KR102641619B1 - Plasma processing apparatus - Google Patents

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가츠미 세키구치
류이치 유이
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 개시의 과제는 복수의 히터와 복수의 코일 사이의 배선 길이를 짧게 하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다. 해결 수단으로서, 일 실시형태의 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이 지지대의 하부 전극에 급전체를 거쳐서 접속되어 있다. 급전체는 챔버의 외측에 있어서 도체 파이프에 의해서 둘러싸여 있다. 지지대의 정전 척은 복수의 히터를 내장한다. 복수의 히터와 히터 컨트롤러의 사이에는 필터 장치가 마련되어 있다. 필터 장치는 각각이 2개 이상의 코일을 포함하는 복수의 코일군을 갖는다. 각 코일군에 있어서, 2개 이상의 코일은, 각각의 권선부가 중심 축선의 주위에서 나선 형상으로 연장되고, 또한 각각의 턴이 순서대로 또한 반복해서 배열되도록, 마련되어 있다. 복수의 코일군은 챔버의 바로 아래에서 도체 파이프를 둘러싸도록 동축으로 마련되어 있다.The object of the present disclosure is to provide a plasma processing device that can shorten the wiring length between a plurality of heaters and a plurality of coils. As a solution, in the plasma processing apparatus of one embodiment, a high-frequency power source is connected to the lower electrode of the support via a power supply. The power supply is surrounded by a conductor pipe on the outside of the chamber. The electrostatic chuck of the support has a plurality of heaters built into it. A filter device is provided between the plurality of heaters and the heater controller. The filter device has a plurality of coil groups, each of which includes two or more coils. In each coil group, two or more coils are provided so that each winding portion extends in a spiral shape around a central axis, and each turn is arranged sequentially and repeatedly. A plurality of coil groups are arranged coaxially to surround the conductor pipe immediately below the chamber.

Figure R1020190033475
Figure R1020190033475

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}Plasma processing apparatus {PLASMA PROCESSING APPARATUS}

본 개시의 실시형태는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present disclosure relate to plasma processing devices.

전자 디바이스의 제조에 있어서는, 플라즈마 처리 장치가 이용되고 있다. 플라즈마 처리 장치는 챔버, 지지대 및 고주파 전원을 구비하고 있다. 지지대는, 챔버의 내부 공간 중에 마련되어 있고, 그 위에 탑재되는 기판을 지지하도록 구성되어 있다. 지지대는 하부 전극 및 정전 척을 포함하고 있다. 하부 전극에는, 고주파 전원이 접속되어 있다.In the manufacture of electronic devices, plasma processing equipment is used. The plasma processing device includes a chamber, a support, and a high-frequency power source. The support stand is provided in the internal space of the chamber and is configured to support the substrate mounted thereon. The support includes a lower electrode and an electrostatic chuck. A high-frequency power source is connected to the lower electrode.

플라즈마 처리 장치에 있어서 실행되는 플라즈마 처리에서는, 기판의 면내에 있어서의 온도의 분포를 조정하는 것이 필요하다. 기판의 면내에 있어서의 온도의 분포를 조정하기 위해서, 복수의 히터가 정전 척 내에 마련된다. 복수의 히터 각각은 복수의 급전 라인을 거쳐서 히터 컨트롤러에 접속된다.In plasma processing performed in a plasma processing apparatus, it is necessary to adjust the temperature distribution within the plane of the substrate. In order to adjust the temperature distribution within the surface of the substrate, a plurality of heaters are provided in the electrostatic chuck. Each of the plurality of heaters is connected to the heater controller through a plurality of power supply lines.

지지대의 하부 전극에는 고주파 전원으로부터 고주파가 공급된다. 하부 전극에 공급된 고주파는 복수의 급전 라인으로 유입될 수 있다. 복수의 급전 라인 상에서 고주파를 차단하거나 또는 감쇠시키기 위해서, 복수의 필터가 각각 복수의 급전 라인 상에 마련된다. 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 복수의 필터 각각은 코일 및 콘덴서를 포함한다. 복수의 필터는 챔버의 외측에 배치된다. 따라서, 복수의 급전 라인은 정전 척쪽으로부터 챔버의 외측까지 연장되는 복수의 배선을 각각 포함한다.High frequency waves are supplied to the lower electrode of the support from a high frequency power source. High frequency waves supplied to the lower electrode may flow into a plurality of feed lines. In order to block or attenuate high frequencies on a plurality of feed lines, a plurality of filters are provided on each of the plurality of feed lines. As described in Patent Document 1, each of the plurality of filters includes a coil and a condenser. A plurality of filters are disposed outside the chamber. Accordingly, the plurality of feed lines each include a plurality of wirings extending from the electrostatic chuck side to the outside of the chamber.

일본 특허 공개 제 2014-99585호 공보Japanese Patent Publication No. 2014-99585

정전 척 내에 마련된 히터의 개수가 많아지면, 복수의 필터의 코일, 즉 복수의 코일을 배치하는 스페이스를 챔버 주위에 확보하는 것이 어려워진다. 따라서, 정전 척 내에 마련된 히터의 개수가 많아지면, 정전 척과 복수의 코일 각각의 사이의 거리가 길어져서, 복수의 급전 라인을 각각 구성하는 복수의 배선의 길이가 길어진다. 복수의 배선의 길이가 길어지면, 그러한 각각의 기생 성분에 기인하여, 복수의 필터의 임피던스(impedance)의 주파수 특성이 열화된다. 따라서, 정전 척 내에 마련된 복수의 히터와 복수의 필터의 코일을 전기적으로 접속하는 복수의 배선의 길이를 짧게 하는 것을 가능하게 하는 것이 요구된다.As the number of heaters provided in the electrostatic chuck increases, it becomes difficult to secure space around the chamber for arranging a plurality of filter coils, that is, a plurality of coils. Accordingly, as the number of heaters provided in the electrostatic chuck increases, the distance between the electrostatic chuck and each of the plurality of coils increases, and the length of the plurality of wirings respectively constituting the plurality of power supply lines increases. When the length of the plurality of wires becomes longer, the frequency characteristics of the impedance of the plurality of filters deteriorate due to each parasitic component. Therefore, it is required to make it possible to shorten the length of a plurality of wires that electrically connect the coils of the plurality of heaters and the plurality of filters provided in the electrostatic chuck.

일 태양에 있어서는, 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 플라즈마 처리 장치는 챔버, 지지대, 급전체, 도체 파이프, 고주파 전원, 필터 장치 및 복수의 배선을 구비한다. 지지대는 챔버의 내부 공간 중에서 기판을 지지하도록 구성되어 있다. 지지대는 하부 전극 및 정전 척을 갖는다. 정전 척은 하부 전극 상에 마련되어 있다. 정전 척은 복수의 히터를 갖는다. 복수의 히터는 정전 척의 내부에 마련되어 있다. 급전체는 하부 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 급전체는 하부 전극의 하측에서 하방으로 연장되어 있다. 도체 파이프는 챔버의 외측에서 급전체를 둘러싸도록 연장되어 있다. 도체 파이프는 접지되어 있다. 고주파 전원은 급전체에 전기적으로 접속되어 있다. 필터 장치는 복수의 히터로부터 히터 컨트롤러에 고주파가 유입되는 것을 방지하도록 구성되어 있다. 복수의 배선은 복수의 히터와 필터 장치의 복수의 코일을 각각 전기적으로 접속한다.In one aspect, a plasma processing apparatus is provided. The plasma processing device includes a chamber, a support, a feeder, a conductor pipe, a high-frequency power source, a filter device, and a plurality of wires. The support is configured to support the substrate in the internal space of the chamber. The support has a lower electrode and an electrostatic chuck. An electrostatic chuck is provided on the lower electrode. The electrostatic chuck has a plurality of heaters. A plurality of heaters are provided inside the electrostatic chuck. The power supply is electrically connected to the lower electrode. The power supply extends downward from the lower side of the lower electrode. The conductor pipe extends from the outside of the chamber to surround the feeder. The conductor pipe is grounded. The high-frequency power source is electrically connected to the power supply. The filter device is configured to prevent high frequency waves from flowing into the heater controller from a plurality of heaters. The plurality of wires electrically connect the plurality of heaters and the plurality of coils of the filter device, respectively.

필터 장치는 상기 복수의 코일, 복수의 콘덴서 및 하우징을 갖는다. 복수의 코일은 복수의 히터에 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 콘덴서는 복수의 코일과 접지 사이에 각각 접속되어 있다. 하우징은 전기적으로 접지되어 있고, 복수의 코일을 그 내에 수용하고 있다. 복수의 코일은 복수의 코일군을 구성한다. 복수의 코일군 각각은 2개 이상의 코일을 포함한다. 복수의 코일군 각각에 있어서, 2개 이상의 코일은 각각의 권선부가 중심 축선의 주위에서 나선 형상으로 연장되고, 또한 각각의 턴(turn)이, 중심 축선이 연장되는 축선 방향을 따라 순서대로 또한 반복해서 배열되도록, 마련되어 있다. 복수의 코일군은 챔버의 바로 아래에서 도체 파이프를 둘러싸도록 중심 축선에 대해서 동축으로 마련되어 있다.The filter device has the plurality of coils, the plurality of condensers and the housing. A plurality of coils are electrically connected to a plurality of heaters. A plurality of condensers are each connected between a plurality of coils and ground. The housing is electrically grounded and houses a plurality of coils therein. A plurality of coils constitute a plurality of coil groups. Each of the plurality of coil groups includes two or more coils. In each of the plurality of coil groups, each winding portion of two or more coils extends in a spiral shape around a central axis, and each turn is sequentially repeated along the axis direction along which the central axis extends. It is arranged so that it can be arranged accordingly. A plurality of coil groups are provided coaxially with respect to the central axis so as to surround the conductor pipe immediately below the chamber.

일 태양에 따른 플라즈마 처리 장치에서는, 각각이 2개 이상의 코일을 포함하는 복수의 코일군이 중심 축선을 공유하도록 동축으로 마련되어 있다. 따라서, 복수의 코일군을 구성하는 복수의 코일이 점유하는 스페이스는 작다. 그러므로, 복수의 코일을 포함하는 필터 장치를 챔버의 바로 아래에 배치하는 것이 가능하고, 정전 척 내에 마련된 복수의 히터와 복수의 코일을 전기적으로 접속하는 복수의 배선의 길이를 짧게 하는 것이 가능하다. 또한, 복수의 코일군은 도체 파이프를 둘러싸도록 마련되어 있으므로, 복수의 코일 각각의 단면적은 크다. 따라서, 복수의 코일 각각의 코일 길이가 짧아도 필요한 인덕턴스(inductance)가 확보된다.In the plasma processing apparatus according to one aspect, a plurality of coil groups each including two or more coils are arranged coaxially so as to share a central axis. Therefore, the space occupied by the plurality of coils constituting the plurality of coil groups is small. Therefore, it is possible to arrange a filter device including a plurality of coils directly below the chamber, and it is possible to shorten the length of a plurality of wires that electrically connect the plurality of heaters and the plurality of coils provided in the electrostatic chuck. Additionally, since the plurality of coil groups are provided to surround the conductor pipe, the cross-sectional area of each of the plurality of coils is large. Therefore, even if the coil length of each of the plurality of coils is short, the necessary inductance is secured.

일 실시형태에 있어서, 복수의 배선은 서로 실질적으로 동일한 길이를 갖고 있다.In one embodiment, the plurality of wires have substantially the same length as each other.

일 실시형태에 있어서, 정전 척의 주연부에는, 복수의 히터에 전기적으로 접속된 복수의 단자가 마련되어 있다. 플라즈마 처리 장치는 회로 기판, 복수의 제 1 전기 커넥터, 복수의 제 2 전기 커넥터 및 복수의 가요성 회로 기판을 더 구비한다. 회로 기판에는, 복수의 코일의 인출선이 접속되어 있다. 복수의 제 1 전기 커넥터는 회로 기판으로부터 상방으로 연장되어 있다. 복수의 제 2 전기 커넥터는 복수의 제 1 전기 커넥터에 각각 결합되어 있다. 복수의 가요성 회로 기판은 복수의 제 2 전기 커넥터로부터 정전 척의 주연부의 하측까지 연장되어 있다. 복수의 배선 각각은, 회로 기판, 복수의 제 1 전기 커넥터 중 대응하는 제 1 전기 커넥터, 복수의 제 2 전기 커넥터 중 대응하는 제 2 전기 커넥터, 및 복수의 가요성 회로 기판 중 대응하는 가요성 회로 기판 내에서 연장되어 있다. 이러한 실시형태에 의하면, 복수의 배선을, 그 길이가 실질적으로 동일하게 되도록, 회로 기판 및 복수의 가요성 회로 기판 내에서 연장시키는 것이 가능하다.In one embodiment, a plurality of terminals electrically connected to a plurality of heaters are provided on the periphery of the electrostatic chuck. The plasma processing apparatus further includes a circuit board, a plurality of first electrical connectors, a plurality of second electrical connectors, and a plurality of flexible circuit boards. Leading lines of a plurality of coils are connected to the circuit board. A plurality of first electrical connectors extend upward from the circuit board. The plurality of second electrical connectors are respectively coupled to the plurality of first electrical connectors. A plurality of flexible circuit boards extend from the plurality of second electrical connectors to a lower side of the periphery of the electrostatic chuck. Each of the plurality of wires includes a circuit board, a corresponding first electrical connector among the plurality of first electrical connectors, a corresponding second electrical connector among the plurality of second electrical connectors, and a corresponding flexible circuit among the plurality of flexible circuit boards. It extends within the substrate. According to this embodiment, it is possible to extend a plurality of wiring lines within a circuit board and a plurality of flexible circuit boards so that their lengths are substantially the same.

일 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치는 복수의 다른 회로 기판을 더 구비한다. 복수의 다른 회로 기판은 복수의 코일의 하방에 마련되어 있다. 복수의 콘덴서 각각은 복수의 다른 회로 기판 중 대응하는 회로 기판 상에 탑재되어 있다.In one embodiment, the plasma processing apparatus further includes a plurality of other circuit boards. A plurality of different circuit boards are provided below the plurality of coils. Each of the plurality of capacitors is mounted on a corresponding circuit board among a plurality of different circuit boards.

이상 설명한 바와 같이, 정전 척 내에 마련된 복수의 히터와 복수의 필터를 전기적으로 접속하는 복수의 배선의 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.As described above, it is possible to shorten the length of a plurality of wires that electrically connect a plurality of heaters and a plurality of filters provided in the electrostatic chuck.

도 1은 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 지지대의 확대 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 복수의 필터의 회로 구성을, 복수의 히터 및 히터 컨트롤러와 함께 도시하는 도면이다.
도 4는 일 실시형태에 따른 필터 장치의 복수의 코일의 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시하는 복수의 코일을 파단하여 도시하는 사시도이다.
도 6은 도 4에 도시하는 복수의 코일의 일부를 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 7은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서 필터 장치의 복수의 코일을 정전 척의 복수의 단자에 전기적으로 접속하는 복수의 배선을 제공하는 복수의 부재를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 8은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 정전 척의 하면의 평면도이다.
도 9는 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 하부 전극의 하면의 평면도이다.
도 10은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서 필터 장치의 복수의 코일을 정전 척의 복수의 단자에 전기적으로 접속하는 복수의 배선을 제공하는 복수의 부재를 도시하는 평면도이다.
도 11은 다른 실시형태에 따른 필터 장치의 복수의 코일의 사시도이다.
도 12는 시뮬레이션에 있어서의 코일군을 도시하는 사시도이다.
도 13의 (a), 도 13의 (b) 및 도 13의 (c)는 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프이다.1 is a diagram schematically showing a plasma processing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the support of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a diagram showing the circuit configuration of a plurality of filters of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1 together with a plurality of heaters and a heater controller.
4 is a perspective view of a plurality of coils of a filter device according to one embodiment.
FIG. 5 is a perspective view showing the plurality of coils shown in FIG. 4 broken away.
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing a portion of a plurality of coils shown in FIG. 4.
FIG. 7 is a diagram schematically showing a plurality of members providing a plurality of wires for electrically connecting a plurality of coils of the filter device to a plurality of terminals of the electrostatic chuck in the plasma processing device shown in FIG. 1.
FIG. 8 is a plan view of the lower surface of the electrostatic chuck of the plasma processing device shown in FIG. 1.
FIG. 9 is a plan view of the lower surface of the lower electrode of the plasma processing device shown in FIG. 1.
FIG. 10 is a plan view showing a plurality of members providing a plurality of wiring electrically connecting the plurality of coils of the filter device to the plurality of terminals of the electrostatic chuck in the plasma processing device shown in FIG. 1.
Figure 11 is a perspective view of a plurality of coils of a filter device according to another embodiment.
Fig. 12 is a perspective view showing a coil group in simulation.
Figure 13(a), Figure 13(b), and Figure 13(c) are graphs showing simulation results.

이하, 도면을 참조하여 여러 가지의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다.Hereinafter, various embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each drawing, identical or equivalent parts are given the same reference numerals.

도 1은 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 1에 있어서는, 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치가, 그 일부가 파단된 상태로 도시되어 있다. 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치(1)는 용량 결합형 플라즈마 처리 장치이다.1 is a diagram schematically showing a plasma processing apparatus according to an embodiment. In FIG. 1, the plasma processing device according to one embodiment is shown with a portion thereof broken. The plasma processing device 1 shown in FIG. 1 is a capacitively coupled plasma processing device.

플라즈마 처리 장치(1)는 챔버(10)를 구비하고 있다. 챔버(10)는 내부 공간(10s)을 제공하고 있다. 챔버(10)는 챔버 본체(12)를 포함하고 있다. 챔버 본체(12)는 대략 원통 형상을 갖고 있다. 내부 공간(10s)은 챔버 본체(12)의 내측에 제공되어 있다. 챔버 본체(12)는, 예를 들어 알루미늄으로 형성되어 있다. 챔버 본체(12)는 접지되어 있다. 챔버 본체(12)의 내벽면, 즉 내부 공간(10s)을 형성하는 벽면에는, 내플라즈마성을 갖는 막이 형성되어 있다. 이 막은, 양극 산화 처리에 의해서 형성된 막, 또는 산화이트륨으로 형성된 막과 같은 세라믹제의 막일 수 있다.The plasma processing device 1 includes a chamber 10. The chamber 10 provides an internal space 10s. Chamber 10 includes a chamber body 12. The chamber body 12 has a substantially cylindrical shape. The internal space 10s is provided inside the chamber body 12. The chamber body 12 is formed of aluminum, for example. The chamber body 12 is grounded. A film having plasma resistance is formed on the inner wall of the chamber main body 12, that is, on the wall forming the internal space 10s. This film may be a film formed by anodizing, or a film made of ceramics, such as a film formed of yttrium oxide.

챔버 본체(12)의 측벽에는, 개구(12p)가 형성되어 있다. 기판(W)은, 내부 공간(10s)과 챔버(10)의 외부 사이에서 반송될 때, 개구(12p)를 통과한다. 개구(12p)는 게이트 밸브(12g)에 의해서 개폐 가능하다. 게이트 밸브(12g)는 챔버 본체(12)의 측벽을 따라 마련되어 있다. 또한, 기판(W)은, 예를 들어 실리콘과 같은 소재로 형성된 원반 형상의 판이다.An opening 12p is formed in the side wall of the chamber main body 12. The substrate W passes through the opening 12p when transported between the internal space 10s and the outside of the chamber 10. The opening 12p can be opened and closed by the gate valve 12g. A gate valve 12g is provided along the side wall of the chamber body 12. Additionally, the substrate W is, for example, a disk-shaped plate formed of a material such as silicon.

플라즈마 처리 장치(1)는 지지대(14)를 더 구비하고 있다. 지지대(14)는 내부 공간(10s) 중에 마련되어 있다. 지지대(14) 상에는, 기판(W)이 탑재된다. 지지대(14)는, 내부 공간(10s) 중에서, 기판(W)을 지지하도록 구성되어 있다. 지지대(14)는 지지부(15) 상에 탑재되어 있고, 지지부(15)에 의해서 지지되어 있다. 지지부(15)는 챔버 본체(12)의 바닥부로부터 상방으로 연장되어 있다.The plasma processing apparatus 1 further includes a support 14. The support 14 is provided in the internal space 10s. On the support stand 14, a substrate W is mounted. The support stand 14 is configured to support the substrate W in the internal space 10s. The support 14 is mounted on the support 15 and is supported by the support 15 . The support portion 15 extends upward from the bottom of the chamber body 12.

지지대(14) 및 지지부(15)의 주위에는, 부재(16), 부재(17) 및 배플판(18)이 마련되어 있다. 부재(16)는 원통 형상을 갖고 있으며, 도체로 형성되어 있다. 부재(16)는 지지부(15)의 외주면을 따라 챔버 본체(12)의 바닥부로부터 상방으로 연장되어 있다. 부재(17)는 대략 환상판 형상을 갖고 있고, 석영과 같은 절연체로 형성되어 있다. 부재(17)는 부재(16)의 상방에 마련되어 있다. 부재(17) 상에는, 지지대(14) 상에 탑재된 기판(W)의 에지를 둘러싸도록 포커스 링(FR)이 배치된다.A member 16, a member 17, and a baffle plate 18 are provided around the support stand 14 and the support portion 15. The member 16 has a cylindrical shape and is made of a conductor. The member 16 extends upward from the bottom of the chamber body 12 along the outer peripheral surface of the support portion 15. The member 17 has a substantially annular plate shape and is made of an insulator such as quartz. The member 17 is provided above the member 16. On the member 17, a focus ring FR is disposed to surround the edge of the substrate W mounted on the support stand 14.

배플판(18)은 대략 환상판 형상을 갖고 있다. 배플판(18)은, 예를 들어 알루미늄제의 모재에 산화이트륨 등의 세라믹을 피복하는 것에 의해 구성된다. 배플판(18)에는, 다수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 배플판(18)의 내연부는 부재(16)와 부재(17) 사이에 협지(挾持)되어 있다. 배플판(18)은 그 내연부로부터 챔버 본체(12)의 측벽까지 연장되어 있다. 배플판(18)의 하방에서는, 배기 장치(20)가 챔버 본체(12)의 바닥부에 접속되어 있다. 배기 장치(20)는 자동 압력 제어 밸브와 같은 압력 제어기 및 터보 분자 펌프와 같은 진공 펌프를 갖고 있다. 배기 장치(20)는 내부 공간(10s)을 감압할 수 있다.The baffle plate 18 has a substantially annular plate shape. The baffle plate 18 is constructed, for example, by coating a base material made of aluminum with a ceramic such as yttrium oxide. A large number of through holes are formed in the baffle plate 18. The inner edge of the baffle plate 18 is sandwiched between the members 16 and 17. The baffle plate 18 extends from its inner edge to the side wall of the chamber body 12. Below the baffle plate 18, an exhaust device 20 is connected to the bottom of the chamber body 12. The exhaust device 20 has a pressure controller such as an automatic pressure control valve and a vacuum pump such as a turbo molecular pump. The exhaust device 20 can depressurize the internal space 10s.

플라즈마 처리 장치(1)는 상부 전극(30)을 더 구비하고 있다. 상부 전극(30)은 지지대(14)의 상방에 마련되어 있다. 상부 전극(30)은 부재(32)와 함께 챔버 본체(12)의 상부 개구를 폐쇄하고 있다. 부재(32)는 절연성을 갖고 있다. 상부 전극(30)은 부재(32)를 거쳐서 챔버 본체(12)의 상부에 지지되어 있다. 또한, 상부 전극(30)의 전위는, 후술하는 제 1 고주파 전원이 지지대(14)의 하부 전극에 전기적으로 접속되는 경우에는, 접지 전위로 설정된다.The plasma processing device 1 further includes an upper electrode 30. The upper electrode 30 is provided above the support 14. The upper electrode 30 closes the upper opening of the chamber body 12 together with the member 32. The member 32 has insulating properties. The upper electrode 30 is supported on the upper part of the chamber body 12 via a member 32. Additionally, the potential of the upper electrode 30 is set to the ground potential when the first high-frequency power source described later is electrically connected to the lower electrode of the support stand 14.

상부 전극(30)은 천정판(34) 및 지지체(36)를 포함하고 있다. 천정판(34)의 하면은 내부 공간(10s)을 형성하고 있다. 천정판(34)에는, 복수의 가스 토출 구멍(34a)이 마련되어 있다. 복수의 가스 토출 구멍(34a) 각각은 천정판(34)을 판 두께 방향(연직 방향)으로 관통하고 있다. 이 천정판(34)은 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 실리콘으로 형성되어 있다. 혹은, 천정판(34)은 알루미늄제의 모재의 표면에 내플라즈마성을 갖는 막을 마련한 구조를 가질 수 있다. 이 막은, 양극 산화 처리에 의해서 형성된 막, 또는 산화이트륨으로 형성된 막과 같은 세라믹제의 막일 수 있다.The upper electrode 30 includes a ceiling plate 34 and a support 36. The lower surface of the ceiling plate 34 forms an internal space 10s. The ceiling plate 34 is provided with a plurality of gas discharge holes 34a. Each of the plurality of gas discharge holes 34a penetrates the ceiling plate 34 in the plate thickness direction (vertical direction). This ceiling plate 34 is, but is not limited to, made of, for example, silicon. Alternatively, the ceiling plate 34 may have a structure in which a film having plasma resistance is provided on the surface of a base material made of aluminum. This film may be a film formed by anodizing, or a film made of ceramics, such as a film formed of yttrium oxide.

지지체(36)는 천정판(34)을 착탈 가능하게 지지하는 부품이다. 지지체(36)는, 예를 들어 알루미늄과 같은 도전성 재료로 형성될 수 있다. 지지체(36)의 내부에는, 가스 확산실(36a)이 마련되어 있다. 가스 확산실(36a)로부터는, 복수의 가스 구멍(36b)이 하방으로 연장되어 있다. 복수의 가스 구멍(36b)은 복수의 가스 토출 구멍(34a)에 각각 연통하여 있다. 지지체(36)에는, 가스 도입구(36c)가 형성되어 있다. 가스 도입구(36c)는 가스 확산실(36a)에 연통하여 있다. 가스 도입구(36c)에는, 밸브군(41), 유량 제어기군(42) 및 밸브군(43)을 거쳐서, 가스 소스군(40)이 접속되어 있다.The support body 36 is a part that supports the ceiling plate 34 in a detachable manner. The support 36 may be formed of a conductive material, such as aluminum, for example. Inside the support 36, a gas diffusion chamber 36a is provided. A plurality of gas holes 36b extend downward from the gas diffusion chamber 36a. The plurality of gas holes 36b are respectively connected to the plurality of gas discharge holes 34a. A gas inlet 36c is formed in the support 36. The gas introduction port 36c is connected to the gas diffusion chamber 36a. A gas source group 40 is connected to the gas inlet port 36c via a valve group 41, a flow rate controller group 42, and a valve group 43.

가스 소스군(40)은 복수의 가스 소스를 포함하고 있다. 밸브군(41) 및 밸브군(43) 각각은 복수의 밸브를 포함하고 있다. 유량 제어기군(42)은 복수의 유량 제어기를 포함하고 있다. 유량 제어기군(42)의 복수의 유량 제어기 각각은 매스 플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기이다. 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 각각은 밸브군(41)의 대응하는 밸브, 유량 제어기군(42)의 대응하는 유량 제어기, 및 밸브군(43)의 대응하는 밸브를 거쳐서, 가스 도입구(36c)에 접속되어 있다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스 중 선택된 하나 이상의 가스 소스로부터의 가스를, 개별적으로 조정된 유량으로 내부 공간(10s)에 공급하는 것이 가능하다.The gas source group 40 includes a plurality of gas sources. Each of the valve group 41 and valve group 43 includes a plurality of valves. The flow rate controller group 42 includes a plurality of flow rate controllers. Each of the plurality of flow controllers in the flow controller group 42 is a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller. Each of the plurality of gas sources in the gas source group 40 introduces gas via a corresponding valve in the valve group 41, a corresponding flow controller in the flow rate controller group 42, and a corresponding valve in the valve group 43. It is connected to sphere 36c. The plasma processing device 1 is capable of supplying gas from one or more gas sources selected from among the plurality of gas sources in the gas source group 40 to the internal space 10s at an individually adjusted flow rate.

플라즈마 처리 장치(1)는 제어부(MC)를 더 구비하고 있다. 제어부(MC)는 프로세서, 기억 장치, 입력 장치, 표시 장치 등을 구비하는 컴퓨터이며, 플라즈마 처리 장치(1)의 각부를 제어한다. 구체적으로, 제어부(MC)는, 기억 장치에 기억되어 있는 제어 프로그램을 실행하고, 해당 기억 장치에 기억되어 있는 레시피 데이터에 근거하여 플라즈마 처리 장치(1)의 각부를 제어한다. 이러한 제어부(MC)에 의한 제어에 의해서, 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 레시피 데이터에 의해서 지정된 프로세스가 실행된다.The plasma processing apparatus 1 further includes a control unit MC. The control unit (MC) is a computer equipped with a processor, a memory device, an input device, a display device, etc., and controls each part of the plasma processing device 1. Specifically, the control unit MC executes the control program stored in the storage device and controls each part of the plasma processing device 1 based on the recipe data stored in the memory device. Through control by the control unit MC, the plasma processing apparatus 1 executes the process specified by the recipe data.

이하, 지지대(14), 및 지지대(14)에 관련되는 플라즈마 처리 장치(1)의 구성요소에 대하여 상세하게 설명한다. 이하, 도 1과 함께, 도 2를 참조한다. 도 2는 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 지지대의 확대 단면도이다. 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 지지대(14)는 하부 전극(50) 및 정전 척(52)을 갖는다. 일 실시형태에 있어서, 지지대(14)는 도전 부재(54)를 더 갖는다.Hereinafter, the support stand 14 and the components of the plasma processing apparatus 1 related to the support stand 14 will be described in detail. Hereinafter, reference is made to FIG. 2 along with FIG. 1 . FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the support of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1. 1 and 2, the support 14 has a lower electrode 50 and an electrostatic chuck 52. In one embodiment, support 14 further has a conductive member 54.

하부 전극(50)은 대략 원반 형상을 갖고 있고, 알루미늄과 같은 도체로 형성되어 있다. 하부 전극(50)의 내부에는, 유로(50f)가 형성되어 있다. 유로(50f)에는, 챔버(10)의 외부에 마련된 칠러 유닛(chiller unit)으로부터 열교환 매체(예를 들면, 냉매)가 공급된다. 유로(50f)에 공급된 열교환 매체는 칠러 유닛으로 복귀된다. 이 하부 전극(50)은 도전 부재(54) 상에 마련되어 있다.The lower electrode 50 has a substantially disk shape and is made of a conductor such as aluminum. Inside the lower electrode 50, a flow path 50f is formed. A heat exchange medium (eg, refrigerant) is supplied to the flow path 50f from a chiller unit provided outside the chamber 10. The heat exchange medium supplied to the flow path 50f is returned to the chiller unit. This lower electrode 50 is provided on the conductive member 54.

도전 부재(54)는 도체, 예를 들어 알루미늄으로 형성되어 있다. 도전 부재(54)는 하부 전극(50)에 전기적으로 접속되어 있다. 도전 부재(54)는 대략 환상판 형상을 갖고 있고, 중공 형상으로 형성되어 있다. 도전 부재(54), 하부 전극(50) 및 정전 척(52)은 공통의 중심 축선(이하, 「축선(AX)」이라고 함)을 공유하고 있다. 축선(AX)은 챔버(10)의 중심 축선이기도 하다.The conductive member 54 is made of a conductor, for example, aluminum. The conductive member 54 is electrically connected to the lower electrode 50. The conductive member 54 has a substantially annular plate shape and is formed in a hollow shape. The conductive member 54, the lower electrode 50, and the electrostatic chuck 52 share a common central axis (hereinafter referred to as “axis AX”). Axis AX is also the central axis of chamber 10.

도 1에 도시하는 바와 같이, 일 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치(1)는 제 1 고주파 전원(61) 및 제 2 고주파 전원(62)을 더 구비하고 있다. 제 1 고주파 전원(61) 및 제 2 고주파 전원(62)은 챔버(10)의 외측에 마련되어 있다. 제 1 고주파 전원(61) 및 제 2 고주파 전원(62)은 급전체(65)를 거쳐서 하부 전극(50)에 전기적으로 접속되어 있다. 급전체(65)는 원주 형상 또는 원통 형상을 갖는다. 급전체(65)는 하부 전극(50)의 하측에서 하방으로 연장되어 있다. 일 실시형태에서는, 급전체(65)의 일단은 도전 부재(54)에 결합되어 있고, 도전 부재(54)를 거쳐서 하부 전극(50)에 전기적으로 접속되어 있다.As shown in FIG. 1, in one embodiment, the plasma processing apparatus 1 further includes a first high-frequency power source 61 and a second high-frequency power source 62. The first high-frequency power source 61 and the second high-frequency power source 62 are provided outside the chamber 10. The first high-frequency power source 61 and the second high-frequency power source 62 are electrically connected to the lower electrode 50 via the power supply 65. The feeder 65 has a cylindrical or cylindrical shape. The feeder 65 extends downward from the lower side of the lower electrode 50. In one embodiment, one end of the power supply 65 is coupled to the conductive member 54 and is electrically connected to the lower electrode 50 via the conductive member 54.

제 1 고주파 전원(61)은 주로 플라즈마의 생성에 기여하는 제 1 고주파를 발생한다. 제 1 고주파의 주파수는, 예를 들어 40.68 MHz 또는 100 MHz이다. 제 1 고주파 전원(61)은 정합기(63) 및 급전체(65)를 거쳐서 하부 전극(50)에 전기적으로 접속되어 있다. 정합기(63)는 제 1 고주파 전원(61)의 출력 임피던스와 부하측의 임피던스를 정합시키도록 구성된 회로를 갖고 있다. 또한, 제 1 고주파 전원(61)은 정합기(63)를 거쳐서, 상부 전극(30)에 접속되어 있어도 좋다.The first high-frequency power source 61 mainly generates first high-frequency waves that contribute to the generation of plasma. The frequency of the first high frequency is, for example, 40.68 MHz or 100 MHz. The first high-frequency power source 61 is electrically connected to the lower electrode 50 via a matching device 63 and a power supply 65. The matcher 63 has a circuit configured to match the output impedance of the first high-frequency power source 61 and the impedance of the load side. Additionally, the first high-frequency power source 61 may be connected to the upper electrode 30 via the matching device 63.

제 2 고주파 전원(62)은 주로 기판(W)에 대한 이온의 인입에 기여하는 제 2 고주파를 출력한다. 제 2 고주파의 주파수는 제 1 고주파의 주파수보다 낮고, 예를 들어 13.56 MHz이다. 제 2 고주파 전원(62)은 정합기(64) 및 급전체(65)를 거쳐서 하부 전극(50)에 전기적으로 접속되어 있다. 정합기(64)는 제 2 고주파 전원(62)의 출력 임피던스와 부하측의 임피던스를 정합시키도록 구성된 회로를 갖고 있다.The second high frequency power supply 62 mainly outputs a second high frequency that contributes to the introduction of ions into the substrate W. The frequency of the second high frequency is lower than the frequency of the first high frequency, for example, 13.56 MHz. The second high-frequency power source 62 is electrically connected to the lower electrode 50 via a matching device 64 and a power supply 65. The matcher 64 has a circuit configured to match the output impedance of the second high-frequency power source 62 and the impedance on the load side.

플라즈마 처리 장치(1)는 도체 파이프(66)를 더 구비하고 있다. 도체 파이프(66)는 알루미늄과 같은 도체로 형성되어 있고, 대략 원통 형상을 갖고 있다. 도체 파이프(66)는 챔버(10)의 외측에서 급전체(65)를 둘러싸도록 연장되어 있다. 도체 파이프(66)는 챔버 본체(12)의 바닥부에 결합되어 있다. 도체 파이프(66)는 챔버 본체(12)에 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 도체 파이프(66)는 접지되어 있다. 또한, 급전체(65) 및 도체 파이프(66)는 그 중심 축선으로서 축선(AX)을 공유하고 있다.The plasma processing device 1 further includes a conductor pipe 66. The conductor pipe 66 is made of a conductor such as aluminum and has a substantially cylindrical shape. The conductor pipe 66 extends from the outside of the chamber 10 to surround the power supply 65. The conductor pipe 66 is coupled to the bottom of the chamber body 12. The conductor pipe 66 is electrically connected to the chamber body 12. Therefore, the conductor pipe 66 is grounded. Additionally, the feeder 65 and the conductor pipe 66 share the axis AX as their central axis.

도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 정전 척(52)은 하부 전극(50) 상에 마련되어 있다. 정전 척(52)은 그 위에 탑재되는 기판(W)을 보지하도록 구성되어 있다. 정전 척(52)은 대략 원반 형상을 갖고 있고, 세라믹스와 같은 절연체로 형성된 층을 갖고 있다. 정전 척(52)은 절연체로 형성된 층의 내층으로서, 전극(52a)을 더 갖고 있다. 전극(52a)에는, 스위치(SW)를 거쳐서 전원(DCS)이 접속되어 있다(도 1 참조). 전원(DCS)으로부터의 전압(예를 들면, 직류 전압)이 전극(52a)에 인가되면, 정전 척(52)과 기판(W) 사이에 정전 인력이 발생한다. 발생한 정전 인력에 의해, 기판(W)은 정전 척(52)에 끌어당겨져서, 정전 척(52)에 의해서 보지된다.As shown in FIGS. 1 and 2 , the electrostatic chuck 52 is provided on the lower electrode 50 . The electrostatic chuck 52 is configured to hold the substrate W mounted thereon. The electrostatic chuck 52 has a substantially disk shape and has a layer formed of an insulator such as ceramics. The electrostatic chuck 52 is an inner layer made of an insulator and further has an electrode 52a. A power source (DCS) is connected to the electrode 52a via a switch SW (see Fig. 1). When a voltage (for example, direct current voltage) from the power source DCS is applied to the electrode 52a, electrostatic attraction occurs between the electrostatic chuck 52 and the substrate W. Due to the generated electrostatic attraction, the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 52 and is held by the electrostatic chuck 52 .

도 2에 도시하는 바와 같이, 정전 척(52)은 중앙부(52c) 및 주연부(52p)를 포함하고 있다. 중앙부(52c)는 축선(AX)에 교차하는 부분이다. 중앙부(52c)의 상면 상에는, 기판(W)이 탑재된다. 주연부(52p)는 중앙부(52c)의 외측에서 둘레 방향으로 연장되어 있다. 일 실시형태에서는, 주연부(52p)의 두께는 중앙부(52c)의 두께보다 얇게 되어 있고, 주연부(52p)의 상면은 중앙부(52c)의 상면보다 낮은 위치에서 연장되어 있다. 주연부(52p) 및 부재(17) 상에는, 기판(W)의 에지를 둘러싸도록 포커스 링(FR)이 배치된다.As shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 52 includes a central portion 52c and a peripheral portion 52p. The central portion 52c is a portion that intersects the axis line AX. A substrate W is mounted on the upper surface of the central portion 52c. The peripheral portion 52p extends in the circumferential direction from the outside of the central portion 52c. In one embodiment, the thickness of the peripheral portion 52p is thinner than the thickness of the central portion 52c, and the upper surface of the peripheral portion 52p extends at a lower position than the upper surface of the central portion 52c. A focus ring FR is disposed on the peripheral portion 52p and the member 17 to surround the edge of the substrate W.

정전 척(52) 내에는, 복수의 히터(HT)가 마련되어 있다. 복수의 히터(HT) 각각은 저항 발열체로 구성될 수 있다. 일례에서는, 정전 척(52)은 축선(AX)에 대해서 동심의 복수의 영역을 갖고 있다. 정전 척(52)의 해당 복수의 영역 각각 내에는, 하나 이상의 히터(HT)가 마련되어 있다. 지지대(14) 상에 탑재되는 기판(W)의 온도는 복수의 히터(HT), 및/또는 유로(50f)에 공급되는 열교환 매체에 의해서 조정된다. 또한, 지지대(14)에는, 기판(W)과 정전 척(52) 사이에 He 가스와 같은 전열 가스를 공급하는 가스 라인이 마련되어 있어도 좋다.Within the electrostatic chuck 52, a plurality of heaters HT are provided. Each of the plurality of heaters (HT) may be composed of a resistance heating element. In one example, the electrostatic chuck 52 has a plurality of regions concentric with the axis AX. In each of the plurality of regions of the electrostatic chuck 52, one or more heaters HT are provided. The temperature of the substrate W mounted on the support 14 is adjusted by a plurality of heaters HT and/or a heat exchange medium supplied to the flow path 50f. Additionally, the support stand 14 may be provided with a gas line that supplies a heat transfer gas such as He gas between the substrate W and the electrostatic chuck 52.

일 실시형태에 있어서, 주연부(52p)의 하면에는, 복수의 단자(52t)가 마련되어 있다. 복수의 단자(52t) 각각은 복수의 히터(HT) 중 대응하는 히터에 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 단자(52t) 각각과 대응하는 히터는 정전 척(52) 내의 내부 배선을 거쳐서 접속되어 있다.In one embodiment, a plurality of terminals 52t are provided on the lower surface of the peripheral portion 52p. Each of the plurality of terminals 52t is electrically connected to a corresponding heater among the plurality of heaters HT. Each of the plurality of terminals 52t and the corresponding heater are connected via internal wiring within the electrostatic chuck 52.

복수의 히터(HT)를 구동하기 위한 전력은 히터 컨트롤러(HC)(도 1 참조)로부터 공급된다. 히터 컨트롤러(HC)는 히터 전원을 포함하고 있으며, 복수의 히터(HT)에 개별적으로 전력(교류 출력)을 공급하도록 구성되어 있다. 히터 컨트롤러(HC)로부터의 전력을 복수의 히터(HT)에 공급하기 위해서, 플라즈마 처리 장치(1)는 복수의 급전 라인(70)을 구비한다. 복수의 급전 라인(70)은 각각 히터 컨트롤러(HC)로부터의 전력을 복수의 히터(HT)에 공급한다. 플라즈마 처리 장치(1)는 필터 장치(FD)를 더 구비하고 있다. 필터 장치(FD)는 복수의 급전 라인(70)을 거쳐서 히터 컨트롤러(HC)에 고주파가 유입되는 것을 방지하도록 구성되어 있다. 필터 장치(FD)는 복수의 필터(FT)를 갖고 있다.Power for driving the plurality of heaters (HT) is supplied from the heater controller (HC) (see FIG. 1). The heater controller (HC) includes a heater power source and is configured to individually supply power (AC output) to a plurality of heaters (HT). In order to supply power from the heater controller HC to the plurality of heaters HT, the plasma processing apparatus 1 is provided with a plurality of power supply lines 70. The plurality of power supply lines 70 each supply power from the heater controller HC to the plurality of heaters HT. The plasma processing device 1 further includes a filter device FD. The filter device (FD) is configured to prevent high frequencies from flowing into the heater controller (HC) via the plurality of power supply lines (70). The filter device FD has a plurality of filters FT.

도 3은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 복수의 필터의 회로 구성을, 복수의 히터 및 히터 컨트롤러와 함께 도시하는 도면이다. 이하, 도 1 및 도 2와 함께, 도 3을 참조한다. 복수의 히터(HT)는 상술한 바와 같이 복수의 급전 라인(70)을 거쳐서 히터 컨트롤러(HC)에 접속되어 있다. 복수의 급전 라인(70)은 복수의 급전 라인 쌍을 포함하고 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 급전 라인 쌍은 급전 라인(70a) 및 급전 라인(70b)을 포함하고 있다. 복수의 히터(HT) 각각과 히터 컨트롤러(HC)는 하나의 급전 라인 쌍, 즉 급전 라인(70a) 및 급전 라인(70b)을 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다.FIG. 3 is a diagram showing the circuit configuration of a plurality of filters of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1 together with a plurality of heaters and a heater controller. Hereinafter, reference will be made to FIG. 3 along with FIGS. 1 and 2. The plurality of heaters HT are connected to the heater controller HC via the plurality of power supply lines 70 as described above. The plurality of feed lines 70 includes a plurality of feed line pairs. As shown in FIG. 3, each feed line pair includes a feed line 70a and a feed line 70b. Each of the plurality of heaters (HT) and the heater controller (HC) are electrically connected via one power supply line pair, that is, the power supply line (70a) and the power supply line (70b).

필터 장치(FD)는 챔버(10)의 외측에 마련되어 있다. 필터 장치(FD)는 복수의 필터(FT)를 갖고 있다. 또한, 필터 장치(FD)는 복수의 코일(80) 및 복수의 콘덴서(82)를 갖고 있다. 복수의 코일(80) 중 하나의 코일과 복수의 콘덴서(82) 중 대응하는 하나의 콘덴서는 하나의 필터(FT)를 구성하고 있다. 복수의 코일(80) 각각은 복수의 급전 라인(70) 중 대응하는 급전 라인의 일부를 구성하고 있다.The filter device FD is provided outside the chamber 10. The filter device FD has a plurality of filters FT. Additionally, the filter device FD has a plurality of coils 80 and a plurality of condensers 82. One of the plurality of coils 80 and the corresponding one of the plurality of condensers 82 constitute one filter FT. Each of the plurality of coils 80 forms a part of a corresponding power supply line among the plurality of power supply lines 70.

복수의 코일(80)은 하우징(84) 내에 수용되어 있다. 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 하우징(84)은 원통 형상을 갖는 용기이며, 도체로 형성되어 있다. 하우징(84)은 접지되어 있다. 하우징(84)의 상단은 챔버 본체(12)의 바닥부에 고정되어 있다. 따라서, 필터 장치(FD)는 챔버(10)의 바로 아래에 마련되어 있다. 일 실시형태에서는, 하우징(84)은 본체(84a) 및 바닥 덮개(84b)를 포함하고 있다. 본체(84a)는 원통 형상을 갖고 있다. 바닥 덮개(84b)는 본체(84a)의 하단에 장착되고 있고, 본체(84a)의 하단의 개구를 폐쇄하고 있다.A plurality of coils 80 are accommodated within a housing 84. As shown in FIGS. 1 and 2, the housing 84 is a container having a cylindrical shape and is formed of a conductor. Housing 84 is grounded. The top of the housing 84 is fixed to the bottom of the chamber body 12. Accordingly, the filter device FD is provided immediately below the chamber 10. In one embodiment, housing 84 includes a body 84a and a bottom cover 84b. The main body 84a has a cylindrical shape. The bottom cover 84b is attached to the lower end of the main body 84a and closes the opening at the lower end of the main body 84a.

복수의 콘덴서(82)는 하우징(84) 내에 있어서 복수의 코일(80)의 하방에 수용되어 있다. 복수의 콘덴서(82) 각각의 일단은 대응하는 코일(80)의 히터(HT)측의 일단과는 반대측의 타단에 접속되어 있다. 복수의 콘덴서(82) 각각의 타단은 접지에 접속되어 있다. 즉, 복수의 콘덴서(82) 각각은 대응하는 코일(80)과 접지 사이에 접속되어 있다.A plurality of condensers 82 are accommodated below the plurality of coils 80 in the housing 84. One end of each of the plurality of condensers 82 is connected to the other end of the corresponding coil 80 opposite to the one end on the heater HT side. The other end of each of the plurality of condensers 82 is connected to ground. That is, each of the plurality of condensers 82 is connected between the corresponding coil 80 and ground.

복수의 필터(FT) 각각의 코일(80)과 하우징(84)은 분포 정수 선로를 구성하고 있다. 즉, 복수의 필터(FT) 각각은 복수의 공진 주파수를 포함하는 임피던스의 주파수 특성을 갖고 있다.The coils 80 and housings 84 of each of the plurality of filters FT constitute a distributed constant line. That is, each of the plurality of filters FT has impedance frequency characteristics including a plurality of resonance frequencies.

이하, 복수의 코일(80)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 4는 일 실시형태에 따른 필터 장치의 복수의 코일의 사시도이다. 도 5는 도 4에 도시하는 복수의 코일을 파단하여 도시하는 사시도이다. 도 6은 도 4에 도시하는 복수의 코일의 일부를 확대하여 도시하는 단면도이다. 복수의 코일(80) 각각은 공심 코일일 수 있다. 복수의 코일(80) 각각은 도체와 해당 도체를 덮는 피막으로 구성되어 있다. 피막은 절연 재료로 형성되어 있다. 피막은 PEEK(폴리에테르에테르 케톤) 또는 폴리아미드이미드와 같은 수지로 형성될 수 있다. 일 실시형태에서는, 복수의 코일(80) 각각의 피막은 0.1mm 이하의 두께를 가질 수 있다.Hereinafter, the plurality of coils 80 will be described in detail. 4 is a perspective view of a plurality of coils of a filter device according to one embodiment. FIG. 5 is a perspective view showing the plurality of coils shown in FIG. 4 broken away. FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing a portion of a plurality of coils shown in FIG. 4. Each of the plurality of coils 80 may be an air core coil. Each of the plurality of coils 80 is composed of a conductor and a film covering the conductor. The film is formed of an insulating material. The coating may be formed of a resin such as PEEK (polyetherether ketone) or polyamideimide. In one embodiment, the coating of each of the plurality of coils 80 may have a thickness of 0.1 mm or less.

복수의 코일(80) 각각은 인출선(80a), 인출선(80b) 및 권선부(80w)를 갖고 있다. 권선부(80w)는 중심 축선(AXC)의 주위에서 나선 형상으로 연장되어 있고, 복수의 턴을 갖고 있다. 중심 축선(AXC)은 연직 방향으로 연장되어 있다. 인출선(80a) 및 인출선(80b)은 중심 축선(AXC)이 연장되는 축선 방향(Z)을 따라 연장되어 있다. 인출선(80a)은 권선부(80w)의 일단에 연속하여 있고, 인출선(80b)은 권선부(80w)의 타단에 연속하여 있다. 권선부(80w)의 타단은 대응하는 콘덴서(82)측의 권선부(80w)의 단부이다.Each of the plurality of coils 80 has a lead wire 80a, a lead wire 80b, and a winding portion 80w. The winding portion 80w extends in a spiral shape around the central axis AXC and has a plurality of turns. The central axis (AXC) extends vertically. The leader lines 80a and 80b extend along the axis direction Z along which the central axis AXC extends. The leader line 80a is continuous at one end of the winding section 80w, and the leader line 80b is continuous at the other end of the winding section 80w. The other end of the winding section 80w is the end of the winding section 80w on the corresponding condenser 82 side.

복수의 코일(80)의 집합체는 코일 어셈블리(CA)를 구성하고 있다. 코일 어셈블리(CA)는 복수의 코일군(CG)을 포함하고 있다. 즉, 복수의 코일(80)은 복수의 코일군(CG)을 구성하고 있다. 복수의 코일군(CG)의 개수는 2개 이상의 임의의 개수일 수 있다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 복수의 코일군(CG)은 코일군(CG1), 코일군(CG2), 코일군(CG3), 코일군(CG4) 및 코일군(CG5)을 포함하고 있다. 복수의 코일군(CG) 각각은 2개 이상의 코일(80)을 포함하고 있다. 복수의 코일군(CG) 각각에 포함되는 코일(80)의 개수는 2개 이상의 임의의 개수일 수 있다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG1)은 8개의 코일(80)을 포함하고 있고, 코일군(CG2)은 9개의 코일(80)을 포함하고 있고, 코일군(CG3)은 9개의 코일(80)을 포함하고 있고, 코일군(CG4)은 10개의 코일(80)을 포함하고 있으며, 코일군(CG5)은 11개의 코일(80)을 포함하고 있다.A collection of the plurality of coils 80 constitutes a coil assembly (CA). The coil assembly (CA) includes a plurality of coil groups (CG). That is, the plurality of coils 80 constitute a plurality of coil groups CG. The number of coil groups (CG) may be any number of two or more. In the examples shown in FIGS. 4 to 6, the plurality of coil groups (CG) include a coil group (CG1), a coil group (CG2), a coil group (CG3), a coil group (CG4), and a coil group (CG5). I'm doing it. Each of the plurality of coil groups (CG) includes two or more coils (80). The number of coils 80 included in each of the plurality of coil groups CG may be any number of two or more. In the examples shown in FIGS. 4 to 6, the coil group CG1 includes 8 coils 80, the coil group CG2 includes 9 coils 80, and the coil group CG3 includes 9 coils 80, the coil group CG4 includes 10 coils 80, and the coil group CG5 includes 11 coils 80.

복수의 코일군(CG) 각각의 2개 이상의 코일(80)은 각각의 권선부(80w)가 중심 축선(AXC)의 주위에서 나선 형상으로 연장되고, 또한 축선 방향(Z)을 따라 순서대로 또한 반복해서 배열되도록, 마련되어 있다. 즉, 복수의 코일군(CG) 각각의 2개 이상의 코일(80)의 권선부(80w)는 축선 방향(Z)을 따라 다층 형상으로 늘어서고, 중심 축선(AXC)의 주위에 나선 형상으로 마련되어 있다. 일 실시형태에 있어서, 복수의 코일군(CG) 각각에서는, 축선 방향(Z)에 있어서 서로 이웃하는 턴의 도체 사이의 간극의 축선 방향(Z)에 있어서의 거리는 0.2mm 이하일 수 있다.In each of the two or more coils 80 of the plurality of coil groups CG, each winding portion 80w extends in a spiral shape around the central axis AXC and is sequentially connected along the axis direction Z. It is arranged to be arranged repeatedly. That is, the winding portions 80w of two or more coils 80 in each of the plurality of coil groups CG are arranged in a multi-layer shape along the axis direction Z and are provided in a spiral shape around the central axis AXC. there is. In one embodiment, in each of the plurality of coil groups CG, the distance in the axial direction Z of the gap between conductors of adjacent turns in the axial direction Z may be 0.2 mm or less.

복수의 코일군(CG) 각각의 2개 이상의 코일(80)의 권선부(80w)는 중심 축선(AXC)을 공유하고 있으며, 동일한 내경 및 서로 동일한 외경을 갖고 있다. 복수의 코일(80)의 권선부(80w)의 단면 형상은, 예를 들어 평각형(平角形) 형상이다.The winding portions 80w of two or more coils 80 in each of the plurality of coil groups CG share the central axis AXC and have the same inner diameter and the same outer diameter. The cross-sectional shape of the winding portion 80w of the plurality of coils 80 is, for example, a rectangular shape.

복수의 코일군(CG)은 중심 축선(AXC)을 공유하도록 동축으로 마련되어 있다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG1 내지 CG5)은 동축으로 마련되어 있다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG1)은 코일군(CG2)의 내측에 마련되어 있고, 코일군(CG2)은 코일군(CG3)의 내측에 마련되어 있고, 코일군(CG3)은 코일군(CG4)의 내측에 마련되어 있으며, 코일군(CG4)은 코일군(CG5)의 내측에 마련되어 있다.A plurality of coil groups (CG) are coaxially arranged to share a central axis (AXC). In the examples shown in FIGS. 4 to 6, the coil groups CG1 to CG5 are arranged coaxially. 4 to 6, the coil group CG1 is provided inside the coil group CG2, the coil group CG2 is provided inside the coil group CG3, and the coil group CG3 is provided inside the coil group CG4, and the coil group CG4 is provided inside the coil group CG5.

중심 축선(AXC)에 대해서 방사 방향에 있어서 서로 이웃하는 2개의 코일군 중 한쪽의 코일군의 권선부(80w)의 외경은 다른쪽의 코일군의 권선부(80w)의 내경보다 작다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG1)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 외경은 코일군(CG2)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 내경보다 작다. 코일군(CG2)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 외경은 코일군(CG3)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 내경보다 작다. 코일군(CG3)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 외경은 코일군(CG4)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 내경보다 작다. 코일군(CG4)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 외경은 코일군(CG5)에 포함되는 2개 이상의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 내경보다 작다.Of the two coil groups adjacent to each other in the radial direction with respect to the central axis AXC, the outer diameter of the winding portion 80w of one coil group is smaller than the inner diameter of the winding portion 80w of the other coil group. 4 to 6, the outer diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG1 is the same as that of the two or more coils 80 included in the coil group CG2. ) is smaller than the inner diameter of each winding section (80w). The outer diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG2 is larger than the inner diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG3. small. The outer diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG3 is larger than the inner diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG4. small. The outer diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG4 is larger than the inner diameter of the winding portion 80w of each of the two or more coils 80 included in the coil group CG5. small.

복수의 코일군(CG) 중 임의의 하나의 코일군의 2개 이상의 코일(80) 각각의 턴간의 피치는 복수의 코일군(CG) 중 해당 하나의 코일군보다 내측에 마련된 코일군의 2개 이상의 코일(80) 각각의 턴간의 피치보다 크다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG5)의 코일(80)의 턴간의 피치는 코일군(CG4)의 코일(80)의 턴간의 피치보다 크다. 코일군(CG4)의 코일(80)의 턴간의 피치는 코일군(CG3)의 코일(80)의 턴간의 피치보다 크다. 코일군(CG3)의 코일(80)의 턴간의 피치는 코일군(CG2)의 코일(80)의 턴간의 피치보다 크다. 코일군(CG2)의 코일(80)의 턴간의 피치는 코일군(CG1)의 코일(80)의 턴간의 피치보다 크다. 일 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80)의 턴간의 피치는 해당 복수의 코일(80)의 인덕턴스가 서로 대략 동일하게 되도록 설정되어 있다.The pitch between each turn of two or more coils 80 of any one coil group among a plurality of coil groups (CG) is equal to the pitch of two coil groups provided inside the one coil group among the plurality of coil groups (CG). It is larger than the pitch between each turn of the above coils 80. In the examples shown in FIGS. 4 to 6, the pitch between turns of the coils 80 of the coil group CG5 is larger than the pitch between the turns of the coils 80 of the coil group CG4. The pitch between turns of the coils 80 of the coil group CG4 is greater than the pitch between the turns of the coils 80 of the coil group CG3. The pitch between turns of the coils 80 of the coil group CG3 is greater than the pitch between the turns of the coils 80 of the coil group CG2. The pitch between turns of the coils 80 of the coil group CG2 is greater than the pitch between the turns of the coils 80 of the coil group CG1. In one embodiment, the pitch between turns of the plurality of coils 80 is set so that the inductances of the plurality of coils 80 are approximately equal to each other.

단순하게 복수의 코일이 병렬화되어 있는 경우에는, 복수의 필터의 임피던스는 저하하지만, 필터 장치(FD)에서는, 복수의 코일(80) 사이의 결합에 의해, 임피던스의 저하가 억제된다. 게다가, 외측의 코일군의 2개 이상의 코일 각각의 턴간의 피치는 그보다 내측에 배치된 코일군의 2개 이상의 코일 각각의 턴간의 피치보다 크기 때문에, 복수의 코일(80)의 인덕턴스의 차이가 저감된다. 그러므로, 복수의 필터(FT)의 임피던스의 주파수 특성의 차이가 저감된다.When a plurality of coils are simply paralleled, the impedance of the plurality of filters decreases, but in the filter device FD, the decrease in impedance is suppressed by the coupling between the plurality of coils 80. Moreover, since the pitch between each turn of two or more coils of the outer coil group is greater than the pitch between each turn of two or more coils of the coil group disposed inside, the difference in inductance of the plurality of coils 80 is reduced. do. Therefore, the difference in the frequency characteristics of the impedances of the plurality of filters FT is reduced.

일 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80)은 대략 동일한 코일 길이를 갖는다. 코일 길이는 복수의 코일(80) 각각의 권선부(80w)의 일단과 타단 사이의 축선 방향(Z)에 있어서의 길이이다. 일 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80) 중 최대의 코일 길이를 갖는 코일과 최소의 코일 길이를 갖는 코일 사이의 코일 길이의 차이는 해당 최소의 코일 길이의 3% 이하이다. 이러한 실시형태에 의하면, 복수의 필터(FT)의 임피던스의 주파수 특성의 차이가 더욱 저감된다.In one embodiment, the plurality of coils 80 have approximately the same coil length. The coil length is the length in the axis direction Z between one end and the other end of the winding portion 80w of each of the plurality of coils 80. In one embodiment, the difference in coil length between the coil having the largest coil length and the coil having the minimum coil length among the plurality of coils 80 is 3% or less of the minimum coil length. According to this embodiment, the difference in the frequency characteristics of the impedances of the plurality of filters FT is further reduced.

일 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80)의 권선부(80w)의 일단(콘덴서(82)측의 단부와는 반대측의 단부)은 중심 축선(AXC)에 직교하는 면을 따라 마련되어 있다. 일 실시형태에 있어서, 복수의 코일군(CG) 각각의 2개 이상의 코일(80)의 인출선(80a)은 중심 축선(AXC)에 대해서 둘레 방향으로 등간격으로 마련되어 있다. 이 실시형태에 의하면, 복수의 필터(FT)의 임피던스의 주파수 특성의 차이가 더욱 저감된다.In one embodiment, one end (an end opposite to the end on the condenser 82 side) of the winding portion 80w of the plurality of coils 80 is provided along a plane perpendicular to the central axis AXC. In one embodiment, the leader lines 80a of two or more coils 80 in each of the plurality of coil groups CG are provided at equal intervals in the circumferential direction with respect to the central axis AXC. According to this embodiment, the difference in the frequency characteristics of the impedances of the plurality of filters FT is further reduced.

일 실시형태에 있어서, 복수의 코일군(CG) 중 직경 방향, 즉 중심 축선(AXC)에 대해서 방사 방향에 있어서 서로 이웃하는 임의의 2개의 코일군 사이의 간극의 해당 직경 방향에 있어서의 거리는 1.5mm 이하이다. 이 실시형태에서는, 복수의 필터(FT)의 임피던스의 주파수 특성의 차이가 더욱 저감된다.In one embodiment, the distance in the radial direction of the gap between any two coil groups adjacent to each other in the radial direction, that is, in the radial direction with respect to the central axis AXC, among the plurality of coil groups CG is 1.5. It is less than mm. In this embodiment, the difference in the frequency characteristics of the impedances of the plurality of filters FT is further reduced.

일 실시형태에 있어서, 복수의 코일군(CG) 중 가장 외측에 마련된 코일군의 2개 이상의 코일(80)의 내경은 복수의 코일군(CG) 중 가장 내측에 마련된 코일군의 2개 이상의 코일의 내경의 1.83배 이하이다. 도 4 내지 도 6에 도시하는 예에서는, 코일군(CG5)의 2개 이상의 코일(80) 각각의 내경은 코일군(CG1)의 2개 이상의 코일(80) 각각의 내경의 1.83배 이하이다. 이 실시형태에 의하면, 복수의 필터(FT)의 임피던스의 주파수 특성의 차이가 더욱 저감된다.In one embodiment, the inner diameter of the two or more coils 80 in the outermost coil group among the plurality of coil groups CG is greater than or equal to the inner diameter of the two or more coils 80 in the innermost coil group among the plurality of coil groups CG. It is less than 1.83 times the inner diameter of. 4 to 6, the inner diameter of each of the two or more coils 80 of the coil group CG5 is 1.83 times or less than the inner diameter of each of the two or more coils 80 of the coil group CG1. According to this embodiment, the difference in the frequency characteristics of the impedances of the plurality of filters FT is further reduced.

이러한 복수의 코일(80)을 갖는 필터 장치(FD)는 챔버(10)의 외측에 마련되어 있다. 복수의 코일군(CG)은 챔버(10)의 바로 아래에서 도체 파이프(66)를 둘러싸도록 중심 축선(AXC)에 대해서 동축으로 마련되어 있다. 또한, 챔버(10)의 바로 아래에 복수의 코일군(CG)이 배치된 상태에서는, 중심 축선(AXC)은 축선(AX)에 일치한다.A filter device FD having such a plurality of coils 80 is provided outside the chamber 10. A plurality of coil groups CG are provided coaxially with respect to the central axis AXC so as to surround the conductor pipe 66 immediately below the chamber 10. Additionally, in a state where a plurality of coil groups CG are arranged immediately below the chamber 10, the central axis AXC coincides with the axis AX.

도 3에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 처리 장치(1)는 복수의 배선(72)을 더 구비하고 있다. 복수의 배선(72)은 각각 복수의 급전 라인(70)을 부분적으로 구성하고 있다. 복수의 배선(72)은 챔버(10)의 외측에 마련된 복수의 코일(80)을 정전 척(52)의 복수의 단자(52t)에 전기적으로 접속한다. 이하, 도 1 및 도 2에 부가하여, 도 7 내지 도 10을 참조하여, 배선(72)에 대하여 설명한다. 도 7은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서 필터 장치의 복수의 코일을 정전 척의 복수의 단자에 전기적으로 접속하는 복수의 배선을 제공하는 복수의 부재를 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 8은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 정전 척의 하면의 평면도이다. 도 9는 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치의 하부 전극의 하면의 평면도이다. 도 10은 도 1에 도시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서 필터 장치의 복수의 코일을 정전 척의 복수의 단자에 전기적으로 접속하는 복수의 배선을 제공하는 복수의 부재를 도시하는 평면도이다.As shown in FIG. 3, the plasma processing apparatus 1 further includes a plurality of wirings 72. The plurality of wirings 72 each partially constitute the plurality of power supply lines 70. The plurality of wirings 72 electrically connect the plurality of coils 80 provided outside the chamber 10 to the plurality of terminals 52t of the electrostatic chuck 52. Hereinafter, the wiring 72 will be described with reference to FIGS. 7 to 10 in addition to FIGS. 1 and 2. FIG. 7 is a diagram schematically showing a plurality of members providing a plurality of wires for electrically connecting a plurality of coils of the filter device to a plurality of terminals of the electrostatic chuck in the plasma processing device shown in FIG. 1. FIG. 8 is a plan view of the lower surface of the electrostatic chuck of the plasma processing device shown in FIG. 1. FIG. 9 is a plan view of the lower surface of the lower electrode of the plasma processing device shown in FIG. 1. FIG. 10 is a plan view showing a plurality of members providing a plurality of wiring electrically connecting the plurality of coils of the filter device to the plurality of terminals of the electrostatic chuck in the plasma processing device shown in FIG. 1.

도 8에 도시하는 바와 같이, 일 실시형태에 있어서, 복수의 단자(52t)는 정전 척(52)의 주연부(52p)에 마련되어 있다. 복수의 단자(52t)는 주연부(52p)의 하면을 따라 마련되어 있다. 복수의 단자(52t)는 복수의 단자군(52g)을 구성하고 있다. 복수의 단자군(52g) 각각은 몇 개의 단자(52t)를 포함하고 있다. 복수의 단자군(52g)은 주연부(52p)의 전체 둘레에 걸쳐서 균등한 간격으로 배열되어 있다. 일례에서는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 복수의 단자(52t)는 12개의 단자군(52g)을 구성하고 있다. 12개의 단자군(52g) 각각은 4개의 단자(52t)를 포함하고 있다.As shown in FIG. 8, in one embodiment, a plurality of terminals 52t are provided on the peripheral portion 52p of the electrostatic chuck 52. A plurality of terminals 52t are provided along the lower surface of the peripheral portion 52p. The plurality of terminals 52t constitute a plurality of terminal groups 52g. Each of the plurality of terminal groups 52g includes several terminals 52t. A plurality of terminal groups 52g are arranged at equal intervals around the entire circumference of the peripheral portion 52p. In one example, as shown in FIG. 8, the plurality of terminals 52t constitute a 12 terminal group 52g. Each of the 12 terminal groups (52g) includes four terminals (52t).

도 9에 도시하는 바와 같이, 하부 전극(50)은 중앙부(50c) 및 주연부(50p)를 갖고 있다. 정전 척(52)의 중앙부(52c)는 하부 전극(50)의 중앙부(50c) 상에 마련되어 있다. 정전 척(52)의 주연부(52p)는 하부 전극(50)의 주연부(50p) 상에 마련되어 있다. 하부 전극(50)의 주연부(50p)에는, 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 주연부(50p)의 복수의 관통 구멍의 상단은 복수의 단자군(52g)이 형성된 주연부(52p) 내의 복수의 영역에 대면하고 있다. 주연부(50p)의 복수의 관통 구멍 내에는, 복수의 전기 커넥터(73)가 마련되어 있다. 복수의 전기 커넥터(73) 각각은 대응하는 단자군(52g)에 포함되는 단자(52t)의 개수와 동수의 단자를 포함하고 있다. 복수의 전기 커넥터(73)에 의해서 제공되는 복수의 단자는 복수의 단자(52t)에 각각 접속되어 있다.As shown in Fig. 9, the lower electrode 50 has a central portion 50c and a peripheral portion 50p. The central portion 52c of the electrostatic chuck 52 is provided on the central portion 50c of the lower electrode 50. The peripheral portion 52p of the electrostatic chuck 52 is provided on the peripheral portion 50p of the lower electrode 50. A plurality of through holes are formed in the peripheral portion 50p of the lower electrode 50. The upper ends of the plurality of through holes of the peripheral portion 50p face a plurality of areas within the peripheral portion 52p where the plurality of terminal groups 52g are formed. A plurality of electrical connectors 73 are provided within the plurality of through holes of the peripheral portion 50p. Each of the plurality of electrical connectors 73 includes the same number of terminals as the number of terminals 52t included in the corresponding terminal group 52g. A plurality of terminals provided by a plurality of electrical connectors 73 are respectively connected to a plurality of terminals 52t.

도 2에 도시하는 바와 같이, 복수의 전기 커넥터(73)의 바로 아래, 또한 도전 부재(54)의 내부에는, 복수의 전기 커넥터(74)가 마련되어 있다. 복수의 전기 커넥터(74)는 대응하는 전기 커넥터(73)에 결합되어 있다. 복수의 전기 커넥터(74) 각각은 대응하는 전기 커넥터(73)의 단자의 개수의 동수의 단자를 포함하고 있다. 복수의 전기 커넥터(74)에 의해서 제공되는 복수의 단자는 각각 복수의 전기 커넥터(73)에 의해서 제공되는 복수의 단자를 거쳐서, 복수의 단자(52t)에 접속되어 있다.As shown in FIG. 2, a plurality of electrical connectors 74 are provided immediately below the plurality of electrical connectors 73 and inside the conductive member 54. A plurality of electrical connectors 74 are coupled to corresponding electrical connectors 73. Each of the plurality of electrical connectors 74 includes the same number of terminals as the number of terminals of the corresponding electrical connector 73. The plurality of terminals provided by the plurality of electrical connectors 74 are respectively connected to the plurality of terminals 52t via the plurality of terminals provided by the plurality of electrical connectors 73.

도 2 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 복수의 코일(80)의 인출선(80a)은 회로 기판(85)에 접속되어 있다. 회로 기판(85)은 복수의 코일(80)의 상방에 마련되어 있다. 회로 기판(85)은 하우징(84) 내에 마련되어 있다. 회로 기판(85)은 환상판 형상을 갖고, 축선(AX) 중심으로 연장되어 있다. 회로 기판(85)에는, 복수의 배선이 형성되어 있다. 회로 기판(85)의 복수의 배선 각각은 복수의 배선(72) 중 대응하는 배선의 일부를 구성하고 있다.As shown in FIGS. 2 and 7 , lead lines 80a of the plurality of coils 80 are connected to the circuit board 85. The circuit board 85 is provided above the plurality of coils 80. The circuit board 85 is provided within the housing 84. The circuit board 85 has an annular plate shape and extends around the axis AX. A plurality of wiring lines are formed on the circuit board 85. Each of the plurality of wirings on the circuit board 85 forms part of a corresponding wiring among the plurality of wirings 72 .

회로 기판(85)에는, 복수의 제 1 전기 커넥터(86)가 접속되어 있다. 제 1 전기 커넥터(86)는 회로 기판(85)으로부터 상방으로 연장되어 있다. 복수의 제 1 전기 커넥터(86)는 하우징(84)의 내부로부터 챔버 본체(12)의 바닥부의 상측까지 연장되어 있다. 복수의 제 1 전기 커넥터(86)는 축선(AX)의 주위에서 등간격으로 배열되어 있다. 일례에서는, 제 1 전기 커넥터(86)의 개수는 6개이다. 복수의 제 1 전기 커넥터(86) 각각은 몇 개의 단자를 갖고 있다. 복수의 제 1 전기 커넥터(86)에 의해서 제공되는 복수의 단자에는, 회로 기판(85)의 복수의 배선이 접속되어 있다. 즉, 복수의 제 1 전기 커넥터(86)에 의해서 제공되는 복수의 단자 각각은 복수의 배선(72) 중 대응하는 배선의 일부를 구성하고 있다.A plurality of first electrical connectors 86 are connected to the circuit board 85. The first electrical connector 86 extends upward from the circuit board 85. The plurality of first electrical connectors 86 extend from the inside of the housing 84 to the top of the bottom of the chamber body 12. A plurality of first electrical connectors 86 are arranged at equal intervals around the axis AX. In one example, the number of first electrical connectors 86 is six. Each of the plurality of first electrical connectors 86 has several terminals. A plurality of wirings on the circuit board 85 are connected to a plurality of terminals provided by the plurality of first electrical connectors 86. That is, each of the plurality of terminals provided by the plurality of first electrical connectors 86 constitutes a portion of the corresponding wiring among the plurality of wirings 72.

복수의 제 1 전기 커넥터(86)의 바로 위에는, 복수의 제 2 전기 커넥터(87)가 마련되어 있다. 일례에서는, 제 2 전기 커넥터(87)의 개수는 6개이다. 복수의 제 2 전기 커넥터(87) 각각은 대응하는 제 1 전기 커넥터(86)에 결합되어 있다. 복수의 제 2 전기 커넥터(87)에 의해서 제공되는 복수의 단자는 복수의 제 1 전기 커넥터(86)에 의해서 제공되는 복수의 단자에 접속되어 있다. 즉, 복수의 제 2 전기 커넥터(87)에 의해서 제공되는 복수의 단자 각각은 복수의 배선(72) 중 대응하는 배선의 일부를 구성하고 있다.Immediately above the plurality of first electrical connectors 86, a plurality of second electrical connectors 87 are provided. In one example, the number of second electrical connectors 87 is six. Each of the plurality of second electrical connectors 87 is coupled to a corresponding first electrical connector 86. A plurality of terminals provided by the plurality of second electrical connectors 87 are connected to a plurality of terminals provided by the plurality of first electrical connectors 86. That is, each of the plurality of terminals provided by the plurality of second electrical connectors 87 constitutes a portion of the corresponding wiring among the plurality of wirings 72.

복수의 제 2 전기 커넥터(87)는 각각 복수의 회로 기판(88)에 의해서 지지되어 있다. 복수의 회로 기판(88)은 각각 복수의 제 2 전기 커넥터(87)의 상방에 마련되어 있다.The plurality of second electrical connectors 87 are each supported by a plurality of circuit boards 88. A plurality of circuit boards 88 are provided above each of the plurality of second electrical connectors 87.

복수의 제 2 전기 커넥터(87)로부터는, 복수의 가요성 회로 기판(89)이 정전 척(52)의 주연부(52p)의 하측까지 연장되어 있다. 복수의 가요성 회로 기판(89) 각각은, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판이다. 복수의 가요성 회로 기판(89) 각각은 상술한 복수의 전기 커넥터(74) 중 하나 이상의 전기 커넥터(74)를 갖고 있다. 일례에서는, 복수의 가요성 회로 기판(89) 각각은 2개의 전기 커넥터(74)를 갖고 있다. 복수의 가요성 회로 기판(89) 각각은 몇 개의 배선을 제공하고 있다. 복수의 가요성 회로 기판(89)에 의해서 제공되는 복수의 배선은 복수의 제 2 전기 커넥터(87)에 의해서 제공되는 복수의 단자와 복수의 전기 커넥터(74)에 의해서 제공되는 복수의 단자를 접속하고 있다. 즉, 복수의 가요성 회로 기판(89)에 의해서 제공되는 복수의 배선 각각은 복수의 배선(72) 중 대응하는 배선의 일부를 구성하고 있다.A plurality of flexible circuit boards 89 extend from the plurality of second electrical connectors 87 to the lower side of the peripheral portion 52p of the electrostatic chuck 52. Each of the plurality of flexible circuit boards 89 is, for example, a flexible printed board. Each of the plurality of flexible circuit boards 89 has one or more electrical connectors 74 among the plurality of electrical connectors 74 described above. In one example, each of the plurality of flexible circuit boards 89 has two electrical connectors 74. Each of the plurality of flexible circuit boards 89 provides several wiring lines. The plurality of wirings provided by the plurality of flexible circuit boards 89 connect the plurality of terminals provided by the plurality of second electrical connectors 87 and the plurality of terminals provided by the plurality of electrical connectors 74. I'm doing it. That is, each of the plurality of wirings provided by the plurality of flexible circuit boards 89 constitutes a part of the corresponding wiring among the plurality of wirings 72.

상술한 바와 같이, 복수의 배선(72) 각각은, 회로 기판(85), 복수의 제 1 전기 커넥터(86) 중 대응하는 제 1 전기 커넥터, 복수의 제 2 전기 커넥터(87) 중 대응하는 제 2 전기 커넥터(87), 및 복수의 가요성 회로 기판(89) 중 대응하는 가요성 회로 기판 내에서 연장되어 있다. 복수의 배선(72)은 서로 실질적으로 동일한 길이를 갖고 있다.As described above, each of the plurality of wirings 72 is connected to the circuit board 85, a corresponding first electrical connector among the plurality of first electrical connectors 86, and a corresponding first electrical connector among the plurality of second electrical connectors 87. 2 electrical connectors 87, and extend within a corresponding flexible circuit board among the plurality of flexible circuit boards 89. The plurality of wirings 72 have substantially the same length.

도 2로 돌아와서, 플라즈마 처리 장치(1)는 복수의 회로 기판(90)을 더 구비하고 있다. 복수의 회로 기판(90)(다른 회로 기판)은 하우징(84) 내에, 또한 복수의 코일(80)의 하방에 마련되어 있다. 복수의 회로 기판(90)은 축선 방향(Z)을 따라 배열되어 있다. 복수의 콘덴서(82) 각각은 복수의 회로 기판(90) 중 어느 하나 위에 마련되어 있다. 복수의 회로 기판(90)은 그 상면 및 하면 위에 복수의 콘덴서(82)를 탑재하고 있다. 복수의 회로 기판(90) 각각에는, 대응하는 코일(80)과 대응하는 콘덴서(82)를 접속하는 배선 패턴이 형성되어 있다. 복수의 회로 기판(90)을 이용하는 것에 의해, 많은 콘덴서(82)를 하우징(84) 내에서 지지하는 것이 가능하다.Returning to FIG. 2 , the plasma processing apparatus 1 further includes a plurality of circuit boards 90 . A plurality of circuit boards 90 (different circuit boards) are provided within the housing 84 and below the plurality of coils 80. A plurality of circuit boards 90 are arranged along the axis direction Z. Each of the plurality of condensers 82 is provided on one of the plurality of circuit boards 90. The plurality of circuit boards 90 have a plurality of condensers 82 mounted on their upper and lower surfaces. On each of the plurality of circuit boards 90, a wiring pattern is formed to connect the corresponding coil 80 and the corresponding condenser 82. By using a plurality of circuit boards 90, it is possible to support many condensers 82 within the housing 84.

이상 설명한 플라즈마 처리 장치(1)에서는, 각각이 2개 이상의 코일(80)을 포함하는 복수의 코일군(CG)이 중심 축선(AXC)을 공유하도록 동축으로 마련되어 있다. 따라서, 복수의 코일군(CG)을 구성하는 복수의 코일(80)이 점유하는 스페이스는 작다. 그러므로, 복수의 코일(80)을 포함하는 필터 장치(FD)를 챔버(10)의 바로 아래에 배치하는 것이 가능하고, 정전 척(52) 내에 마련된 복수의 히터(HT)와 복수의 코일(80)을 전기적으로 접속하는 복수의 배선(72)의 길이를 짧게 하는 것이 가능하다. 또한, 복수의 코일군(CG)은, 도체 파이프(66)를 둘러싸도록 마련되어 있으므로, 복수의 코일(80) 각각의 단면적은 크다. 따라서, 복수의 코일(80) 각각의 코일 길이가 짧아도 필요한 인덕턴스가 확보된다.In the plasma processing apparatus 1 described above, a plurality of coil groups CG, each of which includes two or more coils 80, are arranged coaxially so as to share the central axis AXC. Accordingly, the space occupied by the plurality of coils 80 constituting the plurality of coil groups CG is small. Therefore, it is possible to arrange the filter device FD including the plurality of coils 80 directly below the chamber 10, and the plurality of heaters HT and the plurality of coils 80 provided in the electrostatic chuck 52. ) It is possible to shorten the length of the plurality of wirings 72 that electrically connect. Additionally, since the plurality of coil groups CG are provided to surround the conductor pipe 66, the cross-sectional area of each of the plurality of coils 80 is large. Accordingly, the necessary inductance is secured even if the coil length of each of the plurality of coils 80 is short.

일 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 복수의 배선(72) 각각은, 회로 기판(85), 복수의 제 1 전기 커넥터(86) 중 대응하는 제 1 전기 커넥터, 복수의 제 2 전기 커넥터(87) 중 대응하는 제 2 전기 커넥터(87), 및 복수의 가요성 회로 기판(89) 중 대응하는 가요성 회로 기판 내에서 연장되어 있다. 이 실시형태에서는, 복수의 배선(72)을, 그 길이가 실질적으로 동일하게 되도록, 회로 기판(85) 및 복수의 가요성 회로 기판(89) 내에서 연장시키는 것이 가능하다. 즉, 회로 기판(85) 및 복수의 가요성 회로 기판(89) 내에서의 배선 패턴의 레이아웃에 의해, 복수의 배선(72)의 길이를 실질적으로 동일한 길이로 설정하는 것이 가능하다.In one embodiment, as described above, each of the plurality of wirings 72 includes a circuit board 85, a corresponding first electrical connector among the plurality of first electrical connectors 86, and a plurality of second electrical connectors 87. ), a corresponding second electrical connector 87 among them, and a corresponding flexible circuit board among the plurality of flexible circuit boards 89. In this embodiment, it is possible to extend the plurality of wirings 72 within the circuit board 85 and the plurality of flexible circuit boards 89 so that their lengths are substantially the same. That is, it is possible to set the lengths of the plurality of wirings 72 to substantially the same length by the layout of the wiring patterns within the circuit board 85 and the plurality of flexible circuit boards 89.

이하, 다른 실시형태에 따른 필터 장치의 복수의 코일에 대하여 설명한다. 도 11은 다른 실시형태에 따른 필터 장치의 복수의 코일의 사시도이다. 도 11에 도시하는 복수의 코일(80)은 상술한 실시형태의 플라즈마 처리 장치의 필터 장치의 복수의 코일로서 이용할 수 있다. 도 11에 도시하는 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80)은 복수의 코일군(CG)을 구성하고 있다. 도 11에 도시하는 실시형태에 있어서, 코일군(CG)의 개수는 2개이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 복수의 코일군(CG) 각각은 복수의 코일(80) 중 2개 이상의 코일(80)을 포함한다. 도 11에 도시하는 실시형태에 있어서, 복수의 코일(80) 각각은, 상술한 실시형태의 복수의 코일(80) 각각과 마찬가지로, 권선부(80w), 인출선(80a) 및 인출선(80b)을 갖고 있다. 인출선(80a)은 둘레 방향으로 배열되어 있다. 인출선(80b)도 둘레 방향으로 배열되어 있다.Hereinafter, a plurality of coils of a filter device according to another embodiment will be described. Figure 11 is a perspective view of a plurality of coils of a filter device according to another embodiment. The plurality of coils 80 shown in FIG. 11 can be used as a plurality of coils in the filter device of the plasma processing device of the above-described embodiment. In the embodiment shown in FIG. 11, the plurality of coils 80 constitute a plurality of coil groups CG. In the embodiment shown in Fig. 11, the number of coil groups CG is two, but it is not limited to this. Each of the plurality of coil groups CG includes two or more coils 80 among the plurality of coils 80 . In the embodiment shown in FIG. 11, each of the plurality of coils 80 has a winding portion 80w, a lead wire 80a, and a lead wire 80b, similar to each of the plurality of coils 80 in the above-described embodiment. ) has. The leader lines 80a are arranged in the circumferential direction. The leader lines 80b are also arranged in the circumferential direction.

도 11에 도시하는 실시형태에 있어서는, 각 코일군(CG)에 포함되는 2개 이상의 코일(80)의 인출선(80a)은 둘레 방향에 있어서의 국소적인 하나 이상의 영역 내에 모아져 있다. 각 코일군(CG)에 있어서, 2개의 코일(80) 각각의 인출선(80a)으로부터 18mm 이하의 거리에, 해당 2개 이상의 코일(80) 중 다른 코일의 인출선(80a)이 마련되어 있다. 각 코일군(CG)에 포함되는 2개 이상의 코일(80)의 인출선(80a)이 둘레 방향에 있어서의 국소적인 하나 이상의 영역 내에 모아져 있는 경우에는, 각 필터(FT)의 임피던스의 실수 성분이 저감된다. 그 결과, 각 필터(FT)에 있어서의 고주파의 파워의 손실이 억제된다.In the embodiment shown in Fig. 11, the leader lines 80a of two or more coils 80 included in each coil group CG are gathered in one or more local areas in the circumferential direction. In each coil group CG, the lead line 80a of the other coil among the two or more coils 80 is provided at a distance of 18 mm or less from the lead line 80a of each of the two coils 80. When the lead lines 80a of two or more coils 80 included in each coil group CG are gathered in one or more local areas in the circumferential direction, the real component of the impedance of each filter FT is It is reduced. As a result, loss of high-frequency power in each filter FT is suppressed.

또한, 각 코일군(CG)에 포함되는 2개 이상의 코일(80)의 인출선(80b)도, 둘레 방향에 있어서의 국소적인 하나 이상의 영역 내에 모아져 있어도 좋다. 각 코일군(CG)에 있어서, 2개 이상의 코일(80) 각각의 인출선(80b)으로부터 18mm 이하의 거리에, 해당 2개 이상의 코일(80) 중 다른 코일의 인출선(80b)이 마련되어 있어도 좋다.Additionally, the leader lines 80b of two or more coils 80 included in each coil group CG may also be gathered in one or more local areas in the circumferential direction. In each coil group CG, even if the lead line 80b of the other coil among the two or more coils 80 is provided at a distance of 18 mm or less from the lead line 80b of each of the two or more coils 80. good night.

이상, 여러 가지의 실시형태에 대하여 설명해 왔지만, 상술한 실시형태에 한정되는 일 없이 여러 가지의 변형 태양을 구성 가능하다. 예를 들면, 변형 태양에 따른 플라즈마 처리 장치는, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치, 마이크로파와 같은 표면파를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치와 같이, 임의의 플라즈마원을 갖는 플라즈마 처리 장치여도 좋다.Although various embodiments have been described above, various modifications can be made without being limited to the above-described embodiments. For example, the plasma processing device according to the modified aspect may be a plasma processing device having an arbitrary plasma source, such as an inductively coupled plasma processing device or a plasma processing device that generates plasma using surface waves such as microwaves.

이하, 도 11에 도시한 실시형태에 관한 시뮬레이션 결과에 대하여 설명한다. 도 12는 시뮬레이션에 있어서의 코일군을 도시하는 사시도이다. 시뮬레이션에서는, 그러한 코일(80)이 하나의 코일군(CG)을 구성하는 2개의 필터의 임피던스(합성된 임피던스) 및 그 실수 성분 각각의 주파수 특성을 계산했다. 시뮬레이션에서는, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각을, 9mm, 18mm, 81mm로 설정했다. 시뮬레이션에 있어서의 기타 조건은 이하와 같다.Hereinafter, simulation results related to the embodiment shown in FIG. 11 will be described. Fig. 12 is a perspective view showing a coil group in simulation. In the simulation, the impedance (synthesized impedance) of the two filters of which such coil 80 constitutes one coil group (CG) and the frequency characteristics of each of its real components were calculated. In the simulation, the spacing between the lead lines 80a and the spacing between the lead lines 80b of the two coils 80 were set to 9 mm, 18 mm, and 81 mm, respectively. Other conditions in the simulation are as follows.

＜시뮬레이션에 있어서의 조건＞＜Conditions for simulation＞

각 코일(80)의 단면 형상 : 3mm×0.8mm의 평각형Cross-sectional shape of each coil (80): 3 mm × 0.8 mm square

각 코일(80)의 턴수 : 7 턴Number of turns of each coil (80): 7 turns

각 코일(80)의 코일 길이 : 200mmCoil length of each coil (80): 200mm

각 코일의 내경(직경) : 130mm Inner diameter (diameter) of each coil: 130mm

콘덴서(82)의 커패시턴스 : 2200pFCapacitance of condenser 82: 2200pF

도 13의 (a), 도 13의(b) 및 도 13의 (c)에, 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 13의 (a)에는, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 9mm인 경우의, 필터의 임피던스 및 실수 성분 각각의 주파수 특성이 나타나 있다. 도 13의 (b)에는, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 18mm인 경우의, 필터의 임피던스 및 실수 성분 각각의 주파수 특성이 나타나 있다. 도 13의 (c)에는, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 81mm인 경우의, 필터의 임피던스 및 실수 성분 각각의 주파수 특성이 나타나 있다.The simulation results are shown in Fig. 13(a), Fig. 13(b), and Fig. 13(c). In Figure 13 (a), the frequency characteristics of each real component and the impedance of the filter when the spacing between the lead lines 80a and the lead lines 80b of the two coils 80 are 9 mm, respectively. It appears. In Figure 13 (b), the frequency characteristics of each real component and the impedance of the filter when the spacing between the lead lines 80a and the lead lines 80b of the two coils 80 are 18 mm, respectively. It appears. In Figure 13 (c), the frequency characteristics of each real component and the impedance of the filter when the spacing between the lead lines 80a and the lead lines 80b of the two coils 80 are 81 mm, respectively. It appears.

도 13의 (c)에 나타내는 바와 같이, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 81mm인 경우에는, 실수 성분의 큰 피크(도 13의 (c)에서 점선으로 둘러싸인 피크)가 발생하고 있었다. 도 13의 (b)에 나타내는 바와 같이, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 18mm인 경우에는, 실수 성분의 피크(도 13의 (b)에서 점선으로 둘러싸인 피크)는 크게 억제되고 있었다. 또한, 도 13의 (a)에 나타내는 바와 같이, 2개의 코일(80)의 인출선(80a) 사이의 간격 및 인출선(80b) 사이의 간격 각각이 9mm인 경우에는, 실수 성분의 피크는 거의 발생하지 않았다. 따라서, 각 코일군(CG)의 2개 이상의 코일(80) 각각의 인출선(80a)으로부터 18mm 이하의 거리에, 해당 2개 이상의 코일(80) 중 다른 코일의 인출선(80a)을 배치하는 것에 의해, 각 필터(FT)의 임피던스의 실수 성분이 저감되는 것이 확인되었다.As shown in (c) of FIG. 13, when the spacing between the lead lines 80a and the spacing between the lead lines 80b of the two coils 80 are each 81 mm, a large peak of the real component (FIG. 13 In (c), a peak surrounded by a dotted line) was occurring. As shown in (b) of FIG. 13, when the spacing between the leader lines 80a and the spacing between the leader lines 80b of the two coils 80 are each 18 mm, the peak of the real component (in FIG. 13 The peak surrounded by the dotted line in (b) was greatly suppressed. In addition, as shown in (a) of FIG. 13, when the spacing between the leader lines 80a and the spacing between the leader lines 80b of the two coils 80 are each 9 mm, the peak of the real component is approximately It didn't happen. Therefore, arranging the lead wire 80a of another coil among the two or more coils 80 at a distance of 18 mm or less from the lead wire 80a of each of the two or more coils 80 of each coil group CG. As a result, it was confirmed that the real component of the impedance of each filter FT was reduced.

1 : 플라즈마 처리 장치, 10 : 챔버, 10s : 내부 공간, 14 : 지지대, 50 : 하부 전극, 52 : 정전 척, 52t : 단자, HT : 히터, HC : 히터 컨트롤러, 61 : 제 1 고주파 전원, 62 : 제 2 고주파 전원, 65 : 급전체, 66 : 도체 파이프, 72 : 배선, FD : 필터 장치, CG : 코일군, 80 : 코일, 80w : 권선부, 82 : 콘덴서, 84 : 하우징, AX : 축선, AXC : 중심 축선1: Plasma processing device, 10: Chamber, 10s: Internal space, 14: Support, 50: Lower electrode, 52: Electrostatic chuck, 52t: Terminal, HT: Heater, HC: Heater controller, 61: First high frequency power source, 62 : 2nd high frequency power supply, 65: feeder, 66: conductor pipe, 72: wiring, FD: filter device, CG: coil group, 80: coil, 80w: winding section, 82: condenser, 84: housing, AX: axis line , AXC: central axis

Claims (5)

챔버와,
상기 챔버의 내부 공간 중에서 기판을 지지하도록 구성된 지지대로서,
하부 전극과,
상기 하부 전극 상에 마련되어 있고, 그 내부에 마련된 복수의 히터를 갖는 정전 척을 갖는, 상기 지지대와,
상기 하부 전극에 전기적으로 접속되고, 상기 하부 전극의 하측에서 하방으로 연장되는 급전체와,
상기 챔버의 외측에서 상기 급전체를 둘러싸도록 연장되고, 접지된 도체 파이프와,
상기 급전체에 전기적으로 접속된 고주파 전원과,
상기 복수의 히터로부터 히터 컨트롤러에 고주파가 유입되는 것을 방지하도록 구성된 필터 장치와,
상기 복수의 히터와 상기 필터 장치의 복수의 코일을 각각 전기적으로 접속하는 복수의 배선을 구비하며,
상기 필터 장치는,
상기 복수의 히터에 전기적으로 접속된 상기 복수의 코일과,
상기 복수의 코일과 접지 사이에 각각 접속된 복수의 콘덴서와,
전기적으로 접지되어 있고, 상기 복수의 코일을 그 내에 수용한 하우징을 갖고,
상기 복수의 코일은 각각이 2개 이상의 코일을 포함하는 복수의 코일군을 구성하고,
상기 복수의 코일군 각각에 있어서, 상기 2개 이상의 코일은, 각각의 권선부가 중심 축선의 주위에서 나선 형상으로 연장되고, 또한 각각의 턴이, 상기 중심 축선이 연장되는 축선 방향을 따라 순서대로 또한 반복해서 배열되도록, 마련되어 있으며,
상기 복수의 코일군은 상기 챔버의 바로 아래에서 상기 도체 파이프를 둘러싸도록 상기 중심 축선에 대해서 동축으로 마련되어 있는
플라즈마 처리 장치.With chamber,
A support configured to support a substrate in the internal space of the chamber,
a lower electrode,
The support is provided on the lower electrode and has an electrostatic chuck having a plurality of heaters provided therein,
a power supply electrically connected to the lower electrode and extending downward from a lower side of the lower electrode;
a conductor pipe extending from the outside of the chamber to surround the feeder and being grounded;
A high-frequency power source electrically connected to the power supply,
a filter device configured to prevent high frequency waves from flowing into the heater controller from the plurality of heaters;
A plurality of wires are provided to electrically connect the plurality of heaters and the plurality of coils of the filter device, respectively,
The filter device is,
The plurality of coils electrically connected to the plurality of heaters,
A plurality of condensers each connected between the plurality of coils and ground,
It has a housing that is electrically grounded and accommodates the plurality of coils therein,
The plurality of coils constitute a plurality of coil groups each including two or more coils,
In each of the plurality of coil groups, each winding portion of the two or more coils extends in a spiral shape around a central axis, and each turn is sequentially formed along the axis direction along which the central axis extends. It is arranged so that it can be arranged repeatedly,
The plurality of coil groups are provided coaxially with respect to the central axis so as to surround the conductor pipe immediately below the chamber.
Plasma processing device. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 배선은 서로 실질적으로 동일한 길이를 갖고 있는
플라즈마 처리 장치.According to claim 1,
The plurality of wires have substantially the same length as each other.
Plasma processing device. 제 2 항에 있어서,
상기 정전 척의 주연부에는, 상기 복수의 히터에 전기적으로 접속된 복수의 단자가 마련되어 있으며,
상기 플라즈마 처리 장치는,
상기 복수의 코일 각각의 복수의 인출선이 접속된 회로 기판과,
상기 회로 기판으로부터 상방으로 연장되는 복수의 제 1 전기 커넥터와,
상기 복수의 제 1 전기 커넥터에 각각 결합된 복수의 제 2 전기 커넥터와,
상기 복수의 제 2 전기 커넥터로부터 상기 정전 척의 상기 주연부의 하측까지 연장되는 복수의 가요성 회로 기판을 더 구비하며,
상기 복수의 배선 각각은, 상기 회로 기판, 상기 복수의 제 1 전기 커넥터 중 대응하는 제 1 전기 커넥터, 상기 복수의 제 2 전기 커넥터 중 대응하는 제 2 전기 커넥터, 및 상기 복수의 가요성 회로 기판 중 대응하는 가요성 회로 기판 내에서 연장되어 있는
플라즈마 처리 장치.According to claim 2,
A plurality of terminals electrically connected to the plurality of heaters are provided on the periphery of the electrostatic chuck,
The plasma processing device,
A circuit board to which a plurality of lead wires of each of the plurality of coils are connected,
a plurality of first electrical connectors extending upward from the circuit board;
a plurality of second electrical connectors each coupled to the plurality of first electrical connectors;
further comprising a plurality of flexible circuit boards extending from the plurality of second electrical connectors to a lower side of the peripheral portion of the electrostatic chuck,
Each of the plurality of wires is connected to one of the circuit board, a corresponding first electrical connector among the plurality of first electrical connectors, a corresponding second electrical connector among the plurality of second electrical connectors, and a plurality of flexible circuit boards. extending within a corresponding flexible circuit board.
Plasma processing device. 제 3 항에 있어서,
상기 복수의 코일의 하방에 마련된 복수의 다른 회로 기판을 더 구비하며,
상기 복수의 콘덴서 각각은 상기 복수의 다른 회로 기판 중 대응하는 회로 기판 상에 탑재되어 있는
플라즈마 처리 장치.According to claim 3,
Further comprising a plurality of other circuit boards provided below the plurality of coils,
Each of the plurality of condensers is mounted on a corresponding circuit board among the plurality of different circuit boards.
Plasma processing device. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 코일 각각은, 그 권선부의 일단에 연속하고, 상기 복수의 배선 중 대응하는 배선에 접속된 인출선을 가지며,
상기 복수의 코일군 각각에 있어서, 상기 2개 이상의 코일 각각의 상기 인출선으로부터 18mm 이하의 거리에 상기 2개 이상의 코일 중 다른 코일의 인출선이 마련되어 있는
플라즈마 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
Each of the plurality of coils has a lead wire continuous at one end of the winding portion and connected to a corresponding wire among the plurality of wires,
In each of the plurality of coil groups, a lead wire of another coil of the two or more coils is provided at a distance of 18 mm or less from the lead wire of each of the two or more coils.
Plasma processing device.
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