torch unit 13 and the second torch unit 14 are together in the same process apparatus, for example, any one apparatus or a plurality of apparatuses such as an etching apparatus, a deposition apparatus, etc. used in a semiconductor manufacturing process or It may be installed to treat the exhaust gas containing pollutants discharged from each connected. In this case, the first torch unit 13 and the second torch unit 14 may operate together or alternately. In particular, when one torch is operating and the other torch is stopped, the corresponding door part is closed. If necessary, the torch unit can be replaced or serviced. The closed door portion prevents backflow of treated contaminants from the torch in operation. With this configuration, even during the replacement or maintenance of any torch unit, the pollutant treatment process can be continuously processed without stopping the pollutant treatment process. This directly affects the yield of the manufacturing process.

도 4는 본 발명의 토치 플라즈마 장치의 작동 유형의 예를 설명하기 위해 도시한 도면이다.4 is a diagram illustrating an example of an operation type of the torch plasma apparatus of the present invention.

도 4에서는 토치유닛들을 도 1과는 상하를 반전시켜서 도시하였으며, 좌측 유닛이 제1토치유닛(13)이고 우측 유닛이 제2토치유닛(14)이다. 듀얼 토치 플라즈마 장치의 제1토치유닛(13)과 제2토치유닛(14)은 하나의 공정 장치 또는 복수의 공정 장치에 각각 연결될 수 있다. 바람직하게는 도 2에 나타낸 바와 같이, 각각 양단부가 제1토치유닛(13)과 제2토치유닛(14)의 가스 유입구로 연결된 복수의 분배관(71, 72, 73)을 구비하고, 공정 장치(미도시)의 오염물질을 이송하는 이송배관(74, 75, 76)을 각각의 분배관(71, 72, 73)에 연결한다. 분배관(71, 72, 73)과 이송배관(74, 75, 76)의 연결부위에는 가스의 경로의 전환이 가능한 전환밸브(77, 78, 79)를 배치하여 정해진 규칙에 따라 오염물질 가스를 분배한다.In FIG. 4, the torch units are inverted up and down from FIG. 1, and the left unit is the first torch unit 13 and the right unit is the second torch unit 14. The first torch unit 13 and the second torch unit 14 of the dual torch plasma apparatus may be connected to one process apparatus or a plurality of process apparatuses, respectively. Preferably, as shown in FIG. 2, each end portion includes a plurality of distribution pipes 71, 72, and 73 connected to gas inlets of the first torch unit 13 and the second torch unit 14. Transfer pipes 74, 75, and 76 for transporting contaminants (not shown) are connected to the respective distribution pipes 71, 72, and 73. At the connection portion of the distribution pipes 71, 72, 73 and the transfer pipes 74, 75, 76, a switch valve 77, 78, 79 capable of switching the gas path is arranged to discharge contaminant gas in accordance with a prescribed rule. To distribute.

이를 테면, 도 4의 상위 좌측 도면은 통상적인 처리 상태를 나타내며, 하나의 공정 장치 또는 복수의 공정 장치로부터의 오염물질을 제1토치유닛(13)과 제2토치유닛(14)이 분배하여 처리한다.For example, the upper left view of FIG. 4 shows a conventional treatment state, in which the first torch unit 13 and the second torch unit 14 distribute and treat contaminants from one process apparatus or a plurality of process apparatuses. do.

도 4의 상위 우측 도면과 같이 우측의 제2토치유닛(14)에 문제가 발생하여 정비 또는 교체가 필요한 경우에는 전환밸브(77, 78, 79)가 모든 이송배관(74, 75, 76)의 가스를 제1토치유닛(13)으로 이송하여, 제1토치유닛(13)에서 처리되도록 한다. 도 4의 하위 도면은 상위 우측 도면과는 반대이다. 즉, 제1토치유닛(13)에 문제가 발생한 경우, 전환밸브(77, 78, 79)들은 모든 이송배관(74, 75, 76)의 가스들을 제2토치유닛(14)으로 이송하여 제2토치유닛(14)에서 처리되도록 한다.When a problem occurs in the second torch unit 14 on the right side as shown in the upper right side of FIG. 4, and maintenance or replacement is necessary, the selector valves 77, 78, and 79 may be connected to all of the transfer pipes 74, 75, and 76. The gas is transferred to the first torch unit 13 to be processed by the first torch unit 13. The lower figure of FIG. 4 is opposite to the upper right figure. That is, when a problem occurs in the first torch unit 13, the selector valves 77, 78, and 79 transfer the gases in all of the transfer pipes 74, 75, and 76 to the second torch unit 14 so that the second torch unit 14 may move. The torch unit 14 is processed.

이와 같이 본 발명의 듀얼 토치 플라즈마 장치(10)는 하나의 공정 장치 또는 복수의 공정 장치로부터의 오염물질을 제1토치유닛(13)과 제2토치유닛(14)이 분배하여 처리하거나 어느 하나가 전담하여 모두 처리할 수 있다. 따라서, 실질적으로 토치 플라즈마 장치가 2대인 것과 같은 효과가 나옴과 동시에 어느 하나에 문제가 발생할 경우에 다른 하나가 전담하여 처리할 수 있기 때문에 오염물질의 처리 공정은 물론 공정 장치의 정지가 발생하지 않게 된다. 또한, 후술하는 바와 같이 듀얼 토치유닛 장치과 습식 스크러버 및 전지 집진기(또는 2차 습식 스크러버)를 결합하면 점유면적을 증가시키지 않으면서 2대의 처리 장치를 배치하는 효과를 얻을 수 있다. 나아가, 실제 대다수를 차지하는 정상적인 상태에서는 제1토치유닛(13)과 제2토치유닛(14)이 분배하여 오염물질을 처리하기 때문에 각 토치유닛에 인가되는 부하가 실질적으로 감소되는 효과도 얻게 되어 개별 토치의 수명을 연장시키게 된다.As described above, in the dual torch plasma apparatus 10 of the present invention, the first torch unit 13 and the second torch unit 14 distribute or treat contaminants from one process apparatus or a plurality of process apparatuses, Dedicated to all. Therefore, the effect of having two torch plasma apparatuses is substantially achieved, and when one of the problems occurs, the other can be handled exclusively, so that the process of contaminants and the stop of the process apparatus do not occur. do. In addition, when the dual torch unit device, the wet scrubber and the battery dust collector (or the secondary wet scrubber) are combined as described below, it is possible to obtain the effect of disposing two processing devices without increasing the occupied area. In addition, since the first torch unit 13 and the second torch unit 14 distribute and treat pollutants in a normal state that occupies a large majority, the load applied to each torch unit is also substantially reduced, thereby individually. This will extend the life of the torch.

이하에서는 상술한 듀얼 토치 플라즈마 장치(10)가 적용된 오염물질 처리 장치에 대하여 설명한다. 위에서 언급한 바와 같이, 도 1은 오염물질 처리 장치를 도시한 도면이다. 도 5는 도 1의 오염물질 처리 장치에 채용되는 습식 스크러버를 도시한 도면이다. 도 6은 도 1의 오염물질 처리 장치의 요소들의 처리 오염물질을 나타낸 도면이다.Hereinafter, a contaminant treatment apparatus to which the dual torch plasma apparatus 10 described above is applied will be described. As mentioned above, FIG. 1 shows a contaminant treatment apparatus. FIG. 5 is a view illustrating a wet scrubber employed in the pollutant treatment device of FIG. 1. FIG. 6 shows treatment contaminants of elements of the pollutant treatment device of FIG. 1. FIG.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 오염물질 처리 장치는 듀얼 토치 플라즈마 장치(10)와, 습식 스크러버(30)와, 전기 집진기(50)를 포함할 수 있다. 오염물질 처리 장치는 위에서 설명한 듀얼 토치 플라즈마 장치(10)를 포함하기 때문에, 실질적으로 2대의 효율을 발휘할 수 있고, 컴팩트한 사이즈가 구현되어 설치 장소에 제약이 적다. 따라서, 기존에 운영 중인 공정 설비 내에 어느 공정 장치로부터 배출되는 오염물질을 처리하도록 배치될 수 있다. 특히, 오염물질 처리 장치는 듀얼 토치를 포함하기 때문에 토치의 정비나 교체를 위한 정지 시간이 없거나 최소화된다.The pollutant treating apparatus according to the preferred embodiment of the present invention may include a dual torch plasma apparatus 10, a wet scrubber 30, and an electrostatic precipitator 50. Since the pollutant treating apparatus includes the dual torch plasma apparatus 10 described above, substantially two efficiency can be exhibited, and the compact size is implemented, so that the installation place is less restricted. Thus, it can be arranged to treat pollutants emitted from any process apparatus in existing process equipment. In particular, the pollutant handling device includes a dual torch, so there is no or minimal downtime for maintenance or replacement of the torch.

듀얼 토치 플라즈마 장치(10)의 베이스 통체(11)는 하부에 배출구가 구비되어 내부 공간(111)의 오염물질을 습식 스크러버(30)로 전달하고, 습식 스크러버(30)는 처리한 오염물질을 전기 집진기(50)로 전달한다. 대안적으로는, 전기 집진기(50)의 위치에는 제2습식 스크러버가 배치될 수도 있다.The base cylinder 11 of the dual torch plasma apparatus 10 is provided with an outlet at a lower portion thereof to transfer contaminants in the internal space 111 to the wet scrubber 30, and the wet scrubber 30 delivers the treated contaminants to electricity. Transfer to the dust collector (50). Alternatively, a second wet scrubber may be disposed at the location of the electrostatic precipitator 50.

도 1의 오염물질 처리 장치는 PFCs/Dust/HF 등을 포함하는 복합 오염물질을 처리하는데 적용될 수 있다. 도 6은 본 발명의 오염물질 처리 장치의 요소들에 처리하는 물질을 설명하기 위해 도시한 도면이다.The contaminant treatment apparatus of FIG. 1 may be applied to treat complex contaminants including PFCs / Dust / HF. FIG. 6 is a view for explaining materials to be treated in the elements of the pollutant treatment apparatus of the present invention.

듀얼 토치 플라즈마 장치(10)는 CF4, NF3, SF6 등의 PFCs계 가스를 저전력 토치 플라즈마로 처리할 수 있다. 습식 스크러버(30)는 HF, F2, 파우더 등을 스크레이/패킹층을 통과시켜서 처리할 수 있다. 전기 집진기(50)는 Dust 및 HF를 포함하는 수분을 전위차에 의해 포집 처리할 수 있다. 이러한 본 발명의 구성은 반도체, 디스플레이와 같은 복합 오염물질이 배출되는 공정 장치에 바람직하게 연결될 수 있다.The dual torch plasma apparatus 10 may process PFCs-based gases such as CF 4 , NF 3 , and SF 6 into a low power torch plasma. The wet scrubber 30 may process HF, F 2 , powder, or the like by passing the scrap / packing layer. The electrostatic precipitator 50 may collect the moisture including dust and HF by a potential difference. Such a configuration of the present invention may be preferably connected to a process apparatus for discharging complex pollutants such as semiconductors and displays.

본 발명의 오염물질 처리 장치는 도면에서 알 수 있는 바와 같이 습식 스크러버(30)의 하우징(31) 위에 듀얼 토치 플라즈마 장치(10)와 전기 집진기(50)를 배치하는 구성을 채택하여 장치의 설치 점유 면적을 최소화한다. 이를 위해, 습식 스크러버(30)의 하우징(31)의 상면에는 듀얼 토치 플라즈마 장치(10)와 전기 집진기(50)를 연결하기 위한 2개의 연결구가 마련된다. 연결구들 중의 하나는 듀얼 토치 플라즈마 장치(10)로부터의 오염물질을 전달받는 유입구이고 나머지 하나는 전기 집진기(50)로 오염물질을 전달하는 배출구이다. 전기 집진기(50)는 원통형의 집진극과 그 내부에 삽입되는 방전극을 포함할 수 있다. 전기 집진기(50)는 집진극에 부착된 입자들을 세정하기 위한 세정부를 포함할 수 있다.The contaminant treatment apparatus of the present invention adopts a configuration in which the dual torch plasma apparatus 10 and the electrostatic precipitator 50 are disposed on the housing 31 of the wet scrubber 30, as shown in the drawing. Minimize the area. To this end, two connectors for connecting the dual torch plasma apparatus 10 and the electrostatic precipitator 50 are provided on the upper surface of the housing 31 of the wet scrubber 30. One of the connectors is an inlet for receiving contaminants from the dual torch plasma apparatus 10 and the other is an outlet for delivering contaminants to the electrostatic precipitator 50. The electrostatic precipitator 50 may include a cylindrical dust collector and a discharge electrode inserted therein. The electrostatic precipitator 50 may include a cleaning unit for cleaning the particles attached to the dust collecting electrode.

이상, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific embodiments have been described. However, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

10: 토치 플라즈마 장치, 11: 베이스 통체, 13: 제1토치유닛, 14: 제2토치유닛, 30: 습식 스크러버, 31: 하우징, 50: 전기 집진기, 71, 72, 73: 분배관, 74, 75, 76: 이송배관, 77, 78, 79: 전환밸브, 111: 내부 공간, 113: 상판, 131: 131, 141: 챔버, 1131: 제1개구부, 1132: 제2개구부, 1151: 제1도어부, 1152: 제2도어부10: torch plasma apparatus, 11: base cylinder, 13: first torch unit, 14: second torch unit, 30: wet scrubber, 31: housing, 50: electrostatic precipitator, 71, 72, 73: distribution pipe, 74, 75, 76: transfer piping, 77, 78, 79: switching valve, 111: internal space, 113: top plate, 131: 131, 141: chamber, 1131: first opening, 1132: second opening, 1151: first door Part 1152: Second Door Division

Claims (6)

토치 플라즈마 장치로서:
베이스 통체; 및
처리한 오염물질을 상기 베이스 통체 내부로 배출하도록, 상기 베이스 통체 상에 설치된 제1토치유닛 및 제2토치유닛;를 포함하고,
상기 베이스 통체는 상기 제1토치유닛과 상기 제2토치유닛과의 연결을 각각 ON/OFF 가능한 제1도어부와 제2도어부를 가지는 것인, 토치 플라즈마 장치.
As a torch plasma device:
Base cylinder; And
And a first torch unit and a second torch unit installed on the base cylinder to discharge the treated pollutant into the base cylinder.
And the base cylinder has a first door part and a second door part capable of ON / OFF connection of the first torch unit and the second torch unit, respectively.
청구항 1에 있어서,
상기 베이스 통체는 상기 제1토치유닛 및 상기 제2토치유닛이 안착되는 상판을 포함하고,
상기 상판은 상기 제1토치유닛의 챔버와 상기 제2토치유닛의 챔버가 각각 연통되는 제1개구부 및 제2개구부를 구비하는 것인, 토치 플라즈마 장치.
The method according to claim 1,
The base cylinder includes a top plate on which the first torch unit and the second torch unit are seated,
The upper plate is provided with a torch plasma apparatus, the first torch and the second torch opening, the chamber of the first torch unit and the chamber of the second torch unit, respectively.
청구항 2에 있어서,
상기 제2도어부와 상기 제2도어부는 각각 상기 제1개구부와 상기 제2개구부에 설치되는 것인, 토치 플라즈마 장치.
The method according to claim 2,
The torch plasma apparatus of claim 2, wherein the second door portion and the second door portion are provided in the first opening portion and the second opening portion, respectively.
청구항 2에 있어서,
상기 제1토치유닛과 상기 제2토치유닛은 동시에 또는 각기 동작하는 것인, 토치 플라즈마 장치.
The method according to claim 2,
The torch plasma apparatus of claim 1, wherein the first torch unit and the second torch unit operate simultaneously or separately.
토치 플라즈마 장치를 포함하는 오염물질 처리 장치로서:
습식 스크러버;
처리한 오염물질을 상기 습식 스크러버로 전달하도록 배치되는 상기 청구항 1 내지 5 중 어느 하나의 토치 플라즈마 장치; 및
상기 습식 스크러버에서 처리되어 배출되는 오염물질을 전달받아 처리하도록 배치되는 전기 집진기;를 포함하는 오염물질 처리 장치.
A contaminant treatment device comprising a torch plasma device:
Wet scrubbers;
The torch plasma apparatus of any one of claims 1 to 5, wherein the torch plasma apparatus is disposed to deliver the treated contaminant to the wet scrubber; And
And an electrostatic precipitator disposed to receive and process the pollutant discharged from the wet scrubber.
청구항 5에 있어서,
상기 습식 스크러버는 하우징을 포함하고,
상기 토치 플라즈마 장치 및 상기 전긴 집진기는 상기 습식 스크러버의 상기 하우징의 상면에 배치되는 것인, 오염물질 처리 장치.The method according to claim 5,
The wet scrubber comprises a housing,
Wherein said torch plasma device and said precipitator are disposed on an upper surface of said housing of said wet scrubber.
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