KR20190112664A - Plasma processing apparatus - Google Patents

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가츠미 세키구치
류이치 유이
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

The present invention provides a plasma processing device capable of shortening the wiring between a plurality of heaters and a plurality of coils. In the plasma processing device, a high frequency power source is electrically connected to a lower electrode of a supporting table through a power feeding unit. The power feeding unit is surrounded by a conductor pipe outside the chamber. An electrostatic chuck of the supporting table has a plurality of heaters therein. A filter device is provided between the heaters and a heater controller. The filter device includes a plurality of coil groups, each of which includes two or more coils. In each of the coil groups, the two or more coils are arranged such that winding portions of the two or more coils extend in a spiral shape around a central axis and turns of the winding portions are arranged sequentially and repeatedly. The coil groups are coaxially provided directly below the chamber to surround the conductor pipe.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}Plasma Processing Equipment {PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 개시의 실시형태는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present disclosure relate to a plasma processing apparatus.

전자 디바이스의 제조에 있어서는, 플라즈마 처리 장치가 이용되고 있다. 플라즈마 처리 장치는 챔버, 지지대 및 고주파 전원을 구비하고 있다. 지지대는, 챔버의 내부 공간 중에 마련되어 있고, 그 위에 탑재되는 기판을 지지하도록 구성되어 있다. 지지대는 하부 전극 및 정전 척을 포함하고 있다. 하부 전극에는, 고주파 전원이 접속되어 있다.In the manufacture of an electronic device, a plasma processing apparatus is used. The plasma processing apparatus is provided with a chamber, a support stand, and a high frequency power supply. The support stand is provided in the internal space of a chamber, and is comprised so that the board | substrate mounted on it may be supported. The support includes a lower electrode and an electrostatic chuck. A high frequency power supply is connected to the lower electrode.

플라즈마 처리 장치에 있어서 실행되는 플라즈마 처리에서는, 기판의 면내에 있어서의 온도의 분포를 조정하는 것이 필요하다. 기판의 면내에 있어서의 온도의 분포를 조정하기 위해서, 복수의 히터가 정전 척 내에 마련된다. 복수의 히터 각각은 복수의 급전 라인을 거쳐서 히터 컨트롤러에 접속된다.In the plasma processing performed in the plasma processing apparatus, it is necessary to adjust the distribution of the temperature in the plane of the substrate. In order to adjust the distribution of the temperature in surface inside of a board | substrate, some heater is provided in the electrostatic chuck. Each of the plurality of heaters is connected to the heater controller via a plurality of feed lines.

지지대의 하부 전극에는 고주파 전원으로부터 고주파가 공급된다. 하부 전극에 공급된 고주파는 복수의 급전 라인으로 유입될 수 있다. 복수의 급전 라인 상에서 고주파를 차단하거나 또는 감쇠시키기 위해서, 복수의 필터가 각각 복수의 급전 라인 상에 마련된다. 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 복수의 필터 각각은 코일 및 콘덴서를 포함한다. 복수의 필터는 챔버의 외측에 배치된다. 따라서, 복수의 급전 라인은 정전 척쪽으로부터 챔버의 외측까지 연장되는 복수의 배선을 각각 포함한다.High frequency is supplied to the lower electrode of the support from a high frequency power supply. The high frequency supplied to the lower electrode may flow into the plurality of feed lines. In order to cut off or attenuate high frequencies on the plurality of feed lines, a plurality of filters are provided on the plurality of feed lines, respectively. As described in Patent Literature 1, each of the plurality of filters includes a coil and a capacitor. The plurality of filters is disposed outside of the chamber. Thus, the plurality of power supply lines each include a plurality of wires extending from the electrostatic chuck side to the outside of the chamber.

일본 특허 공개 제 2014-99585호 공보Japanese Patent Publication No. 2014-99585

정전 척 내에 마련된 히터의 개수가 많아지면, 복수의 필터의 코일, 즉 복수의 코일을 배치하는 스페이스를 챔버 주위에 확보하는 것이 어려워진다. 따라서, 정전 척 내에 마련된 히터의 개수가 많아지면, 정전 척과 복수의 코일 각각의 사이의 거리가 길어져서, 복수의 급전 라인을 각각 구성하는 복수의 배선의 길이가 길어진다. 복수의 배선의 길이가 길어지면, 그러한 각각의 기생 성분에 기인하여, 복수의 필터의 임피던스(impedance)의 주파수 특성이 열화된다. 따라서, 정전 척 내에 마련된 복수의 히터와 복수의 필터의 코일을 전기적으로 접속하는 복수의 배선의 길이를 짧게 하는 것을 가능하게 하는 것이 요구된다.When the number of heaters provided in the electrostatic chuck increases, it becomes difficult to secure a space around the chamber in which coils of a plurality of filters, that is, a plurality of coils are arranged. Therefore, when the number of heaters provided in the electrostatic chuck increases, the distance between the electrostatic chuck and each of the plurality of coils becomes long, and the lengths of the plurality of wirings constituting the plurality of power supply lines respectively become long. If the lengths of the plurality of wirings become long, the frequency characteristics of the impedance of the plurality of filters are deteriorated due to the respective parasitic components. Therefore, it is desired to be able to shorten the length of the plurality of wirings that electrically connect the plurality of heaters provided in the electrostatic chuck and the coils of the plurality of filters.

일 태양에 있어서는, 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 장치는 챔버, 지지대, 급전체, 도체 파이프, 고주파 전원, 필터 장치 및 복수의 배선을 구비한다. 지지대는 챔버의 내부 공간 중에서 기판을 지지하도록 구성되어 있다. 지지대는 하부 전극 및 정전 척을 갖는다. 정전 척은 하부 전극 상에 마련되어 있다. 정전 척은 복수의 히터를 갖는다. 복수의 히터는 정전 척의 내부에 마련되어 있다. 급전체는 하부 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 급전체는 하부 전극의 하측에서 하방으로 연장되어 있다. 도체 파이프는 챔버의 외측에서 급전체를 둘러싸도록 연장되어 있다. 도체 파이프는 접지되어 있다. 고주파 전원은 급전체에 전기적으로 접속되어 있다. 필터 장치는 복수의 히터로부터 히터 컨트롤러에 고주파가 유입되는 것을 방지하도록 구성되어 있다. 복수의 배선은 복수의 히터와 필터 장치의 복수의 코일을 각각 전기적으로 접속한다.In one aspect, a plasma processing apparatus is provided. The plasma processing apparatus includes a chamber, a support, a feeder, a conductor pipe, a high frequency power supply, a filter device, and a plurality of wirings. The support is configured to support the substrate in the interior space of the chamber. The support has a lower electrode and an electrostatic chuck. The electrostatic chuck is provided on the lower electrode. The electrostatic chuck has a plurality of heaters. The plurality of heaters are provided inside the electrostatic chuck. The feeder is electrically connected to the lower electrode. The feeder extends downward from the lower side of the lower electrode. The conductor pipe extends to surround the feeder on the outside of the chamber. The conductor pipe is grounded. The high frequency power supply is electrically connected to the feeder. The filter device is configured to prevent high frequency from flowing into the heater controller from the plurality of heaters. The plurality of wirings electrically connect the plurality of heaters and the plurality of coils of the filter device, respectively.

필터 장치는 상기 복수의 코일, 복수의 콘덴서 및 하우징을 갖는다. 복수의 코일은 복수의 히터에 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 콘덴서는 복수의 코일과 접지 사이에 각각 접속되어 있다. 하우징은 전기적으로 접지되어 있고, 복수의 코일을 그 내에 수용하고 있다. 복수의 코일은 복수의 코일군을 구성한다. 복수의 코일군 각각은 2개 이상의 코일을 포함한다. 복수의 코일군 각각에 있어서, 2개 이상의 코일은 각각의 권선부가 중심 축선의 주위에서 나선 형상으로 연장되고, 또한 각각의 턴(turn)이, 중심 축선이 연장되는 축선 방향을 따라 순서대로 또한 반복해서 배열되도록, 마련되어 있다. 복수의 코일군은 챔버의 바로 아래에서 도체 파이프를 둘러싸도록 중심 축선에 대해서 동축으로 마련되어 있다.The filter device has the plurality of coils, the plurality of capacitors and the housing. The plurality of coils are electrically connected to the plurality of heaters. The plurality of capacitors are respectively connected between the plurality of coils and the ground. The housing is electrically grounded and houses a plurality of coils therein. The plurality of coils constitute a plurality of coil groups. Each of the plurality of coil groups includes two or more coils. In each of the plurality of coil groups, the two or more coils are repeated in order along the axis direction in which each of the windings extends in a spiral shape around the central axis, and each turn is extended in the spiral direction. It is provided so that it may be arranged. The plurality of coil groups are provided coaxially with respect to the central axis so as to surround the conductor pipe directly under the chamber.

일 태양에 따른 플라즈마 처리 장치에서는, 각각이 2개 이상의 코일을 포함하는 복수의 코일군이 중심 축선을 공유하도록 동축으로 마련되어 있다. 따라서, 복수의 코일군을 구성하는 복수의 코일이 점유하는 스페이스는 작다. 그러므로, 복수의 코일을 포함하는 필터 장치를 챔버의 바로 아래에 배치하는 것이 가능하고, 정전 척 내에 마련된 복수의 히터와 복수의 코일을 전기적으로 접속하는 복수의 배선의 길이를 짧게 하는 것이 가능하다. 또한, 복수의 코일군은 도체 파이프를 둘러싸도록 마련되어 있으므로, 복수의 코일 각각의 단면적은 크다. 따라서, 복수의 코일 각각의 코일 길이가 짧아도 필요한 인덕턴스(inductance)가 확보된다.In the plasma processing apparatus according to one aspect, a plurality of coil groups each including two or more coils is provided coaxially so as to share a central axis. Therefore, the space which the some coil which comprises a some coil group occupies is small. Therefore, it is possible to arrange the filter device including the plurality of coils directly under the chamber, and to shorten the length of the plurality of heaters provided in the electrostatic chuck and the plurality of wirings electrically connecting the plurality of coils. In addition, since the coil group is provided so as to surround the conductor pipe, the cross-sectional area of each of the coils is large. Therefore, the required inductance is ensured even if the coil length of each of the plurality of coils is short.

일 실시형태에 있어서, 복수의 배선은 서로 실질적으로 동일한 길이를 갖고 있다.In one embodiment, the plurality of wirings have substantially the same length as each other.

일 실시형태에 있어서, 정전 척의 주연부에는, 복수의 히터에 전기적으로 접속된 복수의 단자가 마련되어 있다. 플라즈마 처리 장치는 회로 기판, 복수의 제 1 전기 커넥터, 복수의 제 2 전기 커넥터 및 복수의 가요성 회로 기판을 더 구비한다. 회로 기판에는, 복수의 코일의 인출선이 접속되어 있다. 복수의 제 1 전기 커넥터는 회로 기판으로부터 상방으로 연장되어 있다. 복수의 제 2 전기 커넥터는 복수의 제 1 전기 커넥터에 각각 결합되어 있다. 복수의 가요성 회로 기판은 복수의 제 2 전기 커넥터로부터 정전 척의 주연부의 하측까지 연장되어 있다. 복수의 배선 각각은, 회로 기판, 복수의 제 1 전기 커넥터 중 대응하는 제 1 전기 커넥터, 복수의 제 2 전기 커넥터 중 대응하는 제 2 전기 커넥터, 및 복수의 가요성 회로 기판 중 대응하는 가요성 회로 기판 내에서 연장되어 있다. 이러한 실시형태에 의하면, 복수의 배선을, 그 길이가 실질적으로 동일하게 되도록, 회로 기판 및 복수의 가요성 회로 기판 내에서 연장시키는 것이 가능하다.In one embodiment, a plurality of terminals electrically connected to the plurality of heaters are provided at the peripheral portion of the electrostatic chuck. The plasma processing apparatus further includes a circuit board, a plurality of first electrical connectors, a plurality of second electrical connectors, and a plurality of flexible circuit boards. Lead wires of a plurality of coils are connected to the circuit board. The plurality of first electrical connectors extend upward from the circuit board. The plurality of second electrical connectors are each coupled to the plurality of first electrical connectors. The plurality of flexible circuit boards extend from the plurality of second electrical connectors to the lower side of the peripheral portion of the electrostatic chuck. Each of the plurality of wirings includes a circuit board, a corresponding first electrical connector among the plurality of first electrical connectors, a corresponding second electrical connector among the plurality of second electrical connectors, and a corresponding flexible circuit among the plurality of flexible circuit boards. It extends within the substrate. According to this embodiment, it is possible to extend the plurality of wirings in the circuit board and the plurality of flexible circuit boards so that their lengths are substantially the same.

일 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치는 복수의 다른 회로 기판을 더 구비한다. 복수의 다른 회로 기판은 복수의 코일의 하방에 마련되어 있다. 복수의 콘덴서 각각은 복수의 다른 회로 기판 중 대응하는 회로 기판 상에 탑재되어 있다.In one embodiment, the plasma processing apparatus further includes a plurality of different circuit boards. A plurality of different circuit boards are provided below the plurality of coils. Each of the plurality of capacitors is mounted on a corresponding circuit board among a plurality of other circuit boards.

이상 설명한 바와 같이, 정전 척 내에 마련된 복수의 히터와 복수의 필터를 전기적으로 접속하는 복수의 배선의 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.As described above, the length of the plurality of wirings for electrically connecting the plurality of heaters and the plurality of filters provided in the electrostatic chuck can be shortened.

도 1은 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 지지대의 확대 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 복수의 필터의 회로 구성을, 복수의 히터 및 히터 컨트롤러와 함께 도시하는 도면이다.
도 4는 일 실시형태에 따른 필터 장치의 복수의 코일의 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시하는 복수의 코일을 파단하여 도시하는 사시도이다.
도 6은 도 4에 도시하는 복수의 코일의 일부를 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 7은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서 필터 장치의 복수의 코일을 정전 척의 복수의 단자에 전기적으로 접속하는 복수의 배선을 제공하는 복수의 부재를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 8은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 정전 척의 하면의 평면도이다.
도 9는 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 하부 전극의 하면의 평면도이다.
도 10은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서 필터 장치의 복수의 코일을 정전 척의 복수의 단자에 전기적으로 접속하는 복수의 배선을 제공하는 복수의 부재를 도시하는 평면도이다.
도 11은 다른 실시형태에 따른 필터 장치의 복수의 코일의 사시도이다.
도 12는 시뮬레이션에 있어서의 코일군을 도시하는 사시도이다.
도 13의 (a), 도 13의 (b) 및 도 13의 (c)는 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프이다.1 is a diagram schematically showing a plasma processing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is an enlarged sectional view of the support of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1.
It is a figure which shows the circuit structure of the some filter of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1 with some heater and a heater controller.
4 is a perspective view of a plurality of coils of the filter device according to one embodiment.
FIG. 5 is a perspective view showing a plurality of coils broken in FIG. 4. FIG.
It is sectional drawing which expands and shows a part of some coil shown in FIG.
FIG. 7 is a diagram schematically showing a plurality of members that provide a plurality of wirings for electrically connecting a plurality of coils of a filter device to a plurality of terminals of an electrostatic chuck in the plasma processing apparatus shown in FIG. 1.
FIG. 8 is a plan view of the bottom surface of the electrostatic chuck of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1.
9 is a plan view of the bottom surface of a lower electrode of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1.
FIG. 10 is a plan view illustrating a plurality of members that provide a plurality of wirings for electrically connecting a plurality of coils of a filter device to a plurality of terminals of an electrostatic chuck in the plasma processing apparatus shown in FIG. 1.
11 is a perspective view of a plurality of coils of a filter device according to another embodiment.
12 is a perspective view illustrating a coil group in a simulation.
13 (a), 13 (b) and 13 (c) are graphs showing simulation results.

이하, 도면을 참조하여 여러 가지의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, various embodiment is described in detail with reference to drawings. In addition, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected about the same or corresponding part.

도 1은 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 1에 있어서는, 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치가, 그 일부가 파단된 상태로 도시되어 있다. 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치(1)는 용량 결합형 플라즈마 처리 장치이다.1 is a diagram schematically showing a plasma processing apparatus according to an embodiment. In FIG. 1, the plasma processing apparatus which concerns on one Embodiment is shown with the one part broken. The plasma processing apparatus 1 shown in FIG. 1 is a capacitively coupled plasma processing apparatus.

플라즈마 처리 장치(1)는 챔버(10)를 구비하고 있다. 챔버(10)는 내부 공간(10s)을 제공하고 있다. 챔버(10)는 챔버 본체(12)를 포함하고 있다. 챔버 본체(12)는 대략 원통 형상을 갖고 있다. 내부 공간(10s)은 챔버 본체(12)의 내측에 제공되어 있다. 챔버 본체(12)는, 예를 들어 알루미늄으로 형성되어 있다. 챔버 본체(12)는 접지되어 있다. 챔버 본체(12)의 내벽면, 즉 내부 공간(10s)을 형성하는 벽면에는, 내플라즈마성을 갖는 막이 형성되어 있다. 이 막은, 양극 산화 처리에 의해서 형성된 막, 또는 산화이트륨으로 형성된 막과 같은 세라믹제의 막일 수 있다.The plasma processing apparatus 1 is provided with the chamber 10. The chamber 10 provides an interior space 10s. The chamber 10 includes a chamber body 12. The chamber main body 12 has a substantially cylindrical shape. The internal space 10s is provided inside the chamber body 12. The chamber main body 12 is made of aluminum, for example. The chamber body 12 is grounded. The film | membrane which has plasma resistance is formed in the inner wall surface of the chamber main body 12, ie, the wall surface which forms 10s of internal spaces. This film may be a film made of ceramics such as a film formed by anodizing or a film formed of yttrium oxide.

챔버 본체(12)의 측벽에는, 개구(12p)가 형성되어 있다. 기판(W)은, 내부 공간(10s)과 챔버(10)의 외부 사이에서 반송될 때, 개구(12p)를 통과한다. 개구(12p)는 게이트 밸브(12g)에 의해서 개폐 가능하다. 게이트 밸브(12g)는 챔버 본체(12)의 측벽을 따라 마련되어 있다. 또한, 기판(W)은, 예를 들어 실리콘과 같은 소재로 형성된 원반 형상의 판이다.An opening 12p is formed in the side wall of the chamber main body 12. The substrate W passes through the opening 12p when conveyed between the internal space 10s and the outside of the chamber 10. The opening 12p can be opened and closed by the gate valve 12g. The gate valve 12g is provided along the side wall of the chamber main body 12. In addition, the board | substrate W is a disk-shaped board formed from the raw material like silicon, for example.

플라즈마 처리 장치(1)는 지지대(14)를 더 구비하고 있다. 지지대(14)는 내부 공간(10s) 중에 마련되어 있다. 지지대(14) 상에는, 기판(W)이 탑재된다. 지지대(14)는, 내부 공간(10s) 중에서, 기판(W)을 지지하도록 구성되어 있다. 지지대(14)는 지지부(15) 상에 탑재되어 있고, 지지부(15)에 의해서 지지되어 있다. 지지부(15)는 챔버 본체(12)의 바닥부로부터 상방으로 연장되어 있다.The plasma processing apparatus 1 further includes a support 14. The support stand 14 is provided in 10s of internal spaces. On the support base 14, the board | substrate W is mounted. The support stand 14 is comprised so that the board | substrate W may be supported in 10s of internal spaces. The support 14 is mounted on the support 15, and is supported by the support 15. The support part 15 extends upward from the bottom part of the chamber main body 12.

지지대(14) 및 지지부(15)의 주위에는, 부재(16), 부재(17) 및 배플판(18)이 마련되어 있다. 부재(16)는 원통 형상을 갖고 있으며, 도체로 형성되어 있다. 부재(16)는 지지부(15)의 외주면을 따라 챔버 본체(12)의 바닥부로부터 상방으로 연장되어 있다. 부재(17)는 대략 환상판 형상을 갖고 있고, 석영과 같은 절연체로 형성되어 있다. 부재(17)는 부재(16)의 상방에 마련되어 있다. 부재(17) 상에는, 지지대(14) 상에 탑재된 기판(W)의 에지를 둘러싸도록 포커스 링(FR)이 배치된다.A member 16, a member 17, and a baffle plate 18 are provided around the support 14 and the support 15. The member 16 has a cylindrical shape and is formed of a conductor. The member 16 extends upward from the bottom of the chamber body 12 along the outer circumferential surface of the support 15. The member 17 has a substantially annular plate shape and is formed of an insulator such as quartz. The member 17 is provided above the member 16. On the member 17, the focus ring FR is disposed to surround the edge of the substrate W mounted on the support 14.

배플판(18)은 대략 환상판 형상을 갖고 있다. 배플판(18)은, 예를 들어 알루미늄제의 모재에 산화이트륨 등의 세라믹을 피복하는 것에 의해 구성된다. 배플판(18)에는, 다수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 배플판(18)의 내연부는 부재(16)와 부재(17) 사이에 협지(挾持)되어 있다. 배플판(18)은 그 내연부로부터 챔버 본체(12)의 측벽까지 연장되어 있다. 배플판(18)의 하방에서는, 배기 장치(20)가 챔버 본체(12)의 바닥부에 접속되어 있다. 배기 장치(20)는 자동 압력 제어 밸브와 같은 압력 제어기 및 터보 분자 펌프와 같은 진공 펌프를 갖고 있다. 배기 장치(20)는 내부 공간(10s)을 감압할 수 있다.The baffle plate 18 has a substantially annular plate shape. The baffle plate 18 is comprised by coating ceramics, such as yttrium oxide, on the base material made from aluminum, for example. In the baffle plate 18, a plurality of through holes are formed. The inner edge of the baffle plate 18 is sandwiched between the member 16 and the member 17. The baffle plate 18 extends from the inner edge part to the side wall of the chamber main body 12. Below the baffle plate 18, the exhaust device 20 is connected to the bottom of the chamber body 12. The exhaust device 20 has a pressure controller such as an automatic pressure control valve and a vacuum pump such as a turbo molecular pump. The exhaust device 20 can depressurize the internal space 10s.

플라즈마 처리 장치(1)는 상부 전극(30)을 더 구비하고 있다. 상부 전극(30)은 지지대(14)의 상방에 마련되어 있다. 상부 전극(30)은 부재(32)와 함께 챔버 본체(12)의 상부 개구를 폐쇄하고 있다. 부재(32)는 절연성을 갖고 있다. 상부 전극(30)은 부재(32)를 거쳐서 챔버 본체(12)의 상부에 지지되어 있다. 또한, 상부 전극(30)의 전위는, 후술하는 제 1 고주파 전원이 지지대(14)의 하부 전극에 전기적으로 접속되는 경우에는, 접지 전위로 설정된다.The plasma processing apparatus 1 further includes an upper electrode 30. The upper electrode 30 is provided above the support 14. The upper electrode 30 closes the upper opening of the chamber main body 12 together with the member 32. The member 32 has insulation. The upper electrode 30 is supported on the upper part of the chamber main body 12 via the member 32. In addition, the electric potential of the upper electrode 30 is set to a ground electric potential, when the 1st high frequency power supply mentioned later is electrically connected to the lower electrode of the support stand 14.

상부 전극(30)은 천정판(34) 및 지지체(36)를 포함하고 있다. 천정판(34)의 하면은 내부 공간(10s)을 형성하고 있다. 천정판(34)에는, 복수의 가스 토출 구멍(34a)이 마련되어 있다. 복수의 가스 토출 구멍(34a) 각각은 천정판(34)을 판 두께 방향(연직 방향)으로 관통하고 있다. 이 천정판(34)은 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 실리콘으로 형성되어 있다. 혹은, 천정판(34)은 알루미늄제의 모재의 표면에 내플라즈마성을 갖는 막을 마련한 구조를 가질 수 있다. 이 막은, 양극 산화 처리에 의해서 형성된 막, 또는 산화이트륨으로 형성된 막과 같은 세라믹제의 막일 수 있다.The upper electrode 30 includes a ceiling plate 34 and a support 36. The lower surface of the ceiling plate 34 forms an internal space 10s. The ceiling plate 34 is provided with a plurality of gas discharge holes 34a. Each of the plurality of gas discharge holes 34a penetrates the ceiling plate 34 in the plate thickness direction (vertical direction). This ceiling plate 34 is not limited, but is made of silicon, for example. Alternatively, the ceiling plate 34 may have a structure in which a film having plasma resistance is provided on the surface of an aluminum base material. This film may be a film made of ceramics such as a film formed by anodizing or a film formed of yttrium oxide.

지지체(36)는 천정판(34)을 착탈 가능하게 지지하는 부품이다. 지지체(36)는, 예를 들어 알루미늄과 같은 도전성 재료로 형성될 수 있다. 지지체(36)의 내부에는, 가스 확산실(36a)이 마련되어 있다. 가스 확산실(36a)로부터는, 복수의 가스 구멍(36b)이 하방으로 연장되어 있다. 복수의 가스 구멍(36b)은 복수의 가스 토출 구멍(34a)에 각각 연통하여 있다. 지지체(36)에는, 가스 도입구(36c)가 형성되어 있다. 가스 도입구(36c)는 가스 확산실(36a)에 연통하여 있다. 가스 도입구(36c)에는, 밸브군(41), 유량 제어기군(42) 및 밸브군(43)을 거쳐서, 가스 소스군(40)이 접속되어 있다.The support body 36 is a component which detachably supports the ceiling plate 34. The support 36 may be formed of a conductive material such as, for example, aluminum. The gas diffusion chamber 36a is provided inside the support body 36. From the gas diffusion chamber 36a, the plurality of gas holes 36b extend downward. The plurality of gas holes 36b communicate with the plurality of gas discharge holes 34a, respectively. The gas inlet 36c is formed in the support body 36. The gas introduction port 36c communicates with the gas diffusion chamber 36a. The gas source group 40 is connected to the gas inlet 36c via the valve group 41, the flow rate controller group 42, and the valve group 43.

가스 소스군(40)은 복수의 가스 소스를 포함하고 있다. 밸브군(41) 및 밸브군(43) 각각은 복수의 밸브를 포함하고 있다. 유량 제어기군(42)은 복수의 유량 제어기를 포함하고 있다. 유량 제어기군(42)의 복수의 유량 제어기 각각은 매스 플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기이다. 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 각각은 밸브군(41)의 대응하는 밸브, 유량 제어기군(42)의 대응하는 유량 제어기, 및 밸브군(43)의 대응하는 밸브를 거쳐서, 가스 도입구(36c)에 접속되어 있다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 하나 이상의 가스 소스로부터의 가스를, 개별적으로 조정된 유량으로 내부 공간(10s)에 공급하는 것이 가능하다.The gas source group 40 includes a plurality of gas sources. Each of the valve group 41 and the valve group 43 includes a plurality of valves. The flow rate controller group 42 includes a plurality of flow rate controllers. Each of the plurality of flow controllers of the flow controller group 42 is a mass flow controller or a pressure controlled flow controller. Each of the plurality of gas sources of the gas source group 40 is introduced via a corresponding valve of the valve group 41, a corresponding flow controller of the flow controller group 42, and a corresponding valve of the valve group 43. It is connected to the sphere 36c. The plasma processing apparatus 1 can supply the gas from the selected one or more gas sources among the plurality of gas sources of the gas source group 40 to the internal space 10s at a flow rate individually adjusted.

플라즈마 처리 장치(1)는 제어부(MC)를 더 구비하고 있다. 제어부(MC)는 프로세서, 기억 장치, 입력 장치, 표시 장치 등을 구비하는 컴퓨터이며, 플라즈마 처리 장치(1)의 각부를 제어한다. 구체적으로, 제어부(MC)는, 기억 장치에 기억되어 있는 제어 프로그램을 실행하고, 해당 기억 장치에 기억되어 있는 레시피 데이터에 근거하여 플라즈마 처리 장치(1)의 각부를 제어한다. 이러한 제어부(MC)에 의한 제어에 의해서, 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 레시피 데이터에 의해서 지정된 프로세스가 실행된다.The plasma processing apparatus 1 further includes a control unit MC. The control unit MC is a computer including a processor, a storage device, an input device, a display device, and the like, and controls each part of the plasma processing apparatus 1. Specifically, the control unit MC executes a control program stored in the storage device, and controls each part of the plasma processing apparatus 1 based on the recipe data stored in the storage device. By the control by the control part MC, the plasma processing apparatus 1 performs the process designated by the recipe data.

이하, 지지대(14), 및 지지대(14)에 관련되는 플라즈마 처리 장치(1)의 구성요소에 대하여 상세하게 설명한다. 이하, 도 1과 함께, 도 2를 참조한다. 도 2는 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 지지대의 확대 단면도이다. 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 지지대(14)는 하부 전극(50) 및 정전 척(52)을 갖는다. 일 실시형태에 있어서, 지지대(14)는 도전 부재(54)를 더 갖는다.Hereinafter, the components of the support 14 and the plasma processing apparatus 1 related to the support 14 will be described in detail. Hereinafter, referring to FIG. 2, together with FIG. 1. FIG. 2 is an enlarged sectional view of the support of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1. As shown in FIGS. 1 and 2, the support 14 has a lower electrode 50 and an electrostatic chuck 52. In one embodiment, the support 14 further has a conductive member 54.

하부 전극(50)은 대략 원반 형상을 갖고 있고, 알루미늄과 같은 도체로 형성되어 있다. 하부 전극(50)의 내부에는, 유로(50f)가 형성되어 있다. 유로(50f)에는, 챔버(10)의 외부에 마련된 칠러 유닛(chiller unit)으로부터 열교환 매체(예를 들면, 냉매)가 공급된다. 유로(50f)에 공급된 열교환 매체는 칠러 유닛으로 복귀된다. 이 하부 전극(50)은 도전 부재(54) 상에 마련되어 있다.The lower electrode 50 has a substantially disk shape and is formed of a conductor such as aluminum. The flow path 50f is formed inside the lower electrode 50. The heat exchange medium (for example, a refrigerant) is supplied to the flow path 50f from a chiller unit provided outside the chamber 10. The heat exchange medium supplied to the flow path 50f is returned to the chiller unit. The lower electrode 50 is provided on the conductive member 54.

도전 부재(54)는 도체, 예를 들어 알루미늄으로 형성되어 있다. 도전 부재(54)는 하부 전극(50)에 전기적으로 접속되어 있다. 도전 부재(54)는 대략 환상판 형상을 갖고 있고, 중공 형상으로 형성되어 있다. 도전 부재(54), 하부 전극(50) 및 정전 척(52)은 공통의 중심 축선(이하, 「축선(AX)」이라고 함)을 공유하고 있다. 축선(AX)은 챔버(10)의 중심 축선이기도 하다.The conductive member 54 is formed of a conductor, for example, aluminum. The conductive member 54 is electrically connected to the lower electrode 50. The conductive member 54 has a substantially annular plate shape and is formed in a hollow shape. The conductive member 54, the lower electrode 50, and the electrostatic chuck 52 share a common central axis (hereinafter referred to as "axis line AX"). Axis AX is also the central axis of chamber 10.

도 1에 도시하는 바와 같이, 일 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치(1)는 제 1 고주파 전원(61) 및 제 2 고주파 전원(62)을 더 구비하고 있다. 제 1 고주파 전원(61) 및 제 2 고주파 전원(62)은 챔버(10)의 외측에 마련되어 있다. 제 1 고주파 전원(61) 및 제 2 고주파 전원(62)은 급전체(65)를 거쳐서 하부 전극(50)에 전기적으로 접속되어 있다. 급전체(65)는 원주 형상 또는 원통 형상을 갖는다. 급전체(65)는 하부 전극(50)의 하측에서 하방으로 연장되어 있다. 일 실시형태에서는, 급전체(65)의 일단은 도전 부재(54)에 결합되어 있고, 도전 부재(54)를 거쳐서 하부 전극(50)에 전기적으로 접속되어 있다.As shown in FIG. 1, in one embodiment, the plasma processing apparatus 1 further includes a first high frequency power supply 61 and a second high frequency power supply 62. The first high frequency power supply 61 and the second high frequency power supply 62 are provided outside the chamber 10. The first high frequency power supply 61 and the second high frequency power supply 62 are electrically connected to the lower electrode 50 via the power feeder 65. The power feeder 65 has a cylindrical shape or a cylindrical shape. The power feeder 65 extends downward from the lower electrode 50. In one embodiment, one end of the power feeder 65 is coupled to the conductive member 54 and electrically connected to the lower electrode 50 via the conductive member 54.

제 1 고주파 전원(61)은 주로 플라즈마의 생성에 기여하는 제 1 고주파를 발생한다. 제 1 고주파의 주파수는, 예를 들어 40.68 MHz 또는 100 MHz이다. 제 1 고주파 전원(61)은 정합기(63) 및 급전체(65)를 거쳐서 하부 전극(50)에 전기적으로 접속되어 있다. 정합기(63)는 제 1 고주파 전원(61)의 출력 임피던스와 부하측의 임피던스를 정합시키도록 구성된 회로를 갖고 있다. 또한, 제 1 고주파 전원(61)은 정합기(63)를 거쳐서, 상부 전극(30)에 접속되어 있어도 좋다.The first high frequency power supply 61 generates a first high frequency which mainly contributes to the generation of plasma. The frequency of the first high frequency is 40.68 MHz or 100 MHz, for example. The first high frequency power supply 61 is electrically connected to the lower electrode 50 via the matching unit 63 and the power feeder 65. The matching unit 63 has a circuit configured to match the output impedance of the first high frequency power supply 61 with the impedance on the load side. In addition, the first high frequency power supply 61 may be connected to the upper electrode 30 via the matching unit 63.

제 2 고주파 전원(62)은 주로 기판(W)에 대한 이온의 인입에 기여하는 제 2 고주파를 출력한다. 제 2 고주파의 주파수는 제 1 고주파의 주파수보다 낮고, 예를 들어 13.56 MHz이다. 제 2 고주파 전원(62)은 정합기(64) 및 급전체(65)를 거쳐서 하부 전극(50)에 전기적으로 접속되어 있다. 정합기(64)는 제 2 고주파 전원(62)의 출력 임피던스와 부하측의 임피던스를 정합시키도록 구성된 회로를 갖고 있다.The second high frequency power supply 62 mainly outputs a second high frequency which contributes to the introduction of ions to the substrate W. As shown in FIG. The frequency of the second high frequency is lower than the frequency of the first high frequency, for example, 13.56 MHz. The second high frequency power supply 62 is electrically connected to the lower electrode 50 via the matching unit 64 and the power feeder 65. The matcher 64 has a circuit configured to match the output impedance of the second high frequency power supply 62 with the impedance on the load side.

플라즈마 처리 장치(1)는 도체 파이프(66)를 더 구비하고 있다. 도체 파이프(66)는 알루미늄과 같은 도체로 형성되어 있고, 대략 원통 형상을 갖고 있다. 도체 파이프(66)는 챔버(10)의 외측에서 급전체(65)를 둘러싸도록 연장되어 있다. 도체 파이프(66)는 챔버 본체(12)의 바닥부에 결합되어 있다. 도체 파이프(66)는 챔버 본체(12)에 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 도체 파이프(66)는 접지되어 있다. 또한, 급전체(65) 및 도체 파이프(66)는 그 중심 축선으로서 축선(AX)을 공유하고 있다.The plasma processing apparatus 1 further includes a conductor pipe 66. The conductor pipe 66 is formed of a conductor such as aluminum, and has a substantially cylindrical shape. The conductor pipe 66 extends so as to surround the electric power feeder 65 outside the chamber 10. The conductor pipe 66 is coupled to the bottom of the chamber body 12. The conductor pipe 66 is electrically connected to the chamber main body 12. Thus, the conductor pipe 66 is grounded. In addition, the electric power feeder 65 and the conductor pipe 66 share the axis AX as the center axis line.

도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 정전 척(52)은 하부 전극(50) 상에 마련되어 있다. 정전 척(52)은 그 위에 탑재되는 기판(W)을 보지하도록 구성되어 있다. 정전 척(52)은 대략 원반 형상을 갖고 있고, 세라믹스와 같은 절연체로 형성된 층을 갖고 있다. 정전 척(52)은 절연체로 형성된 층의 내층으로서, 전극(52a)을 더 갖고 있다. 전극(52a)에는, 스위치(SW)를 거쳐서 전원(DCS)이 접속되어 있다(도 1 참조). 전원(DCS)으로부터의 전압(예를 들면, 직류 전압)이 전극(52a)에 인가되면, 정전 척(52)과 기판(W) 사이에 정전 인력이 발생한다. 발생한 정전 인력에 의해, 기판(W)은 정전 척(52)에 끌어당겨져서, 정전 척(52)에 의해서 보지된다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the electrostatic chuck 52 is provided on the lower electrode 50. The electrostatic chuck 52 is configured to hold the substrate W mounted thereon. The electrostatic chuck 52 has a substantially disk shape and has a layer formed of an insulator such as ceramics. The electrostatic chuck 52 further includes an electrode 52a as an inner layer of a layer formed of an insulator. The power supply DCS is connected to the electrode 52a via a switch SW (see FIG. 1). When a voltage (for example, a DC voltage) from the power supply DCS is applied to the electrode 52a, an electrostatic attraction occurs between the electrostatic chuck 52 and the substrate W. By the generated electrostatic attraction, the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 52 and held by the electrostatic chuck 52.

도 2에 도시하는 바와 같이, 정전 척(52)은 중앙부(52c) 및 주연부(52p)를 포함하고 있다. 중앙부(52c)는 축선(AX)에 교차하는 부분이다. 중앙부(52c)의 상면 상에는, 기판(W)이 탑재된다. 주연부(52p)는 중앙부(52c)의 외측에서 둘레 방향으로 연장되어 있다. 일 실시형태에서는, 주연부(52p)의 두께는 중앙부(52c)의 두께보다 얇게 되어 있고, 주연부(52p)의 상면은 중앙부(52c)의 상면보다 낮은 위치에서 연장되어 있다. 주연부(52p) 및 부재(17) 상에는, 기판(W)의 에지를 둘러싸도록 포커스 링(FR)이 배치된다.As shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 52 includes a central portion 52c and a peripheral portion 52p. The center portion 52c is a portion that intersects the axis AX. On the upper surface of the center part 52c, the board | substrate W is mounted. The peripheral part 52p extends in the circumferential direction from the outer side of the center part 52c. In one embodiment, the thickness of the peripheral part 52p becomes thinner than the thickness of the center part 52c, and the upper surface of the peripheral part 52p extends in the position lower than the upper surface of the center part 52c. On the peripheral portion 52p and the member 17, the focus ring FR is disposed to surround the edge of the substrate W. As shown in FIG.

정전 척(52) 내에는, 복수의 히터(HT)가 마련되어 있다. 복수의 히터(HT) 각각은 저항 발열체로 구성될 수 있다. 일례에서는, 정전 척(52)은 축선(AX)에 대해서 동심의 복수의 영역을 갖고 있다. 정전 척(52)의 해당 복수의 영역 각각 내에는, 하나 이상의 히터(HT)가 마련되어 있다. 지지대(14) 상에 탑재되는 기판(W)의 온도는 복수의 히터(HT), 및/또는 유로(50f)에 공급되는 열교환 매체에 의해서 조정된다. 또한, 지지대(14)에는, 기판(W)과 정전 척(52) 사이에 He 가스와 같은 전열 가스를 공급하는 가스 라인이 마련되어 있어도 좋다.In the electrostatic chuck 52, a plurality of heaters HT are provided. Each of the plurality of heaters HT may be configured as a resistance heating element. In one example, the electrostatic chuck 52 has a plurality of concentric regions with respect to the axis AX. One or more heaters HT are provided in each of the plurality of regions of the electrostatic chuck 52. The temperature of the substrate W mounted on the support 14 is adjusted by the heat exchange medium supplied to the plurality of heaters HT and / or the flow path 50f. In addition, the support 14 may be provided with a gas line for supplying a heat transfer gas such as He gas between the substrate W and the electrostatic chuck 52.

일 실시형태에 있어서, 주연부(52p)의 하면에는, 복수의 단자(52t)가 마련되어 있다. 복수의 단자(52t) 각각은 복수의 히터(HT) 중 대응하는 히터에 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 단자(52t) 각각과 대응하는 히터는 정전 척(52) 내의 내부 배선을 거쳐서 접속되어 있다.In one Embodiment, the some terminal 52t is provided in the lower surface of the periphery 52p. Each of the plurality of terminals 52t is electrically connected to a corresponding heater among the plurality of heaters HT. The heater corresponding to each of the plurality of terminals 52t is connected via an internal wiring in the electrostatic chuck 52.

복수의 히터(HT)를 구동하기 위한 전력은 히터 컨트롤러(HC)(도 1 참조)로부터 공급된다. 히터 컨트롤러(HC)는 히터 전원을 포함하고 있으며, 복수의 히터(HT)에 개별적으로 전력(교류 출력)을 공급하도록 구성되어 있다. 히터 컨트롤러(HC)로부터의 전력을 복수의 히터(HT)에 공급하기 위해서, 플라즈마 처리 장치(1)는 복수의 급전 라인(70)을 구비한다. 복수의 급전 라인(70)은 각각 히터 컨트롤러(HC)로부터의 전력을 복수의 히터(HT)에 공급한다. 플라즈마 처리 장치(1)는 필터 장치(FD)를 더 구비하고 있다. 필터 장치(FD)는 복수의 급전 라인(70)을 거쳐서 히터 컨트롤러(HC)에 고주파가 유입되는 것을 방지하도록 구성되어 있다. 필터 장치(FD)는 복수의 필터(FT)를 갖고 있다.Power for driving the plurality of heaters HT is supplied from the heater controller HC (see FIG. 1). The heater controller HC includes a heater power supply and is configured to supply power (AC output) to the plurality of heaters HT individually. In order to supply electric power from the heater controller HC to the plurality of heaters HT, the plasma processing apparatus 1 includes a plurality of power supply lines 70. The plurality of power supply lines 70 respectively supply electric power from the heater controller HC to the plurality of heaters HT. The plasma processing apparatus 1 further includes a filter device FD. The filter device FD is configured to prevent high frequency from flowing into the heater controller HC via the plurality of power supply lines 70. The filter device FD has a plurality of filters FT.

도 3은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 복수의 필터의 회로 구성을, 복수의 히터 및 히터 컨트롤러와 함께 도시하는 도면이다. 이하, 도 1 및 도 2와 함께, 도 3을 참조한다. 복수의 히터(HT)는 상술한 바와 같이 복수의 급전 라인(70)을 거쳐서 히터 컨트롤러(HC)에 접속되어 있다. 복수의 급전 라인(70)은 복수의 급전 라인 쌍을 포함하고 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 급전 라인 쌍은 급전 라인(70a) 및 급전 라인(70b)을 포함하고 있다. 복수의 히터(HT) 각각과 히터 컨트롤러(HC)는 하나의 급전 라인 쌍, 즉 급전 라인(70a) 및 급전 라인(70b)을 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다.It is a figure which shows the circuit structure of the some filter of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1 with some heater and a heater controller. Hereinafter, referring to FIG. 3, in conjunction with FIGS. 1 and 2. As described above, the plurality of heaters HT are connected to the heater controller HC via the plurality of power supply lines 70. The plurality of power supply lines 70 includes a plurality of power supply line pairs. As shown in FIG. 3, each feed line pair includes a feed line 70a and a feed line 70b. Each of the plurality of heaters HT and the heater controller HC are electrically connected via one feed line pair, that is, the feed line 70a and the feed line 70b.

필터 장치(FD)는 챔버(10)의 외측에 마련되어 있다. 필터 장치(FD)는 복수의 필터(FT)를 갖고 있다. 또한, 필터 장치(FD)는 복수의 코일(80) 및 복수의 콘덴서(82)를 갖고 있다. 복수의 코일(80) 중 하나의 코일과 복수의 콘덴서(82) 중 대응하는 하나의 콘덴서는 하나의 필터(FT)를 구성하고 있다. 복수의 코일(80) 각각은 복수의 급전 라인(70) 중 대응하는 급전 라인의 일부를 구성하고 있다.The filter device FD is provided outside the chamber 10. The filter device FD has a plurality of filters FT. In addition, the filter device FD has a plurality of coils 80 and a plurality of capacitors 82. One coil of the plurality of coils 80 and a corresponding one of the plurality of capacitors 82 constitute one filter FT. Each of the plurality of coils 80 constitutes a part of a corresponding power supply line among the plurality of power supply lines 70.

복수의 코일(80)은 하우징(84) 내에 수용되어 있다. 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 하우징(84)은 원통 형상을 갖는 용기이며, 도체로 형성되어 있다. 하우징(84)은 접지되어 있다. 하우징(84)의 상단은 챔버 본체(12)의 바닥부에 고정되어 있다. 따라서, 필터 장치(FD)는 챔버(10)의 바로 아래에 마련되어 있다. 일 실시형태에서는, 하우징(84)은 본체(84a) 및 바닥 덮개(84b)를 포함하고 있다. 본체(84a)는 원통 형상을 갖고 있다. 바닥 덮개(84b)는 본체(84a)의 하단에 장착되고 있고, 본체(84a)의 하단의 개구를 폐쇄하고 있다.The plurality of coils 80 are housed in the housing 84. As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the housing 84 is a container having a cylindrical shape, and is formed of a conductor. The housing 84 is grounded. The upper end of the housing 84 is fixed to the bottom of the chamber body 12. Therefore, the filter device FD is provided just below the chamber 10. In one embodiment, the housing 84 includes a main body 84a and a bottom cover 84b. The main body 84a has a cylindrical shape. The bottom cover 84b is attached to the lower end of the main body 84a, and closes the opening of the lower end of the main body 84a.

복수의 콘덴서(82)는 하우징(84) 내에 있어서 복수의 코일(80)의 하방에 수용되어 있다. 복수의 콘덴서(82) 각각의 일단은 대응하는 코일(80)의 히터(HT)측의 일단과는 반대측의 타단에 접속되어 있다. 복수의 콘덴서(82) 각각의 타단은 접지에 접속되어 있다. 즉, 복수의 콘덴서(82) 각각은 대응하는 코일(80)과 접지 사이에 접속되어 있다.The plurality of capacitors 82 are housed below the plurality of coils 80 in the housing 84. One end of each of the plurality of capacitors 82 is connected to the other end on the side opposite to the one end on the heater HT side of the corresponding coil 80. The other end of each of the plurality of capacitors 82 is connected to ground. That is, each of the plurality of capacitors 82 is connected between the corresponding coil 80 and ground.

복수의 필터(FT) 각각의 코일(80)과 하우징(84)은 분포 정수 선로를 구성하고 있다. 즉, 복수의 필터(FT) 각각은 복수의 공진 주파수를 포함하는 임피던스의 주파수 특성을 갖고 있다.The coil 80 and the housing 84 of each of the plurality of filters FT constitute a distributed constant line. That is, each of the plurality of filters FT has a frequency characteristic of impedance including a plurality of resonance frequencies.

이하, 복수의 코일(80)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 4는 일 실시형태에 따른 필터 장치의 복수의 코일의 사시도이다. 도 5는 도 4에 도시하는 복수의 코일을 파단하여 도시하는 사시도이다. 도 6은 도 4에 도시하는 복수의 코일의 일부를 확대하여 도시하는 단면도이다. 복수의 코일(80) 각각은 공심 코일일 수 있다. 복수의 코일(80) 각각은 도체와 해당 도체를 덮는 피막으로 구성되어 있다. 피막은 절연 재료로 형성되어 있다. 피막은 PEEK(폴리에테르에테르 케톤) 또는 폴리아미드이미드와 같은 수지로 형성될 수 있다. 일 실시형태에서는, 복수의 코일(80) 각각의 피막은 0.1mm 이하의 두께를 가질 수 있다.Hereinafter, the plurality of coils 80 will be described in detail. 4 is a perspective view of a plurality of coils of the filter device according to one embodiment. FIG. 5 is a perspective view showing a plurality of coils broken in FIG. 4. FIG. It is sectional drawing which expands and shows a part of some coil shown in FIG. Each of the plurality of coils 80 may be an air core coil. Each of the plurality of coils 80 is composed of a conductor and a film covering the conductor. The film is formed of an insulating material. The coating may be formed of a resin such as PEEK (polyetherether ketone) or polyamideimide. In one embodiment, the coating of each of the plurality of coils 80 may have a thickness of 0.1 mm or less.

복수의 코일(80) 각각은 인출선(80a), 인출선(80b) 및 권선부(80w)를 갖고 있다. 권선부(80w)는 중심 축선(AXC)의 주위에서 나선 형상으로 연장되어 있고, 복수의 턴을 갖고 있다. 중심 축선(AXC)은 연직 방향으로 연장되어 있다. 인출선(80a) 및 인출선(80b)은 중심 축선(AXC)이 연장되는 축선 방향(Z)을 따라 연장되어 있다. 인출선(80a)은 권선부(80w)의 일단에 연속하여 있고, 인출선(80b)은 권선부(80w)의 타단에 연속하여 있다. 권선부(80w)의 타단은 대응하는 콘덴서(82)측의 권선부(80w)의 단부이다.Each of the plurality of coils 80 has a leader line 80a, a leader line 80b, and a winding portion 80w. The winding portion 80w extends in a spiral shape around the center axis AXC and has a plurality of turns. The center axis AXC extends in the vertical direction. The leader line 80a and the leader line 80b extend along the axial direction Z in which the center axis AXC extends. The lead wire 80a is continuous at one end of the winding portion 80w, and the lead wire 80b is continuous at the other end of the winding portion 80w. The other end of the winding portion 80w is an end portion of the winding portion 80w on the side of the corresponding capacitor 82.

복수의 코일(80)의 집합체는 코일 어셈블리(CA)를 구성하고 있다. 코일 어셈블리(CA)는 복수의 코일군(CG)을 포함하고 있다. 즉, 복수의 코일(80)은 복수의 코일군(CG)을 구성하고 있다. 복수의 코일군(CG)의 개수는 2개 이상의 임의의 개수일 수 있다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 복수의 코일군(CG)은 코일군(CG1), 코일군(CG2), 코일군(CG3), 코일군(CG4) 및 코일군(CG5)을 포함하고 있다. 복수의 코일군(CG) 각각은 2개 이상의 코일(80)을 포함하고 있다. 복수의 코일군(CG) 각각에 포함되는 코일(80)의 개수는 2개 이상의 임의의 개수일 수 있다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG1)은 8개의 코일(80)을 포함하고 있고, 코일군(CG2)은 9개의 코일(80)을 포함하고 있고, 코일군(CG3)은 9개의 코일(80)을 포함하고 있고, 코일군(CG4)은 10개의 코일(80)을 포함하고 있으며, 코일군(CG5)은 11개의 코일(80)을 포함하고 있다.The aggregate of the some coil 80 comprises the coil assembly CA. The coil assembly CA includes the plurality of coil groups CG. That is, the some coil 80 comprises the some coil group CG. The number of coil groups CG may be any number of two or more. In the example shown in FIGS. 4-6, the some coil group CG contains the coil group CG1, the coil group CG2, the coil group CG3, the coil group CG4, and the coil group CG5. Doing. Each of the plurality of coil groups CG includes two or more coils 80. The number of coils 80 included in each of the plurality of coil groups CG may be two or more arbitrary numbers. 4 to 6, the coil group CG1 includes eight coils 80, the coil group CG2 includes nine coils 80, and the coil group CG3. Includes nine coils 80, the coil group CG4 includes ten coils 80, and the coil group CG5 includes eleven coils 80.

복수의 코일군(CG) 각각의 2개 이상의 코일(80)은 각각의 권선부(80w)가 중심 축선(AXC)의 주위에서 나선 형상으로 연장되고, 또한 축선 방향(Z)을 따라 순서대로 또한 반복해서 배열되도록, 마련되어 있다. 즉, 복수의 코일군(CG) 각각의 2개 이상의 코일(80)의 권선부(80w)는 축선 방향(Z)을 따라 다층 형상으로 늘어서고, 중심 축선(AXC)의 주위에 나선 형상으로 마련되어 있다. 일 실시형태에 있어서, 복수의 코일군(CG) 각각에서는, 축선 방향(Z)에 있어서 서로 이웃하는 턴의 도체 사이의 간극의 축선 방향(Z)에 있어서의 거리는 0.2mm 이하일 수 있다.In the two or more coils 80 of each of the plurality of coil groups CG, each of the winding portions 80w extends in a spiral shape around the central axis AXC, and also in order along the axis direction Z. It is provided so that it may arrange repeatedly. That is, the winding portions 80w of the two or more coils 80 of each of the plurality of coil groups CG are arranged in a multilayered shape along the axial direction Z, and are provided in a spiral shape around the central axis AXC. have. In one embodiment, in each coil group CG, the distance in the axial direction Z of the clearance gap between the conductor of turns adjacent to each other in the axial direction Z may be 0.2 mm or less.

복수의 코일군(CG) 각각의 2개 이상의 코일(80)의 권선부(80w)는 중심 축선(AXC)을 공유하고 있으며, 동일한 내경 및 서로 동일한 외경을 갖고 있다. 복수의 코일(80)의 권선부(80w)의 단면 형상은, 예를 들어 평각형(平角形) 형상이다.The winding portions 80w of the two or more coils 80 of each of the plurality of coil groups CG share the central axis AXC, and have the same inner diameter and the same outer diameter. The cross-sectional shape of the winding part 80w of the some coil 80 is a flat shape, for example.

복수의 코일군(CG)은 중심 축선(AXC)을 공유하도록 동축으로 마련되어 있다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG1 내지 CG5)은 동축으로 마련되어 있다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG1)은 코일군(CG2)의 내측에 마련되어 있고, 코일군(CG2)은 코일군(CG3)의 내측에 마련되어 있고, 코일군(CG3)은 코일군(CG4)의 내측에 마련되어 있으며, 코일군(CG4)은 코일군(CG5)의 내측에 마련되어 있다.The plurality of coil groups CG are provided coaxially so as to share the central axis AXC. In the example shown to FIG. 4 thru | or 6, coil group CG1-CG5 is provided coaxially. 4 to 6, the coil group CG1 is provided inside the coil group CG2, the coil group CG2 is provided inside the coil group CG3, and the coil group CG3. Is provided inside the coil group CG4, and the coil group CG4 is provided inside the coil group CG5.

중심 축선(AXC)에 대해서 방사 방향에 있어서 서로 이웃하는 2개의 코일군 중 한쪽의 코일군의 권선부(80w)의 외경은 다른쪽의 코일군의 권선부(80w)의 내경보다 작다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG1)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 외경은 코일군(CG2)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 내경보다 작다. 코일군(CG2)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 외경은 코일군(CG3)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 내경보다 작다. 코일군(CG3)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 외경은 코일군(CG4)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 내경보다 작다. 코일군(CG4)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 외경은 코일군(CG5)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 내경보다 작다.The outer diameter of the winding part 80w of one coil group of two coil groups adjacent to each other in the radial direction with respect to the center axis AXC is smaller than the inner diameter of the winding part 80w of the other coil group. In the example shown to FIG. 4 thru | or 6, the outer diameter of the winding part 80w of each of the 2 or more coils 80 contained in the coil group CG1 is two or more coils 80 included in the coil group CG2. ) Is smaller than the inner diameter of each winding portion 80w. The outer diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG2 is smaller than the inner diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG3. small. The outer diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG3 is larger than the inner diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG4. small. The outer diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG4 is larger than the inner diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG5. small.

복수의 코일군(CG) 중 임의의 하나의 코일군의 2개 이상의 코일(80) 각각의 턴간의 피치는 복수의 코일군(CG) 중 해당 하나의 코일군보다 내측에 마련된 코일군의 2개 이상의 코일(80) 각각의 턴간의 피치보다 크다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG5)의 코일(80)의 턴간의 피치는 코일군(CG4)의 코일(80)의 턴간의 피치보다 크다. 코일군(CG4)의 코일(80)의 턴간의 피치는 코일군(CG3)의 코일(80)의 턴간의 피치보다 크다. 코일군(CG3)의 코일(80)의 턴간의 피치는 코일군(CG2)의 코일(80)의 턴간의 피치보다 크다. 코일군(CG2)의 코일(80)의 턴간의 피치는 코일군(CG1)의 코일(80)의 턴간의 피치보다 크다. 일 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80)의 턴간의 피치는 해당 복수의 코일(80)의 인덕턴스가 서로 대략 동일하게 되도록 설정되어 있다.The pitch between turns of each of the two or more coils 80 of any one coil group CG of the plurality of coil groups CG is two of the coil groups provided inside the corresponding one coil group of the plurality of coil groups CG. It is larger than the pitch between turns of each of the above coils 80. In the example shown in FIGS. 4-6, the pitch between turns of the coil 80 of the coil group CG5 is larger than the pitch between turns of the coil 80 of the coil group CG4. The pitch between turns of the coils 80 of the coil group CG4 is larger than the pitch between turns of the coils 80 of the coil group CG3. The pitch between turns of the coils 80 of the coil group CG3 is larger than the pitch between turns of the coils 80 of the coil group CG2. The pitch between turns of the coils 80 of the coil group CG2 is larger than the pitch between turns of the coils 80 of the coil group CG1. In one embodiment, the pitch between turns of the plurality of coils 80 is set such that the inductances of the plurality of coils 80 are substantially equal to each other.

단순하게 복수의 코일이 병렬화되어 있는 경우에는, 복수의 필터의 임피던스는 저하하지만, 필터 장치(FD)에서는, 복수의 코일(80) 사이의 결합에 의해, 임피던스의 저하가 억제된다. 게다가, 외측의 코일군의 2개 이상의 코일 각각의 턴간의 피치는 그보다 내측에 배치된 코일군의 2개 이상의 코일 각각의 턴간의 피치보다 크기 때문에, 복수의 코일(80)의 인덕턴스의 차이가 저감된다. 그러므로, 복수의 필터(FT)의 임피던스의 주파수 특성의 차이가 저감된다.When the plurality of coils are simply parallelized, the impedance of the plurality of filters decreases, but in the filter device FD, the drop of the impedance is suppressed by coupling between the plurality of coils 80. In addition, since the pitch between turns of each of the two or more coils of the outer coil group is larger than the pitch between turns of each of the two or more coils of the coil group disposed inward, the difference in inductance of the plurality of coils 80 is reduced. do. Therefore, the difference in the frequency characteristic of the impedance of the some filter FT is reduced.

일 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80)은 대략 동일한 코일 길이를 갖는다. 코일 길이는 복수의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 일단과 타단 사이의 축선 방향(Z)에 있어서의 길이이다. 일 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80) 중 최대의 코일 길이를 갖는 코일과 최소의 코일 길이를 갖는 코일 사이의 코일 길이의 차이는 해당 최소의 코일 길이의 3% 이하이다. 이러한 실시형태에 의하면, 복수의 필터(FT)의 임피던스의 주파수 특성의 차이가 더욱 저감된다.In one embodiment, the plurality of coils 80 have approximately the same coil length. The coil length is a length in the axial direction Z between one end and the other end of the winding portion 80w of each of the plurality of coils 80. In one embodiment, the difference in coil length between the coil having the largest coil length and the coil having the smallest coil length of the plurality of coils 80 is 3% or less of the minimum coil length. According to this embodiment, the difference in the frequency characteristic of the impedance of the some filter FT is further reduced.

일 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80)의 권선부(80w)의 일단(콘덴서(82)측의 단부와는 반대측의 단부)은 중심 축선(AXC)에 직교하는 면을 따라 마련되어 있다. 일 실시형태에 있어서, 복수의 코일군(CG) 각각의 2개 이상의 코일(80)의 인출선(80a)은 중심 축선(AXC)에 대해서 둘레 방향으로 등간격으로 마련되어 있다. 이 실시형태에 의하면, 복수의 필터(FT)의 임피던스의 주파수 특성의 차이가 더욱 저감된다.In one embodiment, one end (end part on the opposite side to the end part of the capacitor 82 side) of the winding part 80w of the some coil 80 is provided along the surface orthogonal to center axis AXC. In one embodiment, the leader line 80a of two or more coils 80 of each of the plurality of coil groups CG is provided at equal intervals in the circumferential direction with respect to the center axis AXC. According to this embodiment, the difference of the frequency characteristic of the impedance of the some filter FT is further reduced.

일 실시형태에 있어서, 복수의 코일군(CG) 중 직경 방향, 즉 중심 축선(AXC)에 대해서 방사 방향에 있어서 서로 이웃하는 임의의 2개의 코일군 사이의 간극의 해당 직경 방향에 있어서의 거리는 1.5mm 이하이다. 이 실시형태에서는, 복수의 필터(FT)의 임피던스의 주파수 특성의 차이가 더욱 저감된다.In one embodiment, the distance in the said radial direction of the clearance gap between the arbitrary two coil groups which adjoin each other in radial direction among the coil groups CG, ie, radial direction with respect to the center axis AXC, is 1.5 mm or less. In this embodiment, the difference of the frequency characteristic of the impedance of the some filter FT is further reduced.

일 실시형태에 있어서, 복수의 코일군(CG) 중 가장 외측에 마련된 코일군의 2개 이상의 코일(80)의 내경은 복수의 코일군(CG) 중 가장 내측에 마련된 코일군의 2개 이상의 코일의 내경의 1.83배 이하이다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG5)의 2개 이상의 코일(80) 각각의 내경은 코일군(CG1)의 2개 이상의 코일(80) 각각의 내경의 1.83배 이하이다. 이 실시형태에 의하면, 복수의 필터(FT)의 임피던스의 주파수 특성의 차이가 더욱 저감된다.In one embodiment, the inner diameter of the two or more coils 80 of the coil group provided in the outermost side of the some coil group CG is two or more coils of the coil group provided in the innermost side of the several coil group CG. Is less than 1.83 times the inner diameter of. In the example shown in FIGS. 4-6, the inner diameter of each of the two or more coils 80 of the coil group CG5 is 1.83 times or less of the inner diameter of each of the two or more coils 80 of the coil group CG1. According to this embodiment, the difference of the frequency characteristic of the impedance of the some filter FT is further reduced.

이러한 복수의 코일(80)을 갖는 필터 장치(FD)는 챔버(10)의 외측에 마련되어 있다. 복수의 코일군(CG)은 챔버(10)의 바로 아래에서 도체 파이프(66)를 둘러싸도록 중심 축선(AXC)에 대해서 동축으로 마련되어 있다. 또한, 챔버(10)의 바로 아래에 복수의 코일군(CG)이 배치된 상태에서는, 중심 축선(AXC)은 축선(AX)에 일치한다.The filter device FD having the plurality of coils 80 is provided outside the chamber 10. The some coil group CG is provided coaxially with respect to the center axis AXC so that the conductor pipe 66 may be enclosed just under the chamber 10. In addition, in the state in which the some coil group CG is arrange | positioned just under the chamber 10, the center axis AXC coincides with the axis AX.

도 3에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 처리 장치(1)는 복수의 배선(72)을 더 구비하고 있다. 복수의 배선(72)은 각각 복수의 급전 라인(70)을 부분적으로 구성하고 있다. 복수의 배선(72)은 챔버(10)의 외측에 마련된 복수의 코일(80)을 정전 척(52)의 복수의 단자(52t)에 전기적으로 접속한다. 이하, 도 1 및 도 2에 부가하여, 도 7 내지 도 10을 참조하여, 배선(72)에 대하여 설명한다. 도 7은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서 필터 장치의 복수의 코일을 정전 척의 복수의 단자에 전기적으로 접속하는 복수의 배선을 제공하는 복수의 부재를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 8은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 정전 척의 하면의 평면도이다. 도 9는 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 하부 전극의 하면의 평면도이다. 도 10은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서 필터 장치의 복수의 코일을 정전 척의 복수의 단자에 전기적으로 접속하는 복수의 배선을 제공하는 복수의 부재를 도시하는 평면도이다.As shown in FIG. 3, the plasma processing apparatus 1 further includes a plurality of wirings 72. The plurality of wirings 72 partially constitute a plurality of power supply lines 70, respectively. The plurality of wirings 72 electrically connect the plurality of coils 80 provided outside the chamber 10 to the plurality of terminals 52t of the electrostatic chuck 52. Hereinafter, the wiring 72 will be described with reference to FIGS. 7 to 10 in addition to FIGS. 1 and 2. FIG. 7 is a diagram schematically showing a plurality of members that provide a plurality of wirings for electrically connecting a plurality of coils of a filter device to a plurality of terminals of an electrostatic chuck in the plasma processing apparatus shown in FIG. 1. FIG. 8 is a plan view of the bottom surface of the electrostatic chuck of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1. 9 is a plan view of the bottom surface of a lower electrode of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1. FIG. 10 is a plan view illustrating a plurality of members that provide a plurality of wirings for electrically connecting a plurality of coils of a filter device to a plurality of terminals of an electrostatic chuck in the plasma processing apparatus shown in FIG. 1.

도 8에 도시하는 바와 같이, 일 실시형태에 있어서, 복수의 단자(52t)는 정전 척(52)의 주연부(52p)에 마련되어 있다. 복수의 단자(52t)는 주연부(52p)의 하면을 따라 마련되어 있다. 복수의 단자(52t)는 복수의 단자군(52g)을 구성하고 있다. 복수의 단자군(52g) 각각은 몇 개의 단자(52t)를 포함하고 있다. 복수의 단자군(52g)은 주연부(52p)의 전체 둘레에 걸쳐서 균등한 간격으로 배열되어 있다. 일례에서는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 복수의 단자(52t)는 12개의 단자군(52g)을 구성하고 있다. 12개의 단자군(52g) 각각은 4개의 단자(52t)를 포함하고 있다.As shown in FIG. 8, in one embodiment, the plurality of terminals 52t are provided at the peripheral portion 52p of the electrostatic chuck 52. The plurality of terminals 52t are provided along the bottom surface of the peripheral portion 52p. The plurality of terminals 52t constitute a plurality of terminal groups 52g. Each of the plurality of terminal groups 52g includes some terminals 52t. The plurality of terminal groups 52g are arranged at equal intervals over the entire circumference of the peripheral portion 52p. In an example, as shown in FIG. 8, the some terminal 52t comprises 12 terminal groups 52g. Each of the twelve terminal groups 52g includes four terminals 52t.

도 9에 도시하는 바와 같이, 하부 전극(50)은 중앙부(50c) 및 주연부(50p)를 갖고 있다. 정전 척(52)의 중앙부(52c)는 하부 전극(50)의 중앙부(50c) 상에 마련되어 있다. 정전 척(52)의 주연부(52p)는 하부 전극(50)의 주연부(50p) 상에 마련되어 있다. 하부 전극(50)의 주연부(50p)에는, 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 주연부(50p)의 복수의 관통 구멍의 상단은 복수의 단자군(52g)이 형성된 주연부(52p) 내의 복수의 영역에 대면하고 있다. 주연부(50p)의 복수의 관통 구멍 내에는, 복수의 전기 커넥터(73)가 마련되어 있다. 복수의 전기 커넥터(73) 각각은 대응하는 단자군(52g)에 포함되는 단자(52t)의 개수와 동수의 단자를 포함하고 있다. 복수의 전기 커넥터(73)에 의해서 제공되는 복수의 단자는 복수의 단자(52t)에 각각 접속되어 있다.As shown in FIG. 9, the lower electrode 50 has the center part 50c and the peripheral part 50p. The central portion 52c of the electrostatic chuck 52 is provided on the central portion 50c of the lower electrode 50. The peripheral part 52p of the electrostatic chuck 52 is provided on the peripheral part 50p of the lower electrode 50. A plurality of through holes is formed in the peripheral portion 50p of the lower electrode 50. The upper ends of the plurality of through holes in the peripheral portion 50p face the plurality of regions in the peripheral portion 52p in which the plurality of terminal groups 52g are formed. A plurality of electrical connectors 73 are provided in the plurality of through holes of the peripheral portion 50p. Each of the plurality of electrical connectors 73 includes the same number of terminals as the number of terminals 52t included in the corresponding terminal group 52g. The plurality of terminals provided by the plurality of electrical connectors 73 are connected to the plurality of terminals 52t, respectively.

도 2에 도시하는 바와 같이, 복수의 전기 커넥터(73)의 바로 아래, 또한 도전 부재(54)의 내부에는, 복수의 전기 커넥터(74)가 마련되어 있다. 복수의 전기 커넥터(74)는 대응하는 전기 커넥터(73)에 결합되어 있다. 복수의 전기 커넥터(74) 각각은 대응하는 전기 커넥터(73)의 단자의 개수의 동수의 단자를 포함하고 있다. 복수의 전기 커넥터(74)에 의해서 제공되는 복수의 단자는 각각 복수의 전기 커넥터(73)에 의해서 제공되는 복수의 단자를 거쳐서, 복수의 단자(52t)에 접속되어 있다.As shown in FIG. 2, a plurality of electrical connectors 74 is provided directly below the plurality of electrical connectors 73 and inside the conductive member 54. The plurality of electrical connectors 74 are coupled to corresponding electrical connectors 73. Each of the plurality of electrical connectors 74 includes the same number of terminals of the number of terminals of the corresponding electrical connector 73. The plurality of terminals provided by the plurality of electrical connectors 74 are connected to the plurality of terminals 52t via the plurality of terminals provided by the plurality of electrical connectors 73, respectively.

도 2 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 복수의 코일(80)의 인출선(80a)은 회로 기판(85)에 접속되어 있다. 회로 기판(85)은 복수의 코일(80)의 상방에 마련되어 있다. 회로 기판(85)은 하우징(84) 내에 마련되어 있다. 회로 기판(85)은 환상판 형상을 갖고, 축선(AX) 중심으로 연장되어 있다. 회로 기판(85)에는, 복수의 배선이 형성되어 있다. 회로 기판(85)의 복수의 배선 각각은 복수의 배선(72) 중 대응하는 배선의 일부를 구성하고 있다.As shown in FIG. 2 and FIG. 7, lead wires 80a of the plurality of coils 80 are connected to the circuit board 85. The circuit board 85 is provided above the plurality of coils 80. The circuit board 85 is provided in the housing 84. The circuit board 85 has an annular plate shape and extends around the axis AX. A plurality of wirings are formed on the circuit board 85. Each of the plurality of wirings of the circuit board 85 constitutes a part of the corresponding wiring among the plurality of wirings 72.

회로 기판(85)에는, 복수의 제 1 전기 커넥터(86)가 접속되어 있다. 제 1 전기 커넥터(86)는 회로 기판(85)으로부터 상방으로 연장되어 있다. 복수의 제 1 전기 커넥터(86)는 하우징(84)의 내부로부터 챔버 본체(12)의 바닥부의 상측까지 연장되어 있다. 복수의 제 1 전기 커넥터(86)는 축선(AX)의 주위에서 등간격으로 배열되어 있다. 일례에서는, 제 1 전기 커넥터(86)의 개수는 6개이다. 복수의 제 1 전기 커넥터(86) 각각은 몇 개의 단자를 갖고 있다. 복수의 제 1 전기 커넥터(86)에 의해서 제공되는 복수의 단자에는, 회로 기판(85)의 복수의 배선이 접속되어 있다. 즉, 복수의 제 1 전기 커넥터(86)에 의해서 제공되는 복수의 단자 각각은 복수의 배선(72) 중 대응하는 배선의 일부를 구성하고 있다.The plurality of first electrical connectors 86 are connected to the circuit board 85. The first electrical connector 86 extends upward from the circuit board 85. The plurality of first electrical connectors 86 extend from the inside of the housing 84 to the upper side of the bottom of the chamber body 12. The plurality of first electrical connectors 86 are arranged at equal intervals around the axis AX. In one example, the number of the first electrical connectors 86 is six. Each of the plurality of first electrical connectors 86 has several terminals. The plurality of wirings of the circuit board 85 are connected to the plurality of terminals provided by the plurality of first electrical connectors 86. That is, each of the plurality of terminals provided by the plurality of first electrical connectors 86 constitutes a part of the corresponding wiring among the plurality of wirings 72.

복수의 제 1 전기 커넥터(86)의 바로 위에는, 복수의 제 2 전기 커넥터(87)가 마련되어 있다. 일례에서는, 제 2 전기 커넥터(87)의 개수는 6개이다. 복수의 제 2 전기 커넥터(87) 각각은 대응하는 제 1 전기 커넥터(86)에 결합되어 있다. 복수의 제 2 전기 커넥터(87)에 의해서 제공되는 복수의 단자는 복수의 제 1 전기 커넥터(86)에 의해서 제공되는 복수의 단자에 접속되어 있다. 즉, 복수의 제 2 전기 커넥터(87)에 의해서 제공되는 복수의 단자 각각은 복수의 배선(72) 중 대응하는 배선의 일부를 구성하고 있다.Just above the plurality of first electrical connectors 86, a plurality of second electrical connectors 87 are provided. In one example, the number of the second electrical connectors 87 is six. Each of the plurality of second electrical connectors 87 is coupled to a corresponding first electrical connector 86. The plurality of terminals provided by the plurality of second electrical connectors 87 are connected to the plurality of terminals provided by the plurality of first electrical connectors 86. That is, each of the plurality of terminals provided by the plurality of second electrical connectors 87 constitutes a part of the corresponding wiring among the plurality of wirings 72.

복수의 제 2 전기 커넥터(87)는 각각 복수의 회로 기판(88)에 의해서 지지되어 있다. 복수의 회로 기판(88)은 각각 복수의 제 2 전기 커넥터(87)의 상방에 마련되어 있다.The plurality of second electrical connectors 87 are supported by the plurality of circuit boards 88, respectively. The plurality of circuit boards 88 are provided above the plurality of second electrical connectors 87, respectively.

복수의 제 2 전기 커넥터(87)로부터는, 복수의 가요성 회로 기판(89)이 정전 척(52)의 주연부(52p)의 하측까지 연장되어 있다. 복수의 가요성 회로 기판(89) 각각은, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판이다. 복수의 가요성 회로 기판(89) 각각은 상술한 복수의 전기 커넥터(74) 중 하나 이상의 전기 커넥터(74)를 갖고 있다. 일례에서는, 복수의 가요성 회로 기판(89) 각각은 2개의 전기 커넥터(74)를 갖고 있다. 복수의 가요성 회로 기판(89) 각각은 몇 개의 배선을 제공하고 있다. 복수의 가요성 회로 기판(89)에 의해서 제공되는 복수의 배선은 복수의 제 2 전기 커넥터(87)에 의해서 제공되는 복수의 단자와 복수의 전기 커넥터(74)에 의해서 제공되는 복수의 단자를 접속하고 있다. 즉, 복수의 가요성 회로 기판(89)에 의해서 제공되는 복수의 배선 각각은 복수의 배선(72) 중 대응하는 배선의 일부를 구성하고 있다.From the plurality of second electrical connectors 87, the plurality of flexible circuit boards 89 extend to the lower side of the peripheral portion 52p of the electrostatic chuck 52. Each of the plurality of flexible circuit boards 89 is, for example, a flexible printed circuit board. Each of the plurality of flexible circuit boards 89 has one or more electrical connectors 74 of the plurality of electrical connectors 74 described above. In one example, each of the plurality of flexible circuit boards 89 has two electrical connectors 74. Each of the plurality of flexible circuit boards 89 provides some wiring. The plurality of wirings provided by the plurality of flexible circuit boards 89 connect the plurality of terminals provided by the plurality of second electrical connectors 87 and the plurality of terminals provided by the plurality of electrical connectors 74. Doing. That is, each of the plurality of wirings provided by the plurality of flexible circuit boards 89 constitutes a part of the corresponding wiring among the plurality of wirings 72.

상술한 바와 같이, 복수의 배선(72) 각각은, 회로 기판(85), 복수의 제 1 전기 커넥터(86) 중 대응하는 제 1 전기 커넥터, 복수의 제 2 전기 커넥터(87) 중 대응하는 제 2 전기 커넥터(87), 및 복수의 가요성 회로 기판(89) 중 대응하는 가요성 회로 기판 내에서 연장되어 있다. 복수의 배선(72)은 서로 실질적으로 동일한 길이를 갖고 있다.As described above, each of the plurality of wirings 72 includes a circuit board 85, a corresponding first electrical connector among the plurality of first electrical connectors 86, and a corresponding first among the plurality of second electrical connectors 87. Two electrical connectors 87 and a plurality of flexible circuit boards 89 extend within corresponding flexible circuit boards. The plurality of wirings 72 have substantially the same length as each other.

도 2로 돌아와서, 플라즈마 처리 장치(1)는 복수의 회로 기판(90)을 더 구비하고 있다. 복수의 회로 기판(90)(다른 회로 기판)은 하우징(84) 내에, 또한 복수의 코일(80)의 하방에 마련되어 있다. 복수의 회로 기판(90)은 축선 방향(Z)을 따라 배열되어 있다. 복수의 콘덴서(82) 각각은 복수의 회로 기판(90) 중 어느 하나 위에 마련되어 있다. 복수의 회로 기판(90)은 그 상면 및 하면 위에 복수의 콘덴서(82)를 탑재하고 있다. 복수의 회로 기판(90) 각각에는, 대응하는 코일(80)과 대응하는 콘덴서(82)를 접속하는 배선 패턴이 형성되어 있다. 복수의 회로 기판(90)을 이용하는 것에 의해, 많은 콘덴서(82)를 하우징(84) 내에서 지지하는 것이 가능하다.Returning to FIG. 2, the plasma processing apparatus 1 further includes a plurality of circuit boards 90. The plurality of circuit boards 90 (other circuit boards) are provided in the housing 84 and below the plurality of coils 80. The plurality of circuit boards 90 are arranged along the axial direction Z. Each of the plurality of capacitors 82 is provided on any one of the plurality of circuit boards 90. The plurality of circuit boards 90 have a plurality of capacitors 82 mounted on their upper and lower surfaces. In each of the plurality of circuit boards 90, a wiring pattern for connecting the corresponding coil 80 and the corresponding capacitor 82 is formed. By using the plurality of circuit boards 90, it is possible to support many capacitors 82 in the housing 84.

이상 설명한 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 각각이 2개 이상의 코일(80)을 포함하는 복수의 코일군(CG)이 중심 축선(AXC)을 공유하도록 동축으로 마련되어 있다. 따라서, 복수의 코일군(CG)을 구성하는 복수의 코일(80)이 점유하는 스페이스는 작다. 그러므로, 복수의 코일(80)을 포함하는 필터 장치(FD)를 챔버(10)의 바로 아래에 배치하는 것이 가능하고, 정전 척(52) 내에 마련된 복수의 히터(HT)와 복수의 코일(80)을 전기적으로 접속하는 복수의 배선(72)의 길이를 짧게 하는 것이 가능하다. 또한, 복수의 코일군(CG)은, 도체 파이프(66)를 둘러싸도록 마련되어 있으므로, 복수의 코일(80) 각각의 단면적은 크다. 따라서, 복수의 코일(80) 각각의 코일 길이가 짧아도 필요한 인덕턴스가 확보된다.In the plasma processing apparatus 1 described above, a plurality of coil groups CG each including two or more coils 80 are provided coaxially so as to share the central axis AXC. Therefore, the space which the some coil 80 which comprises the some coil group CG occupies is small. Therefore, it is possible to arrange the filter device FD including the plurality of coils 80 directly below the chamber 10, and the plurality of heaters HT and the plurality of coils 80 provided in the electrostatic chuck 52. It is possible to shorten the length of the some wiring 72 which electrically connects (). In addition, since the some coil group CG is provided so that the conductor pipe 66 may be enclosed, the cross-sectional area of each of the some coil 80 is large. Therefore, the required inductance is ensured even if the coil length of each of the plurality of coils 80 is short.

일 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 복수의 배선(72) 각각은, 회로 기판(85), 복수의 제 1 전기 커넥터(86) 중 대응하는 제 1 전기 커넥터, 복수의 제 2 전기 커넥터(87) 중 대응하는 제 2 전기 커넥터(87), 및 복수의 가요성 회로 기판(89) 중 대응하는 가요성 회로 기판 내에서 연장되어 있다. 이 실시형태에서는, 복수의 배선(72)을, 그 길이가 실질적으로 동일하게 되도록, 회로 기판(85) 및 복수의 가요성 회로 기판(89) 내에서 연장시키는 것이 가능하다. 즉, 회로 기판(85) 및 복수의 가요성 회로 기판(89) 내에서의 배선 패턴의 레이아웃에 의해, 복수의 배선(72)의 길이를 실질적으로 동일한 길이로 설정하는 것이 가능하다.In one embodiment, as described above, each of the plurality of wirings 72 includes a circuit board 85, a corresponding first electrical connector among the plurality of first electrical connectors 86, and a plurality of second electrical connectors 87. ) Extends within the corresponding second electrical connector 87, and the corresponding flexible circuit board, among the plurality of flexible circuit boards 89. In this embodiment, it is possible to extend the plurality of wirings 72 in the circuit board 85 and the plurality of flexible circuit boards 89 so that their lengths are substantially the same. That is, the layout of the wiring patterns in the circuit board 85 and the plurality of flexible circuit boards 89 allows the lengths of the plurality of wirings 72 to be set to substantially the same length.

이하, 다른 실시형태에 따른 필터 장치의 복수의 코일에 대하여 설명한다. 도 11은 다른 실시형태에 따른 필터 장치의 복수의 코일의 사시도이다. 도 11에 도시하는 복수의 코일(80)은 상술한 실시형태의 플라즈마 처리 장치의 필터 장치의 복수의 코일로서 이용할 수 있다. 도 11에 도시하는 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80)은 복수의 코일군(CG)을 구성하고 있다. 도 11에 도시하는 실시형태에 있어서, 코일군(CG)의 개수는 2개이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 복수의 코일군(CG) 각각은 복수의 코일(80) 중 2개 이상의 코일(80)을 포함한다. 도 11에 도시하는 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80) 각각은, 상술한 실시형태의 복수의 코일(80) 각각과 마찬가지로, 권선부(80w), 인출선(80a) 및 인출선(80b)을 갖고 있다. 인출선(80a)은 둘레 방향으로 배열되어 있다. 인출선(80b)도 둘레 방향으로 배열되어 있다.Hereinafter, the some coil of the filter apparatus which concerns on other embodiment is demonstrated. 11 is a perspective view of a plurality of coils of a filter device according to another embodiment. The plurality of coils 80 shown in FIG. 11 can be used as a plurality of coils of the filter device of the plasma processing apparatus of the above-described embodiment. In the embodiment shown in FIG. 11, the plurality of coils 80 constitute a plurality of coil groups CG. In the embodiment shown in FIG. 11, the number of coil groups CG is two, but is not limited thereto. Each of the plurality of coil groups CG includes two or more coils 80 of the plurality of coils 80. In the embodiment shown in FIG. 11, each of the plurality of coils 80 is the winding portion 80w, the leader line 80a, and the leader line 80b similarly to each of the plurality of coils 80 of the above-described embodiment. ) The leader line 80a is arranged in the circumferential direction. The leader line 80b is also arranged in the circumferential direction.

도 11에 도시하는 실시형태에 있어서는, 각 코일군(CG)에 포함되는 2개 이상의 코일(80)의 인출선(80a)은 둘레 방향에 있어서의 국소적인 하나 이상의 영역 내에 모아져 있다. 각 코일군(CG)에 있어서, 2개의 코일(80) 각각의 인출선(80a)으로부터 18mm 이하의 거리에, 해당 2개 이상의 코일(80) 중 다른 코일의 인출선(80a)이 마련되어 있다. 각 코일군(CG)에 포함되는 2개 이상의 코일(80)의 인출선(80a)이 둘레 방향에 있어서의 국소적인 하나 이상의 영역 내에 모아져 있는 경우에는, 각 필터(FT)의 임피던스의 실수 성분이 저감된다. 그 결과, 각 필터(FT)에 있어서의 고주파의 파워의 손실이 억제된다.In the embodiment shown in FIG. 11, the leader line 80a of the two or more coils 80 included in each coil group CG is collected in one or more local regions in the circumferential direction. In each coil group CG, the lead wire 80a of the other coil among the two or more coils 80 is provided in the distance of 18 mm or less from the lead wire 80a of each of the two coils 80. As shown in FIG. When the leader line 80a of the two or more coils 80 included in each coil group CG is collected in one or more local regions in the circumferential direction, the real component of the impedance of each filter FT is Is reduced. As a result, the loss of the high frequency power in each filter FT is suppressed.

또한, 각 코일군(CG)에 포함되는 2개 이상의 코일(80)의 인출선(80b)도, 둘레 방향에 있어서의 국소적인 하나 이상의 영역 내에 모아져 있어도 좋다. 각 코일군(CG)에 있어서, 2개 이상의 코일(80) 각각의 인출선(80b)으로부터 18mm 이하의 거리에, 해당 2개 이상의 코일(80) 중 다른 코일의 인출선(80b)이 마련되어 있어도 좋다.The lead wires 80b of the two or more coils 80 included in each coil group CG may also be collected in one or more local regions in the circumferential direction. In each coil group CG, even if the lead wire 80b of the other coil among the two or more coils 80 is provided in the distance of 18 mm or less from the lead wire 80b of each of the two or more coils 80, it is sufficient. good.

이상, 여러 가지의 실시형태에 대하여 설명해 왔지만, 상술한 실시형태에 한정되는 일 없이 여러 가지의 변형 태양을 구성 가능하다. 예를 들면, 변형 태양에 따른 플라즈마 처리 장치는, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치, 마이크로파와 같은 표면파를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치와 같이, 임의의 플라즈마원을 갖는 플라즈마 처리 장치여도 좋다.As mentioned above, although various embodiment was described, various deformation | transformation aspect can be comprised, without being limited to embodiment mentioned above. For example, the plasma processing apparatus according to the modified aspect may be a plasma processing apparatus having an arbitrary plasma source, such as an inductively coupled plasma processing apparatus or a plasma processing apparatus that generates plasma using surface waves such as microwaves.

이하, 도 11에 도시한 실시형태에 관한 시뮬레이션 결과에 대하여 설명한다. 도 12는 시뮬레이션에 있어서의 코일군을 도시하는 사시도이다. 시뮬레이션에서는, 그러한 코일(80)이 하나의 코일군(CG)을 구성하는 2개의 필터의 임피던스(합성된 임피던스) 및 그 실수 성분 각각의 주파수 특성을 계산했다. 시뮬레이션에서는, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각을, 9mm, 18mm, 81mm로 설정했다. 시뮬레이션에 있어서의 기타 조건은 이하와 같다.Hereinafter, the simulation result concerning embodiment shown in FIG. 11 is demonstrated. 12 is a perspective view illustrating a coil group in a simulation. In the simulation, the impedance (synthesized impedance) of two filters such that the coil 80 constitutes one coil group CG and the frequency characteristic of each of the real components thereof were calculated. In the simulation, the intervals between the leader lines 80a of the two coils 80 and the intervals between the leader lines 80b were set to 9 mm, 18 mm, and 81 mm, respectively. Other conditions in the simulation are as follows.

＜시뮬레이션에 있어서의 조건＞<Condition in Simulation>

각 코일(80)의 단면 형상 : 3mm×0.8mm의 평각형Cross section of each coil 80: 3mm x 0.8mm flat

각 코일(80)의 턴수 : 7 턴Number of turns of each coil 80: 7 turns

각 코일(80)의 코일 길이 : 200mmCoil length of each coil 80: 200mm

각 코일의 내경(직경) : 130mm Inner diameter of each coil (diameter): 130mm

콘덴서(82)의 커패시턴스 : 2200pFCapacitance of the capacitor 82: 2200pF

도 13의 (a), 도 13의(b) 및 도 13의 (c)에, 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 13의 (a)에는, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 9mm인 경우의, 필터의 임피던스 및 실수 성분 각각의 주파수 특성이 나타나 있다. 도 13의 (b)에는, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 18mm인 경우의, 필터의 임피던스 및 실수 성분 각각의 주파수 특성이 나타나 있다. 도 13의 (c)에는, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 81mm인 경우의, 필터의 임피던스 및 실수 성분 각각의 주파수 특성이 나타나 있다.The simulation result is shown to FIG. 13 (a), FIG. 13 (b), and FIG. 13 (c). FIG. 13A shows frequency characteristics of the impedance and the real component of the filter when the distance between the lead wires 80a of the two coils 80 and the distance between the lead wires 80b are 9 mm, respectively. Is shown. FIG. 13B shows frequency characteristics of the impedance and the real component of the filter in the case where the space between the lead wires 80a of the two coils 80 and the space between the lead wires 80b are each 18 mm. Is shown. FIG. 13C shows frequency characteristics of the impedance and the real component of the filter in the case where the space between the lead wires 80a of the two coils 80 and the space between the lead wires 80b are 81 mm, respectively. Is shown.

도 13의 (c)에 나타내는 바와 같이, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 81mm인 경우에는, 실수 성분의 큰 피크(도 13의 (c)에서 점선으로 둘러싸인 피크)가 발생하고 있었다. 도 13의 (b)에 나타내는 바와 같이, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 18mm인 경우에는, 실수 성분의 피크(도 13의 (b)에서 점선으로 둘러싸인 피크)는 크게 억제되고 있었다. 또한, 도 13의 (a)에 나타내는 바와 같이, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 9mm인 경우에는, 실수 성분의 피크는 거의 발생하지 않았다. 따라서, 각 코일군(CG)의 2개 이상의 코일(80) 각각의 인출선(80a)으로부터 18mm 이하의 거리에, 해당 2개 이상의 코일(80) 중 다른 코일의 인출선(80a)을 배치하는 것에 의해, 각 필터(FT)의 임피던스의 실수 성분이 저감되는 것이 확인되었다.As shown in FIG. 13 (c), when the interval between the lead wires 80a of the two coils 80 and the interval between the lead wires 80b are each 81 mm, a large peak of a real component (FIG. 13). In (c), a peak surrounded by a dotted line has occurred. As shown in FIG. 13B, when the interval between the leader line 80a of the two coils 80 and the interval between the leader line 80b are each 18 mm, the peak of the real component (in FIG. 13). peak surrounded by a dotted line in (b)) was largely suppressed. As shown in Fig. 13A, when the interval between the lead wires 80a of the two coils 80 and the interval between the lead wires 80b are each 9 mm, the peak of the real component is almost Did not occur. Therefore, at a distance of 18 mm or less from the leader line 80a of each of the two or more coils 80 of each coil group CG, the leader line 80a of the other coil of the two or more coils 80 is disposed. It was confirmed by this that the real component of the impedance of each filter FT reduced.

1 : 플라즈마 처리 장치, 10 : 챔버, 10s : 내부 공간, 14 : 지지대, 50 : 하부 전극, 52 : 정전 척, 52t : 단자, HT : 히터, HC : 히터 컨트롤러, 61 : 제 1 고주파 전원, 62 : 제 2 고주파 전원, 65 : 급전체, 66 : 도체 파이프, 72 : 배선, FD : 필터 장치, CG : 코일군, 80 : 코일, 80w : 권선부, 82 : 콘덴서, 84 : 하우징, AX : 축선, AXC : 중심 축선Reference Signs List 1 plasma processing apparatus, 10 chamber, 10s internal space, 14 support, 50 lower electrode, 52 electrostatic chuck, 52t: terminal, HT: heater, HC: heater controller, 61: first high frequency power source, 62 : 2nd high frequency power supply, 65: electric power feeder, 66: conductor pipe, 72: wiring, FD: filter device, CG: coil group, 80: coil, 80w: winding part, 82: condenser, 84: housing, AX: axis , AXC: center axis

Claims (5)

챔버와,
상기 챔버의 내부 공간 중에서 기판을 지지하도록 구성된 지지대로서,
하부 전극과,
상기 하부 전극 상에 마련되어 있고, 그 내부에 마련된 복수의 히터를 갖는 정전 척을 갖는, 상기 지지대와,
상기 하부 전극에 전기적으로 접속되고, 상기 하부 전극의 하측에서 하방으로 연장되는 급전체와,
상기 챔버의 외측에서 상기 급전체를 둘러싸도록 연장되고, 접지된 도체 파이프와,
상기 급전체에 전기적으로 접속된 고주파 전원과,
상기 복수의 히터로부터 히터 컨트롤러에 고주파가 유입되는 것을 방지하도록 구성된 필터 장치와,
상기 복수의 히터와 상기 필터 장치의 복수의 코일을 각각 전기적으로 접속하는 복수의 배선을 구비하며,
상기 필터 장치는,
상기 복수의 히터에 전기적으로 접속된 상기 복수의 코일과,
상기 복수의 코일과 접지 사이에 각각 접속된 복수의 콘덴서와,
전기적으로 접지되어 있고, 상기 복수의 코일을 그 내에 수용한 하우징을 갖고,
상기 복수의 코일은 각각이 2개 이상의 코일을 포함하는 복수의 코일군을 구성하고,
상기 복수의 코일군 각각에 있어서, 상기 2개 이상의 코일은, 각각의 권선부가 중심 축선의 주위에서 나선 형상으로 연장되고, 또한 각각의 턴이, 상기 중심 축선이 연장되는 축선 방향을 따라 순서대로 또한 반복해서 배열되도록, 마련되어 있으며,
상기 복수의 코일군은 상기 챔버의 바로 아래에서 상기 도체 파이프를 둘러싸도록 상기 중심 축선에 대해서 동축으로 마련되어 있는
플라즈마 처리 장치.Chamber,
A support configured to support a substrate in an interior space of the chamber,
A lower electrode,
The supporter provided on the lower electrode and having an electrostatic chuck having a plurality of heaters provided therein;
A feeder electrically connected to the lower electrode and extending downward from the lower electrode;
A grounded conductor pipe extending from the outside of the chamber and surrounding the feeder;
A high frequency power source electrically connected to the feeder,
A filter device configured to prevent high frequency from flowing into the heater controller from the plurality of heaters;
A plurality of wirings for electrically connecting the plurality of heaters and the plurality of coils of the filter device, respectively,
The filter device,
The plurality of coils electrically connected to the plurality of heaters,
A plurality of capacitors connected between the plurality of coils and ground, respectively;
Has a housing that is electrically grounded and houses the plurality of coils therein;
The plurality of coils constitute a plurality of coil groups each including two or more coils,
In each of the plurality of coil groups, the two or more coils each include a winding portion extending in a spiral shape around a central axis, and each turn is further arranged in an axial direction along which the central axis extends. It is provided so that it is arranged repeatedly,
The plurality of coil groups are provided coaxially with respect to the central axis so as to surround the conductor pipe directly below the chamber.
Plasma processing apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 배선은 서로 실질적으로 동일한 길이를 갖고 있는
플라즈마 처리 장치.The method of claim 1,
The plurality of wirings have substantially the same length as each other.
Plasma processing apparatus. 제 2 항에 있어서,
상기 정전 척의 주연부에는, 상기 복수의 히터에 전기적으로 접속된 복수의 단자가 마련되어 있으며,
상기 플라즈마 처리 장치는,
상기 복수의 코일 각각의 복수의 인출선이 접속된 회로 기판과,
상기 회로 기판으로부터 상방으로 연장되는 복수의 제 1 전기 커넥터와,
상기 복수의 제 1 전기 커넥터에 각각 결합된 복수의 제 2 전기 커넥터와,
상기 복수의 제 2 전기 커넥터로부터 상기 정전 척의 상기 주연부의 하측까지 연장되는 복수의 가요성 회로 기판을 더 구비하며,
상기 복수의 배선 각각은, 상기 회로 기판, 상기 복수의 제 1 전기 커넥터 중 대응하는 제 1 전기 커넥터, 상기 복수의 제 2 전기 커넥터 중 대응하는 제 2 전기 커넥터, 및 상기 복수의 가요성 회로 기판 중 대응하는 가요성 회로 기판 내에서 연장되어 있는
플라즈마 처리 장치.The method of claim 2,
The peripheral part of the said electrostatic chuck is provided with the some terminal electrically connected to the said some heater,
The plasma processing apparatus,
A circuit board to which a plurality of leader lines of each of the plurality of coils are connected,
A plurality of first electrical connectors extending upward from the circuit board;
A plurality of second electrical connectors respectively coupled to the plurality of first electrical connectors;
And a plurality of flexible circuit boards extending from the plurality of second electrical connectors to the lower side of the peripheral portion of the electrostatic chuck,
Each of the plurality of wirings includes one of the circuit board, a corresponding first electrical connector among the plurality of first electrical connectors, a corresponding second electrical connector among the plurality of second electrical connectors, and the plurality of flexible circuit boards. Extending within the corresponding flexible circuit board
Plasma processing apparatus. 제 3 항에 있어서,
상기 복수의 코일의 하방에 마련된 복수의 다른 회로 기판을 더 구비하며,
상기 복수의 콘덴서 각각은 상기 복수의 다른 회로 기판 중 대응하는 회로 기판 상에 탑재되어 있는
플라즈마 처리 장치.The method of claim 3, wherein
And a plurality of other circuit boards provided below the plurality of coils,
Each of the plurality of capacitors is mounted on a corresponding circuit board of the plurality of other circuit boards.
Plasma processing apparatus. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 코일 각각은, 그 권선부의 일단에 연속하고, 상기 복수의 배선 중 대응하는 배선에 접속된 인출선을 가지며,
상기 복수의 코일군 각각에 있어서, 상기 2개 이상의 코일 각각의 상기 인출선으로부터 18mm 이하의 거리에 상기 2개 이상의 코일 중 다른 코일의 인출선이 마련되어 있는
플라즈마 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
Each of the plurality of coils is continuous to one end of the winding portion and has a lead wire connected to a corresponding one of the plurality of wirings,
In each of the plurality of coil groups, a lead line of another coil of the two or more coils is provided at a distance of 18 mm or less from the lead line of each of the two or more coils.
Plasma processing apparatus.
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