KR20190124148A - Method and apparatus for correcting work - Google Patents

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KR20190124148A
KR20190124148A KR1020190046603A KR20190046603A KR20190124148A KR 20190124148 A KR20190124148 A KR 20190124148A KR 1020190046603 A KR1020190046603 A KR 1020190046603A KR 20190046603 A KR20190046603 A KR 20190046603A KR 20190124148 A KR20190124148 A KR 20190124148A
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KR1020190046603A
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나오키 이시이
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닛토덴코 가부시키가이샤
닛토 세이키 가부시키가이샤
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Abstract

Provided are a work correcting method and a work correcting apparatus capable of flattening a thin work such as a wafer or substrate, without deforming or damaging the work. For a wafer (W) loaded on a holding table (9), while adsorption is performed through an adsorption hole provided in the holding table (9), a gas (N) is sprayed to the wafer (W) through a gas spray nozzle (27) provided above the wafer (W). Since the wafer (W) is pressed toward a mounting surface of the holding table (9) by the pressure of the sprayed gas (N), warping of the wafer (W) can be reliably corrected and the wafer (W) is flattened. While the wafer (W) is corrected, a member such as a plate does not physically come in contact with a circuit surface of the wafer (W) that is properly exposed upward. Therefore, it is possible to reliably avoid a problem such as physical contact causing damage to the circuit of the wafer (W).

Description

워크 교정 방법 및 워크 교정 장치{METHOD AND APPARATUS FOR CORRECTING WORK}Work calibration method and work calibration device {METHOD AND APPARATUS FOR CORRECTING WORK}

본 발명은, 반도체 웨이퍼(이하, 적절히 「웨이퍼」라고 함)나 기판을 예로 하는 박판형 워크에 대하여, 점착 테이프의 첩부 조작 등의 각종 조작을 행할 때, 워크의 휨을 교정하여 평탄화하기 위한 워크 교정 방법 및 워크 교정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a work calibration method for correcting and flattening warping of a workpiece when various operations such as affixing of an adhesive tape are performed on a thin wafer such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") or a substrate as an example. And a workpiece calibration apparatus.

웨이퍼의 표면에 회로 패턴 형성 처리를 행한 후, 웨이퍼의 이면 전체를 균일하게 연삭하여 더욱 박형화하는 백그라인드 처리가 실시된다. 당해 백그라인드 처리를 행하기 전에, 회로를 보호하기 위해 웨이퍼의 표면 전체에 보호용 점착 테이프(보호 테이프)를 첩부하고 있다. 또한, 백그라인드 처리를 행한 후, 박형화된 웨이퍼의 이면 전체와 당해 웨이퍼의 주위를 둘러싸는 형상의 링 프레임에 걸쳐 지지용의 점착 테이프(다이싱 테이프)가 첩부된다.After performing a circuit pattern formation process on the surface of a wafer, the back grind process which further grinds and thinner the whole back surface of a wafer is performed. Before performing the backgrinding process, a protective adhesive tape (protective tape) is affixed on the entire surface of the wafer in order to protect the circuit. In addition, after performing the backgrinding process, a pressure-sensitive adhesive tape (dicing tape) is attached to the entire back surface of the thinned wafer and the ring frame shaped around the wafer.

웨이퍼에 점착 테이프를 첩부하는 경우, 웨이퍼를 안정적으로 보유 지지하는 방법으로서, 웨이퍼를 평탄한 보유 지지 테이블에 적재시킨 후에 보유 지지 테이블에서 웨이퍼의 하면 전체를 흡착하는 방법이 일반적으로 사용되고 있다. 그러나, 웨이퍼에 대하여 점착 테이프를 첩부하는 공정에 있어서, 웨이퍼에 휨 등의 왜곡이 발생하는 경우가 있다.When sticking an adhesive tape to a wafer, as a method of stably holding a wafer, the method of adsorbing the whole lower surface of a wafer in a holding table after loading a wafer on a flat holding table is generally used. However, in the process of affixing an adhesive tape with respect to a wafer, distortion, such as curvature, may arise in a wafer.

이 경우, 보유 지지 테이블을 흡착할 수 있는 대상은 웨이퍼의 일부에 한정되므로, 웨이퍼를 안정적으로 흡착 보유 지지하는 것이 곤란해진다. 또한, 왜곡이 발생하고 있는 웨이퍼의 전체면에 대하여 균일하고도 고정밀도로 점착 테이프를 부착하는 것은 곤란하다.In this case, since the object which can adsorb | suck a holding table is limited to a part of wafer, it becomes difficult to stably hold and hold a wafer. In addition, it is difficult to attach the adhesive tape uniformly and with high accuracy to the entire surface of the wafer where distortion has occurred.

그래서, 웨이퍼에 점착 테이프를 첩부하는 조작을 행하는 전단계로서, 평탄한 보유 지지 테이블에 웨이퍼를 적재시켜, 압박 플레이트로 웨이퍼의 전체면을 압박함으로써 웨이퍼의 휨을 교정하여 평탄화시키고 있다(예를 들어, 특허문헌 1을 참조).Therefore, as a preliminary step of attaching the adhesive tape to the wafer, the wafer is placed on a flat holding table, and the warp of the wafer is corrected and flattened by pressing the entire surface of the wafer with a pressing plate (for example, a patent document). 1).

일본 특허 공개 제2012-114465호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2012-114465

그러나, 상기 종래 장치에서는 다음과 같은 문제가 있다.However, the above conventional apparatus has the following problems.

즉, 종래의 교정 방법에서는, 웨이퍼를 교정하기 위해서는 압박 플레이트를 웨이퍼에 접촉시킬 필요가 있다. 그 때문에, 일례로서 회로면이 노출되어 있는 웨이퍼를 교정 대상으로 하는 경우, 압박 플레이트로 접촉·압박시키면 웨이퍼의 회로에 변형이나 손상이 발생하는 등의 문제가 염려된다.That is, in the conventional calibration method, in order to calibrate the wafer, it is necessary to bring the pressing plate into contact with the wafer. Therefore, in the case where the wafer having the circuit surface exposed as an example is to be subjected to calibration, problems such as deformation and damage to the circuit of the wafer may occur when the wafer is contacted and pressed with the pressing plate.

따라서, 압박 플레이트와 같은 부재를 기계적으로 접촉시켜서 압박하는 조작이 부적절한 대상에 대해서는 압박 플레이트를 사용할 수 없으므로, 고정밀도로 교정하여 평탄화시키는 것은 곤란하다.Therefore, the pressing plate cannot be used for an object in which an operation such as pressing plate is mechanically brought into contact with the pressing plate is not suitable. Therefore, it is difficult to flatten it with high accuracy.

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 웨이퍼나 기판을 예로 하는 박형의 워크에 변형이나 손상을 끼치는 일 없이, 당해 워크를 평탄하게 교정할 수 있는 워크 교정 방법 및 워크 교정 장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a situation, Comprising: It is a main thing to provide the workpiece | work calibration method and workpiece | work calibration apparatus which can correct | amend the said workpiece flatly, without deforming or damaging the thin workpiece | work which takes a wafer or a board as an example. The purpose.

본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.In order to achieve the above object, the present invention takes the following configuration.

즉, 본 발명은,That is, the present invention,

평탄한 보유 지지 테이블로 워크를 보유 지지하는 보유 지지 과정과,A holding process for holding the work with a flat holding table,

상기 보유 지지 테이블의 상방에 마련되어 있는 기체 공급 기구로부터 상기 워크의 상면에 공급되는 기체의 압력에 의해 상기 워크를 압박시키는 기체 공급 과정과,A gas supply step of pressing the work by a pressure of a gas supplied to an upper surface of the work from a gas supply mechanism provided above the holding table;

상기 보유 지지 테이블에 마련되어 있는 흡착 구멍을 통하여 상기 워크의 하면을 상기 보유 지지 테이블에 흡착시키는 흡착 과정Adsorption process of adsorbing the lower surface of the workpiece to the holding table through the suction hole provided in the holding table.

을 구비하는 워크 교정 방법인 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the work calibration method having a.

(작용·효과) 이 구성에 의하면, 평탄한 보유 지지 테이블로 워크를 보유 지지하고, 보유 지지 테이블의 상방에 마련되어 있는 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력에 의해 워크를 압박시킨다. 그리고, 보유 지지 테이블에 마련되어 있는 흡착 구멍을 통하여 워크의 하면을 보유 지지 테이블에 흡착시킨다. 워크는 상면에 공급되는 기체의 압력에 의해 압박되어, 휨이 교정되어 간다.(Action and effect) According to this structure, a workpiece is hold | maintained by the flat holding table, and a workpiece | work is pressed by the pressure of the gas supplied from the gas supply mechanism provided above the holding table. And the lower surface of a workpiece is made to adsorb | suck to a holding table through the suction hole provided in the holding table. The workpiece is pressed by the pressure of the gas supplied to the upper surface, and the warpage is corrected.

이때, 워크의 상면에는 기체가 공급되는 것에 그치고, 플레이트 등의 부재가 접촉하는 경우가 없다. 따라서, 회로면이 상면에 노출되는 워크에 대해서도, 당해 회로에 문제를 발생시키지 않고 워크를 교정하여 평탄화할 수 있다.At this time, gas is supplied only to the upper surface of the workpiece, and members such as plates do not come into contact with each other. Therefore, even in the workpiece | work where a circuit surface is exposed to an upper surface, a workpiece | work can be corrected and planarized without making a problem to the said circuit.

또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 기체 공급 과정은, 복수 마련되어 있는 상기 기체 공급 기구를 복수의 블록으로 분할하고, 상기 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을 상기 블록별로 독립 제어하는 것이 바람직하다.In the above-described invention, in the gas supply process, it is preferable to divide the gas supply mechanism provided in plural into a plurality of blocks, and to independently control the pressure of the gas supplied from the gas supply mechanism for each block.

(작용·효과) 이 구성에 의하면, 복수 마련되어 있는 기체 공급 기구를 복수의 블록으로 분할하고, 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을 블록별로 독립 제어한다. 이 경우, 워크 중 휨이 큰 부분에 대응하는 기체 공급 기구와, 휨이 작은 부분에 대응하는 기체 공급 기구를 각각 상이한 블록으로 분할하고, 블록별로 워크를 압박하는 기체의 압력을 독립 제어할 수 있다.(Action and effect) According to this structure, the gas supply mechanism provided in multiple numbers is divided into several block, and the pressure of the gas supplied from a gas supply mechanism is controlled independently block by block. In this case, the gas supply mechanism corresponding to the large deflection part of the work and the gas supply mechanism corresponding to the small deflection part can be divided into different blocks, and the pressure of the gas for pressing the work can be controlled independently for each block. .

그 때문에, 워크 중 휨이 큰 부분에 대하여 비교적 높은 압력의 기체를 공급하므로, 휨을 확실하고도 빠르게 교정할 수 있다. 한편, 워크 중 휨이 작은 부분에는 비교적 낮은 압력의 기체를 공급하므로, 당해 휨이 작은 부분이 과잉인 압력의 기체로 압박되어서 새롭게 왜곡이 발생한다는 사태를 피할 수 있다. 따라서, 워크에 새로운 왜곡을 발생시키지 않고, 휨을 빠르게 교정하여 평탄화할 수 있다.Therefore, since the gas of a relatively high pressure is supplied to the part with large deflection in a workpiece | work, a curvature can be corrected reliably and quickly. On the other hand, since the gas of a relatively low pressure is supplied to the part with small deflection of a workpiece | work, the situation where the part with the said small deflection is pressurized with the gas of excess pressure and a new distortion arises can be avoided. Therefore, the warping can be quickly corrected and flattened without generating new distortion in the work.

또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 기체 공급 과정은, 복수 마련되어 있는 상기 기체 공급 기구를 상기 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할하고, 상기 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을, 상기 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록 상기 블록별로 독립 제어하는 것이 바람직하다.Moreover, in the above-mentioned invention, the said gas supply process divides the said gas supply mechanism provided in plurality into the several block according to the distance from the center of the said workpiece | work, and the pressure of the gas supplied from the said gas supply mechanism, It is preferable to independently control each block so as to change step by step from the center of the workpiece toward the outer edge portion.

(작용·효과) 이 구성에 의하면, 기체 공급 기구를 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할하고, 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을, 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록, 블록별로 독립 제어한다.(Action and Effect) According to this configuration, the gas supply mechanism is divided into a plurality of blocks according to the distance from the center of the work, and the pressure of the gas supplied from the gas supply mechanism is directed toward the outer edge from the center of the work. Independent control is performed for each block so as to change in stages.

워크의 휨은, 일반적으로 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 휨의 양이 단계적으로 변화되는 형상으로 되어 있다. 그 때문에, 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을, 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록 제어함으로써, 워크 중 휨이 큰 부분에 대해서는 고압의 기체를 공급하여, 휨을 확실하고도 빠르게 교정할 수 있다. 한편, 워크 중 휨이 작은 부분에는 비교적 낮은 압력의 기체를 공급하여, 과잉 압력에 의한 새로운 왜곡의 발생을 회피한다. 따라서, 워크에 새로운 왜곡을 발생시키지 않고, 휨을 빠르게 교정하여 평탄화할 수 있다.The warpage of the workpiece is generally in a shape in which the amount of warpage changes stepwise from the center toward the outer edge portion. Therefore, by controlling the pressure of the gas supplied from the gas supply mechanism to be changed step by step from the center of the work toward the outer edge part, the high pressure gas is supplied to the large warp portion of the work to ensure the warpage. You can calibrate quickly. On the other hand, a gas of relatively low pressure is supplied to a portion of the work where the warpage is small, thereby avoiding the occurrence of new distortion due to excess pressure. Therefore, the warping can be quickly corrected and flattened without generating new distortion in the work.

또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 흡착 과정은, 복수 마련되어 있는 상기 흡착 구멍을 복수의 블록으로 분할하고, 상기 흡착 구멍을 통하여 상기 워크를 흡착하는 힘을 상기 블록별로 독립 제어하는 것이 바람직하다.Moreover, in the above-mentioned invention, it is preferable that the said adsorption process divides the said adsorption hole provided in multiple numbers into a some block, and independently controls the force which adsorb | sucks the said workpiece through the said adsorption hole for every said block.

(작용·효과) 이 구성에 의하면, 복수 마련되어 있는 흡착 구멍을 복수의 블록으로 분할하고, 흡착 구멍을 통하여 워크를 흡착하는 힘을 블록별로 독립 제어한다. 이 경우, 워크 중 휨이 큰 부분에 대응하는 흡착 구멍과, 휨이 작은 부분에 대응하는 흡착 구멍을 각각 상이한 블록으로 분할하고, 블록별로 워크를 흡착하는 힘을 독립 제어할 수 있다.(Action and effect) According to this structure, a plurality of adsorption holes provided are divided into a plurality of blocks, and the force for adsorbing the workpiece through the adsorption holes is controlled independently for each block. In this case, the suction hole corresponding to the part with large deflection of the workpiece | work and the suction hole corresponding to the part with small deflection | segmentation are divided into different blocks, respectively, and the force which adsorb | sucks a workpiece | work by block can be controlled independently.

그 때문에, 워크 중 휨이 큰 부분은 비교적 강한 힘으로 흡착되므로, 휨을 확실하고도 빠르게 교정하여 흡착할 수 있다. 한편, 워크 중 휨이 작은 부분은 비교적 약한 힘으로 흡착되므로, 당해 휨이 작은 부분이 과잉의 힘으로 흡착되어서 새롭게 왜곡이 발생한다는 사태를 피할 수 있다. 따라서, 워크에 새로운 왜곡을 발생시키지 않고, 휨을 빠르게 교정하여 평탄화할 수 있다.Therefore, since a part with a large deflection in a workpiece | work is adsorbed by comparatively strong force, a deflection can be reliably and quickly corrected and adsorbed. On the other hand, since a part with small warpage of the work is adsorbed with a relatively weak force, the situation where the part with small warpage is adsorbed with an excessive force and new distortion occurs can be avoided. Therefore, the warping can be quickly corrected and flattened without generating new distortion in the work.

또한, 상술한 발명에 있어서, 상기 흡착 과정은, 복수 마련되어 있는 상기 흡착 구멍을 상기 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할하고, 상기 흡착 구멍을 통하여 상기 워크를 흡착하는 힘을, 상기 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록 상기 블록별로 독립 제어하는 것이 바람직하다.Moreover, in the above-mentioned invention, the said adsorption process divides the adsorption hole provided in multiple numbers into several blocks according to the distance from the center of the said workpiece | work, and the force which adsorb | sucks the said workpiece | work through the said adsorption hole, said It is preferable to independently control the blocks so that they change in stages from the center of the work toward the outer edge.

(작용·효과) 이 구성에 의하면, 복수의 흡착 구멍을 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할하고, 흡착 구멍을 통하여 워크를 흡착하는 힘을, 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록, 블록별로 독립 제어한다.(Action and effect) According to this structure, a some adsorption hole is divided into a some block according to the distance from the center of a workpiece | work, and the force which adsorb | sucks a workpiece | work through an adsorption hole toward an outer edge part from the center of a workpiece | work Therefore, independent control is performed for each block so as to change in stages.

워크의 휨은, 일반적으로 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 휨의 양이 단계적으로 변화되는 형상으로 되어 있다. 그 때문에, 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 흡착력을 단계적으로 변화되도록 제어함으로써, 워크 중 휨이 큰 부분은 강한 힘으로 흡착되므로, 휨을 확실하고도 빠르게 교정할 수 있다. 한편, 워크 중 휨이 작은 부분은 비교적 약한 힘으로 흡착되므로, 과잉력으로 흡착되어서 새롭게 왜곡이 발생하는 사태를 피할 수 있다. 따라서, 워크에 새로운 왜곡을 발생시키지 않고, 휨을 빠르게 교정하여 평탄화할 수 있다.The warpage of the workpiece is generally in a shape in which the amount of warpage changes stepwise from the center toward the outer edge portion. Therefore, by controlling the adsorption force to be changed stepwise from the center of the work toward the outer edge portion, the large warpage portion of the work is adsorbed with strong force, so that the warpage can be reliably and quickly corrected. On the other hand, since a part with small warpage of a workpiece | work is adsorbed by comparatively weak force, it can adsorb | suck by excessive force and the situation which a new distortion generate | occur | produces can be avoided. Therefore, the warping can be quickly corrected and flattened without generating new distortion in the work.

본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취해도 된다.In order to achieve such an object, the present invention may take the following configuration.

즉, 본 발명은, 워크를 보유 지지하는 평탄한 보유 지지 테이블과,That is, the present invention provides a flat holding table for holding a work,

상기 보유 지지 테이블의 상방에 마련되어 있고, 상기 워크의 상면에 기체를 공급하여 상기 기체의 압력에 의해 상기 워크를 압박시키는 기체 공급 기구와,A gas supply mechanism provided above the holding table and configured to supply a gas to an upper surface of the work and press the work by the pressure of the gas;

상기 보유 지지 테이블에 마련되어 있는 흡착 구멍을 통하여 상기 워크의 하면을 상기 보유 지지 테이블에 흡착시키는 흡착 기구Adsorption mechanism for adsorbing the lower surface of the workpiece to the holding table through the suction hole provided in the holding table.

를 구비하는 워크 교정 장치인 것을 특징으로 한다.It is characterized in that the work calibration device having a.

(작용·효과) 이 구성에 의하면, 평탄한 보유 지지 테이블로 워크를 보유 지지하고, 보유 지지 테이블의 상방에 마련되어 있는 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력에 의해 워크를 압박시킨다. 그리고, 보유 지지 테이블에 마련되어 있는 흡착 구멍을 통하여 워크의 하면을 보유 지지 테이블에 흡착시킨다.(Action and effect) According to this structure, a workpiece is hold | maintained by the flat holding table, and a workpiece | work is pressed by the pressure of the gas supplied from the gas supply mechanism provided above the holding table. And the lower surface of a workpiece is made to adsorb | suck to a holding table through the suction hole provided in the holding table.

이때, 워크의 상면에 공급되는 기체에 의해 워크를 압박시켜서 휨을 교정하므로, 플레이트 등의 부재를 워크의 상면에 접촉시키지 않고 워크의 휨을 교정할 수 있다. 따라서, 회로면이 상면에 노출하는 것과 같은 워크에 대해서도, 당해 회로에 문제를 발생시키지 않고 워크를 교정하여 평탄화할 수 있다.At this time, since the warpage is corrected by pressurizing the work with the gas supplied to the upper surface of the work, the warpage of the work can be corrected without bringing a member such as a plate into contact with the upper surface of the work. Therefore, even for a workpiece such as a circuit surface exposed to the upper surface, the workpiece can be corrected and planarized without causing a problem in the circuit.

또한, 상술한 발명에 있어서, 복수 마련되어 있는 상기 기체 공급 기구는 복수의 블록으로 분할되어 있고, 상기 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을 상기 블록별로 독립 제어하는 공급 제어 기구를 구비하는 것이 바람직하다.Moreover, in the above-mentioned invention, it is preferable that the said gas supply mechanism provided in plurality is divided into several block, and is provided with the supply control mechanism which independently controls the pressure of the gas supplied from the said gas supply mechanism for every said block. .

(작용·효과) 이 구성에 의하면, 복수 마련되어 있는 기체 공급 기구를 복수의 블록으로 분할하고, 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력은 공급 제어 기구에 의해 블록별로 독립 제어된다. 이 경우, 워크 중 휨이 큰 부분에 대응하는 기체 공급 기구와, 휨이 작은 부분에 대응하는 기체 공급 기구를 각각 상이한 블록으로 분할하고, 블록별로 워크를 압박하는 기체의 압력을 독립 제어할 수 있다. 따라서, 상기 방법을 적합하게 실행할 수 있다.(Action and effect) According to this structure, the gas supply mechanism provided in multiple numbers is divided into several block, and the pressure of the gas supplied from a gas supply mechanism is controlled independently block by block by the supply control mechanism. In this case, the gas supply mechanism corresponding to the large deflection part of the work and the gas supply mechanism corresponding to the small deflection part can be divided into different blocks, and the pressure of the gas for pressing the work can be controlled independently for each block. . Thus, the method can be suitably carried out.

또한, 상술한 발명에 있어서, 복수 마련되어 있는 상기 기체 공급 기구는 상기 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할되어 있고, 상기 공급 제어 기구는, 상기 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을, 상기 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록 상기 블록별로 독립 제어하는 것이 바람직하다.Moreover, in the above-mentioned invention, the said gas supply mechanism provided in plurality is divided into several block according to the distance from the center of the said workpiece | work, and the said supply control mechanism measures the pressure of the gas supplied from the said gas supply mechanism. It is preferable to independently control the blocks so as to change step by step from the center of the workpiece toward the outer edge portion.

(작용·효과) 이 구성에 의하면, 기체 공급 기구를 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할한다. 그리고 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력은, 공급 제어 기구에 의해 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록, 블록별로 독립 제어된다.(Action and effect) According to this structure, a gas supply mechanism is divided into several block according to the distance from the center of a workpiece | work. And the pressure of the gas supplied from a gas supply mechanism is controlled independently block by block so that it may change step by step from the center of a workpiece | work to the outer edge part by a supply control mechanism.

워크의 휨은, 일반적으로 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 휨의 양이 단계적으로 변화되는 형상으로 되어 있다. 그 때문에, 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을, 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록 제어함으로써, 워크 중 휨이 큰 부분에 대해서는 고압의 기체를 공급하는 한편, 워크 중 휨이 작은 부분에는 비교적 낮은 압력의 기체를 공급할 수 있다. 따라서, 워크에 새로운 왜곡을 발생시키지 않고, 휨을 빠르게 교정하여 평탄화할 수 있다.The warpage of the workpiece is generally in a shape in which the amount of warpage changes stepwise from the center toward the outer edge portion. Therefore, by controlling the pressure of the gas supplied from the gas supply mechanism to be changed step by step from the center of the work toward the outer edge portion, the high pressure gas is supplied to the large warp portion of the work, This small portion can be supplied with relatively low pressure gas. Therefore, the warping can be quickly corrected and flattened without generating new distortion in the work.

또한, 상술한 발명에 있어서, 복수 마련되어 있는 상기 흡착 구멍은 복수의 블록으로 분할되어 있고, 상기 흡착 구멍을 통하여 상기 워크를 흡착하는 힘을 상기 블록별로 독립 제어하는 흡착 제어 기구를 구비하는 것이 바람직하다.Moreover, in the above-mentioned invention, it is preferable that the said adsorption hole provided in plurality is divided into several block, and is provided with the adsorption control mechanism which independently controls the force which adsorb | sucks the said workpiece for every said block through the said adsorption hole. .

(작용·효과) 이 구성에 의하면, 복수 마련되어 있는 흡착 구멍을 복수의 블록으로 분할하고, 흡착 구멍을 통하여 워크를 흡착하는 힘은 흡착 제어 기구에 의해 블록별로 독립 제어된다. 이 경우, 워크 중 휨이 큰 부분에 대응하는 흡착 구멍과, 휨이 작은 부분에 대응하는 흡착 구멍을 각각 상이한 블록으로 분할하고, 블록별로 워크를 흡착하는 힘을 독립 제어할 수 있다. 따라서, 상기 방법을 적합하게 실행할 수 있다.(Action and effect) According to this structure, the force which adsorbs a several adsorption hole provided in several block, and adsorb | sucks a workpiece | work through an adsorption hole is controlled independently block by block by a suction control mechanism. In this case, the suction hole corresponding to the part with large deflection of the workpiece | work and the suction hole corresponding to the part with small deflection | segmentation are divided into different blocks, respectively, and the force which adsorb | sucks a workpiece | work by block can be controlled independently. Thus, the method can be suitably carried out.

또한, 상술한 발명에 있어서, 복수 마련되어 있는 상기 흡착 구멍은 상기 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할되어 있고, 상기 흡착 제어 기구는, 상기 흡착 구멍을 통하여 상기 워크를 흡착하는 힘을, 상기 워크의 중심부로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록 상기 블록별로 독립 제어하는 것이 바람직하다.Moreover, in the above-mentioned invention, the said adsorption hole provided in plurality is divided into several block according to the distance from the center of the said workpiece | work, and the said adsorption control mechanism has the force which adsorb | sucks the said workpiece | work through the said adsorption hole. Independent control of each block is performed so as to change step by step from the center of the workpiece toward the outer edge portion.

(작용·효과) 이 구성에 의하면, 복수의 흡착 구멍을 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할하고, 흡착 구멍을 통하여 워크를 흡착하는 힘은, 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록, 흡착 제어 기구에 의해 블록별로 독립 제어된다.(Action and effect) According to this structure, the several adsorption hole is divided into several blocks according to the distance from the center of a workpiece | work, and the force which adsorb | sucks a workpiece | work through an adsorption hole is directed toward the outer edge part from the center of a workpiece | work. Therefore, it is controlled independently block by block by the adsorption control mechanism so as to change in stages.

워크의 휨은, 일반적으로 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 휨의 양이 단계적으로 변화되는 형상으로 되어 있다. 그 때문에, 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 흡착력을 단계적으로 변화되도록 제어함으로써, 워크 중 휨이 큰 부분은 강한 힘으로 흡착되는 한편, 워크 중 휨이 작은 부분은 비교적 약한 힘으로 흡착된다. 따라서, 워크에 새로운 왜곡을 발생시키지 않고, 휨을 빠르게 교정하여 평탄화할 수 있다.The warpage of the workpiece is generally in a shape in which the amount of warpage changes stepwise from the center toward the outer edge portion. Therefore, by controlling the adsorption force to be changed stepwise from the center of the work toward the outer edge portion, the large warpage portion of the work is adsorbed with a strong force, while the small warpage portion of the work is adsorbed with a relatively weak force. Therefore, the warping can be quickly corrected and flattened without generating new distortion in the work.

본 발명에 따른 워크 교정 방법 및 워크 교정 장치에 의하면, 보유 지지 테이블의 상방에 마련되어 있는 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력에 의해 워크를 평탄한 보유 지지 테이블에 압박시킴과 함께, 보유 지지 테이블에 마련되어 있는 흡착 구멍을 통하여 워크의 하면을 보유 지지 테이블에 흡착시킨다. 이 경우, 플레이트 등의 부재를 워크의 상면에 접촉시키지 않고, 워크의 상면에 공급되는 기체에 의해 워크를 압박시킨다. 따라서, 워크에 변형이나 손상을 끼치는 일 없이, 당해 워크를 평탄하게 교정할 수 있다.According to the workpiece | work straightening method and workpiece | work straightening apparatus which concern on this invention, while pressing a workpiece | work to a flat holding table by the pressure of the gas supplied from the gas supply mechanism provided above the holding table, it is provided in the holding table. The lower surface of the workpiece is sucked to the holding table through the suction hole. In this case, the workpiece is pressed by the gas supplied to the upper surface of the workpiece without bringing a member such as a plate into contact with the upper surface of the workpiece. Therefore, the workpiece can be straightened without causing any deformation or damage to the workpiece.

도 1은, 실시예 1에 관한 워크 교정 장치의 기본 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2는, 실시예 1에 관한 워크 교정 장치의 주요부를 도시하는 도면이며, (a)는 보유 지지 테이블의 평면도이고, (b)는 보유 지지 테이블의 종단면도이다.
도 3은, 실시예 1에 관한 워크 교정 장치의 주요부를 도시하는 도면이며, (a)는 가압 기구의 평면도이고, (b)는 가압 기구의 종단면도이다.
도 4는, 웨이퍼에 발생하는 일반적인 휨의 형상을 도시하는 도면이며, (a)는 제1 패턴을 도시하는 종단면도이고, (b)는 제2 패턴을 도시하는 종단면도이다.
도 5는, 실시예 1에 관한 워크 교정 장치의 동작을 도시하는 도면이며, (a)는 웨이퍼를 보유 지지 테이블의 지지 핀으로 수취하는 상태를 도시하는 종단면도이고, (b)는 웨이퍼를 보유 지지 테이블의 적재면에 적재된 상태를 도시하는 종단면도이다.
도 6은, 실시예 1에 관한 워크 교정 장치의 동작을 도시하는 정면도이며, (a)는 보유 지지 테이블에 의한 웨이퍼의 흡인을 실행하고 있는 상태를 도시하는 종단면도이고, (b)는 기체 분사 노즐에 의한 기체의 분사를 실행하고 있는 상태를 도시하는 종단면도이다.
도 7은, 실시예 1에 관한 워크 교정 장치의 동작을 도시하는 정면도이며, (a)는 웨이퍼의 휨이 교정되어 가는 상태를 도시하는 종단면도이고, (b)는 웨이퍼가 평탄해지고, 보유 지지 테이블에 흡착되고 있는 상태를 도시하는 종단면도이다.
도 8은, 실시예 2에 관한 워크 교정 장치의 주요부를 도시하는 도면이며, (a)는 보유 지지 테이블의 평면도이고, (b)는 보유 지지 테이블의 종단면도이다.
도 9는, 실시예 2에 관한 워크 교정 장치의 주요부를 도시하는 도면이며, (a)는 가압 기구의 평면도이고, (b)는 가압 기구의 종단면도이다.
도 10은, 실시예 2에 관한 워크 교정 장치의 동작을 도시하는 도면이다.
도 11은, 실시예 2에 관한 워크 교정 장치의 동작을 도시하는 도면이다.
도 12는, 변형예에 관한 워크 교정 장치의 구성을 도시하는 도면이며, (a)는 링 형상의 지지부를 구비하는 변형예에 관한 보유 지지 테이블의 평면도이고, (b)는 교정 장치의 종단면도이고, (c)는 핀 형상의 지지부를 구비하는 변형예에 관한 보유 지지 테이블의 평면도이다.
도 13은, 변형예에 관한 워크 교정 장치의 구성을 도시하는 도면이며, (a)는 교정 장치의 구성을 도시하는 종단면도이고, (b)는 교정 장치에 있어서 기체를 분사시키는 동작을 도시하는 종단면도이고, (c)는 교정 장치에 있어서 분사된 기체가 외측 모서리부를 향하여 넓어져 가는, 웨이퍼의 중앙부에서 외측 모서리부에 걸쳐 평탄하게 교정해 가는 상태를 도시하는 종단면도이다.
도 14는, 변형예에 관한 워크 교정 장치의 구성을 도시하는 도면이며, (a)는 변형예에 있어서 기체 분사 노즐을 복수 블록으로 분할하는 구성을 도시하는 도면이고, (b)는 웨이퍼에 형성되는 휨의 형상의 일례를 도시하는 도면이다.1 is a perspective view showing a basic configuration of a workpiece calibration apparatus according to the first embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing a main part of the work straightening device according to the first embodiment, (a) is a plan view of the holding table, and (b) is a longitudinal sectional view of the holding table.
FIG. 3 is a diagram showing a main part of the workpiece correcting apparatus according to the first embodiment, (a) is a plan view of the pressing mechanism, and (b) is a longitudinal sectional view of the pressing mechanism.
4 is a view showing a shape of general warpage occurring in the wafer, (a) is a longitudinal cross-sectional view showing the first pattern, and (b) is a longitudinal cross-sectional view showing the second pattern.
FIG. 5 is a view showing the operation of the workpiece calibration apparatus according to the first embodiment, (a) is a longitudinal cross-sectional view showing a state of receiving a wafer with a support pin of a holding table, and (b) holds a wafer It is a longitudinal cross-sectional view which shows the state mounted on the mounting surface of the support table.
Fig. 6 is a front view showing the operation of the workpiece correcting apparatus according to the first embodiment, (a) is a longitudinal sectional view showing a state in which suction of the wafer by the holding table is performed, and (b) is gas injection. It is a longitudinal cross-sectional view which shows the state which is spraying gas by a nozzle.
Fig. 7 is a front view showing the operation of the workpiece correcting apparatus according to the first embodiment, (a) is a longitudinal sectional view showing a state in which the warping of the wafer is corrected, and (b) the wafer is flattened and held. It is a longitudinal cross-sectional view which shows the state attracted to the table.
FIG. 8: is a figure which shows the principal part of the workpiece | work straightening apparatus which concerns on Example 2, (a) is a top view of a holding table, (b) is a longitudinal cross-sectional view of a holding table.
FIG. 9 is a diagram showing a main part of the workpiece correcting apparatus according to the second embodiment, (a) is a plan view of the pressing mechanism, and (b) is a longitudinal sectional view of the pressing mechanism.
FIG. 10 is a diagram illustrating the operation of the workpiece calibration apparatus according to the second embodiment. FIG.
FIG. 11 is a diagram illustrating the operation of the workpiece calibration apparatus according to the second embodiment. FIG.
It is a figure which shows the structure of the workpiece | work straightening apparatus which concerns on a modification, (a) is a top view of the holding table which concerns on the modification which has a ring-shaped support part, (b) is a longitudinal cross-sectional view of a straightening apparatus. (C) is a top view of the holding table which concerns on the modification provided with a pin-shaped support part.
FIG. 13 is a diagram showing the configuration of a workpiece calibrating apparatus according to a modification, (a) is a longitudinal sectional view showing the structure of the calibrating apparatus, and (b) shows an operation of injecting a gas in the calibrating apparatus. It is a longitudinal cross-sectional view, (c) is a longitudinal cross-sectional view which shows the state which the gas which injected in the straightening apparatus spreads toward an outer edge part, and is calibrating flatly from the center part of a wafer to an outer edge part.
It is a figure which shows the structure of the workpiece | work straightening apparatus which concerns on a modification, (a) is a figure which shows the structure which divides a gas injection nozzle into a several block in a modification, (b) is formed in a wafer. It is a figure which shows an example of the shape of the warpage which becomes.

[실시예 1]Example 1

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 1을 설명한다. 또한, 본 실시예에서는, 교정하여 평탄화시킬 대상인 워크로서, 표면에 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 W(이하, 단순히 「웨이퍼 W」라고 약칭함)를 사용하는 구성을 예시하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, Embodiment 1 of this invention is described with reference to drawings. In the present embodiment, a structure using a semiconductor wafer W (hereinafter simply abbreviated as " wafer W ") having a circuit pattern formed on the surface as a workpiece to be calibrated and planarized will be described.

<전체 구성의 설명><Description of entire configuration>

도 1에 도시한 바와 같이, 실시예 1에 관한 웨이퍼 처리 장치(1)는, 웨이퍼 수납부(3), 웨이퍼 반송 기구(5) 및 교정 장치(7) 등을 구비하고 있다.As shown in FIG. 1, the wafer processing apparatus 1 which concerns on Example 1 is equipped with the wafer accommodating part 3, the wafer conveyance mechanism 5, the calibration apparatus 7, etc. As shown in FIG.

웨이퍼 수납부(3)는, 일례로서 웨이퍼 W를 수납하는 카세트 C를 구비하고 있다. 카세트 C에는 다수매의 웨이퍼 W가, 회로 형성면(표면)을 상향으로 한 수평 자세로 다단으로 삽입 수납되어 있다.The wafer accommodating part 3 is equipped with the cassette C which accommodates the wafer W as an example. In the cassette C, a plurality of wafers W are inserted and stored in multiple stages in a horizontal posture with the circuit formation surface (surface) upward.

웨이퍼 반송 기구(5)는, 반송 암(6)을 구비하고 있고, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 수평 진퇴, 선회 및 승강 가능하게 되도록 구성되어 있다. 반송 암(6)의 선단에는 말굽형 웨이퍼 보유 지지부(6a)가 마련되어 있다. 반송 암(6)은, 카세트 C에 다단 수납된 웨이퍼 W끼리의 간극을, 웨이퍼 보유 지지부(6a)가 진퇴 가능하게 구성되어 있다.The wafer conveyance mechanism 5 is provided with the conveyance arm 6, and is comprised so that horizontal advancement, turning, and raising / lowering are possible by the drive mechanism which is not shown in figure. The horseshoe wafer holding part 6a is provided in the front-end | tip of the conveyance arm 6. As shown in FIG. The conveyance arm 6 is comprised so that the wafer holding part 6a can advance and retreat the clearance gap between the wafer W accommodated in the cassette C in multiple stages.

웨이퍼 보유 지지부(6a)에는 흡착 구멍이 마련되어 있고, 웨이퍼 W를 이면으로부터 진공 흡착하여 보유 지지하도록 구성되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(5)는, 구동 기구에 의해, 반송 암(6)의 웨이퍼 보유 지지부(6a)의 위치가 조정된다. 그리고 웨이퍼 보유 지지부(6a)는 웨이퍼 W를, 웨이퍼 수납부(3)의 카세트 C로부터 보유 지지 테이블(7)로 반송한다. 반송되는 웨이퍼 W가 더듬어 가는 경로는, 도 1에 있어서 화살표 K로 나타내고 있다.The wafer holding portion 6a is provided with suction holes, and is configured to hold the wafer W by vacuum suction from the back surface thereof. The position of the wafer holding part 6a of the transfer arm 6 is adjusted by the drive mechanism of the wafer transfer mechanism 5. And the wafer holding part 6a conveys the wafer W from the cassette C of the wafer accommodating part 3 to the holding table 7. The path | route which the wafer W conveyed follows is shown by the arrow K in FIG.

교정 장치(7)는, 보유 지지 테이블(9)과 가압 기구(11)를 구비하고 있다. 보유 지지 테이블(9)은 일례로서 금속제 또는 세라믹제 척 테이블이고, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 W를 적재시키는 평탄한 웨이퍼 적재부(13)를 구비하고 있다. 웨이퍼 적재부(13)에는 복수의 지지 핀(15) 및 흡착 구멍(17)이 구비되어 있다. 교정 장치(7)는 본 발명에 있어서의 워크 교정 장치에 상당한다.The calibration device 7 is provided with the holding table 9 and the press mechanism 11. The holding table 9 is, for example, a metal or ceramic chuck table, and has a flat wafer stacking portion 13 for loading a wafer W, as shown in FIGS. 2A and 2B. Doing. The wafer mounting portion 13 is provided with a plurality of support pins 15 and suction holes 17. The calibration device 7 corresponds to the work calibration device in the present invention.

또한 도 2의 (a)에 있어서, 웨이퍼 W가 적재되는 위치를 부호 R이 첨부된 점선으로 나타내었다. 본 실시예에서는, 웨이퍼 W의 중심과 웨이퍼 적재부(13)의 중심이 일치하도록 웨이퍼 W를 적재시키는 것으로 한다.In addition, in FIG. 2A, the position where the wafer W is loaded is shown by the dotted line with the code | symbol R attached. In the present embodiment, the wafer W is loaded so that the center of the wafer W and the center of the wafer mounting portion 13 coincide with each other.

지지 핀(15)은 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 실린더(16)에 의해 진퇴 승강 가능하도록 구성되어 있다. 즉 실린더(16)에 의해 상승함으로써, 각각의 지지 핀(15)의 선단은 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 적재부(13)로부터 돌출된다. 또한 실린더(16)에 의해 하강함으로써, 각각의 지지 핀(15)의 선단은 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 적재부(13)에 내장된다.As shown in FIG. 4A, the support pin 15 is configured to be capable of moving up and down by the cylinder 16. That is, by raising by the cylinder 16, the front-end | tip of each support pin 15 protrudes from the wafer mounting part 13, as shown to Fig.4 (a). Moreover, by lowering by the cylinder 16, the front-end | tip of each support pin 15 is built in the wafer mounting part 13, as shown to FIG. 4 (b).

흡착 구멍(17)은 도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 적재부(13)의 표면에 복수 마련되어 있다. 실시예 1에 있어서, 흡착 구멍(17)의 각각은 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 적재부(13)의 하부에서 통합되어, 전자 밸브(18)를 구비한 유로(19)를 통하여 진공 장치(20)과 연통 접속되어 있다.As shown in FIG. 2A, a plurality of suction holes 17 are provided on the surface of the wafer mounting portion 13. In Example 1, each of the adsorption holes 17 is integrated in the lower part of the wafer loading part 13, as shown in FIG. 2B, and the flow path 19 provided with the solenoid valve 18 is shown. It is connected to the vacuum apparatus 20 via the communication.

전자 밸브(18)의 개폐 및 진공 장치(20)의 동작은, 제어부(21)에 의해 각각 제어되고 있다. 진공 장치(20)를 사용하여 진공 흡인을 행함으로써, 웨이퍼 적재부(13)는 적재된 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지한다. 또한 설명의 편의상, 도 2의 (b)에 있어서, 지지 핀(15) 및 실린더(16)를 생략하였다.The opening and closing of the solenoid valve 18 and the operation | movement of the vacuum apparatus 20 are controlled by the control part 21, respectively. By performing vacuum suction using the vacuum apparatus 20, the wafer loading part 13 sucks and holds the loaded wafer W. As shown in FIG. In addition, for convenience of description, the support pin 15 and the cylinder 16 are abbreviate | omitted in FIG.2 (b).

가압 기구(11)는, 도 1 등에 도시하는 바와 같이, 보유 지지 테이블(9)의 상방에 마련되어 있다. 가압 기구(11)는 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 가동대(23)와 기체 공급 유닛(25)을 구비하고 있다. 가동대(23)는, 도시하지 않은 지주에 따라 승강 가능하도록 구성되어 있다.The pressurization mechanism 11 is provided above the holding table 9, as shown in FIG. The pressurization mechanism 11 is equipped with the movable table 23 and the gas supply unit 25, as shown to Fig.3 (a). The movable stand 23 is comprised so that lifting and lowering is possible with the prop which is not shown in figure.

기체 공급 유닛(25)은 가동대(23)의 하부에 배치되어 있고, 가동대(23)의 승강 이동에 의해 기체 공급 유닛(25)도 승강 이동한다. 기체 공급 유닛(25)은, 보유 지지 테이블(9)에 적재된 웨이퍼 W에 대하여 기체를 분사하는 구성을 갖고 있다.The gas supply unit 25 is disposed below the movable table 23, and the gas supply unit 25 also moves up and down by moving up and down of the movable table 23. The gas supply unit 25 has a structure in which gas is injected to the wafer W loaded on the holding table 9.

기체 공급 유닛(25)의 형상 및 크기는 워크(본 실시예에서는 웨이퍼 W)의 형상 및 크기에 따라서 적절히 조정할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 기체 공급 유닛(25)은 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 W보다 약간 큰 직경의 원형으로 되어 있다. 기체 공급 유닛(25)의 하면에는 기체 분사 노즐(27)이 배치되어 있다.The shape and size of the gas supply unit 25 can be appropriately adjusted according to the shape and size of the work (wafer W in this embodiment). In this embodiment, the gas supply unit 25 has a circular shape with a diameter slightly larger than that of the wafer W, as shown in Fig. 3B. The gas injection nozzle 27 is arrange | positioned at the lower surface of the gas supply unit 25. As shown in FIG.

실시예 1에 있어서, 기체 분사 노즐(27)은 복수 마련되어 있다. 각각의 기체 분사 노즐(27)은 기체 공급 유닛(25)의 상부에서 통합되어 있고, 전자 밸브(29)를 구비한 유로(30)를 통하여 펌프(31)와 연통 접속되어 있다.In Example 1, the gas injection nozzle 27 is provided in plurality. Each gas injection nozzle 27 is integrated in the upper part of the gas supply unit 25, and is connected with the pump 31 via the flow path 30 provided with the solenoid valve 29.

즉, 펌프(31)는 유로(30)를 통하여, 기체 분사 노즐(27)로 기체를 공급한다. 그리고 보유 지지 테이블(9) 상의 웨이퍼 W에 대하여, 상방에 위치하는 기체 분사 노즐(27)로부터 기체가 분사되도록 구성되어 있다. 기체 분사 노즐(27)은, 본 발명에 있어서의 기체 공급 기구에 상당한다.That is, the pump 31 supplies gas to the gas injection nozzle 27 through the flow path 30. The gas is injected from the gas injection nozzle 27 located above the wafer W on the holding table 9. The gas injection nozzle 27 is corresponded to the gas supply mechanism in this invention.

전자 밸브(29)의 개폐 및 펌프(31)의 동작은, 제어부(21)에 의해 통괄 제어된다. 또한 제어부(21)는, 교정 장치(7)에 있어서의 각종 동작 외에, 지지 핀(15)의 승강 이동이나 반송 암(6)의 각종 동작 등, 웨이퍼 처리 장치(1)의 각종 동작에 대해서도 통괄 제어한다. 제어부(21)는, 본 발명에 있어서의 공급 제어 기구 및 흡착 제어 기구에 상당한다.The opening and closing of the solenoid valve 29 and the operation of the pump 31 are collectively controlled by the control unit 21. In addition to the various operations in the calibration apparatus 7, the control unit 21 also integrates various operations of the wafer processing apparatus 1 such as lifting and lowering of the support pins 15 and various operations of the transfer arm 6. To control. The control unit 21 corresponds to the supply control mechanism and the adsorption control mechanism in the present invention.

여기서, 웨이퍼 W의 휨 형상에 대하여 설명한다. 웨이퍼 W에 휨이 발생하는 경우, 웨이퍼 W는 활 모양으로 만곡된 형상, 즉 중앙부로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 휨이 커지는 형상으로 되는 것이 일반적이다. 즉, 휨이 발생한 웨이퍼 W를, 회로 형성면을 상향으로 하여 평탄한 웨이퍼 적재부(13)에 적재시킨 경우, 정면에서 본 웨이퍼 W와 웨이퍼 적재부(13)의 위치 관계는, 도 4의 (a)에 도시하는 패턴 또는 도 4의 (b)에 도시하는 패턴이 된다.Here, the warpage shape of the wafer W will be described. When warpage occurs in the wafer W, the wafer W generally has a bow-shaped shape, that is, a shape in which the warpage increases as it goes from the center portion to the outer edge portion. That is, when the wafer W in which warping has occurred is placed on the flat wafer stacking portion 13 with the circuit forming surface upward, the positional relationship between the wafer W and the wafer stacking portion 13 viewed from the front is shown in FIG. ), Or the pattern shown to FIG. 4B.

도 4의 (a)에 나타내는 제1 패턴에서는, 웨이퍼 W의 중앙부에 있어서 웨이퍼 적재부(13)와 웨이퍼 W가 접하고 있다. 그리고 웨이퍼 W의 외측 모서리부를 향함에 따라, 웨이퍼 W는 웨이퍼 적재부(13)로부터의 부상이 커진다. 즉 웨이퍼 W와 웨이퍼 적재부(13)의 표면 사이의 거리 T는, 웨이퍼 W의 중앙부로부터 외측 모서리부로 접근함에 따라 커지고, 웨이퍼 W의 외측 모서리부에 있어서 최대가 된다.In the first pattern shown in FIG. 4A, the wafer mounting portion 13 and the wafer W are in contact with each other at the center portion of the wafer W. As shown in FIG. As the wafer W faces the outer edge portion, the wafer W rises from the wafer stack 13. In other words, the distance T between the wafer W and the surface of the wafer mounting portion 13 becomes larger as it approaches the outer edge from the center of the wafer W, and becomes maximum at the outer edge of the wafer W. FIG.

한편, 도 4의 (b)에 도시하는 제2 패턴에서는, 웨이퍼 W의 외측 모서리부에 있어서 웨이퍼 적재부(13)와 웨이퍼 W가 접하고 있다. 그리고, 웨이퍼 W와 웨이퍼 적재부(13)의 표면 사이의 거리 T는, 웨이퍼의 외측 모서리부로부터 웨이퍼 W의 중앙부에 접근함에 따라 커지고, 웨이퍼 W의 중앙부에 있어서 최대가 된다. 또한 실시예 1에 있어서, 웨이퍼 W에는 도 4의 (a)에 도시하는 제1 패턴의 휨이 발생한 것으로 한다.On the other hand, in the second pattern shown in FIG. 4B, the wafer loading portion 13 and the wafer W are in contact with the outer edge portion of the wafer W. In FIG. And the distance T between the wafer W and the surface of the wafer mounting part 13 becomes large as it approaches the center part of the wafer W from the outer edge part of a wafer, and becomes the largest in the center part of the wafer W. As shown in FIG. In Example 1, it is assumed that the warp of the first pattern shown in FIG. 4A occurs on the wafer W. As shown in FIG.

<동작의 설명><Description of the operation>

이어서, 실시예 1에 관한 교정 장치(7)가 구비된 웨이퍼 처리 장치(1)를 사용하여, 웨이퍼 W를 교정하여 평탄화시키기 위한 일련의 동작을 설명한다.Next, a series of operations for calibrating and planarizing the wafer W using the wafer processing apparatus 1 equipped with the calibration device 7 according to the first embodiment will be described.

웨이퍼 처리 장치(1)의 동작을 개시하면, 지지 핀(15)의 선단이 웨이퍼 적재부(13)의 적재면으로부터 돌출됨과 함께, 웨이퍼 반송 기구(5)의 반송 암(6)이 웨이퍼 수납부(3)의 카세트 C에 삽입된다. 반송 암(6)의 웨이퍼 보유 지지부(6a)는, 소정의 웨이퍼 W를 이면측에서 흡착 보유 지지하여 취출하고, 교정 장치(7)의 보유 지지 테이블(9) 상으로 반송한다.When the operation of the wafer processing apparatus 1 starts, the tip of the support pin 15 protrudes from the mounting surface of the wafer stacking portion 13, and the transfer arm 6 of the wafer transfer mechanism 5 moves to the wafer storage portion. It is inserted into the cassette C of (3). The wafer holding part 6a of the conveyance arm 6 suction-holds a predetermined wafer W from the back surface side, takes it out, and conveys it onto the holding table 9 of the calibration device 7.

웨이퍼 보유 지지부(6a)에 의해 이면 흡착되어 있는 웨이퍼 W는, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 보유 지지 테이블(9)로부터 돌출되어 있는 복수개의 지지 핀(15)에 적재된다. 그 후, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 지지 핀(15)이 하강하여, 웨이퍼 W는 웨이퍼 적재부(13)의 상면에 적재된다.The wafer W adsorbed on the back surface by the wafer holding part 6a is mounted on the plurality of supporting pins 15 protruding from the holding table 9 as shown in FIG. 5 (a). Thereafter, as shown in FIG. 5B, the support pin 15 is lowered, and the wafer W is loaded on the upper surface of the wafer stacking portion 13.

웨이퍼 W가 보유 지지 테이블(9)에 적재되면, 제어부(21)는 진공 장치(20)를 작동시킴과 함께, 전자 밸브(18)를 개방한다. 당해 제어에 의해, 웨이퍼 적재부(13)에 적재되어 있는 웨이퍼 W의 이면은, 흡착 구멍(17)을 통하여 흡인된다.When the wafer W is placed on the holding table 9, the control unit 21 operates the vacuum apparatus 20 and opens the solenoid valve 18. By the said control, the back surface of the wafer W mounted in the wafer mounting part 13 is attracted through the suction hole 17. As shown in FIG.

이때, 웨이퍼 W의 중앙부는 웨이퍼 적재부(13)와 접하고 있기 때문에, 중심부에 있어서의 웨이퍼 W의 이면은 웨이퍼 적재부(13)에 의해 안정적으로 흡착 보유 지지된다. 웨이퍼 W의 적어도 일부가 흡착 보유 지지됨으로써, 웨이퍼 적재부(13)에 적재되어 있는 웨이퍼 W의 위치를 고정할 수 있다. 한편, 웨이퍼 W의 외측 모서리부는 웨이퍼 적재부(13)로부터 부상되어 있기 때문에, 외측 모서리부에 있어서의 웨이퍼 W의 이면은 웨이퍼 적재부(13)의 적재면에 흡착되어 있지 않다. 즉 이 시점에서는 웨이퍼 W의 이면 전체를 흡착 보유 지지하는 상태에는 이르지 못하고 있다.At this time, since the center portion of the wafer W is in contact with the wafer loading portion 13, the back surface of the wafer W in the center portion is stably sucked and held by the wafer loading portion 13. By at least a part of the wafer W being held by adsorption, the position of the wafer W loaded on the wafer loading section 13 can be fixed. On the other hand, since the outer edge portion of the wafer W is lifted up from the wafer stacking portion 13, the back surface of the wafer W at the outer edge portion is not adsorbed to the stacking surface of the wafer stacking portion 13. That is, at this point of time, the state in which the entire back surface of the wafer W is adsorbed and held is not reached.

그래서, 제어부(21)는 보유 지지 테이블(9)에 의한 웨이퍼 W의 흡착을 속행시키면서, 가압 기구(11)를 제어함으로써 웨이퍼 W를 비접촉으로 상방으로부터 가압하는 조작을 행한다. 즉 제어부(21)는 가동부(23)를 하강시켜, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 기체 분사 노즐(27)의 분사구를 웨이퍼 W의 표면에 접근시킨다. 또한 제어부(21)는 전자 밸브(29)를 개방시킴과 함께, 펌프(31)를 작동시켜, 기체 분사 노즐(27)에 기체를 공급시킨다.Therefore, the control part 21 performs the operation which pressurizes the wafer W from upper direction non-contactedly by controlling the pressurizing mechanism 11, continuing the adsorption | suction of the wafer W by the holding table 9. As shown in FIG. That is, the control part 21 lowers the movable part 23, and makes the injection port of the gas injection nozzle 27 approach the surface of the wafer W, as shown to Fig.6 (a). The control unit 21 opens the solenoid valve 29 and operates the pump 31 to supply gas to the gas injection nozzle 27.

기체 분사 노즐(27)의 각각은 도 6의 (b)에 도시하는 바와 같이, 공급된 기체를 웨이퍼 W의 표면을 향하여 분사시킨다. 분사된 기체 N의 압력에 의해, 웨이퍼 W는 웨이퍼 적재부(13)의 적재면을 향하여 하방으로 압박된다.Each of the gas injection nozzles 27 injects the supplied gas toward the surface of the wafer W, as shown in Fig. 6B. By the pressure of the injected gas N, the wafer W is pressed downward toward the loading surface of the wafer loading portion 13.

그 결과, 웨이퍼 적재부(13)로부터 부상되어 있던 웨이퍼 W의 외측 모서리부는 서서히 웨이퍼 적재부(13)의 적재면에 가까워진다(도 7의 (a)). 즉, 서서히 웨이퍼 W의 휨이 교정되어서 평탄해져 간다. 또한, 이때 웨이퍼 W의 중앙부는 웨이퍼 적재부(13)에 흡착되어 있으므로, 기체 N이 분사됨으로써 웨이퍼 W의 위치가 어긋난다는 사태를 확실하게 방지할 수 있다.As a result, the outer edge portion of the wafer W, which has floated from the wafer stacking portion 13, gradually approaches the stacking surface of the wafer stacking portion 13 (FIG. 7A). That is, the warpage of the wafer W is gradually corrected and flattened. In addition, since the center part of the wafer W is adsorb | sucked by the wafer mounting part 13 at this time, the situation that the position of the wafer W is shifted | deviated by gas N injection can be reliably prevented.

그리고, 웨이퍼 W의 외측 모서리부가 웨이퍼 적재부(13)의 적재면에 가까워짐으로써, 웨이퍼 W의 중앙부뿐만 아니라, 웨이퍼 W의 외측 모서리부도 흡착 구멍(17)을 통하여 보유 지지 테이블(9)에 흡착되어, 웨이퍼 W는 평탄화된다(도 7의 (b)). 웨이퍼 W를 평탄화시킴으로써, 웨이퍼 W의 이면 전체가 웨이퍼 적재부(13)에 흡착된다. 따라서, 웨이퍼 W는 보유 지지 테이블(9)에 의해 안정적으로 흡착 보유 지지된다.And since the outer edge part of the wafer W approaches the loading surface of the wafer mounting part 13, not only the center part of the wafer W but also the outer edge part of the wafer W is adsorb | sucked to the holding table 9 through the suction hole 17. The wafer W is planarized (FIG. 7B). By planarizing the wafer W, the entire back surface of the wafer W is attracted to the wafer loading portion 13. Therefore, the wafer W is stably sucked and held by the holding table 9.

이와 같이, 기체 분사 노즐(27)로부터 웨이퍼 W에 기체 N을 분사함으로써, 비접촉의 상태 즉 압박 플레이트 등의 부재에 의한 기계적 접촉을 행하지 않는 상태라 해도, 기체 N의 압력에 의해 웨이퍼의 휨을 고정밀도로 교정할 수 있다.Thus, by injecting gas N from the gas injection nozzle 27 to the wafer W, even if it is in a non-contact state, that is, a state in which mechanical contact by a member such as a pressing plate is not performed, the warpage of the wafer can be precisely performed by the pressure of the gas N. You can correct it.

웨이퍼 W를 평탄화시켜서 웨이퍼 W의 이면 전체를 보유 지지 테이블(9)에 흡착시킨 후, 기체 분사 노즐(27)에 의한 기체 N의 분사와 흡착 구멍(17)을 통한 흡인을 추가로 소정 시간 속행시킨다. 충분히 웨이퍼 W의 교정이 행하여진 후, 제어부(21)는 전자 밸브(18 및 29)를 폐쇄함과 함께, 진공 장치(20) 및 펌프(31)의 작동을 정지시킨다. 이상의 공정에 의해, 실시예 1에 관한 교정 장치(7)가 구비된 웨이퍼 처리 장치(1)를 사용하여, 웨이퍼 W를 교정하여 평탄화시키기 위한 일련 동작은 완료된다.After flattening the wafer W to adsorb the entire back surface of the wafer W to the holding table 9, the injection of the gas N by the gas injection nozzle 27 and the suction through the suction hole 17 are continued for a predetermined time. . After the wafer W is sufficiently calibrated, the control unit 21 closes the solenoid valves 18 and 29 and stops the operation of the vacuum apparatus 20 and the pump 31. By the above process, the serial operation | movement for calibrating and planarizing the wafer W is completed using the wafer processing apparatus 1 with which the calibration apparatus 7 concerning Example 1 was equipped.

교정 과정이 완료되어 평탄화된 웨이퍼 W는, 반송 암(6) 등의 반송 수단에 의해 교정 장치(7)로부터 반출되어, 웨이퍼 W에 점착 테이프를 첩부하는 공정을 예로 하는, 이후의 공정이 행하여진다. 이상으로 일순의 동작이 종료되고, 이후 동일한 동작이 반복된다.The wafer W which has been calibrated and flattened is carried out from the calibration apparatus 7 by a conveying means such as the transfer arm 6, and a subsequent step is taken as an example of a step of attaching the adhesive tape to the wafer W. . The above-described operation is finished, and the same operation is repeated thereafter.

<실시예 1의 구성에 의한 효과><Effect by the structure of Example 1>

실시예 1에 관한 구성에서는, 보유 지지 테이블(9)에 적재시킨 웨이퍼 W에 대하여, 보유 지지 테이블(9)에 마련되어 있는 흡착 구멍을 통하여 흡착을 행함과 함께, 웨이퍼 W의 상방에 마련되어 있는 기체 분사 노즐(27)을 통하여 웨이퍼 W에 기체 N을 분사한다.In the structure concerning Example 1, while adsorb | sucking through the adsorption hole provided in the holding table 9 with respect to the wafer W mounted on the holding table 9, the gas injection provided above the wafer W is carried out. Gas N is injected into the wafer W through the nozzle 27.

즉, 분사된 기체 N의 압력에 의해, 웨이퍼 W는 보유 지지 테이블(9)의 적재면을 향하여 압박된다. 따라서, 웨이퍼 W에 대하여 충분한 압력을 가할 수 있으므로, 웨이퍼 W의 휨을 확실하게 교정하여 평탄화할 수 있다.That is, the wafer W is urged toward the mounting surface of the holding table 9 by the pressure of the injected gas N. As shown in FIG. Therefore, since sufficient pressure can be applied to the wafer W, the warpage of the wafer W can be reliably corrected and flattened.

또한 웨이퍼 W를 교정할 때, 상향으로 노출되어 있는 웨이퍼 W의 회로면에 대하여 압박 플레이트 등의 부재가 물리적으로 접촉하는 일이 없고, 기체 N이 분사되는 데 그친다. 따라서, 물리적 접촉에 의해 웨이퍼 W의 회로에 손상 등의 문제가 발생한다는 사태를 확실하게 피할 수 있다. 따라서, 회로면이 노출되어 있는 웨이퍼 W 등 종래의 교정 장치로는 대응이 곤란한 워크라도, 실시예 1에 관한 교정 장치(7)는 당해 워크를 확실하고도 고정밀도로 교정할 수 있다.Moreover, when calibrating the wafer W, the member such as the pressing plate does not physically contact the circuit surface of the wafer W which is exposed upward, and gas N is only injected. Therefore, it is possible to reliably avoid the situation that a problem such as damage to the circuit of the wafer W occurs due to physical contact. Therefore, even if the workpiece | work which is difficult to respond with the conventional calibration apparatus, such as the wafer W in which the circuit surface is exposed, the calibration apparatus 7 which concerns on Example 1 can reliably and accurately correct this workpiece | work.

또한, 실시예 1에 있어서, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같은 제2 패턴의 휨이 발생한 웨이퍼 W를 교정하는 공정도, 상술한 제1 패턴의 휨을 교정하는 공정과 마찬가지이다.In addition, in Example 1, the process of correct | amending the wafer W in which the curvature of the 2nd pattern generate | occur | produced as shown in FIG.4 (b) is the same as the process of correcting the curvature of the 1st pattern mentioned above.

즉, 반송 암(6)으로 웨이퍼 W를 흡착 보유 지지하고, 웨이퍼 수납부(3)로부터 반송 장치(7)로 반송한다. 그리고 상승한 상태의 지지 핀(15)을 통하여 웨이퍼 W를 수취하고, 지지 핀(15)을 하강시켜서 웨이퍼 W를 보유 지지 테이블(9)에 적재시킨다. 그 후, 진공 장치(20)를 작동시켜서 흡착 구멍(17)을 통한 흡인을 행함으로써, 웨이퍼 W의 외측 모서리부가 보유 지지 테이블(9)의 웨이퍼 적재부(13)에 흡착된다.That is, the wafer W is suction-held by the conveyance arm 6, and it conveys from the wafer accommodating part 3 to the conveyance apparatus 7. Then, the wafer W is received through the support pin 15 in the raised state, the support pin 15 is lowered, and the wafer W is placed on the holding table 9. Thereafter, the vacuum device 20 is operated to perform suction through the suction hole 17, whereby the outer edge portion of the wafer W is sucked by the wafer loading portion 13 of the holding table 9.

웨이퍼 W의 외측 모서리부의 흡착에 의해 웨이퍼 W의 위치가 고정되면, 제어부(21)는 펌프(31)을 작동시켜, 기체 분사 노즐(27)로부터 기체 N을 웨이퍼 W의 표면에 분사한다. 웨이퍼 적재부(13)로부터 부상되어 있던 웨이퍼 W의 중앙부는, 분사된 기체 N의 압력에 의해 압박되어, 웨이퍼 적재부(13)에 가까워진다.When the position of the wafer W is fixed by the suction of the outer edge portion of the wafer W, the control unit 21 operates the pump 31 to inject the gas N from the gas injection nozzle 27 to the surface of the wafer W. The center portion of the wafer W that has floated from the wafer stacking portion 13 is pressed by the pressure of the injected gas N to approach the wafer stacking portion 13.

그리고 흡착 구멍(17)에 의해 웨이퍼 W의 중앙부도 웨이퍼 적재부(13)에 흡착되고, 웨이퍼 W의 이면 전체에 걸쳐 흡착 보유 지지된다. 보유 지지 테이블(9)에 의한 흡착과 기체 분사 노즐(27)에 의한 기체 N의 분사를 소정 시간 행함으로써, 제2 패턴의 휨이 발생한 웨이퍼 W에 대해서도 적합하게 교정되어서 평탄화할 수 있다.And the center part of the wafer W is also attracted to the wafer mounting part 13 by the adsorption hole 17, and is adsorbed-held over the whole back surface of the wafer W. By carrying out the adsorption by the holding table 9 and the injection of the gas N by the gas injection nozzle 27 for a predetermined time, the wafer W in which the warpage of the second pattern is generated can be properly corrected and flattened.

[실시예 2]Example 2

이어서, 본 발명의 실시예 2를 설명한다. 실시예 1과 실시예 2에 있어서 공통되는 구성에 대해서는 동일 부호를 붙이고, 이하, 실시예 2에 특징적인 구성에 대하여 도면을 사용하여 설명한다.Next, Example 2 of this invention is demonstrated. The structure common in Example 1 and Example 2 is attached | subjected with the same code | symbol, and below, the structure characteristic of Example 2 is demonstrated using drawing.

실시예 1에 관한 교정 장치(7)에서는, 흡착 구멍(17)의 각각 및 기체 분사 노즐(27)의 각각은, 모두 하나로 통합되어 있고 단일의 제어를 받고 있다. 한편, 실시예 2에 관한 교정 장치(7)는, 흡착 구멍(17) 및 기체 분사 노즐(27)의 적어도 한쪽에 대해서, 복수의 블록으로 분할되어 있다. 그리고 블록별로 통합되어 당해 블록별로 독립 제어를 받는다는 점에서 실시예 1의 구성과 상이하다.In the calibration device 7 according to the first embodiment, each of the suction holes 17 and each of the gas injection nozzles 27 are all integrated into one and are under a single control. On the other hand, the calibration device 7 according to the second embodiment is divided into a plurality of blocks with respect to at least one of the suction hole 17 and the gas injection nozzle 27. The structure is different from that of the first embodiment in that it is integrated for each block and receives independent control for each block.

실시예 2에 있어서, 흡착 구멍(17)의 각각을 복수의 블록으로 분할하는 구성의 일례를 설명한다. 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이, 복수의 흡착 구멍(17)에 대해서, 웨이퍼 적재부(13)의 중심으로부터의 거리, 바꿔 말하면 적재되는 웨이퍼 W의 중심으로부터의 거리에 따라, 흡착 구멍(17)을 복수의 블록으로 분할한다.In Example 2, an example of a structure which divides each of the suction holes 17 into several blocks is demonstrated. As shown in FIG. 8A, the suction holes 17 are provided with respect to the plurality of suction holes 17 in accordance with the distance from the center of the wafer mounting portion 13, that is, the distance from the center of the wafer W to be loaded. (17) is divided into a plurality of blocks.

구체적으로는, 웨이퍼 적재부(13)의 중심을 공유하는 복수의 동심원이 형성되도록 분할된다. 도 8의 (a)에 나타내는 실시예 2의 구성에 있어서, 흡착 구멍(17)의 각각은, 가장 중심부에 가까운 블록 B1로부터, 가장 외측 모서리부에 가까운 블록 B4까지의 네 블록으로 분할된다.Specifically, it is divided so that a plurality of concentric circles which share the center of the wafer mounting part 13 are formed. In the structure of Example 2 shown to Fig.8 (a), each of the adsorption holes 17 is divided into four blocks from the block B1 closest to a center part, and the block B4 closest to an outermost edge part.

그리고, 흡착 구멍(17)의 각각은, 블록별로 각각 독립된 라인에 통합된다. 즉 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 흡착 구멍(17) 중, 블록 B1에 속하는 흡착 구멍(17a)의 각각은 라인 L1에 통합되어, 전자 밸브(18a)를 구비한 유로(19a)를 통하여 진공 장치(20a)와 연통 접속되어 있다.Each of the suction holes 17 is integrated into separate lines for each block. That is, as shown to FIG. 8B, each of the adsorption holes 17a which belong to the block B1 among the adsorption holes 17 is integrated in the line L1, and the flow path 19a provided with the solenoid valve 18a is shown. It is connected to the vacuum apparatus 20a via the communication.

흡착 구멍(17) 중, 블록 B2에 속하는 흡착 구멍(17b)의 각각은 라인 L2에 통합되어, 전자 밸브(18b)를 구비한 유로(19b)를 통하여 진공 장치(20b)와 연통 접속되어 있다. 블록 B3에 속하는 흡착 구멍(17c)의 각각은, 라인 L3에 통합되어, 전자 밸브(18c)를 구비한 유로(19c)를 통하여 진공 장치(20c)와 연통 접속되어 있다. 블록 B4에 속하는 흡착 구멍(17c)의 각각은 라인 L4에 통합되어, 전자 밸브(18d)를 구비한 유로(19d)를 통하여 진공 장치(20d)와 연통 접속되어 있다.Each of the adsorption holes 17b belonging to the block B2 among the adsorption holes 17 is integrated in the line L2, and is connected to the vacuum apparatus 20b via the flow path 19b provided with the solenoid valve 18b. Each of the suction holes 17c belonging to the block B3 is integrated in the line L3 and connected to the vacuum device 20c via the flow path 19c provided with the solenoid valve 18c. Each of the suction holes 17c belonging to the block B4 is integrated in the line L4 and is connected to the vacuum device 20d via the flow path 19d provided with the solenoid valve 18d.

라인 L1 내지 L4 및 유로(19a 내지 19d)는 각각 독립되어 있다. 또한, 제어부(21)는, 전자 밸브(18a 내지 18d)를 독립 제어함과 함께, 진공 장치(20a 내지 20d)를 독립 제어한다. 이와 같이, 흡착 구멍(17)의 각각을 블록별로 분할하고, 블록별로 제어함으로써, 웨이퍼 적재부(13)의 중앙부에 있어서의 흡착 구멍(17)을 통한 흡인력과, 외측 모서리부에 있어서의 흡착 구멍(17)을 통한 흡인력을 독립적으로 조정할 수 있다.The lines L1 to L4 and the flow paths 19a to 19d are each independent. The control unit 21 independently controls the solenoid valves 18a to 18d and independently controls the vacuum devices 20a to 20d. In this way, each of the adsorption holes 17 is divided into blocks and controlled for each block, so that the suction force through the adsorption holes 17 in the center portion of the wafer stacking portion 13 and the adsorption holes in the outer edge portion thereof. The suction force through (17) can be adjusted independently.

이어서, 실시예 2에 있어서, 기체 분사 노즐(27)의 각각을 복수의 블록으로 분할하는 구성의 일례를 설명한다. 도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이, 복수의 기체 분사 노즐(27)에 대해서, 기체 공급 유닛(25)의 중심으로부터의 거리, 바꿔 말하면 적재되는 웨이퍼 W의 중심에 대면하는 위치로부터의 거리에 따라, 복수의 기체 분사 노즐(27)을 복수의 블록으로 분할한다. 도 9의 (a)에 있어서, 기체 분사 노즐(27)의 각각은 가장 중심부에 가까운 블록 C1로부터, 가장 외측 모서리부에 가까운 블록 C5까지의 다섯 블록으로 분할된다.Next, in Example 2, an example of a structure which divides each gas injection nozzle 27 into several block is demonstrated. As shown in FIG. 9A, the distance from the center of the gas supply unit 25 to the plurality of gas injection nozzles 27, that is, the distance from the position facing the center of the wafer W to be loaded. According to this, the plurality of gas injection nozzles 27 are divided into a plurality of blocks. In FIG. 9A, each of the gas injection nozzles 27 is divided into five blocks from the block C1 closest to the center portion to the block C5 closest to the outermost edge portion.

그리고, 기체 분사 노즐(27)의 각각은, 블록별로 각각 독립된 라인에 통합된다. 즉 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, 기체 분사 노즐(27) 중, 블록 C1에 속하는 기체 분사 노즐(27a)의 각각은, 동일한 라인 L1에 통합되어, 전자 밸브(29a)를 구비한 유로(30a)를 통하여 펌프(31a)와 연통 접속되어 있다.And each of the gas injection nozzles 27 is integrated in a separate line for each block. That is, as shown to Fig.9 (b), each of the gas injection nozzles 27a which belongs to the block C1 among the gas injection nozzles 27 is integrated in the same line L1, and is provided with the solenoid valve 29a. It is connected to the pump 31a via the flow path 30a.

마찬가지로, 블록 C2에 속하는 기체 분사 노즐(27b)의 각각은 라인 L2에 통합되어, 전자 밸브(29b)를 구비한 유로(30b)를 통하여 펌프(31b)와 연통 접속되어 있다. 블록 C3에 속하는 기체 분사 노즐(27c)의 각각은 라인 L3에 통합되어, 전자 밸브(29c)를 구비한 유로(30c)를 통하여 펌프(31c)와 연통 접속되어 있다.Similarly, each of the gas injection nozzles 27b belonging to the block C2 is integrated in the line L2 and connected to the pump 31b via the flow path 30b provided with the solenoid valve 29b. Each of the gas injection nozzles 27c belonging to the block C3 is integrated in the line L3 and connected to the pump 31c via the flow path 30c provided with the solenoid valve 29c.

블록 C4에 속하는 기체 분사 노즐(27d)의 각각은 라인 L4에 통합되어, 전자 밸브(29d)를 구비한 유로(30d)를 통하여 펌프(31d)와 연통 접속되어 있다. 블록 C5에 속하는 기체 분사 노즐(27e)의 각각은 라인 L5에 통합되어, 전자 밸브(29e)를 구비한 유로(30e)를 통하여 펌프(31e)와 연통 접속되어 있다.Each of the gas injection nozzles 27d belonging to the block C4 is integrated in the line L4 and connected to the pump 31d via the flow path 30d provided with the solenoid valve 29d. Each of the gas injection nozzles 27e belonging to the block C5 is integrated in the line L5 and connected to the pump 31e via the flow path 30e provided with the solenoid valve 29e.

제어부(21)는, 전자 밸브(29a 내지 29e)를 독립 제어함과 함께, 펌프(31a 내지 31e)를 독립 제어한다. 이와 같이, 기체 분사 노즐(27)의 각각을 블록별로 분할하고, 블록별로 제어함으로써, 기체 N의 분사에 의해 웨이퍼 W의 중앙부에 대하여 작용하는 압력과, 웨이퍼 W의 외측 모서리부에 대하여 작용하는 압력을 독립적으로 조정할 수 있다.The control unit 21 independently controls the solenoid valves 29a to 29e and independently controls the pumps 31a to 31e. In this manner, each of the gas injection nozzles 27 is divided into blocks and controlled for each block, so that the pressure acting on the center portion of the wafer W by the injection of the gas N and the pressure acting on the outer edge portion of the wafer W are controlled. Can be adjusted independently.

또한, 실시예 2에 관한 교정 장치(7)는 센서(35)를 구비하고 있다. 센서(35)는, 웨이퍼 적재부(13)에 적재된 웨이퍼 W의 휨의 형상을 검지한다. 또한, 센서(35)의 예로서, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같은, 웨이퍼 적재부(13)의 주위에 배치된 광학 센서나 초음파 센서, 또는 웨이퍼 적재부(13)에 배치된 접촉 센서 등을 들 수 있다. 일례로서 센서(35)가 접촉 센서인 경우, 웨이퍼 W 중 중앙부가 웨이퍼 적재부(13)와 접촉하고 있는 경우, 웨이퍼 W의 휨의 형상은 도 4의 (a)에 도시하는 제1 패턴이라고 검지할 수 있다.In addition, the calibration device 7 according to the second embodiment includes a sensor 35. The sensor 35 detects the shape of the warp of the wafer W loaded on the wafer loading section 13. Moreover, as an example of the sensor 35, the contact arrange | positioned at the optical sensor, the ultrasonic sensor, or the wafer loading part 13 arrange | positioned around the wafer loading part 13 as shown to FIG. 8 (b). A sensor etc. can be mentioned. As an example, when the sensor 35 is a contact sensor, when the center portion of the wafer W is in contact with the wafer loading portion 13, the warp shape of the wafer W is detected as the first pattern shown in FIG. 4A. can do.

센서(35)가 검지한, 웨이퍼 W의 휨의 형상에 관한 정보는 제어부(21)에 송신된다. 제어부(21)는 휨의 형상에 관한 정보에 기초하여, 블록 B1 내지 B4의 각각에 있어서의 흡착 구멍(17)의 흡인력과, 블록 C1 내지 C5의 각각에 있어서의 기체 분사 노즐(27)의 분사력을 독립하여 제어할 수 있다.The information about the shape of the warp of the wafer W detected by the sensor 35 is transmitted to the control unit 21. The control unit 21 draws the suction force of the suction hole 17 in each of the blocks B1 to B4 and the jetting force of the gas injection nozzle 27 in each of the blocks C1 to C5 based on the information about the shape of the warpage. Can be controlled independently.

이어서, 실시예 2에 관한 교정 장치(7)가 구비된 웨이퍼 처리 장치(1)를 사용하여, 웨이퍼 W를 교정하여 평탄화시키기 위한 일련 동작을 설명한다. 또한 실시예 2에 있어서도 실시예 1과 마찬가지로, 웨이퍼 W에는 도 4의 (a)에 나타내는 제1 패턴의 휨이 발생하고 있는 것으로 한다.Next, a series of operations for calibrating and planarizing the wafer W will be described using the wafer processing apparatus 1 equipped with the calibration device 7 according to the second embodiment. In addition, also in Example 2, it is assumed that the warpage of the first pattern shown in FIG. 4A occurs on the wafer W, similarly to Example 1. FIG.

웨이퍼 W를 보유 지지 테이블(9)에 적재시킬 때까지의 공정은 실시예 1과 실시예 2는 공통된다. 즉, 웨이퍼 처리 장치(1)의 동작을 개시하면, 지지 핀(15)의 선단을 웨이퍼 적재부(13)의 적재면으로부터 돌출시킴과 함께, 웨이퍼 수납부(3)에 수납되어 있던 웨이퍼 W를 보유 지지 테이블(9)로 반송시킨다. 그리고 보유 지지 테이블(9)로부터 돌출되어 있는 지지 핀(15)에 웨이퍼 W를 적재시킨다. 그 후, 지지 핀(15)이 하강하고, 웨이퍼 W는 웨이퍼 적재부(13)의 상면에 적재된다.The process until the wafer W is mounted on the holding table 9 is common to the first and second embodiments. That is, when the wafer processing apparatus 1 starts to operate, the tip of the support pin 15 protrudes from the stacking surface of the wafer stacking portion 13 and the wafer W stored in the wafer storage portion 3 is removed. It conveys to the holding table 9. Then, the wafer W is placed on the support pins 15 protruding from the holding table 9. Thereafter, the support pin 15 is lowered, and the wafer W is loaded on the upper surface of the wafer stacking portion 13.

웨이퍼 W가 보유 지지 테이블(9)에 적재되면, 센서(35)가 작동하여 웨이퍼 W의 휨의 형상이 검지된다. 이 경우, 웨이퍼 W의 휨의 형상은 제1 패턴이라는 취지의 정보가 제어부(21)에 송신된다. 즉, 보유 지지 테이블(9)에 적재된 웨이퍼 W는, 중앙부에 있어서 웨이퍼 적재부(13)의 적재면에 접하고 있다.When the wafer W is placed on the holding table 9, the sensor 35 is operated to detect the shape of the warp of the wafer W. In this case, the information that the shape of the warp of the wafer W is the first pattern is transmitted to the control unit 21. That is, the wafer W mounted on the holding table 9 is in contact with the mounting surface of the wafer mounting portion 13 at the center portion.

제어부(21)는 진공 장치(20a 내지 20d)의 각각을 작동시킴과 함께, 전자 밸브(18a 내지 18d)를 개방한다. 당해 제어에 의해, 웨이퍼 W 중 적어도 중앙부는 흡착 구멍(17)을 통하여 웨이퍼 적재부(13)에 흡착된다.The control unit 21 operates each of the vacuum apparatuses 20a to 20d and opens the solenoid valves 18a to 18d. By this control, at least the center portion of the wafer W is adsorbed to the wafer loading portion 13 through the adsorption hole 17.

그 후, 제어부(21)는 추가로 펌프(31a 내지 31e)의 각각을 작동시킴과 함께, 전자 밸브(29a 내지 29e)를 개방시켜, 기체 분사 노즐(27a 내지 27e)의 각각에 기체를 공급한다. 이때, 제어부(21)는 웨이퍼 W의 휨의 형상에 따라, 펌프(31a 내지 31e)의 각각과 전자 밸브(29a 내지 29e)의 각각을 독립적으로 제어한다.Thereafter, the control unit 21 further operates each of the pumps 31a to 31e, opens the solenoid valves 29a to 29e, and supplies gas to each of the gas injection nozzles 27a to 27e. . At this time, the control unit 21 independently controls each of the pumps 31a to 31e and each of the solenoid valves 29a to 29e according to the shape of the warp of the wafer W. FIG.

웨이퍼 W의 휨이 제1 패턴인 경우, 웨이퍼 W의 중앙부와 비교하여 외측 모서리부쪽이 웨이퍼 적재부(13)로부터 부상되어 있다. 즉, 웨이퍼 W의 중앙부와 비교하여 외측 모서리부쪽을 보다 강하게 압박할 필요가 있다. 그래서 제어부(21)는, 웨이퍼 W의 외측 모서리부에 가까워짐에 따라서 기체 분사 노즐(27)의 분사력을 단계적으로 강하게 하도록 제어한다.In the case where the warp of the wafer W is the first pattern, the outer edge portion rises from the wafer stacking portion 13 as compared with the center portion of the wafer W. As shown in FIG. That is, compared with the center part of the wafer W, the outer edge part needs to be pressed more strongly. Therefore, the control part 21 controls so that the jetting force of the gas injection nozzle 27 may become strong step by step as it approaches the outer edge part of the wafer W. FIG.

즉 도 10에 도시하는 바와 같이, 기체 분사 노즐(27a 내지 27e)의 각각으로부터 분사되는 기체 N1 내지 N5 중, 기체 분사 노즐(27a)로부터 분사되는 기체 N1의 압력을 가장 낮게 한다. 그리고, 기체 분사 노즐(27b)로부터 분사되는 기체 N2, 기체 분사 노즐(27c)로부터 분사되는 기체 N3, 기체 분사 노즐(27d)로부터 분사되는 기체 N4, 기체 분사 노즐(27e)로부터 분사되는 기체 N5의 순서대로, 분사되는 기체 N의 압력을 단계적으로 변화시킨다. 즉, 기체 분사 노즐(27e)로부터 분사되는 기체 N5의 압력이 가장 높아지도록 제어된다.That is, as shown in FIG. 10, the pressure of the gas N1 injected from the gas injection nozzle 27a is the lowest among the gas N1-N5 injected from each of the gas injection nozzles 27a-27e. Then, the gas N2 injected from the gas injection nozzle 27b, the gas N3 injected from the gas injection nozzle 27c, the gas N4 injected from the gas injection nozzle 27d, and the gas N5 injected from the gas injection nozzle 27e In order, the pressure of the gas N to be injected is changed step by step. That is, the pressure of the gas N5 injected from the gas injection nozzle 27e is controlled to be the highest.

웨이퍼 W의 중앙부에는 기체 분사 노즐(27a)로부터 분사되는 기체 N1이 분사된다. 웨이퍼 W의 외측 모서리부에는 기체 분사 노즐(27e)로부터 분사되는 기체 N5가 분사된다. 그 때문에, 기체 N5의 압력을 가장 높게 함으로써, 웨이퍼 적재부(13)로부터 크게 부상되어 있는 웨이퍼 W의 외측 모서리부는 기체 N5에 의해 보다 강하게 압박되어, 빠르게 웨이퍼 적재부(13)에 가까워진다.The gas N1 injected from the gas injection nozzle 27a is injected to the center part of the wafer W. As shown in FIG. The gas N5 injected from the gas injection nozzle 27e is injected into the outer edge portion of the wafer W. As shown in FIG. Therefore, by making the pressure of the base N5 highest, the outer edge part of the wafer W which has largely risen from the wafer mounting part 13 is pressed more strongly by the body N5, and quickly approaches the wafer mounting part 13.

또한, 제어부(21)는 흡착 구멍(17)의 각각에 대해서도 동일한 제어를 행한다. 즉 진공 장치(20a 내지 20d)의 각각과 전자 밸브(18a 내지 18d)의 각각을 독립적으로 제어하여, 흡착 구멍(17a 내지 17e) 중, 흡착 구멍(17a)의 흡인력을 가장 약하게 한다. 그리고 흡착 구멍(17b), 흡착 구멍(17c), 흡착 구멍(17d)의 순서대로 흡인력을 단계적으로 변화시켜 가서, 흡착 구멍(17d)의 흡인력을 가장 강하게 한다.The control unit 21 also performs the same control for each of the suction holes 17. That is, each of the vacuum apparatuses 20a to 20d and each of the solenoid valves 18a to 18d are independently controlled to weaken the suction force of the suction holes 17a among the suction holes 17a to 17e. The suction force is gradually changed in the order of the suction hole 17b, the suction hole 17c, and the suction hole 17d, so that the suction force of the suction hole 17d is the strongest.

흡착 구멍(17d)의 흡인력을 가장 강하게 제어함으로써, 기체 N5에 의해 보다 강하게 압박되어서 웨이퍼 적재부(13)에 가까워져 있던 웨이퍼 W의 외측 모서리부는, 보다 확실하고도 빠르게 흡착 구멍(17d)에 의해 흡착된다. 따라서, 웨이퍼 W의 중심으로부터의 거리에 따라 흡착 구멍(17)의 흡인력과 기체 분사 노즐(27)의 분사력을 독립 제어함으로써, 가장 휨이 큰 웨이퍼 W의 외측 모서리부를 보다 확실하고도 빠르게 교정하여, 웨이퍼 W의 전체를 평탄화할 수 있다.By controlling the suction force of the adsorption hole 17d most strongly, the outer edge portion of the wafer W, which is pressed more strongly by the gas N5 and closer to the wafer loading portion 13, is absorbed by the adsorption hole 17d more reliably and quickly. do. Therefore, by independently controlling the suction force of the suction hole 17 and the jetting force of the gas injection nozzle 27 in accordance with the distance from the center of the wafer W, the outer edge portion of the wafer W having the largest deflection is more reliably and quickly corrected. The whole of the wafer W can be planarized.

실시예(1)과 마찬가지로, 평탄화된 웨이퍼 W의 이면 전체를 보유 지지 테이블(9)로 흡착하면서, 기체 분사 노즐(27)에 의한 기체 N의 분사를 소정시간 행함으로써, 웨이퍼 W를 교정하는 일련의 과정은 완료된다.In the same manner as in Example (1), the wafer W is calibrated by performing the injection of the gas N by the gas injection nozzle 27 for a predetermined time while adsorbing the entire back surface of the flattened wafer W to the holding table 9. The process of is completed.

또한, 센서(35)에 의해 검지된 웨이퍼 W의 휨의 형상이, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같은 제2 패턴인 경우, 제어부(21)에 의한 각 구성의 제어는 도 11에 도시하는 바와 같이 된다.In addition, when the shape of the warp of the wafer W detected by the sensor 35 is a 2nd pattern as shown to FIG. 4 (b), control of each structure by the control part 21 is shown in FIG. It is as follows.

웨이퍼 W의 휨이 제2 패턴인 경우, 웨이퍼 W의 외측 모서리부와 비교하여 중앙부쪽이 웨이퍼 적재부(13)로부터 부상되어 있다. 즉, 웨이퍼 W의 외측 모서리부와 비교하여 중앙부쪽을 보다 강하게 압박할 필요가 있다.In the case where the warp of the wafer W is the second pattern, the center portion rises from the wafer stacking portion 13 as compared with the outer edge portion of the wafer W. FIG. That is, compared with the outer edge part of the wafer W, the center part side needs to be pressed more strongly.

그래서 제어부(21)는, 웨이퍼 W의 중앙부에 접근함에 따라서 기체 분사 노즐(27)의 분사력을 단계적으로 강하게 하도록 제어한다. 즉, 기체 분사 노즐(27a 내지 27e)의 각각으로부터 분사되는 기체 N1 내지 N5 중, 기체 분사 노즐(27a)로부터 분사되는 기체 N1의 압력을 가장 높게 한다.Therefore, the control part 21 controls so that the jetting force of the gas injection nozzle 27 may be strengthened step by step as the center part of the wafer W approaches. That is, the pressure of the gas N1 injected from the gas injection nozzle 27a is made highest among the gas N1-N5 injected from each of the gas injection nozzles 27a-27e.

그리고, 기체 N2, 기체 N3, 기체 N4, 기체 N5의 순서대로, 분사되는 기체 N의 압력을 단계적으로 변화시켜, 기체 분사 노즐(27e)로부터 분사되는 기체 N5의 압력이 가장 낮아지도록 제어한다. 기체 N1의 압력을 가장 높게 함으로써, 웨이퍼 적재부(13)로부터 크게 부상되어 있는 웨이퍼 W의 중앙부는 기체 N1에 의해 보다 강하게 압박되고, 빠르게 웨이퍼 적재부(13)에 가까워지게 된다.Then, the pressure of the gas N to be injected is gradually changed in the order of the gas N2, the gas N3, the gas N4, and the gas N5, so that the pressure of the gas N5 injected from the gas injection nozzle 27e is controlled to be the lowest. By making the pressure of the gas N1 the highest, the center portion of the wafer W, which is largely lifted from the wafer loading portion 13, is pressed more strongly by the gas N1, and quickly approaches the wafer loading portion 13.

한편, 이미 웨이퍼 적재부(13)와 접근한 웨이퍼 W의 외측 모서리부는, 저압의 기체 N5에 의해 압박되므로, 과도하게 높은 압력이 웨이퍼 W의 외측 모서리부에 작용하여, 당해 외측 모서리부가 웨이퍼 적재부(13)에 밀어붙여져서 왜곡된다는 사태를 피할 수 있다.On the other hand, since the outer edge portion of the wafer W that has already approached the wafer stacking portion 13 is pressed by the low-pressure gas N5, excessively high pressure acts on the outer edge portion of the wafer W, so that the outer edge portion is the wafer stacking portion. The situation of being distorted by being pushed to (13) can be avoided.

또한, 제어부(21)는 흡착 구멍(17)의 각각에 대해서도 동일한 제어를 행한다. 즉 진공 장치(20a 내지 20d)의 각각과 전자 밸브(18a 내지 18d)의 각각을 독립적으로 제어하고, 흡착 구멍(17a 내지 17d) 중, 흡착 구멍(17d)의 흡인력을 가장 약하게 한다.The control unit 21 also performs the same control for each of the suction holes 17. That is, each of the vacuum apparatuses 20a to 20d and each of the solenoid valves 18a to 18d are independently controlled, and the suction force of the suction holes 17d is weakest among the suction holes 17a to 17d.

그리고 흡착 구멍(17c), 흡착 구멍(17b), 흡착 구멍(17a)의 순서대로 흡인력을 단계적으로 변화시켜 가는, 흡착 구멍(17a)의 흡인력을 가장 강하게 한다. 흡착 구멍(17a)의 흡인력을 가장 강하게 제어함으로써, 기체 N1에 의해 보다 강하게 압박되어서 웨이퍼 적재부(13)에 가까워지고 있었던 웨이퍼 W의 중앙부를, 보다 확실하고도 빠르게 흡착할 수 있다. 따라서, 제2 패턴을 따른 휨에 대해서도 고정밀도로 교정할 수 있다.And the suction force of the suction hole 17a which changes a suction force step by step in order of the suction hole 17c, the suction hole 17b, and the suction hole 17a is the strongest. By controlling the suction force of the suction hole 17a most strongly, the center portion of the wafer W, which is pressed more strongly by the gas N1 and closer to the wafer stacking portion 13, can be sucked more reliably and quickly. Therefore, the bending along the second pattern can also be corrected with high accuracy.

<실시예 2의 구성에 의한 효과><Effect by the structure of Example 2>

실시예 2에 관한 교정 장치(7)는, 기체 분사 노즐(27)의 각각을 복수의 블록으로 분할하고, 분사되는 기체의 압력을 블록별로 독립 제어한다. 독립 제어함으로써, 웨이퍼 W 중 휨이 비교적 작은 부분에는 저압의 기체 N을 분사하여 압박하는 한편, 휨이 비교적 큰 부분에는 고압의 기체 N을 분사하여 압박할 수 있다.The calibration device 7 according to the second embodiment divides each of the gas injection nozzles 27 into a plurality of blocks, and independently controls the pressure of the gas to be injected for each block. By independent control, the gas N of low pressure can be injected and pressed to the part where the warpage is comparatively small, and the gas N of high pressure can be injected and pressed to the part where the warpage is comparatively large.

이와 같이, 휨의 크기에 따라서 기체 분사 노즐(27)로부터 분사되는 기체의 압력을 조절함으로써, 웨이퍼 W 중 휨이 큰 부분에 대해서는 고압의 기체를 분사함으로써, 휨이 크더라도 확실하고도 빠르게 당해 휨을 교정할 수 있다. 한편, 휨이 작은 부분에 대해서는 저압의 기체를 분사함으로써, 휨이 작은 부분에 대하여 과도하게 큰 압력이 작용함으로써, 웨이퍼 W의 당해 부분에 왜곡이 새롭게 발생하는 사태를 피할 수 있다. 따라서, 보다 고정밀도로 웨이퍼 W의 휨을 교정하여 평탄화할 수 있다.Thus, by adjusting the pressure of the gas injected from the gas injection nozzle 27 according to the magnitude | size of a curvature, the high pressure gas is sprayed to the part with large curvature of the wafer W, and the said curvature is made reliably and quickly even if it is large. You can correct it. On the other hand, by injecting a gas of low pressure in a portion having a small warpage, an excessively large pressure acts on the portion having a small warpage, whereby a situation in which distortion is newly generated in the portion of the wafer W can be avoided. Therefore, the warpage of the wafer W can be corrected and planarized more accurately.

또한, 일단측의 외측 모서리부와 타단측의 외측 모서리부 등, 휨의 양이 대략 동일한 부위에 있어서의 기체 분사 노즐(27)의 각각은 동일한 블록에 통합되어 공통의 제어를 받는다. 따라서, 블록별로 독립 제어하는 구성으로 함으로써, 기체 분사 노즐(27)마다 독립 제어하는 구성과 비교하여 제어 기구를 단순화할 수 있다.Moreover, each of the gas injection nozzles 27 in the site | part of the substantially same amount of curvatures, such as the outer edge part of one end side and the outer edge part of the other end, is integrated in the same block, and receives common control. Therefore, by setting it as an independent control for each block, the control mechanism can be simplified compared with the structure for independent control for each gas injection nozzle 27.

또한, 실시예 2에서는 흡착 구멍(17)의 각각에 대해서도 복수의 블록으로 분할하고, 흡인력을 블록별로 독립 제어한다. 그 때문에, 웨이퍼 W 전체 중, 휨이 비교적 큰 부분을 보다 강한 힘으로 흡인하므로, 당해 흡인력에 의해 휨이 큰 부분을 확실하고도 빠르게 평탄해지도록 교정하고, 흡착 구멍(17)에 흡착시킬 수 있다.In addition, in Example 2, each of the suction holes 17 is also divided into a plurality of blocks, and the suction force is independently controlled for each block. Therefore, since the portion of the wafer W, which has a relatively large warpage, is attracted by a stronger force, the portion having a large warpage can be reliably and quickly flattened by the suction force, so that the suction hole 17 can be adsorbed. .

한편, 웨이퍼 W 전체 중 휨이 비교적 작은 부분에 대해서는 비교적 약한 힘으로 흡인하므로, 과도하게 강한 힘으로 흡인함으로써, 휨이 작은 부분이 과잉의 힘으로 보유 지지 테이블(9)에 흡착되어서 새롭게 왜곡이 발생한다는 사태를 피할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 W의 휨을 교정하는 정밀도를 향상할 수 있다.On the other hand, since the portion of the wafer W, which is relatively small in curvature, is attracted with a relatively weak force, the portion with small curvature is attracted to the holding table 9 by excessive force by causing excessively strong force to cause distortion. You can avoid the situation. Therefore, the precision which corrects the curvature of the wafer W can be improved.

실시예 2에 있어서 바람직한 구성으로서, 센서(35)를 사용하여 웨이퍼 W의 휨의 형상을 미리 검지해 두고, 당해 휨의 형상에 따라서 기체 분사 노즐(27)로부터 분사되는 기체의 압력을 독립 제어한다. 미리 웨이퍼 W의 휨의 형상을 검지함으로써, 웨이퍼 W의 휨의 형상에 대하여, 각각의 부분에 대하여 적절한 크기의 압력을 기체 분사 노즐(27)에 의해 작용시킬 수 있다. 따라서, 더욱 고정밀도로 웨이퍼 W의 휨을 교정하여 평탄화할 수 있다.As a preferable structure in Example 2, the shape of the warpage of the wafer W is detected in advance using the sensor 35, and the pressure of the gas injected from the gas injection nozzle 27 is independently controlled in accordance with the shape of the warpage. . By detecting the shape of the warp of the wafer W in advance, the gas injection nozzle 27 can exert a pressure of an appropriate size on each part with respect to the shape of the warp of the wafer W. FIG. Therefore, the warpage of the wafer W can be corrected and planarized more accurately.

본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 일은 없고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.The present invention is not limited to the above embodiment and can be modified as follows.

(1) 상기 각 실시예에 관한 구성에 있어서, 보유 지지 테이블(9) 또는 가압 기구(11)에 위치 정렬용 지지부가 마련되어 있는 것이 바람직하다.(1) In the structure which concerns on said each Example, it is preferable that the support part for position alignment is provided in the holding table 9 or the press mechanism 11.

도 12의 (a)에는, 보유 지지 테이블(9)에 지지부(45)가 세워 설치된 구성을 예시하고 있다. 지지부(45)는 일례로서 링 형상이고, 그 내경은 웨이퍼 W의 직경보다 조금 커지도록 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼 적재부(13)와 중심을 공유하고 있다. 그 때문에, 웨이퍼 적재부(13)에 적재된 웨이퍼 W는 지지부(45)에 의해 위치 정렬된다.FIG. 12A illustrates a configuration in which the support 45 is placed on the holding table 9. The support part 45 is a ring shape as an example, and the inner diameter is comprised so that it may become slightly larger than the diameter of the wafer W. As shown in FIG. Moreover, the center is shared with the wafer mounting part 13. Therefore, the wafer W loaded on the wafer loading part 13 is aligned by the support part 45.

또한, 소정의 높이 D를 구비하는 지지부(45)를 세워 설치함으로써, 기체 공급 유닛(25)을 하강시켜서 기체 분사 노즐(27)을 보유 지지 테이블(9) 상의 웨이퍼 W에 접근할 때, 지지부(45)의 선단이 기체 공급 유닛(25)에 맞닿기 때문에, 기체 분사 노즐(27)과 웨이퍼 W의 거리가 과도하게 가까워지는 것을 방지할 수 있다. 즉, 지지부(45)는 보유 지지 테이블(9) 상에 있어서의 웨이퍼 W의 위치 어긋남을 방지하는 것에 그치지 않고, 상하 방향(z 방향)에 있어서의 기체 분사 노즐(27)과 웨이퍼 W 사이의 위치 정렬도 행한다.In addition, when the support part 45 provided with the predetermined height D is erected, the support part 45 is lowered when the gas supply unit 25 is lowered and the gas injection nozzle 27 approaches the wafer W on the holding table 9. Since the tip of 45 is in contact with the gas supply unit 25, the distance between the gas injection nozzle 27 and the wafer W can be prevented from becoming too close. That is, the support part 45 does not only prevent the position shift of the wafer W on the holding table 9, but also the position between the gas injection nozzle 27 and the wafer W in the up-down direction (z direction). Alignment is also performed.

지지부(45)에는 도 12의 (a) 및 도 12의 (b)에 도시하는 바와 같이, 기체 배출 구멍(47)이 마련되어 있다. 그 때문에, 링 형상의 지지부(45)에 의해 웨이퍼 W가 둘러싸인 상태에서 기체 분사 노즐(27)로부터 기체 N이 분사된 경우에도, 기체 N을 기체 배출 구멍(47)으로부터 배출할 수 있다. 또한, 웨이퍼 W의 위치 정렬을 행할 수 있는 한에 있어서, 지지부(45)의 형상은 링 형상에 한정되는 일은 없고, 일례로서 도 12의 (c)에 도시한 바와 같은 핀 형상이어도 된다.The support part 45 is provided with the gas discharge hole 47, as shown to FIG. 12 (a) and FIG. 12 (b). Therefore, even when gas N is injected from the gas injection nozzle 27 in a state where the wafer W is surrounded by the ring-shaped support part 45, the gas N can be discharged from the gas discharge hole 47. In addition, as long as the position of the wafer W can be aligned, the shape of the support portion 45 is not limited to a ring shape, and may be a pin shape as shown in FIG. 12C as an example.

(2) 상기 각 실시예에 관한 구성에 있어서, 복수의 기체 분사 노즐(27)이 마련되어 있는 구성을 예시하고 있지만, 기체 분사 노즐(27)은 하나여도 된다. 이 경우, 도 13의 (a)에 도시하는 바와 같이, 기체 분사 노즐(27)은 웨이퍼 W의 중앙부에 대향하는 위치에 마련되는 것이 바람직하다.(2) In the structure which concerns on said each Example, although the structure in which the some gas injection nozzle 27 is provided is illustrated, one gas injection nozzle 27 may be sufficient. In this case, as shown to Fig.13 (a), it is preferable that the gas injection nozzle 27 is provided in the position which opposes the center part of the wafer W. As shown in FIG.

당해 변형예의 구성에 있어서, 기체 분사 노즐(27)로부터 웨이퍼 W를 향하여 기체 N을 분사함으로써, 도 13의 (b)와 같이 기체 N은 웨이퍼 W의 중앙부에 분사되고, 웨이퍼 W의 중앙부가 먼저 기체 N에 의해 웨이퍼 적재부(13)에 압박된다.In the configuration of this modification, the gas N is injected from the gas injection nozzle 27 toward the wafer W, so that the gas N is injected into the center of the wafer W as shown in FIG. N is pressed against the wafer mounting portion 13 by N. FIG.

그 후, 도 13의 (c)에 도시하는 바와 같이, 기체 N은 웨이퍼 W의 상면을 따라 퍼지듯이 흘러, 웨이퍼 W의 중간부 및 외측 모서리부를 웨이퍼 적재부(13)에 압박한다. 그 결과, 웨이퍼 W는 전체면에 걸쳐 웨이퍼 적재부(13)에 흡착 보유 지지되어서 평탄화한다. 교정 장치(7)에 지지부(45)가 마련되어 있는 경우, 기체 N은 기체 배출 구멍(47)으로부터 교정 장치(7)의 외부로 배출된다. 이와 같이, 기체 분사 노즐(27)의 수에 관계없이, 웨이퍼 W를 비접촉 상태로 고정밀도로 교정할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 13C, the base N flows along the upper surface of the wafer W, and presses the middle portion and the outer edge portion of the wafer W to the wafer loading portion 13. As a result, the wafer W is suction-held and flattened by the wafer loading part 13 over the whole surface. When the support part 45 is provided in the calibration device 7, the gas N is discharged | emitted from the gas discharge hole 47 to the exterior of the calibration device 7. Thus, regardless of the number of gas injection nozzles 27, the wafer W can be calibrated with high accuracy in a non-contact state.

(3) 상기 실시예 2 및 실시예 2를 베이스로 하는 각 변형예에 있어서, 흡착 구멍(17) 또는 기체 분사 노즐(27)을, 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할하는 구성을 예시하고 있다. 그러나, 흡착 구멍(17) 또는 기체 분사 노즐(27)을 복수의 블록으로 분할하는 구성은 이에 한정되지 않는다.(3) In each modified example based on the said Example 2 and Example 2, the structure which divides the adsorption hole 17 or the gas injection nozzle 27 into several block according to the distance from the center is illustrated. Doing. However, the structure which divides the adsorption hole 17 or the gas injection nozzle 27 into several block is not limited to this.

복수의 블록으로 분할하는 구성의 다른 일례로서, 도 14의 (a)에 도시하는 바와 같이, x 방향 또는 y 방향으로 배열하는 1열 또는 복수 열의 기체 분사 노즐(27)을 하나의 블록으로 하여, 기체 분사 노즐(27)의 각각을 복수의 블록 E1 내지 E5로 분할하는 구성을 들 수 있다.As another example of the configuration of dividing into a plurality of blocks, as shown in FIG. 14 (a), one row or a plurality of rows of gas injection nozzles 27 arranged in the x direction or the y direction are used as one block. The structure which divides each gas injection nozzle 27 into several block E1-E5 is mentioned.

이러한 변형예에 관한 블록 분할을 행하여 당해 블록별로 독립 제어를 행함으로써, 도 4의 (a) 및 도 4의 (b)에 도시하는 일반적인 형상과는 다른 형상의 휨이 웨이퍼 W에 발생한 경우라도, 고정밀도로 당해 휨을 교정할 수 있다.By performing block division according to such a modified example and performing independent control for each block, even if warpage of a shape different from the general shape shown in FIGS. 4A and 4B occurs on the wafer W, The warpage can be corrected with high accuracy.

일례로서, 도 14의 (b)에 도시하는 바와 같이, x 방향으로 물결 형상의 휨이 발생한 웨이퍼 W에 대하여, 웨이퍼 W의 각 부분에 발생한 휨의 크기에 따라, 기체 분사 노즐(27)로부터 분사되는 기체 N의 압력을 적절히 조정할 수 있다. 따라서, 당해 물결 형상의 휨을 교정하여, 웨이퍼 W를 평탄화할 수 있다.As an example, as shown in FIG. 14B, the wafer W is sprayed from the gas jet nozzle 27 in accordance with the magnitude of warpage generated in each portion of the wafer W with respect to the wafer W in which the wavy warp occurred in the x direction. The pressure of the gas N used can be adjusted suitably. Therefore, the said wavy warping can be correct | amended and the wafer W can be planarized.

(4) 상기 각 실시예 및 각 변형예에 관한 구성에 있어서, 휨 등의 왜곡을 교정하여 평탄화시킬 대상인 워크로서, 표면에 형성된 회로 패턴이 노출된 상태의 웨이퍼 W를 사용하는 경우를 예시했지만 이에 한정되지 않는다.(4) In the configuration of each of the embodiments and the modifications described above, the case where the wafer W having the circuit pattern formed on the surface is exposed as the workpiece to be flattened by correcting the distortion, such as warping, has been exemplified. It is not limited.

교정의 대상으로 되는 워크로서 사용되는 구성으로서는, 웨이퍼 W 이외에 유리나 세라믹, 유기 재료 등으로 구성되는 기판 등을 들 수 있다. 또한, 워크의 형상도 원형에 한정되는 일은 없고, 노치나 오리엔테이션 플랫을 구비하는 웨이퍼의 형상에 따른, 오목부나 직선부를 포함하는 대략 원 형상이나, 기판 등의 형상에 따른, 직사각형, 대략 직사각형, 다각형 등 다양한 형상의 워크에 대해서도 본 발명의 구성을 적용할 수 있다.As a structure used as a workpiece | work used as a target of correction | amendment, the board | substrate comprised from glass, a ceramic, an organic material, etc. other than the wafer W are mentioned. In addition, the shape of the workpiece is not limited to a circular shape, but is a rectangular, approximately rectangular, or polygonal shape according to a shape such as a substrate or a substantially circular shape including a concave portion or a straight portion according to the shape of a wafer having a notch or an orientation flat. The structure of this invention can be applied also to the workpiece | work of various shapes, such as these.

이 경우, 웨이퍼 적재부(13) 및 기체 공급 유닛(25)의 형상, 그리고 흡착 구멍(17)의 배치 및 기체 분사 노즐(27)의 배치는, 워크의 형상에 따라서 적절히 변경할 수 있다.In this case, the shape of the wafer mounting portion 13 and the gas supply unit 25, the arrangement of the suction holes 17, and the arrangement of the gas injection nozzles 27 can be appropriately changed according to the shape of the workpiece.

1: 웨이퍼 처리 장치
3: 웨이퍼 수납부
5: 웨이퍼 반송 기구
6: 반송 암
6a: 웨이퍼 보유 지지부
7: 교정 장치
9: 보유 지지 테이블
11: 가압 기구
13: 웨이퍼 적재부
15: 지지 핀
17: 흡착 구멍
20: 진공 장치
21: 제어부
27: 기체 분사 노즐
31: 펌프
W: 반도체 웨이퍼
C: 카세트1: wafer processing device
3: wafer storage part
5: wafer transfer mechanism
6: bounce arm
6a: wafer holding portion
7: straightening device
9: holding table
11: pressurization mechanism
13: wafer stack
15: support pin
17: adsorption hole
20: vacuum device
21: control unit
27: gas injection nozzle
31: pump
W: semiconductor wafer
C: cassette

Claims (10)

평탄한 보유 지지 테이블로 워크를 보유 지지하는 보유 지지 과정과,
상기 보유 지지 테이블의 상방에 마련되어 있는 기체 공급 기구로부터 상기 워크의 상면에 공급되는 기체의 압력에 의해 상기 워크를 압박시키는 기체 공급 과정과,
상기 보유 지지 테이블에 마련되어 있는 흡착 구멍을 통하여 상기 워크의 하면을 상기 보유 지지 테이블에 흡착시키는 흡착 과정
을 구비하는 것을 특징으로 하는 워크 교정 방법.A holding process for holding the work with a flat holding table,
A gas supply step of pressing the work by a pressure of a gas supplied to an upper surface of the work from a gas supply mechanism provided above the holding table;
Adsorption process of adsorbing the lower surface of the workpiece to the holding table through the suction hole provided in the holding table.
Work calibration method comprising a. 제1항에 기재된 워크 교정 방법에 있어서,
상기 기체 공급 과정은,
복수 마련되어 있는 상기 기체 공급 기구를 복수의 블록으로 분할하고, 상기 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을 상기 블록별로 독립 제어하는
것을 특징으로 하는 워크 교정 방법.In the work calibration method according to claim 1,
The gas supply process,
The gas supply mechanism provided in plurality is divided into a plurality of blocks, and the pressure of the gas supplied from the gas supply mechanism is independently controlled for each block.
Work calibration method characterized in that. 제2항에 기재된 워크 교정 방법에 있어서,
상기 기체 공급 과정은,
복수 마련되어 있는 상기 기체 공급 기구를 상기 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할하고,
상기 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을, 상기 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록 상기 블록별로 독립 제어하는
것을 특징으로 하는 워크 교정 방법.In the work calibration method according to claim 2,
The gas supply process,
The gas supply mechanism provided in plurality is divided into a plurality of blocks according to a distance from the center of the work piece,
Independent control for each block so that the pressure of the gas supplied from the gas supply mechanism is changed step by step from the center of the work toward the outer edge portion
Work calibration method characterized in that. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 워크 교정 방법에 있어서,
상기 흡착 과정은,
복수 마련되어 있는 상기 흡착 구멍을 복수의 블록으로 분할하고, 상기 흡착 구멍을 통하여 상기 워크를 흡착하는 힘을 상기 블록별로 독립 제어하는
것을 특징으로 하는 워크 교정 방법.In the work calibration method according to any one of claims 1 to 3,
The adsorption process,
The plurality of adsorption holes provided are divided into a plurality of blocks, and the force for adsorbing the workpiece through the suction holes is independently controlled for each block.
Work calibration method characterized in that. 제4항에 기재된 워크 교정 방법에 있어서,
상기 흡착 과정은,
복수 마련되어 있는 상기 흡착 구멍을 상기 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할하고,
상기 흡착 구멍을 통하여 상기 워크를 흡착하는 힘을, 상기 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록 상기 블록별로 독립 제어하는
것을 특징으로 하는 워크 교정 방법.In the work calibration method according to claim 4,
The adsorption process,
A plurality of adsorption holes provided are divided into a plurality of blocks according to a distance from the center of the work piece,
Independent control for each block such that the force for adsorbing the workpiece through the suction hole changes in stages from the center of the workpiece toward the outer edge portion.
Work calibration method characterized in that. 워크를 보유 지지하는 평탄한 보유 지지 테이블과,
상기 보유 지지 테이블의 상방에 마련되어 있고, 상기 워크의 상면에 기체를 공급하여 상기 기체의 압력에 의해 상기 워크를 압박시키는 기체 공급 기구와,
상기 보유 지지 테이블에 마련되어 있는 흡착 구멍을 통하여 상기 워크의 하면을 상기 보유 지지 테이블에 흡착시키는 흡착 기구
를 구비하는 것을 특징으로 하는 워크 교정 장치.A flat holding table for holding the work;
A gas supply mechanism provided above the holding table and configured to supply a gas to an upper surface of the work and press the work by the pressure of the gas;
Adsorption mechanism for adsorbing the lower surface of the workpiece to the holding table through the suction hole provided in the holding table.
Work calibration device comprising a. 제6항에 기재된 워크 교정 장치에 있어서,
복수 마련되어 있는 상기 기체 공급 기구는 복수의 블록으로 분할되어 있고,
상기 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을 상기 블록별로 독립 제어하는 공급 제어 기구를 구비하는
것을 특징으로 하는 워크 교정 장치.In the work straightening device according to claim 6,
The gas supply mechanism provided in plurality is divided into a plurality of blocks,
And a supply control mechanism for independently controlling the pressure of the gas supplied from the gas supply mechanism for each block.
Work calibration device, characterized in that. 제7항에 기재된 워크 교정 장치에 있어서,
복수 마련되어 있는 상기 기체 공급 기구는 상기 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할되어 있고,
상기 공급 제어 기구는,
상기 기체 공급 기구로부터 공급되는 기체의 압력을, 상기 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록 상기 블록별로 독립 제어하는
것을 특징으로 하는 워크 교정 장치.In the work straightening device according to claim 7,
The gas supply mechanism provided in plurality is divided into a plurality of blocks according to a distance from the center of the work piece,
The supply control mechanism,
Independent control for each block so that the pressure of the gas supplied from the gas supply mechanism is changed step by step from the center of the work toward the outer edge portion
Work calibration device, characterized in that. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 워크 교정 장치에 있어서,
복수 마련되어 있는 상기 흡착 구멍은 복수의 블록으로 분할되어 있고,
상기 흡착 구멍을 통하여 상기 워크를 흡착하는 힘을 상기 블록별로 독립 제어하는 흡착 제어 기구를 구비하는
것을 특징으로 하는 워크 교정 장치.In the workpiece | work straightening device in any one of Claims 6-8,
The adsorption hole provided in plurality is divided into a plurality of blocks,
And an adsorption control mechanism for independently controlling the force for adsorbing the workpiece through the adsorption holes for each block.
Work calibration device, characterized in that. 제9항에 기재된 워크 교정 장치에 있어서,
복수 마련되어 있는 상기 흡착 구멍은 상기 워크의 중심으로부터의 거리에 따라 복수의 블록으로 분할되어 있고,
상기 흡착 제어 기구는,
상기 흡착 구멍을 통하여 상기 워크를 흡착하는 힘을, 상기 워크의 중심으로부터 외측 모서리부를 향함에 따라서 단계적으로 변화되도록 상기 블록별로 독립 제어하는
것을 특징으로 하는 워크 교정 장치.In the work straightening device according to claim 9,
The suction holes provided in plural are divided into plural blocks according to the distance from the center of the workpiece,
The adsorption control mechanism,
Independent control for each block such that the force for adsorbing the workpiece through the suction hole changes in stages from the center of the workpiece toward the outer edge portion.
Work calibration device, characterized in that.
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