KR20190111573A - Laser Patterning Apparatus And Method Of Fabricating Organic Light Emitting Diode Display Device Using The Same - Google Patents

Laser Patterning Apparatus And Method Of Fabricating Organic Light Emitting Diode Display Device Using The Same Download PDF

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Abstract

According to the present invention, provided is a laser patterning device comprising: a light source part moving in a scanning direction and emitting a line type laser beam; a chamber disposed on an upper part of the light source part; an optical mask disposed in the chamber, and including a plurality of mask patterns selectively transmitting the laser beam; and a suction part disposed between a substrate mounted inside the chamber and the optical mask, moving in the scanning direction, and suctioning and exhausting an organic material removed from an organic material layer of the substrate by the laser beam. Therefore, the present invention is capable of increasing productivity and precision.

Description

레이저 패터닝 장치 및 이를 이용한 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법 {Laser Patterning Apparatus And Method Of Fabricating Organic Light Emitting Diode Display Device Using The Same}Laser patterning device and manufacturing method of organic light emitting diode display device using the same {Laser Patterning Apparatus And Method Of Fabricating Organic Light Emitting Diode Display Device Using The Same}

본 발명은 레이저 패터닝 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 라인타입의 레이저빔을 스캐닝 하면서 광학마스크를 통하여 박막에 조사함으로써, 생산성 및 정밀도가 향상되는 레이저 패터닝 장치 및 이를 이용한 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser patterning device, and more particularly, to a laser patterning device for improving productivity and precision by scanning a thin film through an optical mask while scanning a line-type laser beam, and manufacturing an organic light emitting diode display device using the same. It is about a method.

평판표시장치(flat panel display: FPD) 중 하나인 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OLED) 표시장치는, 자체 발광형이기 때문에 액정표시장치(liquid crystal display: LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. The organic light emitting diode (OLED) display, one of the flat panel displays (FPDs), is a self-luminous type, so that a viewing angle and a contrast ratio are higher than those of a liquid crystal display (LCD). Because it is excellent and does not require backlight, it is possible to be light and thin and advantageous in terms of power consumption.

그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용온도범위도 넓으며 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다. In addition, since it is possible to drive DC low voltage, fast response speed, and all solid, it is strong against external shock, wide use temperature range, and especially inexpensive in terms of manufacturing cost.

또한, 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정은 증착(deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation)이 전부라고 할 수 있기 때문에, 제조공정이 매우 단순하다. In addition, since the manufacturing process of the organic light emitting diode display device is all about deposition and encapsulation, the manufacturing process is very simple.

한편, 이러한 유기발광다이오드 표시장치는 각각이 적, 녹, 청 부화소영역(sub-pixel region)으로 이루어지는 다수의 화소영역(pixel region)을 포함하고, 적, 녹, 청 부화소영역에는 각각 발광다이오드가 형성된다. Meanwhile, the organic light emitting diode display includes a plurality of pixel regions each consisting of red, green, and sub-pixel regions, and each of the red, green, and blue pixel regions emits light. Diode is formed.

그리고, 적, 녹, 청 부화소영역의 발광다이오드는 각각 적, 녹, 청 발광물질층(emitting material layer: EML)을 포함하는데, 적, 녹, 청 발광물질층은 섀도우 마스크를 이용하는 열증착(thermal evaporation) 방법으로 형성될 수 있다. The light emitting diodes of the red, green, and blue subpixel regions each include a red, green, and blue light emitting material layer (EML), and the red, green, and blue light emitting material layers may be thermally deposited using a shadow mask. thermal evaporation).

이러한 발광물질층의 형성방법을 도면을 참조하여 설명한다.A method of forming such a light emitting material layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 종래의 발광다이오드 표시장치의 발광물질층의 형성방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a method of forming a light emitting material layer of a conventional light emitting diode display.

도 1에 도시한 바와 같이, 기판(10)은 발광물질의 소스(30) 상부에 배치되고, 기판(10)과 소스(30) 사이에는 섀도우 마스크(shadow mask)(20)가 배치되는데, 섀도우 마스크(20)는 차단영역(22)과 개구영역(24)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the substrate 10 is disposed above the source 30 of the light emitting material, and a shadow mask 20 is disposed between the substrate 10 and the source 30. The mask 20 includes a blocking area 22 and an opening area 24.

섀도우 마스크(20)가 개구영역(22)이 기판의 적, 녹, 청 부화소영역(미도시)에 대응되도록 정렬된 상태에서 소스(30)가 발광물질을 기화시키면, 발광물질은 확산되어 섀도우 마스크(20)의 개구영역(24)을 통과하여 기판의 적, 녹, 청 부화소영역에 선택적으로 형성된다. When the source 30 vaporizes the light emitting material while the shadow mask 20 is aligned such that the opening area 22 corresponds to the red, green, and blue pixel areas (not shown) of the substrate, the light emitting material diffuses to form a shadow. Passing through the opening region 24 of the mask 20 is selectively formed in the red, green, and blue pixel region of the substrate.

이때, 적, 녹, 청 발광물질층은 각각 별도의 섀도우 마스크를 이용하여 형성될 수 있으며, 적, 녹, 청 부화소영역이 동일한 배치구조를 가질 경우, 하나의 섀도우 마스크를 이용하여 적 발광물질층을 형성한 후 동일한 섀도우 마스크를 순차적으로 이동(shift)하여 녹 및 청 발광물질층을 형성할 수도 있다. In this case, the red, green, and blue light emitting material layers may be formed by using separate shadow masks, and when the red, green, and blue pixel areas have the same arrangement structure, the red light emitting material is used by using one shadow mask. After forming the layer, the same shadow mask may be sequentially shifted to form green and blue light emitting material layers.

이러한 섀도우 마스크(20)는 철-니켈 합금이나 스테인레스와 같은 금속으로 이루어진 금속판에 개구영역을 형성하여 제작되는데, 유기발광다이오드 표시장치의 해상도가 증가함에 따라 섀도우 마스크(20)의 제작 및 사용에 문제가 발생한다.The shadow mask 20 is formed by forming an opening region in a metal plate made of a metal such as an iron-nickel alloy or stainless steel. As the resolution of the organic light emitting diode display increases, there is a problem in manufacturing and using the shadow mask 20. Occurs.

즉, 유기발광다이오드 표시장치가 고해상도화 됨에 따라 발광물질층이 형성되는 각 부화소영역의 면적이 감소하고, 그 결과 섀도우 마스크(20)의 개구영역(24)의 면적도 감소한다.That is, as the organic light emitting diode display becomes higher resolution, the area of each subpixel area in which the light emitting material layer is formed decreases, and as a result, the area of the opening area 24 of the shadow mask 20 also decreases.

예를 들어, 약 600ppi(pixel per inch), 약 800ppi, 약 1200ppi의 해상도를 갖는 유기발광다이오드 표시장치에 사용되는 섀도우 마스크(20)의 차단영역(22)의 폭은 각각 약 18μm, 약 14μm, 약 10μm이고, 개구영역(24)의 폭은 각각 약 24μm, 약 16μm, 약 10μm으로, 해상도가 증가할수록 섀도우 마스크(20)의 개구영역(24)의 폭은 급속히 감소한다.For example, the width of the blocking region 22 of the shadow mask 20 used in the organic light emitting diode display device having a resolution of about 600 ppi (pixel per inch), about 800 ppi, and about 1200 ppi is about 18 μm, about 14 μm, The width of the opening area 24 is about 24 μm, about 16 μm, and about 10 μm, respectively, and as the resolution increases, the width of the opening area 24 of the shadow mask 20 decreases rapidly.

그러나, 섀도우 마스크(20)의 개구영역(24)의 폭이 감소되면 섀도우 마스크(20)와 부화소영역의 정렬이 물리적 한계를 초과하는 문제가 있다.However, when the width of the opening area 24 of the shadow mask 20 is reduced, there is a problem that the alignment of the shadow mask 20 and the subpixel area exceeds the physical limit.

그리고, 이와 같은 고해상도의 유기발광다이오드에 섀도우 마스크(20)를 사용하기 위해서는 섀도우 마스크(20)의 차단영역(22)을 구성하는 금속판의 두께가 감소되어야 한다.In order to use the shadow mask 20 in the high-resolution organic light emitting diode, the thickness of the metal plate constituting the blocking region 22 of the shadow mask 20 should be reduced.

예를 들어, 약 600ppi(pixel per inch), 약 800ppi, 약 1200ppi의 해상도를 갖는 유기발광다이오드 표시장치에 사용되는 섀도우 마스크(20)의 금속판의 두께는 각각 약 25μm, 약 18μm, 약 12μm로, 해상도가 증가할수록 섀도우 마스크(20)의 금속판의 두께는 급속히 감소한다.For example, the thickness of the metal plate of the shadow mask 20 used in the organic light emitting diode display device having a resolution of about 600 ppi (pixel per inch), about 800 ppi, and about 1200 ppi is about 25 μm, about 18 μm, and about 12 μm, respectively. As the resolution increases, the thickness of the metal plate of the shadow mask 20 decreases rapidly.

그러나, 섀도우 마스크(20)의 금속판의 두께가 감소되면 인장력이 감소하고, 그 결과 가장자리부를 고정하여 섀도우 마스크(20)를 배치할 경우 중력에 의하여 중앙부가 아래로 처지는 현상(sagging)이 발생하여 발광물질층의 불량을 야기하는 문제가 있다. However, when the thickness of the metal plate of the shadow mask 20 is reduced, the tensile force decreases, and as a result, when the shadow mask 20 is disposed by fixing the edge portion, sagging occurs due to gravity, thereby causing light emission. There is a problem that causes a defect of the material layer.

또한, 원재료의 특성에 기인하여 섀도우 마스크(20)의 금속판의 두께를 감소시키는데 한계가 있어서, 개구영역(24)의 면적을 감소시키는데 한계가 있는 문제가 있다. In addition, there is a limit in reducing the thickness of the metal plate of the shadow mask 20 due to the characteristics of the raw material, and there is a problem in that there is a limit in reducing the area of the opening region 24.

본 발명은, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 라인타입의 레이저빔을 스캐닝 조사하여 유기물질층을 패터닝 함으로써, 섀도우 마스크 사용이 생략되고 생산성 및 정밀도가 향상되는 레이저 패터닝 장치 및 이를 이용한 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been made to solve such a problem, and the laser patterning device and the organic light emitting diode using the same by omitting the shadow mask and improving productivity and precision by scanning and irradiating a line type laser beam and patterning the organic material layer An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a display device.

그리고, 본 발명은, 광원부와 함께 흡입부를 스캐닝 하면서 라인타입의 레이저빔으로 유기물질층을 선택적으로 제거하여 패터닝 함으로써, 유기물질층으로부터 제거된 유기물질에 의한 오염 및 불량이 방지되는 레이저 패터닝 장치 및 이를 이용한 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention, the laser patterning device to prevent contamination and defects by the organic material removed from the organic material layer by selectively removing and patterning the organic material layer with a line-type laser beam while scanning the suction unit together with the light source unit and Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting diode display device using the same.

위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 라인타입의 레이저빔을 방출하는 광원부와; 상기 광원부 상부에 배치되는 챔버와; 상기 챔버 내부에 배치되고, 상기 레이저빔을 선택적으로 투과시키는 다수의 마스크패턴을 포함하는 광학마스크와; 상기 챔버 내부에 장착되는 기판과 상기 광학마스크 사이에 배치되고, 상기 레이저빔에 의하여 상기 기판의 유기물질층으로부터 제거되는 유기물질을 흡입하여 배기하는 흡입부를 포함하고, 상기 광원부 및 상기 흡입부는 상기 광학마스크 및 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동하는 레이저 패터닝 장치를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention, the light source unit for emitting a line-type laser beam; A chamber disposed above the light source unit; An optical mask disposed in the chamber and including a plurality of mask patterns for selectively transmitting the laser beam; A suction part disposed between the substrate mounted in the chamber and the optical mask, the suction part configured to suck and exhaust the organic material removed from the organic material layer of the substrate by the laser beam, the light source part and the suction part Provided are a mask and a laser patterning device that moves relative to the substrate.

그리고, 상기 흡입부는, 중앙부에 배치되어 상기 레이저빔을 통과시키는 개구와; 상기 개구의 적어도 일측부에 배치되어 상기 유기물질을 흡입하는 흡입구를 포함할 수 있다.The suction unit may include an opening disposed at a central portion to pass the laser beam; Is disposed on at least one side of the opening may include a suction port for sucking the organic material.

또한, 상기 개구 및 상기 흡입구는 각각 상기 레이저빔에 대응되는 길이를 가질 수 있다.In addition, the opening and the suction port may each have a length corresponding to the laser beam.

그리고, 상기 레이저빔은 500nm 이상의 파장을 갖고, 상기 레이저빔의 길이는 상기 기판의 단변의 1/2 이상 일 수 있다.The laser beam may have a wavelength of 500 nm or more, and the length of the laser beam may be 1/2 or more of the short side of the substrate.

또한, 상기 광학마스크는 상기 기판에 대응되는 크기를 갖고, 상기 다수의 마스크패턴은 각각 상기 레이저빔을 차단하는 차단부, 상기 레이저빔을 투과시키는 투과부, 상기 차단부의 투과율보다 크고 상기 투과부의 투과율보다 작은 투과율을 갖는 적어도 하나의 반투과부를 포함할 수 있다.The optical mask may have a size corresponding to that of the substrate, and the plurality of mask patterns may respectively include a blocking portion that blocks the laser beam, a transmission portion that transmits the laser beam, and a transmittance greater than the transmittance of the blocking portion. It may include at least one transflective portion having a small transmittance.

그리고, 상기 기판과 상기 흡입부 사이의 이격거리는 상기 챔버의 진공도에 따라 가변될 수 있다.In addition, the separation distance between the substrate and the suction unit may vary according to the degree of vacuum of the chamber.

또한, 상기 광학마스크 및 상기 기판은 고정되고 상기 광원부 및 상기 흡입부는 주사방향으로 동기된 속도로 이동하거나, 상기 광원부 및 상기 흡입부는 고정되고 상기 광학마스크 및 상기 기판은 상기 주사방향의 반대방향으로 동기된 속도로 이동할 수 있다.In addition, the optical mask and the substrate is fixed and the light source and the suction unit is moved at a speed synchronized with the scanning direction, or the light source and the suction unit is fixed and the optical mask and the substrate is synchronized in the opposite direction of the scanning direction Can move at a speed.

그리고, 상기 레이저 패터닝 장치는, 상기 기판 및 상기 광학마스크를 정렬하는 정렬부와; 상기 흡입부를 상기 주사방향으로 이동시키는 제1구동부와; 상기 흡입부로 흡입되는 상기 유기물질을 배기하는 배기부와; 상기 흡입부를 가열하는 가열부와; 상기 챔버 내부의 압력을 조절하는 진공부와; 상기 광원부를 상기 주사방향으로 이동시키는 제2구동부를 더 포함할 수 있다.The laser patterning device may further include: an alignment unit to align the substrate and the optical mask; A first driving part which moves the suction part in the scanning direction; An exhaust unit configured to exhaust the organic material sucked into the suction unit; A heating unit for heating the suction unit; A vacuum unit for adjusting a pressure in the chamber; The light emitting unit may further include a second driving unit which moves the light source unit in the scanning direction.

또한, 상기 제1 및 제2구동부의 클럭은 하나의 클럭생성기로부터 생성될 수 있다.In addition, the clocks of the first and second drivers may be generated from one clock generator.

그리고, 상기 광학마스크 및 상기 기판은 수평면에 평행하도록 배치되고 상기 레이저빔은 수직방향으로 조사되거나, 상기 광학마스크 및 상기 기판은 수직면에 평행하도록 배치되고 상기 레이저빔은 수평방향으로 조사될 수 있다.The optical mask and the substrate may be disposed parallel to the horizontal plane and the laser beam may be irradiated in the vertical direction, or the optical mask and the substrate may be disposed parallel to the vertical plane and the laser beam may be irradiated in the horizontal direction.

한편, 본 발명은, 기판 상부에 제1양극, 제1배선 및 제2양극을 형성하는 단계와; 상기 제1양극, 상기 제1배선 및 상기 제2양극 상부에 상기 제1양극, 상기 제1배선 및 상기 제2양극 각각의 중앙부를 노출하는 뱅크층을 형성하는 단계와; 상기 뱅크층 상부의 상기 기판 전면에 유기물질층을 형성하는 단계와; 레이저 패터닝 장치의 광원부 및 흡입부를 상기 레이저 패터닝 장치의 광학마스크 및 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동하면서 상기 광원부의 레이저빔을 상기 광학마스크 및 상기 흡입부를 통하여 상기 유기물질층에 조사하여, 상기 제1배선을 노출하는 제1홀을 갖는 발광물질패턴을 상기 제1 및 제2양극 상부에 형성하는 단계와; 상기 발광물질패턴 상부의 상기 기판 전면에 음극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 제공한다.On the other hand, the present invention comprises the steps of forming a first anode, a first wiring and a second anode on the substrate; Forming a bank layer on the first anode, the first wiring, and the second anode to expose a center portion of each of the first anode, the first wiring, and the second anode; Forming an organic material layer over an entire surface of the substrate above the bank layer; While irradiating the light source portion and the suction portion of the laser patterning device relative to the optical mask and the substrate of the laser patterning device, the laser beam is irradiated to the organic material layer through the optical mask and the suction portion, and the first wiring Forming a light emitting material pattern having a first hole exposing the light emitting layer on the first and second anodes; A method of manufacturing an organic light emitting diode display device, the method comprising forming a cathode on an entire surface of the substrate above the light emitting material pattern.

본 발명은, 라인타입의 레이저빔을 스캐닝 조사하여 유기물질층을 패터닝 함으로써, 섀도우 마스크 사용이 생략되고 생산성 및 정밀도가 향상되는 효과를 갖는다. The present invention has the effect of eliminating the use of a shadow mask and improving productivity and precision by scanning and irradiating a line type laser beam to pattern an organic material layer.

그리고, 본 발명은, 광원부와 함께 흡입부를 스캐닝 하면서 라인타입의 레이저빔으로 유기물질층을 선택적으로 제거하여 패터닝 함으로써, 유기물질층으로부터 제거된 유기물질에 의한 오염 및 불량이 방지되는 효과를 갖는다.The present invention has the effect of preventing contamination and defects by the organic material removed from the organic material layer by selectively removing and patterning the organic material layer with a line type laser beam while scanning the suction part together with the light source part.

도 1은 종래의 발광다이오드 표시장치의 발광물질층의 형성방법을 설명하기 위한 도면.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 패터닝 장치를 도시한 사시도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 패터닝 장치를 도시한 단면도.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면.
1 is a view for explaining a method of forming a light emitting material layer of a conventional light emitting diode display.
2 is a perspective view showing a laser patterning device according to a first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a laser patterning device according to a first embodiment of the present invention.
4A to 4C are views for explaining a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
5A to 5C are views for explaining a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 패터닝 장치를 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 패터닝 장치를 도시한 단면도이다.2 is a perspective view showing a laser patterning apparatus according to a first embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view showing a laser patterning apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 패터닝 장치(110)는, 챔버(120), 광학마스크(122), 흡입부(124), 광원부(130), 정렬부(132), 제1구동부(134), 배기부(136), 가열부(138), 진공부(140) 및 제2구동부(142)를 포함한다.2 and 3, the laser patterning apparatus 110 according to the first embodiment of the present invention, the chamber 120, the optical mask 122, the suction unit 124, the light source unit 130, The alignment unit 132 includes a first driving unit 134, an exhaust unit 136, a heating unit 138, a vacuum unit 140, and a second driving unit 142.

챔버(120)는 진공부(140)에 연결되고, 진공부(140)는 챔버(120) 내부를 다양한 압력으로 유지할 수 있다.The chamber 120 is connected to the vacuum unit 140, and the vacuum unit 140 may maintain the inside of the chamber 120 at various pressures.

예를 들어, 챔버(120) 내부는 유기물질층(162)으로부터 제거된 유기물질의 평균자유행로(mean free path)를 고려하여 약 0.1torr 내지 약 10torr의 압력으로 유지될 수 있다.For example, the inside of the chamber 120 may be maintained at a pressure of about 0.1torr to about 10torr in consideration of a mean free path of organic material removed from the organic material layer 162.

그리고, 유기물질층(162)으로부터 제거된 유기물질의 용이한 흡입을 위하여 챔버(120) 내부에는 질소(N2) 또는 불활성 기체와 같은 반송가스가 공급될 수 있으며, 유기물질층(162)의 오염을 방지하기 위하여 챔버(120) 내부의 수분(H2O), 산소(O2), 불소(F), 염소(Cl) 및 황(S) 각각의 함유량은 약 3ppm 이하 일 수 있다.In addition, a carrier gas such as nitrogen (N 2) or an inert gas may be supplied into the chamber 120 to facilitate suction of the organic material removed from the organic material layer 162. In order to prevent the content of each of the water (H 2 O), oxygen (O 2), fluorine (F), chlorine (Cl) and sulfur (S) in the chamber 120 may be about 3 ppm or less.

광학마스크(122), 흡입부(124) 및 기판(150)은 챔버(120) 내부에 배치되는데, 흡입부(124)는 광학마스크(122) 상부에 배치되고, 기판(150)은 흡입부(124) 상부에 배치될 수 있다. The optical mask 122, the suction unit 124, and the substrate 150 are disposed inside the chamber 120, and the suction unit 124 is disposed above the optical mask 122, and the substrate 150 is disposed at the suction unit ( 124) may be disposed above.

광학마스크(122)는 레이저빔(LB)을 선택적으로 투과시키는 제1 및 제2마스크패턴(MP1, MP2)을 포함하는데, 제1 및 제2마스크패턴(MP1, MP2)은 각각 차단부(122a), 차단부(122a)보다 투과율이 높은 제1반투과부(122b), 제1반투과부(122b)보다 투과율이 높은 제2반투과부(122c) 및 제2반투과부(122c)보다 투과율이 높은 투과부(122d)를 포함할 수 있다. The optical mask 122 includes first and second mask patterns MP1 and MP2 for selectively transmitting the laser beam LB, and the first and second mask patterns MP1 and MP2 are respectively cut off portions 122a. ), A first transmissive portion 122b having a higher transmittance than the blocking portion 122a, a transmissive portion having a higher transmittance than the second semi-transparent portion 122c and a second semi-transmissive portion 122c having a higher transmittance than the first semi-transmissive portion 122b. 122d).

예를 들어, 차단부(122a)는 레이저빔(LB)에 대하여 약 5% 미만의 투과율을 가질 수 있고, 투과부(122d)는 레이저빔(LB)에 대하여 약 95% 이상의 투과율을 가질 수 있고, 제1 및 제2반투과부(122b, 122c)는 각각 약 5% 내지 약 95%의 투과율을 가질 수 있다.For example, the blocking part 122a may have a transmittance of less than about 5% with respect to the laser beam LB, and the transmitting part 122d may have a transmittance of about 95% or more with respect to the laser beam LB, The first and second transflective parts 122b and 122c may each have a transmittance of about 5% to about 95%.

제1 및 제2마스크패턴(MP1, MP2) 각각의 차단부(122a), 제1 및 제2반투과부(122b, 122c) 및 투과부(122d)에 의하여 레이저빔(LB)의 투과 정도가 달라지는데, 차단부(122a) 및 투과부(122d)에 의하여 유기물 패턴의 형태가 결정되고, 제1 및 제2반투과부(122b, 122c)에 의하여 유기물 패턴의 측면 경사도(또는 측면 형상)가 결정될 수 있다. The degree of transmission of the laser beam LB varies depending on the blocking portions 122a, the first and second transflective portions 122b and 122c and the transmitting portion 122d of each of the first and second mask patterns MP1 and MP2. The shape of the organic pattern may be determined by the blocking part 122a and the transmitting part 122d, and the side slope (or side shape) of the organic pattern may be determined by the first and second transflective parts 122b and 122c.

제1실시예에서는 광학마스크(122)가 제1 및 제2마스크패턴(MP1, MP2)을 포함하고, 제1 및 제2마스크패턴(MP1, MP2)이 각각 차단부(122a), 제1 및 제2반투과부(122b, 122c) 및 투과부(122d)를 포함하는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 광학마스크(122)가 다양한 크기 및 다양한 형태의 3개 이상의 다수의 마스크패턴을 포함할 수 있고, 다수의 마스크패턴이 각각 3개 이상의 다수의 반투과부를 포함할 수 있다.In the first embodiment, the optical mask 122 includes the first and second mask patterns MP1 and MP2, and the first and second mask patterns MP1 and MP2 are the blocking portions 122a, the first and the second mask patterns, respectively. Although the example includes the second transflective parts 122b and 122c and the transmissive part 122d, in another embodiment, the optical mask 122 may include three or more multiple mask patterns of various sizes and various shapes. The plurality of mask patterns may each include three or more plurality of transflective parts.

생산성 향상을 위하여 광학마스크(122)는 기판(150)에 대응되는 크기를 가질 수 있는데, 예를 들어, 광학마스크(122)의 유효면적과 기판(150)의 유효면적은 1:1의 비율을 가질 수 있다.In order to improve productivity, the optical mask 122 may have a size corresponding to the substrate 150. For example, the effective area of the optical mask 122 and the effective area of the substrate 150 may have a ratio of 1: 1. Can have.

흡입부(124)는 제1구동부(134)에 연결되고, 제1구동부(134)는 레이저빔(LB)을 방출하는 광원부(130)와 동일한 주사방향(S)으로 흡입부(124)를 이동(scan) 시킬 수 있다. The suction part 124 is connected to the first driving part 134, and the first driving part 134 moves the suction part 124 in the same scanning direction S as the light source part 130 emitting the laser beam LB. can be scanned.

예를 들어, 제1구동부(134)는 모터를 포함할 수 있다.For example, the first driving unit 134 may include a motor.

그리고, 흡입부(124)는 개구(124a) 및 흡입구(124b)를 갖는데, 개구(124a)는 흡입부(124)의 중앙부에 배치되고, 흡입구(124b)는 개구(124a)의 적어도 일측부에 배치될 수 있으며, 개구(124a) 및 흡입구(124b)는 레이저빔(LB)의 길이(L)에 대응되는 서로 동일한 길이를 가질 수 있다. In addition, the suction part 124 has an opening 124a and a suction port 124b, the opening 124a is disposed at the center of the suction part 124, and the suction port 124b is at least one side of the opening 124a. The opening 124a and the suction port 124b may have the same length as the length L of the laser beam LB.

개구(124a)는 레이저빔(LB)을 통과시켜 유기물질층(162)에 전달하는데, 예를 들어, 개구(124a)는 레이저빔(LB)에 대하여 약 95% 이상의 투과율을 가질 수 있다.The opening 124a passes through the laser beam LB to the organic material layer 162. For example, the opening 124a may have a transmittance of about 95% or more with respect to the laser beam LB.

유기물질층(162)으로부터 제거된 유기물질이 기판(150) 또는 챔버(120)에 재증착 되는 것을 방지하기 위하여, 흡입구(124b)는 유기물질층(162)으로부터 제거된 유기물질을 흡입하여 배기할 수 있다.In order to prevent the organic material removed from the organic material layer 162 from being redeposited on the substrate 150 or the chamber 120, the suction port 124b sucks and exhausts the organic material removed from the organic material layer 162. can do.

이를 위하여, 흡입부(124)는 배기부(136)에 연결되고, 배기부(136)는 제거된 유기물질을 흡입부(124)를 통하여 배기할 수 있다.To this end, the suction unit 124 may be connected to the exhaust unit 136, and the exhaust unit 136 may exhaust the removed organic material through the suction unit 124.

그리고, 유기물질층(162)으로부터 제거된 유기물질이 흡입구(124b)에 재증착 되어 흡입구(124b)가 막히는 것을 방지하기 위하여, 흡입부(124)는 가열부(138)에 연결되고, 가열부(138)는 흡입구(124b)를 가열할 수 있다. In order to prevent the organic material removed from the organic material layer 162 from being re-deposited on the inlet 124b, the inlet 124b is blocked, and the inlet 124 is connected to the heating unit 138, and the heating unit 138 may heat inlet 124b.

예를 들어, 흡입구(124b)는 약 200도의 온도로 가열될 수 있다.For example, inlet 124b may be heated to a temperature of about 200 degrees.

이때, 흡입부(124)와 배기부(136)를 연결하는 배관도 유기물질층(162)으로부터 제거된 유기물질에 의하여 막히는 것을 방지하기 위하여 가열부(138)에 연결되어 가열될 수 있다.In this case, a pipe connecting the suction part 124 and the exhaust part 136 may also be connected to the heating part 138 and heated to prevent clogging by the organic material removed from the organic material layer 162.

기판(150)은 유기물질층(162)을 포함하는데, 유기물질층(162)은 흡입부(124)에 대응되는 기판(150) 하면에 형성되고, 약 200도 내지 약 400도에서 기화(증발) 또는 승화 될 수 있다.The substrate 150 includes an organic material layer 162, and the organic material layer 162 is formed on the lower surface of the substrate 150 corresponding to the suction part 124, and vaporizes (evaporates) at about 200 degrees to about 400 degrees. ) Or can be sublimated.

예를 들어, 유기물질층(162)은 유기발광다이오드의 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광물질층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 중 적어도 하나일 수 있다.For example, the organic material layer 162 may include at least one of a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting material layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) of the organic light emitting diode. Can be.

유기물질층(162)의 유기물질은 조사된 레이저빔(LB)에 의하여 기화(증발) 또는 승화 되므로, 레이저빔(LB)에 의하여 유기물질층(162)이 선택적으로 제거되어 유기물질패턴이 형성될 수 있다.Since the organic material of the organic material layer 162 is vaporized (evaporated) or sublimed by the irradiated laser beam LB, the organic material layer 162 is selectively removed by the laser beam LB to form an organic material pattern. Can be.

기판(150)과 흡입부(124) 사이의 이격거리(G)는 챔버(120) 내부의 진공도에 따라 가변 될 수 있는데, 예를 들어, 챔버(120) 내부의 진공도가 높아질수록 기판(150)과 흡입부(124) 사이의 이격거리(G)는 커질 수 있으며, 기판(150)과 흡입부(124) 사이의 이격거리(G)는 유기물질층(162)으로부터 제거된 유기물질의 평균자유행로(mean free path)의 약 1배 내지 약 3배 일 수 있다. The separation distance G between the substrate 150 and the suction unit 124 may vary according to the degree of vacuum in the chamber 120. For example, the higher the degree of vacuum in the chamber 120, the higher the degree of vacuum in the chamber 120. The distance G between the suction unit 124 and the suction unit 124 may be increased, and the separation distance G between the substrate 150 and the suction unit 124 may be an average freedom of the organic material removed from the organic material layer 162. It may be about 1 to about 3 times the mean free path.

그리고, 기판(150)은 정렬부(132)에 연결되고, 정렬부(132)는 기판(150)의 위치를 조정하여 기판(150)을 광학마스크(122)에 정렬(alignment) 할 수 있다. In addition, the substrate 150 may be connected to the alignment unit 132, and the alignment unit 132 may adjust the position of the substrate 150 to align the substrate 150 to the optical mask 122.

여기서, 정렬부(132)는 광학마스크(122)와 기판(150)의 변형 및 수축률 차이에 의한 오차를 보상할 수 있다. Here, the alignment unit 132 may compensate for an error due to the deformation and shrinkage difference between the optical mask 122 and the substrate 150.

제1실시예에서는 정렬부(132)가 기판(150)에 연결되는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 정렬부(132)가 광학마스크(122)에 연결되고 광학마스크(122)의 위치를 조정하여 기판(150)에 정렬 할 수도 있다.In the first embodiment, the alignment unit 132 is connected to the substrate 150 as an example. In another embodiment, the alignment unit 132 is connected to the optical mask 122 and the position of the optical mask 122 is adjusted. It may be aligned to the substrate 150.

광원부(130)는 광원 및 광학부를 이용하여 라인타입의 레이저빔(LB)을 방출하는데, 예를 들어, 광원은 다이오드펌핑 고체레이저(diode pump solid state: DPSS)와 같은 반도체레이저를 포함하여 소스레이저빔을 방출하고, 광학부는 호모지나이저(homogenizer)와 다수의 렌즈를 포함하여 광원으로부터 방출되는 소스레이저빔을 가공하여 라인타입의 레이저빔(LB)을 출력 할 수 있다.The light source unit 130 emits a line-type laser beam LB using a light source and an optical unit. For example, the light source includes a source laser including a semiconductor laser such as a diode pump solid state (DPSS). The optical unit may emit a beam, and may process a source laser beam emitted from a light source including a homogenizer and a plurality of lenses to output a line type laser beam LB.

직사각형 형상의 라인타입의 레이저빔(LB)은 길이(L) 및 폭(W)을 갖는데, 레이저빔(LB)의 길이(L)는 기판(150)의 단변의 길이(D)의 1/2 이상 이고, 레이저빔(LB)의 폭(W)은 약 200μm 이상 일 수 있다.The rectangular line-shaped laser beam LB has a length L and a width W. The length L of the laser beam LB is 1/2 of the length D of the short side of the substrate 150. The width W of the laser beam LB may be about 200 μm or more.

그리고, 레이저빔(LB)이 유기물질층(162)에 조사될 때 기판(150) 및 유기물질층(162)에 대한 충격을 최소화 하고 유기물질층(162)에 용이하게 흡수되어 유기물질을 승화 또는 기화 시킬 수 있도록, 레이저빔(LB)은 약 500nm 이상의 파장을 가질 수 있는데, 예를 들어 레이저빔(LB)은 가시광선 또는 적외선(infrared: IR)일 수 있다.When the laser beam LB is irradiated onto the organic material layer 162, the impact on the substrate 150 and the organic material layer 162 may be minimized and may be easily absorbed by the organic material layer 162 to sublimate the organic material. Alternatively, the laser beam LB may have a wavelength of about 500 nm or more, for example, the laser beam LB may be visible light or infrared light (IR).

또한, 광원부(130)는 제2구동부(142)에 연결되고, 제2구동부(134)는 흡입부(124)와 동일한 주사방향(S)으로 광원부(130)를 이동(scan) 시킬 수 있다. In addition, the light source unit 130 may be connected to the second driving unit 142, and the second driving unit 134 may move the light source unit 130 in the same scan direction S as the suction unit 124.

예를 들어, 제2구동부(142)는 모터를 포함할 수 있다. For example, the second driving unit 142 may include a motor.

여기서, 라인타입의 레이저빔(LB)을 유기물질층(162)에 적절히 조사하기 위하여, 제1 및 제2구동부(134, 142)는 흡입부(124) 및 광원부(130)를 동기된 속도로 이동시킬 수 있는데, 예를 들어, 제1 및 제2구동부(134, 142)의 모터의 클럭(clock)은 하나의 클럭생성기(clock generator)로부터 생성될 수 있다.Here, in order to irradiate the line type laser beam LB to the organic material layer 162 properly, the first and second driving units 134 and 142 move the suction unit 124 and the light source unit 130 at a synchronized speed. For example, the clocks of the motors of the first and second drivers 134 and 142 may be generated from one clock generator.

본 발명의 제1실시예에서는 광학마스크(122) 및 기판(150)을 고정하고 광원부(130) 및 흡입부(124)를 동기된 속도로 주사방향(S)으로 이동하면서 유기물질층(162)을 패터닝 하는데, 이 경우 복잡한 광학계를 포함하는 광원부(130)와 배관에 연결되는 흡입부(124)를 이동하는 것이 용이하지 않거나 이동 시 오정렬이 발생할 수 있다.In the first embodiment of the present invention, the organic mask layer 162 is fixed while the optical mask 122 and the substrate 150 are fixed and the light source unit 130 and the suction unit 124 are moved in the scanning direction S at a synchronized speed. In this case, it is not easy to move the light source unit 130 including the complicated optical system and the suction unit 124 connected to the pipe, or misalignment may occur during the movement.

이러한 단점을 극복하기 위하여, 다른 실시예에서는 복잡한 광학계를 포함하는 광원부(130) 및 배관에 연결되는 흡입부(124)를 고정하고 광학마스크(122) 및 기판(150)을 동기된 속도로 주사방향(S)의 반대방향으로 이동하면서 유기물질층(162)을 패터닝 할 수도 있다.In order to overcome this disadvantage, in another embodiment, the light source unit 130 including the complicated optical system and the suction unit 124 connected to the pipe are fixed and the optical mask 122 and the substrate 150 are scanned at a synchronous speed. The organic material layer 162 may be patterned while moving in the opposite direction to (S).

그리고, 본 발명의 제1실시예에서는 광학마스크(122) 및 기판(150)을 수평면에 평행하도록 배치하고 레이저빔(LB)을 수직방향으로 조사하여 유기물질층(162)을 패터닝 하는데, 이 경우 레이저 패터닝 장치(110)의 바닥면적(footprint area)이 증가하여 제조라인의 건설비용이 증가할 수 있다.In the first embodiment of the present invention, the optical mask 122 and the substrate 150 are disposed parallel to the horizontal plane, and the organic material layer 162 is patterned by irradiating the laser beam LB in a vertical direction. As the footprint area of the laser patterning device 110 is increased, the construction cost of the manufacturing line may be increased.

이러한 단점을 극복하기 위하여, 다른 실시예에서는 광학마스크(122) 및 기판(150)을 수직면에 평행하도록 배치하고 레이저빔(LB)을 수평방향으로 조사하여 유기물질층(162)을 패터닝 할 수도 있다.In order to overcome this disadvantage, in another embodiment, the optical mask 122 and the substrate 150 may be disposed parallel to the vertical plane, and the organic material layer 162 may be patterned by irradiating the laser beam LB in a horizontal direction. .

이상과 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 패터닝 장치(110)에서는, 광원부(130)의 라인타입의 레이저빔(LB)을 광학마스크(122) 및 흡입부(124)를 통하여 기판(150)의 유기물질층(162)에 스캐닝 조사함으로써, 섀도우 마스크 사용을 생략하고 생산성 및 정밀도를 향상시킬 수 있다.As described above, in the laser patterning apparatus 110 according to the first embodiment of the present invention, the line type laser beam LB of the light source unit 130 is transferred through the optical mask 122 and the suction unit 124. By scanning and irradiating the organic material layer 162 of 150, the use of a shadow mask may be omitted and productivity and precision may be improved.

그리고, 광원부(130) 및 흡입부(124)를 동기된 속도로 이동시키면서 레이저빔(LB)을 유기물질층(162)에 조사함으로써, 제거된 유기물질에 의한 오염 및 불량을 방지할 수 있다. The laser beam LB is irradiated onto the organic material layer 162 while moving the light source unit 130 and the suction unit 124 at a synchronized speed, thereby preventing contamination and defects caused by the removed organic material.

이러한 레이저 패터닝 장치(110)를 이용한 유기물질패턴의 형성방법을 도면을 참조하여 설명한다.A method of forming an organic material pattern using the laser patterning apparatus 110 will be described with reference to the drawings.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면으로, 도 2 및 도 3을 함께 참조하여 설명한다.4A to 4C are diagrams for describing a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention, which will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(250) 상부에는 제1양극(252), 저전위배선(254), 센싱배선(256) 및 제2양극(258)이 형성된다.As shown in FIG. 4A, a first anode 252, a low potential wiring 254, a sensing wiring 256, and a second anode 258 are formed on the substrate 250.

도시하지는 않았지만, 제1 및 제2양극(252, 258)은 각각 제1 및 제2화소영역에 배치되고 저전위배선(254) 및 센싱배선(256)은 제1 및 제2화소영역 사이에 배치될 수 있다.Although not shown, the first and second anodes 252 and 258 are disposed in the first and second pixel regions, respectively, and the low potential wiring 254 and the sensing wiring 256 are disposed between the first and second pixel regions. Can be.

그리고, 제1 및 제2양극(252, 258)은 각각 하부의 구동 박막트랜지스터에 연결되어 데이터전압에 대응되는 전류를 공급받을 수 있고, 저전위배선(254) 및 센싱배선(256)은 저전위전압(VSS)을 전달할 수 있다.The first and second anodes 252 and 258 may be connected to the driving thin film transistors, respectively, to receive a current corresponding to the data voltage, and the low potential wiring 254 and the sensing wiring 256 may have a low potential. The voltage VSS may be transmitted.

제1양극(252), 저전위배선(254), 센싱배선(256) 및 제2양극(258)의 상부에는 뱅크층(260)이 형성되는데, 뱅크층(260)은 제1양극(252), 저전위배선(254), 센싱배선(256) 및 제2양극(258) 각각의 가장자리부를 덮고 제1양극(252), 저전위배선(254), 센싱배선(256) 및 제2양극(258) 각각의 중앙부를 노출시킬 수 있다. The bank layer 260 is formed on the first anode 252, the low potential wiring 254, the sensing wiring 256, and the second anode 258, and the bank layer 260 is the first anode 252. The edges of the low potential wiring 254, the sensing wiring 256, and the second anode 258 respectively cover the first anode 252, the low potential wiring 254, the sensing wiring 256, and the second anode 258. Each center can be exposed.

뱅크층(260) 상부의 기판(250) 전면에는 유기물질층(262)이 형성되는데, 유기물질층(262)은 뱅크층(260) 상부와 뱅크층(260)을 통하여 노출되는 제1양극(252), 저전위배선(254), 센싱배선(256) 및 제2양극(258) 상부에 형성된다. An organic material layer 262 is formed on the entire surface of the substrate 250 on the bank layer 260, and the organic material layer 262 is exposed through the upper portion of the bank layer 260 and the bank layer 260. 252, the low potential wiring 254, the sensing wiring 256, and the second anode 258.

유기물질층(262)은 정공주입물질, 정공수송물질, 발광물질, 전자수송물질, 전자주입물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있는데, 제1실시예에서는 유기물질층(262)이 발광물질을 포함하는 것으로 예로 들어 설명한다. The organic material layer 262 may include at least one of a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material. In the first embodiment, the organic material layer 262 includes a light emitting material. This will be described as an example.

도4b에 도시한 바와 같이, 레이저 패터닝 장치(110)를 이용하여 유기물질층(262)을 패터닝 하는데, 광원부(130) 및 흡입부(122)를 주사방향(S)으로 이동하면서 광원부(130)의 레이저빔(LB)을 광학마스크(122) 및 흡입부(124)를 통하여 유기물질층(262)에 조사할 수 있다.As shown in FIG. 4B, the organic material layer 262 is patterned by using the laser patterning apparatus 110. The light source unit 130 is moved while moving the light source unit 130 and the suction unit 122 in the scanning direction S. FIG. The laser beam LB may be irradiated onto the organic material layer 262 through the optical mask 122 and the suction part 124.

레이저빔(LB)은 광학마스크(122)를 선택적으로 통과하는데, 레이저빔(LB)은, 광학마스크(122)의 차단부(122a)에 완전히 흡수되고 광학마스크(122)의 투과부(122d)를 그대로 통과할 수 있으며, 광학마스크(122)의 제1 및 제2반투과부(122b, 122c)를 부분적으로 통과할 수 있다. The laser beam LB selectively passes through the optical mask 122. The laser beam LB is completely absorbed by the blocking portion 122a of the optical mask 122 and passes through the transmission portion 122d of the optical mask 122. It may pass through as it is, and may partially pass through the first and second transflective parts 122b and 122c of the optical mask 122.

이에 따라, 광학마스크(122)의 제1 및 제2반투과부(122b, 122c)와 투과부(122d)에 대응되는 유기물질층(262)이 레이저빔(LB)에 의하여 승화 또는 증발되어 선택적으로 제거될 수 있다. Accordingly, the organic material layer 262 corresponding to the first and second transflective portions 122b and 122c and the transmissive portion 122d of the optical mask 122 is sublimed or evaporated by the laser beam LB to be selectively removed. Can be.

이때, 제거된 유기물질(OM)은 흡입부(124)를 통하여 배기되어 제거된 유기물질(OM)에 의한 기판(250) 및 챔버(120)의 오염이 방지된다, In this case, the removed organic material OM is prevented from being contaminated by the substrate 250 and the chamber 120 by the organic material OM removed by being exhausted through the suction unit 124.

도 4c에 도시한 바와 같이, 레이저빔(LB)에 의하여 저전위배선(254) 및 센싱배선(256)에 대응되는 유기물질층(262)이 선택적으로 제거되어, 저전위배선(254) 및 센싱배선(256)을 각각 노출하는 제1 및 제2홀(264, 266)을 갖는 발광물질패턴(268)이 제1 및 제2양극(252, 258) 상부에 형성된다.As shown in FIG. 4C, the organic material layer 262 corresponding to the low potential wiring 254 and the sensing wiring 256 is selectively removed by the laser beam LB, thereby causing the low potential wiring 254 and the sensing. A light emitting material pattern 268 having first and second holes 264 and 266 exposing the wiring 256, respectively, is formed on the first and second anodes 252 and 258.

발광물질패턴(268) 상부의 기판(250) 전면에는 음극(270)이 형성되는데, 음극(270)은 발광물질패턴(268)의 제1 및 제2홀(264, 266)을 통하여 저전위배선(254) 및 센싱배선(256)에 접촉된다.A cathode 270 is formed on the entire surface of the substrate 250 on the light emitting material pattern 268. The cathode 270 is connected to the low potential wiring through the first and second holes 264 and 266 of the light emitting material pattern 268. 254 and the sensing wiring 256.

제1양극(252), 발광물질패턴(268) 및 음극(270)은 제1화소영역의 제1발광다이오드를 구성하고, 제2양극(252), 발광물질패턴(268) 및 음극(270)은 제2화소영역의 제2발광다이오드를 구성할 수 있다.The first anode 252, the light emitting material pattern 268, and the cathode 270 constitute the first light emitting diode of the first pixel area, and the second anode 252, the light emitting material pattern 268, and the cathode 270 are formed. May constitute a second light emitting diode of the second pixel region.

이와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 패터닝 장치(110)를 이용한 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법에서는, 레이저빔(LB)을 이용하여 유기물질층(262)을 선택적으로 제거함으로써, 저전위배선(254) 및 센싱배선(256)을 노출하는 발광물질패턴(268)을 제1 및 제2양극(252, 258) 상부에 형성할 수 있다.As described above, in the method of manufacturing the organic light emitting diode display device using the laser patterning device 110 according to the first embodiment of the present invention, by selectively removing the organic material layer 262 using the laser beam LB. The light emitting material pattern 268 exposing the low potential wiring 254 and the sensing wiring 256 may be formed on the first and second anodes 252 and 258.

이때, 광원부(130)의 라인타입의 레이저빔(LB)을 광학마스크(122) 및 흡입부(124)를 통하여 유기물질층(262)에 스캐닝 조사함으로써, 섀도우 마스크 사용을 생략하고 생산성 및 정밀도를 향상시킬 수 있다.In this case, by scanning and irradiating the organic material layer 262 with the line type laser beam LB of the light source unit 130 through the optical mask 122 and the suction unit 124, the use of the shadow mask is omitted and productivity and precision are improved. Can be improved.

그리고, 광원부(130) 및 흡입부(124)를 동기된 속도로 이동시키면서 레이저빔(LB)을 유기물질층(262)에 조사함으로써, 제거된 유기물질에 의한 오염 및 불량을 방지할 수 있다. The laser beam LB is irradiated onto the organic material layer 262 while moving the light source unit 130 and the suction unit 124 at a synchronized speed, thereby preventing contamination and defects caused by the removed organic material.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면으로, 도 2 및 도 3을 함께 참조하여 설명한다.5A to 5C are diagrams for describing a method of manufacturing an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention, which will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

도 5a에 도시한 바와 같이, 기판(350) 상부에는 제1양극(352), 저전위배선(354), 센싱배선(356) 및 제2양극(358)이 형성된다.As shown in FIG. 5A, a first anode 352, a low potential wiring 354, a sensing wiring 356, and a second anode 358 are formed on the substrate 350.

도시하지는 않았지만, 제1 및 제2양극(352, 358)은 각각 제1 및 제2화소영역에 배치되고 저전위배선(354) 및 센싱배선(356)은 제1 및 제2화소영역 사이에 배치될 수 있다.Although not shown, the first and second anodes 352 and 358 are disposed in the first and second pixel regions, respectively, and the low potential wiring 354 and the sensing wiring 356 are disposed between the first and second pixel regions. Can be.

그리고, 제1 및 제2양극(352, 358)은 각각 하부의 구동 박막트랜지스터에 연결되어 데이터전압에 대응되는 전류를 공급받을 수 있고, 저전위배선(354) 및 센싱배선(356)은 저전위전압(VSS)을 전달할 수 있다.In addition, the first and second anodes 352 and 358 may be connected to the driving thin film transistors, respectively, to receive a current corresponding to the data voltage, and the low potential wiring 354 and the sensing wiring 356 may have a low potential. The voltage VSS may be transmitted.

제1양극(352), 저전위배선(354), 센싱배선(356) 및 제2양극(358)의 상부에는 뱅크층(360)이 형성되는데, 뱅크층(360)은 제1양극(352), 저전위배선(354), 센싱배선(356) 및 제2양극(358) 각각의 가장자리부를 덮고 제1양극(352), 저전위배선(354), 센싱배선(356) 및 제2양극(358) 각각의 중앙부를 노출시킬 수 있다. The bank layer 360 is formed on the first anode 352, the low potential wiring 354, the sensing wiring 356, and the second anode 358, and the bank layer 360 is formed on the first anode 352. The edges of the low potential wiring 354, the sensing wiring 356, and the second anode 358 respectively cover the edges of the first anode 352, the low potential wiring 354, the sensing wiring 356, and the second anode 358. Each center can be exposed.

뱅크층(360) 상부의 기판(350) 전면에는 제1유기물질층(362)이 형성되는데, 제1유기물질층(362)은 뱅크층(360) 상부와 뱅크층(360)을 통하여 노출되는 제1양극(352), 저전위배선(354), 센싱배선(356) 및 제2양극(358) 상부에 형성된다. A first organic material layer 362 is formed on the entire surface of the substrate 350 on the bank layer 360, and the first organic material layer 362 is exposed through the bank layer 360 and the bank layer 360. The first anode 352, the low potential wiring 354, the sensing wiring 356, and the second anode 358 are formed on the upper portion.

제1유기물질층(362)은 정공주입물질, 정공수송물질, 발광물질, 전자수송물질, 전자주입물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있는데, 제2실시예에서는 제1유기물질층(362)이 발광물질을 포함하는 것으로 예로 들어 설명한다. The first organic material layer 362 may include at least one of a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, and an electron injection material. In the second embodiment, the first organic material layer 362 is It will be described taking as an example including a light emitting material.

도5b에 도시한 바와 같이, 레이저 패터닝 장치(110)를 이용하여 제1유기물질층(362)을 패터닝 하는데, 광원부(130) 및 흡입부(122)를 주사방향(S)으로 이동하면서 광원부(130)의 레이저빔(LB)을 광학마스크(122) 및 흡입부(124)를 통하여 제1유기물질층(362)에 조사할 수 있다.As shown in FIG. 5B, the first organic material layer 362 is patterned by using the laser patterning apparatus 110. The light source unit 130 and the suction unit 122 are moved in the scanning direction S while the light source unit is moved. The laser beam LB 130 may be irradiated to the first organic material layer 362 through the optical mask 122 and the suction part 124.

레이저빔(LB)은 광학마스크(122)를 선택적으로 통과하는데, 레이저빔(LB)은, 광학마스크(122)의 차단부(122a)에 완전히 흡수되고 광학마스크(122)의 투과부(122d)를 그대로 통과할 수 있으며, 광학마스크(122)의 제1 및 제2반투과부(122b, 122c)를 부분적으로 통과할 수 있다. The laser beam LB selectively passes through the optical mask 122. The laser beam LB is completely absorbed by the blocking portion 122a of the optical mask 122 and passes through the transmission portion 122d of the optical mask 122. It may pass through as it is, and may partially pass through the first and second transflective parts 122b and 122c of the optical mask 122.

이에 따라, 광학마스크(122)의 제1 및 제2반투과부(122b, 122c)와 투과부(122d)에 대응되는 제1유기물질층(362)이 레이저빔(LB)에 의하여 승화 또는 증발되어 선택적으로 제거될 수 있다. Accordingly, the first and second transflective parts 122b and 122c and the first organic material layer 362 corresponding to the transmissive part 122d of the optical mask 122 are sublimed or evaporated by the laser beam LB to selectively Can be removed.

이때, 제거된 유기물질(OM)은 흡입부(124)를 통하여 배기되어 제거된 유기물질(OM)에 의한 기판(350) 및 챔버(120)의 오염이 방지된다, In this case, the removed organic material OM is exhausted through the suction unit 124 to prevent contamination of the substrate 350 and the chamber 120 by the removed organic material (OM),

도 5c에 도시한 바와 같이, 레이저빔(LB)에 의하여 제1양극(352)에 대응되는 제1유기물질층(362)이 선택적으로 제거되어, 제1양극(352)을 노출하는 홀(364)을 갖는 제1발광물질패턴(366)이 저전위배선(354), 센싱배선(356) 및 제2양극(358) 상부에 형성된다.As illustrated in FIG. 5C, the hole 364 that selectively exposes the first anode 352 by selectively removing the first organic material layer 362 corresponding to the first anode 352 by the laser beam LB. The first light emitting material pattern 366 having the λ is formed on the low potential wiring 354, the sensing wiring 356, and the second anode 358.

제1발광물질패턴(366) 상부에는 제2유기물질층(368)이 형성되는데, 제2유기물질층(368)은 제1발광물질패턴(366)의 홀(364)을 통하여 제1양극(32)에 접촉된다. A second organic material layer 368 is formed on the first light emitting material pattern 366, and the second organic material layer 368 is formed through the holes 364 of the first light emitting material pattern 366. 32).

도시하지는 않았지만, 도 4b와 유사하게, 이후 레이저 패터닝 장치(110)를 이용하여 저전위배선(354) 및 센싱배선(356)에 대응되는 제2유기물질층(368) 및 제1유기물질층(362)을 선택적으로 제거하여, 저전위배선(354) 및 센싱배선(356)을 각각 노출하는 제1 및 제2홀을 갖는 제2발광물질패턴을 제1 및 제2양극(352, 358) 상부에 형성할 수 있다.  Although not shown, similarly to FIG. 4B, the second organic material layer 368 and the first organic material layer corresponding to the low potential wiring 354 and the sensing wiring 356 are then formed using the laser patterning device 110 ( 362 to selectively remove the second light emitting material pattern having the first and second holes exposing the low potential wiring 354 and the sensing wiring 356, respectively, on the first and second anodes 352 and 358. Can be formed on.

그리고, 제2발광물질패턴 상부의 기판(350) 전면에 제2발광물질패턴 및 제1발광물질패턴(368)의 제1 및 제2홀을 통하여 저전위배선(354) 및 센싱배선(356)에 접촉하는 음극을 형성할 수 있다.The low potential wiring 354 and the sensing wiring 356 are formed on the entire surface of the substrate 350 on the second light emitting material pattern through the first and second holes of the second light emitting material pattern and the first light emitting material pattern 368. A cathode in contact with the can be formed.

제1양극(352), 제2발광물질패턴 및 음극은 제1화소영역의 단일층 구조의 제1발광다이오드를 구성하고, 제2양극(358), 제1발광물질패턴(366), 제2발광물질패턴, 음극은 제2화소영역의 이중층 구조(tandem)의 제2발광다이오드를 구성할 수 있다. The first anode 352, the second light emitting material pattern, and the cathode constitute a first light emitting diode having a single layer structure of the first pixel region, and the second anode 358, the first light emitting material pattern 366, and the second The light emitting material pattern and the cathode may constitute a second light emitting diode having a tandem of a second pixel region.

이와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 레이저 패터닝 장치(110)를 이용한 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법에서는, 레이저빔(LB)을 이용하여 제1 및 제2유기물질층(362, 368)을 선택적으로 제거함으로써, 저전위배선(354) 및 센싱배선(356)을 노출하는 제1발광물질패턴(366) 및 제2발광물질패턴을 제2양극(358) 상부에 형성하고, 저전위배선(354) 및 센싱배선(356)을 노출하는 제2발광물질패턴을 제1양극(352) 상부에 형성할 수 있다.As described above, in the method of manufacturing the organic light emitting diode display device using the laser patterning device 110 according to the second embodiment of the present invention, the first and second organic material layers 362 and 368 using the laser beam LB. ) Is selectively removed to form a first light emitting material pattern 366 and a second light emitting material pattern exposing the low potential wiring 354 and the sensing wiring 356 on the second anode 358, and then the low potential A second light emitting material pattern exposing the wiring 354 and the sensing wiring 356 may be formed on the first anode 352.

이때, 광원부(130)의 라인타입의 레이저빔(LB)을 광학마스크(122) 및 흡입부(124)를 통하여 유기물질층(262)에 스캐닝 조사함으로써, 섀도우 마스크 사용을 생략하고 생산성 및 정밀도를 향상시킬 수 있다.In this case, by scanning and irradiating the organic material layer 262 with the line type laser beam LB of the light source unit 130 through the optical mask 122 and the suction unit 124, the use of the shadow mask is omitted and productivity and precision are improved. Can be improved.

그리고, 광원부(130) 및 흡입부(124)를 동기된 속도로 이동시키면서 레이저빔(LB)을 유기물질층(262)에 조사함으로써, 제거된 유기물질에 의한 오염 및 불량을 방지할 수 있다. The laser beam LB is irradiated onto the organic material layer 262 while moving the light source unit 130 and the suction unit 124 at a synchronized speed, thereby preventing contamination and defects caused by the removed organic material.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications and changes of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below I can understand that you can.

110: 레이저 패터닝 장치 120: 챔버
122: 광학마스크 124: 흡입부
130: 광원부 132: 정렬부
134: 제1구동부 136: 배기부
138: 가열부 140: 진공부
142: 제2구동부
110: laser patterning device 120: chamber
122: optical mask 124: suction part
130: light source unit 132: alignment unit
134: first driving unit 136: exhaust unit
138: heating section 140: vacuum section
142: second drive unit

Claims (11)

라인타입의 레이저빔을 방출하는 광원부와;
상기 광원부 상부에 배치되는 챔버와;
상기 챔버 내부에 배치되고, 상기 레이저빔을 선택적으로 투과시키는 다수의 마스크패턴을 포함하는 광학마스크와;
상기 챔버 내부에 장착되는 기판과 상기 광학마스크 사이에 배치되고, 상기 레이저빔에 의하여 상기 기판의 유기물질층으로부터 제거되는 유기물질을 흡입하여 배기하는 흡입부
를 포함하고,
상기 광원부 및 상기 흡입부는 상기 광학마스크 및 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동하는 레이저 패터닝 장치.
A light source unit emitting a line type laser beam;
A chamber disposed above the light source;
An optical mask disposed in the chamber and including a plurality of mask patterns for selectively transmitting the laser beam;
A suction part disposed between the substrate mounted in the chamber and the optical mask and sucking and exhausting the organic material removed from the organic material layer of the substrate by the laser beam;
Including,
And the light source unit and the suction unit move relative to the optical mask and the substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 흡입부는,
중앙부에 배치되어 상기 레이저빔을 통과시키는 개구와;
상기 개구의 적어도 일측부에 배치되어 상기 유기물질을 흡입하는 흡입구
를 포함하는 레이저 패터닝 장치.
The method of claim 1,
The suction unit,
An opening disposed at a central portion to pass the laser beam;
A suction port disposed at at least one side of the opening to suck the organic material
Laser patterning device comprising a.
제 2 항에 있어서,
상기 개구 및 상기 흡입구는 각각 상기 레이저빔에 대응되는 길이를 갖는 레이저 패터닝 장치.
The method of claim 2,
And the openings and the suction holes each have a length corresponding to the laser beam.
제 1 항에 있어서,
상기 레이저빔은 500nm 이상의 파장을 갖고,
상기 레이저빔의 길이는 상기 기판의 단변의 1/2 이상인 레이저 패터닝 장치.
The method of claim 1,
The laser beam has a wavelength of 500nm or more,
And a laser patterning device having a length of at least 1/2 of a short side of the substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 광학마스크는 상기 기판에 대응되는 크기를 갖고,
상기 다수의 마스크패턴은 각각 상기 레이저빔을 차단하는 차단부, 상기 레이저빔을 투과시키는 투과부, 상기 차단부의 투과율보다 크고 상기 투과부의 투과율보다 작은 투과율을 갖는 적어도 하나의 반투과부를 포함하는 레이저 패터닝 장치.
The method of claim 1,
The optical mask has a size corresponding to the substrate,
Each of the plurality of mask patterns includes a blocking portion blocking the laser beam, a transmitting portion transmitting the laser beam, and at least one transflective portion having a transmittance greater than a transmittance of the blocking portion and less than that of the transmitting portion. .
제 1 항에 있어서,
상기 기판과 상기 흡입부 사이의 이격거리는 상기 챔버의 진공도에 따라 가변되는 레이저 패터닝 장치.
The method of claim 1,
The distance between the substrate and the suction unit is a laser patterning device that varies according to the vacuum degree of the chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 광학마스크 및 상기 기판은 고정되고 상기 광원부 및 상기 흡입부는 주사방향으로 동기된 속도로 이동하거나,
상기 광원부 및 상기 흡입부는 고정되고 상기 광학마스크 및 상기 기판은 상기 주사방향의 반대방향으로 동기된 속도로 이동하는 레이저 패터닝 장치.
The method of claim 1,
The optical mask and the substrate are fixed and the light source unit and the suction unit move at a speed synchronized in the scanning direction,
And the light source unit and the suction unit are fixed, and the optical mask and the substrate move at a speed synchronized in a direction opposite to the scanning direction.
제 7 항에 있어서,
상기 기판 및 상기 광학마스크를 정렬하는 정렬부와;
상기 흡입부를 상기 주사방향으로 이동시키는 제1구동부와;
상기 흡입부로 흡입되는 상기 유기물질을 배기하는 배기부와;
상기 흡입부를 가열하는 가열부와;
상기 챔버 내부의 압력을 조절하는 진공부와;
상기 광원부를 상기 주사방향으로 이동시키는 제2구동부
를 더 포함하는 레이저 패터닝 장치.
The method of claim 7, wherein
An alignment unit for aligning the substrate and the optical mask;
A first driving part which moves the suction part in the scanning direction;
An exhaust unit configured to exhaust the organic material sucked into the suction unit;
A heating unit for heating the suction unit;
A vacuum unit for adjusting a pressure in the chamber;
A second driving unit which moves the light source unit in the scanning direction
Laser patterning device further comprising.
제 8 항에 있어서,
상기 제1 및 제2구동부의 클럭은 하나의 클럭생성기로부터 생성되는 레이저 패터닝 장치.
The method of claim 8,
And the clocks of the first and second drivers are generated from one clock generator.
제 1 항에 있어서,
상기 광학마스크 및 상기 기판은 수평면에 평행하도록 배치되고 상기 레이저빔은 수직방향으로 조사되거나,
상기 광학마스크 및 상기 기판은 수직면에 평행하도록 배치되고 상기 레이저빔은 수평방향으로 조사되는 레이저 패터닝 장치.
The method of claim 1,
The optical mask and the substrate are disposed parallel to the horizontal plane and the laser beam is irradiated in the vertical direction,
And the optical mask and the substrate are arranged parallel to a vertical plane and the laser beam is irradiated in a horizontal direction.
기판 상부에 제1양극, 제1배선 및 제2양극을 형성하는 단계와;
상기 제1양극, 상기 제1배선 및 상기 제2양극 상부에 상기 제1양극, 상기 제1배선 및 상기 제2양극 각각의 중앙부를 노출하는 뱅크층을 형성하는 단계와;
상기 뱅크층 상부의 상기 기판 전면에 유기물질층을 형성하는 단계와;
레이저 패터닝 장치의 광원부 및 흡입부를 상기 레이저 패터닝 장치의 광학마스크 및 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동하면서 상기 광원부의 레이저빔을 상기 광학마스크 및 상기 흡입부를 통하여 상기 유기물질층에 조사하여, 상기 제1배선을 노출하는 제1홀을 갖는 발광물질패턴을 상기 제1 및 제2양극 상부에 형성하는 단계와;
상기 발광물질패턴 상부의 상기 기판 전면에 음극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
Forming a first anode, a first wiring, and a second anode on the substrate;
Forming a bank layer on the first anode, the first wiring, and the second anode to expose a center portion of each of the first anode, the first wiring, and the second anode;
Forming an organic material layer over an entire surface of the substrate above the bank layer;
While irradiating the light source portion and the suction portion of the laser patterning device relative to the optical mask and the substrate of the laser patterning device, the laser beam is irradiated to the organic material layer through the optical mask and the suction portion, and the first wiring Forming a light emitting material pattern having a first hole exposing the light emitting layer on the first and second anodes;
Forming a cathode on an entire surface of the substrate above the light emitting material pattern;
Method of manufacturing an organic light emitting diode display device comprising a.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210097061A (en) * 2020-01-29 2021-08-06 경기대학교 산학협력단 0LED manufacturing method using laser shaving and OLED by the same and Manufacturing equipment for the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120008678A (en) * 2010-07-19 2012-02-01 삼성모바일디스플레이주식회사 Laser irradiation device and method for manufacturing organic light emitting display device using the same
KR20140124454A (en) * 2013-04-16 2014-10-27 삼성디스플레이 주식회사 Laser induced thermal imaging apparatus, method of laser induced thermal imaging, and manufacturing method of organic light emitting display apparatus using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120008678A (en) * 2010-07-19 2012-02-01 삼성모바일디스플레이주식회사 Laser irradiation device and method for manufacturing organic light emitting display device using the same
KR20140124454A (en) * 2013-04-16 2014-10-27 삼성디스플레이 주식회사 Laser induced thermal imaging apparatus, method of laser induced thermal imaging, and manufacturing method of organic light emitting display apparatus using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210097061A (en) * 2020-01-29 2021-08-06 경기대학교 산학협력단 0LED manufacturing method using laser shaving and OLED by the same and Manufacturing equipment for the same

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