KR102015864B1 - Touch sensor and display device including the same - Google Patents

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KR102015864B1
KR102015864B1 KR1020170028090A KR20170028090A KR102015864B1 KR 102015864 B1 KR102015864 B1 KR 102015864B1 KR 1020170028090 A KR1020170028090 A KR 1020170028090A KR 20170028090 A KR20170028090 A KR 20170028090A KR 102015864 B1 KR102015864 B1 KR 102015864B1
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Abstract

본 발명의 터치 센서는 베이스 층, 베이스 층 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 각각 포함하는 복수의 센싱 전극들, 및 각각의 센싱 전극의 표면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 포함한다. 도전성 캡핑 패턴에 의해 금속 패턴의 외부 환경에 의한 부식 및 손상을 억제할 수 있다.The touch sensor of the present invention includes a base layer, a plurality of sensing electrodes each comprising a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern and a second transparent conductive oxide pattern sequentially stacked on the base layer, and a surface of each sensing electrode. Conductive capping pattern covering the. By the electroconductive capping pattern, corrosion and damage by the external environment of a metal pattern can be suppressed.

Description

터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치{TOUCH SENSOR AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}TOUCH SENSOR AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}

본 발명은 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 복층 구조의 전극 패턴들을 포함하는 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a touch sensor and an image display device including the same. More particularly, the present invention relates to a touch sensor including an electrode pattern having a multilayer structure, and an image display device including the same.

최근 정보화 기술(IT)이 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 제시되고 있다. 예를 들면, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전계발광표시장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광다이오드표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.Recently, with the development of information technology (IT), the demand for the display field is also presented in various forms. For example, a flat panel display device having features such as thinness, light weight, and low power consumption, for example, a liquid crystal display device, a plasma display panel device, Electro luminescent display devices and organic light-emitting diode display devices have been studied.

한편, 상기 표시 장치 상에 내장되어 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치인 터치 스크린 패널(touch screen panel)이 디스플레이 장치와 결합되어 화상 표시 기능 및 정보 입력 기능이 함께 구현된 전자 기기들이 개발되고 있다. On the other hand, a touch screen panel, which is an input device that is embedded on the display device and inputs a user's command by selecting an instruction content displayed on the screen with a human hand or an object, is combined with a display device to display an image BACKGROUND Electronic devices in which display and information input functions are implemented are being developed.

터치 스크린 패널은 터치 센서의 동작 방식에 따라, 정전 용량 방식, 광감지 방식, 저항막 방식 등으로 구분될 수 있다. 정전 용량 방식의 터치 센서의 경우, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 센싱 패턴이 주변의 다른 센싱패턴 또는 접지전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉 위치를 전기적 신호로 변환한다.The touch screen panel may be classified into a capacitive type, a light sensing type, a resistive film type, and the like according to an operation method of the touch sensor. In the case of a capacitive touch sensor, when a human hand or an object comes into contact with each other, the sensing position is converted into an electrical signal by detecting a change in capacitance formed by another sensing pattern or a ground electrode.

터치 센서에 포함되는 상기 도전성 센싱 패턴은 디스플레이 장치에 적용되는 경우, 고투과성을 가지면서 향상된 전기적 특성(예를 들면, 낮은 저항)을 가질 필요가 있다. 또한, 외부 습도, 공기에 의한 변성에 대해 향상된 저항 또는 내성을 가질 필요가 있다.When the conductive sensing pattern included in the touch sensor is applied to a display device, it is necessary to have high transparency and have improved electrical characteristics (eg, low resistance). It is also necessary to have improved resistance or resistance to external humidity, denaturation by air.

최근에는 접힙 또는 굽힙이 가능한 플렉시블 디스플레이가 개발되고 있으며, 터치 센서가 상기 플렉시블 디스플레이에 적용되는 경우, 상기 도전성 센싱 패턴 역시 향상된 유연성 또는 플렉시블 특성을 가질 필요가 있다.Recently, a flexible display that can be folded or bent has been developed. When the touch sensor is applied to the flexible display, the conductive sensing pattern also needs to have improved flexibility or flexibility.

예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 최근 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있으나, 상술한 바와 같이 광학적, 전기적, 기계적 특성이 함께 향상된 터치 센서 또는 터치 패널의 요구가 지속되고 있다.For example, as disclosed in Korean Patent Application Publication No. 2014-0092366, a touch screen panel in which a touch sensor is coupled to various image display devices has recently been developed, but as described above, a touch sensor having improved optical, electrical, and mechanical properties, or The demand for touch panels continues.

한국공개특허 제2014-0092366호Korean Patent Publication No. 2014-0092366

본 발명의 일 과제는 광학적, 전기적, 기계적 특성이 향상된 터치 센서를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a touch sensor with improved optical, electrical, and mechanical properties.

본 발명의 일 과제는 광학적, 전기적, 기계적 특성이 향상된 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널 또는 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a touch screen panel or an image display device including a touch sensor with improved optical, electrical, and mechanical properties.

1. 베이스 층; 상기 베이스 층 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 각각 포함하는 복수의 센싱 전극들; 및 각각의 상기 센싱 전극의 표면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.1. Base layer; A plurality of sensing electrodes each including a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern sequentially stacked on the base layer; And a conductive capping pattern covering a surface of each of the sensing electrodes.

2. 위 1에 있어서, 상기 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 상기 제2 투명 도전성 산화물 패턴 및 상기 도전성 캡핑 패턴은 각각 독립적으로 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO) 및 인듐갈륨산화물(IGO)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.2. In the above 1, wherein the first transparent conductive oxide pattern, the second transparent conductive oxide pattern and the conductive capping pattern are each independently indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide ( IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), zinc oxide (ZnOx), indium oxide (InOx), tin oxide (SnOx), cadmium tin oxide (CTO), gallium-doped zinc oxide (GZO), zinc tin oxide (ZTO) And at least one selected from the group consisting of indium gallium oxide (IGO).

3. 위 1에 있어서, 상기 금속 패턴은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 텔레늄(Te) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속, 상기 금속의 합금 또는 상기 금속의 나노와이어를 포함하는, 터치 센서.3. In the above 1, the metal pattern is gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), tungsten (W) , Titanium (Ti), tantalum (Ta), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), vanadium (V), niobium (Nb), telenium (Te) and molybdenum (Mo) Touch sensor comprising at least one metal selected from the group consisting of), an alloy of the metal or nanowire of the metal.

4. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극은 메쉬 패턴 구조를 포함하는, 터치 센서.4. In the above 1, wherein the sensing electrode includes a mesh pattern structure, the touch sensor.

5. 위 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 센싱 전극의 측벽 및 상면을 덮는, 터치 센서.5. In the above 1, wherein the conductive capping pattern covers the side wall and the upper surface of the sensing electrode, the touch sensor.

6. 위 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴의 너비는 상기 베이스 층 측으로 갈수록 증가하는, 터치 센서.6. In the above 1, wherein the width of the conductive capping pattern increases toward the base layer side, the touch sensor.

7. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들을 덮는 절연층; 및 상기 절연층을 관통하며 상기 센싱 전극들 중 이웃하는 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴을 더 포함하며, 상기 브릿지 패턴은 상기 도전성 캡핑 패턴과 접촉하는, 터치 센서.7. In the above 1, the insulating layer covering the sensing electrodes; And a bridge pattern penetrating the insulating layer and electrically connecting neighboring sensing electrodes of the sensing electrodes, wherein the bridge pattern is in contact with the conductive capping pattern.

8. 위 1에 있어서, 상기 센싱 전극들 및 외부 회로를 서로 연결시키는 패드를 더 포함하는, 터치 센서.8. The touch sensor according to the above 1, further comprising a pad connecting the sensing electrodes and an external circuit to each other.

9. 위 8에 있어서, 상기 패드는 상기 센싱 전극과 동일한 재질의 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는, 터치 센서.9. In the above 8, wherein the pad includes a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern and a second transparent conductive oxide pattern of the same material as the sensing electrode, the touch sensor.

10. 위 8에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 센싱 전극을 덮는 제1 도전성 캡핑 패턴 및 상기 패드를 덮는 제2 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.10. The touch sensor of claim 8, wherein the conductive capping pattern includes a first conductive capping pattern covering the sensing electrode and a second conductive capping pattern covering the pad.

11. 위 10에 있어서, 상기 제2 도전성 캡핑 패턴의 상면을 노출시키는 콘택 홀이 형성된 패시베이션층을 더 포함하는, 터치 센서.11. The touch sensor according to the above 10, further comprising a passivation layer formed with a contact hole exposing an upper surface of the second conductive capping pattern.

12. 위 11에 있어서, 상기 외부 회로는 상기 콘택 홀을 통해 상기 제2 도전성 캡핑 패턴과 접촉하는, 터치 센서.12. The touch sensor of claim 11, wherein the external circuit contacts the second conductive capping pattern through the contact hole.

13. 위 1에 있어서, 상기 베이스 층은 유기 고분자를 포함하는 적어도 하나의 중간층을 포함하는, 터치 센서.13. In the above 1, wherein the base layer includes at least one intermediate layer containing an organic polymer, the touch sensor.

14. 베이스 층; 상기 베이스 층 상에 배열된 복수의 센싱 전극들; 및 상기 센싱 전극들 중 이웃하는 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴을 포함하며, 14. base layer; A plurality of sensing electrodes arranged on the base layer; And a bridge pattern that electrically connects some of the sensing electrodes that are adjacent to the sensing electrodes.

상기 센싱 전극 또는 상기 브릿지 패턴 중 적어도 하나는 순차적으로 배치된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 적층 구조를 가지며, 상기 적층 구조의 표면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.At least one of the sensing electrode or the bridge pattern has a laminated structure including a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern sequentially disposed, and includes a conductive capping pattern covering a surface of the stacked structure. Including, touch sensor.

15. 위 14에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 도전성 금속 산화물을 포함하는, 터치 센서.15. The touch sensor of claim 14, wherein the conductive capping pattern includes a conductive metal oxide.

16. 위 1 내지 15중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.16. Image display device comprising the touch sensor of any one of 1 to 15 above.

본 발명의 실시예들에 따르는 터치 센서에 있어서, 센싱 전극을 제1 투명 도전성 산화물 패턴-금속 패턴-제2 투명 도전성 산화물 패턴 적층구조를 포함하는 복층 구조로 형성할 수 있다. 따라서, 터치 센서의 투과도를 향상시키면서, 센싱 전극의 채널 저항을 감소시켜 고감도 센싱 전극을 구현할 수 있다. 또한, 중간에 삽입된 상기 금속 패턴에 의해 접힙, 굽힙 등과 같은 플렉시블 특성이 함께 향상될 수 있다.In the touch sensor according to the embodiments of the present invention, the sensing electrode may be formed in a multilayer structure including a first transparent conductive oxide pattern-metal pattern-second transparent conductive oxide pattern layered structure. Therefore, while improving the transmittance of the touch sensor, it is possible to implement a high sensitivity sensing electrode by reducing the channel resistance of the sensing electrode. In addition, flexible characteristics such as folding and bending may be improved by the metal pattern inserted in the middle.

또한, 예시적인 실시예들에 따르면, 센싱 전극의 표면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 형성할 수 있다. 상기 도전성 캡핑 패턴에 의해 금속 패턴의 습기, 공기 접촉에 의한 부식, 손상을 방지할 수 있다. 따라서, 외부 환경에 대해 신뢰성이 향상된 터치 센서를 획득할 수 있다.In addition, according to example embodiments, a conductive capping pattern covering the surface of the sensing electrode may be formed. The conductive capping pattern may prevent corrosion of the metal pattern, corrosion due to air contact, and damage. Therefore, it is possible to obtain a touch sensor having improved reliability with respect to the external environment.

또한, 상기 도전성 캡핑 패턴은 배선부에 형성된 패드 상에도 형성될 수 있으며, 구동 회로와 연결을 위해 노출되는 상기 패드의 신뢰성 역시 향상될 수 있다.In addition, the conductive capping pattern may be formed on the pad formed on the wiring part, and the reliability of the pad exposed for connection with the driving circuit may be improved.

상기 터치 센서는 우수한 전기적, 기계적 신뢰성을 가지며 플렉시블 OLED, LCD 장치와 같은 화상 표시 장치에 효과적으로 적용될 수 있다.The touch sensor has excellent electrical and mechanical reliability and can be effectively applied to an image display device such as a flexible OLED and an LCD device.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4 및 도 5는 일부 실시예들에 따른 터치 센서의 센싱 전극 구조를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 6은 예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view illustrating a touch sensor according to example embodiments.
2 is a schematic cross-sectional view illustrating a touch sensor in accordance with example embodiments.
3 is a schematic cross-sectional view illustrating a touch sensor according to exemplary embodiments.
4 and 5 are plan and cross-sectional views illustrating a sensing electrode structure of a touch sensor according to some embodiments.
6 is a schematic cross-sectional view illustrating an image display device according to example embodiments.

본 발명의 실시예들은 베이스 층; 상기 베이스 층 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 각각 포함하는 복수의 센싱 전극들; 및 상기 각각의 센싱 전극의 표면을 덮은 도전성 캡핑 패턴을 포함하는 터치 센서를 제공한다. 상기 도전성 캡핑 패턴에 의해 상기 센싱 전극의 내부식성이 향상되고, 원하는 전기적 동작 특성을 고신뢰성으로 유지할 수 있다.Embodiments of the invention include a base layer; A plurality of sensing electrodes each including a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern sequentially stacked on the base layer; And a conductive capping pattern covering a surface of each sensing electrode. Corrosion resistance of the sensing electrode may be improved by the conductive capping pattern, and desired electrical operation characteristics may be maintained with high reliability.

이하 첨부된 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예들을 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the following drawings attached to the specification are for exemplifying preferred embodiments of the present invention, and together with the contents of the present invention serves to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention described in such drawings It should not be construed as limited to matters.

도 1 내지 도 3은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도들이다.1 to 3 are schematic cross-sectional views illustrating touch sensors according to exemplary embodiments.

도 1을 참조하면, 상기 터치 센서는 베이스 층(100), 베이스 층(100) 상에 적층된 센싱 전극들(140), 및 센싱 전극들(140)을 덮는 패시베이션 층(160)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the touch sensor may include a base layer 100, sensing electrodes 140 stacked on the base layer 100, and a passivation layer 160 covering the sensing electrodes 140. have.

베이스 층(100)은 센싱 전극(140) 형성을 위한 지지층으로 제공될 수 있다. 본 명세서에서, 베이스 층(100)은 센싱 전극(140)의 하부 부재를 포괄하는 의미로 사용된다. 예를 들면, 베이스 층(100)은 필름 타입의 부재 또는 기판을 포괄할 수 있으며, 또는 센싱 전극(140)이 형성되는 대상체(예를 들면, 디스플레이 장치의 표시 패널)를 포괄할 수 있다.The base layer 100 may be provided as a support layer for forming the sensing electrode 140. In the present specification, the base layer 100 is used to encompass the lower member of the sensing electrode 140. For example, the base layer 100 may include a film-type member or a substrate, or may include an object (eg, a display panel of a display device) on which the sensing electrode 140 is formed.

베이스 층(100)은 예를 들면, 글래스, 플라스틱, 또는 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 트리아세틸 셀룰로오스(TAC) 등과 같은 유연성 수지를 포함할 수 있다.The base layer 100 may be, for example, glass, plastic, or polyimide (PI), polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polymethylmethacrylate (PMMA), triacetyl cellulose (TAC), or the like. The same flexible resin may be included.

센싱 전극(140)은 베이스 층(100) 상에 순차적으로 형성된 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110), 금속 패턴(120) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)을 포함할 수 있다.The sensing electrode 140 may include a first transparent conductive oxide pattern 110, a metal pattern 120, and a second transparent conductive oxide pattern 130 sequentially formed on the base layer 100.

제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)은 베이스 층(100)으로부터 확산되는 예를 들면, 유기 물질에 대한 배리어로 제공될 수 있다. 또한, 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)은 금속 패턴(120)의 하부 배리어 또는 하부 보호 패턴으로 기능할 수 있다.The first transparent conductive oxide pattern 110 may be provided as a barrier to, for example, an organic material that is diffused from the base layer 100. In addition, the first transparent conductive oxide pattern 110 may function as a lower barrier or lower protective pattern of the metal pattern 120.

제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)은 비제한적인 예로서, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO), 인듐갈륨산화물(IGO) 등과 같은 도전성을 갖는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.The first transparent conductive oxide pattern 110 is a non-limiting example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), zinc oxide (ZnOx) Metal oxides having conductivity such as indium oxide (InOx), tin oxide (SnOx), cadmium tin oxide (CTO), gallium-doped zinc oxide (GZO), zinc tin oxide (ZTO), indium gallium oxide (IGO), and the like. It may include. These may be used alone or in combination of two or more.

일 실시예에 있어서, 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)은 저온 결정성 및 배리어 특성 향상을 고려하여 IZO로 형성될 수 있다.In an exemplary embodiment, the first transparent conductive oxide pattern 110 may be formed of IZO in consideration of low temperature crystallinity and barrier property improvement.

일 실시예에 있어서, 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)은 약 10 내지 70nm의 두께로 형성될 수 있다. 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)의 두께가 약 10nm 미만인 경우, 유기 물질에 대한 충분한 배리어 기능이 구현되지 않을 수 있다. 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)의 두께가 약 70nm를 초과하는 경우, 센싱 전극(140)의 저항이 지나치게 상승하며 균일한 패턴 형상이 용이하게 구현되지 않을 수 있다.In one embodiment, the first transparent conductive oxide pattern 110 may be formed to a thickness of about 10 to 70nm. When the thickness of the first transparent conductive oxide pattern 110 is less than about 10 nm, sufficient barrier function for the organic material may not be implemented. When the thickness of the first transparent conductive oxide pattern 110 exceeds about 70 nm, the resistance of the sensing electrode 140 may be excessively increased and a uniform pattern shape may not be easily implemented.

일 실시예에 있어서, 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)의 굴절률은 금속 패턴(120)과의 광학 정합성을 고려하여 약 1.7 내지 2.2 범위를 가질 수 있다.In example embodiments, the refractive index of the first transparent conductive oxide pattern 110 may range from about 1.7 to 2.2 in consideration of optical compatibility with the metal pattern 120.

금속 패턴(120)은 비제한적인 예로서, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 텔레늄(Te), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo)과 같은 금속, 이들 금속의 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC)), 금속 또는 합금의 나노와이어를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 금속 패턴(125)은 저저항 및 고감도 구현을 위해 APC를 포함하도록 형성될 수 있다.Metal pattern 120 is a non-limiting example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), tungsten (W) ), Titanium (Ti), tantalum (Ta), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), telenium (Te), vanadium (V), niobium (Nb), molybdenum ( Metals such as Mo), alloys of these metals (eg, silver-palladium-copper (APC)), nanowires of metals or alloys. In one embodiment, the metal pattern 125 may be formed to include the APC for low resistance and high sensitivity.

금속 패턴(120)이 센싱 전극(140)에 포함됨에 따라, 센싱 전극(140)이 투명 도전성 산화물로 구성되는 경우보다, 플렉시블 특성이 향상되며, 채널 저항이 감소될 수 있다.As the metal pattern 120 is included in the sensing electrode 140, the flexible characteristic may be improved and the channel resistance may be reduced, compared with the case in which the sensing electrode 140 is made of a transparent conductive oxide.

금속 패턴(120)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니나, 약 5 내지 30nm일 수 있다.The thickness of the metal pattern 120 is not particularly limited, but may be about 5 to 30 nm.

제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 상술한 도전성 금속 산화물을 포함할 수 있다. 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)과 동일하거나 상이한 전도성 금속 산화물을 포함할 수 있다.The second transparent conductive oxide pattern 130 may include the conductive metal oxide described above. The second transparent conductive oxide pattern 130 may include the same or different conductive metal oxide as the first transparent conductive oxide pattern 110.

일 실시예에 있어서, 전도성 및 투과도 향상 측면을 고려하여 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 ITO로 형성될 수 있다.In an exemplary embodiment, the second transparent conductive oxide pattern 130 may be formed of ITO in consideration of an aspect of improving conductivity and transmittance.

일 실시예에 있어서. 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 두께는 약 10 내지 140nm로 형성될 수 있다. 센싱 전극(140) 형성을 위한 식각 공정 시, 금속 패턴(120)의 손상 방지를 위해 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)보다 큰 두께를 가질 수 있다. In one embodiment. The thickness of the second transparent conductive oxide pattern 130 may be about 10 to 140 nm. In the etching process for forming the sensing electrode 140, the second transparent conductive oxide pattern 130 may have a thickness greater than that of the first transparent conductive oxide pattern 110 to prevent damage to the metal pattern 120.

예를 들면, 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 두께가 약 10nm 미만인 경우, 금속 패턴(120)에 대한 충분한 상부 배리어가 제공되지 않을 수 있다. 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 두께가 약 140nm를 초과하는 경우, 터치 센서의 투과도가 지나치게 감소될 수 있으며, 센싱 전극(140) 형성을 위한 식각 공정 시간이 지나치게 증가될 수 있다.For example, when the thickness of the second transparent conductive oxide pattern 130 is less than about 10 nm, a sufficient upper barrier may not be provided for the metal pattern 120. When the thickness of the second transparent conductive oxide pattern 130 exceeds about 140 nm, the transmittance of the touch sensor may be excessively reduced, and an etching process time for forming the sensing electrode 140 may be excessively increased.

일 실시예에 있어서, 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 굴절률은 금속 패턴(120)과의 광학 정합성을 고려하여 약 1.7 내지 2.2 범위를 가질 수 있다.In example embodiments, the refractive index of the second transparent conductive oxide pattern 130 may range from about 1.7 to 2.2 in consideration of optical compatibility with the metal pattern 120.

예시적인 실시예들에 따르면, 센싱 전극(140)은 메쉬(mesh) 패턴 구조를 포함할 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극(140)에 포함된 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110), 금속 패턴(120) 및/또는 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)은 상기 메쉬 패턴 구조로 형성될 수 있다.In example embodiments, the sensing electrode 140 may include a mesh pattern structure. For example, the first transparent conductive oxide pattern 110, the metal pattern 120, and / or the second transparent conductive oxide pattern 130 included in the sensing electrode 140 may be formed in the mesh pattern structure.

메쉬 패턴은 네트(net) 또는 벌집(honeycomb) 형태의 내부 구조를 포함할 수 있다. 또한, 상기 메쉬 패턴은 직각 사각형 메쉬 구조, 마름모 메쉬 구조, 육각형 메쉬 구조 등을 포함할 수 있으며, 오목 다각형 메쉬 구조를 포함할 수도 있다.The mesh pattern may include an internal structure in the form of a net or honeycomb. The mesh pattern may include a rectangular rectangular mesh structure, a rhombus mesh structure, a hexagonal mesh structure, or the like, and may include a concave polygonal mesh structure.

센싱 전극(140)이 메쉬 패턴 구조를 가짐에 따라, 굽힙 특성이 향상되어 유연성 및 신축성이 우수한 터치 센서가 구현될 수 있다.As the sensing electrode 140 has a mesh pattern structure, a bending characteristic may be improved, and thus a touch sensor having excellent flexibility and elasticity may be implemented.

본 발명의 실시예들에 따르면, 각 센싱 전극(140)의 표면 상에는 도전성 캡핑 패턴(135)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 도전성 캡핑 패턴(135)은 각 센싱 전극(140)의 측벽 및 상면을 덮을 수 있다.According to embodiments of the present invention, the conductive capping pattern 135 may be formed on the surface of each sensing electrode 140. In example embodiments, the conductive capping pattern 135 may cover the sidewall and the top surface of each sensing electrode 140.

도전성 캡핑 패턴(135)에 의해 금속 패턴(120)의 측벽이 커버되므로, 외부 수분 또는 공기에 의해 금속 패턴(120)의 부식 또는 산화를 차단할 수 있다. 또한, 예를 들면 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)에 의해 차단되지 못한 유기 물질과 금속 패턴(120)의 상기 측벽 사이의 접촉을 억제할 수 있다.Since the sidewall of the metal pattern 120 is covered by the conductive capping pattern 135, corrosion or oxidation of the metal pattern 120 may be blocked by external moisture or air. In addition, for example, contact between the organic material that is not blocked by the first transparent conductive oxide pattern 110 and the sidewall of the metal pattern 120 may be suppressed.

도전성 캡핑 패턴(135)은 소정의 전도성, 투과도를 확보하면서 금속 보다 향상된 내화학성을 갖는 도전성 금속 산화물로 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도전성 캡핑 패턴(135)은 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다.The conductive capping pattern 135 may be formed of a conductive metal oxide having improved chemical resistance than metal while securing a predetermined conductivity and transmittance. In one embodiment, the conductive capping pattern 135 may include ITO or IZO.

도전성 캡핑 패턴(135)의 두께(예를 들면, 센싱 전극(140) 상면으로부터의 두께)는 약 30 내지 300nm일 수 있다. 도전성 캡핑 패턴(135)의 두께가 약 30nm 미만인 경우, 센싱 전극(140)의 측벽으로부터의 두께도 함께 감소하여 금속 패턴(120)에 대한 충분한 배리어 특성이 구현되지 않을 수 있다. The thickness of the conductive capping pattern 135 (eg, the thickness from the top surface of the sensing electrode 140) may be about 30 to 300 nm. When the thickness of the conductive capping pattern 135 is less than about 30 nm, the thickness from the sidewall of the sensing electrode 140 may also decrease, so that sufficient barrier characteristics for the metal pattern 120 may not be realized.

일 실시예에 있어서, 도전성 캡핑 패턴(135)의 두께 증가로 인한 센싱 전극(140)의 저항 증가를 억제하기 위해, 도전성 캡핑 패턴(135)의 두께는 약 30 내지 50nm로 조절될 수 있다.In an embodiment, the thickness of the conductive capping pattern 135 may be adjusted to about 30 to 50 nm to suppress the increase in resistance of the sensing electrode 140 due to the increase in the thickness of the conductive capping pattern 135.

일부 실시예들에 있어서, 도 1에 도시된 바와 같이, 도전성 캡핑 패턴(130)은 실질적으로 사다리꼴 형상의 단면 프로파일을 가질 수 있다. 예를 들면, 도전성 캡핑 패턴(130)은 베이스 층(100)으로 갈수록 너비가 증가하도록 테이퍼진(tapered) 형상을 가질 수 있다.In some embodiments, as shown in FIG. 1, the conductive capping pattern 130 may have a substantially trapezoidal cross-sectional profile. For example, the conductive capping pattern 130 may have a tapered shape such that its width increases toward the base layer 100.

따라서, 도전성 캡핑 패턴(135) 형성을 위한 식각 공정 시, 금속 패턴(120)과 인접한 부분의 두께가 감소하여 충분한 배리어 특성이 확보되지 않는 것을 방지할 수 있다. 또한, 베이스 층(100)과 접촉하는 도전성 캡핑 패턴(135) 부분의 두께가 증가함에 따라, 베이스 층(100)으로부터의 유기 물질 확산을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.Accordingly, in the etching process for forming the conductive capping pattern 135, the thickness of the portion adjacent to the metal pattern 120 may be reduced to prevent the sufficient barrier property from being secured. In addition, as the thickness of the portion of the conductive capping pattern 135 in contact with the base layer 100 increases, it is possible to more effectively block diffusion of the organic material from the base layer 100.

예를 들면, 베이스 층(100) 상에 제1 투명 도전성 산화물 층, 금속층 및 제2 투명 도전성 산화물 층을 스퍼터링(sputtering) 공정과 같은 증착 공정 또는 도전성 조성물의 코팅 공정을 통해 형성할 수 있다.For example, the first transparent conductive oxide layer, the metal layer, and the second transparent conductive oxide layer may be formed on the base layer 100 through a deposition process such as a sputtering process or a coating process of the conductive composition.

이후, 제1 포토 마스크를 통한 사진 식각 공정을 통해 상기 제2 투명 도전성 산화물 층, 상기 금속층 및 상기 제1 투명 도전성 산화물 층을 순차적으로 식각하여 센싱 전극들(140)을 형성할 수 있다.Thereafter, the second transparent conductive oxide layer, the metal layer, and the first transparent conductive oxide layer may be sequentially etched to form the sensing electrodes 140 through a photolithography process using a first photo mask.

이후, 센싱 전극들(140)을 덮는 도전성 캡핑층을 형성한 후, 제2 포토 마스크를 통한 사진 식각 공정을 통해 상기 도전성 캐핑층을 패터닝하여 도전성 캡핑 패턴(135)을 형성할 수 있다.Subsequently, after forming the conductive capping layer covering the sensing electrodes 140, the conductive capping layer may be patterned through a photolithography process using a second photo mask to form the conductive capping pattern 135.

예를 들면, 도전성 캡핑 패턴(135)은 센싱 전극(140) 외벽에 형성된 스페이서(spacer) 형상으로 형성될 수 있다.For example, the conductive capping pattern 135 may be formed in a spacer shape formed on the outer wall of the sensing electrode 140.

패시베이션 층(160)은 베이스 층(100) 상에 형성되어, 센싱 전극들(140) 및 도전성 캡핑 패턴(135)을 덮을 수 있다. 패시베이션 층(160)은 예를 들면, 예를 들면, 실리콘 산화물과 같은 무기 산화물, 또는 유기 절연물질을 포함할 수 있다.The passivation layer 160 may be formed on the base layer 100 to cover the sensing electrodes 140 and the conductive capping pattern 135. The passivation layer 160 may include, for example, an inorganic oxide such as silicon oxide, or an organic insulating material.

상술한 바와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 센싱 전극(140)은 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110)/금속 패턴(120)/제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)을 포함하는 3층 구조를 포함할 수 있다. 금속 패턴(120)을 센싱 전극(140) 내에 삽입시킴에 따라, 채널 저항 감소를 통한 터치 센서의 감도 및 유연성이 향상될 수 있다. 또한, 금속 패턴(120)이 제1 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴들(110, 130)에 의해 샌드위치됨에 따라, 터치 센서의 투과도가 향상되며, 금속 패턴(120)의 부식, 손상을 차단할 수 있다.As described above, the sensing electrode 140 of the touch sensor according to the exemplary embodiments may include a first transparent conductive oxide pattern 110 / metal pattern 120 / second transparent conductive oxide pattern 130. It may comprise a layer structure. As the metal pattern 120 is inserted into the sensing electrode 140, sensitivity and flexibility of the touch sensor may be improved by reducing channel resistance. In addition, as the metal pattern 120 is sandwiched by the first and second transparent conductive oxide patterns 110 and 130, the transmittance of the touch sensor may be improved, and corrosion and damage of the metal pattern 120 may be blocked. .

또한, 금속 패턴(120)의 측벽이 도전성 캡핑 패턴(135)에 의해 커버됨에 따라, 외부 환경으로부터의 금속 패턴(120)의 신뢰성이 추가적으로 향상될 수 있다.In addition, as the sidewall of the metal pattern 120 is covered by the conductive capping pattern 135, the reliability of the metal pattern 120 from the external environment may be further improved.

예를 들면, 도전성 캡핑 패턴(135)의 약 1.7 내지 2.2 범위의 굴절률을 가질 수 있다. 따라서, 금속 패턴(120)의 측벽으로 향하는 광에 있어서도, 굴절률 정합 효과가 향상되어 센싱 전극(140)의 시인 현상이 감소될 수 있다.For example, the conductive capping pattern 135 may have a refractive index in the range of about 1.7 to 2.2. Accordingly, even in light directed toward the sidewall of the metal pattern 120, the refractive index matching effect may be improved to reduce the visibility of the sensing electrode 140.

도 2를 참조하면, 중간층이 센싱 전극(140) 형성을 위한 베이스 층으로 제공될 수 있다. 상기 중간층은 단일 층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 중간층은 제1 중간층(80) 및 제2 중간층(90)을 포함할 수 있다. 제1 중간층(80) 또는 제2 중간층(90) 중 적어도 하나는 유기 고분자를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, an intermediate layer may be provided as a base layer for forming the sensing electrode 140. The intermediate layer may have a single layer or a multilayer structure. In example embodiments, the intermediate layer may include a first intermediate layer 80 and a second intermediate layer 90. At least one of the first intermediate layer 80 or the second intermediate layer 90 may include an organic polymer.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 중간층(80)은 캐리어 기판과의 후속 박리 또는 분리 공정을 촉진하기 위한 기능층으로 포함될 수 있다. 예를 들면, 제1 중간층(80)은 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스티렌(polystylene), 폴리노보넨(polynorbornene), 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 신나메이트(cinnamate), 쿠마린(coumarin), 프탈리미딘(phthalimidine), 칼콘(chalcone), 방향족 아세틸렌계 등의 고분자를 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합되어 사용될 수 있다.In example embodiments, the first intermediate layer 80 may be included as a functional layer to facilitate subsequent peeling or separation with the carrier substrate. For example, the first intermediate layer 80 may be made of polyimide, poly vinyl alcohol, polyamic acid, polyamide, polyethylene, polystyrene, poly Norbornene, phenylmaleimide copolymer, polyazobenzene, polyphenylenephthalamide, polyester, polymethyl methacrylate, polyarylate (polyarylate), cinnamate (cinnamate), coumarin (coumarin), phthalimidine (phthalimidine), chalcone (chalcone), may include polymers such as aromatic acetylene. These may be used alone or in combination of two or more thereof.

제2 중간층(90)은 상기 박리 공정에서 센싱 전극(140)을 보호하기 위해 추가될 수 있다. 또한, 제2 중간층(90)은 센싱 전극(140)과의 굴절률 정합을 위해 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 중간층(90)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질, 또는 고분자 계열의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.The second intermediate layer 90 may be added to protect the sensing electrode 140 in the peeling process. In addition, the second intermediate layer 90 may be formed to match the refractive index with the sensing electrode 140. For example, the second intermediate layer 90 may include an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like, or a polymer-based organic insulating material.

일부 실시예들에 있어서, 상기 박리 공정을 통해 상기 캐리어 기판이 제1 중간층(80)으로부터 박리된 후, 기재(70)가 제1 중간층(80)의 저면으로 접합될 수 있다. 예를 들면, 기재(70)는 점접착층을 통해 제1 중간층(80)에 부착될 수 있다. 기재(70)는 예를 들면, 폴리이미드와 같은 유연성 수지 필름, 또는 편광 필름과 같은 각종 광학 기능층을 포함할 수 있다.In some embodiments, after the carrier substrate is peeled off from the first intermediate layer 80 through the peeling process, the substrate 70 may be bonded to the bottom surface of the first intermediate layer 80. For example, the substrate 70 may be attached to the first intermediate layer 80 through an adhesive layer. The substrate 70 may include, for example, a flexible resin film such as polyimide, or various optical functional layers such as a polarizing film.

도 3을 참조하면, 패시베이션 층(160) 상에는 광학 기능층(170)이 적층될 수 있다. 예를 들면, 광학 기능층(170)은 코팅형 편광자, 또는 연신형 편광판을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, an optical functional layer 170 may be stacked on the passivation layer 160. For example, the optical function layer 170 may include a coated polarizer or an elongated polarizer.

상기 연신형 편광판은 보호필름 및 편광자를 포함하며, 상기 보호필름 상에 점접착층을 도포 후, 패시베이션 층(160) 상에 상기 편광판을 접합할 수 있다.The stretched polarizing plate includes a protective film and a polarizer, and after applying an adhesive layer on the protective film, the polarizing plate may be bonded onto the passivation layer 160.

광학성 기능층(170)은 위상차 판, 하드코팅층, 색 조절층 등을 포함할 수도 있다.The optical function layer 170 may include a retardation plate, a hard coating layer, a color control layer, and the like.

도 4 및 도 5는 일부 실시예들에 따른 터치 센서의 센싱 전극 구조를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 예를 들면, 도 5는 도 4에 표시된 III-III' 라인을 따라 상기 터치 센서의 두께 방향으로 절단한 단면도를 포함하고 있다. 예를 들면, 도 4는 도 5에 표시된 제1 영역(I)에서의 평면도이다.4 and 5 are plan and cross-sectional views illustrating a sensing electrode structure of a touch sensor according to some embodiments. For example, FIG. 5 includes a cross-sectional view taken along the line III-III ′ of FIG. 4 in the thickness direction of the touch sensor. For example, FIG. 4 is a plan view in the first region I shown in FIG. 5.

한편, 도 1 내지 도 3을 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일한 구성 및/또는 재질에 대한 상세한 설명은 생략된다.On the other hand, detailed description of the configuration and / or material substantially the same as described with reference to Figures 1 to 3 is omitted.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 터치 센서는 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)을 포함할 수 있다. 제1 영역(I)은 예를 들면, 터치 지점을 검출하여 위치 정보를 생성하는 센싱 영역에 해당될 수 있다. 제2 영역(II)은 터치 센서의 배선 영역 또는 트레이스 영역에 해당될 수 있다. 이에 따라, 제1 중간층(80) 및 제2 중간층(90)을 포함하는 베이스 층도 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)으로 구분될 수 있다. 4 and 5, the touch sensor may include a first region I and a second region II. For example, the first region I may correspond to a sensing region that detects a touch point and generates location information. The second area II may correspond to a wiring area or a trace area of the touch sensor. Accordingly, the base layer including the first intermediate layer 80 and the second intermediate layer 90 may also be divided into a first region I and a second region II.

센싱 전극들(141, 143)은 상기 터치 센서의 제1 영역(I)에 배치되며, 각각 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110), 금속 패턴(120) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 센싱 전극들은 제1 센싱 전극(141) 및 제2 센싱 전극(143)을 포함할 수 있다. 센싱 전극들(141, 143)의 표면 상에 각각 제1 도전성 캡핑 패턴(136)이 형성될 수 있다.The sensing electrodes 141 and 143 are disposed in the first region I of the touch sensor, and respectively, of the first transparent conductive oxide pattern 110, the metal pattern 120, and the second transparent conductive oxide pattern 130. It may include a laminated structure. The sensing electrodes may include a first sensing electrode 141 and a second sensing electrode 143. First conductive capping patterns 136 may be formed on surfaces of the sensing electrodes 141 and 143, respectively.

제1 센싱 전극(141)은 예를 들면, 다각형 형상의 단위 패턴들이 연결부(141a)를 통해 행 방향을 따라 연결되며 연장할 수 있다. 따라서, 상기 행 방향의 제1 센싱 라인이 정의되며, 복수의 상기 제1 센싱 라인들이 열 방향으로 배열될 수 있다.The first sensing electrode 141 may extend, for example, in which polygonal unit patterns are connected in a row direction through the connection part 141a. Thus, a first sensing line in the row direction is defined, and a plurality of the first sensing lines may be arranged in the column direction.

제2 센싱 전극(143)은 예를 들면, 서로 물리적으로 이격된 다각형 형상의 섬(island) 패턴을 포함할 수 있다. 제2 센싱 전극들(143)은 제1 센싱 전극들(141)과 전기적, 물리적으로 분리되도록 이격될 수 있다. 예를 들면, 제2 센싱 전극들(143)은 열 방향으로 제1 센싱 전극(141)의 연결부(141a)를 사이에 두고 서로 마주보며 이격될 수 있다.The second sensing electrode 143 may include, for example, a polygonal island pattern that is physically spaced apart from each other. The second sensing electrodes 143 may be spaced apart from the first sensing electrodes 141 to be electrically and physically separated. For example, the second sensing electrodes 143 may be spaced apart from each other with the connection part 141a of the first sensing electrode 141 interposed therebetween in the column direction.

예를 들면, 제2 중간층(90) 상에는 절연층(150)이 형성되어 제1 및 제2 센싱 전극들(141, 143) 사이의 공간을 채우며 제1 및 제2 센싱 전극들(141, 143), 및 제1 도전성 캡핑 패턴(136)을 덮을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 절연층(150)은 제1 영역(I)에 선택적으로 형성될 수 있다. For example, an insulating layer 150 is formed on the second intermediate layer 90 to fill a space between the first and second sensing electrodes 141 and 143 and to fill the space between the first and second sensing electrodes 141 and 143. , And may cover the first conductive capping pattern 136. In some embodiments, the insulating layer 150 may be selectively formed in the first region (I).

절연층(150)은 예를 들면, 실리콘 산화물과 같은 무기 절연 물질, 또는 아크릴계 수지와 같은 투명 유기 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 절연층(150)은 에폭시 화합물, 아크릴 화합물, 멜라닌 화합물 등과 같은 열경화성 또는 광경화성 물질을 포함하는 유기 수지 조성물로부터 형성될 수 있다.The insulating layer 150 may include, for example, an inorganic insulating material such as silicon oxide, or a transparent organic material such as acrylic resin. Preferably, the insulating layer 150 may be formed from an organic resin composition including a thermosetting or photocurable material such as an epoxy compound, an acrylic compound, a melanin compound, and the like.

절연층(150)은 제2 센싱 전극(143) 상에 형성된 도전성 캡핑 패턴(135)의 상면을 적어도 부분적으로 노출시키는 제1 콘택 홀을 포함할 수 있다. 예를 들면, 절연층(150)에 대해 제3 포토 마스크를 사용한 노광 공정 및 현상 공정을 통해 상기 콘택 홀을 형성할 수 있다.The insulating layer 150 may include a first contact hole that at least partially exposes an upper surface of the conductive capping pattern 135 formed on the second sensing electrode 143. For example, the contact hole may be formed on the insulating layer 150 through an exposure process and a development process using a third photo mask.

절연층(150) 상에는 브릿지(bridge) 패턴(155)이 배치될 수 있다. 브릿지 패턴(155)은 상기 제1 콘택 홀들을 채우며, 상기 열 방향으로 이웃하는 한 쌍의 제2 센싱 전극들(143)을 전기적으로 연결시킬 수 있다.A bridge pattern 155 may be disposed on the insulating layer 150. The bridge pattern 155 may fill the first contact holes and electrically connect the pair of second sensing electrodes 143 neighboring in the column direction.

브릿지 패턴(155)은 제1 영역(I) 상에서 제2 센싱 전극(143)을 덮는 제1 도전성 캡핑 패턴(136)과 직접 접촉할 수 있다. 제1 도전성 캡핑 패턴(136)은 브릿지 패턴(155) 및 제2 센싱 전극(143) 사이의 중개 전극으로 기능할 수 있다.The bridge pattern 155 may directly contact the first conductive capping pattern 136 covering the second sensing electrode 143 on the first region I. The first conductive capping pattern 136 may function as an intermediary electrode between the bridge pattern 155 and the second sensing electrode 143.

브릿지 패턴(155) 및 제2 센싱 전극들(143)에 의해 제1 센싱 전극 들(141)과 절연이 유지되면서 상기 열 방향으로 연장하는 제2 센싱 라인이 정의될 수 있다. 복수의 상기 제2 센싱 라인들이 상기 행 방향으로 배열될 수 있다.A second sensing line extending in the column direction may be defined while maintaining insulation from the first sensing electrodes 141 by the bridge pattern 155 and the second sensing electrodes 143. A plurality of second sensing lines may be arranged in the row direction.

일부 예시적인 실시예들에 있어서, 브릿지 패턴(155) 역시 센싱 전극(141, 143)과 실질적으로 동일하거나 유사한 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 브릿지 패턴(155)은 제1 투명 도전성 산화물 패턴-금속 패턴-제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 적층 구조를 가지며, 상기 적층 구조의 표면을 덮는 도전성 캡핑 패턴을 포함할 수 있다.In some example embodiments, the bridge pattern 155 may also have a structure substantially the same as or similar to that of the sensing electrodes 141 and 143. For example, the bridge pattern 155 may have a stacked structure including a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern, and may include a conductive capping pattern covering a surface of the stacked structure.

일부 실시예들에 있어서, 센싱 전극(141, 143) 또는 브릿지 패턴(155) 중 어느 하나가 상술한 적층 구조 및 도전성 캡핑 패턴을 포함할 수 있다. 또한, 센싱 전극(141, 143) 및 브릿지 패턴(155) 모두 상술한 적층 구조 및 도전성 캡핑 패턴을 포함할 수도 있다.In some embodiments, any one of the sensing electrodes 141 and 143 or the bridge pattern 155 may include the aforementioned stacked structure and the conductive capping pattern. In addition, both the sensing electrodes 141 and 143 and the bridge pattern 155 may include the above-described stacked structure and conductive capping pattern.

상기 제1 및 제2 센싱 라인들은 예를 들면, 터치 센서의 배선들 또는 트레이스들과 연결되며, 상기 배선 또는 트레이스들은 예를 들면, 제2 영역(II) 상에 배치된 패드(147)를 통해 외부 회로 또는 구동회로와 연결될 수 있다.The first and second sensing lines are connected to, for example, wires or traces of the touch sensor, and the wires or traces are, for example, through a pad 147 disposed on the second area II. It may be connected to an external circuit or a driving circuit.

예시적인 실시예들에 따르면, 패드(147) 역시 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110), 금속 패턴(120) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)의 적층 구조를 포함할 수 있다. 또한, 패드(147)의 측벽 및 상면을 제2 도전성 캡핑 패턴(137)이 커버할 수 있다.In example embodiments, the pad 147 may also include a stacked structure of the first transparent conductive oxide pattern 110, the metal pattern 120, and the second transparent conductive oxide pattern 130. In addition, the second conductive capping pattern 137 may cover the sidewalls and the top surface of the pad 147.

일부 실시예들에 있어서, 패드(147)는 센싱 전극들(141, 143)과 실질적으로 동일한 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 도전성 캡핑 패턴들(136, 137) 역시 실질적으로 동일한 식각 공정을 통해 함께 형성될 수 있다.In some embodiments, the pad 147 may be formed through an etching process substantially the same as the sensing electrodes 141 and 143. In addition, the first and second conductive capping patterns 136 and 137 may also be formed together through substantially the same etching process.

패시베이션 층(160)은 제1 및 제2 영역들(I, II)을 공통적으로 커버하며, 브릿지 패턴(155)을 덮을 수 있다.The passivation layer 160 may cover the first and second regions I and II in common and may cover the bridge pattern 155.

제2 영역(II)의 패시베이션 층(160) 부분에는 제2 콘택 홀(165)이 형성될 수 있다. 제2 콘택 홀(165)을 통해 예를 들면, 연성 회로 기판(FPBC)과 같은 외부 회로 부재가 패드(147)와 전기적으로 연결될 수 있다.A second contact hole 165 may be formed in a portion of the passivation layer 160 of the second region II. An external circuit member such as, for example, a flexible circuit board FPBC may be electrically connected to the pad 147 through the second contact hole 165.

예시적인 실시예들에 따르면, 제2 콘택 홀(165)을 통해 제2 도전성 캡핑 패턴(137)의 상면이 노출될 수 있다. 제2 콘택 홀(165)을 통해 외부 공기에 노출될 수 있는 패드(147)가 제2 도전성 캡핑 패턴(137)에 의해 커버됨에 따라, 패드(147)(예를 들면 패드(147)에 포함된 금속 패턴(120))의 산화 또는 부식에 의한 신호 전달 오류 또는 저항 증가를 방지할 수 있다. In example embodiments, an upper surface of the second conductive capping pattern 137 may be exposed through the second contact hole 165. As the pad 147, which may be exposed to the outside air through the second contact hole 165, is covered by the second conductive capping pattern 137, the pad 147 (for example, the pad 147 may be included in the pad 147). Signal transmission error or resistance increase due to oxidation or corrosion of the metal pattern 120 may be prevented.

또한, 패시베이션 층(160)에 포함된 유기 물질의 확산에 의한 금속 패턴(120)의 침투 또는 확산이 제2 도전성 캡핑 패턴(137)에 의해 차단될 수 있다.In addition, penetration or diffusion of the metal pattern 120 by diffusion of the organic material included in the passivation layer 160 may be blocked by the second conductive capping pattern 137.

일부 실시예들에 있어서, 패드(147) 및/또는 브릿지 패턴(155)은 센싱 전극과 실질적으로 동일하거나 유사한 메쉬 패턴 구조를 포함할 수 있다.In some embodiments, the pad 147 and / or the bridge pattern 155 may include a mesh pattern structure that is substantially the same as or similar to the sensing electrode.

일부 실시예들에 있어서, 상기 터치 센서는 상호 정전 용량(Mutual Capacitance) 방식으로 구동될 수 있다.In some embodiments, the touch sensor may be driven in a mutual capacitive manner.

일부 실시예들에 있어서, 터치 센서는 자기 정전용량(Self Capacitance) 방식으로 구동될 수 있다. 이 경우, 센싱 전극은 각각 독립된 섬 형상의 단위 패턴을 포함하며, 상기 단위 패턴 각각이 트레이스 또는 배선과 연결될 수 있다. 이 경우, 브릿지 패턴은 생략될 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 트레이스 또는 배선 역시 도전성 캡핑 패턴에 의해 둘러싸이거나 커버될 수 있다.In some embodiments, the touch sensor may be driven in a self capacitance manner. In this case, each of the sensing electrodes may include an independent island pattern unit pattern, and each of the unit patterns may be connected to a trace or a wire. In this case, the bridge pattern may be omitted. In one embodiment, the trace or wiring can also be surrounded or covered by a conductive capping pattern.

도 6은 예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view illustrating an image display device according to example embodiments.

도 6을 참조하면, 상기 화상 표시 장치는 베이스 기판(200), 화소 정의막(205), 표시층(210), 전극(215), 층간 절연막(220, 230), 센싱 전극 (140), 패시베이션 층(160), 광학층(240) 및 윈도우 기판(250)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the image display device includes a base substrate 200, a pixel defining layer 205, a display layer 210, an electrode 215, an interlayer insulating layer 220 and 230, a sensing electrode 140, and passivation. The layer 160, the optical layer 240, and the window substrate 250 may be included.

베이스 기판(200)은 디스플레이 패턴의 지지 기판일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 베이스 기판(200)은 폴리이미드와 같은 유연성을 갖는 수지 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 화상 표시 장치는 플렉시블 디스플레이로 제공될 수 있다.The base substrate 200 may be a support substrate of a display pattern. According to example embodiments, the base substrate 200 may include a resin material having flexibility such as polyimide. In this case, the image display device may be provided as a flexible display.

베이스 기판(200) 상에는 화소 정의막(205)이 형성되어 색상 또는 이미지가 구현되는 화소 영역이 노출될 수 있다. 베이스 기판(200) 및 화소 정의막(205) 사이에는 박막 트랜지스터(TFT) 어레이가 형성될 수 있으며, 상기 TFT 어레이를 덮는 절연 구조물이 형성될 수 있다. 화소 정의막(205)은 상기 절연 구조물 상에 형성되며, 예를 들면 상기 절연 구조물을 관통하며 TFT와 전기적으로 연결되는 화소 전극(예를 들면, 양극(anode))을 노출시킬 수 있다.The pixel defining layer 205 may be formed on the base substrate 200 to expose a pixel region in which a color or an image is implemented. A thin film transistor (TFT) array may be formed between the base substrate 200 and the pixel defining layer 205, and an insulating structure covering the TFT array may be formed. The pixel defining layer 205 may be formed on the insulating structure, for example, to expose a pixel electrode (for example, an anode) that penetrates the insulating structure and is electrically connected to the TFT.

화소 정의막(205)에 의해 노출된 상기 화소 영역마다, 표시층(210)이 형성될 수 있다. 표시층(210)은 예를 들면, 유기 발광 물질을 포함하며, 이 경우 상기 화상 표시 장치는 OLED 장치로 제공될 수 있다. 표시층(210)은 액정 물질을 포함할 수도 있으며, 이 경우 상기 화상 표시 장치는 LCD 장치로 제공될 수 있다.For each pixel area exposed by the pixel defining layer 205, a display layer 210 may be formed. For example, the display layer 210 may include an organic light emitting material, and in this case, the image display device may be provided as an OLED device. The display layer 210 may include a liquid crystal material. In this case, the image display device may be provided as an LCD device.

화소 정의막(205) 및 표시층(210) 상에는 전극(215)이 배치될 수 있다. 전극(215)은 상기 화소 전극과 마주보는 대향전극으로 제공될 수 있다. 전극(215)은 화상 표시 장치의 음극(cathode)일 수 있으며, 복수의 화소 영역들 상에서 연속적으로 연장되는 공통 전극일 수 있다.An electrode 215 may be disposed on the pixel defining layer 205 and the display layer 210. The electrode 215 may be provided as a counter electrode facing the pixel electrode. The electrode 215 may be a cathode of the image display device, and may be a common electrode continuously extending on the plurality of pixel areas.

전극(215) 상에는 층간 절연막(220, 230)이 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막은 제1 층간 절연막(220) 및 제2 층간 절연막(230)을 포함할 수 있다. 제1 층간 절연막(220)은 평탄화막으로 제공되며, 제2 층간 절연막(230)은 인캡슐레이션 막으로 제공될 수 있다.Interlayer insulating layers 220 and 230 may be formed on the electrode 215. The interlayer insulating layer may include a first interlayer insulating layer 220 and a second interlayer insulating layer 230. The first interlayer insulating film 220 may be provided as a planarization film, and the second interlayer insulating film 230 may be provided as an encapsulation film.

상기 층간 절연막 상에는 상술한 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서가 배치될 수 있다. 상기 터치 센서는 제1 투명 도전성 산화물 패턴(110), 금속 패턴(120) 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴(130)을 포함하는 센싱 전극(140)을 포함할 수 있다. 센싱 전극(140)의 표면은 실질적으로 도전성 캡핑 패턴(135)에 의해 인캡슐레이션될 수 있다.The touch sensor according to the exemplary embodiments described above may be disposed on the interlayer insulating layer. The touch sensor may include a sensing electrode 140 including a first transparent conductive oxide pattern 110, a metal pattern 120, and a second transparent conductive oxide pattern 130. The surface of the sensing electrode 140 may be encapsulated substantially by the conductive capping pattern 135.

센싱 전극(140)은 상술한 바와 같이 향상된 투과도를 가지므로, 화소 정의막(205) 및 상기 화소 영역 상에 함께 분포될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 센싱 전극(140)은 화소 정의막(205)과 중첩되며, 상기 화소 영역과는 중첩되지 않도록 배열될 수도 있다.Since the sensing electrode 140 has the improved transmittance as described above, the sensing electrode 140 may be distributed together on the pixel defining layer 205 and the pixel area. In some embodiments, the sensing electrode 140 overlaps the pixel defining layer 205 and may be arranged not to overlap the pixel area.

제2 층간 절연막(230) 상에는 센싱 전극(140)을 덮는 패시베이션 층(160)이 형성되며, 패시베이션 층(160) 상에는 광학층(240) 및 윈도우 기판(250)이 적층될 수 있다.The passivation layer 160 covering the sensing electrode 140 may be formed on the second interlayer insulating layer 230, and the optical layer 240 and the window substrate 250 may be stacked on the passivation layer 160.

광학층(240)은 편광자 또는 편광판, 위상차 필름 등과 같은 화상 표시 장치의 광학 특성, 투과도 등을 향상시킬 수 있는 기능층을 포함할 수 있다. 윈도우 기판(250)은 사용자 측으로 노출되는 봉지층으로 기능할 수 있다.The optical layer 240 may include a functional layer capable of improving optical characteristics, transmittance, etc. of an image display device such as a polarizer, a polarizing plate, a retardation film, and the like. The window substrate 250 may function as an encapsulation layer exposed to the user side.

예시적인 실시예들에 따른 터치 센서는 예를 들면, 플렉시블 OLED 장치에 채용되어 향상된 굽힙 특성을 가지면서 외부 환경에 대한 내구성, 신뢰성이 향상된 화상 표시 장치가 구현될 수 있다.The touch sensor according to the exemplary embodiments may be implemented in, for example, a flexible OLED device, and an image display device having improved bending characteristics and improved durability and reliability for an external environment may be implemented.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 포함하는 실험예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.Hereinafter, experimental examples including preferred embodiments are provided to help understanding of the present invention, but these examples are only for exemplifying the present invention, and do not limit the appended claims, and the scope and spirit of the present invention. It is apparent to those skilled in the art that various changes and modifications to the embodiments can be made within the scope, and such variations and modifications are within the scope of the appended claims.

실험예Experimental Example

글래스 기판 상에 표 1에 기재된 두께 및 재질로 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 센싱 전극을 형성하였다. 센싱 전극의 너비는 30㎛가 되도록 패터닝되었다.A sensing electrode including the first transparent conductive oxide pattern, the metal pattern, and the second transparent conductive oxide pattern was formed on the glass substrate in the thickness and material shown in Table 1. The width of the sensing electrode was patterned to be 30 μm.

실시예의 센싱 전극의 경우 ITO를 사용하여 도전성 캡핑 패턴을 형성하였으며, 비교예들의 센싱 전극의 경우 도전성 캡핑 패턴의 형성은 생략되었다.In the case of the sensing electrode of the embodiment, the conductive capping pattern was formed using ITO. In the sensing electrode of the comparative examples, the formation of the conductive capping pattern was omitted.

구분division 제1 투명 도전성 산화물 패턴
(IZO)(nm)
First transparent conductive oxide pattern
(IZO) (nm)
금속 패턴
(APC)(nm)
Metal pattern
(APC) (nm)
제2 투명 도전성 산화물 패턴
(IZO)(nm)
Second transparent conductive oxide pattern
(IZO) (nm)
도전성 캡핑 패턴
(ITO)(nm)
Conductive Capping Pattern
(ITO) (nm)
실시예 1Example 1 4040 1010 140140 300300 실시예 2Example 2 4040 1010 4040 135135 비교예 1Comparative Example 1 4040 1010 140140 -- 비교예 2Comparative Example 2 4040 1010 9090 -- 비교예 3Comparative Example 3 4040 1010 1010 -- 비교예 4Comparative Example 4 4040 1010 4040 --

실시예 및 비교예들의 센싱 전극에 대해 85℃ 및 상대습도 85% 조건에 방치하여 금속 패턴의 부식이 관찰되는 시간을 측정하였다. 평가결과는 표 2에 나타낸다.The time for which corrosion of the metal pattern was observed was left at 85 ° C. and 85% relative humidity for the sensing electrodes of Examples and Comparative Examples. The evaluation results are shown in Table 2.

시간time 500hr500hr 650hr650 hr 800hr800 hr 1000hr1000hr 실시예 1Example 1 XX XX XX XX 실시예 2Example 2 XX XX XX XX 비교예 1Comparative Example 1 XX XX XX 비교예 2Comparative Example 2 XX XX XX 비교예 3Comparative Example 3 XX -- -- 비교예 4Comparative Example 4 XX XX --

표 2를 참조하면, 도전성 캡핑 패턴이 형성된 실시예의 센싱 전극의 경우 1000시간 이후에도 금속 패턴의 부식이 관찰되지 않았다. 비교예들의 경우, 제2 투명 도전성 산화물 패턴의 두께가 감소할수록 금속 패턴의 부식이 빨리 관찰되었다.Referring to Table 2, corrosion of the metal pattern was not observed even after 1000 hours in the sensing electrode of the embodiment in which the conductive capping pattern was formed. In the comparative examples, corrosion of the metal pattern was observed as the thickness of the second transparent conductive oxide pattern decreased.

70: 기재 80: 제1 중간층
90: 제2 중간층 110: 제1 투명 금속 산화물 패턴
120: 금속 패턴 130: 제2 투명 금속 산화물 패턴
135: 도전성 캡핑 패턴 136: 제1 도전성 캡핑 패턴
137: 제2 도전성 캡핑 패턴 140: 센싱 전극
141: 제1 센싱 전극 143: 제2 센싱 전극
150: 절연층 155: 브릿지 패턴
160: 패시베이션 층 200: 베이스 기판
205: 화소 정의막 210: 표시층
215: 전극 220, 230: 제1 및 제2 층간 절연막
70: base material 80: first intermediate layer
90: second intermediate layer 110: first transparent metal oxide pattern
120: metal pattern 130: second transparent metal oxide pattern
135: conductive capping pattern 136: first conductive capping pattern
137: second conductive capping pattern 140: sensing electrode
141: first sensing electrode 143: second sensing electrode
150: insulating layer 155: bridge pattern
160: passivation layer 200: base substrate
205: pixel defining layer 210: display layer
215: electrodes 220 and 230: first and second interlayer insulating films

Claims (16)

베이스 층;
상기 베이스 층 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 각각 포함하는 복수의 센싱 전극들; 및
각각의 상기 센싱 전극의 표면을 덮으며 인듐주석산화물(ITO) 또는 인듐아연산화물(IZO)을 포함하는 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.
Base layer;
A plurality of sensing electrodes each including a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern sequentially stacked on the base layer; And
And a conductive capping pattern covering the surface of each sensing electrode and including indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
청구항 1에 있어서, 상기 제1 투명 도전성 산화물 패턴 및 상기 제2 투명 도전성 산화물 패턴은 각각 독립적으로 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 산화물(InOx), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴 주석 산화물(CTO), 갈륨-도핑 아연 산화물(GZO), 아연주석산화물(ZTO) 및 인듐갈륨산화물(IGO)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 터치 센서.
The method of claim 1, wherein the first transparent conductive oxide pattern and the second transparent conductive oxide pattern are each independently indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), aluminum zinc oxide ( AZO), zinc oxide (ZnOx), indium oxide (InOx), tin oxide (SnOx), cadmium tin oxide (CTO), gallium-doped zinc oxide (GZO), zinc tin oxide (ZTO) and indium gallium oxide (IGO) Touch sensor comprising at least one selected from the group consisting of.
청구항 1에 있어서, 상기 금속 패턴은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 텔레늄(Te) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속, 상기 금속의 합금 또는 상기 금속의 나노와이어를 포함하는, 터치 센서.
The method of claim 1, wherein the metal pattern is gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), tungsten (W), titanium (Ti), tantalum (Ta), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), vanadium (V), niobium (Nb), telenium (Te) and molybdenum (Mo) At least one metal selected from the group consisting of, the alloy of the metal or nanowire of the metal, the touch sensor.
청구항 1에 있어서, 상기 센싱 전극은 메쉬 패턴 구조를 포함하는, 터치 센서.
The touch sensor of claim 1, wherein the sensing electrode comprises a mesh pattern structure.
청구항 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 센싱 전극의 측벽 및 상면을 덮는, 터치 센서.
The touch sensor of claim 1, wherein the conductive capping pattern covers sidewalls and an upper surface of the sensing electrode.
청구항 1에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴의 너비는 상기 베이스 층 측으로 갈수록 증가하는, 터치 센서.
The touch sensor of claim 1, wherein a width of the conductive capping pattern increases toward the base layer.
청구항 1에 있어서,
상기 센싱 전극들을 덮는 절연층; 및
상기 절연층을 관통하며 상기 센싱 전극들 중 이웃하는 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴을 더 포함하며,
상기 브릿지 패턴은 상기 도전성 캡핑 패턴과 접촉하는, 터치 센서.
The method according to claim 1,
An insulating layer covering the sensing electrodes; And
Further comprising a bridge pattern penetrating the insulating layer and electrically connecting the neighboring sensing electrodes of the sensing electrodes,
And the bridge pattern is in contact with the conductive capping pattern.
청구항 1에 있어서, 상기 센싱 전극들 및 외부 회로를 서로 연결시키는 패드를 더 포함하는, 터치 센서.
The touch sensor of claim 1, further comprising a pad connecting the sensing electrodes and an external circuit to each other.
청구항 8에 있어서, 상기 패드는 상기 센싱 전극과 동일한 재질의 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는, 터치 센서.
The touch sensor of claim 8, wherein the pad includes a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern of the same material as the sensing electrode.
청구항 8에 있어서, 상기 도전성 캡핑 패턴은 상기 센싱 전극을 덮는 제1 도전성 캡핑 패턴 및 상기 패드를 덮는 제2 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.
The touch sensor of claim 8, wherein the conductive capping pattern comprises a first conductive capping pattern covering the sensing electrode and a second conductive capping pattern covering the pad.
청구항 10에 있어서, 상기 제2 도전성 캡핑 패턴의 상면을 노출시키는 콘택 홀이 형성된 패시베이션층을 더 포함하는, 터치 센서.
The touch sensor of claim 10, further comprising a passivation layer having a contact hole exposing a top surface of the second conductive capping pattern.
청구항 11에 있어서, 상기 외부 회로는 상기 콘택 홀을 통해 상기 제2 도전성 캡핑 패턴과 접촉하는, 터치 센서.
The touch sensor of claim 11, wherein the external circuit contacts the second conductive capping pattern through the contact hole.
청구항 1에 있어서, 상기 베이스 층은 유기 고분자를 포함하는 적어도 하나의 중간층을 포함하는, 터치 센서.
The touch sensor of claim 1, wherein the base layer comprises at least one intermediate layer comprising an organic polymer.
베이스 층;
상기 베이스 층 상에 배열된 복수의 센싱 전극들; 및
상기 센싱 전극들 중 이웃하는 일부 센싱 전극들을 전기적으로 연결시키는 브릿지 패턴을 포함하며,
상기 센싱 전극 또는 상기 브릿지 패턴 중 적어도 하나는 순차적으로 배치된 제1 투명 도전성 산화물 패턴, 금속 패턴 및 제2 투명 도전성 산화물 패턴을 포함하는 적층 구조를 가지며, 상기 적층 구조의 표면을 덮고 인듐주석산화물(ITO) 또는 인듐아연산화물(IZO)을 포함하는 도전성 캡핑 패턴을 포함하는, 터치 센서.
Base layer;
A plurality of sensing electrodes arranged on the base layer; And
It includes a bridge pattern for electrically connecting the neighboring sensing electrodes of the sensing electrodes,
At least one of the sensing electrode or the bridge pattern has a laminated structure including a first transparent conductive oxide pattern, a metal pattern, and a second transparent conductive oxide pattern, which are sequentially disposed, covering the surface of the laminated structure and forming indium tin oxide ( ITO) or a touch sensor comprising a conductive capping pattern comprising indium zinc oxide (IZO).
삭제delete 청구항 1 내지 14중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.The image display apparatus containing the touch sensor of any one of Claims 1-14.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102218695B1 (en) * 2018-09-17 2021-02-19 동우 화인켐 주식회사 Touch sensor and method of manufacturing the same
KR102356837B1 (en) * 2018-09-17 2022-02-08 동우 화인켐 주식회사 Touch sensor and method of manufacturing the same
KR20210120312A (en) * 2020-03-26 2021-10-07 동우 화인켐 주식회사 Touch panel and window laminate and image display apparatus manufactured thereby
WO2022045660A1 (en) * 2020-08-24 2022-03-03 동우 화인켐 주식회사 Touch sensor and laminated body comprising same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101107173B1 (en) * 2010-02-11 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
KR101314779B1 (en) * 2010-08-18 2013-10-08 엘지디스플레이 주식회사 Electrostatic capacity type touch screen panel and method of manufacturing the same
TW201337705A (en) 2011-10-25 2013-09-16 Unipixel Displays Inc Polarizer resistive touch screen
KR20150068617A (en) * 2013-12-12 2015-06-22 (주)삼원에스티 Layered film for touch panel sensor
KR101743328B1 (en) * 2014-08-20 2017-06-02 티-킹덤 컴퍼니 리미티드 Touch sensing electrode structure and method of manufacturing same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210081669A (en) 2019-12-24 2021-07-02 동우 화인켐 주식회사 Electrode stack structure and method of fabricating the same

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