KR20190100228A - Composition for Forming Substrate Protective Layer - Google Patents
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Abstract
기체 상에 수지 기판을 형성한 후, 상기 수지 기판을 박리하여 수지 기판을 제작할 때, 상기 기체와 수지 기판과의 사이에 개재하고, 상기 기체로부터의 이박리성을 가짐과 아울러, 박리 후의 수지 기판의 보호층으로서 기능하는 기판 보호층 형성용 조성물로서, 폴리아믹산과 유기 용매를 포함하는 기판 보호층 형성용 조성물을 제공한다. After forming a resin substrate on a base, when peeling the said resin substrate and manufacturing a resin substrate, it interposes between the said base and a resin substrate, has peeling property from the said base, and the resin substrate after peeling As a composition for substrate protective layer formation which functions as a protective layer of the present invention, a composition for substrate protective layer formation containing a polyamic acid and an organic solvent is provided.
Description
본 발명은 기판 보호층 형성용 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a composition for forming a substrate protective layer.
최근, 전자 디바이스에는 박형화 및 경량화라는 특성에 더해, 구부릴 수 있는 기능을 부여하는 것이 요구되고 있다. 이 점에서, 종래의 무겁고 취약하며 구부릴 수 없는 유리 기판을 대신하여, 경량의 플렉서블 플라스틱 기판을 사용하는 것이 요구된다. In recent years, in addition to the characteristics of being thin and light, electronic devices have been required to be bent. In this respect, it is desired to use lightweight flexible plastic substrates in place of conventional heavy, fragile and unbending glass substrates.
특히, 신세대 디스플레이에서는 경량의 플렉서블 플라스틱 기판(이하, 수지 기판이라고 표기한다)을 사용한 액티브 매트릭스형 풀 컬러 TFT 디스플레이 패널의 개발이 요구되고 있다. 이 신세대 디스플레이에 관한 기술은 플렉서블 디스플레이나, 플렉서블 스마트폰, 미러 디스플레이 등의 다양한 분야로의 전용이 기대되고 있다. In particular, in the new generation display, development of an active matrix type full color TFT display panel using a lightweight flexible plastic substrate (hereinafter referred to as a resin substrate) is required. The technology of this new generation display is expected to be diversified into various fields, such as a flexible display, a flexible smart phone, and a mirror display.
그래서, 수지 필름을 기판으로 한 전자 디바이스의 제조 방법이 각종 검토되기 시작하여, 신세대 디스플레이에서는 기존의 TFT 디스플레이 패널 제조용의 설비가 전용 가능한 프로세스의 검토가 진행되고 있다. Therefore, various manufacturing methods of the electronic device which used the resin film as the board | substrate are beginning to examine, and the examination of the process by which the facilities for manufacturing existing TFT display panels can be dedicated is advanced in the new generation display.
예를 들면, 특허문헌 1, 2 및 3에서는 유리 기판 상에 아몰퍼스 실리콘 박막층을 형성하고, 그 박막층 상에 플라스틱 기판을 형성한 후, 유리 기판측으로부터 레이저를 조사하여 아몰퍼스 실리콘을 결정화시키고, 그 결정화에 따라 발생하는 수소 가스에 의해 플라스틱 기판을 유리 기판으로부터 박리하는 방법이 개시되어 있다. For example, in Patent Literatures 1, 2 and 3, after forming an amorphous silicon thin film layer on a glass substrate, forming a plastic substrate on the thin film layer, and irradiating a laser from the glass substrate side, amorphous silicon is crystallized and the crystallization thereof The method of peeling a plastic substrate from a glass substrate with the hydrogen gas which generate | occur | produces is disclosed.
또 특허문헌 4에서는 특허문헌 1~3에서 개시된 기술을 사용하여 피박리층(특허문헌 4에 있어서 「피전사층」이라고 기재되어 있다)을 플라스틱 필름에 첩부하여 액정 표시 장치를 완성시키는 방법이 개시되어 있다. Moreover, in patent document 4, the method of pasting a to-be-peeled layer (it describes as a "transfer layer" in patent document 4) to a plastic film using the technique disclosed by patent documents 1-3 is disclosed. It is.
그러나, 특허문헌 1~4에서 개시된 방법, 특히 특허문헌 4에서 개시된 방법에서는 레이저광을 투과시키기 위해서 투광성이 높은 기판을 사용하는 것이 필수인 것, 기판을 통과시키고 또한 아몰퍼스 실리콘에 포함되는 수소를 방출시키기에 충분한 비교적 큰 에너지의 레이저광의 조사가 필요하게 되는 것, 레이저광의 조사에 의해 피박리층에 손상을 주어버리는 경우가 있는 것과 같은 문제가 있다. However, in the methods disclosed in Patent Literatures 1 to 4, in particular, the method disclosed in Patent Literature 4, it is essential to use a highly transmissive substrate in order to transmit laser light, and to pass hydrogen through the substrate and release hydrogen contained in amorphous silicon. There is such a problem that irradiation of laser light with a relatively large energy sufficient to make it necessary is necessary and damage to the layer to be peeled off by irradiation of the laser light is caused.
게다가 피박리층이 대면적인 경우에는 레이저 처리에 장시간을 요하기 때문에, 디바이스 제작의 생산성을 높이는 것이 어렵다. In addition, when the layer to be peeled is large, laser processing requires a long time, and therefore, it is difficult to increase the productivity of device fabrication.
이와 같은 문제를 해결하는 수단으로서, 특허문헌 5에서는 현행의 유리 기판을 기체(이하, 유리 기체라고 한다)로서 사용하고, 이 유리 기체 상에 환상 올레핀 코폴리머와 같은 폴리머를 사용하여 박리층을 형성하고, 그 박리층 상에 폴리이미드 필름 등의 내열 수지 필름(수지 기판)을 형성 후, 그 필름 상에 ITO 투명 전극이나 TFT 등을 진공 프로세스로 형성·밀봉 후, 최종적으로 유리 기체를 박리·제거하는 제조 공정이 채용되어 있다. As a means to solve such a problem, Patent Document 5 uses a current glass substrate as a base (hereinafter referred to as a glass base), and forms a release layer on the glass base using a polymer such as a cyclic olefin copolymer. After forming heat-resistant resin films (resin substrates), such as a polyimide film, on the peeling layer, and forming and sealing an ITO transparent electrode, TFT, etc. by the vacuum process on the film, finally peeling and removing a glass substrate The manufacturing process to make is employ | adopted.
그런데, 현재, TFT로서는 아몰퍼스 실리콘 TFT와 비교하여 이동도가 2배 빠른 저온 폴리실리콘 TFT가 사용되고 있다. 이 저온 폴리실리콘 TFT는 아몰퍼스 실리콘 증착 후, 400℃ 이상에서 탈수소 어닐을 행하고, 펄스 레이저를 조사하여, 실리콘을 결정화시킬 필요가 있는데(이하, 이들을 TFT 공정이라고 한다), 상기 탈수소 어닐 공정의 온도는 기존의 폴리머의 유리 전이 온도(이하 Tg) 이상이다. By the way, as the TFT, a low temperature polysilicon TFT having a mobility twice as fast as an amorphous silicon TFT is used. The low temperature polysilicon TFT needs to be dehydrogenated at 400 ° C. or higher after amorphous silicon deposition, irradiated with a pulsed laser to crystallize silicon (hereinafter, these are referred to as TFT processes), and the temperature of the dehydrogenated annealing process is It is above the glass transition temperature (hereinafter Tg) of the existing polymer.
그러나 기존의 폴리머는 Tg 이상의 온도로 가열된 경우, 밀착성이 높아지는 것이 알려져 있어(예를 들면, 특허문헌 6 참조), 가열 처리 후에 박리층과 기체 및 수지 기판과의 밀착성이 높아져, 수지 기판을 기체로부터 박리하는 것이 곤란하게 되는 일이 있었다. However, when the existing polymer is heated to a temperature of Tg or more, it is known that the adhesion becomes high (see Patent Document 6, for example), and the adhesion between the release layer and the substrate and the resin substrate is increased after the heat treatment, and the resin substrate is vaporized. It may become difficult to peel off from.
또 이와 같은 공정에 적용 가능한 내열성 폴리머는 폴리이미드 등의 일부의 고내열성 고분자 화합물에 한정되는데, 일반적인 용제에 용해시킬 수 없다. 이 때문에, 상기 폴리이미드를 박리층에 사용한 경우, 수지 기판을 박리한 후에 유리 기체에 남겨진 박리층을 제거하고, 유리 기체를 재이용하는 것은 어려웠다. Moreover, although the heat resistant polymer applicable to such a process is limited to some high heat resistant high molecular compounds, such as a polyimide, it cannot be dissolved in a general solvent. For this reason, when the said polyimide was used for a peeling layer, it was difficult to remove the peeling layer which remained in the glass base after peeling a resin substrate, and to reuse a glass base.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기체의 재이용을 용이하게 할 수 있음과 아울러, 플렉서블 전자 디바이스의 수지 기판과 함께 기체로부터 박리할 수 있고, 수지 기판에 손상을 주는 일도, 특성을 대폭 변화시키는 일도 없는 기판 보호층 형성용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of the said situation, and can make reuse of a base material easy, can peel from a base | substrate together with the resin substrate of a flexible electronic device, and also damages a resin substrate, and changes a characteristic significantly. An object of the present invention is to provide a composition for forming a substrate protective layer that is not allowed to be made.
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 기체 상에 수지 기판을 형성한 후, 상기 수지 기판을 박리하여 수지 기판을 제작할 때, 상기 기체와 수지 기판과의 사이에 개재하고, 상기 기체로부터의 이박리성(易剝離性)을 가짐과 아울러, 박리 후의 수지 기판의 보호층으로서 기능하는 기판 보호층 형성용 조성물로서 폴리아믹산과 유기 용매를 포함하는 조성물을 사용함으로써, 기체와의 적절한 밀착성과 적절한 박리성, 및 플렉서블 전자 디바이스에 사용되는 수지 기판과의 우수한 밀착성을 가지는 기판 보호층을 형성할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to solve the said subject, when forming a resin substrate on a base, when peeling the said resin substrate and manufacturing a resin substrate, this inventor interposes between the said base and a resin substrate, By using the composition containing a polyamic acid and an organic solvent as a composition for substrate protective layer formation which has peeling property from the said gas, and functions as a protective layer of the resin substrate after peeling, The present invention was completed by finding that it is possible to form a substrate protective layer having suitable adhesiveness, suitable peelability, and excellent adhesion with a resin substrate used in a flexible electronic device.
즉, 본 발명은 That is, the present invention
1. 기체 상에 수지 기판을 형성한 후, 상기 수지 기판과 함께 상기 수지 기판을 상기 기체로부터 박리할 때, 상기 기체와 상기 수지 기판과의 사이에 개재하고, 상기 기체로부터의 이박리성을 가짐과 아울러, 박리 후의 상기 수지 기판의 보호층으로서 기능하는 기판 보호층 형성용 조성물로서, 폴리아믹산과 유기 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 보호층 형성용 조성물, 1. After forming a resin substrate on a base, when peeling the said resin substrate together with the said resin substrate from the said base, it interposes between the said base and the said resin substrate, and has exfoliation property from the said base | substrate. And a composition for forming a substrate protective layer functioning as a protective layer of the resin substrate after peeling, comprising a polyamic acid and an organic solvent.
2. 하기 식(1)으로 표시되는 폴리아믹산과 유기 용매를 포함하는 1의 기판 보호층 형성용 조성물, 2. Composition for formation of substrate protective layer of 1 containing polyamic acid and organic solvent represented by following formula (1),
(식 중, X는 하기 식(2)으로 표시되는 방향족기를 나타내고, Y는 불소 원자를 가지는 2가의 방향족기를 나타내고, n은 자연수를 나타낸다.) (In formula, X represents the aromatic group represented by following formula (2), Y represents the bivalent aromatic group which has a fluorine atom, and n represents a natural number.)
3. 상기 Y가 하기 식(3)으로 표시되는 방향족기인 2의 기판 보호층 형성용 조성물, 3. The composition for substrate protective layer formation of 2 whose Y is an aromatic group represented by following formula (3),
4. 상기 Y가 하기 식(4)으로 표시되는 방향족기인 2 또는 3의 기판 보호층 형성용 조성물, 4. The composition for 2 or 3 board | substrate protective layer formation whose said Y is an aromatic group represented by following formula (4),
5. 상기 유기 용매가 하기 식(S1)~(S7)으로 표시되는 구조를 가지는 것으로부터 선택되는 적어도 1종인 1 내지 4 중 어느 하나의 기판 보호층 형성용 조성물, 5. The composition for forming a substrate protective layer in any one of 1 to 4, wherein the organic solvent is at least one selected from those having a structure represented by the following formulas (S1) to (S7):
(식 중, R1~R8은 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타내고, R9 및 R10은 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~10의 아실기를 나타내고, b 및 n은 자연수를 나타낸다) (In formula, R <1> -R <8> represents a hydrogen atom or a C1-C10 alkyl group independently of each other, R <9> and R <10> represents a hydrogen atom, a C1-C10 alkyl group, or C1-C10 independently of each other Represents an acyl group of b and n represent a natural number)
6. 상기 수지 기판 상에 추가로 전자 디바이스를 제작하고, 상기 수지 기판과 함께 전자 디바이스를 상기 기체로부터 박리할 때, 상기 기체로부터의 이박리성을 가짐과 아울러 박리 후의 수지 기판의 보호층으로서 기능하는 1의 기판 보호층 형성용 조성물, 6. When an electronic device is further manufactured on the said resin substrate, and an electronic device is peeled from the said base material with the said resin substrate, it has the peelability from the said base, and functions as a protective layer of the resin substrate after peeling. 1 composition for forming a substrate protective layer,
7. 1 내지 6 중 어느 하나의 기판 보호층 형성용 조성물로부터 얻어지는 기판 보호층, 7. Substrate protective layer obtained from composition for substrate protective layer formation in any one of 1-6,
8. 기체 상에 6의 기판 보호층 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 상기 기체로부터의 이박리성을 가지는 기판 보호층을 형성하는 공정과, 8. Process of apply | coating the composition for 6 substrate protective layer formation on a base material, baking at the maximum temperature of 500 degreeC or more, and forming the board | substrate protective layer which has the peelability from the said base material,
이 기판 보호층 상에 수지 기판 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 수지 기판을 형성하는 공정과, Apply | coating the composition for resin substrate formation on this board | substrate protective layer, baking at the maximum temperature of 500 degreeC or more, and forming a resin substrate,
이 수지 기판 상에 전자 디바이스를 제작하는 공정과, A step of producing an electronic device on the resin substrate,
상기 기체로부터 상기 기판 보호층 및 상기 수지 기판과 함께 상기 전자 디바이스를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법, A method of manufacturing a flexible electronic device, comprising the step of peeling the electronic device together with the substrate protective layer and the resin substrate from the substrate,
9. 상기 수지 기판이 폴리이미드 수지 기판인 8의 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법, 9. The manufacturing method of 8 flexible electronic device whose said resin substrate is a polyimide resin substrate,
10. 기체 상에 1 내지 5 중 어느 하나의 기판 보호층 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 기판 보호층을 형성한 후, 이 기판 보호층 상에 수지 기판 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 수지 기판을 형성한 후, 상기 수지 기판을 상기 기판 보호층과 함께 기체로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 보호층 부착 수지 기판의 제조 방법, 10. Apply the composition for forming a substrate protective layer of any one of 1 to 5 on a substrate, and bake at a maximum temperature of 500 ° C. or higher to form a substrate protective layer, and then apply the composition for forming a resin substrate onto the substrate protective layer. After coating and baking at the maximum temperature of 500 degreeC or more, and forming a resin substrate, the said resin substrate is peeled from a base material with the said board | substrate protective layer, The manufacturing method of the resin substrate with a protective layer,
11. 상기 수지 기판이 폴리이미드 수지 기판인 10의 제조 방법 11. The manufacturing method of 10 whose said resin substrate is a polyimide resin substrate.
을 제공한다. To provide.
본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물을 사용함으로써, 기체와의 적절한 밀착성과 적절한 박리성 및 수지 기판과의 우수한 밀착성을 가지는 기판 보호층을 재현성 좋게 얻을 수 있다. 그 때문에, 본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물을 사용함으로써, 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 기체 상에 형성된 수지 기판이나, 추가로 그 위에 설치되는 회로 등에 손상을 주지 않고, 당해 회로 등과 함께 당해 수지 기판 및 기판 보호층을 당해 기체로부터 분리하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물은 기체의 재이용을 촉진시킬 수 있음과 아울러, 수지 기판을 구비하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스의 간편화나 그 수율 향상 등에 기여할 수 있다. By using the composition for substrate protective layer formation of this invention, the board | substrate protective layer which has suitable adhesiveness with a base material, appropriate peelability, and the outstanding adhesiveness with a resin substrate can be obtained reproducibly. Therefore, by using the composition for substrate protective layer formation of this invention, in the manufacturing process of a flexible electronic device, it does not damage the resin substrate formed on the base | substrate, the circuit further provided on it, etc., and the said circuit etc. It is possible to separate the resin substrate and the substrate protective layer from the substrate. Accordingly, the composition for forming a substrate protective layer of the present invention can promote the reuse of gas, and can contribute to simplifying the manufacturing process of the flexible electronic device including the resin substrate, improving its yield, and the like.
이하, 본 발명에 대해서 보다 상세하게 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.
본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물은 폴리아믹산과 유기 용매를 포함한다. 여기서, 본 발명에 있어서의 기판 보호층은 소정의 목적으로 유리 기체 바로 위에 설치되는 층이며, 그 전형예로서는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 기체와, 폴리이미드와 같은 수지로 이루어지는 플렉서블 전자 디바이스의 수지 기판과의 사이에 당해 수지 기판을 소정의 프로세스 중에 있어서 고정하기 위해서 설치되는 층을 들 수 있다. 또한 이 기판 보호층은 상기 수지 기판 상에 전자 회로 등을 형성한 후에 있어서, 당해 수지 기판과 함께 당해 기체로부터 박리되는 점에 있어서 종래의 박리층과는 상이한 것이다. The composition for substrate protective layer formation of this invention contains a polyamic acid and an organic solvent. Here, the board | substrate protective layer in this invention is a layer provided directly on a glass base for a predetermined purpose, and the typical example of the flexible electronic device which consists of a base and resin like polyimide in the manufacturing process of a flexible electronic device is mentioned. The layer provided in order to fix the said resin substrate in a predetermined process between resin substrates is mentioned. Moreover, after forming an electronic circuit etc. on the said resin substrate, this board | substrate protective layer differs from the conventional peeling layer in the point which peels from the said base material with the said resin substrate.
폴리아믹산을 제조할 때 사용하는 디아민 성분 및 산 이무수물 성분으로서는 상기 서술한 제조 프로세스 후 수지 기판과 함께 기체로부터 박리되는 성질, 즉 기체와의 이박리성을 가지고, 또한 수지 기판과의 밀착성을 가지는 폴리이미드막을 부여하는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 상기 기체로부터의 이박리성과 수지 기판에 대한 밀착성이라는 성질을 충분히 발휘시키는 관점에서, 방향족 디아민을 포함하는 디아민 성분과 방향족 테트라카르복실산 이무수물을 포함하는 산 이무수물 성분을 반응시켜 얻어지는 폴리아믹산이 바람직하고, 특히, 하기 식(1)으로 표시되는 바와 같은 비페닐테트라카르복실산 이무수물과, 불소 원자를 가지는 방향족 디아민을 사용하여 얻어지는 폴리아믹산이 적합하다. As the diamine component and the acid dianhydride component used when producing the polyamic acid, the above-described manufacturing process has the property of being peeled off from the gas together with the resin substrate, that is, the peeling property from the gas, and the adhesiveness with the resin substrate. Although it will not specifically limit, if it gives a polyimide membrane, From a viewpoint of fully exhibiting the property of the peeling property from the said base and adhesiveness with respect to a resin substrate, the diamine component containing aromatic diamine, and aromatic tetracarboxylic dianhydride are included. The polyamic acid obtained by making an acid dianhydride component react is preferable, and the polyamic acid obtained using the biphenyl tetracarboxylic dianhydride and the aromatic diamine which have a fluorine atom especially as represented by following formula (1) is Suitable.
식(1)에 있어서, X는 하기 식(2)으로 표시되는 비페닐테트라카르복실산 유래의 방향족기를 나타내고, Y는 불소 원자를 가지는 방향족 디아민 유래의 2가의 불소 원자 함유 방향족기를 나타낸다. In Formula (1), X represents the aromatic group derived from biphenyl tetracarboxylic acid represented by following formula (2), and Y represents the bivalent fluorine atom containing aromatic group derived from aromatic diamine which has a fluorine atom.
n은 자연수를 나타내는데, 2 이상의 정수가 바람직하다. n represents a natural number, but an integer of 2 or more is preferable.
상기 식(2)으로 표시되는 비페닐테트라카르복실산 유래의 2가의 기를 부여하는 비페닐테트라카르복실산 이무수물로서는 하기 식(C1)~(C3)으로 표시되는 것을 들 수 있는데, 본 발명에서는 특히 식(C1)으로 표시되는 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물이 적합하다. 또한 (C1)~(C3)은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. As biphenyl tetracarboxylic dianhydride which gives the bivalent group derived from biphenyl tetracarboxylic acid represented by said Formula (2), what is represented by following formula (C1)-(C3) is mentioned, In this invention, Especially the 3,3 ', 4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride represented by Formula (C1) is suitable. In addition, (C1)-(C3) may be used independently, respectively and may be used in combination of 2 or more type.
또 본 발명에서는 상기 비페닐테트라카르복실산 이무수물에 더해, 그 밖의 테트라카르복실산 이무수물을 사용할 수도 있다. Moreover, in this invention, in addition to the said biphenyl tetracarboxylic dianhydride, other tetracarboxylic dianhydride can also be used.
그 구체예로서는 피로멜리트산 이무수물, 벤젠-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,7,8-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 안트라센-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 안트라센-1,2,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 안트라센-1,2,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 안트라센-1,2,7,8-테트라카르복실산 이무수물, 안트라센-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,7,8-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,9,10-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-2,3,9,10-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-3,4,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-3,4,9,10-테트라카르복실산 이무수물 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. Specific examples thereof include pyromellitic dianhydride, benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,5 , 6-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,7,8-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-2,3, 5,6-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, anthracene-1,2 , 3,4-tetracarboxylic dianhydride, anthracene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, anthracene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, anthracene-1, 2,7,8-tetracarboxylic dianhydride, anthracene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene -1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride Water, phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,9,10-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-2,3,5,6-tetra Carboxylic acid dianhydride, phenanthrene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-2,3,9,10-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-3,4,5 And 6-tetracarboxylic dianhydride and phenanthrene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride and the like, and these may be used alone or in combination of two or more thereof.
본 발명에서 사용하는 폴리아믹산에 있어서, 테트라카르복실산 성분 중의 비페닐테트라카르복실산 이무수물의 양은 상기 서술한 기체로부터의 이박리성 및 수지 기판에 대한 밀착성을 양립시키는 것을 고려하면, 70몰% 이상이 바람직하고, 80몰% 이상이 보다 바람직하며, 90몰% 이상이 한층 더 바람직하고, 95몰% 이상이 더욱 바람직하며, 100몰%가 가장 바람직하다. In the polyamic acid used in the present invention, the amount of the biphenyltetracarboxylic dianhydride in the tetracarboxylic acid component is 70 mol% in consideration of achieving both the peeling property from the above-described gas and the adhesion to the resin substrate. The above is preferable, 80 mol% or more is more preferable, 90 mol% or more is further more preferable, 95 mol% or more is more preferable, 100 mol% is the most preferable.
한편, 상기 Y를 부여하는 불소 원자를 가지는 방향족 디아민의 구체예로서는 5-트리플루오로메틸벤젠-1,3-디아민, 5-트리플루오로메틸벤젠-1,2-디아민, 3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠-1,2-디아민, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘), 3,3'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐(3,3'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘), 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)비페닐-4,4'-디아민, 3,3',5,5'-테트라플루오로비페닐-4,4'-디아민, 4,4'-디아미노옥타플루오로비페닐 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. In addition, as a specific example of the aromatic diamine which has the said fluorine atom which gives said Y, 5-trifluoromethylbenzene-1,3-diamine, 5-trifluoromethylbenzene-1,2-diamine, 3,5-bis ( Trifluoromethyl) benzene-1,2-diamine, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine) , 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (3,3'-bis (trifluoromethyl) benzidine), 2,2-bis (3-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (4-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 3,3 '-Bis (trifluoromethyl) biphenyl-4,4'-diamine, 3,3', 5,5'-tetrafluorobiphenyl-4,4'-diamine, 4,4'-diaminooctafluoro Roviphenyl etc. are mentioned, These may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.
이들 중에서도 상기 서술한 기체로부터의 이박리성 및 수지 기판에 대한 밀착성을 양립시키는 것을 고려하면, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘), 3,3'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐(3,3'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘)이 바람직하고, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘)이 한층 더 바람직하다. Among them, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (2,2) in consideration of making both the peeling property from the above-mentioned gas and adhesiveness with respect to the resin substrate compatible '-Bis (trifluoromethyl) benzidine), 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (3,3'-bis (trifluoromethyl) benzidine) Preferably, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine) is more preferable.
따라서, 식(1)에 있어서의 적합한 Y로서는 식(3) 및 (4)으로 표시되는 2가의 방향족기를 들 수 있다. Therefore, as suitable Y in Formula (1), the bivalent aromatic group represented by Formula (3) and (4) is mentioned.
또 본 발명에서는 상기 불소 원자를 가지는 방향족 디아민에 더해, 그 밖의 디아민을 사용할 수도 있다. Moreover, in this invention, other diamine can also be used in addition to the aromatic diamine which has the said fluorine atom.
그 구체예로서는 1,4-디아미노벤젠(p-페닐렌디아민), 1,3-디아미노벤젠(m-페닐렌디아민), 1,2-디아미노벤젠(o-페닐렌디아민), 2,4-디아미노톨루엔, 2,5-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 4,6-디메틸-m-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-p-페닐렌디아민, 2,6-디메틸-p-페닐렌디아민, 2,4,6-트리메틸-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라메틸-p-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, p-크실릴렌디아민 등의 벤젠 핵이 1개인 디아민; 1,2-나프탈렌디아민, 1,3-나프탈렌디아민, 1,4-나프탈렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 1,6-나프탈렌디아민, 1,7-나프탈렌디아민, 1,8-나프탈렌디아민, 2,3-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 4,4'-비페닐디아민, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 3,3'-디클로로벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘, 2,2'-디메틸벤지딘, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 3,3'-디아미노디페닐술폭시드, 3,4'-디아미노디페닐술폭시드, 4,4'-디아미노디페닐술폭시드, 2-(3-아미노페닐)-5-아미노벤즈이미다졸, 2-(4-아미노페닐)-5-아미노벤조옥사졸 등의 벤젠 핵이 2개인 디아민; 1,5-디아미노안트라센, 2,6-디아미노안트라센, 9,10-디아미노안트라센, 1,8-디아미노페난트렌, 2,7-디아미노페난트렌, 3,6-디아미노페난트렌, 9,10-디아미노페난트렌, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스〔2-(4-아미노페닐)이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(3-아미노페닐)이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(4-아미노페닐)이소프로필〕벤젠, 4,4''-디아미노-p-터페닐, 4,4''-디아미노-m-터페닐 등의 벤젠 핵이 3개인 디아민 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. Specific examples thereof include 1,4-diaminobenzene (p-phenylenediamine), 1,3-diaminobenzene (m-phenylenediamine), 1,2-diaminobenzene (o-phenylenediamine), 2, 4-diaminotoluene, 2,5-diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, 4,6-dimethyl-m-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, 2,6- Dimethyl-p-phenylenediamine, 2,4,6-trimethyl-1,3-phenylenediamine, 2,3,5,6-tetramethyl-p-phenylenediamine, m-xylylenediamine, p- Diamines having one benzene nucleus such as xylylenediamine; 1,2-naphthalenediamine, 1,3-naphthalenediamine, 1,4-naphthalenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 1,6-naphthalenediamine, 1,7-naphthalenediamine, 1,8-naphthalenediamine, 2 , 3-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, 4,4'-biphenyldiamine, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dicarboxy-4, 4'-diaminodiphenylmethane, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminobenzanilide, 3,3'-dichlorobenzidine , 3,3'-dimethylbenzidine, 2,2'-dimethylbenzidine, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (3-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 3,3'-diaminodiphenylsulfoxide, 3,4'-diaminodiphenylsulfoxide, Two benzene nuclei such as 4,4'-diaminodiphenylsulfoxide, 2- (3-aminophenyl) -5-aminobenzimidazole, and 2- (4-aminophenyl) -5-aminobenzooxazole Diamine; 1,5-diaminoanthracene, 2,6-diaminoanthracene, 9,10-diaminoanthracene, 1,8-diaminophenanthrene, 2,7-diaminophenanthrene, 3,6-diaminophenanthrene , 9,10-diaminophenanthrene, 1,3-bis (3-aminophenyl) benzene, 1,3-bis (4-aminophenyl) benzene, 1,4-bis (3-aminophenyl) benzene, 1 , 4-bis (4-aminophenyl) benzene, 1,3-bis (3-aminophenylsulfide) benzene, 1,3-bis (4-aminophenylsulfide) benzene, 1,4-bis (4- Aminophenylsulfide) benzene, 1,3-bis (3-aminophenylsulfone) benzene, 1,3-bis (4-aminophenylsulfone) benzene, 1,4-bis (4-aminophenylsulfone) benzene, 1 , 3-bis [2- (4-aminophenyl) isopropyl] benzene, 1,4-bis [2- (3-aminophenyl) isopropyl] benzene, 1,4-bis [2- (4-aminophenyl Isopropyl] benzene, diamine having three benzene nuclei such as 4,4 ''-diamino-p-terphenyl and 4,4 ''-diamino-m-terphenyl; You may use and combine two or more kinds You can use it.
본 발명에서 사용하는 폴리아믹산에 있어서, 디아민 성분 중의 불소 원자를 가지는 방향족 디아민의 양은 상기 서술한 기체로부터의 이박리성 및 수지 기판에 대한 밀착성을 양립시키는 것을 고려하면, 70몰% 이상이 바람직하고, 80몰% 이상이 보다 바람직하며, 90몰% 이상이 한층 더 바람직하고, 95몰% 이상이 더욱 바람직하며, 100몰%가 가장 바람직하다. In the polyamic acid to be used in the present invention, the amount of the aromatic diamine having a fluorine atom in the diamine component is preferably 70 mol% or more in consideration of making both the exfoliation from the above-mentioned gas and the adhesion to the resin substrate compatible. 80 mol% or more is more preferable, 90 mol% or more is more preferable, 95 mol% or more is more preferable, and 100 mol% is the most preferable.
이상 설명한 디아민 성분과 테트라카르복실산 이무수물 성분을 유기 용매 중에서 반응시킴으로써, 본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물에 포함되는 폴리아믹산을 얻을 수 있다. By making the diamine component and tetracarboxylic dianhydride component demonstrated above react in an organic solvent, the polyamic acid contained in the composition for substrate protective layer formation of this invention can be obtained.
이 반응에 사용하는 유기 용매는 반응에 악영향을 끼치지 않는 한 특별히 한정되는 것은 아니며, 그 구체예로서는 m-크레졸, 2-피롤리돈, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-비닐-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-에톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-프로폭시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-이소프로폭시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-sec-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-tert-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, γ-부티로락톤 등을 들 수 있다. 또한 유기 용매는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. The organic solvent used in this reaction is not particularly limited as long as it does not adversely affect the reaction, and specific examples thereof include m-cresol, 2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyrrolidone, and N-ethyl-2. -Pyrrolidone, N-vinyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, 3-methoxy-N, N-dimethylpropylamide, 3-ethoxy-N , N-dimethylpropylamide, 3-propoxy-N, N-dimethylpropylamide, 3-isopropoxy-N, N-dimethylpropylamide, 3-butoxy-N, N-dimethylpropylamide, 3-sec -Butoxy-N, N-dimethylpropylamide, 3-tert-butoxy-N, N-dimethylpropylamide, gamma -butyrolactone, etc. are mentioned. In addition, an organic solvent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
디아민 성분과 테트라카르복실산 이무수물 성분의 도입비(몰비)는 목적으로 하는 분자량이나 분자량 분포, 디아민의 종류나 테트라카르복실산 이무수물의 종류 등을 고려하여 적절히 결정되기 때문에 일괄하여 규정할 수 없지만, 테트라카르복실산 이무수물 성분 1에 대하여 디아민 성분 0.7~1.3정도, 바람직하게는 0.8~1.2정도, 더욱 바람직하게는 0.9~1.1정도이다. Since the introduction ratio (molar ratio) of the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component is appropriately determined in consideration of the target molecular weight, the molecular weight distribution, the kind of the diamine, the kind of the tetracarboxylic dianhydride, etc., it cannot be specified collectively. It is about 0.7-1.3 diamine component, Preferably it is about 0.8-1.2, More preferably, it is about 0.9-1.1 with respect to the tetracarboxylic dianhydride component 1.
반응 온도는 사용하는 용매의 융점으로부터 비점까지의 범위에서 적절히 설정하면 되고, 통상 0~100℃정도이지만, 얻어지는 폴리아믹산의 용액 중에서의 이미드화를 막고 폴리아믹산 단위의 고함유량을 유지하기 위해서는 바람직하게는 0~70℃정도이며, 보다 바람직하게는 0~60℃정도이며, 한층 더 바람직하게는 0~50℃정도이다. What is necessary is just to set reaction temperature suitably in the range from the melting point of a solvent to boiling point, and it is about 0-100 degreeC normally, but in order to prevent the imidation in the solution of the obtained polyamic acid, and to maintain high content of a polyamic acid unit, Is about 0-70 degreeC, More preferably, it is about 0-60 degreeC, More preferably, it is about 0-50 degreeC.
반응 시간은 반응 온도나 원료 물질의 반응성에 의존하기 때문에 일괄하여 규정할 수 없지만, 통상 1~100시간정도이다. Since the reaction time depends on the reaction temperature and the reactivity of the raw materials, it cannot be specified collectively, but is usually about 1 to 100 hours.
이와 같이 하여 얻어지는 폴리아믹산의 중량 평균 분자량은 통상 5,000~500,000정도이지만, 얻어지는 막의 기판 보호층으로서의 기능을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 10,000~200,000정도, 보다 바람직하게는 30,000~150,000정도이다. 또한 본 발명에 있어서, 중량 평균 분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 측정에 의한 폴리스티렌 환산값이다. Although the weight average molecular weight of the polyamic acid obtained in this way is about 5,000-500,000 normally, From a viewpoint of improving the function as a board | substrate protective layer of the film | membrane obtained, Preferably it is about 10,000-200,000, More preferably, it is about 30,000-150,000. In addition, in this invention, a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value by a gel permeation chromatography (GPC) measurement.
또한 본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은 그 중합체쇄 말단의 일방 또는 쌍방을 추가로 앵커기를 가지는 아민 또는 앵커기를 가지는 산 무수물과 반응시켜도 된다. In addition, the polyamic acid used by this invention may be made to react one or both of the polymer chain terminal with the amine which has an anchor group, or the acid anhydride which has an anchor group further.
이와 같은 앵커기로서는 카르복실산기, 실릴기(예를 들면, 알킬실릴기, 알콕시실릴기, 비닐실릴기 및 알릴실릴기 등), 비닐기, 말레이미드기, 페놀성 수산기 등을 들 수 있는데, 그 중에서도 카르복실산기, 실릴기(특히 알콕시기, 비닐기 및 알릴기로부터 선택되는 기가 규소 원자에 1개 이상 결합한 실릴기)가 바람직하다. Examples of such anchor groups include carboxylic acid groups, silyl groups (eg, alkylsilyl groups, alkoxysilyl groups, vinylsilyl groups and allylsilyl groups, etc.), vinyl groups, maleimide groups, phenolic hydroxyl groups, and the like. Among them, a carboxylic acid group and a silyl group (particularly, a silyl group in which one or more groups selected from an alkoxy group, a vinyl group and an allyl group are bonded to a silicon atom) are preferable.
또 디아민 성분 및 테트라카르복실산 이무수물 성분으로부터 얻어지는 폴리아믹산과 앵커기와의 사이에는 탄소수 1~10정도의 박리성이나 내열성을 현저하게 저하시키지 않는 탄소수의 알킬기, 아릴기 등의 스페이서기가 존재해도 된다. Moreover, spacer groups, such as a C1-C10 alkyl group and an aryl group, which do not significantly reduce the peelability and heat resistance of about 1-10 carbon atoms, may exist between the polyamic acid obtained from a diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component, and an anchor group. .
앵커기를 가지는 아민의 구체예로서는 4-아미노페녹시트리메틸실란, 4-아미노페녹시디메틸비닐실란, 4-아미노페녹시메틸디비닐실란, 4-아미노페녹시트리비닐실란, 4-아미노페녹시디메틸알릴실란, 4-아미노페녹시메틸디알릴실란, 4-아미노페녹시트리알릴실란, 4-아미노페녹시디메틸페닐실란, 4-아미노페녹시메틸디페닐실란, 4-아미노페녹시트리페닐실란, 4-아미노페녹시트리메톡시실란, 4-아미노페녹시디메톡시비닐실란, 4-아미노페녹시메톡시디비닐실란, 4-아미노페녹시트리비닐실란, 4-아미노페녹시디메톡시알릴실란, 4-아미노페녹시메톡시디알릴실란, 4-아미노페녹시디메톡시페닐실란, 4-아미노페녹시메톡시디페닐실란, 4-아미노페녹시트리에톡시실란, 4-아미노페녹시디에톡시비닐실란, 4-아미노페녹시에톡시디비닐실란, 4-아미노페녹시트리비닐실란, 4-아미노페녹시디에톡시알릴실란, 4-아미노페녹시에톡시디알릴실란, 4-아미노페녹시디에톡시페닐실란, 4-아미노페녹시에톡시디페닐실란, 3-아미노페녹시트리메틸실란, 3-아미노페녹시디메틸비닐실란, 3-아미노페녹시메틸디비닐실란, 2-아미노페녹시트리비닐실란, 2-아미노페녹시트리메틸실란, 2-아미노페녹시디메틸비닐실란, 2-아미노페녹시메틸디비닐실란, 2-아미노페녹시트리비닐실란, 3-아미노프로필트리에틸실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 2-아미노프로필트리메톡시실란, 2-아미노프로필트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-트리에톡시실릴프로필트리에틸렌트리아민, N-트리메톡시실릴프로필트리에틸렌트리아민, 2-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다. Specific examples of the amine having an anchor group include 4-aminophenoxytrimethylsilane, 4-aminophenoxydimethylvinylsilane, 4-aminophenoxymethyldivinylsilane, 4-aminophenoxytrimethylvinylsilane, and 4-aminophenoxydimethylallyl. Silane, 4-aminophenoxymethyldiallylsilane, 4-aminophenoxycitriallylsilane, 4-aminophenoxydimethylphenylsilane, 4-aminophenoxymethyldiphenylsilane, 4-aminophenoxycitriphenylsilane, 4- Aminophenoxytrimethoxysilane, 4-aminophenoxydimethoxyvinylsilane, 4-aminophenoxymethoxydivinylsilane, 4-aminophenoxytrivinylsilane, 4-aminophenoxydimethoxyallylsilane, 4-amino Phenoxymethoxydiallylsilane, 4-aminophenoxydimethoxyphenylsilane, 4-aminophenoxymethoxydiphenylsilane, 4-aminophenoxytriethoxysilane, 4-aminophenoxydiethoxyvinylsilane, 4-aminophenoxy Ethoxydivinylsilane, 4-aminophenoxytrivinylsilicone , 4-aminophenoxy diethoxyallyl silane, 4-aminophenoxy ethoxy diallyl silane, 4-amino phenoxy diethoxy phenyl silane, 4-amino phenoxy ethoxy diphenyl silane, 3-amino phenoxy citrimethyl silane , 3-aminophenoxydimethylvinylsilane, 3-aminophenoxymethyldivinylsilane, 2-aminophenoxytriethylvinylsilane, 2-aminophenoxytrimethylsilane, 2-aminophenoxydimethylvinylsilane, 2-aminophenoxy Methyldivinylsilane, 2-aminophenoxytriethylsilane, 3-aminopropyltriethylsilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminopropyltriethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-ethoxycar Carbonyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N -Triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, N-trimethoxysilylpropyltriethylenetriamine, 2-aminophenol, 3-aminophenol, 4-aminophenol and the like can be mentioned, but not limited thereto.
앵커기를 가지는 산 무수물의 구체예로서는 트리멜리트산 무수물, 비닐말레산 무수물, 4-비닐나프탈렌-1,2-디카르복실산 무수물, 무수 말레산, 2,3-디메틸말레산 무수물, 4-히드록시프탈산 무수물, 3-히드록시프탈산 무수물 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다. Specific examples of the acid anhydride having an anchor group include trimellitic anhydride, vinylmaleic anhydride, 4-vinylnaphthalene-1,2-dicarboxylic anhydride, maleic anhydride, 2,3-dimethylmaleic anhydride, and 4-hydroxy Phthalic anhydride, 3-hydroxyphthalic anhydride, etc. are mentioned, It is not limited to these.
또한 앵커기를 가지는 아민 및 앵커기를 가지는 산 무수물의 양은 몰비로 테트라카르복실산 이무수물 성분 1에 대하여 앵커기를 가지는 아민 0.01~0.6정도, 바람직하게는 0.05~0.4정도, 더욱 바람직하게는 0.1~0.2정도, 또는 디아민 성분 1에 대하여 앵커기를 가지는 산 무수물 0.01~0.52정도, 바람직하게는 0.05~0.32정도, 더욱 바람직하게는 0.1~0.2정도이다. The amount of the amine having an anchor group and the acid anhydride having the anchor group is about 0.01 to 0.6, preferably about 0.05 to 0.4, and more preferably about 0.1 to 0.2 of the amine having an anchor with respect to the tetracarboxylic dianhydride component 1 in molar ratio. Or about 0.01 to 0.52 of acid anhydride having an anchor group with respect to diamine component 1, preferably about 0.05 to 0.32, and more preferably about 0.1 to 0.2.
본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물은 상기 서술한 폴리아믹산에 더해 유기 용매를 포함하는 것이다. 이 유기 용매로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 하기로부터 선택되는 용제가 바람직하다. The composition for substrate protective layer formation of this invention contains an organic solvent in addition to the polyamic acid mentioned above. Although it does not specifically limit as this organic solvent, The solvent chosen from the following is preferable.
(식 중, R1~R8은 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타내고, R9 및 R10은 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~10의 아실기를 나타내고, b 및 m은 자연수를 나타낸다) (In formula, R <1> -R <8> represents a hydrogen atom or a C1-C10 alkyl group independently of each other, R <9> and R <10> represents a hydrogen atom, a C1-C10 alkyl group, or C1-C10 independently of each other Represents an acyl group, b and m represent a natural number)
b 및 m은 자연수를 나타내는데, 바람직하게는 1~3, 보다 바람직하게는 1 또는 2이다. b and m represent a natural number, Preferably it is 1-3, More preferably, it is 1 or 2.
탄소수 1~10의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다. 이들 중, 탄소수 1~3의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 또는 2의 알킬기가 보다 바람직하다. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n -Heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, etc. are mentioned. Among these, a C1-C3 alkyl group is preferable and a C1-C2 alkyl group is more preferable.
탄소수 1~10의 아실기로서는 탄소수 1~8의 알카노일기(예를 들면, 포르밀기, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 이소부티릴기, 발레릴기, 피발로일기 등), 탄소수 3~6의 시클로알킬카르보닐기(예를 들면, 시클로프로필카르보닐기, 시클로펜틸카르보닐기, 시클로헥실카르보닐기 등), 벤조일기 등을 들 수 있고, 아세틸기가 바람직하다. Examples of the acyl group having 1 to 10 carbon atoms include alkanoyl groups having 1 to 8 carbon atoms (for example, formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, valeryl group, pivaloyl group, etc.) 6 cycloalkylcarbonyl group (for example, cyclopropylcarbonyl group, cyclopentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, etc.), a benzoyl group, etc. are mentioned, An acetyl group is preferable.
그 중에서도 폴리아믹산을 잘 용해하고, 균일성이 높은 조성물을 조제하기 쉬운 점에서, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N-에틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤이 바람직하고, N-메틸-2-피롤리돈이 보다 바람직하다. Among them, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3 in terms of easily dissolving polyamic acid and preparing a composition having high uniformity. -Dimethyl-2-imidazolidinone, N-ethyl-2-pyrrolidone and γ-butyrolactone are preferable, and N-methyl-2-pyrrolidone is more preferable.
또한 단독으로는 폴리아믹산을 용해시키지 않는 용매여도 폴리아믹산이 석출되지 않는 범위이면 조성물의 조제에 사용할 수 있다. 특히, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 에틸카르비톨, 부틸카르비톨, 에틸카르비톨아세테이트, 에틸렌글리콜, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 1-부톡시-2-프로판올, 1-페녹시-2-프로판올, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜-1-모노메틸에테르-2-아세테이트, 프로필렌글리콜-1-모노에틸에테르-2-아세테이트, 디프로필렌글리콜, 2-(2-에톡시프로폭시)프로판올, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산n-프로필, 락트산n-부틸, 락트산이소아밀 등의 저표면장력을 가지는 용매를 적절히 혼재시킬 수 있다. 이것에 의해, 기판으로의 도포시에 도막 균일성이 향상되는 것이 알려져 있고, 본 발명에 있어서도 적합하게 사용할 수 있다. Moreover, even if it is a solvent which does not melt a polyamic acid independently, it can be used for preparation of a composition as long as it is a range in which a polyamic acid does not precipitate. In particular, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, ethyl carbitol, butyl carbitol, ethyl carbitol acetate, ethylene glycol, 1-methoxy-2-propanol, 1-ethoxy-2-propanol, 1-butoxy -2-propanol, 1-phenoxy-2-propanol, propylene glycol monoacetate, propylene glycol diacetate, propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate, propylene glycol-1-monoethyl ether-2-acetate, Solvents having low surface tension such as dipropylene glycol, 2- (2-ethoxypropoxy) propanol, methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, n-butyl lactate, and isoamyl lactate can be mixed as appropriate. . Thereby, it is known that coating film uniformity improves at the time of application | coating to a board | substrate, and it can use suitably also in this invention.
본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물의 조제 방법은 임의이다. 조제 방법의 바람직한 일례로서는 상기에서 설명한 방법에 의해 얻어진 목적으로 하는 폴리아믹산을 포함하는 반응 용액을 여과하는 방법을 들 수 있다. 이 때, 농도 조정 등을 목적으로 할 필요가 있으면 여과액을 희석 또는 농축해도 된다. 이와 같은 방법을 채용함으로써, 얻어지는 조성물로부터 제조되는 기판 보호층의 밀착성, 박리성 등의 악화의 원인이 될 수 있는 불순물의 혼입을 저감할 수 있을 뿐만아니라, 효율적으로 기판 보호층 형성용 조성물을 얻을 수 있다. 희석에 사용하는 용매로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 그 구체예로서는 상기 반응의 반응 용매의 구체예와 마찬가지의 것을 들 수 있다. 희석에 사용하는 용매는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. The preparation method of the composition for substrate protective layer formation of this invention is arbitrary. As a preferable example of a preparation method, the method of filtering the reaction solution containing the target polyamic acid obtained by the method demonstrated above is mentioned. At this time, if necessary for the purpose of concentration adjustment or the like, the filtrate may be diluted or concentrated. By adopting such a method, not only the mixing of impurities which may cause deterioration of adhesion, peelability, etc. of the substrate protective layer manufactured from the composition obtained can be reduced, but also the composition for forming the substrate protective layer can be efficiently obtained. Can be. It does not specifically limit as a solvent used for dilution, As the specific example, the thing similar to the specific example of the reaction solvent of the said reaction is mentioned. The solvent used for dilution can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물에 있어서의 폴리아믹산의 농도는 제작하는 기판 보호층의 두께, 조성물의 점도 등을 감안하여 적절히 설정하는 것인데, 통상 1~30질량%정도, 바람직하게는 1~20질량%정도이다. 이와 같은 농도로 함으로써, 0.05~5μm정도의 두께의 기판 보호층을 재현성 좋게 얻을 수 있다. 폴리아믹산의 농도는 폴리아믹산의 원료인 디아민과 테트라카르복실산 이무수물의 사용량을 조정하거나, 단리한 폴리아믹산을 용매에 용해시킬 때 그 양을 조정하거나 하여 조정할 수 있다. Although the density | concentration of the polyamic acid in the composition for board | substrate protective layer formation of this invention is set suitably in consideration of the thickness of the board | substrate protective layer to manufacture, the viscosity of a composition, etc., it is about 1-30 mass% normally, Preferably it is 1- It is about 20 mass%. By setting it as such a density | concentration, the board | substrate protective layer of thickness about 0.05-5 micrometers can be obtained reproducibly. The concentration of the polyamic acid can be adjusted by adjusting the amount of diamine and tetracarboxylic dianhydride which are raw materials of the polyamic acid, or by adjusting the amount thereof when the isolated polyamic acid is dissolved in a solvent.
본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물의 점도는 제작하는 기판 보호층의 두께 등을 감안하여 적절히 설정하는 것인데, 특히 0.05~5μm정도의 두께의 막을 재현성 좋게 얻는 것을 목적으로 하는 경우, 통상, 25℃에서 10~10,000mPa·s정도, 바람직하게는 20~5,000mPa·s정도이다. Although the viscosity of the composition for board | substrate protective layer formation of this invention sets it suitably in consideration of the thickness of the board | substrate protective layer to produce, etc., when aiming at obtaining the film | membrane of thickness of about 0.05-5 micrometers with good reproducibility normally, it is 25 degreeC normally. At about 10 to 10,000 mPa · s, preferably about 20 to 5,000 mPa · s.
여기서, 점도는 시판되는 액체의 점도 측정용 점도계를 사용하고, 예를 들면 JIS K7117-2에 기재된 순서를 참조하여, 조성물의 온도 25℃의 조건에서 측정할 수 있다. 바람직하게는 점도계로서는 원추평판형(콘 플레이트형) 회전 점도계를 사용하고, 바람직하게는 동형의 점도계로 표준 콘 로터로서 1°34'×R24를 사용하여, 조성물의 온도 25℃의 조건에서 측정할 수 있다. 이와 같은 회전 점도계로서는 예를 들면 도키산교(주)제 TVE-25L을 들 수 있다. Here, a viscosity can be measured on the conditions of the temperature of 25 degreeC of a composition using the viscosity meter for measuring the viscosity of a commercially available liquid, and referring the procedure of JISK7117-2, for example. Preferably, a conical flat plate (corn plate) rotational viscometer is used, and a homogeneous viscometer is preferably used at a temperature of 25 ° C. in a composition of 1 ° 34 ′ × R 24 as a standard cone rotor. Can be. As such a rotational viscometer, TVE-25L by Toki Sangyo Co., Ltd. is mentioned, for example.
또한 본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물은 폴리아믹산과 유기 용매 외에 예를 들면 막 강도를 향상시키기 위해서 가교제 등을 포함하고 있어도 된다. Moreover, the composition for substrate protective layer formation of this invention may contain a crosslinking agent etc. in addition to a polyamic acid and an organic solvent, for example, in order to improve film strength.
이상 설명한 박리층 형성용 조성물을 기체 상에 도포한 후, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하는 공정을 포함하는 소성법으로 폴리아믹산을 열이미드화함으로써, 기체와의 이박리성 및 수지 기판과의 우수한 밀착성을 가지는 폴리이미드막으로 이루어지는 수지 기판 보호층을 얻을 수 있다. After apply | coating the composition for peeling layer formation demonstrated above on a base | substrate, heat | fever imidating a polyamic acid by the baking method containing the process of baking at the maximum temperature of 500 degreeC or more, and the peeling property with a base and a resin substrate The resin substrate protective layer which consists of a polyimide film which has the outstanding adhesiveness can be obtained.
본 발명에 있어서, 상기 소성시의 최고 온도는 500℃ 이상 또한 폴리이미드의 내열 온도 이하의 범위이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 또 그 상한은 통상 550℃정도인데, 바람직하게는 520℃, 보다 바람직하게는 510℃정도이다. 가열 온도를 상기 범위로 함으로써, 얻어지는 막의 취약화를 막으면서, 이미드화 반응을 충분히 진행시키는 것도 가능하게 된다. In this invention, if the maximum temperature at the time of the said baking is a range below 500 degreeC and the heat resistance temperature of a polyimide, it will not specifically limit. Moreover, the upper limit is about 550 degreeC normally, Preferably it is 520 degreeC, More preferably, it is about 510 degreeC. By making heating temperature into the said range, it becomes possible to fully advance imidation reaction, preventing the weakening of the film | membrane obtained.
가열 시간은 가열 온도에 따라 상이하기 때문에 일괄하여 규정할 수 없지만, 통상 5분~5시간이다. 또 이미드화율은 50~100%의 범위이면 된다. Since heating time changes with heating temperature, it cannot be prescribed | regulated collectively, but is 5 minutes-5 hours normally. Moreover, imidation ratio should just be 50 to 100% of range.
또 상기 소성시의 온도는 최고 온도가 상기 범위가 되는 한, 그 이하의 온도에서 소성하는 공정을 포함하고 있어도 된다. Moreover, the temperature at the time of baking may include the process of baking at the temperature below that as long as the maximum temperature becomes the said range.
본 발명에 있어서의 가열 태양의 바람직한 일례로서는 50~150℃에서 가열한 후에 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 500℃ 이상에서 가열하는 수법을 들 수 있다. 특히, 가열 태양의 보다 바람직한 일례로서는 50~100℃에서 가열하고, 100℃ 초과~500℃ 미만에서 가열하고, 500℃ 이상에서 가열하는 수법을 들 수 있다. 또한 가열 태양의 보다 바람직한 다른 일례로서는 50~100℃에서 가열한 후에 200~300℃에서 가열하고, 300℃ 초과~500℃ 미만에서 가열하고, 마지막으로 500~510℃에서 가열하는 수법을 들 수 있다. As a preferable example of the heating aspect in this invention, after heating at 50-150 degreeC, the method of raising a heating temperature in steps as it is, and finally heating at 500 degreeC or more is mentioned. Especially as a more preferable example of a heating aspect, the method of heating at 50-100 degreeC, heating more than 100 degreeC-less than 500 degreeC, and heating at 500 degreeC or more is mentioned. Moreover, as another preferable example of a heating aspect, the method of heating at 50-100 degreeC, heating at 200-300 degreeC, heating at more than 300 degreeC-less than 500 degreeC, and finally heating at 500-510 degreeC is mentioned. .
또 소성 시간을 고려한 경우의 가열 태양의 바람직한 일례로서는 50~150℃에서 1분간~2시간 가열한 후에 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 500℃ 이상에서 30분간~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. 특히, 가열 태양의 보다 바람직한 일례로서는 50~100℃에서 1분간~2시간 가열하고, 100℃ 초과~500℃ 미만에서 5분간~2시간 가열하고, 500℃ 이상에서 30분간~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. 또한 가열 태양의 보다 바람직한 다른 일례로서는 50~100℃에서 1분간~2시간 가열한 후에 200~300℃에서 5분간~2시간, 300℃ 초과~500℃ 미만에서 5분간~2시간, 마지막으로 500~510℃에서 1분간~2시간 가열하는 수법을 들 수 있다. Moreover, as a preferable example of the heating aspect in case of considering a baking time, the method of heating for 1 minute-2 hours at 50-150 degreeC, then raising a heating temperature in steps as it is, and finally heating at 500 degreeC or more for 30 minutes-4 hours is mentioned. Can be. Especially as a more preferable example of a heating aspect, it heats at 50-100 degreeC for 1 minute-2 hours, heats more than 100 degreeC-less than 500 degreeC for 5 minutes-2 hours, and heats at 500 degreeC or more for 30 minutes-4 hours. Can be mentioned. Moreover, as another more preferable example of a heating aspect, after heating at 50-100 degreeC for 1 minute-2 hours, it is 5 minutes-2 hours at 200-300 degreeC, 5 minutes-2 hours at 300 degreeC-less than 500 degreeC, and finally 500 The method of heating at -510 degreeC for 1 minute-2 hours is mentioned.
이와 같은 본 발명의 기판 보호층을 기체 상에 형성하는 경우, 기판 보호층은 기체의 일부 표면에 형성되어 있어도 되고, 전체면에 형성되어 있어도 된다. 기체의 일부 표면에 기판 보호층을 형성하는 태양으로서는 기체 표면 중 소정의 범위에만 기판 보호층을 형성하는 태양, 기체 표면 전체면에 도트 패턴, 라인 앤드 스페이스 패턴 등의 패턴 형상으로 기판 보호층을 형성하는 태양 등이 있다. 또한 본 발명에 있어서, 기체는 그 표면에 본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물이 칠해지는 것으로서, 플렉서블 전자 디바이스 등의 제조에 사용되는 것을 의미한다. When forming the board | substrate protective layer of this invention on a base, the board | substrate protective layer may be formed in one surface of a base, and may be formed in the whole surface. As an aspect in which the substrate protective layer is formed on a part of the surface of the substrate, the substrate protective layer is formed in a pattern shape such as a dot pattern, a line-and-space pattern on the entire surface of the substrate, and an embodiment in which the substrate protective layer is formed only in a predetermined range of the substrate surface. Such as the sun. In the present invention, the substrate is coated with the composition for forming a substrate protective layer of the present invention on the surface thereof, which means that the substrate is used for production of a flexible electronic device or the like.
기체(기재)로서는 예를 들면 유리, 플라스틱(폴리카보네이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 에폭시, 멜라민, 트리아세틸셀룰로오스, ABS, AS, 노르보르넨계 수지 등), 금속(실리콘 웨이퍼 등), 목재, 종이, 슬레이트 등을 들 수 있는데, 특히, 본 발명의 기판 보호층이 그것에 대한 충분한 밀착성을 가지는 점에서 유리가 바람직하다. 또한 기체 표면은 단일의 재료로 구성되어 있어도 되고, 2 이상의 재료로 구성되어 있어도 된다. 2 이상의 재료로 기체 표면이 구성되는 태양으로서는 기체 표면 중 어느 범위는 어느 재료로 구성되고, 그 나머지 표면은 그 밖의 재료로 구성되어 있는 태양, 기체 표면 전체에 도트 패턴, 라인 앤드 스페이스 패턴 등의 패턴 형상으로 어느 재료가 그 밖의 재료 중에 존재하는 태양 등이 있다. Examples of the base material include glass and plastic (polycarbonate, polymethacrylate, polystyrene, polyester, polyolefin, epoxy, melamine, triacetyl cellulose, ABS, AS, norbornene-based resin, etc.), metal (silicon wafer) Etc.), wood, paper, slate, and the like, and glass is particularly preferable in that the substrate protective layer of the present invention has sufficient adhesiveness thereto. In addition, the base surface may be comprised from a single material, and may be comprised from two or more materials. As an aspect in which the base surface is made of two or more materials, a certain range of the base surface is made of any material, and the rest of the surface is made of other materials. In the shape, there is an aspect in which a material is present in other materials.
본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물을 기체에 도포하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 캐스트 코트법, 스핀 코트법, 블레이드 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 다이 코트법, 잉크젯법, 인쇄법(철판, 요판, 평판, 스크린 인쇄 등) 등을 들 수 있다. Although the method of apply | coating the composition for substrate protective layer formation of this invention to a base is not specifically limited, For example, the cast coat method, the spin coat method, the blade coat method, the dip coat method, the roll coat method, the bar coat method, the die | dye A coating method, an inkjet method, a printing method (iron plate, intaglio, flat plate, screen printing, etc.), etc. are mentioned.
가열에 사용하는 기구는 예를 들면 핫플레이트, 오븐 등을 들 수 있다. 가열 분위기는 공기하여도 되고 불활성 가스하여도 되며, 또 상압하여도 되고 감압하여도 된다. As a mechanism used for heating, a hotplate, oven, etc. are mentioned, for example. The heating atmosphere may be air, inert gas, normal pressure or reduced pressure.
기판 보호층의 두께는 통상 0.01~50μm정도, 생산성의 관점에서 바람직하게는 0.05~20μm정도이다. 또한 소망하는 두께는 가열 전의 도막의 두께를 조정함으로써 실현된다. The thickness of the substrate protective layer is usually about 0.01 to 50 µm, and preferably about 0.05 to 20 µm from the viewpoint of productivity. In addition, a desired thickness is realized by adjusting the thickness of the coating film before heating.
이상 설명한 기판 보호층은 기체 특히 유리의 기체와의 적절한 밀착성과 적절한 박리성 및 수지 기판과의 우수한 밀착성을 가진다. 그 때문에 본 발명의 기판 보호층은 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 당해 디바이스의 수지 기판에 손상을 주지 않고, 당해 수지 기판을 그 수지 기판 상에 형성된 회로 등과 함께 기체로부터 박리시키기 위해서 적합하게 사용할 수 있다. The board | substrate protective layer demonstrated above has suitable adhesiveness with the base of gas, especially glass, and suitable peelability, and excellent adhesiveness with a resin substrate. Therefore, in the manufacturing process of a flexible electronic device, the board | substrate protective layer of this invention is used suitably for peeling the said resin substrate from a base with the circuit formed on the resin substrate, etc., without damaging the resin substrate of the said device. Can be.
상기 기판 보호층 상에 형성되는 수지 기판은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 내열성의 관점에서 열 중량 분석에 있어서의 1% 중량 감소 온도가 500℃ 이상인 것이 적합하다. Although the resin substrate formed on the said board | substrate protective layer is not specifically limited, It is suitable that the 1% weight loss temperature in thermal gravimetric analysis is 500 degreeC or more from a heat resistant viewpoint.
이와 같은 수지 기판으로서는 전방향족계 폴리이미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조티아졸, 폴리벤조이미다졸과 같은 전방향족계 폴리머를 사용한 수지 기판을 들 수 있다. 또 상기 폴리머에 실리카졸, 티타니아졸 등이 첨가된 하이브리드 필름이어도 된다. As such a resin substrate, the resin substrate using the wholly aromatic polymer, such as a wholly aromatic polyimide, polybenzoxazole, polybenzothiazole, and polybenzoimidazole, is mentioned. Moreover, the hybrid film which silica sol, titania sol, etc. were added to the said polymer may be sufficient.
이하, 본 발명의 기판 보호층을 사용한 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다. Hereinafter, an example of the manufacturing method of the flexible electronic device using the board | substrate protective layer of this invention is demonstrated.
본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물을 사용하여, 상기 서술한 방법에 의해, 유리 기체 상에 기판 보호층을 형성한다. 이 기판 보호층 상에 수지 기판을 형성하기 위한 수지 기판 형성용 용액을 도포하고, 이 도막을 소성함으로써, 본 발명의 기판 보호층을 개재시켜 유리 기체에 고정된 수지 기판을 형성한다. The substrate protective layer is formed on a glass base by the method mentioned above using the composition for substrate protective layer formation of this invention. The resin substrate formation solution for forming a resin substrate is apply | coated on this board | substrate protective layer, and this coating film is baked, and the resin substrate fixed to glass base is formed through the board | substrate protective layer of this invention.
상기 도막의 소성 온도는 수지의 종류 등에 따라 적절히 설정되는 것인데, 본 발명에서는 이 소성시의 최고 온도를 500℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또 그 상한은 통상 550℃정도이지만, 바람직하게는 520℃, 보다 바람직하게는 510℃정도이다. Although the baking temperature of the said coating film is set suitably according to the kind of resin, etc., in this invention, it is preferable to make the highest temperature at the time of this baking into 500 degreeC or more. Moreover, although the upper limit is about 550 degreeC normally, Preferably it is 520 degreeC, More preferably, it is about 510 degreeC.
수지 기판 제작시의 소성시의 최고 온도를 이 범위로 함으로써, 하지인 보호층과 기체와의 박리성이나, 기판 보호층과 수지 기판과의 적절한 밀착성 및 박리성을 보다 향상시킬 수 있다. By making the maximum temperature at the time of baking at the time of resin substrate manufacture into this range, the peelability of a protective layer which is a base and a base body, and the appropriate adhesiveness and peelability of a board | substrate protective layer and a resin substrate can be improved more.
이 경우도 최고 온도가 상기 범위가 되는 한, 그 이하의 온도에서 소성하는 공정을 포함하고 있어도 된다. Also in this case, as long as the maximum temperature is within the above range, a step of firing at a temperature below that may be included.
수지 기판 제작시의 가열 태양의 바람직한 일례로서는 50~150℃에서 가열한 후에 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 500℃ 이상에서 가열하는 수법을 들 수 있다. 특히, 가열 태양의 보다 바람직한 일례로서는 50~100℃에서 가열하고, 100℃ 초과~500℃ 미만에서 가열하고, 500℃ 이상에서 가열하는 수법을 들 수 있다. 또한 가열 태양의 보다 바람직한 다른 일례로서는 50~100℃에서 가열한 후에 100℃ 초과~200℃에서 가열하고, 200℃ 초과~300℃에서 가열하고, 300℃ 초과~500℃ 미만에서 가열하고, 마지막으로 500~510℃에서 가열하는 수법을 들 수 있다. As a preferable example of the heating aspect at the time of resin substrate preparation, after heating at 50-150 degreeC, the method of raising a heating temperature in steps as it is, and finally heating at 500 degreeC or more is mentioned. Especially as a more preferable example of a heating aspect, the method of heating at 50-100 degreeC, heating more than 100 degreeC-less than 500 degreeC, and heating at 500 degreeC or more is mentioned. Moreover, as another more preferable example of a heating aspect, after heating at 50-100 degreeC, it heats at more than 100 degreeC-200 degreeC, heats more than 200 degreeC-300 degreeC, heats more than 300 degreeC-less than 500 degreeC, and finally The method of heating at 500-510 degreeC is mentioned.
또 소성 시간을 고려한 경우의 가열 태양의 바람직한 일례로서는 50~150℃에서 1분간~2시간 가열한 후에 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 500℃ 이상에서 30분간~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. 특히, 가열 태양의 보다 바람직한 일례로서는 50~100℃에서 1분간~2시간 가열하고, 100℃ 초과~500℃ 미만에서 5분간~2시간 가열하고, 500℃ 이상에서 30분간~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. 또한 가열 태양의 보다 바람직한 다른 일례로서는 50~100℃에서 1분간~2시간 가열한 후에 100℃ 초과~200℃에서 5분간~2시간, 200℃ 초과~300℃에서 5분간~2시간, 300℃ 초과~500℃ 미만에서 5분간~2시간, 마지막으로 500~510℃에서 30분간~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. Moreover, as a preferable example of the heating aspect in case of considering a baking time, the method of heating for 1 minute-2 hours at 50-150 degreeC, then raising a heating temperature in steps as it is, and finally heating at 500 degreeC or more for 30 minutes-4 hours is mentioned. Can be. Especially as a more preferable example of a heating aspect, it heats at 50-100 degreeC for 1 minute-2 hours, heats more than 100 degreeC-less than 500 degreeC for 5 minutes-2 hours, and heats at 500 degreeC or more for 30 minutes-4 hours. Can be mentioned. Moreover, as another more preferable example of a heating aspect, after heating for 1 minute-2 hours at 50-100 degreeC, 5 minutes-2 hours at 100 degreeC-200 degreeC, 5 minutes-2 hours at 200 degreeC-300 degreeC, 300 degreeC 5 minutes-2 hours at the excess-less than 500 degreeC, and the method of heating at 500-510 degreeC for 30 minutes-4 hours lastly is mentioned.
이어서, 본 발명의 기판 보호층을 개재시켜 기체에 고정된 당해 수지 기판 상에 소망하는 회로를 형성하고, 그 후, 예를 들면 기판 보호층을 따라 수지 기판을 커트하고, 이 회로와 함께 수지 기판 및 기판 보호층을 기체로부터 박리하여, 수지 기판 및 기판 보호층과 기체를 분리한다. 이 때, 기체의 일부를 기판 보호층과 함께 커트해도 된다. Subsequently, a desired circuit is formed on the resin substrate fixed to the substrate via the substrate protective layer of the present invention, and then the resin substrate is cut along the substrate protective layer, for example, and the resin substrate together with the circuit. And the substrate protective layer is peeled off from the substrate to separate the resin substrate, the substrate protective layer from the substrate. At this time, a part of the substrate may be cut together with the substrate protective layer.
또한 일본 특개 2013-147599호 공보에서는 지금까지 고휘도 LED나 삼차원 반도체 패키지 등의 제조에 있어서 사용되어온 레이저 리프트 오프법(LLO법)을 플렉서블 디스플레이의 제조에 적용하는 것이 보고되어 있다. 상기 LLO법은 회로 등이 형성된 면과는 반대의 면으로부터, 특정의 파장의 광선 예를 들면 파장 308nm의 광선을 유리 기체측으로부터 조사하는 것을 특징으로 하는 것이다. 조사된 광선은 유리 기체를 투과하고, 유리 기체 근방의 폴리머(폴리이미드)만이 이 광선을 흡수하여 증발(승화)한다. 그 결과, 디스플레이의 성능을 결정짓게 되는 수지 기판 상에 설치된 회로 등에 영향을 주지 않고, 유리 기체로부터 기판 보호층을 선택적으로 박리하는 것이 가능하게 된다. In addition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-147599 discloses the application of the laser lift-off method (LLO method), which has been used in the manufacture of high-brightness LEDs and three-dimensional semiconductor packages, to the manufacture of flexible displays. The LLO method is characterized by irradiating a light of a specific wavelength, for example, a light having a wavelength of 308 nm from the glass substrate side from the surface opposite to the surface on which the circuit or the like is formed. The irradiated light beam passes through the glass gas, and only the polymer (polyimide) in the vicinity of the glass gas absorbs the light and evaporates (sublimes) it. As a result, it becomes possible to selectively peel a board | substrate protective layer from glass base, without affecting the circuit etc. provided on the resin substrate which determines the performance of a display.
본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물은 상기 LLO법의 적용이 가능하게 되는 특정 파장(예를 들면 308nm)의 광선을 충분히 흡수한다는 특징을 가지기 때문에, LLO법의 희생층으로서 사용할 수 있다. 그 때문에 본 발명에 조성물을 사용하여 형성한 기판 보호층을 개재시켜 유리 기체에 고정된 수지 기판 상에 소망하는 회로를 형성하고, 그 후, LLO법을 실시하여 308nm의 광선을 조사하면, 이 기판 보호층만이 이 광선을 흡수하여 증발(승화)한다. 이것에 의해, 상기 기판 보호층이 희생이 되어(희생층으로서 작용하여), 유리 기체로부터 수지 기판을 선택적으로 박리하는 것이 가능하게 된다. Since the composition for substrate protective layer formation of this invention has the characteristic to absorb the light of the specific wavelength (for example, 308 nm) which the said LLO method can apply to, it can be used as a sacrificial layer of the LLO method. Therefore, when a desired circuit is formed on the resin substrate fixed to the glass substrate via the board | substrate protective layer formed using the composition for this invention, and then irradiated with the light of 308 nm by LLO method, this board | substrate will be provided. Only the protective layer absorbs this light and evaporates (sublimes). Thereby, the said board | substrate protective layer becomes a sacrifice (acts as a sacrificial layer), and it becomes possible to selectively peel a resin substrate from a glass substrate.
(실시예) (Example)
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these Examples.
[1] 화합물의 약어 [1] abbreviations for compounds
p-PDA : p-페닐렌디아민 p-PDA: p-phenylenediamine
TFMB : 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 TFMB: 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine
BPDA : 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물 BPDA: 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride
PMDA : 피로멜리트산 이무수물 PMDA: pyromellitic dianhydride
CBDA : 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물 CBDA: 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride
NMP : N-메틸-2-피롤리돈 NMP: N-methyl-2-pyrrolidone
BCS : 부틸셀로솔브 BCS: Butyl Cellosolve
PGME : 프로필렌글리콜모노메틸에테르 PGME: Propylene Glycol Monomethyl Ether
[2] 중량 평균 분자량 및 분자량 분포의 측정 방법 [2] measurement of weight average molecular weight and molecular weight distribution
폴리머의 중량 평균 분자량(이하 Mw로 줄인다) 및 분자량 분포의 측정은 니혼분코(주)제 GPC 장치(칼럼 : Shodex제 KD801 및 KD805; 용리액 : 디메틸포름아미드/LiBr·H2O(29.6mM)/H3PO4(29.6mM)/THF(0.1wt%); 유량 : 1.0mL/분; 칼럼 온도 : 40℃; Mw : 표준 폴리스티렌 환산값)를 사용하여 행했다. Measurement of the weight average molecular weight of the polymer (hereinafter referred to as Mw) and the molecular weight distribution were carried out using a GPC device (column: Shodex KD801 and KD805; eluent: dimethylformamide / LiBr.H 2 O (29.6 mM) / H 3 PO 4 (29.6 mM) / THF (0.1 wt%); flow rate: 1.0 mL / min; column temperature: 40 ° C .; Mw: standard polystyrene conversion value).
[3] 폴리머의 합성 [3] polymer synthesis
이하의 방법에 의해 폴리아믹산을 합성했다. Polyamic acid was synthesize | combined by the following method.
또한 얻어진 폴리머 함유 반응액으로부터 폴리머를 단리하지 않고, 후술하는 바와 같이 반응액을 희석함으로써, 수지 기판 형성용 조성물 또는 기판 보호층 형성용 조성물을 조제했다. Moreover, the composition for resin substrate formation or the composition for board | substrate protective layer formation was prepared by diluting a reaction liquid as mentioned later, without isolating a polymer from the obtained polymer containing reaction liquid.
<합성예 S1 폴리아믹산(S1)의 합성> Synthesis Example S1 Synthesis of Polyamic Acid (S1)
p-PDA 3.176g(0.02937몰)을 NMP 88.2g에 용해하고, BPDA 8.624g(0.02931몰)을 첨가한 후, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 107,300, 분자량 분포 4.6이었다. 3.176 g (0.02937 mol) of p-PDA was dissolved in 88.2 g of NMP, and after adding 8.624 g (0.02931 mol) of BPDA, it was made to react at 23 degreeC by nitrogen atmosphere for 24 hours. Obtained polymer Mw was 107,300 and molecular weight distribution 4.6.
<합성예 L1 폴리아믹산(L1)의 합성> Synthesis Example Synthesis of L1 Polyamic Acid (L1)
TFMB 23.7g(74.2mmol)을 NMP 352g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 BPDA 24.2g(82.5mmol)을 가하고, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 76,400, 분자량 분포 2.2였다. 얻어진 용액은 PGME에 가용이었다. 23.7 g (74.2 mmol) of TFMB was dissolved in 352 g of NMP. BPDA24.2g (82.5mmol) was added to the obtained solution, and it was made to react at 23 degreeC by nitrogen atmosphere for 24 hours. Obtained polymer Mw was 76,400 and molecular weight distribution 2.2. The obtained solution was soluble in PGME.
<합성예 L2 폴리아믹산(L2)의 합성> Synthesis Example Synthesis of L2 Polyamic Acid (L2)
TFMB 9.89g(30.9mmol)을 PGME 380g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 BPDA 10.0g(34.3mmol)을 가하고, 질소 분위기하 50℃에서 72시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 76,400, 분자량 분포 2.2였다. 9.89 g (30.9 mmol) of TFMB was dissolved in 380 g of PGME. 10.0 g (34.3 mmol) of BPDA was added to the obtained solution, and it was made to react at 50 degreeC for 72 hours in nitrogen atmosphere. Obtained polymer Mw was 76,400 and molecular weight distribution 2.2.
<비교 합성예 HL1 폴리아믹산(HL1)의 합성> Comparative Synthesis Example Synthesis of HL1 Polyamic Acid (HL1)
TFMB 2.73g(8.53mmol)을 NMP 38.5g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 PMDA 2.06g(9.47mmol)을 가하고, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 76,400, 분자량 분포 2.2였다. 얻어진 용액은 PGME에 가용이었다. 2.73 g (8.53 mmol) of TFMB were dissolved in 38.5 g of NMP. PMDA 2.06g (9.47mmol) was added to the obtained solution, and it was made to react at 23 degreeC by nitrogen atmosphere for 24 hours. Obtained polymer Mw was 76,400 and molecular weight distribution 2.2. The obtained solution was soluble in PGME.
<비교 합성예 HL2 폴리아믹산(HL2)의 합성> Comparative Synthesis Example Synthesis of HL2 Polyamic Acid (HL2)
TFMB 2.86g(8.91mmol)을 NMP 35.2g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 CBDA 1.94g(9.91mmol)을 가하고, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 69,200, 분자량 분포 2.2였다. 얻어진 용액은 PGME에 가용이었다. 2.86 g (8.91 mmol) of TFMB were dissolved in 35.2 g of NMP. CBDA 1.94g (9.91mmol) was added to the obtained solution, and it was made to react at 23 degreeC by nitrogen atmosphere for 24 hours. Obtained polymer Mw was 69,200 and molecular weight distribution 2.2. The obtained solution was soluble in PGME.
[4] 수지 기판 형성용 조성물의 조제 [4] Preparation of Composition for Forming Resin Substrate
[조제예 1] Preparation Example 1
합성예 S1에서 얻어진 반응액을 그대로 수지 기판 형성용 조성물로서 사용했다. The reaction liquid obtained in the synthesis example S1 was used as it is as a composition for resin substrate formation.
[5] 기판 보호층 형성용 조성물의 조제 [5] Preparation of Composition for Forming Substrate Protective Layer
[실시예 1-1] Example 1-1
합성예 L1에서 얻어진 반응액에 BCS와 NMP를 가하고, 폴리머 농도가 5wt%, BCS가 20질량%가 되도록 희석하여, 기판 보호층 형성용 조성물을 얻었다. BCS and NMP were added to the reaction liquid obtained by the synthesis example L1, and the polymer concentration was diluted so that 5 wt% and BCS might be 20 mass%, and the composition for substrate protective layer formation was obtained.
[실시예 1-2] Example 1-2
합성예 L2에서 얻어진 반응 용액을 그대로 기판 보호층 형성용 조성물로 했다. The reaction solution obtained in the synthesis example L2 was used as the composition for substrate protective layer formation as it is.
[비교예 1-1] Comparative Example 1-1
비교 합성예 HL1에서 얻어진 반응액에 BCS와 NMP를 가하고, 폴리머 농도가 5wt%, BCS가 20질량%가 되도록 희석하여, 기판 보호층 형성용 조성물을 얻었다. BCS and NMP were added to the reaction liquid obtained by the comparative synthesis example HL1, and it diluted so that a polymer concentration might be 5 wt% and 20 mass% of BCS, and the composition for substrate protective layer formation was obtained.
[비교예 1-2] Comparative Example 1-2
비교 합성예 HL2에서 얻어진 반응액에 BCS와 NMP를 가하고, 폴리머 농도가 5wt%, BCS가 20질량%가 되도록 희석하여, 기판 보호층 형성용 조성물을 얻었다. BCS and NMP were added to the reaction liquid obtained by the comparative synthesis example HL2, and it diluted so that a polymer concentration might be 5 wt% and 20 mass% of BCS, and the composition for substrate protective layer formation was obtained.
[6] 기판 보호층 및 수지 기판의 제작 [6] substrate protective layers and resin substrates
[실시예 2-1] Example 2-1
스핀 코터(조건 : 회전수 3,000rpm으로 약30초)를 사용하여, 실시예 1-1에서 얻어진 기판 보호층 형성용 조성물을 유리 기체로서의 100mm×100mm 유리 기판(이하 동일) 상에 도포했다. The composition for substrate protective layer formation obtained in Example 1-1 was apply | coated on the 100 mm x 100 mm glass substrate (hereafter same) as a glass base | substrate using the spin coater (condition: about 30 second at 3,000 rpm).
그리고 얻어진 도막을 핫플레이트를 사용하여 80℃에서 10분간 가열하고, 그 후, 오븐을 사용하여 300℃에서 30분간, 400℃에서 30분간 가열한 후, 추가로 500℃에서 10분간 가열하여, 유리 기판 상에 두께 약0.1μm의 기판 보호층을 형성하고, 기판 보호층 부착 유리 기판을 얻었다. 또한 각 가열 온도 사이의 승온 속도는 5℃/분으로 하고, 온도를 높이는 동안, 막 부착 기판을 오븐으로부터 꺼내지 않고 오븐 내에서 가열했다. And the obtained coating film was heated at 80 degreeC for 10 minutes using a hotplate, and after that, it heated at 300 degreeC for 30 minutes and 400 degreeC for 30 minutes using an oven, and further heated at 500 degreeC for 10 minutes, and glass The board | substrate protective layer of thickness about 0.1 micrometer was formed on the board | substrate, and the glass substrate with a board | substrate protective layer was obtained. In addition, the temperature increase rate between each heating temperature was 5 degree-C / min, and it heated in the oven, without taking out the board | substrate with a film from the oven, while raising temperature.
바 코터(갭 : 250μm)를 사용하여, 상기에서 얻어진 유리 기판 상의 기판 보호층(수지 박막) 상에 수지 기판 형성용 조성물을 도포했다. 그리고, 얻어진 도막을 핫플레이트를 사용하여 80℃에서 40분간 가열하고, 그 후, 오븐을 사용하여 140℃, 210℃, 300℃ 및 400℃에서 각각 30분간 가열한 후, 추가로 500℃에서 60분간 가열하여, 기판 보호층 상에 두께 약10μm의 폴리이미드 수지 기판을 형성하고, 수지 기판·기판 보호층 부착 유리 기판을 얻었다. 또한 각 가열 온도 사이의 승온 속도는 2℃/분으로 하고, 온도를 높이는 동안, 막 부착 기판을 오븐으로부터 꺼내지 않고 오븐 내에서 가열했다. The composition for resin substrate formation was apply | coated on the board | substrate protective layer (resin thin film) on the glass substrate obtained above using the bar coater (gap: 250 micrometers). And the obtained coating film was heated at 80 degreeC for 40 minutes using a hotplate, and after that, it heated at 140 degreeC, 210 degreeC, 300 degreeC, and 400 degreeC, respectively for 30 minutes using an oven, and further at 500 degreeC 60 It heated for minutes, formed the polyimide resin substrate of thickness about 10 micrometers on the board | substrate protective layer, and obtained the glass substrate with a resin substrate and a board | substrate protective layer. In addition, the temperature increase rate between each heating temperature was 2 degree-C / min, and it heated in the oven, without taking out the board | substrate with a film from the oven, while raising temperature.
[실시예 2-2] Example 2-2
실시예 1-1에서 얻어진 기판 보호층 형성용 조성물 대신에 실시예 1-2에서 얻어진 기판 보호층 형성용 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 기판 보호층 및 폴리이미드 수지 기판을 형성하여, 기판 보호층 부착 유리 기판 및 수지 기판·기판 보호층 부착 유리 기판을 얻었다. A substrate protective layer and a polyimide resin substrate in the same manner as in Example 2-1 except that the composition for forming a substrate protective layer obtained in Example 1-2 was used instead of the composition for forming a substrate protective layer obtained in Example 1-1. Was formed and the glass substrate with a board | substrate protective layer and the glass substrate with a resin substrate and a board | substrate protective layer were obtained.
[비교예 2-1~2-2] [Comparative Example 2-1 ~ 2-2]
실시예 1-1에서 얻어진 기판 보호층 형성용 조성물 대신에 각각 비교예 1-1~1-2에서 얻어진 기판 보호층 형성용 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 기판 보호층 및 폴리이미드 수지 기판을 형성하여, 기판 보호층 부착 유리 기판 및 수지 기판·기판 보호층 부착 유리 기판을 얻었다. Substrate protective layer in the same manner as in Example 2-1 except for using the composition for forming a substrate protective layer obtained in Comparative Examples 1-1 to 1-2 instead of the composition for forming a substrate protective layer obtained in Example 1-1, respectively. And a polyimide resin substrate were formed to obtain a glass substrate with a substrate protective layer and a glass substrate with a resin substrate and a substrate protective layer.
[7] 박리성의 평가 [7] evaluation of peelability
실시예 2-1~2-2 및 비교예 2-1~2-2에서 얻어진 수지 기판·기판 보호층 부착 유리 기판의 수지 기판 및 기판 보호층을 커터를 사용하여 폭 2cm, 길이 5cm의 스트립 형상으로 커트했다. 그리고 커트한 수지 기판의 단부에 점착 테이프를 첩부하고, 이것을 시험편으로 했다. 이 시험편을 (주)아토닉제 푸시 풀 테스터를 사용하여 박리 각도가 170°가 되도록 박리 시험을 행하고, 하기의 기준에 기초하여 박리성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. Strip shape of width 2cm and length 5cm using the cutter for the resin substrate and board | substrate protective layer of the glass substrate with a resin substrate and a board | substrate protective layer obtained in Examples 2-1-2-2 and Comparative Examples 2-1-2-2. Cut into. And the adhesive tape was affixed on the edge part of the cut resin substrate, and this was made into the test piece. A peel test was performed for this test piece so that a peel angle might be 170 degrees using the push pull tester made by Atonic Co., Ltd., and peelability was evaluated based on the following reference | standard. The results are shown in Table 1.
<유리 기판과 기판 보호층의 박리성 평가 기준> <Evaluation criteria of peelability of glass substrate and substrate protective layer>
○ : 기판 보호층이 유리 기체로부터 모두 박리된다. (Circle): A board | substrate protective layer peels all from glass substrate.
△ : 수지 기판을 박리할 수 있지만, 일부 유리 기체 상에 기판 보호층이 남는다. (Triangle | delta): Although a resin substrate can be peeled off, a board | substrate protective layer remains on some glass substrates.
× : 유리 기체로부터 수지 기판 및 기판 보호층을 박리할 수 없다. X: The resin substrate and the substrate protective layer cannot be peeled from the glass substrate.
또 박리된 부위의 유리면의 표면을 커터로 깎아내어, 이하의 기준에 기초하여 잔막성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. Moreover, the surface of the glass surface of the peeled part was scraped off with the cutter, and the residual film property was evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 1.
<유리 기판에 대한 기판 보호층의 잔막성 평가 기준> <Residual Evaluation Criteria of Substrate Protective Layer to Glass Substrate>
○ : 기판 보호층의 잔막이 없다. (Circle): There is no residual film of a board | substrate protective layer.
△ : 일부 기판 보호층이 남는다. (Triangle | delta): Some board | substrate protective layer remains.
× : 기판 보호층이 남는다. X: The substrate protective layer remains.
- : 수지 기판이 박리되지 않기 때문에 평가 불능. -: Evaluation failed because the resin substrate did not peel off.
표 1에 표시되는 바와 같이, 실시예 2-1~2-2의 기판 보호층은 수지 기판과 함께 용이하게 박리되어, 유리 기판에 기판 보호층의 잔막이 없는 것을 확인할 수 있었다. 한편, 비교예 2-1~2-2의 수지 기판은 기판 보호층을 개재시켜 유리 기판에 강고하게 첩부되어, 유리 기체로부터 박리할 수 없었다. As shown in Table 1, the board | substrate protective layers of Examples 2-1 to 2-2 were peeled easily with a resin substrate, and it was confirmed that there is no residual film of a board | substrate protective layer in a glass substrate. On the other hand, the resin substrate of Comparative Examples 2-1 to 2-2 was stuck firmly to the glass substrate through the board | substrate protective layer, and was not able to peel from glass substrate.
[9] 수지막의 물성 [9] properties of resin film
실시예 2-1에서 얻어진 수지 기판의 기계 특성을 측정했다. 또한 비교로서 기판 보호층을 형성하지 않고 수지 기판 형성용 조성물 S1을 기체 상에 직접 도포하고 소성하여 제작한 수지 기판을 사용했다. 그 때, 기체를 유리 기판으로부터 실리콘 기판으로 변경하고, 그 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 수지 기판을 형성했다. 얻어진 수지막을 SF1로 했다. The mechanical properties of the resin substrate obtained in Example 2-1 were measured. In addition, the resin substrate produced by apply | coating and baking resin composition S1 for resin substrate formation directly on a base | substrate, without forming a board | substrate protective layer as a comparison was used. At that time, the substrate was changed from a glass substrate to a silicon substrate, and a resin substrate was formed in the same manner as in Example 2-1 except for that. The obtained resin film was made into SF1.
<선팽창계수> <Linear expansion coefficient>
상기에서 얻어진 필름으로부터 20mm×5mm의 스트립 형상의 시험편을 제작하고, TMA-4000SA(브루커·에이엑스에스(주)제)를 사용하여, 50℃로부터 500℃까지의 선팽창계수를 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다. A 20 mm x 5 mm strip-shaped test piece was produced from the film obtained above, and the linear expansion coefficient from 50 degreeC to 500 degreeC was measured using TMA-4000SA (made by Brooke AX Corporation). The results are shown in Table 2.
<중량 감소> <Weight reduction>
상기에서 얻어진 필름으로부터 20mm×3mm의 스트립 형상의 시험편을 제작하고, TGA-DTA-2000SR(브루커·에이엑스에스(주)제)을 사용하여, 50℃로부터 600℃까지의 중량 감소를 측정하고, 1%의 중량 감소가 확인된 온도를 확인했다. 결과를 표 2에 나타낸다. A strip-shaped test piece of 20 mm x 3 mm was made from the film obtained above, and the weight loss from 50 degreeC to 600 degreeC was measured using TGA-DTA-2000SR (made by Brooker AX Corporation), , 1% of the weight loss was confirmed. The results are shown in Table 2.
(ppm/℃)Coefficient of linear expansion
(ppm / ℃)
(℃)1% weight reduction
(℃)
표 2에 표시되는 바와 같이, 실시예에서 제작한 기판 보호층 부착 수지 기판과, 기판 보호층을 형성하지 않고 제작한 수지 기판에 있어서, 기계 특성에 차가 없는 것을 확인할 수 있었다. 이상의 결과로부터, 기판 보호층이 제작한 수지 기판의 기계 특성에 영향을 주지 않는 것이 확인되었다. As shown in Table 2, in the resin substrate with a board | substrate protective layer produced in the Example, and the resin substrate produced without forming a board | substrate protective layer, it was confirmed that there is no difference in a mechanical characteristic. From the above result, it was confirmed that the board | substrate protective layer does not affect the mechanical characteristic of the resin substrate produced.
Claims (11)
(식 중, X는 하기 식(2)으로 표시되는 방향족기를 나타내고, Y는 불소 원자를 가지는 2가의 방향족기를 나타내고, n은 자연수를 나타낸다.)
The composition for forming a substrate protective layer according to claim 1, comprising a polyamic acid represented by the following formula (1) and an organic solvent.
(In formula, X represents the aromatic group represented by following formula (2), Y represents the bivalent aromatic group which has a fluorine atom, and n represents a natural number.)
The composition for forming a substrate protective layer according to claim 2, wherein Y is an aromatic group represented by the following formula (3).
The composition for forming a substrate protective layer according to claim 2 or 3, wherein Y is an aromatic group represented by the following formula (4).
(식 중, R1~R8은 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타내고, R9 및 R10은 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~10의 아실기를 나타내고, b 및 n은 자연수를 나타낸다) The composition for forming a substrate protective layer according to any one of claims 1 to 4, wherein the organic solvent is at least one selected from those having a structure represented by the following formulas (S1) to (S7). .
(In formula, R <1> -R <8> represents a hydrogen atom or a C1-C10 alkyl group independently of each other, R <9> and R <10> represents a hydrogen atom, a C1-C10 alkyl group, or C1-C10 independently of each other Represents an acyl group of b and n represent a natural number)
이 기판 보호층 상에 수지 기판 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 수지 기판을 형성하는 공정과,
이 수지 기판 상에 전자 디바이스를 제작하는 공정과,
상기 기체로부터 상기 기판 보호층 및 상기 수지 기판과 함께 상기 전자 디바이스를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법. Applying the composition for substrate protective layer formation of Claim 6 on a base material, baking at the maximum temperature of 500 degreeC or more, and forming the board | substrate protective layer which has the peelability from the said base material,
Apply | coating the composition for resin substrate formation on this board | substrate protective layer, baking at the maximum temperature of 500 degreeC or more, and forming a resin substrate,
A step of producing an electronic device on the resin substrate,
And a step of peeling the electronic device together with the substrate protective layer and the resin substrate from the substrate.
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