KR20190108773A - Etchant for cupper-based metat layer, manufacturing method of an array substrate for display device using the same and an array substrate for display device - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an etchant composition of a copper-based metal film comprising hydrogen peroxide, an azole compound, citric acid, a polyhydric alcohol type surfactant, potassium hydrogen sulfate, alanine and water, to an etching method of a copper-based metal film using the same, to a manufacturing method of an array substrate for a display device, and to an array substrate for a display device.

Description

구리계 금속막용 식각액 조성물, 이를 이용한 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 및 디스플레이 표시장치용 어레이 기판{ETCHANT FOR CUPPER-BASED METAT LAYER, MANUFACTURING METHOD OF AN ARRAY SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE USING THE SAME AND AN ARRAY SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE}Etching liquid composition for copper-based metal film, method for manufacturing array substrate for display display device using same and array substrate for display display device ETCHANT FOR CUPPER-BASED METAT LAYER, MANUFACTURING METHOD OF AN ARRAY SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE FOR DISPLAY DEVICE}

본 발명은 구리계 금속막용 식각액 조성물, 이를 이용한 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법, 및 디스플레이 표시장치용 어레이 기판에 관한 것이다.The present invention relates to an etching liquid composition for a copper-based metal film, a method of manufacturing an array substrate for a display display device using the same, and an array substrate for a display display device.

반도체 장치에서 기판 위에 금속 배선을 형성하는 과정은 통상적으로 스퍼터링 등에 의한 금속막 형성공정, 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의한 선택적인 영역에서의 포토레지스트 형성공정 및 식각공정에 의한 단계로 구성되고, 개별적인 단위 공정 전후의 세정 공정 등을 포함한다. 이러한 식각공정은 포토레지스트를 마스크로하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미하며, 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식식각 또는 식각액 조성물을 이용하는 습식식각이 사용된다.The process of forming the metal wiring on the substrate in the semiconductor device is generally composed of a metal film forming process by sputtering or the like, a photoresist forming process and an etching process in an optional region by photoresist coating, exposure and development, Washing steps before and after the individual unit processes, and the like. The etching process refers to a process of leaving a metal film in a selective region using a photoresist as a mask, and typically, a dry etching using a plasma or the like and a wet etching using an etching liquid composition are used.

이러한 반도체 장치에서, 최근 금속배선의 저항이 주요한 관심사로 떠오르고 있다. 왜냐하면 저항이 RC 신호지연을 유발하는 주요한 인자이므로, 특히 TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display)의 경우 패널 크기 증가와 고해상도 실현이 기술개발에 관건이 되고 있기 때문이다. 따라서, TFT-LCD의 대형화에 필수적으로 요구되는 RC 신호지연의 감소를 실현하기 위해서는, 저저항의 물질개발이 필수적이다. 따라서, 저저항 금속막으로서 구리막 및 구리 몰리브덴막 등의 구리계 금속막과 그에 대한 식각액 조성물이 많이 사용되고 있다.In such semiconductor devices, the resistance of metallization has recently emerged as a major concern. Because resistance is a major factor causing RC signal delay, especially in the case of thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD), increasing the panel size and realizing high resolution are key to technology development. Therefore, in order to realize the reduction of the RC signal delay which is essential for the large-sized TFT-LCD, it is necessary to develop a material of low resistance. Therefore, as a low resistance metal film, copper-based metal films, such as a copper film and a copper molybdenum film, and the etching liquid composition with respect to it are used a lot.

그런데, 현재까지 알려진 구리계 식각액 조성물들은 사용자가 요구하는 성능을 충족시키지 못하고 있다. 예컨대, 기존의 과산화수소 및 함불소 화합물을 포함하는 구리막 식각액을 이용하여 다층 금속막을 식각하는 경우, 용해되는 금속이온의 농도가 증가할수록 과산화수소에 의한 구리층의 식각 속도와 함불소 화합물에 의한 몰리브덴 합금층의 식각 속도에 차이가 발생하고, 전기효과의 영향으로 두 금속층이 접합되어 있는 계면에 대한 변형이 발생하여 식각특성이 양호하지 못하다는 문제점이 있다.However, copper-based etching solution compositions known to date do not meet the performance required by the user. For example, when etching a multilayer metal film using a conventional copper film etchant containing hydrogen peroxide and a fluorine-containing compound, as the concentration of dissolved metal ions increases, the etching rate of the copper layer by hydrogen peroxide and the molybdenum alloy due to the fluorine-containing compound There is a problem that a difference occurs in the etching rate of the layer, the deformation of the interface between the two metal layers is generated due to the effect of the electrical effect is not good etching characteristics.

대한민국 공개특허 제10-2010-0090538호는 A)과산화수소(H2O2), B)유기산, C)인산염 화합물, D)수용성 시클릭아민 화합물, E)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물, F)함불소 화합물, G)다가알콜형 계면활성제, 및 H)물 을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각액 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 상기와 같은 종래의 식각액 조성물은 위에서 하부 테일발생 및 잔막발생, 식각 진행 중 발열 등 종래 기술의 문제점을 충분히 해소하고 있지 못하며, 특히, Mo-Ti/Cu/Mo-Ti 막의 식각 시 상부 팁(tip)이 발생하며, 함불소 화합물을 포함으로써 구리계 금속막의 하부에 형성되는 산화물반도체층의 손상(damage)을 야기하는 단점을 갖는다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2010-0090538 discloses a water soluble A) hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), B) organic acid, C) phosphate compound, D) water-soluble cyclicamine compound, E) a nitrogen atom and a carboxyl group in one molecule. Disclosed is an etchant composition of a copper-based metal film comprising a compound, F) a fluorine-containing compound, G) a polyalcohol-type surfactant, and H) water. However, the conventional etchant composition as described above does not sufficiently solve the problems of the prior art, such as lower tail generation, residual film generation, and heat generation during etching, and in particular, an upper tip during etching of the Mo-Ti / Cu / Mo-Ti film. (tip) occurs, and the inclusion of a fluorine-containing compound has the disadvantage of causing damage to the oxide semiconductor layer formed under the copper-based metal film.

또한, 대한민국 공개특허공보 제10-2004-0051502호에는 구리 몰리브덴 금속막을 식각하는 식각용액이 개시되어 있으나, 처리매수가 증가 함에 따라 식각 성능이 저하되면서 EPD, 사이드 에치(side etch), 테이퍼 각(taper angle) 변동량이 증가되는 현상 및 Dry공정 후 Pad부 배선 직진성이 떨어지는 현상이 발생하는 문제점이 있다.In addition, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2004-0051502 discloses an etching solution for etching a copper molybdenum metal film, but as the number of treatments increases, the etching performance decreases, resulting in EPD, side etch, and taper angle ( There is a problem in that the variation of taper angle) and the phenomenon in which the straightness of the pad portion is lost after the drying process occur.

대한민국 공개특허공보 제10-2010-0090538호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2010-0090538 대한민국 공개특허공보 제10-2004-0051502호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2004-0051502

본 발명은 종래 기술의 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서,The present invention has been made to solve the above problems of the prior art,

본 발명은 게이트 전극 및 게이트 배선, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선의 일괄 식각이 가능한 구리계 금속막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a copper-based metal film etching liquid composition capable of collective etching of a gate electrode and a gate wiring, a source / drain electrode and a data wiring.

또한, 하부에 형성되는 산화물반도체층의 손상을 방지하고, 처리매수가 증가함에 따라 식각성능이 저하를 방지하여, 테이퍼 각(taper angle) 및 사이트 에치(side etch) 변화를 방지할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. In addition, the etching liquid composition which prevents damage to the oxide semiconductor layer formed on the lower part and prevents the etching performance from deteriorating as the number of processed sheets increases, thereby preventing the change of the taper angle and the side etch. The purpose is to provide.

또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하는 박막 트렌지스터 어레이 기판의 제조방법 및 디스플레이 표시장치용 어레이 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thin film transistor array substrate using the etchant composition and an array substrate for a display display device.

본 발명은,The present invention,

과산화수소, 아졸계 화합물, 구연산, 다가알코올형 계면활성제, 황산수소칼륨, 알라닌 및 물을 포함하는 구리계 금속막의 식각액 조성물을 제공한다.An etching liquid composition of a copper-based metal film comprising hydrogen peroxide, an azole compound, citric acid, a polyhydric alcohol type surfactant, potassium hydrogen sulfate, alanine, and water is provided.

또한, 본 발명은, In addition, the present invention,

(1) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;(1) forming a copper-based metal film on the substrate;

(2) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및(2) selectively leaving a photoreactive material on the copper-based metal film; And

(3) 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 식각액 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계를 포함하는 구리계 금속막의 식각방법을 제공한다. (3) providing a method of etching a copper-based metal film comprising etching the copper-based metal film using the etchant composition according to any one of items 1 to 6.

또한, 본 발명은, In addition, the present invention,

a) 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계,a) forming a gate wiring on the substrate,

b) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계,b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;

c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계,c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer,

d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer, and

e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,(e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode;

상기 a)단계 또는 d)단계 중 적어도 하나는 상기 기판 상에 구리계 금속막을 적층하는 단계, 및 식각액 조성물을 사용하여 식각하는 단계를 포함하며,At least one of the steps a) or d) includes the step of laminating a copper-based metal film on the substrate, and etching using an etchant composition,

상기 식각액 조성물은 과산화수소, 아졸계 화합물, 구연산, 다가알코올형 계면활성제, 황산수소칼륨, 알라닌 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다. The etchant composition provides a method of manufacturing an array substrate for a display display device comprising hydrogen peroxide, an azole compound, citric acid, a polyalcohol-type surfactant, potassium hydrogen sulfate, alanine, and water.

또한, 본 발명은, In addition, the present invention,

본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 식각된 게이트 배선, 소스 전극 및 드레인 전극 중에서 하나 이상을 포함하는 디스플레이 표시장치용 어레이 기판을 제공한다.Provided is an array substrate for a display display device including at least one of a gate wiring, a source electrode, and a drain electrode etched using the etchant composition of the present invention.

본 발명의 식각액 조성물은 게이트 전극 및 게이트 배선, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선의 일괄 식각이 가능하며, 황산수소칼륨 및 알라닌을 동시에 포함함으로써 하부막인 산화물반도체층의 손상을 야기하지 않고, 처리매수 증가로 인한 식각 성능 저하를 방지하여 테이퍼 각 및 사이트 에치 변동을 방지할 수 있는 우수한 식각 특성을 제공한다. The etchant composition of the present invention is capable of batch etching of the gate electrode and the gate wiring, the source / drain electrode and the data wiring, and simultaneously includes potassium hydrogen sulfate and alanine without causing damage to the oxide semiconductor layer, which is a lower layer, and increasing the number of treatments. It provides excellent etching characteristics to prevent tapering angle and site etch variation by preventing the etching performance deterioration.

그러므로 상기 식각액 조성물은 고해상도 구현을 위하여 사용될 수 있는 기판의 식각에 유용하게 사용될 수 있다.Therefore, the etchant composition may be usefully used for etching a substrate that may be used for high resolution.

이하에서 본 발명을 더 자세히 설명한다.The present invention is described in more detail below.

본 발명은 과산화수소, 아졸계 화합물, 구연산, 다가알코올형 계면활성제, 황산수소칼륨, 알라닌 및 물을 포함하는 구리계 금속막의 식각액 조성물 에 관한 것으로, 황산수소칼륨 및 알라닌을 함께 사용하는 경우에 하부막인 산화물반도체층의 손상을 야기하지 않고, 처리매수 증가로 인한 식각 성능 저하를 방지하여 테이퍼 각(taper angle) 및 사이트 에치(side etch) 변동을 방지할 수 있음을 실험적으로 확인하여 본 발명을 완성하였다.The present invention relates to an etching liquid composition of a copper-based metal film comprising hydrogen peroxide, an azole compound, citric acid, a polyhydric alcohol-type surfactant, potassium hydrogen sulfate, alanine, and water, and in the case of using potassium hydrogen sulfate and alanine together, The present invention was completed by experimentally confirming that the taper angle and side etch variation can be prevented by preventing the deterioration of the etching performance due to the increase in the number of treatments without causing damage to the phosphorus oxide semiconductor layer. .

상기 구리계 금속막은 막의 구성 성분 중에 구리(Cu)를 포함하는 것으로, 단일막 및 이중막 이상의 다층막을 포함하는 개념이다. 보다 상세하게 상기 구리계 금속막은 구리 또는 구리 합금(Cu alloy)의 단일막; 또는 상기 구리막 및 구리 합금막으로부터 선택되는 하나 이상의 막과 몰리브덴막, 몰리브덴 합금막, 티타늄막 및 티타늄 합금막으로부터 선택되는 하나 이상의 막을 포함하는 다층막을 포함하는 개념이다.The copper-based metal film includes copper (Cu) in the constituent components of the film, and is a concept including a single film and a multilayer film of a double film or more. More specifically, the copper-based metal film may be a single film of copper or a copper alloy; Or a multilayer film including at least one film selected from the copper film and the copper alloy film, and at least one film selected from molybdenum film, molybdenum alloy film, titanium film, and titanium alloy film.

상기 단일막으로서 구리계 금속막은 구리(Cu)막 또는 구리를 주성분으로 하며 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 은(Ag), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 팔라듐(Pd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W) 등으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 구리 합금막 등을 들 수 있다. As the single layer, the copper-based metal film has a copper (Cu) film or copper as a main component, and includes aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), titanium (Ti), silver (Ag), chromium (Cr), and manganese. At least one selected from (Mn), iron (Fe), zirconium (Zr), niobium (Nb), molybdenum (Mo), palladium (Pd), hafnium (Hf), tantalum (Ta), tungsten (W) and the like Copper alloy film containing a metal, etc. are mentioned.

또한, 다층막의 예로는 구리/몰리브덴(Mo)막, 구리/몰리브덴 합금막, 구리 합금/몰리브덴막, 구리 합금/몰리브덴 합금막 등의 2중막, 또는 몰리브덴/구리/몰리브덴 삼중막, 몰리브덴 합금/구리/몰리브덴 합금 삼중막, 몰리브덴 합금/구리 합금/몰리브덴 합금 삼중막 등을 들 수 있다. 특히, 본 발명의 식각액 조성물은 바람직하게는 구리 또는 구리 합금막/몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막으로 이루어진 다층막에 적용될 수 있다.Examples of the multilayer film include a double film such as a copper / molybdenum (Mo) film, a copper / molybdenum alloy film, a copper alloy / molybdenum film, a copper alloy / molybdenum alloy film, or a molybdenum / copper / molybdenum triple film, molybdenum alloy / copper / Molybdenum alloy triple film, molybdenum alloy / copper alloy / molybdenum alloy triple film, etc. are mentioned. In particular, the etchant composition of the present invention may be preferably applied to a multilayer film made of a copper or copper alloy film / molybdenum or molybdenum alloy film.

또한, 상기 몰리브덴 합금막은 예컨대, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오디늄(Nd), 및 인듐(In)으로부터 선택되는 1종 이상의 금속과 몰리브덴의 합금으로 이루어진 층을 의미하며, 바람직하게는 몰리브덴-티타늄 합금막일 수 있다.In addition, the molybdenum alloy film is an alloy of molybdenum with at least one metal selected from, for example, titanium (Ti), tantalum (Ta), chromium (Cr), nickel (Ni), neodymium (Nd), and indium (In). It means a layer consisting of, preferably a molybdenum-titanium alloy film.

이하에서 본 발명의 식각액 조성물의 구성성분에 대하여 자세히 설명한다.이하에서 본 발명을 더 자세히 설명한다.Hereinafter, the components of the etchant composition of the present invention will be described in detail. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

A) 과산화수소(H2O2)A) Hydrogen Peroxide (H 2 O 2 )

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 과산화수소(H2O2)는 구리계 금속막의 식각 속도에 영향을 주는 주산화제이다.Hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) included in the etchant composition of the present invention is a main oxidizing agent that affects the etching rate of the copper-based metal film.

상기 과산화수소는 조성물 총 중량에 대하여, 15 내지 30.0 중량%, 바람직하게는 18.0 내지 25.0 중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 구리계 금속막이 식각되지 않거나 식각 속도가 느려 충분한 식각이 이루어지기 어려우며, 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 전체적인 식각 속도가 빨라져 공정 컨트롤이 어려운 문제점이 있다.The hydrogen peroxide is included in an amount of 15 to 30.0 wt%, preferably 18.0 to 25.0 wt%, based on the total weight of the composition. If included in the above-described range, the copper-based metal film is not etched or the etching rate is low, it is difficult to achieve sufficient etching, if included in the above-described range, there is a problem that the overall etching speed is difficult to process control difficult.

B) 아졸화합물 B) azole compounds

상기 아졸화합물은 구리계 금속막의 식각속도를 조절하며, 패턴의 시디로스(CD Loss)를 줄여주어 공정상의 마진을 높이는 역할을 한다.The azole compound controls the etching rate of the copper-based metal film, and serves to increase the process margin by reducing the CD loss of the pattern.

상기 아졸화합물은 아미노테트라졸(aminotetrazole), 벤조트리아졸 (benzotriazole), 톨릴트리아졸(tolyltriazole), 피라졸(pyrazole), 피롤(pyrrole), 이미다졸(imidazole), 2-메틸이미다졸(2-methylimidazole), 2-에틸이미다졸(2-ethylimidazole), 2-프로필이미다졸(2-propylimidazole), 2-아미노이미다졸(2-aminoimidazole), 4-메틸이미다졸(4-methylimidazole), 4-에틸이미다졸(4-ethylimidazole), 메틸트리아졸(methyltriazole), 메틸테트라졸(methyltetrazole) 및 4-프로필이미다졸(4-propylimidazole)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 아졸계 화합물을 선택적으로 포함할 수 있으며, 바람직하게는 메틸테트라졸을 사용할 수 있다. The azole compound is aminotetrazole, benzotriazole, tolyltriazole, pyrazole, pyrrole, imidazole, 2-methylimidazole (2 -methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-propylimidazole, 2-aminoimidazole, 4-methylimidazole , At least one azole compound selected from the group consisting of 4-ethylimidazole, 4-methylimidazole, methyltriazole, methyltetrazole and 4-propylimidazole May be optionally included, and methyltetrazole may be preferably used.

상기 아졸화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.05 내지 2.0 중량%로 포함되고, 바람직하게는 0.1 내지 1.0중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 구리계 금속막에 대한 식각 속도가 증가하여 과도한 시디로스가 발생될 수 있으며, 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 구리계 금속막의 식각 속도가 저하되어 식각 잔사가 발생될 수 있다.The azole compound is contained in 0.05 to 2.0% by weight, preferably 0.1 to 1.0% by weight relative to the total weight of the composition. When included below the above range, the etching rate with respect to the copper-based metal film may be increased to generate excessive CDOS. When included beyond the above-mentioned range, the etching rate of the copper-based metal film may be lowered to cause etching residue. Can be.

C) 구연산C) citric acid

상기 구연산은 처리매수 향상제로서 구리계 금속막의 처리매수를 높이는 역할을 한다. 기존에 사용되고 있는 유기산 중 IDA(imino diacetate)류는 구리계 금속막의 식각시 처리매수 향상을 위한 필수 요소였지만, 자체 분해 경시가 있어 시간이 지날수록 처리매수가 감소하는 현상이 발생한다. 또한 기존의 구리계 금속막의 식각에 유기산이 사용된 예가 있으나, 모든 유기산이 처리매수 향상에 기여하는 것은 아니며, 구연산만이 구리계 금속막의 식각에 있어서 처리매수를 증가시켜주는 효과를 나타낸다. The citric acid serves to increase the number of sheets of the copper-based metal film as a treatment sheet improving agent. Among the organic acids used in the past, IDA (imino diacetate) was an essential element for improving the number of treated sheets when etching a copper-based metal film. However, due to self-decomposition, the number of treated sheets decreases with time. In addition, although there is an example in which an organic acid is used to etch the conventional copper-based metal film, not all organic acids contribute to the improvement of the treated sheet, and only citric acid has an effect of increasing the processed sheet in the etching of the copper-based metal film.

상기 구연산은 조성물 총 중량에 대하여, 1 내지 10 중량%로 포함되고, 바람직하게는 2 내지 7 중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 구리계 금속막에 대한 식각 속도가 저하되어 식각 잔사가 발생될 수 있고, 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 식각 속도가 증가하여 구리계 금속막의 과식각을 초래할 수 있다.The citric acid is included in 1 to 10% by weight, preferably 2 to 7% by weight based on the total weight of the composition. If included in the above-described range, the etching rate for the copper-based metal film is lowered may cause an etching residue. If included in the above-described range, the etching rate may increase, resulting in over-etching of the copper-based metal film. have.

D) 다가알코올형 계면활성제D) polyhydric alcohol type surfactant

상기 다가알코올형 계면활성제는 표면장력을 저하시켜 식각의 균일성을 증가시키는 역할을 한다. 또한, 상기 다가알코올형 계면활성제는 구리막을 식각한 후 식각액에 녹아 나오는 구리 이온을 둘러 쌈으로서 구리이온의 활동도를 억제하여 과산화수소의 분해 반응을 억제하게 된다. 이와 같이 구리 이온의 활동도를 낮추게 되면 식각액을 사용하는 동안 안정적으로 공정을 진행 할 수 있게 된다. The polyhydric alcohol-type surfactant lowers the surface tension serves to increase the uniformity of the etching. In addition, the polyhydric alcohol-type surfactant surrounds the copper ions dissolved in the etchant after etching the copper film to suppress the activity of the copper ions to suppress the decomposition reaction of hydrogen peroxide. As such, lowering the activity of copper ions allows the process to be stably performed while using the etchant.

상기 다가올코올형 계면활성제로는 글리세롤(glycerol), 트리에틸렌 글리콜(triethylene glycol) 및 폴리에틸렌 글리콜(polyethylene glycol)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이 사용될 수 있고, 바람직하게는 트리에틸렌글리콜을 사용할 수 있다.As the polyhydric alcohol-type surfactant, one or more selected from the group consisting of glycerol, triethylene glycol, and polyethylene glycol may be used, and preferably triethylene glycol may be used. have.

상기 다가알코올형 계면활성제의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 0.001 내지 5 중량%로 포함되고, 특히 바람직하게는 0.1 내지 3 중량% 범위로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 식각 균일성이 저하되고 과산화수소의 분해가 가속화 되는 문제점이 생길 수 있으며, 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 거품이 많이 발생되어 식각 특성이 저하 될 수 있다.The content of the polyhydric alcohol-type surfactant is included in 0.001 to 5% by weight, particularly preferably in the range of 0.1 to 3% by weight based on the total weight of the composition. When included in the above-described range, the etching uniformity may be lowered and the decomposition of hydrogen peroxide may be accelerated, and when included in the above-mentioned range, a lot of bubbles may be generated to reduce the etching characteristics.

E) 황산수소칼륨 E) potassium hydrogen sulfate

상기 황산수소칼륨은 구리계 금속막의 식각 속도를 조절하는 역할을 하며, 하기 알라닌과 함께 사용됨으로써 식각액의 처리매수 경시 변화에 따른 테이퍼 각(taper angle) 및 사이트 에치(side etch) 변동량을 최소화하여 공정 마진을 높여준다. The potassium hydrogen sulfate serves to control the etching rate of the copper-based metal film, and is used together with the following alanine to minimize the taper angle and side etch variation according to the change in the number of etching solutions. Increase your margin.

상기 황산수소칼륨은 조성물 총 중량에 대하여, 0.01 내지 3.0 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 2.0 중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 구리 식각 속도가 느려지고, 알라닌과 함께 사용 할 때 테이퍼 각 및 사이트 에치 변동량이 큰 문제가 발생하며, 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 구리 식각 속도가 빨라져 배선 단락현상이 발생한다.The potassium hydrogen sulfate is included in an amount of 0.01 to 3.0% by weight, preferably 0.05 to 2.0% by weight, based on the total weight of the composition. When included below the above-mentioned range, the copper etching rate is slowed down, and when used with alanine, a large amount of taper angle and site etch variation occurs, and when it exceeds the above-mentioned range, the copper etching rate is increased, resulting in a wiring short circuit. This happens.

F) 알라닌 F) alanine

상기 알라닌은 하부막인 산화물반도체층의 보호 및 식각액의 처리매수 증가의 역할을 하며, 상기 황산수소칼륨과 함께 사용됨으로써 식각액의 처리매수 경시 변화에 따른 테이퍼 각 및 사이트 에치 변동량을 최소화하여 공정 마진을 높여준다. The alanine serves to protect the oxide semiconductor layer, which is a lower layer, and to increase the number of treating solutions of the etching solution. The alanine is used together with the potassium hydrogen sulfate, thereby minimizing the variation of the taper angle and site etch according to the change of the treating number of the etching solution over time. Increase it.

상기 알라닌은 조성물 총 중량에 대하여, 0.01 내지 3.0 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 2.0 중량%로 포함된다. 상술한 범위 미만으로 포함되면, 식각액으로부터 반도체층을 보호하지 못하며, 상술한 범위를 초과하여 포함되면, 반도체층에 흡착하여 소자특성에 문제를 유발시킬 수 있다. The alanine is included in 0.01 to 3.0% by weight, preferably 0.05 to 2.0% by weight relative to the total weight of the composition. If it is included below the above range, the semiconductor layer may not be protected from the etchant, and if it is included beyond the above range, the semiconductor layer may be adsorbed onto the semiconductor layer to cause problems in device characteristics.

또한, 상기 황산수소칼륨과 알라닌은 1 : 1 내지 5의 중량비로, 바람직하게는 1 : 2 내지 4의 중량비로, 가장 바람직하게는 1 : 3의 중량비로 포함된다. 황산수소칼륨과 알라닌이 상술한 중량비로 포함되는 경우, 식각액의 처리 매수 경시 변화에 따른 테이퍼 각 및 사이트 에치 변동량을 최소화하는 상기 특성을 최대화시킬 수 있다.In addition, the potassium hydrogen sulfate and alanine are included in a weight ratio of 1: 1 to 5, preferably in a weight ratio of 1: 2 to 4, most preferably in a weight ratio of 1: 3. When potassium hydrogen sulfate and alanine are included in the above-described weight ratio, the above characteristics of minimizing the variation of the taper angle and the site etch due to the change in the number of sheets of the etching solution over time can be maximized.

G) 물G) water

본 발명의 구리계 금속막 식각액 조성물에 포함되는 물은 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함된다. 상기 물은 특별히 한정하지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고 상기 물은 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18 ㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 사용하는 것이 보다 바람직하다.Water contained in the copper-based metal film etching liquid composition of the present invention is contained in the remaining amount so that the total weight of the composition is 100% by weight. Although the said water is not specifically limited, It is preferable to use deionized water. And the water is more preferably used deionized water having a specific resistance value of 18 kPa · cm or more showing the degree of ions removed in the water.

또한, 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 첨가할 수 있으며, 첨가제로는 금속 이온 봉쇄제, 및 부식 방지제 등을 들 수 있다.In addition to the above components, a conventional additive may be further added, and examples of the additive include a metal ion blocking agent, a corrosion inhibitor, and the like.

본 발명에서 사용되는 각 구성성분은 통상적으로 공지된 방법에 의해서 제조가 가능하며, 본 발명의 식각액 조성물은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.Each component used in the present invention can be prepared by a conventionally known method, it is preferable that the etching liquid composition of the present invention has a purity for the semiconductor process.

또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 이용한 구리계 금속막의 식각방법을 제공한다. 구체적으로, 본 발명의 식각액 조성물을 이용한 구리계 금속막의 식각방법은In addition, the present invention provides an etching method of a copper-based metal film using the etchant composition. Specifically, the etching method of the copper-based metal film using the etchant composition of the present invention

(1) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;(1) forming a copper-based metal film on the substrate;

(2) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및(2) selectively leaving a photoreactive material on the copper-based metal film; And

(3) 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계를 포함한다. (3) etching the copper-based metal film using the etchant composition of the present invention.

상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.The photoreactive material is preferably a conventional photoresist material, which may optionally be left by conventional exposure and development processes.

또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 이용한 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다. 구체적으로, 본 발명의 식각액 조성물을 이용한 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법은 In addition, the present invention provides a method of manufacturing an array substrate for a display display device using the etchant composition. Specifically, the manufacturing method of the array substrate for a display display device using the etchant composition of the present invention

a) 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계,a) forming a gate wiring on the substrate,

b) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계,b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;

c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계,c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer,

d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer, and

e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,(e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode;

상기 a)단계 또는 d)단계 중 적어도 하나는 상기 기판 상에 구리계 금속막을 적층하는 단계, 및 식각액 조성물을 사용하여 식각하는 단계를 포함하며,At least one of the steps a) or d) includes the step of laminating a copper-based metal film on the substrate, and etching using an etchant composition,

상기 식각액 조성물은, 과산화수소, 아졸계 화합물, 구연산, 다가알코올형 계면활성제, 황산수소칼륨, 알라닌 및 물을 포함하는 것을 특징으로 한다. The etchant composition is characterized in that it comprises hydrogen peroxide, azole compound, citric acid, polyhydric alcohol type surfactant, potassium hydrogen sulfate, alanine and water.

상기 디스플레이 표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다. The display substrate array substrate may be a thin film transistor (TFT) array substrate.

본 발명은 또한,The present invention also provides

상기 식각액 조성물을 사용하여 식각된 게이트 배선, 소스 전극 및 드레인 전극 중에서 하나 이상을 포함하는 디스플레이 표시장치용 어레이 기판을 제공한다.Provided is an array substrate for a display display device including at least one of a gate wiring, a source electrode, and a drain electrode etched using the etchant composition.

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다. 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해질 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail using examples and comparative examples. However, the following examples are provided to illustrate the present invention, and the present invention is not limited to the following examples and may be variously modified and changed. The scope of the invention will be defined by the technical spirit of the claims below.

실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 7: 식각액 조성물 제조Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7: Preparation of etchant composition

하기 표 1에 나타낸 조성 및 함량에 따라 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 7 각각의 식각액 조성물 180㎏을 제조하였다.180 kg of the etchant composition of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7 were prepared according to the compositions and contents shown in Table 1 below.

[표 1]TABLE 1

(단위: 중량%)(Unit: weight%)

Figure pat00001
Figure pat00001

MTZ: 5-메틸테트라졸MTZ: 5 - methyl tetrazole

TEG: 트리에틸렌글리콜TEG: triethylene glycol

PHS: 황산수소칼륨PHS: Potassium Hydrogen Sulfate

SA: sulfamic acidSA: sulfamic acid

APS: ammonium persulfateAPS: ammonium persulfate

FA: formic acidFA: formic acid

MA: malonic acidMA: malonic acid

GA: glycolic acidGA: glycolic acid

실험예: 식각액 조성물의 특성 평가Experimental Example: Evaluation of Properties of Etching Liquid Composition

유리기판(100㎜Ⅹ100㎜) 상에 산화물 반도체층(IGZO), 몰리브덴-티타늄 합금막(MoTi)층 및 구리막을 순차적으로 증착하여 구리계 금속막을 형성시킨 뒤, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 상기 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 하였다. 그 후 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 7의 식각액 조성물 각각을 사용하여 상기 구리계 금속막에 대한 식각 공정을 실시하였다. An oxide semiconductor layer (IGZO), a molybdenum-titanium alloy film (MoTi) layer, and a copper film are sequentially deposited on a glass substrate (100 mm × 100 mm) to form a copper-based metal film, followed by a photolithography process. A photoresist having a predetermined pattern was formed on the substrate. Thereafter, the etching process for the copper-based metal film was performed using each of the etching solution compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7.

분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각 공정시 식각액 조성물의 온도는 약 30℃ 내외로 하였다. 식각 시간은 100 내지 100초 정도로 진행하였으며, 상기 식각 공정에서 식각된 구리계 금속막의 프로파일의 단면은 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였고, 결과를 하기 표 2에 기재하였다.Experimental equipment of the spray etching method (model name: ETCHER (TFT), SEMES company) was used, the temperature of the etching liquid composition during the etching process was about 30 ℃. The etching time was about 100 to 100 seconds, the cross section of the profile of the copper-based metal film etched in the etching process was examined using SEM (Hitachi, model name S-4700), the results are shown in Table 2 below. .

[표 2]TABLE 2

Figure pat00002
Figure pat00002

<식각 프로파일 평가 기준>Etch Profile Evaluation Criteria

○: 테이퍼 각이 35° 이상 내지 60° 미만, ○: taper angle is 35 ° or more and less than 60 °,

△: 테이퍼 각이 30°이상 내지 35°미만 또는 60°이상 내지 65°이하, (Triangle | delta): A taper angle is 30 degrees or more and less than 35 degrees, or 60 degrees or more and 65 degrees or less,

×: 테이퍼 각이 30°이하 또는 65°초과, X: taper angle is 30 degrees or less or 65 degrees or more,

Unetch: 식각 안 됨Unetch: not etched

<식각 직진성 평가 기준><Etch straightness evaluation criteria>

○: 패턴이 직선으로 형성됨, ○: the pattern is formed in a straight line,

△: 패턴에 곡선 형태가 20% 이하임, (Triangle | delta): A curve form is 20% or less in a pattern,

×: 패턴에 곡선 형태가 20% 초과임, ×: the pattern is more than 20% curved;

Unetch: 식각 안 됨Unetch: not etched

<IGZO Damage 평가기준><IGZO Damage Evaluation Criteria>

○: 좋음, ○: good,

△: 보통, △: usually,

×: 나쁨 ×: bad

상기 표 2의 결과로부터 확인되는 바와 같이, 황산수소칼륨과 알라닌을 동시에 포함하는 실시예 1 내지 4의 식각액 조성물은 모두 구리계 금속막에 대해 양호한 식각 특성을 나타내었다.As can be seen from the results of Table 2, the etching liquid compositions of Examples 1 to 4 simultaneously containing potassium hydrogen sulfate and alanine exhibited good etching characteristics with respect to the copper-based metal film.

보다 구체적으로, 본 발명의 실시예 1 내지 4의 식각액 조성물은 2.5 내지 3.8°의 Taper Angle 변동량, 0.08 내지 0.10㎛의 Side Etch 변동량 및 6000ppm의 Cu/MoTi 막에 대한 처리매수를 나타내어, 비교예 1 내지 7의 식각액 조성물 대비 현저히 향상된 결과를 나타냄을 확인할 수 있었다.More specifically, the etching liquid composition of Examples 1 to 4 of the present invention shows the treatment amount for the Taper Angle variation of 2.5 to 3.8 °, the Side Etch variation of 0.08 to 0.10 µm and the 6000 ppm Cu / MoTi film, Comparative Example 1 It was confirmed that the results show a significantly improved compared to the etchant composition of 7 to.

또한 IGZO Damage 평가에서, 본 발명의 실시예 1 내지 4의 식각액 조성물을 사용하는 경우 하부 산화막인 IGZO의 손상(damage)이 발생되지 않은 반면, 비교예 1 내지 7의 식각액 조성물을 사용하는 경우에는 하부 산화막인 IGZO의 손상이 발생됨을 확인할 수 있었다.In addition, in the IGZO damage evaluation, when using the etchant composition of Examples 1 to 4 of the present invention, no damage of IGZO, which is a lower oxide film, occurred, whereas when using the etchant composition of Comparative Examples 1 to 7, It was confirmed that the damage of the oxide film IGZO occurred.

Claims (12)

과산화수소, 아졸계 화합물, 구연산, 다가알코올형 계면활성제, 황산수소칼륨, 알라닌 및 물을 포함하는 구리계 금속막의 식각액 조성물.An etching liquid composition of a copper metal film containing hydrogen peroxide, an azole compound, citric acid, a polyhydric alcohol type surfactant, potassium hydrogen sulfate, alanine and water. 제1항에 있어서,
상기 구리계 금속막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 과산화수소 15.0 내지 30.0 중량%, 아졸계 화합물 0.05 내지 2.0 중량%, 구연산 1.0 내지 10.0 중량%, 다가알코올형 계면활성제 0.001 내지 5.0 중량%, 황산수소칼륨 0.01 내지 3.0 중량%, 알라닌 0.01 내지 3.0 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각액 조성물.The method of claim 1,
Regarding the total weight of the etching liquid composition of the copper-based metal film, hydrogen peroxide 15.0 to 30.0% by weight, azole compound 0.05 to 2.0% by weight, citric acid 1.0 to 10.0% by weight, polyalcohol-type surfactant 0.001 to 5.0% by weight, potassium hydrogen sulfate 0.01 To 3.0% by weight, alanine 0.01 to 3.0% by weight and the remaining amount of the etching solution composition of the copper-based metal film comprising a water. 제1항에 있어서,
상기 황산수소칼륨과 알라닌은 1 : 1 내지 5의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각액 조성물.The method of claim 1,
The potassium hydrogen sulfate and alanine is an etching solution composition of the copper-based metal film, characterized in that it is included in a weight ratio of 1: 1 to 5. 제1항에 있어서,
상기 아졸계 화합물은 아미노테트라졸(aminotetrazole), 벤조트리아졸 (benzotriazole), 톨릴트리아졸(tolyltriazole), 피라졸(pyrazole), 피롤(pyrrole), 이미다졸(imidazole), 2-메틸이미다졸(2-methylimidazole), 2-에틸이미다졸(2-ethylimidazole), 2-프로필이미다졸(2-propylimidazole), 2-아미노이미다졸(2-aminoimidazole), 4-메틸이미다졸(4-methylimidazole), 4-에틸이미다졸(4-ethylimidazole), 메틸트리아졸(methyltriazole), 메틸테트라아졸(methyltetrazole) 및 4-프로필이미다졸(4-propylimidazole)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각액 조성물.The method of claim 1,
The azole compound is aminotetrazole, benzotriazole, tolyltriazole, pyrazole, pyrrole, imidazole, 2-methylimidazole ( 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-propylimidazole, 2-aminoimidazole, 4-methylimidazole ), 4-ethylimidazole, 4-methylimidazole, methyltriazole, methyltetrazole, and 4-propylimidazole. An etching liquid composition of a copper-based metal film. 제1항에 있어서,
상기 다가올코올형 계면활성제는 글리세롤(glycerol), 트리에틸렌글리콜(triethylene glycol) 및 폴리에틸렌 글리콜(polyethylene glycol)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각액 조성물.The method of claim 1,
The polyalcohol-type surfactant is an etching solution composition of a copper-based metal film, characterized in that at least one selected from the group consisting of glycerol (triglycerol), triethylene glycol (polyethylene glycol) and polyethylene glycol (polyethylene glycol). 제1항에 있어서,
상기 구리계 금속막은 구리 또는 구리 합금의 단일막; 또는 구리막 및 구리 합금막 중에서 선택되는 하나 이상의 막과, 몰리브덴막, 몰리브덴 합금막, 티타늄막 및 티타늄 합금막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 막을 포함하는 다층막인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막의 식각액 조성물.The method of claim 1,
The copper-based metal film is a single film of copper or copper alloy; Or a multilayer film including at least one film selected from a copper film and a copper alloy film, and at least one film selected from the group consisting of molybdenum film, molybdenum alloy film, titanium film, and titanium alloy film. Composition. (1) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
(2) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3) 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 식각액 조성물을 사용하여 상기 구리계 금속막을 식각하는 단계를 포함하는 구리계 금속막의 식각방법.(1) forming a copper-based metal film on the substrate;
(2) selectively leaving a photoreactive material on the copper-based metal film; And
(3) Etching the copper-based metal film comprising the step of etching the copper-based metal film using the etching liquid composition of any one of items 1 to 6. a) 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계,
b) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계,
c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계,
d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및
e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 a)단계 또는 d)단계 중 적어도 하나는 상기 기판 상에 구리계 금속막을 적층하는 단계, 및 식각액 조성물을 사용하여 식각하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 과산화수소, 아졸계 화합물, 구연산, 다가알코올형 계면활성제, 황산수소칼륨, 알라닌 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법. a) forming a gate wiring on the substrate,
b) forming a gate insulating layer on the substrate including the gate wiring;
c) forming a semiconductor layer on the gate insulating layer,
d) forming source and drain electrodes on the semiconductor layer, and
(e) forming a pixel electrode connected to the drain electrode;
At least one of the steps a) or d) includes the step of laminating a copper-based metal film on the substrate, and etching using an etchant composition,
The etchant composition comprises a hydrogen peroxide, an azole compound, citric acid, a polyalcohol-type surfactant, potassium hydrogen sulfate, alanine and water manufacturing method of an array substrate for a display display device. 제8항에 있어서,
상기 디스플레이 표시장치용 어레이 기판이 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법.The method of claim 8,
And the display substrate array substrate is a thin film transistor (TFT) array substrate. 제8항에 있어서,
상기 식각액 조성물은, 식각액 조성물 총 중량에 대하여 과산화수소 15.0 내지 30.0 중량%, 아졸계 화합물 0.05 내지 2.0 중량%, 구연산 1.0 내지 10.0 중량%, 다가알코올형 계면활성제 0.001 내지 5.0 중량%, 황산수소칼륨 0.01 내지 3.0 중량%, 알라닌 0.01 내지 3.0 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법.The method of claim 8,
The etchant composition is 15.0 to 30.0% by weight of hydrogen peroxide, 0.05 to 2.0% by weight of azole compound, 1.0 to 10.0% by weight of citric acid, 0.001 to 5.0% by weight of polyalcohol-type surfactant, 0.01 to 5.0% of potassium hydrogen sulfate 3.0 weight%, alanine 0.01 to 3.0 weight%, and a residual amount of water. 제8항에 있어서,
상기 식각액 조성물은, 상기 황산수소칼륨과 알라닌이 1 : 1 내지 5의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 표시장치용 어레이 기판의 제조방법.The method of claim 8,
The etchant composition, wherein the potassium hydrogen sulfate and alanine is contained in a weight ratio of 1: 1 to 5, the method of manufacturing an array substrate for a display display device. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 식각액 조성물을 사용하여 식각된 게이트 배선, 소스 전극 및 드레인 전극 중에서 하나 이상을 포함하는 디스플레이 표시장치용 어레이 기판.An array substrate for a display display device comprising at least one of a gate wiring, a source electrode, and a drain electrode etched using the etchant composition according to claim 1.
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