KR20190110826A - Touch sensor and image display device - Google Patents

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KR20190110826A
KR20190110826A KR1020180032751A KR20180032751A KR20190110826A KR 20190110826 A KR20190110826 A KR 20190110826A KR 1020180032751 A KR1020180032751 A KR 1020180032751A KR 20180032751 A KR20180032751 A KR 20180032751A KR 20190110826 A KR20190110826 A KR 20190110826A
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layer
touch sensor
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high refractive
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KR1020180032751A
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김승국
안유미
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a touch sensor and image display device. More specifically, the touch sensor comprises: a base layer; a high refractive layer disposed on the base layer; a sensing electrode disposed on the high refractive layer and including a metal pattern and transparent conductive oxide pattern, wherein the metal pattern and transparent conductive oxide pattern are sequentially stacked; and a passivation layer covering the sensing electrode. The refractive indices of the high refractive layer, metal pattern, and transparent conductive oxide pattern satisfy a constant relationship. The refractive index of the passivation layer is greater than 1 and less than or equal to 1.6. The touch sensor according to embodiments of the present invention may lower the reflectance of a display screen and increase the visibility of an image.

Description

터치 센서 및 화상 표시 장치{TOUCH SENSOR AND IMAGE DISPLAY DEVICE}Touch Sensors and Image Display Devices {TOUCH SENSOR AND IMAGE DISPLAY DEVICE}

본 발명은 터치 센서 및 화상 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a touch sensor and an image display device.

최근 정보화 기술(IT)이 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 제시되고 있다. 예를 들면, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전계발광표시장치(Electro LuminescentDisplay device), 유기발광다이오드표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.Recently, with the development of information technology (IT), the demand for the display field is also presented in various forms. For example, a flat panel display device having features such as thinness, light weight, and low power consumption, for example, a liquid crystal display device, a plasma display panel device, BACKGROUND OF THE INVENTION Electro Luminescent Display devices and Organic Light-Emitting Diode Display devices have been studied.

한편, 상기 표시 장치 상에 내장되어 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치인 터치 스크린 패널(touch screen panel)이 디스플레이 장치와 결합되어 화상 표시 기능 및 정보 입력 기능이 함께 구현된 전자 기기들이 개발되고 있다. On the other hand, a touch screen panel, which is an input device that is embedded on the display device and inputs a user's command by selecting an instruction content displayed on the screen with a human hand or an object, is combined with the display device to display an image. BACKGROUND Electronic devices in which display and information input functions are implemented are being developed.

터치 스크린 패널은 터치 센서의 동작 방식에 따라, 정전 용량 방식, 광감지 방식, 저항막 방식 등으로 구분될 수 있다. 정전 용량 방식의 터치 센서의 경우, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 센싱 패턴이 주변의 다른 센싱패턴 또는 접지전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉 위치를 전기적 신호로 변환한다.The touch screen panel may be classified into a capacitive type, a light sensing type, a resistive film type, and the like according to an operation method of the touch sensor. In the case of a capacitive touch sensor, when a human hand or an object comes into contact with each other, the sensing position is converted into an electrical signal by detecting a change in capacitance formed by another sensing pattern or a ground electrode.

터치 센서에 포함되는 상기 도전성 센싱 패턴은 디스플레이 장치에 적용되는 경우, 고투과성을 가지면서 향상된 전기적 특성(예를 들면, 낮은 저항)을 가질 필요가 있다. 또한, 외부 습도, 공기에 의한 변성에 대해 향상된 저항 또는 내성을 가질 필요가 있다.When the conductive sensing pattern included in the touch sensor is applied to a display device, it is necessary to have high transparency and have improved electrical characteristics (eg, low resistance). It is also necessary to have improved resistance or resistance to external humidity, denaturation by air.

최근에는 접힘 또는 굽힘이 가능한 플렉시블 디스플레이가 개발되고 있으며, 터치 센서가 상기 플렉시블 디스플레이에 적용되는 경우, 상기 도전성 센싱 패턴 역시 향상된 유연성 또는 플렉시블 특성을 가질 필요가 있다.Recently, a flexible display that can be folded or bent has been developed. When the touch sensor is applied to the flexible display, the conductive sensing pattern also needs to have improved flexibility or flexibility.

예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 최근 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있으나, 상술한 바와 같이 광학적, 전기적, 기계적 특성이 함께 향상된 터치 센서 또는 터치 패널의 요구가 지속되고 있다.For example, as disclosed in Korean Patent Application Publication No. 2014-0092366, a touch screen panel in which a touch sensor is coupled to various image display devices has recently been developed, but as described above, a touch sensor having improved optical, electrical, and mechanical properties, or The demand for touch panels continues.

한국공개특허 제2014-0092366호Korean Patent Publication No. 2014-0092366

본 발명의 일 과제는 광학적, 기계적, 전기적 특성이 향상된 터치 센서를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a touch sensor with improved optical, mechanical, and electrical properties.

본 발명의 일 과제는 광학적, 기계적, 전기적 특성이 향상된 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널 또는 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a touch screen panel or an image display device including a touch sensor with improved optical, mechanical, and electrical properties.

1. 베이스 층; 상기 베이스 층 상에 배치된 고굴절층; 상기 고굴절층 상에 배치되며 순차적으로 적층된 금속 패턴 및 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 센싱 전극; 및 상기 센싱 전극을 덮는 패시베이션층;을 포함하며,1. Base layer; A high refractive layer disposed on the base layer; A sensing electrode disposed on the high refractive layer and including a metal pattern and a transparent conductive oxide pattern sequentially stacked; And a passivation layer covering the sensing electrode.

상기 고굴절층, 금속 패턴, 투명 도전성 산화물 패턴의 굴절률은 하기 수학식 1을 만족하고,The refractive index of the high refractive index layer, the metal pattern, and the transparent conductive oxide pattern satisfies Equation 1 below.

상기 패시베이션층은 굴절률이 1 초과 내지 1.6 이하인, 터치 센서:Wherein the passivation layer has a refractive index greater than 1 and less than or equal to 1.6:

[수학식 1][Equation 1]

n1>n3>n2n1> n3> n2

(식 중, n1은 고굴절층의 굴절률, n2는 금속 패턴의 굴절률, n3은 투명 도전성 산화물 패턴의 굴절률임)(Wherein n1 is the refractive index of the high refractive index layer, n2 is the refractive index of the metal pattern, and n3 is the refractive index of the transparent conductive oxide pattern)

2. 위 1에 있어서, 상기 고굴절층의 굴절률은 2.2 내지 2.7인, 터치 센서.2. In the above 1, the refractive index of the high refractive index layer is 2.2 to 2.7, the touch sensor.

3. 위 1에 있어서, 상기 고굴절층은 부도체인, 터치 센서.3. In the above 1, wherein the high refractive layer is a non-conductive, touch sensor.

4. 위 1에 있어서, 상기 고굴절층은 TiO2, ZrO2 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.4. In the above 1, wherein the high refractive layer is TiO 2 , ZrO 2 and a mixture thereof, including at least one, the touch sensor.

5. 위 1에 있어서, 상기 금속 패턴의 굴절률은 0 초과 내지 1 이하인, 터치 센서.5. In the above 1, the refractive index of the metal pattern is greater than 0 to less than 1, the touch sensor.

6. 위 1에 있어서, 상기 금속 패턴은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 텔레늄(Te) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속, 상기 금속의 합금 또는 상기 금속의 나노와이어를 포함하는, 터치 센서.6. In the above 1, the metal pattern is gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), tungsten (W) , Titanium (Ti), tantalum (Ta), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), vanadium (V), niobium (Nb), telenium (Te) and molybdenum (Mo) Touch sensor comprising at least one metal selected from the group consisting of), an alloy of the metal or nanowire of the metal.

7. 위 1에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물 패턴은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO) 및 인듐갈륨산화물(IGO)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.7. In the above 1, the transparent conductive oxide pattern is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), zinc oxide (ZnOx), indium oxide At least one selected from the group consisting of (InOx), tin oxide (SnOx), cadmium tin oxide (CTO), gallium-doped zinc oxide (GZO), zinc tin oxide (ZTO), and indium gallium oxide (IGO), Touch sensor.

8. 위 1에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물 패턴의 굴절률은 1.7 내지 2.1인, 터치 센서.8. In the above 1, the refractive index of the transparent conductive oxide pattern is 1.7 to 2.1, Touch sensor.

9. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극은 메쉬 패턴 구조를 포함하는, 터치 센서. 9. In the above 1, wherein the sensing electrode comprises a mesh pattern structure, the touch sensor.

10. 윈도우 기판; 및10. window substrate; And

상기 윈도우 기판의 일면 상에 적층된 위 1 내지 9 중 어느 하나에 따른 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.Window stack comprising a touch sensor according to any one of the above 1 to 9 stacked on one surface of the window substrate.

11. 위 10에 있어서, 상기 윈도우 기판의 상기 일면 상에 적층된 편광층을 더 포함하는, 윈도우 적층체.11. The window laminate of 10 above, further comprising a polarizing layer laminated on the one surface of the window substrate.

12. 위 11에 있어서, 상기 편광층의 상면이 상기 윈도우 기판의 상기 일면 상으로 적층되며, 상기 터치 센서의 상면이 상기 편광층의 저면 상으로 적층되는, 윈도우 적층체.12. In the above 11, the upper surface of the polarizing layer is laminated on the one surface of the window substrate, the upper surface of the touch sensor is laminated on the bottom surface of the polarizing layer, the window laminate.

13. 위 12에 있어서, 상기 편광층 및 상기 윈도우 기판을 서로 접합하는 제1 점접착층, 및 상기 터치 센서 및 상기 편광층을 서로 접합하는 제2 점접착층을 더 포함하는, 윈도우 적층체.13. In the above 12, further comprising a first adhesive layer for bonding the polarizing layer and the window substrate to each other, and a second adhesive layer for bonding the touch sensor and the polarizing layer to each other, the window laminate.

14. 위 10에 있어서, 상기 윈도우 기판의 상기 일면의 주변부에 형성된 차광 패턴을 더 포함하는, 윈도우 적층체.14. The window laminate of 10 above, further comprising a light shielding pattern formed at a periphery of the one surface of the window substrate.

15. 표시 패널; 및 상기 표시 패널 상에 적층되며 청구항 1 내지 10 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는 윈도우 적층체를 포함하는, 화상 표시 장치.15. display panel; And a window stack stacked on the display panel and including the touch sensor according to any one of claims 1 to 10.

16. 위 15에 있어서, 상기 표시 패널 및 상기 윈도우 적층체 사이를 서로 접합하는 점접착층을 더 포함하는, 화상 표시 장치.16. The image display apparatus according to the above 15, further comprising an adhesive layer bonding the display panel and the window stack to each other.

본 발명의 실시예들에 따르는 터치 센서에 있어서, 고굴절층 상에 센싱 전극을 금속 패턴-투명 도전성 산화물 패턴 적층구조를 포함하는 복층 구조로 형성할 수 있다. 따라서, 터치 센서의 투과도를 향상시키면서, 센싱 전극의 채널 저항을 감소시켜 고감도 센싱 전극을 구현할 수 있다. 또한, 상기 금속 패턴에 의해 접힘, 굽힘 등과 같은 플렉시블 특성이 함께 향상될 수 있다.In the touch sensor according to the embodiments of the present invention, the sensing electrode may be formed in a multilayer structure including a metal pattern-transparent conductive oxide pattern stacked structure on the high refractive layer. Therefore, while improving the transmittance of the touch sensor, it is possible to implement a high sensitivity sensing electrode by reducing the channel resistance of the sensing electrode. In addition, flexible characteristics such as folding and bending may be improved together by the metal pattern.

또한, 본 발명의 실시예들에 따르는 터치 센서는 투과율과 반사 색상 등의 광학적 특성이 우수하여 표시화면의 반사율을 낮추고 영상의 시인성을 높일 수 있다.In addition, the touch sensor according to the embodiments of the present invention may have excellent optical characteristics such as transmittance and reflection color, thereby lowering the reflectance of the display screen and increasing the visibility of an image.

상기 터치 센서는 우수한 전기적, 기계적 신뢰성을 가지며 플렉시블 OLED, LCD 장치와 같은 화상 표시 장치에 효과적으로 적용될 수 있다.The touch sensor has excellent electrical and mechanical reliability and can be effectively applied to an image display device such as a flexible OLED and an LCD device.

도 1은 본원 발명의 실시예 1, 실시예 5 및 비교예 8의 파장대별 반사율을 측정한 값을 나타내는 참고도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
1 is a reference diagram showing the measured values of the reflectance for each wavelength band of Example 1, Example 5 and Comparative Example 8 of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view illustrating a touch sensor in accordance with example embodiments.
3 is a schematic cross-sectional view illustrating a touch sensor according to exemplary embodiments.
4 is a schematic cross-sectional view illustrating a touch sensor in accordance with example embodiments.
5 is a schematic diagram illustrating a window stack and an image display device according to example embodiments.

본 발명은 터치 센서 및 화상표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 베이스 층; 상기 베이스 층 상에 배치된 고굴절층; 상기 고굴절층 상에 배치되며 순차적으로 적층된 금속 패턴 및 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 센싱 전극; 및 상기 센싱 전극을 덮는 패시베이션 층을 포함하며, 상기 고굴절층, 금속 패턴, 투명 도전성 산화물 패턴의 굴절률이 일정한 관계를 만족하고, 상기 패시베이션층의 굴절률이 1 초과 내지 1.6 이하인 터치 센서 및 이를 이용한 화상표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들에 따르는 터치 센서는 표시화면의 반사율을 낮추고 영상의 시인성을 높일 수 있다.The present invention relates to a touch sensor and an image display device, and more particularly to a base layer; A high refractive layer disposed on the base layer; A sensing electrode disposed on the high refractive layer and including a metal pattern and a transparent conductive oxide pattern sequentially stacked; And a passivation layer covering the sensing electrode, wherein the high refractive index layer, the metal pattern, and the transparent conductive oxide pattern satisfy a constant relationship, and the refractive index of the passivation layer is greater than 1 to 1.6 or less and an image display using the same. Relates to a device. The touch sensor according to the embodiments of the present invention can lower the reflectance of the display screen and increase the visibility of the image.

이하 첨부된 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예들을 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the following drawings attached to the specification are for exemplifying preferred embodiments of the present invention, and together with the contents of the present invention serves to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention described in such drawings It should not be construed as limited to matters.

도 2 내지 도 4는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도들이다.2 through 4 are schematic cross-sectional views illustrating a touch sensor according to example embodiments.

도 2를 참조하면, 상기 터치 센서는 베이스 층(100), 베이스 층(100) 상에 배치된 고굴절층(110), 상기 고굴절층(110) 상에 배치되는 센싱 전극(140) 및 상기 센싱 전극을 덮는 패시베이션층(160)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 상기 터치 센서는 상기 센싱 전극(140)을 덮는 패시베이션층(160)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the touch sensor includes a base layer 100, a high refractive layer 110 disposed on the base layer 100, a sensing electrode 140 disposed on the high refractive layer 110, and the sensing electrode. It may include a passivation layer 160 covering the. In some embodiments, the touch sensor may further include a passivation layer 160 covering the sensing electrode 140.

베이스 층(100)은 센싱 전극(140) 형성을 위한 지지층으로 제공될 수 있다. 본 명세서에서, 베이스 층(100)은 고굴절층(110)의 하부 부재를 포괄하는 의미로 사용된다. 예를 들면, 베이스 층(100)은 필름 타입의 부재 또는 기판을 포괄할 수 있으며, 또는 센싱 전극(140)이 형성되는 대상체(예를 들면, 디스플레이 장치의 표시 패널)를 포괄할 수 있다.The base layer 100 may be provided as a support layer for forming the sensing electrode 140. In the present specification, the base layer 100 is used to encompass the lower member of the high refractive layer 110. For example, the base layer 100 may include a film-type member or a substrate, or may include an object (eg, a display panel of a display device) on which the sensing electrode 140 is formed.

베이스 층(100)은 예를 들면, 글래스, 플라스틱, 또는 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 트리아세틸 셀룰로오스(TAC) 등과 같은 유연성 수지를 포함할 수 있다.The base layer 100 may be, for example, glass, plastic, or polyimide (PI), polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polymethylmethacrylate (PMMA), triacetyl cellulose (TAC), or the like. The same flexible resin may be included.

고굴절층은(110)은 베이스 층(100)으로부터 확산되는, 예를 들면, 유기 물질에 대한 배리어로 제공될 수 있다. 또한, 고굴절층은 금속 패턴(120)의 하부 배리어 또는 하부 보호 층으로 기능할 수 있다. 이러한 측면에서, 상기 고굴절층(110)은 금속 패턴(120) 및 투명 도전성 산화물(130)에 비해 상대적으로 강한 내화학성을 나타낼 수 있고, 이 경우 고굴절층(110)은 패턴화되지 않은 평면층으로 제공될 수 있다.The high refractive layer 110 may be provided as a barrier to, for example, an organic material that is diffused from the base layer 100. In addition, the high refractive index layer may function as a lower barrier or lower protective layer of the metal pattern 120. In this aspect, the high refractive index layer 110 may exhibit a relatively strong chemical resistance compared to the metal pattern 120 and the transparent conductive oxide 130, in which case the high refractive layer 110 is an unpatterned planar layer Can be provided.

일 실시예에 있어서, 고굴절층(110)은 약 10 내지 70nm의 두께로 형성될 수 있다. 고굴절층(110)의 두께가 약 10nm 미만인 경우, 유기 물질에 대한 충분한 배리어 기능이 구현되지 않을 수 있다. 고굴절층(110)의 두께가 약 70nm를 초과하는 경우, 센싱 전극(140)의 저항이 지나치게 상승하며 균일한 패턴 형상이 용이하게 구현되지 않을 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 고굴절층(110)의 두께는 바람직하게는 30 내지 50nm, 더욱 바람직하게는 40nm일 수 있다.In one embodiment, the high refractive layer 110 may be formed to a thickness of about 10 to 70nm. When the thickness of the high refractive index layer 110 is less than about 10 nm, sufficient barrier function for the organic material may not be implemented. When the thickness of the high refractive index layer 110 exceeds about 70 nm, the resistance of the sensing electrode 140 may be excessively increased and a uniform pattern shape may not be easily implemented. In some embodiments, the thickness of the high refractive layer 110 may be preferably 30 to 50 nm, more preferably 40 nm.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 고굴절층(110)의 굴절률은 1.9 내지 2.7의 범위일 수 있다. 고굴절층(110)의 굴절률이 2.1 이하일 경우, 반사 색상, 예를 들면 반사 b* 등의 특성이 열악해질 수 있다. 고굴절층(110)의 굴절률이 2.7 초과일 경우, 터치 센서의 투과율 저하로 영상의 시인성 등이 열악해질 수 있다. In some embodiments of the present disclosure, the refractive index of the high refractive index layer 110 may range from 1.9 to 2.7. The refractive index of the high refractive layer 110 is 2.1 In the case of the following, the characteristic of reflection color, for example, reflection b *, may become worse. When the refractive index of the high refractive index layer 110 is greater than 2.7, visibility of the image may be deteriorated due to a decrease in transmittance of the touch sensor.

고굴절층(110)은 상기 굴절률을 만족하는 범위 내에서 다양한 화합물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 상기 고굴절층(110)은 금속 산화물, 예를 들면 TiO2, ZrO2 및 이들의 혼합물 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 고굴절층은 TiO2를 포함할 수 있다.The high refractive index layer 110 may include various compounds within a range satisfying the refractive index. In some embodiments, the high refractive index layer 110 may include at least one selected from metal oxides such as TiO 2 , ZrO 2, and mixtures thereof. Preferably, the high refractive layer may include TiO 2 .

본 발명의 일부 실시예에 있어서, 상기 고굴절층(110)은 부도체로서 센싱 전극(140) 하부의 절연막 역할을 수행할 수 있다.In some embodiments of the present disclosure, the high refractive index layer 110 may serve as an insulating layer under the sensing electrode 140 as a non-conductor.

센싱 전극(140)은 고굴절층(110) 상에 순차적으로 형성된 금속 패턴(120) 및 투명 도전성 산화물 패턴(130)을 포함할 수 있다.The sensing electrode 140 may include a metal pattern 120 and a transparent conductive oxide pattern 130 sequentially formed on the high refractive layer 110.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 금속 패턴(120)의 굴절률은 0 초과 내지 1이하의 범위를 가질 수 있다. 금속 패턴(120)의 굴절률이 상기 범위에 속하는 경우, 제조된 터치 센서의 투과율 및 반사 색상 등의 광학적 특성이 향상될 수 있고, 그 결과 표시화면의 반사율이 낮아지고 영상의 시인성이 향상될 수 있다. 바람직한 실시예에 있어서, 상기 금속 패턴(120)의 굴절률은 0.3 내지 0.5일 수 있다.In some embodiments of the present disclosure, the refractive index of the metal pattern 120 may range from greater than zero to less than or equal to one. When the refractive index of the metal pattern 120 falls within the above range, optical characteristics such as transmittance and reflection color of the manufactured touch sensor may be improved, and as a result, the reflectance of the display screen may be lowered and the visibility of the image may be improved. . In a preferred embodiment, the refractive index of the metal pattern 120 may be 0.3 to 0.5.

금속 패턴(120)은 비제한적인 예로서, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 텔레늄(Te), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo)과 같은 금속, 이들 금속의 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC)), 금속 또는 합금의 나노와이어를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 금속 패턴(125)은 저저항 및 고감도 구현을 위해 APC를 포함하도록 형성될 수 있다. Metal pattern 120 is a non-limiting example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), tungsten (W) ), Titanium (Ti), tantalum (Ta), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), telenium (Te), vanadium (V), niobium (Nb), molybdenum ( Metals such as Mo), alloys of these metals (eg, silver-palladium-copper (APC)), nanowires of metals or alloys. In one embodiment, the metal pattern 125 may be formed to include the APC for low resistance and high sensitivity.

금속 패턴(120)이 센싱 전극(140)에 포함됨에 따라, 센싱 전극(140)이 투명 도전성 산화물로만 구성되는 경우보다, 플렉시블 특성이 향상되며, 채널 저항이 감소될 수 있다.As the metal pattern 120 is included in the sensing electrode 140, the flexible characteristics may be improved and the channel resistance may be reduced, compared to the case in which the sensing electrode 140 is formed of only a transparent conductive oxide.

금속 패턴(120)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니나, 약 5 내지 15nm일 수 있다. 금속 패턴(120)의 두께가 5nm 이하인 경우, 결정립(grain)이 제대로 형성되지 않아 광학적 특성이 나빠질 수 있다. 금속 패턴(120)의 두께가 15nm 이상인 경우, 터치 센서의 플렉시블 특성이 저하될 수 있다. 금속 패턴(120)의 두께가 상기 범위에 속하는 경우, 터치 센서의 광학적 특성과 플렉시블 특성이 함께 향상될 수 있다. 바람직하게는, 상기 금속 패턴의 두께는 8 내지 12 nm일 수 있다.The thickness of the metal pattern 120 is not particularly limited, but may be about 5 to 15 nm. When the thickness of the metal pattern 120 is 5 nm or less, grains may not be formed properly and optical characteristics may deteriorate. When the thickness of the metal pattern 120 is 15 nm or more, the flexible characteristic of the touch sensor may be degraded. When the thickness of the metal pattern 120 falls within the above range, the optical and flexible characteristics of the touch sensor may be improved together. Preferably, the thickness of the metal pattern may be 8 to 12 nm.

투명 도전성 산화물 패턴(130)은 비제한적인 예로서, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO), 인듐갈륨산화물(IGO) 등과 같은 도전성을 갖는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. Transparent conductive oxide pattern 130 is a non-limiting example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), zinc oxide (ZnOx), indium Metal oxides having conductivity such as oxide (InOx), tin oxide (SnOx), cadmium tin oxide (CTO), gallium-doped zinc oxide (GZO), zinc tin oxide (ZTO), indium gallium oxide (IGO), and the like. Can be. These may be used alone or in combination of two or more.

일부 실시예들에 있어서, 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 전도성 및 투과도 향상 측면을 고려하여 IZO로 형성될 수 있다.In some embodiments, the transparent conductive oxide pattern 130 may be formed of IZO in consideration of improved conductivity and transmittance.

일부 실시예들에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물(130)의 두께는 10nm 내지 140nm일 수 있다. 예를 들면, 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 두께가 약 10nm 미만인 경우, 금속 패턴(120)에 대한 충분한 상부 배리어가 제공되지 않을 수 있다. 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 두께가 약 140nm를 초과하는 경우, 터치 센서의 투과도가 지나치게 감소될 수 있으며, 센싱 전극(140) 형성을 위한 식각 공정 시간이 지나치게 증가될 수 있다.In some embodiments, the thickness of the transparent conductive oxide 130 may be 10 nm to 140 nm. For example, when the thickness of the transparent conductive oxide pattern 130 is less than about 10 nm, a sufficient upper barrier for the metal pattern 120 may not be provided. When the thickness of the transparent conductive oxide pattern 130 exceeds about 140 nm, the transmittance of the touch sensor may be excessively reduced, and an etching process time for forming the sensing electrode 140 may be excessively increased.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 굴절률은 약 1.7 내지 2.1 범위를 가질 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예들에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 굴절률은 1.8 내지 2.0 일 수 있다In some embodiments of the present disclosure, the refractive index of the transparent conductive oxide pattern 130 is about 1.7 to 2.1. It can have a range. In preferred embodiments of the present invention, the refractive index of the transparent conductive oxide pattern 130 may be 1.8 to 2.0.

투명 도전성 산화물 패턴(130)의 굴절률이 상기 범위 내에 속하는 경우, 터치 센서의 투과율 및 반사 b* 특성 등의 광학적 특성이 향상될 수 있다. 따라서, 표시 화면의 반사율이 낮아지고 영상의 시인성이 높아질 수 있다. 또한, 접힘 및 굽힘 등과 같은 플렉시블 특성도 향상될 수 있다.When the refractive index of the transparent conductive oxide pattern 130 is within the above range, optical properties such as transmittance and reflection b * characteristics of the touch sensor may be improved. Therefore, the reflectance of the display screen may be lowered and the visibility of the image may be increased. In addition, flexible characteristics such as folding and bending can also be improved.

상술한 바와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 센싱 전극(140)은 금속 패턴(120)/투명 도전성 산화물 패턴(130)을 포함하는 2층 구조를 포함할 수 있다. 금속 패턴(120)을 센싱 전극(140) 내에 삽입시킴에 따라, 채널 저항 감소를 통한 터치 센서의 감도 및 유연성이 향상될 수 있다. As described above, the sensing electrode 140 of the touch sensor according to the exemplary embodiments may include a two-layer structure including a metal pattern 120 / transparent conductive oxide pattern 130. As the metal pattern 120 is inserted into the sensing electrode 140, sensitivity and flexibility of the touch sensor may be improved by reducing channel resistance.

또한, 상기 금속 패턴(120)이 고굴절층(110) 및 투명 도전성 산화물 패턴(130) 사이에 위치함에 따라, 금속 패턴(120)의 부식 및 손상을 차단할 수 있다.In addition, as the metal pattern 120 is positioned between the high refractive index layer 110 and the transparent conductive oxide pattern 130, corrosion and damage of the metal pattern 120 may be blocked.

예를 들면, 베이스 층(100) 상에 고굴절층(110), 금속층 및 투명 도전성 산화물층을 스퍼터링(sputtering) 공정과 같은 증착 공정 또는 도전성 조성물의 코팅 공정을 통해 형성할 수 있다.For example, the high refractive index layer 110, the metal layer, and the transparent conductive oxide layer may be formed on the base layer 100 through a deposition process such as a sputtering process or a coating process of the conductive composition.

이후, 제1 포토 마스크를 통한 사진 식각 공정을 통해 상기 투명 도전성 산화물층, 상기 금속층을 순차적으로 식각하여 센싱 전극(140)을 형성할 수 있다.Thereafter, the sensing electrode 140 may be formed by sequentially etching the transparent conductive oxide layer and the metal layer through a photolithography process using a first photo mask.

예시적인 실시예들에 따르면, 센싱 전극(140)은 메쉬(mesh) 패턴 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극(140)에 포함된 금속 패턴(120) 또는 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 상기 메쉬 패턴 구조로 형성될 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 상기 센싱 전극(140)에 포함된 금속 패턴(120) 및 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 상기 메쉬 패턴 구조로 형성될 수 있다.In example embodiments, the sensing electrode 140 may include a mesh pattern structure. For example, the metal pattern 120 or the transparent conductive oxide pattern 130 included in the sensing electrode 140 may be formed in the mesh pattern structure. In some embodiments, the metal pattern 120 and the transparent conductive oxide pattern 130 included in the sensing electrode 140 may be formed in the mesh pattern structure.

메쉬 패턴은 네트(net) 또는 벌집(honeycomb) 형태의 내부 구조를 포함할 수 있다. 또한, 상기 메쉬 패턴은 직각 사각형 메쉬 구조, 마름모 메쉬 구조, 육각형 메쉬 구조 등을 포함할 수 있으며, 오목 다각형 메쉬 구조를 포함할 수도 있다.The mesh pattern may include an internal structure in the form of a net or honeycomb. The mesh pattern may include a rectangular rectangular mesh structure, a rhombus mesh structure, a hexagonal mesh structure, or the like, and may include a concave polygonal mesh structure.

센싱 전극(140)이 메쉬 패턴 구조를 가짐에 따라, 굽힘 특성이 향상되어 유연성 및 신축성이 우수한 터치 센서가 구현될 수 있다.As the sensing electrode 140 has a mesh pattern structure, a bending characteristic may be improved, and thus a touch sensor having excellent flexibility and elasticity may be implemented.

본 발명의 실시예들에 있어서, 전술한 고굴절층(110), 금속 패턴(120) 및 투명 도전성 산화물(130)의 굴절률 관계는 하기 수학식 1을 만족할 수 있다.In embodiments of the present invention, the refractive index relationship between the high refractive index layer 110, the metal pattern 120, and the transparent conductive oxide 130 may satisfy Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

n1>n3>n2n1> n3> n2

수학식 1에서, n1은 고굴절층(110)의 굴절률이고, n2는 금속 패턴(120)의 굴절률이며, n3은 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 굴절률을 나타낸다.In Equation 1, n1 represents a refractive index of the high refractive layer 110, n2 represents a refractive index of the metal pattern 120, and n3 represents a refractive index of the transparent conductive oxide pattern 130.

전술한 고굴절층(110), 금속 패턴(120) 및 투명 도전성 산화물(130)의 굴절률의 관계가 상기 수학식 1을 만족하는 경우, 투과율이나 반사광 특성, 예를 들면, 반사 b* 등의 광학적 특성이 향상될 수 있다. 반사 b*는 0(zero)에 가까운 값을 가질수록 바람직하다.When the relationship between the refractive index of the high refractive index layer 110, the metal pattern 120 and the transparent conductive oxide 130 described above satisfies Equation 1, optical properties such as transmittance and reflected light characteristics, for example, reflection b * This can be improved. It is preferable that the reflection b * has a value close to zero.

패시베이션층(160)은 고굴절층(110) 상에 형성되어, 센싱 전극(140)을 덮을 수 있다. 패시베이션 층(160)은 예를 들면, 실리콘 산화물과 같은 무기 산화물, 또는 아크릴계 수지와 같은 투명 유기물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 패시베이션층(160)은 에폭시 화합물, 아크릴 화합물, 멜라닌 화합물 등과 같은 열경화성 또는 광경화성 물질을 포함하는 유기 수지 조성물로부터 형성될 수 있다.The passivation layer 160 may be formed on the high refractive layer 110 to cover the sensing electrode 140. The passivation layer 160 may include, for example, an inorganic oxide such as silicon oxide or a transparent organic material such as acrylic resin. Preferably, the passivation layer 160 may be formed from an organic resin composition including a thermosetting or photocurable material such as an epoxy compound, an acrylic compound, a melanin compound, or the like.

상기 패시베이션층(160)의 굴절률은 전술한 센싱 전극(140)의 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 굴절률보다 작을 수 있다. 본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 패시베이션층(160)의 굴절률은 1 초과 내지 1.6이하일 수 있다. 바람직하게는, 상기 패시베이션층(160)의 굴절률은 1.4 내지 1.6일 수 있다.The refractive index of the passivation layer 160 may be smaller than the refractive index of the transparent conductive oxide pattern 130 of the sensing electrode 140. In embodiments of the present invention, the refractive index of the passivation layer 160 may be greater than 1 to less than 1.6. Preferably, the refractive index of the passivation layer 160 may be 1.4 to 1.6.

패시베이션층(160)의 굴절률이 상기 범위에 해당하는 경우, 터치 센서의 투과율이나 반사 b* 특성과 같은 광학적 특성이 향상될 수 있다. 이론에 구속되는 것은 아니나, 본 발명의 일 실시예인 터치 센서에 입사하는 광이 간섭에 의해 장파장대의 가시광선(600 nm 이상)에서 빛의 반사율이 감소되기 때문으로 추정된다.When the refractive index of the passivation layer 160 falls within the above range, optical characteristics such as transmittance and reflection b * characteristics of the touch sensor may be improved. Although not bound by theory, it is assumed that light incident on the touch sensor, which is an embodiment of the present invention, is reduced in reflectance of light in visible light (600 nm or more) in a long wavelength band due to interference.

패시베이션층(160)의 굴절률이 1 이하 또는 1.6을 초과하면 투과율이 저하되거나 반사 b* 특성이 저하되는 등 광학적 특성이 저하될 수 있다.If the refractive index of the passivation layer 160 is less than or equal to 1 or more than 1.6, optical properties may be degraded, such as a decrease in transmittance or a decrease in reflection b * characteristics.

본 명세서에서, 상기 패시베이션(160)의 두께는 센싱 전극(140)의 투명 도전성 산화물 패턴(130) 상면으로부터 측정한 두께를 의미한다. 제한되는 것은 아니지만, 본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 패시베이션층(160)의 두께는 2 내지 4㎛일 수 있다. 패시베이션층(160)의 두께가 상기 범위에 속하는 경우, 터치 센서의 광학적 특성 및 절연 특성이 향상될 수 있다.In the present specification, the thickness of the passivation 160 means a thickness measured from an upper surface of the transparent conductive oxide pattern 130 of the sensing electrode 140. Although not limited, in the embodiments of the present invention, the thickness of the passivation layer 160 may be 2 to 4㎛. When the thickness of the passivation layer 160 falls within the above range, the optical and insulating properties of the touch sensor may be improved.

도 1은 본원 발명의 실시예 1, 실시예 5 및 비교예 8의 파장대별 반사율을 나타내는 그래프이다. 상기 그래프에서, x축은 빛의 파장(nm)을 나타내며, y축은 반사율(%)을 나타낸다.1 is a graph showing the reflectance of each wavelength band of Example 1, Example 5 and Comparative Example 8 of the present invention. In the graph, the x axis represents the wavelength of light (nm) and the y axis represents the reflectance (%).

도 1에 도시된 바와 같이, 고굴절 재질, 예를 들면 TiO2를 하부에 포함하는 실시예 1 및 5의 경우, 비교예 8 보다 단파장대에서의 반사율은 다소 상승하지만, 장파장대에서는 작은 간섭폭으로 인해 반사율이 감소하였다. 그 결과, 고굴절층을 포함하는 본원 발명의 실시예들은 투과율 및 반사 b* 특성 등의 광학적 특성이 향상되었다.As shown in FIG. 1, in Examples 1 and 5 including a high refractive material, for example, TiO 2 , the reflectance at a shorter wavelength band is slightly higher than that of Comparative Example 8, but at a smaller wavelength band, The reflectance was reduced due to this. As a result, embodiments of the present invention including a high refractive index layer have improved optical properties such as transmittance and reflection b * properties.

일부 실시예에 있어서, 전술한 고굴절층(110), 금속 패턴(120), 투명 도전성 산화물(130) 및 패시베이션층(160)의 굴절률 관계는 하기 수학식 2을 만족할 수 있다.In some embodiments, the refractive index relationship between the high refractive index layer 110, the metal pattern 120, the transparent conductive oxide 130, and the passivation layer 160 may satisfy Equation 2 below.

[수학식 2][Equation 2]

n1>n3>n4>n2n1> n3> n4> n2

수학식 2에서, n1은 고굴절층(110)의 굴절률이고, n2는 금속 패턴(120)의 굴절률이며, n3은 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 굴절률이고, n4는 패시베이션층(160)의 굴절률을 나타낸다.In Equation 2, n1 is the refractive index of the high refractive index layer 110, n2 is the refractive index of the metal pattern 120, n3 is the refractive index of the transparent conductive oxide pattern 130, n4 is the refractive index of the passivation layer 160 Indicates.

도 3을 참조하면, 중간층이 센싱 전극(140) 형성을 위한 베이스 층으로 제공될 수 있다. 상기 중간층은 단일 층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 중간층은 제1 중간층(80) 및 제2 중간층(90)을 포함할 수 있다. 제1 중간층(80) 또는 제2 중간층(90) 중 적어도 하나는 유기 고분자를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, an intermediate layer may be provided as a base layer for forming the sensing electrode 140. The intermediate layer may have a single layer or a multilayer structure. In example embodiments, the intermediate layer may include a first intermediate layer 80 and a second intermediate layer 90. At least one of the first intermediate layer 80 or the second intermediate layer 90 may include an organic polymer.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 중간층(80)은 캐리어 기판과의 후속 박리 또는 분리 공정을 촉진하기 위한 기능층으로 포함될 수 있다. 예를 들면, 제1 중간층(80)은 고분자 유기막일 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스티렌(polystylene), 폴리노보넨(polynorbornene), 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 신나메이트(cinnamate), 쿠마린(coumarin), 프탈리미딘(phthalimidine), 칼콘(chalcone), 방향족 아세틸렌계 등의 고분자를 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합되어 사용될 수 있다. 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제1 중간층(80)은 신나메이트계 고분자일 수 있다.In example embodiments, the first intermediate layer 80 may be included as a functional layer to facilitate subsequent peeling or separation with the carrier substrate. For example, the first intermediate layer 80 may be a polymer organic film, and may be polyimide, polyvinyl alcohol, polyamic acid, polyamide, polyethylene, Polystyrene, polynorbornene, phenylmaleimide copolymer, polyazobenzene, polyphenylenephthalamide, polyester, polymethyl methacrylate It may include a polymer such as methacrylate, polyarylate, cinnamate, coumarin, phthalimidine, chalcone, aromatic acetylene, and the like. These may be used alone or in combination of two or more thereof. In a preferred embodiment, the first intermediate layer 80 may be a cinnamate polymer.

제2 중간층(90)은 상기 박리 공정에서 고굴절층(110) 및 센싱 전극(140)을 보호하기 위해 추가될 수 있다. 또한, 제2 중간층(90)은 고굴절층(110)과의 굴절률 정합을 위해 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 중간층(90)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질, 또는 고분자 계열의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.The second intermediate layer 90 may be added to protect the high refractive index layer 110 and the sensing electrode 140 in the peeling process. In addition, the second intermediate layer 90 may be formed to match the refractive index with the high refractive index layer 110. For example, the second intermediate layer 90 may include an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like, or a polymer-based organic insulating material.

일부 실시예들에 있어서, 상기 박리 공정을 통해 상기 캐리어 기판이 제1 중간층(80)으로부터 박리된 후, 기재(70)가 제1 중간층(80)의 저면으로 접합될 수 있다. 예를 들면, 기재(70)는 점접착층을 통해 제1 중간층(80)에 부착될 수 있다. 기재(70)는 예를 들면, 폴리이미드와 같은 유연성 수지 필름, 또는 편광 필름과 같은 각종 광학 기능층을 포함할 수 있다.In some embodiments, after the carrier substrate is peeled off from the first intermediate layer 80 through the peeling process, the substrate 70 may be bonded to the bottom surface of the first intermediate layer 80. For example, the substrate 70 may be attached to the first intermediate layer 80 through an adhesive layer. The substrate 70 may include, for example, a flexible resin film such as polyimide, or various optical functional layers such as a polarizing film.

도 4를 참조하면, 패시베이션 층(160) 상에는 광학 기능층(170)이 적층될 수 있다. 예를 들면, 광학 기능층(170)은 코팅형 편광자, 또는 연신형 편광판을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, an optical functional layer 170 may be stacked on the passivation layer 160. For example, the optical function layer 170 may include a coated polarizer or an elongated polarizer.

상기 연신형 편광판은 보호필름 및 편광자를 포함하며, 상기 보호필름 상에 점접착층을 도포 후, 패시베이션 층(160) 상에 상기 편광판을 접합할 수 있다.The stretched polarizing plate includes a protective film and a polarizer, and after applying an adhesive layer on the protective film, the polarizing plate may be bonded onto the passivation layer 160.

광학 기능층(170)은 위상차 판, 하드코팅층, 색 조절층 등을 포함할 수도 있다.The optical function layer 170 may include a retardation plate, a hard coating layer, a color control layer, and the like.

일부 실시예들에 있어서, 상기 터치 센서는 상호 정전 용량(Mutual Capacitance) 방식으로 구동될 수 있다.In some embodiments, the touch sensor may be driven in a mutual capacitive manner.

일부 실시예들에 있어서, 터치 센서는 자기 정전용량(Self Capacitance) 방식으로 구동될 수 있다. 이 경우, 센싱 전극은 각각 독립된 섬 형상의 단위 패턴을 포함하며, 상기 단위 패턴 각각이 트레이스 또는 배선과 연결될 수 있다.In some embodiments, the touch sensor may be driven in a self capacitance manner. In this case, each of the sensing electrodes may include an independent island pattern unit pattern, and each of the unit patterns may be connected to a trace or a wire.

상기 터치 센서는 예를 들면, 플렉시블 OLED 장치에 채용되어, 향상된 굽힘 특성을 가지면서 외부 환경에 대한 내구성 및 신뢰성과 시인성이 향상된 화상 표시 장치를 제공할 수 있다.The touch sensor may be employed in, for example, a flexible OLED device to provide an image display device having improved bending characteristics and improved durability, reliability, and visibility to an external environment.

도 5는 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.5 is a schematic diagram illustrating a window stack and an image display device according to example embodiments.

도 5를 참조하면, 윈도우 적층체(250)는 윈도우 기판(230), 편광층(210) 및 상술한 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서(200)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the window stack 250 may include a window substrate 230, a polarization layer 210, and a touch sensor 200 according to the above-described exemplary embodiments.

윈도우 기판(230)은 예를 들면 하드 코팅 필름을 포함하며, 일 실시예에 있어서, 윈도우 기판(230)의 일면의 주변부 상에 차광 패턴(235)이 형성될 수 있다. 차광 패턴(235)은 예를 들면 컬러 인쇄 패턴을 포함할 수 있으며, 단층 또는 복층 구조를 가질 수 있다. 차광 패턴(235)에 의해 화상 표시 장치의 베젤부 혹은 비표시 영역이 정의될 수 있다.The window substrate 230 may include, for example, a hard coating film. In one embodiment, the light blocking pattern 235 may be formed on a peripheral portion of one surface of the window substrate 230. The light blocking pattern 235 may include, for example, a color printing pattern, and may have a single layer or a multilayer structure. The bezel part or the non-display area of the image display device may be defined by the light blocking pattern 235.

편광층(210)은 코팅형 편광자 또는 편광판을 포함할 수 있다. 상기 코팅형 편광자는 중합성 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함하는 액정 코팅층을 포할 수 있다. 이 경우, 편광층(210)은 상기 액정 코팅층에 배향성을 부여하기 위한 배향막을 더 포함할 수 있다The polarizing layer 210 may include a coated polarizer or a polarizing plate. The coated polarizer may include a liquid crystal coating layer including a polymerizable liquid crystal compound and a dichroic dye. In this case, the polarization layer 210 may further include an alignment layer for imparting orientation to the liquid crystal coating layer.

예를 들면, 상기 편광판은 폴리비닐알코올계 편광자 및 상기 폴리비닐알코올계 편광자의 적어도 일면에 부착된 보호필름을 포함할 수 있다.For example, the polarizing plate may include a polyvinyl alcohol polarizer and a protective film attached to at least one surface of the polyvinyl alcohol polarizer.

편광층(210)은 윈도우 기판(230)의 상기 일면과 직접 접합되거나, 제1 점접착층(220)을 통해 부착될 수도 있다.The polarizing layer 210 may be directly bonded to the one surface of the window substrate 230 or may be attached through the first adhesive layer 220.

터치 센서(200)는 필름 또는 패널 형태로 윈도우 적층체(250)에 포함될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 터치 센서(200)는 제2 점접착층(225)를 통해 편광층(210)과 결합될 수 있다.The touch sensor 200 may be included in the window stack 250 in the form of a film or a panel. In one embodiment, the touch sensor 200 may be coupled to the polarization layer 210 through the second adhesive layer 225.

도 5에 도시된 바와 같이, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 편광층(210) 및 터치 센서(200) 순으로 배치될 수 있다. 이 경우, 터치 센서(200)의 센싱 전극들이 편광층(210) 아래에 배치되므로 패턴 시인 현상을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. As shown in FIG. 5, the window substrate 230, the polarizing layer 210, and the touch sensor 200 may be arranged in order from the user's visual recognition side. In this case, since the sensing electrodes of the touch sensor 200 are disposed under the polarization layer 210, the pattern recognition phenomenon may be more effectively prevented.

터치 센서(200)가 기판을 포함하는 경우, 상기 기판은 예를 들면 예를 들면 트리아세틸셀룰로오스, 트리아세틸셀룰로오스, 시클로올레핀, 시클로올레핀 공중합체, 폴리노르보르넨 공중합체 등을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 정면 위상차가 ±2.5nm 이하일 수 있다.When the touch sensor 200 includes a substrate, the substrate may include, for example, triacetyl cellulose, triacetyl cellulose, cycloolefin, cycloolefin copolymer, polynorbornene copolymer, and the like. Preferably, the front retardation may be ± 2.5 nm or less.

일 실시예에 있어서, 터치 센서(200)는 윈도우 기판(230) 또는 편광층(210) 상에 직접 전사될 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 터치 센서(200) 및 편광층(210) 순으로 배치될 수도 있다.In one embodiment, the touch sensor 200 may be directly transferred onto the window substrate 230 or the polarizing layer 210. In an exemplary embodiment, the window substrate 230, the touch sensor 200, and the polarization layer 210 may be arranged in order from the user's visual recognition side.

상기 화상 표시 장치는 표시 패널(360) 및 표시 패널(360) 상에 결합된 상술한 윈도우 적층체(250)를 포함할 수 있다.The image display device may include a display panel 360 and the above-described window stack 250 coupled to the display panel 360.

표시 패널(360)은 패널 기판(300) 상에 배치된 화소 전극(310), 화소 정의막(320), 표시층(330), 대향 전극(340) 및 인캡슐레이션 층(350)을 포함할 수 있다.The display panel 360 may include a pixel electrode 310, a pixel defining layer 320, a display layer 330, an opposite electrode 340, and an encapsulation layer 350 disposed on the panel substrate 300. Can be.

패널 기판(300) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소 회로가 형성되며, 상기 화소 회로를 덮는 절연막이 형성될 수 있다. 화소 전극(310)은 상기 절연막 상에서 예를 들면 TFT의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.A pixel circuit including a thin film transistor TFT may be formed on the panel substrate 300, and an insulating layer covering the pixel circuit may be formed. The pixel electrode 310 may be electrically connected to the drain electrode of the TFT, for example.

화소 정의막(320)은 상기 절연막 상에 형성되어 화소 전극(310)을 노출시켜 화소 영역을 정의할 수 있다. 화소 전극(310) 상에는 표시층(330)이 형성되며, 표시 층(330)은 예를 들면, 액정층 또는 유기 발광층을 포함할 수 있다.The pixel defining layer 320 may be formed on the insulating layer to expose the pixel electrode 310 to define a pixel region. The display layer 330 is formed on the pixel electrode 310, and the display layer 330 may include, for example, a liquid crystal layer or an organic emission layer.

화소 정의막(320) 및 표시층(330) 상에는 대향 전극(340)이 배치될 수 있다. 대향 전극(340)은 예를 들면, 화상 표시 장치의 공통 전극 또는 캐소드로 제공될 수 있다. 대향 전극(340) 상에 표시 패널(360) 보호를 위한 인캡슐레이션 층(350)이 적층될 수 있다.The opposite electrode 340 may be disposed on the pixel defining layer 320 and the display layer 330. The counter electrode 340 may be provided as, for example, a common electrode or a cathode of the image display device. An encapsulation layer 350 may be stacked on the counter electrode 340 to protect the display panel 360.

일부 실시예들에 있어서, 표시 패널(360) 및 윈도우 적층체(250)는 점접착층(260)을 통해 결합될 수도 있다. 예를 들면, 점접착층(260)의 두께는 제1 및 제2 점접착층(220, 225) 각각의 두께보다 클 수 있으며, -20 내지 80℃에서의 점탄성이 약 0.2MPa 이하일 수 있다. 이 경우, 표시 패널(360)로부터의 노이즈를 차페할 수 있고, 굴곡 시에 계면 응력을 완화하여 윈도우 적층체(250)의 손상을 억제할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 점탄성은 약 0.01 내지 0.15MPa일 수 있다.In some embodiments, the display panel 360 and the window stack 250 may be coupled through the adhesive layer 260. For example, the thickness of the adhesive layer 260 may be greater than the thickness of each of the first and second adhesive layers 220 and 225, and the viscoelasticity at −20 to 80 ° C. may be about 0.2 MPa or less. In this case, noise from the display panel 360 can be shielded, and interfacial stress can be alleviated during bending to suppress damage to the window stack 250. In one embodiment, the viscoelasticity may be about 0.01 to 0.15 MPa.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 포함하는 실험예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.Hereinafter, experimental examples including preferred embodiments are provided to help understanding of the present invention, but these examples are only for exemplifying the present invention, and do not limit the appended claims, and the scope and spirit of the present invention. It is apparent to those skilled in the art that various changes and modifications to the embodiments can be made within the scope, and such variations and modifications are within the scope of the appended claims.

실시예 및 비교예Examples and Comparative Examples

글래스 기판 상에 하기 표 1에 기재된 두께 및 성분으로 하부막/금속층/상부막의 3중막 및 패시베이션층을 형성하였다. 상기 패시베이션층은 상기 아크릴계 유기물질을 포함하는 패시베이션층 형성용 조성물로 형성하였다.On the glass substrate, the triple layer and the passivation layer of the lower film / metal layer / upper film were formed with the thickness and components shown in Table 1 below. The passivation layer was formed of a composition for forming a passivation layer containing the acrylic organic material.

구분division 하부막Bottom film 금속층
(APC)
(nm)
Metal layer
(APC)
(nm)
상부막Top film 패시베이션층Passivation layer
성분ingredient 두께
(nm)
thickness
(nm)
굴절률Refractive index 성분ingredient 두께
(nm)
thickness
(nm)
굴절률Refractive index 굴절률Refractive index 두께
(㎛)
thickness
(Μm)
실시예 1Example 1 TiO2 TiO 2 4545 2.32.3 1010 IZOIZO 4545 2.02.0 1.51.5 22 실시예 2Example 2 TiO2 TiO 2 4545 2.32.3 1010 IZOIZO 4545 2.02.0 1.51.5 33 실시예 3Example 3 TiO2 TiO 2 4545 2.32.3 1010 IZOIZO 4545 2.02.0 1.41.4 22 실시예 4Example 4 TiO2 TiO 2 4545 2.32.3 1010 IZOIZO 4545 2.02.0 1.61.6 22 실시예 5Example 5 TiO2 TiO 2 4545 2.32.3 1010 IZOIZO 3636 2.02.0 1.51.5 22 실시예 6Example 6 TiO2 TiO 2 4545 2.32.3 1010 ITOITO 4545 1.91.9 1.51.5 22 실시예 7Example 7 TiO2 TiO 2 4545 2.32.3 1010 ITOITO 4545 1.91.9 1.51.5 33 실시예 8Example 8 TiO2 TiO 2 4545 2.32.3 1010 IZOIZO 4545 2.02.0 1.21.2 22 비교예 1Comparative Example 1 TiO2 TiO 2 4545 2.32.3 1010 IZOIZO 4545 2.02.0 1.81.8 22 비교예 2Comparative Example 2 ITOITO 4545 1.91.9 1010 ITOITO 4545 1.91.9 1.51.5 22 비교예 3Comparative Example 3 IZOIZO 4545 2.02.0 1010 IZOIZO 4545 2.02.0 1.51.5 22 비교예 4Comparative Example 4 ITOITO 4545 1.91.9 1010 IZOIZO 4545 2.02.0 1.51.5 22

실험예Experimental Example

(1) 광학적 특성 측정(1) Optical property measurement

CM3700D(미놀타社)를 이용하여 상기 실시예 및 비교예의 3중막의 투과율을 측정하였다. 또한, 반사로 보았을 때의 시인되는 색상인 반사 b*의 값을 측정하였다. 측정결과는 하기 표 2에 기재하였다.The transmittance of the triple layer of the Examples and Comparative Examples was measured using CM3700D (Minolta Co., Ltd.). In addition, the value of the reflection b * which is the color visually recognized by the reflection was measured. The measurement results are shown in Table 2 below.

상기 광학적 특성 측정값에서, 빛이 투과하는 정도인 투과율은 높을수록 좋으며, 반사 b* 값은 0에 가까울수록 좋다.In the optical characteristic measurement value, the transmittance, which is a degree of light transmission, is better, and the reflection b * value is closer to zero.

이 중 실시예 1, 실시예 5 및 비교예 8의 파장대별 반사율을 측정하여 도 1에 도시하였다. 도 1에서, x축은 빛의 파장(nm)이며, y축은 반사율(%)를 의미한다.Among them, reflectances of wavelength bands of Example 1, Example 5, and Comparative Example 8 were measured and shown in FIG. 1. In FIG. 1, the x-axis is the wavelength of light (nm) and the y-axis is the reflectance (%).

(2) 전기 저항 측정(2) electrical resistance measurement

4 Point Probe 면저항 측정기(Napson社)를 이용하여 상기 실시예 및 비교예의 구조체의 면저항을 측정하였다. 측정결과는 하기 표 2에 기재하였다.The sheet resistance of the structures of Examples and Comparative Examples was measured using a 4 Point Probe sheet resistance meter (Napson). The measurement results are shown in Table 2 below.

구분division 투과율(%)Transmittance (%) 반사 b*Reflection b * 면저항
(Ω/□)
Sheet resistance
(Ω / □)
실시예 1Example 1 80.680.6 -6.3-6.3 10.110.1 실시예 2Example 2 80.680.6 -6.3-6.3 10.110.1 실시예 3Example 3 81.081.0 -6.8-6.8 10.110.1 실시예 4Example 4 80.480.4 -4.8-4.8 10.110.1 실시예 5Example 5 80.380.3 -2.1-2.1 9.99.9 실시예 6Example 6 80.380.3 -3.3-3.3 9.79.7 실시예 7Example 7 80.380.3 -3.3-3.3 9.79.7 실시예 8Example 8 83.083.0 -2.0-2.0 9.89.8 비교예 1Comparative Example 1 78.078.0 7.47.4 9.89.8 비교예 2Comparative Example 2 76.476.4 7.77.7 9.99.9 비교예 3Comparative Example 3 77.277.2 7.37.3 10.110.1 비교예 4Comparative Example 4 76.876.8 7.57.5 10.010.0

표 2를 참조하면, 하부막, 금속층 및 상부막이 소정의 굴절률 관계를 만족하고, 패시베이션층의 굴절률이 본 발명의 범위를 만족하는 실시예들의 경우, 굴절률 및 반사 b* 특성 등의 광학적 특성이 우수한 결과를 얻을 수 있었다.한편, 패시베이션층의 굴절률이 본원 발명에서 한정하는 범위를 벗어나는 비교예 1의 경우, 광학적 특성, 특히 투과율이 실시예들에 비해 저하되었다.Referring to Table 2, in the embodiments where the lower layer, the metal layer, and the upper layer satisfy a predetermined refractive index relationship, and the refractive index of the passivation layer satisfies the scope of the present invention, the optical properties such as refractive index and reflective b * characteristics are excellent. On the other hand, in the case of Comparative Example 1 in which the refractive index of the passivation layer is outside the range defined by the present invention, the optical properties, in particular, the transmittance were lower than those in the Examples.

ITO/APC/ITO 구조체인 비교예 2 및 3의 경우, 실시예에 비해 투과율이 저하되는 등, 광학적 특성이 좋지 못한 결과를 얻을 수 있었다.In Comparative Examples 2 and 3, which are ITO / APC / ITO structures, optical properties such as poor transmittance were obtained as compared with Examples.

IZO/APC/ITO 구조체인 비교예 4의 경우, 실시예에 비해 투과율과 반사 b* 특성이 저하되는 등, 광학적 특성이 저하되는 결과를 얻을 수 있었다.In the case of Comparative Example 4, which is an IZO / APC / ITO structure, optical properties, such as a decrease in transmittance and reflection b * characteristics, were obtained in comparison with Examples.

70: 기재 80: 제1 중간층
90: 제2 중간층 100: 베이스층
110: 고굴절층 120: 금속 패턴
130: 투명 금속 산화물 패턴 140: 센싱 전극
160: 패시베이션층 170: 광학 기능층
200: 베이스 기판 205: 화소 정의막
210: 표시층 215: 전극
220, 230: 제1 및 제2 층간 절연막
240: 광학층 250: 윈도우 기판
400a: 상부 커버 400b: 하부 커버
410: 메인 보드 420: 표시 패널
430: 터치 센서 440: 회로 구조물
70: base material 80: first intermediate layer
90: second intermediate layer 100: base layer
110: high refractive layer 120: metal pattern
130: transparent metal oxide pattern 140: sensing electrode
160: passivation layer 170: optical functional layer
200: base substrate 205: pixel defining film
210: display layer 215: electrode
220, 230: first and second interlayer insulating films
240: optical layer 250: window substrate
400a: upper cover 400b: lower cover
410: main board 420: display panel
430: touch sensor 440: circuit structure

Claims (16)

베이스 층;
상기 베이스 층 상에 배치된 고굴절층;
상기 고굴절층 상에 배치되며 순차적으로 적층된 금속 패턴 및 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 센싱 전극; 및
상기 센싱 전극을 덮는 패시베이션층;을 포함하며,
상기 고굴절층, 금속 패턴, 투명 도전성 산화물 패턴의 굴절률은 하기 수학식 1을 만족하고,
상기 패시베이션층은 굴절률이 1 초과 내지 1.6 이하인, 터치 센서:
[수학식 1]
n1>n3>n2
(식 중, n1은 고굴절층의 굴절률, n2는 금속 패턴의 굴절률, n3은 투명 도전성 산화물 패턴의 굴절률임)
Base layer;
A high refractive layer disposed on the base layer;
A sensing electrode disposed on the high refractive layer and including a metal pattern and a transparent conductive oxide pattern sequentially stacked; And
And a passivation layer covering the sensing electrode.
The refractive index of the high refractive index layer, the metal pattern, and the transparent conductive oxide pattern satisfies Equation 1 below.
Wherein the passivation layer has a refractive index greater than 1 and less than or equal to 1.6:
[Equation 1]
n1>n3> n2
(Wherein n1 is the refractive index of the high refractive index layer, n2 is the refractive index of the metal pattern, and n3 is the refractive index of the transparent conductive oxide pattern)
청구항 1에 있어서, 상기 고굴절층의 굴절률은 2.2 내지 2.7인, 터치 센서.The touch sensor of claim 1, wherein the high refractive index layer has a refractive index of 2.2 to 2.7. 청구항 1에 있어서, 상기 고굴절층은 부도체인, 터치 센서.The touch sensor of claim 1, wherein the high refractive layer is an insulator. 청구항 1에 있어서, 상기 고굴절층은 TiO2, ZrO2 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.The touch sensor of claim 1, wherein the high refractive layer comprises at least one selected from TiO 2 , ZrO 2, and mixtures thereof. 청구항 1에 있어서, 상기 금속 패턴의 굴절률은 0 초과 내지 1 이하인, 터치 센서.The touch sensor of claim 1, wherein the refractive index of the metal pattern is greater than 0 to 1 or less. 청구항 1에 있어서, 상기 금속 패턴은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 텔레늄(Te) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속, 상기 금속의 합금 또는 상기 금속의 나노와이어를 포함하는, 터치 센서.The method of claim 1, wherein the metal pattern is gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), tungsten (W), titanium (Ti), tantalum (Ta), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), vanadium (V), niobium (Nb), telenium (Te) and molybdenum (Mo) At least one metal selected from the group consisting of, the alloy of the metal or nanowire of the metal, the touch sensor. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물 패턴은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO) 및 인듐갈륨산화물(IGO)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.The method of claim 1, wherein the transparent conductive oxide pattern is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), zinc oxide (ZnOx), indium oxide (InOx) ), A touch sensor comprising at least one selected from the group consisting of tin oxide (SnOx), cadmium tin oxide (CTO), gallium-doped zinc oxide (GZO), zinc tin oxide (ZTO) and indium gallium oxide (IGO). . 청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물 패턴의 굴절률은 1.7 내지 2.1인, 터치 센서.The touch sensor of claim 1, wherein a refractive index of the transparent conductive oxide pattern is 1.7 to 2.1. 청구항 1에 있어서, 상기 센싱 전극은 메쉬 패턴 구조를 포함하는, 터치 센서.The touch sensor of claim 1, wherein the sensing electrode comprises a mesh pattern structure. 윈도우 기판; 및
상기 윈도우 기판의 일면 상에 적층된 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.
Window substrates; And
A window laminate comprising the touch sensor according to any one of claims 1 to 9 stacked on one surface of the window substrate.
청구항 10에 있어서, 상기 윈도우 기판의 상기 일면 상에 적층된 편광층을 더 포함하는, 윈도우 적층체.The window laminate of claim 10, further comprising a polarizing layer laminated on the one surface of the window substrate. 청구항 11에 있어서, 상기 편광층의 상면이 상기 윈도우 기판의 상기 일면 상으로 적층되며, 상기 터치 센서의 상면이 상기 편광층의 저면 상으로 적층되는, 윈도우 적층체.The window laminate according to claim 11, wherein an upper surface of the polarizing layer is laminated on the one surface of the window substrate, and an upper surface of the touch sensor is laminated on the bottom surface of the polarizing layer. 청구항 12에 있어서, 상기 편광층 및 상기 윈도우 기판을 서로 접합하는 제1 점접착층, 및 상기 터치 센서 및 상기 편광층을 서로 접합하는 제2 점접착층을 더 포함하는, 윈도우 적층체.The window laminate according to claim 12, further comprising a first adhesive layer for bonding the polarizing layer and the window substrate to each other, and a second adhesive layer for bonding the touch sensor and the polarizing layer to each other. 청구항 10에 있어서, 상기 윈도우 기판의 상기 일면의 주변부에 형성된 차광 패턴을 더 포함하는, 윈도우 적층체.The window laminate of claim 10, further comprising a light shielding pattern formed at a periphery of the one surface of the window substrate. 표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 적층되며 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 터치 센서를 포함하는 윈도우 적층체를 포함하는, 화상 표시 장치.
Display panel; And
An image display device comprising a window stack stacked on the display panel and comprising a touch sensor according to any one of claims 1 to 9.
청구항 15에 있어서, 상기 표시 패널 및 상기 윈도우 적층체 사이를 서로 접합하는 점접착층을 더 포함하는, 화상 표시 장치.The image display device according to claim 15, further comprising an adhesive layer for bonding the display panel and the window stack to each other.
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