KR20190103942A - Method for processing a workpiece - Google Patents

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Abstract

An objective of the present invention is to prevent grinding water including ground fragments from infiltrating into a gap between neighboring chips even if a workpiece is formed in a finishing thickness. A method for machining a workpiece comprises: a surface protection step of covering an upper surface (Wa) of a workpiece with a surface protection member (1); a protection member heating step of hardening and contracting an adhesive material of the surface protection member (1); an alteration layer forming step of forming an alteration layer (M) in the workpiece (W); a back surface grinding step of grinding a back surface (Wb) of the workpiece to form the workpiece (W) in a finishing thickness of chips; and a protection member extending step of dividing the workpiece (W) into individual chips (C) and extending chip gaps (7). The adhesive material of the surface protection member (1) is hardened and contracted in the protection member heating step to form non-division area where chip division is not completed on the workpiece in the back surface grinding step. Therefore, gaps between chips (C) are not created when grinding the back surface, and ground fragments are prevented from being attached to sides of the chips (C).

Description

피가공물의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING A WORKPIECE}Processing method of workpiece {METHOD FOR PROCESSING A WORKPIECE}

본 발명은, 피가공물의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a processing method of a workpiece.

반도체 디바이스 제조 공정에 있어서는, 대략 원판 형상인 피가공물의 표면에 격자상으로 배열된 스트리트라고 불리는 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 회로 (기능 소자) 가 형성된다. 그리고, 피가공물을 분할 예정 라인을 따라 절단함으로써 회로가 형성된 영역을 분할하여 개개의 칩을 제조하고 있다.In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by a division scheduled line called a street arranged in a lattice form on the surface of a workpiece having a substantially disk shape, and circuits such as IC and LSI are formed in the partitioned region. ) Is formed. Then, by cutting the workpiece along the dividing line, the area where the circuit is formed is divided to manufacture individual chips.

피가공물을 분할 예정 라인을 따라 절단하는 방법으로서, 분할해야 하는 영역의 내부에 집광점을 맞추어 피가공물에 대해 투과성을 갖는 펄스 레이저 광선을 조사하는 레이저 가공 방법이 있다. 이 레이저 가공 방법을 사용한 분할 방법에서는, 피가공물의 일방의 면측으로부터 내부에 집광점을 맞추어 피가공물에 대해 투과성을 갖는 적외광 영역의 펄스 레이저 광선을 조사하여, 피가공물의 내부에 분할 예정 라인을 따라 변질층을 연속적으로 형성하고, 이 변질층이 형성됨으로써 강도가 저하된 분할 예정 라인을 따라, 피가공물의 이면을 연삭하는 응력에 의해, 피가공물을 파단하여 개개의 칩으로 분할할 수 있다 (예를 들어, 하기의 특허문헌 1 을 참조).As a method of cutting a workpiece along a division scheduled line, there is a laser processing method of irradiating a pulsed laser beam having transparency to a workpiece by setting a focusing point inside a region to be divided. In the division method using this laser processing method, a pulsed laser beam of an infrared light region having a permeability with respect to a workpiece is irradiated by aligning a focusing point from one surface side of the workpiece to the inside, and a division scheduled line is placed inside the workpiece. According to the stress which grinds the back surface of a to-be-processed object along the division planned line whose strength fell by continuously forming a deterioration layer, and this alteration layer is formed, a to-be-processed object can be broken | divided into individual chips ( For example, refer to following patent document 1).

일본 특허공보 4733934호Japanese Patent Publication No. 4733934

그러나, 분할된 칩 사이에는 간극이 발생하기 때문에, 칩 분할 후에 마무리 두께까지 연삭을 실시하면 칩 사이의 간극에 연삭 부스러기를 포함하는 연삭수가 침입하여 칩 측면에 연삭 부스러기가 부착된다. 칩 측면에 부착된 연삭 부스러기는 연삭 장치의 세정 기구로 세정해도 제거하는 것은 매우 곤란하다.However, because a gap is generated between the divided chips, when grinding is performed to the finish thickness after the chip is divided, the grinding water containing the grinding debris enters the gap between the chips, and the grinding debris adheres to the side of the chip. It is very difficult to remove the grinding debris attached to the side of the chip even if the grinding debris is cleaned by the cleaning mechanism of the grinding apparatus.

본 발명은, 상기의 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 피가공물을 마무리 두께로 형성해도, 이웃하는 칩 사이의 간극에 연삭 부스러기를 포함하는 연삭수가 침입하지 않도록 하는 것을 목적으로 하고 있다.This invention is made | formed in view of the said situation, Comprising: Even if the to-be-processed object is formed in finish thickness, it aims at preventing the grinding water containing grinding debris from invading into the clearance gap between adjacent chips.

본 발명은, 표면에 격자상으로 형성된 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 기능 소자가 형성된 피가공물을, 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 피가공물의 가공 방법으로서, 그 피가공물의 표면의 그 기능 소자가 형성된 영역을 표면 보호 부재로 덮는 표면 보호 스텝과, 그 표면 보호 부재의 점착재를 경화 수축시키는 보호 부재 가열 스텝과, 그 피가공물의 이면측으로부터 분할 예정 라인을 따라 그 피가공물에 대해 투과성을 갖는 레이저 광선을 조사하여, 칩의 마무리 두께에 상당하는 위치보다 이면측에 변질층을 형성하는 변질층 형성 스텝과, 변질층이 형성된 피가공물의 이면을 연삭하여, 칩의 마무리 두께로 형성하는 이면 연삭 스텝과, 그 피가공물을 개개의 칩으로 분할함과 함께 칩 간격을 확장시키는 보호 부재 확장 스텝을 포함하고, 보호 부재 가열 스텝에서 그 표면 보호 부재의 그 점착재를 경화 수축시킴으로써, 그 이면 연삭 스텝에서 칩 분할이 완전히 되지 않는 미분할 영역이 피가공물에 형성되는 것을 특징으로 한다. 상기 표면 보호 부재는, 점착 테이프인 것이 바람직하다.The present invention is a processing method of a workpiece, which divides a workpiece having a functional element formed in a region partitioned by a division scheduled line formed in a lattice shape on the surface into individual chips along a division scheduled line, the surface of the workpiece The surface protection step which covers the area | region in which the functional element of this is formed with the surface protection member, the protection member heating step which hardens and shrinks the adhesive material of this surface protection member, and the to-be-processed object along the division plan line from the back surface side of the to-be-processed object A laser beam having a permeability to the laser beam, and a deterioration layer forming step of forming a deterioration layer on the back side rather than a position corresponding to the finishing thickness of the chip; It includes a back grinding step to be formed with a protective member and a protective member expansion step for dividing the workpiece into individual chips and extending the chip spacing. Thereby, protecting member heated curing shrinkage of the adhesive material of the surface protection sheet in the step, that is characterized in that the region-division does not chip dividing completely in the grinding step is formed on the workpiece. It is preferable that the said surface protection member is an adhesive tape.

본 발명에 관련된 피가공물의 가공 방법은, 피가공물의 표면의 기능 소자가 형성된 영역을 표면 보호 부재로 덮는 표면 보호 스텝과, 표면 보호 부재의 점착재를 경화 수축시키는 보호 부재 가열 스텝과, 피가공물의 이면측으로부터 분할 예정 라인을 따라 피가공물에 대해 투과성을 갖는 레이저 광선을 조사하여, 칩의 마무리 두께에 상당하는 위치보다 이면측에 변질층을 형성하는 변질층 형성 스텝과, 변질층이 형성된 피가공물의 이면을 연삭하여, 칩의 마무리 두께로 형성하는 이면 연삭 스텝과, 피가공물을 개개의 칩으로 분할함과 함께 칩 간격을 확장시키는 보호 부재 확장 스텝을 포함하고, 보호 부재 가열 스텝에서 표면 보호 부재의 점착재를 경화 수축시킴으로써, 이면 연삭 스텝에서 칩 분할이 완전히 되지 않는 미분할 영역이 피가공물에 형성되도록 구성하였기 때문에, 이면 연삭시에 변질층으로부터 발생하는 균열이 피가공물의 표면까지 신전되는 것을 막아 칩 사이에 간극을 발생시키지 않는다. 이와 같이, 본 발명에 의하면, 연삭 부스러기를 포함하는 연삭수가 칩 측면에 침입할 우려를 방지하여, 칩 측면에 연삭 부스러기가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 상기 표면 보호 부재가, 점착 테이프에 의해 구성되어 있는 경우에는, 상기 표면 보호 스텝을 용이하게 실시할 수 있다.The processing method of the workpiece according to the present invention includes a surface protection step of covering a region in which a functional element on the surface of the workpiece is formed with a surface protection member, a protection member heating step of curing and shrinking the adhesive material of the surface protection member, and a workpiece The altered layer forming step of irradiating a laser beam having transparency to the workpiece from the rear surface side of the substrate to form the altered layer on the back side rather than a position corresponding to the finish thickness of the chip; The back surface grinding step which grinds the back surface of a workpiece | work, and forms it to the finishing thickness of a chip | tip, and the protection member expansion step which divides a workpiece into individual chips, and expands a chip | tip gap, protects a surface in a protection member heating step By hardening shrinkage | contraction of the adhesive material of a member, the undivided area | region which chip division is not fully made in a back surface grinding step forms in a to-be-processed object. Because configured to, when preventing the crack arising from the damaged layer during the grinding is the temple to the surface of the workpiece does not generate a gap between the chips. Thus, according to this invention, the grinding water containing grinding debris can be prevented from invading a chip side, and it can prevent that a grinding | mineral debris adheres to a chip side. When the said surface protection member is comprised by the adhesive tape, the said surface protection step can be easily performed.

도 1 은, 표면 보호 스텝을 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 보호 부재 가열 스텝을 나타내는 단면도이다.
도 3 은, 변질층 형성 스텝을 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 4 는, 이면 연삭 스텝을 나타내는 사시도 및 단면도이다.
도 5 는, 보호 부재 확장 스텝을 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a surface protection step.
2 is a cross-sectional view showing a protective member heating step.
3 is a perspective view and a cross-sectional view showing a deterioration layer forming step.
4 is a perspective view and a cross-sectional view showing the back surface grinding step.
5 is a cross-sectional view illustrating a protective member expansion step.

도 1 에 나타내는 피가공물 (W) 은, 원형판상의 기판을 갖고, 기판의 표면 (Wa) 에 격자상으로 형성된 복수의 분할 예정 라인 (S) 에 의해 구획된 각 영역에 각각 기능 소자 (도시된 예에서는 디바이스 (D)) 가 형성되어 있다. 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 과 반대측인 이면 (Wb) 은, 소정의 가공이 실시되는 피가공면으로 되어 있다. 피가공물 (W) 의 재질, 두께 및 크기는 특별히 한정되는 것은 아니다. 이하에서는, 피가공물 (W) 을, 분할 예정 라인 (S) 을 따라 개개의 칩으로 분할하는 피가공물의 가공 방법에 대해 설명한다.The workpiece W shown in FIG. 1 has a circular plate-like substrate, and is each functional element (each illustrated) in each region partitioned by a plurality of division scheduled lines S formed in a lattice form on the surface Wa of the substrate. In the device (D)) is formed. The back surface Wb on the opposite side to the surface Wa of the workpiece W is a workpiece surface to which a predetermined processing is performed. The material, thickness and size of the workpiece W are not particularly limited. Below, the processing method of the to-be-processed object which divides the to-be-processed object W into individual chips along the division planned line S is demonstrated.

(1) 표면 보호 스텝(1) surface protection step

도 1 에 나타내는 바와 같이, 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 의 디바이스 (D) 가 형성된 영역을 표면 보호 부재 (1) 로 덮는다. 본 실시형태에 나타내는 표면 보호 부재 (1) 는, 점착성을 갖고, 또한, 피가공물 (W) 과 대략 동일한 직경의 크기를 갖고 있다. 또, 표면 보호 부재 (1) 는, 예를 들어, 폴리올레핀이나 폴리염화비닐 등이 되는 기재에 점착재가 적층된 점착 테이프인 것이 바람직하다. 표면 보호 부재 (1) 를 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 첩착 (貼着) 하여, 그 표면 (Wa) 의 전체면을 덮음으로써, 각 디바이스 (D) 가 보호된다. 표면 보호 부재 (1) 가 점착 테이프에 의해 구성되어 있기 때문에, 표면 보호 스텝을 용이하게 실시 가능해진다. 표면 보호 스텝은, 도시하지 않았지만, 예를 들어, 점착 테이프를 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 첩착하는 테이핑기에서 실시된다.As shown in FIG. 1, the area | region in which the device D of the surface Wa of the to-be-processed object W was formed is covered with the surface protection member 1. As shown in FIG. The surface protection member 1 shown in this embodiment has adhesiveness, and has the magnitude | size of the diameter substantially the same as the to-be-processed object W. FIG. Moreover, it is preferable that the surface protection member 1 is an adhesive tape in which the adhesive material was laminated | stacked on the base material used as polyolefin, polyvinyl chloride, etc., for example. Each device D is protected by sticking the surface protection member 1 to the surface Wa of the to-be-processed object W, and covering the whole surface of the surface Wa. Since the surface protection member 1 is comprised by the adhesive tape, it becomes possible to implement a surface protection step easily. Although not shown, a surface protection step is performed by the taper which adheres the adhesive tape to the surface Wa of the to-be-processed object W, for example.

(2) 보호 부재 가열 스텝(2) protection member heating step

도 2 에 나타내는 바와 같이, 피가공물 (W) 에 첩착된 표면 보호 부재 (1) 측부터 가열 부재 (2) 상에 재치하여, 표면 보호 부재 (1) 를 가열한다. 가열 부재 (2) 는, 예를 들어 적외선 히터로 이루어진다. 가열 부재 (2) 에서는, 표면 보호 부재 (1) 를 예를 들어 80 ℃ 에서 1 분간 정도 가열함으로써, 표면 보호 부재 (1) 의 점착재를 경화 수축시킨다. 이로써, 표면 보호 부재 (1) 의 점착재가 단단해지는 점에서, 후술하는 이면 연삭 스텝을 실시할 때에, 연삭시의 응력의 영향을 작게 하여 이웃하는 칩의 움직임을 억제할 수 있다. 가열 부재 (2) 는, 표면 보호 부재 (1) 에 온풍을 분사하여 점착재를 가온시키는 히터로 구성해도 된다. 보호 부재 가열 스텝은, 상기한 테이핑기 내에서 실시해도 되고, 후기하는 레이저 가공 장치 (3) 내에서 실시해도 된다.As shown in FIG. 2, it mounts on the heating member 2 from the surface protection member 1 side affixed on the to-be-processed object W, and heats the surface protection member 1. As shown in FIG. The heating member 2 consists of an infrared heater, for example. In the heating member 2, the adhesive of the surface protection member 1 is cured and shrink | contracted by heating the surface protection member 1, for example at 80 degreeC for about 1 minute. Thereby, since the adhesive material of the surface protection member 1 becomes hard, when performing the back surface grinding step mentioned later, the influence of the stress at the time of grinding can be made small, and the movement of the adjacent chip | tip can be suppressed. The heating member 2 may be configured as a heater that warms the pressure-sensitive adhesive by injecting warm air into the surface protection member 1. A protection member heating step may be performed in said taping machine, and may be performed in the laser processing apparatus 3 mentioned later.

(3) 변질층 형성 스텝(3) altered layer forming step

이어서, 도 3(a) 에 나타내는 레이저 가공 장치 (3) 에 피가공물 (W) 을 반송하고, 레이저 가공에 의해 피가공물 (W) 의 내부에 변질층 (M) 을 형성한다. 레이저 가공 장치 (3) 는, 피가공물 (W) 을 유지하는 유지 테이블 (30) 과, 유지 테이블 (30) 의 상방측에 배치 형성된 레이저 가공 수단 (31) 을 적어도 구비하고 있다. 유지 테이블 (30) 의 상면은, 도시되지 않은 흡인원으로부터의 흡인 작용을 받아 피가공물 (W) 을 흡인 유지하는 유지면 (30a) 으로 되어 있다. 유지 테이블 (30) 의 하방에는, 유지 테이블 (30) 과 레이저 가공 수단 (31) 을 연직 방향과 직교하는 수평 방향 (X 축 방향 및 Y 축 방향) 으로 상대 이동시키는 이동 수단이 접속되어 있다.Subsequently, the workpiece W is conveyed to the laser processing apparatus 3 shown in FIG. 3A, and the altered layer M is formed inside the workpiece W by laser processing. The laser processing apparatus 3 is equipped with the holding table 30 which hold | maintains the to-be-processed object W, and the laser processing means 31 arrange | positioned at the upper side of the holding table 30 at least. The upper surface of the holding table 30 is a holding surface 30a that receives suction from a suction source (not shown) and sucks and holds the workpiece W. Below the holding table 30, the moving means which relatively moves the holding table 30 and the laser processing means 31 to the horizontal direction (X-axis direction and Y-axis direction) orthogonal to a perpendicular direction is connected.

레이저 가공 수단 (31) 은, 유지 테이블 (30) 에 유지된 피가공물 (W) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선 (LB) 을 조사하는 레이저 헤드 (32) 와, 선단에 레이저 헤드 (32) 가 장착된 케이싱 (33) 을 구비하고 있다. 케이싱 (33) 의 내부에는, 레이저 광선 (LB) 을 발진하는 발진기 및 레이저 광선 (LB) 의 출력을 조정하는 출력 조정기가 수용되고, 레이저 헤드 (32) 의 내부에는, 발진기로부터 발진된 레이저 광선 (LB) 을 집광하기 위한 집광 렌즈가 내장되어 있다. 또, 레이저 가공 수단 (31) 은, 집광 렌즈에 의해 집광되는 레이저 광선 (LB) 의 집광점의 위치를 조정하기 위한 위치 조정 유닛 (도시 생략) 을 구비하고 있다. 케이싱 (33) 의 측방에는, 촬상 수단 (34) 이 배치 형성되어 있다. 촬상 수단 (34) 은, 예를 들어 CCD 이미지 센서를 내장한 적외선 카메라이다.The laser processing means 31 has the laser head 32 which irradiates the laser beam LB of the wavelength which has a permeability with respect to the to-be-processed object W hold | maintained by the holding table 30, and the laser head 32 to the front-end | tip. A casing 33 is mounted. Inside the casing 33, an oscillator oscillating the laser beam LB and an output regulator for adjusting the output of the laser beam LB are accommodated, and a laser beam oscillating from the oscillator inside the laser head 32 A condenser lens for condensing LB) is built in. Moreover, the laser processing means 31 is equipped with the position adjusting unit (not shown) for adjusting the position of the condensing point of the laser beam LB condensed by the condensing lens. The imaging means 34 is arrange | positioned at the side of the casing 33. As shown in FIG. The imaging means 34 is, for example, an infrared camera incorporating a CCD image sensor.

변질층 형성 스텝을 실시할 때에는, 피가공물 (W) 은 표면 (Wa) 측을 아래로 하여 표면 보호 부재 (1) 를 개재하여 유지 테이블 (30) 의 유지면 (30a) 에 흡인 유지된다. 유지 테이블 (30) 을 촬상 수단 (34) 의 바로 아래에 위치시키고, 촬상 수단 (34) 에 의해 피가공물 (W) 을 상방으로부터 촬상하여, 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실시함으로써, 레이저 광선 (LB) 을 조사해야 하는 영역 (분할 예정 라인 (S)) 을 검출한다.When performing a deterioration layer formation step, the to-be-processed object W is suction-held by the holding surface 30a of the holding table 30 via the surface protection member 1 with the surface Wa side down. By positioning the holding table 30 directly under the imaging means 34, imaging the workpiece W from above by the imaging means 34, and performing image processing such as pattern matching, thereby causing laser beam LB. ) Is detected (area to be divided).

이어서, 레이저 헤드 (32) 를 피가공물 (W) 에 접근하는 방향으로 하강시켜, 도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, 피가공물 (W) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선 (LB) 의 집광점을 피가공물 (W) 의 내부의 소정 위치에 위치시킨 상태에서, 유지 테이블 (30) 을 소정의 가공 이송 속도로 X 축 방향으로 가공 이송하면서, 레이저 헤드 (32) 에 의해 피가공물 (W) 의 이면 (Wb) 측으로부터 도 1 에 나타낸 분할 예정 라인 (S) 을 따라 조사하여, 칩의 마무리 두께에 상당하는 위치보다 이면 (Wb) 측에 변질층 (M) 을 형성한다. 변질층 (M) 은, 피가공물 (W) 의 내부의 강도나 물리적인 특성이 변화된 영역이며, 피가공물 (W) 을 개개의 칩으로 분할할 때의 분할 기점이 된다.Subsequently, the laser head 32 is lowered in the direction approaching the workpiece W, and as shown in FIG. 3 (b), the laser beam 32 collects the laser beam LB having a wavelength that is transparent to the workpiece W. FIG. The workpiece W is processed by the laser head 32 while the holding table 30 is processed and transferred in the X axis direction at a predetermined processing feed speed while the point is located at a predetermined position inside the workpiece W. It irradiates along the dividing scheduled line S shown in FIG. 1 from the back surface Wb side of and forms the deterioration layer M in the back surface Wb side rather than the position corresponded to the finishing thickness of a chip | tip. The altered layer M is a region in which the strength and physical properties of the inside of the workpiece W have changed, and are the starting point of division when the workpiece W is divided into individual chips.

1 개의 분할 예정 라인 (S) 을 따라 레이저 광선 (LB) 을 조사하여 변질층 (M) 을 형성할 때마다, 유지 테이블 (30) 을 Y 축 방향으로 산출 이송하여 다음 분할 예정 라인 (S) 을 따라 레이저 광선 (LB) 을 조사한다. X 축 방향을 향하는 모든 분할 예정 라인 (S) 에 대해 레이저 광선 (LB) 의 조사가 완료되면, 도 3(a) 에 나타내는 유지 테이블 (30) 을 90 °회전시켜, Y 축 방향을 향해 있던 분할 예정 라인 (S) 을 X 축 방향을 향하게 한다. 그리고, 모든 분할 예정 라인 (S) 을 따라 상기 동일한 레이저 가공을 반복 실시하여, 분할 예정 라인 (S) 을 따른 변질층 (M) 을 형성한다.Each time the laser beam LB is irradiated along one dividing scheduled line S to form the altered layer M, the holding table 30 is calculated and transferred in the Y-axis direction, and the next dividing scheduled line S is transferred. The laser beam LB is thus irradiated. When the irradiation of the laser beam LB is completed with respect to all the division scheduled lines S facing the X axis direction, the holding table 30 shown in FIG. The predetermined line S is directed in the X axis direction. Then, the same laser processing is repeatedly performed along all the division scheduled lines S to form the deteriorated layer M along the division scheduled lines S. FIG.

(4) 이면 연삭 스텝(4) backside grinding step

다음으로, 도 4(a) 에 나타내는 연삭 장치 (4) 를 사용하여, 피가공물 (W) 의 이면 (Wb) 을 연삭하여 칩의 마무리 두께로 형성한다. 연삭 장치 (4) 는, 피가공물 (W) 을 유지하는 유지 테이블 (40) 과, 유지 테이블 (40) 을 회전시키는 회전 수단 (41) 과, 유지 테이블 (40) 에 유지된 피가공물 (W) 에 대해 연삭을 실시하는 연삭 수단 (42) 을 구비하고 있다. 유지 테이블 (40) 의 상면은, 도시되지 않은 흡인원으로부터의 흡인 작용을 받아 피가공물 (W) 을 흡인 유지하는 유지면 (40a) 으로 되어 있다.Next, using the grinding apparatus 4 shown to Fig.4 (a), the back surface Wb of the to-be-processed object W is ground and it forms in the finishing thickness of a chip | tip. The grinding apparatus 4 includes the holding table 40 holding the work W, the rotating means 41 for rotating the holding table 40, and the work W held on the holding table 40. It is provided with the grinding means 42 which grinds against. The upper surface of the holding table 40 is a holding surface 40a which receives suction from a suction source (not shown) and sucks and holds the workpiece W.

연삭 수단 (42) 은, 유지면 (40a) 과 직교하는 연직 방향의 축심을 갖는 스핀들 (43) 과, 스핀들 (43) 의 하단에 마운트 (44) 를 통하여 장착된 연삭휠 (45) 과, 연삭휠 (45) 의 하부에 환상으로 고착된 연삭 지석 (46) 을 구비하고 있다. 연삭 수단 (42) 에는, 도시되지 않은 승강 수단이 접속되며, 승강 수단에 의해 연삭휠 (45) 을 회전시키면서 연삭 수단 (42) 전체를 승강시킬 수 있다.The grinding means 42 includes a spindle 43 having an axial center in the vertical direction orthogonal to the holding surface 40a, a grinding wheel 45 attached to the lower end of the spindle 43 via a mount 44, and grinding. In the lower part of the wheel 45, the grinding grindstone 46 fixed to the annular shape is provided. Lifting means (not shown) is connected to the grinding means 42, and the entire grinding means 42 can be raised and lowered while rotating the grinding wheel 45 by the lifting means.

피가공물 (W) 을 연삭하는 경우에는, 도 4(b) 에 나타내는 바와 같이, 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에 첩착된 표면 보호 부재 (1) 측을 유지 테이블 (40) 의 유지면 (40a) 에 의해 유지하여, 피가공물 (W) 의 이면 (Wb) 을 상향으로 노출시키고, 유지 테이블 (40) 을 예를 들어 화살표 A 방향으로 회전시킨다. 이어서, 연삭 수단 (42) 은, 연삭휠 (45) 을 예를 들어 화살표 A 방향으로 회전시키면서, 소정의 연삭 이송 속도로 하강시켜, 회전하는 연삭 지석 (46) 으로 피가공물 (W) 의 이면 (Wb) 을 칩의 마무리 두께에 이를 때까지 가압하면서 연삭한다. 피가공물 (W) 의 연삭 중에는, 도시하지 않았지만, 회전하는 연삭 지석 (46) 과 피가공물 (W) 의 접촉면에 연삭수를 공급한다.When grinding the workpiece W, as shown in FIG. 4 (b), the holding surface of the holding table 40 holds the surface protection member 1 side stuck to the surface Wa of the workpiece W. FIG. Holding by 40a, the back surface Wb of the to-be-processed object W is exposed upward, and the holding table 40 is rotated in the arrow A direction, for example. Subsequently, the grinding means 42 lowers the grinding wheel 45 at a predetermined grinding feed speed while rotating the grinding wheel 45, for example, in the direction of an arrow A, and the back surface of the workpiece W with the rotating grinding wheel 46. Grinding while pressing Wb) until it reaches the finish thickness of the chip. Although not shown in figure during grinding of the to-be-processed object W, grinding water is supplied to the contact surface of the grinding grindstone 46 and the to-be-processed object W. FIG.

이면 연삭 스텝에서는, 상기 보호 부재 가열 스텝에서 표면 보호 부재 (1) 의 점착재를 경화 수축시키고 있어, 연삭 가공이 진행되어 피가공물 (W) 이 마무리 두께로 형성되어 연삭시의 응력이 표면 보호 부재 (1) 에 작용해도 표면 보호 부재 (1) 가 휘지 않기 때문에, 칩의 움직임을 억제하여 칩 분할이 완전히 되지 않는 미분할 영역이 피가공물 (W) 에 형성된다. 이 미분할 영역에서는, 이웃하는 칩 사이에 간극이 발생하지 않아, 연삭 부스러기가 혼입된 연삭수가 간극에 침입할 우려가 없다. 다만, 피가공물 (W) 이 마무리 두께에 도달하면, 피가공물 (W) 에는 변질층 (M) 이 기점이 되어 칩으로 분할되는 영역도 부분적으로는 발생하지만, 본 실시형태에 나타내는 이면 연삭 스텝에서는, 표면 보호 부재 (1) 의 점착재가 단단하게 되어 있기 때문에, 피가공물 (W) 이 전체적으로 원형판상의 형태를 유지하면서 피가공물 (W) 을 마무리 두께로 형성할 수 있다.In the back surface grinding step, the adhesive material of the surface protection member 1 is cured and shrunk in the protective member heating step, the grinding process proceeds, and the workpiece W is formed to a finish thickness, so that the stress at the time of grinding is the surface protection member. Since the surface protection member 1 does not bend even if it acts on (1), the undivided area in which the chip | tip is suppressed and chip division is not completed is formed in the to-be-processed object W. FIG. In this undivided area | region, a gap does not generate | occur | produce between adjacent chips, and there exists no possibility that the grinding water which grind | grinded the grind | bridging may invade a gap. However, when the workpiece W reaches the finish thickness, a region in which the deteriorated layer M is the starting point and is divided into chips occurs partially, but in the back grinding step shown in the present embodiment, Since the adhesive material of the surface protection member 1 becomes hard, the workpiece W can be formed to a finishing thickness, maintaining the circular plate-shaped shape as a whole.

(5) 보호 부재 확장 스텝(5) Protective member expansion step

도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 확장 장치 (5) 를 사용하여, 피가공물 (W) 을 개개의 칩 (C) 으로 분할함과 함께 칩 간격을 확장시킨다. 확장 장치 (5) 는, 피가공물 (W) 을 하방으로부터 지지하는 지지 테이블 (50) 과, 지지 테이블 (50) 의 외주측에 배치 형성되고 중앙에 개구를 갖는 프레임 (F) 이 재치되는 프레임 재치대 (51) 와, 프레임 재치대 (51) 에 재치된 프레임 (F) 을 클램프하는 클램프부 (52) 와, 프레임 재치대 (51) 의 하부에 연결되고 프레임 재치대 (51) 를 상하 방향으로 승강시키는 승강 수단 (53) 을 구비하고 있다. 승강 수단 (53) 은, 실린더 (53a) 와, 실린더 (53a) 에 의해 승강 구동되는 피스톤 (53b) 에 의해 구성되고, 피스톤 (53b) 이 상하로 이동함으로써, 프레임 재치대 (51) 를 승강시킬 수 있다.As shown in Fig. 5 (a), for example, by using the expansion device 5, the workpiece W is divided into individual chips C and the chip spacing is expanded. The expansion device 5 includes a support table 50 for supporting the work W from below, and a frame on which the frame F disposed on the outer circumferential side of the support table 50 and having an opening in the center thereof is placed. The frame 51, the clamp portion 52 for clamping the frame F mounted on the frame placing table 51, and the lower portion of the frame placing table 51 are connected to the frame placing table 51 in the vertical direction. Lifting means 53 for raising and lowering is provided. The lifting means 53 is constituted by a cylinder 53a and a piston 53b driven up and down by the cylinder 53a, and the piston 53b moves up and down to raise and lower the frame placing table 51. Can be.

확장 장치 (5) 에 피가공물 (W) 을 반송할 때에는, 피가공물 (W) 의 표리를 반전시켜, 프레임 (F) 에 첩착되고 개구로부터 노출된 테이프 (T) 상에 피가공물 (W) 의 이면 (Wb) 을 첩착함과 함께, 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 으로부터 도 4 에 나타낸 표면 보호 부재 (1) 를 벗긴다. 이와 같이 하여, 테이프 (T) 를 개재하여 프레임 (F) 과 피가공물 (W) 을 일체로 형성해 둔다. 이면 연삭 스텝을 실시한 피가공물 (W) 은, 완전히는 분할되어 있지 않지만, 이웃하는 칩 (C) 사이에 도 4(a) 에 나타낸 변질층 (M) 으로부터 피가공물 (W) 의 두께 방향으로 균열 (6) 이 발생되어 있다. 이 균열 (6) 은, 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 에까지는 신전되어 있지 않다.When conveying the workpiece W to the expansion device 5, the front and back sides of the workpiece W are reversed, and the tape of the workpiece W is stuck on the frame F and exposed from the opening. While attaching the back surface Wb, the surface protection member 1 shown in FIG. 4 is peeled off from the surface Wa of the to-be-processed object W. FIG. In this way, the frame F and the to-be-processed object W are integrally formed through the tape T. As shown in FIG. The workpiece W subjected to the back grinding step is not completely divided, but is cracked in the thickness direction of the workpiece W from the deteriorated layer M shown in Fig. 4A between neighboring chips C. (6) is generated. This crack 6 is not extended to the surface Wa of the workpiece W. As shown in FIG.

피가공물 (W) 을, 테이프 (T) 를 개재하여 피가공물 (W) 의 이면 (Wb) 측을 지지 테이블 (50) 에 재치함과 함께, 프레임 (F) 을 프레임 재치대 (51) 에 재치한다. 클램프부 (52) 에 의해 프레임 (F) 의 상면을 눌러 움직이지 않도록 고정시킨다. 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 피스톤 (53b) 이 하방으로 이동하여 프레임 재치대 (51) 를 하강시켜, 지지 테이블 (50) 에 대해 상대적으로 프레임 재치대 (51) 를 하강시킨다. 이로써, 테이프 (T) 가 방사상으로 확장되면, 피가공물 (W) 에 방사 방향의 외력이 부여되고, 피가공물 (W) 이 균열 (6) 을 따라 개개의 칩 (C) 으로 분할된다. 피가공물 (W) 의 칩 (C) 으로의 완전 분할은, 이웃하는 칩 (C) 사이에 균열 (6) 이 들어가 있기 때문에, 테이프 (T) 를 확장시킴으로써 용이하게 실시할 수 있다. 소정의 확장량만큼 테이프 (T) 를 확장시킴으로써, 이웃하는 칩 (C) 사이의 칩 간격 (7) 을 확장시킨다. 그리고, 모든 이웃하는 칩 (C) 사이에 칩 간격 (7) 을 형성하면, 보호 부재 확장 스텝이 완료된다. 분할된 칩 (C) 은, 도시되지 않은 반출 수단 등에 의해 픽업되어 다음 공정에 반송된다.The workpiece W is placed on the back table Wb side of the workpiece W on the support table 50 via the tape T, and the frame F is placed on the frame placing table 51. do. The upper surface of the frame F is pressed by the clamp portion 52 to fix it so as not to move. As shown in FIG. 5 (b), the piston 53b moves downward to lower the frame placing table 51, and lowers the frame placing table 51 relative to the support table 50. Thereby, when the tape T expands radially, radial force is given to the workpiece W, and the workpiece W is divided into individual chips C along the crack 6. The complete division of the workpiece W into the chips C can be easily performed by expanding the tape T because cracks 6 enter between neighboring chips C. FIG. By extending the tape T by a predetermined amount of expansion, the chip spacing 7 between neighboring chips C is expanded. And if the chip | interval 7 is formed between all the adjacent chips C, the protection member expansion step will be completed. The divided chip C is picked up by a carrying-out means etc. which are not shown, and is conveyed to the next process.

이상과 같이, 본 발명에 관련된 피가공물의 가공 방법은, 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 의 디바이스 (D) 가 형성된 영역을 표면 보호 부재 (1) 로 덮는 표면 보호 스텝과, 표면 보호 부재 (1) 의 점착재를 경화 수축시키는 보호 부재 가열 스텝과, 피가공물 (W) 의 이면 (Wb) 측으로부터 분할 예정 라인 (S) 을 따라 피가공물 (W) 에 대해 투과성을 갖는 레이저 광선 (LB) 을 조사하여, 칩의 마무리 두께에 상당하는 위치보다 이면 (Wb) 측에 변질층 (M) 을 형성하는 변질층 형성 스텝과, 변질층 (M) 이 형성된 피가공물 (W) 의 이면 (Wb) 을 연삭하여, 칩의 마무리 두께로 형성하는 이면 연삭 스텝과, 피가공물 (W) 을 개개의 칩 (C) 으로 분할함과 함께 칩 간격 (7) 을 확장시키는 보호 부재 확장 스텝을 포함하고, 보호 부재 가열 스텝에서 표면 보호 부재 (1) 의 점착재를 경화 수축시킴으로써, 이면 연삭 스텝에서 칩 분할이 완전히 되지 않는 미분할 영역이 피가공물에 형성되도록 구성하였기 때문에, 이면 연삭시에 변질층 (M) 으로부터 발생하는 균열 (6) 이 피가공물 (W) 의 표면 (Wa) 까지 신전되는 것을 막아 칩 (C) 사이에 간극을 발생시키지 않는다. 따라서, 연삭 부스러기를 포함하는 연삭수가 칩 (C) 의 측면에 침입할 우려를 방지하여, 칩 (C) 의 측면에 연삭 부스러기가 부착되는 것을 방지할 수 있다.As mentioned above, the processing method of the to-be-processed object which concerns on this invention is a surface protection step which covers the area | region in which the device D of the surface Wa of the to-be-processed object W was formed with the surface protection member 1, and a surface protection member. The laser beam LB which has permeability | transmission with respect to the to-be-processed object W along the dividing line S from the protective member heating step which hardens and shrinks the adhesive material of (1), and the back surface Wb side of the to-be-processed object W. ) And the deterioration layer forming step of forming the deterioration layer M on the back surface Wb side from the position corresponding to the finish thickness of the chip, and the back surface Wb of the workpiece W on which the deterioration layer M is formed. ) And a back surface grinding step of forming the finished thickness of the chip, and a protective member expansion step of dividing the workpiece W into individual chips C and extending the chip spacing 7. At the time of hardening shrinkage of the adhesive material of the surface protection member 1 in a protection member heating step Therefore, since the undivided area | region which chip division is not fully formed in a back surface grinding step is formed in a to-be-processed object, the crack 6 which arises from the altered layer M at the time of back surface grinding is used as the surface of the to-be-processed object W ( It is prevented from extending to Wa, so that no gap is generated between the chips C. Therefore, it is possible to prevent the grinding water containing the grinding waste from penetrating into the side of the chip C, and to prevent the grinding chips from adhering to the side of the chip C.

1 : 표면 보호 부재
2 : 가열 부재
3 : 레이저 가공 장치
30 : 유지 테이블
31 : 레이저 가공 수단
32 : 레이저 헤드
33 : 케이싱
34 : 촬상 수단
4 : 연삭 장치
40 : 유지 테이블
41 : 회전 수단
42 : 연삭 수단
43 : 스핀들
44 : 마운트
45 : 연삭휠
46 : 연삭 지석
5 : 확장 장치
50 : 지지 테이블
51 : 프레임 재치대
52 : 클램프부
53 : 승강 수단
53a : 실린더
53b : 피스톤
6 : 균열
7 : 칩 간격1: surface protection member
2: heating member
3: laser processing device
30: Retention Table
31: laser processing means
32: laser head
33: casing
34: imaging means
4: grinding device
40: holding table
41: rotating means
42: grinding means
43: spindle
44: mount
45 grinding wheel
46: grinding grindstone
5: expansion unit
50: support table
51: frame mount
52: clamp portion
53: lifting means
53a: cylinder
53b: piston
6: crack
7: chip spacing

Claims (2)

표면에 격자상으로 형성된 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 기능 소자가 형성된 피가공물을, 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 피가공물의 가공 방법으로서,
그 피가공물의 표면의 그 기능 소자가 형성된 영역을 표면 보호 부재로 덮는 표면 보호 스텝과,
그 표면 보호 부재의 점착재를 경화 수축시키는 보호 부재 가열 스텝과,
그 피가공물의 이면측으로부터 분할 예정 라인을 따라 그 피가공물에 대해 투과성을 갖는 레이저 광선을 조사하여, 칩의 마무리 두께에 상당하는 위치보다 이면측에 변질층을 형성하는 변질층 형성 스텝과,
변질층이 형성된 피가공물의 이면을 연삭하여, 칩의 마무리 두께로 형성하는 이면 연삭 스텝과,
그 피가공물을 개개의 칩으로 분할함과 함께 칩 간격을 확장시키는 보호 부재 확장 스텝을 포함하고,
보호 부재 가열 스텝에서 그 표면 보호 부재의 그 점착재를 경화 수축시킴으로써, 그 이면 연삭 스텝에서 칩 분할이 완전히 되지 않는 미분할 영역이 피가공물에 형성되는 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.As a processing method of a workpiece | work which divides the to-be-processed object in which the functional element was formed in the area | region partitioned by the division planned line formed in the grid form on the surface, into individual chips along a division scheduled line,
A surface protection step of covering a region in which the functional element of the surface of the workpiece is formed with a surface protection member;
A protective member heating step of curing and shrinking the adhesive material of the surface protective member;
A deterioration layer forming step of irradiating a laser beam having transparency to the workpiece from the rear surface side of the workpiece along a division line, and forming a deterioration layer on the rear surface side of the chip at a position corresponding to the finish thickness of the chip;
A back surface grinding step of grinding the back surface of the workpiece on which the altered layer is formed to form a finish thickness of the chip;
A protective member expansion step of dividing the workpiece into individual chips and extending the chip spacing;
The undivided area | region which chip division is not completed in the back surface grinding step is formed in a to-be-processed object by hardening shrinking the adhesive material of the surface protection member in a protection member heating step. 제 1 항에 있어서,
상기 표면 보호 부재는, 점착 테이프인 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.The method of claim 1,
The said surface protection member is an adhesive tape, The processing method of the to-be-processed object characterized by the above-mentioned.
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