KR20190093415A - 발광소자 패키지 및 광원 장치 - Google Patents
발광소자 패키지 및 광원 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190093415A KR20190093415A KR1020180013020A KR20180013020A KR20190093415A KR 20190093415 A KR20190093415 A KR 20190093415A KR 1020180013020 A KR1020180013020 A KR 1020180013020A KR 20180013020 A KR20180013020 A KR 20180013020A KR 20190093415 A KR20190093415 A KR 20190093415A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- hole
- disposed
- conductive
- Prior art date
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 50
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 50
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 77
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 description 47
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 GaN Chemical class 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 6
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 3
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017750 AgSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQFVPQOLBLOTPF-UHFFFAOYSA-L Congo Red Chemical compound [Na+].[Na+].C1=CC=CC2=C(N)C(N=NC3=CC=C(C=C3)C3=CC=C(C=C3)N=NC3=C(C4=CC=CC=C4C(=C3)S([O-])(=O)=O)N)=CC(S([O-])(=O)=O)=C21 IQFVPQOLBLOTPF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016347 CuSn Inorganic materials 0.000 description 1
- XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N F.F.F.P Chemical compound F.F.F.P XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012310 Polyamide 9T (PA9T) Polymers 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001123 polycyclohexylenedimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
발명의 실시 예에 개시된 발광소자 패키지는, 상면에서 하면으로 관통된 관통홀을 갖는 몸체; 및 상기 관통홀 상에 배치된 제1본딩부 및 제2본딩부를 갖는 발광소자를 포함하며, 상기 관통홀에는 상기 발광소자의 제1 및 제2본딩부의 일부가 배치되며, 상기 관통홀의 상면 면적은 상기 발광소자의 상면 면적의 50% 이상이며 상기 발광 소자의 상면 면적보다 작을 수 있다.
Description
발명의 실시 예는 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지, 반도체 소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광소자의 하부에 몸체의 관통홀이 배치되고 상기 관통홀을 통해 발광소자의 두 본딩부의 일부가 나란하게 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광 소자와 중첩되는 영역에 몸체의 관통 홀에 발광소자의 본딩부 또는 본딩부의 도전돌기가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 관통홀에 배치된 발광소자의 본딩부들 사이 또는 도전돌기 사이에 격벽부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 관통홀에 격벽부를 배치하여, 상기 관통홀에 배치된 발광소자의 본딩부 또는 도전돌기를 물리적 또는 공간적으로 분리시킨 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체와 소자 사이에 제1수지가 배치되어, 소자를 지지 및 고정시켜 줄 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체 상부에 제1수지가 배치되어, 소자 하부를 지지 및 고정시켜 줄 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면에서 하면으로 관통된 관통홀을 갖는 몸체; 및 상기 관통홀 상에 배치된 제1본딩부 및 제2본딩부를 갖는 발광소자를 포함하며, 상기 관통홀에는 상기 발광소자의 제1 및 제2본딩부의 일부가 배치되며, 상기 관통홀의 상면 면적은 상기 발광소자의 상면 면적의 50% 이상이며 상기 발광 소자의 상면 면적보다 작을 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1본딩부로부터 상기 몸체의 하면 방향으로 돌출된 제1도전 돌기; 및 상기 제2본딩부로부터 상기 몸체의 하면 방향으로 돌출된 제2도전 돌기를 포함하며, 상기 제1 및 제2도전 돌기는 상기 관통홀 내에 서로 대면하게 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 관통홀은 경사진 측면을 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체의 하면을 통해 상기 관통홀의 내부를 거쳐 상기 제1 및 제2본딩부 사이의 영역에 배치된 격벽부를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 격벽부의 양측에 제1본딩부에 연결된 제1도전부와 상기 제2본딩부에 연결된 제2도전부가 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광소자의 둘레에 배치된 제1수지를 포함하며, 상기 제1수지는 상기 발광소자를 상기 몸체에 부착될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 관통홀의 표면에 서로 이격된 제1 및 제2금속부를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 광원 장치는, 상부에 제1 및 제2패드를 갖는 회로 기판; 및 상기 회로 기판에 상기의 발광소자 패키지가 배치되며, 상기 발광소자 패키지의 관통홀에 배치된 제1 및 제2도전부를 포함하며, 상기 제1도전부는 상기 제1패드와 상기 발광소자의 제1본딩부에 연결되며, 상기 제2도전부는 상기 제2패드와 상기 발광소자 패키지의 제2본딩부에 연결되며, 상기 제1 및 제2패드 사이에서 상기 관통홀을 통해 상기 발광소자의 하면 방향으로 돌출된 격벽부를 포함하며, 상기 격벽부는 상기 제1 및 제2도전부 사이에 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자가 본딩되는 회로 기판의패드들 간격을 줄여줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 회로 기판 상에 배치된 격벽부에 의해 발광소자의 하부 본딩 부재들을 공간적으로 분리시켜 주어, 도전성 물질의 누설이나 전기적인 간섭을 방지할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀을 통해 도전부와 소자의 본딩부를 연결시켜 주어, 플립 칩의 본딩부의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀에 소자의 본딩부와 도전부가 연결될 수 있도록 하여, 플립 칩의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 소자 하부와 몸체 사이에 제1수지를 배치하여, 소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지, 이를 갖는 광원 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 4는 도 3의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 5는 도 3의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이다.
도 6은 도 5의 회로 기판 상에 격벽부와 발광소자의 도전 돌기와 대응되는 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 도 3의 발광소자 패키지의 제1변형 예이다.
도 8은 도 7의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 분해 사시도이다.
도 9는 도 3의 발광소자 패키지의 제2변형 예이다.
도 10은 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 갖는 광원장치의 예이다.
도 11은 도 10의 회로 기판 상의 격벽부의 다른 예이다.
도 12는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 4는 도 3의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 5는 도 3의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이다.
도 6은 도 5의 회로 기판 상에 격벽부와 발광소자의 도전 돌기와 대응되는 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 도 3의 발광소자 패키지의 제1변형 예이다.
도 8은 도 7의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 분해 사시도이다.
도 9는 도 3의 발광소자 패키지의 제2변형 예이다.
도 10은 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 갖는 광원장치의 예이다.
도 11은 도 10의 회로 기판 상의 격벽부의 다른 예이다.
도 12는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 평면도이다.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다. 상기 소자 패키지의 반도체 소자는 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.
<제1실시 예>
도 1은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이며, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이며, 도 4는 도 3의 발광소자 패키지의 다른 예이고, 도 5는 도 3의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이며, 도 6은 도 5의 회로 기판 상에 격벽부와 발광소자의 도전 돌기와 대응되는 예를 나타낸 도면이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는, 몸체(110) 및 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1몸체(115)와 제2몸체(110A)를 포함할 수 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상부 둘레에 배치될 수 있다. 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상부 위에 캐비티(102)를 제공할 수 있다. 일 예로서, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)은 서로 일체형으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)은 서로 별개로 형성된 후 부착되거나 결합될 수 있다. 이러한 결합을 위해, 제1 몸체(115)와 제2 몸체(110A)는 걸림홈 또는/및 걸림턱과 같은 결합 구조를 가질 수 있다. 상기 제1몸체(110A)가 없는 경우 상기 제1몸체(115)는 몸체로 정의할 수 있다.
상기 제1몸체(115)는 발광소자를 지지하는 몸체부일 수 있고, 상기 제2몸체(110A)는 반사부일 수 있다. 다른 표현으로서, 제1 몸체(115)는 하부 몸체, 제2 몸체(110A)는 상부 몸체로 지칭될 수도 있다. 또한, 실시예에 의하면, 몸체(110)는 캐비티(102)를 제공하는 제2 몸체(110A)를 포함하지 않고, 평탄한 상부면을 제공하는 제1 몸체(115)만을 포함할 수도 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 발광소자(120)의 둘레에 배치되며, 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 제2 몸체(110A)는 제1 몸체(115)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.
상기 몸체(110)는 캐비티(102)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티(102)는 바닥면과, 바닥면에서 몸체(110)의 상면에 대해 경사진 측면(132)을 포함할 수 있다. 상기 측면(132)는 스텝 구조를 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 몸체(110)는 캐비티(102)를 갖는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(102) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.
예로서, 상기 몸체(110)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 에폭시 내에 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 금속 산화물은 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러일 수 있다.
발광소자 패키지(100)는 제1방향(X)의 길이가 제2방향(Y)의 길이와 같거나 클 수 있다. 이하의 설명에서 제1방향은 X 방향이며, 제2방향은 X 방향과 직교하는 Y 방향이며, 제3방향은 X,Y 방향과 직교하는 Z 방향일 수 있다. 발광소자(120)가 직사각형 형상인 경우, 상기 제1방향은 상기 발광소자(120)의 변들 중 길이가 더 긴 변의 방향일 수 있다. 예컨대, 제1방향은 발광소자(120)의 장변 방향이며, 제2방향은 단변 방향일 수 있다. 상기 발광소자(120)가 정사각형 형상인 경우, 상기 제1 방향과 상기 제2방향의 변의 길이는 서로 동일할 수 있다. 상기 제1방향에는 발광소자(120)의 양 단변이 서로 반대측에 배치되거나 서로 대면하는 방향이며, 제2방향에는 발광소자(120)의 양 장변이 서로 반대측에 배치되거나 서로 대면하는 방향일될 수 있다.
상기 몸체(110)는 제1방향에 배치된 제1 및 제2측면(S1,S2)과, 제2방향에 배치된 제3 및 제4측면(S3,S4)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(S1,S2) 사이의 간격이 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)의 제1방향 길이일 수 있다. 상기 제3 및 제4측면(S3,S4) 사이의 간격은 상기 제1 및 제2측면(S1,S2)의 제1방향의 길이일 수 있다.
상기 몸체(110)는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 이러한 몸체(110)는 상면 또는 캐비티(102)의 바닥에 금속 프레임이 제거된 구조이므로, 금속 프레임을 갖는 구조에 비해 몸체 재질의 선택의 폭이 넓을 수 있다. 상기 몸체(110)는 금속 프레임 예컨대, 리드 프레임과 일체로 사출하지 않아, 금속부의 두께를 상기 리드 프레임의 두께보다 얇게 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)는 리드 프레임과 미리 사출하지 않게게 되므로, 몸체(110)의 관통홀의 위치 변경, 캐비티(102)의 형상, 몸체(110)의 사이즈, 또는 패키지 사이즈에 대한 설계 변경이 용이할 수 있다.
상기 몸체(110)의 두께(t1)는 100 마이크로 미터 이상 예컨대, 100 내지 800 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 몸체(110)의 두께(t1)는 제1몸체(115)의 두께(t2)와 상기 제2몸체(110A)의 두께의 합일 수 있으며, 상기 제2몸체(110A)의 두께는 상기 발광소자(120)의 두께 이상일 수 있다. 여기서, 상기 제1몸체(115)의 두께(t2)는 400 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 400 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 제공될 수 있다. 상기 제1몸체(115)의 두께(t2)가 상기 범위보다 작은 경우 관통홀(TH1)을 갖는 부분에서의 강성이 저하될 수 있고, 상기 범위보다 두꺼운 경우 도전부의 양이 증가되어 도전부를 갖는 패키지의 신뢰성이 저하될 수 있다.
상기 제2몸체(110A)의 상면은 광의 지향각 분포를 위해 상기 발광소자(120)의 상면과 같거나 더 높은 위치에 배치될 수 있다. 다른 예는 제2몸체(110A)는 제1몸체(115)로부터 제거될 수 있으며, 이 경우 발광소자 패키지는 130도 이상의 광 지향각 분포를 가질 수 있다.
상기 몸체(110)는 관통홀(TH1)을 구비할 수 있다. 상기 몸체(110)는 하나 또는단일개의 관통홀(TH1)을 구비할 수 있다. 상기 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 아래에 배치된 상기 몸체(110)의 상면에서 하면을 관통할 수 있다. 상기 관통홀(TH1)은 상기 제1몸체(115)의 상면에서 하면을 관통할 수 있다. 상기 관통홀(TH1)은 캐비티(102)의 바닥에서 상기 제1몸체(115)의 하면까지 관통될 수 있다. 상기 관통홀(TH1)은 상기 몸체(110)의 센터 영역에서 상면에서 하면 방향으로 관통될 수 있다.
실시예에 의하면, 상기 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭 또는 면적은 하부 영역의 폭 또는 면적에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 예컨대, 도 3과 같이, 관통홀(TH1)은 상부 폭 또는 면적이 하부 폭 또는 면적과 같을 수 있으며, 도 7과 같이 하부 폭 또는 면적이 상부 폭 또는 면적보다 클 수 있다. 상기 관통홀(TH1)의 하부 폭 또는 면적이 큰 경우 채워지는 도전부의 주입 효율이 개선될 수 있으며, 인접한 도전부 간의 전기적인 간섭 거리를 크게 제공할 수 있다. 도 7과 같이, 상기 관통홀(TH1)은 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 관통홀(TH1)의 내면은 수직한 면이거나, 경사진 면 또는 곡면 중에서 적어도 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 관통홀(TH1)은 탑뷰 형상이 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상, 직선과 곡선을 갖는 비정형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 관통홀(TH1)은 상부 형상과 하부 형상이 동일할 수 있다. 다른 예로서, 관통홀(TH1)은 상부 형상과 하부 형상이 다를 수 있다. 관통홀(TH1)은 상부 형상과 하부 형상이 대칭적일 수 있다. 관통홀(TH1)은 상부 형상과 하부 형상이 비 대칭적일 수 있다. 관통홀(TH1)은 제1방향과 제2방향 중 적어도 하나로 상부 형상의 중심과 하부 형상의 중심이 동일한 수직 직선 상에 배치되거나, 서로 다른 수직한 직선 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 관통홀(TH1)의 상부 형상과 하부 형상은 서로 다른 형상이거나, 제1방향으로 상부 및 하부 중심이 서로 다를 위치에 배치될 수 있다.
상기 관통홀(TH1)의 상면 면적은 상기 발광소자(120)의 상면 면적보다 작을 수 있다. 상기 관통홀(TH1)의 상면 면적은 상기 발광소자(120)의 하면 면적보다 작을 수 있다. 상기 관통홀(TH1)의 상면 면적은 상기 발광소자(120)의 상면 면적의 50% 이상일 수 있다. 상기 관통홀(TH1)의 상면 면적은 상기 발광소자(120)의 상면 면적의 50% 내지 85% 범위일 수 있다. 이러한 관통홀(TH1)의 상면 면적이 상기 범위보다 작은 경우 관통홀 내에 배치된 도전 돌기 또는 본딩부 간의 절연 거리 확보가 어려울 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 발광소자(120)의 지지력이 저하될 수 있다.
상기 관통홀(TH1)의 상면 면적은 상기 캐비티(102)의 바닥 면적의 10% 이상 예컨대, 10% 내지 50% 범위로 배치될 수 있다. 이러한 관통홀(TH1)의 상면 면적이 상기 범위보다 큰 경우 관통홀(TH1)에 채워지는 도전부의 양이 증가되어 신뢰성 확보가 어렵고 상기 범위보다 작은 경우 절연 거리 확보가 어려울 수 있다.
상기 제1 몸체(115)의 하면 영역에서 관통홀(TH1)의 폭은 제1 및 제2방향으로 최소 50 마이크로 미터 이상일 수 있다. 상기 관통홀(TH1)의 깊이는 제1 몸체(115)의 두께(t2)와 동일할 수 있다. 상기 관통홀(TH1)의 깊이는 제1 몸체(115)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 관통홀(TH1)의 깊이는 400 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 400 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 제1몸체(115)의 두께(t2)는 400 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 400 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 제공될 수 있다.
상기 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 영역과 수직 방향으로 중첩된 영역에 배치될 수 있다. 상기 관통홀(TH1)의 상부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다. 상기 관통홀(TH1)의 하부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다. 상기 관통홀(TH1)의 상부에서 제1방향과 제2방향의 길이 비율이 상기 발광 소자(120)의 제1방향과 제2방향의 길이 비율과 동일할 수 있다. 이에 따라 상기 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)로부터 돌출된 구조물을 지지하고 틸트를 방지할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 도 3과 같이, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 및 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 기판(124)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 제1방향의 길이가 제2방향의 길이와 같거나 제1방향의 길이가 제2방향의 길이보다 더 길 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 기판(124)은 투광 층으로서, 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 기판(124)은 예컨대, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 상기 기판(124)는 제거될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)의 둘레에 몸체(110)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 둘레에는 제2몸체(110A)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(102) 내에 배치될 수 있다. 상기 캐비티(102)의 외측 둘레에 배치된 내 측면(132)은 경사지거나 수직할 수 있으며, 예컨대 경사진 면은 1단 이상 또는 2단 이상으로 경사지게 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 몸체(111) 또는 제1몸체(115)와 대면할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 제1방향으로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 관통홀(TH1)의 제1방향으로 이격될 수 있다.
상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 전극 또는 패드일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 몸체(110)의 상부 또는 제2몸체(110A)의 상부 방향으로 추출될 수 있게 된다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제2 본딩부(122)는 금속 재질 및 비금속 재질 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 발광소자(120)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120)는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있으며, 하나의 발광소자에 n개의 발광 셀이 배치된 경우 n배의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 예컨대, 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 2개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 6V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 또는 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 3개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 9V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 상기 발광소자(120)에 배치된 발광 셀의 개수는 1개 또는 2개 내지 5개일 수 있다.
한편, 발광소자(120)는 하부에 도전돌기(21,22)를 포함할 수 있다. 상기 도전돌기(21,22)는 관통홀(TH1) 내에 배치될 수 있다. 상기 도전돌기(21,22)는 상기 제1본딩부(121)로부터 몸체 하면 방향으로 돌출된 제1도전돌기(21)와, 상기 제2본딩부(122)로부터 몸체 하면 방향으로 돌출된 제2도전 돌기(22)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2도전돌기(21,22)는 도 5에 도시된, 제1 및 제2도전부(221,223)에 접촉될 수 있고, 회로기판(201)의 제1 및 제2패드(211,213)에 연결될 수 있다. 상기 제 1 및 제2도전돌기(21,22)의 높이 또는 두께는 상기 제1몸체(115)의 두께보다 작게 제공되어, 상기 관통홀(TH1)의 내부로 주입되는 도전부(221,223)와 연결될 수 있고 상기 회로 기판(201)의 제 1 및 제2패드(211,213)와 대면할 수 있다. 상기 제1 및 제2도전돌기(21,22)는 상기 관통홀(TH1)을 통해 상기 몸체(111)의 하면에 노출될 수 있다.
상기 도전돌기(21,22)는 기둥 형상 예컨대, 원 기둥 형상 또는 다각 기둥 형상을 포함할 수 있다. 상기 도전돌기(21,22)는 본딩부(121,122) 상에서 씨드층이 배치되고 상기 씨드층 상에 기둥 형태로 돌출된 금속 기둥을 포함할 수 있다. 상기 금속 기둥은 Cu, Au, Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속 기둥은 바텀뷰 형상이 원 기둥 또는 다각 기둥 형상일 수 있다.
상기 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122)와 대면하거나 중첩되게 배치될 수 있다. 상기 제1본딩부(121)와 제2본딩부(122)는 관통홀(TH1) 상에 배치되고, 상기 제1본딩부(121)와 제2본딩부(122)의 외곽부는 상기 관통홀(TH1)의 상부 둘레에 배치될 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2도전돌기(21,22)은 관통홀(TH1) 내에서 서로 이격되므로, 상기 발광소자(120)의 시프트나 틸트를 방지할 수 있다.
상기 제1 및 제2도전 돌기(21,22) 간의 최대 간격은 제1,2방향으로 상기 관통홀(TH1)의 제1,2방향의 너비보다 작을 수 있어, 상기 제1 및 제2도전 돌기(21,22)의 삽입이 용이할 수 있다. 상기 제1 및 제2도전 돌기(21,22) 간의 최대 간격은 제1,2방향으로 상기 관통홀(TH1)의 제1,2방향의 너비의 30% 이상으로 이격되어, 서로 간의 간섭 거리를 확보시켜 줄 수 있다. 상기 제1도전돌기(21)는 관통홀(TH1)의 중심을 기준으로 몸체(110)의 제1측면(S1)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제2도전돌기(22)는 관통홀(TH1)의 중심을 기준으로 몸체(110)의 제2측면(S2)에 인접하게 배치될 수 있다.
다른 예로서, 도 4를 참조하면, 발광소자 패키지는 관통홀(TH1)에 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122)가 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 아래에 배치된 도전 돌기(21,22)는 제거될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,22)는 상기 관통홀(TH1)의 상면보다 낮게 배치되고, 상기 관통홀(TH1) 내부로 돌출될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)은 관통홀(TH1) 내에서 서로 대면하거나 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 간의 최대 간격은 제1,2방향으로 상기 관통홀(TH1)의 제1,2방향의 너비보다 작을 수 있어, 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 삽입이 용이할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 간의 최대 간격은 제1,2방향으로 상기 관통홀(TH1)의 제1,2방향의 너비의 30% 이상으로 이격되어, 서로 간의 간섭 거리를 확보시켜 줄 수 있다. 상기 제1본딩부(121)는 관통홀(TH1) 내에서 관통홀(TH1)의 중심을 기준으로 몸체(110)의 제1측면(S1)에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제2본딩부(122)는 관통홀(TH1) 내에서 관통홀(TH1)의 중심을 기준으로 몸체(110)의 제2측면(S2)에 인접하게 배치될 수 있다. 이러한 도 4의 구조에서는, 상기 발광소자(120)의 발광 구조물(123)는 몸체(110) 또는 제1몸체(115)의 상면과 대면하게 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 발광 구조물(123)의 표면 보호를 위해, 표면에 페시베이션층이나 절연층이 배치되어, 상기 몸체(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 하부 에지 부분이 상기 관통홀(TH1)의 둘레에 걸쳐지게 배치될 수 있다.
도 3 및 도 4의 구조에서, 상기 발광소자(120)의 측면을 지지할 수 있는 부재를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 도 7과 같은 제1수지(160)가 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 측면 또는/및 하면과 상기 몸체(110)의 상면에 접착될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 측면 또는/및 하면과 상기 제1몸체(115)의 상면에 접착될 수 있다. 이러한 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)가 틸트되거나 유동되지 않도록 상기 몸체(110) 또는 제1몸체(115) 상에 부착시켜 줄 수 있다. 이러한 제1수지(160)는 후술하기로 한다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 몰딩부(190)를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 제2몸체(110A)에 의하여 제공된 캐비티(102)에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120)를 감싸게 배치될 수 있다.
상기 몰딩부(190)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 투명한 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(190)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형성하지 않을 수 있다.
상기 몰딩부(190) 내부 또는 하부에 배치되는 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 서로 다른 피크 파장을 발광할 수 있으며, 상기 발광소자로부터 방출된 광을 서로 다른 황색과 적색 또는 서로 다른 적색 피크 파장으로 발광할 수 있다. 상기 형광체 중 한 종류는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 610 nm에서 650 nm까지의 파장범위를 가질 수 있으며, 상기 파장은 10 nm 미만의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 적색 형광체는 플루오라이트(fluoride)계 형광체를 포함할 수 있다. 상기 플루오라이트계 형광체는, KSF계 적색 K2SiF6:Mn4 +, K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4 +, NaGdF4:Mn4 +, K3SiF7:Mn4 + 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1 - cFb:Mn4 + c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 또한 상기 플루오라이트계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 플루어라이트계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 10nm 이하의 협반치폭을 구현할 수 있기 때문에, 고해상도 장치에 활용될 수 있다.
실시 예에 따른 형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.
상기 양자점 형광체는, II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 회로 기판(201)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 리지드 PCB(rigid PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 또는 금속 재질의 베이스층 상에 절연층 또는 보호층(215)이 배치되며, 상기 절연층 또는 보호층(215)으로부터 노출된 패드(211,213)가 배치된다. 상기 패드(211,213)는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 절연층 또는 보호층(215)은 솔더 레지스트 재질이거나, 수지 재질일 수 있다.
상기 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)는 예컨대, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 패드(211,213)은 상기 관통홀(TH1)과 대면하는 영역에 제1패드(211)과 제2패드(213)로 배치될 수 있다.
상기 제1패드(211)는 제1본딩부(121) 또는/및 제1도전 돌기(21)와 대면하게 배치되며, 상기 제2패드(212)는 제2본딩부(122) 또는/및 제2도전 돌기(22)와 대면하게 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2패드(211,212) 사이에는 보호층(215)가 배치될 수 있다. 상기 보호층(215)는 제1 및 제2패드(211,212) 간을 절연시켜 줄 수 있다. 상기 제1 및 제2패드(211,212) 사이에 배치된 상기 보호층(215) 상에는 격벽부(225)가 배치될 수 있다. 상기 격벽부(225)는 절연성 재질일 수 있다. 상기 격벽부(225)는 제1방향의 폭이 상기 제1 및 제2패드(211,212) 간의 간격보다 작을 수 있으며, 제2방향의 길이는 상기 관통홀(TH1)의 길이와 동일하거나 80% 내지 100%의 범위일 수 있다. 상기 격벽부(225)의 높이는 20 마이크로 미터 이상 예컨대, 20 내지 70 마이크로 미터의 범위 또는 20 내지 40 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 격벽부(225)의 높이는 상기 발광소자(120)의 하부에 배치된 몸체(110)의 두께(t2)와 동일하거나 상기 두께 t2의 30% 이상일 수 있다. 상기 격벽부(215)는 관통홀(TH1) 내에서 두 공간으로 분리하는 기능하여, 제1도전 돌기(21)와 제2도전 돌기(21), 또는 제1 및 제2본딩부(121,122)를 공간적으로 서로 분리시켜 줄 수 있다. 상기 격벽부(225)는 관통홀(TH1) 내에서 상기 격벽부(225)의 양측에 배치된 제1 및 제2도전부(221,223) 간의 전기적인 간섭을 차단할 수 있는 높이로 배치될 수 있다. 상기 격벽부(225)의 상단은 상기 발광소자(120)의 하단 예컨대, 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이에 배치되거나, 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 하면에 접촉될 수 있다.
상기 격벽부(225)는 실크 스크린으로 형성되거나, 포토 솔더 레지스트(PSR), 또는 솔더 레지스트(SR), 또는 PCT, PE(Polyethylene)와 같은 절연성 폴리머 재질로 형성될 수 있다.
상기 제1패드(211)는 상기 제1도전부(221)를 통해 상기 제1본딩부(121) 및/또는제1도전 돌기(21)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2패드(213)는 상기 제2도전부(223)을 통해 상기 제2본딩부(122) 또는/및 제2도전 돌기(22)와 전기적으로 연결될 수 있다.
발명의 실시 예는 발광소자 패키지(100) 내에서 발광소자(120)의 하부 전극 부재 예컨대, 제1,2도전 돌기(21,22), 또는 제1,2본딩부(121,122)를 공간적으로 분리하지 않고, 관통홀 내로 삽입되는 격벽부(225)를 이용하여 분리시켜 줄 수 있다.
여기서, 도전부(221,223)의 접합 공정을 보면, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)는 액상의 재질로 제공되며, 회로기판(201)의 제1 및 제2패드(211,213) 상에 위치시킨 후, 회로 기판(201) 상에 정렬된 발광소자(120)를 결합하게 된다. 이때 상기 제1패드(211) 상에 배치된 제1도전부(221)는 관통홀(TH1)에 주입되고, 상기 제2패드(213) 상에 배치된 제2도전부(223)는 관통홀(TH1)에 주입될 수 있다. 상기 관통홀(TH1) 중간에 배치된 격벽부(225)는 수지 재질로 형성되어 있어, 상기 제1 및 제2도전부(221,223)의 확산을 방지할 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2도전부(221,223) 사이에 배치된 격벽(225)는 액상의 도전성 페이스트가 확산되는 것을 방지할 수 있고 상기 제1 및 제2도전부(221,223) 간의 전기적인 간섭을 차단할 수 있다. 발명의 일 예로서, 상기 격벽부(225)는 상기 회로 기판(201) 상에 배치된 예로 설명하였으나, 발광소자 패키지의 일부 구성일 수 있다. 상기 도전부(221,223)는 발광소자 패키지의 일부 구성일 수 있다.
발명의 실시 예는 도전부(221,223)의 유동 또는 확산을 수지 재질의 격벽부(225)로 방지할 수 있고 상기 관통홀(TH1) 내에 도전돌기(21,22) 및 본딩부(121,122) 중 적어도 하나를 배치하여, 도전부(221,223)의 접합성을 개선시키고 전기적인 간섭을 차단할 수 있다. 이러한 도전부(221,223)의 확산을 억제할 수 있어, 상기 도전부(221,223)가 일정한 분포나 형상을 갖게 되므로, 도전부(221,223)의 불균일한 분포로 인한 전기적 오픈 문제나 열 전달 효율의 저하 문제를 방지할 수 있다. 상기 도전부(221,223)가 배치되는 관통홀(TH1) 내에 보이드(void)가 형성되는 것을 억제하거나 보이드 양을 줄여줄 수 있다. 또는 상기 관통홀(TH1) 내에는 상기 도전부(221,223) 또는 본딩부(121,122) 사이에 보이드를 포함할 수 있다.
상기 도전부(221,223)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)를 구성하는 물질과 상기 도전부(221,222)의 물질이 화합되어 금속간 화합물층에 의해 결합될 수 있다. 상기 금속간 화합물은 CuxSny, AgxSny, AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다.
상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)는 상기 도전부(221,223)를 구성하는 물질과 상기 도전부(221,223)를 형성되는 과정 또는 상기 도전부(221,223)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 도전부(221,223)과 상기 본딩부(121,122) 사이 또는 상기 도전부(221,223)과 상기 패드(211,213) 사이, 또는 도전부(221,223)과 본딩부(121,122) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다. 예 로서, 상기 도전부(221,223)는 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 도전부(221,223)는 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 도전부(221,223)를 이루는 물질과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213) 또는 본딩부(121,122)의 금속 간의 결합에 의해 합금층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 도전부(221,223)과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213) 또는 본딩부(121,122)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 도전부(221,223) 및 합금층이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 합금층이 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 도전부(221,223)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213) 또는 도전돌기(21,22)로부터 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상부 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 관통홀(TH)의 경사 면(Sa)는 10도 내지 80도의 범위로 배치될 수 있어, 관통홀(TH1)을 중심 외측 상으로 도전부의 주입 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
또한 상기 발광소자(120)의 둘레에 제1수지(160)가 배치되므로, 상기 몰딩부(190)가 누설되는 문제를 방지할 수 있다. 여기서, 상기 제1수지(160)의 일부는 관통홀(TH1)로 유입될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(110)에 부착시켜 줄 수 있다. 상기 제1수지(160)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 내부에 금속 산화물 또는 필러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1수지(160)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 배치하기 전 또는 후에 디스펜싱되어, 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(110) 상에 부착 및 고정시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120)의 유동이나 틸트를 방지할 수 있다. 또한 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 접합하는 도전 물질이 리멜팅되더라도, 상기 몸체(110)에 상기 발광소자(120)를 고정시켜 줄 수 있다.
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면 에지로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(110) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1수지(160)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1수지(160)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1수지(160)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면 및 측면과 상기 몸체(110)에 접촉될 수 있다. 여기서, 상기 몸체(110) 상에 리세스가 배치되어, 상기 제1수지(160)가 고정될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(110)에 접착시켜 주어, 상기 발광소자(120)의 지지력을 증가시켜 줄 수 있고 상기 발광소자(120)의 틸트를 방지할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)에 접촉되어, 도 8에 도시된 회로 기판(201) 상에서 상기 발광소자(120)와 본딩되는 도전부(221,223)이 리멜팅될 경우, 상기 발광소자(120)의 유동을 방지하고 상기 발광소자(120)를 지지할 수 있다. 즉, 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자 패키지(100)의 리플로우 과정에서 상기 발광소자(120)이 유동되거나 틸트되는 것을 방지할 수 있다.
도 9는 도 3의 발광소자 패키지의 제2변형 예이다. 도 9의 구성은 상기에 개시된 구성을 선택적으로 포함할 수 있으며, 동일한 구성의 설명은 상기에 개시된 설명을참조하기로 한다.
도 9를 참조하면, 발광소자 패키지는 관통홀(TH1)의 서로 반대측 표면에 제1 및 제2금속부(111,113)가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 증착 또는 도금 공정을 통해 형성된 층을 레이저 스크라이빙으로 분리하여 제공할 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 관통홀(TH1)의 표면에서 몸체(110)의 하면으로 연장되어 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 도 8에 도시된, 격벽부(225)를 기준으로 서로 반대측 영역에 배치될 수 있고, 도전부(221,223)과 접합될 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 상기 관통홀(TH1) 내에 삽입되는 도전 돌기(21,22)와 대응되거나, 도전부(221,223)을 통해 연결되 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 도 4와 같은 구조에서, 관통홀(TH1)에 배치된 본딩부(121,122)에 인접하게 배치되며, 도전부(221,223)에 의해 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(111,113)는 도전부(221,223)의 접합 효율을 개선시켜 줄 수 있어, 도전부(221,223)의 크랙 불량을 줄일 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체에 대면적의 관통홀을 제공하여, 발광소자의 하부 전극 부재들을 돌출시키고, 회로 기판 상에 격벽부로 상기 전극 부재들을 공간적으로 분리하여, 도전부들 간의 전기적인 간섭을 방지할 수 있다. 상기 전극 부재는 상기에 개시된 본딩부 또는/및 도전 돌기를 포함할 수 있다.
도 10은 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지를 갖는 광원장치의 예이며, 도 11은 도 10의 격벽부의 다른 예이다.
도 10을 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(315), 상부 몸체(310A), 프레임(311,313), 발광소자(120), 몰딩부(390)를 포함한다.
상기 몸체(315)와 상기 상부 몸체(310A)는 절연 재질로서, 상기에 개시된 몸체와 상부 몸체를 참조하기로 한다. 상기 프레임(311,313)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 도전성 프레임은 금속 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 프레임(311,313)은 상기 몸체(315)와 결합될 수 있다. 제1 및 제2프레임(311,313)의 두께는 방열 특성 및 전기 전도 특성을 고려하여 형성될 수 있으며, 100 마이크로 미터 이상 예컨대 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 형성될 수 있다.
상기 상부 몸체(310A)는 내부에 캐비티(302)를 가질 수 있으며, 상기 캐비티(302) 내에 발광소자(120)가 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(390)는 상기에 개시된 몰딩부를 참조하기로 한다. 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)는 제1프레임(311)과 본딩되어 전기적으로 연결되며, 제2본딩부(122)는 제2프레임(313)과 본딩되어 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 발광소자(120)의 구성은 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.
회로 기판(201) 상에는 제1도전부(221)와 제2도전부(223)가 배치되고, 제1 및 제2도전부(221,223) 사이에는 격벽부(225)가 배치되어, 두 도전부(221,223)를 공간적으로 또는 물리적으로 분리시켜 줄 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2패드9211,213) 사이에 배치된 보호층(214)의 간격을 줄여줄 수 있다. 즉, 도전부(221,223)이 발광소자 패키지(300)를 탑재할 때 가해지는 압력에 의해 확산될 수 있으며, 이때 상기 격벽부(225)는 두 도전부(221,223)의 확산에 의한 전기적인 간섭을 차단할 수 있어, 전기적인 쇼트 문제를 차단할 수 있다.
도 11과 같이, 회로 기판(201) 상에 제1격벽부(225)와 제2격벽부(227)를 포함할 수 있다. 상기 제1격벽부(225)는 상기에 개시된 격벽부일 수 있다. 상기 제2격벽부(227)는 상기 제1격벽부(225)와 동일한 재질일 수 있다.
상기 제2격벽부(225)는 상기 제1 및 제2프레임(311,313)의 하부 둘레를 따라 배치될 수 있다. 상기 제2격벽부(227)는 제1격벽부(225)에 제2방향 단부에서 서로 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2격벽부(225,227) 사이의 영역에는 제1 및 제2도전부(221,223)가 배치되어, 상기 도전부(221,223)의 측 방향으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1 및 제2격벽부(225,227)는 도전부(221,223)의 댐 역할을 하여, 발광소자 패키지(300)를 탑재할 때 가해지는 압력에 의해 확산되는 것을 방지하여, 소정의 두께를 확보할 수 있다. 이에 따라 상기 도전부(221,223)의 두께가 얇아져 크랙이 발생되는 문제를 방지할 수 있다.
도 12는 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 단면도이다.
도 12를 참조하면, 발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다.
발광소자는 기판(624) 위에 배치된 발광 구조물(623)을 포함할 수 있다. 상기 기판(624)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(624)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(623)은 제1 도전형 반도체층(623a), 활성층(623b), 제2 도전형 반도체층(623c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(623b)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)과 상기 제2 도전형 반도체층(623c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(623a) 위에 상기 활성층(623b)이 배치되고, 상기 활성층(623b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다.
발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 상기 제2 도전형 반도체층(623c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 가지전극(625)와 상기 제2 가지전극(626)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)과 상기 제2 가지전극(626)에 의하여 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(623) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.
상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.
한편, 상기 발광 구조물(623)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(624)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.
발광소자의 다른 예로서, 제1전극과 제2전극 중 적어도 하나는 패턴 형태로 구현될 수 있고, 상기 패턴 형태의 전극에 도전 돌기가 배치될 수 있다. 상기 패턴은 하나 또는 복수의 암 형상 또는 가지 형상을 갖는 패턴을 포함할 수 있다. 또는 상기 발광소자의 각 본딩부에는 도전 돌기가 배치될 수 있다. 상기 발광소자는 하나의 발광 셀을 갖는 구조로 설명되었다. 이는 발광 셀이 상기의 발광 구조물을 포함하는 경우, 발광소자의 구동 전압은 하나의 발광 셀에 걸리는 전압일 수 있다. 실시 예에 개시된 발광소자의 예로서, 2개의 발광 셀을 갖는 발광소자가 개시될 수 있다.
상기에 개시된 발광소자는 하나의 발광 셀을 갖는 구조로 설명되었다. 이는 발광 셀이 상기의 발광 구조물을 포함하는 경우, 발광소자의 구동 전압은 하나의 발광 셀에 걸리는 전압일 수 있다. 실시 예에 개시된 발광소자의 예로서, 2개 또는 3개 이상의 발광 셀을 갖는 발광소자를 포함할 수 있다. 이에 따라 고전압의 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
또한, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 발명의 실시 예에 의하면, 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 몸체(110)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다. 예를 들어, 상기 몸체(115)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.
또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 또는 조명 모듈로 구현될 수 있으며, 상기 발광 모듈 또는 조명 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 몸체
110A: 제2몸체
115: 제1몸체
120: 발광소자
121,122: 본딩부
TH1: 관통홀
160: 제1수지
201: 회로 기판
211,213: 패드
221,223: 도전부
225: 격벽부
110A: 제2몸체
115: 제1몸체
120: 발광소자
121,122: 본딩부
TH1: 관통홀
160: 제1수지
201: 회로 기판
211,213: 패드
221,223: 도전부
225: 격벽부
Claims (8)
- 상면에서 하면으로 관통된 관통홀을 갖는 몸체; 및
상기 관통홀 상에 배치된 제1본딩부 및 제2본딩부를 갖는 발광소자를 포함하며,
상기 관통홀에는 상기 발광소자의 제1 및 제2본딩부의 일부가 배치되며,
상기 관통홀의 상면 면적은 상기 발광소자의 상면 면적의 50% 이상이고 상기 발광소자의 상면 면적보다 작은 발광소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1본딩부로부터 상기 몸체의 하면 방향으로 돌출된 제1도전 돌기; 및
상기 제2본딩부로부터 상기 몸체의 하면 방향으로 돌출된 제2도전 돌기를 포함하며,
상기 제1 및 제2도전 돌기는 상기 관통홀 내에 서로 대면하게 배치되는 발광소자 패키지. - 제2항에 있어서,
상기 관통홀은 경사진 측면을 포함하는 발광소자 패키지. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 몸체의 하면을 통해 상기 관통홀의 내부를 거쳐 상기 제1 및 제2본딩부 사이의 영역에 배치된 격벽부를 포함하는 발광소자 패키지. - 제4항에 있어서,
상기 격벽부의 양측에 제1본딩부에 연결된 제1도전부와 상기 제2본딩부에 연결된 제2도전부가 배치된 발광소자 패키지. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광소자의 둘레에 배치된 제1수지를 포함하며,
상기 제1수지는 상기 발광소자를 상기 몸체에 부착하는 발광소자 패키지. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 관통홀의 표면에 서로 이격된 제1 및 제2금속부를 포함하는 발광소자 패키지. - 상부에 제1 및 제2패드를 갖는 회로 기판; 및
상기 회로 기판에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배치되며,
상기 발광소자 패키지는, 청구항 2 또는 제3의 발광소자 패키지이며,
상기 발광소자 패키지의 관통홀에 배치된 제1 및 제2도전부를 포함하며,
상기 제1도전부는 상기 제1패드와 상기 발광소자의 제1본딩부에 연결되며,
상기 제2도전부는 상기 제2패드와 상기 발광소자 패키지의 제2본딩부에 연결되며,
상기 제1 및 제2패드 사이에서 상기 관통홀을 통해 상기 발광소자의 하면 방향으로 돌출된 격벽부를 포함하며,
상기 격벽부는 상기 제1 및 제2도전부 사이에 배치되는 광원 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180013020A KR102514176B1 (ko) | 2018-02-01 | 2018-02-01 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180013020A KR102514176B1 (ko) | 2018-02-01 | 2018-02-01 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190093415A true KR20190093415A (ko) | 2019-08-09 |
| KR102514176B1 KR102514176B1 (ko) | 2023-03-27 |
Family
ID=67613865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180013020A KR102514176B1 (ko) | 2018-02-01 | 2018-02-01 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102514176B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5611492B2 (ko) * | 1973-10-08 | 1981-03-14 | ||
| WO2014091914A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄ装置及びその製造方法 |
| JP2016127111A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| WO2017178332A1 (de) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung von bauelementen |
-
2018
- 2018-02-01 KR KR1020180013020A patent/KR102514176B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5611492B2 (ko) * | 1973-10-08 | 1981-03-14 | ||
| WO2014091914A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | シチズンホールディングス株式会社 | Ｌｅｄ装置及びその製造方法 |
| JP2016127111A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| WO2017178332A1 (de) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung von bauelementen |
| KR20180125578A (ko) * | 2016-04-13 | 2018-11-23 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 반사기를 구비한 소자 및 소자들을 제조하기 위한 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102514176B1 (ko) | 2023-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3483944B1 (en) | Light emitting device package and lighting apparatus comprising same | |
| US10672959B2 (en) | Light emitting device package and light source apparatus | |
| KR102592720B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| US11302846B2 (en) | Light emitting device package and light source unit | |
| KR20190006889A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20190066519A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| US11404618B2 (en) | Light-emitting device package and light source module | |
| KR20190034016A (ko) | 발광소자 패키지 및 조명 모듈 | |
| KR102514176B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR102486040B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190105341A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR102459103B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR102550291B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR102595927B1 (ko) | 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법 및 광원 장치 | |
| KR20190142499A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR102559569B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR102392862B1 (ko) | 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지 | |
| KR20190118081A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190120540A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190105339A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20190117142A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20190091146A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190093282A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20190140567A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190117315A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |