KR102526899B1 - Touch sensor and image display device including the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예들의 터치 센서는 기재층, 기재층 상에서 행 방향으로 배열되며 행 방향으로의 양 단부들에 돌출부들이 형성된 제1 센싱 전극들, 기재층 상에서 열 방향으로 배열되며 열 방향으로 양 단부들에 형성된 연결부들에 의해 서로 일체로 연결된 제2 센싱 전극들, 및 행 방향으로 이웃하는 돌출부들과 전기적으로 연결된 브릿지 전극들을 포함한다. 상기 돌출부들은 연결부를 사이에 두고 서로 마주보도록 이격되며, 연결부는 리세스를 포함한다. 돌출부 및 리세스를 통해 센싱 전극의 교차 영역에서 전극 시인을 감소시킬 수 있다.The touch sensor of the embodiments of the present invention is arranged in a row direction on the substrate layer, first sensing electrodes having protrusions formed on both ends in the row direction, and arranged in a column direction on the substrate layer and at both ends in the column direction and second sensing electrodes integrally connected to each other by connection parts formed in the first and second sensing electrodes, and bridge electrodes electrically connected to neighboring protrusions in a row direction. The protrusions are spaced apart so as to face each other with a connecting portion interposed therebetween, and the connecting portion includes a recess. Visibility of the electrodes may be reduced in an intersection area of the sensing electrodes through the protrusion and the recess.

Description

터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치{TOUCH SENSOR AND IMAGE DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}Touch sensor and image display device including the same {TOUCH SENSOR AND IMAGE DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}

본 발명은 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 복수의 도전층을 포함하는 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a touch sensor and an image display device including the same. More specifically, it relates to a touch sensor including a plurality of conductive layers and an image display device including the same.

최근 정보화 기술이 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 제시되고 있다. 예를 들면, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전계발광표시장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광다이오드표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.Recently, as information technology develops, demands for the display field are presented in various forms. For example, various flat panel display devices having characteristics such as thinning, light weight, and low power consumption, such as liquid crystal display devices, plasma display devices, An electro luminescent display device, an organic light-emitting diode display device, and the like are being researched.

한편, 상기 표시 장치 상에 부착되어 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치인 터치 패널 또는 터치 센서가 디스플레이 장치와 결합되어 화상 표시 기능 및 정보 입력 기능이 함께 구현된 전자 기기들이 개발되고 있다.On the other hand, a touch panel or touch sensor, which is an input device that is attached to the display device and allows a user's command to be input by selecting instructions displayed on the screen with a person's hand or an object, is combined with the display device to provide an image display function and Electronic devices implemented together with an information input function are being developed.

상기 터치 센서는 사용자로부터의 터치 입력을 정전용량 변화를 통해 전기적 신호로 변환하기 위한 센싱 전극들을 포함한다. 상기 센싱 전극들은 화상 표시 장치의 표시 영역 내에 배치되므로, 사용자에게 상기 센싱 전극들이 시인되는 경우, 화상 표시 장치로부터 구현되는 이미지 품질이 저해될 수 있다.The touch sensor includes sensing electrodes for converting a touch input from a user into an electrical signal through capacitance change. Since the sensing electrodes are disposed within the display area of the image display device, when the sensing electrodes are recognized by a user, image quality implemented from the image display device may be deteriorated.

예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 최근 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있다. 그러나, 상기 터치 센서의 전기적 특성, 센싱 감도를 열화시키지 않으면서 시인 현상을 억제하기 위한 센싱 전극 설계가 필요하다.For example, as in Korean Patent Publication No. 2014-0092366, a touch screen panel in which a touch sensor is combined with various image display devices has recently been developed. However, it is necessary to design a sensing electrode to suppress a visibility phenomenon without deteriorating electrical characteristics and sensing sensitivity of the touch sensor.

한국 공개특허 제2014-0092366호Korean Patent Publication No. 2014-0092366

본 발명의 일 과제는 향상된 광학적, 전기적 특성을 갖는 터치 센서를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a touch sensor having improved optical and electrical characteristics.

본 발명의 일 과제는 향상된 광학적, 전기적 특성을 갖는 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide an image display device including a touch sensor having improved optical and electrical characteristics.

본 발명의 일 과제는 향상된 광학적, 전기적 특성을 갖는 터치 센서를 포함하는 윈도우 적층체를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a window laminate including a touch sensor having improved optical and electrical characteristics.

1. 기재층; 상기 기재층 상에서 행 방향으로 배열되며, 상기 행 방향으로의 양 단부들에 돌출부들이 형성된 제1 센싱 전극들; 상기 기재층 상에서 열 방향으로 배열되며 상기 열 방향으로 양 단부들에 형성된 연결부들에 의해 서로 일체로 연결된 제2 센싱 전극들; 및 상기 행 방향으로 이웃하는 상기 돌출부들과 전기적으로 연결된 브릿지 전극들을 포함하고, 상기 돌출부들은 상기 연결부를 사이에 두고 서로 마주보도록 이격되며, 상기 연결부는 리세스를 포함하는, 터치 센서.1. Base layer; first sensing electrodes arranged in a row direction on the base layer and having protrusions formed at both ends in the row direction; second sensing electrodes arranged in a column direction on the base layer and integrally connected to each other by connection parts formed at both ends in the column direction; and bridge electrodes electrically connected to the adjacent protrusions in the row direction, wherein the protrusions are spaced apart from each other to face each other with the connection portion interposed therebetween, and the connection portion includes a recess.

2. 위 1에 있어서, 상기 돌출부는 상기 리세스 내로 삽입된, 터치 센서.2. The touch sensor according to 1 above, wherein the protrusion is inserted into the recess.

3. 위 2에 있어서, 상기 연결부는 상기 제2 센싱 전극의 상기 양 단부들과 인접한 제1 부분, 및 상기 리세스에 의해 상기 제1 부분보다 폭이 감소된 제2 부분을 포함하는, 터치 센서.3. In the above 2, the connection part includes a first portion adjacent to both ends of the second sensing electrode, and a second portion having a reduced width than the first portion by the recess, the touch sensor .

4. 위 3에 있어서, 상기 리세스의 상기 열 방향으로의 길이는 70 내지 200 ㎛인, 터치 센서.4. In the above 3, the length of the recess in the column direction is 70 to 200 ㎛, the touch sensor.

5. 위 3에 있어서, 상기 제2 부분의 폭은 50 내지 150㎛인, 터치 센서.5. In the above 3, the width of the second portion is 50 to 150㎛, the touch sensor.

6. 위 1에 있어서, 상기 기재층 상에서 상기 제1 센싱 전극들 및 상기 제2 센싱 전극들을 적어도 부분적으로 덮는 절연층을 더 포함하는, 터치 센서.6. The touch sensor according to 1 above, further comprising an insulating layer at least partially covering the first sensing electrodes and the second sensing electrodes on the base layer.

7. 위 6에 있어서, 상기 브릿지 전극은 상기 절연층 상에서 상기 리세스를 가로지르는, 터치 센서.7. The touch sensor according to 6 above, wherein the bridge electrode crosses the recess on the insulating layer.

8. 위 7에 있어서, 상기 브릿지 전극은 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 센싱 전극의 상기 돌출부와 직접 접촉하는 콘택을 포함하는, 터치 센서.8. The touch sensor according to 7 above, wherein the bridge electrode includes a contact directly contacting the protruding portion of the first sensing electrode through the insulating layer.

9. 위 1에 있어서, 상기 돌출부 및 상기 연결부의 코너부들은 라운드진 형상을 갖는, 터치 센서.9. The touch sensor according to 1 above, wherein the protruding portion and the corner portions of the connecting portion have a rounded shape.

10. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극의 코너부들은 라운드진 형상을 갖는, 터치 센서.10. The touch sensor according to 1 above, wherein corner portions of the bridge electrode have a rounded shape.

11. 윈도우 기판; 및 상기 윈도우 기판 상에 적층된 위 1 내지 10중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.11. window substrate; and the touch sensor of any one of 1 to 10 above stacked on the window substrate.

12. 위 11에 있어서, 상기 윈도우 기판 및 상기 터치 센서 사이, 또는 상기 터치 센서 상에 배치된 편광층을 더 포함하는, 윈도우 적층체.12. The window laminate according to 11 above, further comprising a polarization layer disposed between the window substrate and the touch sensor or on the touch sensor.

13. 표시 패널; 및 상기 표시 패널 상에 적층된 위 1 내지 10중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.13. display panel; and the touch sensor of any one of 1 to 10 stacked on the display panel.

본 발명의 실시예들에 따르는 터치 센서에 있어서, 예를 들면 열 방향 센싱 전극들 및 행 방향 센싱 전극들의 교차 영역의 패턴 형상을 조절하여 상기 교차 영역에서의 전극 패턴 중첩에 따른 전극 시인 현상을 억제할 수 있다.In the touch sensor according to the embodiments of the present invention, for example, by adjusting the pattern shape of the intersection area of the column-direction sensing electrodes and the row-direction sensing electrodes, the electrode visibility phenomenon due to overlapping electrode patterns in the intersection area is suppressed. can do.

일부 실시예들에 있어서, 상기 교차 영역에서의 상기 패턴 형상을 라운드 처리하여 전극 시인 현상을 추가적으로 억제할 수 있다.In some embodiments, the electrode visibility phenomenon may be additionally suppressed by rounding the pattern shape in the intersection area.

도 1은 정전 용량 타입의 터치 센서의 전극 배열의 일 예를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 2 및 도 3은 각각 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 교차 영역 구조를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 4은 일부 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 교차 영역 구조를 나타내는 평면도이다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 6 및 도 7은 연결부의 폭 변화에 따른 채널 저항 측정 결과를 나타내는 그래프들이다.
도 8은 연결부에 포함된 리세스의 길이 변화에 따른 채널 저항 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
1 is a schematic plan view illustrating an example of an electrode arrangement of a capacitive type touch sensor.
2 and 3 are a plan view and a cross-sectional view respectively illustrating a cross-region structure of a touch sensor according to exemplary embodiments.
4 is a plan view illustrating a cross-region structure of a touch sensor according to some exemplary embodiments.
5 is a schematic diagram illustrating a window laminate and an image display device according to exemplary embodiments.
6 and 7 are graphs illustrating channel resistance measurement results according to a change in width of a connection part.
8 is a graph showing a channel resistance measurement result according to a change in the length of a recess included in a connection part.

본 발명의 실시예들은 센싱 전극들의 교차 영역에서 돌출부 및 리세스를 포함하며 전극 시인이 억제된 터치 센서를 제공한다. 또한, 상기 터치 센서를 포함하는 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a touch sensor including a protrusion and a recess in an intersection area of sensing electrodes and suppressing electrode visibility. In addition, a window laminate and an image display device including the touch sensor are provided.

이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예들을 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.With reference to the following drawings, embodiments of the present invention will be described in more detail. However, the following drawings attached to this specification illustrate preferred embodiments of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention together with the contents of the above-described invention, so the present invention is described in such drawings should not be construed as limited to

본 출원에서 사용되는 용어 "열 방향" 및 "행 방향"은 서로 교차하는 두 방향을 지칭하기 위해 상대적으로 사용되며, 절대적인 두 방향을 지칭하는 것은 아니다.The terms "column direction" and "row direction" used in this application are used relatively to refer to two directions that cross each other, and do not refer to two absolute directions.

도 1은 정전 용량 타입의 터치 센서의 전극 배열의 일 예를 나타내는 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view illustrating an example of an electrode arrangement of a capacitive type touch sensor.

도 1을 참조하면, 터치 센서는 예를 들면, 기재층(100) 상에 배치된 제1 센싱 전극들(50) 및 제2 센싱 전극들(60)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the touch sensor may include, for example, first sensing electrodes 50 and second sensing electrodes 60 disposed on a base layer 100 .

기재층(100)은 센싱 전극들(50, 60) 형성을 위한 지지층, 층간 절연층 또는 필름 타입 기재를 포괄하는 의미로 사용된다. 예를 들면, 기재 층(100)은 터치 센서에 통상적으로 사용되는 필름 소재가 특별한 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면, 유리, 고분자 및/또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 고분자의 예로서, 환형올레핀중합체(COP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP), 폴리에테르술폰(PES), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 폴리카보네이트(PC), 환형올레핀공중합체(COC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 들 수 있다. 상기 무기 절연 물질의 예로서, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 금속 산화물 등을 들 수 있다.The base layer 100 is used to encompass a support layer for forming the sensing electrodes 50 and 60, an interlayer insulating layer, or a film-type substrate. For example, the substrate layer 100 may be a film material commonly used in a touch sensor without particular limitation, and may include, for example, glass, polymer, and/or inorganic insulating material. Examples of the polymer include cyclic olefin polymer (COP), polyethylene terephthalate (PET), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), poly Allylate (polyallylate), polyimide (PI), cellulose acetate propionate (CAP), polyethersulfone (PES), cellulose triacetate (TAC), polycarbonate (PC), cyclic olefin copolymer (COC), poly Methyl methacrylate (PMMA) etc. are mentioned. Examples of the inorganic insulating material include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and metal oxide.

일부 실시예들에 있어서, 상기 터치 센서가 삽입되는 화상 표시 장치의 층 또는 필름 부재가 기재층(100)으로 제공될 수도 있다. 예를 들면, 디스플레이 패널에 포함되는 인캡슐레이션 층 또는 패시베이션 층 등이 기재층(100)으로 제공될 수도 있다.In some embodiments, a layer or film member of an image display device into which the touch sensor is inserted may be provided as the substrate layer 100 . For example, an encapsulation layer or a passivation layer included in a display panel may be provided as the base layer 100 .

제1 센싱 전극들(50) 및 제2 센싱 전극들(60)은 서로 다른 교차하는 두 방향을 따라 배열될 수 있다. 예를 들면, 제1 센싱 전극들(50)은 기재층(100) 상면의 행 방향(또는 X 방향)을 따라 배열될 수 있다. 제2 센싱 전극들(60)은 기재층(100) 상면의 열 방향(또는 Y 방향)을 따라 배열될 수 있다.The first sensing electrodes 50 and the second sensing electrodes 60 may be arranged along two different crossing directions. For example, the first sensing electrodes 50 may be arranged along the row direction (or X direction) of the upper surface of the base layer 100 . The second sensing electrodes 60 may be arranged along the column direction (or Y direction) of the upper surface of the base layer 100 .

상기 열 방향을 따라 이웃하는 제2 센싱 전극들(60)은 연결부(65)에 의해 서로 연결될 수 있다. 연결부(65)는 제2 센싱 전극들(60)과 일체로 연결되어 실질적으로 단일 부재로 제공될 수 있다.Second sensing electrodes 60 adjacent along the column direction may be connected to each other by a connection part 65 . The connecting portion 65 may be integrally connected to the second sensing electrodes 60 and provided as a substantially single member.

복수의 제2 센싱 전극들(60)이 연결부(65)에 의해 서로 일체로 연결되어 제2 센싱 전극 열이 정의될 수 있다. 또한, 복수의 상기 제2 센싱 전극 열들이 상기 행 방향을 따라 배치될 수 있다.A plurality of second sensing electrodes 60 may be integrally connected to each other by the connection part 65 to define a second sensing electrode column. Also, a plurality of second sensing electrode columns may be disposed along the row direction.

제1 센싱 전극들(50) 각각은 독립된 섬(island) 패턴 형상을 가질 수 있다. 상기 행 방향으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(50)은 브릿지 전극(55)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. Each of the first sensing electrodes 50 may have an independent island pattern shape. First sensing electrodes 50 neighboring in the row direction may be electrically connected to each other through a bridge electrode 55 .

이에 따라, 브릿지 전극(55)을 통해 서로 연결된 복수의 제1 센싱 전극들(50)을 포함하는 제1 센싱 전극 행이 정의될 수 있다. 또한, 복수의 상기 제1 센싱 전극 행들이 상기 열 방향을 따라 배치될 수 있다.Accordingly, a first sensing electrode row including a plurality of first sensing electrodes 50 connected to each other through the bridge electrode 55 may be defined. Also, a plurality of first sensing electrode rows may be disposed along the column direction.

제1 및 제2 센싱 전극들(50, 60), 및/또는 브릿지 전극(55)은 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO) 등과 같은 투명 도전성 산화물, 은나노와이어(AgNW), 카본나노튜브(CNT), 그라핀, 메탈메쉬, 전도성 고분자 등과 같은 투명 도전성 재료를 포함할 수 있다.The first and second sensing electrodes 50 and 60 and/or the bridge electrode 55 may be, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin A transparent conductive oxide such as oxide (IZTO) or cadmium tin oxide (CTO), a transparent conductive material such as silver nanowire (AgNW), carbon nanotube (CNT), graphene, metal mesh, or conductive polymer may be included.

일부 실시예들에 있어서, 브릿지 전극(55)은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. In some embodiments, the bridge electrode 55 is silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), titanium ( Ti), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), molybdenum ( Mo), calcium (Ca), or an alloy thereof.

일부 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 센싱 전극들(50, 60), 및/또는 브릿지 전극(55)은 투명도전성 산화물층 및 금속층의 적층 구조를 포함할 수 있다. In some embodiments, the first and second sensing electrodes 50 and 60 and/or the bridge electrode 55 may include a stacked structure of a transparent conductive oxide layer and a metal layer.

일부 실시예들에 있어서, 브릿지 전극(55)은 상기 제1 센싱 전극 행을 통한 채널 저항 감소를 위해 저저항 금속을 포함하도록 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 센싱 전극들(50, 60)은 터치 센서의 투과도 향상을 위해 상술한 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.In some embodiments, the bridge electrode 55 may be formed to include a low-resistance metal to reduce channel resistance through the first sensing electrode row. In some embodiments, the first and second sensing electrodes 50 and 60 may include the above-described transparent conductive oxide to improve transmittance of the touch sensor.

상기 제1 센싱 전극 행 및 상기 제2 센싱 전극 열 각각으로부터는 트레이스가 분기되어 연장될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 센싱 전극 행 각각으로부터 제1 트레이스(70)가 연장되며, 상기 제2 센싱 전극 열 각각으로부터 제2 트레이스(80)가 연장될 수 있다.Traces may branch and extend from each of the first sensing electrode row and the second sensing electrode column. For example, a first trace 70 may extend from each of the first sensing electrode rows, and a second trace 80 may extend from each of the second sensing electrode columns.

제1 및 제2 트레이스들(70, 80)의 말단부들은 기재층(100)의 일 단부에 할당된 본딩 영역으로 집합될 수 있다. 상기 말단부들은 예를 들면, 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)과 이방성 도전 필름(ACF)을 통해 본딩될 수 있다. 상기 연성 인쇄 회로 기판을 통해 터치 센서 구동 IC 칩이 제1 및 제2 트레이스들(70, 80)과 전기적으로 연결될 수 있다.End portions of the first and second traces 70 and 80 may be gathered in a bonding area allocated to one end of the base layer 100 . The end portions may be bonded through, for example, a flexible printed circuit board (FPCB) and an anisotropic conductive film (ACF). The touch sensor driving IC chip may be electrically connected to the first and second traces 70 and 80 through the flexible printed circuit board.

제1 및 제2 트레이스 전극들(70, 80)은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca), 또는 이들의 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC))을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.The first and second trace electrodes 70 and 80 are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), titanium (Ti), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), molybdenum (Mo), calcium (Ca), or an alloy thereof (eg, silver-palladium-copper (APC)). These may be used alone or in combination of two or more.

도 1에 점선으로 표시된 교차 영역(C)에서는 브릿지 전극(55) 및 연결부(65)가 평면 방향에서 서로 교차하며 중첩될 수 있다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 브릿지 전극(55) 및 연결부(65)는 절연층(120)을 사이에 두고 서로 마주볼 수 있다.In an intersection area C indicated by a dotted line in FIG. 1 , the bridge electrode 55 and the connection portion 65 may cross and overlap each other in a planar direction. In addition, as shown in FIG. 3 , the bridge electrode 55 and the connection portion 65 may face each other with the insulating layer 120 interposed therebetween.

따라서, 교차 영역(C)에서는 예를 들면, 층간 굴절률 차이에 따른 계면 반사 증가, 색감 차이에 따라 사용자에게 전극 시인을 초래할 수 있다.Therefore, in the intersection area C, for example, an increase in interfacial reflection due to a difference in refractive index between layers and a difference in color may cause the user to perceive the electrode.

도 2 및 도 3은 각각 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 교차 영역 구조를 나타내는 평면도 및 단면도이다. 구체적으로, 도 3은 도 2의 I-I' 라인을 따라 두께 방향으로 절단한 단면도이다.2 and 3 are a plan view and a cross-sectional view respectively illustrating a cross-region structure of a touch sensor according to exemplary embodiments. Specifically, FIG. 3 is a cross-sectional view taken in the thickness direction along line II' of FIG. 2 .

도 2 및 도 3을 참조하면, 도 1을 참조로 설명한 바와 같이, 제1 센싱 전극들(110)은 제2 센싱 전극들(130)과 일체로 연결된 연결부(135)를 사이에 두고 서로 물리적으로 이격될 수 있다. 브릿지 전극(115)은 절연층(120) 상에서 연결부(135)와 교차하며 평면 방향에서 중첩될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , as described with reference to FIG. 1 , the first sensing electrodes 110 are physically connected to each other with a connection portion 135 integrally connected to the second sensing electrodes 130 interposed therebetween. can be separated The bridge electrode 115 may cross the connection portion 135 on the insulating layer 120 and overlap in a planar direction.

예시적인 실시예들에 따르면, 제1 센싱 전극(110)의 상기 행 방향으로의 양 단부에는 돌출부(112)가 형성될 수 있다. 이웃하는 제1 센싱 전극들(110)의 상기 돌출부들은 상기 행 방향으로 마주보도록 이격될 수 있다.According to example embodiments, protrusions 112 may be formed at both ends of the first sensing electrode 110 in the row direction. The protruding parts of the neighboring first sensing electrodes 110 may be spaced apart from each other in the row direction to face each other.

제2 센싱 전극들(130)은 상기 열 방향으로의 양 단부에 형성된 연결부들(135)을 통해 일체로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 연결부(135)는 상기 행 방향으로 오목한 리세스(recess)(132)를 포함할 수 있다.The second sensing electrodes 130 may be integrally connected through connection parts 135 formed at both ends in the column direction. According to example embodiments, the connecting portion 135 may include a recess 132 concave in the row direction.

도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 연결부(135)에 상기 행 방향으로 서로 마주보는 한 쌍의 리세스들(132)이 형성될 수 있다. 연결부(135)는 리세스들(132)에 의해 폭이 감소된 중앙부를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2 , a pair of recesses 132 facing each other in the row direction may be formed in one connection part 135 . The connecting portion 135 may include a central portion whose width is reduced by the recesses 132 .

예를 들면, 연결부(135)는 제1 부분(135a) 및 제2 부분(135b)을 포함할 수 있다. 제1 부분(135a)은 연결부(135) 중 제2 센싱 전극(130)과 직접 연결된 양 단부들을 포함할 수 있다. 제2 부분(135b)은 리세스(132)에 의해 폭이 좁아진 부분을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 한 쌍의 제1 부분들(135a)이 제2 부분(135b)의 양 단부들과 연결될 수 있다.For example, the connection part 135 may include a first part 135a and a second part 135b. The first part 135a may include both ends directly connected to the second sensing electrode 130 among the connection parts 135 . The second portion 135b may include a portion narrowed in width by the recess 132 . According to example embodiments, a pair of first parts 135a may be connected to both ends of the second part 135b.

일부 실시예들에 있어서, 제1 센싱 전극(110)에 포함된 돌출부(112)는 제2 센싱 전극(130)의 연결부(135)에 포함된 리세스(132) 내로 삽입될 수 있다. 상기 행 방향으로 이웃하는 한 쌍의 돌출부들(112)는 연결부(135) 또는 제2 부분(135b)를 사이에 두고 서로 마주볼 수 있다.In some embodiments, the protruding part 112 included in the first sensing electrode 110 may be inserted into the recess 132 included in the connection part 135 of the second sensing electrode 130 . A pair of protrusions 112 adjacent in the row direction may face each other with a connecting portion 135 or a second portion 135b interposed therebetween.

절연층(120)은 제1 및 제2 센싱 전극들(110, 130)을 적어도 부분적으로 덮을 수 있다. 브릿지 전극(115)은 절연층(120) 상에서 상기 행 방향으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(110)을 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다.The insulating layer 120 may at least partially cover the first and second sensing electrodes 110 and 130 . The bridge electrode 115 may electrically connect first sensing electrodes 110 adjacent to each other in the row direction on the insulating layer 120 .

도 3에 도시된 바와 같이, 브릿지 전극(115)은 절연층(120)을 관통하며 제1 센싱 전극(110)과 접촉하는 콘택(115a)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 브릿지 전극(115)에 포함된 콘택(115a)은 제1 센싱 전극(110)의 돌출부(112)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.As shown in FIG. 3 , the bridge electrode 115 may include a contact 115a penetrating the insulating layer 120 and contacting the first sensing electrode 110 . According to example embodiments, the contact 115a included in the bridge electrode 115 may directly contact the upper surface of the protrusion 112 of the first sensing electrode 110 .

절연층(120) 상에는 브릿지 전극(115)을 덮는 패시베이션 층(140)이 형성될 수 있다. 절연층(120) 및 패시베이션 층(140)은 실록산계 수지, 아크릴계 수지 등과 같은 유기 절연 물질, 또는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.A passivation layer 140 covering the bridge electrode 115 may be formed on the insulating layer 120 . The insulating layer 120 and the passivation layer 140 may include an organic insulating material such as a siloxane-based resin or an acrylic resin, or an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride.

상술한 바와 같이, 도 1에 표시된 교차 영역(C)에서 제1 센싱 전극(110)의 돌출부(112), 및 제2 센싱 전극(130)의 리세스(132) 또는 제2 부분(135b)을 통해 전극이 점유하는 면적을 감소시킬 수 있다. 따라서, 교차 영역(C)에서 초래되는 전극 시인 현상을 감소 또는 억제시킬 수 있다.As described above, the protrusion 112 of the first sensing electrode 110 and the recess 132 or the second portion 135b of the second sensing electrode 130 are formed in the intersection area C shown in FIG. 1 . Through this, the area occupied by the electrode can be reduced. Accordingly, it is possible to reduce or suppress the electrode visibility phenomenon caused in the intersection area (C).

또한, 리세스(132)를 통해 돌출부들(112) 사이의 거리를 감소시켜, 브릿지 전극(115)의 길이를 축소시킬 수 있다. 따라서, 전극층 중첩에 따른 전극 시인 현상을 억제 또는 감소시킬 수 있다. In addition, the length of the bridge electrode 115 may be reduced by reducing the distance between the protrusions 112 through the recess 132 . Therefore, it is possible to suppress or reduce the visibility of the electrode due to the overlapping of the electrode layers.

연결부(135)에서는 상대적으로 제1 부분(135a)의 면적을 증가시켜 제2 부분(135b)에 의한 제2 센싱 전극 열에서의 채널 저항의 지나친 증가를 방지할 수 있다.In the connection portion 135 , an excessive increase in channel resistance in the second sensing electrode column due to the second portion 135b may be prevented by relatively increasing the area of the first portion 135a.

그러므로, 교차 영역(C)에서 전극들이 중첩되는 면적 또는 크기는 감소시켜 전극 시인을 억제하면서, 채널 저항의 증가는 방지하여 적절한 신호 전달 속도를 유지할 수 있다.Therefore, it is possible to reduce the overlapping area or size of the electrodes in the crossing area C to suppress electrode visibility and prevent an increase in channel resistance, thereby maintaining an appropriate signal transmission speed.

다시 도 2를 참조하면, 연결부(135)의 제2 부분(135b)의 폭(b)은 연결부(135)의 제1 부분(135a)의 폭(a)보다 작을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 연결부(135)의 제2 부분(135b)의 폭(행 방향으로의 폭)(b)은 약 50 내지 150㎛일 수 있다. 예를 들면, 제2 부분(135b)의 폭은 약 50㎛ 미만인 경우, 제2 센싱 전극 열의 채널 저항이 지나치게 증가할 수 있다. 제2 부분(135b)의 폭이 약 150㎛를 초과하는 경우, 상술한 전극 시인 방지 효과 구현이 용이하지 않을 수 있으며, 채널 저항 감소 효과도 약화될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 부분(135b)의 폭은 약 50 내지 100㎛일 수 있다.Referring back to FIG. 2 , the width (b) of the second portion 135b of the connection portion 135 may be smaller than the width (a) of the first portion 135a of the connection portion 135 . In some embodiments, a width (width in a row direction) (b) of the second portion 135b of the connecting portion 135 may be about 50 μm to about 150 μm. For example, when the width of the second portion 135b is less than about 50 μm, channel resistance of the second sensing electrode row may excessively increase. When the width of the second portion 135b exceeds about 150 μm, it may not be easy to implement the above-described electrode visibility prevention effect, and the channel resistance reduction effect may also be weakened. In one embodiment, the width of the second portion 135b may be about 50 to 100 μm.

일부 실시예들에 있어서, 리세스(132)의 길이(상기 열 방향으로의 길이)(c)는 약 70 내지 200 ㎛일 수 있다. 리세스(132)의 길이가 약 70㎛ 미만인 경우, 돌출부(112)의 폭도 함께 지나치게 감소하여 제1 센싱 전극 행의 채널 저항이 지나치게 증가할 수 있다. 또한, 돌출부(112) 및 연결부(132) 사이의 충분한 간격이 확보되지 않아 상호 신호 간섭이 발생할 수도 있다.In some embodiments, the length (length in the column direction) (c) of the recess 132 may be about 70 to 200 μm. When the length of the recess 132 is less than about 70 μm, the width of the protruding portion 112 is also excessively reduced, so that the channel resistance of the first sensing electrode row may excessively increase. In addition, since a sufficient distance between the protruding portion 112 and the connecting portion 132 is not secured, mutual signal interference may occur.

리세스(132)의 길이가 약 200㎛를 초과하는 경우, 제2 센싱 전극 열의 길이가 지나치게 증가하여 오히려 채널 저항 증가를 초래할 수 있다.When the length of the recess 132 exceeds about 200 μm, the length of the second sensing electrode column may increase excessively, resulting in an increase in channel resistance.

바람직하게는, 리세스(132)의 길이는 약 100 내지 200 ㎛일 수 있다.Preferably, the length of the recess 132 may be about 100 to 200 μm.

도 4는 일부 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서의 교차 영역 구조를 나타내는 평면도이다.4 is a plan view illustrating a cross-region structure of a touch sensor according to some exemplary embodiments.

도 4를 참조하면, 제1 센싱 전극(110)에 포함된 돌출부(113) 및 제2 센싱 전극(135)의 연결부(137)에 형성된 리세스(132)의 코너부들은 라운드진 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 연결부(137)의 제1 부분(137a) 및 제2 부분(137b)의 코너부들 역시 라운드진 형상을 가질 수 있다.Referring to FIG. 4 , corners of the recess 132 formed in the connection portion 137 of the protruding portion 113 included in the first sensing electrode 110 and the second sensing electrode 135 may have a rounded shape. there is. Accordingly, corner portions of the first portion 137a and the second portion 137b of the connecting portion 137 may also have a rounded shape.

전극의 코너부들이 라운드 처리됨에 따라, 급격한 패턴 프로파일 변화에 따른 전극 시인 현상을 추가적으로 억제할 수 있다. 또한 라운드진 프로파일을 도입함에 따라, 상기 터치 센서가 실장되는 디스플레이 패널의 전극, 배선들과의 중첩에 따른 모아레 현상을 감소시킬 수 있다.As the corner portions of the electrode are rounded, it is possible to additionally suppress the visibility of the electrode due to a rapid pattern profile change. In addition, as the rounded profile is introduced, the moiré effect due to overlapping of the electrodes and wires of the display panel on which the touch sensor is mounted can be reduced.

일부 실시예들에 있어서, 브릿지 전극(117)의 코너부들 역시 라운드 처리될 수 있으며, 상술한 전극 시인 방지 및 모아레 방지를 보다 효과적으로 구현할 수 있다.In some embodiments, corner portions of the bridge electrode 117 may also be rounded, and the above-described electrode visibility prevention and moiré prevention may be more effectively implemented.

도 5는 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.5 is a schematic diagram illustrating a window laminate and an image display device according to exemplary embodiments.

도 5를 참조하면, 윈도우 적층체(250)는 윈도우 기판(230), 편광층(210) 및 상술한 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서(200)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , a window laminate 250 may include a window substrate 230, a polarization layer 210, and a touch sensor 200 according to the above-described exemplary embodiments.

윈도우 기판(230)은 예를 들면 하드 코팅 필름을 포함하며, 일 실시예에 있어서, 윈도우 기판(230)의 일면의 주변부 상에 차광 패턴(235)이 형성될 수 있다. 차광 패턴(235)은 예를 들면 컬러 인쇄 패턴을 포함할 수 있으며, 단층 또는 복층 구조를 가질 수 있다. 차광 패턴(235)에 의해 화상 표시 장치의 베젤 영역 혹은 비표시 영역이 정의될 수 있다.The window substrate 230 includes, for example, a hard coating film, and in one embodiment, a light blocking pattern 235 may be formed on a peripheral portion of one surface of the window substrate 230 . The light-blocking pattern 235 may include, for example, a color printed pattern, and may have a single layer or multi-layer structure. A bezel area or a non-display area of the image display device may be defined by the light blocking pattern 235 .

편광층(210)은 코팅형 편광자 또는 편광판을 포함할 수 있다. 상기 코팅형 편광자는 중합성 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함하는 액정 코팅층을 포함할 수 있다. 이 경우, 편광층(210)은 상기 액정 코팅층에 배향성을 부여하기 위한 배향막을 더 포함할 수 있다The polarization layer 210 may include a coated polarizer or polarizer. The coating type polarizer may include a liquid crystal coating layer including a polymerizable liquid crystal compound and a dichroic dye. In this case, the polarization layer 210 may further include an alignment film for imparting alignment to the liquid crystal coating layer.

예를 들면, 상기 편광판은 폴리비닐알코올계 편광자 및 상기 폴리비닐알코올계 편광자의 적어도 일면에 부착된 보호필름을 포함할 수 있다.For example, the polarizing plate may include a polyvinyl alcohol-based polarizer and a protective film attached to at least one surface of the polyvinyl alcohol-based polarizer.

편광층(210)은 윈도우 기판(230)의 상기 일면과 직접 접합되거나, 제1 점접착층(220)을 통해 부착될 수도 있다.The polarization layer 210 may be directly bonded to the one surface of the window substrate 230 or attached through the first adhesive layer 220 .

터치 센서(200)는 필름 또는 패널 형태로 윈도우 적층체(250)에 포함될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 터치 센서(200)는 제2 점접착층(225)를 통해 편광층(210)과 결합될 수 있다.The touch sensor 200 may be included in the window laminate 250 in the form of a film or panel. In one embodiment, the touch sensor 200 may be coupled to the polarization layer 210 through the second adhesive layer 225 .

도 5에 도시된 바와 같이, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 편광층(210) 및 터치 센서(200) 순으로 배치될 수 있다. 이 경우, 터치 센서(200)의 전극층이 편광층(210) 아래에 배치되므로 전극 시인 현상을 방지할 수 있다. 또한, 상술한 교차 영역(C)에서의 전극 구조를 통해 전극 시인 현상을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.As shown in FIG. 5 , the window substrate 230 , the polarization layer 210 , and the touch sensor 200 may be disposed sequentially from the user's viewing side. In this case, since the electrode layer of the touch sensor 200 is disposed under the polarization layer 210 , it is possible to prevent electrode visibility. In addition, the electrode visibility phenomenon can be more effectively prevented through the above-described electrode structure in the intersection area C.

일 실시예에 있어서, 터치 센서(200)는 윈도우 기판(230) 또는 편광층(210) 상에 직접 전사될 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 터치 센서(200) 및 편광층(210) 순으로 배치될 수도 있다.In one embodiment, the touch sensor 200 may be directly transferred onto the window substrate 230 or the polarization layer 210 . In one embodiment, the window substrate 230, the touch sensor 200, and the polarization layer 210 may be arranged sequentially from the user's viewing side.

상기 화상 표시 장치는 표시 패널(360) 및 표시 패널(360) 상에 결합된 상술한 윈도우 적층체(250)를 포함할 수 있다.The image display device may include a display panel 360 and the aforementioned window laminate 250 coupled to the display panel 360 .

표시 패널(360)은 패널 기판(300) 상에 배치된 화소 전극(310), 화소 정의막(320), 표시층(330), 대향 전극(340) 및 인캡슐레이션 층(350)을 포함할 수 있다.The display panel 360 may include a pixel electrode 310, a pixel defining layer 320, a display layer 330, a counter electrode 340, and an encapsulation layer 350 disposed on a panel substrate 300. can

패널 기판(300) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소 회로가 형성되며, 상기 화소 회로를 덮는 절연막이 형성될 수 있다. 화소 전극(310)은 상기 절연막 상에서 예를 들면 TFT의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.A pixel circuit including a thin film transistor (TFT) may be formed on the panel substrate 300, and an insulating film covering the pixel circuit may be formed. The pixel electrode 310 may be electrically connected to, for example, a drain electrode of a TFT on the insulating film.

화소 정의막(320)은 상기 절연막 상에 형성되어 화소 전극(310)을 노출시켜 화소 영역을 정의할 수 있다. 화소 전극(310) 상에는 표시층(330)이 형성되며, 표시 층(330)은 예를 들면, 액정층 또는 유기 발광층을 포함할 수 있다.The pixel defining layer 320 may be formed on the insulating layer to expose the pixel electrode 310 to define a pixel area. A display layer 330 is formed on the pixel electrode 310 , and the display layer 330 may include, for example, a liquid crystal layer or an organic emission layer.

화소 정의막(320) 및 표시층(330) 상에는 대향 전극(340)이 배치될 수 있다. 대향 전극(340)은 예를 들면, 화상 표시 장치의 공통 전극 또는 캐소드로 제공될 수 있다. 대향 전극(340) 상에 표시 패널(360) 보호를 위한 인캡슐레이션 층(350)이 적층될 수 있다.A counter electrode 340 may be disposed on the pixel defining layer 320 and the display layer 330 . The counter electrode 340 may be provided as, for example, a common electrode or cathode of an image display device. An encapsulation layer 350 for protecting the display panel 360 may be stacked on the opposite electrode 340 .

일부 실시예들에 있어서, 표시 패널(360) 및 윈도우 적층체(250)는 점접착층(260)을 통해 결합될 수도 있다. 예를 들면, 점접착층(260)의 두께는 제1 및 제2 점접착층(220, 225) 각각의 두께보다 클 수 있으며, -20 내지 80℃에서의 점탄성이 약 0.2MPa 이하일 수 있다. 이 경우, 표시 패널(360)로부터의 노이즈를 차폐할 수 있고, 굴곡 시에 계면 응력을 완화하여 윈도우 적층체(250)의 손상을 억제할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 점탄성은 약 0.01 내지 0.15MPa일 수 있다.In some embodiments, the display panel 360 and the window laminate 250 may be coupled through an adhesive layer 260 . For example, the thickness of the adhesive layer 260 may be greater than the thickness of each of the first and second adhesive layers 220 and 225, and may have a viscoelasticity of about 0.2 MPa or less at -20 to 80 °C. In this case, noise from the display panel 360 may be shielded, and damage to the window stack 250 may be suppressed by relieving interfacial stress during bending. In one embodiment, the viscoelasticity may be about 0.01 to 0.15 MPa.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예들을 포함하는 실험예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.Hereinafter, experimental examples including preferred embodiments are presented to aid understanding of the present invention, but these examples are only illustrative of the present invention and do not limit the scope of the appended claims, and the scope and technical spirit of the present invention It is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications to the embodiments are possible within the scope, and it is natural that these changes and modifications fall within the scope of the appended claims.

실험예 1: 연결부(제2 부분) 폭에 따른 채널 저항 측정Experimental Example 1: Measurement of channel resistance according to the width of the connection part (second part)

COP 기재 상에 각 단위 전극 4mm x 4mm 사이즈의 제1 센싱 전극들 및 제2 센싱 전극들을 형성하였다. 제2 센싱 전극들은 연결부에 의해 일체로 연결되며, 상기 연결부에는 도 2에 도시된 바와 같이 폭이 좁아진 제2 부분이 포함되도록 리세스가 형성되었다. 제1 센싱 전극들은 상기 제2 부분을 사이에 두고 마주보도록 돌출부들을 포함하도록 형성하였다. 센싱 전극은 면저항 40Ω/□의 ITO를 이용해 형성되었다.First sensing electrodes and second sensing electrodes having a size of 4 mm x 4 mm for each unit electrode were formed on the COP substrate. The second sensing electrodes are integrally connected by a connection part, and a recess is formed in the connection part to include a narrowed second part as shown in FIG. 2 . The first sensing electrodes are formed to include protrusions facing each other with the second part interposed therebetween. The sensing electrode was formed using ITO with a sheet resistance of 40Ω/□.

제1 및 제2 센싱 전극들을 덮는 절연층을 형성하고, 이웃하는 제1 센싱 전극들을 연결하도록 브릿지 전극을 형성하였다. 구체적으로 상기 절연층을 관통하는 30㎛ x 30㎛ 사이즈의 콘택 홀을 형성하고, 상기 절연층 상에 상기 콘택홀을 채우는 도전층을 증착 및 패터닝하여 브릿지 전극을 형성하였다.An insulating layer covering the first and second sensing electrodes was formed, and a bridge electrode was formed to connect adjacent first sensing electrodes. Specifically, a contact hole having a size of 30 μm x 30 μm penetrating the insulating layer was formed, and a conductive layer filling the contact hole was deposited and patterned on the insulating layer to form a bridge electrode.

상기와 같이 제조된 터치 센서의 제1 센싱 전극 행 및 제2 센싱 전극 행을 통한 채널 저항을 각각 측정하였다.Channel resistances through the first sensing electrode row and the second sensing electrode row of the touch sensor fabricated as described above were respectively measured.

도 6 및 도 7은 연결부의 폭 변화에 따른 채널 저항 측정 결과를 나타내는 그래프들이다.6 and 7 are graphs illustrating channel resistance measurement results according to a change in width of a connection part.

구체적으로, 도 6은 면저항 40Ω/□의 ITO를 이용하여 60㎛의 폭의 브릿지 전극을 형성하고, 제2 센싱 전극의 연결부에 포함된 제1 부분의 폭(a)을 250㎛, 리세스의 길이(c)를 90㎛로 고정한 경우 제2 부분의 폭(b) 변화에 따른 채널 저항의 변화를 나타내고 있다. 도 7은 브릿지 전극을 면저항 0.2Ω/□의 금속을 사용하여 4㎛ 폭으로 형성한 것을 제외하고는 도 6과 동일한 조건에서의 채널 저항 결과를 나타내고 있다.Specifically, FIG. 6 shows that a bridge electrode having a width of 60 μm is formed using ITO having a sheet resistance of 40 Ω/□, and the width (a) of the first part included in the connection part of the second sensing electrode is 250 μm, and the recess When the length (c) is fixed to 90 μm, the change in channel resistance according to the change in the width (b) of the second portion is shown. FIG. 7 shows channel resistance results under the same conditions as those in FIG. 6 except that the bridge electrode was formed with a width of 4 μm using a metal having a sheet resistance of 0.2 Ω/□.

도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 센싱 전극 행을 통한 채널 저항(x 저항)은 일정하게 유지되면서, 제2 부분의 폭이 약 50㎛를 초과하면서 제2 센싱 전극 열을 통한 채널 저항(y 저항) 증가 추세가 완만해짐을 알 수 있다.6 and 7, while the channel resistance (x resistance) through the first sensing electrode row remains constant, while the width of the second part exceeds about 50 μm, the channel resistance through the second sensing electrode column ( It can be seen that the increasing trend of y resistance) is gradual.

실험예 2: 리세스 길이에 따른 채널 저항 측정Experimental Example 2: Measurement of channel resistance according to recess length

도 8은 연결부에 포함된 리세스의 길이 변화에 따른 채널 저항 측정 결과를 나타내는 그래프이다.8 is a graph showing a channel resistance measurement result according to a change in the length of a recess included in a connection part.

구체적으로, 실험예 1과 동일한 재질 및 사이즈로 센싱 전극들 및 ITO 브릿지 전극을 형성하고, 제1 부분의 폭(a)을 250㎛, 제2 부분의 폭(b)을 75㎛로 고정한 상태에서 리세스의 길이(c)를 변화하면서 채널 저항의 변화를 측정하였다. 제1 센싱 전극에 포함된 돌출부의 폭은 리세스의 길이 변화에 따라 동일 비율로 함께 증가시켰다.Specifically, in a state in which the sensing electrodes and the ITO bridge electrode are formed with the same material and size as in Experimental Example 1, and the width (a) of the first part is fixed to 250 μm and the width (b) of the second part is fixed to 75 μm A change in channel resistance was measured while changing the length (c) of the recess. The width of the protrusion included in the first sensing electrode was increased at the same rate as the length of the recess was changed.

도 8을 참조하면, 리세스의 길이가 약 70㎛ 이상으로 증가하면서 제1 및 2 센싱 전극의 저항의 증감이 서로 상쇄되어 총 저항의 증가가 억제됨을 확인할 수 있다. 리세스의 길이가 약 100㎛ 이상인 경우, 총 저항이 실질적으로 일정하게 유지되었다.Referring to FIG. 8 , it can be seen that as the length of the recess increases to about 70 μm or more, increases and decreases in the resistance of the first and second sensing electrodes cancel each other out, thereby suppressing an increase in total resistance. When the length of the recess was about 100 μm or more, the total resistance remained substantially constant.

도 6 내지 도 8을 참조로 설명한 바와 같이, 연결부 및 리세스의 사이즈 조절을 통해 채널 저항 증가를 억제하면서 전극 시인을 방지할 수 있음을 확인하였다.As described with reference to FIGS. 6 to 8 , it was confirmed that electrode visibility can be prevented while suppressing an increase in channel resistance through size adjustment of the connecting portion and the recess.

100: 기재층 110: 제1 센싱 전극
115: 브릿지 전극 120: 절연층
130: 제2 센싱 전극 132: 리세스
135: 연결부 135a: 제1 부분
135b: 제2 부분 140: 패시베이션 층
100: base layer 110: first sensing electrode
115: bridge electrode 120: insulating layer
130: second sensing electrode 132: recess
135: connection part 135a: first part
135b second portion 140 passivation layer

Claims (13)

기재층;
상기 기재층 상에서 행 방향으로 배열되며, 상기 행 방향으로의 양 단부들에 돌출부들이 형성된 제1 센싱 전극들;
상기 기재층 상에서 열 방향으로 배열되며 상기 열 방향으로 양 단부들에 형성된 연결부들에 의해 서로 일체로 연결된 제2 센싱 전극들; 및
상기 행 방향으로 이웃하는 상기 돌출부들과 전기적으로 연결된 브릿지 전극들을 포함하고,
상기 돌출부들은 상기 연결부를 사이에 두고 서로 마주보도록 이격되며, 상기 연결부는 리세스를 포함하며,
상기 연결부는
상기 제2 센싱 전극의 상기 양 단부들과 인접한 제1 부분; 및
상기 리세스에 의해 상기 제1 부분보다 폭이 감소된 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분은 전체적으로 상기 제2 부분보다 큰 폭을 가지며,
상기 돌출부는 상기 리세스 내로 삽입된, 터치 센서.
base layer;
first sensing electrodes arranged in a row direction on the base layer and having protrusions formed at both ends in the row direction;
second sensing electrodes arranged in a column direction on the base layer and integrally connected to each other by connection parts formed at both ends in the column direction; and
including bridge electrodes electrically connected to the protrusions adjacent to each other in the row direction;
The protrusions are spaced apart to face each other with the connecting portion interposed therebetween, the connecting portion including a recess,
the connection part
a first portion adjacent to both ends of the second sensing electrode; and
A second portion having a width reduced than that of the first portion by the recess, the first portion having a larger width than the second portion as a whole,
The touch sensor according to claim 1 , wherein the projection is inserted into the recess.
삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 리세스의 상기 열 방향으로의 길이는 70 내지 200 ㎛인, 터치 센서.
The touch sensor according to claim 1, wherein a length of the recess in the column direction is 70 to 200 μm.
청구항 1에 있어서, 상기 제2 부분의 폭은 50 내지 150㎛인, 터치 센서.
The touch sensor according to claim 1, wherein the second portion has a width of 50 to 150 μm.
청구항 1에 있어서, 상기 기재층 상에서 상기 제1 센싱 전극들 및 상기 제2 센싱 전극들을 적어도 부분적으로 덮는 절연층을 더 포함하는, 터치 센서.
The touch sensor according to claim 1, further comprising an insulating layer at least partially covering the first sensing electrodes and the second sensing electrodes on the base layer.
청구항 6에 있어서, 상기 브릿지 전극은 상기 절연층 상에서 상기 리세스를 가로지르는, 터치 센서.
The touch sensor according to claim 6 , wherein the bridge electrode crosses the recess on the insulating layer.
청구항 7에 있어서, 상기 브릿지 전극은 상기 절연층을 관통하여 상기 제1 센싱 전극의 상기 돌출부와 직접 접촉하는 콘택을 포함하는, 터치 센서.
The touch sensor according to claim 7 , wherein the bridge electrode includes a contact directly contacting the protruding portion of the first sensing electrode through the insulating layer.
청구항 1에 있어서, 상기 돌출부 및 상기 연결부의 코너부들은 라운드진 형상을 갖는, 터치 센서.
The touch sensor according to claim 1, wherein corners of the protruding portion and the connecting portion have a rounded shape.
청구항 1에 있어서, 상기 브릿지 전극의 코너부들은 라운드진 형상을 갖는, 터치 센서.
The touch sensor according to claim 1, wherein corner portions of the bridge electrode have a rounded shape.
윈도우 기판; 및
상기 윈도우 기판 상에 적층된 청구항 1 및 청구항 4 내지 10 중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.
window substrate; and
A window laminate comprising the touch sensor of any one of claims 1 and 4 to 10 laminated on the window substrate.
청구항 11에 있어서, 상기 윈도우 기판 및 상기 터치 센서 사이, 또는 상기 터치 센서 상에 배치된 편광층을 더 포함하는, 윈도우 적층체.
The window laminate according to claim 11 , further comprising a polarization layer disposed between the window substrate and the touch sensor or on the touch sensor.
표시 패널; 및
상기 표시 패널 상에 적층된 청구항 1 및 청구항 4 내지 10 중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.
display panel; and
An image display device comprising the touch sensor of any one of claims 1 and 4 to 10 stacked on the display panel.
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