KR20190104816A - 디지타이저 및 그 제조 방법 - Google Patents

디지타이저 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20190104816A
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최병진
박성환
허윤호
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

터치 센서와 일체형으로 형성할 수 있는 디지타이저 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 디지타이저는 높은 필압 감지 수준과 간소화된 제조공정, 우수한 시인성을 갖는다.

Description

디지타이저 및 그 제조 방법{Digitizer and Method of Preparing the Same}
본 발명은 디지타이저 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 터치 센서와 일체형으로 형성할 수 있는 디지타이저 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근의 표시장치는 사용자가 손가락이나 전자 펜을 이용하여 직접 화면을 터치하여 입력하는 터치 입력방식이 많이 적용되고 있다. 특히, 이러한 터치 입력방식은 키보드나 마우스와 같은 별도의 입력장치 없이 표시 화면에 결합될 수 있어 스마트폰, 노트북 컴퓨터, 태블릿 PC와 같은 휴대용 단말에 많이 사용된다.
일반적으로 사용자가 손가락을 이용하여 입력을 수행하는 정전용량(Capacitive) 방식의 터치 센서는 직관적이고 간편하다는 장점이 있지만, 정밀한 좌표의 지정에는 한계가 있다. 이에 따라, 정밀한 그래픽 입력을 위해서는 펜을 사용하는 전자기 공진(ElectroMagnetic Resonance, EMR) 방식을 사용하는 디지타이저가 유리하게 사용된다.
이와 같은 두 가지 입력 방식을 하나의 기기에 일체화하고자 하는 시도로서, 대한민국 공개 특허 제2015-0135565호에서는 액티브 영역과 베젤 영역으로 구획되는 투명기판; 투명기판의 액티브 영역에 형성되어 정전 용량 변화를 감지하는 터치센싱부; 터치센싱부 상부면에 형성되는 것으로, 메쉬 패턴을 갖는 절연막; 및 절연막 상부면에 형성되는 것으로, 메쉬 패턴을 가지며 외부로부터 송신된 신호를 수신하거나, 외부로 파워 신호를 송신 가능한 전극을 포함하는 금속패턴부를 포함하는 터치 패널을 개시하고 있다.
그러나, 대한민국 공개 특허 제2015-0135565호에 개시된 터치 패널에서는 하나의 금속패턴부를 이용하여 외부로부터 송신된 신호를 수신하거나, 외부로 파워 신호를 송신하기 때문에 감도가 낮을 뿐 아니라 노이즈가 발생할 가능성이 있다.
또한, 금속패턴부가 터치센싱부와 중첩되며 루프 패턴을 이루어 금속패턴이 형성된 부분과 금속패턴이 형성되지 않은 부분의 투과율 차이로 인한 시인성의 문제가 존재한다.
대한민국 공개 특허 제2015-0135565호
본 발명의 한 목적은 터치 센서와 일체형으로 형성할 수 있으며 높은 필압 감지 수준을 갖는 디지타이저 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 터치 센서와 일체형으로 형성할 수 있으며 제조공정이 간소화된 디지타이저 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 터치 센서와 일체형으로 형성할 수 있으며 시인성이 개선된 디지타이저 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
이와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는, 기재; 상기 기재 상에 배치되는 제1 및 제2 터치 센싱 전극; 상기 기재 상에 배치되며 상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 동일한 층으로 형성되는 제1 디지타이저 전극; 상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극 상에 형성되며 상기 제1 터치 센싱 전극의 적어도 일부를 노출하는 관통홀을 갖는 절연층; 상기 절연층 상에 형성되며 상기 관통홀을 통해 상기 제1 터치 센싱 전극을 전기적으로 연결하는 터치 센서 브리지; 상기 절연층 상에 상기 터치 센서 브리지와 동일한 층으로 형성되는 제2 디지타이저 전극; 및 상기 터치 센서 브리지와 상기 제2 디지타이저 전극 상에 형성되는 패시베이션층을 포함하는 디지타이저를 제공한다.
본 발명의 다른 양상에 따르면, 기재; 상기 기재 상에 배치되는 제1 및 제2 터치 센싱 전극; 상기 기재 상에 배치되며 상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 동일한 층으로 형성되는 제1 디지타이저 전극; 상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극 상에 형성되며 상기 제1 터치 센싱 전극의 적어도 일부를 노출하는 제1 관통홀과 상기 제1 디지타이저 전극의 적어도 일부를 노출하는 제2 관통홀을 갖는 절연층; 상기 절연층 상에 형성되며 상기 제1 관통홀을 통해 상기 제1 터치 센싱 전극을 전기적으로 연결하는 터치 센서 브리지; 상기 절연층 상에 형성되며 상기 제2 관통홀을 통해 상기 제1 디지타이저 전극을 전기적으로 연결하는 디지타이저 브리지; 상기 절연층 상에 상기 터치 센서 브리지 및 상기 디지타이저 브리지와 동일한 층으로 형성되는 제2 디지타이저 전극; 및 상기 터치 센서 브리지, 상기 디지타이저 브리지 및 상기 제2 디지타이저 전극 상에 형성되는 패시베이션층을 포함하는 디지타이저가 제공된다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 투명 전도성 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 2개 이상의 층을 갖는 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 ITO/APC/ITO의 삼중층 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 금속 메시로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 기재; 상기 기재 상에 배치되는 제1 터치 센싱 전극; 상기 기재 상에 상기 제1 터치 센싱 전극과 동일한 층으로 형성되는 제1 디지타이저 전극; 상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극 상에 형성되는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되는 제2 터치 센싱 전극; 상기 절연층 상에 상기 제2 터치 센싱 전극과 동일한 층으로 형성되는 제2 디지타이저 전극; 및 상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극 상에 형성되는 패시베이션층을 포함하는 디지타이저가 제공된다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 투명 전도성 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 2개 이상의 층을 갖는 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 ITO/APC/ITO의 삼중층 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 금속 메시로 이루어질 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 투명 전도성 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 2개 이상의 층을 갖는 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 ITO/APC/ITO의 삼중층 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 금속 메시로 이루어질 수 있다.
상기 디지타이저들에서 상기 제1 및 제2 디지타이저 전극 중 적어도 하나는 상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극을 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
상기 디지타이저들에서 상기 기재는 유연성 기재일 수 있다.
본 발명의 추가적인 양상에 따르면, 상술한 바와 같은 디지타이저; 및 상기 디지타이저 하부에 배치되는 표시층을 포함하는 유연성 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 기재 상에 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 제1 디지타이저 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극 상에 상기 제1 터치 센싱 전극의 적어도 일부를 노출하는 관통홀을 갖는 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 상기 제1 터치 센싱 전극을 전기적으로 연결하는 터치 센서 브리지와 제2 디지타이저 전극을 형성하는 단계; 및 상기 터치 센서 브리지와 상기 제2 디지타이저 전극 상에 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 디지타이저의 제조 방법이 제공된다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 투명 전도성 물질로 형성할 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 형성할 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 형성할 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 2개 이상의 층을 갖는 구조로 형성할 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 ITO/APC/ITO의 삼중층 구조로 형성할 수 있다.
상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 금속 메시로 형성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 기재 상에 제1 터치 센싱 전극과 제1 디지타이저 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 제2 터치 센싱 전극과 제2 디지타이저 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극 상에 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 디지타이저의 제조 방법이 제공된다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 투명 전도성 물질로 형성할 수 있다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 형성할 수 있다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 형성할 수 있다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 2개 이상의 층을 갖는 구조로 형성할 수 있다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 ITO/APC/ITO의 삼중층 구조로 형성할 수 있다.
상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 금속 메시로 형성할 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 투명 전도성 물질로 형성할 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 형성할 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 형성할 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 2개 이상의 층을 갖는 구조로 형성할 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 ITO/APC/ITO의 삼중층 구조로 형성할 수 있다.
상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 금속 메시로 형성할 수 있다.
상기 디지타이저의 제조 방법들에서, 상기 제1 및 제2 디지타이저 전극 중 적어도 하나는 상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극을 둘러싸는 형태로 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 디지타이저는 높은 필압 감지 수준과 간소화된 제조 공정을 가지며, 시인성이 우수하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5a 내지 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저의 제조 방법을 나타내는 공정 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저를 포함하는 유연성 표시 장치의 단면도이다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 다만 본 발명을 설명함에 있어서 본 명세서에 첨부된 도면들을 참조할 때, 도면들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐, 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 설명 상의 편의를 위해 일부 구성요소들은 도면 상에서 과장되게 표현되거나, 축소 또는 생략되어 있을 수 있다.
본 발명은 추가되는 적층 공정 없이 터치 센서와 일체형으로 디지타이저를 형성하여 높은 필압 감지, 호버(Hover), 펜기울기(Pen Tilt) 수준을 가지면서 제조공정이 간소화되고 시인성이 우수한 디지타이저와 그 제조 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저는 터치 센서의 구성요소로서 터치를 감지하는 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 터치 센싱 전극(121)을 전기적으로 연결하는 터치 센서 브리지(123)를 포함하고, 디지타이저의 구성요소로서 제1 디지타이저 전극(141) 및 제2 디지타이저 전극(142)을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저에 포함되는 터치 센서는 제1 및 제2 터치 센싱 전극(센싱 전극 및 구동 전극으로 지칭되기도 한다) 사이에 발생하는 정전용량이 손가락이 접촉됨에 따라 변화하는 것을 감지하는 상호 정전용량(Mutual-Capacitive) 방식의 터치 센서이다. 터치 센싱 전극 자체의 정전용량을 초기값으로 하며 손가락이 접촉됨에 따라 터치 센싱 전극에 발생하는 정전용량 성분의 변화를 인식하는 자기 정전용량(Self-Capacitive) 방식의 터치 센서에 비해 구조가 복잡하지만, 멀티터치가 가능하고 정확한 직선성(linearity)의 구현이 가능하여 많은 모바일 터치 스크린 패널이 상호 정전용량 방식을 채택하고 있다.
이에 따라 본 발명의 실시예에서는, 도 1 및 도 2에 나타난 바와 같이, 기재(110) 상에 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)이 배열되어 있고, 제1 터치 센싱 전극(121)은 터치 센서 브리지(123)를 통해 서로 연결된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저에 포함되는 디지타이저는 제1 및 제2 디지타이저 전극(141, 142)을 각각 신호를 송신하기 위한 송신부 전극과 신호를 수신하기 위한 수신부 전극으로 별도로 사용함으로써 상호 간섭에 의한 잡음을 억제하며 감지 해상도의 향상을 가져올 수 있다.
이제, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저의 단면도인 도 2를 자세히 참조하면, 기재(110) 상에 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)이 동일층으로 형성되어 있다.
즉, 동일한 재료를 사용한 단일 공정으로 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)을 서로 중첩되지 않도록 형성할 수 있다.
제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)의 재료나 형태는 일반적인 터치 센서 및/또는 디지타이저에서 사용되는 재료 및 형태를 모두 사용할 수 있으며, 본 발명에서 이를 특별히 한정하지 않는다.
예를 들면, 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)은 투명 전도성 재료로 이루어질 수 있으며, 금속 메시, 금속 나노와이어, 금속산화물, 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 고분자 및 전도성 잉크에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.
여기서, 금속 메시에 사용되는 금속은 금, 은, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브데늄, 알루미늄, 팔라듐, 네오디뮴, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 및 이들의 합금 중 어느 하나가 될 수 있다.
그리고, 금속 나노와이어는 은 나노와이어, 구리 나노와이어, 지르코늄 나노와이어, 및 금 나노와이어 중 어느 하나가 될 수 있다.
그리고, 금속산화물은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 및 징크옥사이드(ZnO) 중 어느 하나가 될 수 있다.
또한 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)은 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)을 포함하는 탄소계 물질로 형성할 수도 있다.
상기 전도성 고분자는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 피닷(PEDOT) 및 폴리아닐린(polyaniline)을 포함하며, 상기 전도성 잉크는 금속파우더와 경화성 고분자 바인더가 혼합된 잉크를 포함한다.
또한, 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)은 전기 저항을 줄이기 위해 경우에 따라서는 2 이상의 전도층의 적층 구조로 이루어질 수 있다.
제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)은 일 실시예로 ITO, AgNW(은나노와이어), 또는 금속 메시로 단일층으로 형성할 수 있으며, 2 이상의 층을 형성하는 경우에는 제1 전극층을 ITO와 같은 투명 금속산화물로 형성하고, 전기적 저항을 더 낮추기 위하여 ITO 전극층 상부에 금속이나 AgNW 등을 이용하여 제2 전극층을 형성할 수 있다. 또는 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)을 투명 전도막/금속/투명 전도막의 삼중층 구조로 형성할 수 있으며, 구체적으로, IZO/APC(은-팔라듐-구리 합금)/IZO의 삼중층으로 형성할 수 있다.
제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 형성할 수 있다.
제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 형성할 수 있다.
제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)은 도 1 및 도 2에 나타난 본 발명의 일 실시예에서는 육각형의 형태를 갖고 있지만, 이에 제한되지 않으며, 서로 독립적으로 3각형, 4각형, 5각형, 6각형 또는 7각형 이상의 다각형 패턴일 수 있다.
또한, 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)은 패턴의 형태가 규칙성을 갖도록 형성되거나 패턴의 형태가 규칙성을 갖지 아니한 불규칙 패턴을 포함할 수도 있다.
제1 디지타이저 전극(141)은 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 중첩되지 않기만 하면 그 형태에 제한을 받지 않고 다양한 형태로 구성될 수 있다.
제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)은 기재(110) 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에서, 기재(110)는 유연성 필름 기재일 수 있고, 특히 투명필름일 수 있다.
투명필름은 투명성, 기계적 강도, 열안정성이 우수한 필름이 사용될 수 있으며, 구체적인 예로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 디아세틸셀룰로오스, 트리아세틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스계 수지; 폴리카보네이트계 수지; 폴리메틸(메타)아크릴레이트, 폴리에틸(메타)아크릴레이트 등의 아크릴계 수지; 폴리스티렌, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 등의 스티렌계 수지; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로계 또는 노보넨 구조를 갖는 폴리올레핀, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀계 수지; 염화비닐계 수지; 나일론, 방향족 폴리아미드 등의 아미드계 수지; 이미드계 수지; 폴리에테르술폰계 수지; 술폰계 수지; 폴리에테르에테르케톤계 수지; 황화 폴리페닐렌계 수지; 비닐알코올계 수지; 염화비닐리덴계 수지; 비닐부티랄계 수지; 알릴레이트계 수지; 폴리옥시메틸렌계 수지; 에폭시계 수지 등과 같은 열가소성 수지로 구성된 필름을 들 수 있으며, 상기 열가소성 수지의 블렌드물로 구성된 필름도 사용할 수 있다. 또한, (메타)아크릴계, 우레탄계, 아크릴우레탄계, 에폭시계, 실리콘계 등의 열경화형 수지 또는 자외선 경화형 수지로 된 필름을 이용할 수도 있다.
이와 같은 투명필름의 두께는 적절히 결정할 수 있지만, 일반적으로는 강도나 취급성 등의 작업성, 박층성 등의 점에서 1 내지 500㎛ 정도이며, 1 내지 300㎛가 바람직하고, 5 내지 200㎛가 보다 바람직하다.
이러한 투명필름은 적절한 1종 이상의 첨가제가 함유된 것일 수도 있다. 첨가제로는, 예컨대 자외선흡수제, 산화방지제, 윤활제, 가소제, 이형제, 착색방지제, 난연제, 대전방지제, 안료, 착색제 등을 들 수 있다. 상기 투명 필름은 필름의 일면 또는 양면에 하드코팅층, 반사방지층, 가스배리어층과 같은 다양한 기능성층을 포함하는 구조일 수 있으며, 기능성층은 전술한 것으로 한정되는 것은 아니며, 용도에 따라 다양한 기능성층을 포함할 수 있다.
또한, 필요에 따라 투명필름은 표면 처리된 것일 수 있다. 이러한 표면 처리로는 플라즈마 처리, 코로나 처리, 프라이머 처리 등의 건식 처리, 검화 처리를 포함하는 알칼리 처리 등의 화학 처리 등을 들 수 있다.
또한, 투명필름은 등방성필름, 위상차필름 또는 보호필름(Protective Film)일 수 있다.
등방성필름일 경우 면내 위상차(Ro, Ro=[(nx-ny)*d], nx, ny는 필름 평면 내의 주굴절률, nz는 필름 두께 방향의 굴절률, d는 필름 두께이다)가 40nm 이하이고, 15nm 이하가 바람직하며, 두께방향 위상차(Rth, Rth=[(nx+ny)/2-nz]*d)가 -90nm 내지 +75nm 이며, 바람직하게는 -80nm 내지 +60nm, 특히 -70nm 내지 +45nm 가 바람직하다.
위상차필름은 고분자필름의 일축 연신, 이축 연신, 고분자코팅, 액정코팅의 방법으로 제조된 필름이며, 일반적으로 디스플레이의 시야각보상, 색감개선, 빛샘개선, 색미조절 등의 광학특성 향상 및 조절을 위하여 사용된다.
위상차필름의 종류에는 1/2 이나 1/4 등의 파장판, 양의 C플레이트, 음의 C플레이트, 양의 A플레이트, 음의 A플레이트, 이축성 파장판을 포함한다.
보호필름은 고분자수지로 이루어진 필름의 적어도 일면에 점착층을 포함하는 필름이거나 폴리프로필렌 등의 자가점착성을 가진 필름일 수 있으며, 디지타이저 표면의 보호, 공정성 개선을 위하여 사용될 수 있다.
제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141) 위에는 절연층(130)이 형성되어 있다.
절연층(130)은 유기 절연막 또는 무기 절연막으로 형성될 수 있다.
절연층(130) 상에는 제2 디지타이저 전극(142)과 터치 센서 브리지(123)가 형성되어 있다.
여기에서, 제2 디지타이저 전극(142)과 터치 센서 브리지(123)는 동일한 재료를 사용한 단일 공정으로 형성될 수 있다.
터치 센서 브리지(123)는 절연층(130)을 관통하여 제1 터치 센싱 전극(121)을 서로 연결한다.
제2 디지타이저 전극(142) 및 터치 센서 브리지(123)의 재료나 형태는 일반적인 디지타이저 및/또는 터치 센서에서 사용되는 재료 및 형태를 모두 사용할 수 있으며, 본 발명에서 이를 특별히 한정하지 않는다.
예를 들면, 앞서 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122) 및 제1 디지타이저 전극(141)을 형성하는 데 사용되는 것과 동일한 재료를 사용하여 제2 디지타이저 전극(142) 및 터치 센서 브리지(123)를 형성할 수 있으며, 또는 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122) 및 제1 디지타이저 전극(141)과 다른 재료를 사용하여 형성할 수도 있다.
제2 디지타이저 전극(142) 및 터치 센서 브리지(123)는 금속으로 이루어질 수도 있다. 금속 재료로는, 예를 들어, 금, 은, 구리, 몰리브데늄, 니켈, 크롬, 은-팔라듐-구리합금(APC) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 디지타이저 전극(142)은 제2 터치 센싱 전극(122)의 연결부를 제외하면 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 중첩되지 않도록 형성되어 시인성을 개선하는 효과를 얻을 수 있다.
또한 디지타이저 전극의 패턴이 형성된 영역과 그렇지 않은 영역에서 반사율, 투과율 등의 차이로 패턴이 시인될 경우, 도면 상에 도시되지는 않았지만 제1 및 제2 디지타이저 전극(141, 142)과 유사한 형태(각도, 선폭, 형상 등)로 더미 패턴을 형성하여 시인성을 개선할 수 있다.
한편, 도 1 및 도 2에 나타난 본 발명의 일 실시예에서는, 제1 디지타이저 전극(141)을 디지타이저의 하부에 세로 방향으로 형성하고, 제2 디지타이저 전극(142)을 상부에 가로 방향으로 형성하였으나, 제1 및 제2 디지타이저 전극의 위치 및 방향이 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 디지타이저 전극(142)과 터치 센서 브리지(123) 상에는 패시베이션층(150)이 형성되어 있다.
패시베이션층(150)의 소재로는 당해 기술분야에 알려진 절연 소재가 제한 없이 사용될 수 있으며, 실리콘 산화물과 같은 비금속 산화물이나 아크릴계 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물 혹은 열경화성 수지 조성물이 사용될 수 있다.
패시베이션층(150)은 예를 들면 폴리사이클로올레핀계 재질로 형성될 수 있으며, 0.5 내지 5㎛의 두께를 가질 수 있다.
또한, 패시베이션층(150)은 예를 들면 아크릴계 유기절연막 재질로 형성될 수 있으며, 0.5 내지 5㎛의 두께를 가질 수 있다.
상술한 바와 같이, 터치 센서 및 디지타이저를 구성하는 각 전극의 형태는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 실시예에 제한되지 않으며, 도 3은 다른 형태의 전극 패턴을 갖는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저(20)는 터치 센서의 구성요소로서 터치를 감지하는 제1 및 제2 터치 센싱 전극(221, 222)과 제1 터치 센싱 전극(221)을 전기적으로 연결하는 터치 센서 브리지(223)를 포함하고, 디지타이저의 구성요소로서 제1 디지타이저 전극(241), 제2 디지타이저 전극(242) 및 제1 디지타이저 전극(241)을 전기적으로 연결하는 디지타이저 브리지(243)를 포함한다.
도 3에 나타난 바와 같이, 제1 및 제2 터치 센싱 전극(221, 222)은 마름모꼴로 형성되어 있으며, 제1 디지타이저 전극(241)이 제1 터치 센싱 전극(221)을 둘러싸는 마름모꼴 형태로 형성되어 있다. 제1 디지타이저 전극(241)은 제2 터치 센싱 전극(222)과 겹치지 않도록 하기 위하여 터치 센서 브리지(223)와 동일한 층 상에 형성되는 디지타이저 브리지(243)를 통해 서로 전기적으로 연결된다.
터치 센서 브리지(223) 및 디지타이저 브리지(243)와 동일한 층 상에 형성되는 제2 디지타이저 전극(242)은 세로 방향으로 형성되어 있으며, 제1 디지타이저 전극(241)과 제2 디지타이저 전극(242)은 각각 디지타이저의 수신부 및/또는 송신부 전극으로 사용될 수 있다.
한편, 도 3에서는 제2 디지타이저 전극(242)이 직사각형의 루프 형태로 도시되어 있지만, 제2 디지타이저 전극(242)의 형태가 이에 제한되는 것은 아니다.
예를 들어, 제2 디지타이저 전극(242) 또한 제1 및 제2 터치 센싱 전극(221, 222)을 둘러싸는 마름모꼴이 연속된 형태의 루프로 세로 방향으로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저(20)에 있어서 그밖의 구조나 재질 등은 도 1 및 2를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저(10)의 경우와 유사하므로 이에 대한 자세한 설명을 생략한다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저(30)는 터치 센서의 구성요소로서 터치를 감지하는 제1 및 제2 터치 센싱 전극(321, 322)을 포함하고, 디지타이저의 구성요소로서 제1 및 제2 디지타이저 전극(341, 342)를 포함한다.
도 4에 나타난 바와 같이, 기재(310) 상에 세로 방향으로 서로 연결된 제1 터치 센싱 전극(321)이 각각 육각형으로 형성되어 있으며, 제1 디지타이저 전극(341)이 제1 터치 센싱 전극(321)과 겹치지 않도록 제1 터치 센싱 전극(321)을 둘러싸는 형태로 세로 방향의 루프를 이루도록 형성되어 있다.
제1 터치 센싱 전극(321) 및 제1 디지타이저 전극(341)과는 전기적으로 절연되는 다른 층 상에 가로 방향으로 서로 연결되는 제2 터치 센싱 전극(322)이 형성되며, 제2 터치 센싱 전극(322)과 동일한 층으로 제2 터치 센싱 전극(322)과 겹치지 않도록 제2 터치 센싱 전극(322) 주위로 가로 방향의 루프를 이루도록 제2 디지타이저 전극(342)이 형성되어 있다.
제1 디지타이저 전극(341)과 제2 디지타이저 전극(342)은 각각 디지타이저의 수신부 및/또는 송신부 전극으로 사용될 수 있다.
한편, 도 4에서는 제1 디지타이저 전극(341)은 제1 터치 센싱 전극(321)의 형태를 따르는 루프의 형태로 도시되고 제2 디지타이저 전극(342)은 직사각형의 루프 형태로 도시되어 있지만, 제1 및 제2 디지타이저 전극(341, 342)의 형태가 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저(30)에 있어서 그밖의 구조나 재질 등은 도 1 및 2를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저(10)의 경우와 유사하므로 이에 대한 자세한 설명을 생략한다.
이제, 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저의 제조 방법을 상세히 설명한다.
본 발명의 터치 센서 일체형 디지타이저는 기재 상에 직접 형성하거나, 캐리어 기판을 이용하여 공정을 진행하여 터치 센서 일체형 디지타이저를 형성한 후 캐리어 기판을 분리하고 기재 필름을 부착할 수 있다.
본 명세서에서는, 기재 상에 직접 디지타이저를 형성하는 방법에 대해 주로 설명한다.
먼저, 도 5a에 나타난 바와 같이, 기재 상에 투명 전도막을 형성하고 패터닝하여 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)을 형성한다. 투명 전도막의 패터닝은 감광성 레지스트를 이용하는 포토리소그래피 공정을 통해 수행될 수 있다.
상기 투명 전도막은 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 스퍼터링(Sputtering) 공정, 스크린인쇄, 그라비아(Gravure) 인쇄, 리버스오프셋(Reverse Offset), 잉크젯(Ink Jet) 등의 인쇄공정, 건식 또는 습식의 도금 공정을 이용하여 성막할 수 있으며, 스퍼터링 공정으로 성막하는 경우에는 원하는 전극 패턴 형상을 갖는 마스크를 기재 위에 배치하고 스퍼터링 공정을 실시하여 전극 패턴층을 형성할 수 있다. 또한 상기의 성막 방식으로 전면에 전도층을 형성하고 포토리소그래피 공법을 이용하여 전극 패턴층을 형성할 수도 있다.
감광성 레지스트는 네가티브형(negative type) 감광성 레지스트 또는 포지티브형(positive type) 감광성 레지스트가 사용될 수 있다.
다음, 도 5b에 나타난 바와 같이, 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141)을 덮는 절연층(130)을 형성하고 패터닝하여 제1 터치 센싱 전극(121)을 노출하는 관통홀(131)을 형성한다.
여기서 절연층을 도포하는 방법으로는 공지의 코팅 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 스핀 코팅, 다이 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅, 스크린 코팅, 슬릿 코팅, 딥 코팅, 그라비아 코팅 등이 사용될 수 있다.
다음, 도 5c에 나타난 바와 같이, 절연층(130) 상에 투명 전도막을 형성하고 패터닝하여 제2 디지타이저 전극(142)과 터치 센서 브리지(123)를 형성한다.
제2 디지타이저 전극(142)과 터치 센서 브리지(123)의 투명 전도막 패턴은 앞서 제1 및 제2 터치 센싱 전극(121, 122)과 제1 디지타이저 전극(141) 패턴을 형성하는 것과 유사한 공정을 통해 형성될 수 있다.
마지막으로 제2 디지타이저 전극(142)과 터치 센서 브리지(123) 상부의전면에 패시베이션층을 형성하면, 도 2에 도시된 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저가 형성된다.
한편, 유연성 디지타이저를 구현하기 위하여 유연성 기재를 사용할 경우에 발생하는 공정 상의 어려움을 극복하기 위하여 캐리어 기판을 사용하여 공정을 진행하고, 이를 유연성 필름 기재 상으로 전사하는 방식으로 제조할 수도 있다.
이 경우, 일반적으로 캐리어 기판을 사용하는 공정을 특별한 제한 없이 사용할 수 있으며, 이에 대한 자세한 설명은 생략하지만, 상술한 유연성 기재 상에 형성하는 공정을 기반으로 이 분야의 기술자가 쉽게 도출할 수 있을 것이다.
한편, 본 발명의 다른 양상에 따르면, 상술한 바와 같은 디지타이저를 포함하는 유연성 표시 장치가 제공된다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유연성 표시 장치는 상술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 센서 일체형 디지타이저(10) 및 터치 센서 일체형 디지타이저(10) 하부의 표시층(40)을 포함하여 이루어진다.
표시층(40)으로는 유연성 표시장치에 적용할 수 있는 것을 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들면, OLED층이거나 LCD층일 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 본 발명이 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 상술한 본 발명의 실시예들은 독립적으로 또는 그 특징들의 일부 또는 전부를 조합하여 적용될 수 있다.
그러므로, 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 의해 정해지며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10, 20, 30: 터치센서 일체형 디지타이저 40: 표시층
110, 210, 310: 기재
121, 221, 321: 제1 터치 센싱 전극
122, 222, 322: 제2 터치 센싱 전극
123, 223: 터치 센서 브리지 130: 절연층
131: 관통홀
141, 241, 341: 제1 디지타이저 전극
142, 242, 342: 제2 디지타이저 전극
150: 패시베이션층 243: 디지타이저 브리지

Claims (45)

  1. 기재;
    상기 기재 상에 배치되는 제1 및 제2 터치 센싱 전극;
    상기 기재 상에 배치되며 상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 동일한 층으로 형성되는 제1 디지타이저 전극;
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극 상에 형성되며 상기 제1 터치 센싱 전극의 적어도 일부를 노출하는 관통홀을 갖는 절연층;
    상기 절연층 상에 형성되며 상기 관통홀을 통해 상기 제1 터치 센싱 전극을 전기적으로 연결하는 터치 센서 브리지;
    상기 절연층 상에 상기 터치 센서 브리지와 동일한 층으로 형성되는 제2 디지타이저 전극; 및
    상기 터치 센서 브리지와 상기 제2 디지타이저 전극 상에 형성되는 패시베이션층을 포함하는 디지타이저.
  2. 기재;
    상기 기재 상에 배치되는 제1 및 제2 터치 센싱 전극;
    상기 기재 상에 배치되며 상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 동일한 층으로 형성되는 제1 디지타이저 전극;
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극 상에 형성되며 상기 제1 터치 센싱 전극의 적어도 일부를 노출하는 제1 관통홀과 상기 제1 디지타이저 전극의 적어도 일부를 노출하는 제2 관통홀을 갖는 절연층;
    상기 절연층 상에 형성되며 상기 제1 관통홀을 통해 상기 제1 터치 센싱 전극을 전기적으로 연결하는 터치 센서 브리지;
    상기 절연층 상에 형성되며 상기 제2 관통홀을 통해 상기 제1 디지타이저 전극을 전기적으로 연결하는 디지타이저 브리지;
    상기 절연층 상에 상기 터치 센서 브리지 및 상기 디지타이저 브리지와 동일한 층으로 형성되는 제2 디지타이저 전극; 및
    상기 터치 센서 브리지, 상기 디지타이저 브리지 및 상기 제2 디지타이저 전극 상에 형성되는 패시베이션층을 포함하는 디지타이저.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 투명 전도성 물질로 이루어지는 디지타이저.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 이루어지는 디지타이저.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 이루어지는 디지타이저.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 2개 이상의 층을 갖는 구조로 이루어지는 디지타이저.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 ITO/APC/ITO의 삼중층 구조로 이루어지는 디지타이저.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 금속 메시로 이루어지는 디지타이저.
  9. 기재;
    상기 기재 상에 배치되는 제1 터치 센싱 전극;
    상기 기재 상에 상기 제1 터치 센싱 전극과 동일한 층으로 형성되는 제1 디지타이저 전극;
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극 상에 형성되는 절연층;
    상기 절연층 상에 배치되는 제2 터치 센싱 전극;
    상기 절연층 상에 상기 제2 터치 센싱 전극과 동일한 층으로 형성되는 제2 디지타이저 전극; 및
    상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극 상에 형성되는 패시베이션층을 포함하는 디지타이저.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 투명 전도성 물질로 이루어지는 디지타이저.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 이루어지는 디지타이저.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 이루어지는 디지타이저.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 2개 이상의 층을 갖는 구조로 이루어지는 디지타이저.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 ITO/APC/ITO의 삼중층 구조로 이루어지는 디지타이저.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 금속 메시로 이루어지는 디지타이저.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 투명 전도성 물질로 이루어지는 디지타이저.
  17. 제9항에 있어서,
    상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 이루어지는 디지타이저.
  18. 제9항에 있어서,
    상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 이루어지는 디지타이저.
  19. 제9항에 있어서,
    상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 2개 이상의 층을 갖는 구조로 이루어지는 디지타이저.
  20. 제9항에 있어서,
    상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 ITO/APC/ITO의 삼중층 구조로 이루어지는 디지타이저.
  21. 제9항에 있어서,
    상기 제2 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극은 금속 메시로 이루어지는 디지타이저.
  22. 제1항, 제2항 또는 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 디지타이저 전극 중 적어도 하나는 상기 제1 또는 제2 터치 센싱 전극을 둘러싸는 형태를 갖는 디지타이저.
  23. 제1항, 제2항 또는 제9항에 있어서,
    상기 기재는 유연성 기재인 디지타이저.
  24. 제1항, 제2항 또는 제9항의 디지타이저; 및
    상기 디지타이저 하부에 배치되는 표시층을 포함하는 유연성 표시 장치.
  25. 기재 상에 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 제1 디지타이저 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극 상에 상기 제1 터치 센싱 전극의 적어도 일부를 노출하는 관통홀을 갖는 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 상기 제1 터치 센싱 전극을 전기적으로 연결하는 터치 센서 브리지와 제2 디지타이저 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 터치 센서 브리지와 상기 제2 디지타이저 전극 상에 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 디지타이저의 제조 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 투명 전도성 물질로 형성하는 디지타이저의 제조 방법.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 형성하는 디지타이저의 제조 방법.
  28. 제25항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 형성하는 디지타이저의 제조 방법.
  29. 제25항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 2개 이상의 층을 갖는 구조로 형성하는 디지타이저의 제조 방법.
  30. 제25항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 ITO/APC/ITO의 삼중층 구조로 형성하는 디지타이저의 제조 방법.
  31. 제25항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 금속 메시로 형성하는 디지타이저의 제조 방법.
  32. 기재 상에 제1 터치 센싱 전극과 제1 디지타이저 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층 상에 제2 터치 센싱 전극과 제2 디지타이저 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제2 디지타이저 전극 상에 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 디지타이저의 제조 방법.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 투명 전도성 물질로 형성하는 디지타이저의 제조 방법.
  34. 제32항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 75 내지 92%의 투과율을 갖는 물질로 형성하는 디지타이저의 제조 방법.
  35. 제32항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 5 내지 20ohm/sq.m의 면저항을 갖는 물질로 형성하는 디지타이저의 제조 방법.
  36. 제32항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 2개 이상의 층을 갖는 구조로 형성하는 디지타이저의 제조 방법.
  37. 제32항에 있어서,
    상기 제1 터치 센싱 전극과 상기 제1 디지타이저 전극은 ITO/APC/ITO의 삼중층 구조로 형성하는 디지타이저의 제조 방법.
  38. 제32항에 있어서,
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  39. 제32항에 있어서,
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  40. 제32항에 있어서,
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  41. 제32항에 있어서,
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