KR20190115630A - 이차전지의 불량 검출을 위한 저전압 발현 수준 연산 시스템 및 검출 방법 - Google Patents

이차전지의 불량 검출을 위한 저전압 발현 수준 연산 시스템 및 검출 방법

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KR20190115630A
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Abstract

본 발명은 이차전지의 불량 검출을 위한 저전압 발현 수준을 확인하기 위하여 연산하는 수행하는 방법 및 시스템 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이차전지의 불량 검사를 수행하는 에이징 공정에서 측정된 전압강하량 결과와, 정상셀의 방전 전압에 따른 프로파일을 이용하여 석출물의 누설전류를 계산하고, 이를 통해 저전압 발현 수준을 직접적으로 제시하는 연산 방법 및 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 석출물에 의한 누설전류를 계산하는 방법 및 시스템을 도입함으로써, 저전압 발현 수준을 직접적으로 제시할 수 있으며, 효율적인 공정 관리가 가능한 한편, 정량적인 피드백이 가능하여 전지셀 제조 공정의 수율을 효과적으로 개선할 수 있다.

Description

이차전지의 불량 검출을 위한 저전압 발현 수준 연산 시스템 및 검출 방법 {Method and System for Calculating Low Voltage Expression Level of a Secondary Battery}
본 발명은 이차전지의 불량 검출을 위한 저전압 발현 수준을 확인하기 위하여 연산하는 수행하는 방법 및 시스템 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이차전지의 불량 검사를 수행하는 에이징 공정에서 측정된 전압강하량 결과와, 정상셀의 방전 전압에 따른 프로파일을 이용하여 석출물의 누설전류를 계산하고, 이를 통해 저전압 발현 수준을 직접적으로 제시하는 연산 방법 및 시스템에 관한 것이다.
모바일 기기에 대한 기술 개발과 수요가 증가하고 전기 자동차 등의 보급이 확대됨에 따라 에너지원으로서의 이차전지에 대해 수요가 급격히 증가하고 있으며, 그 중에서도 높은 용량과 에너지 밀도를 갖는 리튬 이차전지에 대한 수요가 특히 높다.
일반적으로 리튬 이차전지는 음극, 양극 및 분리막으로 구성되는 전극 조립체를 제조하여 전지 케이스에 내장하고, 상기 전극 조립체에 전해액을 주입하여 제조하는데, 이와 같이 제조된 리튬 이차전지는 소정의 충방전을 실시하여 전지를 활성화시켜 주어야 전지로서 기능을 할 수 있게 되는 바, 이러한 공정을 포메이션(formation) 공정 또는 활성화 공정이라고 한다. 또한, 이차전지는 추가로 에이징(aging) 공정 및 불량 선별 공정을 거친 후에 출하되는데, 에이징 공정은 전해액이 전극의 빈 공간으로 들어가서 안정된 전해액 채널을 형성하도록 시간 여유를 주는 숙성 공정이다.
이차전지는 다공질의 절연 필름(분리막)에 의해 양극과 음극의 접촉이 방지되어 단락이 발생되지 않도록 제조되지만, 전지의 제조 공정 중에 여러 가지 원인에 의해 절연이 제대로 유지되지 않게 될 수 있고, 이에 따라 전지의 내부 단락이 발생할 수 있게 된다. 리튬이온 전지는 양극과 음극이 단락되면 발화, 폭발로 연결될 수 있고, 아주 미소하게 단락되어 있는 경우에도 이온이 이동하고 전류가 흐르게 되는데. 흔히 이러한 상태를 소프트 쇼트 또는 마이크로 쇼트(micro short)라고 한다.
소프트 쇼트에 의해 석출물이 발생하면서, 저전압 불량이 유발되는데, 소프트 쇼트 전지는 하드 쇼트 전지에 비해 그것이 발현하는데 상대적으로 오랜 시간이 걸리는 경우가 많으며, 또한 단락 상태나 정도 등에 따라 그것의 발현 시간이 상당히 차이가 나기도 한다.
종래의 불량 선별 공정에서는, 양품과 불량품의 전압 강하 차이 등을 활용하였으며, 이 때 측정되는 전압 강하량의 수치를 통해 저전압 발현 단계 별 변화 및 그에 따른 효과를 제시할 수 있었다. 그러나, 이러한 방법은 실제 저전압 발현 수준에 대한 정량적인 해석은 불가능하여, 효율적인 공정 개선을 위해 불량 셀들의 불량 정도를 정량적으로 분류하는 것이 불가능하며, 불량 셀들의 저전압 발현 수준을 하나의 척도로 나타낼 수 없다는 문제가 있었다.
따라서, 저전압 수준을 정량적으로 제시하고, 이를 저전압 불량을 직접 야기하는 석출물과 연관된 인자인 누설전류로 표시하여 활용한다면, 전압 강하 정도에 따른 불량 전지셀을 판별함이 용이하며, 전지셀 제조 공정 개선에도 정량적인 피드백이 가능하므로 바람직할 것이다.
본 발명은 저전압 발현 단계를 제시하기 위하여 양품과 불량품의 전압 강하 차이 등을 이용한 종래 공정의 문제점을 개선하고, 전지셀의 누설전류를 이용한 신규한 방식의 저전압 발현 수준 및 계산 방법을 제시하며, 이를 기초로 하여 효율적인 공정 개선을 위한 정량적인 수치를 산출할 수 있는 연산 방법 및 시스템을 제공한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 출원의 발명자들은 여러 측면에서 다각도로 연구를 거듭한 끝에, 종래의 전압차를 이용하여 저전압 발현 수준을 제시하는 것과는 달리, 저전압 불량을 야기하는 석출물에 대하여 직접적이고 정량적 표시가 가능한 누설전류 인자에 착안하여 본 발명을 완성하게 된 것이다.
따라서, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시형태에 따른 이차전지의 전지셀 불량 검사 과정에 있어 이차전지 저전압 불량 발현 수준의 검출 방법은,
(a) 상기 전지셀의 에이징 공정 중 불량검사구간을 설정하는 단계;
(b) 불량검사구간 시작 시 전지셀의 개방회로전압(Open Circuit Voltage, OCV) Vs를 측정하는 단계;
(c) 불량검사구간 종료 시 전지셀의 개방회로전압(Open Circuit Voltage, OCV) Ve를 측정하는 단계;
(d) 정상셀의 방전 전압 프로파일을 이용하여, 상기 Vs 및 Ve에서의 전지셀 용량 Cs 및 Ce를 확인하는 단계;
(e) 불량검사 구간 소요 시간 및 상기 Cs와 Ce 변화값인 Cd를 이용하여 누설전류를 계산하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 단계 (a)의 에이징 공정은 출하 에이징 공정일 수 있다.
상기 단계 (d)에서는 정상셀의 방전 전압 프로파일을 필요로 하는데, 추후 누설전류 계산 값을 보다 정확히 산출하기 위해서 정상 전지 셀의 활성화 공정 중 만방전 전압 프로파일을 이용하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 단계 (e)의 전지셀의 용량 변화값인 Cd는 하기 수학식 1에 의해 도출된다.
<수학식 1>
Cd = Cs - Ce
(상기 식에서, Cd는 전지셀의 용량 변화값, Cs는 정상셀의 방전 전압 프로파일에서 (b) 단계의 Vs와 동일한 전압일 때의 전지셀 용량, Ce는 정상셀의 방전 전압 프로파일에서 (c) 단계의 Ve와 동일한 전압일 때의 전지셀 용량을 나타낸다.)
상기 단계 (e)의 누설전류는 하기 전지셀 용량 변화값을 불량검사구간의 소요시간으로 나누면 계산할 수 있는데, 구체적으로는 하기 수학식 2에 의해 도출될 수 있다.
<수학식 2>
Ileak=Cd/T
(상기 식에서, lleak는 전지셀의 누설전류를, Cd는 전지셀의 용량 변화값을, T는 불량검사구간의 소요시간을 나타낸다.)
상기 Ileak 값은 대상 전지셀이 정상셀인 경우, 양품 전지셀의 자가방전에 의한 누설전류 값으로 산정된다. 한편, 대상 전지셀이 저전압이 발현된 불량셀인 경우, 상기 Ileak 값은 자가방전에 의한 누설전류와 내부단락에 의한 누설전류를 합한 값이 된다.
따라서, 상기 대상 전지셀이 정상셀인지 또는 불량셀인지에 따라, 추가적인 단계를 진행함으로써 자가방전에 의한 누설전류 및 석출물로 인한 내부단락 누설전류를 계산할 수 있다.
만약, 상기 대상 전지셀이 불량으로 판정된 전지셀인 경우, 하기 수학식 3에 의한 석출물 누설전류를 계산하는 단계를 추가로 포함할 수 있으며, 상기 단계에 의하여 종래의 방법과는 달리 내부단락에 의한 석출물 및 불량 정도에 대한 정량적인 분석이 가능하다.
<수학식 3>
석출물 누설전류 = 불량으로 판정된 전지셀의 누설전류 - 정상셀의 평균 누설전류
한편, 상기 대상 전지셀이 정상셀인 경우, 상기 (e) 단계에서 계산한 누설전류인 Ileak 값을 양품 전지셀의 자가방전에 의한 누설전류로 기록하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 저전압 발현 수준을 검출하기 위한 시스템으로서, 계측부, 저장부 및 연산부를 포함하되, 상기 계측부는, 전지셀의 전압 측정부 및 불량검사구간의 소요시간 측정부를 포함하고, 상기 저장부는, 전지셀의 전압값 저장부, 정상셀의 방전 전압 프로파일 저장부, 양불판정결과 저장부, 정상셀의 누설전류 평균값 저장부를 포함하며, 상기 연산부는, 전지셀의 누설전류 연산부 및 석출물 누설전류 연산부를 포함할 수 있다.
상기 양불판정결과 저장부는 전지셀의 정상 또는 불량을 판정한 결과가 저장되며, 그에 따라 양품 전지셀의 자가방전에 의한 누설전류를 기록하는 단계 및 불량셀의 석출물 누설전류를 계산하는 단계 중에서 선택적으로 추가단계가 결정될 수 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점 및 상황을 고려하여, 석출물에 의한 누설전류를 계산하는 연산 장치를 도입하여, 저전압 발현 수준을 직접적으로 제시할 수 있으며, 정상셀의 평균 누설전류와 비교하여 전지셀의 불량 여부를 판별할 수 있다.
또한, 본 발명은 저전압에 직접적인 영향을 미치는 석출물에 의한 누설전류를 산출하는 것이 가능하여 전지셀의 불량 정도에 따라 분류함으로써 효율적인 공정 관리가 가능한 한편, 정량적인 피드백이 가능하여 전지셀 제조 공정의 수율을 효과적으로 개선할 수 있다.
도 1a는 본 발명에 따른 이차전지 저전압 불량 발현 수준 검출 방법의 바람직한 공정 순서의 일례를 나타난 순서도이다.
도 1b는 본 발명에 따른 이차전지 저전압 불량 발현 수준 검출 방법의 바람직한 공정 순서의 또다른 일례를 나타난 순서도이다.
도 2a는 정상 전지셀의 활성화 공정 중 만방전 전압 프로파일의 일례를 나타낸 차트이다.
도 2b는 도 2a의 그래프 중 회색으로 표시된 일부분을 확대한 차트이다.
도 3은 본 발명에 따른 이차전지 저전압 불량 발현 수준 검출 시스템의 바람직한 전체 구성을 나타낸 개략도이다.
본 발명에 의한 일 실시예에 따르면, 정상셀의 방전프로파일을 이용하여 전지셀의 에이징 공정에서 누설전류를 연산할 수 있으며, 이를 정상셀의 누설전류와 비교하여 불량 여부를 판단하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명의 또다른 일 실시예에 따르면, 상기 불량으로 판정된 전지셀의 누설전류 값에서, 정상셀의 누설전류 값을 제하여, 석출물에 의한 누설전류를 계산하는 것도 가능하다.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하면서 더욱 구체적으로 설명한다. 이하에서 기재하는 구체적인 사항이나 도면의 내용은 본 발명의 실시형태를 예시하는 것에 불과하므로, 본 발명은 이러한 기재 사항이나 내용에 한정되는 것으로 이해되어서는 아니 될 것이다.
한편 본 발명에서는 “단계(a)” 등의 용어를 사용하지만, 이들 용어는 공정 단계 등을 서로 구별하여 본 발명을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위하여 사용된 것임을 이해하여야 하며, 또한 이러한 용어들에 의해 본 발명의 범위가 부당하게 축소 해석되어서는 아니 될 것이다.
본 발명은 이차전지의 전지셀 불량 검사 과정에 있어서, 전지셀 불량 발현 수준을 연산하는 방법을 제시하는바, 그 구체적인 양태의 하나로서 도 1a에 도시된 순서도를 참조하여 설명하면, (a) 상기 전지셀의 에이징 공정 중 불량검사구간을 설정하는 단계; (b) 불량검사구간 시작 시 전지셀의 개방회로전압(Open Circuit Voltage, OCV) Vs를 측정하는 단계; (c) 불량검사구간 종료 시 전지셀의 개방회로전압(Open Circuit Voltage, OCV) Ve를 측정하는 단계;
(d) 정상셀의 방전 전압 프로파일을 이용하여, 상기 Vs 및 Ve에서의 전지셀 용량 Cs 및 Ce를 확인하는 단계; (e) 불량검사 구간 소요 시간 및 상기 Cs와 Ce 변화값인 Cd를 이용하여 누설전류를 계산하는 단계;를 포함하도록 할 수 있다.
상기 에이징 공정은 활성화 공정 또는 출하 공정에서 진행될 수 있다. 구체적으로 상기한 활성화 공정 중 진행되는 에이징 공정은 일정 온도 및 일정 습도로 이루어질 수 있다. 한편 활성화 공정 중 진행되는 포메이션 공정은 이차전지의 수명의 안정성을 확보하기 위하여 진행하게 되며, 이차 전지를 대상으로 반충전 또는 만충전, 반방전 또는 완전 방전을 1회 이상 반복적으로 수행하는 방법에 의하여 진행된다. 그리고 각 SOC별로 OCV(Open Circuit Voltage)를 측정하여 이차전지의 전압이 강하되는 정도를 단계별로 체크해 불량 전지를 검출하기도 한다. 이러한 공정을 진행한 후 출하 전에 이차 전지의 불량을 검출하기 위한 출하 에이징 공정을 진행한다.
본 발명의 불량검사구간은 상기 에이징 과정 중 설정이 가능하나, 정확한 저전압 수준을 판별하기 위해서는, 상기 활성화 공정 중의 에이징 과정보다는 출하 에이징 공정에서 진행하는 것이 바람직하다. 최종 단계까지 불량 선별이 되지 않아 양품으로 지정된 것 중에서 출하 에이징 구간 동안 저전압 불량이 발현될 수 있기 때문이다. 즉, 출하 에이징 공정에서 불량검사구간을 설정하는 경우, 효율적으로 불량 전지를 선별할 수 있는 이점이 있다.
한편 상기 단계 (b) 및 (c)에서는 불량검사구간 시작 및 끝 지점에서 각각 개방회로전압(Open Circuit Voltage, OCV)을 측정하게 되는데, 이 때 측정한 불량검사 구간 시작 시 OCV인 Vs값, 종료 시 OCV인 Ve값 및 사전에 입력된 정상셀의 방전 전압 프로파일을 참조하여, 본 발명에 의한 전지셀의 누설전류를 계산하게 된다.
상기 정상셀의 방전 전압 프로파일은 사전에 정상으로 판별된 전지셀의 활성화 공정 중 측정된 만방전 전압 프로파일을 이용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 의한 불량 전지셀 저전압 발현 수준 검출방법은 불량검사구간 동안 누설전류가 일정하다는 가정 하에, 정상셀의 방전 전압 프로파일을 참조하여 방전용량값을 찾고 시간에 따른 누설전류값을 도출하는 것인바, 레퍼런스가 될 수 있는 정상셀의 정확한 프로파일 값이 중요하다. 따라서, 가능하면 정상셀의 활성화 공정 중 측정된 만방전 전압 프로파일을 사용하는 것이 좋다.
상기 단계 (d)에서는 상기 방전 전압 프로파일에서 Vs 및 Ve와 동일한 전압값에 해당하는 방전용량 값을 확인하여 Cs, Ce 값을 구한다.
상기 Cs, Ce 값으로부터 전지셀의 방전용량차(전지셀 용량 변화값과 같음)인 Cd값이 도출되는데 수식으로 나타내면 하기 수학식 1과 같다.
<수학식 1>
Cd = Cs - Ce
(상기 식에서, Cd는 전지셀의 용량 변화값, Cs는 정상셀의 방전 전압 프로파일에서 (b) 단계의 Vs와 동일한 전압일 때의 전지셀 용량, Ce는 정상셀의 방전 전압 프로파일에서 (c) 단계의 Ve와 동일한 전압일 때의 전지셀 용량을 나타낸다.)
Cd값의 도출 과정을 도 2a, 2b에 도시된 정상 전지셀의 만방전 전압 프로파일의 일례를 나타낸 차트를 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 2b에서 Cs값이 A, Ce값이 B이고, 차트에서와 같이 A지점에서 B지점으로 전압이 강하되는 경우, A, B 두 지점에서의 방전용량을 구할 수 있으며, 이에 대한 방전용량차(mAh, 전지셀 용량변화값과 같음)인 Cd를 도출하는 것이 가능하다.
상기 값을 불량검사구간의 소요시간으로 나누면 전지셀의 누설전류가 계산되는데, 이를 수식으로 나타내면 하기 수학식 2와 같다.
Ileak=Cd/T
(상기 식에서, lleak는 전지셀의 누설전류를, Cd는 전지셀의 용량 변화값을, T는 불량검사구간의 소요시간을 나타낸다.)
상기 Ileak 값은 대상 전지셀이 정상셀인 경우, 양품 전지셀의 자가방전에 의한 누설전류 값으로 산정된다. 한편, 대상 전지셀이 저전압이 발현된 불량셀인 경우, 상기 Ileak 값은 자가방전에 의한 누설전류와 내부단락에 의한 누설전류를 합한 값이 된다. 따라서, 상기 대상 전지셀이 정상셀인지 또는 불량셀인지에 따라, 추가적인 단계를 진행함으로써 자가방전에 의한 누설전류 및 석출물로 인한 내부단락 누설전류를 계산할 수 있게 된다.
상기한 방법에 따르면, 전지셀의 저전압 발현 수준을 전압차로 나타내어 단계 별 변화 효과만 제시했던 종래의 방법과 달리, 정량적인 누설전류 값으로 나타내는 것이 가능하다. 이로써, 누설전류 값의 크기로 저전압 발현 수준을 정량적으로 표시하는 것이 가능하며, 석출물에 따른 직접적인 저전압 발현 수준을 나타내는 것도 가능하다.
도 1b에 도시된 본 발명의 또다른 일 실시예에 따르면, 상기 대상 전지셀이 불량으로 판정된 전지셀인 경우, 하기 수학식 3에 의한 석출물 누설전류를 계산하는 단계를 추가로 포함할 수 있으며, 상기 단계에 의하여 종래의 방법과는 달리 내부단락에 의한 석출물 및 불량 정도에 대한 정량적인 분석이 가능하다.
<수학식 3>
석출물 누설전류 = 불량으로 판정된 전지셀의 누설전류 - 정상셀의 평균 누설전류
상기 수학식 3에서 정상셀의 평균 누설전류는, 상기 (e) 단계로부터 얻어진 정상셀의 누설전류 값을 기록하는 단계를 추가하고, 기록에 의해 대량으로 축적된 정상셀의 누설전류의 평균을 구함으로써 도출될 수 있다. 이 같이 본 발명은 저전압 불량셀에 있어서, 불량셀의 누설전류 중 자가 방전에 의한 누설전류를 정량적으로 제거하여 석출물의 누설전류를 계산할 수 있으므로, 저전압 발현 수준을 보다 직접적으로 제시할 수 있게 되는 것이다.
또한, 본 발명에 의한 불량 수준 검출 방법을 구현하기 위한 검출 시스템은 도 3에 도시된 바와 같이 계측부(100), 저장부(200) 및 연산부(300)를 포함하되, 상기 계측부(100)는 불량검사 구간의 시작 및 끝 지점에서 전압을 측정하는 전지셀의 전압 측정부(110) 및 불량검사구간의 소요시간 측정부(120)를 포함하고, 상기 저장부(200)는, 사전에 사용자에 의해 입력된 값이 저장되어 있으며, 정상셀의 방전 전압 프로파일 저장부(210), 양불판정결과 저장부(220) 및 정상셀의 누설전류 평균값 저장부(230)를 포함한다.
상기 연산부(300)는 상기 계측부(100)와 저장부(200)의 값을 이용하여, 전지셀의 누설전류 및 석출물의 누설전류를 연산을 수행하는 역할을 하며, 구체적으로 전지셀의 누설전류 연산부(310) 및 석출물 누설전류 연산부(320)를 포함할 수 있다. 상기 양불판정결과 저장부(220)에 저장된 결과에 따라, 정상셀인 경우 누설전류 연산부(310)에서 계산된 값을 그대로 양품 전지셀의 자가방전에 의한 누설전류 값으로 기록하면서 단계가 종료될 수 있으며, 불량셀인 경우에는 석출물 누설 전류를 연산하는 단계로 진행할 수 있다.
한편, 이상에서 바람직한 실시형태나 구체적인 예를 들면서 본 발명을 상세히 설명하였지만, 본 발명은 이러한 내용으로 한정되지 않음은 물론이며, 또한 상기한 내용에 기초하여 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 여러 가지 다른 형태로의 변형, 구성요소 등의 대체, 추가적인 구성요소의 부가 등을 할 수 있다는 것은 당업자에게 자명할 것이다.
100 : 계측부
110 : 전압 측정부
120 : 소요시간 측정부
200 : 저장부
210 : 전압 프로파일 저장부
220 : 양불판정결과 저장부
230 : 누설전류 평균값 저장부
300 : 연산부
310 : 전지셀 누설전류 연산부
320 : 석출물 누설전류 연산부

Claims (9)

  1. 이차전지의 전지셀 불량 검사 과정에 의한 저전압 불량 발현 수준을 판단하는 데 있어서,
    (a) 상기 전지셀의 에이징 공정 중 불량검사구간을 설정하는 단계;
    (b) 불량검사구간 시작 시 전지셀의 개방회로전압(Open Circuit Voltage, OCV) Vs를 측정하는 단계;
    (c) 불량검사구간 종료 시 전지셀의 개방회로전압(Open Circuit Voltage, OCV) Ve를 측정하는 단계;
    (d) 정상셀의 방전 전압 프로파일을 이용하여, 상기 Vs 및 Ve에서의 전지셀 용량 Cs 및 Ce를 확인하는 단계;
    (e) 불량검사 구간 소요 시간 및 상기 Cs와 Ce 변화값인 Cd를 이용하여 누설전류를 계산하는 단계;를 포함하는 이차전지 저전압 불량 발현 수준 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (a)의 에이징 공정은 출하 에이징 공정인 것인 이차전지 저전압 불량 발현 수준 검출 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (d)의 정상셀의 방전 전압 프로파일은 정상 전지 셀의 활성화 공정 중 만방전 전압 프로파일인 것인 이차전지 저전압 불량 발현 수준 검출 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (e)의 Cd는 하기 수학식 1에 의해 도출되는 것인 이차전지 저전압 불량 발현 수준 검출 방법.
    <수학식 1>
    Cd = Cs - Ce
    (상기 식에서, Cd는 전지셀의 용량 변화값, Cs는 정상셀의 방전 전압 프로파일에서 (b) 단계의 Vs와 동일한 전압일 때의 전지셀 용량, Ce는 정상셀의 방전 전압 프로파일에서 (c) 단계의 Ve와 동일한 전압일 때의 전지셀 용량을 나타낸다.)
  5. 제1항에 있어서,
    상기 단계 (e)의 누설전류는 하기 수학식 2에 의해 도출되는 것인 이차전지 저전압 불량 발현 수준 검출 방법.
    <수학식 2>
    Ileak=Cd/T
    (상기 식에서, lleak는 전지셀의 누설전류를, Cd는 전지셀의 용량 변화값을, T는 불량검사구간의 소요시간을 나타낸다.)
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전지셀이 불량으로 판정된 전지셀인 경우,
    하기 수학식 3에 의한 석출물 누설전류를 계산하는 단계를 추가로 포함하는 이차전지 저전압 불량 발현 수준 검출 방법.
    <수학식 3>
    석출물 누설전류 = 불량으로 판정된 전지셀의 누설전류 - 정상셀의 평균 누설전류
  7. 제1항에 있어서,
    상기 전지셀이 정상셀인 경우,
    상기 누설전류를 양품 전지셀의 자가방전에 의한 누설전류로 기록하는 단계를 추가로 포함하는 이차전지 저전압 불량발현 수준 검출 방법.
  8. 이차전지의 저전압 발현 수준을 검출하기 위한 시스템으로서,
    계측부, 저장부 및 연산부를 포함하되,
    상기 계측부는,
    전지셀의 전압 측정부 및 불량검사구간의 소요시간 측정부를 포함하고,
    상기 저장부는,
    정상셀의 방전 전압 프로파일 저장부, 양불판정결과 저장부 및 정상셀의 누설전류 평균값 저장부를 포함하며,
    상기 연산부는,
    전지셀의 누설전류 연산부 및 석출물 누설전류 연산부를 포함하는 이차전지 저전압 불량 발현 수준 검출 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 양불판정결과 저장부는 전지셀의 정상 또는 불량을 판정한 결과가 저장되는 것인 이차전지 저전압 불량 발현 수준 검출 시스템.
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